JP2002176255A - Method of manufacturing connecting structure - Google Patents

Method of manufacturing connecting structure

Info

Publication number
JP2002176255A
JP2002176255A JP2000371109A JP2000371109A JP2002176255A JP 2002176255 A JP2002176255 A JP 2002176255A JP 2000371109 A JP2000371109 A JP 2000371109A JP 2000371109 A JP2000371109 A JP 2000371109A JP 2002176255 A JP2002176255 A JP 2002176255A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plating
layer
conductor layer
copper foil
etched
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000371109A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuo Kawaguchi
克雄 川口
Shinji Adachi
真治 安達
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP2000371109A priority Critical patent/JP2002176255A/en
Publication of JP2002176255A publication Critical patent/JP2002176255A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a connecting structure for materializing an interlayer connection or the like which is high in density of integration or productivity and is extremely low in connection resistance. SOLUTION: Nickel plating 3 is applied to the whole face of one side of a copper foil 1 (main conductor layer), tin plating 2 with a pattern is applied to its opposite side, and copper plating 5 (substratum conductor layer) is made on the surface of the nickel plating 3. With the tin plating 2 as a mask, the copper foil 1 is etched to make it into separated protuberant bodies 10, and with the protuberant bodies 1 as masks, the nickel plating 3 is etched. As a result, connecting material where most of the conductive path at a connection place is constituted of solid metal (copper foil 1 or the like) is obtained. Next, an adhesive layer 5 is made to pierce the protuberant body 10, and the tin plating 2 is applied with light etching. Then, an object to be connected is placed on the tin plating 2 and is pressed, whereby a connecting structure is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、配線板における層
間の接続もしくは配線板と実装部品との接続を行うため
の接続構造の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a connection structure for connecting between layers in a wiring board or connecting a wiring board to a mounted component.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、配線板においては導体層と導
体層との間の電気的接続をとる層間接続構造が随所に形
成される。配線板にはまた、実装部品との間の接続構造
も適宜形成される。これらの接続構造を、高密度かつ高
生産性をもって実現する手法として、「新層間接続法に
よる高密度プリント配線板の開発」(回路実装学会誌Vo
l.11、No.2、pp106-112(1996)) に記載されたものが挙
げられる。そこには、銅スルーホールめっき法による層
間接続技術に代わる接続方法として、印刷技術により導
電ペーストを用いて導電性バンプを形成する技術が紹介
されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a wiring board, an interlayer connection structure for making electrical connection between conductor layers is formed at various places. Also, a connection structure between the wiring board and the mounted component is appropriately formed. As a method to realize these connection structures with high density and high productivity, "Development of high-density printed wiring board by new interlayer connection method" (Circuit Packaging Society of Japan Vo
l.11, No. 2, pp. 106-112 (1996)). Here, a technique of forming a conductive bump using a conductive paste by a printing technique is introduced as a connection method instead of an interlayer connection technique by a copper through-hole plating method.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の技術により製造される接続構造には、次のよう
な問題点があった。すなわちこの技術では、基本的に導
電ペーストを用いて接続構造を形成するので、導電経路
をなすバンプの導電率がさほど高くなく、接続抵抗が無
視できなかった。このため、接続の信頼性に不安があ
り、また、大電流用途には使いにくかった。
However, the connection structure manufactured by the above-mentioned conventional technique has the following problems. That is, in this technique, since the connection structure is basically formed using a conductive paste, the conductivity of the bumps forming the conductive path is not so high, and the connection resistance cannot be ignored. For this reason, there was concern about the reliability of the connection, and it was difficult to use for high current applications.

