JP2002158281A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 下地に段差がある場合でも上層配線でコンタ
クトホール周辺の絶縁膜を十分に被覆する。 【解決手段】 保護マスク２８は、コンタクトホール２
６の縁に絶縁膜２４の表面が露出する領域を残して、丸
みを有する断面形状で段差２２を覆う。こうして、保護
マスク２８上に給電用導電性膜２９を形成する際に段差
２２で断線することはなく、上層配線３２が断線しない
ようにする。また、上記露出領域はコンタクトホール２
６に対して自己整合的に形成され、上層配線３２によっ
てコンタクトホール２６の縁部の絶縁膜２４が覆われる
領域Ｉの幅がコンタクトホール２６の幅に対して自己整
合的に形成される。こうして、コンタクトホール２６が
露出したり、上記領域Ｉの寸法が小さくならないように
して、素子外部からの水分等がコンタクトホール２６を
通って素子内部に達することを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、下層配線と上層
配線とを絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して
接続する半導体装置の製造方法、および、その製造方法
で製造された半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、絶縁膜に設けられたコンタク
トホールを介して上記絶縁膜下の下層配線に接続される
上層配線を上記絶縁膜上に形成する場合に、上記コンタ
クトホールのみならず上記コンタクトホール周辺を含め
て上記上層配線で被覆することによって、素子外部から
の水分等の異物が上記コンタクトホールを通って素子の
内部に侵入することを防止するようにしている。

【０００３】そして、上記配線の幅や配線相互の間隔が
小さい場合であっても、上記上層配線がコンタクトホー
ルの縁部において規定幅で上記絶縁膜を確実に覆うこと
ができる方法の一例が、特開平５‐２３５１７３号公報
に開示されている。以下、その方法について図１０に従
って具体的に説明する。

【０００４】図１０(a)に示すように、半導体基板１上
に下層配線２を形成した後、第１絶縁膜３を形成し、さ
らに全面に給電用導電性膜４を形成する。次に、フォト
レジスト５を形成して所定パターンの開口部５aを形成
した後、全面に第２絶縁膜６を形成する。

【０００５】次に、図１０(b)に示すように、異方性エ
ッチングを行うことによって、フォトレジスト５の開口
部５aが広い部分Ａでは、第２絶縁膜６に開口部６aが形
成されて、第２絶縁膜６の一部が開口部６aの周囲にサ
イドウォール７として残る。一方、フォトレジスト５の
開口部５aが狭い部分Ｂでは、開口部５aが第２絶縁膜６
によって塞がれる。続いて、第２絶縁膜６,フォトレジ
スト５およびサイドウォール７をマスクとして給電用導
電性膜４及び第１絶縁膜３をエッチングして、下層配線
２に至るコンタクトホール８を形成する。

【０００６】次に、図１０(c)に示すように、上記コン
タクトホール８の内壁に給電用導電性膜９を形成し、サ
イドウォール７および第２絶縁膜６を除去し、給電用導
電性膜４,９を電極として電解メッキを行うことによっ
てフォトレジスト５の開口部５a内に上層電極１０を形
成する。その場合、開口部５aが広い部分Ａにおける上
層電極１０aは、コンタクトホール８を介して下層配線
２に接続されている。最後に、フォトレジスト５と不要
な部分の給電用導電性膜４が除去されて、下層配線２と
上層配線１０とのコンタクトホール８を介した接続構造
が得られる。

【０００７】上述した上記下層配線２と上層配線１０と
の接続工程においては、上記コンタクトホール８の幅を
サイドウォール７によって規定するために、フォトレジ
スト５の開口部５aの幅に対して自己整合的に規定され
た幅の開口(コンタクトホール８)が形成される。そし
て、更にフォトレジスト５をマスクとして上層配線１０
が形成されるので、結果的には、上層配線１０の形状に
対して自己整合的にコンタクトホール８の形状が決定さ
れることになる。したがって、上層配線１０がコンタク
トホール８の縁部で第１絶縁膜３の上面に重なる領域Ｃ
の幅を、上層配線１０の幅に対して自己整合的に確実に
規定することができるのである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の下層配線２と上層配線１０との絶縁膜３に形成され
たコンタクトホール８を介した接続構造においては、下
層配線２の下地(半導体基板１)に段差がある場合には、
給電用導電性膜４に断線が生じて電界メッキが均一にで
きず、上層配線１０が断線する場合があるという問題が
ある。

【０００９】そのために、図１１に示すように、半導体
基板１１に段差がある場合は、図１０における給電用導
電性膜４に相当する給電用導電性膜を形成せずに、例え
ば、図１０(a)および図１０(b)に示す方法によって、絶
縁膜１３に下層配線１２に至るコンタクトホール１４を
形成する。そうした後に、図１０におけるフォトレジス
ト５,第２絶縁膜６およびサイドウォール７に相当する
フォトレジスト,絶縁膜およびサイドウォールを除去
し、段差部に保護マスク１５を形成した後に給電用導電
性膜１７を形成することになる。

【００１０】詳述すると、図１１(a)に示すように、上
記コンタクトホール１４が形成された基板全面に有機レ
ジスト等によって保護マスク１５を形成し、コンタクト
ホール１４に位置合せを行って開口部１６を形成した後
に開口部１６の縁部に丸みを形成する。こうして、半導
体基板１１の段差部を丸みを有する保護マスク１５で滑
らかに覆うのである。その後、図１１(b)に示すよう
に、全面に給電用導電性膜１７を形成し、保護マスク１
５上にメッキマスク１８を形成した後、給電用導電性膜
１７を電極として電解メッキを行うことによって保護マ
スク１５の開口部１６内に上層電極１９を形成する。そ
の後、メッキマスク１８,メッキマスク１８直下の給電
用導電性膜１７および保護マスク１５を除去することに
よって、図１１(b)に示すような半導体装置が得られる
のである。こうして、丸みを有する保護マスク１５上に
給電用導電性膜１７を形成することによって、給電用導
電性膜１７の断線を防止するのである。

