JP2002189233A

JP2002189233A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2002189233A
Application number: JP2001297567A
Authority: JP
Inventors: Masanori Kimura; 雅典木村; Katsuhiko Kumakawa; 克彦熊川; Tetsuo Fukami; 徹夫深海; Hirofumi Yamakita; 裕文山北; Satoshi Asada; 智浅田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-09-27
Filing date: 2001-09-27
Publication date: 2002-07-05
Anticipated expiration: 2021-09-27
Also published as: JP3554977B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＩＰＳ方式の液晶パネルにおいて、画素内の
蓄積容量部の容量を確保しつつ開口率を増大することに
より、明るく表示品質の高い液晶表示装置を提供する。【解決手段】アレイ基板（１０）は、隣接する２本の
ゲート配線（１）及び隣接する２本のソース配線（２）
により画定された各領域内に配置された画素電極（３）
と、ゲート配線（１）から入力された信号電圧に基づい
てソース配線（２）から画素電極（３）へ印加される電
圧をスイッチングするスイッチング素子（５）と、隣接
する２本のゲート配線（１）の間に形成された共通配線
（８）と、共通配線（８）に電気的に接続され、電圧が
印加された画素電極（３）との間に液晶を駆動する電界
を生じさせる共通電極（４）と、共通配線（８）に電気
的に接続された蓄積容量電極（２０ａ）とを備え、共通
配線（８）及び蓄積容量電極（２０ａ）は、絶縁層（６
ａ，６ｂ）を介して画素電極（３）の少なくとも一部を
挟持するように積層されている液晶表示装置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に、ＩＰＳ（In-Plane-Switching）モードの液晶
表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin-Film-
Transistor）を用いたアクティブマトリクス型液晶ディ
スプレイは、薄型化、軽量化、低電圧駆動などが可能と
いう長所により、ＴＶ、カムコーダ、パ−ソナルコンピ
ュ−タ、パ−ソナルワ−ドプロセッサなどのディスプレ
イとして種々の分野へ利用されており、大きな市場を形
成している。

【０００３】特に近年、コンピュ−タやＴＶなどの用途
では、大画面化への対応から、より広視野角を有する液
晶表示装置の要求が高まっている。これに対応して、液
晶表示装置の視野角を広げる方式として、液晶を駆動す
るための画素電極及び対向電極を同一基板上に形成し、
横方向の電界を印加することにより液晶分子を動作させ
るＩＰＳ（In-Plane-Switching）方式が提案されている
（特開平６−１６０８７８号公報等）。この表示方式
は、横電界方式あるいは櫛形電極方式とも呼ばれてお
り、この表示方式では液晶分子の長軸が基板と常にほぼ
平行であるため、基板に対して垂直に立ち上がることが
ない。従って視る方向を変えた時の明るさの変化が小さ
いために、広い視野角が得られる。

【０００４】このような、従来のＩＰＳモードの液晶表
示装置について、図面を参照して説明する。

【０００５】図１１は、従来の液晶表示装置におけるア
レイ基板の１画素の構成を表す平面図であり、図１２
（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ図１１におけるＰ−Ｐ’
及びＱ−Ｑ’部分の断面図である。図１１において、走
査信号を供給するゲート配線１と映像信号を供給するソ
ース配線２とは略直交するように配置されており、ゲー
ト配線１とソース配線２との各交差部付近に、半導体層
を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transi
stor）５がスイッチング素子として形成されている。ま
た、ソース配線２にはＴＦＴ５を介して櫛形の画素電極
３が接続されており、画素電極３に噛み合うように、電
位の基準となる共通電極４が配置されている。この共通
電極４は、２つのゲート配線１，１の間に平行に設けら
れた共通配線８に対して電気的に接続されている。

【０００６】図１１及び図１２に示すように、ゲート配
線１、共通電極４、及び共通配線８は、アレイ基板１０
上に同一の層として形成されており、これらの上方に、
絶縁層６ａを介してソース配線２及び画素電極３が同一
の層として形成されている。共通配線８と画素電極３と
が絶縁層６ａを介して重なった部分には、蓄積容量部１
０９が形成されている。上述した配線や電極の主成分
は、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル
（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属である。

【０００７】また、対向基板１４におけるアレイ基板１
０と対向する面上には、ブラックマトリクス１２及びカ
ラーフィルタ１３が形成されている。ブラックマトリク
ス１２は、図１１に二点鎖線で示すように、ゲート配線
１またはソース配線２と画素電極３または共通電極４と
の間に生じる電界の非制御領域や、ＴＦＴ５を覆うよう
に配置されている。また、カラーフィルタ１３は、ブラ
ックマトリクス１２の開口部に形成され、各画素毎に赤
色、緑色、青色のいずれかの色層を有しており、液晶表
示装置全体ではこの３色を繰り返す配列となっている。

【０００８】アレイ基板１０と対向基板１４との間に
は、基板上に散布されたビーズによって保たれる一定の
ギャップに液晶（図示せず）が封入され、液晶表示装置
が得られる。

【０００９】この液晶表示装置によれば、画素電極３へ
供給された電圧と基準電位が印加される共通電極４の電
圧との差により、基板面に略平行な方向の電界が発生
し、電極間の液晶に印加される。蓄積容量部１０９は、
ＴＦＴ５のオン期間に電荷が蓄積されることで、ＴＦＴ
５のオフ期間に画素電極３からの電荷漏れが生じても、
漏れた分の電荷を補充して信号電圧を維持することがで
き、これによって液晶の動作保持を行う。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上述の液晶表示装置
は、画素電極３、共通電極４、及び共通配線８が不透明
な金属で形成されているため、この領域は光が透過する
ことができない。ここで、蓄積容量部１０９を形成する
画素電極３及び共通配線８の対向面積が小さすぎると、
蓄積容量が十分でなくなりフリッカやクロストークの問
題が生じる。このため、蓄積容量部１０９はある程度の
大きさが必要とされるが、蓄積容量部１０９を大きくす
ると、光の非透過領域が拡大することになる。更に、光
が透過可能な領域であっても、ソース配線及びゲート配
線と共通電極及び画素電極との間に生じる隙間などにお
いては光透過率を所望のように制御できないため、この
部分をブラックマトリクス１２で覆う必要がある。

【００１１】これらの理由から、従来のＩＰＳモードの
液晶表示装置は、画素内の開口率、即ち、画素面積に対
する有効表示面積の占める割合が十分でなく、パネルの
輝度が低いという問題があった。

