JP2002158160A - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ミスト／液体混合状態にある処理液から効率
よく液体成分を回収し、排気ダクト内でのミストの液化
を防止することができる液処理装置と、この液処理装置
を用いた液処理方法を提供する。 【解決手段】 基板Ｇに処理液、例えばシンナーを吐出
するシンナー吐出ノズル８２と、シンナー吐出ノズル８
２から吐出されたシンナーを吸引するためのシンナー吸
引ノズル８１と、シンナー吸引ノズル８１に吸引力を付
与する吸引機構たるエジェクタ８５と具備する液処理装
置において、エジェクタ８５とシンナー吸引ノズル８１
との間に処理液回収手段たるミストセパレータ８３を配
設した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、レジスト
膜等の塗布膜が形成された液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）
基板等の周縁部の塗布膜を除去する液処理に用いられる
液処理装置とその液処理装置を用いた液処理方法に関す
る。

【従来の技術】

【０００２】例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製
造においては、ガラス製の矩形基板にフォトレジスト液
を塗布してレジスト膜を形成し、所定の回路パターンに
てレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、い
わゆるフォトリソグラフィ技術により所定のパターンが
形成される。

【０００３】このような回路パターンの形成は、複数の
処理ユニットが集約されたレジスト塗布・現像処理シス
テムを用いて行われる。このようなシステムにおいて
は、まず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により
表面改質・洗浄処理が行われた後、洗浄ユニットにより
ブラシ洗浄および超音波水洗浄が施される。その後、基
板はレジストの安定性を高めるために、アドヒージョン
処理ユニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、引
き続き、レジスト塗布処理ユニットにてレジスト塗布が
行われる。こうして、レジスト膜が形成された基板に
は、加熱ユニットによるプリベーク、露光装置による所
定のパターンの露光、現像処理ユニットでの現像処理、
加熱ユニットでのポストベーク処理が順次施され、基板
に所定の回路パターンが形成される。

【０００４】ここで、レジストの塗布からプリベーク前
までの処理工程についてより詳しく説明すると、まず、
疎水化処理された基板を水平回転可能なスピンチャック
に吸着保持し、基板上部よりレジストを供給した後に基
板を回転させると、レジスト液が遠心力により拡散して
基板上にレジスト膜が形成される。このような方法によ
って形成されたレジスト膜は塗布直後には均一な膜厚を
有するが、一般的に、基板の回転が停止して遠心力が働
かなくなった後や時間の経過に伴って、表面張力の影響
により基板の周縁部でレジスト膜が盛り上がるように厚
くなり、また、このような回転方式のレジスト塗布方法
を用いた場合には、基板から振り切られたレジスト液が
基板の裏面へ回り込んで付着、固化する。

【０００５】こうして、基板の周縁部に形成された不均
一な厚みを有する膜部分や裏面に付着したレジストは、
その後の基板の搬送過程等のおいてパーティクルの発生
の原因となり、また、基板を搬送する装置を汚す原因に
もなる。そこで従来より、基板の周縁および裏面のレジ
ストにシンナー等の処理液を吐出して、レジストを溶解
し除去するエッジリムーブと呼ばれる処理が施され、基
板はその後にプリベーク処理へと送られている。

【０００６】このようなエッジリムーブは、シンナー等
を基板に向けて吐出する吐出ノズルとこの吐出ノズルか
ら吐出されたシンナーを吸引する吸引ノズルとを備えた
ヘッドを用いて、ヘッドを基板の周縁に沿って移動させ
ながら、吐出ノズルからシンナー等を吐出させて基板の
周縁部に形成されたレジスト膜や基板の側面や裏面に付
着したレジストを溶解し、この処理に並行して吐出され
たシンナー等が不要にレジスト膜を溶解しないように、
また基板上に残留しないように、基板に吐出されたシン
ナー等を吸引ノズルから吸引して回収することで行われ
る。

【０００７】このようなエッジリムーブにおいては、吸
引ノズルから吸引されるシンナー等は一部がミスト化し
ており、従って、吸引ノズルはミスト／液体混合状体に
あるシンナー等を吸引することとなる。従来はこうして
吸引ノズルから吸引されるシンナー等はミストトラップ
を通して気液分離されて処分されており、通常、ミスト
トラップは吸引ノズルに吸引力を与える吸引機構より
も、シンナーの流出方向における下流側に配設されてい
た。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように、吸引機構よりも下流側に配設されたミストト
ラップによる気液分離では、その分離が十分でないため
にミストトラップに連通して設けられた排気ダクト内で
シンナー等のミストが液化し、液化したシンナー等が排
気ダクトに配設されたダンパー等の機構の動作不良を起
こさせる問題があった。また、液化したシンナーが排気
ダクトの一部に滞留して排気効率を低下させたり、液化
したシンナーが排気ダクトの継ぎ目等から漏洩する問題
や、定期的に排気ダクト内に滞留したシンナー等を除去
する作業を行う必要があった。

