JP2002157739A

JP2002157739A - 光ディスク装置及び光ディスク

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Publication number: JP2002157739A
Application number: JP2000348777A
Authority: JP
Inventors: Kenya Yokoi; 研哉横井
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2000-11-15
Filing date: 2000-11-15
Publication date: 2002-05-31
Anticipated expiration: 2020-11-15
Also published as: JP4046468B2

Abstract

(57)【要約】【課題】検出用パルスを最適な加熱パワーで出力す
る。【解決手段】まず、光ディスクの第１、第２の試し書
き領域に試し書きを行う（ステップＳ１）。第１の試し
書き領域にはマルチパルス列を、第２の試し書き領域に
は検出用パルスを、それぞれ加熱パワーを段階的に変え
て複数回行う。そして、その記録の際の反射信号ＲＦを
サンプリング回路でサンプルホールドする（ステップＳ
２）。次に、このサンプルホールドした各値を用いて、
第１、第２のパワー演算回路でマルチパルス列、検出用
パルスそれぞれの最適な加熱パワーＰw1o，Ｐw2oを算出
し（ステップＳ３）、ここで求めた加熱パワーＰw2oで
第３の試し書き領域に試し書きを行う（ステップＳ
４）。そして、この記録の際の記録状態情報値ＲＦopc
を目標値ＲＦopcoとして設定する（ステップＳ５）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、記録可能な光デ
ィスクに対するマークの形成をマルチパルス列で行い、
そのマルチパルス列の一部を検出用パルスに置換する光
ディスク装置及び記録可能な光ディスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤ−Ｒの一般的な記録波形として、図
１１（ｃ）に示す光ディスクに照射されるレーザの光源
であるＬＤの発光波形のような単一パルス記録が用いら
れる。この記録方式は、記録パワーレベルを２値化し、
あるいは、最短データ長の加熱パルスの後エッジを補正
するなどして、マークエッジ（ＰＷＭ）記録を実現して
いる。このようなＰＷＭ記録では記録マークの両エッジ
に情報を持たせている。

【０００３】しかし、図１１（ｃ）のような単一パルス
記録をＤＶＤ−Ｒなどの大容量記録での記録波形として
用いると、図１１（ｄ）のマーク形状のように、蓄熱の
ため記録マークが涙状に歪を生じ、あるいは、データ長
に応じたエッジシフトが顕著となるため、単パルス記録
はジッタ特性を良好にすることが困難となる。

【０００４】このため、通常は、図１２（ｃ）に示す光
ディスクに照射されるレーザの光源であるＬＤ（Laser
Diode）の発光波形のようなマルチパルス記録が用いら
れる。これにより加熱パルスのデューティ（Duty）を調
整して、図１２（ｄ）のマーク形状のように、適正な記
録パワーを用いることができ、畜熱の影響を簡易に防止
できて、記録マークの両エッジシフトが低減できる。

【０００５】このようなデータ記録を行うとき、単パル
ス記録では、図１１（ｅ）に示す受光信号波形のよう
に、記録中の単パルス区間における光ディスクからの反
射光量を検出することで、記録中にマークの形成状態を
知ることができる。よって、記録パワーが変動しながら
記録されても、反射光量の変化を示す信号を得ることが
でき、この変化の状態により記録中でのＬＤパワー変動
やチルトやメディア感度分布などによる記録パワーのず
れを補正するように制御しながら、データ記録を行うこ
とができる。このような制御方式を、一般にＲ−ＯＰＣ
（Running-Optimum Power Control）と呼んでいる。

【０００６】また、特公昭57-60696号公報には、光ディ
スクにデータの記録を行うとき、記録中の反射率の変化
を検出し、その検出信号に基づいて光源の出力を制御す
る技術が開示されている。具体的には、試し書きにおけ
る反射光量変化を示す検出信号を書き込んだ記録パワー
と対応づけて保持しておき、試し書き後、再生信号の対
称性などから最適パワーを算出すると同時に、それと対
応づけられた反射光量変化を示す検出信号を制御目標値
として逐次ＬＤ記録パワーを制御する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、大容量
記録に適したマルチパルス記録では、図１２（ｅ）の受
光信号波形のように、記録パワーによる反射光量の変化
を検出する前に、遮断パルスにより反射光量が急減し、
再び加熱パルスで反射光量が急増するような変化を示す
ようになり、ＬＤの発光状態が短時間に切り替わるた
め、マークの形成状態を認識するために必要な一定パワ
ーでの光量変化を検出することができず、Ｒ−ＯＰＣに
より適正なパワーに制御しながら記録することが困難で
あった。

【０００８】そこで、図１２（ｆ）のＬＤの発光波形の
ように、通常のマルチパルス列を単一パルスからなる検
出用パルスに置換して配置するようにすると、記録中の
光ディスクからの反射光としては図１２（ｈ）の受光信
号波形のような反射光量信号（反射信号ＲＦ）が得られ
る。この検出用パルスは前記したようなＣＤ−Ｒで用い
られるＲ−ＯＰＣと同様に、マーク形成に伴う光量変化
が現れる。

【０００９】しかし、ＤＶＤ−Ｒに用いられるマルチパ
ルス列による記録中に、マルチパルス列の場合と同一の
加熱パワーの単一パルスに置換すると、マーク形成状態
は過剰なパワーとなり、デフォーカスやチルトや加熱パ
ワー変動などのドライブ装置の経時変化に対して感度が
無くなってしまうという不具合がある。

【００１０】すなわち、一般的な色素系光ディスクは、
マルチパルス列を用いても単一パルス列を用いてもマー
クの形成は可能であるが、それぞれに適正な記録パワー
は異なっているため、マルチパルス列によるＲ−ＯＰＣ
の感度を良好に設定することは困難であった。

【００１１】この発明の目的は、検出用パルスを最適な
加熱パワーで出力することである。

【００１２】この発明の目的は、マルチパルス列も最適
な加熱パワーで出力することである。

【００１３】この発明の目的は、マルチパルス列の最適
な加熱パワーと検出用パルスの最適な加熱パワーとを、
小サイズの試し書きで高精度に求めることである。

【００１４】この発明の目的は、マルチパルス列による
記録でＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を、検
出用パルスの最適な加熱パワーを用いて高精度に取得す
ることである。

