JP2002164268A - 検出装置及び該検出装置を用いた投影露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アライメントスコープの製造誤差によって発
生する波長シフトを補正し、調整して、他の収差の発生
を極力抑え、高精度な位置検出を可能とする。 【解決手段】 検出対象であるウエハ６上にある位置検
出マークを光源４０１から出射した光を利用して所定の
倍率で検出する検出系４とを備え、該検出系４内に楔光
学部材群４１０を構成する楔形状をした２枚の楔光学部
材４１０ａ，４１０ｂを有し、該２枚の楔光学部材の、
異なる楔光学部材の隣り合う楔面を検出光軸の直角方向
から所定の角度傾け且つ該隣り合う楔面が平行になるよ
うに配置し、楔光学部材４１０ａ，４１０ｂの間隔を調
整することで、検出系４の波長に依存した位置ずれ量を
補正する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被検出物体の位置
等を高精度に検出出来る検出装置に関する。またその高
精度検出を保証した検出装置を用いたデバイス製造方法
に関するものであり、特に半導体ＩＣ、ＬＳＩ、ＣＣ
Ｄ、液晶パネル、磁気ヘッド等の各種のデバイスを製造
する投影露光装置のようなウエハ等の物体の位置を該物
体上にある像を観察して高精度に検出し、該検出情報に
基づいて物体の位置合わせを行う際に好適なものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】最近では、半導体素子の製造技術の進展
は目覚ましく、またそれに伴う微細加工技術の進展も著
しい。特に光加工技術はサブミクロンの解像力を有する
縮小投影露光装置、通称ステッパが主流であり、更なる
解像力向上に向けて光学系の開口数（ＮＡ）の拡大や、
露光波長の短波長化が図られている。

【０００３】露光波長の短波長化に伴って、露光光源も
ｇ線、ｉ線の高圧水銀ランプからＫｒＦ更にＡｒＦのエ
キシマレーザに変移してきている。

【０００４】一方、投影パターンの解像力の向上に伴っ
て、投影露光装置に於けるウエハとマスク（レチクル）
を相対的位置合わせするアライメントについても高精度
化が必要とされている。投影露光装置は高解像度の露光
装置であると同時に高精度な位置検出装置としての機能
も要求されている。

【０００５】その為、ウエハ等の上に構成されたアライ
メントマークを検出する位置検出装置、所謂アライメン
トスコープ自体の性能も高精度化が要求されている。

【０００６】アライメントスコープの形態として、大き
く２つの方法が提案、使用されている。一つは、投影露
光光学系を介さず別個に構成されて、アライメントマー
クを光学的に検出する所謂オフアクシスアライメント検
出系（Off-Axis AA 以下「ＯＡ」と略記する。）があ
る。

【０００７】従来のもう一つの形態、特にｉ線露光装置
でのアライメント方式として、ＴＴＬ−ＡＡ（Through
the Lens Auto Alignment ）と呼ばれる投影光光学系を
介して、非露光光のアライメント波長を用いてウエハ上
のアライメントマークを検出する方法がある。

【０００８】何れのアライメントスコープの場合も、ア
ライメントスコープ自体が持っている収差が位置検出誤
差を発生する為、極力収差を少なくする、或いは発生し
た収差を補正すると言ったことが要求される。

【０００９】従来のＯＡ検出系を備えた投影露光光学系
について、その概略を示す図３の模式図を用いて解説す
る。

【００１０】露光光源を含む露光照明光学系１（光源と
しては水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザ、やＡｒＦエ
キシマレーザ等）から出射した光ＩＬは、パターンを形
成しているマスク（レチクル）２を照明する。この時レ
チクル２は、レチクル２上方（或いは下方）に配置され
たアライメント検出系１１によって投影露光光学系３の
光軸ＡＸとレチクルパターンの中心が一致するように、
レチクルホルダ１２，１２' に予め位置決めされてい
る。

【００１１】レチクルパターンを通った光に基づいて、
投影露光光学系３により、その像はウエハステージ８上
に保持されたウエハ６に所定の倍率で転写される。尚、
レチクル２の上方から照射光を照射し、投影露光光学系
３を介して、固定位置でレチクルパターンをウエハ６上
に順次露光するのがステッパと呼ばれ、レチクル２及び
ウエハ６が相対的に移動（レチクル２の移動量はウエハ
６の移動量に投影倍率を乗じた分）する露光装置をスキ
ャナ（走査型露光装置）と呼ぶ。

【００１２】一方、ウエハ６にはセカンドウエハと呼ば
れる既にパターンが形成されている種類のものが有り、
このウエハに次のパターンを形成する場合には、予めウ
エハの位置を検出しておかなければならない。その位置
検出方法に上記のＴＴＬ−ＡＡ方式やＯＡ検出方式があ
る。

【００１３】ここでは、ＯＡ検出系を備えたアライメン
ト方式に関して、図３に基づいて解説する。同図に示す
ように、ＯＡ検出系４は、投影露光光学系３とは別個に
構成されており、ウエハステージ８は横方向距離を計測
出来る干渉計９に基づいて駆動し、ＯＡ検出系４の観察
領域にウエハ６を位置決めする。干渉計９に基づいて位
置決めされたウエハ６に対して、ウエハ６上に形成され
たアライメントマークＡＭをＯＡ検出系４で位置検出
し、ウエハ６上に形成されたチップ（素子）の配列情報
を得ることが出来る。

【００１４】次に、このチップ（素子）の配列情報に基
づいて、ウエハ６を投影露光光学系３の露光領域（レチ
クルの転写領域）にウエハステージ８を駆動して、順次
露光を行っていく。

【００１５】ここで、通常投影露光光学系３の露光領域
には、投影露光光学系３のフォーカス方向を計測するフ
ォーカス検出系５が構成されている。このフォーカス検
出系５の構成は、照明光源５０１から出射した光を照明
レンズ５０２を介してスリットパターン５０３を照明す
る。スリットパターン５０３を透過した光で照明光学系
５０４、ミラー５０５によってウエハ６上にスリットパ
ターンを結像する。

【００１６】ウエハ６上に投影されたスリットパターン
は該ウエハ６の表面上で反射し、照明系と反対側に構成
されたミラー５０６、検出光学系５０７に入射する。検
出光学系５０７はウエハ６上に形成されたスリット像を
光電変換素子５０８上に再結像させる。ウエハ６が上下
することで、光電変換素子５０８上のスリット像が移動
し、その移動量からウエハ６のフォーカス方向の距離を
測定出来る。通常は、このスリットを複数（ウエハ６上
の多点）用意しておき、それぞれのフォーカス位置を検
出すること（ウエハ６上の多点計測）で、投影露光光学
系３のレチクル像の像面に対するウエハ６の傾きを計測
することも出来る。

【００１７】更にＯＡ検出系４について、図４の概略図
を参照しながら解説する。図４中に於いて、照明光源４
０１（ファイバ等）から導光された光は、照明光学系４
０２により、偏光ビームスプリッタ４０３に導かれる。
偏光ビームスプリッタ４０３によって反射された紙面に
垂直なＳ偏光光は、リレーレンズ４０４、λ／４板（四
分の一波長板）４０９を通過した後、円偏光に変換さ
れ、対物レンズ４０５を通ってウエハ６上に形成された
アライメントマークＡＭをケラー照明する。

【００１８】アライメントマークＡＭから発生した反射
光、回折光、散乱光は、再度対物レンズ４０５、λ／４
板４０９を戻り、今度は紙面に平行なＰ偏光に変換さ
れ、偏光ビームスプリッタ４０３を通過し、結像光学系
４０７ａ（４０７ｂ）によって、アライメントマークＡ
Ｍの像を光電変換素子４１１（例えばＣＣＤカメラ）上
に形成する。光電変換されたアライメントマーク像の位
置に基づいて、ウエハ６の位置を検出する。

【００１９】この時、ウエハ６上のアライメントマーク
ＡＭを精度良く検出する為には、アライメントマークＡ
Ｍの像が明確に検出されなければならない。つまり、Ｏ
Ａ検出系４のピントがアライメントマークＡＭに合って
いなければならない。

【００２０】その為に、一般的には不図示のＡＦ検出系
が構成されており、その検出結果に基づいて、アライメ
ントマークをＯＡ検出系のベストフォーカス面に駆動し
て、アライメントマークの検出を行っている。

