JP2002153449A - 放射線画像読取装置 - Google Patents
放射線画像読取装置Info
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- JP2002153449A JP2002153449A JP2000352310A JP2000352310A JP2002153449A JP 2002153449 A JP2002153449 A JP 2002153449A JP 2000352310 A JP2000352310 A JP 2000352310A JP 2000352310 A JP2000352310 A JP 2000352310A JP 2002153449 A JP2002153449 A JP 2002153449A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】既存のマンモプレートの構成を変えることな
く、より高画質な放射線画像を得ることができる放射性
画像読取装置を提供する。 【解決手段】放射線画像を記録したマンモプレート12
に励起光を照射することにより、マンモプレート12か
ら発光する輝尽発光を受光してデータに変換することで
画像を読み取る画像読取部5を有する放射線画像読取装
置1において、マンモプレート12を少なくとも2回読
み取ることで得られたデータを画像処理することによっ
て、放射線画像に対応した画像データを取得するので、
既存のマンモプレート12を用いることができるにも関
わらず、より高画質な放射線画像を得ることができる。
く、より高画質な放射線画像を得ることができる放射性
画像読取装置を提供する。 【解決手段】放射線画像を記録したマンモプレート12
に励起光を照射することにより、マンモプレート12か
ら発光する輝尽発光を受光してデータに変換することで
画像を読み取る画像読取部5を有する放射線画像読取装
置1において、マンモプレート12を少なくとも2回読
み取ることで得られたデータを画像処理することによっ
て、放射線画像に対応した画像データを取得するので、
既存のマンモプレート12を用いることができるにも関
わらず、より高画質な放射線画像を得ることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、放射線画像読取装置に
関し、特に女性の乳房のX線撮影を行う際に用いられる
マンモプレートに写し込まれた画像を読み取る放射線画
像読取装置に関する。
関し、特に女性の乳房のX線撮影を行う際に用いられる
マンモプレートに写し込まれた画像を読み取る放射線画
像読取装置に関する。
【0002】
【従来の技術】女性の乳ガン検査を行う場合など、きわ
めて小さなガン細胞を発見するために、通常のX線撮影
で用いられる輝尽性蛍光プレートの代わりに、より鮮鋭
性の高い画像の得られるマンモプレートを用いて、女性
の乳房のX線撮影を行うことが多い。画像が写し込まれ
たマンモプレートに、励起光であるレーザ光を照射する
と、画像に対応した輝尽発光が生じ、これを光電変換す
ることで、かかる画像に対応する画像データを取得する
ことができる。
めて小さなガン細胞を発見するために、通常のX線撮影
で用いられる輝尽性蛍光プレートの代わりに、より鮮鋭
性の高い画像の得られるマンモプレートを用いて、女性
の乳房のX線撮影を行うことが多い。画像が写し込まれ
たマンモプレートに、励起光であるレーザ光を照射する
と、画像に対応した輝尽発光が生じ、これを光電変換す
ることで、かかる画像に対応する画像データを取得する
ことができる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ここで、マンモプレー
トは、画像の鮮鋭性を高めるために、レーザ光が散乱し
ないようにレーザ光を吸収する着色剤を混入している。
従って、マンモプレートに写し込まれたX線画像などを
読み取るためにレーザ光を照射した場合、マンモプレー
ト内部までレーザ光が効率的に利用されず、十分な輝尽
発光が得られないため、得られる画像にはノイズが多く
のってしまうという問題がある。更に、マンモプレート
を用いる撮影では、低圧のエネルギーのX線を用いるた
め、プレート照射面に多くの情報が蓄積され、裏側から
得られる情報より表側から得られる情報の方がきわめて
重要であるという実状もある。
トは、画像の鮮鋭性を高めるために、レーザ光が散乱し
ないようにレーザ光を吸収する着色剤を混入している。
従って、マンモプレートに写し込まれたX線画像などを
読み取るためにレーザ光を照射した場合、マンモプレー
ト内部までレーザ光が効率的に利用されず、十分な輝尽
発光が得られないため、得られる画像にはノイズが多く
のってしまうという問題がある。更に、マンモプレート
を用いる撮影では、低圧のエネルギーのX線を用いるた
め、プレート照射面に多くの情報が蓄積され、裏側から
得られる情報より表側から得られる情報の方がきわめて
重要であるという実状もある。
【0004】これに対し、レーザ光が照射されたマンモ
プレートの表面から照射される輝尽発光に基づく画像デ
ータと、その裏面から照射された輝尽発光に基づく画像
データと合成することで、よりノイズの少ない画像を得
ることも考えられる。しかしながら、かかる手法では、
裏面側への輝尽発光を確保するためにマンモプレートの
支持基板を透明にしたり、マンモプレートの裏面側に読
取装置を設けたりしなくてはならず、マンモプレート構
成の変更を含む、既存のシステムを大きく変更する必要
