JP2002193906A - 炭化水素の気相接触酸化反応方法 - Google Patents
炭化水素の気相接触酸化反応方法Info
- Publication number
- JP2002193906A JP2002193906A JP2000392413A JP2000392413A JP2002193906A JP 2002193906 A JP2002193906 A JP 2002193906A JP 2000392413 A JP2000392413 A JP 2000392413A JP 2000392413 A JP2000392413 A JP 2000392413A JP 2002193906 A JP2002193906 A JP 2002193906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- catalyst
- temperature
- reaction
- catalytic oxidation
- phase catalytic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 炭素数が２〜８個のアルカン及び／又は炭素
数が２〜８個のアルケンを金属複合酸化物触媒の存在
下、流動床反応器を使用して気相接触酸化反応させる方
法において、高収率で長期に亘ってα、β−不飽和ニト
リルを製造する。 【解決手段】 流動床反応器内の触媒流動密度が５０ｋ
ｇ／ｍ3以下の領域（触媒希薄層）の温度を触媒流動密
度が３００ｋｇ／ｍ3以上の領域（触媒濃厚層）の温度
より低くして反応を行う。
数が２〜８個のアルケンを金属複合酸化物触媒の存在
下、流動床反応器を使用して気相接触酸化反応させる方
法において、高収率で長期に亘ってα、β−不飽和ニト
リルを製造する。 【解決手段】 流動床反応器内の触媒流動密度が５０ｋ
ｇ／ｍ3以下の領域（触媒希薄層）の温度を触媒流動密
度が３００ｋｇ／ｍ3以上の領域（触媒濃厚層）の温度
より低くして反応を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭素数が２〜８個
のアルカン及び／又は炭素数が２〜８個のアルケンを、
アンモニア及び金属複合酸化物触媒の存在下、流動床反
応器を使用して気相接触酸化反応させる方法に関する。
詳しくは、プロパンをアンモニアと金属複合酸化物触媒
の存在下、流動床反応器を使用して気相接触酸化させて
α，β−不飽和ニトリルを製造する気相接触酸化反応方
法に関する。
のアルカン及び／又は炭素数が２〜８個のアルケンを、
アンモニア及び金属複合酸化物触媒の存在下、流動床反
応器を使用して気相接触酸化反応させる方法に関する。
詳しくは、プロパンをアンモニアと金属複合酸化物触媒
の存在下、流動床反応器を使用して気相接触酸化させて
α，β−不飽和ニトリルを製造する気相接触酸化反応方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクリロニトリル等のα，β−不飽和ニ
トリルは、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−ス
チレン共重合体）、ＡＳ（アクリロニトリル−スチレン
共重合体）などの合成樹脂、アクリル繊維、合成ゴム、
アクリルアミドなどの中間原料として工業的に重要であ
る。特に、これらのうちのＡＢＳ、ＡＳは堅ろうで熱可
塑性に優れていることから、ＯＡ機器、弱電関係、車両
などの材料として使用され、また、アクリルアミドは凝
集剤、土壌改良剤などに使用されている。現在、アクリ
ロニトリル等のα，β−不飽和ニトリルは、工業的には
プロピレンとアンモニアとの気相接触酸化反応により製
造されているが、最近では価格の上で有利なプロパンか
らの製造方法に関心が高まっている。
トリルは、ＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジエン−ス
チレン共重合体）、ＡＳ（アクリロニトリル−スチレン
共重合体）などの合成樹脂、アクリル繊維、合成ゴム、
アクリルアミドなどの中間原料として工業的に重要であ
る。特に、これらのうちのＡＢＳ、ＡＳは堅ろうで熱可
塑性に優れていることから、ＯＡ機器、弱電関係、車両
などの材料として使用され、また、アクリルアミドは凝
集剤、土壌改良剤などに使用されている。現在、アクリ
ロニトリル等のα，β−不飽和ニトリルは、工業的には
プロピレンとアンモニアとの気相接触酸化反応により製
造されているが、最近では価格の上で有利なプロパンか
らの製造方法に関心が高まっている。
【０００３】従来から、プロピレンのアンモニアとの気
相接触酸化反応（アンモオキシデーション）等のよう
に、アルカン及び／又はアルケンを金属複合酸化物触媒
の存在下、気相接触酸化反応させる際には、流動床反応
器が広く用いられてきている。流動床反応器には、通
常、反応器下部にガス分散器、除熱コイル等が設けられ
ている。また、その上部には触媒を捕集する装置、例え
ばサイクロンが設けられ、触媒とガスの分離が行われ
る。
相接触酸化反応（アンモオキシデーション）等のよう
に、アルカン及び／又はアルケンを金属複合酸化物触媒
の存在下、気相接触酸化反応させる際には、流動床反応
器が広く用いられてきている。流動床反応器には、通
常、反応器下部にガス分散器、除熱コイル等が設けられ
ている。また、その上部には触媒を捕集する装置、例え
ばサイクロンが設けられ、触媒とガスの分離が行われ
る。
【０００４】流動床反応器を用いたプロピレンのアンモ
オキシデーションによるアクリロニトリルの製造は、古
くから工業的に実施されている。鞭巌・森勝・堀尾正靱
著「流動床の反応工学」（培風館（１９８４）発行）
や、Fluidization Engineering（流動層工学）；Daizo
Kunii,Octave Levenspiel(Johnwiley & Sons. Inc,（１
９６９）発行)には、一般的な流動床反応技術について
述べられており、アクリロニトリルの反応収率向上を目
的として、触媒の開発及び反応器内部装置の改良、例え
ば、原料ガス分散管や分散盤の改良がなされてきた。
オキシデーションによるアクリロニトリルの製造は、古
くから工業的に実施されている。鞭巌・森勝・堀尾正靱
著「流動床の反応工学」（培風館（１９８４）発行）
や、Fluidization Engineering（流動層工学）；Daizo
Kunii,Octave Levenspiel(Johnwiley & Sons. Inc,（１
９６９）発行)には、一般的な流動床反応技術について
述べられており、アクリロニトリルの反応収率向上を目
的として、触媒の開発及び反応器内部装置の改良、例え
ば、原料ガス分散管や分散盤の改良がなされてきた。
【０００５】また、工業規模での装置においては、長期
連続で生産運転を行うため、反応収率に影響を及ぼす触
媒の活性低下、触媒流出による触媒充填量の減少や触媒
粒径分布等の変化が生じるため、これらを回避するため
