JP2002178174A - バットマーキング方法およびバットマーキング装置 - Google Patents
バットマーキング方法およびバットマーキング装置Info
- Publication number
- JP2002178174A JP2002178174A JP2000377707A JP2000377707A JP2002178174A JP 2002178174 A JP2002178174 A JP 2002178174A JP 2000377707 A JP2000377707 A JP 2000377707A JP 2000377707 A JP2000377707 A JP 2000377707A JP 2002178174 A JP2002178174 A JP 2002178174A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bat
- sheet
- marking
- device sheet
- small hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板から分離された後のデバイスシート上の
不良ヘッドチップに対して、保護レジスト層を塗布する
ことなく、レーザ光によるバットマーキングを良好に行
なう。 【解決手段】 デバイスシート９を載置してこれを水平
面内の所定位置に移動させて位置決めするＸ−Ｙテーブ
ル１と、Ｘ−Ｙテーブル１に載置されたデバイスシート
９上に焦点を結ぶようにレーザ光Ｌを照射する位置固定
のレーザ光照射装置の対物レンズ２と、デバイスシート
９の表面に接してこれを覆うとともに、照射されたレー
ザ光Ｌのスポットよりもやや大きい小孔４１を形成して
当該小孔４１を通してレーザ光Ｌをデバイスシート９に
入射させるマスク膜４とを有している。
不良ヘッドチップに対して、保護レジスト層を塗布する
ことなく、レーザ光によるバットマーキングを良好に行
なう。 【解決手段】 デバイスシート９を載置してこれを水平
面内の所定位置に移動させて位置決めするＸ−Ｙテーブ
ル１と、Ｘ−Ｙテーブル１に載置されたデバイスシート
９上に焦点を結ぶようにレーザ光Ｌを照射する位置固定
のレーザ光照射装置の対物レンズ２と、デバイスシート
９の表面に接してこれを覆うとともに、照射されたレー
ザ光Ｌのスポットよりもやや大きい小孔４１を形成して
当該小孔４１を通してレーザ光Ｌをデバイスシート９に
入射させるマスク膜４とを有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はデバイスシートに作
り込まれた薄膜磁気ヘッドのヘッドチップの不良品にバ
ット（不良）マーキングする方法および装置に関する。
り込まれた薄膜磁気ヘッドのヘッドチップの不良品にバ
ット（不良）マーキングする方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドを製造する場合には、図
５に示すようなＡｌＴｉＣ等の略円形セラミック基板８
上にスパッタ装置やメッキ装置を使ってアルミナ等の絶
縁膜とＣｕ等の金属膜を、適宜エッチングしつつ交互に
積層して、多数のヘッドチップを平面内に作り込み、４
０μｍ厚程度のデバイス層とする。このデバイス層は、
レーザ光による全切溝８１によって適当な大きさ（例え
ば２６ｍｍ×２６ｍｍ）に切断されてデバイスシート９
とされる。各デバイスシート９内には、レーザ光による
全切溝８２と半切溝８３によって、短冊状に連なる多数
のヘッドチップＨＰが区画形成され、各デバイスシート
９は、セラミック基板８をエッチング液中に浸して、Ｃ
ｕ等からなる分離層を溶解除去することによって上記基
板８から分離される。
５に示すようなＡｌＴｉＣ等の略円形セラミック基板８
上にスパッタ装置やメッキ装置を使ってアルミナ等の絶
縁膜とＣｕ等の金属膜を、適宜エッチングしつつ交互に
積層して、多数のヘッドチップを平面内に作り込み、４
０μｍ厚程度のデバイス層とする。このデバイス層は、
レーザ光による全切溝８１によって適当な大きさ（例え
ば２６ｍｍ×２６ｍｍ）に切断されてデバイスシート９
とされる。各デバイスシート９内には、レーザ光による
全切溝８２と半切溝８３によって、短冊状に連なる多数
のヘッドチップＨＰが区画形成され、各デバイスシート
９は、セラミック基板８をエッチング液中に浸して、Ｃ
ｕ等からなる分離層を溶解除去することによって上記基
板８から分離される。
【０００３】ところで、レーザ光によるデバイスシート
９への切断や、各デバイスシート９内での短冊状のヘッ
ドチップＨＰへの切断の際にクラックを生じる等によっ
て、ヘッドチップＨＰの一部が不良になることがあり、
この場合には当該ヘッドチップＨＰ上にレーザ光によっ
てバットマーキングを施して後工程で不良のヘッドチッ