があるという問題がある。
プレートの表面から照射される輝尽発光に基づく画像デ
ータと、その裏面から照射された輝尽発光に基づく画像
データと合成することで、よりノイズの少ない画像を得
ることも考えられる。しかしながら、かかる手法では、
裏面側への輝尽発光を確保するためにマンモプレートの
支持基板を透明にしたり、マンモプレートの裏面側に読
取装置を設けたりしなくてはならず、マンモプレート構
成の変更を含む、既存のシステムを大きく変更する必要
があるという問題がある。
【0005】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑
み、既存のマンモプレートの構成を変えることなく、よ
り高画質な放射線画像を得ることができる放射性画像読
取装置を提供することを目的とする。
み、既存のマンモプレートの構成を変えることなく、よ
り高画質な放射線画像を得ることができる放射性画像読
取装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の放射線画像読取
装置は、放射線画像を記録したマンモプレートに励起光
を照射することにより、前記マンモプレートから発光す
る輝尽発光を受光してデータに変換することで画像を読
み取る画像読取部を有する放射線画像読取装置におい
て、前記マンモプレートを少なくとも2回読み取ること
で得られたデータを画像処理することによって、放射線
画像に対応した画像データを取得することを特徴とす
る。
装置は、放射線画像を記録したマンモプレートに励起光
を照射することにより、前記マンモプレートから発光す
る輝尽発光を受光してデータに変換することで画像を読
み取る画像読取部を有する放射線画像読取装置におい
て、前記マンモプレートを少なくとも2回読み取ること
で得られたデータを画像処理することによって、放射線
画像に対応した画像データを取得することを特徴とす
る。
【0007】
【作用】本発明の放射線画像読取装置は、放射線画像を
記録したマンモプレートに励起光を照射することによ
り、前記マンモプレートから発光する輝尽発光を受光し
てデータに変換することで画像を読み取る画像読取部を
有する放射線画像読取装置において、前記マンモプレー
トを少なくとも2回読み取ることで得られたデータを画
像処理することによって、放射線画像に対応した画像デ
ータを取得するので、既存のマンモプレートを用いるこ
とができるにも関わらず、より高画質な放射線画像を得
ることができる。ここで、放射線には、α線、β線、陽
電子線、ガンマ線、X線、陽子線、重陽子線、重イオン
線、中性子線、中間子線などが含まれるが、可視光など
は含まれない。
記録したマンモプレートに励起光を照射することによ
り、前記マンモプレートから発光する輝尽発光を受光し
てデータに変換することで画像を読み取る画像読取部を
有する放射線画像読取装置において、前記マンモプレー
トを少なくとも2回読み取ることで得られたデータを画
像処理することによって、放射線画像に対応した画像デ
ータを取得するので、既存のマンモプレートを用いるこ
とができるにも関わらず、より高画質な放射線画像を得
ることができる。ここで、放射線には、α線、β線、陽
電子線、ガンマ線、X線、陽子線、重陽子線、重イオン
線、中性子線、中間子線などが含まれるが、可視光など
は含まれない。
【0008】更に、先の読み取りによって得られたデー
タに対し、後の読み取りによって得られたデータに1未
満の重み付けを行って画像処理することが好ましい。前
記マンモプレートの同一領域において、後の読み取り時
における輝尽発光は、先の読み取り時における輝尽発光
よりメリハリのないものとなり、従って先の読み取りに
よって得られたデータに基づく画像は、後の読み取りに
よって得られたデータに基づく画像よりも鮮鋭性に優れ
るからである。
タに対し、後の読み取りによって得られたデータに1未
満の重み付けを行って画像処理することが好ましい。前
記マンモプレートの同一領域において、後の読み取り時
における輝尽発光は、先の読み取り時における輝尽発光
よりメリハリのないものとなり、従って先の読み取りに
よって得られたデータに基づく画像は、後の読み取りに
よって得られたデータに基づく画像よりも鮮鋭性に優れ
るからである。
【0009】又、前記マンモプレートから画像を読み取
る際に、先の読み取りのサンプリングピッチよりも、後
の読み取りのサンプリングピッチを大きく(例えばピッ
チ比を1〜3程度)することが好ましい。先の読み取り
時における輝尽発光は、後の読み取り時における輝尽発
光よりメリハリのないものとなり、従ってサンプリング
ピッチを細かくしても、それに応じた画質の向上は期待
できないからである。また、後の読み取り時におけるサ
ンプリングピッチを大きくすることで、読み取り時間の
短縮を図るという利点もある。
る際に、先の読み取りのサンプリングピッチよりも、後
の読み取りのサンプリングピッチを大きく(例えばピッ
チ比を1〜3程度)することが好ましい。先の読み取り
時における輝尽発光は、後の読み取り時における輝尽発
光よりメリハリのないものとなり、従ってサンプリング
ピッチを細かくしても、それに応じた画質の向上は期待
できないからである。また、後の読み取り時におけるサ
ンプリングピッチを大きくすることで、読み取り時間の
短縮を図るという利点もある。
【0010】更に、前記マンモプレートから画像を読み
取る際に、先に照射される励起光の強度よりも、後に照
射される励起光の強度を高く(例えば強度比で1〜1.