に触媒成分の補給や回収も行われている。例えば、反応
収率維持を目的として、流動床反応器の外へ飛散する触
媒分の補給や触媒成分の濃度低下防止の為に、触媒を新
たに追加したり、触媒の一部を抜き出して再生した後に
流動床反応器内に戻したり、あるいは触媒を全量交換し
たりということが行われている。具体的には、テルルや
モリブデンを含有する触媒の使用にあたっては、例え
ば、特開平１１−１２４３６１号公報に示されるような
反応時にテルル化合物やモリブデン化合物を賦活剤とし
て添加する方法、特開平１１−３４９５４５号公報に示
されるような触媒希薄層に設置された間接熱交換器の表
面にモリブデンを蒸着させて回収する方法が挙げられ
る。
連続で生産運転を行うため、反応収率に影響を及ぼす触
媒の活性低下、触媒流出による触媒充填量の減少や触媒
粒径分布等の変化が生じるため、これらを回避するため
に触媒成分の補給や回収も行われている。例えば、反応
収率維持を目的として、流動床反応器の外へ飛散する触
媒分の補給や触媒成分の濃度低下防止の為に、触媒を新
たに追加したり、触媒の一部を抜き出して再生した後に
流動床反応器内に戻したり、あるいは触媒を全量交換し
たりということが行われている。具体的には、テルルや
モリブデンを含有する触媒の使用にあたっては、例え
ば、特開平１１−１２４３６１号公報に示されるような
反応時にテルル化合物やモリブデン化合物を賦活剤とし
て添加する方法、特開平１１−３４９５４５号公報に示
されるような触媒希薄層に設置された間接熱交換器の表
面にモリブデンを蒸着させて回収する方法が挙げられ
る。
【０００６】しかしながら、これら従来の方法は、高価
な触媒成分を大量に必要とし、間接冷却器の煩雑な切り
替えにより反応を一定条件に維持出来ないという問題が
あった。また従来、触媒希薄層の温度の影響、特に触媒
の反応安定性の影響については殆ど考慮されていない。
な触媒成分を大量に必要とし、間接冷却器の煩雑な切り
替えにより反応を一定条件に維持出来ないという問題が
あった。また従来、触媒希薄層の温度の影響、特に触媒
の反応安定性の影響については殆ど考慮されていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、炭素数が２
〜８個のアルカン及び／又は炭素数が２〜８個のアルケ
ンを、金属複合酸化物触媒の存在下、流動床反応器を使
用して気相接触酸化反応させる方法において、流動床反
応器内の温度分布に着目し、これを制御することで金属
酸化物触媒の劣化を抑制し、高収率で長期に亘って安定
的にアクリロニトリル等のα，β−不飽和ニトリルを製
造する方法を提供することを目的とする。
〜８個のアルカン及び／又は炭素数が２〜８個のアルケ
ンを、金属複合酸化物触媒の存在下、流動床反応器を使
用して気相接触酸化反応させる方法において、流動床反
応器内の温度分布に着目し、これを制御することで金属
酸化物触媒の劣化を抑制し、高収率で長期に亘って安定
的にアクリロニトリル等のα，β−不飽和ニトリルを製
造する方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意検討した結果、意外にも、反応器の
触媒希薄層温度を制御することで触媒の劣化が抑制でき
ることを見出し、この知見により本発明をなすに至っ
た。すなわち、本発明の要旨は、炭素数が２〜８個のア
ルカン及び／又は炭素数が２〜８個のアルケンを、アン
モニア及び金属複合酸化物触媒の存在下、流動床反応器
を使用して気相接触酸化させる反応において、流動床反
応器内の触媒の流動密度が５０ｋｇ／ｍ3以下の領域
（以下、触媒希薄層という）の温度を、触媒流動密度が
３００ｋｇ／ｍ3以上の領域（以下、触媒濃厚層とい
う）の温度より低くすることを特徴とする炭化水素の気
相接触酸化反応方法に存する。
を解決するため鋭意検討した結果、意外にも、反応器の
触媒希薄層温度を制御することで触媒の劣化が抑制でき
ることを見出し、この知見により本発明をなすに至っ
た。すなわち、本発明の要旨は、炭素数が２〜８個のア
ルカン及び／又は炭素数が２〜８個のアルケンを、アン
モニア及び金属複合酸化物触媒の存在下、流動床反応器
を使用して気相接触酸化させる反応において、流動床反
応器内の触媒の流動密度が５０ｋｇ／ｍ3以下の領域
（以下、触媒希薄層という）の温度を、触媒流動密度が
３００ｋｇ／ｍ3以上の領域（以下、触媒濃厚層とい
う）の温度より低くすることを特徴とする炭化水素の気
相接触酸化反応方法に存する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、エタン、プロパン、ｎ−ブタン、イソブタ
ン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロ
ヘキサン等の炭素数が２〜８個のアルカン及び／又はエ
チレン、プロピレン、イソブチレン等の炭素数が２〜８
個のアルケンの気相接触酸化反応に適用することがで
き、具体的には、プロパンからのアクロレイン及び／又
はアクリル酸の製造、イソブタンからのメタクロレイン
及び／又はメタクリル酸の製造、ｎ−ブタンからの無水
マレイン酸の製造、エタンからのエチレン及び／又は酢
酸の製造、プロピレンからのアクロレイン及び／又はア
クリル酸の製造、プロピレンからのアクリロニトリルの
製造、イソブチレンからのメタクロレイン及び／又はメ
タクリル酸の製造、エチレンからのジクロロエタンの製
造等に好適である。
本発明は、エタン、プロパン、ｎ−ブタン、イソブタ
ン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロ
ヘキサン等の炭素数が２〜８個のアルカン及び／又はエ
チレン、プロピレン、イソブチレン等の炭素数が２〜８
個のアルケンの気相接触酸化反応に適用することがで
き、具体的には、プロパンからのアクロレイン及び／又
はアクリル酸の製造、イソブタンからのメタクロレイン
及び／又はメタクリル酸の製造、ｎ−ブタンからの無水
マレイン酸の製造、エタンからのエチレン及び／又は酢
酸の製造、プロピレンからのアクロレイン及び／又はア
クリル酸の製造、プロピレンからのアクリロニトリルの
製造、イソブチレンからのメタクロレイン及び／又はメ
タクリル酸の製造、エチレンからのジクロロエタンの製
造等に好適である。
【００１０】特に、気相接触酸化反応をアンモニアの存
在下に行う、いわゆるアンモキシデーションによって、
α，β−不飽和ニトリルを製造する方法に適している。
具体的には、プロパン、ブタン、イソブタン、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン等からのニトリルの製法、プロ
パンからのアクリロニトリル、イソブタンからのメタク
リロニトリルの製造等の炭素数が３〜８個のアルカンの
気相接触酸化反応方法に好適である。
在下に行う、いわゆるアンモキシデーションによって、
α，β−不飽和ニトリルを製造する方法に適している。