【００１２】本発明は、ＩＰＳ方式の液晶パネルにおい
て、画素内の蓄積容量部の容量を確保しつつ開口率を増
大することにより、明るく表示品質の高い液晶表示装置
を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示装置は、アレイ基板と、前記アレ
イ基板に対向する対向基板と、前記アレイ基板と前記対
向基板との間に挟持された液晶とを備え、前記アレイ基
板は、互いに交差している複数本のゲート配線及び複数
本のソース配線と、隣接する２本の前記ゲート配線及び
隣接する２本の前記ソース配線により画定された各領域
内に配置された画素電極と、前記ゲート配線から入力さ
れた信号電圧に基づいて前記ソース配線から前記画素電
極へ印加される電圧をスイッチングするスイッチング素
子と、隣接する２本の前記ゲート配線の間に形成された
共通配線と、前記共通配線に電気的に接続され、電圧が
印加された前記画素電極との間に前記液晶を駆動する電
界を生じさせる共通電極と、前記共通配線に電気的に接
続された蓄積容量電極とを備え、前記共通配線及び前記
蓄積容量電極は、絶縁層を介して前記画素電極の少なく
とも一部を挟持するように積層されていることを特徴と
する。

【００１４】この液晶表示装置によれば、共通配線、蓄
積容量電極及び画素電極が平面視において重なり合った
部分に蓄積容量部が形成され、共通配線と画素電極との
間だけでなく、画素電極と蓄積容量電極との間にも電荷
を蓄積することができるので、従来に比べて蓄積容量部
の単位面積あたりの容量を大きくすることができる。し
たがって、蓄積容量部の面積を小さくしても表示品質を
良好に維持することができ、これによって開口率を向上
させることができる。

【００１５】この液晶表示装置は、前記画素電極に電気
的に接続された付加蓄積容量電極を更に備えることも可
能であり、この場合、前記画素電極及び前記付加蓄積容
量電極は、絶縁層を介して前記共通配線又は前記蓄積容
量電極の少なくとも一部を挟持するように積層される。
この構成によれば、共通配線又は蓄積容量電極と付加蓄
積容量電極との間にも電荷を蓄積することができるの
で、蓄積容量部の単位面積あたりの容量を更に大きくす
ることができ、これによって開口率の向上を図ることが
できる。

【００１６】また、この液晶表示装置においては、前記
共通配線、前記画素電極及び前記蓄積容量電極をこの順
に積層し、前記蓄積容量電極と同一の層に該蓄積容量電
極と同一の材料からなる遮光膜を形成して、該遮光膜に
より前記スイッチング素子を覆うことができる。この構
成によれば、バックライトや外部光がＴＦＴなどのスイ
ッチング素子に直接あたるのを確実に防ぐことができる
ので、スイッチング素子におけるリーク電流を防止して
クロストークやフリッカなどを抑制することができ、こ
れによって、表示品質を高めることができる。この遮光
膜は、蓄積容量電極と同時に形成することができるの
で、新たな工程を追加する必要がない。

【００１７】また、この液晶表示装置においては、前記
共通配線を前記ゲート配線と同一の層に形成し、前記蓄
積容量電極を前記共通電極と同一の層に形成することが
できる。この構成によれば、ゲート配線が絶縁層を介し
て共通電極及び画素電極と別層に形成されているので、
ゲート配線が共通電極又は画素電極とショートするおそ
れがなく、共通電極及び画素電極の端部をゲート配線ま
で延ばすことができる。これにより、駆動制御可能な液
晶の領域を拡げることができ、開口率を更に向上させる
ことができる。

【００１８】また、上記目的を達成するために、本発明
の他の液晶表示装置は、アレイ基板と、前記アレイ基板
に対向する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板
との間に挟持された液晶とを備え、前記アレイ基板は、
互いに交差している複数本のゲート配線及び複数本のソ
ース配線と、隣接する２本の前記ゲート配線及び隣接す
る２本の前記ソース配線により画定された各領域内に配
置された画素電極と、前記ゲート配線から入力された信
号電圧に基づいて前記ソース配線から前記画素電極へ印
加される電圧をスイッチングするスイッチング素子と、
隣接する２本の前記ゲート配線の間に形成された共通配
線と、前記共通配線に電気的に接続され、電圧が印加さ
れた前記画素電極との間に前記液晶を駆動する電界を生
じさせる共通電極と、前記画素電極に電気的に接続され
た蓄積容量電極とを備え、前記画素電極及び前記蓄積容
量電極は、絶縁層を介して前記共通配線の少なくとも一
部を挟持するように積層されていることを特徴とする。

【００１９】この液晶表示装置によれば、画素電極、蓄
積容量電極及び共通配線が平面視において重なり合った
部分に蓄積容量部が形成され、共通配線と画素電極との
間だけでなく、共通配線と蓄積容量電極との間にも電荷
を蓄積することができるので、従来に比べて蓄積容量部
の単位面積あたりの容量を大きくすることができる。し
たがって、蓄積容量部の面積を小さくしても表示品質を
良好に維持することができ、これによって開口率を向上
させることができる。

【００２０】この液晶表示装置は、前記共通配線に電気
的に接続された付加蓄積容量電極を更に備えることも可
能であり、この場合、前記共通配線及び前記付加蓄積容
量電極は、絶縁層を介して前記画素電極又は前記蓄積容
量電極の少なくとも一部を挟持するように積層される。
この構成によれば、画素電極又は蓄積容量電極と付加蓄
積容量電極との間にも電荷を蓄積することができるの
で、蓄積容量部の単位面積あたりの容量を更に大きくす
ることができ、これによって開口率の向上を図ることが
できる。

【００２１】また、上記目的を達成するために、本発明
の更に他の液晶表示装置は、アレイ基板と、前記アレイ
基板に対向する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板との間に挟持された液晶とを備え、前記アレイ基板
は、互いに交差している複数本のゲート配線及び複数本
のソース配線と、隣接する２本の前記ゲート配線及び隣
接する２本の前記ソース配線により画定された各領域内
に配置された画素電極と、前記ゲート配線から入力され
た信号電圧に基づいて前記ソース配線から前記画素電極
へ印加される電圧をスイッチングするスイッチング素子
と、隣接する２本の前記ゲート配線の間に形成された共
通配線と、前記共通配線に電気的に接続され、電圧が印
加された前記画素電極との間に前記液晶を駆動する電界
を生じさせる共通電極とを備え、前記画素電極及び前記
共通電極は、いずれも絶縁層を介して前記ゲート配線と
は別の層に形成されており、前記画素電極及び前記共通
電極の端部が前記ゲート配線に重なっていることを特徴
とする。例えば、この液晶表示装置において、前記ゲー
ト配線を第１の導電層から形成し、前記画素電極及び共
通電極を第２の導電層から形成することができる。

