JP2002193892A - 高純度カーボネートの製造方法 - Google Patents

高純度カーボネートの製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 カーボネート中の微量のアルコールやエーテ
ル等の不純物を高度に除去する方法を提供するものであ
る。 【解決手段】 SiO2が40〜51重量%、Al2
3が26〜38重量%、Na2Oが18〜24重量%から
なり、バインダー成分(結合剤)を5重量%以下含有す
る合成ゼオライトとカーボネートとを接触させることを
特徴とする高純度カーボネートの製造方法に関する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、特定の合成ゼオラ
イト存在下において、カーボネートに含有される不純物
を高度に除去することができる高純度カーボネートの製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、カーボネートは、例えば各種化学
反応の溶媒として、高分子化合物の溶媒として、あるい
はコンデンサや電池用電解液の溶媒として使用されてい
る。これらカーボネートは、(1)オキシドと二酸化炭
素、(2)ホスゲンとモノアルコールまたはジオール、
(3)鎖状カーボネートとモノアルコールまたはジオー
ルの組み合わせで合成するために、これらの製造方法お
よび用いられる原料によって必然的にメタノール、エタ
ノールなどの1価アルコール、エチレングリコール、プ
ロピレングリコール、ジエチレングリコールなどの2価
アルコール(ジオール)、塩素含有化合物、カーボネー
トが脱炭酸して副生するエーテル類などのいくつかが不
純物として含むことが知られている。これらの不純物
は、カーボネート製造工程で殆ど除去することができる
が、1%未満の不純物を除去することは容易ではなかっ
た。
【0003】一方、これらのカーボネートを用途に応じ
て微量の水分またはアルコール類等の不純物を除くため
の検討がなされており、例えば、特開平5−74485
号公報には、プロピレンカーボネートやエチレンカーボ
ネートのような環状カーボネートをシリカゲル処理し、
ジオール成分を低減することが開示されている。また、
同公報には活性炭や、活性アルミナ、モレキュラーシー
ブス等の吸着剤により処理する方法について開示されて
いる。しかしながら、これら吸着剤により処理した場合
にも、環状カーボネート中には微量のアルコールやエー
テル等が残存しており、このため、カーボネートを電池
用電解液として使用した際にサイクル特性を低下させる
一因と考えられるアルコールやエーテル等の不純物を高
度に除去する方法が求められている。
【0004】また、特開平8−325208号公報に
は、合成ゼオライト存在下におけるジオールと鎖状カー
ボネートとの反応を利用して、環状カーボネートに含有
されるジオールを高度に除去する方法が提案されてい
る。しかしながら、同公報の方法では、ジオールは高度
に除去できるが、新たに炭酸ガスやエーテル、アルコー
ル類が副生し、また、使用される鎖状カーボネートがメ
チルエチルカーボネートのような非対称鎖状カーボネー
トの場合には、エステル交換反応が起こり、ジメチルカ
ーボネートとジエチルカーボネートに一部転化されると
いう問題点がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、上記課
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、カーボネー
トを特定の合成ゼオライトと接触させることにより、従
来公知のシリカゲル、活性炭、活性アルミナまたはモレ
キュラーシーブでは除去が困難であったカーボネート中
の微量のアルコールやエーテル等の不純物を高度に除去
する方法を見出し、本発明に至った。すなわち、本発明
者らは、合成ゼオライトは自己結合性がないため、柱状
あるいは球状の成型体とする際に、バインダー(結合
剤)としてベントナイト、カオリン、アタプルガイトの
ような粘土鉱物が従来より使用されており、その含有量
が成型体に対して15〜25重量%と多量であり、この
多量のバインダーがアルコールやエーテル等の不純物を
生成する原因であることを見出した。そこで、合成ゼオ
ライト中のバインダー量を極少量にした特定の合成ゼオ
ライトをカーボネートの精製に使用することにより、カ