具体的には、プロパン、ブタン、イソブタン、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン等からのニトリルの製法、プロ
パンからのアクリロニトリル、イソブタンからのメタク
リロニトリルの製造等の炭素数が３〜８個のアルカンの
気相接触酸化反応方法に好適である。
【００１１】アンモオキシデーション等の気相接触酸化
反応に用いられる流動床反応器は、通常、反応器下部に
酸素含有ガス分散管又は分散盤及び原料ガス分散盤を有
している。また、通常、アンモオキデーション反応は発
熱反応であるため、反応熱を除去して反応器の温度を調
節し、かつ反応器断面の温度分布を極小化するため複数
の熱交換器が流動床反応器に設置されている。更に、通
常、反応器上部に反応器から流出する反応生成ガスに同
伴する触媒を捕集する装置、例えばサイクロンがＴＤＨ
と呼ばれる輸送出口高さ以上の位置に設けられている。
反応に用いられる流動床反応器は、通常、反応器下部に
酸素含有ガス分散管又は分散盤及び原料ガス分散盤を有
している。また、通常、アンモオキデーション反応は発
熱反応であるため、反応熱を除去して反応器の温度を調
節し、かつ反応器断面の温度分布を極小化するため複数
の熱交換器が流動床反応器に設置されている。更に、通
常、反応器上部に反応器から流出する反応生成ガスに同
伴する触媒を捕集する装置、例えばサイクロンがＴＤＨ
と呼ばれる輸送出口高さ以上の位置に設けられている。
【００１２】本発明の特徴は、流動床反応器内部の温度
分布を制御することにあり、触媒希薄層部分の温度を触
媒濃厚層部分の温度（反応温度）より低くすることにあ
る。国井大蔵著「流動化法」（日刊工業新聞社（１９６
２）発行）に述べられている様に、ガス系に於いては、
流動層高さは必ずしも液面の様に確然と定められるもの
ではなく、大小の泡立ちによる突出があるので、あくま
で近似的・平均的に測定されるものに過ぎない。本発明
でいう触媒濃厚層とは、流動床反応器中において、通常
流動触媒が密に存在する領域であり、具体的には触媒流
動密度が３００ｋｇ／ｍ3以上の領域のことをいう。触
媒濃厚層の上端部は、通常用いられている公知の方法に
より知ることができるが、例えば、分散盤出口から微粒
子回収装置入り口もしくは反応器からの反応ガス抜き出
し管までの間の差圧（流動床差圧）を濃厚流動層の単位
当たりの差圧で除算することにより、上端を知ることが
できる。但し、水平バッフル又は多孔板を挿入している
場合はそれに関わる差圧を別個に測定し、流動床差圧か
ら差し引く必要がある。また、より詳細には、分散盤上
部より任意の間隔で差圧を測定し、その差圧を該間隔で
除算することにより流動床密度を求め、触媒流動密度が
３００ｋｇ／ｍ3以上である部分を確認することによ
り、触媒濃厚層の範囲を知ることができる。また、本発
明でいう触媒希薄層とは、流動床反応器中において通常
流動触媒が希薄である領域であり、具体的には触媒流動
密度が５０ｋｇ／ｍ3以下の領域のことをいう。触媒濃
厚層の上部域は、流体中の触媒密度が比較的小さく、触
媒希薄層は触媒濃厚層より広い領域を有しているのが一
般的である。触媒濃厚層で実質的な反応が起きるとはい
え、触媒希薄層には反応原料ガスと触媒が共存している
ので反応帯域の一部であるのは明確であり、いわば触媒
濃厚層の反応に加えて追反応を行っている帯域であると
言える。
分布を制御することにあり、触媒希薄層部分の温度を触
媒濃厚層部分の温度（反応温度）より低くすることにあ
る。国井大蔵著「流動化法」（日刊工業新聞社（１９６
２）発行）に述べられている様に、ガス系に於いては、
流動層高さは必ずしも液面の様に確然と定められるもの
ではなく、大小の泡立ちによる突出があるので、あくま
で近似的・平均的に測定されるものに過ぎない。本発明
でいう触媒濃厚層とは、流動床反応器中において、通常
流動触媒が密に存在する領域であり、具体的には触媒流
動密度が３００ｋｇ／ｍ3以上の領域のことをいう。触
媒濃厚層の上端部は、通常用いられている公知の方法に
より知ることができるが、例えば、分散盤出口から微粒
子回収装置入り口もしくは反応器からの反応ガス抜き出
し管までの間の差圧（流動床差圧）を濃厚流動層の単位
当たりの差圧で除算することにより、上端を知ることが
できる。但し、水平バッフル又は多孔板を挿入している
場合はそれに関わる差圧を別個に測定し、流動床差圧か
ら差し引く必要がある。また、より詳細には、分散盤上
部より任意の間隔で差圧を測定し、その差圧を該間隔で
除算することにより流動床密度を求め、触媒流動密度が
３００ｋｇ／ｍ3以上である部分を確認することによ
り、触媒濃厚層の範囲を知ることができる。また、本発
明でいう触媒希薄層とは、流動床反応器中において通常
流動触媒が希薄である領域であり、具体的には触媒流動
密度が５０ｋｇ／ｍ3以下の領域のことをいう。触媒濃
厚層の上部域は、流体中の触媒密度が比較的小さく、触
媒希薄層は触媒濃厚層より広い領域を有しているのが一
般的である。触媒濃厚層で実質的な反応が起きるとはい
え、触媒希薄層には反応原料ガスと触媒が共存している
ので反応帯域の一部であるのは明確であり、いわば触媒
濃厚層の反応に加えて追反応を行っている帯域であると
言える。
【００１３】触媒濃厚層は、反応を目的とした領域であ
るので原料ガス濃度、酸素濃度、供給方法、温度等が触
媒に対して劣化要因にならないように注意深く設定され
ているが、触媒希薄層はそれほど考慮されていないのが
実状である。しかしながら、触媒希薄層は、触媒密度が
低いために除熱効率が悪く、触媒周囲には大量の反応ガ
スが存在するため、触媒近傍は極めて反応が進行しやす
い雰囲気にあり、触媒の安定性に大きな影響を持つ帯域
であり、触媒にとっては過酷な条件になっている。
るので原料ガス濃度、酸素濃度、供給方法、温度等が触
媒に対して劣化要因にならないように注意深く設定され
ているが、触媒希薄層はそれほど考慮されていないのが
実状である。しかしながら、触媒希薄層は、触媒密度が
低いために除熱効率が悪く、触媒周囲には大量の反応ガ
スが存在するため、触媒近傍は極めて反応が進行しやす
い雰囲気にあり、触媒の安定性に大きな影響を持つ帯域
であり、触媒にとっては過酷な条件になっている。
【００１４】触媒希薄層温度を下げることの意味は、触
媒希薄層で起きている反応を低温にすることで抑制し、
触媒の負荷、ガス雰囲気の変化を低減することにある。
除熱効率の悪い触媒希薄層で過大な反応が起これば、触
媒表面あるいはガス温度が上昇し触媒の劣化を起こす要
因になる。また、反応の進行によりガスの組成も変化
し、場合によっては触媒に望ましく無い雰囲気、例えば
酸素濃度の減少、タール成分等高沸点生成物の触媒表面
への沈着等も懸念される。特に、触媒希薄層は触媒粒子
が激しく流動している触媒濃厚層と異なり、熱交換器あ
るいは反応器壁等に付着した触媒はかなりの時間滞留す
ることが予想され、また、サイクロンレッグ内にある触
媒も触媒希薄層温度の影響を大きく受けるため、これら
滞留している触媒層の中での反応の進行による温度上