【００２２】この構成によれば、画素電極及び共通電極
の端部がゲート配線に重なっているので、画素電極又は
共通電極とゲート配線との間から光漏れを生じるおそれ
がない。したがって、この重なった部分に対応する他方
の基板上の位置にブラックマトリクスを形成する必要が
なく、これによって開口率を向上させることができる。
画素電極又は共通電極がゲート配線と重なった部分の長
さは、画素電極又は共通電極の長手方向に沿って１〜５
μmであることが好ましい。

【００２３】また、前記共通電極は、絶縁層を介して前
記ソース配線と別の層に形成されていることが好まし
く、少なくとも一部が前記ソース配線と長手方向に沿っ
て重なり合っていることが好ましい。これによって、前
記ソース配線と共通電極との隙間からの光漏れを防止す
ることができるので、他方基板上にブラックマトリクス
の形成が必要な領域をより小さくして、開口率を向上さ
せることができる。

【００２４】また、前記画素電極及び前記共通電極は、
両者間におけるショートを確実に防止するため、絶縁層
を介して互いに別の層に形成しても良い。例えば、前記
ゲート配線を第１の導電層から形成し、前記画素電極を
第２の導電層から形成し、前記共通電極を第３の導電層
から形成し、前記第１〜第３の導電層の各層間を第１及
び第２の絶縁層で絶縁することができる。

【００２５】更に、前記ゲート配線、前記画素電極及び
前記共通電極をこの順に積層し、前記共通電極と同一の
層に該共通電極と同一の材料からなる遮光膜を形成する
ことにより、該遮光膜により前記スイッチング素子を覆
うことが好ましい。これにより、遮光膜を共通電極と同
時に形成することができるので、新たな工程を追加する
ことなく、表示品質の向上を図ることができる。また、
スイッチング素子に対応する対向基板上の位置にはブラ
ックマトリクスを形成する必要がないので、開口率をよ
り向上させることができる。更に、対向基板上にブラッ
クマトリクスを全く形成しない構成にすることも可能で
あり、製造工程の短縮化が可能になる。スイッチング素
子近傍からの光漏れを防止するため、前記スイッチング
素子は前記ゲート配線上に形成されていることが好まし
い。

【００２６】また、前記ゲート配線、前記画素電極及び
前記共通電極をこの順に積層した場合、前記画素電極と
前記共通電極との間に形成される絶縁層は、０．５μm
以上の厚みを有することが好ましく、有機膜により形成
されていることがより好ましい。これにより、ゲート配
線と共通電極とが重なった部分に生じる寄生容量を十分
小さくして、表示品質をより向上させることができる。

【００２７】以上の各液晶表示装置においては、前記画
素電極及び／又は前記共通電極を透明電極材料により形
成することが可能であり、これによって、開口率を向上
させることができる。また、前記の蓄積容量電極は、前
記ゲート配線の信号入力側である一端側から他端側に向
けて小さくなるように形成しても良く、これによってフ
リッカを抑制することができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。但し、以降の説明にお
いては、上述した従来の液晶表示装置と同様の構成部分
には同一の符号を付して、繰り返しの説明を省略する。

【００２９】（実施の形態１）図１（ａ）は、実施の形
態１の液晶表示装置におけるアレイ基板の１画素の構成
を表す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけ
るＡ−Ａ’部分の断面図である。

【００３０】本実施形態における液晶表示装置は、上述
した従来の液晶表示装置と同様、共通配線８と画素電極
３とが絶縁層６ａを介して重なり合った部分に蓄積容量
部９ａが形成されている。そして、この蓄積容量部９ａ
において、画素電極３の上方に蓄積容量電極２０ａが形
成されている点で従来の液晶表示装置と相違する。

【００３１】即ち、絶縁層６ａ上の同一層に形成された
ソース配線２及び画素電極３の上に絶縁層６ｂが形成さ
れ、この絶縁層６ｂの上に蓄積容量電極２０ａが形成さ
れており、蓄積容量電極２０ａは、絶縁層６ａ，６ｂに
形成されたコンタクトホール３０ａ，３０ｂを介して共
通配線８と電気的に接続されている。こうして、蓄積容
量部９ａは、蓄積容量電極２０ａ及び共通配線８が絶縁
層６ａ，６ｂを介して画素電極３の一部を挟持すること
により、形成されている。

【００３２】本実施形態の液晶表示装置は、例えば次の
ようにして製造することができる。まず、アレイ基板１
０となるガラス上に、アルミニウム（Ａｌ）などを主成
分とする第１の導電層をスパッタ法等で成膜した後、フ
ォトリソグラフ法で同一平面状にパターン形成して、ゲ
ート配線１、共通電極４、及び共通配線８を得る。

【００３３】次いで、ＣＶＤ法等により窒化珪素（Ｓｉ
Ｎｘ）等からなる第１の絶縁層６ａを堆積させ、ａ−Ｓ
ｉ等からなる半導体層をＣＶＤ法及びフォトリソグラフ
法などで形成した後、上記第１の導電層と同様の工程に
て第２の導電層を形成しパターニングすることにより、
ソース配線２、画素電極３、及びスイッチング素子であ
るＴＦＴ５を得る。画素電極３及び共通電極４の幅は、
例えば３〜８μmであり、両者の間隔は、例えば１０〜
１５μmである。

【００３４】次に、第１の絶縁層６ａと同様の工程にて
第２の絶縁層６ｂを形成後、第１の絶縁層６ａ及び第２
の絶縁層６ｂにフォトリソグラフ法でコンタクトホール
３０ａ，３０ｂを形成する。

【００３５】この後、上記第１の導電層と同様の工程に
て第３の導電層を形成しパターニングすることにより蓄
積容量電極２０ａを得るとともに、コンタクトホール３
０ａ，３０ｂを介して共通配線８との電気的接続を行
う。尚、このような形成されたアレイ基板の最表面に
は、ＴＦＴや電極などを保護するために、更に第４の絶
縁層を形成してもよい。

