JP2002193672A - 配向性セラミックス焼結体およびその製造方法 - Google Patents
配向性セラミックス焼結体およびその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 40
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 37
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 31
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 7
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 23
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 13
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 11
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 10
- 229920005646 polycarboxylate Polymers 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- -1 ethanol Chemical compound 0.000 description 3
- 229910052588 hydroxylapatite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;hydroxide;triphosphate Chemical compound [OH-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical class [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 241001178829 Konia Species 0.000 description 1
- 101100121112 Oryza sativa subsp. indica 20ox2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100121113 Oryza sativa subsp. japonica GA20OX2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 239000002001 electrolyte material Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 description 1
- 238000011085 pressure filtration Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/787—Oriented grains
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 板状の種結晶粒成長させることなく、平均結
晶粒径が２０μｍ以下で、粒子幅が粒径の０．４倍以下
の配向性焼結体、または、平均結晶粒径が２０μｍ以上
で粒子幅が粒径の０．５倍以上の配向性焼結体の製造を
も可能とする。 【解決手段】 等軸晶ではない結晶構造をもつ非強磁性
体粉末をスラリーに分散し、そのスラリーを磁場中で成
形して、成形体を焼結する。
晶粒径が２０μｍ以下で、粒子幅が粒径の０．４倍以下
の配向性焼結体、または、平均結晶粒径が２０μｍ以上
で粒子幅が粒径の０．５倍以上の配向性焼結体の製造を
も可能とする。 【解決手段】 等軸晶ではない結晶構造をもつ非強磁性
体粉末をスラリーに分散し、そのスラリーを磁場中で成
形して、成形体を焼結する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この出願の発明は、配向性セ
ラミックス焼結体の製造方法とこの方法により得られる
配向性セラミックス焼結体に関するものである。
ラミックス焼結体の製造方法とこの方法により得られる
配向性セラミックス焼結体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】従来より、セラミックス焼結
体は、研磨、切削材および高温材料等として幅広く一般
的に使用されており、たとえばアルミナ系の焼結体は、
その優れた耐食性、機械的強度や硬度、耐摩耗性などの
特徴を持ち、機械部品、電気電子材料、および光学材料
などに実用化されている。
体は、研磨、切削材および高温材料等として幅広く一般
的に使用されており、たとえばアルミナ系の焼結体は、
その優れた耐食性、機械的強度や硬度、耐摩耗性などの
特徴を持ち、機械部品、電気電子材料、および光学材料
などに実用化されている。
【０００３】このようなセラミックス焼結体について
は、近年では、その微細構造を制御することで、靱性、
強度、透光性などの特性を向上させることが可能とされ
てきている。たとえば、このような微細構造制御のひと
つの具体例として、微細化された配向性焼結体がある。
この微細化された配向性焼結体の製造方法としては、微
細化工程と配向化工程とからなるものが知られており、
微細化工程では、焼結体の作製プロセスの一つであるコ
ロイドプロセスを用い、粉末を液体中に分散し、スリッ
プキャストなどにより固化形成することで、粉末を微細
に分散し高密度に成形できるようにしている。また、配
向化工程では、たとえば、粉末がアルミナの場合、板状
アルミナと粒状アルミナ粉末を混合し、その混合物の中
から板状アルミナを種として粒成長させる方法が知られ
ている。
は、近年では、その微細構造を制御することで、靱性、
強度、透光性などの特性を向上させることが可能とされ
てきている。たとえば、このような微細構造制御のひと
つの具体例として、微細化された配向性焼結体がある。
この微細化された配向性焼結体の製造方法としては、微
細化工程と配向化工程とからなるものが知られており、
微細化工程では、焼結体の作製プロセスの一つであるコ
ロイドプロセスを用い、粉末を液体中に分散し、スリッ
プキャストなどにより固化形成することで、粉末を微細
に分散し高密度に成形できるようにしている。また、配
向化工程では、たとえば、粉末がアルミナの場合、板状
アルミナと粒状アルミナ粉末を混合し、その混合物の中
から板状アルミナを種として粒成長させる方法が知られ
ている。
【０００４】特開平０７−３１５９１５および特開平６
−８８２１８には、このような方法を用いた、配向性ア
ルミナ質焼結体および配向性酸化亜鉛焼結体の製造方法
が開示されている。配向性アルミナ質焼結体では、Ｃ面
が配向した面での平均結晶粒径が２０〜２００μｍの比
較的大きな結晶粒で、かつ粒径のアスペクト比が０．４
倍以下と楕円度が比較的大きな粉末が得られている。
−８８２１８には、このような方法を用いた、配向性ア
ルミナ質焼結体および配向性酸化亜鉛焼結体の製造方法
が開示されている。配向性アルミナ質焼結体では、Ｃ面
