JP2002176235A - Connected material and its producing method and method for producing connection structure - Google Patents

Connected material and its producing method and method for producing connection structure

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JP2002176235A
JP2002176235A JP2000371110A JP2000371110A JP2002176235A JP 2002176235 A JP2002176235 A JP 2002176235A JP 2000371110 A JP2000371110 A JP 2000371110A JP 2000371110 A JP2000371110 A JP 2000371110A JP 2002176235 A JP2002176235 A JP 2002176235A
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plating layer
plating
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a connected material realizing interlayer connection with high integration density and productivity and extremely low connection resistance, its connection structure and its producing method. SOLUTION: A nickel plating 3 is applied entirely to one side of a copper foil 1 (main conductor layer), nickel patterned plating 2 is applied to the opposite side and a copper plating 5 (basic layer conductor layer) is formed on the surface of the nickel plating 3. Using the nickel plating 2 as a mask, the copper foil 1 is etched to obtain discrete protrusions 10 which are then used as a mask for etching the nickel plating 3. Subsequently, the nickel plating 2 is heated and bent to project upward thus obtaining a connecting material where the conductive path is substantially composed of a solid metal (e.g. the copper foil 1) at the connecting part. Furthermore, a connection structure is obtained by pressing a matter being connected against the connecting material.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、配線板における層
間の接続もしくは配線板と実装部品との接続を行うため
の接続材もしくは接続構造およびそれらの製造方法に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a connection member or a connection structure for connecting between layers in a wiring board or connecting a wiring board to a mounted component, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、配線板においては導体層と導
体層との間の電気的接続をとる層間接続構造が随所に形
成される。配線板にはまた、実装部品との間の接続構造
も適宜形成される。これらの接続構造を、高密度かつ高
生産性をもって実現する手法として、「新層間接続法に
よる高密度プリント配線板の開発」(回路実装学会誌Vo
l.11、No.2、pp106-112(1996)) に記載されたものが挙
げられる。そこには、銅スルーホールめっき法による層
間接続技術に代わる接続方法として、印刷技術により導
電ペーストを用いて導電性バンプを形成する技術が紹介
されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a wiring board, an interlayer connection structure for making electrical connection between conductor layers is formed at various places. Also, a connection structure between the wiring board and the mounted component is appropriately formed. As a method to realize these connection structures with high density and high productivity, "Development of high-density printed wiring board by new interlayer connection method" (Circuit Packaging Society of Japan Vo
l.11, No. 2, pp. 106-112 (1996)). Here, a technique of forming a conductive bump using a conductive paste by a printing technique is introduced as a connection method instead of an interlayer connection technique by a copper through-hole plating method.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の技術による接続構造には、次のような問題点が
あった。すなわちこの技術では、基本的に導電ペースト
を用いて接続構造を形成するので、導電経路をなすバン
プの導電率がさほど高くなく、接続抵抗が無視できなか
った。このため、接続の信頼性に不安があり、また、大
電流用途には使いにくかった。
However, the connection structure according to the above-mentioned prior art has the following problems. That is, in this technique, since the connection structure is basically formed using a conductive paste, the conductivity of the bumps forming the conductive path is not so high, and the connection resistance cannot be ignored. For this reason, there was concern about the reliability of the connection, and it was difficult to use for high current applications.

【0004】本発明は、前記した従来の技術による接続
構造が有する問題点を解決するためになされたものであ
る。すなわちその課題とするところは、集積密度や生産
性が高くかつ接続抵抗がきわめて低い層間接続等を実現
するための接続材、およびその接続構造、さらにはそれ
らの製造方法を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the conventional connection structure. That is, an object of the present invention is to provide a connection material for realizing interlayer connection and the like having a high integration density and a high productivity and a very low connection resistance, a connection structure thereof, and a method of manufacturing the connection material.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この課題の解決を目的と
してなされた本発明の接続材は、基層導体層と、基層導
体層の上に存在する主導体層と、主導体層の上にパター
ン状に存在するとともに主導体層とは材質が異なる第1
めっき層と、基層導体層と主導体層との間に位置すると
ともにそれらとも第1めっき層とも材質が異なる第2め
っき層とを有し、主導体層が第1めっき層をマスクとし
てエッチングされて離散的な凸状部をなしており、第1
めっき層は上に凸となるように湾曲しているものであ
る。
Means for Solving the Problems A connecting material according to the present invention made to solve this problem includes a base conductor layer, a main conductor layer existing on the base conductor layer, and a pattern formed on the main conductor layer. And a material different from that of the main conductor layer.
A plating layer, a second plating layer located between the base conductor layer and the main conductor layer and having a material different from that of the first plating layer, and the main conductor layer is etched using the first plating layer as a mask; To form a discrete convex portion.
The plating layer is curved so as to project upward.

【0006】本発明の接続材においては、主導体層がエ
ッチングされている箇所では第2めっき層もエッチング
されていることが望ましい。
[0006] In the connection material of the present invention, it is desirable that the second plating layer is also etched where the main conductor layer is etched.