【００３６】また、上述した第１〜第３の導電層は、特
に限定されるものではないが、アルミニウム（Ａｌ）系
金属のように配線抵抗の低い金属材料からなるのが望ま
しい。更に、各導電層は、単層膜又は多層膜のいずれで
も良い。

【００３７】一方、対向基板１４となるガラス基板上に
は、金属クロム（Ｃｒ）をスパッタ等により成膜後、フ
ォトリソグラフ法でパターン形成することにより、導電
性のブラックマトリクス１２を形成する。次に、ＲＧＢ
（３色）の各々の色素を有する樹脂を画素となる部分に
順にパターン形成し、ドット状に配置されたカラーフィ
ルター１３を得る。尚、Ｃｒ等による液晶層への汚染を
防ぐため、この後アクリル等の樹脂によりカラー対向基
板全体にオーバーコート層の形成を行っても良い。ま
た、ブラックマトリクスは樹脂材料を用いて形成しても
良く、この場合はスピンコートや印刷など塗布による成
膜工程を用いることができるので、設備コストを低減す
ることができる。

【００３８】このように作製された２つの基板１０，１
４の互いに対向する面に配向膜（図示せず）を塗布した
後、所定の方向にラビングを行い、基板間に樹脂スペー
サを挟んだ状態で周辺部をシール剤で接着する。最後に
液晶（図示せず）を封入して、液晶表示装置が得られ
る。

【００３９】この液晶表示装置の周辺部においては、ゲ
ート配線１の端部にゲート駆動回路を接続し、ソース配
線２の端部にソース信号駆動回路を接続することによ
り、各々の駆動回路が、コントローラからの入力に基づ
いて液晶表示装置を作動させる。この液晶表示装置の作
動を以下に説明する。

【００４０】まず、外部回路より供給された走査信号が
各ゲート配線１へ、映像信号が各ソース配線２へそれぞ
れ供給される。ゲート配線１を介して供給された走査信
号によって、ゲート配線１に接続されたＴＦＴ５が選択
的にスイッチングされることで、ＴＦＴ５のオン期間に
ソース配線２を通して供給される映像信号が画素電極３
へ供給される。この画素電極３と共通電極４との電位差
により電界が発生し、電極間に配向させた液晶の動きの
制御が行われる。液晶パネルのアレイ基板側には冷陰極
管からなるバックライト（図示せず）が配置されてお
り、液晶の駆動制御により階調表示を行うことができ
る。

【００４１】ＴＦＴ５がオフ状態になると、画素電極３
への信号電圧の供給が停止されるが、蓄積容量９ａに蓄
積された電荷により液晶の動作が保持される。本実施形
態における蓄積容量部９ａは、共通配線８と画素電極３
との間、及び、画素電極３と蓄積容量電極２０ａとの間
のそれぞれにおいて電位差が生じ、電荷を蓄積させるこ
とができるので、上記従来の液晶表示装置の蓄積容量部
１０９に比べて単位面積あたりの容量が高まり、電極の
対向面積を略半分にすることができる。この結果、画素
の開口率を向上させることが可能になり、高い表示輝度
を得ることができる。（実施の形態２）図２（ａ）は、実施の形態２の液晶表
示装置におけるアレイ基板の１画素の構成を表す平面図
であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＢ−Ｂ’部
分の断面図である。

【００４２】実施の形態２の液晶表示装置は、共通配
線、画素電極及び蓄積容量電極により蓄積容量部が構成
されている点で実施の形態１と同様であり、蓄積容量電
極が画素電極と電気的に接続されている点で、実施の形
態１と相違する。

【００４３】即ち、アレイ基板１０上に蓄積容量電極２
０ｂが形成され、この上に絶縁層６ａを介してゲート配
線１、共通電極４、及び共通配線８が形成され、これら
の上に絶縁層６ｂを介してソース配線２、画素電極３、
及びＴＦＴ５が形成されている。共通配線８の一部には
開口８１が形成されており、この開口８１の略中心を通
過するように絶縁層６ａ，６ｂに形成されたコンタクト
ホール３０ｃを介して、蓄積容量電極２０ｂと画素電極
３とが電気的に接続されている。こうして、蓄積容量部
９ｂは、蓄積容量電極２０ｂ及び画素電極３が絶縁層６
ａ，６ｂを介して共通配線８の一部を挟持することによ
り、形成されている。

【００４４】本実施形態の蓄積容量部９ｂによれば、蓄
積容量電極２０ｂと共通配線８との間、及び、共通配線
８と画素電極３との間のそれぞれにおいて電位差が生
じ、電荷を蓄積させることができるので、上記従来の液
晶表示装置の蓄積容量部１０９に比べて単位面積あたり
の容量が高まり、電極の対向面積を略半分にすることが
できる。この結果、画素の開口率を向上させることが可
能になり、高い表示輝度を得ることができる。（実施の形態３）図３（ａ）は、実施の形態３の液晶表
示装置におけるアレイ基板の１画素の構成を表す平面図
であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＣ−Ｃ’部
分の断面図である。

【００４５】実施の形態３の液晶表示装置は、実施の形
態１の液晶表示装置において、付加蓄積容量電極を更に
備えるものであり、その他の点については実施の形態１
と同様である。

【００４６】即ち、蓄積容量電極２０ａの上に絶縁層６
ｃが形成され、この絶縁層６ｃの上に付加蓄積容量電極
２０ｄが形成されており、付加蓄積容量電極２０ｄは、
絶縁層６ｂ，６ｃに形成されたコンタクトホール３０ｄ
を介して画素電極３に電気的に接続されている。こうし
て、蓄積容量部９ｃは、共通配線８、画素電極３、蓄積
容量電極２０ａ、及び付加蓄積容量電極２０ｄが平面視
において重なった部分に、形成されている。

【００４７】本実施形態の蓄積容量部９ｃによれば、、
共通配線８と画素電極３との間、画素電極３と蓄積容量
電極２０ａとの間、及び、蓄積容量電極２０ａと付加蓄
積容量電極２０ｄとの間のそれぞれにおいて電位差が生
じ、電荷を蓄積させることができるので、実施の形態１
及び実施の形態２の蓄積容量部に比べて単位面積あたり
の容量を更に高めることができる。この結果、画素の開
口率をより向上させることが可能になり、高い表示輝度
を得ることができる。