【００１１】ところで、上記コンタクトホール１４に位
置合せを行って開口部１６を形成する際に上記位置合せ
にずれが生じた場合には、図１１(a)における開口部１
６aのように、開口部１６aの縁から絶縁膜１３が露出す
る領域Ｄが狭くなる場合がある。あるいは、開口部１６
bのように、保護マスク１５が開口部１６b内に入ってし
まう領域Ｅが生ずる場合がある。そして、その状態で上
層配線１９を形成すると、図１１(b)における上層配線
１９aのように絶縁膜１３の上面に重なっている領域が
狭い部分Ｆが生じたり、上層配線１９bのように完全に
絶縁膜１３を被覆できずに絶縁膜１３が露出している部
分Ｇが生じたりする場合がある。つまり、特開平５‐２
３５１７３号公報に開示されている方法では、下層配線
１２の下地(半導体基板１１)に段差がある場合には、上
層配線１９がコンタクトホール１４の縁部で絶縁膜１３
の上面に重なる領域の幅を、コンタクトホール１４の幅
に対して自己整合的に規定することができないのであ
る。

【００１２】このような構造の場合には、上記部分Ｆ,
Ｇを通して素子外部から水分等の異物が侵入し易くな
り、素子の耐水性が劣化して素子寿命が短くなるという
問題がある。また、素子の耐水性を向上させるために部
分Ｆ,Ｇを絶縁膜等で被覆しても、上記部分Ｆ,Ｇは奥ま
った個所に在るため上記絶縁膜が疎となって、耐水性を
向上させることは困難であると言う問題がある。

【００１３】そこで、この発明の目的は、段差を有する
下地上に形成された下層配線と上層配線とを絶縁膜のコ
ンタクトホールを介して接続するに際して上記上層配線
でコンタクトホール周辺の絶縁膜を十分に被覆すること
ができる半導体装置の製造方法、および、その製造方法
で製造された半導体装置を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、下層配線と,この下層配線上を覆っ
て形成された絶縁膜と,この絶縁膜に形成されたコンタ
クトホールと,このコンタクトホールを介して上記下層
配線に接続された上層配線を有する半導体装置の製造方
法において、上記絶縁膜上に有機レジストによってコン
タクトホールエッチング用マスクを形成する工程と、上
記コンタクトホールエッチング用マスクを用いて,上記
絶縁膜にエッチングを施して上記下層配線に至るコンタ
クトホールを形成する工程と、上記コンタクトホールエ
ッチング用マスクの縁部の位置を後退させて,上記コン
タクトホールの縁部において上記絶縁膜の表面を露出さ
せる工程と、全面に給電用導電性膜を形成する工程と、
上記給電用導電性膜上における上記コンタクトホール部
および上記コンタクトホール縁部の絶縁膜表面を含む領
域に開口部を有するメッキマスクを形成する工程と、上
記給電用導電性膜を電極とする電解メッキによって上記
メッキマスクの開口部に金属を被着させて上記下層配線
に電気的に接続された上層配線を形成する工程と、上記
メッキマスクおよびそのメッキマスク直下の上記給電用
導電膜を除去する工程を備えたことを特徴としている。

【００１５】上記構成によれば、絶縁膜上に有機レジス
トによって形成されたコンタクトホールエッチング用マ
スクは、上記下層配線に至るコンタクトホールを形成す
る際に用いられた後も残される。したがって、上記下層
配線の下地に段差が存在する場合には、上記段差がコン
タクトホールエッチング用マスクによって被覆されこと
になる。すなわち、その後に上記段差部に形成される給
電用導電性膜は、上記コンタクトホールエッチング用マ
スク上に上記段差を跨いで形成される。したがって、上
記給電用導電性膜に上記段差に起因して断線が生じるこ
とはなく、この給電用導電性膜を電極として形成される
上層配線にも断線は生じないのである。

【００１６】さらに、上記コンタクトホールエッチング
用マスクの縁部の位置を後退させて上記絶縁膜の表面を
露出させるので、上記絶縁膜の露出部が上記コンタクト
ホールに対して自己整合的に形成される。したがって、
上記コンタクトホール部および上記露出部に電解メッキ
によって上層配線を形成することによって、上層配線が
上記コンタクトホールの縁部で上記絶縁膜の上面を覆う
領域の幅が上記コンタクトホールの幅に対して自己整合
的に設定され、上記絶縁膜の上面が上記上層配線によっ
て確実に覆われる。そのために、素子外部からの水分等
が上記コンタクトホールを通って素子内部に進入して素
子が劣化されることが防止される。

【００１７】また、上記第１の発明の半導体装置の製造
方法は、上記コンタクトホールを形成した後、上記コン
タクトホールエッチング用マスク上に有機レジストエッ
チング用マスクを形成し、この有機レジストエッチング
用マスクを用いて上記有機レジストで成る上記コンタク
トホールエッチング用マスクにエッチングを施すことに
よって、上記コンタクトホールエッチング用マスクに開
口部分を形成する工程を備えることが望ましい。

【００１８】上記構成によれば、後に、上記コンタクト
ホールエッチング用マスクに形成された開口部分に開口
部を有するメッキマスクを形成し、上記給電用導電性膜
を電極とする電解メッキによって上記メッキマスクの開
口部に上記上層配線を形成することによって、上記下層
配線に電気的に接続されていない上層配線が形成され
る。

【００１９】また、上記第１の発明の半導体装置の製造
方法は、上記絶縁膜にコンタクトホールを形成した後
に、上記コンタクトホールエッチング用マスクに熱処理
を施して、開口部を変形させて丸みを有する断面形状に
する工程を備えることが望ましい。

【００２０】上記構成によれば、上記段差を被覆するコ
ンタクトホールエッチング用マスクの断面形状が丸みを
有しているために、上記コンタクトホールエッチング用
マスク上に形成される上記給電用導電性膜には、上記段
差に起因する断線は殆ど生じない。

【００２１】また、上記第１の発明の半導体装置の製造
方法は、上記コンタクトホールエッチング用マスクに熱
処理を施して変形させるに先立って、上記コンタクトホ
ールエッチング用マスクに紫外線を照射することによっ
て、上記コンタクトホールエッチング用マスクを部分的
に硬化させることが望ましい。

【００２２】上記構成によれば、上記コンタクトホール
エッチング用マスクに紫外線が照射されるので、上記コ
ンタクトホールエッチング用マスクの一部が架橋反応し
て、熱処理による過剰な軟化に伴う著しい変形が抑制さ
れる。したがって、上記コンタクトホールエッチング用
マスクが上記コンタクトホールに覆い被さることがな
く、上記給電用導電性膜の断線が無くなって歩留まりが
向上する。

【００２３】また、上記第１の発明の半導体装置の製造
方法は、上記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程
において用いる上記エッチングを反応性ドライエッチン
グによって行うことが望ましい。

