JP2002193892A - 高純度カーボネートの製造方法 - Google Patents
高純度カーボネートの製造方法Info
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Abstract
ル等の不純物を高度に除去する方法を提供するものであ
る。 【解決手段】 SiO2が40〜51重量%、Al2O
3が26〜38重量%、Na2Oが18〜24重量%から
なり、バインダー成分(結合剤)を5重量%以下含有す
る合成ゼオライトとカーボネートとを接触させることを
特徴とする高純度カーボネートの製造方法に関する。
Description
イト存在下において、カーボネートに含有される不純物
を高度に除去することができる高純度カーボネートの製
造方法に関する。
反応の溶媒として、高分子化合物の溶媒として、あるい
はコンデンサや電池用電解液の溶媒として使用されてい
る。これらカーボネートは、(1)オキシドと二酸化炭
素、(2)ホスゲンとモノアルコールまたはジオール、
(3)鎖状カーボネートとモノアルコールまたはジオー
ルの組み合わせで合成するために、これらの製造方法お
よび用いられる原料によって必然的にメタノール、エタ
ノールなどの1価アルコール、エチレングリコール、プ
ロピレングリコール、ジエチレングリコールなどの2価
アルコール(ジオール)、塩素含有化合物、カーボネー
トが脱炭酸して副生するエーテル類などのいくつかが不
純物として含むことが知られている。これらの不純物
は、カーボネート製造工程で殆ど除去することができる
が、1%未満の不純物を除去することは容易ではなかっ
た。
て微量の水分またはアルコール類等の不純物を除くため
の検討がなされており、例えば、特開平5−74485
号公報には、プロピレンカーボネートやエチレンカーボ
ネートのような環状カーボネートをシリカゲル処理し、
ジオール成分を低減することが開示されている。また、
同公報には活性炭や、活性アルミナ、モレキュラーシー
ブス等の吸着剤により処理する方法について開示されて
いる。しかしながら、これら吸着剤により処理した場合
にも、環状カーボネート中には微量のアルコールやエー
テル等が残存しており、このため、カーボネートを電池
用電解液として使用した際にサイクル特性を低下させる
一因と考えられるアルコールやエーテル等の不純物を高
度に除去する方法が求められている。
は、合成ゼオライト存在下におけるジオールと鎖状カー
ボネートとの反応を利用して、環状カーボネートに含有
されるジオールを高度に除去する方法が提案されてい
る。しかしながら、同公報の方法では、ジオールは高度
に除去できるが、新たに炭酸ガスやエーテル、アルコー
ル類が副生し、また、使用される鎖状カーボネートがメ
チルエチルカーボネートのような非対称鎖状カーボネー
トの場合には、エステル交換反応が起こり、ジメチルカ
ーボネートとジエチルカーボネートに一部転化されると
いう問題点がある。
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、カーボネー
トを特定の合成ゼオライトと接触させることにより、従
来公知のシリカゲル、活性炭、活性アルミナまたはモレ
キュラーシーブでは除去が困難であったカーボネート中
の微量のアルコールやエーテル等の不純物を高度に除去
する方法を見出し、本発明に至った。すなわち、本発明
者らは、合成ゼオライトは自己結合性がないため、柱状
あるいは球状の成型体とする際に、バインダー(結合
剤)としてベントナイト、カオリン、アタプルガイトの
ような粘土鉱物が従来より使用されており、その含有量
が成型体に対して15〜25重量%と多量であり、この
多量のバインダーがアルコールやエーテル等の不純物を
生成する原因であることを見出した。そこで、合成ゼオ
ライト中のバインダー量を極少量にした特定の合成ゼオ
ライトをカーボネートの精製に使用することにより、カ
ーボネートに含有される不純物を効率的に除去し、か
つ、カーボネートが合成ゼオライトに含有されるバイン
ダー(結合剤)成分の作用で副反応を起こして、新たに
炭酸ガスやエーテルやアルコールを副生したり、鎖状カ
ーボネートがエステル交換が起こったりする問題を解決
できることを見出し、本発明を完成させた。
0〜51重量%、Al2O3が26〜38重量%、Na2
Oが18〜24重量%からなり、バインダー成分(結合
剤)を5重量%以下含有する合成ゼオライトとカーボネ
ートとを接触させることを特徴とする高純度カーボネー
トの製造方法に関する。本発明の合成ゼオライトを用い
ることにより、水分、塩素含有化合物などの不純物の吸
着能力が著しく改善され、かつ、脱炭酸などの副反応が
生じない高純度カーボネートを提供することができ
る。。
ーボネートの製造方法について更に詳しく説明する。本
発明で用いられる合成ゼオライトとして、モレキュラシ
ーブス4A、モレキュラシーブス13Xなどが挙げられ
る。中でも、モレキュラシーブス4Aは、吸着能が高
く、破過時間が大きいので好ましい。そして、合成ゼオ
ライトに含有されるバインダー(結合剤)は5重量%以
