CN1300782C - 多—脉冲图形表可控的光盘记录设备 - Google Patents
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Abstract
一种光盘记录设备,通过施加根据给定多—脉冲图形以间隔开和关激光获得的多脉冲序列形式,以给定的记录速度在给定类型光盘的记录表面上形成凹陷。在设备中,随图形表设置写策略电路,并根据相应于要形成的凹陷长度从图形表选择的多—脉冲图形,控制激光的开和关。存储部分存储大量不同类的图形表,各图形表包含相应于大量凹陷长度的大量多—脉冲图形。控制部分,基于记录速度或光盘类型选择图形表中的一个,并从存储部分读出选择的图形表,在写策略电路中设置读出图形表。
Description
技术领域
本发明涉及光盘记录设备,特别是对CD-RW驱动器写控制(写策略)的改善。
背景技术
在CD-RW中,相-过渡材料用作记录层,在加热和然后的迅速冷却时,相-过渡材料从结晶态相-变为非晶态形成凹陷。此外,在相-过渡材料加热和渐渐冷却时,相-变成非晶态的凹陷回到结晶态,因此完成凹陷的擦除。
结晶态和非晶态的反射率约有百分之15的不同。这使得能够擦除/记录以凹陷的形式的信息。
使用激光来加热记录层,但在此情况中存在缺点,在写的时候,当高功率(写功率)激光连续作用时获得的迅速冷却不能满意,和已经成为非晶态的记录层一旦再回到结晶态,结果形成凹陷就会失败。现在,实现CD-RW的写控制(写策略),如在图7(A)中所示,用写功率的激光是以脉冲形式间歇作用的多-脉冲方法,功率电平降低到脉冲之间的底部功率,帮助记录层迅速冷却。
常规的CD-RW驱动器使用相当于EFM的一个时钟周期的脉冲的一个周期(脉冲宽度+脉冲间隔)这样的1T多-脉冲写策略。
此外,在记录层冷却时,半导体激光二极管的电流不完全截止,而形成在底部功率的电流,因此即时的实现对下一写功率的提升。此外,对重写,擦除功率的激光照射到没有形成凹陷的部分(成为平地的部分)擦除老的凹陷。
另一方面,随着对CD-RW写信息的写速度要求更高,要求10倍到24倍的写速度。以24倍速实现写时,1T的瞬时长度约9.6nS。同时,半导体激光开(从底部功率上升到写功率)和关(从写功率落到底部功率)所需要的时间两者约2nS。因此,当在24倍速上升0.5T宽度的脉冲实现1T多-脉冲的写策略时,如图7(B)中所示在脉冲功率上升之前脉冲结束,这样引起好的凹陷不能形成的问题。
解决此问题的可能的想法是使脉冲周期更长,但当脉冲周期比1T长时,凹陷长度可能与脉冲周期不同步,例如,这意味着3T-凹陷不能在2T-周期形成,这样导致的问题是,简单的多-脉冲列不允许有正确长度的凹陷的形成。此外,另一问题是长脉冲周期的多-脉冲写策略不能在1到10倍低记录速度形成有好的形状的凹陷。
发明内容
本发明的目的是提供能在光盘,如CD-RW上在低速记录和高速记录下形成好的凹陷光盘记录设备。
为实现上述目的,一种光盘记录设备,通过施加根据给定多-脉冲图形以间隔开和关激光获得的多脉冲序列形式的激光,以给定记录速度在给定类型的光盘的记录表面上形成凹陷,设备包括:
写策略电路,根据相应于要形成的凹陷长度选择的多-脉冲图形控制激光功率的接通点,多-脉冲图形包含在写策略电路中的图形表中;
存储装置,用于存储大量不同类型的图形表,各图形表包含相应于大量凹陷长度的大量多-脉冲图形;
激光功率控制装置,根据激光功率控制信号控制激光的功率;
控制装置,基于从存储部分到写策略电路选择的记录速度和检测的光盘类型之一或两者设置图形表之一,并将激光控制信号输出到激光功率控制装置,其中,当控制装置设置包含较长周期的多-脉冲图形时,根据记录速度和光盘的类型,控制装置输出较低电平的激光功率控制信号。
按照本发明的另一方面,一种光盘记录设备,通过施加根据给定多-脉冲图形以间隔开和关激光获得的多脉冲序列形式的激光,以给定记录速度在给定类型的光盘的记录表面上形成凹陷,同时,以固定角速度旋转光盘,以至光盘的线速度变化,设备包括:
写策略电路,根据相应于要形成的凹陷长度选择的多-脉冲图形控制激光功率的接通点,多-脉冲图形包含在写策略电路中的图形表中;