【００２１】尚、ＴＴＬ−ＡＡ方式についての説明はこ
こでは割愛するが、基本的にはＯＡ検出系を投影光学系
３を介して、ウエハ上を観察する構成をしている点が異
なっている。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
様なアライメントスコープにより、ウエハ上のマークを
観察、位置検出する場合、マーク上部に塗布、或いは形
成された透明層の為、単色光では干渉縞が発生してしま
う。その為、アライメント信号に干渉縞の信号が加算さ
れた状態で検出され、高精度に検出できなくなる。従っ
て、一般的にこうしたアライメントスコープの光源とし
ては、広帯域の波長を持つものが使用され、干渉縞の少
ない信号として検出する。

【００２３】ところが、実際製造されるアライメントス
コープでは、構成されている光学部品等の製造誤差や組
み立て誤差によって、収差が発生している。特に、レン
ズ等の平行偏心や傾き偏心、他には平行平板（プリズム
等）の傾き偏心によって、波長に依存したシフトが発生
してしまう。所謂プリズム効果によって、色にじみが発
生してしまう。上記の様に、波長を広帯域化したり、投
影露光光学系を介したりすることで、この波長毎に発生
するシフト（以下この現象によって発生するシフトを
「波長シフト」と呼ぶ。）が大きくなる場合がある。

【００２４】図４に戻りこの現象を説明すると、例え
ば、実線で示す検出光学系４０７ａは光軸に対して、偏
心を持たない状態で配置（設計値の位置）されているも
のとする。一方、破線で示す検出光学系４０７ｂは、光
軸から若干偏心した状態で配置されたものとする。この
様に、光軸に対して偏心するのは製造上の誤差によるも
のであり、実際のアライメントスコープでは、制御でき
ない量で発生する可能性がある。

【００２５】この様に、レンズが偏心してしまうと、所
謂レンズのプリズム効果により、予期せぬ波長シフトが
発生してしまう。実線で示す光線Ｌmaは、設計的な光線
を表し、破線で示す光線Ｌmbはプリズム効果により、波
長に依存した量だけずれが発生していることを表してい
る。

【００２６】こうした波長に依存したずれを持つ光学系
で、アライメントマークを観察した場合のデメリットを
以下に図５及び図６を用いて解説する。

【００２７】図５及び図６中の（ａ）は、アライメント
マークの断面を模式的に表現したものであり、図５
（ａ）は、単純な段差構造を持つマークを表し、図６
（ａ）は、段差構造の上にレジストの様な透明層（図中
斜線部）が形成されているマークを表現している。尚、
計測方向は、図中のＸ方向とする。また、図５及び図６
の（ｂ）から（ｄ）までは、アライメントスコープで使
用している波長を３つとして（第１波長：λ1 、第２波
長：λ2 、第３波長：λ3 ）、それぞれの波長成分で検
出されるアライメントマークの波形を表している。図５
及び図６の（ｅ）は、第１波長λ1 から第３波長λ3 ま
でをすべて重ね合わせた波形を示し、この波形が実際に
アライメントマークを検出する際の波形を表現してい
る。

【００２８】図５は、上記の波長シフトがないアライメ
ントスコープで検出される場合を表している。波長シフ
トが存在しない場合、波長λ1 〜λ3 の各波形の中心位
置はアライメントマークの中心と一致しており、全ての
波長を重ね合わせたλall の波形( 図５（ｅ）) の中心
位置も一致する。

【００２９】一方、図６の場合、アライメントスコープ
に波長シフトが存在している場合であり、波長毎に検出
される波形の中心位置がずれてしまう。更に、アライメ
ントマーク上の透明層の為、各波長での信号強度が変化
してしまう（例えば、図６（ｃ）に示す波長λ1 の信号
強度は、図５（ｃ）に示す波長λ1 の信号強度に対し強
度変化ΔI だけ低下する）。その為、全ての波長での合
成波形は各波長の中心位置ずれと強度差によって、実際
のアライメントマークの中心からずれて（シフト（Shif
t ）して）しまう。この様に、波長シフトがアライメン
トスコープに存在する場合、本例の様に透明層の厚みに
よって、各波長の信号強度の重みが変化し、その為、シ
フト量が変化してしまう恐れがある。

【００３０】こうした波長シフトがある場合に対して、
従来では２枚の楔の回転を利用し、楔で発生する波長シ
フトにより調整する方法がある。図７にその模式図を示
す。波長シフトがＸ方向に発生している場合、２枚の楔
は光軸周りに回転調整される。この様に回転調整すると
波長に依存して、シフトΔが発生し、光学系全体で発生
した−Δ分だけ補正可能となる。ところが、この様に楔
を回転させて調整する場合、Ｙ方向にも楔成分がある
為、所望の調整が困難になる。また、元々、平行に光線
がセンサ上に入射するべきところが、楔を通ったことに
より、光線がθt 分だけ傾いてしまう。この様に、光線
が傾いてしまうと、センサの感度が落ちてしまう等の弊
害を発生してしまう問題と、アッパ（Upper ）光線Ｌup
per とロワー（Lower ）光線Ｌlower の透過するガラス
部分の厚みが異なってしまい、その結果、フォーカス
（Focus ）ポイントが画角の上下で異なってしまう。こ
れでは、マーク領域全体に対して、ベストフォーカスに
合わせることが出来ず、位置検出精度が劣化してしま
う。

【００３１】以上の様な弊害が発生しない方法として、
平行平板の傾きを利用して、波長シフトを取る方法が考
えられる。図１２には、その方法説明用の模式図を示
す。

【００３２】この場合、大きな波長シフトを発生させる
為には、平行平板３０の傾き角θを大きくするか或い
は、平行平板３０の厚みｔを厚くしなくてはならない。
実際の装置を考えると、この様にガラスの厚みｔを厚く
し、傾き角θを大きくすることは、装置自身の拡大化と
いうデメリットを発生する。

【００３３】本発明は、上記の様なアライメントスコー
プの製造誤差によって発生する波長シフトを補正し、調
整して、更には他の収差の発生を極力抑えることの出来
る構成を開示するものである。従って、高精度な検出を
可能とした検出装置を提供することを目的とするもので
ある。

【００３４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る検出装置は、光源から出射した光を利
用して検出対象を検出する検出系を備え、該検出系内に
複数の楔光学部材を有し、該複数の楔光学部材の内、異
なる楔光学部材の隣り合う楔面を検出光軸の直角方向か
ら所定の角度傾け且つ該隣り合う楔面が平行になるよう
に配置し、前記楔光学部材の間隔を調整可能に構成した
ことを特徴とする。

【００３５】また、本発明は、検出対象を検出する検出
装置を用いた投影露光装置に於いて、該検出装置は、光
源から出射した光を利用して前記検出対象を検出する検
出系を備え、該検出系内に複数の楔光学部材を有し、該
複数の楔光学部材の内、異なる楔光学部材の隣り合う楔
面を検出光軸の直角方向から所定の角度傾け且つ該隣り
合う楔面が平行になるように配置し、前記楔光学部材の
間隔を調整可能に構成したことを特徴とする。

【００３６】また、本発明に係る検出装置または投影露
光装置では、前記検出対象が位置検出マークを有する感
光基板であり、前記検出系が所定の倍率で検出する位置
検出系であってもよく、前記複数の楔光学部材はそれぞ
れが少なくとも２枚で構成された別の第１、第２楔光学
部材群を持ち、前記第１の楔光学部材群の楔角の方向と
は、交差する方向に該第２の楔光学部材群の楔角を有し
て配置されたことを特徴としてもよく、前記複数の楔光
学部材の少なくともいずれかは、該検出装置中での結像
倍率が最も高く、検出対象面と共役な面或いは、その近
傍に配置されたことを特徴としてもよく、前記複数の楔
光学部材の少なくともいずれかは、前記検出系に対して
テレセントリックな場所に配置されたことを特徴とする
こともでき、前記複数の楔光学部材に於いて、楔面で発
生する光線の屈折角に平行な方向にその間隔を変化させ
る機能を有することを特徴とすることもでき、前記複数
の楔光学部材中に、互いに交差する方向に傾けたそれぞ
れの楔面を有する２つの楔光学部材と、該２つの楔光学
部材の間に配置した中間楔光学部材とを備え、該中間楔
光学部材は前記２つの楔光学部材の楔面に対応し互いに
交差する方向に傾けた２つの楔面を有することを特徴と
してもよい。

【００３７】本発明に係る検出装置は、以上の様なアラ
イメントスコープ等の製造上の誤差によって発生する波
長シフトを２枚の楔を使い、且つ２枚の楔の楔面を平行
に配置し、その楔の間隔を調整することで、従来発生し
ていた光線傾きの変化を抑えることが出来る。また、２
枚の楔を検出系のテレセントリックな位置に配置するこ
とで、画角に依存した波長シフト誤差の影響を抑えるこ
とが出来る。更に、アライメントスコープ等の出来るだ
け拡大された位置に２枚の楔を配置することで、楔で発
生する収差（所謂偏心コマ収差）の発生を極力抑えるこ
とが出来る。