【0007】本発明の接続材は、主導体層の一面にパタ
ーン状に主導体層とは材質が異なる第1めっき層を形成
し、主導体層の他面全体に、主導体層とも第1めっき層
とも材質が異なる第2めっき層を形成し、第2めっき層
の他面全体に第2めっき層とは材質が異なる基層導体層
を形成し、第1めっき層をマスクとして主導体層をエッ
チングして離散的な凸状部をなさしめ、第1めっき層を
加熱することにより上に凸となるように湾曲させること
により製造される。ここで、第1めっき層を加熱する代
わりに、第1めっき層を上方から圧迫して上に凸となる
ように湾曲させるようにしてもよい。
The connecting material according to the present invention comprises a first plating layer having a material different from that of the main conductor layer in a pattern on one surface of the main conductor layer. A second plating layer having a different material from the plating layer is formed, a base conductor layer having a different material from the second plating layer is formed on the entire other surface of the second plating layer, and the main conductor layer is formed using the first plating layer as a mask. It is manufactured by etching to form discrete convex portions, and by heating the first plating layer to bend upward so as to be convex. Here, instead of heating the first plating layer, the first plating layer may be pressed from above and curved so as to be convex upward.

【0008】また、主導体層の一面にパターン状に主導
体層とは材質が異なる第1めっき層を形成し、主導体層
の他面全体に、主導体層とも第1めっき層とも材質が異
なる第2めっき層を形成し、第2めっき層の他面全体に
第2めっき層とは材質が異なる基層導体層を形成し、第
1めっき層をマスクとして主導体層をエッチングして離
散的な凸状部をなさしめ、第1めっき層を加熱すること
により上に凸となるように湾曲させ、第1めっき層側の
面に被接続物を配置して、凸状部の頂部が第1めっき層
を介して被接続物に接触する状態とし、凸状部により被
接続物と基層導体層とを接続すれば、本発明の接続材を
利用した接続構造が得られる。ここで、第1めっき層を
加熱する代わりに、第1めっき層を上方から圧迫して上
に凸となるように湾曲させるようにしてもよい。
A first plating layer having a material different from that of the main conductor layer is formed on one surface of the main conductor layer in a pattern, and the material of both the main conductor layer and the first plating layer is formed on the entire other surface of the main conductor layer. A different second plating layer is formed, a base conductor layer having a material different from that of the second plating layer is formed on the entire other surface of the second plating layer, and the main conductor layer is etched using the first plating layer as a mask to form a discrete layer. By heating the first plating layer, the first plating layer is curved so as to be convex upward, and the object to be connected is arranged on the surface on the first plating layer side, and the top of the projection is the second projection. A connection structure using the connection material of the present invention can be obtained by connecting the connection object and the base conductor layer by the convex portion so that the connection object is brought into contact with the connection object via one plating layer. Here, instead of heating the first plating layer, the first plating layer may be pressed from above and curved so as to be convex upward.

【0009】ここにおいて、主導体層をエッチングした
後で主導体層をマスクとして第2めっき層をエッチング
し、その際第1めっき層を残すことが望ましい。
Here, it is desirable that after the main conductor layer is etched, the second plating layer is etched using the main conductor layer as a mask, and the first plating layer is left at that time.

【0010】本発明では、「凸状部」が接続の導通経路
を構成している。そして凸状部は、「主導体層」がエッ
チングされた残りである。よって、主導体層を銅箔のよ
うな金属性の素材で形成しておくことにより、ペースト
等の絶縁成分を含むものと比較してはるかに低抵抗な接
続構造、およびその接続構造を形成するための接続材が
得られる。また、フォトリソグラフィ等によるパターン
マスク形成が、第1めっき層形成時の1回だけで済むの
で、生産性も高い。
In the present invention, the “convex portion” forms a conduction path for connection. The protruding portion is a residue obtained by etching the “main conductor layer”. Therefore, by forming the main conductor layer from a metallic material such as copper foil, a connection structure having much lower resistance than that including an insulating component such as a paste, and the connection structure are formed. Connection material is obtained. Further, the pattern mask formation by photolithography or the like only needs to be performed once at the time of forming the first plating layer, so that the productivity is high.

