JP2002184427A5 - - Google Patents
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実施例５
実施例１で調製したヘキシル基を含まないボロシロキサン電解質生成物に、１０重量％のスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）をブレンドした電解質を次の方法で調製した。
ＳＩＳ ０．０３６ｇをトルエン溶媒(１ｍｌ)中に均一な溶液になるまで溶かした。すり鉢上でかき混ぜながらボロシロキサン電解質０．３２４ｇにＳＩＳのトルエン溶液を加えた。フラスコに移し室温で２４時間減圧乾燥させるとゴム状で硬い固体ブレンド電解質が得られた。
ボロシロキサン電解質とＳＩＳとのブレンド系のプロトン導電率を図８に示す。高湿度条件下でかなり高いプロトン導電率を示すことがわかる。
また、詳細は示さないが、ＳＩＳの代わりにポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ナフィオン（登録商標）またはフッ化ビニリデン等の高分子を用いて同様の操作を繰り返すことにより、これらとボロシロキサン電解質とのブレンド系電解質を得た。これらは同様に優れたプロトン導電率を示した。
実施例１で調製したヘキシル基を含まないボロシロキサン電解質生成物に、１０重量％のスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）をブレンドした電解質を次の方法で調製した。
ＳＩＳ ０．０３６ｇをトルエン溶媒(１ｍｌ)中に均一な溶液になるまで溶かした。すり鉢上でかき混ぜながらボロシロキサン電解質０．３２４ｇにＳＩＳのトルエン溶液を加えた。フラスコに移し室温で２４時間減圧乾燥させるとゴム状で硬い固体ブレンド電解質が得られた。
ボロシロキサン電解質とＳＩＳとのブレンド系のプロトン導電率を図８に示す。高湿度条件下でかなり高いプロトン導電率を示すことがわかる。
また、詳細は示さないが、ＳＩＳの代わりにポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ナフィオン（登録商標）またはフッ化ビニリデン等の高分子を用いて同様の操作を繰り返すことにより、これらとボロシロキサン電解質とのブレンド系電解質を得た。これらは同様に優れたプロトン導電率を示した。
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