JP2002192361A - レーザ加工方法、および該レーザ加工方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造方法と該製造方法によるインクジェット記録ヘッド - Google Patents

レーザ加工方法、および該レーザ加工方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造方法と該製造方法によるインクジェット記録ヘッド

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JP2002192361A
JP2002192361A JP2000392109A JP2000392109A JP2002192361A JP 2002192361 A JP2002192361 A JP 2002192361A JP 2000392109 A JP2000392109 A JP 2000392109A JP 2000392109 A JP2000392109 A JP 2000392109A JP 2002192361 A JP2002192361 A JP 2002192361A
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ink
recording head
jet recording
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manufacturing
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Jun Koide
小出  純
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Abstract

(57)【要約】 【課題】加工副産物として発生するカーボンを均一に付
着分布させ、被加工物の加工精度、特に掘り込み均一性
を向上させることができるレーザ加工方法、および該レ
ーザ加工方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造
方法と該製造方法によるインクジェット記録ヘッドを提
供する。 【解決手段】レーザ光によって、アブレーション加工す
るに際して、前記被加工物の加工領域を分割し、該分割
された領域がお互いに辺接触しないように構成する一
方、前記被加工物の加工領域全体の50%以下の領域を
トリミングするマスクフィルターを介して同時加工する
ように構成し、前記マスクフィルターを経時的に移動さ
せ、前記被加工物の加工領域全体を均等に積分加工す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機樹脂材料に3
次元的パターンを加工するレーザ加工方法に関するもの
であり、例えば、インクジェット記録ヘッドのインクを
飛翔させるためのオリフィスプレートと呼ばれる樹脂材
料の加工に好適なレーザ加工方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、紫外線レーザを樹脂材料にパター
ン照射し、炭素原子の共有結合を切断する光化学反応に
よって昇華エッチングを行うアブレーション加工方法に
おいて、所定パターンの光束を樹脂材料に照射し、パタ
ーン全体を一括加工している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のものにおいては、有機材料に対して光化学反応を誘
発させるため、加工副産物としてカーボンが発生する。
さらに、加工領域が広くなってくると、具体的には、加
工領域が0.01cm2以上になってくると、カーボン
の飛散付着がアブレーションによる爆発圧と大気圧のバ
ランスから、加工領域に対して均等に分散するのではな
く、不均等な形で飛散してしまう。このため、紫外線に
て昇華加工できないカーボン付着部分を、カーボンを吹
き飛ばす形で加工することが必要となる。すなわち、こ
のカーボンといった加工阻害物の不均等付着により、加
工精度を左右させてしまうこととなる。
【0004】そこで、本発明は、上記課題を解決し、加
工副産物として発生するカーボンを均一に付着分布さ
せ、被加工物の加工精度、特に掘り込み均一性を向上さ
せることができるレーザ加工方法、および該レーザ加工
方法を用いたインクジェット記録ヘッドの製造方法と該
製造方法によるインクジェット記録ヘッドを提供するこ
とを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、つぎの(1)〜(5)のように構成した
レーザ加工方法、および該レーザ加工方法を用いたイン
クジェット記録ヘッドの製造方法と該製造方法によるイ
ンクジェット記録ヘッドを提供するものである。 (1)有機樹脂材料からなる被加工物に所定波長以下の
紫外線レーザ光を所定パターン、所定エネルギー密度で
パルス照射してアブレーション加工するレーザ加工方法
であって、前記被加工物の加工領域を分割し、該分割さ
れた領域がお互いに辺接触しないように構成する一方、
前記被加工物の加工領域全体の50%以下の領域をトリ
ミングするマスクフィルターを介して同時加工するよう