存储装置,存储大量不同类型的图形表,各图形表包含相应于大量凹陷长度的大量多-脉冲图形;
激光功率控制装置,根据激光功率控制信号控制激光的功率;
控制装置,基于从存储装置到写策略电路选择的记录速度和光盘类型之一或两者,以及根据光盘变化的线速度设置图形表中的一个,并将激光功率控制信号输出到激光功率控制装置,其中,当控制装置设置包含较长周期的多-脉冲图形时,根据记录速度和光盘的类型及根据变化的记录线速度,控制装置输出较低电平的激光功率控制信号。
存储装置存储相应于开和关激光的大量基本周期的大量图形表,因此各图形表包含大量多-脉冲图形,根据分配在各图形表的基本周期安排所有的多-脉冲图形,并与大量的凹陷长度匹配。
存储装置存储相应于1T基本周期的1T图形表,因此根据1T基本周期,1T图形表能使写策略电路控制激光的开和关,存储相应于2T基本周期的2T图形表,因此根据2T基本周期,2T图形表能使写策略电路控制激光的开和关。
在形成凹陷时,控制装置周期的监测记录速度的变化,响应监测的记录速度的变化选择图形表,在写策略电路中动态的建立选择的图形表。
控制部分使用1T图形表进行第一测试记录,以评估记录的质量,使用2T图形表进行第二测试记录,在进行实际记录之前,评估不同于第一测试记录的记录质量,根据第一测试记录和第二测试记录评估的不同质量,选择1T图形表和2T图形表之一。
存储装置存储多脉冲图形,所述多脉冲图形具有范围从0.5T周期到3T周期的接通和断开激光的周期。在这种情况中,控制部分分别使用具有周期范围从0.5T周期到3T周期的各个多脉冲图形记录的不同期间,在实际记录之前评估测试记录的不同期间的记录质量,并根据测试记录的不同期间评估的不同质量,选择一个具有周期范围0.5T周期到3T周期的多脉冲图形。
在本发明中,通过间隔地施加作为多脉冲的比要形成的凹陷短的激光,重复的加热和快速冷却,因此,在光盘的记录表面上形成具有预先确定长度的凹陷。用于施加写功率激光的脉冲宽度是周期加热的脉冲宽度,用于关闭具有底部功率的脉冲间隔是冷却时段的脉冲间隔,两者结合确定多-脉冲图形,其中对各凹陷长度(在CD的EFM情况中的3T到11T)形成有期望长度的凹陷。产生各具有不同图形的大量多-脉冲图形表并存储在存储装置中。在光盘上形成凹陷时,即记录信息,根据一个或两个条件:光盘的种类,在光盘上记录信息的速度,从以上的大量多-脉冲图形表中选择一个。这意味着根据介质种类和记录速度,选择形成最好凹陷的多-脉冲图形。根据在此多-脉冲图形中记录的信息,有可能产生有好的记录质量的记录光盘。
应该注意到,在如CAV,部分CAV或区域CLV的记录方法中,其中在记录时其记录速度(线性速度)是变化的,控制装置可监测在记录中记录速度的变化,可根据记录速度的变化改变多-脉冲图形表的选择。换言之,当多-脉冲图形表的选择根据记录速度的变化转换时,从存储介质中读出新选择的多-脉冲图形表并设置在写策略电路中。以此方式,甚至在记录速度变化的记录方法中,总是可能依靠优化的写策略记录信息。
附图说明
图1是本发明的光盘记录设备的框图。
图2是显示用于光盘记录设备的1T多-脉冲图形表内容的图例。
图3是显示用于光盘记录设备的2T多-脉冲图形表内容的图例。
图4是显示光盘记录设备的控制部分运作的流程图。
图5是说明光盘记录设备如何根据光盘的类型和记录速度选择写策略
图6(A)和(B)是分别显示在高速记录时在1T-周期写策略和2T-周期写策略中抖动和调制幅度之间关系的图例。
图7(A)和(B)是说明在常规记录时的写策略图例。
具体实施方式
参考图例说明根据本发明的实例的光盘记录设备。作为此实例中的例子描述从CD-RW中写入和擦除数据的CD-RW驱动器。
图1是CD-RW驱动器的原理框图。盘20是CD-RW,由旋转马达9在预先确定的旋转速度旋转。光系统1对着盘20的记录表面。光系统1有内置的半导体激光器。此半导体激光器在ALPC(自动激光功率控制器)2的控制下,发射有预先确定的功率和预先确定的多-脉冲图形的激光,写策略电路3和编码器/解码器4,并用脉冲激光照射盘20的表面。