昇、ガス雰囲気の変化は触媒の反応安定性を改善する上
で無視できるものではない。
媒希薄層で起きている反応を低温にすることで抑制し、
触媒の負荷、ガス雰囲気の変化を低減することにある。
除熱効率の悪い触媒希薄層で過大な反応が起これば、触
媒表面あるいはガス温度が上昇し触媒の劣化を起こす要
因になる。また、反応の進行によりガスの組成も変化
し、場合によっては触媒に望ましく無い雰囲気、例えば
酸素濃度の減少、タール成分等高沸点生成物の触媒表面
への沈着等も懸念される。特に、触媒希薄層は触媒粒子
が激しく流動している触媒濃厚層と異なり、熱交換器あ
るいは反応器壁等に付着した触媒はかなりの時間滞留す
ることが予想され、また、サイクロンレッグ内にある触
媒も触媒希薄層温度の影響を大きく受けるため、これら
滞留している触媒層の中での反応の進行による温度上
昇、ガス雰囲気の変化は触媒の反応安定性を改善する上
で無視できるものではない。
【００１５】本発明によれば、触媒希薄層の温度を下げ
ることで触媒にとって不都合な反応の進行を低減できる
のできわめて大きく触媒の反応安定性の改善が達成さ
れ、高効率で長期にわたって安定してアクリロニトリル
等のα，β−不飽和ニトリルの製造を行うことができ
る。触媒希薄層の温度が触媒濃厚層温度（反応温度）と
同じあるいはそれ以上の温度である場合は、触媒希薄層
での反応の進行を抑制することができないので本発明の
効果は得られない。触媒希薄層での反応の進行を抑制す
るためには、触媒希薄層の温度をより下げた方が有利で
あるが、冷却器の伝面が大きくなること、また、あまり
温度を下げすぎると反応生成物が凝縮する問題が出てく
る恐れがあるので、通常触媒希薄層の温度を触媒濃厚層
温度（反応温度）より１０〜２００℃、好ましくは５０
〜１５０℃、更に好ましくは８０〜１５０℃下げるのが
よい。
ることで触媒にとって不都合な反応の進行を低減できる
のできわめて大きく触媒の反応安定性の改善が達成さ
れ、高効率で長期にわたって安定してアクリロニトリル
等のα，β−不飽和ニトリルの製造を行うことができ
る。触媒希薄層の温度が触媒濃厚層温度（反応温度）と
同じあるいはそれ以上の温度である場合は、触媒希薄層
での反応の進行を抑制することができないので本発明の
効果は得られない。触媒希薄層での反応の進行を抑制す
るためには、触媒希薄層の温度をより下げた方が有利で
あるが、冷却器の伝面が大きくなること、また、あまり
温度を下げすぎると反応生成物が凝縮する問題が出てく
る恐れがあるので、通常触媒希薄層の温度を触媒濃厚層
温度（反応温度）より１０〜２００℃、好ましくは５０
〜１５０℃、更に好ましくは８０〜１５０℃下げるのが
よい。
【００１６】ここで、流動密度が５０ｋｇ／ｍ3以下で
ある領域の温度と３００ｋｇ／ｍ3以上の領域の温度差
が本発明に規定する触媒希薄層と触媒濃厚層の温度差で
あるが、温度の測定方法はその目的を達成できれば特に
制限されず、通常抵抗温度計、熱電温度計により測定す
る。触媒希薄層の温度を下げる方法は特に限定されるも
のではないが、例えば、触媒希薄層中に間接冷却器を設
置して、該間接冷却器に低温流体を流すことで容易に達
成できる。
ある領域の温度と３００ｋｇ／ｍ3以上の領域の温度差
が本発明に規定する触媒希薄層と触媒濃厚層の温度差で
あるが、温度の測定方法はその目的を達成できれば特に
制限されず、通常抵抗温度計、熱電温度計により測定す
る。触媒希薄層の温度を下げる方法は特に限定されるも
のではないが、例えば、触媒希薄層中に間接冷却器を設
置して、該間接冷却器に低温流体を流すことで容易に達
成できる。
【００１７】間接冷却器としては流動床反応器内に設置
することのできるすべての形式の間接冷却器を用いるこ
とができ、その種類、大きさ及び形状は問わない。間接
冷却器に流通させる冷却用流体は、触媒濃厚層温度以
下、好ましくは１００〜３００℃の流体であり、例え
ば、温水、高圧温水、スチーム等が好適に使用される。
本発明を炭素数が３〜８個のアルカンを、アンモニアの
存在下、気相接触酸化反応させてα，β−不飽和ニトリ
ルの製造に適用する場合、特にプロパンのアンモオキシ
デーションによるアクリロニトリルの製造に適用する場
合は、下記の触媒及び反応条件を採用することが好まし
い。
することのできるすべての形式の間接冷却器を用いるこ
とができ、その種類、大きさ及び形状は問わない。間接
冷却器に流通させる冷却用流体は、触媒濃厚層温度以
下、好ましくは１００〜３００℃の流体であり、例え
ば、温水、高圧温水、スチーム等が好適に使用される。
本発明を炭素数が３〜８個のアルカンを、アンモニアの
存在下、気相接触酸化反応させてα，β−不飽和ニトリ
ルの製造に適用する場合、特にプロパンのアンモオキシ
デーションによるアクリロニトリルの製造に適用する場
合は、下記の触媒及び反応条件を採用することが好まし
い。
【００１８】触媒としては、例えば、Ｖ−Ｓｂ系酸化物
触媒（特開昭４７−３３７８３号公報、特公昭５０−２
３０１６号公報）、Ｖ−Ｓｂ−Ｗ系酸化物触媒（特開平
２−２６１５４４号公報）、Ｖ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｃｕ−Ｂ
ｉ系、Ｖ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｃｕ−Ｔｅ系酸化物触媒（以上
特開平４−２７５２６６号公報）、Ｓｂ−Ｓｎ系、Ａｓ
−Ｓｎ系、Ｍｏ−Ｓｎ系、Ｖ−Ｃｒ系酸化物触媒（以上
特公昭５０−２８９４０号公報）、Ｍｏ−Ｂｉ−Ｆｅ−
Ａｌ系酸化物触媒（特開平３−１５７３５６号公報）、
Ｍｏ−Ｃｒ−Ｔｅ系酸化物触媒（米国特許第５，１７
１，８７６明細書）、Ｍｏ−Ｂｉ−Ｃｒ系酸化物触媒
（特開平７−２１５９２５号公報）、Ｃｒ−Ｓｂ−Ｗ系
酸化物触媒（特開平７−１５７４６１号公報）、Ｍｏ−
Ｓｂ−Ｗ系酸化物触媒（特開平７−１５７４６２号公
報）、Ｍｏ−Ｂｉ−Ｃｒ−Ｎｂ系酸化物触媒（特開平６
−１１６２２５号公報）等を用いることができる。特
に、Ｍｏ，Ｖ，Ｔｅを必須成分とした酸化物触媒（特開
平２−２５７号公報、特開平５−１４８２１２号公報、
特開平５−２０８１３６号公報）、及びＭｏ，Ｖ，Ｓｂ
を必須成分とした酸化物触媒（特開平９−１５７２４１
号公報）は優れた性能を示すので好適に用いることがで
きる。具体的には、モリブデン、バナジウム、Ｘ、Ｙ及
び酸素（Ｘはテルル及びアンチモンのうちの少なくとも
１種、Ｙはニオブ、タンタル、タングステン、チタン、
アンチモン、アルミニウム、ジルコニウム、クロム、マ
ンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケ
ル、パラジウム、白金、ビスマス、ホウ素、インジウ
ム、リン、ゲルマニウム、希土類元素、アルカリ金属、
アルカリ土類金属からなる群から選ばれた１種以上の元
素を示す）を必須成分とする複合金属酸化物触媒、さら
に詳しくは、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、