【0004】本発明は、前記した従来の技術による接続
構造が有する問題点を解決するためになされたものであ
る。すなわちその課題とするところは、集積密度や生産
性が高くかつ接続抵抗がきわめて低い層間接続等を実現
するための接続構造の製造方法を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the conventional connection structure. That is, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a connection structure for realizing interlayer connection or the like having high integration density and high productivity and extremely low connection resistance.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この課題の解決を目的と
してなされた本発明の接続構造の製造方法は、主導体層
の一面にパターン状に主導体層とは材質が異なる第1め
っき層を形成し、主導体層の他面全体に、主導体層とも
第1めっき層とも材質が異なる第2めっき層を形成し、
第2めっき層の他面全体に第2めっき層とは材質が異な
る基層導体層を形成し、第1めっき層をマスクとして主
導体層をエッチングして離散的な凸状部をなさしめ、凸
状部に樹脂層を貫通させてから第1めっき層の表面部分
をエッチングした後に、第1めっき層側の面に被接続物
を配置して、凸状部の頂部が第1めっき層を介して被接
続物に接触する状態とし、凸状部により被接続物と基層
導体層とを接続することにより、接続構造を得るもので
ある。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve this problem, a method of manufacturing a connection structure according to the present invention comprises the steps of: forming a first plating layer having a material different from that of a main conductor layer in a pattern on one surface of the main conductor layer; Forming a second plating layer having a material different from that of the main conductor layer and the first plating layer on the entire other surface of the main conductor layer;
A base conductor layer made of a material different from that of the second plating layer is formed on the entire other surface of the second plating layer, and the main conductor layer is etched using the first plating layer as a mask to form discrete convex portions. After the surface of the first plating layer is etched after penetrating the resin layer through the protruding portion, an object to be connected is disposed on the surface on the first plating layer side, and the top of the protruding portion is interposed through the first plating layer. Thus, the connection structure is obtained by connecting the connection object and the base conductor layer by the convex portions.

【0006】ここにおいて、主導体層をエッチングした
後で主導体層をマスクとして第2めっき層をエッチング
し、その際第1めっき層を残すことが望ましい。
Here, it is desirable that after the main conductor layer is etched, the second plating layer is etched using the main conductor layer as a mask, and the first plating layer is left at that time.

【0007】本発明の製造方法により得られる接続構造
では、「凸状部」が接続の導通経路を構成している。そ
して凸状部は、「主導体層」がエッチングされた残りで
ある。よって、主導体層を銅箔のような金属性の素材で
形成しておくことにより、ペースト等の絶縁成分を含む
ものと比較してはるかに低抵抗な接続構造が得られる。
また、フォトリソグラフィ等によるパターンマスク形成
が、第1めっき層形成時の1回だけで済むので、生産性
も高い。
[0007] In the connection structure obtained by the manufacturing method of the present invention, the "convex portion" constitutes a connection conduction path. The protruding portion is a residue obtained by etching the “main conductor layer”. Therefore, by forming the main conductor layer with a metallic material such as copper foil, a connection structure having a much lower resistance than that containing an insulating component such as a paste can be obtained.
Further, the pattern mask formation by photolithography or the like only needs to be performed once at the time of forming the first plating layer, so that the productivity is high.

【0008】さらに、本発明の製造方法では、凸状部に
樹脂層を貫通させた後に第1めっき層の表面部分をエッ
チングしている。このため、樹脂層貫通後に凸状部の頂
部(正確には第1めっき層の上)に残留している樹脂が
除去される。従って、第1めっき層側の面に被接続物を
配置した際に、第1めっき層と被接続物との間に樹脂が
介在しない。すなわち、接続の導通経路中には絶縁成分
を含むものがほとんど存在しない。これにより、非常に
低い抵抗の接続構造が得られる。
Further, in the manufacturing method of the present invention, the surface portion of the first plating layer is etched after the resin layer is made to penetrate the convex portion. Therefore, the resin remaining on the top of the convex portion (more precisely, on the first plating layer) after penetrating the resin layer is removed. Therefore, when the object to be connected is arranged on the surface on the first plating layer side, no resin is interposed between the first plating layer and the object to be connected. That is, there is almost no thing containing an insulating component in the conduction path of the connection. This results in a connection structure with a very low resistance.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した実施の
形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments embodying the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0010】まず、本実施の形態に係る接続構造を製造
するための出発状態を説明する。本実施の形態に係る接
続構造は、100μm程度の厚さの銅箔を出発材料とし
て製造される(図1)。この銅箔1は、主導体層であ
る。最初に、銅箔1に対し、両面にめっきを施す(図
2)。その際、図中上側の面(以下、上面という)はパ
ターン付きのスズめっき2とし、図中下側の面(以下、
下面という)は全面のニッケルめっき3とする。厚さは
ともに3μm程度でよい。上側のパターン付きのスズめ
っき2の形成は、一旦全面めっきしてパターンエッチン
グする方法でもよいし、あらかじめネガパターンのマス
クレジストを形成しておいて、マスクレジストのない箇
所にのみめっきを形成する方法でもよい。
First, a starting state for manufacturing the connection structure according to the present embodiment will be described. The connection structure according to the present embodiment is manufactured using a copper foil having a thickness of about 100 μm as a starting material (FIG. 1). This copper foil 1 is a main conductor layer. First, the copper foil 1 is plated on both sides (FIG. 2). At that time, the upper surface in the figure (hereinafter, referred to as the upper surface) is a tin plating 2 with a pattern, and the lower surface in the figure (hereinafter, referred to as the upper surface).
The lower surface is referred to as nickel plating 3 on the entire surface. The thickness may be about 3 μm. The formation of the tin plating 2 with a pattern on the upper side may be performed by once plating the entire surface and performing pattern etching, or by forming a mask resist of a negative pattern in advance and forming plating only in a portion without the mask resist. May be.