【００２４】上記構成によれば、上記絶縁膜に対するコ
ンタクトホールの形成は、異方性の強い反応性イオンエ
ッチングを用いて行われる。したがって、サイドエッチ
ングは少なく、上記コンタクトホールエッチング用マス
クの開口に一致したコンタクトホールが精度よく形成さ
れる。

【００２５】また、上記第１の発明の半導体装置の製造
方法は、上記電解メッキによって上記上層配線を形成し
た後に上記メッキマスクを硬化させる工程と、上記メッ
キマスク上に上部メッキマスクを形成する工程と、上記
給電用導電性膜を電極とする電解メッキによって上記上
部メッキマスクの開口部に金属を被着させて,上記上層
配線上に積層された上部上層配線を形成する工程と、上
記上部メッキマスクを除去する工程を備えていることが
望ましい。

【００２６】上記構成によれば、上層配線が、上記上層
配線および上部上層配線で構成される。したがって、上
層配線の厚みを従来と同じとすれば、２回の電解メッキ
を行うので１回当りの電解メッキによる金属の被着量は
少なくてすむ。そのために、上記メッキマスクおよびそ
の上に形成される上部メッキマスクの幅を薄くすること
が可能になり、上層配線相互の間隔を従来よりも狭く形
成する場合でも上記メッキマスクおよび上部メッキマス
クが均一に形成される。その結果、上層配線相互の間隔
が狭く且つ上層配線間の短絡等を起こすことが無い半導
体装置が形成される。

【００２７】また、第２の発明の半導体装置は、上記第
１の発明の半導体装置の製造方法によって製造されたこ
とを特徴としている。

【００２８】上記構成によれば、上記上層配線に断線が
生ずることが無く、高い歩留りが得られる。さらに、上
記上層配線によって上記コンタクトホールの縁部で上記
絶縁膜の上面が確実に覆われて、素子外部からの水分等
が上記コンタクトホールを通って素子内部に進入するこ
とによる素子の劣化が防止される。

【００２９】また、上記第２の発明の半導体装置は、上
記下層配線をヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけ
るオーミック電極で成し、上記コンタクトホールを上記
オーミック電極上を覆う絶縁膜に形成して、上記絶縁膜
上に形成された上層配線電極と当該オーミック電極とを
上記コンタクトホールを介して電気的に接続することが
望ましい。

【００３０】上記構成によれば、ヘテロ接合バイポーラ
トランジスタにおけるオーミック電極に上記コンタクト
ホールを介して電気的に接続された上層配線電極に断線
が生ずることが無く、高い歩留りが得られる。さらに、
上記上層配線電極によって上記コンタクトホールの縁部
で上記絶縁膜の上面が確実に覆われて、素子外部からの
水分等が上記コンタクトホールを通ってヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタ素子内部に進入して劣化することが
防止される。

【００３１】さらに、上記上層配線電極を二回の電解メ
ッキによって二層に構成すれば、上記上層配線電極相互
の間隔が狭く且つ上記上層配線電極間の短絡等を起こす
ことが無い構造になっている。したがって、各上層配線
電極は、より幅が広く、厚みがより厚く、相互の間隔が
より狭くなっており、素子抵抗および配線抵抗の低い高
性能のヘテロ接合バイポーラトランジスタが提供され
る。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、この発明を図示の実施の形
態により詳細に説明する。 ＜第１実施の形態＞図１〜図５は、本実施の形態の半導
体装置の製造方法における各工程での半導体積層構造体
の断面図である。本実施の形態は、段差を有する半導体
基板上に下層配線および上層配線を形成し、上層配線と
下層配線とを、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを
介して接続する半導体装置の製造方法に関する。

【００３３】図１(a)に示すように、半導体基板２１に
おけるエッチング等で形成された段差２２の上段および
下段に下層電極２３,２３を形成し、その上全面に窒化
珪素からなる絶縁膜２４を形成する。次に、図１(b)に
示すように、絶縁膜２４上に有機レジストを塗布し、コ
ンタクトホール形成部分の有機レジストに開口を形成し
て、コンタクトホールエッチング用マスク２５を形成す
る。そして、このコンタクトホールエッチング用マスク
２５を用いて、反応性イオンエッチングによって、絶縁
膜２４に下層電極２３に至るコンタクトホール２６を形
成する。尚、本実施の形態においては、上記有機レジス
トとしてノボラック系のポジ型フォトレジストを用い、
露光現像工程によって開口部を形成してコンタクトホー
ルエッチング用マスク２５とした。以降、上記有機レジ
ストのコンタクトホールエッチング用マスク２５を保護
マスクとするための適切な形状に加工する。

【００３４】先ず、図２(c)に示すように、上記コンタ
クトホールエッチング用マスク２５（有機レジスト)に
熱処理を施して感光性を無くすと同時に、開口部を変形
させて丸みを持った断面形状にする。そして、その上
に、有機レジストエッチング用マスク２７を形成する。
次に、図２(d)に示すように、有機レジストエッチング
用マスク２７を用いてコンタクトホールエッチング用マ
スク２５にエッチングを施して、コンタクトホールエッ
チング用マスク２５における段差２２の下段に、絶縁膜
２４に至る開口部を形成する。

【００３５】次に、図３(e)に示すように、上記有機レ
ジストエッチング用マスク２７を除去する。そして、図
３(f)に示すように、コンタクトホールエッチング用マ
スク２５の表面を酸素を含むプラズマによってアッシン
グして除去し、縁部の位置を後退させて開口領域を広げ
る。こうして、コンタクトホール２６の縁に絶縁膜２４
の表面が露出している領域Ｈを形成する。その結果、コ
ンタクトホールエッチング用マスク２５が保護マスクと
して有効な形状に成形される。以後、保護マスクとして
有効な形状に成形されたコンタクトホールエッチング用
マスク２５を保護マスク２８と言う。

【００３６】こうして形成された保護マスク２８は、上
記コンタクトホール２６の縁に絶縁膜２４の表面が露出
している領域Ｈを残して、丸みを有する断面形状で段差
２２を覆っている。したがって、後に保護マスク２８上
に給電用導電性膜を形成することによって、上記給電用
導電性膜が段差２２の部分で断線することはないのであ
る。また、上記領域Ｈは、コンタクトホール２６に対し
て自己整合的に形成される。したがって、領域Ｈの幅
は、コンタクトホール２６の幅に自己整合的に規定され
ることになる。

