JP4027080B2 - 位置検出装置およびそれを用いた露光装置 - Google Patents

位置検出装置およびそれを用いた露光装置 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、位置検出装置およびそれを用いた露光装置に関する。この位置検出装置は、特に半導体IC、LSI、CCD、液晶パネル、磁気ヘッド等の各種のデバイスを製造する投影露光装置において、マスクやウエハなどの物体の位置情報を投影光学系を介さないで該物体の像観察により高精度にかつ安定性を有して検出し、該検出情報に基づいて物体の位置合わせを行なう際に好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
最近の半導体素子の製造技術の進展は目覚ましく、またそれに伴う微細加工技術の進展も著しい。特に光加工技術はサブミクロンの解像力を有する縮小投影露光装置、通称ステッパが主流であり、さらなる解像力向上に向けて光学系の開口数(NA)の拡大や、露光波長の短波長化が図られている。露光波長の短波長化に伴って、露光光源もg線、i線の高圧水銀ランプからKrF、さらにArFのエキシマレーザに変移してきている。
【0003】
一方、投影パターンの解像力の向上に伴って、投影露光装置におけるウエハとマスク(レチクル)を相対的に位置合わせするアライメントについても高精度化が必要とされている。投影露光装置は高解像度の露光装置であると同時に高精度な位置検出装置としての機能も要求されている。
【0004】
さらに近年では、半導体製造工程として、CMP(Chemical Mechanical Polishing)と呼ばれる、ウエハ表面の平坦化技術の導入が推進されて来ている。CMPの推進する背景としては、露光光の短波長化に伴い、露光像面の焦点深度の減少化がある。さらに、半導体チップ自体の高集積化が進むに連れて、縦構造が従来に比べ厚くなるため、露光領域全てに対してフォーカスを合わせることが困難となる。従って、ウエハ表面の段差を平坦化することで、焦点深度内にウエハ上の全てのチップ全域に対して焦点を合わせることが出来ると言うメリットがある。
【0005】
こうした背景の下、ウエハのアライメント方式として多く用いられている方式に、オフアクシスアライメント検出系(Off−Axis AA、以下「OA」と呼ぶ)がある。OA検出系は、投影露光光学系(投影光学系)と異なる位置に配置され、投影露光光学系を介さずにウエハ上のアライメントマークの位置を検出する。その検出結果に基づいてウエハの位置合わせが行なわれる。
【0006】
一方、従来のアライメント方式として、TTL−AA(Through the Lens Auto Alignment)と呼ばれる、投影露光光学系を介して非露光光のアライメント波長の光を用いてウエハ上のアライメントマークを検出する方法がある。TTL−AAのメリットは、投影露光光学系の光軸とTTL−AAの光軸(いわゆる、ベースライン)が非常に短く配置出来るため、アライメント計測時と露光時のウエハステージの駆動量が少ないことである。従って、ウエハステージ回りの環境変化による投影露光光学系の光軸とTTL−AAの光軸の距離の変動で発生する測定誤差を小さく抑えることが出来る。つまり、ベースラインの変動が少ないと言うメリットがある。
【0007】
ところが、露光光がKrFレーザやArFレーザと言った短波長光に移行すると、使用硝材が限定されるため、投影露光光学系のアライメント波長に対する色収差の補正が困難になる。従って、投影露光光学系の色収差の影響を受けないOA検出系が重要になって来ている。
【0008】
また、OA検出系の場合、投影露光光学系を介さないため、任意の波長の光源、あるいは、広い波長域の光源を使用出来ると言うメリットもある。広帯域の波長光を使用するメリットとしては、ウエハ上に塗布された感光材(レジスト)に対して、薄膜干渉の影響を除去できるといったことが上げられる。従って、広帯域の波長光に対して収差補正可能なOA検出系は重要なアライメント検出系と言える。
【0009】
従来、OA検出系は、特開平11−87222号に記載されているように、照明条件を変更するために複数の開口絞りを構成している。また、従来、OA検出系の光源は、本出願人による特開平8−191045号に記載されているように、HeNeレーザとHeNeレーザからの光よりも波長帯域の広いハロゲンランプによる光源も併せ持っている。
【0010】