5程度)することで、より強い輝尽発光を得るようにす
ることが好ましい。
取る際に、先に照射される励起光の強度よりも、後に照
射される励起光の強度を高く(例えば強度比で1〜1.
5程度)することで、より強い輝尽発光を得るようにす
ることが好ましい。
【0011】又、前記マンモプレートと画像読取部とを
同一方向に相対移動する間に、前記マンモプレートの同
一領域に対して励起光が少なくとも2回照射されるよう
になっていれば、読み取りのために、前記マンモプレー
トを同一方向に複数回移動させずに済むため、読み取り
時間の短縮が図れる。
同一方向に相対移動する間に、前記マンモプレートの同
一領域に対して励起光が少なくとも2回照射されるよう
になっていれば、読み取りのために、前記マンモプレー
トを同一方向に複数回移動させずに済むため、読み取り
時間の短縮が図れる。
【0012】更に、前記マンモプレートと前記画像読取
部との相対移動方向とは異なる方向に、反射手段を用い
て励起光を往復走査させると、同一方向に走査させなが
ら読み取る場合に比べ、読み取り時間の短縮が図れる。
尚、反射手段としては、ガルバノミラーやポリゴンミラ
ーを用いることができるが、これらに限られない。
部との相対移動方向とは異なる方向に、反射手段を用い
て励起光を往復走査させると、同一方向に走査させなが
ら読み取る場合に比べ、読み取り時間の短縮が図れる。
尚、反射手段としては、ガルバノミラーやポリゴンミラ
ーを用いることができるが、これらに限られない。
【0013】更に、前記画像処理を行う際に、多重解像
度処理を行うと好ましい。
度処理を行うと好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】以下に本発明に関する具体例の一
例を実施の形態として示すが、本発明はこれらに限定さ
れない。また、実施の形態には、用語等に対する断定的
な表現があるが、本発明の好ましい例を示すもので、本
発明の用語の意義や技術的範囲を限定するものではな
い。
例を実施の形態として示すが、本発明はこれらに限定さ
れない。また、実施の形態には、用語等に対する断定的
な表現があるが、本発明の好ましい例を示すもので、本
発明の用語の意義や技術的範囲を限定するものではな
い。
【0015】図1は、本実施の形態の放射線画像読取装
置の概略構成図であり、図2は、本実施の形態の放射線
画像読取装置の制御ブロック図であり、図3は、かかる
放射線画像読取装置の斜視図であり、図4は、かかる放
射線画像読取装置の正面図であり、図5は、放射線画像
読取装置の左側面図であり、図6は、主走査部の光学系
を示す図である。これらの図に基づいて、本実施の形態
の放射線画像読取装置について説明する。
置の概略構成図であり、図2は、本実施の形態の放射線
画像読取装置の制御ブロック図であり、図3は、かかる
放射線画像読取装置の斜視図であり、図4は、かかる放
射線画像読取装置の正面図であり、図5は、放射線画像
読取装置の左側面図であり、図6は、主走査部の光学系
を示す図である。これらの図に基づいて、本実施の形態
の放射線画像読取装置について説明する。
【0016】なお、説明の都合上、放射線画像読取装置
1の装置本体2の横方向をX方向と呼び、放射線画像読
取装置1の装置本体2の奥行き方向をY方向と呼ぶ。従
って、X方向及びY方向は、水平面内の互いに直交する
2つの方向であり、X方向及びY方向の間の角度は直角
である。
1の装置本体2の横方向をX方向と呼び、放射線画像読
取装置1の装置本体2の奥行き方向をY方向と呼ぶ。従
って、X方向及びY方向は、水平面内の互いに直交する
2つの方向であり、X方向及びY方向の間の角度は直角
である。
【0017】本実施の形態の放射線画像読取装置1は、
X線撮影された平板状のマンモプレート12を収容した
可搬性のカセッテ9から、マンモプレート12を取り出
し、マンモプレート12に記録された放射線画像を読み
取る放射線画像読取装置1である。本実施の形態の放射
線画像読取装置1の装置本体2には、カセッテスタッカ
3、プレート保持部4、画像読取部5、システム制御部
6、操作部7及び電源部8が備えられている。
X線撮影された平板状のマンモプレート12を収容した
可搬性のカセッテ9から、マンモプレート12を取り出
し、マンモプレート12に記録された放射線画像を読み
取る放射線画像読取装置1である。本実施の形態の放射
線画像読取装置1の装置本体2には、カセッテスタッカ
3、プレート保持部4、画像読取部5、システム制御部
6、操作部7及び電源部8が備えられている。
【0018】カセッテスタッカ3は、X線撮影された平
板状のマンモプレート12を収容し、その一辺に開口が
形成され、この開口からマンモプレート12を引き出し
可能になっているカセッテ9を、収容したマンモプレー
ト12が鉛直方向及びY方向が形成する面と略平行にな
るように、X方向の位置が互いに異なるように、並べて
複数セットできる。
板状のマンモプレート12を収容し、その一辺に開口が
形成され、この開口からマンモプレート12を引き出し
可能になっているカセッテ9を、収容したマンモプレー