【０００９】本発明はこのような従来技術の問題点に鑑
みてなされたものであり、吸引されるミスト／液体混合
状態にあるシンナー等から効率よく液体成分を回収し、
ダクト内でのミスト化したシンナー等の液化を防止する
ことができる液処理装置と、この液処理装置を用いた液
処理方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は第１
発明として、被処理体に処理液を供給して液処理を行う
液処理装置であって、前記被処理体に所定の処理液を吐
出する処理液吐出ノズルと、前記処理液吐出ノズルから
吐出された処理液を吸引するための処理液吸引ノズル
と、前記処理液吸引ノズルに吸引力を付与する吸引機構
と、前記吸引機構と前記処理液吸引ノズルとの間に設け
られた処理液回収手段と、を具備することを特徴とする
液処理装置、を提供する。

【００１１】本発明は第２発明として、被処理体に処理
液を供給して液処理を行うとともに前記被処理体に供給
された処理液の一部がミスト化したミスト／液体混合処
理液を回収する液処理装置であって、所定の処理液を被
処理体に吐出する処理液吐出ノズルを有するとともに、
前記処理液吐出ノズルから吐出された処理液を吸引する
ための処理液吸引ノズルを有するヘッドと、前記処理液
吐出ノズルから吐出された処理液を前記処理液吸引ノズ
ルから吸引するためのエジェクタと、前記エジェクタと
前記ヘッドとの間に設けられ、前記処理液吸引ノズルか
ら吸引されたミスト／液体混合処理液中の液体成分を回
収するミストセパレータと、を具備することを特徴とす
る液処理装置、を提供する。

【００１２】本発明は第３発明として、塗布膜が形成さ
れた基板の周縁部における塗布膜および前記基板の周縁
部に付着した塗布液を除去する液処理装置であって、塗
布膜が形成された基板を保持する保持手段と、所定の処
理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび前記処理液吐出
ノズルから吐出された処理液を吸引する処理液吸引ノズ
ルが形成され、前記保持手段に保持された基板の周縁に
沿って移動可能な除去ヘッドと、前記処理液吐出ノズル
から吐出された処理液を前記処理液吸引ノズルから吸引
するためのエジェクタと、前記エジェクタと前記除去ヘ
ッドとの間に設けられ、前記処理液吸引ノズルから吸引
された処理液を液体成分と気体成分に分離して前記液体
成分を回収するミストセパレータと、を具備することを
特徴とする液処理装置、を提供する。

【００１３】本発明は第４発明として、塗布膜が形成さ
れた基板の周縁部における塗布膜および前記周縁部に付
着した塗布液を除去する液処理装置であって、塗布膜が
形成された基板を保持する保持手段と、所定の処理液を
吐出する処理液吐出ノズルおよび前記処理液吐出ノズル
から吐出された処理液を吸引する処理液吸引ノズルとが
形成され、前記保持手段に保持された基板の周縁に沿っ
て移動可能な除去ヘッドと、前記処理液吸引ノズルと連
通するように設けられた排気機構と、前記排気機構と前
記除去ヘッドとの間に設けられ、前記処理液吐出ノズル
から吐出されてミスト／液体混合状態となった処理液を
前記処理液吸引ノズルから吸引するためのエジェクタ
と、前記エジェクタと前記除去ヘッドとの間に設けら
れ、前記処理液吸引ノズルから吸引された処理液を液体
成分と気体成分に分離して前記液体成分を回収するミス
トセパレータと、を具備することを特徴とする液処理装
置、を提供する。

【００１４】本発明によれば、第５発明として、これら
の液処理装置を用いた液処理方法、すなわち、所定の処
理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび前記処理液吐出
ノズルから吐出された処理液を吸引する処理液吸引ノズ
ルとが形成されたヘッドと、前記処理液吸引ノズルと連
通するように設けられた排気機構と、前記排気機構と前
記ヘッドとの間に設けられ、前記処理液吐出ノズルから
吐出されてミスト／液体混合状態となった処理液を前記
処理液吸引ノズルから吸引するためのエジェクタと、前
記エジェクタの下流側において前記排気機構を開閉する
ダンパーと、前記エジェクタと前記ヘッドとの間に設け
られ、前記吸引された処理液を液体成分と気体成分に分
離して前記液体成分を回収するミストセパレータと、前
記ミストセパレータに設けられたドレインを開閉するド
レイン開閉機構と、を具備する液処理装置を用いた液処
理方法であって、前記エジェクタの動作中は前記ダンパ
ーを開口し、かつ、前記ドレインを閉口させて前記液体
成分が貯留される状態に保持し、前記エジェクタの休止
中は前記ダンパーを閉口し、かつ、前記ドレインを開口
させて前記ミストセパレータに貯留された処理液を排出
することを特徴とする液処理方法、が提供される。

【００１５】このような本発明の液処理装置および液処
理方法によれば、処理液吸引ノズルと処理液吸引ノズル
からミストを含んだ処理液を吸引する手段であるエジェ
クタとの間に処理液回収手段を配置することにより、吸
引された処理液の気液分離を容易に行って、吸引された
処理液の液体成分としての回収率を高めることが可能と
なり、処理液のリサイクル効率が高められる。