プＨＰを排除するようにしている。
９への切断や、各デバイスシート９内での短冊状のヘッ
ドチップＨＰへの切断の際にクラックを生じる等によっ
て、ヘッドチップＨＰの一部が不良になることがあり、
この場合には当該ヘッドチップＨＰ上にレーザ光によっ
てバットマーキングを施して後工程で不良のヘッドチッ
プＨＰを排除するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このバットマーキング
はデバイスシート９が未だセラミック基板８から分離さ
れていない状態では、保護レジスト層でデバイス層全体
を覆うことによってレーザ光により生じるドロスが良品
ヘッドチップを汚染しないようにすることができる。こ
れに対して、デバイスシート９をセラミック基板８から
分離した後は、多数の全切溝８２が入った４０μｍ厚程
度の上記シート９に保護レジスト層を均一に塗布するこ
とは困難である。このため、分離後のデバイスシート９
への例えばイオンビームエッチング（ＩＢＥ）によるＡ
ｕ接合パッドの露出工程等で不良を生じても、当該ヘッ
ドチップＨＰにバットマーキングを施すことが難しいと
いう問題があった。
はデバイスシート９が未だセラミック基板８から分離さ
れていない状態では、保護レジスト層でデバイス層全体
を覆うことによってレーザ光により生じるドロスが良品
ヘッドチップを汚染しないようにすることができる。こ
れに対して、デバイスシート９をセラミック基板８から
分離した後は、多数の全切溝８２が入った４０μｍ厚程
度の上記シート９に保護レジスト層を均一に塗布するこ
とは困難である。このため、分離後のデバイスシート９
への例えばイオンビームエッチング（ＩＢＥ）によるＡ
ｕ接合パッドの露出工程等で不良を生じても、当該ヘッ
ドチップＨＰにバットマーキングを施すことが難しいと
いう問題があった。
【０００５】レーザ光によるバットマーキングに代えて
例えばインクジェットによるバットマーキングも考えら
れるが、これによると後工程のダイサーによるヘッドチ
ップ分離等の際にクーラント液の吹き付けによって上記
マーキングが消えるおそれがある。
例えばインクジェットによるバットマーキングも考えら
れるが、これによると後工程のダイサーによるヘッドチ
ップ分離等の際にクーラント液の吹き付けによって上記
マーキングが消えるおそれがある。
【０００６】そこで、本発明はこのような課題を解決す
るもので、基板から分離された後のデバイスシート上の
不良ヘッドチップに対して、保護レジスト層を塗布する
ことなく、レーザ光によるバットマーキングを良好に行
なうことができるバットマーキング方法およびバットマ
ーキング装置を提供することを目的とする。
るもので、基板から分離された後のデバイスシート上の
不良ヘッドチップに対して、保護レジスト層を塗布する
ことなく、レーザ光によるバットマーキングを良好に行
なうことができるバットマーキング方法およびバットマ
ーキング装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本第１発明のバットマーキング方法は、小孔（４
１）を形成したマスク体（４）を、小孔（４１）がデバ
イスシート（９）内に作り込まれた所定のヘッドチップ
（ＨＰ）上に位置するように、デバイスシート（９）の
表面に接して位置させ、この状態でレーザ光照射手段
（２）によって小孔（４１）を通してヘッドチップ（Ｈ
Ｐ）にレーザ光（Ｌ）を入射させる。ここで上記「マス
ク体」には変形可能な膜状のものも含む。本第１発明に
おいて、不良ヘッドチップ上にマスク体の小孔を位置さ
せてここにレーザ光照射を行なうようにすれば、レーザ
光照射によって生じたドロスはマスク体上へ流出し、良
品ヘッドチップに付着してこれらを汚染することはな
い。このようにすれば、多数の全切溝が形成された薄膜
デバイスシートに、従来のような保護レジスト層を塗布
することなく、レーザ光によるバットマーキングを良好
に行なうことができる。
に、本第１発明のバットマーキング方法は、小孔（４
１）を形成したマスク体（４）を、小孔（４１）がデバ
イスシート（９）内に作り込まれた所定のヘッドチップ
（ＨＰ）上に位置するように、デバイスシート（９）の
表面に接して位置させ、この状態でレーザ光照射手段
（２）によって小孔（４１）を通してヘッドチップ（Ｈ
Ｐ）にレーザ光（Ｌ）を入射させる。ここで上記「マス
ク体」には変形可能な膜状のものも含む。本第１発明に
おいて、不良ヘッドチップ上にマスク体の小孔を位置さ
せてここにレーザ光照射を行なうようにすれば、レーザ
光照射によって生じたドロスはマスク体上へ流出し、良
品ヘッドチップに付着してこれらを汚染することはな
い。このようにすれば、多数の全切溝が形成された薄膜
デバイスシートに、従来のような保護レジスト層を塗布