ト12が鉛直方向及びY方向が形成する面と略平行にな
るように、X方向の位置が互いに異なるように、並べて
複数セットできる。
【0019】また、カセッテスタッカ3は、カセッテス
タッカ機構・駆動部30およびカセッテスタッカ制御部
31を有し、カセッテスタッカ制御部31は、システム
制御部6からの制御信号に基づいて、カセッテスタッカ
機構・駆動部30が、カセッテスタッカ3にセットされ
たカセッテ9からマンモプレート12を取り出したり、
カセッテスタッカ3にセットされたカセッテ9にマンモ
プレート12を収容させたりできるように駆動するよう
に制御する。
タッカ機構・駆動部30およびカセッテスタッカ制御部
31を有し、カセッテスタッカ制御部31は、システム
制御部6からの制御信号に基づいて、カセッテスタッカ
機構・駆動部30が、カセッテスタッカ3にセットされ
たカセッテ9からマンモプレート12を取り出したり、
カセッテスタッカ3にセットされたカセッテ9にマンモ
プレート12を収容させたりできるように駆動するよう
に制御する。
【0020】プレート保持部4は、カセッテスタッカ3
にセットされたいずれのカセッテ9からも、マンモプレ
ート12を略鉛直方向に取り出して保持することが可能
である。
にセットされたいずれのカセッテ9からも、マンモプレ
ート12を略鉛直方向に取り出して保持することが可能
である。
【0021】また、プレート保持部4は、プレート保持
部機構・駆動部40およびプレート保持部制御部41を
有し、プレート保持部制御部41は、システム制御部6
からの制御信号に基づいて、プレート保持部機構・駆動
部40が、カセッテスタッカ3にセットされたカセッテ
9からマンモプレート12を取り出したり、カセッテス
タッカ3にセットされたカセッテ9にマンモプレート1
2を収容させたり、X方向に移動したりするように駆動
するように、制御する。
部機構・駆動部40およびプレート保持部制御部41を
有し、プレート保持部制御部41は、システム制御部6
からの制御信号に基づいて、プレート保持部機構・駆動
部40が、カセッテスタッカ3にセットされたカセッテ
9からマンモプレート12を取り出したり、カセッテス
タッカ3にセットされたカセッテ9にマンモプレート1
2を収容させたり、X方向に移動したりするように駆動
するように、制御する。
【0022】また、プレード保持部機構・駆動部40に
は、支持フレーム400が上下に配置されたガイドレー
ル401,402に支持されている。このガイドレール
401,402は、カセッテスタッカ3に収納されたカ
セッテ9に対して直交する方向に配置されている。支持
フレーム400の下端部は、下方に配置された搬送ベル
ト403に固定され、この搬送ベルト403は搬送モー
タ404により駆動され、これにより支持フレーム40
0がガイドレール401,402に沿って移動する。そ
して、支持フレーム400の上部には、消去部13から
取り付けられている。
は、支持フレーム400が上下に配置されたガイドレー
ル401,402に支持されている。このガイドレール
401,402は、カセッテスタッカ3に収納されたカ
セッテ9に対して直交する方向に配置されている。支持
フレーム400の下端部は、下方に配置された搬送ベル
ト403に固定され、この搬送ベルト403は搬送モー
タ404により駆動され、これにより支持フレーム40
0がガイドレール401,402に沿って移動する。そ
して、支持フレーム400の上部には、消去部13から
取り付けられている。
【0023】画像読取部5は、副走査部50及び主走査
部51を有する。そして、主走査部51は、レーザ光に
よる主走査MSを鉛直方向に行うもので、マンモプレー
ト12に記録された放射線画像をレーザ走査により読み
取るものである。また、副走査部50は、主走査部51
をY方向に移動させて副走査させるものである。
部51を有する。そして、主走査部51は、レーザ光に
よる主走査MSを鉛直方向に行うもので、マンモプレー
ト12に記録された放射線画像をレーザ走査により読み
取るものである。また、副走査部50は、主走査部51
をY方向に移動させて副走査させるものである。
【0024】システム制御部6は、メインCPU60、
読取制御部61、システム用ディスク62、画像用ディ
スク63及びインターフェイス用ボード(以下、I/F
ボードと略す。)65を有する。そして、メインCPU
60には、操作部7のCRT70及びタッチパネル71
と、システム制御部6の読取制御部61、システム用デ
ィスク62、画像用ディスク63及びI/Fボード65
とが接続されている。
読取制御部61、システム用ディスク62、画像用ディ
スク63及びインターフェイス用ボード(以下、I/F
ボードと略す。)65を有する。そして、メインCPU
60には、操作部7のCRT70及びタッチパネル71
と、システム制御部6の読取制御部61、システム用デ
ィスク62、画像用ディスク63及びI/Fボード65
とが接続されている。
【0025】システム用ディスク62には、メインCP
U60が、全体制御、画像処理、画像送信制御及び画像
