JP2001342561A - Ｎｉ−Ｗ系スパッタリングターゲット及びこれを用いたブラックマトリックス - Google Patents
Ｎｉ−Ｗ系スパッタリングターゲット及びこれを用いたブラックマトリックスInfo
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- JP2001342561A JP2001342561A JP2000163967A JP2000163967A JP2001342561A JP 2001342561 A JP2001342561 A JP 2001342561A JP 2000163967 A JP2000163967 A JP 2000163967A JP 2000163967 A JP2000163967 A JP 2000163967A JP 2001342561 A JP2001342561 A JP 2001342561A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 環境汚染の原因となるＣｒを含まず、レジス
ト濡れ性及び耐食性に優れた薄膜を形成できるスパッタ
リングターゲット、及びこれを用いてスパッタリングに
より形成される薄膜部材、特にブラックマトリックスを
提供する。 【解決手段】 スパッタリングターゲットは、Ｗを５〜
３０重量％と、Ａｌ及びＴｉの少なくとも１種を合計で
０.１〜１０重量％含み、残部が実質的にＮｉであるＮ
ｉ基合金からなる。このターゲットを用いたスパッタリ
ングにより、基材上に所定形状で上記組成を有する薄膜
を備えた薄膜部材を作製でき、特にガラス基板上に形成
された薄膜部材はブラックマトリックスとして有用であ
る。
ト濡れ性及び耐食性に優れた薄膜を形成できるスパッタ
リングターゲット、及びこれを用いてスパッタリングに
より形成される薄膜部材、特にブラックマトリックスを
提供する。 【解決手段】 スパッタリングターゲットは、Ｗを５〜
３０重量％と、Ａｌ及びＴｉの少なくとも１種を合計で
０.１〜１０重量％含み、残部が実質的にＮｉであるＮ
ｉ基合金からなる。このターゲットを用いたスパッタリ
ングにより、基材上に所定形状で上記組成を有する薄膜
を備えた薄膜部材を作製でき、特にガラス基板上に形成
された薄膜部材はブラックマトリックスとして有用であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
によって薄膜を形成する際に用いられるスパッタリング
ターゲット、及びこれを用いて形成された薄膜部材、特
にブラックマトリクスに関するものである。
によって薄膜を形成する際に用いられるスパッタリング
ターゲット、及びこれを用いて形成された薄膜部材、特
にブラックマトリクスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光学分野やマイクロエレクトロニクス分
野では、スパッタリング等により基材上に薄膜を形成し
た各種の薄膜部材が使用されている。その一つに、液晶
表示装置やプラズマディスプレイ等の表示装置に用いら
れるカラーフィルター用のブラックマトリクスがある。
野では、スパッタリング等により基材上に薄膜を形成し
た各種の薄膜部材が使用されている。その一つに、液晶
表示装置やプラズマディスプレイ等の表示装置に用いら
れるカラーフィルター用のブラックマトリクスがある。
【０００３】即ち、液晶表示装置やプラズマディスプレ
イにおいては、光源からの光の透過によりカラー表示を
可能とするカラーフィルターが使用されている。このカ
ラーフィルターは、透明なガラス基板上に着色層や透明
保護層等を形成したものであり、コントラストの向上や
混色の防止を目的として、ブラックマトリックスと呼ば
れる遮光膜が設けられている。
イにおいては、光源からの光の透過によりカラー表示を
可能とするカラーフィルターが使用されている。このカ
ラーフィルターは、透明なガラス基板上に着色層や透明
保護層等を形成したものであり、コントラストの向上や
混色の防止を目的として、ブラックマトリックスと呼ば
れる遮光膜が設けられている。
【０００４】このブラックマトリックスを製造するに
は、ガラス基板上に金属をスパッタリングして薄膜を形
成させた後、その金属薄膜上にフォトレジストを塗布
し、露光と現像を行い、金属薄膜をエッチングするフォ
トリソグラフィー法によって、所定のパターンを形成す
る方法が一般的である。カラーフィルターを作製する場
合には、このブラックマトリックスが形成されたガラス