【００３７】本実施の形態においては、上記有機レジス
トエッチング用マスク２７として、コンタクトホールエ
ッチング用マスク２５と同じノボラック系のポジ型フォ
トレジストを用いている。そして、マスクとして使用し
た後の除去に際しては、全面を感光させて現像すること
によって、上記熱処理によって感光性を無くしているコ
ンタクトホールエッチング用マスク２５に対して、有機
レジストエッチング用マスク２７を選択的に除去するの
である。

【００３８】次に、図４(g)に示すように、全面に給電
用導電膜２９を形成する。そして、コンタクトホール２
６と、このコンタクトホール２６の縁部における絶縁膜
２４を含む領域と、コンタクトホール２６部以外におけ
る配線の形成部分とに開口部を有するメッキマスク３０
を、ノボラック系のポジレジストによって形成する。次
に、図４(h)に示すように、メッキマスク３０の開口部
に、給電用導電性膜２９を陰極として電解液中で通電
し、電解メッキを施すことによって金属３１を被着させ
る。

【００３９】次に、図５(i)に示すように、上記メッキ
マスク３０を除去する。そして、上記電解メッキによっ
て被着された金属３１をマスクとして給電用導電膜２９
の一部を除去し、コンタクトホール２６部に形成された
金属３１で成る上層配線３２とコンタクトホール２６部
以外の金属３１で成る上層配線３３とを形成する。こう
して、コンタクトホール２６の縁で上層配線３２が絶縁
膜２４の表面上に重なる領域Ｉをコンタクトホール２６
に対して自己整合的に形成することができるのである。
最後に、図５(j)に示すように、保護マスク２８を除去
することによって、上層配線３２がコンタクトホール２
６の縁部で絶縁膜２４の上面に重なる領域Ｉの幅が、コ
ンタクトホール２６の幅に対して自己整合的に規定され
た半導体装置が得られるのである。

【００４０】図６(a)は図５(j)の平面図であり、図５
(j)は図６(a)のＪ‐Ｊ'矢視断面図に相当する。以下、
図６(a)に従って、得られた半導体装置の平面構造につ
いて説明する。図６(a)において、段差２２は一方向に
細長く形成されており、二つの上層配線３２,３２は、
段差２２の上段および下段の下層電極２３,２３(図５参
照)上に形成されたコンタクトホール２６,２６とその周
囲の絶縁膜２４,２４部分を覆うように形成されてい
る。

【００４１】また、上記上層配線３２,３２に接続され
た配線３４,３４が形成されている。そして、段差２２
の上段から下段に掛けては、図６(b)(図６(a)のＫ‐Ｋ'
矢視断面図)に示すように配線３４が、ブリッジ構造３
５になっている。このブリッジ構造３５は、図４(g)の
工程において、保護マスク２８の上に配線３４形成用の
メッキマスクの開口を形成して上記電解メッキを行うこ
とによって形成される。尚、このように、段差２２を覆
って形成された丸みを有する断面形状の保護マスク２８
上に給電用導電性膜２９を形成することによって、給電
用導電性膜２９が段差２２の部分で断線することはな
い。したがって、給電用導電性膜２９を陰極とする電解
メッキによって形成される上層配線３２および配線３４
も断線しないのである。

【００４２】こうして、上記上層配線３２を、コンタク
トホール２６に対して自己整合的に形成されてコンタク
トホール２６の縁部で絶縁膜２４の表面に重なる領域Ｉ
を有するように形成することができる。したがって、上
述のようにして形成された半導体装置においては、上層
配線３２によってコンタクトホール２６の縁部の絶縁膜
２４が覆われる領域Ｉの幅がコンタクトホール２６の幅
に対して自己整合的に形成された構造を有しており、位
置合せ誤差によってコンタクトホール２６が露出した
り、上記領域Ｉの寸法が小さくなることがない。

【００４３】したがって、素子外部からの水分等がコン
タクトホール２６を通って素子内部に達することを防止
できるのである。また、位置合せ誤差を予め確保してお
く必要がないため、所定幅の上層配線３２の領域にコン
タクトホール２６を形成する場合にコンタクトホール２
６の開口を大きくすることができ、接続抵抗を小さくす
ることができるのである。

【００４４】尚、上記実施の形態において、上記段差２
２は、半導体基板２１をエッチングして形成したもの以
外に、エピタキシャル成長した半導体層をエッチングし
て形成した段差であってもよく、絶縁膜をエッチングし
て形成した段差であっても差し支えない。また、下層電
極２３は、半導体素子のオーミック電極やショットキー
電極、あるいは、それらを形成する際に電極材料を連続
して延在させて形成した引き出し配線電極、あるいは、
配線として別途形成した配線電極等である。また、絶縁
膜２４としては、上記窒化珪素以外にも酸化珪素等の半
導体製造工程において用いられる絶縁膜を広く使用する
ことができる。

【００４５】また、上記実施の形態においては、図１
(b)において形成されるコンタクトホールエッチング用
マスク２５(保護マスク２８)は、有機レジスト材料を塗
布して形成される。これは、段差２２を確実に被覆する
ためであり、窒化珪素や酸化珪素をプラズマＣＶＤ(化
学気相成長法)等で形成した場合に比較して、段差２２
を滑らかに被覆することができ、給電用導電性膜２９や
上層配線３２の断線を効果的に防止できるためである。

【００４６】また、上記実施の形態において、図１(b)
におけるコンタクトホール２６の形成に反応性イオンエ
ッチングを用いているが、フッ素イオンを含む水溶液等
によるエッチングを用いることもできる。その場合に
は、等方的なエッチングとなるため、コンタクトホール
エッチング用マスク２５の開口よりもサイドエッチング
分だけ広がった開口部を有するコンタクトホール２６が
形成される。そのため、図３(f)において保護マスク２
８を後退させる際の後退寸法を、サイドエッチングの寸
法に相応して多くする必要がある。但し、異方性の強い
エッチングの方がサイドエッチングは少なく、コンタク
トホールエッチング用マスク２５の開口に一致したコン
タクトホール２６を形成できるため、より精度良くコン
タクトホール２６を形成できて好ましい。

