JP4476473B2 - CONNECTION MATERIAL, ITS MANUFACTURING METHOD, AND CONNECTION STRUCTURE MANUFACTURING METHOD - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線板における層間の接続もしくは配線板と実装部品との接続を行うための接続材もしくは接続構造およびそれらの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から、配線板においては導体層と導体層との間の電気的接続をとる層間接続構造が随所に形成される。配線板にはまた、実装部品との間の接続構造も適宜形成される。これらの接続構造を、高密度かつ高生産性をもって実現する手法として、「新層間接続法による高密度プリント配線板の開発」(回路実装学会誌Vol.11、No.2、pp106-112(1996)) に記載されたものが挙げられる。そこには、銅スルーホールめっき法による層間接続技術に代わる接続方法として、印刷技術により導電ペーストを用いて導電性バンプを形成する技術が紹介されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記した従来の技術による接続構造には、次のような問題点があった。すなわちこの技術では、基本的に導電ペーストを用いて接続構造を形成するので、導電経路をなすバンプの導電率がさほど高くなく、接続抵抗が無視できなかった。このため、接続の信頼性に不安があり、また、大電流用途には使いにくかった。
【0004】
本発明は、前記した従来の技術による接続構造が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは、集積密度や生産性が高くかつ接続抵抗がきわめて低い層間接続等を実現するための接続材、およびその接続構造、さらにはそれらの製造方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この課題の解決を目的としてなされた本発明の接続材は、基層導体層と、基層導体層の上に存在する主導体層と、主導体層の上にパターン状に存在するとともに主導体層とは材質が異なる第1めっき層とを有し、主導体層が前記第1めっき層をマスクとしてエッチングされて離散的な凸状部をなしており、第1めっき層は上に凸となるように湾曲しているものである。
【0006】
本発明の接続材においては、基層導体層と主導体層との間に位置するとともにそれらとは材質が異なる第2めっき層を有し、第2めっき層の形成時の厚さが第1めっき層の形成時の厚さより薄く、主導体層がエッチングされている箇所では第2めっき層もエッチングされていることが望ましい。
【0007】
本発明の接続材は、主導体層の一面にパターン状に主導体層とは材質が異なる第1めっき層を形成し、主導体層の他面全体に基層導体層を形成し、第1めっき層をマスクとして主導体層をエッチングして離散的な凸状部をなさしめ、第1めっき層を上方から圧迫して上に凸となるように湾曲させることにより製造される。
【0008】
また、主導体層の一面にパターン状に主導体層とは材質が異なる第1めっき層を形成し、主導体層の他面全体に基層導体層を形成し、第1めっき層をマスクとして主導体層をエッチングして離散的な凸状部をなさしめ、第1めっき層を上方から圧迫して上に凸となるように湾曲させ、第1めっき層側の面に被接続物を配置して、凸状部の頂部が第1めっき層を介して被接続物に接触する状態とし、凸状部により被接続物と基層導体層とを接続すれば、本発明の接続材を利用した接続構造が得られる。
【0009】
ここにおいて、主導体層の他面全体に、主導体層とも基層導体層とも材質が異なり第1めっき層より薄い第2めっき層を形成してから基層導体層を形成し、主導体層をエッチングした後で主導体層(凸状部)をマスクとして第2めっき層をエッチングし、その際第1めっき層を残すことが望ましい。
【0010】
本発明では、「凸状部」が接続の導通経路を構成している。そして凸状部は、「主導体層」がエッチングされた残りである。よって、主導体層を銅箔のような金属性の素材で形成しておくことにより、ペースト等の絶縁成分を含むものと比較してはるかに低抵抗な接続構造、およびその接続構造を形成するための接続材が得られる。また、フォトリソグラフィ等によるパターンマスク形成が、第1めっき層形成時の1回だけで済むので、生産性も高い。
【0011】
ここで、本発明の接続材を利用して低抵抗な接続構造を形成する際には、接続材の上方から樹脂(接着層)を押し付け、凸状部に樹脂を貫通させた後に被接続物を接続材に接着することになる。そして、凸状部に樹脂を貫通させた後に第1めっき層の上(凸状部の頂部)に樹脂が残留してしまう。そこで、本発明では、凸状部の上に存在する第1めっき層が上に凸となるように湾曲させている。そのため、樹脂を貫通させやすく、また第1めっき層に残留する樹脂の量も減少する。さらに、被接続物を接続材に接着する際に行うプレスにより、第1めっき層上に存在する残留樹脂が周囲に逃がされる。従って、接続材に被接続物を接着させた後には、第1めっき層上には残留樹脂が存在しない。すなわち、接続の導通経路中には絶縁成分を含むものがほとんど存在しない。これにより、非常に低い抵抗の接続構造が得られる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した実施の形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【0013】
まず、本実施の形態に係る接続構造を製造するための出発状態を説明する。本実施の形態に係る接続構造は、100μm程度の厚さの銅箔を出発材料として製造される(図1)。この銅箔1は、主導体層である。最初に、銅箔1に対し、両面にニッケルめっきを施す(図2)。その際、図中上側の面(以下、上面という)のニッケルめっき2は厚さ5μmのパターンめっきとし、図中下側の面(以下、下面という)のニッケルめっき3は厚さ3μmの全面めっきとする。上側のパターン付きのニッケルめっき2の形成は、一旦全面めっきしてパターンエッチングする方法でもよいが、あらかじめネガパターンのマスクレジストを形成しておいて、マスクレジストのない箇所にのみめっきを形成する方法の方がよい。続く金めっきの際にそのマスクレジストをそのまま使えるからである。いずれの場合でも、両面のめっき層の厚さの差は、両面それぞれの電流密度をコントロールすることにより、容易に実現できる。