が配向した面での平均結晶粒径が２０〜２００μｍの比
較的大きな結晶粒で、かつ粒径のアスペクト比が０．４
倍以下と楕円度が比較的大きな粉末が得られている。
【０００５】しかしながら、このような従来の配向性焼
結体の製造方法では、平均結晶粒径が２０〜２００μｍ
で、かつ、アスペクト比が０．４以下が限度であり、平
均結晶粒径が２０μｍ以下のより微細な結晶粒径であっ
たり、または、アスペクト比が０．４以上、すなわち、
より球形に近い粒子形状をもった粉末の配向化は困難で
あった。
結体の製造方法では、平均結晶粒径が２０〜２００μｍ
で、かつ、アスペクト比が０．４以下が限度であり、平
均結晶粒径が２０μｍ以下のより微細な結晶粒径であっ
たり、または、アスペクト比が０．４以上、すなわち、
より球形に近い粒子形状をもった粉末の配向化は困難で
あった。
【０００６】その理由としては、従来の配向性焼結体の
製造方法では、板状の種結晶を粒成長させる方法である
ので、結局のところ微小なもの、または、より球状なも
のは原理的に困難であることによる。
製造方法では、板状の種結晶を粒成長させる方法である
ので、結局のところ微小なもの、または、より球状なも
のは原理的に困難であることによる。
【０００７】ところが、最近では、各種材料の微細化、
強度化、高機能化の産業的ニーズが高く、たとえば平均
結晶粒径が２０μｍ以下で、アスペクト比が０．４以下
の配向性アルミナや、平均結晶粒径が２０μｍ以上でア
スペクト比粒径の０．５倍以上の配向性アルミナなど、
より微細でかつより球形に近い粒子形状を持った各種の
配向性セラミックス焼結体の提供が待ち望まれてはいる
ものの、これまでのところ、これを実現するための方法
は知られていないのが実情である。
強度化、高機能化の産業的ニーズが高く、たとえば平均
結晶粒径が２０μｍ以下で、アスペクト比が０．４以下
の配向性アルミナや、平均結晶粒径が２０μｍ以上でア
スペクト比粒径の０．５倍以上の配向性アルミナなど、
より微細でかつより球形に近い粒子形状を持った各種の
配向性セラミックス焼結体の提供が待ち望まれてはいる
ものの、これまでのところ、これを実現するための方法
は知られていないのが実情である。
【０００８】この出願の発明は、以上の通りの事情に鑑
みてなされたものであり、板状の種結晶粒成長させるこ
となく、平均結晶粒径が２０μｍ以下で、アスペクト比
が０．４以下の配向性焼結体、または、平均結晶粒径が
２０μｍ以上で、アスペクト比が０．５以上の配向性ア
ルミナセラミックス焼結体の製造をも可能とする、微細
構造と配向性がより高度に制御された新しい配向性セラ
ミックス焼結体とその製造方法を提供することを課題と
している。
みてなされたものであり、板状の種結晶粒成長させるこ
となく、平均結晶粒径が２０μｍ以下で、アスペクト比
が０．４以下の配向性焼結体、または、平均結晶粒径が
２０μｍ以上で、アスペクト比が０．５以上の配向性ア
ルミナセラミックス焼結体の製造をも可能とする、微細
構造と配向性がより高度に制御された新しい配向性セラ
ミックス焼結体とその製造方法を提供することを課題と
している。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この出願の発明は、上記
の課題を解決するものとして、第１には、等軸晶ではな
い結晶構造をもつ非強磁性体粉末を溶媒に分散し、その
スラリーを磁場中で固化成形した後に焼結することを特
徴とする配向性セラミックス焼結体の製造方法を提供す
る。
の課題を解決するものとして、第１には、等軸晶ではな
い結晶構造をもつ非強磁性体粉末を溶媒に分散し、その
スラリーを磁場中で固化成形した後に焼結することを特
徴とする配向性セラミックス焼結体の製造方法を提供す
る。
【００１０】また、この出願の発明は、第２には、非強
磁性体粉末が等軸晶ではないセラミックス粉末であるこ
とを特徴とする配向性セラミックス焼結体の製造方法
を、第３には、セラミックス粉末が、アルミナ粉末、二
酸化チタン粉末、窒化アルミニウム粉末、正方晶ジルコ
ニア粉末、酸化亜鉛粉末、酸化スズ粉末、または、水酸
アパタイト粉末、もしくはこれらを含む混合複合体であ
ることを特徴とする前記の配向性セラミックス焼結体の
製造方法を提供し、第４には、これらの製造方法により
得られた配向性セラミックス焼結体を提供する。
磁性体粉末が等軸晶ではないセラミックス粉末であるこ
とを特徴とする配向性セラミックス焼結体の製造方法
を、第３には、セラミックス粉末が、アルミナ粉末、二
酸化チタン粉末、窒化アルミニウム粉末、正方晶ジルコ
ニア粉末、酸化亜鉛粉末、酸化スズ粉末、または、水酸
アパタイト粉末、もしくはこれらを含む混合複合体であ
ることを特徴とする前記の配向性セラミックス焼結体の
製造方法を提供し、第４には、これらの製造方法により
得られた配向性セラミックス焼結体を提供する。
【００１１】そして、この出願の発明は、第５には、ア
ルミナ焼結体であって、アルミナ結晶のＣ面が配向した
面においてＸ線回折による（００６）回折強度が、（１
１０）解析強度の１．２倍以上となり、Ｃ面が配向した
面と平行面において、結晶平均粒径が２０μｍ以下、ま
たは、粒径が２０μｍ以上でＣ面が配向した面と垂直な
面における結晶粒径のアスペクト比が０．４より大き
く、かつ１以下であることを特徴とする配向性焼結体を
提供し、第６には、結晶配向した二酸化チタンセラミッ
ク焼結体を提供し、第７には、二酸化チタン焼結体であ
って、Ｘ線回折による（００２）回折強度が、（１１
０）回折強度より大きい結晶配向したルチル構造の二酸
化チタン焼結体であることを特徴とする配向性二酸化チ
タンセラミックス焼結体をも提供する。
ルミナ焼結体であって、アルミナ結晶のＣ面が配向した
面においてＸ線回折による（００６）回折強度が、（１
１０）解析強度の１．２倍以上となり、Ｃ面が配向した
面と平行面において、結晶平均粒径が２０μｍ以下、ま
たは、粒径が２０μｍ以上でＣ面が配向した面と垂直な
面における結晶粒径のアスペクト比が０．４より大き
く、かつ１以下であることを特徴とする配向性焼結体を
提供し、第６には、結晶配向した二酸化チタンセラミッ
ク焼結体を提供し、第７には、二酸化チタン焼結体であ
って、Ｘ線回折による（００２）回折強度が、（１１
０）回折強度より大きい結晶配向したルチル構造の二酸
化チタン焼結体であることを特徴とする配向性二酸化チ
タンセラミックス焼結体をも提供する。
【００１２】さらに、この出願の発明は、第８には、正
方晶ジルコニアセラミックス焼結体であって、結晶配向
した正方晶ジルコニア焼結体であることを特徴とする配
向性正方晶ジルコニアセラミックス焼結体を提供し、第
９には、Ｘ線回折による（００２）回折強度が、（２０
０）回折強度より大きい結晶配向した正方晶ジルコニア
セラミックス焼結体を提供する。
方晶ジルコニアセラミックス焼結体であって、結晶配向
した正方晶ジルコニア焼結体であることを特徴とする配
向性正方晶ジルコニアセラミックス焼結体を提供し、第
９には、Ｘ線回折による（００２）回折強度が、（２０
０）回折強度より大きい結晶配向した正方晶ジルコニア
セラミックス焼結体を提供する。
【００１３】すなわちこの出願の発明は、アルミナなど
の非強磁性体の磁気異方性は無視するという従来までの