【００４８】本実施形態の液晶表示装置においては、付
加蓄積容量電極２０ｄの上方に、更に別の蓄積容量電極
を積層することも可能である。即ち、第１の蓄積容量電
極は、前記共通配線８に電気的に接続されるように、ま
た、第２の蓄積容量電極は、前記画素電極３に電気的に
接続されるように、それぞれ絶縁層を介して交互に積層
することにより、蓄積容量部の単位面積あたりの容量を
より高めることができる。

【００４９】また、実施の形態２に示す液晶表示装置に
対しても、画素電極の上に絶縁層を介して付加蓄積容量
電極を形成することが可能であり、この付加蓄積容量電
極と共通配線８とをコンタクトホールを介して電気的に
接続することにより、本実施形態と同様の効果を得るこ
とができる。（実施の形態４）図４（ａ）は、実施の形態４の液晶表
示装置におけるアレイ基板の１画素の構成を表す平面図
であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）におけるＤ−Ｄ’部
分の断面図である。

【００５０】実施の形態４における液晶表示装置は、実
施の形態１の液晶表示装置において、蓄積容量電極２０
ａと同一の層に、蓄積容量電極２０ａと同一材料からな
る遮光膜１５ａが形成されたものであり、その他の構成
については実施の形態１と同様である。

【００５１】この構成によれば、遮光膜１５ａを蓄積容
量電極２０ａと同時に形成することができるので、遮光
膜１５ａ形成のための工程を新たに追加する必要がな
い。そして、この遮光膜１５ａによりＴＦＴ５の上方が
覆われているので、バックライトや外光などによるＴＦ
Ｔ特性の悪化を防止することができる。

【００５２】図５は、遮光膜を設けた場合及び設けない
場合のそれぞれについて、ゲート・ドレイン電圧とソー
ス・ドレイン電流との関係を示すグラフである。同図に
示すように、遮光膜１５ａを設けない場合には、ゲート
・ドレイン電圧が０ボルト以下、即ち、ＴＦＴのオフ期
間においてもソース・ドレイン電流が流れる。この結
果、画素電位が変動し、クロストークによる画質劣化な
どの問題を生じる。

【００５３】これに対し、遮光膜１５ａを設けた場合に
は、ゲート・ドレイン電圧が０ボルト以下、即ち、ＴＦ
Ｔのオフ期間においては、ソース・ドレイン電流がほと
んど流れないため、上述の問題が解消され、表示品質を
高めることが可能になる。

【００５４】この遮光膜１５ａは、図６に示すように、
実施の形態１における絶縁層６ｂ上に、ＣＶＤ法等によ
り窒化珪素（ＳｉＮｘ）等からなる平坦化膜２２ａを形
成し、平らな表面上に蓄積容量電極２０ａと共に形成し
ても良い。このように平坦化膜２２ａを形成した場合に
は、遮光膜１５ａとＴＦＴ５との間に形成されてしまう
寄生容量を小さくすることができるので、ＴＦＴ５の負
荷が小さくなり、ＴＦＴ５の動作を安定させることがで
きる。また、封入した液晶の配向の乱れが少なくなるた
め、表示品質をより向上させることが可能になる。（実施の形態５）図７（ａ）は、実施の形態５の液晶表
示装置におけるアレイ基板の１画素の構成を表す平面図
であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）におけるＥ−Ｅ’部
分の断面図である。

【００５５】実施の形態１における液晶表示装置の共通
電極が共通配線と同一の層に形成されているのに対し、
実施の形態５における液晶表示装置は、共通電極が蓄積
容量電極と同一の層に形成されている点で相違し、その
他の構成については実施の形態１と同様である。

【００５６】即ち、ゲート配線１及び共通配線８は、ア
レイ基板１０上に同一の層として形成されており、これ
らの上方に、絶縁層６ａを介してソース配線２及び画素
電極３が同一の層として形成されている。そして、これ
らの上方に絶縁層６ｂを介して蓄積容量電極２０ａ及び
共通電極４が形成されている。共通電極４は、蓄積容量
電極２０ａ及び絶縁層に形成されたコンタクトホール３
０ａ，３０ｂを介して共通配線８と電気的に接続されて
いる。

【００５７】この構成によれば、実施の形態１と同様、
従来の蓄積容量部９に比べて電極の対向面積を略半分に
することができ、画素の開口率を向上させることができ
る。更に、画素電極３及び共通電極４が、ゲート配線１
とは絶縁層６ａ，６ｂを介して別層に形成されているの
で、画素電極３又は共通電極４がゲート配線１との間で
ショートするおそれなしに画素電極３及び共通電極４の
端部をゲート配線１まで延長することができ、画素にお
ける液晶駆動の制御可能領域を拡げることができる。し
たがって、これによっても開口率を向上させることがで
きる。

【００５８】画素電極３及び共通電極４の端部をゲート
配線１に重ねた場合には、図７（ａ）において二点差線
の幅で示すように、ブラックマトリクス１２をゲート配
線１に沿って形成する必要がない。この場合、画素電極
３及び共通電極４の端部がゲート配線１と重なる部分の
長さは、アライメント誤差を考慮すれば１μm以上であ
ることが好ましい一方、重なりが大き過ぎると寄生容量
が大きくなりゲート配線１の信号なまりを生じるおそれ
があるため５μm以下であることが好ましい。（実施の形態６）図８（ａ）は、実施の形態６の液晶表
示装置におけるアレイ基板の１画素の構成を表す平面図
であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）におけるＦ−Ｆ’部
分の断面図である。

【００５９】実施の形態５における液晶表示装置の蓄積
容量電極２０ａ及び共通電極４が絶縁層６ｂ上に形成さ
れているのに対し、実施の形態６における液晶表示装置
は、絶縁層６ｂ上に形成された平坦化膜２２ｂ上に蓄積
容量電極２０ａ及び共通電極４が形成されている。その
他の構成については、実施の形態５と同様である。

【００６０】この構成によれば、ショートの共通電極４
が長手方向に沿ってソース配線２の一部と重なり合うよ
うに構成することが容易であり、ソース配線２と共通電
極４との隙間から光漏れを生じるおそれがない。したが
って、液晶駆動の制御可能領域が更に拡がり、開口率を
向上させることができる。この場合、この重なった部分
に対応する対向基板１４上の位置に、ブラックマトリク
スを形成する必要がない。