に構成し、前記マスクフィルターを経時的に移動させ、
前記被加工物の加工領域全体を均等に積分加工すること
を特徴とするレーザ加工方法。 (2)紫外線レーザ光を放射するレーザ発振器が、エキ
シマレーザ発振器であり、該発振器により放射される波
長300nm以下の紫外線を25メガワット/cm2
上のエネルギー密度にて被加工物にパルス照射すること
を特徴とする上記(1)に記載のレーザ加工方法。 (3)前記被加工物の加工領域を、0.0002cm2
以下の領域に分割することを特徴とする上記(1)また
は上記(2)に記載のレーザ加工方法。 (4)記録媒体に付着させるインク液滴を吐出するため
のインク吐出口、前記吐出口に供給するためのインクを
貯える液室、前記吐出口と前記液室とを連通するインク
流路、前記インク流路の一部に設けられインクを吐出す
るためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子、前
記液室に外部からインクを供給するためのインク供給
口、等を含むインクジェット記録ヘッドのインク通路の
少なくとも一部を構成する部材を、レーザ加工方法によ
って加工するインクジェット記録ヘッドの製造方法であ
って、前記レーザ加工方法として上記(1)〜(3)の
いずれかに記載のレーザ加工方法を用い、インク流路等
を加工することを特徴とするインクジェット記録ヘッド
の製造方法。 (5)記録媒体に付着させるインク液滴を吐出するため
のインク吐出口、前記吐出口に供給するためのインクを
貯える液室、前記吐出口と前記液室とを連通するインク
流路、前記インク流路の一部に設けられインクを吐出す
るためのエネルギーを発生するエネルギー発生素子、前
記液室に外部からインクを供給するためのインク供給
口、等を含むインクジェット記録ヘッドのインク通路の
少なくとも一部を構成する部材を、レーザ加工によって
形成してなるインクジェット記録ヘッドであって、前記
インクジェット記録ヘッドが、上記(4)に記載のイン
クジェット記録ヘッドの製造方法により製造されたもの
であることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【0006】
【発明の実施の形態】上記構成を適用した本発明の実施
の形態においては、有機樹脂材料に、所定パターンの波
長300nm以下の紫外線を25メガワット/cm2
上のエネルギー密度にてパルス照射して、前記非加工物
である有機樹脂材料をアブレーション加工するに際し
て、被加工物の加工領域が、0.01cm2以上になる
場合、前記被加工物の加工領域を0.0002cm2
下の領域に分割することが好ましく、分割された領域に
おいてお互いに辺接触しない領域とし、非加工物の加工
領域全体の50%以下の領域をトリミングするマスクフ
ィルターを介して同時加工するように構成する。その
際、前記マスクフィルターを経時的に移動させ、非加工
物の加工領域全体を均等に積分加工することによって、
カーボンの飛散付着が不均等な形ではなく細分化され、
均一に飛散させることが可能となる。これによって、こ
のカーボンといった加工阻害物を均一に付着分布させる
ことができ、加工阻害物があっても、加工領域において
均等となるため、この均等な障害とすることによって、
結果的に、被加工物の加工精度、特に掘り込み均一性を
向上させることができる。
【0007】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面にもとずいて説
明する。まず、レーザ加工を行う装置の概略から説明す
ると、図1は、本実施例に係るレーザ加工装置のフォト
マスクパターン投影光学系の概略光路図である。不図示
のレーザー本体から発振された光束101をフライアイ
等のオプティカルインテグレータ110に導き入射レー
ザ光束を複数に分割し、分割した光束をフィールドレン
ズ111によって、フォトマスク1上で重ね合せレーザ
の照明強度を略均一に補正しフォトマスクを照明する。
またフィールドレンズ111はフライアイレンズ110
によって複数の点に集束された点像をフォトマスクパタ
ーン投影レンズ113の絞り位置に投影してケーラー照
明系を形成している。このような光学系でレーザ光はフ
ォトマスク1上に照明され、図2に示すようなフォトマ
スク1上に形成されたマスクパターン2を通過し、次に
マスクパターン2を通過した光束は、マスクフィルター
3に照射され、図3に示すようなマスクフィルター3の
透過パターン4によって、または図4に示すようなマス
クフィルター3の透過パターン5によって、透過光束を
制限されたのちに、投影結像レンズ113によって被加
工物であるワーク6の表面に投影され、レーザ発振と同
時にマスクフィルター3は図1中の矢印方向である光軸
と垂直方向に走査されることによってワーク6が加工さ
れる。
【0008】つぎに、ワーク6の位置に配置して加工を
行ったオリフィスプレート20の加工形態について説明
する。まず、上記した加工方法において図2のフォトマ
スク1と図3のマスクフィルター3を配してマスクパタ
ーン2のマスクフィルターの透過パターン4を通過した
部分がオリフィスプレート20に投影され、インクバッ
ファ室31、インク流路32、インク液室33を加工形
成するが、加工する大きさは、加工全体の面積が約0.