管理を行うためのシステムプログラムが記憶されてい
る。また、画像用ディスク63には、読取制御部61か
ら送られた画像を記憶したり、画像処理された画像を記
憶したりする。
U60が、全体制御、画像処理、画像送信制御及び画像
管理を行うためのシステムプログラムが記憶されてい
る。また、画像用ディスク63には、読取制御部61か
ら送られた画像を記憶したり、画像処理された画像を記
憶したりする。
【0026】そして、メインCPU60は、システム用
ディスク62に記憶されているシステムプログラムを内
部のメモリに展開しながら、読取制御部61から送られ
た画像や画像処理した画像を画像用ディスク63に記憶
させたり、画像用ディスク63に記憶された画像を読み
出したりしつつ、全体制御、画像処理、画像送信及び画
像管理を行う。
ディスク62に記憶されているシステムプログラムを内
部のメモリに展開しながら、読取制御部61から送られ
た画像や画像処理した画像を画像用ディスク63に記憶
させたり、画像用ディスク63に記憶された画像を読み
出したりしつつ、全体制御、画像処理、画像送信及び画
像管理を行う。
【0027】また、読取制御部61は、カセッテスタッ
カ制御部31、プレート保持部制御部41、副走査部5
0及び主走査部51を制御して、マンモプレート12に
記録された放射線画像をレーザ走査により読み取らせ、
主走査部51から画像信号を受け取り、読み取った画像
をメインCPU50に送る。
カ制御部31、プレート保持部制御部41、副走査部5
0及び主走査部51を制御して、マンモプレート12に
記録された放射線画像をレーザ走査により読み取らせ、
主走査部51から画像信号を受け取り、読み取った画像
をメインCPU50に送る。
【0028】また、メインCPU60は、I/Fボード
65を介して、本体装置2の外部にあるホストコンピュ
ータ66、診断装置67及び患者登録ターミナル68と
接続されている。そして、メインCPU60は、I/F
ボード65を介して、ホストコンピュータ66、診断装
置67及び患者登録ターミナル68に画像を送信する。
65を介して、本体装置2の外部にあるホストコンピュ
ータ66、診断装置67及び患者登録ターミナル68と
接続されている。そして、メインCPU60は、I/F
ボード65を介して、ホストコンピュータ66、診断装
置67及び患者登録ターミナル68に画像を送信する。
【0029】また、操作部7は、CRT70及びタッチ
パネル71を有し、CRT70は、メインCPU60か
ら送信されてくる表示画像を表示し、タッチパネル71
は、操作者によりタッチされることにより入力された指
示入力に関する情報をメインCPU60に送る。
パネル71を有し、CRT70は、メインCPU60か
ら送信されてくる表示画像を表示し、タッチパネル71
は、操作者によりタッチされることにより入力された指
示入力に関する情報をメインCPU60に送る。
【0030】また、メインCPU60は、操作部7のタ
ッチパネル71から送られた指示入力に関する情報に基
づいて、全体制御、画像処理、画像送信及び画像管理を
行い、適宜必要な情報をCRT70に表示させるため
に、表示画像をCRT70に送信する。
ッチパネル71から送られた指示入力に関する情報に基
づいて、全体制御、画像処理、画像送信及び画像管理を
行い、適宜必要な情報をCRT70に表示させるため
に、表示画像をCRT70に送信する。
【0031】そして、カセッテスタッカ3にセットされ
たカセッテ9のいずれかを指定する指示内容を含む指示
入力が操作部7から行われると、システム制御部6は、
プレート保持部4が操作部7からの指示入力で指定され
たカセッテ9からマンモプレート12を略鉛直方向に取
り出して保持し、画像読取部5がマンモプレート12に
記録された放射線画像をレーザ走査により読み取るよう
に、マンモプレート12を保持しているプレート保持部
4と画像読取部5とを制御する。
たカセッテ9のいずれかを指定する指示内容を含む指示
入力が操作部7から行われると、システム制御部6は、
プレート保持部4が操作部7からの指示入力で指定され
たカセッテ9からマンモプレート12を略鉛直方向に取
り出して保持し、画像読取部5がマンモプレート12に
記録された放射線画像をレーザ走査により読み取るよう
に、マンモプレート12を保持しているプレート保持部
4と画像読取部5とを制御する。
【0032】より具体的には、マンモプレート12を保
持しているプレート保持部4を固定させ、画像読取部5
を上Y方向に移動させつつ、マンモプレート12を副走
査することにより、画像読取部5がプレート保持部4に
保持されているマンモプレート12に記録されている放
射線画像を読み取る。続いて、画像読取部5を逆方向に
駆動して、再度画像読取部5を下Y方向に移動させつ
つ、マンモプレート12を副走査することにより、画像
読取部5がプレート保持部4に保持されているマンモプ
レート12に記録されている放射線画像を読み取る。
尚、このような読み取りは、3回以上行っても良い。
持しているプレート保持部4を固定させ、画像読取部5