【0011】続いて、上面に全面マスクを形成する。こ
の状態で、下面全面に厚さ20μm程度の銅めっき5を
形成する(図3)。この銅めっき5は、基層導体層であ
る。この状態では、銅箔1(主導体層)と銅めっき5
(基層導体層)との間にニッケルめっき3が位置してい
る。
Subsequently, an entire mask is formed on the upper surface. In this state, copper plating 5 having a thickness of about 20 μm is formed on the entire lower surface (FIG. 3). This copper plating 5 is a base conductor layer. In this state, the copper foil 1 (main conductor layer) and the copper plating 5
(Base conductor layer) and nickel plating 3 are located.

【0012】次に、上面のマスクレジストをすべて除去
し、下面に全面マスクを形成する。この状態で、アルカ
リエッチング液によりエッチングする。すると、主導体
層である銅箔1のみがエッチングされる。その際、スズ
めっき2がエッチングマスクとして作用する。よって銅
箔1は、スズめっき2のない箇所のみがエッチングさ
れ、離散的な凸状体10となる(図4)。このとき、エ
ッチングマスクとして作用しているのが金属めっき(ス
ズめっき2)であるため、樹脂系のレジストマスクに比
べて銅箔1に対する密着力が強い。このため、エッチン
グ中の液圧(スプレー圧)で剥離することがない。よっ
て、スズめっき2のパターンに忠実なパターンの凸状体
10が確実に形成される。
Next, the mask resist on the upper surface is entirely removed, and a mask on the entire surface is formed on the lower surface. In this state, etching is performed using an alkaline etching solution. Then, only the copper foil 1 as the main conductor layer is etched. At that time, the tin plating 2 functions as an etching mask. Therefore, only the portions of the copper foil 1 where there is no tin plating 2 are etched to form discrete convex bodies 10 (FIG. 4). At this time, since the metal plating (tin plating 2) acts as an etching mask, the adhesion to the copper foil 1 is stronger than that of a resin-based resist mask. For this reason, there is no separation due to the liquid pressure (spray pressure) during the etching. Therefore, the convex body 10 having a pattern faithful to the pattern of the tin plating 2 is reliably formed.

【0013】続いて、硝酸系エッチング液(はんだ剥離
液等)によりエッチングする。このとき、ニッケルは銅
よりエッチングされやすいので、凸状体10に覆われた
部分を除き、ニッケルめっき3も同時にエッチングされ
る。この相対的なエッチング速度でみると、このとき凸
状体10がエッチングマスクとして作用するので、凸状
体10のない箇所で銅めっき5が上方に向けて露出した
状態となる(図5)。この状態では、ニッケルめっき3
は凸状体10の下にのみ存在している。また、この状態
では、上方のスズめっき2は残っている。
Subsequently, etching is performed with a nitric acid-based etchant (such as a solder stripper). At this time, since nickel is more easily etched than copper, the nickel plating 3 is also etched at the same time except for the portion covered by the convex body 10. In view of the relative etching rate, since the convex body 10 acts as an etching mask at this time, the copper plating 5 is exposed upward at a portion where there is no convex body 10 (FIG. 5). In this state, nickel plating 3
Exists only under the convex body 10. In this state, the upper tin plating 2 remains.