基板上に、フォトリソグラフィー法によって着色樹脂か
らなる所定パターンの着色層を設け、更に透明保護層等
を形成すればよい。
は、ガラス基板上に金属をスパッタリングして薄膜を形
成させた後、その金属薄膜上にフォトレジストを塗布
し、露光と現像を行い、金属薄膜をエッチングするフォ
トリソグラフィー法によって、所定のパターンを形成す
る方法が一般的である。カラーフィルターを作製する場
合には、このブラックマトリックスが形成されたガラス
基板上に、フォトリソグラフィー法によって着色樹脂か
らなる所定パターンの着色層を設け、更に透明保護層等
を形成すればよい。
【０００５】かかるブラックマトリクスに要求される特
性として、光源からの光のうち必要のない部分を遮断す
る遮光性や、表示画像のコントラストを良好に保つため
に反射率が低いこと等の光学的特性と共に、耐食性及び
レジスト濡れ性がある。即ち、ブラックマトリクスに
は、その製造上からフォトレジストの濡れ性が必要であ
り、また後にフォトリソグラフィー法で着色層を形成す
る際にアルカリや酸性溶液に触れるため、ある程度の耐
食性が要求される。
性として、光源からの光のうち必要のない部分を遮断す
る遮光性や、表示画像のコントラストを良好に保つため
に反射率が低いこと等の光学的特性と共に、耐食性及び
レジスト濡れ性がある。即ち、ブラックマトリクスに
は、その製造上からフォトレジストの濡れ性が必要であ
り、また後にフォトリソグラフィー法で着色層を形成す
る際にアルカリや酸性溶液に触れるため、ある程度の耐
食性が要求される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような光学的及び
化学的特性がブラックマトリックスに要求されるため、
従来からブラックマトリックスの薄膜としてはクロム
（Ｃｒ）が使用されていた。即ち、クロムからなるスパ
ッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行った
後、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行っ
て、ガラス基板上にＣｒ薄膜を備えたブラックマトリッ
クスが形成されてきた。
化学的特性がブラックマトリックスに要求されるため、
従来からブラックマトリックスの薄膜としてはクロム
（Ｃｒ）が使用されていた。即ち、クロムからなるスパ
ッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行った
後、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行っ
て、ガラス基板上にＣｒ薄膜を備えたブラックマトリッ
クスが形成されてきた。
【０００７】クロムは、反射率が低く且つ遮光性に優れ
ているなど、ブラックマトリックスとして良好な光学的
特性を備えている。しかし、ブラックマトリックスをは
じめとする薄膜部材において、その薄膜にクロムを使用
すると、パターニング工程でのエッチング処理時に六価
クロムイオンが発生するため、環境汚染の原因となると
いう大きな問題があった。
ているなど、ブラックマトリックスとして良好な光学的
特性を備えている。しかし、ブラックマトリックスをは
じめとする薄膜部材において、その薄膜にクロムを使用
すると、パターニング工程でのエッチング処理時に六価
クロムイオンが発生するため、環境汚染の原因となると
いう大きな問題があった。
【０００８】そのため、最近では、クロムの代替品とし
てニッケル（Ｎｉ）−銅（Ｃｕ）系合金が提案されてい
るが、クロムに比べて耐食性が低下するため、後にフォ
トリソグラフィー法で着色層等を使用する場合に問題が
あった。また、ニッケル−銅系合金の組成の最適化によ
り耐食性を改善したとしても、フォトレジストの濡れ性
が悪いため、所定形状のパターン形成が難しい等の問題
があった。
てニッケル（Ｎｉ）−銅（Ｃｕ）系合金が提案されてい
るが、クロムに比べて耐食性が低下するため、後にフォ
トリソグラフィー法で着色層等を使用する場合に問題が
あった。また、ニッケル−銅系合金の組成の最適化によ
り耐食性を改善したとしても、フォトレジストの濡れ性
が悪いため、所定形状のパターン形成が難しい等の問題
があった。
【０００９】本発明は、このような従来の事情に鑑み、
環境汚染の原因となるクロムを含んでおらず、耐食性に
優れると同時にレジスト濡れ性にも優れた薄膜を形成で
きるスパッタリングターゲット、及びこれを用いてスパ