を上Y方向に移動させつつ、マンモプレート12を副走
査することにより、画像読取部5がプレート保持部4に
保持されているマンモプレート12に記録されている放
射線画像を読み取る。続いて、画像読取部5を逆方向に
駆動して、再度画像読取部5を下Y方向に移動させつ
つ、マンモプレート12を副走査することにより、画像
読取部5がプレート保持部4に保持されているマンモプ
レート12に記録されている放射線画像を読み取る。
尚、このような読み取りは、3回以上行っても良い。
【0033】ここで、マンモプレート12から放射線画
像を読み取る際に、1回目の読み取りのサンプリングピ
ッチよりも、2回目の読み取りのサンプリングピッチを
大きくすることが好ましい。1回目の読み取り時におけ
る輝尽発光は、2回目の読み取り時における輝尽発光よ
りメリハリのないものとなり、従ってサンプリングピッ
チを細かくしても、それに応じた画質の向上は期待でき
ないからである。また、2回目の読み取り時におけるサ
ンプリングピッチを大きくすることで、読み取り時間の
短縮を図るという利点もある。
像を読み取る際に、1回目の読み取りのサンプリングピ
ッチよりも、2回目の読み取りのサンプリングピッチを
大きくすることが好ましい。1回目の読み取り時におけ
る輝尽発光は、2回目の読み取り時における輝尽発光よ
りメリハリのないものとなり、従ってサンプリングピッ
チを細かくしても、それに応じた画質の向上は期待でき
ないからである。また、2回目の読み取り時におけるサ
ンプリングピッチを大きくすることで、読み取り時間の
短縮を図るという利点もある。
【0034】更に、マンモプレート12から放射線画像
を読み取る際に、1回目に照射される励起光の強度より
も、2回目に照射される励起光の強度を高くすること
で、より強い輝尽発光を得るようにすることが好まし
い。
を読み取る際に、1回目に照射される励起光の強度より
も、2回目に照射される励起光の強度を高くすること
で、より強い輝尽発光を得るようにすることが好まし
い。
【0035】尚、図示してはいないが、画像読取部5を
固定したまま、マンモプレート12をY方向に移動させ
る構成とすることもできる。かかる場合、画像読取部5
を2つ設け、マンモプレート12がY方向に移動する間
に、2つの画像読取部5を通過するようにすることで、
マンモプレート12の同一領域に対して励起光が2回照
射されるようになるので、読み取りのために、マンモプ
レート12を同一方向に複数回移動させずに済むため、
読み取り時間の短縮が図れる。
固定したまま、マンモプレート12をY方向に移動させ
る構成とすることもできる。かかる場合、画像読取部5
を2つ設け、マンモプレート12がY方向に移動する間
に、2つの画像読取部5を通過するようにすることで、
マンモプレート12の同一領域に対して励起光が2回照
射されるようになるので、読み取りのために、マンモプ
レート12を同一方向に複数回移動させずに済むため、
読み取り時間の短縮が図れる。
【0036】そして、画像読取部5がプレート保持部4
に保持されているマンモプレート12に記録されている
放射線画像を読み取り終わると、プレート保持部4が、
保持しているマンモプレート12が収容されていたカセ
ッテスタッカ3にセットされているカセッテ9にマンモ
プレート12を略鉛直方向に搬送して収容させることが
できる所定のX方向の位置まで、X方向に移動し、画像
読取部5により放射線画像を読み取られた保持している
マンモプレート12を、このマンモプレート12が収容
されていたカセッテ9に略鉛直方向に搬送して収容させ
る。
に保持されているマンモプレート12に記録されている
放射線画像を読み取り終わると、プレート保持部4が、
保持しているマンモプレート12が収容されていたカセ
ッテスタッカ3にセットされているカセッテ9にマンモ
プレート12を略鉛直方向に搬送して収容させることが
できる所定のX方向の位置まで、X方向に移動し、画像
読取部5により放射線画像を読み取られた保持している
マンモプレート12を、このマンモプレート12が収容
されていたカセッテ9に略鉛直方向に搬送して収容させ
る。
【0037】その後、プレート保持部4が、画像読取部
5により放射線画像を読み取られた保持しているマンモ
プレート12を、このマンモプレート12が収容されて
いたカセッテ9に略鉛直方向に搬送して収容させる際
に、消去部13が、マンモプレート12に、消去光源か
らの消去光を照射することにより、画像読取部5により
放射線画像を読み取られたマンモプレート12に残って
いる残像を消去する。
5により放射線画像を読み取られた保持しているマンモ
プレート12を、このマンモプレート12が収容されて
いたカセッテ9に略鉛直方向に搬送して収容させる際
に、消去部13が、マンモプレート12に、消去光源か
らの消去光を照射することにより、画像読取部5により
放射線画像を読み取られたマンモプレート12に残って
いる残像を消去する。
【0038】これにより、マンモプレート12をカセッ
テ9に収容させることと、マンモプレート12に残って
いる残像を消去することが同時にできるので、画像読取