【００３８】また、本発明は、前記いずれかの投影露光
装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工
場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロ
セスによって半導体デバイスを製造する工程とを有する
半導体デバイス製造方法にも適用することができ、前記
製造装置群をローカルエリアネットワークで接続する工
程と、前記ローカルエリアネットワークと前記半導体製
造工場外の外部ネットワークとの間で、前記製造装置群
の少なくとも１台に関する情報をデータ通信する工程と
をさらに有することが望ましく、前記投影露光装置のベ
ンダもしくはユーザが提供するデータベースに前記外部
ネットワークを介してアクセスしてデータ通信によって
前記製造装置の保守情報を得る、もしくは前記半導体製
造工場とは別の半導体製造工場との間で前記外部ネット
ワークを介してデータ通信して生産管理を行うことが望
ましい。

【００３９】また、本発明は、前記いずれかの投影露光
装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造装置
群を接続するローカルエリアネットワークと、該ローカ
ルエリアネットワークから工場外の外部ネットワークに
アクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造装置
群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信すること
を可能にした半導体製造工場に適用することもでき、半
導体製造工場に設置された前記いずれかの投影露光装置
の保守方法であって、前記投影露光装置のベンダもしく
はユーザが、半導体製造工場の外部ネットワークに接続
された保守データベースを提供する工程と、前記半導体
製造工場内から前記外部ネットワークを介して前記保守
データベースへのアクセスを許可する工程と、前記保守
データベースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワ
ークを介して半導体製造工場側に送信する工程とを有す
る投影露光装置の保守方法にも適用できる。

【００４０】また、本発明は、前記いずれかの投影露光
装置において、ディスプレイと、ネットワークインタフ
ェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行するコン
ピュータとをさらに有し、投影露光装置の保守情報をコ
ンピュータネットワークを介してデータ通信することを
可能にしたことを特徴とすることができ、前記ネットワ
ーク用ソフトウェアは、前記投影露光装置が設置された
工場の外部ネットワークに接続され前記投影露光装置の
ベンダもしくはユーザが提供する保守データベースにア
クセスするためのユーザインタフェースを前記ディスプ
レイ上に提供し、前記外部ネットワークを介して該デー
タベースから情報を得ることを可能にすることが望まし
い。

【００４１】更に本発明は、検出系内に複数の楔光学部
材を設け、該複数の楔光学部材の内、異なる楔光学部材
の隣り合う楔面を検出光軸の直角方向から所定の角度傾
け且つ該隣り合う楔面が平行になるように配置し、前記
楔光学部材の間隔を調整することで、前記検出系の波長
に依存した検出ずれ量を補正することを特徴とする検出
方法である。

【００４２】又更に本発明は、検出装置の検出系内に複
数の楔光学部材を、該複数の楔光学部材の内、異なる楔
光学部材の隣り合う楔面を検出光軸の直角方向から所定
の角度傾け且つ該隣り合う楔面が平行になるように配置
し、前記楔光学部材の間隔を調整することを特徴とする
検出装置の調整方法である。

【００４３】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１には、本
発明の第１の実施形態に係るＯＡ検出系について模式的
に表す。尚、先の図４の中で記述済みのものについて
は、同じ符号を付けてある。ファイバ等の光源４０１か
ら出射した光は、照明光学系４０２により、偏光ビーム
スプリッタ４０３に導かれる。偏光ビームスプリッタ４
０３によって反射された紙面に垂直なＳ偏光光は、リレ
ーレンズ４０４、λ／４板４０９を通過した後、円偏光
に変換され、対物レンズ４０５を通って感光基板である
ウエハ６上に形成された検出対象としてのアライメント
マークＡＭをケラー照明する。

【００４４】アライメントマークＡＭから発生した反射
光、回折光、散乱光は、再度対物レンズ４０５、λ／４
板４０９を戻り、今度は紙面に平行なＰ偏光光に変換さ
れ、偏光ビームスプリッタ４０３を通過し、結像光学系
４０７ａ（４０７ｂ）によって、アライメントマークＡ
Ｍの像を光電変換素子４１１（例えばＣＣＤカメラ）上
に形成する。結像光学系４０７ａは設計値上の理想位置
は実線で示す位置であるが、実際の組み立て上の誤差に
よって、若干偏心した破線で示す位置４０７ｂにあると
する。その為、上述した波長シフトが発生している。

【００４５】光電変換素子４１１の直前（検出物体と共
役面或いはその近傍）には、楔光学部材群４１０を構成
する２枚の楔光学部材４１０ａ，４１０ｂ（以下この楔
光学部材を楔と略称する）が斜面の部分を平行にした状
態で配置されている。この２枚の楔の効果等について
は、以下に示す。

【００４６】光電変換素子４１１上に結像されたアライ
メントマークは、電気信号に変換された後、電気的に処
理されアライメントマークＡＭの位置が算出される。

【００４７】算出されたアライメントマーク位置とウエ
ハステージ（不図示）の位置を干渉計に基づいて、ウエ
ハ６上に形成されたショット配列を算出し、露光する。

【００４８】ここで、２枚の楔４１０ａ，４１０ｂの構
成及び作用効果について、図２に基づいて解説する。図
２において、２枚の楔２０ａ，２０ｂは隣り合い対向配
置した楔面２０ａ２と楔面２０ｂ１が平行になるように
構成され、光軸と垂直な方向に対してθだけ傾いてい
る。一方、隣り合わず互いに背向する面２０ａ１と面２
０ｂ２は光軸に対して、垂直になる様に構成されてい
る。２枚の楔２０ａ，２０ｂの内、少なくとも一方は光
軸方向に駆動、調整可能であり、アライメントスコープ
全体で発生している波長シフトを補正できるようになっ
ている。尚、ここでは、説明を判りやすくする為、各画
角の主光線のみを表記した。また、波長シフトを表現し
やすくする為に、楔２０ａまでに到達する光線には、波
長シフトが無い状態での表現にしている。又、楔を光軸
方向に駆動、調整する機構が存在するが、ここでは図示
を省略している。又これは変形例として、アライメント
スコープ組み立て時にこの楔を光軸方向に調整し、出荷
段階では楔を装置内で固定する構成としてもよい。

【００４９】２枚の楔２０ａ，２０ｂは、像面（或い
は、像面と共役な関係）の近傍に配置することが必要で
ある。像面近傍に配置することで、波長シフト量を楔面
２０ａ２と楔面２０ｂ１の間隔調節によって、補正し、
調整することが可能となる。マークの計測方向は図中の
Ｘ方向とし、Ｘ方向に発生している波長シフトを補正す
る場合について解説する。尚、Ｙ方向に発生している場
合は、本楔を光軸周りに９０度回転させた配置とすれば
良いだけである為、今は説明を割愛する。光線Ｌm は、
アライメントマークの１点からの光線を表している。こ
の光線Ｌm には、中心波長λ2 とし、短波長λ1 、長波
長λ3 なる光線が含まれている。アライメント波長は、
λ1 〜λ3 を波長幅とする光を使用していることとす
る。