ーボネートに含有される不純物を効率的に除去し、か
つ、カーボネートが合成ゼオライトに含有されるバイン
ダー(結合剤)成分の作用で副反応を起こして、新たに
炭酸ガスやエーテルやアルコールを副生したり、鎖状カ
ーボネートがエステル交換が起こったりする問題を解決
できることを見出し、本発明を完成させた。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、SiO2が4
0〜51重量%、Al23が26〜38重量%、Na2
Oが18〜24重量%からなり、バインダー成分(結合
剤)を5重量%以下含有する合成ゼオライトとカーボネ
ートとを接触させることを特徴とする高純度カーボネー
トの製造方法に関する。本発明の合成ゼオライトを用い
ることにより、水分、塩素含有化合物などの不純物の吸
着能力が著しく改善され、かつ、脱炭酸などの副反応が
生じない高純度カーボネートを提供することができ
る。。
【0007】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な高純度カ
ーボネートの製造方法について更に詳しく説明する。本
発明で用いられる合成ゼオライトとして、モレキュラシ
ーブス4A、モレキュラシーブス13Xなどが挙げられ
る。中でも、モレキュラシーブス4Aは、吸着能が高
く、破過時間が大きいので好ましい。そして、合成ゼオ
ライトに含有されるバインダー(結合剤)は5重量%以
下である。バインダー成分としては、特に限定されない
が、例えば、ベントナイト、カオリン、アタプルガイト
のような粘土鉱物が挙げられる。合成ゼオライトは、粉
末のまま用いても良いし、球形のものを用いても良く、
また、極少量のバインダーを含有させて柱状あるいは球
状のような成型体として用いることもできる。
【0008】また、合成ゼオライト中のSiO2が41
〜50重量%、Al23が28〜37重量%、Na2
が19〜23重量%であることが好ましい。合成ゼオラ
イト中に不純物として存在する金属酸化物としては、M
gOが2重量%以下、CaOが0.5重量%以下、Fe
23が0.5重量%以下、P25が0.4重量%以下、
2Oが0.1重量%以下とするのが好ましく、総含有
量として4重量%以下が好ましい。
【0009】合成ゼオライトはカーボネートと接触させ
る前に、結晶水を除くためや吸着能を向上させるために
通常乾燥させて使用される。この時、乾燥条件は特に限
定されるものではなく、一般に知られている方法で乾燥
させることができる。例えば、減圧加熱乾燥や電気炉な
どを使用する方法が挙げられる。
【0010】合成ゼオライトとカーボネートとの接触方
法は、カーボネートを連続的に通液する方法(以下、連
続法という。)、また、カーボネート中に合成ゼオライ
トを添加し静置または攪拌する方法(以下、バッチ法と
いう。)が挙げられる。連続法の場合、接触時間は液空
間速度(LHSV)として0.1〜10/時間であるこ
とが好ましい。バッチ法の場合の処理温度は、10〜6
0℃が好ましい。また、バッチ法の場合には、カーボネ
ートに対して、0.1〜30重量%の合成ゼオライトを
添加し、0.5〜240時間処理することが好ましい。
【0011】本発明の前記カーボネートの具体例として
は、例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボ
ネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネー
ト、ジメチルビニレンカーボネート、ビニルエチレンカ
ーボネートなどの環状カーボネートが挙げられる。これ
らの環状カーボネートは、一種類で使用してもよく、ま
た二種類以上組み合わせて使用してもよい。また、本発
明の前記カーボネートの具体例としては、ジメチルカー
ボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネ
ート、ジブチルカーボネート、メチルエチルカーボネー
ト、メチルプロピルカーボネート、メチルブチルカーボ
ネート、イソプロピルメチルカーボネート、イソブチル
メチルカーボネート、sec−ブチルメチルカーボネー
ト、tert−ブチルメチルカーボネートなどの鎖状カ
ーボネートが挙げられ、とりわけ非対称カーボネートが
好ましい。これらの鎖状カーボネートは一種類で使用し
てもよく、また二種類以上組み合わせて使用してもよ
い。また、前記の環状カーボネートと組み合わせて使用