【００６１】本実施形態においては、実施の形態４と同
様にして、図８（ａ）に二点鎖線で示すように、蓄積容
量電極２０ａ及び共通電極４と同一の層に遮光膜１５ｂ
を更に形成しても良い。このような構成によれば、表示
品質の高い液晶表示装置が得られるだけでなく、対向基
板１４にブラックマトリクスを形成する必要が全くなく
なり、製造工程の短縮を図ることができる。尚、ＴＦＴ
５の近傍からの光漏れを防止するため、図８（ａ）に示
すように、ＴＦＴ５をゲート配線１上に形成することが
好ましい。

【００６２】また、平坦化膜２２ｂは、シリコン酸化膜
やシリコン窒化膜などから形成することも可能である
が、ゲート配線１と共通電極４とが重なった部分に生じ
る寄生容量を十分小さくするためには、感光性アクリル
樹脂などの有機膜により形成することが好ましく、更
に、膜厚を０．５μm以上にすることがより好ましい。
これによりクロストークなどの問題が低減され、表示品
質をより向上させることができる。平坦化膜２２ｂの平
均的な厚みは、３μm程度が適当である。（実施の形態７）図９（ａ）は、実施の形態６の液晶表
示装置におけるアレイ基板の１画素の構成を表す平面図
であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）におけるＧ−Ｇ’部
分の断面図である。

【００６３】図１１及び図１２に示す上記従来の液晶表
示装置の共通電極４が共通配線８と同一の層に形成され
ているのに対し、実施の形態７における液晶表示装置
は、共通電極４が共通配線８とは別の層で、且つ、画素
電極３と同一の層に形成されている点で相違する。その
他の構成については、上記従来の液晶表示装置と同様で
ある。

【００６４】即ち、ゲート配線１及び共通配線８は、ア
レイ基板１０上に同一の層として形成されており、これ
らの上方に、絶縁層６ａを介してソース配線２、画素電
極３及び共通電極４が同一の層として形成されている。
共通電極４は、絶縁層６ａに形成されたコンタクトホー
ル３０ｅを介して共通配線８と電気的に接続されてお
り、画素電極３と共通配線８とが絶縁層６ａを介して重
なり合った部分に蓄積容量部９ｄが形成されている。

【００６５】この構成によれば、実施の形態５と同様
に、画素電極３及び共通電極４の端部をゲート配線１に
重ねることが可能であり、これによって液晶駆動制御が
可能な領域を拡大することができる。したがって、この
重なった部分に対応する対向基板１４上の位置にはブラ
ックマトリクスを形成する必要がなく、これによって開
口率を向上させることができる。画素電極３及び共通電
極４の端部がゲート配線１と重なる部分の長さは、実施
の形態５と同様の理由から１〜５μmであることが好ま
しい。（実施の形態８）図１０（ａ）は、実施の形態８の液晶
表示装置におけるアレイ基板の１画素の構成を表す平面
図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）におけるＨ−
Ｈ’部分の断面図である。

【００６６】実施の形態７の液晶表示装置は、画素電極
３及び共通電極４がソース配線２と同一の層に形成され
ているのに対し、実施の形態８の液晶表示装置は、画素
電極３及び共通電極４が平坦化膜２２ｃを介してソース
配線２と別層に形成されている点で相違する。その他の
構成については実施の形態７と同様である。

【００６７】即ち、アレイ基板１０上に形成されたゲー
ト配線１及び共通配線８の上方に絶縁層６ａを介してソ
ース配線２が形成されており、この上方に、平坦化膜２
２ｃを介して画素電極３及び共通電極４が同一の層とし
て形成されている。ＴＦＴ５のドレイン側は、コンタク
トホール３０ｆを介して画素電極３に接続されている。

【００６８】この構成によれば、共通電極４の少なくと
も一部を長手方向に沿ってソース配線２に重ね合わせる
ことができるので、ソース配線２と共通電極４との隙間
から光漏れを生じるおそれがない。したがって、この部
分に対応する対向基板１４上の位置にブラックマトリク
スを形成する必要がないため、開口率をより向上させる
ことができる。

【００６９】更に、実施の形態４と同様にして、図１０
（ａ）に二点鎖線で示すように、画素電極３及び共通電
極４と同一の層に遮光膜１５ｃを形成しても良い。この
ような構成によれば、表示品質の高い液晶表示装置が得
られるだけでなく、対向基板１４にブラックマトリクス
を全く形成しなくても良いので、製造工程の短縮を図る
ことができる。

【００７０】また、画素電極３及び共通電極４は、絶縁
層を介して互いに別の層になるように形成しても良く、
これによって、画素電極３と共通電極４との間のショー
トを確実に防止することができる。（その他の実施の形態）以上、本発明の各実施形態につ
いて詳述したが、本発明の具体的な態様が上記実施形態
に限定されるものではない。例えば、上記各実施形態に
おいて、共通電極及び画素電極は金属電極としている
が、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）などの透明電極で形成
することもできる。このような構成によれば、開口率を
更に向上させることができる。

【００７１】また、上記各実施形態において、各画素毎
の蓄積容量部の平面視における大きさは、ゲート配線の
信号入力側である一端側から他端側に向けて小さくなる
ように形成されていることが好ましい。これにより、主
要配線や電極形状などを変更しなくても、液晶に印加す
る電圧を各画素で略一定にすることができる。したがっ
て、断線などの不良を回避しつつフリッカの発生を抑制
することができ、表示品質の向上を図ることができる。

【００７２】また、マトリクス状に設けられた複数本の
ゲート配線及び複数本のソース配線によって画定される
各画素領域の形状は、必ずしも矩形状のものに限られ
ず、ひし形に近い形状であっても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明の実施の形態１に係る液晶表示
装置においてアレイ基板の１画素の構成を示す平面図、
及び、（ｂ）この図におけるＡ−Ａ’部分の断面図であ
る。