【００４７】また、上記実施の形態においては、図２
(d)の工程でコンタクトホールエッチング用マスク２５
に対してエッチングを行った後、図３(e)の工程で有機
レジストエッチング用マスク２７を選択的に除去する必
要があるので、有機レジストであるコンタクトホールエ
ッチング用マスク２５と有機レジストエッチング用マス
ク２７とは、剥離特性が異なる必要がある。尚、上記実
施の形態においては、熱処理によってコンタクトホール
エッチング用マスク２５の感光性を無くして有機レジス
トエッチング用マスク２７と感光特性を変えることで剥
離特性を異ならせている。しかしながら、熱処理によっ
てフォトレジストの有機溶剤に対する溶解度も低下する
ので、溶解度を調節した溶剤を用いても有機レジストエ
ッチング用マスク２７のみを選択的に溶解除去すること
ができる。但し、上記実施の形態のごとく、露光現像を
用いた方が、後に保護マスク２８となるコンタクトホー
ルエッチング用マスク２５に損傷を与えないのでより好
ましい。

【００４８】また、上記コンタクトホールエッチング用
マスク２５を、上記有機レジストエッチング用マスク２
７が選択的に除去できるような異なる材料で形成するこ
とも可能である。その場合の保護マスク２８となること
が可能な有機レジスト材料として、ポリイミドを含むレ
ジストやポリグルタルイミドを含むレジストを用いる
と、一般的なノボラック系のポジレジストに対して溶解
特性が大きく異なるため有機レジストエッチング用マス
ク２７を選択的に除去できるので好ましい。尚、有機レ
ジストエッチング用マスク２７を用いてコンタクトホー
ルエッチング用マスク２５をエッチングしてコンタクト
ホール２６とは異なる開口部を形成する工程と、コンタ
クトホールエッチング用マスク２５を後退させてコンタ
クトホール２６の周辺に絶縁膜２４の上面が露出した領
域Ｈを形成する工程とは、順序を逆にすることができ
る。さらに、コンタクトホール部分２６部の箇所以外に
上層配線３３を形成する必要がない場合には、有機レジ
ストエッチング用マスク２７を用いてコンタクトホール
エッチング用マスク２５をエッチングして上記開口部を
形成する工程は必要ない。

【００４９】また、本実施の形態においては、図５(i)
の工程で保護マスク２８を除去せずに残しておくことも
できる。その場合には、図６(b)におけるブリッジ構造
３５における給電用導電性膜２９の下に保護マスク２８
が残るので、ブリッジ構造３５が補強される効果を奏す
る。尚、その場合、保護マスク２８用の有機レジスト材
料としては、ポリイミド含有樹脂やベンゾシクロブテン
基含有化合物の硬化体等耐熱性の高い材料を使用するこ
とが好ましい。

【００５０】＜第２実施の形態＞本実施の形態において
は、上記第１実施の形態における有機レジスト材料で成
るコンタクトホールエッチング用マスク２５に紫外線を
照射する工程を加えたものである。以下、上記第１実施
の形態の場合と同じ図面を用いて説明する。

【００５１】上記第１実施の形態における図１と同様に
して、半導体基板２１における段差２２の上段と下段と
に下層配線２３を形成し、絶縁膜２４で覆った後コンタ
クトホールエッチング用マスク２５を形成し、コンタク
トホールエッチング用マスク２５を用いてコンタクトホ
ール２６を形成する。

【００５２】次に、上記コンタクトホールエッチング用
マスク２５としての有機レジストに紫外線を照射する。
これによって有機レジストの表面付近で分子間に架橋反
応を行わせて有機レジストを部分的に硬化させるのであ
る。

【００５３】その後は、熱処理を行い、上記有機レジス
トエッチング用マスク２７を形成して上記第１実施の形
態における図２(c)の状態となる。以降、上記第１実施
の形態の場合と同じ工程によって、上層配線３２によっ
てコンタクトホール２６の縁部の絶縁膜２４が覆われる
領域Ｉの幅がコンタクトホール２６の幅に対して自己整
合的に形成された構造の半導体装置を得る。

【００５４】上記第１実施の形態においては、図２(c)
に示すように、上記有機レジストで成るコンタクトホー
ルエッチング用マスク２５に熱処理を施して感光性を無
くすと同時に丸みを持った形状にしている。ところが、
その際に、高温時に上記有機レジストが軟化し過ぎると
著しく変形する場合がある。図７(a)に、図１(b)におけ
る平面図を示す。尚、図１(b)は図７(a)におけるＬ‐
Ｌ'矢視断面図であり、図７(b)は図７(a)におけるＭ‐
Ｍ'矢視断面図である。コンタクトホール２６の開口部
を形成するコンタクトホールエッチング用マスク２５は
軟化して変形した際に、上記開口部の縁が点線で示した
楕円に近い形状４１に変形するため、細長い形状のコン
タクトホール２６の場合には長さ方向ではコンタクトホ
ールエッチング用マスク２５がコンタクトホール２６上
に覆い被さるように変形し、給電用導電性膜２９および
上層配線３２の断線の原因となる場合が生じる。

【００５５】本実施の形態においては、上記コンタクト
ホールエッチング用マスク２５に紫外線を照射するの
で、コンタクトホールエッチング用マスク２５の一部が
架橋反応して上述のような著しい変形が抑制され、コン
タクトホール２６に覆い被さることのない形状４２を保
つことができる。したがって、給電用導電性膜２９の断
線延いては上層配線３２の断線を無くして歩留まりを向
上できるのである。

【００５６】＜第３実施の形態＞本実施の形態において
は、上記第１実施の形態あるいは第２実施の形態におけ
る上層配線をより厚く形成する半導体装置の製造方法に
関する。以下、図８に従って本実施の形態における半導
体装置の製造方法について説明する。

【００５７】上記第１実施の形態における図１〜図４と
同様にして、半導体基板５１における段差５２の上段お
よび下段に下層電極５３,５３を形成し、その上全面に
絶縁膜５４を形成する。次に、有機レジストによってコ
ンタクトホールエッチング用マスクを形成し、このコン
タクトホールエッチング用マスクを用いて絶縁膜５４に
コンタクトホール５５を形成する。次に、コンタクトホ
ールエッチング用マスクに熱処理を施して感光性を無く
すと同時に、開口部を変形させて丸みを持った形状にす
る。そして、その上に、有機レジストエッチング用マス
クを形成する。次に、この有機レジストエッチング用マ
スクを用いてコンタクトホールエッチング用マスクに開
口部を形成する。

【００５８】次に、上記有機レジストエッチング用マス
クを除去し、コンタクトホールエッチング用マスクの表
面をアッシングして縁部の位置を後退させて開口領域を
広げる。こうして、コンタクトホール５５の縁に絶縁膜
５４の表面が露出している領域を形成すると共に保護マ
スク５６が形成される。次に、全面に給電用導電膜５７
を形成した後にメッキマスク５８を形成し、メッキマス
ク５８の開口部に電解メッキを施すことによって金属５
９を被着させる。