常識や慣例を打ち破り、非強磁性体であってもその磁気
異方性を考慮に入れ、アルミナ粉末などの等軸晶ではな
い結晶構造をもつ非強磁性体粉末を、スラリーに分散
し、そのスラリーを磁場中で成形することで、これまで
に知られていない新しい構造の配向性セラミックス焼結
体を提供可能としたことに大きな特徴がある。
の非強磁性体の磁気異方性は無視するという従来までの
常識や慣例を打ち破り、非強磁性体であってもその磁気
異方性を考慮に入れ、アルミナ粉末などの等軸晶ではな
い結晶構造をもつ非強磁性体粉末を、スラリーに分散
し、そのスラリーを磁場中で成形することで、これまで
に知られていない新しい構造の配向性セラミックス焼結
体を提供可能としたことに大きな特徴がある。
【００１４】このことは、発明者の鋭意なる研究成果、
すなわち、立方晶以外の結晶構造をもつ物質では、Ｃ軸
方向とＣ軸垂直方向（Ｃ面）とで結晶磁気異方性を示す
ものが多く、六方晶系の結晶構造であるアルミナも磁気
異方性は無視できないという新しい知見に基くものであ
る。
すなわち、立方晶以外の結晶構造をもつ物質では、Ｃ軸
方向とＣ軸垂直方向（Ｃ面）とで結晶磁気異方性を示す
ものが多く、六方晶系の結晶構造であるアルミナも磁気
異方性は無視できないという新しい知見に基くものであ
る。
【００１５】その背景には、近年の超伝導マグネットの
発達により、液体ヘリウムを使用せずに強磁場を比較的
簡単に得られるようになってきており、非強磁性物質で
あっても外界から及ぼされる無視できないエネルギーと
して、磁場を作用させることができるようになってきた
ことがある。
発達により、液体ヘリウムを使用せずに強磁場を比較的
簡単に得られるようになってきており、非強磁性物質で
あっても外界から及ぼされる無視できないエネルギーと
して、磁場を作用させることができるようになってきた
ことがある。
【００１６】
【発明の実施の形態】この出願の発明は上記のとおりの
特徴をもつものであるが、以下にその実施の形態につい
て説明する。
特徴をもつものであるが、以下にその実施の形態につい
て説明する。
【００１７】この出願の発明の前記の製造方法は、結晶
磁気異方性と強磁場を利用したものであり、この方法に
よれば、結晶磁気異方性をもつあらゆる粉末の配向性制
御を行なうことが可能となる。
磁気異方性と強磁場を利用したものであり、この方法に
よれば、結晶磁気異方性をもつあらゆる粉末の配向性制
御を行なうことが可能となる。
【００１８】たとえばアルミナを配向させることによ
り、強度と靱性を同時に改善でき、透光性アルミナでの
直線透過率の増加も見込まれ、高純度でさらに非常に配
向度の高いアルミナを得ることが可能となる。このアル
ミナは、単結晶作製原料としても期待される。さらに、
この発明の方法においては、板状アルミナを粒成長の種
として用いる必要がないので、アルミナ粉末１種類のみ
から配向性アルミナの作製が可能であり、製造コストの
削減も可能である。
り、強度と靱性を同時に改善でき、透光性アルミナでの
直線透過率の増加も見込まれ、高純度でさらに非常に配
向度の高いアルミナを得ることが可能となる。このアル
ミナは、単結晶作製原料としても期待される。さらに、
この発明の方法においては、板状アルミナを粒成長の種
として用いる必要がないので、アルミナ粉末１種類のみ
から配向性アルミナの作製が可能であり、製造コストの
削減も可能である。
【００１９】この出願の発明が対象にする粉末は、等軸
晶でない結晶構造をもつ非強磁性体粉末であって、その
種類は各種であってよい。なかでも、セラミックスがそ
の代表例として挙げられ、アルミナ、チタニア、酸化亜
鉛、窒化アルミニウム、正方晶ジルコニア、酸化スズ、
水酸化アパタイト等である。これらの粉末は、まず溶媒
に分散されてスラリーが調製される。この場合、必要に
応じて分散助剤、たとえば電解質物質が用いられる。
晶でない結晶構造をもつ非強磁性体粉末であって、その
種類は各種であってよい。なかでも、セラミックスがそ
の代表例として挙げられ、アルミナ、チタニア、酸化亜
鉛、窒化アルミニウム、正方晶ジルコニア、酸化スズ、
水酸化アパタイト等である。これらの粉末は、まず溶媒
に分散されてスラリーが調製される。この場合、必要に
応じて分散助剤、たとえば電解質物質が用いられる。
【００２０】溶媒としては水、あるいは非水系のエタノ
ール等のアルコール、エーテルなどの有機溶媒、あるい
はこれらの適宜な混合溶媒が用いられる。スラリーにお
ける粉末の濃度や電解質物質の濃度については、粉末や
溶媒の種類、粉末の粒径等を考慮して定めることができ
る。
ール等のアルコール、エーテルなどの有機溶媒、あるい
はこれらの適宜な混合溶媒が用いられる。スラリーにお
ける粉末の濃度や電解質物質の濃度については、粉末や
溶媒の種類、粉末の粒径等を考慮して定めることができ
る。
【００２１】粉末を分散したスラリーは、次いで磁場中
の成形に供されることになる。成形は、たとえばスリッ
プキャストなどのコロイドプロセスの方法が好適に採用
される。コロイドプロセスには、スリップキャストの
他、ゲルキャスト、プレッシャーフィルトレーション、
テープキャスト、電気泳動堆積などがある。
の成形に供されることになる。成形は、たとえばスリッ
プキャストなどのコロイドプロセスの方法が好適に採用
される。コロイドプロセスには、スリップキャストの
他、ゲルキャスト、プレッシャーフィルトレーション、
テープキャスト、電気泳動堆積などがある。
【００２２】印加される磁場としては一般的には１Ｔ以
上で、７Ｔ以上とすることが好ましい。１Ｔ未満の場合
には、さらには７Ｔ未満の場合には、セラミックス粒子
に及ぼす磁場の影響が弱く配向が起こりにくい。
上で、７Ｔ以上とすることが好ましい。１Ｔ未満の場合
には、さらには７Ｔ未満の場合には、セラミックス粒子
に及ぼす磁場の影響が弱く配向が起こりにくい。
【００２３】なお、磁場を用いる場合には、任意の方向
からの磁場の印加によって、任意の配向方向を選択する
ことが可能となる。得られた成形体は次いで焼結される
が、この場合の焼結方法、そして条件としては、たとえ
ば、アルミナの場合には、１３００℃〜１８００℃、１
〜３時間、大気中での焼結、窒化アルミニウムの場合に
は、１８００℃〜２０００℃、１〜３時間、窒素雰囲気
中での焼結などが例示される。もちろん、平均粒径やア
スペクト比を所望する値にするためには様々な焼結方
法、焼結条件の選択が可能である。
からの磁場の印加によって、任意の配向方向を選択する
ことが可能となる。得られた成形体は次いで焼結される
が、この場合の焼結方法、そして条件としては、たとえ
ば、アルミナの場合には、１３００℃〜１８００℃、１
〜３時間、大気中での焼結、窒化アルミニウムの場合に
は、１８００℃〜２０００℃、１〜３時間、窒素雰囲気
中での焼結などが例示される。もちろん、平均粒径やア
スペクト比を所望する値にするためには様々な焼結方
法、焼結条件の選択が可能である。
【００２４】この発明においては、たとえば、粉末アル
ミナの場合、Ｃ面が配向した面におけるＸ線回折による
（００６）回折強度が、（１１０）回折強度の１．２倍
以上で、平均粒径が２０μｍ以下の微細組織であれば、
靱性を向上させることができる。
ミナの場合、Ｃ面が配向した面におけるＸ線回折による