HeNeレーザのような単波長のレーザを光源として用いるのは、低段差のアライメントマークに対して、ハロゲンランプのような白色光と比較して検出信号のコントラストが稼げるというメリットがあるためである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の技術例では照明条件を変更するために複数の開口絞りと複数の光源を構成しているため、その組み合わせで照明条件は複数種類となり、全ての照明条件に対して、光軸傾きによるデフォーカス時の測定誤差(デフォーカス特性)を抑えることが困難であるという課題があった。
【0012】
以下図5を用いデフォーカス特性について説明する。図5(a)に示すようにウエハへの照明光の入射角が傾いてしまったとき、+側にD+[μm]のデフォーカスでΔ1、−側にD−[μm]のデフォーカスでΔ2というようにアライメントマーク位置計測値がずれる。このため、
+側は、1μmデフォーカスあたり Δ1/D+
−側は、1μmデフォーカスあたり Δ2/D−
だけ、アライメントマークの計測値がデフォーカス量に対し、依存性(以下「デフォーカス特性」と呼ぶ)を持ってしまう。このデフォーカス特性を抑えるためには、図5(b)に示すようにウエハWへの照明光の入射角を垂直に近づける必要がある。
【0013】
そのためには、検出系の開口絞り(対物絞りに相当)に対する照明系の開口絞りの偏心調整を行なう必要がある。また、光源もHeNeレーザとハロゲンランプと複数あるために導光したファイバ出射端(瞳面)の照度分布(瞳面照度ムラ)も光源により異なる。HeNeレーザのような単一波長のレーザでは、ぎらぎらしたちらつき(スペックル)が生じるため、光源側に拡散板を設けて均一化を計っても、白色光であるハロゲンランプ光ほどの均一化は果たせない。そのため、この照度分布を加味した照明系の開口絞りの偏心調整が必要となる。また、複数の照明開口絞りを切換える機構とその照明開口絞りを位置調整のために直交する2方向に対して駆動することは、駆動軸が3軸となり、装置が複雑化する。
【0014】
本発明は、上述の従来例における問題点に鑑みてなされたもので、ウエハ等の基板上に形成されたマークの位置を高精度に検出できる位置検出装置を提供することを課題とする。さらに、複数の照明条件を持つ位置検出装置において、照明条件切換えによるデフォーカス特性の劣化またはデフォーカス特性調整によるスループットの低下を防止することを課題とする。
【0015】
【課題を解決するための手段および作用】
前述の課題を解決するため本発明に係る位置検出装置は、基板上に形成された位置合わせマークを照明する照明系と、前記位置合わせマークの像を結像する結像系とを備え、結像された位置合わせマークに基づいて前記基板の所定の位置基準に対する位置ずれを検出する位置検出装置において、前記照明系は、光源からの光を導くファイバと、前記ファイバの後段に配置された照明リレーレンズと、前記照明リレーレンズの後段の前記照明系の瞳面に配置され、回転中心と同心な同一円心上に形成されて回転駆動により切り替え可能な複数種類の照明開口絞りを有する回転円盤と、瞳面近傍に配置され、照明光束の光軸に対して垂直かつ前記照明開口絞りが配置される前記円周の前記照明光束が通る位置の接線に平行な軸を傾け軸とする透明な平行平面板を有し、前記位置合わせマークを照明する照明光束の光軸の傾きを、前記接線方向については前記回転円盤の回転駆動、前記接線方向と直交する方向については前記平行平面板の傾け量の調整により行うことを特徴とする。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい実施の形態では、第1物体(レチクル等)上のパターンを投影光学系で第2物体(半導体ウエハ等)上に投影露光する前に前記第1物体と第2物体の相対位置合わせを行う位置検出装置において、前記位置検出装置のOA検出系は、照明系の瞳面に駆動系で回転駆動される回転円盤を配置し、前記回転円盤上の回転中心と同心な同一円周上に配置された複数種類の照明開口絞りの切換えを前記駆動系による回転で行ない、そして、前記位置検出装置の結像開口絞りに対する、前記複数の照明開口絞りの位置調整を、一方向は、前記複数の照明開口絞りの切換え時の前記駆動系による前記回転円盤の回転量の調整により行ない、直交するもう一方向は、瞳面近傍に配置され、照明光束の光軸に対して垂直かつ前記照明開口絞りが配置される前記円周の前記照明光束が通る位置の接線に平行な軸を傾け軸とする透明な平行平面板の駆動系による傾け量の調整により行なう。
【0020】