【００１６】また、排気ダクトへ送られる気体中に含ま
れるミスト成分が低減されるので、エジェクタの下流側
に配置される排気ダクト内におけるミストの液化が防止
される。これにより、排気ダクトに設けられるダンパー
等の機構が液化した処理液により動作不良を起こすこと
防止され、排気ダクト内に処理液が滞留して排気効率を
低下させたり、排気ダクトの継ぎ目等から漏洩するとい
った問題も解決される。さらに、定期的に排気ダクトに
滞留した処理液を除去するといったメンテナンスの負荷
が低減される。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の液処理装置の実施の形態について説明する。ここ
では、本発明をレジスト膜が形成されたＬＣＤ基板の周
縁部のレジスト膜およびＬＣＤ基板の裏面に付着したレ
ジストを除去する周縁レジスト除去ユニットに適用し、
この周縁レジスト除去ユニットをレジスト塗布・現像処
理システムに適用した場合について説明することとす
る。

【００１８】図１はレジスト塗布・現像処理システム１
００の平面図であり、このレジスト塗布・現像処理シス
テム１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載
置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗
布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理
ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス
部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセッ
トステーション１およびインターフェイス部３が配置さ
れている。

【００１９】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１
０を備えている。そして、カセットステーション１にお
いてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１
０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０
ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アー
ム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬
送が行われる。

【００２０】処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後
段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２
・１３・１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニ
ットが配設されている。そして、これらの間には中継部
１５・１６が設けられている。

【００２１】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂが配
置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユニ
ット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重ね
られた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）が
２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユニ
ット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２
７が配置されている。

【００２２】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側にはレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２が設
けられている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２
の隣にはレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２におい
てレジスト膜が形成された後の基板Ｇの周縁部のレジス
トを除去する周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３が
設けられている。

【００２３】搬送路１３の他方側には加熱処理ユニット
（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加
熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）
が上下に重ねられてなる処理ブロック２９、およびアド
ヒージョン処理ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）とが上下に重ねられてなる処理ブロック３０が配置
されている。

【００２４】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ
・２４ｂ・２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方
側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてな
る処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット
（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねら
れてなる処理ブロック３２・３３が配置されている。

【００２５】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト塗布処理ユニッ
ト（ＣＴ）２２、現像処理ユニット２４ａのようなスピ
ナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処
理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットの
みを配置する構造となっている。

【００２６】また、中継部１５・１６のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には薬液供給ユニット３４が配置され
ており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うための
スペース３５が設けられている。

【００２７】主搬送装置１７・１８・１９は、それぞれ
水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、およ
び垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を
中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基
板Ｇを支持するアームを有している。

【００２８】主搬送装置１７は搬送アーム１７ａを有
し、搬送機構１０の搬送アーム１１との間で基板Ｇの受
け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに
対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間
で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主
搬送装置１８は搬送アーム１８ａを有し、中継部１５と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有し
ている。さらに、主搬送装置１９は搬送アーム１９ａを
有し、中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとと
もに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬
入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板
Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１
５・１６は冷却プレートとしても機能する。

【００２９】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７
と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬
入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８
はエクステンション３６およびバッファステージ３７の
配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能
な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処
理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。

【００３０】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。

【００３１】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが処理
部２に搬送され、処理部２では、まず前段部２ａの処理
ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面改質
・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷
却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂで
スクラバー洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれか
の加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処理
ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷
却される。

【００３２】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の
上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化
処理（ＨＭＤＳ処理）された後、下段の冷却処理ユニッ
ト（ＣＯＬ）で冷却される。次いで、レジスト塗布処理
ユニット（ＣＴ）２２において、基板Ｇにレジストが塗
布される。

【００３３】このレジスト塗布工程では、例えば、レジ
スト液を基板Ｇに供給する前に、基板Ｇを回転させなが
らシンナー等の処理液を供給して基板Ｇの表面のレジス
ト液に対する濡れ性を向上させて、その後に基板Ｇを一
旦静止させ、レジスト液を基板Ｇに供給してから再び基
板Ｇを回転させて基板Ｇの全面にレジスト液を拡げるよ
うにして、レジスト膜が形成される。

【００３４】このようなレジスト塗布処理ユニット（Ｃ
Ｔ）２２での処理の終了後に、基板Ｇは周縁レジスト除
去ユニット（ＥＲ）２３へ搬送され、基板Ｇの周縁部の
レジストの除去（以下、このような処理を「エッジリム
ーブ」という）が行われる。エッジリムーブは、基板Ｇ
のレジスト膜が形成された面の周縁部のレジストの除去
と、基板Ｇの側面ならびに基板Ｇの裏面に付着したレジ
ストの除去と、を行う処理をいう。