【００５０】光線Ｌm は、楔２０ａの第１面２０ａ１に
垂直に入射し、傾けた楔面である第２面２０ａ２に向か
う。ここで、面２０ａ１では、垂直に光線が入射してい
る為、波長λ1 〜λ3 の光はそのまま光路を変えずに直
進する。ところが、楔面２０ａ２では、光軸に垂直な面
に対しある角度θで傾いている為、各波長に対して屈折
角を異ならした角度に向かう。尚、ガラスは波長に対し
て屈折率が異なっており、各波長（λ1 〜λ3 ）に対す
る屈折率をｎ1 、ｎ2 、ｎ3 とすると、入射角θに対し
て所謂スネルの公式に基づいて、ｎ1 ×Ｓｉｎθ＝Ｓｉ
ｎθλ1 、ｎ2×Ｓｉｎθ＝Ｓｉｎθλ2 、ｎ3 ×Ｓｉ
ｎθ＝Ｓｉｎθλ3 の関係式が成立する。尚、θλ1 〜
θλ3 は、各波長に対する楔面２０ａ２を出射する角度
である。２枚の楔２０ａ，２０ｂはある楔面間隔ｄで配
置されており、波長λ1 〜λ3 の光は２枚目の第１面２
０ｂ１に到達する。その際にθλ1 〜θλ3 が異なる
為、間隔ｄに比例して、楔面２０ｂ１のＸ方向に異なっ
た位置に到達する。楔２０ａと楔２０ｂは同一の硝材で
構成されており、また楔面２０ａ２と楔面２０ｂ１は平
行に配置されている為、波長λ1 〜λ3 の光線は、楔面
２０ｂ１で再び光軸に平行な光線に変換される。その
後、光軸に平行なまま、波長λ1 〜λ3 の光は波長シフ
トΔ分だけ持ったまま、光電変換素子４１１上に到達す
る。尚、２枚の楔を光軸周りに１８０度回転することに
よって、波長シフトを−Δにすることが出来、また０に
したければ間隔ｄを０にすれば良い。以上の様に、ある
波長範囲の光を２枚の楔で且つ隣り合う楔面を平行に配
置している場合、その楔の間隔ｄに比例して、波長シフ
トを発生させることができる。本説明では、判り易くす
る為に検出光Ｌm に波長シフトが無い場合について、解
説したが、実際のアライメントスコープに於いては、製
造誤差等によって、検出系自体が波長シフトを持ってし
まう。そこで、アライメントスコープ自体に波長シフト
Δだけ存在している場合は、楔の間隔で発生する波長シ
フトを−Δになる様に楔の方向及び間隔ｄを調整すれば
良い。以上の様に構成した２枚の楔で波長シフトを補正
することは、入射光Ｌm に対して、出射光が同じ角度の
まま光電変換素子に向かう為、従来の様に、非計測方向
（Ｙ方向）に発生する波長シフトを考慮する必要がな
く、高精度な調整が可能となる。また画角に依存した
光、アッパ光線Ｌupper もロワー光線Ｌlower も光軸光
線も同じ光路長のガラス部分を透過する為、画角に依存
したフォーカス（Focus ）変動が発生しない。

【００５１】尚、２枚の楔２０ａ，２０ｂの楔面間隔ｄ
を調整することで、光電変換素子４１１上の主光線の位
置がＸ方向に変動するが、その変動分は光電変換素子４
１１の中心が画角０に一致するように調整すれば良い。
また、楔面の角度θは、そのアライメントスコープで発
生しうる波長シフト量と調整間隔ｄと使用している硝材
の分散係数によって最適な角度にすれば良い。出来るだ
け、分散係数の大きな硝材を使用することで、楔角θと
間隔ｄを小さくすることが可能である。

【００５２】また、本図に示す場合は、楔を光軸に平行
に駆動しているが、厳密に言うと間隔ｄを変えること
で、楔を透過する光路長が若干変化する。この変化量は
楔の角度θ及び楔面間隔ｄに依存している。そこで、そ
の誤差も補正する場合を、図９を用いて解説する。

【００５３】図９に於いては、楔２０ａ，２０ｂを中心
波長λ2 の屈折角θλ2 の方向と平行な方向に駆動する
ことで、楔面間隔ｄに依らず、楔中を透過する光路長が
変化しない構成が可能となる。尚、波長λ1 、λ3 に対
する光路長は変化するが、実際に発生する波長シフト量
を考慮すると、その発生量は非常に微少で問題になる量
ではない。

【００５４】次に、計測方向が２次元である場合であっ
て、且つ２次元的に波長シフトが発生している場合の波
長シフト補正について、図１１（ａ）及び（ｂ）を用い
て解説する。

【００５５】図１１に於いて、Ｘ方向の計測について
は、図２で解説したように、楔光学部材群を構成する２
枚の楔２０ａ，２０ｂを用いて調整する。一方、Ｙ方向
については、Ｙ方向に楔面を持つ２枚の楔２１ａ，２１
ｂによって別の楔光学部材群を構成している。楔２０
ａ，２０ｂは楔２１ａ，２１ｂに対し光軸周りに９０度
回転した構成とする。

【００５６】図１１（ａ）は、ＺＸ断面から見た図、図
１１（ｂ）は、ＹＺ断面から見た図を表している。この
位置検出系は、上記の様に楔方向に対して、波長シフト
が発生する機構にすることが出来る。従って、Ｘ方向の
波長シフトが発生している場合、楔２０ａ，２０ｂの楔
面間隔ｄx を調整し、Ｙ方向の波長シフトに関しては、
２枚の楔２１ａ，２１ｂの楔面間隔ｄy を調整すること
で、所望の波長シフト量にＸＹそれぞれの方向に調整す
ることが可能となる。

【００５７】以上の様に、２組の楔を使って、ＸＹ方向
それぞれ独立に調整することが出来る為、高精度な調整
が可能となることは、説明を要しないであろう。尚、図
２で解説したように、アライメントスコープで波長シフ
トが発生していない場合、間隔ｄx ，ｄy は０にすれば
よく、また、方向を管理したければ、２枚の楔を１８０
度回転すれば良いことも既に解説した通りである。

【００５８】本実施形態によれば、以上の様に、２枚の
楔で隣り合う楔面を平行に保ったまま、光軸方向に楔面
間隔ｄを制御することで、アライメントスコープ等に構
成されている光学部品の偏心や光学部品の製造誤差で発
生した波長シフトを補正し、調整することが可能とな
り、アライメントマークの波長に依存したシフト量の発
生を抑えることができ、高精度なアライメントが可能と
なる。

【００５９】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態として、２枚の楔の配置条件について、図１
０、図１３及び図１４を用いて解説する。

【００６０】図１０は、アライメントスコープ中のある
像面Ｉmg（アライメントマークと共役面）近傍に２枚の
楔を配置した時の模式図を表している。第１の実施形態
では、解説を簡略化する為に、光線を主光線だけで表現
した場合で説明した。ところが、実際のアライメントス
コープでは、ある広がりを持った光束（あるＮＡを持っ
た光束）として、アライメントマークは結像される。あ
る画角の光線（本図は、中心波長λ2 だけに着目してい
る）は主光線Ｐriと角度＋ＮＡを持った光線Ｌ+na と角
度−ＮＡを持った光線Ｌ-na によって像を結像してい
る。尚、本図の符号は上記第１の実施形態において既に
説明したものに対して、同じ符号を付けている。２枚の
楔２０ａ，２０ｂを透過する場合、光線Ｌ+na と光線Ｌ
-na では、楔面に入射する角度が異なる為、像面Ｉmg上
で交差する点が主光線Ｐriに対してずれてしまう。この
ずれが、所謂軸上コマ収差とも言われ、この収差がある
ことでアライメント計測誤差を生む要因となる。従っ
て、出来るだけこの様な収差の発生を抑えつつ、波長シ
フトを調整し、補正することが非常に重要である。

【００６１】そこで、このＮＡ、楔で発生するコマ収
差、楔間隔の量について調べた。図１３は、図１０に示
すＮＡと楔面間隔ｄと発生するコマ収差量（ＣＭ）につ
いて、グラフ化した図である。横軸はＮＡであり、縦軸
は発生するコマ収差（ＣＭ）を対数として示している。
尚、楔の角度θは２０度とし、楔の屈折率は１．８とし
て計算している。また、実線は対向する楔面間隔ｄが１
０ｍｍの場合であり、破線は楔面間隔ｄが１ｍｍの場合
を示している。

【００６２】このグラフからも分かるように、ＮＡが大
きくなるに従って、コマ収差量ＣＭが急激に大きくなる
ことが分かる。

【００６３】ここで、ある物体（アライメントマーク）
を拡大系のアライメントスコープで検出した場合を考え
る。この結像倍率は、物体から検出器（光電変換素子
等）まで−１０倍とする。また、物体上でのＮＡは０．
１とすると、光電変換素子上でのＮＡは結像倍率分小さ
くなり０．０１となる。

【００６４】結像倍率が−１０倍と言うことは、像面側
Ｉmg（光電変換素子側）で発生する波長シフト量は、物
体側で発生する波長シフトの１０倍となる。つまり、像
面側で発生する波長シフト量を１／１０倍すると物体側
での発生量に変換できる。また、波長シフト量と楔の間
隔の関係は比例関係の為、同じ波長シフト量を物体側で
取る場合の楔間隔は、像面側での楔間隔の１／１０にな
る。また、発生したコマ収差の関係は、像面側で発生す
る量を１／１０倍すると物体側での同じ量に相当する。

【００６５】図１３に戻り、ある波長シフト量を物体側
で取る場合と、同じ波長シフト量を像面側で取る場合に
ついて、まとめて見ると、表１のとおりとなる。

【００６６】

【表１】

【００６７】以上の結果から分かる様に、同じ楔角の楔
を使って、同じ波長シフト量の補正を考えた場合、ＮＡ
が小さいところに構成した方が、コマ収差の発生を抑え
ることが出来る。つまり、本実施形態における２枚の楔
での波長シフトを補正する場合、出来るだけＮＡの小さ
いところ、言い換えると結像倍率の高いところに構成す
ることで、楔で発生するコマ収差量を抑えることが出来
るのが分かる。