【0014】次に、接着層を組み合わせる。すなわち、
図5の状態のものの各凸状体10の上方から接着層を押
し付け、凸状体10が接着層6を貫通する状態とする
(図6)。ここで接着層6としては、ガラスクロスプリ
プレグ、不織布プリプレグ、樹脂シート等のいずれでも
使用可能である。あるいは、液状樹脂を塗布してもよ
い。図6の状態では、凸状体10の上のスズめっき2
が、接着層6の上部に顔を出している。また、スズめっ
き2の上に接着層6が残留している。そこで、図6の状
態において凸状体10の上に位置するスズめっき2に対
してライトエッチングを行う。そうすると、スズめっき
2の表面部分がエッチングされることにより、スズめっ
き2の上に残留していた接着層6が除去される(図
7)。なお、スズめっき2に対するエッチングは、スズ
めっき2の表面が溶ける程度のものでよい。スズめっき
2の上に残留した接着層6を除去することができればよ
いからである。
Next, an adhesive layer is combined. That is,
The adhesive layer is pressed from above each convex body 10 in the state of FIG. 5 so that the convex body 10 penetrates the adhesive layer 6 (FIG. 6). Here, as the adhesive layer 6, any of glass cloth prepreg, non-woven fabric prepreg, resin sheet and the like can be used. Alternatively, a liquid resin may be applied. In the state of FIG. 6, the tin plating 2 on the convex body 10
However, there is a face on the upper part of the adhesive layer 6. Further, the adhesive layer 6 remains on the tin plating 2. Thus, light etching is performed on the tin plating 2 located on the convex body 10 in the state of FIG. Then, by etching the surface portion of tin plating 2, adhesive layer 6 remaining on tin plating 2 is removed (FIG. 7). It should be noted that the etching of the tin plating 2 may be of such an extent that the surface of the tin plating 2 is melted. This is because it is sufficient that the adhesive layer 6 remaining on the tin plating 2 can be removed.

【0015】続いて、図7の状態のものの上に銅箔7を
組み合わせ、各凸状体10の頂部がスズめっき2を介し
て銅箔7と接する状態とする(図8)。そしてこれをプ
レスして、図9の状態とする。その際のプレスは、通常
のプレス圧より高めの390N/cm2 程度とする。各
凸状体10の頂部と銅箔7とを強固に密着させるためで
ある。図9の状態では、各凸状体10が、スズめっき2
を介して銅箔7と接触しており、かつ、ニッケルめっき
3を介して銅めっき5(基層導体層)と接触している。
すなわち各凸状体10は、銅めっき5(基層導体層)と
銅箔7(上層)との間の層間接続構造をなしている。そ
の後、銅めっき5(基層導体層)と銅箔7(上層)とに
それぞれ、適宜のパターニングを施せばよい。
Subsequently, the copper foil 7 is combined with the one shown in FIG. 7 so that the top of each convex body 10 comes into contact with the copper foil 7 via the tin plating 2 (FIG. 8). Then, this is pressed to obtain the state shown in FIG. The pressing at this time is set to about 390 N / cm 2 which is higher than the normal pressing pressure. This is because the top of each convex body 10 and the copper foil 7 are firmly adhered to each other. In the state of FIG. 9, each convex body 10 is made of tin plating 2
And copper foil 5 (base conductor layer) via nickel plating 3.
That is, each convex body 10 has an interlayer connection structure between the copper plating 5 (base layer conductor layer) and the copper foil 7 (upper layer). Thereafter, the copper plating 5 (base conductor layer) and the copper foil 7 (upper layer) may be appropriately patterned.

【0016】この構造では、層間接続箇所の導電経路が
下から、ニッケルめっき3、凸状体10、そしてスズめ
っき2により構成されている。この導電経路には、導電
ペーストにより構成される部分は含まれていない。ま
た、スズめっき2と銅箔7との間に接着層6が残留して
いない。すなわちそのほとんどがソリッドな金属により
構成されている。したがって、そのビア抵抗は著しく低
い。また、層間接続の構成のためのパターニングは、図
2の上側のスズめっき2を形成するためのマスクレジス
ト1回のみで済む。ビアホールめっきのような複雑な工
程もない。よって生産性にも優れる。このことは高い集
積度の実現にも寄与する。さらに、図5の状態のものま
たは図9の状態のもの(凸状体10の配置は標準的なも
のとする)をストックしておいて、受注次第でその後の
プロセス(銅めっき5(下層)および銅箔7(上層)の
パターニングを含む)に供することもできる。そこで、
図5の状態のものを「接続材」と呼ぶことができる。
In this structure, the conductive path of the interlayer connection portion is formed by nickel plating 3, convex body 10, and tin plating 2 from below. The conductive path does not include a portion made of the conductive paste. Further, the adhesive layer 6 does not remain between the tin plating 2 and the copper foil 7. That is, most of them are made of solid metal. Therefore, its via resistance is extremely low. In addition, patterning for the configuration of interlayer connection requires only one mask resist for forming the tin plating 2 on the upper side in FIG. There is no complicated process such as via hole plating. Therefore, it is also excellent in productivity. This also contributes to achieving a high degree of integration. Further, the one in the state of FIG. 5 or the one in the state of FIG. 9 (the arrangement of the convex bodies 10 is standard) is stocked, and the subsequent process (copper plating 5 (lower layer)) is performed depending on the order. And patterning of the copper foil 7 (upper layer). Therefore,
The state shown in FIG. 5 can be referred to as a “connecting material”.