【００３５】その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱
処理ユニット（ＨＰ）の１つでプリベーク処理され、処
理ブロック２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯ
Ｌ）で冷却される。次いで、基板Ｇは中継部１６から主
搬送装置１９にてインターフェイス部３を介して露光装
置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そ
して、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入
され、必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１・３
２・３３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポス
トエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユ
ニット（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃのいずれかで
現像処理され、所定の回路パターンが形成される。

【００３６】現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのい
ずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処
理が施された後、いずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）に
て冷却され、主搬送装置１９・１８・１７および搬送機
構１０によってカセットステーション１上の所定のカセ
ットに収容される。

【００３７】次に、上述した周縁レジスト除去ユニット
（ＥＲ）２３についてより詳細に説明する。ここで、周
縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３は、図２の平面図
および図３の断面図に示すように、レジスト塗布処理ユ
ニット（ＣＴ）２２と連説して構成することが可能であ
る。

【００３８】周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３に
は、基板Ｇを載置するためのステージ９３が設けられて
おり、ステージ９３の上の２つのコーナー部には、基板
Ｇを位置決めするための２つのアライメント機構９１が
設けられている。また、基板Ｇの４辺それぞれには、基
板Ｇの周縁部に形成されたレジスト膜や側面および裏面
に付着したレジストを基板Ｇから除去するためのリムー
バヘッド９２が設けられている。

【００３９】各リムーバヘッド９２は、図３の断面図に
示すように、基板Ｇの周縁を挟み込むように断面略Ｕ字
状の形状を有しており、リムーバヘッド９２には基板Ｇ
にレジストを溶解させる処理液、例えば、シンナーを吐
出するシンナー吐出ノズル（図示せず）と、このシンナ
ー吐出ノズルから吐出されるシンナーを吸引するシンナ
ー吸引ノズル（図示せず）が形成されている。リムーバ
ヘッド９２は基板Ｇの４辺に沿ってそれぞれ移動するよ
うに構成されており、従って、リムーバヘッド９２は基
板Ｇの各辺に沿ってシンナーを吐出しながら、かつ、吐
出されたシンナーおよび溶解したレジストを吸引しつ
つ、基板Ｇの４辺の周縁のレジストを除去するエッジリ
ムーブを行うことができるようになっている。

【００４０】レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２
は、基板Ｇを略水平に保持し、回転自在に構成されたス
ピンチャック４０と、スピンチャック４０を囲繞するよ
うに設けられた内側カップ４４ａおよび外側カップ４４
ｂと、内側カップ４４ａの上面開口部を開閉する内蓋４
５ａおよび外側カップ４４ｂの上面開口部を開閉する外
蓋４５ｂとを有している。また、レジスト塗布処理ユニ
ット（ＣＴ）２２は、スピンチャック４０に保持された
基板Ｇにレジスト液を塗布するレジスト液供給ノズル
と、シンナーを塗布するシンナー供給ノズルが配設され
たヘッド７２を回動するアーム７１を有している。

【００４１】従って、レジスト塗布処理ユニット（Ｃ
Ｔ）２２においては、例えば、スピンチャック４０に保
持された基板Ｇにシンナーを塗布して基板Ｇのレジスト
液に対する濡れ性を改善した後に、レジスト液を塗布し
て基板Ｇを回転させることでレジスト膜を形成し、内側
カップ４４ａ・外側カップ４４ｂをそれぞれ内蓋４５ａ
・外蓋４５ｂによって閉じて基板Ｇを回転させることで
レジスト膜厚を調整することができる。

【００４２】レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２と
周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３との間にはガイ
ド９５と、ガイド９５に沿って移動する搬送アーム９６
が配設されており、レジスト膜が形成された基板Ｇはス
ピンチャック４０から搬送アーム９６に移され、さらに
ステージ９３上に移されて、周縁レジスト除去ユニット
（ＥＲ）２３においてエッジリムーブが行われる。

【００４３】次に、エッジリムーブにおけるシンナーの
回収機構について説明する。図４はリムーバヘッド９２
からシンナーを回収するシンナー回収機構９０の構成を
示した説明図である。リムーバヘッド９２に形成された
シンナー吐出ノズル８２から基板Ｇに向けて吐出される
シンナーを吸引するために、リムーバヘッド９２に形成
されたシンナー吸引ノズル８１には、シンナーを吸引す
る力を与えるエジェクタ８５が配管８６を通じて取り付
けられている。配管８６の途中にはミストセパレータ８
３が配設されており、ミストセパレータ８３には、開閉
バルブ８３ｂにより開閉自在となっているドレイン８３
ａが設けられている。

【００４４】エジェクタ８５は、ミストトラップ８４を
エジェクタ８５の下流側（吸引されたシンナーの流出側
をいい、以下、他の構成部材についても同様とする）に
位置させるかたちで、ミストトラップ８４に取り付けら
れており、ミストトラップ８４の下流側には工場排気等
の排気機構に連通する排気ダクト８８が取り付けられて
いる。従って、排気ダクト８８はシンナー吸引ノズル８
１と連通した状態となる。なお、排気ダクト８８はダン
パー８９により開閉自在となっている。