ッタリングにより形成される薄膜を備えた薄膜部材、特
にカラーフィルター用のブラックマトリックスを提供す
ることを目的とするものである。
環境汚染の原因となるクロムを含んでおらず、耐食性に
優れると同時にレジスト濡れ性にも優れた薄膜を形成で
きるスパッタリングターゲット、及びこれを用いてスパ
ッタリングにより形成される薄膜を備えた薄膜部材、特
にカラーフィルター用のブラックマトリックスを提供す
ることを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明が提供するスパッタリングターゲットは、Ｗ
を５〜３０重量％と、Ａｌ及びＴｉの少なくとも１種を
合計で０.１〜１０重量％含み、残部が実質的にＮｉで
あるＮｉ基合金からなることを特徴とする。
め、本発明が提供するスパッタリングターゲットは、Ｗ
を５〜３０重量％と、Ａｌ及びＴｉの少なくとも１種を
合計で０.１〜１０重量％含み、残部が実質的にＮｉで
あるＮｉ基合金からなることを特徴とする。
【００１１】また、本発明は、上記Ｎｉ−Ｗ系スパッタ
リングターゲットを用いてスパッタリングにより基材上
に形成された所定形状の薄膜を備える薄膜部材を提供す
るものであって、該薄膜がＷを５〜３０重量％と、Ａｌ
及びＴｉの少なくとも１種を合計で０.１〜１０重量％
含み、残部が実質的にＮｉであるＮｉ基合金からなるこ
とを特徴とする。
リングターゲットを用いてスパッタリングにより基材上
に形成された所定形状の薄膜を備える薄膜部材を提供す
るものであって、該薄膜がＷを５〜３０重量％と、Ａｌ
及びＴｉの少なくとも１種を合計で０.１〜１０重量％
含み、残部が実質的にＮｉであるＮｉ基合金からなるこ
とを特徴とする。
【００１２】更に、本発明は、ガラス基板上に形成され
た薄膜を備えるブラックマトリックスを提供するもので
あって、該薄膜がＷを５〜３０重量％と、Ａｌ及びＴｉ
の少なくとも１種を合計で０.１〜１０重量％含み、残
部が実質的にＮｉであるＮｉ基合金からなることを特徴
とする。
た薄膜を備えるブラックマトリックスを提供するもので
あって、該薄膜がＷを５〜３０重量％と、Ａｌ及びＴｉ
の少なくとも１種を合計で０.１〜１０重量％含み、残
部が実質的にＮｉであるＮｉ基合金からなることを特徴
とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明のスパッタリングターゲッ
ト、及び該ターゲットからスパッタリングにより成膜さ
れた薄膜は、ニッケル（Ｎｉ）をベースとし、タングス
テン（Ｗ）とアルミニウム（Ａｌ）及び／又はチタン
（Ｔｉ）を含有するＮｉ基合金からなり、クロム（Ｃ
ｒ）を全く含有しない。これら構成元素のうちＮｉは、
カラーフィルター用のブラックマトリックスに要求され
る光学的特性を得るために必要であると共に、基本的な
耐食性を確保するために必要な元素である。
ト、及び該ターゲットからスパッタリングにより成膜さ
れた薄膜は、ニッケル（Ｎｉ）をベースとし、タングス
テン（Ｗ）とアルミニウム（Ａｌ）及び／又はチタン
（Ｔｉ）を含有するＮｉ基合金からなり、クロム（Ｃ
ｒ）を全く含有しない。これら構成元素のうちＮｉは、
カラーフィルター用のブラックマトリックスに要求され
る光学的特性を得るために必要であると共に、基本的な
耐食性を確保するために必要な元素である。
【００１４】また、Ｗは薄膜の基本的な耐食性を更に向
上させる働きがあり、その含有量は５〜３０重量％の範
囲とする。即ち、Ｗの含有量が５重量％未満では、耐食
性が従来のＮｉ−Ｃｕ系合金と同等以下となる。Ｗの含
有量を増加させると共に薄膜の耐食性は向上するが、３
０重量％を超えるとＮｉ基合金の加工性が悪くなり、そ
の加工工程で鋳造後に熱間鍛造や冷間圧延などを施すと
割れが生じるため、スパッタリングターゲットとして加
工することが困難となってしまう。
上させる働きがあり、その含有量は５〜３０重量％の範
囲とする。即ち、Ｗの含有量が５重量％未満では、耐食
性が従来のＮｉ−Ｃｕ系合金と同等以下となる。Ｗの含
有量を増加させると共に薄膜の耐食性は向上するが、３
０重量％を超えるとＮｉ基合金の加工性が悪くなり、そ
の加工工程で鋳造後に熱間鍛造や冷間圧延などを施すと
割れが生じるため、スパッタリングターゲットとして加
工することが困難となってしまう。
【００１５】ＡｌとＴｉは共に薄膜のレジスト濡れ性を
向上させる作用があり、Ａｌ又はＴｉを単独で添加して
も良いし、ＡｌとＴｉを同時に添加することもできる。
即ち、本発明のＮｉ基合金は、Ｗ−Ａｌ−Ｎｉ合金、又
