JPH0737810A - プラズマcvd装置 - Google Patents
プラズマcvd装置Info
- Publication number
- JPH0737810A JPH0737810A JP18116693A JP18116693A JPH0737810A JP H0737810 A JPH0737810 A JP H0737810A JP 18116693 A JP18116693 A JP 18116693A JP 18116693 A JP18116693 A JP 18116693A JP H0737810 A JPH0737810 A JP H0737810A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- plasma cvd
- processing chamber
- holding means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 保守管理に手間がかからず、処理品質も良好
なプラズマCVD装置を提供する。 【構成】 基板1に成膜時、搬送手段4、ブロックヒー
タ7等への薄膜の付着防止のために防着板9が配置され
ているプラズマCVD装置において、電極6と基板保持
手段2間及び基板保持手段2と防着板9間にそれぞれ可
撓性中空体12内に流体を封入したシール材を介装し、
薄膜形成時にシール材内部の流体圧によってその可撓性
中空体をシール面に密着させてシール面の加工精度が低
い場合でもシール状態を確保し、搬送手段、ブロックヒ
ータ、その周辺部の処理室内壁及び電極を処理室内壁間
に臨む空間の壁面に薄膜が付着するのを防止する。
なプラズマCVD装置を提供する。 【構成】 基板1に成膜時、搬送手段4、ブロックヒー
タ7等への薄膜の付着防止のために防着板9が配置され
ているプラズマCVD装置において、電極6と基板保持
手段2間及び基板保持手段2と防着板9間にそれぞれ可
撓性中空体12内に流体を封入したシール材を介装し、
薄膜形成時にシール材内部の流体圧によってその可撓性
中空体をシール面に密着させてシール面の加工精度が低
い場合でもシール状態を確保し、搬送手段、ブロックヒ
ータ、その周辺部の処理室内壁及び電極を処理室内壁間
に臨む空間の壁面に薄膜が付着するのを防止する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体工業等における
薄膜形成工程に利用されるプラズマCVD装置に関する
ものである。
薄膜形成工程に利用されるプラズマCVD装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来のプラズマCVD装置は、半導体製
造用のシリコン基板など比較的小型の基板に対する薄膜
形成に利用されていたが、近年大型液晶板のように面積
の大きな基板に対する薄膜形成にも利用されるようにな
ってきた。
造用のシリコン基板など比較的小型の基板に対する薄膜
形成に利用されていたが、近年大型液晶板のように面積
の大きな基板に対する薄膜形成にも利用されるようにな
ってきた。
【0003】また従来のプラズマCVD装置では、一定
枚数の基板毎に薄膜形成処理を行なうバッチ式の装置が
多かったが、近年は基板の取扱いを自動化して基板を処
理室に順番に送り込み、薄膜形成処理やその前処理であ
る加熱処理、後処理である冷却処理などを連続的に行な
う連続式の装置も開発されている。
枚数の基板毎に薄膜形成処理を行なうバッチ式の装置が
多かったが、近年は基板の取扱いを自動化して基板を処
理室に順番に送り込み、薄膜形成処理やその前処理であ
る加熱処理、後処理である冷却処理などを連続的に行な
う連続式の装置も開発されている。
【0004】図2に従来の薄膜形成に利用されるプラズ
マCVD装置を示す。図2において、基板保持手段2に
保持された基板1は処理室3に搬送手段4により順次送
り込まれ、処理が終了すれば処理室3から運びだされ
る。処理室3内には基板温度を成膜温度に保つためブロ
ックヒータ7とブロックヒータ7と対面する位置にシャ
ワープレート5が配設されている。シャワープレート5
は処理室3に絶縁体8を介して上端部を嵌合固定された
電極6に交換可能に取りつけられており、電極6の上端
部は処理室3外に延出されている。シャワープレート5
は高周波電源10に接続され、電極6内にはシャワープ
レート5に臨む反応ガス通路が形成されている。また、
反応ガスがブロックヒータ7、搬送手段4の周辺部空間
に流入するのを防ぐため、処理室3内壁にブロックヒー
タ7および搬送手段4を取り囲むように防着板9が配設
されている。
マCVD装置を示す。図2において、基板保持手段2に
保持された基板1は処理室3に搬送手段4により順次送
り込まれ、処理が終了すれば処理室3から運びだされ
る。処理室3内には基板温度を成膜温度に保つためブロ
ックヒータ7とブロックヒータ7と対面する位置にシャ
ワープレート5が配設されている。シャワープレート5
は処理室3に絶縁体8を介して上端部を嵌合固定された