022cm2で、マスクフィルター3の透過パターン4
を介して領域分割された一つの加工領域は、透過パター
ン4の格子開口の幅が投影したオリフィスプレート位置
で0.01cmで、インクバッファ室31、インク流路
32、インク液室33のパターンの短辺幅が0.01か
ら0.02cmであるため、面積で約0.0001〜
0.0002cm2となっている。この分割された加工
領域を、マスクフィルター3の移動によって、加工領域
全体に積分加工するものである。この後に、インク吐出
口21を所定フォトマスクパターンの投影のみの加工方
法によって形成して、オリフィスプレート20に構造を
形成する。
【0009】ここで、上記領域分割された一つの加工領
域において、面積が0.0002cm2よりも大きくな
ると、加工掘り込み深さの精度ばらつきが急激に大きく
なってくる。数値的には12ミクロンメートルの掘り込
みに対して深さのばらつきは標準偏差値で0.25ミク
ロンメートルから0.4ミクロンメートルに急激に変化
する。一方、加工する全体の面積に対して、領域分割さ
れた加工領域の全面積の比率が50%よりも大きくなっ
てくると、分割された加工領域間の相互作用が起こって
きて、カーボンの飛散付着が不均等に飛散するようにな
り、加工掘り込み深さの精度ばらつきが急激に大きくな
ってくる。この場合も、数値的には12ミクロンメート
ルの掘り込みに対して探さのばらつきは標準偏差値で
0.25ミクロンメートルから0.4ミクロンメートル
に急激に変化する。
【0010】すなわち、領域分割された一つの加工領域
の面積を0.0002cm2以下に設定することによっ
て、かつ加工する全体の面積に対して、領域分割された
加工領域の全面積の比率を50%以下に設定することに
よって加工精度の均一性は急激に良化することとなる。
上記加工精度の傾向は、マスクフィルター3の透過パタ
ーンを図4のマスクフィルター透過パターン5のように
形成し、投影したオリフィスプレート位置で透過パター
ンの領域が0.01cm×0.01cmとなるように設
定して加工を行っても、同様な結果が得られた。
【0011】つぎに、図5の(a)、(b)において面
吐出型インクジェット記録ヘッドのインク吐出機構部分
構造について図にしたがって説明する。 (a)は面吐出型インクジェット記録ヘッドのインク吐
出要部のインク吐出面側から見た図で、(b)は図
(a)のB−B位置の断面図であって、インク供給口1
2が形成され、インク吐出圧発生素子11を搭載したシ
リコンIC回路基板10の上に、オリフィスプレート2
0が接合された形であり、オリフィスプレート20は、
オリフィスプレート20のインク吐出側表面には撥水膜
22があらかじめ塗工されており、このオリフィスプレ
ート20にインク吐出口21、インクバッファ室31、
インク流路32、インク液室33が加工形成されるが、
まず、インクバッファ室31、インク流路32、インク
液室33を上記してきた光加工方法にて加工形成し、イ
ンク吐出口21を後に所定フォトマスクパターンの投影
のみの光加工方法にて加工形成することによって製作し
たものである。インクが吐出するインク吐出口は(a)
に示すごとく2次元配列にてパターニングされ、高密度
なノズル配列にて形成されている。またインクジェット
記録ヘッドは、以後、不図示のインク吐出圧発生素子1
1を駆動するための端子をパターニングした電気基板を
結合するとともに、次いで、各部材を保持するホルダお
よびインク供給のためのインクタンクを結合することで
インクジェット記録ヘッドを組み立てる。
【0012】このようにして作成したインクジェット記
録ヘッドのインクバッファ室31、インク液室33等は
均一形状にて形成され、本実施例で作成したインクジェ
ット記録ヘッドを用いて、実際に記録を行なったとこ
ろ、均等に整列した印刷ドットが記録され、ドット形状
もきれいな同一形状を呈しており、優れた印刷品位の画
像が得られた。
【0013】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、レーザ光により、有機樹脂材料をアブレーション加
工するに際して、被加工物の加工領域を分割し、該分割
された領域がお互いに辺接触しないように構成する一
方、前記被加工物の加工領域全体の50%以下の領域を
トリミングするマスクフィルターを介して同時加工する
ように構成し、前記マスクフィルターを経時的に移動さ
せ、前記被加工物の加工領域全体を均等に積分加工する
ことにより、加工副産物として発生するカーボンを均一
に付着分布させ、被加工物の加工精度、特に掘り込み均
一性を向上させることが可能となる。また、この加工方
法を用いてインクジェット記録ヘッドを製造することに
より、吐出インク量の各ノズルばらつきが抑制され、均
一な濃度の印刷を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係るレーザ加工装置の概略