【００１５】この発明の目的は、検出用パルスの最適な
加熱パワーと、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣ
を行うための記録状態の目標値を高精度に取得すること
である。

【００１６】この発明の目的は、１回の試し書きによっ
て、マルチパルス列と検出用パルスの最適な加熱パワー
とＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を取得する
ことである。

【００１７】この発明の目的は、マルチパルス列による
記録でＲ−ＯＰＣのための記録状態情報の目標値を求め
ることである。

【００１８】この発明の目的は、試し書きによって得ら
れたＲ−ＯＰＣのための情報を次回からも利用できるよ
うに光ディスクに記録することである。

【００１９】この発明の目的は、光ディスクに記録し
た、過去に試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣ動作の
ための情報によって、容易に高感度なＲ−ＯＰＣを実施
することである。

【００２０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、記録可能な光ディスクに光を照射する光源と、前記
照射光をマルチパルス列にして前記光ディスクにマーク
を形成するマルチパルス列生成手段と、前記マルチパル
ス列の一部を検出用パルスに置換して当該検出用パルス
で前記マークを形成する検出用パルス生成手段と、前記
光ディスクの試し書き領域の所定領域である第２の試し
書き領域に予め加熱パワーを段階的に複数回変えて前記
検出用パルスの試し書きをする試書手段と、この試し書
きの際の反射光を受光した受光信号に基づいて前記検出
用パルスの加熱パワーを制御する制御手段と、を備えて
いる光ディスク装置である。

【００２１】したがって、試し書きを行うことにより、
検出用パルスを最適な加熱パワーで出力することができ
る。

【００２２】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の光ディスク装置において、前記試書手段は、前記光デ
ィスクの試し書き領域の所定領域である第１の試し書き
領域に予め加熱パワーを段階的に複数回変えて前記マル
チパルス列の試し書きも行い、前記制御手段は、この試
し書きの際の反射光を受光した受光信号に基づいて前記
マルチパルス列の加熱パワーも制御するものである。

【００２３】したがって、試し書きを行うことにより、
マルチパルス列も最適な加熱パワーで出力することがで
きる。

【００２４】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の光ディスク装置において、前記試書手段は、前記第１
の試し書き領域を前記加熱パワーが段階的に異なる各記
録単位が連続するように形成し、前記第２の試し書き領
域も前記加熱パワーが段階的に異なる各記録単位が連続
するように形成し、それぞれ複数の記録単位からなる前
記第１と第２の試し書き領域が隣接するように形成する
ものである。

【００２５】したがって、マルチパルス列の最適な加熱
パワーと検出用パルスの最適な加熱パワーとを、小サイ
ズの試し書きで高精度に求めることができる。

【００２６】請求項４に記載の発明は、請求項２に記載
の光ディスク装置において、前記試書手段は、前記第１
及び第２の試し書き領域とを形成する際には、この第１
及び第２の試し書き領域を前記加熱パワーが段階的に異
なる各記録単位が交互に並ぶように形成し、前記加熱パ
ワーが段階的に異なる各記録単位が連続するようにする
ものである。

【００２７】したがって、マルチパルス列の最適な加熱
パワーと検出用パルスの最適な加熱パワーとを、小サイ
ズの試し書きで高精度に求めることができる。

【００２８】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の
いずれかの一に記載の光ディスク装置において、前記試
書手段は、前記第及び第１の記録領域のうち少なくとも
前者に前記試し書きを行ったときの前記受光信号に基づ
いて前記加熱パワーを調節して前記検出用パルスを前記
第２及び第１の試し書き領域に隣接する第３の試し書き
領域に行うものである。

【００２９】したがって、マルチパルス列による記録で
Ｒ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を、検出用パ
ルスの最適な加熱パワーを用いて高精度に取得すること
ができる。

【００３０】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の光ディスク装置において、前記試書手段は、前記第２
及び第３の試し書き領域に記録する前記マルチパルス列
は一部を所望の頻度で前記検出用パルスに置換するか又
は全部を検出用パルスに置換するものである。

【００３１】したがって、検出用パルスの最適な加熱パ
ワーと、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣを行う
ための記録状態の目標値を高精度に取得することができ
る。

【００３２】請求項７に記載の発明は、請求項５又は６
に記載の光ディスク装置において、前記試書手段は、前
記光ディスクに対する１回の試し書きで前記第１、第２
及び第３の試し書き領域に対する試し書きを行うもので
ある。

【００３３】したがって、１回の試し書きによって、マ
ルチパルス列と検出用パルスの最適な加熱パワーとＲ−
ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を取得することが
できる。

【００３４】請求項８に記載の発明は、請求項５〜７の
いずれかの一に記載の光ディスク装置において、前記第
３の試し書き領域に対する試し書きを行う際に前記受光
信号に基づいて前記光ディスクに対する記録を行う際の
前記受光信号の目標値を求める目標値取得手段を備えて
いる。

【００３５】したがって、マルチパルス列による記録で
Ｒ−ＯＰＣのための記録状態情報の目標値を求めること
ができる。

【００３６】請求項９に記載の発明は、請求項２〜４の
いずれかの一に記載の光ディスク装置において、前記第
及び第１の記録領域のうち少なくとも前者に前記試し書
きを行ったときの前記受光信号に基づいて求めた加熱パ
ワー又は前記マルチパルス列の加熱パワーと前記検出用
パルスの加熱パワーとの前記比とを前記光ディスクに記
録管理情報として記録する記録管理情報記録手段を備え
ている。

【００３７】したがって、試し書きによって得られたＲ
−ＯＰＣのための情報を次回からも利用できるように光
ディスクに記録することができる。

【００３８】請求項１０に記載の発明は、記録可能な光
ディスクに光を照射する光源と、前記照射光をマルチパ
ルス列にして前記光ディスクにマークを形成するマルチ
パルス列生成手段と、前記マルチパルス列の一部を検出
用パルスに置換して当該検出用パルスで前記マークを形
成する検出用パルス生成手段と、前記光ディスクの記録
管理情報として記録されている前記検出用パルスの加熱
パワーと前記マルチパルス列の加熱パワーとのうち少な
くとも前者又は前記両加熱パワーの比とに基づいて前記
検出用パルスの加熱パワー及び前記マルチパルス列の加
熱パワーのうち少なくとも前者を制御する制御手段を備
えている光ディスク装置である。