電極6に交換可能に取りつけられており、電極6の上端
部は処理室3外に延出されている。シャワープレート5
は高周波電源10に接続され、電極6内にはシャワープ
レート5に臨む反応ガス通路が形成されている。また、
反応ガスがブロックヒータ7、搬送手段4の周辺部空間
に流入するのを防ぐため、処理室3内壁にブロックヒー
タ7および搬送手段4を取り囲むように防着板9が配設
されている。
【0005】以上の構成において、シャワープレート5
と、搬送手段4を介して接地された基板保持手段2間に
電圧を印加しながらシャワープレート5を全面から均一
に基板1に向けて反応ガスを噴出することにより基板1
の表面に薄膜が形成される。
と、搬送手段4を介して接地された基板保持手段2間に
電圧を印加しながらシャワープレート5を全面から均一
に基板1に向けて反応ガスを噴出することにより基板1
の表面に薄膜が形成される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、基板保持手段2と防着板9間に僅かな
隙間ができてしまい、薄膜の形成過程でその隙間に反応
ガスが流入し、搬送手段4、ブロックヒータ7、その周
辺部の処理室3の内壁及び電極6を処理室3内壁間に臨
む空間の壁面に薄膜の付着を生じ、そのまま放置してお
くと処理室3内の温度変化や圧力変化及び搬送手段4の
動きにより剥離・脱落し、処理工程中に基板1の表面に
付着し、基板1の仕上がり品質が大きく損なわれるとい
う問題がある。
ような構成では、基板保持手段2と防着板9間に僅かな
隙間ができてしまい、薄膜の形成過程でその隙間に反応
ガスが流入し、搬送手段4、ブロックヒータ7、その周
辺部の処理室3の内壁及び電極6を処理室3内壁間に臨
む空間の壁面に薄膜の付着を生じ、そのまま放置してお
くと処理室3内の温度変化や圧力変化及び搬送手段4の
動きにより剥離・脱落し、処理工程中に基板1の表面に
付着し、基板1の仕上がり品質が大きく損なわれるとい
う問題がある。
【0007】そこで従来においても上記隙間を遮るよう
余分に一枚防着板9を設けるなど工夫はされているが、
基板搬送時基板保持手段2と防着板9が接触すること
で、防着板9に付着した薄膜の剥離を防止するため、基
板保持手段2と防着板9間を完全な密閉構造とすること
は困難であり、薄膜の付着を完全に防止することができ
ず、付着した薄膜を除去するため、処理室3内から防着
板9を取り出し尚かつ搬送手段4及びブロックヒータ7
周辺部の薄膜除去作業を行なわねばならない。また、電
極6と処理室3内壁間に臨む空間の壁面に付着した薄膜
除去作業は処理室3内から電極6を取り出して行なわね
ばならず、前記より作業時間のロスが大きいという問題
があった。
余分に一枚防着板9を設けるなど工夫はされているが、
基板搬送時基板保持手段2と防着板9が接触すること
で、防着板9に付着した薄膜の剥離を防止するため、基
板保持手段2と防着板9間を完全な密閉構造とすること
は困難であり、薄膜の付着を完全に防止することができ
ず、付着した薄膜を除去するため、処理室3内から防着
板9を取り出し尚かつ搬送手段4及びブロックヒータ7
周辺部の薄膜除去作業を行なわねばならない。また、電
極6と処理室3内壁間に臨む空間の壁面に付着した薄膜
除去作業は処理室3内から電極6を取り出して行なわね
ばならず、前記より作業時間のロスが大きいという問題
があった。
【0008】本発明は上記従来の問題点に鑑み、搬送手
段とブロックヒータ、その周辺部の処理室内壁及び電極
と処理室内壁間に臨む空間の壁面に薄膜が付着するのを
防止できて保守管理に手間がかからず、処理品質も良好
なプラズマCVD装置を提供することを目的とする。
段とブロックヒータ、その周辺部の処理室内壁及び電極
と処理室内壁間に臨む空間の壁面に薄膜が付着するのを
防止できて保守管理に手間がかからず、処理品質も良好
なプラズマCVD装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマCVD
装置では、処理室に搬送保持手段に保持された基板を搬
送させる搬送装置と、出入りし、処理室内で基板の表面
と対向する位置にプラズマガスを噴き出すガス噴出装置
と、処理室内壁に防着装置を備えたプラズマCVD装置
において、前記噴出装置と基板保持装置間及び基板保持
装置と防着装置間にそれぞれ可撓性中空体内に流体を封
入したシール材を介装したことを特徴とする。
装置では、処理室に搬送保持手段に保持された基板を搬
送させる搬送装置と、出入りし、処理室内で基板の表面
と対向する位置にプラズマガスを噴き出すガス噴出装置
と、処理室内壁に防着装置を備えたプラズマCVD装置
において、前記噴出装置と基板保持装置間及び基板保持
装置と防着装置間にそれぞれ可撓性中空体内に流体を封
入したシール材を介装したことを特徴とする。
【0010】
【作用】本発明の上記構成によると、薄膜形成時に処理
室内が真空排気されることによってシール材内部の流体
圧により別の可撓性中空体がガス噴出装置と基板保持装