【００４５】シンナー吐出ノズル８２からのシンナーの
吐出動作はシンナー吐出制御機構５１ａにより、エジェ
クタ８５の作動はエジェクタ動作制御機構５１ｂによ
り、開閉バルブ８３ｂの開閉動作はバルブ開閉機構５１
ｃにより、ダンパー８９の開閉はダンパー開閉機構５１
ｄによりそれぞれ制御され、これら各種の制御機構５１
ａ〜５１ｄは制御装置５２によって、個別にまたは処理
レシピに従って連動して制御されるようになっている。

【００４６】図４において、リムーバヘッド９２には合
計５カ所にシンナー吐出ノズル８２が形成されている
が、このような数に限定されるものではない。ミストセ
パレータ８３は内部が空洞となっている箱体または筒状
体であり、ミストセパレータ８３内に流入したシンナー
は、ミストセパレータ８３においてミスト成分（気体成
分）と液体成分とに分離される。この液体成分はドレイ
ン８３ａから排出され、一方、主にミスト成分のみとな
ったシンナーはエジェクタ８５へ送られる。

【００４７】ミストセパレータ８３へのシンナーの流入
形態としては、シンナーが水平方向から流入する形態を
採るときにシンナーの回収率が大きく、図４に示される
ようにミストセパレータ８３の上部においてシンナーが
ミストセパレータ８３に流入する形態を採ることが好ま
しい。また、図４中の点線で示されるように、ミストセ
パレータ８３の下部からシンナーが流入する形態とした
場合であっても、上部からシンナーが流入する形態とし
た場合と比較して同程度の液体成分のシンナーを回収す
ることができるが、圧力損失は大きくなる。

【００４８】ミストセパレータ８３から排気を流出させ
る形態としては、ミストセパレータ内で気流方向を変え
てミストセパレータ８３の内壁に気流を当てて、さらに
シンナーを液化させるという意味で流入方向と異なる角
度で流出させるように、例えば、ミストセパレータ８３
の上面から流出させる。なお、ミストセパレータ８３自
体の形状は円筒型や箱型でよいが、箱型の方がミストセ
パレータ８３内での気流をわざと乱して、ミストどうし
を結合させて液状化することが可能であり、さらに、シ
ンナーの回収率を向上させることが可能である。

【００４９】なお、ミストセパレータ８３に冷却機構
（第１の冷却機構）を取り付けることが可能であり、こ
れにより、シンナーの回収率を高めることが可能とな
る。また、ミストセパレータ８３に第１の冷却機構を設
けた場合に、さらにリムーバヘッド９２とミストセパレ
ータ８３との間に第２の冷却機構を設けてもよいことは
いうまでもない。この場合、第２の冷却機構での冷却温
度を露点おり少し高めに制御して結露が少ない程度に排
気を冷却しておき、第１の冷却機構を露点温度以下に制
御して排気温度を露点以下とすることにより、さらに効
率よくシンナーを回収することができる。このとき、ミ
ストセパレータ８３の周囲を保温材で囲むことにより、
ミストセパレータ８３の周囲の雰囲気中の水分が結露す
ることを防止することが可能である。

【００５０】しかしながら、後述するように、ミストセ
パレータ８３やリムーバヘッド９２とミストセパレータ
８３との間に冷却機構を取り付けなくとも、排気ダクト
８８においてミスト化したシンナーが液化することは回
避され、ミストセパレータ８３に冷却機構を取り付けた
場合には、シンナー回収機構９０自体の構造が複雑とな
り、装置コスト、ランニングコストが高くなるデメリッ
トも生ずる。ミストセパレータ８３が冷却機構を有する
ものとするか否かは、このようなデメリットとシンナー
の回収効率の向上という効果とを比較して決定すればよ
い。

【００５１】エジェクタ８５はシンナー吸引ノズル８１
に吸引力を付与する手段であり、例えば、圧縮空気を排
気ダクト８８側に送風することでシンナー吸引ノズル８
１に吸引力を生じさせるものを用いることができる。エ
ジェクタ８５の動作圧力を変化させる、つまりシンナー
吸引ノズル８１における吸引力を変化させると、シンナ
ーの液体成分としての回収率を変化させることができる
が、エジェクタ８５の吸引力の大きさは、シンナーの吐
出量やリムーバヘッド９２の形状といった種々の因子と
も深く関係していることから、エジェクタ８５の吸引力
の大きさはこれらの因子を考慮しつつ、適切な条件に設
定される。

【００５２】なお、シンナー回収機構９０においては、
エジェクタ８５に流入するシンナーに液体成分があった
場合でも、後述するようにミストトラップ８４において
は液溜まりが生じず、ミストトラップ８４においてシン
ナーは液体として回収されないことから、その液体成分
はエジェクタ８５においてミスト化されると考えられ
る。