（００６）回折強度が、（１１０）回折強度の１．２倍
以上で、平均粒径が２０μｍ以下の微細組織であれば、
靱性を向上させることができる。
【００２５】さらに、高温でのアルミナのランダムな方
向への異常粒成長が抑制され、高温で安定した特性を得
ることができる。また、Ｃ面が配向した面におけるＸ線
回折による（００６）回折強度が、（１１０）回折強度
の１．２倍以上で、平均粒径が２０μｍ以上であるアル
ミナは、アスペクト比を０．５以上にすれば、強度と靱
性の方向依存性を少なくすることができる。この発明に
おいては、逆を言えば、板状ではなく粒状アルミナ粉末
原料のみを使用しなければ、平均粒径が２０μｍ以下の
微細組織またはアスペクト比を０．５以上となる配向性
アルミナを作成することができないし、成形時において
スラリーに磁場を作用させ、さらにその成形体を加熱し
なければ、粉末を配向させることができない。
向への異常粒成長が抑制され、高温で安定した特性を得
ることができる。また、Ｃ面が配向した面におけるＸ線
回折による（００６）回折強度が、（１１０）回折強度
の１．２倍以上で、平均粒径が２０μｍ以上であるアル
ミナは、アスペクト比を０．５以上にすれば、強度と靱
性の方向依存性を少なくすることができる。この発明に
おいては、逆を言えば、板状ではなく粒状アルミナ粉末
原料のみを使用しなければ、平均粒径が２０μｍ以下の
微細組織またはアスペクト比を０．５以上となる配向性
アルミナを作成することができないし、成形時において
スラリーに磁場を作用させ、さらにその成形体を加熱し
なければ、粉末を配向させることができない。
【００２６】なお、この発明においてアルミナの組織配
向を定義するアスペクト比については、アルミナ結晶の
Ｃ面が配向している面と垂直な面において、アルミナ結
晶のＣ面に垂直な方向での粒子幅をｄｖ、平行方向の粒
径をｄｈとしたときのアスペクト比（Ａ）を、 Ａ＝ｄｖ／ｄｈ としている。
向を定義するアスペクト比については、アルミナ結晶の
Ｃ面が配向している面と垂直な面において、アルミナ結
晶のＣ面に垂直な方向での粒子幅をｄｖ、平行方向の粒
径をｄｈとしたときのアスペクト比（Ａ）を、 Ａ＝ｄｖ／ｄｈ としている。
【００２７】そして、前記のとおり、この出願の発明に
よれば、これまでに知られていない配向性二酸化チタン
セラミックス焼結体、そして、配向性正方晶ジルコニア
セラミックス焼結体も提供されるのである。
よれば、これまでに知られていない配向性二酸化チタン
セラミックス焼結体、そして、配向性正方晶ジルコニア
セラミックス焼結体も提供されるのである。
【００２８】以下実施例を示し、さらにこの発明につい
て詳しく説明する。
て詳しく説明する。
【００２９】
【実施例】この発明の実施例として配向性焼結体を製造
した。また比較のために、従来の方法による焼結体も製
造した。実施例１ 平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末を用い固相濃度４０
ｖｏｌ％となるように秤量し、高分子電解質（ポリカル
ボン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶液中に分解
させてスラリーを作製した。このとき、弱く凝集した粉
末を再分散させるため、スターラで分散しながら超音波
攪拌した。このスラリーを多孔質の型に流し込み、溶液
を吸収させ高密度に成形する過程（スリップキャスト）
を磁場中で行った。このときの磁場の強さを１０Ｔに
し、図１のとおり、磁場印加方向をスリップキャスト方
向と平行にした。この成形体を１６００℃で２時間大気
中で加熱して、配向性焼結体を得た。その焼結体におけ
るＸ線回折測定結果を図２に示した。また、図３は焼結
体の磁場印加方向に平行な面の組織写真である。平均結
晶粒径が２０μｍ以下であっても、配向性焼結体が得ら
れることが確認された。
した。また比較のために、従来の方法による焼結体も製
造した。実施例１ 平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末を用い固相濃度４０
ｖｏｌ％となるように秤量し、高分子電解質（ポリカル
ボン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶液中に分解
させてスラリーを作製した。このとき、弱く凝集した粉
末を再分散させるため、スターラで分散しながら超音波
攪拌した。このスラリーを多孔質の型に流し込み、溶液
を吸収させ高密度に成形する過程（スリップキャスト）
を磁場中で行った。このときの磁場の強さを１０Ｔに
し、図１のとおり、磁場印加方向をスリップキャスト方
向と平行にした。この成形体を１６００℃で２時間大気
中で加熱して、配向性焼結体を得た。その焼結体におけ
るＸ線回折測定結果を図２に示した。また、図３は焼結
体の磁場印加方向に平行な面の組織写真である。平均結
晶粒径が２０μｍ以下であっても、配向性焼結体が得ら
れることが確認された。
【００３０】得られた配向性アルミナセラミックス焼結
体は、Ｃ面が配向した面において、Ｘ線回折による（０
０６）回折強度が、（１１０）回折強度の２３．９倍で
あって、結晶平均粒径が約１０μｍで、アスペクト比が
約０．２８のものであることが確認された。実施例２ 実施例１と同様に、平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末
を用い固相濃度４０ｖｏｌ％となるように秤量し、高分
子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加
した水溶液中に分解させてスラリーを作製した。スリッ
プキャスト時に印加する磁場の強さを１０Ｔにし、磁場
印加方向を、図４のようにスリップキャスト方向と垂直
にした。この成形体を１６００℃で２時間大気中で加熱
することにより焼結体を得た。その焼結体におけるＸ線
回折測定結果を図５に示した。この発明により、平均結
晶粒径が２０μｍ以下であっても、配向性焼結体が得ら
れことが確認された。実施例１においても測定したＸ線
回折の強度比は７．５であった。実施例３ 実施例１と同様に、アルミナ粉末を用い高分子電解質
（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶
液中に分散させてスラリーを作製した。ただし、アルミ
ナ粉末は平均結晶粒径が０．４μｍであり、固相濃度は
４０ｖｏｌ％となるように秤量した。スラリー中でのア
ルミナ粉末の分散方法、スリップキャスト時における磁
場印加条件、成形体の加熱条件を実施例１と同様の方法
により焼結体を得た。その焼結体におけるＸ線回折測定
結果を図６に示した。この発明により、平均結晶粒径が
２０μｍ以下であっても、配向性焼結体が得られること
が確認された。実施例３においても測定したＸ線回折の
強度比は１．２であった。実施例４ 実施例１と同様に、アルミナ粉末を用い高分子電解質
（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶
液中に分散させてスラリーを作製した。ただし、平均粒
径０．１μｍのアルミナ粉末を用い固相濃度４０ｖｏｌ
％となるように秤量した。このとき、弱く凝集した粉末