はＷ−Ｔｉ−Ｎｉ合金、若しくはＷ−Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｉ
合金のいずれかとなる。
向上させる作用があり、Ａｌ又はＴｉを単独で添加して
も良いし、ＡｌとＴｉを同時に添加することもできる。
即ち、本発明のＮｉ基合金は、Ｗ−Ａｌ−Ｎｉ合金、又
はＷ−Ｔｉ−Ｎｉ合金、若しくはＷ−Ａｌ−Ｔｉ−Ｎｉ
合金のいずれかとなる。
【００１６】本発明のＮｉ基合金中のＡｌ又はＴｉの含
有量若しくはＡｌ＋Ｔｉの含有量は、合計で０.１〜１
０重量％の範囲とする。この含有量が合計で０.１重量
％未満の場合には、得られる薄膜のレジスト濡れ性が不
十分なため、フォトリソグラフィー法によって薄膜上に
所定形状のパターンを形成することが難しくなる。一
方、この含有量が合計で１０重量％を超えると、Ｎｉ基
合金の加工性が悪くなり、熱間鍛造や冷間圧延などの加
工工程で割れが生じ、スパッタリングターゲットとして
の加工が困難となる。
有量若しくはＡｌ＋Ｔｉの含有量は、合計で０.１〜１
０重量％の範囲とする。この含有量が合計で０.１重量
％未満の場合には、得られる薄膜のレジスト濡れ性が不
十分なため、フォトリソグラフィー法によって薄膜上に
所定形状のパターンを形成することが難しくなる。一
方、この含有量が合計で１０重量％を超えると、Ｎｉ基
合金の加工性が悪くなり、熱間鍛造や冷間圧延などの加
工工程で割れが生じ、スパッタリングターゲットとして
の加工が困難となる。
【００１７】このような組成を有するＮｉ基合金からな
る本発明のスパッタリングターゲットを用いることで、
通常のスパッタリングによってガラス基板などの基材上
に薄膜を形成することができ、更にこれをフォトリソグ
ラフィー法によりパターニングして薄膜部材、特にカラ
ーフィルター用のブラックマトリックスを作製すること
ができる。
る本発明のスパッタリングターゲットを用いることで、
通常のスパッタリングによってガラス基板などの基材上
に薄膜を形成することができ、更にこれをフォトリソグ
ラフィー法によりパターニングして薄膜部材、特にカラ
ーフィルター用のブラックマトリックスを作製すること
ができる。
【００１８】特に、本発明のスパッタリングターゲット
はＣｒを含んでいないので、成膜した薄膜をパターニン
グする際のエッチング処理時に六価クロムイオンが発生
せず、環境を汚染する心配がない。また、レジスト濡れ
性に優れているため、フォトリソグラフィー法により所
定形状のパターンを正確に且つ容易に形成できる。更
に、耐食性にも優れているので、薄膜上に更にパターニ
ングを施すことが容易であり、例えばブラックマトリッ
クス上にカラーフィルター用の着色層などを支障なく形
成することができる。
はＣｒを含んでいないので、成膜した薄膜をパターニン
グする際のエッチング処理時に六価クロムイオンが発生
せず、環境を汚染する心配がない。また、レジスト濡れ
性に優れているため、フォトリソグラフィー法により所
定形状のパターンを正確に且つ容易に形成できる。更
に、耐食性にも優れているので、薄膜上に更にパターニ
ングを施すことが容易であり、例えばブラックマトリッ
クス上にカラーフィルター用の着色層などを支障なく形
成することができる。
【００１９】
【実施例】スパッタリングターゲット用の金属原料とし
て、金属Ｎｉ（電解ニッケル、純度９９.９９重量
％）、金属Ｗ（純度９９.９９重量％）、金属Ｃｕ（電
解銅、純度９９.９９重量％）、金属Ａｌ（Ａｌ地金、
純度９９％以上）、金属Ｔｉ（チタン地金、ＪＩＳ２
種）を用意し、総量が約１００ｋｇとなるように、下記
表１の各組成に調合した。また、比較試料４として、従
来のＣｕ−Ｎｉ系ターゲットの代表的な組成のものも準
備した。
て、金属Ｎｉ（電解ニッケル、純度９９.９９重量
％）、金属Ｗ（純度９９.９９重量％）、金属Ｃｕ（電
解銅、純度９９.９９重量％）、金属Ａｌ（Ａｌ地金、
純度９９％以上）、金属Ｔｉ（チタン地金、ＪＩＳ２
種）を用意し、総量が約１００ｋｇとなるように、下記
表１の各組成に調合した。また、比較試料４として、従
来のＣｕ−Ｎｉ系ターゲットの代表的な組成のものも準
備した。
【００２０】
【表１】 試料１： ５重量％Ｗ−１重量％Ａｌ−残部Ｎｉ 試料２：２０重量％Ｗ−７重量％Ａｌ−残部Ｎｉ 試料３： ５重量％Ｗ−１重量％Ｔｉ−残部Ｎｉ 試料４：２０重量％Ｗ−７重量％Ｔｉ−残部Ｎｉ 試料５： ５重量％Ｗ−０.５重量％Ａｌ−０.５重量％
Ｔｉ−残部Ｎｉ 試料６：１０重量％Ｗ−３.５重量％Ａｌ−３.５重量％
