JP2002158261A - 気体供給方法及びそれを用いたボックス - Google Patents
気体供給方法及びそれを用いたボックスInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 53
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010364 biochemical engineering Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 開口部が設けられたボックス内に乱流を起こ
し難く、大気の酸素を巻き込まない気体供給方法とそれ
を用いたボックスを提供すること。 【解決手段】開口部8が配設されたボックス15内に気
体を導入する気体供給方法であって、複数の微細孔を有
する連続多孔性体(10,13)を通して気体をボック
ス15内に供給する気体供給方法と、開口部8と気体の
導入口14が配設されたボックスであって、導入口14
には複数の微細孔を有する連続多孔性体(10,13)
が配設されたボックス。
し難く、大気の酸素を巻き込まない気体供給方法とそれ
を用いたボックスを提供すること。 【解決手段】開口部8が配設されたボックス15内に気
体を導入する気体供給方法であって、複数の微細孔を有
する連続多孔性体(10,13)を通して気体をボック
ス15内に供給する気体供給方法と、開口部8と気体の
導入口14が配設されたボックスであって、導入口14
には複数の微細孔を有する連続多孔性体(10,13)
が配設されたボックス。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、気体をボックス内
に供給する方法とその方法を用いたボックスに係る。
に供給する方法とその方法を用いたボックスに係る。
【0002】
【従来の技術】従来、気体をボックス内に供給する方法
は、気体の導入管から、直接、ボックス内にガスを放出
する方法が慣用されてきたが、近時、炉内の気体の分布
をより均一にするために、複数の方向に気体を吐出でき
るように、気体の導入孔を複数個所に設ける方法が工夫
されている(特開2000−21795号公報参照)。
は、気体の導入管から、直接、ボックス内にガスを放出
する方法が慣用されてきたが、近時、炉内の気体の分布
をより均一にするために、複数の方向に気体を吐出でき
るように、気体の導入孔を複数個所に設ける方法が工夫
されている(特開2000−21795号公報参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、導入孔から導
入する従来の気体供給方法は、ボックス内に乱流を生じ
させる。処理部品を出し入れする開口部がボックスに設
けられている場合、ボックス内に生じた乱流は、局所で
且つ瞬間的に負圧を発生させる。この負圧は、ボックス
に設けられた開口部から外気を吸い込む原因となる。更
に、乱流はボックス内の塵を巻き上げる欠点や、処理部
品に気体が均一に当たらない欠点等の要因となる。
入する従来の気体供給方法は、ボックス内に乱流を生じ
させる。処理部品を出し入れする開口部がボックスに設
けられている場合、ボックス内に生じた乱流は、局所で
且つ瞬間的に負圧を発生させる。この負圧は、ボックス
に設けられた開口部から外気を吸い込む原因となる。更
に、乱流はボックス内の塵を巻き上げる欠点や、処理部
品に気体が均一に当たらない欠点等の要因となる。
【0004】本発明は、従来の方法と装置の欠点を解決
するものであり、第1の目的は、ボックス内に乱流が生
じ難い気体供給方法を提供することにある。第2の目的
は、ボックス内に乱流が生じ難い構造のボックスを提供
することを目的とする。
するものであり、第1の目的は、ボックス内に乱流が生
じ難い気体供給方法を提供することにある。第2の目的
は、ボックス内に乱流が生じ難い構造のボックスを提供
することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明になる気体供給方法は、開口部8が配設され
たボックス15内に導入口から気体を導入する気体供給
方法であって、導入口に配設された複数の微細孔を有す
る多孔性体(10,13)を通して気体をボックス15
内に供給することを特徴とする。更に、微細孔の平均直