【００５３】逆に、ミストトラップ８４においてシンナ
ーが液体として回収されないということは、シンナー回
収機構９０においては、ミストトラップ８４はエジェク
タ８５を配設するための連結部材としての役割を果たす
ものであり、エジェクタ８５を直接に排気ダクト８８に
取り付けることが可能であれば、ミストトラップ８４は
必ずしも必要ではないことを示している。つまり、シン
ナー回収機構９０においてミストトラップ８４を配設し
た理由は、エジェクタ８５をミストトラップ８４に固定
するという従来の構成を踏襲したに過ぎないものであ
る。

【００５４】このようなシンナー回収機構９０は、例え
ば、以下に示すレシピにより運転することができる。最
初に、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２において
レジスト膜が形成された基板が、搬送アーム９６によっ
てレジスト除去ユニット（ＥＲ）２３に搬送され、基板
Ｇがステージ９３に載置されたら、リムーバヘッド９２
をそれぞれエッジリムーブを開始する所定の位置、例え
ば、基板Ｇのコーナー部へ移動させる。この時点まで
は、排気ダクト８８のダンパー８９は閉じた状態として
おく。

【００５５】続いて、排気ダクト８８のダンパー８９を
開いて排気が行える状態とし、また、開閉バルブ８３ｂ
を閉じてミストセパレータ８３にシンナーが貯留される
状態としてエジェクタ８５を動作させ、シンナー吸引ノ
ズル８１からの吸引を開始する。その後、シンナー吐出
ノズル８２から基板Ｇに向かって所定量のシンナーの吐
出を開始し、リムーバヘッド９２を基板Ｇの周縁に沿っ
て所定の速度で走査させる。

【００５６】シンナー吐出ノズル８２から吐出されたシ
ンナーは、基板Ｇに上面周縁に形成されたレジスト膜を
溶かし、また、基板Ｇの側面や裏面に付着しているレジ
ストを溶かしながら、液体とミストが混合した状態とな
ってシンナー吸引ノズル８１から吸引され、ミストセパ
レータ８３へ向けて送られる。

【００５７】ミストセパレータ８３においては、ドレイ
ン８３ａは開閉バルブ８３ｂにより閉じられているため
に、気液分離されたシンナーの液体成分はドレイン８３
ａからすぐに排出されることはなく下部に貯留される。
ミストセパレータ８３に流入するシンナーの液体成分が
ミストセパレータ８３においてミスト化する確率は低い
と考えられることから、ミストセパレータ８３において
回収される液体成分は、その殆どがシンナー吸引ノズル
８１に吸引された時点で液体の状態であったものと考え
られる。

【００５８】ミストセパレータ８３でのシンナーの回収
率は約７０％であり、この結果から、シンナー吸引ノズ
ル８１から吸引されたシンナーは約７０％が液体の状態
にあり、約３０％がミスト化しているものと考えられ
る。但し、ミストセパレータ８３に流入したミスト成分
の極一部は、例えば、ミストセパレータ８３の壁面等に
衝突して液化し、ミストセパレータ８３の下部に落下し
て貯留されると考えられる。

【００５９】ミストセパレータ８３において気液分離さ
れた気体成分、つまりミスト成分はエジェクタ８５に送
られ、エジェクタ８５を通過してミストトラップ８４に
流入する。シンナー回収機構９０に設けられたミストト
ラップ８４においては、ミストとして流入したシンナー
が液体として回収されることはなく、ミストの状態のま
まで排気ダクト８８へ送られる。従って、エジェクタ８
５にシンナーの液体成分が流入したとしても、その場合
には、液体成分はエジェクタ８５においてミスト化され
ると考えられる。

【００６０】シンナー回収機構９０では、ミストトラッ
プ８４においてシンナーが液体として回収されないため
に、ミストトラップ８４にドレインが設けられていな
い。つまり、シンナー回収機構９０においてはミストト
ラップ８４はエジェクタ８５を配設するための連結部材
としての役割を果たしている部材に過ぎない。従って、
排気ダクト８８に直接にエジェクタ８５を配設すること
が可能であれば、必ずしミストトラップ８４は必要では
なく、また、ミストトラップ８４の代わりに、エジェク
タ８５と排気ダクト８８を連結する部材を配置すること
もできる。

【００６１】なお、ミストトラップ８４に冷却機構を設
けることにより、ミストトラップ８４においてミストを
液化して回収し、シンナー回収機構９０全体のシンナー
回収率を上げることが可能である。この場合には、当然
にミストトラップ８４にドレインを設ける必要がある。

【００６２】こうして、エジェクタ８５を通過したミス
ト化したシンナーは、排気ダクト８８を通過する際にも
液化して排気ダクト８８内に滞留することはなく、工場
排気等の設備へ送られ、処理される。

【００６３】リムーバヘッド９２の走査の終了に合わせ
て、シンナー吐出ノズル８２からのシンナーの吐出を終
了し、その後にエジェクタ８５の動作を停止する。そし
て、ダンパー８９を閉じ、また、開閉バルブ８３ｂを開
いてミストセパレータ８３内に貯留されたシンナーをド
レイン８３ａから排出し、この排出が終了した後には再
び開閉バルブ８３ｂを閉じた状態として、次の基板Ｇの
処理開始に備える。