を再分散させるため、スターラーで分散しながら、超音
波攪拌した。このスラリーを多孔質の型に流し込み、溶
液を吸収させて高密度に成形する過程（スリップキャス
ト）を磁場中で行った。このときの磁場の強さを１０Ｔ
にし、磁場印加方向をスリップキャスト方向と平行にし
た。この成形体を１４００℃で２時間大気中で加熱する
ことにより焼結体を得た。その焼結体におけるＸ線回折
測定結果を図７に示した。また、焼結体の磁場印加方向
に平行な面の組織写真を図８に示した。この発明によ
り、平均結晶粒径が２０μｍ以下であっても、配向性焼
結体が得られることが確認された。
体は、Ｃ面が配向した面において、Ｘ線回折による（０
０６）回折強度が、（１１０）回折強度の２３．９倍で
あって、結晶平均粒径が約１０μｍで、アスペクト比が
約０．２８のものであることが確認された。実施例２ 実施例１と同様に、平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末
を用い固相濃度４０ｖｏｌ％となるように秤量し、高分
子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加
した水溶液中に分解させてスラリーを作製した。スリッ
プキャスト時に印加する磁場の強さを１０Ｔにし、磁場
印加方向を、図４のようにスリップキャスト方向と垂直
にした。この成形体を１６００℃で２時間大気中で加熱
することにより焼結体を得た。その焼結体におけるＸ線
回折測定結果を図５に示した。この発明により、平均結
晶粒径が２０μｍ以下であっても、配向性焼結体が得ら
れことが確認された。実施例１においても測定したＸ線
回折の強度比は７．５であった。実施例３ 実施例１と同様に、アルミナ粉末を用い高分子電解質
（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶
液中に分散させてスラリーを作製した。ただし、アルミ
ナ粉末は平均結晶粒径が０．４μｍであり、固相濃度は
４０ｖｏｌ％となるように秤量した。スラリー中でのア
ルミナ粉末の分散方法、スリップキャスト時における磁
場印加条件、成形体の加熱条件を実施例１と同様の方法
により焼結体を得た。その焼結体におけるＸ線回折測定
結果を図６に示した。この発明により、平均結晶粒径が
２０μｍ以下であっても、配向性焼結体が得られること
が確認された。実施例３においても測定したＸ線回折の
強度比は１．２であった。実施例４ 実施例１と同様に、アルミナ粉末を用い高分子電解質
（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶
液中に分散させてスラリーを作製した。ただし、平均粒
径０．１μｍのアルミナ粉末を用い固相濃度４０ｖｏｌ
％となるように秤量した。このとき、弱く凝集した粉末
を再分散させるため、スターラーで分散しながら、超音
波攪拌した。このスラリーを多孔質の型に流し込み、溶
液を吸収させて高密度に成形する過程（スリップキャス
ト）を磁場中で行った。このときの磁場の強さを１０Ｔ
にし、磁場印加方向をスリップキャスト方向と平行にし
た。この成形体を１４００℃で２時間大気中で加熱する
ことにより焼結体を得た。その焼結体におけるＸ線回折
測定結果を図７に示した。また、焼結体の磁場印加方向
に平行な面の組織写真を図８に示した。この発明によ
り、平均結晶粒径が２０μｍ以下であっても、配向性焼
結体が得られることが確認された。
【００３１】実施例４においても測定したＸ線回折の強
度比は４．７で、結晶粒径が約５μｍで、アスペクト比
は約０．６であった。実施例５ 実施例１と同様に、平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末
を用い固相濃度４０ｖｏｌ％となるように秤量し、高分
子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加
した水溶液中に分散させてスラリーを作製した。スリッ
プキャスト時に印加する磁場の強さを１０Ｔにし、磁場
印加方向をスリップキャスト方向と平行にした。この成
形体を１６００℃、１２時間、大気中で加熱することに
より焼結体を得た。その焼結体の磁場印加方向に垂直な
面の組織写真を図９に示した。この発明により、平均粒
径が２０μｍ以上でアスペクト比が０．４以上であって
も、配向性焼結体が得られることが確認された。実施例６ 平均粒径３０ｎｍの二酸化チタン粉末（アナターゼ８０
％）を用い固相濃度２０ｖｏｌ％となるように秤量し、
高分子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量
添加した水溶液中に分散させてスラリーを作製した。こ
のとき、弱く凝集した粉末を再分散させるため、スター
ラーで分散しながら超音波攪拌した。このスラリーを多
孔質の型に流し込み、溶液を吸収させて高密度に成形す
る過程（スリップキャスト）を磁場中で行った。このと
きの磁場の強さを１０Ｔにし、磁場印加方向をスリップ
キャスト方向と平行にした。この成形体を１３００℃で
２時間大気中で加熱することにより焼結体を得た。図１
０は、その配向性二酸化チタンのＸ線回折測定結果示し
たものである。
度比は４．７で、結晶粒径が約５μｍで、アスペクト比
は約０．６であった。実施例５ 実施例１と同様に、平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末
を用い固相濃度４０ｖｏｌ％となるように秤量し、高分
子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加
した水溶液中に分散させてスラリーを作製した。スリッ
プキャスト時に印加する磁場の強さを１０Ｔにし、磁場
印加方向をスリップキャスト方向と平行にした。この成
形体を１６００℃、１２時間、大気中で加熱することに
より焼結体を得た。その焼結体の磁場印加方向に垂直な
面の組織写真を図９に示した。この発明により、平均粒
径が２０μｍ以上でアスペクト比が０．４以上であって
も、配向性焼結体が得られることが確認された。実施例６ 平均粒径３０ｎｍの二酸化チタン粉末（アナターゼ８０
％）を用い固相濃度２０ｖｏｌ％となるように秤量し、
高分子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量
添加した水溶液中に分散させてスラリーを作製した。こ
のとき、弱く凝集した粉末を再分散させるため、スター
ラーで分散しながら超音波攪拌した。このスラリーを多
孔質の型に流し込み、溶液を吸収させて高密度に成形す
る過程（スリップキャスト）を磁場中で行った。このと
きの磁場の強さを１０Ｔにし、磁場印加方向をスリップ
キャスト方向と平行にした。この成形体を１３００℃で
２時間大気中で加熱することにより焼結体を得た。図１
０は、その配向性二酸化チタンのＸ線回折測定結果示し
たものである。
【００３２】図１０からは、Ｘ線回折による（００２）
回折強度が、（１１０）回折強度より大きい結晶配向し
たルチル構造の二酸化チタン焼結体であることがわか
る。実施例７ 平均粒径４０ｎｍの酸化亜鉛粉末を用い固相濃度２０ｖ
ｏｌ％となるように秤量し、高分子電解質（ポリカルボ