【0011】ここで、本発明の接続材を利用して低抵抗
な接続構造を形成する際には、接続材の上方から樹脂
(接着層)を押し付け、凸状部に樹脂を貫通させた後に
被接続物を接続材に接着することになる。そして、凸状
部に樹脂を貫通させた後に第1めっき層の上(凸状部の
頂部)に樹脂が残留してしまう。そこで、本発明では、
凸状部の上に存在する第1めっき層が上に凸となるよう
に湾曲させている。そのため、樹脂を貫通させやすく、
また第1めっき層に残留する樹脂の量も減少する。さら
に、被接続物を接続材に接着する際に行うプレスによ
り、第1めっき層上に存在する残留樹脂が周囲に逃がさ
れる。従って、接続材に被接続物を接着させた後には、
第1めっき層上には残留樹脂が存在しない。すなわち、
接続の導通経路中には絶縁成分を含むものがほとんど存
在しない。これにより、非常に低い抵抗の接続構造が得
られる。
Here, when forming a low-resistance connection structure using the connection material of the present invention, a resin (adhesive layer) is pressed from above the connection material to allow the resin to penetrate through the convex portion. The object to be connected is bonded to the connection material. Then, after the resin penetrates the convex portion, the resin remains on the first plating layer (on the top of the convex portion). Therefore, in the present invention,
The first plating layer present on the convex portion is curved so as to be convex upward. Therefore, it is easy to penetrate the resin,
Also, the amount of resin remaining in the first plating layer is reduced. Further, by the press performed when the connection object is bonded to the connection material, the residual resin existing on the first plating layer is released to the surroundings. Therefore, after bonding the connection object to the connection material,
There is no residual resin on the first plating layer. That is,
There is almost no thing containing an insulating component in the conduction path of the connection. This results in a connection structure with a very low resistance.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した実施の
形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments embodying the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0013】まず、本実施の形態に係る接続構造を製造
するための出発状態を説明する。本実施の形態に係る接
続構造は、100μm程度の厚さの銅箔を出発材料とし
て製造される(図1)。この銅箔1は、主導体層であ
る。最初に、銅箔1に対し、両面にめっきを施す(図
2)。その際、図中上側の面(以下、上面という)はパ
ターン付きのスズめっき2とし、図中下側の面(以下、
下面という)は全面のニッケルめっき3とする。厚さは
ともに3μm程度でよい。上側のパターン付きのスズめ
っき2の形成は、一旦全面めっきしてパターンエッチン
グする方法でもよいし、あらかじめネガパターンのマス
クレジストを形成しておいて、マスクレジストのない箇
所にのみめっきを形成する方法でもよい。
First, a starting state for manufacturing the connection structure according to the present embodiment will be described. The connection structure according to the present embodiment is manufactured using a copper foil having a thickness of about 100 μm as a starting material (FIG. 1). This copper foil 1 is a main conductor layer. First, the copper foil 1 is plated on both sides (FIG. 2). At that time, the upper surface in the figure (hereinafter, referred to as the upper surface) is a tin plating 2 with a pattern, and the lower surface in the figure (hereinafter, referred to as the upper surface).
The lower surface is referred to as nickel plating 3 on the entire surface. The thickness may be about 3 μm. The formation of the tin plating 2 with a pattern on the upper side may be performed by once plating the entire surface and performing pattern etching, or by forming a mask resist of a negative pattern in advance and forming plating only in a portion without the mask resist. May be.

【0014】続いて、上面に全面マスクを形成する。こ
の状態で、下面全面に厚さ20μm程度の銅めっき5を
形成する(図3)。この銅めっき5は、基層導体層であ
る。この状態では、銅箔1(主導体層)と銅めっき5
(基層導体層)との間にニッケルめっき3が位置してい
る。
Subsequently, an entire mask is formed on the upper surface. In this state, copper plating 5 having a thickness of about 20 μm is formed on the entire lower surface (FIG. 3). This copper plating 5 is a base conductor layer. In this state, the copper foil 1 (main conductor layer) and the copper plating 5
(Base conductor layer) and nickel plating 3 are located.

【0015】次に、上面のマスクレジストをすべて除去
し、下面に全面マスクを形成する。この状態で、アルカ
リエッチング液によりエッチングする。すると、主導体
層である銅箔1のみがエッチングされる。その際、スズ
めっき2がエッチングマスクとして作用する。よって銅
箔1は、スズめっき2のない箇所のみがエッチングさ
れ、離散的な凸状体10となる(図4)。このとき、エ
ッチングマスクとして作用しているのが金属めっき(ス
ズめっき2)であるため、樹脂系のレジストマスクに比
べて銅箔1に対する密着力が強い。このため、エッチン
グ中の液圧(スプレー圧)で剥離することがない。よっ
て、スズめっき2のパターンに忠実なパターンの凸状体
10が確実に形成される。
Next, the mask resist on the upper surface is entirely removed, and a mask on the entire surface is formed on the lower surface. In this state, etching is performed using an alkaline etching solution. Then, only the copper foil 1 as the main conductor layer is etched. At that time, the tin plating 2 functions as an etching mask. Therefore, only the portions of the copper foil 1 where there is no tin plating 2 are etched to form discrete convex bodies 10 (FIG. 4). At this time, since the metal plating (tin plating 2) acts as an etching mask, the adhesion to the copper foil 1 is stronger than that of a resin-based resist mask. For this reason, there is no separation due to the liquid pressure (spray pressure) during the etching. Therefore, the convex body 10 having a pattern faithful to the pattern of the tin plating 2 is reliably formed.

【0016】続いて、硝酸系エッチング液(はんだ剥離
液等)によりエッチングする。このとき、ニッケルは銅
よりエッチングされやすいので、凸状体10に覆われた
部分を除き、ニッケルめっき3も同時にエッチングされ
る。この相対的なエッチング速度でみると、このとき凸
状体10がエッチングマスクとして作用するので、凸状
体10のない箇所で銅めっき5が上方に向けて露出した
状態となる(図5)。この状態では、ニッケルめっき3
は凸状体10の下にのみ存在している。また、この状態
では、上方のスズめっき2は残っている。
Subsequently, etching is performed with a nitric acid-based etchant (such as a solder stripper). At this time, since nickel is more easily etched than copper, the nickel plating 3 is also etched at the same time except for the portion covered by the convex body 10. In view of the relative etching rate, since the convex body 10 acts as an etching mask at this time, the copper plating 5 is exposed upward at a portion where there is no convex body 10 (FIG. 5). In this state, nickel plating 3
Exists only under the convex body 10. In this state, the upper tin plating 2 remains.