【００３９】したがって、光ディスクに記録した、過去
に試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣ動作のための情
報によって、容易に高感度なＲ−ＯＰＣを実施すること
ができる。

【００４０】請求項１１に記載の発明は、検出用パルス
の加熱パワーとマルチパルス列の加熱パワーとのうち少
なくとも前者又は前記両加熱パワーの比が記録管理情報
として記録されている情報の記録が可能な光ディスクで
ある。

【００４１】したがって、光ディスクに記録した、過去
に試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣ動作のための情
報によって、容易に高感度なＲ−ＯＰＣを実施すること
ができる。

【００４２】

【発明の実施の形態】この発明の一実施の形態について
説明する。

【００４３】まず、発明の一実施の形態である光ディス
ク装置で行う情報記録方式について説明する。

【００４４】この情報記録方式では、例えばＤＶＤ−Ｒ
ＯＭフォーマットのコードデータを、記録層に色素材料
を用いたＤＶＤ−Ｒに対して記録する。データ変調方式
として、図１（ｂ）の記録データのようなＥＦＭ Plus
（Eight to Fourteen Modulation Plus）変調コードを
用いて、マークエッジ（ＰＷＭ：Pulse Width Modulati
on）記録を行っており、形成されるマークとスペースの
データ長は３〜１４Ｔとなる。この実施の形態１ではこ
のようなメディアと記録データを用いて、光源である半
導体レーザ（ＬＤ：Laser Diode）をマルチパルス発光
させて記録マークを形成することによりＤＶＤ−Ｒに情
報の記録を行う。

【００４５】色素系の光メディアに記録を行う場合の基
本的な記録動作は、従来の技術で前記したとおりであ
る。このときのマルチパルス列の最適な加熱パワーは、
ＣＤ−Ｒで用いられる単一パルス列による記録波形の最
適な加熱パワーよりも約２０〜３０％高いパワーが必要
となる（図１（ｆ）参照）。また、図１（ａ）に示すよ
うに、記録チャネルクロック周期Ｔは約３８nsec、記録
線速度は３．５ｍ／ｓである。

【００４６】より具体的には、代表的なＤＶＤ−Ｒにマ
ルチパルス列を用いて、その最適加熱パワーで記録する
と良好なジッタ特性が得られる。このような記録を行う
ときに所望の間隔でマルチパルス列の一部を単一の検出
用パルスに置換して記録をすると、前記のように良好な
記録状態の検出および加熱パワーの補正が可能となる。

【００４７】次に、Ｒ−ＯＰＣ動作で用いる光ディスク
の記録状態の情報は、前記の検出パルスの期間における
先端から３Ｔ後以降の領域で反射信号ＲＦの受光量が安
定しているので、このレベルをサンプルホールド回路で
サンプリングし、Ａ／ＤコンバータによりＲＦsmp値
（反射信号ＲＦのサンプル値）を取得するようにする。
この値は光ディスクからの反射光であるため、図２に示
すように、出射光量である加熱パワーＰw2で正規化し
て、光ディスクの記録状態を示す記録状態情報“ＲＦop
c＝ＲＦsmp／Ｐw2”を求めている。この記録状態情報Ｒ
Ｆopcは、検出用パルスでの最適な加熱パワーＰw2o（op
timum）の近傍で大きな負の傾きを示しており、各種の
ドライブ変動に対して高感度な変化を示すようになる。

【００４８】すなわち、図１（ｈ）の受光信号波形や図
２に示すように、記録パワーが適正から過大となるよう
に変動すると、検出用加熱パルス部分のように反射光量
の検出信号がより大きな勾配で変化をするため、マーク
の形成が進みすぎていると判断できる。逆に、記録パワ
ーが適正から過小となるように変動すると、検出信号の
変化は小さくなり、マークの形成が不十分であると判断
できる。そこで、マルチパルス列による通常の記録での
加熱パワーＰw1と、単一パルスによる検出パルスによる
加熱パワーＰw2の最適値を用いることで、光ディスク全
面に渡って良好な記録を行うことを可能となる。

【００４９】詳細には、通常の記録を開始する直前、す
なわちＲ−ＯＰＣ動作の前に、記録開始の準備として試
し書き（ＯＰＣ）を行う。図３（ａ）に示すように、光
ディスクには略最内周部にＰＣＡ（Power Calibration
Area）領域が設けられており、多くの回数の試し書きを
実施することができる。図３（ｂ）に示すように、例え
ば、記録データの単位である１ＥＣＣ＝１６セクタに、
１回分の試し書きを割り当てるようにする。したがっ
て、１ステップを最小単位の領域として１セクタ領域に
割り当てると、加熱パワーを段階的に変化させて最大で
１６ステップの試し書きを行うことが可能である。

【００５０】そこで、図５（ａ）に示すように、まず、
マルチパルス列の加熱パワーを例えば合計で６段階に変
化させて６セクタに試し書きの記録を行う（これを第１
の試し書き領域とする）。引き続いて、Ｒ−ＯＰＣ動作
で用いている検出用パルスの加熱パワーも同様に合計で
６段階に変化させて６セクタに試し書きの記録を行う
（これを第２の試し書き領域とする）。ここまでの試し
書きで１２セクタの領域を使用している。

【００５１】次に、第１の試し書き領域の再生動作によ
って、図４（ｃ）に示すように、第１の試し書き領域の
再生信号から、最大レベルIpkと、最小レベルIbtmと、
平均レベルIdcを検出し、図４（ｅ）に示すように、最
大振幅Ｉmaxの変調度“ｍ1＝（Ipk−Ibtm）／Ipk”を算
出して保持し、かつ、図３（ｄ）のように、最大振幅Ｉ
maxと平均値Idcの非対称性（Asymmetry）“β＝[(Ipk−
Idc)−(Idc−Ibtm)]／(Ipk−Ibtm)”を算出して保持し
ておく。さらに、図３（ｄ）に示すように、これらのプ
ロット点から近似式を算出し、β＝０となるマルチパル
ス列の最適な加熱パワーＰw1o（optimum）を求める。さ
らに、この時の変調度ｍ1も求めておく。