してもよい。本発明で得られた高純度カーボネートを電
池用電解液として使用した場合には、不純物量が極めて
少ないのでサイクル特性に優れた電池を提供することが
できる。
【0012】しかし、これらのカーボネートはほんの一
例にすぎず、本発明で使用可能なカーボネートは、前記
の具体的カーボネートに限定されず、発明の趣旨から容
易に類推可能なカーボネートに適用される。
【0013】本発明において、カーボネートを合成ゼオ
ライトと接触させる際に、環状カーボネートと鎖状カー
ボネートはそれぞれ単独で使用しても良いし、任意に選
択され組み合わせて使用しても良い。任意に選択され組
み合わせて使用する場合、前記の環状カーボネート/前
記の鎖状カーボネートエステルの重量比は、10/90
〜90/10で使用するのが好ましい。
【0014】
【実施例】以下に実施例および比較例を挙げて本発明を
具体的に説明するが、これらは本発明を何ら限定するも
のではない。 [モレキュラシーブスの合成法]本発明で用いたモレキ
ュラシーブスは、特公昭45−24663号公報に準じ
て合成した。 実施例1 表1に示すモレキュラーシーブス(MS)100gとカ
ーボネート300gを500mlのガラス容器に入れ、
密閉して放置した。120時間ほどモレキュラーシーブ
スに浸漬したカーボネートについて、ガスクロマトグラ
フでエーテル、アルコールの生成量およびエステル交換
量の測定を行った。更に炭酸ガスの生成量を電位差滴定
することにより測定した。ガスクロマトグラフはGC−
14A(島津製作所製)を用い、キャピラリーカラムは
HP−INNOWAX(ヒューレットパッカード製)を
使用した。電位差滴定装置はCOMTITE−980
(平沼産業製)を用い、滴定試薬としては1/100規
定のエタノール性水酸化カリウム溶液を使用した。結果
を表2に示す。表1中、炭酸ガス生成率、エーテル生成
率、アルコール生成率は、比較例1の炭酸ガス、エーテ
ル、アルコールの生成量をそれぞれ100%として換算
した値である。また、エステル交換率は、比較例1のエ
ステル交換量を100%として換算した値である。 [XRFによるモレキュラーシーブスの成分分析]モレ
キュラーシーブス1gをめのう乳鉢で粉砕し、ポリプロ
ピレン膜を張ったポリエチレン製のカップに入れて分析
を行った。装置は全自動蛍光X線装置(PHILIPS
製 PW2400型)を使用した。分析結果を表1にM
S成分(重量%)欄に示す。
【0015】実施例2〜5 表1に示すモレキュラーシーブスとカーボネートを使用
した他は、実施例1と同じ試験を行った。結果を表2に
示す。
【0016】比較例1 表1に示すモレキュラーシーブスとカーボネートを使用
した他は、実施例1と同じ試験を行った。結果を表2に
示す。なお、炭酸ガス、エーテル、アルコールの生成量
は、それぞれメチルエチルカーボネート300g中、4
3ppm、170ppm、17ppmであった。また、
エステル交換率は、仕込みのメチルエチルカーボネート
に対して4.7%であった。
【0017】
【表1】
【0018】
【表2】
【0019】実施例6 内径15mm、高さ60mmのステンレス製カラムに実
施例1と同じモレキュラーシーブス100mlを充填
し、室温下、液空間速度(LHSV)2/時間でメチル
エチルカーボネートを通液した。モレキュラーシーブス
100mlに対して100倍量通液した後、100ml
ほど処理液を採取し実施例1と同様の評価を行った。結
果を表3に示す。表3中、炭酸ガス生成率、エーテル生
成率、アルコール生成率は、比較例2の炭酸ガス、エー
テル、アルコールの生成量をそれぞれ100%として換
算した値である。また、エステル交換率は、比較例2の
エステル交換量を100%として換算した値である。
【0020】比較例2 比較例1と同じモレキュラーシーブスを使用した他は、
実施例6と同じ試験を行った。結果を表3に示す。な
お、炭酸ガス、エーテル、アルコールの生成量は、それ
ぞれメチルエチルカーボネート100g中15ppm、
20ppm、5ppmであった。また、エステル交換率
は、仕込みのメチルエチルカーボネートに対して0.5
%であった。
【0021】
【表3】
【0022】バインダーを多量に含有しているモレキュ
ラーシーブスを使用した場合、炭酸ガスやエーテルやア
ルコールが副生し、またメチルエチルカーボネートの場
合エステル交換によりジメチルカーボネートとジエチル
カーボネートが副生した。これに対しバインダーを含有