【0014】
次に、パターン付きのニッケルめっき2の表面上に、金めっき4を形成する(図3)。その際、ニッケルめっき2の形成の際のマスクレジストをそのまま使えばよい。なお、下面には全面マスクを形成しておく。金めっき4の厚さは、1μmもあれば十分である。続いて、下面の全面マスクを除去し、代わりに上面に全面マスクを形成する。この状態で、下面全面に厚さ20μm程度の銅めっき5を形成する(図4)。この銅めっき5は、基層導体層である。この状態では、銅箔1(主導体層)と銅めっき5(基層導体層)との間にニッケルめっき3が位置している。
【0015】
次に、上面のマスクレジストをすべて除去し、下面に再び全面マスクを形成する。この状態で、アルカリエッチング液によりエッチングする。すると、主導体層である銅箔1のみがエッチングされる。その際、金めっき4およびニッケルめっき2がエッチングマスクとして作用する。よって銅箔1は、金めっき4およびニッケルめっき2のない箇所のみがエッチングされ、離散的な凸状体10となる(図5)。このとき、エッチングマスクとして作用しているのが金属めっき(ニッケルめっき2および金めっき4)であるため、樹脂系のレジストマスクに比べて銅箔1に対する密着力が強い。このため、エッチング中の液圧(スプレー圧)で剥離することがない。よって、金めっき4およびニッケルめっき2のパターンに忠実なパターンの凸状体10が確実に形成される。
【0016】
続いて、硝酸系エッチング液(はんだ剥離液等)によりエッチングする。すると、銅はエッチングされずニッケルのみがエッチングされる。このエッチングは、厚さ3μmのニッケルめっき3が溶ける程度のクイックエッチングとする。このとき、凸状体10がエッチングマスクとして作用するので、凸状体10のない箇所で銅めっき5が上方に向けて露出した状態となる(図6)。この状態では、ニッケルめっき3は凸状体10の下にのみ存在している。また、この状態では、上方のニッケルめっき2は、下面が若干削られてはいるものの、大部分は残っている。これは、エッチング時間が短いこと、ニッケルめっき2はもともとニッケルめっき3より厚いこと、そして、ニッケルめっき2の上面が金めっき4により保護されていることによる。
【0017】
そして、ニッケルめっき2と金めっき4とを上方から圧迫する。この際、若干クッション性のある部材を押しつければよい。すると、ニッケルめっき2と金めっき4が上に凸となるように湾曲する(図7)。このようにニッケルめっき2と金めっき4が湾曲するのは、図6に示すように、凸状体10の頂部における面積よりもニッケルめっき2(金めっき4)の面積の方が少し大きいからである。なお、本実施の形態では、図6の状態のものを上方から圧迫しているが、図5の状態のものを上方から圧迫してから、硝酸系エッチング液によるエッチングを行い、図7の状態のものを得るようにしてもよい。
【0018】
次に、接着層を組み合わせる。すなわち、図6の状態のものの各凸状体10の上方から接着層を押し付け、凸状体10が接着層6を貫通する状態とする(図8)。ここで、凸状体10の頂部、正確には金めっき4とニッケルめっき2が、上に凸となるように湾曲している。このため、接着層6を貫通させやすい。また、金めっき4の上に残留する接着層6の量も少ない。なお、接着層6としては、ガラスクロスプリプレグ、不織布プリプレグ、樹脂シート等のいずれでも使用可能である。あるいは、液状樹脂を塗布してもよい。図8の状態では、凸状体10の上のニッケルめっき2および金めっき4が、接着層6の上部に顔を出している。
【0019】
続いて、図8の状態のものの上に銅箔7を組み合わせ、各凸状体10の頂部がニッケルめっき2および金めっき4を介して銅箔7と接する状態とする(図9)。この状態では、金めっき4と銅箔7との間に接着層6が若干残っている。そしてこれをプレスして、図10の状態とする。その際のプレスは、通常のプレス圧より高めの390N/cm2 程度とする。各凸状体10の頂部と銅箔7とを強固に密着させるためである。図10の状態では、各凸状体10が、ニッケルめっき2および金めっき4を介して銅箔7と接触しており、かつ、ニッケルめっき3を介して銅めっき5(基層導体層)と接触している。すなわち各凸状体10は、銅めっき5(基層導体層)と銅箔7(上層)との間の層間接続構造をなしている。
【0020】
また、図9の状態において金めっき4と銅箔7との間に残留していた接着層6は、プレスにより周囲に逃がされる。凸状体10の上のニッケルめっき2および金めっき4が湾曲しているからである。従って、図10の状態では、金めっき4と銅箔7との間に接着層6が介在していない。そしてその後、銅めっき5(基層導体層)と銅箔7(上層)とにそれぞれ、適宜のパターニングを施せばよい。
【0021】
なお、図8の状態において、凸状体10の頂部をエッチングすることにより、金めっき4の上に残留している接着層6を除去するようにしてもよい。これにより、図10の状態において、金めっき4と銅箔7との間に接着層6が確実に介在しなくなるからである。
【0022】
この構造では、層間接続箇所の導電経路が下から、ニッケルめっき3、凸状体10、ニッケルめっき2、そして金めっき4により構成されている。この導電経路には、導電ペーストにより構成される部分は含まれていない。また、金めっき4と銅箔7との間に接着層6が残留していない。すなわちそのほとんどがソリッドな金属により構成されている。したがって、そのビア抵抗は著しく低い。また、層間接続の構成のためのパターニングは、図2の上側のニッケルめっき2を形成するためのマスクレジスト1回のみで済む。ビアホールめっきのような複雑な工程もない。よって生産性にも優れる。このことは高い集積度の実現にも寄与する。さらに、図7の状態のものまたは図10の状態のもの(凸状体10の配置は標準的なものとする)をストックしておいて、受注次第でその後のプロセス(銅めっき5(下層)および銅箔7(上層)のパターニングを含む)に供することもできる。そこで、図7の状態のものを「接続材」と呼ぶことができる。