【００６８】また、別の条件から表したものが、図１４
である。本図は、同じ波長シフト量に対して、楔面間隔
を一定にし、楔の角度を変えた場合について、グラフ化
したものである。楔角に付いては、Ｓｉｎθの関数で波
長シフトが発生する為、角度θの比例で波長シフトが変
わる訳ではない。楔角２０度の楔に対し発生する波長シ
フト量の１／１０を楔角で取る場合、約３．５度の楔が
必要になる。但し、楔面間隔ｄは、共に１０ｍｍとす
る。

【００６９】この場合も、ＮＡに依存して、発生するコ
マ収差量が急激に大きくなることが分かる。

【００７０】そこで、上記と同様に、同じ波長シフト量
を同じ楔面間隔で、物体面側と像面側で取った場合の発
生量に付いて、読み取って見ると表２のようになる。

【００７１】

【表２】

【００７２】以上より、明らかな様に楔角を変更して
も、ＮＡが小さいところで調整した方が、コマ収差の発
生を抑えることが出来ることは明白である。従って、楔
角を最適化し、楔間隔を一定にした場合でも、出来るだ
け結像倍率の高いところ（ＮＡの小さいところ）の像面
（或いは像面と共役な位置）或いはその近傍に２枚の楔
を構成することが、コマ収差の抑制になることが分か
る。尚、楔の厚み及び、配置される場所（光線Ｌ+na と
光線Ｌ-na の間隔）には、コマ収差の発生量は依存して
いない。コマ収差は、ＮＡと楔面間隔ｄと楔角に依存し
ている。

【００７３】尚、上記では楔が発生するコマ収差と言う
観点から、ＮＡの低いところ（結像倍率の大きいとこ
ろ）に構成することが、有利として来たが、実際製造す
る楔の精度と言う観点からも、同じことが言える。つま
り、２枚の楔の角度θに依存して、コマ収差が発生し、
また波長シフトも発生する為、結像倍率の低いところで
は、楔の角度誤差が、予期せぬ波長シフト、及びコマ収
差を発生してしまう。また、結像倍率の低いところに構
成すると間隔の敏感度も高くなる為、調整難易度も上が
ってしまうと言うデメリットを持つ。従って、調整難易
度、楔部品の製造精度と言う観点からも結像倍率の高い
ところに配置するのが良いと言える。

【００７４】（第３の実施形態）以上の様に２枚の楔の
間隔で波長シフトを調整する場合の更に最適なアライメ
ントスコープの形態について、本発明の第３の実施形態
として解説する。図１５及び図１６には結像光学系４０
７の所謂両側テレセントリックな光学系と、像面側が片
側テレセントリックな光学系の２タイプで表現してい
る。これらの系に対して、２枚の楔を構成した場合の特
徴について解説する。図１５に示す様なテレセントリッ
クな光線に対して、楔を構成した場合は、第１の実施形
態（図２）で説明したように、全ての画角に対して、楔
を透過する光路長が等しくなり、画角に対するフォーカ
ス（Focus ）変動は無い。また、各像高で発生する波長
シフト量も同一となり、検出画角全体に渡り良好に補
正、調整が可能となる。

【００７５】一方、図１６に示すような非テレセントリ
ックな光束に対して、２枚の楔を構成した場合、画角に
対して同一の波長シフトを発生させることが困難にな
る。その詳細図を図８に表す。

【００７６】第１の実施形態（図２）で解説したように
分かり易くする為に、図８に於いても主光線だけで表現
しており、アライメントスコープ全体としては、波長シ
フトが発生していないものとして表現している。高い画
角のアッパ光線Ｌupper と低い画角のロワー光線Ｌlowe
r との２つの光線を表した。アッパ光線Ｌupper は、第
１楔２０ａの第１面２０ａ１である傾いた角度θi にて
入射する。その為、第１面２０ａ１でも波長シフトが発
生して、その後第２面２０ａ２に向かう。ここで、短波
長の光をλ1 （破線）とし、中心波長の光をλ2 （実
線）、長波長の光をλ3 （一点鎖線）として表した。第
２面２０ａ２では更に屈折が発生し、波長に依存した角
度で第２楔の第１面２０ｂ１に向かう。更に、面２０ｂ
１で屈折をした後、面２０ｂ２に向かい、再度そこで屈
折して、入射した側と同じ角度で光電変換素子４１１に
向かう。この時、中心波長λ2 に対して、発生する波長
シフト量をそれぞれの波長に対して、Δλ1u、とΔλ3u
と表現している。

【００７７】一方、ロワー光線Ｌlower は、同様に−θ
i の角度で楔に入射する。第１楔２０ａの第１面２０ａ
１では、上記の様に波長毎に屈折角が異なり、第２面２
０ｂ２に向かう。ここで、第１面２０ｂ１に対して、ア
ッパ光線Ｌupper とロワー光線Ｌlower では、屈折する
方向が異なっており、且つ第２面２０ａ２までの距離が
異なっている。また、第２面２０ａ２での屈折では、光
線Ｌupper と異なった角度で各波長は出射される。その
為、結果として、第２楔の第１面２０ｂ１までの光路長
が異なり、発生する波長シフト量が異なってしまう。そ
の結果、光電変換素子４１１上での波長シフトが中心波
長に対して、Δλ1lとΔλ3lだけ発生する。上記のΔλ
1uとΔλ1l、及びΔλ3uとΔλ3lでは、発生する方向が
異なり、且つ発生量の絶対値も異なってしまう。尚、発
生する方向が異なる現象は、楔の角度、入射角θi に依
存しており、必ずしも方向が異なるとは限らない。但
し、発生する量については、画角の高い光線と低い光線
では、異なってしまう。

【００７８】以上の様に、非テレセントリックな場所に
２枚の楔を構成し、波長シフトを調整する場合、全ての
画角に対して、一様に補正することが困難になる。従っ
て、テレセントリックな光学系で、且つ第２の実施形態
で示すようなＮＡの小さな像面（或いは共役面）に２枚
の楔を構成することで、コマ収差の発生を抑え、且つ検
出画角に一様に補正することが出来る。尚、非テレセン
トリックな光学系に２枚の楔を構成すると、波長に依存
したコマ収差も発生する。そうした観点からも、極力テ
レセントリックな場所に、２枚の楔を配置しその間隔調
整で、波長シフトを調整することに効果があることが分
かる。

【００７９】（第４の実施形態）以上の実施形態では、
ＯＡ検出系について述べてきたが、本発明の第４の実施
形態では、投影露光光学系を通して、ウエハ上のアライ
メントマークを観察するＴＴＬ−ＡＡについて、図１７
を参照しながら解説する。尚、図１の中で説明し、同じ
機能を有する部材に対しては、図１７において図１と同
一の符号を付けてある。

【００８０】ファイバ等の光源４０１からは、ある波長
幅を持ち、露光光とは異なる波長（所謂非露光光）が出
射し、照明レンズ４０２に向かう。その後、偏光ビーム
スプリッタ４０３に入射し、紙面に垂直なＳ偏光成分の
光がリレーレンズ４０４、λ／４板４０９及び対物レン
ズ４０５に導光される。その後、ミラー４１２で反射し
た光は、投影露光光学系３を通して、ウエハ６上に形成
されたアライメントマークＡＭをケラー照明する。アラ
イメントマークＡＭからの反射、散乱、回折光は再び、
投影露光光学系３を逆に戻り、対物レンズ４０５、リレ
ーレンズ４０４を介して、検出レンズ側に導光される。
尚、対物レンズ４０５は、投影露光光学系３で発生する
色収差等を補正するように、構成されている。

【００８１】λ／４板４０９を透過した光は、その偏光
面を９０度回転させ、偏光ビームスプリッタ４０３にＰ
偏光成分として、これを通過する。通過した光は、一
旦、中間像面に像を形成し、再度検出光学系により、所
望の結像倍率になるように光電変換素子４１１上に、ア
ライメントマークの像を結像している。光電変換素子４
１１から検出された電気信号に基づいて、位置検出を行
う点は、既に上述したＯＡ検出系と同様である。

