JP2002167667A - ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを用いて形成した遮光膜 - Google Patents
ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを用いて形成した遮光膜Info
- Publication number
- JP2002167667A JP2002167667A JP2000359191A JP2000359191A JP2002167667A JP 2002167667 A JP2002167667 A JP 2002167667A JP 2000359191 A JP2000359191 A JP 2000359191A JP 2000359191 A JP2000359191 A JP 2000359191A JP 2002167667 A JP2002167667 A JP 2002167667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding film
- sputtering target
- light
- black matrix
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】液晶ディスプレーなどのカラーパネルを作製す
る工程で積層させるブラックマトリックス用遮光膜を形
成するためのスパッタリングターゲットおよびそのスパ
ッタリングターゲットを用いて形成した遮光膜を提供す
る。 【解決手段】（ａ）Ｍｏ：１０〜３０％およびＮｂ：４
〜２０％を複合して含有し、残りがＮｉおよび不可避不
純物からなる組成を有するＮｉ基合金、（ｂ）前記Ｎｉ
基合金にさらにＴｉ：１〜５％、Ｆｅ：１〜５％の内の
１種または２種を添加した組成を有するＮｉ基合金、
（ｃ）前記（ａ）または（ｂ）に記載のＮｉ基合金に、
さらにＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜
１０％を複合添加した組成を有するＮｉ基合金、からな
るスパッタリングターゲット、およびこれらスパッタリ
ングターゲットを用いて形成した遮光膜。
る工程で積層させるブラックマトリックス用遮光膜を形
成するためのスパッタリングターゲットおよびそのスパ
ッタリングターゲットを用いて形成した遮光膜を提供す
る。 【解決手段】（ａ）Ｍｏ：１０〜３０％およびＮｂ：４
〜２０％を複合して含有し、残りがＮｉおよび不可避不
純物からなる組成を有するＮｉ基合金、（ｂ）前記Ｎｉ
基合金にさらにＴｉ：１〜５％、Ｆｅ：１〜５％の内の
１種または２種を添加した組成を有するＮｉ基合金、
（ｃ）前記（ａ）または（ｂ）に記載のＮｉ基合金に、
さらにＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜
１０％を複合添加した組成を有するＮｉ基合金、からな
るスパッタリングターゲット、およびこれらスパッタリ
ングターゲットを用いて形成した遮光膜。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶ディスプレ
ーなどのカラーパネルを作製する工程で積層させるブラ
ックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリ
ングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを
用いて形成した遮光膜に関するものである。
ーなどのカラーパネルを作製する工程で積層させるブラ
ックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリ
ングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを
用いて形成した遮光膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶ディスプレーに使用するカ
ラーパネルには、ガラス板や透明樹脂板などからなる透
明板の上に赤、青、緑の３原色カラーフィルターと、こ
の３原色の色画素間を仕切るための格子状にパターニン
グされたブラックマトリックスが形成されており、この
ブラックマトリックスはカラーフィルターの３原色の色
画素を区切り、３原色の混合を防止して画像の高コント
ラスト化および高品位画質化を図る役目を担っている。
前記ブラックマトリックスは、蒸着またはスパッタリン
グにより形成された遮光膜の上にフォトリゾグラフィに
よりレジストパターンを形成し、次いでこれをマスクと
してエッチングすることにより微小開口部分を有する格
子状パターン膜とすることにより作製する。前述のよう
に、ブラックマトリックスは遮光膜をパターンエッチン
グすることにより形成されるが、遮光膜の特性として最
も重要な特性は、パターンエッチングが可能であるとと
もに耐食性を有すること、および光源からの必要のない
光を十分に遮蔽することができる遮光性を有することで
ある。
ラーパネルには、ガラス板や透明樹脂板などからなる透
明板の上に赤、青、緑の３原色カラーフィルターと、こ
の３原色の色画素間を仕切るための格子状にパターニン
グされたブラックマトリックスが形成されており、この
ブラックマトリックスはカラーフィルターの３原色の色
画素を区切り、３原色の混合を防止して画像の高コント
ラスト化および高品位画質化を図る役目を担っている。
前記ブラックマトリックスは、蒸着またはスパッタリン
グにより形成された遮光膜の上にフォトリゾグラフィに
よりレジストパターンを形成し、次いでこれをマスクと
してエッチングすることにより微小開口部分を有する格