伺服控制电路7控制旋转马达9的旋转速度、光系统1的盘的径向位置、激光的焦点。具体地说,伺服控制电路7包括旋转伺服电路,轨迹伺服电路,馈送伺服电路和聚焦伺服电路,伺服电路各控制旋转马达9,轨迹调节(没有显示),馈送马达(没有显示)和聚焦调节(没有显示)。
要写到是CD-RW的盘20的数据通过接口10输入到编码器/解码器4。当要写的数据从接口10输入时,编码器/解码器4加上EDC/ECC并对数据作CIRC处理,并进一步进行EFM调制,因此,数据输入到写策略电路3。形成具有EFM调制-数据的各凹陷长度(3T到11T)凹陷的多-脉冲图形表设置在写策略电路3中。当EFM调制-数据从编码器/解码器4输入时,根据多-脉冲图形表执行写策略处理,因此形成EFM数据的3T到11T的凹陷/平地,激光功率控制信号控制写功率的功率水平、输出底部功率和擦除功率。ALPC2控制输出到半导体激光二极管的电流,因此半导体激光二极管按照激光功率控制信号发射具有预定功率的激光。根据记录速度,OPC等适当的控制写功率,底部功率和擦除功率的现行功率电平。
此外,3T到11T的瞬时凹陷长度根据记录速度(反比于)改变,根据从控制部分5输入的记录速度信号写策略电路3延伸和缩短多-脉冲图形的时间轴,因此脉冲宽度和间隔相应于记录速度。
在设备中设置盘20时,由预装载读入盘20的属性信息,根据属性信息,盘类型标识部分8识别盘类型。然后盘的类型输入到控制部分5。同样,通过接口不同类的命令10从主设备输入到控制部分5。当记录命令输入到控制部分5时,根据包含在记录命令中的记录速度确定信号并根据预装载检测的盘的类型,控制部分5确定写策略。即,控制部分5选择图形表并从存储器6中读出多-脉冲图形表,并在写策略电路3中设置它。同样,在记录前立即执行OPC,并获得写功率的优化值,然后在ALPC2中设置。
此后,从接口10输入要记录的数据,然后数据转换为EFFM形式使得能记录在盘20。存储器6可存储用于光盘记录设备的程序,设备设计为,通过施加根据给定多-脉冲图形以间隔开和关激光获得的多脉冲序列形式,以给定的记录速度在给定类型光盘的记录表面上形成凹陷。由光盘记录设备执行的程序执行方法包括:写策略过程,可随图形表设置,并能根据相应于要形成的凹陷长度从图形表选择多-脉冲图形控制激光的开和关,存储过程,在存储器中存储大量不同类的图形表,各图形表包含相应于大量凹陷长度的大量多-脉冲图形,控制过程基于记录速度或光盘类型或两者选择一个图形表,从存储器中取出选择的图形表,并在写策略过程中设置读出的图形表。
这里,存储器6存储许多类的图形表。多-脉冲图形表如在图2和图3中所示。形成3T到11T的凹陷的具有优化脉冲宽度和图形脉冲间隔的图形设置在多-脉冲图形表中,基于不同脉冲周期(脉冲宽度+脉冲间隔)的各多-脉冲图形存储在相应的多-脉冲图形表中。图2显示基于1T基本周期的1T多-脉冲图形表(1T周期写策略),图3显示基于2T基本周期的2T多-脉冲图形表(2T周期写策略)。本发明描述的Nt多脉冲图形如下:多脉冲图形是基于Nt脉冲的周期产生的(脉冲之间间隔的脉冲+(N/2)T周期的(N/2)T周期),T是基本写速度的编码器时钟的基本周期。
在基于示于图2的1T周期的多-脉冲图形中,用大约相同的周期图形形成有任何长度的凹陷,换言之,在第一1T时段开启激光器,然后关闭0.5T(底部功率),开启0.5T(写功率)中图形重复。仅在最后1T时段在激光关闭0.6T后,在凹陷部分结束前0.4T转换到擦除功率。
此外,根据示于图3的2T周期同样作用到多-脉冲图形,在所有凹陷长度中激光对第一1T开启(仅在3T凹陷中的1.1T),但此后,形成各种图形的脉冲间隔和脉冲宽度符合于各自的凹陷长度。因为基本脉冲周期长于1T,周期不可能符合有些凹陷长度。因此,使用各种脉冲宽度和脉冲间隔,因而能精确形成3T到11T的各种凹陷。例如,当形成3T凹陷时,激光首先以1.1T脉冲宽度改变(写功率),然后仅改变1.0T(底部功率)。此后(虽然在3T结束前维持了0.9T),由擦除功率实现控制。用此方法控制底部功率部分和擦除功率部分,控制在写功率部分维持的加热因此形成3T凹陷。
