JP2002185547A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- H03C—MODULATION
- H03C3/00—Angle modulation
- H03C3/38—Angle modulation by converting amplitude modulation to angle modulation
- H03C3/40—Angle modulation by converting amplitude modulation to angle modulation using two signal paths the outputs of which have a predetermined phase difference and at least one output being amplitude-modulated
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- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
アリーク特性が劣化しない直交変調器を提供する。 【解決手段】直交変調器10と、直交変調器10の出力
信号が入力されるAGC部6とを備えた半導体集積回路
装置には、直交変調器10を構成する位相シフタ回路1
3の利得を調整する利得調整回路11が備えられる。利
得調整回路11により位相シフタ回路13の利得が調整
されて直交変調器10の利得が調整され、直交変調器1
0の出力信号がAGC回路に入力される。
Description
(AGC回路)を備えた直交変調器に関するものであ
る。
低消費電力化及び通話品質の向上が急務となっている。
そこで、移動体通信機器の送信部に用いられる直交変調
器の特性を向上させる必要がある。
器の従来例を示す。直交変調器1は、位相シフタ回路2
と、変調用ミキサ回路3,4と、加算器5とで構成され
る。
相補入力信号LOinが入力される。そして、位相シフタ
回路2は入力信号LOinに基づいて、位相を90度ずつ
シフトさせたキャリア信号を生成する。
フタ回路2から出力されるキャリア信号のうち、180
度位相がずれた信号がそれぞれ入力されるとともに、ベ
ースバンド信号Q,XQと、同I,XIがそれぞれ入力
される。
号とベースバンド信号Q,XQを掛け合わせた変調信号
を加算器5に出力し、変調用ミキサ回路4はキャリア信
号とベースバンド信号I,XIを掛け合わせた変調信号
を加算器5に出力する。
出力される変調信号を加算して、出力信号RFoutをA
GC部6に出力する。AGC部6は、AGC回路7と、
CNT回路8とで構成され、変調用ミキサ回路3,4の
出力信号RFoutはAGC回路7に入力される。
れ、CNT回路8はその制御信号Vcntに基づいて利得
制御信号Vagcを生成してAGC回路7に出力する。図
12に示すように、位相シフタ回路2の利得G1は一定
であり、AGC回路7の利得G2は利得制御信号Vagc
に基づいて変化する。そして、直交変調器1とAGC部
6との総合利得G3は、制御信号Vcntに基づいてAG
C部6の利得G2と同じ傾きで変化する。
信号OUTの出力レベルPoutは、図11に示すよう
に、制御信号VcntをVcnt1からVcnt2まで変化させる
ことにより、最大値Pmaxから最小値Pminまでの範囲で
調整可能となっている。
た直交変調器1及びAGC部6では、位相シフタ回路2
の出力周波数成分がキャリアリークとして常に出力信号
OUTに含まれている。
は、AGC回路7の利得の減少にともなって、出力信号
Poutとともに減衰するが、出力信号Poutが最小値Pmi
nに近づくにつれて、その減衰幅は出力信号Poutより小
さくなる。
るときにおける出力信号PoutとキャリアリークCLと
のレベル差ΔCLaに比して、出力信号Poutが最小値
Pminとなるときにおける出力信号Poutとキャリアリー
クCLとのレベル差ΔCLbが小さくなる。これは、位