【0017】続いて、変形例を説明する。上記における
変形例として、配線板内の層間接続でなく、配線板とI
Cチップ等の実装部品との接続に応用する例が挙げられ
る。すなわち、図10に示すように、図9の状態のもの
の上に実装部品9を組み合わせ、各凸状体10の頂部が
スズめっき2を介して実装部品9のパッドと接する状態
とする。そしてこれをプレスして、各凸状体10の頂部
と実装部品9のパッドとが密着する状態とする。その際
のプレスは、上記と同様、通常のプレス圧より高めの3
90N/cm2 程度とする。プレス後の状態では、各凸
状体10が、スズめっき2を介して実装部品9のパッド
と強固に密着しており、かつ、ニッケルめっき3を介し
て銅めっき5(基層導体層)と接触している。すなわち
各凸状体10は、銅めっき5(基層導体層)と実装部品
9との間の相互接続構造をなしている。その後、銅めっ
き5(基層導体層)に適宜のパターニングを施せばよ
い。
Next, a modified example will be described. As a modification of the above, not the interlayer connection in the wiring board, but the wiring board and I
An example of application to connection with a mounting component such as a C chip is given. That is, as shown in FIG. 10, the mounting component 9 is combined with the component in the state of FIG. Then, this is pressed so that the top of each convex body 10 and the pad of the mounting component 9 are in close contact with each other. The press at that time is, as described above, 3 presses higher than the normal press pressure.
It is about 90 N / cm 2 . In the state after pressing, each convex body 10 is firmly adhered to the pad of the mounting component 9 via the tin plating 2 and is in contact with the copper plating 5 (base conductor layer) via the nickel plating 3. are doing. That is, each convex body 10 forms an interconnection structure between the copper plating 5 (base conductor layer) and the mounting component 9. Thereafter, the copper plating 5 (base conductor layer) may be appropriately patterned.

【0018】以上詳細に説明したように本実施の形態で
は、出発材料である銅箔1(主導体層)の片面全面にニ
ッケルめっき3を形成するとともにその反対側の面にパ
ターン付きのスズめっき2を形成し、ニッケルめっき3
の表面に銅めっき5(基層導体層)を形成することとし
ている。そして、スズめっき2をエッチングマスクとし
て銅箔1をエッチングして離散的な凸状体10となし、
凸状体10をエッチングマスクとしてニッケルめっき3
をエッチングすることとしている。これにより、接続箇
所の導電経路のほとんどがソリッドな金属(銅箔1な
ど)により構成された接続材を得ている。次いで、凸状
体10に接着層6を貫通させ、スズめっき2の表面部分
をライトエッチングすることとしている。そして、上層
(銅箔7)または実装部品9をプレスすることにより、
接続構造を得ている。このため、上層(銅箔7)または
実装部品9に直接接触するスズめっき2の上に、接着層
6が残留することがない。すなわち、導通経路中には絶
縁成分がほとんど含まれないのである。かくして、導通
箇所の抵抗が著しく低く、集積度や生産性にも優れた接
続構造の製造方法が実現されている。
As described in detail above, in the present embodiment, nickel plating 3 is formed on one entire surface of copper foil 1 (main conductor layer) as a starting material, and tin plating with a pattern is formed on the opposite surface. 2 and nickel plating 3
Is formed with copper plating 5 (base conductor layer). Then, the copper foil 1 is etched using the tin plating 2 as an etching mask to form a discrete convex body 10,
Nickel plating 3 using convex body 10 as an etching mask
Is to be etched. As a result, a connection material is obtained in which most of the conductive paths at the connection points are made of a solid metal (such as the copper foil 1). Next, the adhesive layer 6 is penetrated through the convex body 10, and the surface of the tin plating 2 is lightly etched. Then, by pressing the upper layer (copper foil 7) or the mounting component 9,
Connection structure has been obtained. Therefore, the adhesive layer 6 does not remain on the upper layer (copper foil 7) or the tin plating 2 that directly contacts the mounted component 9. That is, the conduction path contains almost no insulating component. Thus, a method of manufacturing a connection structure having extremely low resistance at the conductive portion and having excellent integration and productivity has been realized.