图4是显示控制部分5的基本运作的流程图。根据此运作,基于记录速度和盘的类型选择1T多-脉冲图形表或2T多-脉冲图形表之一。当是CD-RW的空盘20放入设备时(s1),由保留在控制部分5的内部存储器的预装载识别盘的类型(s2)。在记录命令通过接口10从主设备输入前,控制部分5等待。当记录命令输入时(s3),根据包含在记录命令的记录速度确定信息和在预装载时识别的盘的类型,选择1T多-脉冲图形表或2T多-脉冲图形表之一(s4),从存储器6读出选择的多-脉冲图形表,然后设置在写策略电路3(s5)。
此后,当要记录的数据通过接口10输入时,编码器/解码器4加上EDC/ECC并对数据进行CIRC处理,也对数据进行EFM调制,因此,数据输入到写策略电路3。基于由控制部分5设置的的多-脉冲图形表,写策略电路3产生激光功率控制信号,形成有长度相应于从编码器/解码器4输入的EFM-编码数据的凹陷/平地,信号输入到ALPC2。根据从写策略电路3输入的激光功率控制信号,依靠盘类型、记录速度和此时的OPC的结果的优化的激光功率,ALPC2控制光系统1的半导体激光的光发射。以此方式,在盘20上形成凹陷,记录通过接口10输入的数据。
为可记录光盘的CD-RW,由于制造中特性的不同,各有不同属性信息(盘类型信息),但CD-RW的盘的类型通常分类为1到4倍速记录的低速介质,4到16倍速记录的高速介质,8到32倍速记录的超高速介质。
在上面的流程中,在s4选择示于图2和图3中的1T多-脉冲图形表或2T多-脉冲图形表之一时,根据示于图5的选择时间表,可选择一个多-脉冲图形。例如,更特别的是,在图中,因为在低速介质和高速介质中,记录速度为1到4倍速和4到16倍速的范围中,任何制造商生产的盘选择1T多-脉冲图形表。
在超高速介质的情况中,任何制造商生产的盘选择2T多-脉冲图形表,以超出20倍的记录速度记录。然而,在超高速介质的光盘中以8-20倍的记录速度记录时,涉及除了关于“超高速介质”的盘类型信息的信息外,甚至在此记录速度确定是否选择2T多-脉冲图形表,或在此记录速度范围内选择1T多-脉冲图形表。
以此方式,因为使用2T多-脉冲图形表,甚至在高记录速度下,保证半导体激光开和关是有可能的,即,在2T周期的写策略,从半导体激光精确输出的激光功率可以精确控制。
如在图6(A)和(B)的抖动改变图和调制幅度改变图中所显示的,其中记录是以24倍速实现的,如果写策略在2T,在高速记录中优化功率约为在1T周期时的一半,因此提供了半导体激光的寿命更长的优点。也带来了能使用低-功率半导体激光和ALPC的优点。
在此实例中,基于1T周期和2T周期的两种图形表存储在存储器2中作为多-脉冲图形(写策略),但脉冲图形的周期不限于此。此外,类型不限于此两种,可存储更多种。
此外,基于在图4流程图中的关于盘类型和记录速度的两种信息选择多-脉冲图形表,但可以基于关于盘类型或记录速度信息的一种选择多-脉冲图形表。
此外,在如CAV,部分CAV或CLV的记录方法中,在记录时记录速度改变。在此情况中,根据记录速度的变化,写策略电路3和ALPC2改变时钟周期(T)或写功率,但除此之外,在写策略电路3中建立的多-脉冲图形表也可以动态改变。
更特别的是,在此情况中,控制部分5一直监测在记录时记录速度的变化,根据记录速度的变化,连续的确定相应于记录速度的优化多-脉冲图形表。当优化的多-脉冲图形表转换时,此优化的多-脉冲图形表从在写策略电路3中设置的存储器6中读出。
就是说,本发明的光盘记录设备通过施加根据给定多-脉冲图形以间隔开和关激光获得的多脉冲序列形式的激光,以给定记录速度在给定类型的光盘的记录表面上形成凹陷,同时,以固定角速度旋转光盘,以至光盘的线速度变化。在本发明的设备中,写策略电路内设置有图形表,并根据相应于要形成的凹陷长度从图形表选择线速度和多-脉冲图形控制激光的开和关。存储装置存储大量不同类型的图形表,各图形表包含相应于大量凹陷长度的大量多-脉冲图形。控制装置,基于记录速度和光盘类型或者记录速度或光盘类型以及根据光盘变化的线速度选择图形表中的一个,从存储部分读出选择的图形表并在写策略电路中设置读出的图形表。