のためのサイクルタイムを短くすることができる。
テ9に収容させることと、マンモプレート12に残って
いる残像を消去することが同時にできるので、画像読取
のためのサイクルタイムを短くすることができる。
【0039】マンモプレート12は、支持体層上に輝尽
性蛍光体層を有し、輝尽性蛍光体(以下、蛍光体ともい
う)は、放射線発生源からの照射放射線量に対する被写
体の放射線透過率分布にしたがったエネルギーを蓄積し
て潜像を形成する蓄積性蛍光体の一種である輝尽性蛍光
体の層である。
性蛍光体層を有し、輝尽性蛍光体(以下、蛍光体ともい
う)は、放射線発生源からの照射放射線量に対する被写
体の放射線透過率分布にしたがったエネルギーを蓄積し
て潜像を形成する蓄積性蛍光体の一種である輝尽性蛍光
体の層である。
【0040】輝尽性蛍光体粒子を溶剤に分散した分散液
を塗布して蛍光体層を形成する手法と、気相堆積法によ
り蛍光体層を形成する手法とがある。前者の輝尽性蛍光
体の粒子或いは組成物としては、波長600〜900n
mの励起光により波長300〜500nmの輝尽発光光
を放出する下記のような蛍光体の粒子又は組成物を用い
ることができる。 米国特許3,859,527号に記
載されているSrS:Ce、Sm、SrS:Eu、S
m、ThO2:Er及びLa2O2S:Eu、Sm、特開
昭55−12142号に記載されているZnS:Cu、
Pb、BaO・xAl2O3:Eu(但し、0.8<x≦
10)及びMIIO・xSiO2:A(但しMII、はM
g、Ca、Sr、Zn、Cd又はBaであり、AはC
e、Tb、Eu、Tm、Pb、Tl、Bi又はMnであ
り、xは0.5≦x≦2.5である)、特開昭55−1
2143号に記載されている(Ba1-x-y,、Mgx、C
ay)FX:aEu2+(但し、XはCl及びBrのうち
の少なくとも一種であり、x及びyは、0<x+y≦
0.6、かつxy≠0であり、aは10-6≦a≦5×1
0-2である)。特開昭55−12144号に記載されて
いるLnOX:xA(但し、LnはLa、Y、Gd及び
Luのうちの少なくとも一種、XはCl及びBrのうち
の少なくとも一種、AはCe及びTbのうちの少なくと
も一種、そしてxは0<x<0.1である)、特開昭5
5−12145号に記載されている(Ba1-x,、
M2+ x)FX:yA(但し、M2+はMg、Ca、Sr、
Zn及びCdのうちの少なくとも一種、XはCl、Br
及びIのうちの少なくとも一種、AはEu、Tb、C
e、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb及びErのう
ち少なくとも一種、そしてxは0≦x≦0.6、yは0
≦y≦0.2である)。特開昭55−160078号に
記載されているMIIFX・xA:yLn(但し、MIIは
Ba、Ca、Sr、Mg、Zn及びCdのうちの少なく
とも一種、AはBeO、MgO、CaO、SrO、Ba
O、ZnO、Al2O3、Y2O3、La2O3、In2O3、
SiO2、T1O2、ZrO2、GeO2、SnO2、Nb2
O5、Ta2O5及びThO2のうちの少なくとも一種、L
nはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、N
d、Yb、Er、Sm及びGdのうちの少なくとも一
種、XはCl、Br及びIのうちの少なくとも一種であ
り、x及びyはそれぞれ5×10-5≦x≦0.5及び0
<y≦0.2である)の組成式で表される蛍光体。特開
昭56−116777号に記載されている(Ba1-x、
MIIx)F2・aBaX2:yEu、zA(但し、MIIは
べリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウ
ム、亜鉛及びカドミウムのうちの少なくとも一種、Xは
塩素、臭素及び沃素のうちの少なくとも一種、Aはジル
コニウム及びスカンジウムのうちの少なくとも一種であ
り、a、x、y及びzはそれぞれ0.5≦a≦1.2
5、0≦x≦1、10-6≦y≦2×10-1及び0<z≦
10-2である)の組成式で表される蛍光体、特開昭57
−23673号に記載されている(Ba1-x、MIIx)
F2・aBaX2:yEu、zB(但し、MIIはべリリ
ウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、亜
鉛及びカドミウムのうちの少なくとも一種、Xは塩素、
臭素及び沃素のうちの少なくとも一種であり、a、x、
y及びzはそれぞれ0.5≦a≦1.25、0≦x≦
1、10-6≦y≦2×10-1及び0<z≦2×10-lで
ある)の組成式で表される蛍光体。特開昭57−236
75号に記載されている(Ba1-x、MIIx)F2・aB
aX2:yEu、zA(但し、MIIはべリリウム、マグ
ネシウム、カルシウム、ストロンチウム、亜鉛及びカド
ミウムのうちの少なくとも一種、Xは塩素、臭素及び沃
素のうちの少なくとも一種、Aは砒素及び硅素のうちの
少なくとも一種であり、a、x、y及びzはそれぞれ
0.5≦a≦1.25、0≦x≦1、10-6≦y≦2×