【0017】そして、図5の状態のものを加熱する。こ
のときの加熱は、スズめっき2が軟化して凸状体10の
頂部を覆うようになるまで行えばよい。そうすると、ス
ズめっき2は、柔らかくなり凸状体10の頂部を覆うよ
うにだれてくるので、上に凸となるように湾曲する(図
6)。このようにスズめっき2が湾曲するのは、図6に
示すように、凸状体10の頂部における面積よりもスズ
めっき2の面積の方が少し大きいからである。
Then, the one shown in FIG. 5 is heated. The heating at this time may be performed until the tin plating 2 softens and covers the top of the convex body 10. Then, since the tin plating 2 becomes soft and drops so as to cover the top of the convex body 10, it is curved so as to be convex upward (FIG. 6). The reason why the tin plating 2 is curved is that the area of the tin plating 2 is slightly larger than the area at the top of the convex body 10 as shown in FIG.

【0018】なお、本実施の形態では、図5の状態でス
ズめっき2を湾曲させているが、図4の状態でスズめっ
き2を湾曲させてから、硝酸系エッチング液によるエッ
チングを行い、図6の状態のものを得るようにしてもよ
い。また、スズめっき2を加熱する代わりに、スズめっ
き2を上方から圧迫して湾曲させてもよい。この場合に
は、若干クッション性のある部材を押しつければよい。
In the present embodiment, the tin plating 2 is bent in the state of FIG. 5, but after the tin plating 2 is bent in the state of FIG. The state of 6 may be obtained. Further, instead of heating the tin plating 2, the tin plating 2 may be pressed and curved from above. In this case, a cushioning member may be pressed.

【0019】次に、接着層を組み合わせる。すなわち、
図6の状態のものの各凸状体10の上方から接着層を押
し付け、凸状体10が接着層6を貫通する状態とする
(図7)。ここで、凸状体10の頂部、正確にはスズめ
っき2が、上に凸となるように湾曲している。このた
め、接着層6を貫通させやすい。また、スズめっき2の
上に残留する接着層6の量も少ない。なお、接着層6と
しては、ガラスクロスプリプレグ、不織布プリプレグ、
樹脂シート等のいずれでも使用可能である。あるいは、
液状樹脂を塗布してもよい。図7の状態では、凸状体1
0の上のスズめっき2が、接着層6の上部に顔を出して
いる。
Next, an adhesive layer is combined. That is,
The adhesive layer is pressed from above each convex body 10 in the state of FIG. 6 so that the convex body 10 penetrates the adhesive layer 6 (FIG. 7). Here, the top of the convex body 10, more precisely, the tin plating 2 is curved so as to protrude upward. Therefore, it is easy to penetrate the adhesive layer 6. Further, the amount of the adhesive layer 6 remaining on the tin plating 2 is also small. In addition, as the adhesive layer 6, a glass cloth prepreg, a nonwoven fabric prepreg,
Any of resin sheets and the like can be used. Or,
A liquid resin may be applied. In the state of FIG.
The tin plating 2 on 0 is exposed above the adhesive layer 6.

【0020】続いて、図7の状態のものの上に銅箔7を
組み合わせ、各凸状体10の頂部がスズめっき2を介し
て銅箔7と接する状態とする(図8)。この状態では、
スズめっき2と銅箔7との間に接着層6が若干残ってい
る。そしてこれをプレスして、図9の状態とする。その
際のプレスは、通常のプレス圧より高めの390N/c
2 程度とする。各凸状体10の頂部と銅箔7とを強固
に密着させるためである。図9の状態では、各凸状体1
0が、スズめっき2を介して銅箔7と接触しており、か
つ、ニッケルめっき3を介して銅めっき5(基層導体
層)と接触している。すなわち各凸状体10は、銅めっ
き5(基層導体層)と銅箔7(上層)との間の層間接続
構造をなしている。
Subsequently, the copper foil 7 is combined with the one shown in FIG. 7 so that the top of each convex body 10 comes into contact with the copper foil 7 via the tin plating 2 (FIG. 8). In this state,
The adhesive layer 6 slightly remains between the tin plating 2 and the copper foil 7. Then, this is pressed to obtain the state shown in FIG. The press at that time is 390 N / c which is higher than normal press pressure.
m 2 . This is because the top of each convex body 10 and the copper foil 7 are firmly adhered to each other. In the state of FIG.
0 is in contact with the copper foil 7 through the tin plating 2 and is in contact with the copper plating 5 (base conductor layer) through the nickel plating 3. That is, each convex body 10 has an interlayer connection structure between the copper plating 5 (base layer conductor layer) and the copper foil 7 (upper layer).

【0021】また、図8の状態においてスズめっき2と
銅箔7との間に残留していた接着層6は、プレスにより
周囲に逃がされる。凸状体10の上のスズめっき2が湾
曲しているからである。従って、図9の状態では、スズ
めっき2と銅箔7との間に接着層6が介在していない。
そしてその後、銅めっき5(基層導体層)と銅箔7(上
層)とにそれぞれ、適宜のパターニングを施せばよい。
The adhesive layer 6 remaining between the tin plating 2 and the copper foil 7 in the state shown in FIG. 8 is released to the surroundings by pressing. This is because the tin plating 2 on the convex body 10 is curved. Therefore, in the state of FIG. 9, the adhesive layer 6 is not interposed between the tin plating 2 and the copper foil 7.
Thereafter, the copper plating 5 (base layer conductor layer) and the copper foil 7 (upper layer) may be appropriately patterned.