相シフタ回路2からキャリアリーク成分として出力され
る出力周波数成分が一定レベルで出力されているからで
ある。
utを最小値Pmin近傍まで減衰させると、キャリアリー
ク特性が劣化するという問題点がある。この発明の目的
は、出力信号レベルを減衰させた場合にも、キャリアリ
ーク特性が劣化しない直交変調器を提供することにあ
る。
明図である。すなわち、直交変調器10と、前記直交変
調器10の出力信号が入力されるAGC部6とを備えた
半導体集積回路装置には、前記直交変調器10を構成す
る位相シフタ回路13の利得を調整する利得調整回路1
1が備えられる。利得調整回路11により位相シフタ回
路13の利得が調整されて直交変調器10の利得が調整
され、その直交変調器10の出力信号がAGC回路に入
力される。
は、前記AGC部の出力信号レベルの減衰にともなって
前記位相シフタ回路の利得を減衰させる。利得調整回路
の動作により、AGC部の出力信号レベルが減衰すると
き、位相シフタ回路の利得が減衰する。
は、前記AGC部の利得を調整する制御信号に基づい
て、前記位相シフタ回路の利得を調整する利得制御信号
を該位相シフタ回路に出力する。AGC部に入力される
制御信号で、AGC回路の利得が調整されるとき、位相
シフタ回路に利得制御信号が入力されて、位相シフタ回
路の利得が調整される。
路は、利得の異なる複数の回路を並列に設け、前記利得
制御信号に基づいて前記AGC部の出力信号レベルの減
衰にともなって利得の低い位相シフタ回路を選択して動
作させる。AGC部の利得が減衰するとき、利得の異な
る複数の位相シフタ回路の中から、利得の低い位相シフ
タ回路が選択されて動作する。
路は、振幅可変型位相シフタ回路と、固定利得の位相シ
フタ回路とを並列に設け、前記制御信号及び利得制御信
号に基づいて前記AGC部の出力信号レベルの減衰にと
もなって利得が低下する前記振幅可変型位相シフタ回路
を選択して動作させる。AGC部の利得が減衰すると
き、振幅可変型位相シフタ回路が選択されて動作し、そ
の振幅可変型位相シフタ回路はAGC部の出力信号レベ
ルの減衰にともなって利得が低下する。
フタ回路は、前記制御信号をA/D変換した信号で選択
した。AGC部の利得を調整する制御信号がA/D変換
され、その変換後の信号で位相シフタ回路が選択され
る。
の発明を具体化した第一の実施の形態を示す。この実施
の形態は、直交変調器10を構成する位相シフタ回路1
3の出力振幅を第一のCNT回路11で制御し、前述し
た従来例と同様なAGC回路7の利得を第二のCNT回
路12で制御するように構成したものであり、その他の
構成は前記従来例と同様である。
は、制御信号Vcntが入力され、第一のCNT回路11
は制御信号Vcntの入力に基づいて位相シフタ回路13
の利得を制御する利得制御信号Vshiftを生成して、同
位相シフタ回路13に出力する。
の入力に基づいてAGC回路7の利得を制御する利得制
御信号Vagcを同AGC回路7に出力する。位相シフタ
回路13の具体的構成を図3に従って説明する。同図に
示すように、位相シフタ回路13はマスター段のラッチ
回路と、スレーブ段のラッチ回路とからフリップフロッ
プ回路が構成され、各ラッチ回路は、電流源回路14を
介してグランドGNDに接続されている。
が入力され、その利得制御信号Vshiftに基づいて電流
源回路14の出力電流を制御することにより、位相シフ
タ回路13の出力信号iout,xiout,qout,xqoutの出力
振幅を制御可能となっている。
は、図4に示すように、制御信号Vcntに基づいて位相
シフタ回路13の利得G1aが制御される。また、AG
C部6では、制御信号Vcntに基づいて、AGC回路7
の利得G2aが制御される。
は、利得G1a,G2aを合算したものとなり、前記従
来例の総合利得G3と同様に設定されている。上記のよ
うに構成された直交変調器10及びAGC部6では、次
に示す作用効果を得ることができる。 (1)制御信号Vcntに基づいて、AGC部6から出力
される出力信号OUTの出力レベルPoutを調整すると