【0023】
続いて、変形例を説明する。上記における第1の変形例として、製造プロセス中の図7から図10に至る範囲を別の方法で製造する例が挙げられる。すなわち、図11に示すように、図7の状態のものの各凸状体10の上方に樹脂付き銅箔8を配置し、プレスするのである。樹脂付き銅箔8は、当然ながら、銅箔81が図中上方となり樹脂層82が各凸状体10に対面するように配置する。プレスは、上記と同様、通常のプレス圧より高めの390N/cm2 程度とする。これにより、各凸状体10が樹脂層82を突き破って銅箔81に接触し、各凸状体10の頂部が、ニッケルめっき2および金めっき4を介して銅箔81と強固に密着する状態となる。すなわち、図10と同様の状態が得られる。
【0024】
次に第2の変形例として、配線板内の層間接続でなく、配線板とICチップ等の実装部品との接続に応用する例が挙げられる。すなわち、図12に示すように、図8の状態のものの上に実装部品9を組み合わせ、各凸状体10の頂部がニッケルめっき2および金めっき4を介して実装部品9のパッドと接する状態とする。そしてこれをプレスして、各凸状体10の頂部と実装部品9のパッドとが密着する状態とする。その際のプレスは、上記と同様、通常のプレス圧より高めの390N/cm2 程度とする。プレス後の状態では、各凸状体10が、ニッケルめっき2および金めっき4を介して実装部品9のパッドと強固に密着しており、かつ、ニッケルめっき3を介して銅めっき5(基層導体層)と接触している。すなわち各凸状体10は、銅めっき5(基層導体層)と実装部品9との間の相互接続構造をなしている。その後、銅めっき5(基層導体層)に適宜のパターニングを施せばよい。
【0025】
以上詳細に説明したように本実施の形態では、出発材料である銅箔1(主導体層)の片面全面にニッケルめっき3を形成するとともにその反対側の面にパターン付きのニッケルめっき2をより厚く形成し、ニッケルめっき2の表面上に金めっき4を形成し、ニッケルめっき3の表面に銅めっき5(基層導体層)を形成することとしている。そして、金めっき4およびニッケルめっき2をエッチングマスクとして銅箔1をエッチングして離散的な凸状体10となし、凸状体10をエッチングマスクとしてニッケルめっき3をエッチングすることとしている。さらに、ニッケルめっき2と金めっき4とを圧迫して上に凸となるように湾曲させている。
【0026】
これにより、接続箇所の導電経路のほとんどがソリッドな金属(銅箔1など)により構成された接続材を得ている。また、その接続材に上層(銅箔7)または実装部品9をプレスすることにより、接続構造を得ている。そして、上層(銅箔7)または実装部品9に直接接触する金めっき4の上に、接着層6が残留しない。すなわち、導電経路中に絶縁成分がほとんど含まれないのである。かくして、導通箇所の抵抗が著しく低く、集積度や生産性にも優れた接続材、接続構造、およびそれらの製造方法が実現されている。
【0027】
なお、本実施の形態は単なる例示にすぎず、本発明を何ら限定するものではない。したがって本発明は当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。例えば、全面ニッケルめっき3をもっと厚く形成するとともに、銅めっき5をなくし、図6のニッケルエッチングをしないこととしてもよい。この場合には、ニッケルめっき3が主導体層を成すこととなる。また、ニッケルめっき2とニッケルめっき3との厚さの差がもっと大きくし、金めっき4なしとすることも考えられる。あるいは、本実施の形態では、主導体層(銅箔1、凸状体10)および基層導体層(銅箔5)を銅で構成し、パターンめっきおよび全面めっきをニッケルで構成したが、これらの金属種の組み合わせは、違っていてもよい。ただし、めっきにより適切に形成できることと、互いに選択的にエッチング可能であることが条件である。
【0028】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように本発明によれば、集積密度や生産性が高くかつ接続抵抗がきわめて低い層間接続等を実現するための接続材、およびその接続構造、さらにはそれらの製造方法が提供されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態に係る接続構造の製造の出発材である銅箔を示す断面図である。
【図2】図1の銅箔にパターンニッケルめっきおよび全面ニッケルめっきを施した状態を示す断面図である。
【図3】図2のパターンニッケルめっき上に金めっきを施した状態を示す断面図である。
【図4】図3の状態の下面に全面銅めっきを施した状態を示す断面図である。
【図5】図4の状態に対し、銅箔をエッチングして離散的な凸状体をなさしめた状態を示す断面図である。
【図6】図5の状態における全面ニッケルめっきのうち露出している部分をエッチングした状態を示す断面図である。
【図7】図6の状態のものを上方から圧迫してニッケルめっき(金めっき)を湾曲させた状態を示す断面図である。
【図8】図7の状態に対し、接着層を組み合わせた状態を示す断面図である。
【図9】図8の状態に対し銅箔を組み合わせた状態を示す断面図である。
【図10】図9の状態のものをプレスして層間接続構造とした状態を示す断面図である。
【図11】図7の状態に対し、樹脂付き銅箔を組み合わせる状況を示す断面図である。
【図12】図8の状態に対し実装部品を組み合わせる状況を示す断面図である。
【符号の説明】
1 銅箔(主導体層)
2 ニッケルめっき(第1めっき層)
3 ニッケルめっき(第2めっき層)
4 金めっき(第1めっき層)
5 銅めっき(基層導体層)
7 銅箔(被接続物)
9 実装部品(被接続物)