径が10〜200ミックロンであることを特徴とする。
め、本発明になる気体供給方法は、開口部8が配設され
たボックス15内に導入口から気体を導入する気体供給
方法であって、導入口に配設された複数の微細孔を有す
る多孔性体(10,13)を通して気体をボックス15
内に供給することを特徴とする。更に、微細孔の平均直
径が10〜200ミックロンであることを特徴とする。
【0006】また、本発明になるボックス15は、開口
部8と気体を導入する導入口14を有するボックスであ
って、その導入口14に複数の微細孔を有する多孔性体
(10,13)を配設したことを特徴とする。
部8と気体を導入する導入口14を有するボックスであ
って、その導入口14に複数の微細孔を有する多孔性体
(10,13)を配設したことを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を実施例に基づ
き図面を参照して説明する。図1は、本発明になる気体
供給方法によって実現されたボックス15の断面の一例
を示す。基板2の上にボックスカバー1が気密に固定さ
れてボックス15を形成する。ボックスカバー1の上面
には開口部8が設けられ、開口部8は開閉できるシャッ
タ9により蓋をされている。連続多孔質体10は、台座
12を介して基板2に固定されている。連続多孔質体1
0は、ポーラスな燒結体で連続した細径の孔が内部から
外部まで四方八方に通じている。圧力計と流量計(図示
略)を通って矢印の方向から導入された気体(例えば、
窒素ガス)は、連続多孔質体10の微細孔を通りボック
ス15内に送り込まれる。連続多孔質体10の中心部
は、気体との接触面積を大きくし、気体が通過する微細
孔の個数が多くなるように中空穴に加工される。微細孔
が中空穴成形時等に潰れて気体の通過を妨害するのを防
ぐために、中空穴は鋭利な刃具で仕上げ加工される。
き図面を参照して説明する。図1は、本発明になる気体
供給方法によって実現されたボックス15の断面の一例
を示す。基板2の上にボックスカバー1が気密に固定さ
れてボックス15を形成する。ボックスカバー1の上面
には開口部8が設けられ、開口部8は開閉できるシャッ
タ9により蓋をされている。連続多孔質体10は、台座
12を介して基板2に固定されている。連続多孔質体1
0は、ポーラスな燒結体で連続した細径の孔が内部から
外部まで四方八方に通じている。圧力計と流量計(図示
略)を通って矢印の方向から導入された気体(例えば、
窒素ガス)は、連続多孔質体10の微細孔を通りボック
ス15内に送り込まれる。連続多孔質体10の中心部
は、気体との接触面積を大きくし、気体が通過する微細
孔の個数が多くなるように中空穴に加工される。微細孔
が中空穴成形時等に潰れて気体の通過を妨害するのを防
ぐために、中空穴は鋭利な刃具で仕上げ加工される。
【0008】基板2には、ヒータ3が支持台4を介して
配設されている。回路基板5は、シャッタ9を開放した
後、ロボットアームにより外部からヒータ3の所定位置
に搭載される。回路基板5の位置は、カメラ(図示略)
で認識し、XY駆動装置(図示略)で補正する。半導体素
子6は、回路基板5と同様にロボットアームにより、回
路基板5の所定位置に搭載される。半導体素子6のバン
プに対応した回路基板5の電極上には、はんだ7が搭載
されている。はんだ7は、鉛を含まない Bi系はんだ
組成である。はんだ7は、ヒータ3により加熱されて溶
融し、半導体素子のバンプを回路基板5上の電極に結合
する。
配設されている。回路基板5は、シャッタ9を開放した
後、ロボットアームにより外部からヒータ3の所定位置
に搭載される。回路基板5の位置は、カメラ(図示略)
で認識し、XY駆動装置(図示略)で補正する。半導体素
子6は、回路基板5と同様にロボットアームにより、回
路基板5の所定位置に搭載される。半導体素子6のバン
プに対応した回路基板5の電極上には、はんだ7が搭載
されている。はんだ7は、鉛を含まない Bi系はんだ
組成である。はんだ7は、ヒータ3により加熱されて溶
融し、半導体素子のバンプを回路基板5上の電極に結合
する。
【0009】図2は、ボックス15内に配設されたガス
管11等の一部を示す断面図である。矢印は、窒素ガス
の供給方向を示す。ガス管11の所定個所に台座12を