Ｔｉ−残部Ｎｉ 比較試料１： ４重量％Ｗ−０.０５重量％Ａｌ−残部
Ｎｉ 比較試料２： ４重量％Ｗ−０.０５重量％Ｔｉ−残部
Ｎｉ 比較試料３：２０重量％Ｗ−０.０５重量％（Ａｌ＋Ｔ
ｉ）−残部Ｎｉ 比較試料４：３０重量％Ｃｕ−残部Ｎｉ
Ｔｉ−残部Ｎｉ 試料６：１０重量％Ｗ−３.５重量％Ａｌ−３.５重量％
Ｔｉ−残部Ｎｉ 比較試料１： ４重量％Ｗ−０.０５重量％Ａｌ−残部
Ｎｉ 比較試料２： ４重量％Ｗ−０.０５重量％Ｔｉ−残部
Ｎｉ 比較試料３：２０重量％Ｗ−０.０５重量％（Ａｌ＋Ｔ
ｉ）−残部Ｎｉ 比較試料４：３０重量％Ｃｕ−残部Ｎｉ
【００２１】上記の各原料を、高周波溶解炉で溶解し、
金型を用いて鋳造した後、熱間鍛造、冷間圧延、熱処理
を施した。その後、それぞれ直径６インチ×厚さ５ｍｍ
の形状に切りだし、銅製のバッキングプレートにメタル
ボンディングして、上記各組成を有するスパッタリング
ターゲットを得た。次に、これらのスパッタリングター
ゲットを用いて、２０×２０×５ｍｍのガラス基板上
に、スパッタリング法によりそれぞれ厚み０.５μｍの
薄膜を形成した。
金型を用いて鋳造した後、熱間鍛造、冷間圧延、熱処理
を施した。その後、それぞれ直径６インチ×厚さ５ｍｍ
の形状に切りだし、銅製のバッキングプレートにメタル
ボンディングして、上記各組成を有するスパッタリング
ターゲットを得た。次に、これらのスパッタリングター
ゲットを用いて、２０×２０×５ｍｍのガラス基板上
に、スパッタリング法によりそれぞれ厚み０.５μｍの
薄膜を形成した。
【００２２】得られた各試料の薄膜について、その耐食
性及びレジスト濡れ性を評価した結果を下記表２に示し
た。即ち、耐食性については、水酸化ナトリウム水溶液
（濃度１５％、温度８０℃）に６０分間浸漬して、変色
の有無を目視確認し、表２に変色がない試料は○及び変
色が生じた試料は×で表示した。また、レジスト濡れ性
に関しては、薄膜の接触角を測定して表２に示したが、
接触角が小さい方が濡れ性は良好である。この結果よ
り、本発明の薄膜は、耐食性及びレジスト濡れ性が優れ
ていることが分る。
性及びレジスト濡れ性を評価した結果を下記表２に示し
た。即ち、耐食性については、水酸化ナトリウム水溶液
（濃度１５％、温度８０℃）に６０分間浸漬して、変色
の有無を目視確認し、表２に変色がない試料は○及び変
色が生じた試料は×で表示した。また、レジスト濡れ性
に関しては、薄膜の接触角を測定して表２に示したが、
接触角が小さい方が濡れ性は良好である。この結果よ
り、本発明の薄膜は、耐食性及びレジスト濡れ性が優れ
ていることが分る。
【００２３】
【表２】
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、環境汚染の原因となる
Ｃｒを含まず、従来のＮｉ−Ｃｕ系合金よりもレジスト
濡れ性及び耐食性に優れた薄膜を形成できるスパッタリ
ングターゲットを提供することができる。また、このス
パッタリングターゲットを用いたスパッタリングによ
り、レジスト濡れ性及び耐食性に優れた薄膜を備え、フ
ォトリソグラフィー法によりパターニングされた薄膜部
材を提供でき、特にガラス基板上に薄膜を形成した薄膜
部材はカラーフィルター用のブラックマトリックスとし
て好適である。
Ｃｒを含まず、従来のＮｉ−Ｃｕ系合金よりもレジスト
濡れ性及び耐食性に優れた薄膜を形成できるスパッタリ
ングターゲットを提供することができる。また、このス
パッタリングターゲットを用いたスパッタリングによ
り、レジスト濡れ性及び耐食性に優れた薄膜を備え、フ
ォトリソグラフィー法によりパターニングされた薄膜部
材を提供でき、特にガラス基板上に薄膜を形成した薄膜
部材はカラーフィルター用のブラックマトリックスとし
て好適である。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｗを５〜３０重量％と、Ａｌ及びＴｉ
の少なくとも１種を合計で０.１〜１０重量％含み、残
部が実質的にＮｉであるＮｉ基合金からなることを特徴
とするＮｉ−Ｗ系スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】 スパッタリングにより基材上に形成さ
れた所定形状の薄膜を備える薄膜部材であって、該薄膜
がＷを５〜３０重量％と、Ａｌ及びＴｉの少なくとも１
種を合計で０.１〜１０重量％含み、残部が実質的にＮ
ｉであるＮｉ基合金からなることを特徴とする薄膜部
材。 - 【請求項３】 ガラス基板上に形成された薄膜を備え
るブラックマトリックスであって、該薄膜がＷを５〜３