此外,在此实例中已描述了在CD-RW中记录数据的光盘记录设备,但介质不限于CD-RW,本发明可用于任何介质,例如,DVD+RW、DVD-RW、DVD-RAM和蓝光盘,只要是用多-脉冲方法在上面形成凹陷的介质。
此外,尽管这个实施例已经描述了在CD-RW中技术数据的光盘记录设备,但光盘记录设备可以多脉冲图形的图形表,该图形表具有范围从0.5T周期到3T周期的接通断开激光的周期,并选择设置在写策略电路3中的一个图形表。在这种情况中,控制部分可以分别使用具有周期范围从0.5T周期到3T周期的各个多脉冲图形记录的不同期间,在实际记录之前评估测试记录的不同期间的记录质量,并根据测试记录的不同期间评估的不同质量,选择一个具有周期范围0.5T周期到3T周期的多脉冲图形。否则,控制部分使用1T图形表进行第一测试记录,以评估记录的质量,使用2T图形表进行第二测试记录,在进行实际记录之前,评估不同于第一测试记录的记录质量,根据第一测试记录和第二测试记录评估的不同质量,选择1T图形表和2T图形表之一。
如以上的描述,根据本发明,根据光盘的类型如CD-RW和记录速度,可以选择是优化写策略的多-脉冲图形表,因此可在任何介质和在任何记录速度形成好的凹陷,记录有好的质量的信息。
Claims (16)
1.一种光盘记录设备,通过施加根据给定多-脉冲图形以间隔开和关激光获得的多脉冲序列形式的激光,以给定记录速度在给定类型的光盘的记录表面上形成凹陷,设备包括:
写策略电路,根据相应于要形成的凹陷长度选择的多-脉冲图形控制激光功率的接通点,多-脉冲图形包含在写策略电路中的图形表中;
存储装置,用于存储大量不同类型的图形表,各图形表包含相应于大量凹陷长度的大量多-脉冲图形;
激光功率控制装置,根据激光功率控制信号控制激光的功率;
控制装置,基于从存储装置到写策略电路选择的记录速度和检测的光盘类型之一或两者设置图形表之一,并将激光控制信号输出到激光功率控制装置,其中,当控制装置设置包含较长周期的多-脉冲图形时,根据记录速度和光盘的类型,控制装置输出较低电平的激光功率控制信号。
2.一种光盘记录设备,通过施加根据给定多-脉冲图形以间隔开和关激光获得的多脉冲序列形式的激光,以给定记录速度在给定类型的光盘的记录表面上形成凹陷,同时,以固定角速度旋转光盘,以至光盘的线速度变化,设备包括:
写策略电路,根据相应于要形成的凹陷长度选择的多-脉冲图形控制激光功率的接通点,多-脉冲图形包含在写策略电路中的图形表中;
存储装置,存储大量不同类型的图形表,各图形表包含相应于大量凹陷长度的大量多-脉冲图形;
激光功率控制装置,根据激光功率控制信号控制激光的功率;
控制装置,基于从存储装置到写策略电路选择的记录速度和光盘类型之一或两者,以及根据光盘变化的线速度设置图形表中的一个,并将激光功率控制信号输出到激光功率控制装置,其中,当控制装置设置包含较长周期的多-脉冲图形时,根据记录速度和光盘的类型及根据变化的记录线速度,控制装置输出较低电平的激光功率控制信号。
3.一种通过施加根据给定多-脉冲图形间隔开和关激光获得多脉冲序列形式的激光,以给定记录速度在给定类型光盘的记录表面形成凹陷的方法,包括:
写策略处理,可随图形表设置,并能根据相应于要形成的凹陷长度从图形表选择多-脉冲图形,控制激光的开和关;
存储处理,在存储装置中存储大量不同类的图形表,各图形表包含相应于大量凹陷长度的大量多-脉冲图形;
控制处理,基于记录速度和光盘类型或记录速度和光盘类型之一,选择一个图形表,从存储装置中取出选择的图形表,并在写策略过程中设置读出的图形表。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:存储装置存储相应于开和关激光的大量基本周期图形表的大量的图形表,各图形表包含大量的多-脉冲图形,根据分配给各图形表的基本周期安排多-脉冲图形,并与大量凹陷长度匹配。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:存储装置存储相应于1T基本周期图形表的1T图形表,因此1T图形表使写策略电路能根据1T基本周期控制激光的开和关,存储相应于2T基本周期图形表的2T图形表,因此2T图形表使写策略电路能根据2T基本周期控制激光的开和关。