【００５９】次に、図８(a)に示すように、熱処理によ
ってメッキマスク５８を硬化させ、その上に上部メッキ
マスク６０を形成する。そして、上部メッキマスク６０
の開口部に給電用導電性膜５７を陰極として電解液中で
通電し、電解メッキを施すことによって金属６１を被着
させる。

【００６０】次に、図８(b)に示すように、上記上部メ
ッキマスク６０およびメッキマスク５８を除去し、メッ
キマスク５８直下の給電用導電性膜５７を除去し、保護
レジスト５６を除去することによって、上層配線６２,
６３上に上部上層配線６４,６５が積層されてより厚く
形成された上層配線を形成するのである。

【００６１】上述のごとく、上層配線によってコンタク
トホール５５の縁部の絶縁膜５４が覆われる領域の幅が
コンタクトホール５５の幅に対して自己整合的に規定さ
れた半導体装置において、上記上層配線を上層配線６
２,６３と上部上層配線６４,６５とで厚く形成すること
ができる。また、上層配線の厚みを上記第１実施の形態
および第２実施の形態と同じとすれば、本実施の形態に
おいては２回の電解メッキを行うので、１回当りの電解
メッキによる金属の被着量は少なくてすむ。そのため
に、メッキマスク５８および上部メッキマスク６０の幅
を薄くすることが可能になり、上層配線相互の間隔を上
記第１実施の形態よりも狭く形成してもメッキマスク５
８および上部メッキマスク６０を均一に形成することが
できる。

【００６２】したがって、本実施の形態によれば、上記
上層配線によってコンタクトホール５５の縁部の絶縁膜
５４が覆われる領域の幅がコンタクトホール５５の幅に
対して自己整合的に設定された半導体装置において、上
層配線相互の間隔が狭く且つ上層配線間の短絡等を起こ
すことが無い半導体装置を形成することができる。

【００６３】尚、本実施の形態においても、第１実施の
形態の場合と同様に、保護レジスト５６を残した構成に
しても一向に差し支えない。

【００６４】＜第４実施の形態＞本実施の形態は、上記
第１実施の形態乃至第３実施の形態の何れか１つをヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタの配線に使用した場合の
例である。図９(a)に示すように、半導体基板７１上に
形成したサブコレクタ層,コレクタ層,ベース層およびエ
ミッタ層からなる能動層７２を、エッチングによってメ
サ構造(島状構造)とする。そして、上記サブコレクタ層
にオーミック接合を有するコレクタオーミック電極７
３、上記ベース層にオーミック接合を有するベースオー
ミック電極７４、上記エミッタ層にオーミック接合を有
するエミッタオーミック電極７５を形成し、絶縁膜７６
で被覆する。ここで、コレクタオーミック電極７３,ベ
ースオーミック電極７４およびエミッタオーミック電極
７５は、上記第１実施の形態乃至第３実施の形態におけ
る下層配線に相当する。

【００６５】そして、上記絶縁膜７６に、上記下層配線
としてのコレクタオーミック電極７３,ベースオーミッ
ク電極７４およびエミッタオーミック電極７５に至るコ
ンタクトホール７７を形成し、このコンタクトホール７
７に自己整合した保護マスク７８を形成する。これは、
上記第１実施の形態における図３(f)の状態に相当す
る。

【００６６】次に、図９(b)に示すように、上記給電用
導電性膜(図示せず)を形成し、メッキマスク７９を形成
した後、電解メッキによって上層配線８０を形成する。
これは、上記第１実施の形態における図４(h)の状態に
相当する。その後、メッキマスク７９,上記給電用導電
性膜および保護マスク７８を除去することによってヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタが得られる。その際に、
上層配線８０によってコンタクトホール７７の縁部の絶
縁膜７６が覆われる領域の幅がコンタクトホール７７の
幅に対して自己整合的に規定されているのである。

【００６７】図９(c)は、各配線が形成された状態の平
面図を示しており、各メサ構造の段差(メサ段差)８１に
沿ってコンタクトホール７７が形成されている。そし
て、コンタクトホール７７に対して自己整合的に形成さ
れた上層配線８０として、コレクタオーミック電極７３
に接続されたコレクタ配線電極８２、ベースオーミック
電極７４に接続されたベース配線電極８３、エミッタオ
ーミック電極７５に接続されたエミッタ配線電極８４が
形成されている。また、上記各配線からの引き出し電極
は、図６(a),(b)に示すようなブリッジ構造によって引
き出すのが好ましく、図９(c)に示すように、コレクタ
配線電極８２からブリッジ構造８５によって素子周辺部
分の配線８６に接続されている。尚、エミッタ配線電極
８４およびベース配線電極８３からの引き出し配線は図
示していない。

【００６８】このように、特に、ヘテロ接合バイポーラ
トランジスタ素子においては、エミッタ配線電極８４と
ベース配線電極８３およびコレクタ配線電極８２が近接
して形成され、コンタクトホール７７と保護マスク７８
とが微小な領域に形成されることになる。これは、各オ
ーミック電極７３,７４,７５が能動層７２におけるエミ
ッタメサ下部の真性素子領域に近い程素子性能が向上す
るためであり、その結果各オーミック電極７３,７４,７
５が互いに並んで近接して形成されることになる。

【００６９】ところが、各配線電極８２,８３,８４の抵
抗を低減するために、上層配線８０はできるだけ厚みを
厚く幅を広く形成した方が性能が向上する。さらには、
配線電極８２,８３,８４相互間にメサ段差８１を有して
いるため、各メサ段差８１の箇所で給電用導電性膜が断
線して上層配線８０が断線しないようにする必要があ
る。本実施の形態においては、各メサ段差８１上に表面
が滑らかに湾曲した保護マスク７８を形成し、その上に
上記給電用導電性膜を形成するので上記給電用導電性膜
が断線することはなく、上記給電用導電性膜を電極とす
る電解メッキによって形成される上層配線８０も断線す
ることはない。

【００７０】さらに、上記第３実施の形態によれば、上
記上層配線８０によってコンタクトホール７７の縁部の
絶縁膜７６が覆われる領域の幅がコンタクトホール７７
の幅に対して自己整合的に規定された構造において、上
層配線８０相互の間隔が狭く且つ上層配線８０間の短絡
等を起こすことが無い構造に形成することができる。し
たがって、各配線電極８２,８３,８４に関して、より幅
を広く、厚みをより厚く、相互の間隔をより狭く形成す
ることが可能となり、素子の抵抗を低減し、配線抵抗を
低減することで高性能のヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ素子を提供することができるのである。