10 凸状体[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a connection material or a connection structure for connecting between layers in a wiring board or connecting a wiring board and a mounting component, and a method of manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in a wiring board, an interlayer connection structure that takes electrical connection between conductor layers is formed everywhere. The wiring board is also appropriately formed with a connection structure between the mounted components. As a technique to realize these connection structures with high density and high productivity, "Development of high-density printed wiring board by a new interlayer connection method" (Journal of Circuit Packaging Vol.11, No.2, pp106-112 (1996) )). There, a technique for forming conductive bumps using a conductive paste by a printing technique is introduced as an alternative to an interlayer connection technique using a copper through-hole plating method.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, the connection structure according to the conventional technique has the following problems. That is, in this technique, since the connection structure is basically formed using a conductive paste, the conductivity of the bumps forming the conductive path is not so high, and the connection resistance cannot be ignored. For this reason, there was concern about the reliability of the connection, and it was difficult to use for high current applications.
[0004]
The present invention has been made to solve the problems of the connection structure according to the prior art described above. That is, the problem is to provide a connection material for realizing interlayer connection and the like having high integration density and high productivity and extremely low connection resistance, a connection structure thereof, and a manufacturing method thereof.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The connection material of the present invention made for the purpose of solving this problem includes a base conductor layer, a main conductor layer present on the base conductor layer, a pattern on the main conductor layer, and a main conductor layer. Has a first plating layer of different material, the main conductor layer is etched using the first plating layer as a mask to form discrete convex portions, and the first plating layer is convex upward Is curved.
[0006]
The connecting material of the present invention has a second plating layer that is located between the base layer conductor layer and the main conductor layer and is made of a different material, and the thickness when the second plating layer is formed is the first plating. It is desirable that the second plating layer is also etched at a location that is thinner than the thickness at the time of layer formation and where the main conductor layer is etched.