ン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶液中に分散さ
せてスラリーを作製した。このとき、弱く凝集した粉末
を再分散させるため、スターラーで分散しながら超音波
攪拌した。このスラリーを多孔質の型に流し込み、溶液
を吸収させて高密度に成形する過程（スリップキャス
ト）を磁場中で行った。このときの磁場の強さを１０Ｔ
にし、磁場印加方向をスリップキャスト方向と平行にし
た。この成形体を１４００℃で５時間大気中で加熱する
ことにより焼結体を得た。図１１は、その配向性酸化亜
鉛のＸ線回折測定結果である。実施例８ 平均粒径０．６９μｍの窒化アルミニウム粉末を用い固
相濃度５０ｖｏｌ％となるように秤量し、エステル系分
散材を適量添加したエタノール溶液中に分散させてスラ
リーを作製した。このとき、弱く凝集した粒子を再分散
させるため、スターラーで分散しながら超音波攪拌し
た。このスラリーを多孔質の型に流し込み、溶液を吸収
させて高密度に成形する過程（スリップキャスト）を磁
場中で行った。このときの磁場の強さを１０Ｔにし、磁
場印加方向をスリップキャスト方向と平行にした。この
成形体を１９００℃、２時間、窒素雰囲気中で加熱する
ことにより焼結体を得た。図１２は、その配向性窒化ア
ルミニウムのＸ線回折測定結果である。実施例９ 平均粒径９４ｎｍの１２ｍｏｌ％ＣｅＯ2安定化正方晶
ジルコニア粉末を用い固相濃度３０ｖｏｌ％となるよう
に秤量し、高分子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム
塩）を適量添加した水溶液中に分散させてスラリーを作
製した。このとき、弱く凝集した粒子を再分散させるた
め、スターラーで分散しながら超音波攪拌した。このス
ラリーを多孔質の型に流し込み、溶液を吸収させて高密
度に成形する過程（スリップキャスト）を磁場中で行っ
た。このときの磁場の強さを１０Ｔにし、磁場印加方向
をスリップキャスト方向と平行にした。この成形体を１
６００℃、２時間、大気中で加熱することにより焼結体
を得た。図１３は、その配向性正方晶ジルコニアのＸ線
回折測定結果である。実施例１０ 平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末に、平均粒径６０ｎ
ｍの３ｍｏｌ％Ｙ2Ｏ3安定化正方晶ジルコニア粉末を１
０ｖｏｌ％混合し、固相濃度３０ｖｏｌ％となるように
秤量し、高分子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム
塩）を適量添加した水溶液中に分散させてスラリーを作
製した。このとき、弱く凝集した粒子を再分散させるた
め、スターラーで分散しながら超音波攪拌した。このス
ラリーを多孔質の型に流し込み、溶液を吸収させて高密
度に成形する過程（スリップキャスト）を磁場中で行っ
た。このときの磁場の強さを１０Ｔにし、磁場印加方向
をスリップキャスト方向と平行にした。この成形体を１
６００℃、２時間、大気中で加熱することにより焼結体
を得た。図１４は、その配向性１０ｖｏｌ％正方晶ジル
コニア（３ｍｏｌ％Ｙ2Ｏ3安定化）分散アルミナのＸ線
回折測定結果である。 実施例１１ 平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末に、径０．５μｍ長
さ３０μｍの炭化珪素ウイスカーを２０ｖｏｌ％混合
し、固相濃度３０ｖｏｌ％となるように秤量し、高分子
電解質（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加し
た水溶液中に分散させてスラリーを作製した。このと
き、弱く凝集した粒子を再分散させるため、スターラー
で分散しながら超音波攪拌した。このスラリーを多孔質
の型に流し込み、溶液を吸収させて高密度に成形する過
程（スリップキャスト）を磁場中で行った。このときの
磁場の強さを１０Ｔにし、磁場印加方向をスリップキャ
スト方向と平行にした。この成形体を１８００℃、２時
間、アルゴン雰囲気中で加熱することにより焼結体を得
た。図１５は、その配向性２０ｖｏｌ％炭化珪素分散ア
ルミナのＸ線回折測定結果である。実施例１２ 平均粒径３０ｎｍの酸化スズ粉末を用い、固相濃度２０
ｖｏｌ％となるように秤量し、高分子電解質（ポリカル
ボン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶液中に分散
させてスラリーを作製した。このとき、焼結促進のた
め、平均粒径３０ｎｍの酸化マンガンを０．５ｍｏｌ％
添加し、弱く凝集した粒子を再分散させるため、スター
ラーで分散しながら超音波攪拌した。このスラリーを多
孔質の型に流し込み、溶液を吸収させて高密度に成形す
る過程（スリップキャスト）を磁場中で行った。このと
きの磁場の強さを１０Ｔにし、磁場印加方向をスリップ
キャスト方向と平行にした。この成形体を１２００℃、
２時間、大気中で加熱することにより焼結体を得た。図
１６は、その配向性酸化スズのＸ線回折測定結果であ
る。実施例１３ 平均粒径１００ｎｍの水酸アパタイトを用い、固相濃度
３０ｖｏｌ％となるように秤量し、高分子電解質（ポリ
カルボン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶液中に
分散させてスラリーを作製した。このとき、弱く凝集し
た粒子を再分散させるため、スターラーで分散しながら
超音波攪拌した。このスラリーを多孔質の型に流し込
み、溶液を吸収させて高密度に成形する過程（スリップ
キャスト）を磁場中で行った。このときの磁場の強さを
１０Ｔにし、磁場印加方向をスリップキャスト方向と平
行にした。この成形体を１２００℃、５時間、大気中で
加熱することにより焼結体を得た。図１７は、その配向
性水酸アパタイトのＸ線回折測定結果である。比較例 実施例１と同様に、平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末
を用い固相濃度４０ｖｏｌ％となるように秤量し、高分
子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加
した水溶液中に分散させてスラリーを作製した。次い
で、従来法として、磁場印加せずにスリップキャストを
行い、次いでこの成形体を１６００℃で２時間大気中で
加熱することでアルミナ焼結体を得た。その焼結体にお
けるＸ線回折測定結果を、図１８に示した。
回折強度が、（１１０）回折強度より大きい結晶配向し
たルチル構造の二酸化チタン焼結体であることがわか
る。実施例７ 平均粒径４０ｎｍの酸化亜鉛粉末を用い固相濃度２０ｖ
ｏｌ％となるように秤量し、高分子電解質（ポリカルボ
ン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶液中に分散さ
せてスラリーを作製した。このとき、弱く凝集した粉末
を再分散させるため、スターラーで分散しながら超音波
攪拌した。このスラリーを多孔質の型に流し込み、溶液
を吸収させて高密度に成形する過程（スリップキャス
ト）を磁場中で行った。このときの磁場の強さを１０Ｔ
にし、磁場印加方向をスリップキャスト方向と平行にし
た。この成形体を１４００℃で５時間大気中で加熱する