6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:控制装置周期性的监测在记录期间记录速度的变化,并选择响应监测的记录速度变化的图形表,在写策略电路中动态地设置选择的图形表。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于:控制装置使用1T图形表进行第一测试记录,以评估记录的质量,使用2T图形表进行第二测试记录,在进行实际记录之前,评估不同于第一测试记录的记录质量,根据第一测试记录和第二测试记录评估的不同质量,选择1T图形表和2T图形表之一。
8.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:存储装置存储多脉冲图形,所述多脉冲图形具有范围从0.5T周期到3T周期的接通和断开激光的周期。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:控制装置分别使用具有周期范围从0.5T周期到3T周期的各个多脉冲图形记录的不同期间,在实际记录之前评估测试记录的不同期间的记录质量,并根据测试记录的不同期间评估的不同质量,选择一个具有周期范围0.5T周期到3T周期的多脉冲图形。
10.一种通过施加根据给定多-脉冲图形以间隔开和关激光获得的多脉冲序列形式的激光,以给定记录速度在给定类型的光盘的记录表面上形成凹陷,同时,以固定角速度旋转光盘,以至光盘的线速度变化的方法,方法包括:
写策略处理,设置有图形表,并根据相应于要形成的凹陷长度从图形表选择线速度和多-脉冲图形控制激光的开和关;
存储处理,在存储装置中存储大量不同类型的图形表,各图形表包含相应于大量凹陷长度的大量多-脉冲图形;
控制处理,基于记录速度和光盘类型或者记录速度或光盘类型以及根据光盘变化的线速度选择图形表中的一个,从存储装置找出选择的图形表并在写策略电路中设置读出的图形表。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于:存储装置存储相应于开和关激光的大量基本周期图形表的大量的图形表,各图形表包含大量的多-脉冲图形,根据分配给各图形表的基本周期安排多-脉冲图形,并与大量凹陷长度匹配。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:存储装置存储相应于1T基本周期图形表的1T图形表,因此1T图形表使写策略电路能根据1T基本周期控制激光的开和关,存储相应于2T基本周期图形表的2T图形表,因此2T图形表使写策略电路能根据2T基本周期控制激光的开和关。
13.根据权利要求10所述的方法,其特征在于:控制装置周期性的监测在记录期间记录速度的变化,并选择响应监测的记录速度变化的图形表,在写策略电路中动态地设置选择的图形表。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于:控制装置使用1T图形表进行第一测试记录,以评估记录的质量,使用2T图形表进行第二测试记录,在进行实际记录之前,评估不同于第一测试记录的记录质量,根据第一测试记录和第二测试记录评估的不同质量,选择1T图形表和2T图形表之一。
15.根据权利要求10所述的方法,其特征在于:存储装置存储多脉冲图形,所述多脉冲图形具有范围从0.5T周期到3T周期的接通和断开激光的周期。
16.根据权利要求15所述的方法,其特征在于:控制装置分别使用具有周期范围从0.5T周期到3T周期的各个多脉冲图形记录的不同期间,在实际记录之前评估测试记录的不同期间的记录质量,并根据测试记录的不同期间评估的不同质量,选择一个具有周期范围0.5T周期到3T周期的多脉冲图形。
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