０重量％と、Ａｌ及びＴｉの少なくとも１種を合計で
０.１〜１０重量％含み、残部が実質的にＮｉであるＮ
ｉ基合金からなることを特徴とするブラックマトリック
ス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163967A JP3539355B2 (ja) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | ブラックマトリックス用Ｎｉ−Ｗ系スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000163967A JP3539355B2 (ja) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | ブラックマトリックス用Ｎｉ−Ｗ系スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001342561A true JP2001342561A (ja) | 2001-12-14 |
| JP3539355B2 JP3539355B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=18667646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000163967A Expired - Fee Related JP3539355B2 (ja) | 2000-06-01 | 2000-06-01 | ブラックマトリックス用Ｎｉ−Ｗ系スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3539355B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007101848A (ja) * | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Fujifilm Corp | 濃色隔画壁の形成方法、カラーフィルタ及びその製造方法、並びに表示装置 |
| WO2009041398A1 (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Sanyo Special Steel Co., Ltd. | 垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ－Ｗ－Ｂ系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| WO2009133921A1 (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 垂直磁気記録媒体の中間層膜を製造するためのスパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| JP2009263757A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-12 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| JP2010024521A (ja) * | 2008-07-23 | 2010-02-04 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| US11566320B2 (en) * | 2019-11-25 | 2023-01-31 | Materion Advanced Materials Germany Gmbh | NiW(X) sputtering target with improved structure |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109881048B (zh) * | 2019-02-28 | 2021-09-21 | 北京理工大学 | 一种高强度高塑性Ni-W-X合金制备方法 |
-
2000
- 2000-06-01 JP JP2000163967A patent/JP3539355B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
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