【００５２】そして、図４（ｅ）に示すように、第２の
試し書き領域の再生信号から、同様のレベル検出と演算
手法を用いて、最大振幅Ｉmaxの変調度ｍ2を算出して保
持しておく。そして、これらの変調度ｍ1，ｍ2から、最
適な検出用パルスの加熱パワーＰw2o（optimum）を算出
するようにする（より詳細な算出の手段は後述する）。

【００５３】このような手段によれば、第１の試し書き
領域と第２の試し書き領域は隣接してひとつの領域とし
て扱うことができ、記録動作と再生動作もそれぞれ１回
の動作で実施することができる。

【００５４】試し書きによってマルチパルス列と検出用
パルスのそれぞれの最適な加熱パワーを求める手段をよ
り詳細に説明する。

【００５５】まず、第１の手段として、ＤＶＤ−Ｒにつ
いては、マルチパルス列を用いてその最適加熱パワーで
記録すると、変調度は概ね０．６〜０．７の範囲にな
り、単一パルス列を用いてその最適加熱パワーで記録す
ると、変調度は概ね０．７〜０．８の範囲になることか
ら、前記の検出用パルスの変調度ｍ2が、マルチパルス
列の最適加熱パワーから得られる変調度ｍ1より０．１
程度大きい値か同等値となるような加熱パワーを最適加
熱パワーすることができる。すなわち、規格で定めた光
ディスクでは、検出用パルスでの複数の変調度ｍ2のう
ち、０．５〜０．８の範囲から、光ディスクの種類ごと
や光ディスク装置の機種ごとに予め定められた所望の変
調度となる加熱パワーを最適値として、予め設定してお
く。

【００５６】次に、第２の手段として、通常のマルチパ
ルス列で記録を行うときの最適な加熱パワーを、前記の
試し書きによって得られる変調度ｍ1及び非対称性（Asy
mmetry）βから、β＝０となるマルチパルス列の最適加
熱パワーＰw1oを算出するとともに、その最適な加熱パ
ワーでの変調度ｍ1oも算出しておく。また、検出用パル
スについても同様の試し書きによって得られる変調度ｍ
2から、前記のマルチパルス列の最適な加熱パワーにお
ける変調度ｍ1oとほぼ一致する変調度ｍ2での、検出用
パルスの最適な加熱パワーＰw2oを算出する。

【００５７】第３の手段として、図４（ｆ）に示すよう
に、光ディスクの面ぶれ等の影響による変調度ｍ1，ｍ2
の変動を抑制するため、変調度そのものではなく、試し
書きによって得られた変調度と加熱パワーの特性から導
かれる、変調度の加熱パワーに対する変化“γ＝（dｍ
／dＰw）×（Ｐw／ｍ）”を用いることで、精度が向上
する。すなわち、検出用パルスの試し書きから得られる
変調度の変化γ2が適正範囲であれば検出感度がよく、
目安としてはγ2＜１．０では検出感度が小さくなり、
逆にγ2＞２．０では低い加熱パワーのためマークの形
成が安定せず検出誤差が大きくなる。したがって、変調
度の加熱パワーに対する変化γは１．０から２．０の範
囲から所望のγ2値となる加熱パワーを最適な加熱パワ
ーとすることができる。

【００５８】第４の手段として、通常のマルチパルス列
で記録を行うための、前記の試し書きによって得られる
変調度ｍ1及び非対称性βから、β＝０となるマルチパ
ルス列の最適加熱パワーＰw1oを算出し、さらに、それ
ぞれの加熱パワーでの変調度ｍ1から、変調度と加熱パ
ワーの近似式を導き、変調度の加熱パワーに対する変化
γ1の、最適な加熱パワーＰw1oにおける変化γ1o（opti
mum）を算出しておく。また、検出用パルスについても
同様の試し書きによって再生信号の変調度ｍ2を算出し
て保持しておき、変調度と加熱パワーの近似式から求ま
る変調度の加熱パワーに対する変化γ2が、前記のマル
チパルス列での変調度の加熱パワーに対する変化γ1oと
ほぼ一致する変調度の変化γ2oにおける、検出用パルス
の最適な加熱パワーＰw2oを算出する。この手段によれ
ば、あらゆる色素系光ディスクに対して、記録時変動に
よる検出誤差の小さい通常のマルチパルス列の記録とＲ
−ＯＰＣの検出用パルスのそれぞれ最適な加熱パワーを
得ることが可能である。

【００５９】次に、第３と第４の手段における、具体的
な変調度の変化γおよび目的のＰwの算出手段を説明す
る。まず、試し書きによって得られた変調度と加熱パワ
ーの複数の特性データから、ｍ＝ａ×Ｐw^2＋ｂ×Ｐw＋ｃ（ａ，ｂ，ｃは定数）なる２次近似式を算出する。近似方法は多項式近似など
の一般的な近似手法を用いており、２次以上の近似式が
測定値と良く一致する。

【００６０】そして、前記の“γ＝dｍ／dＰw×ｍ／Ｐ
w”より、“dｍ／dＰw＝2×ａ×Ｐw＋ｂ”であるから、Ｐw＝{−ｂ×(γ−1)±SQRT[ｂ^2×(γ-1)^2−4×ａ×
(γ−2)×ｃ×γ]}／[2×ａ×(γ−2)] が得られる。

【００６１】これらの演算を行い、正の解Ｐw(+)を算出
することで、目的のＰwを求めることができる。

【００６２】なお、近似式については、それぞれのγ値
を算出してγとＰwの２次近似式を算出してもよいが、
測定値とずれが生じ易いため、変調度ｍを近似すること
が望ましい。