[0007]
In the connecting material of the present invention, a first plating layer made of a different material from the main conductor layer is formed in a pattern on one surface of the main conductor layer, a base layer conductor layer is formed on the entire other surface of the main conductor layer, and the first plating is performed. The main conductor layer is etched using the layer as a mask to form discrete convex portions, and the first plating layer is pressed from above and curved so as to be convex upward.
[0008]
In addition, a first plating layer made of a material different from that of the main conductor layer is formed on one surface of the main conductor layer, a base layer conductor layer is formed on the entire other surface of the main conductor layer, and the first plating layer is used as a mask. The body layer is etched to form discrete convex portions, the first plating layer is pressed from above and curved so as to be convex upward, and an object to be connected is arranged on the surface on the first plating layer side. If the top of the convex portion is in contact with the object to be connected via the first plating layer and the object to be connected and the base conductor layer are connected by the convex portion, the connection using the connecting material of the present invention is used. A structure is obtained.
[0009]
Here, the base conductor layer is formed on the entire other surface of the main conductor layer after forming a second plating layer that is different in material from the main conductor layer and the base layer conductor layer and is thinner than the first plating layer, and etching the main conductor layer. After that, it is desirable to etch the second plating layer using the main conductor layer (convex portion) as a mask and leave the first plating layer.
[0010]
In the present invention, the “convex portion” forms a connection conduction path. The convex portion is the remaining portion of the “main conductor layer” etched. Therefore, by forming the main conductor layer from a metallic material such as copper foil, a connection structure that has a much lower resistance than that including an insulating component such as a paste, and its connection structure are formed. Connection material is obtained. Moreover, since the pattern mask formation by photolithography etc. is only required once at the time of forming the first plating layer, the productivity is high.