【００８２】尚、光電変換素子４１１の手前には、上述
した２枚の楔からなる楔光学部材群４１０が構成されて
いる。本アライメントスコープのように、大きな色収差
を発生する投影露光光学系３の様なものを通して構成す
る場合、波長シフトが発生し易い。その為、実際のアラ
イメントスコープ組み立て上では、楔光学部材群４１０
を構成している２枚の楔の間隔を調整して、所望の波長
シフト以内になるように追い込まれ、調整される。尚、
この様なＴＴＬ−ＡＡでは、一般的に、一方向の計測と
して構成されている。つまり、本図に於いては、このス
コープはＹ方向の計測のみを行うのが、一般的な構成で
ある。従って、このアライメントスコープには、楔は２
枚だけで良く、それと直交する方向の２枚の楔は不要と
なる。勿論、不図示のＸ計測用のアライメントスコープ
には、同様に２枚の楔が構成されており、その方向にの
み最適なる様、楔の間隔調整がなされる。以上の様に、
２枚の楔を構成することで、従来からあるＴＴＬ−ＡＡ
系に於いて、投影露光光学系等で発生する波長シフトを
補正し、調整することが出来る。従って、波長に依存し
たシフトの発生を抑えることが出来、高精度な位置検出
系を構成できる。

【００８３】また、上述した第１の実施形態〜第４の実
施形態については、所謂アライメントスコープに関し
て、説明して来たが、本発明はこれに限定されるもので
はない。例えば、投影露光装置に使われているＡＦ検出
系（図３記載のフォーカス検出系５）などにも適用でき
る。

【００８４】ＡＦ検出系の場合も、測定対象物からの光
を検出し、その光の位置を光電変換素子で検出する。一
般にＡＦ検出系５でも、ある波長幅を持った光が利用さ
れており、検出系内に構成している光学部材の製造誤差
によって、波長シフトが存在する。ＡＦ検出系５の場合
も波長シフトが存在すると、ウエハ上の薄膜干渉の為、
波長分布特性が変化し、その為検出誤差を発生してしま
う。従って、アライメントスコープに限定されず、そう
したＡＦ系にも上述した構成をすることでフォーカス検
出系の誤差を軽減することが出来る。

【００８５】また更に、上述の複数の実施形態では、結
像回数は２回である場合を例に説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではないことは、言うに及ばない。
また本発明の本質は、結像倍率が高く（ＮＡの小さ
い）、検出物体と共役な面或いは、その近傍に２枚の楔
を配置し、その間隔調節で波長シフトを調整するところ
にある。従って、この本質を逸脱しない範囲に於いて
は、別の検出形態（例えば、画像検出ではなく光量検出
或いは位相検出など）でも適用出来る。

【００８６】（第５の実施形態）上述までの実施形態で
は、２枚の楔を使って、一計測方向の波長シフトを補正
する場合について、解説してきたが、本発明の第５の実
施形態として、３枚の楔を使った場合について、図１８
を用いて解説する。図１８に示す楔光学部材群は、楔面
２０ａ２を有する第１楔２０ａと、第２楔２０ｂと、楔
面２０ｃ１を有する第３楔２０ｃとによって構成されて
いる。第１楔２０ａと第３楔２０ｃとの間に配置された
中間楔光学部材である第２楔２０ｂは、互いに交差する
方向に傾けた２つの楔面２０ｂ１，２０ｂ２を備えてい
る。

【００８７】楔面で発生する各波長に対する屈折角の違
いにより、波長シフトを発生させている点に関しては、
上記と同様である為、詳細は割愛する。図１８（ａ）
は、３枚の楔の内、第１楔２０ａの第２面２０ａ２と、
第２楔２０ｂの第１面２０ｂ１が光軸に対して、所定の
角度で傾いて且つ互いに平行になるように配置されてい
る状態を示す。また、第２楔２０ｂの第２面２０ｂ２と
第３楔２０ｃの第１面２０ｃ１面も光軸に対して、所定
の角度で傾き且つ互いに平行になり、更に、第２楔２０
ｂの第１面２０ｂ１とは光軸に対して、傾き方向を異な
らせて互いに交差する方向に傾けた構成になっている。

【００８８】図１８に於いては、分かり易くする為に楔
角θ１とθ２の絶対値は同じで符号を異ならしている。
また、第１楔２０ａから第３楔２０ｃまで全て同じ硝材
（屈折率）のものを使っているとする。

【００８９】図１８（ａ）に於いて、θ1 ＝−θ2 と言
う関係及び、第１楔２０ａと第２楔２０ｂの間隔ｄ1 と
第２楔２０ｂと第３楔２０ｃの間隔ｄ2 が等しく（ｄ1
＝ｄ2 ＝ｄ）なるように配置されている場合、各楔面で
波長毎に屈折角が異なって伝播するが、第１楔２０ａと
第２楔２０ｂ間の波長シフトと、第２楔２０ｂと第３楔
２０ｃとの間の波長シフトでキャンセルされ、結果とし
て楔全体を透過して来た光束は波長シフトを持たない。
次に図１８（ｂ）に示す様に、第２楔２０ｂを第１楔２
０ａに当接するまで移動させた場合を考える（ｄ1 ＝
０、ｄ2 ＝２ｄ）。この場合、第１楔２０ａと第２楔２
０ｂ間では、波長シフトは発生せず、第２楔２０ｂと第
３楔２０ｃ間でのみ波長シフトが発生する。逆に図１８
（ｃ）に示すように、第２楔２０ｂを第３楔２０ｃまで
移動させると（ｄ1 ＝２ｄ、ｄ2 ＝０）、今度は第１楔
２０ａと第２楔２０ｂの間で波長シフトが発生する。そ
こで、図１８の（ｂ）と（ｃ）を比べて見ると、第２楔
２０ｂの第１面２０ｂ１と第２面２０ｂ２の楔角が逆に
なっている為に、（ｂ) から（ｃ）までに移動する間
に、波長シフトの方向が逆転することが分かる。つま
り、アライメントスコープ自体に波長シフトが存在しな
い場合、図１８（ａ）に示すように、第２楔２０ｂを中
間の位置に配置し、図１８（ｂ）で発生する波長シフト
を正と定義すると、アライメントスコープが負の波長シ
フトを持っている場合、図１８（ｂ）の位置の方向に第
２楔２０ｂを調整し、逆にアライメントスコープが正の
波長シフトを持つ場合、図１８（ｃ）の方向に、第２楔
２０ｂを調整すれば良い。以上の様な３枚の楔を使うこ
とで、上述して来た２枚の楔を使う構成に比べ、楔全体
を１８０度回転せずとも、符号を反転した波長シフト調
整が可能となる。

【００９０】尚、本実施形態では分かり易くする為に、
第２楔２０ｂの第１面２０ｂ１と第２面２０ｂ２の楔角
を絶対値が等しく符号の異なる角としたが、これに限定
されるものではない。つまり、θ1 ≠−θ2 の場合、ｄ
1 ≠ｄ2 となる位置で、波長シフトが０になり、第２楔
２０ｂの移動に対する波長シフト発生量の敏感度が異な
ってくるだけである。

【００９１】また、上述してきた第１の実施形態〜第４
の実施形態の全てに対して、この第５の実施形態の適用
は可能であることは明白である。また、本実施形態で
は、３枚の楔を使った例を述べたが、枚数に関してはこ
れに限定されない。更に４枚以上の構成でも同じ効果、
調整は可能である。

【００９２】以上の様に、３枚の楔を使って、楔間隔の
調整だけで符号も含めて波長シフトを調整することが出
来、アライメントスコープ等が持っている製造誤差等で
発生した波長シフトを補正し、調整することが可能とな
る。その為、高精度な位置検出可能な検出装置或いは該
検出装置を用いた投影露光装置を提供することが出来
る。

【００９３】（半導体生産システムの実施形態）次に、
本発明に係る装置を用いた半導体デバイス（ＩＣやＬＳ
Ｉ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘ
ッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を説明す
る。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラ
ブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提
供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネ
ットワークを利用して行うものである。

【００９４】図１９は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、１１０１は半導体デ
バイスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）
の事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造
工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１１０１内には、製造
装置の保守データベースを提供するホスト管理システム
１１０８、複数の操作端末コンピュータ１１１０、これ
らを結んでイントラネット等を構築するローカルエリア
ネットワーク（ＬＡＮ）１１０９を備える。ホスト管理
システム１１０８は、ＬＡＮ１１０９を事業所の外部ネ
ットワークであるインターネット１１０５に接続するた
めのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセ
キュリティ機能を備える。