介して連続多孔質体10が配設されている。連続多孔質
体10は中空穴を有している。
管11等の一部を示す断面図である。矢印は、窒素ガス
の供給方向を示す。ガス管11の所定個所に台座12を
介して連続多孔質体10が配設されている。連続多孔質
体10は中空穴を有している。
【0010】図3は、ガス管11を介して連続多孔質体
13を環状に配設した状態を示す。連続多孔質体13の
形状は、円筒状である。窒素ガスは、2箇所の導入口1
4から導入され、環状に配設された複数の多孔質体13
からボックス15内に吐出される。
13を環状に配設した状態を示す。連続多孔質体13の
形状は、円筒状である。窒素ガスは、2箇所の導入口1
4から導入され、環状に配設された複数の多孔質体13
からボックス15内に吐出される。
【0011】図4(a)は、図3のAA断面図で、連続
多孔質体13の内径とガス管11の外形が勘合してしる
状態を示す。図4(b)は図3のBB断面図で、窒素ガ
スが連続多孔質体13からボックス内に吐出する領域の
断面を示す。
多孔質体13の内径とガス管11の外形が勘合してしる
状態を示す。図4(b)は図3のBB断面図で、窒素ガ
スが連続多孔質体13からボックス内に吐出する領域の
断面を示す。
【0012】上記のように、本発明の実施形態は、微細
孔を有する連続多孔質体を通して気体を吐出することを
特徴とする。以下に実施例をあげて本発明について具体
的に説明する。ボックスケース1は、高さ30×長さ1
70×巾120mmの箱型の形状をしている。ボックス
15の底面をなす基板2は、金属製の厚板で、ボックス
ケース1、ガス管11及びXY駆動装置などが配設され
る。ボックスケース1に開口されている開口部8の寸法
は、回路基板5及び半導体素子6等を保持してロボット
アームが通過できる大きさであり、径が25mmの円形
である。
孔を有する連続多孔質体を通して気体を吐出することを
特徴とする。以下に実施例をあげて本発明について具体
的に説明する。ボックスケース1は、高さ30×長さ1
70×巾120mmの箱型の形状をしている。ボックス
15の底面をなす基板2は、金属製の厚板で、ボックス
ケース1、ガス管11及びXY駆動装置などが配設され
る。ボックスケース1に開口されている開口部8の寸法
は、回路基板5及び半導体素子6等を保持してロボット
アームが通過できる大きさであり、径が25mmの円形
である。
【0013】窒素ガスを吐出する連続多孔質体10は、
開口部8の下以外に少なくとも1個は配設される。連続
多孔質体10と台座12からなる構造体は、一般的にマ
フラと呼ばれるものである。連続多孔質体10は、燒結
黄銅製で、気体が通過する微細孔の断面の平均直径は6
0ミクロンである。台座12にはネジ(図省略)が加工
されており、このネジを介して基板2に螺着されてい
る。微細孔の有効断面積のトータルは10平方ミリメー
トルである。窒素ガスの気圧は、0.5kg/cm2である。
ボックス15内で回路基板5近傍の酸素濃度は大略30
ppmである。
開口部8の下以外に少なくとも1個は配設される。連続
多孔質体10と台座12からなる構造体は、一般的にマ
フラと呼ばれるものである。連続多孔質体10は、燒結
黄銅製で、気体が通過する微細孔の断面の平均直径は6
0ミクロンである。台座12にはネジ(図省略)が加工
されており、このネジを介して基板2に螺着されてい
る。微細孔の有効断面積のトータルは10平方ミリメー
トルである。窒素ガスの気圧は、0.5kg/cm2である。
ボックス15内で回路基板5近傍の酸素濃度は大略30
ppmである。
【0014】本発明において、ボックス15は、一般的
な電気炉では炉心管及びチャンバーに相当し、その形状
は角型だけでなく、丸型をも含む。ボックスの大きさは
特段に限定されない。また、炉のチャンバーが複数に区
切られた連続式バッチ炉において大気と接しない開口部
を有するチャンバーをも含む。更に、加熱装置が配設さ
れない容器も含まれる。即ち、上位概念で言及すれば、
導入された気体で置換される空間は、本発明におけるボ
ックス15である。
な電気炉では炉心管及びチャンバーに相当し、その形状
は角型だけでなく、丸型をも含む。ボックスの大きさは
特段に限定されない。また、炉のチャンバーが複数に区
切られた連続式バッチ炉において大気と接しない開口部
を有するチャンバーをも含む。更に、加熱装置が配設さ
れない容器も含まれる。即ち、上位概念で言及すれば、
導入された気体で置換される空間は、本発明におけるボ
ックス15である。
【0015】本名発明において、連続多孔質体とは、多
孔質体に形成されている孔(例えば、多孔質体を構成す
る粉体の間に形成される空間)が、他の穴と連絡しない
独立した穴でなく、孔が互いに連結している多孔質体を
指す。材質として、黄銅は、中常温以下の温度で使用す
る場合に適する。、高温で使用する場合は、ステンレ
ス、ガラス、石英及びアルミナ等が良い。
孔質体に形成されている孔(例えば、多孔質体を構成す
る粉体の間に形成される空間)が、他の穴と連絡しない
独立した穴でなく、孔が互いに連結している多孔質体を
指す。材質として、黄銅は、中常温以下の温度で使用す
る場合に適する。、高温で使用する場合は、ステンレ
ス、ガラス、石英及びアルミナ等が良い。
【0016】乱流の発生が低く且つ所定の流量が得られ
る孔の平均直径(孔の断面形状は円にならないので、断
面積を円の面積に換算して平均直径を算出)は、10〜
200ミクロンが良く、30〜90ミクロンがより好ま
しい。連続多孔質体の形状はマフラ型でなく、図3に示
す円筒型でも良く、特に限定されない。ボックス15内
に配設される連続多孔質体の個数は、図1、図2及び図
3に示した個数は単なる例示であり、ボックス15の大
きさと必要な気体の量により決まり、例えば20個を配
設しても良い。
る孔の平均直径(孔の断面形状は円にならないので、断
面積を円の面積に換算して平均直径を算出)は、10〜
200ミクロンが良く、30〜90ミクロンがより好ま
しい。連続多孔質体の形状はマフラ型でなく、図3に示
す円筒型でも良く、特に限定されない。ボックス15内
に配設される連続多孔質体の個数は、図1、図2及び図
3に示した個数は単なる例示であり、ボックス15の大
きさと必要な気体の量により決まり、例えば20個を配
設しても良い。
【0017】乱流は、小さく且つ弱いが連続多孔質体の
近傍で発生する。乱流を更に小さく且つ弱くするには、
微細孔の有効直径を小さくし、導入気体の圧力を小さく
すると良い。一方、気体の流量を増加させるには、微細
孔の長さを短くすることや連続多孔質体の孔数を増加さ
せると良い。微細な孔(10〜200ミクロン)をレー
ザで明けた膜は、高価であるが、上記燒結体からなる連
続多孔質体と同様な機能を有するので、本発明に含まれ
る。
近傍で発生する。乱流を更に小さく且つ弱くするには、
微細孔の有効直径を小さくし、導入気体の圧力を小さく
すると良い。一方、気体の流量を増加させるには、微細
孔の長さを短くすることや連続多孔質体の孔数を増加さ
せると良い。微細な孔(10〜200ミクロン)をレー
ザで明けた膜は、高価であるが、上記燒結体からなる連
続多孔質体と同様な機能を有するので、本発明に含まれ
る。
【0018】ボックスの気密性を高めるために、連続多
孔質体とガス管又は台座の間にゴム等のOリングを配設
すると良い。
孔質体とガス管又は台座の間にゴム等のOリングを配設
すると良い。
【0019】本発明において、導入する気体は、実施例
で示した窒素ガスだけでなく。アルゴンガス、ヘリウム
ガス及び水素ガス等を含み、これら以外に、ホウ素、り
ん、アンニヤ及び塩素等を含む反応ガスを含んでも良
い。ガスの流量は実施例では0.020m3/分である
が、開口部の大きさ、開口部を開く回数等によって異な
り、特段に限定されない。はんだ及び電極の酸化を防止
するため窒素ガス等の不活性ガスに少量の水素を添加す
ることは、大変有効である。はんだと電極を構成する元
素により異なるが、3体積%以下添加すると酸化防止に
有効である。有効な水素添加量は、条件にもよるが、1
00ppm以上である。
で示した窒素ガスだけでなく。アルゴンガス、ヘリウム
ガス及び水素ガス等を含み、これら以外に、ホウ素、り
ん、アンニヤ及び塩素等を含む反応ガスを含んでも良
い。ガスの流量は実施例では0.020m3/分である
が、開口部の大きさ、開口部を開く回数等によって異な
り、特段に限定されない。はんだ及び電極の酸化を防止
するため窒素ガス等の不活性ガスに少量の水素を添加す
ることは、大変有効である。はんだと電極を構成する元
素により異なるが、3体積%以下添加すると酸化防止に
有効である。有効な水素添加量は、条件にもよるが、1
00ppm以上である。
【0020】錫、ビスマス及び銅等の場合、1体積%の
水素ガスの添加ではんだ付け時の酸化によるはんだ不良
は大幅に低減できる。水素を使用する場合、水素ガスは
酸素ガスと混合すると爆発する可能性があるので、ボッ
クスには、防爆装置を取り付けるとよい。一方、水素ガ
スの爆発限界は、条件によるが、4体積%であり、爆発
限界に達しないように、水素ガスの添加を1体積%以下
にすることは、実用上、好ましい。
水素ガスの添加ではんだ付け時の酸化によるはんだ不良
は大幅に低減できる。水素を使用する場合、水素ガスは
酸素ガスと混合すると爆発する可能性があるので、ボッ
クスには、防爆装置を取り付けるとよい。一方、水素ガ
スの爆発限界は、条件によるが、4体積%であり、爆発
限界に達しないように、水素ガスの添加を1体積%以下
にすることは、実用上、好ましい。
【0021】本発明において、はんだは、鉛系はんだ
(例えば、共晶はんだ、中温はんだ及び高温はんだ)と
鉛フリー系はんだ(例えば、Sn−Ag系合金、Sn−
Bi系合金及びSn−Zn系合金)の何れでも良い。特
に、鉛フリー系はんだは、大気中でのはんだの濡れ性が
悪いので、本発明を用いることにより、はんだ不良を低
減できる。
(例えば、共晶はんだ、中温はんだ及び高温はんだ)と
鉛フリー系はんだ(例えば、Sn−Ag系合金、Sn−
Bi系合金及びSn−Zn系合金)の何れでも良い。特
に、鉛フリー系はんだは、大気中でのはんだの濡れ性が
悪いので、本発明を用いることにより、はんだ不良を低
減できる。
【0022】本発明において、ボックスの開口部は、円
形以外に多角形でも良い。大きさは限定されない。更
に、開口部の配設位置は、ボックスの上部以外に側部及
び底部でも良い。
形以外に多角形でも良い。大きさは限定されない。更
に、開口部の配設位置は、ボックスの上部以外に側部及
び底部でも良い。
【0023】本発明は、処理部品をロボットアームで脱
着する以外に、開口部を2ヶ所設けてベルト等で連続し
て処理部品を搬送するリフロー炉にも有効であり、更に
酸化と埃を嫌う溶接、接着、薬品・バイオ処理及び組み
立てボックス(例えば、電池)に有効で、これらの方法
・装置も含まれる。一方、乱流の発生を嫌う装置(例え
ば、測定装置、クリーンボックス及び空気調節装置等)
にも有効で、これらも本発明に含まれることは自明であ
る。更に、本発明は、複数の微細孔を通して気体を供給
することにより乱流の小さい気体を供給できるとの新た
な知見に基づいてなされたものであり、ボックスが実質
的にない所或いはボックスが大きい所(例えば、部屋の
空調)にも適応できることは明らかで、これらも本発明
に属する。
着する以外に、開口部を2ヶ所設けてベルト等で連続し
て処理部品を搬送するリフロー炉にも有効であり、更に
酸化と埃を嫌う溶接、接着、薬品・バイオ処理及び組み
立てボックス(例えば、電池)に有効で、これらの方法
・装置も含まれる。一方、乱流の発生を嫌う装置(例え
ば、測定装置、クリーンボックス及び空気調節装置等)
にも有効で、これらも本発明に含まれることは自明であ
る。更に、本発明は、複数の微細孔を通して気体を供給
することにより乱流の小さい気体を供給できるとの新た
な知見に基づいてなされたものであり、ボックスが実質
的にない所或いはボックスが大きい所(例えば、部屋の
空調)にも適応できることは明らかで、これらも本発明
に属する。
【0024】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下に示すような効果を奏する。
ているので、以下に示すような効果を奏する。
【0025】請求項1及び2においては、導入気体によ
る乱流を小さくできた。その結果、ボックス外からの酸
素の巻き込みが小さく、従来1500ppm前後であっ
た酸素濃度を30ppmに低減させる気体供給方法が提
供できた。更に、塵の巻き上げが少なく、そして処理部
品に気体が均一に当たることによる部品の反応・温度変
化が均一な気体供給方法を提供できた。
る乱流を小さくできた。その結果、ボックス外からの酸
素の巻き込みが小さく、従来1500ppm前後であっ
た酸素濃度を30ppmに低減させる気体供給方法が提
供できた。更に、塵の巻き上げが少なく、そして処理部
品に気体が均一に当たることによる部品の反応・温度変
化が均一な気体供給方法を提供できた。
【0026】請求項3において、ボックス外からの酸素
の巻き込みが無い、酸素濃度の低いボックスを提供でき
た。
の巻き込みが無い、酸素濃度の低いボックスを提供でき
た。
【図1】気体供給装置の断面図である。
【図2】2個の連続多孔質体10を取り付けたガス管等
の断面を示す。
の断面を示す。
【図3】複数の連続多孔質体を環状に配置したガス管等
の平面を示す。
の平面を示す。
【図4】図3の断面図で、(a)はAA断面、(b)B
B断面を示す。
B断面を示す。
1 ボックスケース 2 基板 3 ヒータ 4 支持台 5 回路基板 6 半導体素子 7 はんだ 8 開口部 9 シャッタ 10 連続多孔質体 11 ガス管 12 台座 13 連続多孔質体 14 導入口 15 ボックス
Claims (3)
- 【請求項1】 開口部(8)が配設されたボックス(1
5)内に導入口(14)から気体を導入する気体供給方
法において、前記導入口(14)に配設された複数の微
細孔を有する連続多孔性体(10)を通して前記気体を
前記ボックス(15)内に供給することを特徴とする気
体供給方法。 - 【請求項2】 前記微細孔の平均直径が10〜200ミ
クロンであることを特徴とする請求項3記載の気体供給
方法。 - 【請求項3】 開口部(8)と気体を導入する導入口
(14)を有するボックス(15)において、前記導入
口(14)に複数の微細孔を有する連続多孔性体(1
0)を配設したことを特徴とするボックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000352264A JP2002158261A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | 気体供給方法及びそれを用いたボックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000352264A JP2002158261A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | 気体供給方法及びそれを用いたボックス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002158261A true JP2002158261A (ja) | 2002-05-31 |
Family
ID=18825190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000352264A Pending JP2002158261A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | 気体供給方法及びそれを用いたボックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002158261A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009521783A (ja) * | 2005-12-23 | 2009-06-04 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | 気体を下流にて解離する方法及び装置 |
-
2000
- 2000-11-20 JP JP2000352264A patent/JP2002158261A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009521783A (ja) * | 2005-12-23 | 2009-06-04 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド | 気体を下流にて解離する方法及び装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070322 |
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| A977 | Report on retrieval |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090818 |