Ｘ及びＹの存在割合が、 ０．２５＜ｒＭｏ＜０．９８ ０．００３＜ｒＶ＜０．５ ０．００３＜ｒＸ＜０．５ ０≦ｒＹ＜０．５ （ただし、ｒＭｏ、ｒＶ、ｒＸ及びｒＹは、酸素を除く
上記必須成分の合計に対するＭｏ、Ｖ、Ｘ及びＹのモル
分率を表わす）である複合金属酸化物触媒はより一層優
れた性能を示すため好ましい。
触媒（特開昭４７−３３７８３号公報、特公昭５０−２
３０１６号公報）、Ｖ−Ｓｂ−Ｗ系酸化物触媒（特開平
２−２６１５４４号公報）、Ｖ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｃｕ−Ｂ
ｉ系、Ｖ−Ｓｂ−Ｓｎ−Ｃｕ−Ｔｅ系酸化物触媒（以上
特開平４−２７５２６６号公報）、Ｓｂ−Ｓｎ系、Ａｓ
−Ｓｎ系、Ｍｏ−Ｓｎ系、Ｖ−Ｃｒ系酸化物触媒（以上
特公昭５０−２８９４０号公報）、Ｍｏ−Ｂｉ−Ｆｅ−
Ａｌ系酸化物触媒（特開平３−１５７３５６号公報）、
Ｍｏ−Ｃｒ−Ｔｅ系酸化物触媒（米国特許第５，１７
１，８７６明細書）、Ｍｏ−Ｂｉ−Ｃｒ系酸化物触媒
（特開平７−２１５９２５号公報）、Ｃｒ−Ｓｂ−Ｗ系
酸化物触媒（特開平７−１５７４６１号公報）、Ｍｏ−
Ｓｂ−Ｗ系酸化物触媒（特開平７−１５７４６２号公
報）、Ｍｏ−Ｂｉ−Ｃｒ−Ｎｂ系酸化物触媒（特開平６
−１１６２２５号公報）等を用いることができる。特
に、Ｍｏ，Ｖ，Ｔｅを必須成分とした酸化物触媒（特開
平２−２５７号公報、特開平５−１４８２１２号公報、
特開平５−２０８１３６号公報）、及びＭｏ，Ｖ，Ｓｂ
を必須成分とした酸化物触媒（特開平９−１５７２４１
号公報）は優れた性能を示すので好適に用いることがで
きる。具体的には、モリブデン、バナジウム、Ｘ、Ｙ及
び酸素（Ｘはテルル及びアンチモンのうちの少なくとも
１種、Ｙはニオブ、タンタル、タングステン、チタン、
アンチモン、アルミニウム、ジルコニウム、クロム、マ
ンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケ
ル、パラジウム、白金、ビスマス、ホウ素、インジウ
ム、リン、ゲルマニウム、希土類元素、アルカリ金属、
アルカリ土類金属からなる群から選ばれた１種以上の元
素を示す）を必須成分とする複合金属酸化物触媒、さら
に詳しくは、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、
Ｘ及びＹの存在割合が、 ０．２５＜ｒＭｏ＜０．９８ ０．００３＜ｒＶ＜０．５ ０．００３＜ｒＸ＜０．５ ０≦ｒＹ＜０．５ （ただし、ｒＭｏ、ｒＶ、ｒＸ及びｒＹは、酸素を除く
上記必須成分の合計に対するＭｏ、Ｖ、Ｘ及びＹのモル
分率を表わす）である複合金属酸化物触媒はより一層優
れた性能を示すため好ましい。
【００１９】これらの触媒の製造方法は特に制限はな
く、構成元素を含む溶液、又はスラリーを乾燥させ、乾
燥物を加熱処理されて製造される。また、公知の担体成
分、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニ
ア、アルミノシリケート、珪藻土などを１〜９０重量％
程度含んだ混合物として使用することもできる。プロパ
ンのアンモキシデーションによるアクリロニトリルの製
造に適用する場合、流動床反応器にプロパン、アンモニ
ア、及び酸素含有ガスを供給して高温で反応させ、アク
リロニトリルを生成させる。このプロパンとアンモニア
との気相接触酸化反応の条件としては、反応温度３００
〜４９０℃、ガス空間速度（ＳＶ）１００〜１００００
ｈｒ-1、圧力０．０１〜１ ＭＰａ、反応系に供給する
酸素の割合がプロパンに対して、０．２〜４モル倍量、
反応系に供給するアンモニアの割合がプロパンに対し
て、０．１〜３モル倍量であると、目的とするアクリロ
ニトリルの収率や選択率が良好となり好ましい。また、
アクリロニトリルの選択率を高めるために、プロパンの
転化率を１０〜７０％程度に抑えて反応を行い、未反応
のプロパンを反応生成物から分離、回収し再度気相接触
酸化反応器に供給することも可能である。
く、構成元素を含む溶液、又はスラリーを乾燥させ、乾
燥物を加熱処理されて製造される。また、公知の担体成
分、例えば、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニ
ア、アルミノシリケート、珪藻土などを１〜９０重量％
程度含んだ混合物として使用することもできる。プロパ
ンのアンモキシデーションによるアクリロニトリルの製
造に適用する場合、流動床反応器にプロパン、アンモニ
ア、及び酸素含有ガスを供給して高温で反応させ、アク
リロニトリルを生成させる。このプロパンとアンモニア
との気相接触酸化反応の条件としては、反応温度３００
〜４９０℃、ガス空間速度（ＳＶ）１００〜１００００
ｈｒ-1、圧力０．０１〜１ ＭＰａ、反応系に供給する
酸素の割合がプロパンに対して、０．２〜４モル倍量、
反応系に供給するアンモニアの割合がプロパンに対し
て、０．１〜３モル倍量であると、目的とするアクリロ
ニトリルの収率や選択率が良好となり好ましい。また、
アクリロニトリルの選択率を高めるために、プロパンの
転化率を１０〜７０％程度に抑えて反応を行い、未反応
のプロパンを反応生成物から分離、回収し再度気相接触
酸化反応器に供給することも可能である。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例を挙げてさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限りこれらの
実施例に限定されるものではない。 比較例１ 図１に示す流動床反応器を用いでプロパンのアンモオキ
シデーション反応を行った。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限りこれらの
実施例に限定されるものではない。 比較例１ 図１に示す流動床反応器を用いでプロパンのアンモオキ
シデーション反応を行った。
【００２１】流動床反応器１は直径２５cmであり、触媒
濃厚層に２９４ｋＰａＧの飽和水蒸気を流通させる間接
熱交換器Ａが２系列と２．４５ＭＰａＧの飽和水を流通
させる間接熱交換器Ｂが６系列、触媒希薄層には２．４
５ＭＰａＧの飽和水を流通させる間接熱交換器Ｃが８系
列設置してある。間接熱交換器Ａは、触媒濃厚層温度
（反応温度）を一定にするよう蒸気流量を制御した。流
動密度は、触媒濃厚層はガス供給口（分散盤）より上
０．１〜２．１ｍ間の差圧から、触媒希薄層は１段サイ
クロンレッグ入口から下方３．４ｍの間の差圧を測定し
て求めた。触媒濃厚層温度は分散盤の上１ｍ位置、触媒
希薄層温度は１段サイクロンレッグ入口から下０．６５
ｍ位置に設置した熱電温度計から求めた。
濃厚層に２９４ｋＰａＧの飽和水蒸気を流通させる間接
熱交換器Ａが２系列と２．４５ＭＰａＧの飽和水を流通
させる間接熱交換器Ｂが６系列、触媒希薄層には２．４
５ＭＰａＧの飽和水を流通させる間接熱交換器Ｃが８系
列設置してある。間接熱交換器Ａは、触媒濃厚層温度