図。
【図2】本発明の実施例に用いるフォトマスクのパター
ン図。
【図3】本発明の実施例に用いるマスクフィルターの透
過パターン図。
【図4】本発明の実施例に用いるマスクフィルターの透
過パターン図。
【図5】本発明の実施例に係る製造方法によって形成し
た面吐出型インクジェット記録ヘッドのインク吐出要部
を示す図。
【符号の説明】
1:フォトマスク 2:フォトマスクパターン 3:マスクフィルター 4:マスクフィルター透過パターン 5:マスクフィルター透過パターン 6:ワーク 10:インク吐出圧発生素子搭載シリコン回路基板 11:インク吐出圧発生素子 12:インク供給口 20:オリフィスプレート 21:インク吐出口 22:撥水層 31:インクバッファ室 32:インク流路 33:イテンク液室 101:レーザ光 110:フライアイレンズ 111:フィールドレンズ 113:投影レンズ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】有機樹脂材料からなる被加工物に所定波長
    以下の紫外線レーザ光を所定パターン、所定エネルギー
    密度でパルス照射してアブレーション加工するレーザ加
    工方法であって、 前記被加工物の加工領域を分割し、該分割された領域が
    お互いに辺接触しないように構成する一方、前記被加工
    物の加工領域全体の50%以下の領域をトリミングする
    マスクフィルターを介して同時加工するように構成し、
    前記マスクフィルターを経時的に移動させ、前記被加工
    物の加工領域全体を均等に積分加工することを特徴とす
    るレーザ加工方法。
  2. 【請求項2】紫外線レーザ光を放射するレーザ発振器
    が、エキシマレーザ発振器であり、該発振器により放射
    される波長300nm以下の紫外線を25メガワット/
    cm2以上のエネルギー密度にて被加工物にパルス照射
    することを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方
    法。
  3. 【請求項3】前記被加工物の加工領域を、0.0002
    cm2以下の領域に分割することを特徴とする請求項1
    または請求項2に記載のレーザ加工方法。
  4. 【請求項4】記録媒体に付着させるインク液滴を吐出す
    るためのインク吐出口、前記吐出口に供給するためのイ
    ンクを貯える液室、前記吐出口と前記液室とを連通する
    インク流路、前記インク流路の一部に設けられインクを
    吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素
    子、前記液室に外部からインクを供給するためのインク
    供給口、 等を含むインクジェット記録ヘッドのインク通路の少な
    くとも一部を構成する部材を、レーザ加工方法によって
    加工するインクジェット記録ヘッドの製造方法であっ
    て、 前記レーザ加工方法として請求項1〜3のいずれか1項
    に記載のレーザ加工方法を用い、インク流路等を加工す
    ることを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方
    法。
  5. 【請求項5】記録媒体に付着させるインク液滴を吐出す
    るためのインク吐出口、前記吐出口に供給するためのイ
    ンクを貯える液室、前記吐出口と前記液室とを連通する
    インク流路、前記インク流路の一部に設けられインクを
    吐出するためのエネルギーを発生するエネルギー発生素
    子、前記液室に外部からインクを供給するためのインク
    供給口、 等を含むインクジェット記録ヘッドのインク通路の少な
    くとも一部を構成する部材を、レーザ加工によって形成
    してなるインクジェット記録ヘッドであって、前記イン
    クジェット記録ヘッドが、請求項4に記載のインクジェ
    ット記録ヘッドの製造方法により製造されたものである
    ことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011000754A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Canon Inc 微細構造体の製造方法及び液体吐出ヘッドの製造方法
JP2017154179A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 ゼロックス コーポレイションXerox Corporation 支持されていない層に開口をアブレーションする方法

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