していないモレキュラーシーブスを使用した場合、炭酸
ガスやエーテルやアルコールが全く副生しておらず、エ
ステル交換についてもほとんど起こっていない。また、
バインダーの添加量が少ないモレキュラーシーブスを使
用した場合(実施例5)には、比較例1に比べると炭酸
ガス、エーテル、アルコールの生成率やエステル交換率
が低下した。
【0023】なお、本発明は記載の実施例に限定され
ず、発明の趣旨から容易に類推可能な様々な組み合わせ
が可能である。特に、上記実施例の溶媒の組み合わせは
限定されるものではない。
【0024】
【発明の効果】本発明によれば、高純度に精製されたカ
ーボネートの製造方法を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C07D 317/40 C07D 317/40 (72)発明者 浜本 俊一 山口県宇部市大字小串1978番地の10 宇部 興産株式会社宇部ケミカル工場内 Fターム(参考) 4H006 AA02 AD17 BA71 BC18 BC50 DA15 DA25

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 SiO2が40〜51重量%、Al23
    が26〜38重量%、Na2Oが18〜24重量%から
    なり、バインダー成分(結合剤)を5重量%以下含有す
    る合成ゼオライトとカーボネートとを接触させることを
    特徴とする高純度カーボネートの製造方法。
  2. 【請求項2】 前記ゼオライト中に不純物として存在す
    るMgO、CaO、Fe23、P25、K2Oから選ば
    れる少なくとも1種の金属酸化物の総含有量が4重量%
    以下であることを特徴とする請求項1記載の高純度カー
    ボネートの製造方法。
  3. 【請求項3】 前記ゼオライト中に存在するMgOが2
    重量%以下であることを特徴とする請求項2記載の高純
    度カーボネートの製造方法。
  4. 【請求項4】 前記ゼオライト中に存在するCaOが
    0.5重量%以下であることを特徴とする請求項2記載
    の高純度カーボネートの製造方法。
  5. 【請求項5】 前記ゼオライト中に存在するFe23
    0.5重量%以下であることを特徴とする請求項2記載
    の高純度カーボネートの製造方法。
  6. 【請求項6】 前記ゼオライト中に存在するP25
    0.4重量%以下であることを特徴とする請求項2記載
    の高純度カーボネートの製造方法。
  7. 【請求項7】 前記ゼオライト中に存在するK2Oが
    0.1重量%以下であることを特徴とする請求項2記載
    の高純度カーボネートの製造方法。
  8. 【請求項8】 前記バインダー成分(結合剤)が、ベン
    トナイト、カオリン、アタプルガイトから選ばれる少な
    くとも1種の粘土鉱物であることを特徴とする請求項1
    記載の高純度カーボネートの製造方法。
  9. 【請求項9】 前記カーボネートが、環状カーボネート
    および/または鎖状カーボネートであることを特徴とす
    る請求項1記載の高純度カーボネートの製造方法。
  10. 【請求項10】 前記環状カーボネートが、エチレンカ
    ーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボ
    ネート、ビニレンカーボネート、ジメチルビニレンカー
    ボネート、ビニルエチレンカーボネートから選ばれる少
    なくとも1種であることを特徴とする請求項9記載の高
    純度カーボネートの製造方法。
  11. 【請求項11】 前記鎖状カーボネートが、ジメチルカ
    ーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボ
    ネート、ジブチルカーボネート、メチルエチルカーボネ
    ート、メチルプロピルカーボネート、メチルブチルカー
    ボネート、イソプロピルメチルカーボネート、イソブチ
    ルメチルカーボネート、sec−ブチルメチルカーボネ
    ート、tert−ブチルメチルカーボネートから選ばれ
    る少なくとも1種であることを特徴とする請求項9記載
    の高純度カーボネートの製造方法。
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