することなく、レーザ光によるバットマーキングを良好
に行なうことができる。
【０００８】本第２発明のバットマーキング装置は、デ
バイスシート（９）を載置してこれを水平面内の所定位
置に移動させて位置決めするＸ−Ｙテーブル（１）と、
Ｘ−Ｙテーブル（１）に載置されたデバイスシート
（９）上に焦点を結ぶようにレーザ光（Ｌ）を照射する
レーザ光照射手段（２）と、デバイスシート（９）の表
面に接してこれを覆うとともに、照射されたレーザ光
（Ｌ）のスポットよりもやや大きい小孔（４１）を形成
して当該小孔（４１）を通してレーザ光（Ｌ）をデバイ
スシート（９）に入射させるマスク体（４）とを具備し
ている。
バイスシート（９）を載置してこれを水平面内の所定位
置に移動させて位置決めするＸ−Ｙテーブル（１）と、
Ｘ−Ｙテーブル（１）に載置されたデバイスシート
（９）上に焦点を結ぶようにレーザ光（Ｌ）を照射する
レーザ光照射手段（２）と、デバイスシート（９）の表
面に接してこれを覆うとともに、照射されたレーザ光
（Ｌ）のスポットよりもやや大きい小孔（４１）を形成
して当該小孔（４１）を通してレーザ光（Ｌ）をデバイ
スシート（９）に入射させるマスク体（４）とを具備し
ている。
【０００９】本第２発明においては、上記第１発明の作
用効果に加えて、Ｘ−Ｙテーブルによってデバイスシー
ト上の不良のヘッドチップを小孔の直下に移動位置決め
し、さらに当該ヘッドチップ上に所定形状のバットマー
クが描かれるようにレーザ光に対してヘッドチップを相
対的に微小移動させることを容易に行なうことができ
る。
用効果に加えて、Ｘ−Ｙテーブルによってデバイスシー
ト上の不良のヘッドチップを小孔の直下に移動位置決め
し、さらに当該ヘッドチップ上に所定形状のバットマー
クが描かれるようにレーザ光に対してヘッドチップを相
対的に微小移動させることを容易に行なうことができ
る。
【００１０】本第３発明では、本第２発明のバットマー
キング装置において、上記マスク体（４）の小孔（４
１）形成部の表面に沿ってレーザドロス除去用の気体を
流通させる送気手段（５１，５２，６２，６３）をさら
に設ける。本第３発明によれば、レーザ照射時に小孔か
らマスク体上に流出するレーザドロスは、送気手段によ
り流通させられる気体によって速やかに除去されるか
ら、デバイスシート側へ再び浸入することが防止され
る。
キング装置において、上記マスク体（４）の小孔（４
１）形成部の表面に沿ってレーザドロス除去用の気体を
流通させる送気手段（５１，５２，６２，６３）をさら
に設ける。本第３発明によれば、レーザ照射時に小孔か
らマスク体上に流出するレーザドロスは、送気手段によ
り流通させられる気体によって速やかに除去されるか
ら、デバイスシート側へ再び浸入することが防止され
る。
【００１１】本第４発明では、本第３発明のバットマー
キング装置において、少なくともマスク体（４）の上方
空間を閉鎖する閉鎖室（６）をさらに設ける。本第３発
明においては、小孔からマスク体上に流出したレーザド
ロスが外気中に飛散することが確実に防止される。
キング装置において、少なくともマスク体（４）の上方
空間を閉鎖する閉鎖室（６）をさらに設ける。本第３発
明においては、小孔からマスク体上に流出したレーザド
ロスが外気中に飛散することが確実に防止される。
【００１２】なお、上記カッコ内の符号は、後述する実
施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであ
る。
施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１には本発明
方法を実施するバットマーキング装置の斜視図を示し、
図２にはその断面図を示す。図２において、セラミック
基板８（図５参照）から分離されたデバイスシート９は
Ｘ軸移動テーブル１１とＹ軸移動テーブル１２から構成
される公知のＸ−Ｙテーブル１上に載置されている。一
方、Ｘ−Ｙテーブル１上に載置されたデバイスシート９
に対向する上方にはレーザ光照射装置の対物レンズ２が
位置して、直下のデバイスシート９に焦点を合わせてレ
ーザ光Ｌを出力するようになっている。
方法を実施するバットマーキング装置の斜視図を示し、
図２にはその断面図を示す。図２において、セラミック
基板８（図５参照）から分離されたデバイスシート９は
Ｘ軸移動テーブル１１とＹ軸移動テーブル１２から構成
される公知のＸ−Ｙテーブル１上に載置されている。一
方、Ｘ−Ｙテーブル１上に載置されたデバイスシート９
に対向する上方にはレーザ光照射装置の対物レンズ２が
位置して、直下のデバイスシート９に焦点を合わせてレ
ーザ光Ｌを出力するようになっている。
【００１４】Ｘ−Ｙテーブル１の周りを矩形に囲んで支
持壁３が設けられ、支持壁３の上方開口を閉鎖するよう