【００６３】前記の説明では、図５に示すように、複数
の段階的に増加させる加熱パワーの試し書きは、マルチ
パルス列も検出用パルスもそれぞれ６ステップで合計６
セクタを使用して行っている。そして、第１と第２の試
し書き領域は完全に分けている。しかし、図６に示すよ
うに、記録パルスの設定を切替えながら、１セクタごと
に第１の試し書きと第２の試し書きとを交互に行い、合
計１２セクタの試し書き領域を使用する。この場合、第
１と第２のそれぞれの試し書き領域は１セクタ毎に入れ
代わるように認識することで、再生の動作でも第１と第
２の試し書き領域を容易に検出することができる。この
とき、第１と第２の試し書き領域の全体では、変調度が
急激な変化を示さなくなり、ほぼ単調な増加傾向とな
る。したがって、それぞれの最小領域の繋ぎ部分での変
動を抑えることが可能となり、それぞれの最適な加熱パ
ワーの算出精度は良好となる。光ディスクＰＣＡ領域は
１６セクタあり、第１と第２の試し書き領域に試し書き
を行っても４セクタ分残るが、図３（ｂ），図５，図６
に示すように、この４セクタには実際のＲ−ＯＰＣ動作
で用いる記録状態の情報の目標値ＲＦopcoを設定するた
めの第３の試し書きを行う。これは、第１と第２の試し
書き領域から得られる反射信号ＲＦから第２の検出用パ
ルスの最適な加熱パワーＰw2oを求め、この加熱パワー
Ｐw2oで第３の試し書き領域に記録を行うことで、目標
値ＲＦopcoを求める。

【００６４】すなわち、第３の試し書き領域では、第１
と第２の試し書き領域を用いた試し書きによる結果を反
映させるため、同時的に記録を行うことができない。し
かしながら、１回の試し書き動作の一部として機能させ
るため、第１の試し書き領域と第２の試し書き領域との
全体に隣接するように４セクタの領域に記録して、試し
書き全体として１６セクタを使用する。この第３の試し
書きは記録中の検出用パルス部分の検出が目的であるた
め、マルチパルス列を基本としてその一部を検出する頻
度にあわせて検出用パルスに置換して構成することがで
きる。また、全ての記録パルスを検出用パルスだけで構
成することもでき、後述するサンプリングによって多数
回の検出を行った結果を保持して、その平均値を求める
ことで、検出レベルおよび記録状態情報の目標値の精度
が向上する。

【００６５】また、実際の試し書き動作は、マルチパル
ス列を用いた第１の試し書き領域の記録に引き続いて、
隣接するように検出用パルスでマルチパルス列の一部を
置換した記録パルスを用いた第２の試し書き領域の記録
を行うようにする。このあと、第１と第２の試し書き領
域の再生動作を一度にまとめて行うことができる。した
がって、１回の試し書きを短時間で、かつ、小サイズの
領域によってマルチパルス列と検出用パルスの高精度な
試し書きが可能となる。これらの再生信号から前記のよ
うにマルチパルス列と検出用パルスの最適記録パワーを
算出したのち、引き続いて検出用パルスを含む記録パル
ス列を用いて第３の試し書き領域に、第１と第２の試し
書き領域に隣接するように記録を行う。

【００６６】以上説明した情報記録方式を実現する光デ
ィスク装置について説明する。

【００６７】図７，図８は、この実施の形態１である光
ディスク装置の回路構成を示すブロック図である。この
光ディスク装置１は、光ディスク２への記録用の光源で
あるＬＤ（図示せず）を備えたピックアップ３と、記録
データを生成するＥＦＭ plusエンコーダ４と、記録デ
ータに基づきＬＤの出射光を変調するための記録パルス
列制御部５と、その記録パルス列制御部５が出力する記
録パルス列制御信号に基づいてＬＤを所望の発光波形に
発光させるＬＤ制御回路６とを備えている。

【００６８】記録パルス列制御部５はＥＦＭ plusエン
コーダ４が出力する記録データからＬＤを駆動するため
のＬＤ制御信号を生成する。この記録パルス列制御部５
は記録パルス列生成部７を備えており、記録パルス列生
成部７はマルチパルス列を生成する。記録パルス列制御
部５には、Ｒ−ＯＰＣ動作のための単一パルスからなる
検出用パルスを生成する検出用パルス生成部８も設けら
れ、記録パルス列に含める検出用パルスを生成する。こ
のようにして検出用パルスを含んだマルチパルス列とし
てＬＤ制御信号が生成され、そのＬＤ制御信号はＬＤ制
御回路６に入力される。

【００６９】次に、ＬＤ制御回路６は、ＬＤを駆動する
電流源となるＬＤ駆動電流源９，１０，１１を備えてい
る。ＬＤ駆動電流源９はマルチパルス列のパルスがＯＮ
のときの加熱パワーを出力し、ＬＤ駆動電流源１０はＲ
−ＯＰＣ動作のための検出用パルスの加熱パワーを出力
し、ＬＤ駆動電流源１１はパルスがＯＦＦのときのボト
ムパワーを設定するボトムパワーを出力する。ＬＤ制御
回路６はＬＤ制御信号に基づいてＬＤ駆動電流源９又は
１０とＬＤ駆動電流源１１との出力をスイッチングする
か又は加算してＬＤに出力し、検出用パルスを含むマル
チパルス列のＬＤ発光波形（図１（ｆ））にしている。

【００７０】試し書きの動作は次のように行う。すなわ
ち、光ディスク２のプリフォーマット情報として予め設
定され、あるいは、マイコンなどで構成され光ディスク
装置１の全体を制御するシステムコントローラ１２のＲ
ＯＭなどに予め記憶された試し書きのための加熱パワー
値等の必要なデータを読み出し、記録パルス列生成部
７、検出用パルス生成部８でＬＤ制御信号を生成する。
このＬＤ制御信号によりＬＤから出射されたビームは光
ディスク２に照射されて前記のように試し書きが行われ
る。この試し書きの際の光ディスク２での反射光はピッ
クアップ３の受光素子（図示せず）で受光されて反射信
号ＲＦに変換され、サンプリング回路１３に出力され
る。