【００６４】上述したレシピに従えば、エッジリムーブ
において用いられたシンナーの約７０％を液体として回
収することが可能となり、こうして排気ダクト８８に送
られるシンナーのミスト量を低減し、排気ダクト８８内
におけるミストの液化を防止することが可能となる。こ
れに対し、従来のようにミストセパレータ８３を設けず
に配管８６により直接にシンナー吸引ノズル８１とエジ
ェクタ８５とを連結して、ミストトラップ８４において
シンナーを液体として回収しようとした場合には、シン
ナーの回収率は５３％程度に止まり、また、排気ダクト
８８内でのミストの液化が生じ、排気ダクト８８の排気
効率が低下する問題を生じた。また、排気ダクト８８内
に滞留した液体成分を除去する作業を行なわなければな
らなかった。

【００６５】上述したように、シンナー回収機構９０を
用いた場合には、排気ダクト８８内に液体成分が滞留す
ることがないために、排気ダクト８８の継ぎ目等から液
体成分が漏洩するといった問題は生じず、排気ダクト８
８内に滞留する液体成分によって圧力損失が生じ、排気
効率が低下するといった問題も生じない。また、排気ダ
クト８８内から滞留している液体成分を除去するといっ
た作業を行う必要もなくなり、排気ダクト８８のメンテ
ナンスが容易となる。さらに、液体成分が排気ダクト８
８に設けられたダンパー８９等の機構に作動不良が発生
させることも防止される。

【００６６】さて、上記説明においては、リムーバヘッ
ド９２とミストセパレータ８３とを１対１で設けた例を
説明したが、１個のリムーバヘッド９２から複数のミス
トセパレータ８３に排気を分岐してシンナーを回収して
もよいのはいうまでもない。ミストセパレータ８３にお
ける排気の流入方向と流出方向を変えるとミストセパレ
ータ８３内で圧損が発生するが、複数のミストセパレー
タ８３に排気を分岐することにより、配管全体の圧損を
低減することができ、こうして、排気能力を低減するこ
となくさらにシンナーを効率よく回収することが可能と
なる。

【００６７】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、ＬＣＤ基板のスクラブ洗浄装置におい
ては、ＬＣＤ基板に供給される洗浄液の一部はブラシの
駆動によってミスト化され、液体のままの洗浄液ととも
にドレインから排出される構成を有するが、このような
ドレインにおいても、上述したシンナー回収機構９０と
同様の構成を有する回収機構を設けることによって、処
理液の回収率を増大させて排気ダクト内での洗浄液の液
化を防止することができる。このように、本発明は回収
しようとする処理液がミスト／液体混合状態となる液処
理装置全般に用いることが可能である。また、基板とし
てＬＣＤ基板について説明してきたが、基板は、半導体
ウエハ、ＣＤ基板等の他の基板であっても構わない。

【００６８】

【発明の効果】上述の通り、本発明によれば、処理液吸
引ノズルから吸引された処理液の気液分離を吸引手段で
あるエジェクタの上流側で行うことにより、処理液の液
体成分としての回収率を高めることが可能となり、処理
液のリサイクル効率が高められるという効果が得られ
る。また、排気ダクトへ送られる気体中に含まれるミス
ト成分が低減されて、エジェクタの下流側に配置される
排気ダクト内におけるミストの液化が防止される。これ
により、排気ダクトに設けられるダンパー等の機構が液
化した処理液により動作不良を起こすこと防止され、排
気ダクト内に処理液が滞留して排気効率を低下させた
り、排気ダクトの継ぎ目等から漏洩するといった問題が
解決されるという効果が得られ、ひいては、液処理装置
を安定して運転することが可能となり、処理効率の向上
という効果も得られる。さらに、定期的に排気ダクトに
滞留した処理液を除去するといったメンテナンスの負荷
が低減されるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の塗布処理装置の一実施形態であるレジ
スト塗布処理ユニットが配設されたレジスト塗布・現像
処理システムを示す平面図。

【図２】レジスト塗布処理ユニット／周縁レジスト除去
ユニットを示す平面図。

【図３】レジスト塗布処理ユニット／周縁レジスト除去
ユニットを示す断面図。

【図４】周縁レジスト除去ユニットにおけるシンナー回
収機構の構成を示す説明図。

【符号の説明】

２２；レジスト塗布処理ユニット ２３；周縁レジスト除去ユニット ８１；シンナー吸引ノズル ８２；シンナー吐出ノズル ８３；ミストセパレータ ８４；ミストトラップ ８５；エジェクタ ８８；排気ダクト ８９；ダンパー ９２；リムーバヘッド Ｇ；基板（ＬＣＤ基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA00 AA27 DA10 JA02 LA02 4D075 AC64 AC84 DA06 DC22 4F042 AA07 EB24 EB25 EB27 5F046 JA02 JA06 JA09 JA15