ことにより焼結体を得た。図１１は、その配向性酸化亜
鉛のＸ線回折測定結果である。実施例８ 平均粒径０．６９μｍの窒化アルミニウム粉末を用い固
相濃度５０ｖｏｌ％となるように秤量し、エステル系分
散材を適量添加したエタノール溶液中に分散させてスラ
リーを作製した。このとき、弱く凝集した粒子を再分散
させるため、スターラーで分散しながら超音波攪拌し
た。このスラリーを多孔質の型に流し込み、溶液を吸収
させて高密度に成形する過程（スリップキャスト）を磁
場中で行った。このときの磁場の強さを１０Ｔにし、磁
場印加方向をスリップキャスト方向と平行にした。この
成形体を１９００℃、２時間、窒素雰囲気中で加熱する
ことにより焼結体を得た。図１２は、その配向性窒化ア
ルミニウムのＸ線回折測定結果である。実施例９ 平均粒径９４ｎｍの１２ｍｏｌ％ＣｅＯ2安定化正方晶
ジルコニア粉末を用い固相濃度３０ｖｏｌ％となるよう
に秤量し、高分子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム
塩）を適量添加した水溶液中に分散させてスラリーを作
製した。このとき、弱く凝集した粒子を再分散させるた
め、スターラーで分散しながら超音波攪拌した。このス
ラリーを多孔質の型に流し込み、溶液を吸収させて高密
度に成形する過程（スリップキャスト）を磁場中で行っ
た。このときの磁場の強さを１０Ｔにし、磁場印加方向
をスリップキャスト方向と平行にした。この成形体を１
６００℃、２時間、大気中で加熱することにより焼結体
を得た。図１３は、その配向性正方晶ジルコニアのＸ線
回折測定結果である。実施例１０ 平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末に、平均粒径６０ｎ
ｍの３ｍｏｌ％Ｙ2Ｏ3安定化正方晶ジルコニア粉末を１
０ｖｏｌ％混合し、固相濃度３０ｖｏｌ％となるように
秤量し、高分子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム
塩）を適量添加した水溶液中に分散させてスラリーを作
製した。このとき、弱く凝集した粒子を再分散させるた
め、スターラーで分散しながら超音波攪拌した。このス
ラリーを多孔質の型に流し込み、溶液を吸収させて高密
度に成形する過程（スリップキャスト）を磁場中で行っ
た。このときの磁場の強さを１０Ｔにし、磁場印加方向
をスリップキャスト方向と平行にした。この成形体を１
６００℃、２時間、大気中で加熱することにより焼結体
を得た。図１４は、その配向性１０ｖｏｌ％正方晶ジル
コニア（３ｍｏｌ％Ｙ2Ｏ3安定化）分散アルミナのＸ線
回折測定結果である。 実施例１１ 平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末に、径０．５μｍ長
さ３０μｍの炭化珪素ウイスカーを２０ｖｏｌ％混合
し、固相濃度３０ｖｏｌ％となるように秤量し、高分子
電解質（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加し
た水溶液中に分散させてスラリーを作製した。このと
き、弱く凝集した粒子を再分散させるため、スターラー
で分散しながら超音波攪拌した。このスラリーを多孔質
の型に流し込み、溶液を吸収させて高密度に成形する過
程（スリップキャスト）を磁場中で行った。このときの
磁場の強さを１０Ｔにし、磁場印加方向をスリップキャ
スト方向と平行にした。この成形体を１８００℃、２時
間、アルゴン雰囲気中で加熱することにより焼結体を得
た。図１５は、その配向性２０ｖｏｌ％炭化珪素分散ア
ルミナのＸ線回折測定結果である。実施例１２ 平均粒径３０ｎｍの酸化スズ粉末を用い、固相濃度２０
ｖｏｌ％となるように秤量し、高分子電解質（ポリカル
ボン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶液中に分散
させてスラリーを作製した。このとき、焼結促進のた
め、平均粒径３０ｎｍの酸化マンガンを０．５ｍｏｌ％
添加し、弱く凝集した粒子を再分散させるため、スター
ラーで分散しながら超音波攪拌した。このスラリーを多
孔質の型に流し込み、溶液を吸収させて高密度に成形す
る過程（スリップキャスト）を磁場中で行った。このと
きの磁場の強さを１０Ｔにし、磁場印加方向をスリップ
キャスト方向と平行にした。この成形体を１２００℃、
２時間、大気中で加熱することにより焼結体を得た。図
１６は、その配向性酸化スズのＸ線回折測定結果であ
る。実施例１３ 平均粒径１００ｎｍの水酸アパタイトを用い、固相濃度
３０ｖｏｌ％となるように秤量し、高分子電解質（ポリ
カルボン酸アンモニウム塩）を適量添加した水溶液中に
分散させてスラリーを作製した。このとき、弱く凝集し
た粒子を再分散させるため、スターラーで分散しながら
超音波攪拌した。このスラリーを多孔質の型に流し込
み、溶液を吸収させて高密度に成形する過程（スリップ
キャスト）を磁場中で行った。このときの磁場の強さを
１０Ｔにし、磁場印加方向をスリップキャスト方向と平
行にした。この成形体を１２００℃、５時間、大気中で
加熱することにより焼結体を得た。図１７は、その配向
性水酸アパタイトのＸ線回折測定結果である。比較例 実施例１と同様に、平均粒径０．１μｍのアルミナ粉末
を用い固相濃度４０ｖｏｌ％となるように秤量し、高分
子電解質（ポリカルボン酸アンモニウム塩）を適量添加
した水溶液中に分散させてスラリーを作製した。次い
で、従来法として、磁場印加せずにスリップキャストを
行い、次いでこの成形体を１６００℃で２時間大気中で
加熱することでアルミナ焼結体を得た。その焼結体にお
けるＸ線回折測定結果を、図１８に示した。
【００３３】また、図１９は、その焼結体の組織写真で
ある。従来方法では、平均結晶粒径が２０μｍ以下であ
ると、配向性焼結体が得られないことが確認された。
ある。従来方法では、平均結晶粒径が２０μｍ以下であ
ると、配向性焼結体が得られないことが確認された。
【００３４】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、この出願の
発明により、板状の種結晶粒成長させることなく、平均
結晶粒径が２０μｍ以下で、粒子幅が粒径の０．４倍以
下の配向性アルミナセラミックス焼結体や、平均結晶粒
径が２０μｍ以上で粒子幅が粒径の０．５倍以上の配向
性アルミナセラミックス焼結体の製造が可能とされ、焼
結体の靱性と強度の向上、透光性を配向させることによ
る直線透過率の向上が可能となる。また、配向性の二酸
化チタン焼結体や配向性正方晶ジルコニア焼結体も提供
される。
発明により、板状の種結晶粒成長させることなく、平均
結晶粒径が２０μｍ以下で、粒子幅が粒径の０．４倍以
下の配向性アルミナセラミックス焼結体や、平均結晶粒
径が２０μｍ以上で粒子幅が粒径の０．５倍以上の配向
性アルミナセラミックス焼結体の製造が可能とされ、焼
結体の靱性と強度の向上、透光性を配向させることによ
る直線透過率の向上が可能となる。また、配向性の二酸
化チタン焼結体や配向性正方晶ジルコニア焼結体も提供
される。
【００３５】たとえば以上のように、高度に配向性が制
御されたセラミックス焼結体がこの出願の発明によって
提供される。