にマスク膜４が覆着されている。このマスク膜４は例え
ば金属箔にテフロン（登録商標）コーティングを施した
もので、耐熱性を有するとともに薄くて強度があり、か
つ表面が滑りやすいものであることが好ましい。マスク
膜４はその中心部で上記支持壁３よりも高い位置にある
デバイスシート９に対してこれを四方から押さえるよう
に接している。
持壁３が設けられ、支持壁３の上方開口を閉鎖するよう
にマスク膜４が覆着されている。このマスク膜４は例え
ば金属箔にテフロン（登録商標）コーティングを施した
もので、耐熱性を有するとともに薄くて強度があり、か
つ表面が滑りやすいものであることが好ましい。マスク
膜４はその中心部で上記支持壁３よりも高い位置にある
デバイスシート９に対してこれを四方から押さえるよう
に接している。
【００１５】上記マスク膜４にはその中心に小孔４１が
形成されて、この小孔４１内に露出するデバイスシート
９部にレーザ光照射装置から出力されたレーザ光Ｌが焦
点を結ぶようになっており、小孔４１の大きさは、焦点
を結んだレーザ光スポットよりもやや大きい程度として
ある。なお、レーザ光スポットはデバイスシート９上の
各ヘッドチップＨＰ（図５）の大きさに対して十分小さ
い。一方、上記Ｘ−Ｙテーブル１は図略の制御装置によ
り駆動されて、検査により不良と判定されたデバイスシ
ート９上の所定のヘッドチップＨＰを、上記小孔４１の
直下に移動位置決めするとともに、当該ヘッドチップＨ
Ｐ上に所定形状のバットマークが描かれるようにレーザ
光スポットに対してデバイスシート９（すなわちヘッド
チップＨＰ）を相対的に微小移動させる。ブローノズル
５１が設けられて、マスク膜４の上記小孔４１部に向け
てＮ2ガスを吹き付け（各図中、白矢印）、吹き付けら
れたＮ2ガスはブローノズル５１の反対位置に置かれた
排気管５２へ吸引される。
形成されて、この小孔４１内に露出するデバイスシート
９部にレーザ光照射装置から出力されたレーザ光Ｌが焦
点を結ぶようになっており、小孔４１の大きさは、焦点
を結んだレーザ光スポットよりもやや大きい程度として
ある。なお、レーザ光スポットはデバイスシート９上の
各ヘッドチップＨＰ（図５）の大きさに対して十分小さ
い。一方、上記Ｘ−Ｙテーブル１は図略の制御装置によ
り駆動されて、検査により不良と判定されたデバイスシ
ート９上の所定のヘッドチップＨＰを、上記小孔４１の
直下に移動位置決めするとともに、当該ヘッドチップＨ
Ｐ上に所定形状のバットマークが描かれるようにレーザ
光スポットに対してデバイスシート９（すなわちヘッド
チップＨＰ）を相対的に微小移動させる。ブローノズル
５１が設けられて、マスク膜４の上記小孔４１部に向け
てＮ2ガスを吹き付け（各図中、白矢印）、吹き付けら
れたＮ2ガスはブローノズル５１の反対位置に置かれた
排気管５２へ吸引される。
【００１６】バットマーキングのためのレーザ光照射に
よって生じるドロスは、不良ヘッドチップ以外はマスク
膜４で覆われているから、良品ヘッドチップに付着して
これらを汚染することはなく、その全てがマスク膜４上
へ流出して、Ｎ2ガスによって排気管５２方向へ吹き飛
ばされて除去される。このようにして、順次、Ｘ−Ｙテ
ーブルによって不良ヘッドチップをマスク膜４の小孔４
１直下へ移動させ、小孔４１を通してレーザ光によって
バットマーキングすることによって、従来のように保護
レジスト層を形成することなく、薄膜デバイスシート９
上の不良ヘッドチップに効率的にバットマーキングを施
すことができる。
よって生じるドロスは、不良ヘッドチップ以外はマスク
膜４で覆われているから、良品ヘッドチップに付着して
これらを汚染することはなく、その全てがマスク膜４上
へ流出して、Ｎ2ガスによって排気管５２方向へ吹き飛
ばされて除去される。このようにして、順次、Ｘ−Ｙテ
ーブルによって不良ヘッドチップをマスク膜４の小孔４
１直下へ移動させ、小孔４１を通してレーザ光によって
バットマーキングすることによって、従来のように保護
レジスト層を形成することなく、薄膜デバイスシート９
上の不良ヘッドチップに効率的にバットマーキングを施
すことができる。
【００１７】（第２実施形態）図３に本発明の他の実施
形態におけるバットマーキング装置の斜視図を、図４に
その断面図を示す。本実施形態においては、Ｘ−Ｙテー
ブル１を囲む支持壁３上に方形の閉鎖室６が設けられ、
閉鎖室６の頂壁６４には中心部に、透明ガラスを装着し
た円形の透光窓６１が形成されて、レーザ光照射装置の
対物レンズ２から出力されるレーザ光Ｌが上記透過窓６
１を通過して、閉鎖室６内のＸ−Ｙテーブル１上に載置
されたデバイスシート９上に焦点を結んでいる。閉鎖室
６の一方の側壁６５にはＮ２ガスの給気ダクト６２が接
続されるとともに、側壁６５と反対側に位置する側壁６
６には排気ダクト６３が接続されている。デバイスシー