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理体に処理液を供給して液処理を行
   う液処理装置であって、 前記被処理体に所定の処理液を吐出する処理液吐出ノズ
   ルと、 前記処理液吐出ノズルから吐出された処理液を吸引する
   ための処理液吸引ノズルと、 前記処理液吸引ノズルに吸引力を付与する吸引機構と、 前記吸引機構と前記処理液吸引ノズルとの間に設けられ
   た処理液回収手段と、 を具備することを特徴とする液処理装置。
2. 【請求項２】 被処理体に処理液を供給して液処理を行
   うとともに前記被処理体に供給された処理液の一部がミ
   スト化したミスト／液体混合処理液を回収する液処理装
   置であって、 所定の処理液を被処理体に吐出する処理液吐出ノズルを
   有するとともに、前記処理液吐出ノズルから吐出された
   処理液を吸引するための処理液吸引ノズルを有するヘッ
   ドと、 前記処理液吐出ノズルから吐出された処理液を前記処理
   液吸引ノズルから吸引するためのエジェクタと、 前記エジェクタと前記ヘッドとの間に設けられ、前記処
   理液吸引ノズルから吸引されたミスト／液体混合処理液
   中の液体成分を回収するミストセパレータと、 を具備することを特徴とする液処理装置。
3. 【請求項３】 塗布膜が形成された基板の周縁部におけ
   る塗布膜および前記基板の周縁部に付着した塗布液を除
   去する液処理装置であって、 塗布膜が形成された基板を保持する保持手段と、 所定の処理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび前記処
   理液吐出ノズルから吐出された処理液を吸引する処理液
   吸引ノズルが形成され、前記保持手段に保持された基板
   の周縁に沿って移動可能な除去ヘッドと、 前記処理液吐出ノズルから吐出された処理液を前記処理
   液吸引ノズルから吸引するためのエジェクタと、 前記エジェクタと前記除去ヘッドとの間に設けられ、前
   記処理液吸引ノズルから吸引された処理液を液体成分と
   気体成分に分離して前記液体成分を回収するミストセパ
   レータと、 を具備することを特徴とする液処理装置。
4. 【請求項４】 塗布膜が形成された基板の周縁部におけ
   る塗布膜および前記周縁部に付着した塗布液を除去する
   液処理装置であって、 塗布膜が形成された基板を保持する保持手段と、 所定の処理液を吐出する処理液吐出ノズルおよび前記処
   理液吐出ノズルから吐出された処理液を吸引する処理液
   吸引ノズルとが形成され、前記保持手段に保持された基
   板の周縁に沿って移動可能な除去ヘッドと、 前記処理液吸引ノズルと連通するように設けられた排気
   機構と、 前記排気機構と前記除去ヘッドとの間に設けられ、前記
   処理液吐出ノズルから吐出されてミスト／液体混合状態
   となった処理液を前記処理液吸引ノズルから吸引するた
   めのエジェクタと、 前記エジェクタと前記除去ヘッドとの間に設けられ、前
   記処理液吸引ノズルから吸引された処理液を液体成分と
   気体成分に分離して前記液体成分を回収するミストセパ
   レータと、 を具備することを特徴とする液処理装置。
5. 【請求項５】 前記ミストセパレータは内部が空洞とな
   っている箱体または筒状体であり、 側面に形成された、前記処理液吸引ノズルから吸引され
   たミスト／液体混合処理液が水平方向から流入するため
   の処理液流入口と、 上面に形成された、前記ミストセパレータにおいて捕集
   された液体成分以外の成分を排出するための排気流出口
   と、 下面に形成された、前記ミストセパレータにおいて捕集
   された液体成分を排出するためのドレインと、 を有することを特徴とする請求項３または請求項４に記
   載の液処理装置。
6. 【請求項６】 前記エジェクタの下流側に冷却機構を有
   するミストトラップが配設されていることを特徴とする
   請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の液処理装
   置。
7. 【請求項７】 所定の処理液を吐出する処理液吐出ノズ
   ルおよび前記処理液吐出ノズルから吐出された処理液を
   吸引する処理液吸引ノズルとが形成されたヘッドと、 前記処理液吸引ノズルと連通するように設けられた排気
   機構と、 前記排気機構と前記ヘッドとの間に設けられ、前記処理
   液吐出ノズルから吐出されてミスト／液体混合状態とな
   った処理液を前記処理液吸引ノズルから吸引するための
   エジェクタと、 前記エジェクタの下流側において前記排気機構を開閉す
   るダンパーと、 前記エジェクタと前記ヘッドとの間に設けられ、前記吸
   引された処理液を液体成分と気体成分に分離して前記液
   体成分を回収するミストセパレータと、 前記ミストセパレータに設けられたドレインを開閉する
   ドレイン開閉機構と、 を具備する液処理装置を用いた液処理方法であって、 前記エジェクタの動作中は前記ダンパーを開口し、か
   つ、前記ドレインを閉口させて前記液体成分が貯留され
   る状態に保持し、 前記エジェクタの休止中は前記ダンパーを閉口し、か
   つ、前記ドレインを開口させて前記ミストセパレータに
   貯留された処理液を排出することを特徴とする液処理方
   法。