[0011]
Here, when a low resistance connection structure is formed using the connection material of the present invention, a resin (adhesive layer) is pressed from above the connection material and the resin is penetrated through the convex portion, and then an object to be connected Is bonded to the connecting material. Then, after the resin penetrates the convex portion, the resin remains on the first plating layer (the top of the convex portion). Therefore, in the present invention, the first plating layer existing on the convex portion is curved so as to be convex upward. Therefore, it is easy to penetrate the resin, and the amount of the resin remaining in the first plating layer is also reduced. Furthermore, the residual resin existing on the first plating layer is released to the surroundings by a press performed when the object to be connected is bonded to the connection material. Therefore, there is no residual resin on the first plating layer after the object to be connected is bonded to the connecting material. That is, there is almost no insulating component in the conduction path of the connection. As a result, a connection structure having a very low resistance can be obtained.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[0013]
First, a starting state for manufacturing the connection structure according to the present embodiment will be described. The connection structure according to the present embodiment is manufactured using a copper foil having a thickness of about 100 μm as a starting material (FIG. 1). This
[0014]
Next, the
[0015]
Next, all the mask resist on the upper surface is removed, and a full mask is formed again on the lower surface. In this state, etching is performed with an alkaline etchant. Then, only the
[0016]
Subsequently, etching is performed with a nitric acid-based etchant (such as a solder stripper). Then, copper is not etched and only nickel is etched. This etching is a quick etching to the extent that the
[0017]
Then, the
[0018]
Next, the adhesive layer is combined. That is, the adhesive layer is pressed from above the
[0019]
Then, the
[0020]
In addition, the
[0021]
In the state of FIG. 8, the
[0022]
In this structure, the conductive path of the interlayer connection portion is composed of nickel plating 3,
[0023]
Subsequently, a modification will be described. As a first modification of the above, there is an example in which the range from FIG. 7 to FIG. 10 in the manufacturing process is manufactured by another method. That is, as shown in FIG. 11, the
[0024]
Next, as a second modification, there is an example applied to the connection between the wiring board and a mounting component such as an IC chip, instead of the interlayer connection in the wiring board. That is, as shown in FIG. 12, the mounting
[0025]
As described above in detail, in the present embodiment, the
[0026]
As a result, a connection material is obtained in which most of the conductive paths at the connection locations are made of solid metal (such as copper foil 1). Moreover, the connection structure is obtained by pressing the upper layer (copper foil 7) or the mounting
[0027]
In addition, this Embodiment is only a mere illustration and does not limit this invention at all. Therefore, the present invention can be variously improved and modified without departing from the scope of the invention. For example, the entire surface nickel plating 3 may be formed thicker, the
[0028]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the present invention, there are provided a connection material for realizing interlayer connection and the like having high integration density and high productivity and extremely low connection resistance, a connection structure thereof, and a manufacturing method thereof. Is provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a copper foil which is a starting material for manufacturing a connection structure according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view showing a state in which pattern nickel plating and whole surface nickel plating are applied to the copper foil of FIG. 1. FIG.
3 is a cross-sectional view showing a state in which gold plating is applied on the pattern nickel plating of FIG. 2; FIG.
4 is a cross-sectional view showing a state in which the entire surface of the lower surface in FIG. 3 is plated with copper.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which a copper foil is etched to form discrete convex bodies with respect to the state of FIG.
6 is a cross-sectional view showing a state where an exposed portion of the entire surface nickel plating in the state of FIG. 5 is etched.
7 is a cross-sectional view showing a state in which nickel plating (gold plating) is curved by pressing the state in FIG. 6 from above. FIG.
8 is a cross-sectional view showing a state where an adhesive layer is combined with the state of FIG.
9 is a cross-sectional view showing a state in which a copper foil is combined with the state of FIG.
10 is a cross-sectional view showing a state in which the structure shown in FIG. 9 is pressed to form an interlayer connection structure.
11 is a cross-sectional view showing a situation where a resin-coated copper foil is combined with the state of FIG.