（反応温度）を一定にするよう蒸気流量を制御した。流
動密度は、触媒濃厚層はガス供給口（分散盤）より上
０．１〜２．１ｍ間の差圧から、触媒希薄層は１段サイ
クロンレッグ入口から下方３．４ｍの間の差圧を測定し
て求めた。触媒濃厚層温度は分散盤の上１ｍ位置、触媒
希薄層温度は１段サイクロンレッグ入口から下０．６５
ｍ位置に設置した熱電温度計から求めた。
【００２２】反応には、Ｍｏ1Ｖ0.25Ｔｅ0.2Ｎｂ0.16Ｏ
n-１０ｗｔ％ＳｉＯ2を有する平均粒径５０μｍの複合
金属酸化物触媒を１７．４ｋｇ、平均粒径４５μｍの球
状シリカを７８ｋｇ仕込んだ。反応器下部よりプロパン
／アンモニア／酸素／窒素をそれぞれ１７．６／６．０
／２０．３／２６．０ｍ3／ｈの速度で供給し、圧力９
０ｋＰａＧで反応させた。
n-１０ｗｔ％ＳｉＯ2を有する平均粒径５０μｍの複合
金属酸化物触媒を１７．４ｋｇ、平均粒径４５μｍの球
状シリカを７８ｋｇ仕込んだ。反応器下部よりプロパン
／アンモニア／酸素／窒素をそれぞれ１７．６／６．０
／２０．３／２６．０ｍ3／ｈの速度で供給し、圧力９
０ｋＰａＧで反応させた。
【００２３】間接熱交換器Ａを２系列、Ｂを１系列使用
し反応温度を４５０℃で調節した。このとき触媒希薄層
の温度は４５６℃であった。また、触媒濃厚層の流動密
度は６２０ｋｇ／ｍ3、触媒希薄層の流動密度は１５ｋ
ｇ／ｍ3であった。運転中は、酸素の供給流量を調節し
て反応ガス中の酸素濃度を４ｍｏｌ％とし、アンモニア
の供給流量を調節して反応ガス中のアクリロニトリル
(ＡＮ)とアクリル酸(ＡＡ)の比を４〜７とし、また窒素
の供給流量により供給ガスの合計が一定になるように調
節した。
し反応温度を４５０℃で調節した。このとき触媒希薄層
の温度は４５６℃であった。また、触媒濃厚層の流動密
度は６２０ｋｇ／ｍ3、触媒希薄層の流動密度は１５ｋ
ｇ／ｍ3であった。運転中は、酸素の供給流量を調節し
て反応ガス中の酸素濃度を４ｍｏｌ％とし、アンモニア
の供給流量を調節して反応ガス中のアクリロニトリル
(ＡＮ)とアクリル酸(ＡＡ)の比を４〜７とし、また窒素
の供給流量により供給ガスの合計が一定になるように調
節した。
【００２４】２１０時間の連続運転におけるプロパン
（ＰＰＡ）転換率、ＡＮおよびＡＡの選択率経時変化を
を表１に示す。
（ＰＰＡ）転換率、ＡＮおよびＡＡの選択率経時変化を
を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】ＡＮおよびＡＡの選択率変化速度はそれぞ
れ−０．０２４％／ｈｒ、−０．０１３％／ｈｒであっ
た。また、ＡＮ＋ＡＡの選択率変化速度は−０．０３７
％／ｈｒであった。 実施例１ 比較例１に引き続き、触媒希薄層の間接熱交換器を３系
列運転し、触媒希薄層の温度を３９５℃まで下げて更に
２００時間運転を継続した。酸素、アンモニア、窒素の
流量は比較例１と同様に調節した。触媒濃厚層の流動密
度は６３０ｋｇ／ｍ3、触媒希薄層の流動密度は１０ｋ
ｇ／ｍ3であった。約１５０時間の運転で、ＰＰＡ転換
率、ＡＮおよびＡＡ選択率経時変化を表２に示す。
れ−０．０２４％／ｈｒ、−０．０１３％／ｈｒであっ
た。また、ＡＮ＋ＡＡの選択率変化速度は−０．０３７
％／ｈｒであった。 実施例１ 比較例１に引き続き、触媒希薄層の間接熱交換器を３系
列運転し、触媒希薄層の温度を３９５℃まで下げて更に
２００時間運転を継続した。酸素、アンモニア、窒素の
流量は比較例１と同様に調節した。触媒濃厚層の流動密
度は６３０ｋｇ／ｍ3、触媒希薄層の流動密度は１０ｋ
ｇ／ｍ3であった。約１５０時間の運転で、ＰＰＡ転換
率、ＡＮおよびＡＡ選択率経時変化を表２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】ＡＮ、ＡＡの選択率の低下速度はそれぞれ
−０．００３％／ｈｒ、−０．００１％／ｈｒであっ
た。ＡＮ＋ＡＡ選択率の変化速度は−０．００４５％／
ｈｒであった。 実施例２ 比較例１と同様にして、流動床反応器に触媒１５．５ｋ
ｇ、球状シリカ８０ｋｇを仕込み、反応器下部より酸
素、窒素、プロパン、アンモニアをそれぞれ１３．９／
４．９／１６．６／３４．５ｍ3／ｈの速度で供給し、
圧力９０ｋＰａＧで反応させ、酸素、アンモニア、窒素
の流量は比較例１と同様に調節した。このとき触媒濃厚
層密度は６００〜６３０ｋｇ／ｍ3、触媒希薄層密度は
７〜１２ｋｇ／ｍ3であった。間接熱交換器Ａを２系
列、間接熱交換器Ｂを１系列使用し、間接熱交換器Ｃを
１〜4本運転することで、触媒濃厚層温度４５０℃に対
し、触媒希薄層の温度を表３に示した通りに変化させて
約２００時間の平均変化率を測定して得られた、ＡＮ、
ＡＡおよびＡＮ＋ＡＡの選択率経時変化を表３に示す。
−０．００３％／ｈｒ、−０．００１％／ｈｒであっ
た。ＡＮ＋ＡＡ選択率の変化速度は−０．００４５％／
ｈｒであった。 実施例２ 比較例１と同様にして、流動床反応器に触媒１５．５ｋ
ｇ、球状シリカ８０ｋｇを仕込み、反応器下部より酸
素、窒素、プロパン、アンモニアをそれぞれ１３．９／
４．９／１６．６／３４．５ｍ3／ｈの速度で供給し、
圧力９０ｋＰａＧで反応させ、酸素、アンモニア、窒素
の流量は比較例１と同様に調節した。このとき触媒濃厚
層密度は６００〜６３０ｋｇ／ｍ3、触媒希薄層密度は
７〜１２ｋｇ／ｍ3であった。間接熱交換器Ａを２系
列、間接熱交換器Ｂを１系列使用し、間接熱交換器Ｃを
１〜4本運転することで、触媒濃厚層温度４５０℃に対
し、触媒希薄層の温度を表３に示した通りに変化させて
約２００時間の平均変化率を測定して得られた、ＡＮ、
ＡＡおよびＡＮ＋ＡＡの選択率経時変化を表３に示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】触媒希薄層温度を調節していない比較例１
のＡＮ＋ＡＡ選択率変化−０．０３７％／ｈｒに対し
て、触媒希薄層温度を低下させた実施例２ではＡＮ＋Ａ
Ａ選択率変化は−０．０１５％／ｈｒ以下に抑えられ
た。
のＡＮ＋ＡＡ選択率変化−０．０３７％／ｈｒに対し
て、触媒希薄層温度を低下させた実施例２ではＡＮ＋Ａ
Ａ選択率変化は−０．０１５％／ｈｒ以下に抑えられ
た。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、アルカン及び／又はア
ルケンを、金属複合酸化物触媒の存在下、流動床反応器
を使用して気相接触酸化反応させる方法において、流動
床反応器の温度分布を制御することで金属酸化物触媒の
劣化を抑制し、高収率で長期にわたって安定的にアクリ
ロニトリル等のα，β−不飽和ニトリルを製造すること
ができるため、工業上非常に有用である。
ルケンを、金属複合酸化物触媒の存在下、流動床反応器
を使用して気相接触酸化反応させる方法において、流動
床反応器の温度分布を制御することで金属酸化物触媒の
劣化を抑制し、高収率で長期にわたって安定的にアクリ
ロニトリル等のα，β−不飽和ニトリルを製造すること
ができるため、工業上非常に有用である。
【図１】流動床反応器を示した図である。