下である。バインダー成分としては、特に限定されない
が、例えば、ベントナイト、カオリン、アタプルガイト
のような粘土鉱物が挙げられる。合成ゼオライトは、粉
末のまま用いても良いし、球形のものを用いても良く、
また、極少量のバインダーを含有させて柱状あるいは球
状のような成型体として用いることもできる。
〜50重量%、Al2O3が28〜37重量%、Na2O
が19〜23重量%であることが好ましい。合成ゼオラ
イト中に不純物として存在する金属酸化物としては、M
gOが2重量%以下、CaOが0.5重量%以下、Fe
2O3が0.5重量%以下、P2O5が0.4重量%以下、
K2Oが0.1重量%以下とするのが好ましく、総含有
量として4重量%以下が好ましい。
る前に、結晶水を除くためや吸着能を向上させるために
通常乾燥させて使用される。この時、乾燥条件は特に限
定されるものではなく、一般に知られている方法で乾燥
させることができる。例えば、減圧加熱乾燥や電気炉な
どを使用する方法が挙げられる。
法は、カーボネートを連続的に通液する方法(以下、連
続法という。)、また、カーボネート中に合成ゼオライ
トを添加し静置または攪拌する方法(以下、バッチ法と
いう。)が挙げられる。連続法の場合、接触時間は液空
間速度(LHSV)として0.1〜10/時間であるこ
とが好ましい。バッチ法の場合の処理温度は、10〜6
0℃が好ましい。また、バッチ法の場合には、カーボネ
ートに対して、0.1〜30重量%の合成ゼオライトを
添加し、0.5〜240時間処理することが好ましい。
は、例えば、エチレンカーボネート、プロピレンカーボ
ネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネー
ト、ジメチルビニレンカーボネート、ビニルエチレンカ
ーボネートなどの環状カーボネートが挙げられる。これ
らの環状カーボネートは、一種類で使用してもよく、ま
た二種類以上組み合わせて使用してもよい。また、本発
明の前記カーボネートの具体例としては、ジメチルカー
ボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネ
ート、ジブチルカーボネート、メチルエチルカーボネー
ト、メチルプロピルカーボネート、メチルブチルカーボ
ネート、イソプロピルメチルカーボネート、イソブチル
メチルカーボネート、sec−ブチルメチルカーボネー
ト、tert−ブチルメチルカーボネートなどの鎖状カ
ーボネートが挙げられ、とりわけ非対称カーボネートが
好ましい。これらの鎖状カーボネートは一種類で使用し
てもよく、また二種類以上組み合わせて使用してもよ
い。また、前記の環状カーボネートと組み合わせて使用
してもよい。本発明で得られた高純度カーボネートを電
池用電解液として使用した場合には、不純物量が極めて
少ないのでサイクル特性に優れた電池を提供することが
できる。
例にすぎず、本発明で使用可能なカーボネートは、前記
の具体的カーボネートに限定されず、発明の趣旨から容
易に類推可能なカーボネートに適用される。
ライトと接触させる際に、環状カーボネートと鎖状カー
ボネートはそれぞれ単独で使用しても良いし、任意に選
択され組み合わせて使用しても良い。任意に選択され組
み合わせて使用する場合、前記の環状カーボネート/前
記の鎖状カーボネートエステルの重量比は、10/90
〜90/10で使用するのが好ましい。
具体的に説明するが、これらは本発明を何ら限定するも
のではない。 [モレキュラシーブスの合成法]本発明で用いたモレキ
ュラシーブスは、特公昭45−24663号公報に準じ
て合成した。 実施例1 表1に示すモレキュラーシーブス(MS)100gとカ
ーボネート300gを500mlのガラス容器に入れ、
密閉して放置した。120時間ほどモレキュラーシーブ
スに浸漬したカーボネートについて、ガスクロマトグラ
フでエーテル、アルコールの生成量およびエステル交換
量の測定を行った。更に炭酸ガスの生成量を電位差滴定
することにより測定した。ガスクロマトグラフはGC−
14A(島津製作所製)を用い、キャピラリーカラムは
HP−INNOWAX(ヒューレットパッカード製)を
使用した。電位差滴定装置はCOMTITE−980
(平沼産業製)を用い、滴定試薬としては1/100規
定のエタノール性水酸化カリウム溶液を使用した。結果
を表2に示す。表1中、炭酸ガス生成率、エーテル生成
率、アルコール生成率は、比較例1の炭酸ガス、エーテ
ル、アルコールの生成量をそれぞれ100%として換算
した値である。また、エステル交換率は、比較例1のエ
ステル交換量を100%として換算した値である。 [XRFによるモレキュラーシーブスの成分分析]モレ
キュラーシーブス1gをめのう乳鉢で粉砕し、ポリプロ
ピレン膜を張ったポリエチレン製のカップに入れて分析
を行った。装置は全自動蛍光X線装置(PHILIPS
製 PW2400型)を使用した。分析結果を表1にM
S成分(重量%)欄に示す。
した他は、実施例1と同じ試験を行った。結果を表2に
示す。
した他は、実施例1と同じ試験を行った。結果を表2に
示す。なお、炭酸ガス、エーテル、アルコールの生成量
