JPH0737810A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 保守管理に手間がかからず、処理品質も良好
なプラズマＣＶＤ装置を提供する。 【構成】 基板１に成膜時、搬送手段４、ブロックヒー
タ７等への薄膜の付着防止のために防着板９が配置され
ているプラズマＣＶＤ装置において、電極６と基板保持
手段２間及び基板保持手段２と防着板９間にそれぞれ可
撓性中空体１２内に流体を封入したシール材を介装し、
薄膜形成時にシール材内部の流体圧によってその可撓性
中空体をシール面に密着させてシール面の加工精度が低
い場合でもシール状態を確保し、搬送手段、ブロックヒ
ータ、その周辺部の処理室内壁及び電極を処理室内壁間
に臨む空間の壁面に薄膜が付着するのを防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体工業等における
薄膜形成工程に利用されるプラズマＣＶＤ装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のプラズマＣＶＤ装置は、半導体製
造用のシリコン基板など比較的小型の基板に対する薄膜
形成に利用されていたが、近年大型液晶板のように面積
の大きな基板に対する薄膜形成にも利用されるようにな
ってきた。

【０００３】また従来のプラズマＣＶＤ装置では、一定
枚数の基板毎に薄膜形成処理を行なうバッチ式の装置が
多かったが、近年は基板の取扱いを自動化して基板を処
理室に順番に送り込み、薄膜形成処理やその前処理であ
る加熱処理、後処理である冷却処理などを連続的に行な
う連続式の装置も開発されている。

【０００４】図２に従来の薄膜形成に利用されるプラズ
マＣＶＤ装置を示す。図２において、基板保持手段２に
保持された基板１は処理室３に搬送手段４により順次送
り込まれ、処理が終了すれば処理室３から運びだされ
る。処理室３内には基板温度を成膜温度に保つためブロ
ックヒータ７とブロックヒータ７と対面する位置にシャ
ワープレート５が配設されている。シャワープレート５
は処理室３に絶縁体８を介して上端部を嵌合固定された
電極６に交換可能に取りつけられており、電極６の上端
部は処理室３外に延出されている。シャワープレート５
は高周波電源１０に接続され、電極６内にはシャワープ
レート５に臨む反応ガス通路が形成されている。また、
反応ガスがブロックヒータ７、搬送手段４の周辺部空間
に流入するのを防ぐため、処理室３内壁にブロックヒー
タ７および搬送手段４を取り囲むように防着板９が配設
されている。

【０００５】以上の構成において、シャワープレート５
と、搬送手段４を介して接地された基板保持手段２間に
電圧を印加しながらシャワープレート５を全面から均一
に基板１に向けて反応ガスを噴出することにより基板１
の表面に薄膜が形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、基板保持手段２と防着板９間に僅かな
隙間ができてしまい、薄膜の形成過程でその隙間に反応
ガスが流入し、搬送手段４、ブロックヒータ７、その周
辺部の処理室３の内壁及び電極６を処理室３内壁間に臨
む空間の壁面に薄膜の付着を生じ、そのまま放置してお
くと処理室３内の温度変化や圧力変化及び搬送手段４の
動きにより剥離・脱落し、処理工程中に基板１の表面に
付着し、基板１の仕上がり品質が大きく損なわれるとい
う問題がある。

【０００７】そこで従来においても上記隙間を遮るよう
余分に一枚防着板９を設けるなど工夫はされているが、
基板搬送時基板保持手段２と防着板９が接触すること
で、防着板９に付着した薄膜の剥離を防止するため、基
板保持手段２と防着板９間を完全な密閉構造とすること
は困難であり、薄膜の付着を完全に防止することができ
ず、付着した薄膜を除去するため、処理室３内から防着
板９を取り出し尚かつ搬送手段４及びブロックヒータ７
周辺部の薄膜除去作業を行なわねばならない。また、電
極６と処理室３内壁間に臨む空間の壁面に付着した薄膜
除去作業は処理室３内から電極６を取り出して行なわね
ばならず、前記より作業時間のロスが大きいという問題
があった。

【０００８】本発明は上記従来の問題点に鑑み、搬送手
段とブロックヒータ、その周辺部の処理室内壁及び電極
と処理室内壁間に臨む空間の壁面に薄膜が付着するのを
防止できて保守管理に手間がかからず、処理品質も良好
なプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置では、処理室に搬送保持手段に保持された基板を搬
送させる搬送装置と、出入りし、処理室内で基板の表面
と対向する位置にプラズマガスを噴き出すガス噴出装置
と、処理室内壁に防着装置を備えたプラズマＣＶＤ装置
において、前記噴出装置と基板保持装置間及び基板保持
装置と防着装置間にそれぞれ可撓性中空体内に流体を封
入したシール材を介装したことを特徴とする。