置および基板保持装置と防着装置に密着してシールさ
れ、基板保持装置のシール面の加工精度が高くない場合
でもシール状態を確保でき、ガス噴出装置と基板保持装
置の隙間及び基板保持装置と防着装置の隙間から搬送装
置、ブロックヒータ周辺部、電極と処理室内壁面に臨む
空間に反応ガスが侵入して壁面に薄膜が付着するのを防
止でき、保守管理に手間をかけることなく良好な処理品
質が確保される。
室内が真空排気されることによってシール材内部の流体
圧により別の可撓性中空体がガス噴出装置と基板保持装
置および基板保持装置と防着装置に密着してシールさ
れ、基板保持装置のシール面の加工精度が高くない場合
でもシール状態を確保でき、ガス噴出装置と基板保持装
置の隙間及び基板保持装置と防着装置の隙間から搬送装
置、ブロックヒータ周辺部、電極と処理室内壁面に臨む
空間に反応ガスが侵入して壁面に薄膜が付着するのを防
止でき、保守管理に手間をかけることなく良好な処理品
質が確保される。
【0011】
【実施例】以下、本発明の一実施例のプラズマCVD装
置について2図を参照しながら説明する。
置について2図を参照しながら説明する。
【0012】図1はプラズマCVD装置の全体構成を示
す。本実施例では、電極6と基板保持手段2の間及び基
板保持手段2と防着板9の間のそれぞれに、図1に示す
ように可撓性中空体12内に流体13を封入したシール
材が配設されている。また、シャワープレート5より噴
出された反応ガスを均一に排気するためにシャワープレ
ート5を取り囲むように電極6に排気孔10が配設され
ている。
す。本実施例では、電極6と基板保持手段2の間及び基
板保持手段2と防着板9の間のそれぞれに、図1に示す
ように可撓性中空体12内に流体13を封入したシール
材が配設されている。また、シャワープレート5より噴
出された反応ガスを均一に排気するためにシャワープレ
ート5を取り囲むように電極6に排気孔10が配設され
ている。
【0013】可撓性の中空体には、フッ素系ゴム、シリ
コンゴム、ニトリルゴム、ブチルゴムなどの伸縮自在な
ゴム系材料、又はポリテトラフロロエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリブチレンテレクタレート、三フッ化エチレ
ン、二フッ化ビニリデン等の可撓性プラスチック材料に
て構成される。また、耐熱及び耐食性向上のため、中空
体12の表面にニッケル、アルミニウム等の金属コーテ
ィングを施すとよい。
コンゴム、ニトリルゴム、ブチルゴムなどの伸縮自在な
ゴム系材料、又はポリテトラフロロエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリブチレンテレクタレート、三フッ化エチレ
ン、二フッ化ビニリデン等の可撓性プラスチック材料に
て構成される。また、耐熱及び耐食性向上のため、中空
体12の表面にニッケル、アルミニウム等の金属コーテ
ィングを施すとよい。
【0014】中空体12中に封入する流体としては、窒
素ガスや他の不活性ガス、又はエタノール、フッ化炭化
水素等の蒸気圧の高い流体を用いることができる。
素ガスや他の不活性ガス、又はエタノール、フッ化炭化
水素等の蒸気圧の高い流体を用いることができる。
【0015】以上の構成のプラズマCVD装置におい
て、基板保持手段2により保持された基板1を搬送手段
4により成膜位置に載置後、シャワープレート5に高周
波電源10により高周波電圧を印加し、ガス供給管から
反応ガス通路及びシャワープレート5を通して処理室3
内に反応ガスを供給すればこの反応ガスのプラズマが生
成し、基板1の表面に供給されて、所謂プラズマCVD
による薄膜の形成が行われる。
て、基板保持手段2により保持された基板1を搬送手段
4により成膜位置に載置後、シャワープレート5に高周
波電源10により高周波電圧を印加し、ガス供給管から
反応ガス通路及びシャワープレート5を通して処理室3
内に反応ガスを供給すればこの反応ガスのプラズマが生
成し、基板1の表面に供給されて、所謂プラズマCVD
による薄膜の形成が行われる。
【0016】この薄膜形成を所定回数繰り返した後定期
保守点検を行なったところ、搬送手段4とブロックヒー
タ7、その周近部の処理室3内壁及び電極6と処理室3
内壁間に臨む空間の壁面に薄膜は付着していなかった。
また、性成膜により得られた基板1の処理品質も良好で
あった。かくして保守管理の手間が省けるため、装置の
稼働率を大幅に向上できた。
保守点検を行なったところ、搬送手段4とブロックヒー
タ7、その周近部の処理室3内壁及び電極6と処理室3
内壁間に臨む空間の壁面に薄膜は付着していなかった。
また、性成膜により得られた基板1の処理品質も良好で
あった。かくして保守管理の手間が省けるため、装置の
稼働率を大幅に向上できた。
【0017】
【発明の効果】本発明によれば、以上のように噴出手段
と基板保持手段間及び基板保持手段と防着構造間にそれ
ぞれ可撓性中空体内に流体を封入したシール材を介装し
たことにより、薄膜形成時にシール材内部の流体圧によ