上記のOA検出系において、前記回転円盤の回転量調整による前記照明開口絞りの位置ずらし方向と前記平行平面板の傾け量調整による前記照明光束の光軸の位置ずらし方向は、それぞれ、上記位置検出装置による位置ずれ計測方向と一致させている。また、前記位置検出装置は、複数種類の光源と前記回転円盤に構成された前記複数の照明開口絞りの組合せからなる複数の照明条件を持ち、前記駆動系による回転円盤の回転調整量と前記駆動系による平行平面板の傾け調整量が、前記複数の照明条件ごとに前記位置検出装置のデフォーカス特性値が最小となるように予め決定・記憶され、前記位置検出装置の計測時に選択された照明条件に応じて自動的に、記憶された前記駆動系による回転円盤の回転調整量と前記駆動系による平行平面板の傾け調整量が適用される。
【0021】
【実施例】
図1は、本発明の一実施例に係る位置検出装置を有する投影露光装置の要部概略図である。同図は、位置検出装置のOA検出系1を中心に示している。ULは投影光学系である。LSは光源部で、HeNeレーザLS1やハロゲンランプLS2の発熱体が配設されているため、温度安定性が求められるOA検出系1から離れて配置されている。光源部LSには、光源切換ミラーLS3、および光源からの光束をファイバFB入射端に集光する光学系LS4が配設されている。光源切換ミラーLS3は、コンピュータ30が主制御系31に、HeNeレーザLS1とハロゲンランプLS2の何れの光源を使用するかを指示するのに応じて、主制御系31が駆動を行なう。すなわち、光源としてHeNeレーザLS1が選択された場合は、光源切換えミラーLS3は図中破線で示されるように光路から退避して、HeNeレーザLS1からの光束は、光学系LS4を介してファイバFB入射端に集光される。また、光源としてハロゲンランプLS2が選択された場合は、ハロゲンランプLS2からの光束は、光源切換えミラーLS3で反射され、光学系LS4を介してファイバFB入射端に集光される。もちろん、HeNeレーザLS1とハロゲンランプLS2の配置を逆にした構成も可能である。
【0022】
OA検出系1の照明光束ILは、光源部LSからOA検出系の照明系OAILに接続されているファイバFBにより導光される。ファイバFB出射端からの照明光束ILは、照明リレーレンズ11を介して、照明開口絞り円盤13上に配置された複数種類の照明開口絞り13A,13B,13Cの何れかを通過する。これらの照明開口絞り13A,13B,13Cは、照明開口絞り円盤13をモータ12によって駆動することにより、回転方式(ターレット方式)で切換え可能になっている。コンピュータ30は、光源の種類(HeNeレーザLS1、またはハロゲンランプLS2)と照明開口絞りの組合せによる照明条件(以下「照明モード」と呼ぶ)が設定されると、主制御系31にモータ12の回転の原点からの回転量を指示する。モータ12の回転の原点は、前もって原点検出駆動としてモータ12の回転が行なわれ求められる。原点検出の方法は、図2の照明系開口絞りの概略説明図に示される、照明開口絞り円盤13に設けられたスリット13DがフォトスイッチPS1の検出部を通過した位置を回転の原点としている。
【0023】
主制御系31は、指示された回転量に応じて、モータ12を駆動し、照明開口絞り13A,13B,13Cの何れかが照明光束ILに設定される。照明開口絞りを通過した照明光束ILは、瞳面近傍つまり照明開口絞り近くに配置され、モータ15によって駆動されることにより照明光束ILに対する傾きを調整可能な、光路シフト用の透明な平行平面板14を透過する。コンピュータ30は、照明モードが設定されると、主制御系31にモータ15の回転の原点からの回転量を指示する。モータ15の回転の原点は、前もって原点検出駆動としてモータ15の回転が行なわれ求められる。原点検出の方法は、図3の平行平面板14の概略説明図に示される、平行平面板保持部材141に設けられた遮光板142がフォトスイッチPS2の検出部を通過した位置を回転の原点としている。主制御系31は、指示された回転量に応じてモータ15を駆動し、平行平面板14は、照明光束ILの光軸に対して傾きを持つことで照明光束ILをW方向に平行シフトさせる。
【0024】
次に、照明光束ILは、照明コンデンサーレンズ16を介して照明視野絞り17を照射する。照明視野絞り17を射出した照明光束ILは、照明リレーレンズ18を透過した後、偏光ビームスプリッタ19に入射する。照明光束ILは、偏光ビームスプリッタ19に対してP偏光成分(紙面に平行な成分(V方向成分))が透過する。なお、偏光ビームスプリッタ19は、検出光を高効率で検出するために使用しており、光量に問題がなければ、通常のハーフミラーで構成してもよい。偏光ビームスプリッタ19を透過した照明光束ILは、反射プリズム20で反射し、ウエハWに対して下向きに向かう。反射プリズム20の下には、λ/4板21が配置され、ここを透過した照明光束ILは円偏光に変換され、その後、結像開口絞りAS、および対物レンズ22を介して、ウエハW上の検出対象のウエハマークWMを落射照明する。