１ 流動床反応器 ２ 触媒濃厚層間接熱交換器Ａ ３ 触媒濃厚層間接熱交換器Ｂ ４ 触媒希薄層間接熱交換器Ｃ ５ 一段サイクロン ６ 二段サイクロン ７ 反応原料供給配管 ８ 反応ガス出口 ９ 差圧計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (72)発明者 原田 忠英 岡山県倉敷市潮通三丁目10番地 三菱化学 株式会社水島事業所内 Ｆターム(参考） 4G069 AA03 BA02B BB06A BB06B BC54A BC54B BC55A BC55B BC59A BC59B BD10B CB07 DA06 EA04Y EB18Y 4H006 AA02 AC46 AC54 BA03 BA06 BA08 BA09 BA10 BA12 BA13 BA14 BA16 BA19 BA21 BA23 BA24 BA26 BA30 BA31 BA35 BC10 BC13 BC38 BE14 BE30 BS10 QN24 4H039 CA70 CC10 CC30 CL50
Claims (6)
- 【請求項１】 炭素数が２〜８個のアルカン及び／又は
炭素数が２〜８個のアルケンを、アンモニア及び金属複
合酸化物触媒の存在下、流動床反応器を使用して気相接
触酸化させる反応において、流動床反応器内の触媒の流
動密度が５０ｋｇ／ｍ3以下の領域（以下、触媒希薄層
という）の温度を、触媒流動密度が３００ｋｇ／ｍ3以
上の領域（以下、触媒濃厚層という）の温度より低くす
ることを特徴とする炭化水素の気相接触酸化反応方法。 - 【請求項２】 炭素数が３〜８個のアルカンを、アンモ
ニア及び金属複合酸化物触媒の存在下、流動床反応器を
使用して気相接触酸化反応させてα，β−不飽和ニトリ
ルを製造する方法において、触媒希薄層の温度を触媒濃
厚層の温度より低くすることを特徴とする炭化水素の気
相接触酸化反応方法。 - 【請求項３】 触媒希薄層の温度が、触媒濃厚層の温度
より１０〜２００℃低い請求項１または２に記載の炭化
水素の気相接触酸化反応方法。 - 【請求項４】 複合金属酸化物触媒が、モリブデン、バ
ナジウム、Ｘ、Ｙ及び酸素（Ｘはテルル及びアンチモン
のうちの少なくとも１種、Ｙはニオブ、タンタル、タン
グステン、チタン、アンチモン、アルミニウム、ジルコ
ニウム、クロム、マンガン、鉄、ルテニウム、コバル
ト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、白金、ビスマ
ス、ホウ素、インジウム、リン、ゲルマニウム、希土類
元素、アルカリ金属、アルカリ土類金属からなる群から
選ばれた１種以上の元素を示す）を含む触媒である請求
項１ないし３のいずれか１項に記載の炭化水素の気相接
触酸化反応方法。 - 【請求項５】 複合金属酸化物触媒のモリブデン（Ｍ
ｏ）、バナジウム（Ｖ）、Ｘ及びＹの存在割合が、 ０．２５＜ｒＭｏ＜０．９８ ０．００３＜ｒＶ＜０．５ ０．００３＜ｒＸ＜０．５ ０≦ｒＹ＜０．５ （ただし、ｒＭｏ、ｒＶ、ｒＸ及びｒＹは、酸素を除く
上記必須成分の合計に対するＭｏ，Ｖ，Ｘ及びＹのモル
分率を表わす）である請求項４に記載の炭化水素の気相
接触酸化反応方法。 - 【請求項６】 炭化水素がプロパンである請求項１ない
し５のいずれか１項に記載の炭化水素の気相接触酸化反
応。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000392413A JP2002193906A (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 炭化水素の気相接触酸化反応方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000392413A JP2002193906A (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 炭化水素の気相接触酸化反応方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002193906A true JP2002193906A (ja) | 2002-07-10 |
Family
ID=18858409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000392413A Pending JP2002193906A (ja) | 2000-12-25 | 2000-12-25 | 炭化水素の気相接触酸化反応方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002193906A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009529651A (ja) * | 2006-03-16 | 2009-08-20 | アルストム テクノロジー リミテッド | 電気を発生させる設備 |
| JP2012072076A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 共役ジオレフィンの製造方法 |
| JP6427723B1 (ja) * | 2017-07-03 | 2018-11-21 | 旭化成株式会社 | 不飽和ニトリルの製造方法 |
| WO2018225854A1 (ja) | 2017-06-09 | 2018-12-13 | 旭化成株式会社 | 不飽和ニトリルの製造方法 |
| WO2019008924A1 (ja) * | 2017-07-03 | 2019-01-10 | 旭化成株式会社 | 不飽和ニトリルの製造方法 |
| JP2020083832A (ja) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 旭化成株式会社 | 不飽和ニトリルの製造方法 |
-
2000
- 2000-12-25 JP JP2000392413A patent/JP2002193906A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009529651A (ja) * | 2006-03-16 | 2009-08-20 | アルストム テクノロジー リミテッド | 電気を発生させる設備 |
| JP2012072076A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 共役ジオレフィンの製造方法 |
| JPWO2018225854A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2019-06-27 | 旭化成株式会社 | 不飽和ニトリルの製造方法 |
| WO2018225854A1 (ja) | 2017-06-09 | 2018-12-13 | 旭化成株式会社 | 不飽和ニトリルの製造方法 |