【００７１】上記各実施の形態は、上記ヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタだけではなく、段差が大きなエピタ
キシャル層をエッチングしメサ形状としてその部分に素
子を形成するダイオード素子や電界効果トランジスタ素
子やガン効果素子等の素子に関して信頼性を向上でき、
特に、水分の進入等による劣化が比較的多い化合物半導
体からなる素子の信頼性を大きく高めることができる。
また、その中でも、段差が大きな縦形デバイス、例え
ば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタや、縦形のダイ
オードデバイス、縦形のガン効果素子に適用することに
よって、素子の性能を向上させることができるのであ
る。

【００７２】

【発明の効果】以上より明らかなように、第１の発明の
半導体装置の製造方法は、絶縁膜上に有機レジストによ
って形成されたコンタクトホールエッチング用マスクを
用いて上記絶縁膜に下層配線に至るコンタクトホールを
形成し、上記コンタクトホールの縁部において上記絶縁
膜の表面を露出させた後に給電用導電性膜を形成し、上
記コンタクトホール部および上記コンタクトホール縁部
の絶縁膜表面を含む領域に開口部を有するメッキマスク
を形成し、上記給電用導電性膜を電極とする電解メッキ
によって上記メッキマスクの開口部に上層配線を形成す
るので、上記下層配線の下地に段差が存在する場合に
は、上記段差をコンタクトホールエッチング用マスクに
よって被覆することができる。したがって、その上に形
成される給電用導電性膜が上記段差に起因して断線する
ことを抑制でき、その結果上層配線の断線を防止して高
い歩留りを得ることができる。

【００７３】さらに、上記絶縁膜の露出部を上記コンタ
クトホールに対して自己整合的に形成でき、その結果上
層配線が上記コンタクトホールの縁部で上記絶縁膜の上
面を覆う領域の幅を上記コンタクトホールの幅に対して
自己整合的に設定することができる。したがって、上記
コンタクトホールの縁部で上記絶縁膜の上面を上記上層
配線によって確実に覆うことができる。すなわち、この
発明によれば、素子外部からの水分等が上記コンタクト
ホールを通って素子内部に進入して、素子が劣化するの
を防止できるのである。

【００７４】また、上記第１の発明の半導体装置の製造
方法は、上記コンタクトホールを形成した後、上記コン
タクトホールエッチング用マスク上に形成した有機レジ
ストエッチング用マスクを用いて、上記コンタクトホー
ルエッチング用マスクにエッチングを施して開口部分を
形成すれば、後に、上記コンタクトホールエッチング用
マスクに形成された開口部分に上記上層配線を形成する
ことによって、上記下層配線に電気的に接続されていな
い上層配線を形成することができる。

【００７５】また、上記第１の発明の半導体装置の製造
方法は、上記絶縁膜にコンタクトホールを形成した後
に、上記コンタクトホールエッチング用マスクに熱処理
を施して丸みを有する断面形状にする工程を備えれば、
上記コンタクトホールエッチング用マスク上に形成され
る上記給電用導電性膜に生ずる上記段差に起因する断線
を殆ど無くすことができる。

【００７６】また、上記第１の発明の半導体装置の製造
方法は、上記コンタクトホールエッチング用マスクに熱
処理を施して変形させるに先立って、上記コンタクトホ
ールエッチング用マスクに紫外線を照射して部分的に硬
化させれば、上記熱処理による過剰な軟化に伴う著しい
変形を抑制できる。したがって、上記コンタクトホール
エッチング用マスクが上記コンタクトホールに覆い被さ
ることを防止して、上記給電用導電性膜の断線を無くし
て歩留まりを向上できる。

【００７７】また、上記第１の発明の半導体装置の製造
方法は、上記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程
において用いる上記エッチングを反応性ドライエッチン
グにすれば、サイドエッチングが少なく異方性が強いエ
ッチングによって、上記コンタクトホールエッチング用
マスクの開口に一致したコンタクトホールを精度よく形
成することができる。

【００７８】また、上記第１の発明の半導体装置の製造
方法は、上記上層配線を形成した後に上記メッキマスク
を硬化させ、上記メッキマスク上に上部メッキマスクを
形成し、上記電解メッキによって上記上層配線上に上部
上層配線を形成した後、上記上部メッキマスクを除去す
れば、上記上層配線の厚みを従来と同じにする際に、２
回の電解メッキで形成するので１回当りの電解メッキに
よる金属の被着量を少なくできる。そのために、上記メ
ッキマスクおよびその上に形成される上部メッキマスク
の幅を薄くすることが可能になり、上層配線相互の間隔
を従来よりも狭くする場合でも上記メッキマスクおよび
上部メッキマスクを均一に形成できる。したがって、こ
の発明によれば、上層配線相互の間隔が狭く且つ上層配
線間の短絡等を起こすことが無い半導体装置を形成する
ことができる。

【００７９】また、第２の発明の半導体装置は、上記第
１の発明の半導体装置の製造方法によって製造されるの
で、上記上層配線に断線が生ずることが無く、高い歩留
りを得ることができる。さらに、上記上層配線によって
上記コンタクトホールの縁部で上記絶縁膜の上面を確実
に覆うことができ、素子外部からの水分等が上記コンタ
クトホールを通って素子内部に進入して素子が劣化する
ことを防止できる。

【００８０】また、上記第２の発明の半導体装置は、上
記下層配線をヘテロ接合バイポーラトランジスタにおけ
るオーミック電極で成し、上記コンタクトホールを上記
オーミック電極上を覆う絶縁膜に形成して、上記絶縁膜
上に形成された上層配線電極と当該オーミック電極とを
上記コンタクトホールを介して電気的に接続すれば、ヘ
テロ接合バイポーラトランジスタにおけるオーミック電
極に上記コンタクトホールを介して電気的に接続された
上記上層配線電極に断線が生ずることが無く、高い歩留
りを得ることができる。さらに、上記上層配線電極によ
って上記コンタクトホールの縁部で上記絶縁膜の上面を
確実に覆うことができ、素子外部からの水分等が上記コ
ンタクトホールを通ってヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ素子内部に進入して劣化することを防止できる。