子状パターン膜とすることにより作製する。前述のよう
に、ブラックマトリックスは遮光膜をパターンエッチン
グすることにより形成されるが、遮光膜の特性として最
も重要な特性は、パターンエッチングが可能であるとと
もに耐食性を有すること、および光源からの必要のない
光を十分に遮蔽することができる遮光性を有することで
ある。
【０００３】このブラックマトリックスの格子状パター
ン膜により区切られた微小開口部分にオフセット印刷な
どにより赤、青、緑の３原色カラーフィルター層を形成
し、さらにこのカラーフィルター層およびブラックマト
リックスの上にトップコート層を形成し、さらにこのト
ップコート層の上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）など
の透明電極膜を形成してカラーパネルが作製される。
ン膜により区切られた微小開口部分にオフセット印刷な
どにより赤、青、緑の３原色カラーフィルター層を形成
し、さらにこのカラーフィルター層およびブラックマト
リックスの上にトップコート層を形成し、さらにこのト
ップコート層の上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）など
の透明電極膜を形成してカラーパネルが作製される。
【０００４】前記ブラックマトリックスを形成するため
の遮光膜の反射率が高いと外部からの反射光が表示画像
のコントラストを低下させるので、画像を一層見やすく
するために透明板と遮光膜の間にＣｒＯ，ＣｒＮなどの
化合物薄膜からなる低反射膜を形成することがある。ブ
ラックマトリックスを形成するための遮光膜としては従
来は金属ＣｒまたはＣｒ基合金の蒸着膜またはスパッタ
リング膜が使用されており、この金属ＣｒまたはＣｒ基
合金からなる遮光膜は、優れた耐食性および遮光性を有
している。
の遮光膜の反射率が高いと外部からの反射光が表示画像
のコントラストを低下させるので、画像を一層見やすく
するために透明板と遮光膜の間にＣｒＯ，ＣｒＮなどの
化合物薄膜からなる低反射膜を形成することがある。ブ
ラックマトリックスを形成するための遮光膜としては従
来は金属ＣｒまたはＣｒ基合金の蒸着膜またはスパッタ
リング膜が使用されており、この金属ＣｒまたはＣｒ基
合金からなる遮光膜は、優れた耐食性および遮光性を有
している。
【０００５】ところが、金属ＣｒまたはＣｒ基合金から
なる遮光膜は、エッチングして格子状パター膜を形成す
る際に有害な６価クロムが発生し、この６価クロムは処
理がなされずに外部に流出すると、環境問題に発展す
る。そのため、近年、ブラックマトリックスを形成する
ための遮光膜としてＮｉまたはＣｒを含まないＮｉ基合
金からなる薄膜が使用されている。前記Ｃｒを含まない
Ｎｉ基合金からなる薄膜として、Ｍｏ：１５〜７５原子
％を含有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からなる組
成のＮｉ基合金遮光膜（特開平１０−３０１４９９号公
報参照）、ＮｉにＭｏ：５〜３０原子％、Ｔｉ：７〜１
５原子％を含有する組成のＮｉ基合金からなる遮光膜
（特開平１１−１１９６７６号公報参照）などが提案さ
れており、これら遮光膜はいずれもスパッタリングター
ゲットを用いて形成されることが知られている。
なる遮光膜は、エッチングして格子状パター膜を形成す
る際に有害な６価クロムが発生し、この６価クロムは処
理がなされずに外部に流出すると、環境問題に発展す
る。そのため、近年、ブラックマトリックスを形成する
ための遮光膜としてＮｉまたはＣｒを含まないＮｉ基合
金からなる薄膜が使用されている。前記Ｃｒを含まない
Ｎｉ基合金からなる薄膜として、Ｍｏ：１５〜７５原子
％を含有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からなる組
成のＮｉ基合金遮光膜（特開平１０−３０１４９９号公
報参照）、ＮｉにＭｏ：５〜３０原子％、Ｔｉ：７〜１
５原子％を含有する組成のＮｉ基合金からなる遮光膜
（特開平１１−１１９６７６号公報参照）などが提案さ
れており、これら遮光膜はいずれもスパッタリングター
ゲットを用いて形成されることが知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来のス
パッタリングターゲットを用いて形成されるＮｉ基合金
からなる薄膜は遮光性が十分でなく、またＩＴＯ洗浄液
に対する耐食性も十分なものではなかった。
パッタリングターゲットを用いて形成されるＮｉ基合金
からなる薄膜は遮光性が十分でなく、またＩＴＯ洗浄液
に対する耐食性も十分なものではなかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
一層エッチング性および耐食性に優れ、さらに一層遮光
性に優れたブラックマトリックスを形成するための遮光
膜を得るべく研究を行った結果、（ａ）質量％で（以下
％は質量％を示す）、Ｍｏ：１０〜３０％およびＮｂ：
４〜２０％を複合して含有し、残りがＮｉおよび不可避
不純物からなる組成を有するＮｉ基合金からなるスパッ
タリングターゲットを作製し、このスパッタリングター
ゲットを用いて得られた遮光膜は、従来の遮光膜よりも
一層遮光性に優れる、（ｂ）前記（ａ）に記載のＮｉ基
合金にさらにＴｉ：１〜５％を添加した組成を有するＮ
ｉ基合金からなるスパッタリングターゲットは、組織が
一層微細化され、このスパッタリングターゲットを用い
て得られた遮光膜は、従来の遮光膜よりも均一な膜が得
られる、（ｃ）前記（ａ）に記載のＮｉ基合金にさらに
Ｆｅ：１〜５％を添加した組成を有するＮｉ基合金から
なるスパッタリングターゲットを用いて得られた遮光膜
は、従来の遮光膜よりもパターンエッチング性が一層向