| KR20180135909A (ko) | 2017-06-09 | 2018-12-21 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 불포화 니트릴의 제조 방법 |
| KR102037021B1 (ko) * | 2017-06-09 | 2019-10-25 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 불포화 니트릴의 제조 방법 |
| US10640458B2 (en) | 2017-06-09 | 2020-05-05 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Process for producing unsaturated nitrile |
| EP3636631A4 (en) * | 2017-06-09 | 2020-06-03 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | PROCESS FOR PRODUCING UNSATURATED NITRILE |
| WO2019008924A1 (ja) * | 2017-07-03 | 2019-01-10 | 旭化成株式会社 | 不飽和ニトリルの製造方法 |
| JP6427723B1 (ja) * | 2017-07-03 | 2018-11-21 | 旭化成株式会社 | 不飽和ニトリルの製造方法 |
| KR102000899B1 (ko) | 2017-07-03 | 2019-07-16 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 불포화 니트릴의 제조 방법 |
| RU2738110C1 (ru) * | 2017-07-03 | 2020-12-08 | Асахи Касеи Кабусики Кайся | Способ получения ненасыщенного нитрила |
| US10894762B2 (en) | 2017-07-03 | 2021-01-19 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Process for producing unsaturated nitrile |
| JP2020083832A (ja) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | 旭化成株式会社 | 不飽和ニトリルの製造方法 |
| JP7320346B2 (ja) | 2018-11-28 | 2023-08-03 | 旭化成株式会社 | 不飽和ニトリルの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3198750A (en) | Mixed antimony oxide-uranium oxide oxidation catalyst | |
| EP0437056B2 (en) | Catalyst and process for the manufacture of acrylonitrile and methacrylonitrile | |
| US5212137A (en) | Catalyst for the manufacture of acrylonitrile and methacrylonitrile | |
| JP2001048817A (ja) | アクロレインおよびアクリル酸の製造方法 | |
| EP0293224A1 (en) | Process for production of acrylic acid | |
| KR20010105296A (ko) | 불포화 알데히드 및 불포화 카르복실산의 제조방법 | |
| EP1125911A2 (en) | Process for producing acrolein and acrylic acid | |
| JP2001187773A (ja) | アクリロニトリル組成物 | |
| JPH0686399B2 (ja) | アクリル酸の製造方法 | |
| US20080248947A1 (en) | Mixed metal oxide catalysts and catalytic processes for conversions of lower alkane hydrocarbons | |
| US4316856A (en) | Molybdenum-promoted antimony phosphate oxide complex catalysts also containing at least one of bismuth and tellurium | |
| JP2007063089A (ja) | ニトリル化合物の製造方法および製造装置 | |
| US7919428B2 (en) | Method of making mixed metal oxide catalysts for ammoxidation and/or oxidation of lower alkane hydrocarbons | |
| US4151117A (en) | Novel oxidation catalyst and production of unsaturated aldehydes, acids and nitriles therewith | |
| JP6427225B1 (ja) | 流動層反応装置及びα，β−不飽和ニトリルの製造方法 | |
| TWI383971B (zh) | 藉由非勻相催化氣相部份氧化反應以製備至少一種有機目標化合物之方法 | |
| JP2002193906A (ja) | 炭化水素の気相接触酸化反応方法 | |
| JP2000229929A (ja) | 不飽和ニトリル類の製造のための高度な活性および選択性を有する触媒、その製造法および使用法 | |
| US3944592A (en) | Method of producing unsaturated nitriles | |
| JP3091168B2 (ja) | 流動層反応器におけるアンモ酸化法 | |
| US6906221B2 (en) | Method for producing acetic acid | |
| US4921828A (en) | Antimony promoted bismuth cerium molybdate catalysts | |
| JP2019104693A (ja) | （メタ）アクリロニトリルの製造方法 | |
| US3351565A (en) | Catalyst for the preparation of dicarboxylic acid anhydrides | |
| US3467716A (en) | Oxidation of 1,2-olefins to oxygenated products |