【図２】（ａ）本発明の実施の形態２に係る液晶表示
装置においてアレイ基板の１画素の構成を示す平面図、
及び、（ｂ）この図におけるＢ−Ｂ’部分の断面図であ
る。

【図３】（ａ）本発明の実施の形態３に係る液晶表示
装置においてアレイ基板の１画素の構成を示す平面図、
及び、（ｂ）この図におけるＣ−Ｃ’部分の断面図であ
る。

【図４】（ａ）本発明の実施の形態４に係る液晶表示
装置においてアレイ基板の１画素の構成を示す平面図、
及び、（ｂ）この図におけるＤ−Ｄ’部分の断面図であ
る。

【図５】本発明の実施の形態４に係る試験結果を示す
図である。

【図６】本発明の実施の形態４の変形例を示す断面図
である。

【図７】（ａ）本発明の実施の形態５に係る液晶表示
装置においてアレイ基板の１画素の構成を示す平面図、
及び、（ｂ）この図におけるＥ−Ｅ’部分の断面図であ
る。

【図８】（ａ）本発明の実施の形態６に係る液晶表示
装置においてアレイ基板の１画素の構成を示す平面図、
及び、（ｂ）この図におけるＦ−Ｆ’部分の断面図であ
る。

【図９】（ａ）本発明の実施の形態７に係る液晶表示
装置においてアレイ基板の１画素の構成を示す平面図、
及び、（ｂ）この図におけるＧ−Ｇ’部分の断面図であ
る。

【図１０】（ａ）本発明の実施の形態８に係る液晶表
示装置においてアレイ基板の１画素の構成を示す平面
図、及び、（ｂ）この図におけるＨ−Ｈ’部分の断面図
である。

【図１１】従来の液晶表示装置においてアレイ基板の
１画素の構成を示す平面図である。

【図１２】（ａ）第１１図におけるＰ−Ｐ’部分の断
面図、及び、（ｂ）同Ｑ−Ｑ’部分の断面図である。

【符号の説明】

１ゲート配線２ソース配線３画素電極４共通電極５スイッチング素子（ＴＦＴ）６ａ，６ｂ，６ｃ絶縁層８共通配線１０アレイ基板１４対向基板１５ａ，１５ｂ，１５ｃ遮光膜２０ａ，２０ｂ蓄積容量電極２０ｄ付加蓄積容量電極２２ａ，２２ｂ，２２ｃ平坦化膜

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１４年３月５日（２００２．３．５）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【請求項４】アレイ基板と、前記アレイ基板に対向す
る対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶とを備え、前記アレイ基板は、互いに交差している複数本のゲート
配線及び複数本のソース配線と、隣接する２本の前記ゲ
ート配線及び隣接する２本の前記ソース配線により画定
された各領域内に配置された画素電極と、前記ゲート配
線から入力された信号電圧に基づいて前記ソース配線か
ら前記画素電極へ印加される電圧をスイッチングするス
イッチング素子と、隣接する２本の前記ゲート配線の間
に形成された共通配線と、前記共通配線に電気的に接続
され、電圧が印加された前記画素電極との間に前記液晶
を駆動する電界を生じさせる共通電極と、前記画素電極
に電気的に接続された蓄積容量電極とを備え、前記画素電極及び前記蓄積容量電極は、絶縁層を介して
前記共通配線の少なくとも一部を挟持するように積層さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。

【請求項５】前記共通配線に電気的に接続された付加
蓄積容量電極を更に備え、前記共通配線及び前記付加蓄積容量電極は、絶縁層を介
して前記画素電極又は前記蓄積容量電極の少なくとも一
部を挟持するように積層されていることを特徴とする請
求項４に記載の液晶表示装置。

【請求項６】アレイ基板と、前記アレイ基板に対向す
る対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶とを備え、前記アレイ基板は、互いに交差している複数本のゲート
配線及び複数本のソース配線と、隣接する２本の前記ゲ
ート配線及び隣接する２本の前記ソース配線により画定
された各領域内に配置された画素電極と、前記ゲート配
線から入力された信号電圧に基づいて前記ソース配線か
ら前記画素電極へ印加される電圧をスイッチングするス
イッチング素子と、隣接する２本の前記ゲート配線の間
に形成された共通配線と、前記共通配線に電気的に接続
され、電圧が印加された前記画素電極との間に前記液晶
を駆動する電界を生じさせる共通電極とを備え、前記画素電極及び前記共通電極は、いずれも絶縁層を介
して前記ゲート配線とは別の層に形成されており、前記
共通電極は前記ソース配線にほぼ平行になるように前記
共通配線から分岐していると共に前記画素電極の一部が
前記共通電極と平行になっており、前記共通電極と平行
な部分の前記画素電極の末端及び前記共通電極の末端が
前記ゲート配線に重なっていることを特徴とする液晶表
示装置。

【請求項７】前記共通電極は、絶縁層を介して前記ソ
ース配線と別の層に形成されており、少なくとも一部が
前記ソース配線と長手方向に沿って重なり合っているこ
とを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。

【請求項８】前記画素電極及び前記共通電極は、絶縁
層を介して互いに別の層に形成されていることを特徴と
する請求項６に記載の液晶表示装置。

【請求項９】前記ゲート配線、前記画素電極及び前記
共通電極がこの順に積層されており、前記共通電極と同
一の層に該共通電極と同一の材料からなる遮光膜が形成
され、該遮光膜により前記スイッチング素子が覆われて
いることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。

【請求項１０】前記スイッチング素子の少なくとも一
部が、前記ゲート配線上に形成されていることを特徴と
する請求項９に記載の液晶表示装置。

【請求項１１】前記ゲート配線、前記画素電極及び前
記共通電極がこの順に積層されており、前記画素電極と
前記共通電極との間に形成される絶縁層は、０．５μm
以上の厚みを有する有機膜により形成されていることを
特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。

【請求項１２】前記画素電極及び／又は前記共通電極
は、透明電極材料により形成されていることを特徴とす
る請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。