上する、（ｄ）前記（ａ）、（ｂ）または（ｃ）に記載
のＮｉ基合金に、さらにＣｕおよびＶの内の１種または
２種を合計で１〜１０％を複合添加した組成を有するＮ
ｉ基合金からなるスパッタリングターゲットを作製し、
このスパッタリングターゲットを用いて得られた遮光膜
は、パターンエッチング性が一層向上する、などという
研究結果が得られたのである。
一層エッチング性および耐食性に優れ、さらに一層遮光
性に優れたブラックマトリックスを形成するための遮光
膜を得るべく研究を行った結果、（ａ）質量％で（以下
％は質量％を示す）、Ｍｏ：１０〜３０％およびＮｂ：
４〜２０％を複合して含有し、残りがＮｉおよび不可避
不純物からなる組成を有するＮｉ基合金からなるスパッ
タリングターゲットを作製し、このスパッタリングター
ゲットを用いて得られた遮光膜は、従来の遮光膜よりも
一層遮光性に優れる、（ｂ）前記（ａ）に記載のＮｉ基
合金にさらにＴｉ：１〜５％を添加した組成を有するＮ
ｉ基合金からなるスパッタリングターゲットは、組織が
一層微細化され、このスパッタリングターゲットを用い
て得られた遮光膜は、従来の遮光膜よりも均一な膜が得
られる、（ｃ）前記（ａ）に記載のＮｉ基合金にさらに
Ｆｅ：１〜５％を添加した組成を有するＮｉ基合金から
なるスパッタリングターゲットを用いて得られた遮光膜
は、従来の遮光膜よりもパターンエッチング性が一層向
上する、（ｄ）前記（ａ）、（ｂ）または（ｃ）に記載
のＮｉ基合金に、さらにＣｕおよびＶの内の１種または
２種を合計で１〜１０％を複合添加した組成を有するＮ
ｉ基合金からなるスパッタリングターゲットを作製し、
このスパッタリングターゲットを用いて得られた遮光膜
は、パターンエッチング性が一層向上する、などという
研究結果が得られたのである。
【０００８】この発明は、かかる研究結果に基づいて成
されたものであって、（１）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎ
ｂ：４〜２０％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純
物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光膜
を形成するためのスパッタリングターゲット、（２）Ｍ
ｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を含有し、さらに
Ｔｉ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純
物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光膜
を形成するためのスパッタリングターゲット、（３）Ｍ
ｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を含有し、さらに
Ｆｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純
物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光膜
を形成するためのスパッタリングターゲット、（４）Ｍ
ｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を含有し、さらに
Ｔｉ：１〜５％、Ｆｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉ
および不可避不純物からなる組成を有するブラックマト
リックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングター
ゲット、（５）前記（１）、（２）、（３）または
（４）記載のスパッタリングターゲットに、さらにＣｕ
およびＶの内の１種または２種を合計で１〜１０％を含
有させたブラックマトリックス用遮光膜を形成するため
のスパッタリングターゲット、に特徴を有するものであ
る。
されたものであって、（１）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎ
ｂ：４〜２０％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純
物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光膜
を形成するためのスパッタリングターゲット、（２）Ｍ
ｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を含有し、さらに
Ｔｉ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純
物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光膜
を形成するためのスパッタリングターゲット、（３）Ｍ
ｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を含有し、さらに
Ｆｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純
物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光膜
を形成するためのスパッタリングターゲット、（４）Ｍ
ｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を含有し、さらに
Ｔｉ：１〜５％、Ｆｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉ
および不可避不純物からなる組成を有するブラックマト
リックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングター
ゲット、（５）前記（１）、（２）、（３）または
（４）記載のスパッタリングターゲットに、さらにＣｕ
およびＶの内の１種または２種を合計で１〜１０％を含
有させたブラックマトリックス用遮光膜を形成するため
のスパッタリングターゲット、に特徴を有するものであ
る。
【０００９】前記スパッタリングターゲットを製造する
には、まず、前記（１）〜（５）記載の成分組成を有す
るＮｉ基合金インゴットを作製し、このインゴットを１
０００〜１２３０℃で熱間一次塑性加工してスラブを作
製し、さらにこのスラブを９００〜１２００℃で熱間二
次塑性加工して板を作製し、この板を機械加工すること
により製造する。
には、まず、前記（１）〜（５）記載の成分組成を有す
るＮｉ基合金インゴットを作製し、このインゴットを１
０００〜１２３０℃で熱間一次塑性加工してスラブを作
製し、さらにこのスラブを９００〜１２００℃で熱間二
次塑性加工して板を作製し、この板を機械加工すること
により製造する。
【００１０】さらにこの発明は、前記（１）〜（５）記
載のスパッタリングターゲットを用いて形成したブラッ
クマトリックス用遮光膜をも含むものである。したがっ
て、この発明は、（６）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜
２０％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からな
る組成を有するブラックマトリックス用遮光膜、（７）
Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を含有し、さら
にＴｉ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不
純物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光
膜、（８）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を含
有し、さらにＦｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよ
び不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリッ
クス用遮光膜、（９）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜
２０％を含有し、さらにＴｉ：１〜５％、Ｆｅ：１〜５
％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組
成を有するブラックマトリックス用遮光膜、（10）前記
（６）、（７）、（８）または（９）記載の遮光膜に、
さらにＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜
１０％を含有させた組成を有するブラックマトリックス
用遮光膜、に特徴を有するものである。
載のスパッタリングターゲットを用いて形成したブラッ
クマトリックス用遮光膜をも含むものである。したがっ
て、この発明は、（６）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜
２０％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からな
る組成を有するブラックマトリックス用遮光膜、（７）
Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を含有し、さら
にＴｉ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不
純物からなる組成を有するブラックマトリックス用遮光
膜、（８）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を含
有し、さらにＦｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉおよ
び不可避不純物からなる組成を有するブラックマトリッ
クス用遮光膜、（９）Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜
２０％を含有し、さらにＴｉ：１〜５％、Ｆｅ：１〜５
％を含有し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組
成を有するブラックマトリックス用遮光膜、（10）前記
（６）、（７）、（８）または（９）記載の遮光膜に、
さらにＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜
１０％を含有させた組成を有するブラックマトリックス
用遮光膜、に特徴を有するものである。
【００１１】この発明のブラックマトリックス用遮光膜
を形成するためのスパッタリングターゲットおよびその
スパッタリングターゲットを用いて形成した遮光膜の成
分組成を前記のごとく限定した理由を説明する。 Ｍｏ：Ｎｉ基合金からなるスパッタリングターゲットに
含まれるＭｏは、Ｎｉの磁性を低下させてマグネトロン
スパッタリング速度を増す作用があり、さらに得られた
遮光膜の耐食性を向上させるとともに遮光性を一段と向
上させる作用を有するが、Ｍｏの含有量が１０％未満で
は所定の効果が得られないので好ましくなく、一方、Ｍ
ｏが３０％を越えて含有しても格別な耐食性向上および