【００９５】一方、１１０２〜１１０４は、製造装置の
ユーザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製
造工場１１０２〜１１０４は、互いに異なるメーカに属
する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場
（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっ
ても良い。各工場１１０２〜１１０４内には、夫々、複
数の製造装置１１０６と、それらを結んでイントラネッ
ト等を構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）
１１１１と、各製造装置１１０６の稼動状況を監視する
監視装置としてホスト管理システム１１０７とが設けら
れている。各工場１１０２〜１１０４に設けられたホス
ト管理システム１１０７は、各工場内のＬＡＮ１１１１
を工場の外部ネットワークであるインターネット１１０
５に接続するためのゲートウェイを備える。これにより
各工場のＬＡＮ１１１１からインターネット１１０５を
介してベンダ１１０１側のホスト管理システム１１０８
にアクセスが可能となり、ホスト管理システム１１０８
のセキュリティ機能によって限られたユーザだけにアク
セスが許可となっている。具体的には、インターネット
１１０５を介して、各製造装置１１０６の稼動状況を示
すステータス情報（例えば、トラブルが発生した製造装
置の症状）を工場側からベンダ側に通知する他、その通
知に対応する応答情報（例えば、トラブルに対する対処
方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ）
や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報を
ベンダ側から受け取ることができる。本発明に関連して
いえば、例えば、楔間の距離ｄあるいはこれに起因して
補正されるべき波長依存の検出ずれのデータが各露光装
置からホスト管理システム１１０７によってインターネ
ット１１０５を介してベンダ１１０１側のホスト管理シ
ステム１１０８に送信し、ベンダ側で各装置別の保守情
報管理、全装置にわたる統計処理等を行ない、又これら
によってベンダ側で作成された補正プログラム情報、保
守情報、ヘルプ情報を各装置別にインターネット１１０
５を介して該当するホスト管理システム１１０７に送信
する。各工場１１０２〜１１０４とベンダ１１０１との
間のデータ通信および各工場内のＬＡＮ１１１１でのデ
ータ通信には、インターネットで一般的に使用されてい
る通信プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。な
お、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを
利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセ
キュリティの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）
を利用することもできる。また、ホスト管理システムは
ベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを
構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工
場から該データベースへのアクセスを許可するようにし
てもよい。

【００９６】さて、図２０は本実施形態の全体システム
を図１９とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、１２０１は製造装置ユー
ザ（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工
場の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここ
では例として露光装置１２０２、レジスト処理装置１２
０３、成膜処理装置１２０４が導入されている。なお図
２０では製造工場１２０１は１つだけ描いているが、実
際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工
場内の各装置はＬＡＮ１２０６で接続されてイントラネ
ットを構成し、ホスト管理システム１２０５で製造ライ
ンの稼動管理がされている。

【００９７】一方、露光装置メーカ１２１０、レジスト
処理装置メーカ１２２０、成膜装置メーカ１２３０など
ベンダ（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供
給した機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム
１２１１，１２２１，１２３１を備え、これらは上述し
たように保守データベースと外部ネットワークのゲート
ウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理す
るホスト管理システム１２０５と、各装置のベンダの管
理システム１２１１，１２２１，１２３１とは、外部ネ
ットワーク１２００であるインターネットもしくは専用
線ネットワークによって接続されている。このシステム
において、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかに
トラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしま
うが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネッ
ト１２００を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応
が可能であり、製造ラインの休止を最小限に抑えること
ができる。

【００９８】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図２１に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種１４０１、シリアルナンバー１４０２、トラブルの件
名１４０３、発生日１４０４、緊急度１４０５、症状１
４０６、対処法１４０７、経過１４０８等の情報を画面
上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネ
ットを介して保守データベースに送信され、その結果の
適切な保守情報が保守データベースから返信されディス
プレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供する
ユーザインタフェースはさらに図示のごとくハイパーリ
ンク機能１４１０〜１４１２を実現し、オペレータは各
項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供
するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最
新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペ
レータの参考に供する操作ガイド（ヘルプ情報）を引出
したりすることができる。ここで、保守データベースが
提供する保守情報には、上記説明した本発明に関する情
報も含まれ、また前記ソフトウェアライブラリは本発明
を実現するための最新のソフトウェアも提供する。具体
的には例えば、前述したような形で、楔間の距離ｄある
いはこれに起因して補正されるべき波長依存の検出ずれ
のデータが送信され、これに応じた補正プログラム情
報、保守情報等が返信される。

【００９９】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図２２は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。

【０１００】図２３は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明した投影露光装置によ
ってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ス
テップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ス
テップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外
の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では
エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ
上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する
製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守
がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、も
しトラブルが発生しても迅速な復旧が可能であり、従来
に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることがで
きる。

【０１０１】

【発明の効果】本発明は上述のように、アライメントス
コープ等の製造誤差、プリズムの傾き偏心や、レンズ等
の偏心、或いは平行平板等の面精度誤差等で発生する波
長に依存したシフト（ずれ）を、少なくとも２枚の楔で
隣り合う２つの楔面を平行に構成し、楔の楔面間隔をも
って調整することが出来る。従って、検出系で発生する
波長シフトを高精度に補正し、調整することが出来る。
その為、アライメントマーク上にあるレジスト等の透明
層の干渉によって、発生する波長シフトを抑えることが
出来、高精度な検出装置を提供出来る。また、検出装置
中の結像倍率の高いところに楔を構成することで、少な
くとも２枚の楔で発生するコマ収差量を少なくすること
が出来る。更には、テレセントリックな場所に構成する
ことで、画角全体に渡り良好な波長シフトの補正が可能
となる。また、従来のＴＴＬ−ＡＡにも適用でき、投影
露光光学系で発生する波長シフトも補正、調整が可能と
なり、高精度な検出装置及び該装置を用いた投影露光装
置を提供出来る。また、物体の高さ位置を測定する所謂
ＡＦ検出系にも同様の構成が適用でき、これらＡＦ検出
系の計測精度の向上が期待出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態に係る位置検出系の
全体図である。

【図２】 本発明の第１の実施形態に係る２枚の楔で発
生する波長シフトを説明するための詳細図である。

【図３】 投影露光光学系を示す模式図である。

【図４】 従来のＯＡ検出系の概略説明用の模式図であ
る。

【図５】 理想的な検出系でのアライメントマークと検
出波形の関係を示す図である。

【図６】 波長シフトのある検出系でのアライメントマ
ークと検出波形の関係を示す図である。

【図７】 従来の楔を使った波長シフト補正説明用の模
式図である。

【図８】 非テレセントリック系での楔を取る光線の波
長シフト説明用の模式図である。

【図９】 本発明の第１の実施形態に係る位置検出系の
より高精度な場合の模式図である

【図１０】 ＮＡと楔面間隔ｄと発生するコマ収差量Ｃ
Ｍを表す模式図である。

【図１１】 本発明の第１の実施形態に係る位置検出系
によって２次元的に波長シフトを補正する場合の模式図
である。

【図１２】 別な従来の楔を使った波長シフト補正の模
式図である。

【図１３】 本発明の第２の実施形態の説明用であっ
て、ある条件でＮＡと楔で発生するコマ収差のグラフで
ある。

【図１４】 本発明の第２の実施形態の説明用であっ
て、別の条件でＮＡと楔で発生するコマ収差のグラフで
ある。

【図１５】 本発明の第３の実施形態に係る両側テレセ
ントリックトリックな光学系の模式図である。

【図１６】 片側テレセントリックトリックな光学系の
模式図である。

【図１７】 本発明の第４の実施形態に係るＴＴＬ−Ａ
Ａでの位置検出系を示す模式図である。

【図１８】 ３枚の楔を使った本発明の第５の実施形態
に係る位置検出系を示す模式図である。

【図１９】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイス
の生産システムをある角度から見た概念図である。