【0022】なお、図7の状態において、凸状体10の
頂部をエッチングすることにより、スズめっき2の上に
残留している接着層6を除去するようにしてもよい。こ
れにより、図9の状態において、スズめっき2と銅箔7
との間に接着層6が確実に介在しなくなるからである。
In the state shown in FIG. 7, the adhesive layer 6 remaining on the tin plating 2 may be removed by etching the top of the convex body 10. Thereby, in the state of FIG. 9, the tin plating 2 and the copper foil 7
This is because the adhesive layer 6 will no longer intervene between them.

【0023】この構造では、層間接続箇所の導電経路が
下から、ニッケルめっき3、凸状体10、そしてスズめ
っき2により構成されている。この導電経路には、導電
ペーストにより構成される部分は含まれていない。ま
た、スズめっき2と銅箔7との間に接着層6が残留して
いない。すなわちそのほとんどがソリッドな金属により
構成されている。したがって、そのビア抵抗は著しく低
い。また、層間接続の構成のためのパターニングは、図
2の上側のスズめっき2を形成するためのマスクレジス
ト1回のみで済む。ビアホールめっきのような複雑な工
程もない。よって生産性にも優れる。このことは高い集
積度の実現にも寄与する。さらに、図5の状態のものま
たは図9の状態のもの(凸状体10の配置は標準的なも
のとする)をストックしておいて、受注次第でその後の
プロセス(銅めっき5(下層)および銅箔7(上層)の
パターニングを含む)に供することもできる。そこで、
図5の状態のものを「接続材」と呼ぶことができる。
In this structure, the conductive path of the interlayer connection portion is formed by nickel plating 3, convex body 10, and tin plating 2 from below. The conductive path does not include a portion made of the conductive paste. Further, the adhesive layer 6 does not remain between the tin plating 2 and the copper foil 7. That is, most of them are made of solid metal. Therefore, its via resistance is extremely low. In addition, patterning for the configuration of interlayer connection requires only one mask resist for forming the tin plating 2 on the upper side in FIG. There is no complicated process such as via hole plating. Therefore, it is also excellent in productivity. This also contributes to achieving a high degree of integration. Further, the one in the state of FIG. 5 or the one in the state of FIG. 9 (the arrangement of the convex bodies 10 is standard) is stocked, and the subsequent process (copper plating 5 (lower layer)) is performed depending on the order. And patterning of the copper foil 7 (upper layer). Therefore,
The state shown in FIG. 5 can be referred to as a “connecting material”.

【0024】続いて、変形例を説明する。上記における
第1の変形例として、製造プロセス中の図5から図9に
至る範囲を別の方法で製造する例が挙げられる。すなわ
ち、図10に示すように、図5の状態のものの各凸状体
10の上方に樹脂付き銅箔8を配置し、プレスするので
ある。樹脂付き銅箔8は、当然ながら、銅箔81が図中
上方となり樹脂層82が各凸状体10に対面するように
配置する。プレスは、上記と同様、通常のプレス圧より
高めの390N/cm2 程度とする。これにより、各凸
状体10が樹脂層82を突き破って銅箔81に接触し、
各凸状体10の頂部が、スズめっき2を介して銅箔81
と強固に密着する状態となる。すなわち、図9と同様の
状態が得られる。
Next, a modified example will be described. As a first modified example described above, there is an example in which the range from FIG. 5 to FIG. 9 during the manufacturing process is manufactured by another method. That is, as shown in FIG. 10, the copper foil with resin 8 is arranged above each convex body 10 in the state of FIG. 5 and pressed. The copper foil with resin 8 is naturally arranged such that the copper foil 81 faces upward in the figure and the resin layer 82 faces each convex body 10. Pressing is performed at about 390 N / cm 2, which is higher than normal pressing pressure, as described above. Thereby, each convex body 10 breaks through the resin layer 82 and contacts the copper foil 81,
The top of each convex body 10 is covered with copper foil 81 via tin plating 2.
Is brought into a state of firmly adhering. That is, a state similar to that in FIG. 9 is obtained.