磁性減少効果が得られない。したがってこの発明のブラ
ックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリ
ングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを
用いて形成した遮光膜に含まれるＭｏは１０〜３０％に
定めた。Ｍｏの含有量の一層好ましい範囲は１１〜２４
％であり、さらに一層好ましい範囲は１２〜１８％であ
る。
を形成するためのスパッタリングターゲットおよびその
スパッタリングターゲットを用いて形成した遮光膜の成
分組成を前記のごとく限定した理由を説明する。 Ｍｏ：Ｎｉ基合金からなるスパッタリングターゲットに
含まれるＭｏは、Ｎｉの磁性を低下させてマグネトロン
スパッタリング速度を増す作用があり、さらに得られた
遮光膜の耐食性を向上させるとともに遮光性を一段と向
上させる作用を有するが、Ｍｏの含有量が１０％未満で
は所定の効果が得られないので好ましくなく、一方、Ｍ
ｏが３０％を越えて含有しても格別な耐食性向上および
磁性減少効果が得られない。したがってこの発明のブラ
ックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリ
ングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを
用いて形成した遮光膜に含まれるＭｏは１０〜３０％に
定めた。Ｍｏの含有量の一層好ましい範囲は１１〜２４
％であり、さらに一層好ましい範囲は１２〜１８％であ
る。
【００１２】Ｎｂ：ＮｂはＭｏと共にＮｉ基合金に含有
させることによりスパッタリングして得られた遮光膜の
耐食性および遮光性を向上させる作用を有するが、Ｎｂ
の含有量が４％未満では十分な耐食性および遮光性が得
られないので好ましくなく、一方、Ｎｂが２０％を越え
て含有すると耐食性が良くなりすぎてエッチングによる
格子状パターンを形成できなくなるので好ましくない。
したがってＮｂの含有量を４〜２０％に定めた。Ｎｂの
含有量の一層好ましい範囲は６〜１７％であり、さらに
一層好ましい範囲は８〜１２％である。
させることによりスパッタリングして得られた遮光膜の
耐食性および遮光性を向上させる作用を有するが、Ｎｂ
の含有量が４％未満では十分な耐食性および遮光性が得
られないので好ましくなく、一方、Ｎｂが２０％を越え
て含有すると耐食性が良くなりすぎてエッチングによる
格子状パターンを形成できなくなるので好ましくない。
したがってＮｂの含有量を４〜２０％に定めた。Ｎｂの
含有量の一層好ましい範囲は６〜１７％であり、さらに
一層好ましい範囲は８〜１２％である。
【００１３】Ｔｉ：Ｔｉはターゲットの組織を微細化
し、この微細化した組織を有するターゲットを用いて成
膜すると均質な遮光膜が得られるところから添加され
る。しかし、Ｔｉの含有量が１％未満では所望の効果が
得られず、一方、５％を越えて添加するとターゲット作製
時の加工性が低下するので好ましくない。したがって、
Ｔｉの含有量を１〜５％に定めた。Ｔｉ含有量の一層好
ましい範囲は２〜４％である。
し、この微細化した組織を有するターゲットを用いて成
膜すると均質な遮光膜が得られるところから添加され
る。しかし、Ｔｉの含有量が１％未満では所望の効果が
得られず、一方、５％を越えて添加するとターゲット作製
時の加工性が低下するので好ましくない。したがって、
Ｔｉの含有量を１〜５％に定めた。Ｔｉ含有量の一層好
ましい範囲は２〜４％である。
【００１４】Ｆｅ：Ｆｅはスパッタリングにより得られ
た遮光膜のパターンエッチング性を良くするために添加
される。しかし、Ｆｅの含有量が１％未満では所望の効
果が得られず、一方、５％を越えて添加すると遮光膜の耐
食性が低下するので好ましくない。したがって、Ｆｅの
含有量を１〜５％に定めた。Ｆｅ含有量の一層好ましい
範囲は２〜４％である。
た遮光膜のパターンエッチング性を良くするために添加
される。しかし、Ｆｅの含有量が１％未満では所望の効
果が得られず、一方、５％を越えて添加すると遮光膜の耐
食性が低下するので好ましくない。したがって、Ｆｅの
含有量を１〜５％に定めた。Ｆｅ含有量の一層好ましい
範囲は２〜４％である。
【００１５】Ｃｕ，Ｖ：これら成分は、遮光膜のパター
ンエッチングにおけるエッチング性を向上させるために
必要に応じて添加するが、その添加量はＣｕおよびＶの
内の１種または２種を合計で１％未満では所望の作用が
得られないので好ましくなく、一方、１０％を越えて含
有すると耐食性が低下するので好ましくない。したがっ
て、ＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜１
０％（一層好ましくは２〜５％）に定めた。
ンエッチングにおけるエッチング性を向上させるために
必要に応じて添加するが、その添加量はＣｕおよびＶの
内の１種または２種を合計で１％未満では所望の作用が
得られないので好ましくなく、一方、１０％を越えて含
有すると耐食性が低下するので好ましくない。したがっ
て、ＣｕおよびＶの内の１種または２種を合計で１〜１
０％（一層好ましくは２〜５％）に定めた。
【００１６】
【発明の実施の形態】表１〜２に示される成分組成を有
し、直径：１８０ｍｍの寸法を有するＮｉ基合金インゴ
ットを作製し、これらＮｉ基合金インゴットを１２５０
℃、４時間保持することにより均質化処理し、この均質
化処理したインゴットを１２００℃で熱間一次鍛造する
ことにより厚さ：２５ｍｍのスラブを作製し、次いでこ
れらスラブを１１８０℃で熱間二次鍛造することにより
厚さ：７ｍｍの板を作製し、この板を機械加工すること
により直径：１５０ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する