【００７１】マルチパルス列で記録された第１の試し書
き領域での反射信号ＲＦは再生信号として、サンプリン
グ回路１３のピークホールド回路１４によって最大レベ
ルIpkがホールドされ、ボトムホールド回路１５によっ
て最小レベルIbtmがホールドされ、ローパスフィルタ１
６によって高域をカットした平均レベルIdcが検出され
る。これらの信号は、第１のサンプルホールド回路１７
においてサンプリング信号の検出位置にてそれぞれの信
号をサンプルホールドし、得られたサンプルレベルを図
示しないＡ／ＤコンバータでＡ／Ｄ変換する。

【００７２】また、検出用パルスによって記録された第
２の試し書き領域での反射信号ＲＦも、ピークホールド
回路１４、ボトムホールド回路１５、ローパスフィルタ
１６により、最大レベルIpk、最小レベルIbtm、平均レ
ベルIdcがサンプルホールドされ、第２のサンプルホー
ルド回路１８においてサンプリング信号の検出位置にて
それぞれの信号をサンプルホールドし、得られたサンプ
ルレベルを図示しないＡ／ＤコンバータでＡ／Ｄ変換す
る。

【００７３】第１のパワー演算回路２０、第２のパワー
演算回路２１は、前記したような算出手段を用いて、そ
れぞれマルチパルス列、検出用パルスの最適な加熱パワ
ーw1o，Ｐw2oを算出する。試し書きにおいては、第２の
パワー演算回路２１で算出した加熱パワーＰw2oで第３
の試し書き領域に試し書きを行う。そして、その記録の
際の反射光を図示しない受光素子で検出して、検出信号
をサンプリング回路１３で前記のようにサンプルホール
ドする。

【００７４】この検出信号レベルはその時点でのＬＤの
出射光量によって異なるため、このときの信号ＲＦsmp
は、記録状態情報演算回路２３の除算回路２５で、ＬＤ
の出射光量レベルＰw2で除算して正規化することによ
り、マークの形成状態が反映された記録状態情報値ＲＦ
opcが算出される。この試し書きの際に得られた記録状
態情報値ＲＦopcは目標値ＲＦopcoとして、例えばシス
テムコントローラ１２のＲＡＭなどに記憶される。

【００７５】比較器２４は、この目標値ＲＦopcoと所望
の間隔で得られる記録状態情報値ＲＦopcとの大小を比
較する。第２のパワー演算回路２１は、この比較の結果
に応じて検出用パルスの最適な加熱パワーＰw2oを算出
する。

【００７６】加熱パワー補正回路２２は、第１のパワー
演算回路２０、第２のパワー演算回路２１で求めた最適
な加熱パワーＰw1o，Ｐw2oをＬＤ駆動電流源９，１０に
出力して、ＬＤ駆動電流源９，１０が最適な加熱パワー
Ｐw1o，Ｐw2oとなるように制御する。

【００７７】ドライブコントローラ２６は、回転／サー
ボ機構２７を駆動して、スピンドルモータ２８及びピッ
クアップ３を制御する。

【００７８】なお、サンプリング回路１３、記録状態情
報演算回路２３及び加熱パワー演算・補正回路１９の全
部又は一部の機能をシステムコントローラ１２などのマ
イコンが行う処理で実施してもよい。

【００７９】次に、図９のフローチャートを参照して、
試し書き及びその後の通常の記録動作について整理して
説明する。図９に示すように、まず、第１、第２の試し
書き領域に前記のとおり試し書きを行う（ステップＳ
１）。そして、その記録の際の反射信号ＲＦをサンプリ
ング回路１３で前記のようにサンプルホールドする（ス
テップＳ２）。次に、このサンプルホールドした各値を
用いて、第１、第２のパワー演算回路２０，２１で最適
な加熱パワーＰw1o，Ｐw2oを算出し（ステップＳ３）、
ここで求めた加熱パワーＰw2oで第３の試し書き領域に
試し書きを行う（ステップＳ４）。そして、前記のよう
に、この記録の際の記録状態情報値ＲＦopcを目標値Ｒ
Ｆopcoとして設定し（ステップＳ５）、一連の試し書き
を終了する。ステップＳ１〜Ｓ５により試書手段を、ス
テップＳ５により目標値取得手段を実現している。

【００８０】試し書き終了後に、光ディスク２に対する
通常の記録を開始した直後からＲ−ＯＰＣ動作をスター
トさせ、所望の間隔で前記と同様に記録状態情報値ＲＦ
opcを算出する（ステップＳ６）。そして、比較器２４
で、目標値ＲＦopcoと現在の録状態情報値ＲＦopcとを
比較する（ステップＳ７）。

【００８１】ステップＳ７の判断で、現在の記録状態情
報値ＲＦopcが目標値ＲＦopcoより大きい場合は（ＲＦo
pc＞ＲＦopco）、記録マークが理想的な大きさより小さ
くなっているため、検出用パルスの加熱パワーを拡大す
るように補正する（ステップＳ８）。逆に、現在の記録
状態情報値ＲＦopcが目標値ＲＦopcoより小さい場合は
（ＲＦopc＜ＲＦopco）、記録マークが理想的な大きさ
より大きくなっているため、検出用パルスの加熱パワー
を小さくなるように補正する（ステップＳ９）。現在の
記録状態情報値ＲＦopcが目標値ＲＦopcoと等しい場合
は（ＲＦopc＝ＲＦopco）、検出用パルスの加熱パワー
を現在のものに維持する（ステップＳ１０）。

【００８２】これだけでは、検出用パルスだけがマーク
形成の状態に応じて適正に制御されてしまうので、第１
のパワー演算回路２０では、補正された検出用パルスの
加熱パワーＰw2'を予め設定された加熱パワー比αで除
する演算を行うことで、通常のマルチパルス列の加熱パ
ワーを補正する。すなわち、通常の記録中においては、
検出用パルスによって記録状態の過不足を検出し、その
結果から検出用パルスの加熱パワーをＰw2'に補正する
と共に、マルチパルス列の加熱パワーをＰw1'に補正し
ている（ステップＳ１１）。この修正手段として前記の
ように“Ｐw1'＝Ｐw2'／α”によって検出用パルスの加
熱パワーを補正する度に、マルチパルス列の加熱パワー
を算出し直すようにしている。