【0025】
ここで、ウエハWはX,Y,Z方向およびそれら軸の回転方向に駆動可能なウエハステージ40上に保持されている。なお、ウエハステージ40はコンピュータ30の指示に応じてステージ制御系32により駆動することができる。
【0026】
ウエハマークWMからの反射、回折、散乱によって発生した結像光束MLは、対物レンズ22、結像開口絞りAS、およびλ/4板21を透過する。λ/4板21を透過した結像光束MLは、円偏光から紙面垂直方向(W方向)の直線偏光(S偏光)に変換される。次に結像光束MLは、反射プリズム20を介して、偏光ビームスプリッタ19に導かれ、今度は反射し、リレーレンズ23に導光される。リレーレンズ23は、ウエハマークWMの像を一旦結像する。その後、検出光学系24によって画像検出素子25の受光面上に再度結像する。画像検出素子25によって検出されたウエハマーク信号は、主制御系31を介してコンピュータ30に入力される。コンピュータ30は、このウエハマーク信号およびウエハステージ40の位置に基づいてウエハWの位置を算出する。ステージ制御系32は、その算出結果を基にウエハステージ40を駆動し、ウエハWの位置合わせを行なっている。
【0027】
続いて、本実施例で、照明モードに応じて、照明開口絞り円盤13と平行平面板14の調整を行なうために、コンピュータ30が指示する調整量の算出方法を説明する。コンピュータ30は、この調整量をOA検出系1のデフォーカス特性が最小となるように決定している。そのため、前もって各照明モードのデフォーカス特性の計測を行なっている。デフォーカス特性の計測方法は、
1.ベストピント面から−aだけウエハステージ40をZ方向(投影光学系ULの光軸方向)に駆動する。
2.ウエハマークWMの計測を行ない、その値をf(−a)とする。
3.ベストピント面から+aだけウエハステージ40をZ方向に駆動する。
4.ウエハマークWMの計測を行ない、その値をf(+a)とする。
5.デフォーカス特性Δ={f(+a)−f(−a)}/2aを算出する。
となる。なお、今回は2点で説明したが、それ以上のポイントを測定してもかまわない。
【0028】
コンピュータ30は、Δの絶対値が最小となるような、OA検出系1の照明開口絞り円盤13の回転量と平行平面板14の傾け量を求めて記憶し、各照明モードが選択された際に主制御系31に記憶された照明開口絞り円盤13の回転量と平行平面板14の傾け量を指示し、ウエハW面における照明光束ILの光軸の傾きを制御する。照明開口絞り円盤13と平行平面板14そして、結像開口絞りASが配置されているのは、結像面のフーリエ変換面である瞳面近傍であるので、結像開口絞りASに対する照明開口絞りの偏心調整は、ウエハW面における照明光束ILの光軸の傾き調整となる。このため、照明開口絞りの偏心調整方向は、ウエハWのウエハマークWMの計測方向であるウエハステージ40のX方向またはY方向(不図示)と一致させる必要がある。つまり、照明開口絞り円盤13の回転量の調整(または、平行平面板14の傾け量の調整)によるデフォーカス特性の調整は、XまたはYの一方向にのみ効果があるようにすることで、デフォーカス特性が最小となる照明開口絞り円盤13の回転量(または、平行平面板14の傾け量)を求めることが容易となる。
【0029】
次に、照明モードに応じて行なわれる、照明開口絞り円盤13と平行平面板14の調整による光学的作用について説明する。図4は、照明開口絞り円盤13と平行平面板14の機能説明概略図で、図4(a)に示されるように、照明開口絞り円盤13の回転中心を中心とする同一円周上に照明開口絞り13A,13B,13Cは構成され、照明光束ILが、その円周の接線が垂直(または水平)となる位置を透過するように照明開口絞り円盤13は、配置されている。照明開口絞り13A(または、13B,13C)が配置されている同一円周の半径をR、照明開口絞り円盤13の調整量をΔθ、Δθに対する瞳面上のV軸方向の照明開口絞りの偏心量をΔV,W軸方向の偏心量をΔWとすると、
ΔV=R・sinΔθ
ΔW=R(1−cosΔθ)
と、なり、Δθが微小な領域では、ΔWの偏心量は無視できるので、照明開口絞り13A(または13B,13C)は、照明光束ILに対して照明光束IL光軸に垂直で直交する軸の垂直な方向(V軸方向)にのみ移動するとみなすことができる。
【0030】