ト９にはレーザ光スポットが位置する小孔４１を形成し
たマスク膜４が密接しており、その構成は上記第１実施
形態と同様である。
形態におけるバットマーキング装置の斜視図を、図４に
その断面図を示す。本実施形態においては、Ｘ−Ｙテー
ブル１を囲む支持壁３上に方形の閉鎖室６が設けられ、
閉鎖室６の頂壁６４には中心部に、透明ガラスを装着し
た円形の透光窓６１が形成されて、レーザ光照射装置の
対物レンズ２から出力されるレーザ光Ｌが上記透過窓６
１を通過して、閉鎖室６内のＸ−Ｙテーブル１上に載置
されたデバイスシート９上に焦点を結んでいる。閉鎖室
６の一方の側壁６５にはＮ２ガスの給気ダクト６２が接
続されるとともに、側壁６５と反対側に位置する側壁６
６には排気ダクト６３が接続されている。デバイスシー
ト９にはレーザ光スポットが位置する小孔４１を形成し
たマスク膜４が密接しており、その構成は上記第１実施
形態と同様である。
【００１８】本実施形態によれば、不良ヘッドチップを
マスク膜４の小孔４１直下へ移動させて、小孔４１を通
してレーザ光によりバットマーキングすることによっ
て、薄膜デバイスシート９上の不良ヘッドチップに効率
的にバットマーキングを施すことができるという第１実
施形態の効果に加えて、供給ダクト６２から閉鎖室６内
へＮ2ガスが送給されて（各図の白矢印）、レーザ光照
射によって生じたドロスは外気中へ飛散することなくそ
の全てが排気ダクト６３へ向けて吹き飛ばされて除去さ
れる。したがって、バットマーキング装置や周辺装置が
汚染されることがない。そしてこの場合、Ｎ2ガスも拡
散することなく閉鎖室６内で有効に使用される。
マスク膜４の小孔４１直下へ移動させて、小孔４１を通
してレーザ光によりバットマーキングすることによっ
て、薄膜デバイスシート９上の不良ヘッドチップに効率
的にバットマーキングを施すことができるという第１実
施形態の効果に加えて、供給ダクト６２から閉鎖室６内
へＮ2ガスが送給されて（各図の白矢印）、レーザ光照
射によって生じたドロスは外気中へ飛散することなくそ
の全てが排気ダクト６３へ向けて吹き飛ばされて除去さ
れる。したがって、バットマーキング装置や周辺装置が
汚染されることがない。そしてこの場合、Ｎ2ガスも拡
散することなく閉鎖室６内で有効に使用される。
【００１９】本発明のバットマーキング装置は既述のよ
うにセラミック基板８から分離されたデバイスシート９
に使用して特に効果があるが、セラミック基板８から分
離される前のデバイスシート９に対しても使用すること
ができ、この場合には、保護レジスト層の塗布が不要に
なるという効果がある。なお、デバイスシート９に密接
するように正確に調整できる場合には、変形可能なマス
ク膜に代えて、剛性のあるマスク体を使用することもで
きる。また、閉鎖室６は支持壁３を含めた全体を覆うも
のとしても良い。
うにセラミック基板８から分離されたデバイスシート９
に使用して特に効果があるが、セラミック基板８から分
離される前のデバイスシート９に対しても使用すること
ができ、この場合には、保護レジスト層の塗布が不要に
なるという効果がある。なお、デバイスシート９に密接
するように正確に調整できる場合には、変形可能なマス
ク膜に代えて、剛性のあるマスク体を使用することもで
きる。また、閉鎖室６は支持壁３を含めた全体を覆うも
のとしても良い。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明のバットマーキン
グ方法によれば、基板から分離した後のデバイスシート
上の不良ヘッドチップに対して、レーザ光によるバット
マーキングを良好に行なうことができる。
グ方法によれば、基板から分離した後のデバイスシート
上の不良ヘッドチップに対して、レーザ光によるバット
マーキングを良好に行なうことができる。
【図１】本発明の第1実施形態を示す斜視図である。
【図２】本発明の第1実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明の第1実施形態を示す斜視図である。
【図４】本発明の第1実施形態を示す断面図である。
【図５】セラミック基板の平面図である。
１…Ｘ−Ｙテーブル、２…レーザ光照射装置、３…支持
壁、４…マスク膜、４１…小孔、５１…ブローノズル、
５２…排気管、６…閉鎖室、６１…透明窓、６２…給気
ダクト、６３…排気ダクト、８…セラミック基板、９…
デバイスシート、ＨＰ…ヘッドチップ、Ｌ…レーザ光。
壁、４…マスク膜、４１…小孔、５１…ブローノズル、
５２…排気管、６…閉鎖室、６１…透明窓、６２…給気
ダクト、６３…排気ダクト、８…セラミック基板、９…