【請求項１３】前記蓄積容量電極は、前記ゲート配線
の信号入力側である一端側から他端側に向けて小さくな
るように形成されていることを特徴とする請求項１〜４
のいずれかに記載の液晶表示装置。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２１】また、上記目的を達成するために、本発明
の更に他の液晶表示装置は、アレイ基板と、前記アレイ
基板に対向する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板との間に挟持された液晶とを備え、前記アレイ基板
は、互いに交差している複数本のゲート配線及び複数本
のソース配線と、隣接する２本の前記ゲート配線及び隣
接する２本の前記ソース配線により画定された各領域内
に配置された画素電極と、前記ゲート配線から入力され
た信号電圧に基づいて前記ソース配線から前記画素電極
へ印加される電圧をスイッチングするスイッチング素子
と、隣接する２本の前記ゲート配線の間に形成された共
通配線と、前記共通配線に電気的に接続され、電圧が印
加された前記画素電極との間に前記液晶を駆動する電界
を生じさせる共通電極とを備え、前記画素電極及び前記
共通電極は、いずれも絶縁層を介して前記ゲート配線と
は別の層に形成されており、前記共通電極は前記ソース
配線にほぼ平行になるように前記共通配線から分岐して
いると共に前記画素電極の一部が前記共通電極と平行に
なっており、前記共通電極と平行な部分の前記画素電極
の末端及び前記共通電極の末端が前記ゲート配線に重な
っていることを特徴とする。例えば、この液晶表示装置
において、前記ゲート配線を第１の導電層から形成し、
前記画素電極及び共通電極を第２の導電層から形成する
ことができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ 29/786 ６１９Ｂ (72)発明者深海徹夫大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者山北裕文大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者浅田智大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JA34 JA37 JA41 JA46 JB22 JB31 JB52 JB69 KB04 KB22 KB25 NA01 PA03 PA06 PA08 PA13 5C094 AA10 BA03 BA43 CA19 DA14 DA15 DB01 DB04 EA04 EA07 EA10 EB02 ED15 5F110 AA21 AA30 BB01 CC07 DD02 EE03 EE14 EE44 FF03 FF29 GG02 GG15 GG44 HK03 HK21 HK33 HL03 HL07 HL11 HL23 NN03 NN24 NN35 NN42 NN47 NN54 NN72 NN73 QQ08 QQ19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アレイ基板と、前記アレイ基板に対向す
る対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶とを備え、前記アレイ基板は、互いに交差している複数本のゲート
配線及び複数本のソース配線と、隣接する２本の前記ゲ
ート配線及び隣接する２本の前記ソース配線により画定
された各領域内に配置された画素電極と、前記ゲート配
線から入力された信号電圧に基づいて前記ソース配線か
ら前記画素電極へ印加される電圧をスイッチングするス
イッチング素子と、隣接する２本の前記ゲート配線の間
に形成された共通配線と、前記共通配線に電気的に接続
され、電圧が印加された前記画素電極との間に前記液晶
を駆動する電界を生じさせる共通電極と、前記共通配線
に電気的に接続された蓄積容量電極とを備え、前記共通配線及び前記蓄積容量電極は、絶縁層を介して
前記画素電極の少なくとも一部を挟持するように積層さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記画素電極に電気的に接続された付加
蓄積容量電極を更に備え、前記画素電極及び前記付加蓄積容量電極は、絶縁層を介
して前記共通配線又は前記蓄積容量電極の少なくとも一
部を挟持するように積層されていることを特徴とする請
求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記共通配線、前記画素電極及び前記蓄
積容量電極が、この順に積層されており、前記蓄積容量
電極と同一の層に該蓄積容量電極と同一の材料からなる
遮光膜が形成され、該遮光膜により前記スイッチング素
子が覆われていることを特徴とする請求項１に記載の液
晶表示装置。
【請求項４】前記共通配線は前記ゲート配線と同一の
層に形成され、前記蓄積容量電極は前記共通電極と同一
の層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載
の液晶表示装置。
【請求項５】アレイ基板と、前記アレイ基板に対向す
る対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶とを備え、前記アレイ基板は、互いに交差している複数本のゲート
配線及び複数本のソース配線と、隣接する２本の前記ゲ
ート配線及び隣接する２本の前記ソース配線により画定
された各領域内に配置された画素電極と、前記ゲート配
線から入力された信号電圧に基づいて前記ソース配線か
ら前記画素電極へ印加される電圧をスイッチングするス
イッチング素子と、隣接する２本の前記ゲート配線の間
に形成された共通配線と、前記共通配線に電気的に接続
され、電圧が印加された前記画素電極との間に前記液晶
を駆動する電界を生じさせる共通電極と、前記画素電極
に電気的に接続された蓄積容量電極とを備え、前記画素電極及び前記蓄積容量電極は、絶縁層を介して
前記共通配線の少なくとも一部を挟持するように積層さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】前記共通配線に電気的に接続された付加
蓄積容量電極を更に備え、前記共通配線及び前記付加蓄積容量電極は、絶縁層を介
して前記画素電極又は前記蓄積容量電極の少なくとも一
部を挟持するように積層されていることを特徴とする請
求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】アレイ基板と、前記アレイ基板に対向す
る対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に
挟持された液晶とを備え、前記アレイ基板は、互いに交差している複数本のゲート
配線及び複数本のソース配線と、隣接する２本の前記ゲ
ート配線及び隣接する２本の前記ソース配線により画定
された各領域内に配置された画素電極と、前記ゲート配
線から入力された信号電圧に基づいて前記ソース配線か
ら前記画素電極へ印加される電圧をスイッチングするス
イッチング素子と、隣接する２本の前記ゲート配線の間
に形成された共通配線と、前記共通配線に電気的に接続
され、電圧が印加された前記画素電極との間に前記液晶
を駆動する電界を生じさせる共通電極とを備え、前記画素電極及び前記共通電極は、いずれも絶縁層を介
して前記ゲート配線とは別の層に形成されており、前記
画素電極及び前記共通電極の端部が前記ゲート配線に重
なっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】前記共通電極は、絶縁層を介して前記ソ
ース配線と別の層に形成されており、少なくとも一部が
前記ソース配線と長手方向に沿って重なり合っているこ
とを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】前記画素電極及び前記共通電極は、絶縁
層を介して互いに別の層に形成されていることを特徴と
する請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】前記ゲート配線、前記画素電極及び前
記共通電極がこの順に積層されており、前記共通電極と
同一の層に該共通電極と同一の材料からなる遮光膜が形
成され、該遮光膜により前記スイッチング素子が覆われ
ていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装
置。
【請求項１１】前記スイッチング素子の少なくとも一
部が、前記ゲート配線上に形成されていることを特徴と
する請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】前記ゲート配線、前記画素電極及び前
記共通電極がこの順に積層されており、前記画素電極と
前記共通電極との間に形成される絶縁層は、０．５μm
以上の厚みを有する有機膜により形成されていることを
特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】前記画素電極及び／又は前記共通電極
は、透明電極材料により形成されていることを特徴とす
る請求項１，請求項５，又は請求項７のいずれかに記載
の液晶表示装置。
【請求項１４】前記蓄積容量電極は、前記ゲート配線
の信号入力側である一端側から他端側に向けて小さくな
るように形成されていることを特徴とする請求項１又は
請求項５に記載の液晶表示装置。