また、平行平面板14の回転軸は、照明開口絞りが移動する垂直な軸(V軸)と平行とすることで、平行平面板14の傾き調整を行なったとき照明光束ILは、照明開口絞りが移動する方向(V軸方向)と直交する方向(W軸方向)に光軸がシフトされる。この照明開口絞り円盤13と平行平面板14の調整は、OA検出系1の結像面のフーリエ変換面である瞳面では、図4(b)のように示される。円形状の結像開口絞りASに対して照明開口絞りは、接線方向(V軸方向)については、回転円盤である照明開口絞り円盤13の回転駆動により位置調整され、接線方向と直行する方向(W軸方向)については平行平面板14の傾け量の調整により位置調整される。
【0031】
また、ファイバFB出射端も瞳面となるので、光源LSがHeNeレーザLS1とハロゲンランプLS2で切換えられた際にファイバFB出射端の照度分布が異なること(HeNeレーザによるスペックルが生じる)による瞳面照度分布成分も加味されて、デフォーカス特性が最小となるように、最適な照明開口絞りの位置調整が行なわれることとなる。
【0032】
本実施例によれば複数の照明条件を持つ位置検出装置においてデフォーカス特性を抑えることが可能となるためウエハのフォーカス位置によらない高精度な位置検出が達成できる。
【0033】
<半導体生産システムの実施例>
次に、半導体デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の生産システムの例を説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用して行なうものである。
【0034】
図6は全体システムをある角度から切り出して表現したものである。図中、101は半導体デバイスの製造装置を提供するベンダ(装置供給メーカ)の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例えば、前工程用機器(露光装置、レジスト処理装置、エッチング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装置、平坦化装置等)や後工程用機器(組立て装置、検査装置等)を想定している。事業所101内には、製造装置の保守データベースを提供するホスト管理システム108、複数の操作端末コンピュータ110、これらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク(LAN)109を備える。ホスト管理システム108は、LAN109を事業所の外部ネットワークであるインターネット105に接続するためのゲートウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能を備える。
【0035】
一方、102〜104は、製造装置のユーザとしての半導体デバイスメーカの製造工場である。製造工場102〜104は、互いに異なるメーカに属する工場であっても良いし、同一のメーカに属する工場(例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等)であっても良い。各工場102〜104内には、夫々、複数の製造装置106と、それらを結んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワーク(LAN)111と、各製造装置106の稼動状況を監視する監視装置としてホスト管理システム107とが設けられている。各工場102〜104に設けられたホスト管理システム107は、各工場内のLAN111を工場の外部ネットワークであるインターネット105に接続するためのゲートウェイを備える。これにより各工場のLAN111からインターネット105を介してベンダ101側のホスト管理システム108にアクセスが可能となり、ホスト管理システム108のセキュリティ機能によって限られたユーザだけがアクセスが許可となっている。具体的には、インターネット105を介して、各製造装置106の稼動状況を示すステータス情報(例えば、トラブルが発生した製造装置の症状)を工場側からベンダ側に通知する他、その通知に対応する応答情報(例えば、トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェアやデータ)や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場102〜104とベンダ101との間のデータ通信および各工場内のLAN111でのデータ通信には、インターネットで一般的に使用されている通信プロトコル(TCP/IP)が使用される。なお、工場外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線ネットワーク(ISDNなど)を利用することもできる。また、ホスト管理システムはベンダが提供するものに限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベースへのアクセスを許可するようにしてもよい。