本発明ターゲット１〜２２、比較ターゲット１〜２およ
び従来ターゲット１〜２を作製した。
し、直径：１８０ｍｍの寸法を有するＮｉ基合金インゴ
ットを作製し、これらＮｉ基合金インゴットを１２５０
℃、４時間保持することにより均質化処理し、この均質
化処理したインゴットを１２００℃で熱間一次鍛造する
ことにより厚さ：２５ｍｍのスラブを作製し、次いでこ
れらスラブを１１８０℃で熱間二次鍛造することにより
厚さ：７ｍｍの板を作製し、この板を機械加工すること
により直径：１５０ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する
本発明ターゲット１〜２２、比較ターゲット１〜２およ
び従来ターゲット１〜２を作製した。
【００１７】これらターゲットをＤＣマグネトロンスパ
ッタリング装置に設置し、コーニング社製の＃７０５９
ガラス基板表面にいずれも膜厚：約１１０ｎｍを有し、
本発明ターゲット１〜２２、比較ターゲット１〜２およ
び従来ターゲット１〜２の成分組成と同じ成分組成を有
する遮光膜を形成した。このようにして得られた遮光膜
について、下記の透過試験および腐食試験を行った。
ッタリング装置に設置し、コーニング社製の＃７０５９
ガラス基板表面にいずれも膜厚：約１１０ｎｍを有し、
本発明ターゲット１〜２２、比較ターゲット１〜２およ
び従来ターゲット１〜２の成分組成と同じ成分組成を有
する遮光膜を形成した。このようにして得られた遮光膜
について、下記の透過試験および腐食試験を行った。
【００１８】（イ）透過試験 入射光の強度Ｉおよび透過光の強度Ｉ0を測定して透過
率Ｉ／Ｉ0を求め、−ｌｏｇ（Ｉ／Ｉ0）で定義する値
（オプティカルデンシティ値、以下これをＯＤ値とい
う）を求め、その結果を表１〜２に示した。
率Ｉ／Ｉ0を求め、−ｌｏｇ（Ｉ／Ｉ0）で定義する値
（オプティカルデンシティ値、以下これをＯＤ値とい
う）を求め、その結果を表１〜２に示した。
【００１９】（ロ）腐食試験 試験液として、ＩＴＯ洗浄液に相当する１２質量％ＫＯ
Ｈの水酸化カリウム水溶液および酸性溶液として９質量
％ＨＣｌの塩酸水溶液を用意し、これら水酸化カリウム
水溶液および塩酸水溶液それぞれに１５分間浸漬し、浸
漬前後における遮光膜の膜厚変化量を測定し、その結果
を表１〜２に示して耐食性を評価した。膜厚の変化量が
多いほど腐食により膜厚が減少し、耐食性が劣るという
評価が得られることになる。
Ｈの水酸化カリウム水溶液および酸性溶液として９質量
％ＨＣｌの塩酸水溶液を用意し、これら水酸化カリウム
水溶液および塩酸水溶液それぞれに１５分間浸漬し、浸
漬前後における遮光膜の膜厚変化量を測定し、その結果
を表１〜２に示して耐食性を評価した。膜厚の変化量が
多いほど腐食により膜厚が減少し、耐食性が劣るという
評価が得られることになる。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【発明の効果】表１〜２に示された結果から、本発明タ
ーゲット１〜２２を用いてスパッタリングすることによ
り形成した遮光膜は、比較ターゲット１〜２および従来
ターゲット１〜２を用いてスパッタリングすることによ
り形成した遮光膜に比べて、膜厚変化量が小さいところ
から耐食性に優れ、さらにＯＤ値が高いところから遮光
性が優れていることが分かる。したがって、この発明は
液晶パネルの品質の向上を行うことができ、ディスプレ
ー産業の発展に大いに貢献し得るものである。
ーゲット１〜２２を用いてスパッタリングすることによ
り形成した遮光膜は、比較ターゲット１〜２および従来
ターゲット１〜２を用いてスパッタリングすることによ
り形成した遮光膜に比べて、膜厚変化量が小さいところ
から耐食性に優れ、さらにＯＤ値が高いところから遮光
性が優れていることが分かる。したがって、この発明は
液晶パネルの品質の向上を行うことができ、ディスプレ
ー産業の発展に大いに貢献し得るものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 克生 埼玉県大宮市北袋町１−297 三菱マテリ アル株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 2H042 AA09 AA15 AA26 2H048 BA11 BB01 BB42 4K029 AA09 AA24 BA02 BA11 BA12 BA25 CA05 DC04 DC08 DC39
Claims (6)
- 【請求項１】質量％で（以下％は質量％を示す）、Ｍ
ｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を含有し、残りが
Ｎｉおよび不可避不純物からなる組成を有することを特
徴とするブラックマトリックス用遮光膜を形成するため
のスパッタリングターゲット。 - 【請求項２】Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を
含有し、さらにＴｉ：１〜５％を含有し、残りがＮｉお
よび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とす
るブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパ
ッタリングターゲット。 - 【請求項３】Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を
含有し、さらにＦｅ：１〜５％を含有し、残りがＮｉお
よび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とす
るブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパ
ッタリングターゲット。 - 【請求項４】Ｍｏ：１０〜３０％、Ｎｂ：４〜２０％を
含有し、さらにＴｉ：１〜５％、Ｆｅ：１〜５％を含有
し、残りがＮｉおよび不可避不純物からなる組成を有す
ることを特徴とするブラックマトリックス用遮光膜を形
成するためのスパッタリングターゲット。 - 【請求項５】さらに、ＣｕおよびＶの内の１種または２
種を合計で１〜１０％を含有することを特徴とする請求
項１、２、３または４記載のブラックマトリックス用遮
光膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 【請求項６】前記請求項１、２、３、４または５記載の
スパッタリングターゲットを使用して作製したブラック
マトリックス用遮光膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000359191A JP4419037B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000359191A JP4419037B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002167667A true JP2002167667A (ja) | 2002-06-11 |
| JP4419037B2 JP4419037B2 (ja) | 2010-02-24 |
Family
ID=18830988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000359191A Expired - Fee Related JP4419037B2 (ja) | 2000-11-27 | 2000-11-27 | ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4419037B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006162942A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Ulvac Seimaku Kk | ブランクス及びその形成方法、並びに該ブランクスを用いたブラックマトリックス及びその形成方法、 |
| JP2007031832A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-02-08 | Hitachi Metals Ltd | 冷陰極放電管電極用合金 |
| JP2007101848A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 濃色隔画壁の形成方法、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに表示装置 |
| JP2010132974A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Nippon Steel Materials Co Ltd | Ｎｉ−Ｍｏ系合金スパッタリングターゲット板 |
| JP2014208887A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-11-06 | 日立金属株式会社 | 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 |
| CN106062241A (zh) * | 2014-06-27 | 2016-10-26 | 三菱综合材料株式会社 | 溅射靶、光学功能膜及层叠配线膜 |
-
2000
- 2000-11-27 JP JP2000359191A patent/JP4419037B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006162942A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Ulvac Seimaku Kk | ブランクス及びその形成方法、並びに該ブランクスを用いたブラックマトリックス及びその形成方法、 |
| JP2007031832A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-02-08 | Hitachi Metals Ltd | 冷陰極放電管電極用合金 |
| JP2007101848A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 濃色隔画壁の形成方法、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに表示装置 |
| JP2010132974A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-17 | Nippon Steel Materials Co Ltd | Ｎｉ−Ｍｏ系合金スパッタリングターゲット板 |
| JP2014208887A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-11-06 | 日立金属株式会社 | 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材 |