【0025】次に第2の変形例として、配線板内の層間
接続でなく、配線板とICチップ等の実装部品との接続
に応用する例が挙げられる。すなわち、図11に示すよ
うに、図7の状態のものの上に実装部品9を組み合わ
せ、各凸状体10の頂部がスズめっき2を介して実装部
品9のパッドと接する状態とする。そしてこれをプレス
して、各凸状体10の頂部と実装部品9のパッドとが密
着する状態とする。その際のプレスは、上記と同様、通
常のプレス圧より高めの390N/cm2 程度とする。
プレス後の状態では、各凸状体10が、スズめっき2を
介して実装部品9のパッドと強固に密着しており、か
つ、ニッケルめっき3を介して銅めっき5(基層導体
層)と接触している。すなわち各凸状体10は、銅めっ
き5(基層導体層)と実装部品9との間の相互接続構造
をなしている。その後、銅めっき5(基層導体層)に適
宜のパターニングを施せばよい。
Next, as a second modified example, there is an example in which the present invention is applied not to interlayer connection in a wiring board but to connection between a wiring board and a mounted component such as an IC chip. That is, as shown in FIG. 11, the mounting component 9 is combined with the component shown in FIG. 7, and the top of each convex body 10 is brought into contact with the pad of the mounting component 9 via the tin plating 2. Then, this is pressed so that the top of each convex body 10 and the pad of the mounting component 9 are in close contact with each other. The press at that time is set to about 390 N / cm 2, which is higher than the normal press pressure, as described above.
In the state after pressing, each convex body 10 is firmly adhered to the pad of the mounting component 9 via the tin plating 2 and is in contact with the copper plating 5 (base conductor layer) via the nickel plating 3. are doing. That is, each convex body 10 forms an interconnection structure between the copper plating 5 (base conductor layer) and the mounting component 9. Thereafter, the copper plating 5 (base conductor layer) may be appropriately patterned.

【0026】以上詳細に説明したように本実施の形態で
は、出発材料である銅箔1(主導体層)の片面全面にニ
ッケルめっき3を形成するとともにその反対側の面にパ
ターン付きのスズめっき2を形成し、ニッケルめっき3
の表面に銅めっき5(基層導体層)を形成することとし
ている。そして、スズめっき2をエッチングマスクとし
て銅箔1をエッチングして離散的な凸状体10となし、
凸状体10をエッチングマスクとしてニッケルめっき3
をエッチングすることとしている。さらに、スズめっき
2を上に凸となるように湾曲させている。
As described above in detail, in the present embodiment, nickel plating 3 is formed on one entire surface of copper foil 1 (main conductor layer) as a starting material, and tin plating with a pattern is formed on the opposite surface. 2 and nickel plating 3
Is formed with copper plating 5 (base conductor layer). Then, the copper foil 1 is etched using the tin plating 2 as an etching mask to form a discrete convex body 10,
Nickel plating 3 using convex body 10 as an etching mask
Is to be etched. Further, the tin plating 2 is curved so as to be convex upward.

【0027】これにより、接続箇所の導電経路のほとん
どがソリッドな金属(銅箔1など)により構成された接
続材を得ている。また、その接続材に上層(銅箔7)ま
たは実装部品9をプレスすることにより、接続構造を得
ている。そして、上層(銅箔7)または実装部品9に直
接接触するスズめっき2の上に、接着層6が残留しな
い。すなわち、導電経路中に絶縁成分がほとんど含まれ
ないのである。かくして、導通箇所の抵抗が著しく低
く、集積度や生産性にも優れた接続材、接続構造、およ
びそれらの製造方法が実現されている。
As a result, a connecting material is obtained in which most of the conductive paths at the connecting portions are made of a solid metal (such as the copper foil 1). The connection structure is obtained by pressing the upper layer (copper foil 7) or the mounted component 9 on the connection material. Then, the adhesive layer 6 does not remain on the upper layer (copper foil 7) or the tin plating 2 that directly contacts the mounting component 9. That is, the conductive path contains almost no insulating component. Thus, a connection material, a connection structure, and a method of manufacturing the connection material, which have extremely low resistance at a conductive portion and have excellent integration and productivity, are realized.

【0028】なお、本実施の形態は単なる例示にすぎ
ず、本発明を何ら限定するものではない。したがって本
発明は当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改
良、変形が可能である。例えば、本実施の形態では、主
導体層(銅箔1、凸状体10)および基層導体層(銅箔
5)を銅で構成し、パターンめっきをスズで構成し、全
面めっきをニッケルで構成したが、これら各部の金属種
の組み合わせは、違っていてもよい。ただし、めっきに
より適切に形成できることと、互いに選択的にエッチン
グ可能であることが条件である。例としては、スズめっ
き2の代わりにハンダめっきを用いることが挙げられ
る。
The present embodiment is merely an example, and does not limit the present invention. Therefore, naturally, the present invention can be variously modified and modified without departing from the gist thereof. For example, in the present embodiment, the main conductor layer (copper foil 1, convex body 10) and the base conductor layer (copper foil 5) are made of copper, the pattern plating is made of tin, and the entire plating is made of nickel. However, the combination of the metal types of these parts may be different. However, it is a condition that they can be appropriately formed by plating and that they can be selectively etched. As an example, use of solder plating instead of tin plating 2 can be cited.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、集積密度や生産性が高くかつ接続抵抗がきわめ
て低い層間接続等を実現するための接続材、およびその
接続構造、さらにはそれらの製造方法が提供されてい
る。
As is apparent from the above description, according to the present invention, a connection material for realizing interlayer connection with high integration density and productivity and extremely low connection resistance, and a connection structure thereof, and Methods for their manufacture are provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態に係る接続構造の製造の出発材であ
る銅箔を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a copper foil as a starting material for manufacturing a connection structure according to an embodiment.