【0019】なお、本実施の形態は単なる例示にすぎ
ず、本発明を何ら限定するものではない。したがって本
発明は当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改
良、変形が可能である。例えば、本実施の形態では、主
導体層(銅箔1、凸状体10)および基層導体層(銅箔
5)を銅で構成し、パターンめっきをスズで構成し、全
面めっきをニッケルで構成したが、これら各部の金属種
の組み合わせは、違っていてもよい。ただし、めっきに
より適切に形成できることと、互いに選択的にエッチン
グ可能であることが条件である。例としては、スズめっ
き2の代わりにハンダめっきを用いることが挙げられ
る。
The present embodiment is merely an example, and does not limit the present invention. Therefore, naturally, the present invention can be variously modified and modified without departing from the gist thereof. For example, in the present embodiment, the main conductor layer (copper foil 1, convex body 10) and the base conductor layer (copper foil 5) are made of copper, the pattern plating is made of tin, and the entire plating is made of nickel. However, the combination of the metal types of these parts may be different. However, it is a condition that they can be appropriately formed by plating and that they can be selectively etched. As an example, use of solder plating instead of tin plating 2 can be cited.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、集積密度や生産性が高くかつ接続抵抗がきわめ
て低い層間接続等を実現するための接続構造の製造方法
が提供されている。
As is apparent from the above description, according to the present invention, there is provided a method of manufacturing a connection structure for realizing an interlayer connection having a high integration density and a high productivity and a very low connection resistance. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施の形態に係る接続構造の製造の出発材であ
る銅箔を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a copper foil as a starting material for manufacturing a connection structure according to an embodiment.

【図2】図1の銅箔にパターンスズめっきおよび全面ニ
ッケルめっきを施した状態を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state where pattern tin plating and nickel plating are applied to the entire surface of the copper foil of FIG. 1;

【図3】図2の状態の下面に全面銅めっきを施した状態
を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state where the entire lower surface in the state of FIG. 2 is plated with copper;

【図4】図3の状態に対し、銅箔をエッチングして離散
的な凸状体をなさしめた状態を示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which copper foil is etched to form discrete convex bodies in the state of FIG. 3;

【図5】図4の状態における全面ニッケルめっきのうち
露出している部分をエッチングした状態を示す断面図で
ある。
5 is a cross-sectional view showing a state where an exposed portion of the entire surface nickel plating in the state of FIG. 4 is etched.

【図6】図5の状態に対し、接着層を組み合わせた状態
を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a state where an adhesive layer is combined with the state of FIG. 5;

【図7】図6の状態における凸状体の上に位置するスズ
めっきをエッチングした状態を示す断面図である。
7 is a cross-sectional view showing a state in which tin plating located on the convex body in the state of FIG. 6 is etched.

【図8】図7の状態に対し銅箔を組み合わせた状態を示
す断面図である。
8 is a cross-sectional view showing a state where a copper foil is combined with the state shown in FIG. 7;

【図9】図8の状態のものをプレスして層間接続構造と
した状態を示す断面図である。
9 is a cross-sectional view showing a state in which the structure shown in FIG. 8 is pressed to form an interlayer connection structure.