【００１０】

【作用】本発明の上記構成によると、薄膜形成時に処理
室内が真空排気されることによってシール材内部の流体
圧により別の可撓性中空体がガス噴出装置と基板保持装
置および基板保持装置と防着装置に密着してシールさ
れ、基板保持装置のシール面の加工精度が高くない場合
でもシール状態を確保でき、ガス噴出装置と基板保持装
置の隙間及び基板保持装置と防着装置の隙間から搬送装
置、ブロックヒータ周辺部、電極と処理室内壁面に臨む
空間に反応ガスが侵入して壁面に薄膜が付着するのを防
止でき、保守管理に手間をかけることなく良好な処理品
質が確保される。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装
置について２図を参照しながら説明する。

【００１２】図１はプラズマＣＶＤ装置の全体構成を示
す。本実施例では、電極６と基板保持手段２の間及び基
板保持手段２と防着板９の間のそれぞれに、図１に示す
ように可撓性中空体１２内に流体１３を封入したシール
材が配設されている。また、シャワープレート５より噴
出された反応ガスを均一に排気するためにシャワープレ
ート５を取り囲むように電極６に排気孔１０が配設され
ている。

【００１３】可撓性の中空体には、フッ素系ゴム、シリ
コンゴム、ニトリルゴム、ブチルゴムなどの伸縮自在な
ゴム系材料、又はポリテトラフロロエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリブチレンテレクタレート、三フッ化エチレ
ン、二フッ化ビニリデン等の可撓性プラスチック材料に
て構成される。また、耐熱及び耐食性向上のため、中空
体１２の表面にニッケル、アルミニウム等の金属コーテ
ィングを施すとよい。

【００１４】中空体１２中に封入する流体としては、窒
素ガスや他の不活性ガス、又はエタノール、フッ化炭化
水素等の蒸気圧の高い流体を用いることができる。

【００１５】以上の構成のプラズマＣＶＤ装置におい
て、基板保持手段２により保持された基板１を搬送手段
４により成膜位置に載置後、シャワープレート５に高周
波電源１０により高周波電圧を印加し、ガス供給管から
反応ガス通路及びシャワープレート５を通して処理室３
内に反応ガスを供給すればこの反応ガスのプラズマが生
成し、基板１の表面に供給されて、所謂プラズマＣＶＤ
による薄膜の形成が行われる。

【００１６】この薄膜形成を所定回数繰り返した後定期
保守点検を行なったところ、搬送手段４とブロックヒー
タ７、その周近部の処理室３内壁及び電極６と処理室３
内壁間に臨む空間の壁面に薄膜は付着していなかった。
また、性成膜により得られた基板１の処理品質も良好で
あった。かくして保守管理の手間が省けるため、装置の
稼働率を大幅に向上できた。

【００１７】

【発明の効果】本発明によれば、以上のように噴出手段
と基板保持手段間及び基板保持手段と防着構造間にそれ
ぞれ可撓性中空体内に流体を封入したシール材を介装し
たことにより、薄膜形成時にシール材内部の流体圧によ
って可撓性中空体がシール面に密着し、シール面の加工
精度が低い場合でもシール状態を確保できるため、ガス
噴出手段と基板保持手段及び基板保持手段と防着構造間
から反応ガスが侵入して搬送手段、ブロックヒータ、そ
の周辺部の処理室内壁及び電極を処理室内壁の間に臨む
空間の壁面に薄膜の付着を生じるのを確実に防止でき、
保守管理に手間をかけることなく良好な処理品質を確保
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例におけるプラズマＣＶＤ装置
の断面図である

【図２】従来例のプラズマＣＶＤ装置の断面図である

【符号の説明】

１ 基板 ２ 基板保持手段 ３ 処理室 ４ 搬送装置 ５ シャワープレート ６ 電極 ７ ブロックヒータ ８ 絶縁体 ９ 防着板 １０ 高周波電源 １１ 排気孔 １２ 可撓性中空体 １３ 流体

フロントページの続き (72)発明者 宝珍 隆三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理室に、基板保持手段に保持された基
   板を搬送させる搬送装置と、処理室内で基板の表面と対
   向する位置にプラズマガスを吹き出すガス噴出装置と、
   処理室内壁に防着装置を備えたプラズマＣＶＤ装置にお
   いて、前記噴出装置と基板保持装置間及び基板保持装置
   と防着装置間にそれぞれ可撓性中空体内に流体を封入し
   たシール材を介装したことを特徴とするプラズマＣＶＤ
   装置。