き、AGC回路7の利得G2aとともに位相シフタ回路
13の利得G1aを調整することができる。 (2)出力信号OUTの出力レベルPoutを減衰させる
とき、AGC回路7の利得G2aとともに位相シフタ回
路13の利得G1aも減衰させることができる。従っ
て、図5に示すように、出力信号OUTの出力レベルP
outを最小値Pmin近傍まで減衰させたとき、キャリアリ
ークCLの出力レベルも減衰するため、出力信号Pout
とキャリアリークCLとのレベル差ΔCLが小さくなる
ことはない。 (3)出力信号OUTの出力レベルPoutを減衰させて
も、出力信号PoutとキャリアリークCLとのレベル差
ΔCLが小さくなることはないので、キャリアリーク特
性を向上させることができる。 (第二の実施の形態)図6は、第二の実施の形態の直交
変調器19及びAGC部20を示す。この実施の形態
は、入力信号LOinが第一及び第二の位相シフタ回路1
5a,15bに入力される。前記第一及び第二の位相シ
フタ回路15a,15bは、それぞれ一定の利得で動作
し、第一の位相シフタ回路15aの利得は、第二の位相
シフタ回路15bの利得より小さく設定されている。
力される。前記A/D変換器16は、例えば前記制御信
号Vcntが図7に示すあらかじめ設定された所定値A以
下であれば、Lレベルの信号を前記第一及び第二の位相
シフタ回路15a,15bに出力するとともに、制御信
号Vcntが前記所定値Aを越えると、Hレベルの信号を
第一及び第二の位相シフタ回路15a,15bに出力す
る。
レベルであれば、第一の位相シフタ回路15aが活性化
されて、その出力信号がQMOD回路17に出力され
る。また、A/D変換器16の出力信号がHレベルであ
ると、第二の位相シフタ回路15bが活性化されて、そ
の出力信号がQMOD回路17に出力される。
態の変調用ミキサ回路3,4及び加算器5に相当するも
のである。QMOD回路17の出力信号は、AGC回路
7に入力される。前記AGC回路7には第三及び第四の
CNT回路18a,18bから利得制御信号Vagc1,V
agc2が入力される。
には、前記制御信号Vcnt及び前記A/D変換器16の
出力信号が入力される。A/D変換器16の出力信号が
Lレベルであれば、第三のCNT回路18aが活性化さ
れ、利得制御信号Vagc1がAGC回路7に出力される。
また、A/D変換器16の出力信号がHレベルであれ
ば、第四のCNT回路18bが活性化され、利得制御信
号Vagc2がAGC回路7に出力される。
c1,Vagc2に基づいて異なる利得で動作するとともに、
利得制御信号Vagc1の方が高利得で動作し、その利得差
は、前記第一及び第二の位相シフタ回路15a,15b
の利得差と等しくなるように設定されている。
びAGC部20の動作を図7に従って説明する。制御信
号Vcntが所定値Aを越えている場合には、A/D変換
器16の出力信号に基づいて第二の位相シフタ回路15
bが活性化されて、利得G1bで動作し、その出力信号
がQMOD回路17に出力される。
れて、利得制御信号Vagc2がAGC回路7に入力され、
AGC回路7は利得G2bで動作する。そして、AGC
回路7から第二の位相シフタ回路15b及びAGC回路
7の利得G1b,G2bに基づく出力信号OUTが利得
G3bで出力される。
る場合には、A/D変換器16の出力信号に基づいて第
一の位相シフタ回路15aが活性化されて、利得G1c
で動作し、その出力信号がQMOD回路17に出力され
る。
れて、利得制御信号Vagc2がAGC回路7に入力され、
AGC回路7は利得G2cで動作する。そして、AGC
回路7から第一の位相シフタ回路15a及びAGC回路
7の利得G1c,G2cに基づく出力信号OUTが利得
G3bで出力される。
びAGC部20では、次に示す作用効果を得ることがで
きる。 (1)制御信号Vcntに基づいて、AGC部20から出
力される出力信号OUTの出力レベルを調整するとき、
制御信号Vcntが所定値Aを越えて、出力信号OUTの
出力レベルが高いとき、高い利得G1bで動作する第二
の位相シフタ回路15bと、低い利得G2bで動作する