【図10】図7の状態に対し実装部品を組み合わせる状
況を示す断面図である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a situation where mounting components are combined with the state of FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 銅箔(主導体層) 2 スズめっき(第1めっき層) 3 ニッケルめっき(第2めっき層) 4 金めっき(第1めっき層) 5 銅めっき(基層導体層) 7 銅箔(被接続物) 9 実装部品(被接続物) 10 凸状体 Reference Signs List 1 copper foil (main conductor layer) 2 tin plating (first plating layer) 3 nickel plating (second plating layer) 4 gold plating (first plating layer) 5 copper plating (base conductor layer) 7 copper foil (connection object) 9) mounted component (connected object) 10 convex body

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 主導体層の一面にパターン状に前記主導
体層とは材質が異なる第1めっき層を形成し、 前記主導体層の他面全体に、前記主導体層とも前記第1
めっき層とも材質が異なる第2めっき層を形成し、 前記第2めっき層の他面全体に前記第2めっき層とは材
質が異なる基層導体層を形成し、 前記第1めっき層をマスクとして前記主導体層をエッチ
ングして離散的な凸状部をなさしめ、 前記凸状部に樹脂層を貫通させてから前記第1めっき層
の表面部分をエッチングした後に、 前記第1めっき層側の面に被接続物を配置して、前記凸
状部の頂部が前記第1めっき層を介して被接続物に接触
する状態とし、前記凸状部により被接続物と前記基層導
体層とを接続していることを特徴とする接続構造の製造
方法。
A first plating layer having a material different from that of the main conductor layer is formed in a pattern on one surface of the main conductor layer;
Forming a second plating layer having a different material from the plating layer; forming a base conductor layer having a different material from the second plating layer on the entire other surface of the second plating layer; The main conductor layer is etched to form discrete convex portions, and after the resin layer is penetrated through the convex portions, the surface portion of the first plating layer is etched, and then the surface on the first plating layer side is formed. The object to be connected is arranged so that the top of the convex portion is in contact with the object to be connected via the first plating layer, and the object and the base conductor layer are connected by the convex portion. A method for manufacturing a connection structure, comprising:
【請求項2】 請求項1に記載する製造方法において、 前記主導体層をエッチングした後で前記主導体層をマス
クとして前記第2めっき層をエッチングし、その際前記
第1めっき層を残すことを特徴とする製造方法。
2. The manufacturing method according to claim 1, wherein the second plating layer is etched using the main conductor layer as a mask after the main conductor layer is etched, and the first plating layer is left at that time. The manufacturing method characterized by the above-mentioned.
JP2000371109A 2000-12-06 2000-12-06 Method of manufacturing connecting structure Withdrawn JP2002176255A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000371109A JP2002176255A (en) 2000-12-06 2000-12-06 Method of manufacturing connecting structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000371109A JP2002176255A (en) 2000-12-06 2000-12-06 Method of manufacturing connecting structure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002176255A true JP2002176255A (en) 2002-06-21

Family

ID=18840886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000371109A Withdrawn JP2002176255A (en) 2000-12-06 2000-12-06 Method of manufacturing connecting structure

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002176255A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5438478A (en) Electronic component carriers and method of producing the same as well as electronic devices
JP4322402B2 (en) Printed wiring board and manufacturing method thereof
JP2011501410A (en) Robust multilayer wiring elements and assembly with embedded microelectronic elements
JP3988227B2 (en) Manufacturing method of semiconductor chip mounting substrate and semiconductor device
US8042724B2 (en) Method for electrically connecting to a contact of a microelectronic component on a circuit board or substrate
JPH1032224A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JP2000114681A (en) Printed wiring board and its manufacture
KR100582145B1 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2008166464A (en) Wiring substrate and manufacturing method thereof
KR20090101404A (en) Method of manufacturing coreless printed circuit board
JP4476473B2 (en) CONNECTION MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CONNECTION STRUCTURE MANUFACTURING METHOD
JP4476474B2 (en) CONNECTION MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CONNECTION STRUCTURE MANUFACTURING METHOD
JP2002176255A (en) Method of manufacturing connecting structure
JP4433531B2 (en) Method for manufacturing printed circuit board with conductive bump
JP2002176257A (en) Method of manufacturing connecting structure
JP4161463B2 (en) Chip carrier manufacturing method
JP2002134188A (en) Connection material, connection structure and method for manufacturing them
JP4330855B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP2002134189A (en) Connection material, connection structure and method for manufacturing them
JP2002134187A (en) Connection material, connection structure and method for manufacturing them
JP3993047B2 (en) Wiring board manufacturing method, wiring board
JP4788654B2 (en) Wiring board manufacturing method
JPH10340925A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JP2954559B2 (en) Wiring board electrode structure
JP2699514B2 (en) Method for manufacturing double-sided wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071115

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20100825