【００８３】以上のステップＳ６以下の処理は、記録デ
ータの終了アドレスに達するまで行う（ステップＳ１
２）。

【００８４】このように、Ｒ−ＯＰＣ動作によって、マ
ルチパルス列と検出パルスのそれぞれの加熱パワーを常
に補正しながら光ディスク２に記録することで、記録中
に各種変動があった場合でも常に最適な記録パワーに保
つことができ、光ディスク２の全面に渡って均一で低ジ
ッタな記録が可能となる。

【００８５】次に、試し書きによって得られたＲ−ＯＰ
Ｃ動作の情報の利用手段について説明する。

【００８６】図１０に示すように、ＤＶＤ−Ｒなどの記
録可能な光ディスク２は、試し書き領域領域（ＰＣＡ）
の他に、試し書きで得られた記録管理情報を記録してお
く記録管理領域（ＲＭＡ：Recording Management Are
a）を備えている。このＲＭＡに記録される情報（ＲＭ
Ｄ：Recording Management Data）は、ディスクＩＤ、
ドライブＩＤ、記録ストラテジ設定、記録日時、試し書
きのアドレス、最適加熱パワーなどの多様な記録に関す
る情報を書き込むことができる。

【００８７】一般的に、Ｒ−ＯＰＣは光ディスク装置１
側で任意に設計し動作させるため、ＲＭＡにＲ−ＯＰＣ
動作の情報は記録されていない。したがって、前記のマ
ルチパルス列と検出用パルスとの最適な加熱パワー及び
記録状態情報を求めるための試し書きは、光ディスク２
に対して毎回行う必要が生じる。

【００８８】そこで、前記のような試し書きによって得
られた、マルチパルス列の最適な加熱パワーと検出用パ
ルスの最適な加熱パワーをＲＭＡの情報として書き込む
ようにする。書き込む位置は既に定められたドライブの
シリアルＮｏ．やモデルＮｏ．などのドライブＩＤデー
タの一部を利用し、あるいは、リザーブされたデータを
新たに割り当てることで利用することができる。

【００８９】このように試し書きを実施した光ディスク
２と特定の光ディスク装置１を指定して、その固有の組
み合わせを認識できるように前記のＲ−ＯＰＣ動作の情
報を書き込んでおけばよい。また、ＲＭＡに書き込むマ
ルチパルス列と検出用パルスの最適な加熱パワーの代わ
りに、試し書きによって算出した検出用パルスの最適加
熱パワーの、マルチパルス列の最適加熱パワーに対する
比Pw2o／Pw1oを書き込んでおいてもよい。以上のような
処理により記録管理情報記録手段を実現している。

【００９０】次に、前記のＲＭＡ領域に記録された情報
を用いて行うＲ−ＯＰＣの動作例を説明する。

【００９１】すなわち、光ディスク装置１は光ディスク
２を認識し、情報の記録の準備段階として過去に実施し
た試し書き領域であるＲＭＡ領域の最新の記録管理情報
を読み取る。この記録管理情報の中から、あらかじめ割
り当てられたデータ位置にあるＲ−ＯＰＣ動作のための
情報を選択する。次に、光ディスク装置１は光ディスク
２が、過去にこのＲ−ＯＰＣ動作の情報を書き込んでい
るかどうかを判定する。書き込んでいない場合、新たに
前記の試し書きを行って、マルチパルス列と検出用パル
スの最適パワーと、記録状態情報値を取得することで、
Ｒ−ＯＰＣ動作を行うことができる。

【００９２】逆に、ＲＭＡにＲ−ＯＰＣ動作の情報を書
き込んでいる場合、読み出した検出用パルスの最適パワ
ーとマルチパルス列の最適な加熱パワーの比Pw2o／Pw1o
を算出するか、又は、読み出した最適な加熱パワーの比
Pw2o／Pw1oをシステムコントローラ１２にＲＡＭなどに
保持しておく。新たな試し書きは、マルチパルス列の最
適な加熱パワーを求める動作を行い、ＲＡＭなどに保持
しておいた最適な加熱パワーの比を乗算することで、新
たな検出用パルスの最適な加熱パワーを算出することが
でき、この最適な加熱パワーを用いて記録状態情報値を
取得する試し書きを行うことで、Ｒ−ＯＰＣ動作のため
の情報がすべて取得される。すなわち、ＲＭＡからＲ−
ＯＰＣ動作の情報を読み出すことで、検出用パルスの試
し書きを省略することができ、ＰＣＡ領域の使用領域を
小サイズにすることができる。以上のような処理により
制御手段を実現している。

【００９３】また、ＲＭＡから読み出されたＲ−ＯＰＣ
動作の情報を用いて、記録状態情報値ＲＦopcを取得す
る試し書きだけを行うことも可能となり、さらに試し書
きを簡略化することもできる。

【００９４】

【発明の効果】請求項１に記載の発明は、試し書きを行
うことにより、検出用パルスを最適な加熱パワーで出力
することができる。

【００９５】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の光ディスク装置において、試し書きを行うことによ
り、マルチパルス列も最適な加熱パワーで出力すること
ができる。

【００９６】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の光ディスク装置において、マルチパルス列の最適な加
熱パワーと検出用パルスの最適な加熱パワーとを、小サ
イズの試し書きで高精度に求めることができる。

【００９７】請求項４に記載の発明は、請求項２に記載
の光ディスク装置において、マルチパルス列の最適な加
熱パワーと検出用パルスの最適な加熱パワーとを、小サ
イズの試し書きで高精度に求めることができる。

【００９８】請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の
いずれかの一に記載の光ディスク装置において、マルチ
パルス列による記録でＲ−ＯＰＣを行うための記録状態
の目標値を、検出用パルスの最適な加熱パワーを用いて
高精度に取得することができる。

【００９９】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の光ディスク装置において、検出用パルスの最適な加熱
パワーと、マルチパルス列による記録でＲ−ＯＰＣを行
うための記録状態の目標値を高精度に取得することがで
きる。

【０１００】請求項７に記載の発明は、請求項５又は６
に記載の光ディスク装置において、１回の試し書きによ
って、マルチパルス列と検出用パルスの最適な加熱パワ
ーとＲ−ＯＰＣを行うための記録状態の目標値を取得す
ることができる。