【図２０】 本発明に係る装置を用いた半導体デバイス
の生産システムを別の角度から見た概念図である。

【図２１】 ユーザインタフェースの具体例である。

【図２２】 デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。

【図２３】 ウエハプロセスを説明する図である。

【符号の説明】

１：投影露光照明系、２：レチクル、３：投影露光光学
系、４：ＯＡ検出系、５：ＡＦ検出系（フォーカス検出
系）、６：ウエハ、７：干渉計ミラー、８：ウエハステ
ージ、９：干渉計、１０：ステージ制御部、１１：レチ
クルアライメント検出系、１２, １２’：レチクルホル
ダ、１３：基準マーク、１４：制御部、４０１：アライ
メント光源、４０２：照明光学系、４０３：偏光ビーム
スプリッタ、４０４：リレーレンズ、４０５：対物レン
ズ、４０７：検出光学系、４０９：λ／４（四分の一波
長）板、４１０：楔光学部材群、４１０ａ，４１０ｂ：
波長シフト補正楔（楔光学部材）、４１１：光電変換素
子（検出面）、２０ａ，２０ｂ, ２０ｃ：波長シフト補
正楔（楔光学部材）、３０：平行平板、１１０１：ベン
ダの事業所、１１０２，１１０３，１１０４：製造工
場、１１０５：インターネット、１１０６：製造装置、
１１０７：工場のホスト管理システム、１１０８：ベン
ダ側のホスト管理システム、１１０９：ベンダ側のロー
カルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１１１０：操作端
末コンピュータ、１１１１：工場のローカルエリアネッ
トワーク（ＬＡＮ）、１２００：外部ネットワーク、１
２０１：製造装置ユーザの製造工場、１２０２：露光装
置、１２０３：レジスト処理装置、１２０４：成膜処理
装置、１２０５：工場のホスト管理システム、１２０
６：工場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１
２１０：露光装置メーカ、１２１１：露光装置メーカの
事業所のホスト管理システム、１２２０：レジスト処理
装置メーカ、１２２１：レジスト処理装置メーカの事業
所のホスト管理システム、１２３０：成膜装置メーカ、
１２３１：成膜装置メーカの事業所のホスト管理システ
ム、１４０１：製造装置の機種、１４０２：シリアルナ
ンバー、１４０３：トラブルの件名、１４０４：発生
日、１４０５：緊急度、１４０６：症状、１４０７：対
処法、１４０８：経過、１４１０，１４１１，１４１
２：ハイパーリンク機能。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ Ｇ０３Ｆ 9/00 Ｈ 9/00 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２５Ｓ ５０２Ｇ ５２５Ａ Ｆターム(参考） 2F065 AA03 BB03 BB29 CC19 FF42 FF51 GG12 JJ03 JJ26 LL00 LL02 LL36 LL37 LL46 LL59 QQ28 2H049 BA05 BA07 BB03 BC23 2H052 BA02 BA09 BA12 2H087 KA21 NA09 RA41 5F046 AA28 BA03 DD06 ED02 FA03 FA10 FA20 FB06 FB07 FB08 FB17

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光源から出射した光を利用して検出対象
   を検出する検出系を備え、該検出系内に複数の楔光学部
   材を有し、該複数の楔光学部材の内、異なる楔光学部材
   の隣り合う楔面を検出光軸の直角方向から所定の角度傾
   け且つ該隣り合う楔面が平行になるように配置し、前記
   楔光学部材の間隔を調整可能に構成したことを特徴とす
   る検出装置。
2. 【請求項２】 前記複数の楔光学部材はそれぞれが少な
   くとも２枚で構成された別の第１、第２楔光学部材群を
   持ち、前記第１の楔光学部材群の楔角の方向とは、交差
   する方向に該第２の楔光学部材群の楔角を有して配置さ
   れたことを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
3. 【請求項３】 前記複数の楔光学部材の少なくともいず
   れかは、該検出装置中での結像倍率が最も高く、検出対
   象面と共役な面或いは、その近傍に配置されたことを特
   徴とする請求項１または２に記載の検出装置。
4. 【請求項４】 前記複数の楔光学部材の少なくともいず
   れかは、前記検出系に対してテレセントリックな場所に
   配置されたことを特徴とする請求項１、２または３のい
   ずれかに記載の検出装置。
5. 【請求項５】 前記複数の楔光学部材に於いて、楔面で
   発生する光線の屈折角に平行な方向にその間隔を変化さ
   せる機能を有することを特徴とする請求項１〜４のいず
   れかに記載の検出装置。
6. 【請求項６】 前記複数の楔光学部材中に、互いに交差
   する方向に傾けたそれぞれの楔面を有する２つの楔光学
   部材と、該２つの楔光学部材の間に配置した中間楔光学
   部材とを備え、該中間楔光学部材は前記２つの楔光学部
   材の楔面に対応して設けられ且つ互いに交差する方向に
   傾けた２つの楔面を有することを特徴とする請求項１〜
   ５のいずれかに記載の検出装置。
7. 【請求項７】 前記検出対象が感光基板上にある位置検
   出マークであり、前記検出系が所定の倍率で検出する位
   置検出系であることを特徴とする請求項１〜６のいずれ
   かに記載の検出装置。
8. 【請求項８】 検出対象を検出する検出装置を用いた投
   影露光装置に於いて、該検出装置は、光源から出射した
   光を利用して前記検出対象を検出する検出系を備え、該
   検出系内に複数の楔光学部材を有し、該複数の楔光学部
   材の内、異なる楔光学部材の隣り合う楔面を検出光軸の
   直角方向から所定の角度傾け且つ該隣り合う楔面が平行
   になるように配置し、前記楔光学部材の間隔を調整可能
   に構成したことを特徴とする投影露光装置。
9. 【請求項９】 前記複数の楔光学部材はそれぞれが少な
   くとも２枚で構成された別の第１、第２楔光学部材群を
   持ち、前記第１の楔光学部材群の楔角の方向とは、交差
   する方向に該第２の楔光学部材群の楔角を有して配置さ
   れたことを特徴とする請求項８に記載の投影露光装置。
10. 【請求項１０】 前記複数の楔光学部材の少なくともい
    ずれかは、該検出装置中での結像倍率が最も高く、検出
    対象面と共役な面或いは、その近傍に配置されたことを
    特徴とする請求項８または９に記載の投影露光装置。
11. 【請求項１１】 前記複数の楔光学部材の少なくともい
    ずれかは、前記検出系に対してテレセントリックな場所
    に配置されたことを特徴とする請求項８、９または１０
    のいずれかに記載の投影露光装置。
12. 【請求項１２】 前記複数の楔光学部材に於いて、楔面
    で発生する光線の屈折角に平行な方向にその間隔を変化
    させる機能を有することを特徴とする請求項８〜１１の
    いずれかに記載の投影露光装置。
13. 【請求項１３】 前記複数の楔光学部材中に、互いに交
    差する方向に傾けたそれぞれの楔面を有する２つの楔光
    学部材と、該２つの楔光学部材の間に配置した中間楔光
    学部材とを備え、該中間楔光学部材は前記２つの楔光学
    部材の楔面に対応して設けられ且つ互いに交差する方向
    に傾けた２つの楔面を有することを特徴とする請求項８
    〜１２のいずれかに記載の投影露光装置。
14. 【請求項１４】 前記検出対象が感光基板上にある位置
    検出マークであり、前記検出系が所定の倍率で検出する
    位置検出系であることを特徴とする請求項８〜１３のい
    ずれかに記載の投影露光装置。
15. 【請求項１５】 請求項８〜１４のいずれかに記載の投
    影露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体
    製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数
    のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを
    有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
16. 【請求項１６】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
    トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
    ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
    間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
    データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
    請求項１５に記載の半導体デバイス製造方法。
17. 【請求項１７】 前記投影露光装置のベンダもしくはユ
    ーザが提供するデータベースに前記外部ネットワークを
    介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の
    保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の
    半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介して
    データ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項
    １６に記載の半導体デバイス製造方法。
18. 【請求項１８】 請求項８〜１４のいずれかに記載の投
    影露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製
    造装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該
    ローカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワ
    ークにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製
    造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信す
    ることを可能にしたことを特徴とする半導体製造工場。
19. 【請求項１９】 半導体製造工場に設置された請求項８
    〜１４のいずれかに記載の投影露光装置の保守方法であ
    って、前記投影露光装置のベンダもしくはユーザが、半
    導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守デー
    タベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内から
    前記外部ネットワークを介して前記保守データベースへ
    のアクセスを許可する工程と、前記保守データベースに
    蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して半
    導体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴と
    する投影露光装置の保守方法。
20. 【請求項２０】 請求項８〜１４のいずれかに記載の投
    影露光装置において、ディスプレイと、ネットワークイ
    ンタフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行す
    るコンピュータとをさらに有し、投影露光装置の保守情
    報をコンピュータネットワークを介してデータ通信する
    ことを可能にしたことを特徴とする投影露光装置。
21. 【請求項２１】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
    前記投影露光装置が設置された工場の外部ネットワーク
    に接続され前記投影露光装置のベンダもしくはユーザが
    提供する保守データベースにアクセスするためのユーザ
    インタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外
    部ネットワークを介して該データベースから情報を得る
    ことを可能にすることを特徴とする請求項２０に記載の
    投影露光装置。
22. 【請求項２２】 検出系内に複数の楔光学部材を設け、
    該複数の楔光学部材の内、異なる楔光学部材の隣り合う
    楔面を検出光軸の直角方向から所定の角度傾け且つ該隣
    り合う楔面が平行になるように配置し、前記楔光学部材
    の間隔を調整することで、前記検出系の波長に依存した
    検出ずれ量を補正することを特徴とする検出方法。
23. 【請求項２３】 検出装置の検出系内に複数の楔光学部
    材を、該複数の楔光学部材の内、異なる楔光学部材の隣
    り合う楔面を検出光軸の直角方向から所定の角度傾け且
    つ該隣り合う楔面が平行になるように配置し、前記楔光
    学部材の間隔を調整することを特徴とする検出装置の調
    整方法。