は、それぞれメチルエチルカーボネート300g中、4
3ppm、170ppm、17ppmであった。また、
エステル交換率は、仕込みのメチルエチルカーボネート
に対して4.7%であった。
施例1と同じモレキュラーシーブス100mlを充填
し、室温下、液空間速度(LHSV)2/時間でメチル
エチルカーボネートを通液した。モレキュラーシーブス
100mlに対して100倍量通液した後、100ml
ほど処理液を採取し実施例1と同様の評価を行った。結
果を表3に示す。表3中、炭酸ガス生成率、エーテル生
成率、アルコール生成率は、比較例2の炭酸ガス、エー
テル、アルコールの生成量をそれぞれ100%として換
算した値である。また、エステル交換率は、比較例2の
エステル交換量を100%として換算した値である。
実施例6と同じ試験を行った。結果を表3に示す。な
お、炭酸ガス、エーテル、アルコールの生成量は、それ
ぞれメチルエチルカーボネート100g中15ppm、
20ppm、5ppmであった。また、エステル交換率
は、仕込みのメチルエチルカーボネートに対して0.5
%であった。
ラーシーブスを使用した場合、炭酸ガスやエーテルやア
ルコールが副生し、またメチルエチルカーボネートの場
合エステル交換によりジメチルカーボネートとジエチル
カーボネートが副生した。これに対しバインダーを含有
していないモレキュラーシーブスを使用した場合、炭酸
ガスやエーテルやアルコールが全く副生しておらず、エ
ステル交換についてもほとんど起こっていない。また、
バインダーの添加量が少ないモレキュラーシーブスを使
用した場合(実施例5)には、比較例1に比べると炭酸
ガス、エーテル、アルコールの生成率やエステル交換率
が低下した。
ず、発明の趣旨から容易に類推可能な様々な組み合わせ
が可能である。特に、上記実施例の溶媒の組み合わせは
限定されるものではない。
ーボネートの製造方法を提供することができる。
Claims (11)
- 【請求項1】 SiO2が40〜51重量%、Al2O3
が26〜38重量%、Na2Oが18〜24重量%から
なり、バインダー成分(結合剤)を5重量%以下含有す
る合成ゼオライトとカーボネートとを接触させることを
特徴とする高純度カーボネートの製造方法。 - 【請求項2】 前記ゼオライト中に不純物として存在す
るMgO、CaO、Fe2O3、P2O5、K2Oから選ば
れる少なくとも1種の金属酸化物の総含有量が4重量%
以下であることを特徴とする請求項1記載の高純度カー
ボネートの製造方法。 - 【請求項3】 前記ゼオライト中に存在するMgOが2
重量%以下であることを特徴とする請求項2記載の高純
度カーボネートの製造方法。 - 【請求項4】 前記ゼオライト中に存在するCaOが
0.5重量%以下であることを特徴とする請求項2記載
の高純度カーボネートの製造方法。 - 【請求項5】 前記ゼオライト中に存在するFe2O3が
0.5重量%以下であることを特徴とする請求項2記載
の高純度カーボネートの製造方法。 - 【請求項6】 前記ゼオライト中に存在するP2O5が
0.4重量%以下であることを特徴とする請求項2記載
の高純度カーボネートの製造方法。 - 【請求項7】 前記ゼオライト中に存在するK2Oが
0.1重量%以下であることを特徴とする請求項2記載
の高純度カーボネートの製造方法。 - 【請求項8】 前記バインダー成分(結合剤)が、ベン
トナイト、カオリン、アタプルガイトから選ばれる少な
くとも1種の粘土鉱物であることを特徴とする請求項1
記載の高純度カーボネートの製造方法。 - 【請求項9】 前記カーボネートが、環状カーボネート
および/または鎖状カーボネートであることを特徴とす
る請求項1記載の高純度カーボネートの製造方法。 - 【請求項10】 前記環状カーボネートが、エチレンカ
ーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボ
ネート、ビニレンカーボネート、ジメチルビニレンカー
ボネート、ビニルエチレンカーボネートから選ばれる少
なくとも1種であることを特徴とする請求項9記載の高
純度カーボネートの製造方法。 - 【請求項11】 前記鎖状カーボネートが、ジメチルカ
ーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボ
ネート、ジブチルカーボネート、メチルエチルカーボネ
ート、メチルプロピルカーボネート、メチルブチルカー
ボネート、イソプロピルメチルカーボネート、イソブチ
ルメチルカーボネート、sec−ブチルメチルカーボネ
ート、tert−ブチルメチルカーボネートから選ばれ
る少なくとも1種であることを特徴とする請求項9記載
の高純度カーボネートの製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2000399988A JP4310919B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 高純度カーボネートの製造方法 |
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