【0036】
さて、図7は本実施例の全体システムを図6とは別の角度から切り出して表現した概念図である。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介して各工場の生産管理や少なくとも1台の製造装置の情報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデータ通信するものである。図中、201は製造装置ユーザ(半導体デバイスメーカ)の製造工場であり、工場の製造ラインには各種プロセスを行なう製造装置、ここでは例として露光装置202、レジスト処理装置203、成膜処理装置204が導入されている。なお図7では製造工場201は1つだけ描いているが、実際は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装置はLAN206で接続されてイントラネットを構成し、ホスト管理システム205で製造ラインの稼動管理がされている。一方、露光装置メーカ210、レジスト処理装置メーカ220、成膜装置メーカ230などベンダ(装置供給メーカ)の各事業所には、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホスト管理システム211、221、231を備え、これらは上述したように保守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管理システム205と、各装置のベンダの管理システム211、221、231とは、外部ネットワーク200であるインターネットもしくは専用線ネットワークによって接続されている。このシステムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起きた機器のベンダからインターネット200を介した遠隔保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑えることができる。
【0037】
半導体製造工場に設置された各製造装置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインターフェースと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフトウェアは、専用または汎用のウェブブラウザを含み、例えば図8に一例を示す様な画面のユーザインターフェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機種(401)、シリアルナンバー(402)、トラブルの件名(403)、発生日(404)、緊急度(405)、症状(406)、対処法(407)、経過(408)等の情報を画面上の入力項目に入力する。入力された情報はインターネットを介して保守データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データベースから返信されディスプレイ上に提示される。またウェブブラウザが提供するユーザインターフェースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能(410〜412)を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフトウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する操作ガイド(ヘルプ情報)を引出したりすることができる。
【0038】
次に上記説明した生産システムを利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図9は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷(ステップ7)する。前工程と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行ない、これらの工場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされる。また前工程工場と後工程工場との間でも、インターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装置保守のための情報がデータ通信される。
【0039】
図10は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を向上させることができる。
【0040】
【発明の効果】
本発明によれば、位置検出装置においてデフォーカス特性を抑えることが可能となるため、露光前の第2物体のフォーカス位置によらない高精度な位置検出が達成できる。本発明は、さらに、複数の照明条件を持つ位置検出装置において、照明条件の切換えと連動してアライメント光の入射角を最適に設定すること、すなわち、複数の各照明条件におけるデフォーカス特性を抑えることが人手による調整工程を入れることなく可能となり、スループットの向上に役立つ。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る投影露光装置の要部概略図である。
【図2】 図1における照明開口絞り円盤の概略説明図である。
【図3】 図1における平行平面板の概略説明図である。
【図4】 図1における照明開口絞り円盤と平行平面板の機能説明概略図である。
【図5】 検出系のデフォーカス特性の説明図である。
【図6】 半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。
【図7】 半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図8】 ユーザインターフェースの具体例である。
【図9】 デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図10】 ウエハプロセスを説明する図である。
【符号の説明】
1:OA検出系、11:照明リレーレンズ、12:モータ、13:照明開口絞り円盤、13A,13B,13C:照明開口絞り、13D:スリット、14:平行平面板、141:平行平面板保持部材、142:遮光板、15:モータ、16:照明コンデンサーレンズ、17:照明視野絞り、18:照明リレーレンズ、19:偏光ビームスプリッタ、20:反射プリズム、21:λ/4板、22:対物レンズ、23:リレーレンズ、24:検出光学系、25:画像検出素子、30:コンピュータ、31:主制御系、32:ステージ制御系、40:ウエハステージ、LS:光源部、LS1:HeNeレーザ、LS2:ハロゲンランプ、LS3:光源切換えミラー、LS4:光学系、AS:結像開口絞り、FB:ファイバ、OAIL:OA検出系照明系、IL:照明光束、ML:結像光束、PS1,PS2:フォトスイッチ、W:ウエハ、WM:ウエハマーク、UL:投影光学系。

Claims (4)

  1. 基板上に形成された位置合わせマークを照明する照明系と、前記位置合わせマークの像を結像する結像系とを備え、結像された位置合わせマークに基づいて前記基板の所定の位置基準に対する位置ずれを検出する位置検出装置において、
    前記照明系は、
    光源からの光を導くファイバと、
    前記ファイバの後段に配置された照明リレーレンズと、
    前記照明リレーレンズの後段の前記照明系の瞳面に配置され、回転中心と同心な同一円心上に形成されて回転駆動により切り替え可能な複数種類の照明開口絞りを有する回転円盤と、
    瞳面近傍に配置され、照明光束の光軸に対して垂直かつ前記照明開口絞りが配置される前記円周の前記照明光束が通る位置の接線に平行な軸を傾け軸とする透明な平行平面板を有し、
    前記位置合わせマークを照明する照明光束の光軸の傾きを、前記接線方向については前記回転円盤の回転駆動、前記接線方向と直交する方向については前記平行平面板の傾け量の調整により行うことを特徴とする位置検出装置。
  2. 前記回転円盤の回転量調整による前記照明開口絞りの位置ずらし方向と前記平行平面板の傾け量調整による前記照明光束の光軸の位置ずらし方向を、前記基板の位置ずれを計測する際の計測方向と一致させていることを特徴とする請求項1に記載の位置検出装置。
  3. 複数種類の光源と前記回転円盤に配置された複数の照明開口絞りとの組合せからなる複数の照明条件を持ち、前記駆動系による回転円盤の回転調整量と前記駆動系による平行平面板の傾け調整量が、前記複数の照明条件ごとに前記位置検出装置のデフォーカス特性値が最小となるように決定、記憶されており、前記位置検出装置の計測時に選択された照明条件に応じて自動的に、記憶された前記駆動系による回転円盤の回転調整量と前記駆動系による平行平面板の傾け調整量が適用されることを特徴とする請求項1または2に記載の位置検出装置。
  4. 第1物体上のパターンを投影光学系で第2物体上に投影露光する前に前記第1物体と第2物体の相対位置合わせを行なう露光装置において、前記相対位置合わせのための位置検出装置として請求項1〜のいずれか1つに記載の位置検出装置を備えたことを特徴とする露光装置。
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