御されたセラミックス焼結体がこの出願の発明によって
提供される。
【図１】実施例１での磁場の印加方向を示した図であ
る。
る。
【図２】実施例１で得られた焼結体におけるＸ線回折測
定結果を示した図である。
定結果を示した図である。
【図３】実施例１で得られた焼結体の磁場印加方向に平
行な面の組織写真である。
行な面の組織写真である。
【図４】実施例２における磁場印加の方向を示した図で
ある。
ある。
【図５】実施例２で得られた焼結体におけるＸ線回折測
定結果を示した図である。
定結果を示した図である。
【図６】実施例３で得られた焼結体におけるＸ線回折測
定結果を示した図である。
定結果を示した図である。
【図７】実施例４で得られた焼結体におけるＸ線回折測
定結果を示した図である。
定結果を示した図である。
【図８】実施例４で得られた焼結体の磁場印加方向に平
行な面の組織写真である。
行な面の組織写真である。
【図９】実施例５で得られた焼結体の磁場印加方向に平
行な面の組織写真を示した図である。
行な面の組織写真を示した図である。
【図１０】実施例６で得られた焼結体におけるＸ線回折
測定結果を示した図である。
測定結果を示した図である。
【図１１】実施例７で得られた焼結体のＸ線回折測定結
果を示した図である。
果を示した図である。
【図１２】実施例８で得られた焼結体のＸ線回折測定結
果を示した図である。
果を示した図である。
【図１３】実施例９で得られた焼結体のＸ線回折測定結
果を示した図である。
果を示した図である。
【図１４】実施例１０で得られた焼結体のＸ線回折測定
結果を示した図である。
結果を示した図である。
【図１５】実施例１１で得られた焼結体のＸ線回折測定
結果を示した図である。
結果を示した図である。
【図１６】実施例１２で得られた焼結体のＸ線回折測定
結果を示した図である。
結果を示した図である。
【図１７】実施例１３で得られた焼結体のＸ線回折測定
結果を示した図である。
結果を示した図である。
【図１８】従来方法での得られた焼結体におけるＸ線回
折測定結果を示した図である。
折測定結果を示した図である。
【図１９】従来方法で得られた焼結体の組織写真であ
る。
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０４Ｂ 35/48 Ｃ０４Ｂ 35/10 Ｚ Ｆターム(参考） 4G030 AA08 AA16 AA17 AA32 AA36 AA39 AA41 AA47 AA51 BA12 BA15 BA19 BA20 BA22 BA33 CA02 CA04 GA16 GA20 GA24 GA25 GA27 4G031 AA04 AA07 AA08 AA11 AA12 AA26 AA29 AA31 AA33 AA37 AA38 BA15 BA19 BA20 CA02 CA04 GA04 GA06 GA08 GA09
Claims (9)
- 【請求項１】 等軸晶ではない結晶構造をもつ非強磁性
体粉末を溶媒に分散し、そのスラリーを磁場中で固化成
形した後に焼結することを特徴とする配向性セラミック
ス焼結体の製造方法。 - 【請求項２】 非強磁性体粉末が等軸晶ではないセラミ
ックス粉末であることを特徴とする請求項１の配向性セ
ラミックス焼結体の製造方法。 - 【請求項３】 セラミックス粉末が、アルミナ粉末、二
酸化チタン粉末、窒化アルミニウム粉末、正方晶ジルコ
ニア粉末、酸化亜鉛粉末、酸化スズ粉末、または、水酸
アパタイト粉末、もしくはこれらを含む混合複合体であ
ることを特徴とする請求項２の配向性セラミックス焼結
体の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかの製造方法
により得られた配向性セラミックス焼結体。 - 【請求項５】 アルミナセラミックス焼結体であって、
アルミナ結晶のＣ面が配向した面においてＸ線回折によ
る（００６）回折強度が、（１１０）回折強度の１．２
倍以上となり、Ｃ面が配向した面と平行面において、結
晶平均粒径が２０μｍ以下、または、粒径が２０μｍ以
上でＣ面が配向した面と垂直な面における結晶粒径のア
クペクト比が０．４より大きく、かつ１以下であること
を特徴とする配向性アルミナセラミックス焼結体。 - 【請求項６】 二酸化チタンセラミックス焼結体であっ
て、結晶配向した二酸化チタン焼結体であることを特徴
とする配向性二酸化チタンセラミックス焼結体。 - 【請求項７】 請求項６の焼結体であって、Ｘ線回折に
よる（００２）回折強度が、（１１０）回折強度より大
きい結晶配向したルチル構造の二酸化チタン焼結体であ
ることを特徴とする配向性二酸化チタンセラミックス焼
結体。 - 【請求項８】 正方晶ジルコニアセラミックス焼結体で
あって、結晶配向した正方晶ジルコニア焼結体であるこ
とを特徴とする配向性正方晶ジルコニアセラミックス焼
結体。 - 【請求項９】 請求項８の焼結体であって、Ｘ線回折に
よる（００２）回折強度が、（２００）回折強度より大
きい結晶配向した正方晶ジルコニアセラミックス焼結
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001144049A JP2002193672A (ja) | 2000-10-18 | 2001-05-15 | 配向性セラミックス焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-317323 | 2000-10-18 | ||
| JP2000317323 | 2000-10-18 | ||
| JP2001144049A JP2002193672A (ja) | 2000-10-18 | 2001-05-15 | 配向性セラミックス焼結体およびその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002289415A Division JP4096053B2 (ja) | 2000-10-18 | 2002-10-02 | 二酸化チタン等の配向性セラミックス焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002193672A true JP2002193672A (ja) | 2002-07-10 |
Family
ID=26602277
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|---|---|---|---|
| JP2001144049A Withdrawn JP2002193672A (ja) | 2000-10-18 | 2001-05-15 | 配向性セラミックス焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2002193672A (ja) |
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-
2001
- 2001-05-15 JP JP2001144049A patent/JP2002193672A/ja not_active Withdrawn
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