【００８１】さらに、上記上層配線電極を二回の電解メ
ッキによって二層に構成すれば、上記上層配線電極相互
の間隔が狭く且つ上記上層配線電極間の短絡等を起こす
ことが無い構造になっている。したがって、各上層配線
電極は、より幅が広く、厚みがより厚く、相互の間隔が
より狭くなっており、素子抵抗および配線抵抗が低い高
性能のヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の半導体装置の製造方法における一
工程での半導体積層構造体の断面図である。

【図２】 図１に続く工程における断面図である。

【図３】 図２に続く工程における断面図である。

【図４】 図３に続く工程における断面図である。

【図５】 図４に続く工程における断面図である。

【図６】 図５における平面構造と配線のブリッジ構造
との説明図である。

【図７】 熱処理時にコンタクトホールエッチング用マ
スクが軟化し過ぎて著しく変形した場合の説明図であ
る。

【図８】 図１〜図５とは異なる半導体装置の製造方法
の説明図である。

【図９】 図１〜図５および図８に示す半導体装置の製
造方法を適用したヘテロ接合バイポーラトランジスタの
配線方法の説明図である。

【図１０】 上層配線がコンタクトホールの縁部におい
て規定幅で上記絶縁膜を確実に覆うことができる従来の
半導体装置の製造方法の説明図である。

【図１１】 図１０に示す半導体装置の製造方法におけ
る下地に段差がある場合の課題の説明図である。

【符号の説明】

２１,５１,７１…半導体基板、 ２２,５２…段差 ２３,５３…下層電極、 ２４,５４,７６…絶縁膜、 ２５…コンタクトホールエッチング用マスク、 ２６,５５,７７…コンタクトホール、 ２７…有機レジストエッチング用マスク、 ２８,５６,７８…保護マスク、 ２９,５７…給電用導電膜、 ３０,５８,７９…メッキマスク、 ３１,５９,６１…金属、 ３２,３３,６２,６３,８０…上層配線、 ３４,８６…配線、 ３５,８５…ブリッジ構造、 ４１…コンタクトホールエッチング用マスクが軟化した
際の開口部形状、 ４２…コンタクトホールエッチング用マスクを架橋反応
させた際の開口部形状、 ６０…上部メッキマスク、 ６４,６５…上部上層配線、 ７２…能動層、 ７３…コレクタオーミック電極、 ７４…ベースオーミック電極、 ７５…エミッタオーミック電極、 ８１…メサ段差、 ８２…コレクタ配線電極、 ８３…ベース配線電極、 ８４…エミッタ配線電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K024 AB02 AB08 AB15 BA11 BB12 FA05 GA16 5F003 AP03 BA92 BH94 BP12 BP93 5F033 HH00 JJ01 KK00 PP27 PP33 QQ08 QQ09 QQ13 QQ19 QQ27 QQ37 RR04 RR06 XX08 XX18

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下層配線と、この下層配線上を覆って形
   成された絶縁膜と、この絶縁膜に形成されたコンタクト
   ホールと、このコンタクトホールを介して上記下層配線
   に接続された上層配線を有する半導体装置の製造方法に
   おいて、 上記絶縁膜上に有機レジストによってコンタクトホール
   エッチング用マスクを形成する工程と、 上記コンタクトホールエッチング用マスクを用いて、上
   記絶縁膜にエッチングを施して上記下層配線に至るコン
   タクトホールを形成する工程と、 上記コンタクトホールエッチング用マスクの縁部の位置
   を後退させて、上記コンタクトホールの縁部において上
   記絶縁膜の表面を露出させる工程と、 全面に給電用導電性膜を形成する工程と、 上記給電用導電性膜上における上記コンタクトホール部
   および上記コンタクトホール縁部の絶縁膜表面を含む領
   域に開口部を有するメッキマスクを形成する工程と、 上記給電用導電性膜を電極とする電解メッキによって上
   記メッキマスクの開口部に金属を被着させて、上記下層
   配線に電気的に接続された上層配線を形成する工程と、 上記メッキマスクおよびそのメッキマスク直下の上記給
   電用導電膜を除去する工程を備えたことを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
   において、 上記コンタクトホールを形成した後、上記コンタクトホ
   ールエッチング用マスク上に有機レジストエッチング用
   マスクを形成し、この有機レジストエッチング用マスク
   を用いて上記有機レジストで成る上記コンタクトホール
   エッチング用マスクにエッチングを施すことによって、
   上記コンタクトホールエッチング用マスクに開口部分を
   形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製
   造方法。
3. 【請求項３】 請求項１あるいは請求項２に記載の半導
   体装置の製造方法において、 上記コンタクトホールの縁部において上記絶縁膜の表面
   を露出させる工程は、酸素を含むプラズマによって上記
   コンタクトホールエッチング用マスクの表面をアッシン
   グして除去し、上記コンタクトホールエッチング用マス
   クの縁部の位置を後退させる工程を含んでいることを特
   徴とする半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３の何れか一つに記
   載の半導体装置の製造方法において、 上記絶縁膜にコンタクトホールを形成した後に上記コン
   タクトホールエッチング用マスクに熱処理を施して、上
   記コンタクトホールエッチング用マスクにおける開口部
   を変形させて丸みを有する断面形状にする工程を備えた
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の半導体装置の製造方法
   において、 上記コンタクトホールエッチング用マスクに熱処理を施
   して変形させるに先立って、上記コンタクトホールエッ
   チング用マスクに紫外線を照射することによって、上記
   コンタクトホールエッチング用マスクを部分的に硬化さ
   せることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１乃至請求項５の何れか一つに記
   載の半導体装置の製造方法において、 上記絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程において
   用いる上記エッチングは、反応性ドライエッチングであ
   ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１乃至請求項６の何れか一つに記
   載の半導体装置の製造方法において、 上記電解メッキによって上記上層配線を形成した後に、
   上記メッキマスクを硬化させる工程と、 上記メッキマスク上に上部メッキマスクを形成する工程
   と、 上記給電用導電性膜を電極とする電解メッキによって上
   記上部メッキマスクの開口部に金属を被着させて、上記
   上層配線上に積層された上部上層配線を形成する工程
   と、 上記上部メッキマスクを除去する工程を備えていること
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１乃至請求項７の何れか一つに記
   載の半導体装置の製造方法によって製造されたことを特
   徴とする半導体装置。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の半導体装置において、 上記下層配線は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタに
   おけるオーミック電極であり、 上記コンタクトホールは、上記オーミック電極上を覆う
   絶縁膜に形成されており、 上記絶縁膜上に形成された上層配線電極と当該オーミッ
   ク電極とは上記コンタクトホールを介して電気的に接続
   されていることを特徴とする半導体装置。