| CN106062241A (zh) * | 2014-06-27 | 2016-10-26 | 三菱综合材料株式会社 | 溅射靶、光学功能膜及层叠配线膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4419037B2 (ja) | 2010-02-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2372044A (en) | Functional film with concentration gradient | |
| GB2135697A (en) | Thermally insulating glazing | |
| US20090051860A1 (en) | Blank, black matrix, and color filter | |
| DE112011103399T5 (de) | Silizium-Titanoxid Beschichtung, beschichteter Gegenstand beinhaltend eine Silizium-Titanoxid Beschichtung, und Verfahren zum Herstellen derselben | |
| KR20080016949A (ko) | 그레이톤 마스크용 블랭크스와 이것을 사용한 그레이톤마스크 및 그 제조방법 | |
| DE10152411A1 (de) | Filmschicht mit bestimmten optischen und elektrischen Eigenschaften | |
| JP2002167667A (ja) | ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを用いて形成した遮光膜 | |
| DE10152410A1 (de) | Filmschicht mit bestimmten optischen und elektrischen Eigenschaften | |
| JP2002167666A (ja) | ブラックマトリックス用遮光膜を形成するためのスパッタリングターゲットおよびそのスパッタリングターゲットを用いて形成した遮光膜 | |
| JP4569016B2 (ja) | 液晶表示装置用ブラックマトリクスおよびカラーフィルタ | |
| JPH10301499A (ja) | ブランクス又はブラックマトリクス及びこれらの製造方法 | |
| JP4071849B2 (ja) | ブランクス及びブラックマトリクス | |
| TW538421B (en) | CRT panel glass and production method thereof and CRT | |
| JPH063506B2 (ja) | カラー液晶表示用透明基板 | |
| JP2001311812A (ja) | ブラックマトリックスを形成するための遮光膜および遮光膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2001305311A (ja) | ブラックマトリックスを形成するための遮光膜および遮光膜形成用スパッタリングターゲット | |
| KR100497628B1 (ko) | 반사율이낮은박막기판 | |
| JPH11119007A (ja) | ブランクス及びブラックマトリクス | |
| JP2000214309A (ja) | ブラックマトリックス薄膜付き基板、カラ―フィルタ基板、ブラックマトリックス薄膜形成用タ―ゲットおよび基板の製造方法 | |
| JP2001356204A (ja) | ブラックマトリックスを形成するための遮光膜および遮光膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2000121825A (ja) | 遮光層付き基板、その製造方法並びにスパッタターゲット、カラーフィルタ基板、及び表示素子 | |
| JP4009086B2 (ja) | スパッタリングターゲット、遮光膜、カラーフィルタ及び表示素子体 | |
| JP2001305334A (ja) | ブラックマトリックスを形成するための遮光膜および遮光膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2001311805A (ja) | ブラックマトリックスを形成するための遮光膜および遮光膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JP2001342561A (ja) | Ｎｉ−Ｗ系スパッタリングターゲット及びこれを用いたブラックマトリックス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060331 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081008 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081010 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081203 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091105 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091118 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121211 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131211 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |