JP2002158177A - 堆積膜製造装置および液晶表示装置の製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

堆積膜製造装置および液晶表示装置の製造方法および半導体装置の製造方法

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JP2002158177A
JP2002158177A JP2000353761A JP2000353761A JP2002158177A JP 2002158177 A JP2002158177 A JP 2002158177A JP 2000353761 A JP2000353761 A JP 2000353761A JP 2000353761 A JP2000353761 A JP 2000353761A JP 2002158177 A JP2002158177 A JP 2002158177A
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deposited film
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belt
cleaning
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JP2000353761A
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English (en)
Inventor
Toshiaki Okae
寿朗 岡江
Tomoshiro Koishi
知城 小石
Makoto Komakubo
誠 胡摩窪
Yuji Maeda
祐二 前田
Kimihiko Fujisaki
公彦 藤崎
Taro Osako
太郎 大迫
Hiroshi Yamada
博 山田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置稼動を停止させずにチャンバ内で発生し
た反応生成物の堆積物を除去することで、反応生成物の
剥離によるチャンバ内汚染を防止するとともにメンテナ
ンス時間の短縮による生産性の向上を図る。 【解決手段】 チャンバ11内で基板91表面に堆積膜
を形成する堆積膜製造装置1において、チャンバ11外
部に設けたクリーニング室51と、チャンバ11内壁に
沿って移動するとともに、チャンバ11に設けた第1の
開口部18よりチャンバ11外部に送出されるとともに
クリーニング室51を経てチャンバ11に設けた第2の
開口部19よりチャンバ11内に送入される防着ベルト
41とを備えたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学的気相成長装
置、エピタキシャル成長装置等の堆積膜を形成する堆積
膜製造装置、およびその堆積膜製造装置を用いて基板に
堆積膜を形成する液晶表示装置の製造方法および半導体
装置の製造方法に関し、その堆積膜製造装置は、詳しく
は、チャンバ内で生成されてチャンバ側壁に付着する反
応生成物を除去する構成を備えたものに関する。
【0002】
【従来の技術】一般的なほとんどの堆積膜製造装置は、
成膜時に、そのチャンバ側壁に反応生成物が付着して膜
堆積が生じる。この膜が厚く付着すると、膜のストレス
等の要因により、剥がれはじめ、堆積膜が形成されるべ
き基板上にダストとして付着する。このため、液晶表示
装置が形成される透明基板や半導体装置が形成される半
導体基板に形成される堆積膜の品質が著しく劣化したも
のとなり、不良発生の原因となっていた。
【0003】これを防ぐ一つの方法としては、防着板を
設けて、チャンバ壁面に膜が直接形成されるのを防ぐ方
法が提案されている。この方法では、防着板を定期的に
交換する必要があり、非常に手間がかかっていた。ま
た、防着板を交換する間は装置の稼動が停止されるた
め、生産性を低下させる原因ともなっていた。また、特
開平10−32167号公報には、防着板に自動温度制
御機能を持たせ、防着板からの膜剥がれによるダストの
発生を低減しようとするものが開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法は膜剥がれを低減させる方法であり、定期的なメンテ
ナンスの間隔を延長させることはできても、結局のとこ
ろ、装置を停止させて防着板の交換を行うとともに膜の
剥離を行わなければならない。そのため、装置の稼動が
停止し、生産性を低下させる原因となっていた。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた堆積膜製造装置および液晶表示装
置の製造方法および半導体装置の製造方法である。
【0006】本発明の堆積膜製造装置は、チャンバ内で
基板表面に堆積膜を形成する堆積膜製造装置において、
前記チャンバの外部に設けたクリーニング室と、前記チ
ャンバ内壁に沿って移動するとともに、前記チャンバに
設けた第1の開口部よりチャンバ外部に送出されるとと
もに前記クリーニング室を経て前記チャンバに設けた第
2の開口部よりチャンバ内に送入される防着ベルトとを
備えたものである。
【0007】上記堆積膜製造装置では、チャンバの外部
にクリーニング室が設けられていて、チャンバ内壁に沿
って移動するもので、かつチャンバに設けた第1の開口
部よりチャンバ外部に送出されるとともにクリーニング
室を経てチャンバに設けた第2の開口部よりチャンバ内
に送入される防着ベルトが備えられているので、装置稼
動を停止させることなく防着ベルトを移動させること
で、反応生成物が付着していない防着ベルト部分がチャ
ンバ内に取り込まれ、反応生成物が付着した防着ベルト
部分がクリーニング室内に取り込まれる。そのため、防
着ベルトに付着した反応生成物はクリーニング室で除去
される。このようにチャンバ内で防着ベルトに付着した
反応生成物が剥がれ落ちる前に、反応生成物が付着した
防着ベルト部分をチャンバ外部に移動させることができ
るので、チャンバ内は常に反応生成物が剥がれ落ちるこ
とのない雰囲気に保たれる。
【0008】本発明の液晶表示装置の製造方法は、チャ
ンバ内で基板表面に堆積膜を形成する堆積膜製造装置を
用いて、基板に堆積膜を形成する工程を備えた液晶表示
装置の製造方法において、前記堆積膜製造装置は、前記
チャンバの外部に設けたクリーニング室と、前記チャン
バ内壁に沿って移動するとともに、前記チャンバに設け
た第1の開口部よりチャンバ外部に送出されてから前記
クリーニング室を経て前記チャンバに設けた第2の開口
部よりチャンバ内に送入される防着ベルトとを備えてい
る。
【0009】上記液晶表示装置の製造方法では、基板の
形成する堆積膜を、上記構成を有する堆積膜製造装置で
成膜する。この堆積膜製造装置では、上記説明したのと
同様に、装置稼動を停止させることなく防着ベルトを移
動させることで、反応生成物が付着していない防着ベル
ト部分がチャンバ内に取り込まれ、反応生成物が付着し
た防着ベルト部分がクリーニング室内に取り込まれる。
そのため、防着ベルトに付着した反応生成物はクリーニ
ング室で除去される。このようにチャンバ内で防着ベル
トに付着した反応生成物が剥がれ落ちる前に、反応生成
物が付着した防着ベルト部分をチャンバ外部に移動させ
ることができるので、チャンバ内は常に反応生成物が剥
がれ落ちることのない雰囲気に保たれる。よって、清浄
な雰囲気で基板表面に堆積膜が形成されるため、このよ
うな基板を用いて形成される液晶表示装置は高い品質の
膜を有するものとなり、液晶表示装置の高性能化、高信
頼性化に寄与する。
【0010】本発明の半導体装置の製造方法は、チャン
バ内で基板表面に堆積膜を形成する堆積膜製造装置を用
いて、基板に堆積膜を形成する工程を備えた半導体装置
の製造方法において、前記堆積膜製造装置は、前記チャ
ンバの外部に設けたクリーニング室と、前記チャンバ内
壁に沿って移動するとともに、前記チャンバに設けた第
1の開口部よりチャンバ外部に送出されてから前記クリ
ーニング室を経て前記チャンバに設けた第2の開口部よ
りチャンバ内に送入される防着ベルトとを備えている。
【0011】上記半導体装置の製造方法では、基板の形
成する堆積膜を、上記構成を有する堆積膜製造装置で成
膜する。この堆積膜製造装置では、上記説明したのと同
様に、装置稼動を停止させることなく防着ベルトを移動
させることで、反応生成物が付着していない防着ベルト
部分がチャンバ内に取り込まれ、反応生成物が付着した
防着ベルト部分がクリーニング室内に取り込まれる。そ
のため、防着ベルトに付着した反応生成物はクリーニン
グ室で除去される。このようにチャンバ内で防着ベルト
に付着した反応生成物が剥がれ落ちる前に、反応生成物
が付着した防着ベルト部分をチャンバ外部に移動させる
ことができるので、チャンバ内は常に反応生成物が剥が
れ落ちることのない雰囲気に保たれる。よって、清浄な
雰囲気で基板表面に堆積膜が形成されるため、このよう
な基板を用いて形成される半導体装置は高い品質の膜を
有するものとなり、半導体装置の高性能化、高信頼性化
に寄与する。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の堆積膜製造装置に係る第
1の実施の形態の一例を、図1および図2によって説明
する。図1では、一般的なプラズマCVD装置を一例と
して示し、(1)図ではプラズマCVD装置の成膜部の
概略構成縦断面図を示し、(2)図では装置の部分横断
面を含む装置全体の概略構成図を示す。
【0013】図1に示すように、堆積膜製造装置(プラ
ズマCVD装置)1は、チャンバ11が備えられてい
る。このチャンバ11内には対向する状態に配置された
上部電極12と下部電極13とが設置されている。
【0014】上記上部電極12には高周波電源14が接
続され、また上部電源12には反応ガスが供給されるよ
うに、上部電極12中には反応ガスの供給経路15が形
成され、下部電源13に対向する面より反応ガスが例え
ばシャワー状に放出されてチャンバ11内に供給される
ようになっている。すなわち、上部電極12はいわゆる
シャワーノズル構造の電極となっていて、電極間に反応
ガスが均一に放出されるようになっている。
【0015】上記下部電極13は、上記上部電極12と
対向する面に、透明基板、半導体基板等の基板91を載
置する基板載置面が形成されていて、かつ接地されてい
る。また所定の温度に基板91を保持するように、温調
器(図示せず)が内蔵されている。
【0016】また、チャンバ11の下部側にはチャンバ
内の余分なガスを排気する排気装置(図示せず)に接続
する排気管17が接続されている。
【0017】上記チャンバ11の外部にはクリーニング
室51が設置されている。このクリーニング室51は、
例えば等方性エッチングを行う通常のプラズマアッシン
グ装置の構成となっている。この場合には、クリーニン
グ対象が有機物となる。またクリーニング対象が有機物
以外のものを含む場合には、例えば等方性エッチングを
行う通常のプラズマエッチング装置の構成とすればよ
い。このクリーニング室51内部においても、チャンバ
11と同様に、上記防着ベルト41の移動を円滑行える
ように、例えば防着ベルト41の移動経路にガイド(図
示せず)を設けてもよい。
【0018】さらに、上記チャンバ11の側壁には、後
に説明する防着ベルトが遊挿可能な大きさの第1,第2
の開口部18,19が形成されている。また上記クリー
ニング室51の側壁には、後に説明する防着ベルトが遊
挿可能な大きさの第1,第2の開口部52,53が形成
されている。
【0019】また、上記チャンバ11の側壁に設けられ
た第1の開口部18よりチャンバ11外に出て上記クリ
ーニング室51の側壁に設けられた第1の開口部52よ
りクリーニング室51内に入り、上記クリーニング室5
1の側壁に設けられた別の開口部(第2の開口部)53
よりこのクリーニング室51から出て上記チャンバ11
の側壁に設けられた別の開口部(第2の開口部)19よ
り再び上記チャンバ11内に入るもので、上記チャンバ
11の内側壁に沿って移動可能な防着ベルト41が設け
られている。例えば、チャンバ11の内部には上記防着
ベルト41の移動を円滑行えるように、防着ベルト41
の移動経路にガイド(図示せず)を設けてもよい。ま
た、チャンバ11外部を移動する防着ベルト41は、例
えばローラで構成されたガイド31によって案内されて
いる。
【0020】また、上記防着ベルト41を移動させるた
めのベルト駆動装置(図示せず)を上記チャンバ11外
部における上記防着ベルト41の移動経路に設けてもよ
い。
【0021】上記防着ベルト41は、例えばアルミニウ
ム、アルミニウム合金、もしくはステンレスからなる環
状の金属製ベルトにフッ素系樹脂等の耐プラズマ性を有
する絶縁材料をコーティングしたものからなる。
【0022】次に、上記チャンバ11に設けられた第
1,第2の開口部18,19の詳細および上記クリーニ
ング室51に設けられた第1,第2の開口部52,53
の詳細を、図2によって以下に説明する。なお、上記チ
ャンバ11の第2の開口部19および上記クリーニング
室51に設けられた第1,第2の開口部52,53は、
上記第1の開口部18と同様の構成を成している。よっ
て、ここでは、代表して上記チャンバ11の第1の開口
部18におけるスリットバルブの一例を図2によって説
明する。図2では、(1)に概略構成横断面図を示し、
(2)にスリットバルブの概略構成縦断面図を示し、
(3)に概略構成斜視図を示す。
【0023】図2に示すように、チャンバ11の外側で
上記第1の開口部18の両側には、第1の開口部18に
遊挿されている防着ベルト41の両側に第1,第2のス
リットバルブ21,22が設けられている。第1,第2
のスリットバルブ21,22は、チャンバ側壁11に対
向する面と防着ベルト41に対向する面を有する柱状体
からなり、例えば図示したようなほぼ直角三角柱形状を
なしている。もしくは、図示はしないが角柱形状であっ
てもよい。
【0024】上記第1のスリットバルブ21の防着ベル
ト側には防着ベルト41よりやや大きい溝23が形成さ
れている。一方、上記第2のスリットバルブ22の防着
ベルト41側には防着ベルト41を上記第1のスリット
バルブ21に形成されている溝23に防着ベルト41を
押圧する凸状部24が形成されている。さらに、溝23
の内面全面には、防着ベルト41が溝23に押し込まれ
た際にできる隙間を完全に埋め込むようなシール部材2
5が形成されている。このシール部材25は第1のスリ
ットバルブ21のチャンバ側壁側全面にも形成されてい
る。また、第2のスリットバルブ22の凸状部24全面
にもシール部材26が形成され、このシール部材26は
第2のスリットバルブ22のチャンバ側壁11側全面に
も形成されている。なお、上記シール部在25,26に
は、例えば耐食性を有するとともにゴム弾性を有する樹
脂が用いられる。また例えばОリングを用いることも可
能である。この場合には、第1,第2の開口部18,1
9を第1のスリットバルブ21,22および防着ベルト
41によって完全に密閉するようように配置されればい
かなる配置状態であってもよい。
【0025】上記第1,第2のスリットバルブ21に
は、当該第1,第2のスリットバルブ21,22どうし
を押圧させる方向でかつ当該第1,第2のスリットバル
ブ21,22をチャンバ11側壁に押圧する方向に駆動
する駆動装置27,28が設けられている。すなわち、
第1のスリットバルブ21には駆動装置27が設けら
れ、第2のスリットバルブ22には駆動装置28が設け
られている。この駆動装置27,28としては、例えば
流体圧(例えば油圧もしくは空気圧)シリンダを用いる
ことができ、そのプランジャもしくはピストンの一端部
に第1,第2のスリットバルブ21,22を取り付けた
ものである。
【0026】なお、第1,第2のスリットバルブ21,
22が角柱形状の場合には、当該第1,第2のスリット
バルブ21,22どうしで防着ベルト41を挟んだ状態
で互いを押圧させる方向に駆動させる駆動装置と、チャ
ンバ11側壁方向に押圧する駆動装置とを備えている。
【0027】上記堆積膜製造装置1では、装置稼動を停
止させることなく、防着ベルト41を移動させて、反応
生成物が付着していない防着ベルト部分をチャンバ11
内に取り込み、反応生成物が付着した防着ベルト部分を
クリーニング室51に移動させて防着ベルト41に付着
した反応生成物の除去を行うことができる。ただし、防
着ベルト41を移動する際に第1,第2のスリットバル
ブ1,22を開閉しなければならないため、好ましくは
装置稼動を停止する必要がある。特に、減圧下で成膜を
行う場合には装置稼動を停止する必要がある。しかしな
がら、装置稼動を停止するのは防着ベルト41を移動す
る時間のみであるため、装置稼動の停止時間は従来と比
較して短時間ですむ。したがって、従来装置と比較し
て、装置稼動率を高めることができる。
【0028】次に、上記堆積膜製造装置1において、チ
ャンバ11の外部を通っている防着ベルト41を温調器
によって一定温度に保つ構成の一例を図3の概略構成図
によって説明する。図3では、(1)に概略構縦断面図
を示し、(2)に概略構平面図を示す。
【0029】図3に示すように、堆積膜製造装置1のチ
ャンバ11外部には、このチャンバ11外部を通ってい
る防着ベルト41を挟むように温調器61が設置されて
いる。この温調器61は、例えばチャンバ11の外壁に
沿って設けられている壁状の第1温調器62と、この第
1温調器62と防着ベルト41を挟んで対向する状態に
設けられている壁状の第2温調器63とからなり、防着
ベルト41の幅を十分にカバーする幅に形成されてい
る。
【0030】また第1,第2温調器62,63ともに、
例えばその内部には、所定の温度に保たれた流体媒質が
流れるように流路(図示せず)が形成されている。そし
て上記流体媒質には、例えば温水、加温したエチレング
リコール等のアルコール、もしくはそれらの混合物等が
用いられている。上記流体媒質は、例えば、第1,第2
温調器62,63自体で加温されてもよく、または第
1,第2温調器62,63とは別に設けた加熱手段(図
示せず)によって所定の温度に加熱され、上記第1,第
2温調器62,63内の流路に供給されてもよい。
【0031】また、防着ベルト41の温度を測定する温
度センサ64が第1,第2の温調器62,63を設けた
防着ベルト41近傍に設置されていて、その測定結果に
基づいて、第1,第2の温調器62,63の温度を制御
する温度制御器65が各第1,第2の温調器62,63
に接続されていて、流体媒質の温度を管理している。
【0032】防着ベルト41を加熱しているので、反応
生成物が付着しにくい温度に加温することが可能にな
る。もしくは、防着ベルト41を反応生成物が剥がれに
くい温度に調整することが可能になる。このため、反応
生成物の剥離等の悪影響による不良の発生が抑制される
ので、堆積膜製造の歩留りの向上が図れる。
【0033】上記堆積膜製造装置1は、マルチチャンバ
方式の製造装置に組み込むことも可能である。その一例
を図4の概略構成図によって説明する。
【0034】図4に示すように、中央部に被処理基板を
搬送するロボット70を備えた搬送チャンバ71が備え
られている。この搬送チャンバ71の周囲には、例えば
処理前の被処理基板を収納するロードロック室72と例
えば処理後の被処理基板を収納するロードロック室73
とが接続されている。さらにこの搬送チャンバ71の周
囲には、複数のプロセスチャンバ74,75,76,7
7が接続されている。このうちの一つのプロセスチャン
バ77を例えば前記図1、2によって説明した堆積膜製
造装置1のチャンバ11とすることができる。さらに冷
却ステージ78,79が設置されている。ロードロック
室72,73、プロセスチャンバ74〜77、冷却ステ
ージ78,79の配置は、一例として、搬送チャンバ7
1の周囲を時計周りに、ロードロック室72、冷却ステ
ージ78、プロセスチャンバ74,75,76,77、
冷却ステージ79、ロードロック室73の順になってい
る。なお、図示はしないが、堆積膜製造装置1には上記
説明したのと同様にスリットバルブ、駆動装置等が備え
られている。
【0035】上記マルチチャンバ方式の製造装置に本発
明の堆積膜製造装置1を組み込んだことから、堆積膜製
造装置1においては前記第1の実施の形態で説明したの
と同様なる作用、効果が得られる。また、堆積膜製造装
置1の反応生成物を除去するメンテナンス時に堆積膜製
造装置1の稼動停止時間が大幅に短縮されることから、
マルチチャンバ方式の製造装置における稼動率の低下を
抑えることができる。
【0036】次に、本発明の堆積膜製造装置に係る第2
の実施の形態の一例を図5の概略構成図によって説明す
る。図5では、前記図1によって説明した構成部品と同
様な構成部品には同一符号を付与する。
【0037】図5に示すように、堆積膜製造装置2は、
前記堆積膜製造装置1のチャンバ11とクリーニング室
51との間に外部に出ている防着ベルト41を覆う状態
にサブチャンバ81を設けたものである。この一例で
は、チャンバ11の外部に、クリーニング室51と上記
チャンバ11より外に出ている防着ベルト41とを、チ
ャンバ11とによって覆うようにサブチャンバ81が設
けられている。なお、図示はしないが、堆積膜製造装置
1には上記説明したのと同様にスリットバルブ、駆動装
置等が備えられている。
【0038】上記堆積膜製造装置2では、サブチャンバ
81を設けたことにより、サブチャンバ内を工業的真空
状態とすることにより、チャンバ11内を工業的な真空
状態に保って防着ベルト41の移動を行うことができ
る。そのため、堆積膜製造装置2では、チャンバ11内
を高い真空度に保った状態で成膜を行うようなプラズマ
CVD法、減圧CVD法を行うことが可能になる。ま
た、たとえ、防着ベルト41を移動する際に装置稼動を
停止したとしても、チャンバ11内を再度、真空引きす
ることが容易になり、防着ベルト41を移動した後の堆
積膜製造準備を短時間で行うことができる。よって、メ
ンテナンス時間の大幅なる短縮が可能となり、スループ
ットの向上が図れる。また、防着ベルト41に付着した
反応生成物が剥がれたとしても、大気中に撒き散らされ
ることが無く、環境衛生的に優れている。
【0039】上記堆積膜製造装置2は,前記図4によっ
て説明したように、マルチチャンバ方式の製造装置にお
ける搬送チャンバ71に接続させることも可能である。
例えば、マルチチャンバ方式の製造装置における搬送チ
ャンバ71に堆積膜製造装置2のチャンバ11を接続
し、その接続部分を含んでチャンバ11を覆う状態に、
上記サブチャンバ81を設ければよい。このような装置
構成であっても、前記図5によって説明した堆積膜製造
装置2と同様なる作用、効果が得られる。
【0040】次に、本発明の液晶表示装置の製造方法を
説明する。
【0041】液晶表示装置の製造方法では、液晶表示装
置を構成する堆積膜を、前記図1〜図2によって説明し
た堆積膜製造装置1、前記図3によって説明した温調器
を備えた堆積膜製造装置、図4によって説明したマルチ
チャンバ方式の製造装置に組み込まれた堆積膜製造装
置、もしくは図5によって説明した堆積膜製造装置2を
用いて、液晶表示装置が形成される基板(例えば透明基
板)表面に形成する。
【0042】上記液晶表示装置の製造方法では、基板表
面に形成する堆積膜を、上記構成を有する堆積膜製造装
置で成膜することから、装置稼動を停止させることなく
防着ベルトを移動させることで、反応生成物が付着して
いない防着ベルト部分がチャンバ内に取り込まれ、反応
生成物が付着した防着ベルト部分がクリーニング室内に
取り込まれる。そのため、防着ベルトに付着した反応生
成物はクリーニング室で除去される。このようにチャン
バ内で防着ベルトに付着した反応生成物が剥がれ落ちる
前に、反応生成物が付着した防着ベルト部分をチャンバ
外部に移動させることができるので、チャンバ内は常に
反応生成物が剥がれ落ちることのない雰囲気に保たれ
る。よって、清浄な雰囲気で基板表面に堆積膜が形成さ
れるため、このような基板を用いて形成される液晶表示
装置は高い品質の膜を有するものとなり、本発明の製造
方法は、液晶表示装置の高性能化、高信頼性化に寄与す
る。
【0043】次に、本発明の半導体装置の製造方法を説
明する。
【0044】半導体装置の製造方法では、半導体装置を
構成する堆積膜を、前記図1〜図2によって説明した堆
積膜製造装置1、前記図3によって説明した温調器を備
えた堆積膜製造装置、図4によって説明したマルチチャ
ンバ方式の製造装置に組み込まれた堆積膜製造装置、も
しくは図5によって説明した堆積膜製造装置2を用い
て、半導体装置が形成される半導体基板もしくはSOI
基板もしくは絶縁性基板の表面に形成する。
【0045】上記半導体装置の製造方法では、基板表面
に形成する堆積膜を、上記構成を有する堆積膜製造装置
で成膜することから、装置稼動を停止させることなく防
着ベルトを移動させることで、反応生成物が付着してい
ない防着ベルト部分がチャンバ内に取り込まれ、反応生
成物が付着した防着ベルト部分がクリーニング室内に取
り込まれる。そのため、防着ベルトに付着した反応生成
物はクリーニング室で除去される。このようにチャンバ
内で防着ベルトに付着した反応生成物が剥がれ落ちる前
に、反応生成物が付着した防着ベルト部分をチャンバ外
部に移動させることができるので、チャンバ内は常に反
応生成物が剥がれ落ちることのない雰囲気に保たれる。
よって、清浄な雰囲気で基板表面に堆積膜が形成される
ため、このような基板を用いて形成される半導体装置は
高い品質の膜を有するものとなり、本発明の製造方法
は、半導体装置の高性能化、高信頼性化に寄与する。
【0046】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の堆積膜製
造装置によれば、装置稼動を停止させることなく、防着
ベルトを移動させて、反応生成物が付着していない防着
ベルト部分をチャンバ内に取り込み、反応生成物が付着
した部分をクリーニング室に移動させて防着ベルトに付
着した反応生成物の除去を行うことができる。そのため
装置稼動を停止させずにチャンバ内で発生した反応生成
物の堆積物を除去することができるので、反応生成物の
剥離によるチャンバ内汚染を防止するとともにメンテナ
ンス時間の短縮による生産性の向上を図ることができ
る。
【0047】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、常に清浄な雰囲気のチャンバ内で堆積膜を成膜する
ことができるので、高い品質の膜を有する液晶表示装置
を形成することができる。よって、液晶表示装置の高性
能化、高信頼性化が図れる。また、常に反応生成物が付
着していない防着ベルトをチャンバ内に送り込むことが
できるので、反応生成物の剥離による不良原因が除去さ
れるため、歩留りの向上が図れる。また、堆積膜製造装
置の装置稼動を停止させることなくチャンバ内を清浄な
雰囲気に保つことができるので、スループットの向上が
図れる。
【0048】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
常に清浄な雰囲気のチャンバ内で堆積膜を成膜すること
ができるので、高い品質の膜を有する半導体装置を形成
することができる。よって、半導体装置の高性能化、高
信頼性化が図れる。また、常に反応生成物が付着してい
ない防着ベルトをチャンバ内に送り込むことができるの
で、反応生成物の剥離による不良原因が除去されるた
め、歩留りの向上が図れる。また、堆積膜製造装置の装
置稼動を停止させることなくチャンバ内を清浄な雰囲気
に保つことができるので、スループットの向上が図れ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の堆積膜製造装置に係る第1の実施の形
態の一例を示す図であって、(1)はプラズマCVD装
置の成膜部の概略構成縦断面図であり、(2)は装置の
部分横断面を含む装置全体の概略構成図である。
【図2】スリットバルブの一例を説明する図面であっ
て、(1)は概略構成横断面図であり、(2)は概略構
成縦断面図であり、(3)は概略構成斜視図である。
【図3】温調器の一例を示す図面であって、(1)は概
略構成縦断面図であり、(2)は概略構成部分平面図で
ある。
【図4】第1の堆積膜製造装置1を組み込んだマルチチ
ャンバ方式の製造装置の一例を示す概略構成図である。
【図5】本発明の堆積膜製造装置に係る第2の実施の形
態の一例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
1…堆積膜製造装置、11…チャンバ、18…第1の開
口部、19…第2の開口部、41…防着ベルト、51…
クリーニング室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 胡摩窪 誠 鹿児島県国分市野口北5番1号 ソニー国 分株式会社内 (72)発明者 前田 祐二 鹿児島県国分市野口北5番1号 ソニー国 分株式会社内 (72)発明者 藤崎 公彦 鹿児島県国分市野口北5番1号 ソニー国 分株式会社内 (72)発明者 大迫 太郎 鹿児島県国分市野口北5番1号 ソニー国 分株式会社内 (72)発明者 山田 博 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 4K030 EA04 FA03 KA12 KA17 KA43 5F004 AA15 BA04 BB13 BB29 BD01 5F045 AA06 AA08 BB10 DQ17 EB05 EB06 EB10 EC05 EF05 EH05 EJ04 EJ09 EK10 GB05

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チャンバ内で基板表面に堆積膜を形成す
    る堆積膜製造装置において、 前記チャンバの外部に設けたクリーニング室と、 前記チャンバ内壁に沿って移動するとともに、前記チャ
    ンバに設けた第1の開口部よりチャンバ外部に送出され
    てから前記クリーニング室を経て前記チャンバに設けた
    第2の開口部よりチャンバ内に送入される防着ベルトと
    を備えたことを特徴とする堆積膜製造装置。
  2. 【請求項2】 前記第1、第2の開口部に前記防着ベル
    トが遊挿された状態で、前記第1、第2の開口部を密閉
    するスリットバルブを設けたことを特徴とする請求項1
    記載の堆積膜製造装置。
  3. 【請求項3】 前記チャンバの外部に前記防着ベルトの
    温度を所定温度に保持する温調器を備えたことを特徴と
    する請求項1記載の堆積膜製造装置。
  4. 【請求項4】 前記チャンバ外部を移動する前記防着ベ
    ルトの経路を密閉した状態に覆うもので前記チャンバ外
    部に設けたサブチャンバを備えたことを特徴とする請求
    項1記載の堆積膜製造装置。
  5. 【請求項5】 チャンバ内で基板表面に堆積膜を形成す
    る堆積膜製造装置を用いて、基板に堆積膜を形成する工
    程を備えた液晶表示装置の製造方法において、 前記堆積膜製造装置は、 前記チャンバの外部に設けたクリーニング室と、 前記チャンバ内壁に沿って移動するとともに、前記チャ
    ンバに設けた第1の開口部よりチャンバ外部に送出され
    てから前記クリーニング室を経て前記チャンバに設けた
    第2の開口部よりチャンバ内に送入される防着ベルトと
    を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  6. 【請求項6】 チャンバ内で基板表面に堆積膜を形成す
    る堆積膜製造装置を用いて、基板に堆積膜を形成する工
    程を備えた半導体装置の製造方法において、 前記堆積膜製造装置は、 前記チャンバの外部に設けたクリーニング室と、 前記チャンバ内壁に沿って移動するとともに、前記チャ
    ンバに設けた第1の開口部よりチャンバ外部に送出され
    てから前記クリーニング室を経て前記チャンバに設けた
    第2の開口部よりチャンバ内に送入される防着ベルトと
    を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006106857A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマ処理装置、これを用いた処理方法、半導体装置、液晶パネルおよびプラズマディスプレイ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2006106857A1 (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマ処理装置、これを用いた処理方法、半導体装置、液晶パネルおよびプラズマディスプレイ

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