12 is a cross-sectional view showing a state in which mounted components are combined with the state of FIG.
[Explanation of symbols]
1 Copper foil (main conductor layer)
2 Nickel plating (first plating layer)
3 Nickel plating (second plating layer)
4 Gold plating (first plating layer)
5 Copper plating (base conductor layer)
7 Copper foil (connected object)
9 Mounting parts (connected objects)
10 Convex body
Claims (5)
前記基層導体層の上に存在する主導体層と、
前記主導体層の上にパターン状に存在するとともに前記主導体層とは材質が異なる第1めっき層とを有し、
前記主導体層が前記第1めっき層をマスクとしてエッチングされて離散的な凸状部をなしており、
前記第1めっき層は上に凸となるように湾曲していることを特徴とする接続材。A base conductor layer;
A main conductor layer present on the base conductor layer;
A first plating layer that is present in a pattern on the main conductor layer and has a different material from the main conductor layer,
The main conductor layer is etched using the first plating layer as a mask to form discrete convex portions,
The connecting material, wherein the first plating layer is curved so as to be convex upward.
前記基層導体層と前記主導体層との間に位置するとともにそれらとは材質が異なる第2めっき層を有し、
前記第2めっき層の形成時の厚さが前記第1めっき層の形成時の厚さより薄く、前記主導体層がエッチングされている箇所では前記第2めっき層もエッチングされていることを特徴とする接続材。In the connecting material according to claim 1,
A second plating layer that is located between the base conductor layer and the main conductor layer and has a different material from them,
The thickness at the time of forming the second plating layer is smaller than the thickness at the time of forming the first plating layer, and the second plating layer is also etched at a location where the main conductor layer is etched. Connecting material to be used.
前記主導体層の他面全体に基層導体層を形成し、
前記第1めっき層をマスクとして前記主導体層をエッチングして離散的な凸状部をなさしめ、
前記第1めっき層を上方から圧迫して上に凸となるように湾曲させることを特徴とする接続材の製造方法。Forming a first plating layer made of a material different from the main conductor layer in a pattern on one surface of the main conductor layer;
Forming a base conductor layer on the entire other surface of the main conductor layer;
Etching the main conductor layer using the first plating layer as a mask to form discrete convex portions,
A method for manufacturing a connecting material, wherein the first plating layer is pressed from above and curved so as to be convex upward.
前記主導体層の他面全体に基層導体層を形成し、
前記第1めっき層をマスクとして前記主導体層をエッチングして離散的な凸状部をなさしめ、
前記第1めっき層を上方から圧迫して上に凸となるように湾曲させ、
前記第1めっき層側の面に被接続物を配置して、前記凸状部の頂部が前記第1めっき層を介して被接続物に接触する状態とし、前記凸状部により被接続物と前記基層導体層とを接続していることを特徴とする接続構造の製造方法。Forming a first plating layer made of a material different from the main conductor layer in a pattern on one surface of the main conductor layer;
Forming a base conductor layer on the entire other surface of the main conductor layer;
Etching the main conductor layer using the first plating layer as a mask to form discrete convex portions,
The first plating layer is pressed from above and curved to be convex upward,
An object to be connected is disposed on the surface on the first plating layer side so that the top of the convex portion is in contact with the object to be connected via the first plating layer, and the object to be connected is formed by the convex portion. A manufacturing method of a connection structure, wherein the base conductor layer is connected.
前記主導体層の他面全体に、前記主導体層とも前記基層導体層とも材質が異なり前記第1めっき層より薄い第2めっき層を形成してから前記基層導体層を形成し、
前記主導体層をエッチングした後で前記主導体層をマスクとして前記第2めっき層をエッチングし、その際前記第1めっき層を残すことを特徴とする製造方法。In the manufacturing method of Claim 3 or Claim 4,
The base conductor layer is formed on the entire other surface of the main conductor layer after forming a second plating layer that is different in material from the main conductor layer and the base layer conductor layer and is thinner than the first plating layer,
After the main conductor layer is etched, the second plating layer is etched using the main conductor layer as a mask, and the first plating layer is left at that time.
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