って可撓性中空体がシール面に密着し、シール面の加工
精度が低い場合でもシール状態を確保できるため、ガス
噴出手段と基板保持手段及び基板保持手段と防着構造間
から反応ガスが侵入して搬送手段、ブロックヒータ、そ
の周辺部の処理室内壁及び電極を処理室内壁の間に臨む
空間の壁面に薄膜の付着を生じるのを確実に防止でき、
保守管理に手間をかけることなく良好な処理品質を確保
することができる。
と基板保持手段間及び基板保持手段と防着構造間にそれ
ぞれ可撓性中空体内に流体を封入したシール材を介装し
たことにより、薄膜形成時にシール材内部の流体圧によ
って可撓性中空体がシール面に密着し、シール面の加工
精度が低い場合でもシール状態を確保できるため、ガス
噴出手段と基板保持手段及び基板保持手段と防着構造間
から反応ガスが侵入して搬送手段、ブロックヒータ、そ
の周辺部の処理室内壁及び電極を処理室内壁の間に臨む
空間の壁面に薄膜の付着を生じるのを確実に防止でき、
保守管理に手間をかけることなく良好な処理品質を確保
することができる。
【図1】本発明の一実施例におけるプラズマCVD装置
の断面図である
の断面図である
【図2】従来例のプラズマCVD装置の断面図である
1 基板 2 基板保持手段 3 処理室 4 搬送装置 5 シャワープレート 6 電極 7 ブロックヒータ 8 絶縁体 9 防着板 10 高周波電源 11 排気孔 12 可撓性中空体 13 流体
フロントページの続き (72)発明者 宝珍 隆三 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 処理室に、基板保持手段に保持された基
板を搬送させる搬送装置と、処理室内で基板の表面と対
向する位置にプラズマガスを吹き出すガス噴出装置と、
処理室内壁に防着装置を備えたプラズマCVD装置にお
いて、前記噴出装置と基板保持装置間及び基板保持装置
と防着装置間にそれぞれ可撓性中空体内に流体を封入し
たシール材を介装したことを特徴とするプラズマCVD
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18116693A JPH0737810A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | プラズマcvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18116693A JPH0737810A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | プラズマcvd装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0737810A true JPH0737810A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16096046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18116693A Pending JPH0737810A (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | プラズマcvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0737810A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101254931B1 (ko) * | 2010-09-29 | 2013-04-16 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 이송 장치 |
US8708405B2 (en) | 2009-08-20 | 2014-04-29 | Toyota Boshoku Kabushiki Kaisha | Vehicle seat with slider rail in back face of seat back |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP18116693A patent/JPH0737810A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8708405B2 (en) | 2009-08-20 | 2014-04-29 | Toyota Boshoku Kabushiki Kaisha | Vehicle seat with slider rail in back face of seat back |
KR101254931B1 (ko) * | 2010-09-29 | 2013-04-16 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 이송 장치 |
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