【０１０１】請求項８に記載の発明は、請求項５〜７の
いずれかの一に記載の光ディスク装置において、マルチ
パルス列による記録でＲ−ＯＰＣのための記録状態情報
の目標値を求めることができる。

【０１０２】請求項９に記載の発明は、請求項２〜４の
いずれかの一に記載の光ディスク装置において、試し書
きによって得られたＲ−ＯＰＣのための情報を次回から
も利用できるように光ディスクに記録することができ
る。

【０１０３】請求項１０に記載の発明は、光ディスクに
記録した、過去に試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣ
動作のための情報によって、容易に高感度なＲ−ＯＰＣ
を実施することができる。

【０１０４】請求項１１に記載の発明は、光ディスクに
記録した、過去に試し書きによって得られたＲ−ＯＰＣ
動作のための情報によって、容易に高感度なＲ−ＯＰＣ
を実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施の形態である光ディスク装置
に関する各信号などのタイミングチャートである。

【図２】記録状態情報値と加熱パワーとの関係などを説
明するグラフである。

【図３】光ディスクのＰＣＡ領域について説明する説明
図である。

【図４】同説明図である。

【図５】前記光ディスクに対する試し書きについて説明
する説明図である。

【図６】同説明図である。

【図７】前記光ディスク装置の回路構成を説明するブロ
ック図である。

【図８】同ブロック図である。

【図９】前記光ディスク装置の動作を説明するフローチ
ャートである。

【図１０】光ディスクのＲＭＡ領域について説明する説
明図である。

【図１１】従来の単一パルス列による記録マークの形成
を説明するタイミングチャートである。

【図１２】従来のマルチパルス列と検出用パルスとを併
用した記録マークの形成を説明するタイミングチャート
である。

【符号の説明】

１光ディスク装置２光ディスク７マルチパルス列生成手段８検出用パルス生成手段９マルチパルス列生成手段１０検出用パルス生成手段１３制御手段１９制御手段２３制御手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録可能な光ディスクに光を照射する光
源と、前記照射光をマルチパルス列にして前記光ディスクにマ
ークを形成するマルチパルス列生成手段と、前記マルチパルス列の一部を検出用パルスに置換して当
該検出用パルスで前記マークを形成する検出用パルス生
成手段と、前記光ディスクの試し書き領域の所定領域である第２の
試し書き領域に予め加熱パワーを段階的に複数回変えて
前記検出用パルスの試し書きをする試書手段と、この試し書きの際の反射光を受光した受光信号に基づい
て前記検出用パルスの加熱パワーを制御する制御手段
と、を備えている光ディスク装置。
【請求項２】前記試書手段は、前記光ディスクの試し
書き領域の所定領域である第１の試し書き領域に予め加
熱パワーを段階的に複数回変えて前記マルチパルス列の
試し書きも行い、前記制御手段は、この試し書きの際の反射光を受光した
受光信号に基づいて前記マルチパルス列の加熱パワーも
制御するものである請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】前記試書手段は、前記第１の試し書き領
域を前記加熱パワーが段階的に異なる各記録単位が連続
するように形成し、前記第２の試し書き領域も前記加熱
パワーが段階的に異なる各記録単位が連続するように形
成し、それぞれ複数の記録単位からなる前記第１と第２
の試し書き領域が隣接するように形成するものである請
求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】前記試書手段は、前記第１及び第２の試
し書き領域とを形成する際には、この第１及び第２の試
し書き領域を前記加熱パワーが段階的に異なる各記録単
位が交互に並ぶように形成し、前記加熱パワーが段階的
に異なる各記録単位が連続するようにするものである請
求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項５】前記試書手段は、前記第２及び第１の記
録領域のうち少なくとも前者に前記試し書きを行ったと
きの前記受光信号に基づいて前記加熱パワーを調節して
前記検出用パルスを前記第２及び第１の試し書き領域に
隣接する第３の試し書き領域に行うものである請求項１
〜４のいずれかの一に記載の光ディスク装置。
【請求項６】前記試書手段は、前記第２及び第３の試
し書き領域に記録する前記マルチパルス列は一部を所望
の頻度で前記検出用パルスに置換するか又は全部を検出
用パルスに置換するものである請求項５に記載の光ディ
スク装置。
【請求項７】前記試書手段は、前記光ディスクに対す
る１回の試し書きで前記第１、第２及び第３の試し書き
領域に対する試し書きを行うものである請求項５又は６
に記載の光ディスク装置。
【請求項８】前記第３の試し書き領域に対する試し書
きを行う際に前記受光信号に基づいて前記光ディスクに
対する記録を行う際の前記受光信号の目標値を求める目
標値取得手段を備えている請求項５〜７のいずれかの一
に記載の光ディスク装置。
【請求項９】前記第及び第１の記録領域のうち少なく
とも前者に前記試し書きを行ったときの前記受光信号に
基づいて求めた加熱パワー又は前記マルチパルス列の加
熱パワーと前記検出用パルスの加熱パワーとの前記比と
を前記光ディスクに記録管理情報として記録する記録管
理情報記録手段を備えている請求項２〜４のいずれかの
一に記載の光ディスク装置。
【請求項１０】記録可能な光ディスクに光を照射する
光源と、前記照射光をマルチパルス列にして前記光ディスクにマ
ークを形成するマルチパルス列生成手段と、前記マルチパルス列の一部を検出用パルスに置換して当
該検出用パルスで前記マークを形成する検出用パルス生
成手段と、前記光ディスクの記録管理情報として記録されている前
記検出用パルスの加熱パワーと前記マルチパルス列の加
熱パワーとのうち少なくとも前者又は前記両加熱パワー
の比とに基づいて前記検出用パルスの加熱パワー及び前
記マルチパルス列の加熱パワーのうち少なくとも前者を
制御する制御手段を備えている光ディスク装置。
【請求項１１】検出用パルスの加熱パワーとマルチパ
ルス列の加熱パワーとのうち少なくとも前者又は前記両
加熱パワーの比が記録管理情報として記録されている情
報の記録が可能な光ディスク。