【図2】図1の銅箔にパターンスズめっきおよび全面ニ
ッケルめっきを施した状態を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state where pattern tin plating and nickel plating are applied to the entire surface of the copper foil of FIG. 1;

【図3】図2の状態の下面に全面銅めっきを施した状態
を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state where the entire lower surface in the state of FIG. 2 is plated with copper;

【図4】図3の状態に対し、銅箔をエッチングして離散
的な凸状体をなさしめた状態を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which copper foil is etched to form discrete convex bodies in the state of FIG. 3;

【図5】図4の状態における全面ニッケルめっきのうち
露出している部分をエッチングした状態を示す断面図で
ある。
5 is a cross-sectional view showing a state where an exposed portion of the entire surface nickel plating in the state of FIG. 4 is etched.

【図6】図5の状態ものを加熱してスズめっきを湾曲さ
せた状態を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which the tin plating is bent by heating the state shown in FIG. 5;

【図7】図6の状態に対し、接着層を組み合わせた状態
を示す断面図である。
7 is a cross-sectional view showing a state where an adhesive layer is combined with the state shown in FIG. 6;

【図8】図7の状態に対し銅箔を組み合わせた状態を示
す断面図である。
8 is a cross-sectional view showing a state where a copper foil is combined with the state shown in FIG. 7;

【図9】図8の状態のものをプレスして層間接続構造と
した状態を示す断面図である。
9 is a cross-sectional view showing a state in which the structure shown in FIG. 8 is pressed to form an interlayer connection structure.

【図10】図6の状態に対し、樹脂付き銅箔を組み合わ
せる状況を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a situation where a copper foil with resin is combined with the state of FIG. 6;

【図11】図7の状態に対し実装部品を組み合わせる状
況を示す断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a situation where mounting components are combined with the state of FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 銅箔(主導体層) 2 スズめっき(第1めっき層) 3 ニッケルめっき(第2めっき層) 4 金めっき(第1めっき層) 5 銅めっき(基層導体層) 7 銅箔(被接続物) 9 実装部品(被接続物) 10 凸状体 Reference Signs List 1 copper foil (main conductor layer) 2 tin plating (first plating layer) 3 nickel plating (second plating layer) 4 gold plating (first plating layer) 5 copper plating (base conductor layer) 7 copper foil (connection object) 9) mounted component (connected object) 10 convex body

フロントページの続き Fターム(参考) 4E351 AA01 BB01 BB23 BB24 BB26 BB33 BB35 BB49 CC06 DD04 DD12 DD19 GG08 5E317 AA24 BB01 BB11 BB12 BB15 CC31 CC52 CC60 CD25 GG11 GG14 GG16 5E343 AA02 BB08 BB15 BB24 BB34 BB44 BB61 BB67 BB71 DD76 EE55 GG01 Continued on the front page F term (reference) 4E351 AA01 BB01 BB23 BB24 BB26 BB33 BB35 BB49 CC06 DD04 DD12 DD19 GG08 5E317 AA24 BB01 BB11 BB12 BB15 CC31 CC52 CC60 CD25 GG11 GG14 GG16 5E343 AA02 BB08 BB15 BB15 BB08 BB08