第四のCNT回路18bとが動作して、出力信号OUT
が出力される。
って、出力信号OUTの出力レベルが低いとき、低い利
得G1cで動作する第一の位相シフタ回路15aと、高
い利得G2cで動作する第三のCNT回路18aとが動
作して、出力信号OUTが出力される。
いとき、低い利得G1cで動作する第一の位相シフタ回
路15aの利得を補うように第三のCNT回路18aを
動作させることができる。 (2)出力信号OUTの出力レベルを減衰させるとき、
第一の位相シフタ回路15aを選択して動作させて、位
相シフタ回路部分の利得を小さくすることができる。従
って、図5に示すように、出力信号OUTの出力レベル
Poutを最小値Pmin近傍まで減衰させたとき、キャリア
リークCLの出力レベルも減衰するため、出力信号Pou
tとキャリアリークCLとのレベル差ΔCLが小さくな
ることはない。 (3)出力信号OUTの出力レベルPoutを減衰させて
も、出力信号PoutとキャリアリークCLとのレベル差
ΔCLが小さくなることはないので、キャリアリーク特
性を向上させることができる。 (第三の実施の形態)図8は、第三の実施の形態の直交
変調器21及びAGC部22を示す。この実施の形態
は、入力信号LOinが利得を調整可能とした振幅可変型
位相シフタ回路23aと、利得を固定した位相シフタ回
路23bとに入力される。
様なA/D変換器16に入力される。前記A/D変換器
16は、制御信号Vcntが図9に示すあらかじめ設定さ
れた所定値A以下であれば、Lレベルの信号を前記位相
シフタ回路23a,23bに出力するとともに、制御信
号Vcntが前記所定値Aを越えると、Hレベルの信号を
位相シフタ回路23a,23bに出力する。
レベルであれば、振幅可変型シフタ回路23aが活性化
されて、その出力信号がQMOD回路17に出力され
る。また、A/D変換器16の出力信号がHレベルであ
ると、位相シフタ回路23bが活性化されて、その出力
信号がQMOD回路17に出力される。
態の変調用ミキサ回路3,4及び加算器5に相当するも
のである。QMOD回路17の出力信号は、AGC回路
7に入力される。このAGC回路7には第五及び第六の
CNT回路24a,24bから利得制御信号Vagc3,V
agc4が入力される。
には、制御信号Vcnt及びA/D変換器16の出力信号
が入力される。A/D変換器16の出力信号がLレベル
であれば、第五のCNT回路24aが活性化され、利得
制御信号Vagc3がAGC回路7及び振幅可変型位相シフ
タ回路23aに出力される。
ベルであれば、第六のCNT回路24bが活性化され、
利得制御信号Vagc4がAGC回路7に出力される。そし
て、図9に示すように、AGC回路7の利得G2d,G
2eは利得制御信号Vagc3,Vagc4に基づいて異なる傾
きで変化し、利得制御信号Vagc4に基づく利得G2eの
方が大きな傾きで動作する。
回路7の利得G2dの傾きと、前記振幅可変型位相シフ
タ回路23aの利得G1dの傾きの和は、利得制御信号
Vagc4に基づくAGC回路7の利得G2eの傾きと等し
くなるように設定されている。
びAGC部22の動作を図9に従って説明する。制御信
号Vcntが所定値Aを越えている場合には、A/D変換
器16の出力信号に基づいて位相シフタ回路23bが活
性化されて、固定利得G1eで動作し、その出力信号が
QMOD回路17に出力される。
れて、利得制御信号Vagc4がAGC回路7に入力され、
AGC回路7は利得G2eで動作する。そして、AGC
回路7から位相シフタ回路23bの利得G1e及びAG
C回路7の利得G2eに基づく出力信号OUTが利得G
3cで出力される。
る場合には、A/D変換器16の出力信号に基づいて振
幅可変型位相シフタ回路23aが活性化されて、利得G
1dで動作し、その出力信号がQMOD回路17に出力
される。
れて、利得制御信号Vagc3がAGC回路7に入力され、
AGC回路7は利得G2dで動作する。そして、AGC
回路7から振幅可変型位相シフタ回路23a及びAGC
回路7の利得G1d,G2dに基づく出力信号OUTが