デバイスシート、ＨＰ…ヘッドチップ、Ｌ…レーザ光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河合 孝昭 愛知県名古屋市熱田区六野一丁目２番５号 大同特殊鋼株式会社高蔵製作所内 Ｆターム(参考） 4E068 AB01 CF04 CG01 CG05 DA12 5D033 DA01 DA21 DA31
Claims (4)
- 【請求項１】 小孔を形成したマスク体を、前記小孔が
デバイスシート内に作り込まれた所定のヘッドチップ上
に位置するように、デバイスシート表面に接して位置さ
せ、この状態でレーザ光照射手段によって前記小孔を通
して前記ヘッドチップにレーザ光を入射させることを特
徴とするバットマーキング方法。 - 【請求項２】 デバイスシートを載置してこれを水平面
内の所定位置に移動させて位置決めするＸ−Ｙテーブル
と、当該Ｘ−Ｙテーブルに載置されたデバイスシート上
に焦点を結ぶようにレーザ光を照射するレーザ光照射手
段と、前記デバイスシートの表面に接してこれを覆うと
ともに、照射されたレーザ光のスポットよりもやや大き
い小孔を形成して当該小孔を通してレーザ光を前記デバ
イスシートに入射させるマスク体とを具備するバットマ
ーキング装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載のバットマーキング装置
において、前記マスク体の小孔形成部の表面に沿ってレ
ーザドロス除去用の気体を流通させる送気手段をさらに
設けたことを特徴とするバットマーキング装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のバットマーキング装置
において、少なくともマスク体の上方空間を閉鎖する閉
鎖室をさらに設けたことを特徴とするバットマーキング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000377707A JP2002178174A (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | バットマーキング方法およびバットマーキング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000377707A JP2002178174A (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | バットマーキング方法およびバットマーキング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002178174A true JP2002178174A (ja) | 2002-06-25 |
Family
ID=18846385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000377707A Pending JP2002178174A (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | バットマーキング方法およびバットマーキング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002178174A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007181858A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Chrovit Japan:Kk | レーザーマーキングにおける防塵方法 |
| JP2010131806A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | アルチック基板の分割方法 |
| US8449806B2 (en) | 2002-09-05 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
| WO2017073561A1 (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置整流装置およびレーザ処理装置 |
| JP2020022978A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 株式会社トヨコー | レーザ照射装置、流体供給装置、及び、レーザ加工方法 |
-
2000
- 2000-12-12 JP JP2000377707A patent/JP2002178174A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8449806B2 (en) | 2002-09-05 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus |
| JP2007181858A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Chrovit Japan:Kk | レーザーマーキングにおける防塵方法 |
| JP2010131806A (ja) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | アルチック基板の分割方法 |
| WO2017073561A1 (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-04 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置整流装置およびレーザ処理装置 |
| JP2017080754A (ja) * | 2015-10-26 | 2017-05-18 | 株式会社日本製鋼所 | レーザ処理装置整流装置およびレーザ処理装置 |
| US11355364B2 (en) | 2015-10-26 | 2022-06-07 | Jsw Aktina System Co., Ltd. | Laser treatment device rectifier device and laser treatment device |
| JP2020022978A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 株式会社トヨコー | レーザ照射装置、流体供給装置、及び、レーザ加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI784121B (zh) | 加工方法、蝕刻裝置以及雷射加工裝置 | |
| JP2008098228A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| US6864458B2 (en) | Iced film substrate cleaning | |
| JP7150401B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| JP2006121059A5 (ja) | ||
| JP2007157659A (ja) | 有機ｅｌ素子の配線パターンの形成方法及び有機ｅｌ素子の形成装置 | |
| JP6422693B2 (ja) | レーザー加工装置 | |
| US8703410B2 (en) | Substrate having a mark formed on a surface thereof by a CO2 laser beam | |
| JP2002178174A (ja) | バットマーキング方法およびバットマーキング装置 | |
| US6074571A (en) | Cut and blast defect to avoid chrome roll over annealing | |
| JP2003071585A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH08141765A (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP7179119B2 (ja) | 薄膜除去装置及び薄膜除去方法 | |
| JP3998974B2 (ja) | 回路基板のパターニング方法 | |
| JP2003230978A (ja) | 基板の加工方法 | |
| JP2009154188A (ja) | レーザー加工方法、レーザー加工治具、レーザー加工装置 | |
| JP5116382B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
| JP2003031466A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP2019192873A (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| CN111415863B (zh) | 晶片的加工方法 | |
| JP7193350B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP3816823B2 (ja) | レーザ薄膜除去装置 | |
| KR20230160722A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 및 레이저 조사 장치 | |
| JP2933594B1 (ja) | レーザ式マーキング装置 | |
| KR20080095420A (ko) | 레이저 충격파가 인가된 화학액을 이용한 기판 세정 장치및 방법 |