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基層導体層と、 前記基層導体層の上に存在する主導体層と、 前記主導体層の上にパターン状に存在するとともに前記
主導体層とは材質が異なる第1めっき層と、 前記基層導体層と前記主導体層との間に位置するととも
にそれらとも前記第1めっき層とも材質が異なる第2め
っき層とを有し、 前記主導体層が前記第1めっき層をマスクとしてエッチ
ングされて離散的な凸状部をなしており、 前記第1めっき層は上に凸となるように湾曲しているこ
とを特徴とする接続材。
1. A base conductor layer, a main conductor layer present on the base conductor layer, and a first plating layer present on the main conductor layer in a pattern and different in material from the main conductor layer And a second plating layer located between the base conductor layer and the main conductor layer and having a material different from that of the first plating layer, wherein the main conductor layer masks the first plating layer. A connection material, wherein the first plating layer is curved so as to protrude upward.
【請求項2】 請求項1に記載する接続材において、 前記主導体層がエッチングされている箇所では前記第2
めっき層もエッチングされていることを特徴とする接続
材。
2. The connecting material according to claim 1, wherein the second conductive material is etched at a location where the main conductor layer is etched.
A connection material, wherein the plating layer is also etched.
【請求項3】 主導体層の一面にパターン状に前記主導
体層とは材質が異なる第1めっき層を形成し、 前記主導体層の他面全体に、前記主導体層とも前記第1
めっき層とも材質が異なる第2めっき層を形成し、 前記第2めっき層の他面全体に前記第2めっき層とは材
質が異なる基層導体層を形成し、 前記第1めっき層をマスクとして前記主導体層をエッチ
ングして離散的な凸状部をなさしめ、 前記第1めっき層を加熱することにより上に凸となるよ
うに湾曲させることを特徴とする接続材の製造方法。
3. A first plating layer having a material different from that of the main conductor layer is formed in a pattern on one surface of the main conductor layer, and the first plating layer is formed on the entire other surface of the main conductor layer together with the first conductor layer.
Forming a second plating layer having a different material from the plating layer, forming a base conductor layer having a different material from the second plating layer on the entire other surface of the second plating layer, using the first plating layer as a mask, A method of manufacturing a connection material, comprising etching a main conductor layer to form discrete convex portions, and heating the first plating layer so as to bend upward so as to be convex.
【請求項4】 主導体層の一面にパターン状に前記主導
体層とは材質が異なる第1めっき層を形成し、 前記主導体層の他面全体に、前記主導体層とも前記第1
めっき層とも材質が異なる第2めっき層を形成し、 前記第2めっき層の他面全体に前記第2めっき層とは材
質が異なる基層導体層を形成し、 前記第1めっき層をマスクとして前記主導体層をエッチ
ングして離散的な凸状部をなさしめ、 前記第1めっき層を上方から圧迫して上に凸となるよう
に湾曲させることを特徴とする接続材の製造方法。
4. A first plating layer having a material different from that of the main conductor layer is formed in a pattern on one surface of the main conductor layer, and the first plating layer is formed on the entire other surface of the main conductor layer together with the first conductor layer.
Forming a second plating layer having a different material from the plating layer, forming a base conductor layer having a different material from the second plating layer on the entire other surface of the second plating layer, using the first plating layer as a mask, A method of manufacturing a connection material, comprising etching a main conductor layer to form discrete convex portions, and pressing the first plating layer from above to curve the first plating layer so as to be convex upward.
【請求項5】 主導体層の一面にパターン状に前記主導
体層とは材質が異なる第1めっき層を形成し、 前記主導体層の他面全体に、前記主導体層とも前記第1
めっき層とも材質が異なる第2めっき層を形成し、 前記第2めっき層の他面全体に前記第2めっき層とは材
質が異なる基層導体層を形成し、 前記第1めっき層をマスクとして前記主導体層をエッチ
ングして離散的な凸状部をなさしめ、 前記第1めっき層を加熱することにより上に凸となるよ
うに湾曲させ、 前記第1めっき層側の面に被接続物を配置して、前記凸
状部の頂部が前記第1めっき層を介して被接続物に接触
する状態とし、前記凸状部により被接続物と前記基層導
体層とを接続していることを特徴とする接続構造の製造
方法。
5. A first plating layer having a material different from that of the main conductor layer is formed in a pattern on one surface of the main conductor layer, and the first plating layer is formed on the entire other surface of the main conductor layer together with the first conductor layer.
Forming a second plating layer having a different material from the plating layer, forming a base conductor layer having a different material from the second plating layer on the entire other surface of the second plating layer, using the first plating layer as a mask, The main conductor layer is etched to form discrete convex portions, and the first plating layer is heated to be curved so as to be convex upward, and the object to be connected is formed on the surface of the first plating layer. It is arranged that the top of the convex portion is in contact with the object to be connected via the first plating layer, and the object and the base conductor layer are connected by the convex portion. Manufacturing method of the connection structure.
【請求項6】主導体層の一面にパターン状に前記主導体
層とは材質が異なる第1めっき層を形成し、 前記主導体層の他面全体に、前記主導体層とも前記第1
めっき層とも材質が異なる第2めっき層を形成し、 前記第2めっき層の他面全体に前記第2めっき層とは材
質が異なる基層導体層を形成し、 前記第1めっき層をマスクとして前記主導体層をエッチ
ングして離散的な凸状部をなさしめ、 前記第1めっき層を上方から圧迫して上に凸となるよう
に湾曲させ、 前記第1めっき層側の面に被接続物を配置して、前記凸
状部の頂部が前記第1めっき層を介して被接続物に接触
する状態とし、前記凸状部により被接続物と前記基層導
体層とを接続していることを特徴とする接続構造の製造
方法。
6. A first plating layer having a material different from that of the main conductor layer is formed on one surface of the main conductor layer in a pattern, and the first plating layer is formed on the entire other surface of the main conductor layer together with the first conductor layer.
Forming a second plating layer having a different material from the plating layer, forming a base conductor layer having a different material from the second plating layer on the entire other surface of the second plating layer, using the first plating layer as a mask, The main conductor layer is etched to form discrete convex portions, and the first plating layer is pressed from above and curved so as to be convex upward, and a connection object is formed on the surface of the first plating layer side. Is arranged so that the top of the convex portion contacts the object to be connected via the first plating layer, and the object and the base conductor layer are connected by the convex portion. A method of manufacturing a connection structure, which is characterized by the following.
【請求項7】 請求項3から請求項6に記載するいずれ
か1つの製造方法において、 前記主導体層をエッチングした後で前記主導体層をマス
クとして前記第2めっき層をエッチングし、その際前記
第1めっき層を残すことを特徴とする製造方法。
7. The method according to claim 3, wherein the second plating layer is etched using the main conductor layer as a mask after etching the main conductor layer. A manufacturing method, wherein the first plating layer is left.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007165680A (en) * 2005-12-15 2007-06-28 Toppan Printing Co Ltd Wiring board for lamination, multilayered wiring board, those manufacturing methods, and semiconductor device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007165680A (en) * 2005-12-15 2007-06-28 Toppan Printing Co Ltd Wiring board for lamination, multilayered wiring board, those manufacturing methods, and semiconductor device
JP2007123941A (en) * 2007-02-09 2007-05-17 Casio Comput Co Ltd Method of manufacturing semiconductor device
JP4577316B2 (en) * 2007-02-09 2010-11-10 カシオ計算機株式会社 Manufacturing method of semiconductor device

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