利得G3cで出力される。
びAGC部20では、次に示す作用効果を得ることがで
きる。 (1)制御信号Vcntに基づいて、AGC部22から出
力される出力信号OUTの出力レベルを調整するとき、
制御信号Vcntが所定値Aを越えて、出力信号OUTの
出力レベルが高いとき、固定利得G1eで動作する位相
シフタ回路23bと、第六のCNT回路24bとが動作
して、出力信号OUTが出力される。
って、出力信号OUTの出力レベルが低いとき、振幅可
変型位相シフタ回路23aと、第五のCNT回路24a
とが動作して、出力信号OUTが出力される。
いとき、低い利得G1dで動作する振幅可変型位相シフ
タ回路15aの利得を補うように第五のCNT回路24
aを動作させることができる。 (2)出力信号OUTの出力レベルPoutを減衰させる
とき、振幅可変型位相シフタ回路23aを選択して動作
させて、位相シフタ回路部分の利得を小さくすることが
できる。従って、図5に示すように、出力信号OUTの
出力レベルPoutを最小値Pmin近傍まで減衰させたと
き、キャリアリークCLの出力レベルも減衰するため、
出力信号PoutとキャリアリークCLとのレベル差ΔC
Lが小さくなることはない。 (3)出力信号OUTの出力レベルPoutを減衰させて
も、出力信号PoutとキャリアリークCLとのレベル差
ΔCLが小さくなることはないので、キャリアリーク特
性を向上させることができる。
ることもできる。 ・第二の実施の形態では、二つの位相シフタ回路15
a,15bからいずれかを選択する構成としたが、それ
ぞれ利得の異なる3つ以上の位相シフト回路からいずれ
かを選択する構成としてもよい。 ・複数の位相シフタ回路からいずれかを選択する構成に
代えて、振幅可変型位相シフタ回路で利得を調整する構
成としてもよい。
号レベルを減衰させた場合にも、キャリアリーク特性が
劣化しない直交変調器を提供することができる。
示す説明図である。
を示す説明図である。
示す説明図である。
示す説明図である。
の減衰特性を示す説明図である。
図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 直交変調器と、 前記直交変調器の出力信号が入力されるAGC部とを備
えた半導体集積回路装置において、 前記直交変調器を構成する位相シフタ回路の利得を調整
する利得調整回路を備えたことを特徴とする半導体集積
回路装置。 - 【請求項2】 前記利得調整回路は、前記AGC部の出
力信号レベルの減衰にともなって前記位相シフタ回路の
利得を減衰させることを特徴とする請求項1記載の半導
体集積回路装置。 - 【請求項3】 前記利得調整回路は、前記AGC部の利
得を調整する制御信号に基づいて、前記位相シフタ回路
の利得を調整する利得制御信号を該位相シフタ回路に出
力することを特徴とする請求項1乃至2のいずれかに記
載の半導体集積回路装置。 - 【請求項4】 前記位相シフタ回路は、利得の異なる複
数の回路を並列に設け、前記利得制御信号に基づいて前
記AGC部の出力信号レベルの減衰にともなって利得の
低い位相シフタ回路を選択して動作させることを特徴と
する請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体集積回路
装置。 - 【請求項5】 前記位相シフタ回路は、振幅可変型位相
シフタ回路と、固定利得の位相シフタ回路とを並列に設
け、前記制御信号及び利得制御信号に基づいて前記AG
C部の出力信号レベルの減衰にともなって利得が低下す
る前記振幅可変型シフタ回路を選択して動作させること
を特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体
集積回路装置。 - 【請求項6】 前記複数の位相シフタ回路は、前記制御
信号をA/D変換した信号で選択したことを特徴とする
請求項4乃至5のいずれかに記載の半導体集積回路装
置。
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