10-1及び0≦z≦5×101である)の組成式で表さ
れる蛍光体。特開昭58−69281号に記載されてい
るMOX:xCe(但し、MはPr、Nd、Pm、S
m、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びB
iからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属で
あり、XはCl及びBrのうちの何れか一方或いはその
両方であり、xは0<x<0.1である)の組成式で表
される蛍光体、特開昭58−206678号に記載され
ているBa1-xMx/2Lx/ 2FX:yEu2+(但し、Mは
Li、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる
少なくとも一種のアルカリ金属を表し、LはSc、Y、
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga、In
及びTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価
金属を表し、XはCl、Br及びIからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲンを表し、そしてxは10
-2≦x≦0.5、yは0<y≦0.1である)の組成式
で表される蛍光体。特開昭59−27980号に記載さ
れているBaFX・xA:yEu2+(但し、XはCl、
Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンであり、Aはテトラフルオロホウ酸化合物の焼成
物であり、そしてxは10-6≦x≦0.1、yは0<y
≦0.1である)の組成式で表される蛍光体、特開昭5
9−47289号に記載されているBaFX・xA:y
Eu2+(但し、XはCl、Br及びIからなる群より選
ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Aはへキサフ
ルオロケイ酸、へキサフルオロチタン酸及びへキサフル
オロジルコニウム酸の一価若しくは二価金属の塩からな
るへキサフルオロ化合物群より選ばれる少なくとも一種
の化合物の焼成物であり、そしてxは10-6≦x≦0.
1、yは0<y≦0.1である)の組成式で表される蛍
光体、特開昭59−56479号に記載されているBa
FX・xNaX′:aEu2+(但し、X及びX′は、そ
れぞれCl、Br及びIのうちの少なくとも一種であ
り、x及びaはそれぞれ0<x≦2及び0<a≦0.2
である)の組成式で表される蛍光体、特開昭59−56
480号に記載されているMIIFX・xNaX′:yE
u2+:zA(但し、MIIは、Ba、Sr及びCaからな
る群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属で
あり、X及びX′はそれぞれCl、Br及びIからなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Aは
V、Cr、Mn、Fe、Co及びNiより選ばれる少な
くとも一種の遷移金属であり、そしてxは0<x≦2、
yは0<y≦0.2及びzは0<z≦10-2である)の
組成式で表される蛍光体。特開昭59−75200号に
記載されているMIIFX・aMIX′・bMIIX″2。c
MIIIX″′3・xA:yEu2+(但し、MIIはBa、S
r及びCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のア
ルカリ土類金属であり、MIはLi、Na、K、Rb及
びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカ
リ金属であり、MIIはBe及びMgからなる群より選ば
れる少なくとも一種の二価金属であり、MIIIはAl、
Ga、In及びTlからなる群より選ばれる少なくとも
一種の二価金属であり、Aは金属酸化物であり、XはC
l、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種
のハロゲンであり、X′、X″及びX″′は、F、C
l、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種
のハロゲンであり、そしてaは0≦a≦2、bは0≦b
≦10-2、cは0≦c≦10-2、かつa+b+c≧10
-6であり、xは0<x<0.5、yは0<y≦0.2で
ある)の組成式で表される蛍光体、一般式MIIX2・a
MIIX′2:xEu2+(但し、MIIはBa、Sr及びC
aからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土
類金属であり、X及びX′はCl、Br及びIからなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであって、且
つX≠X′であり、そしてaは0.1≦a≦10.0、
xは0<x<0.2である)で表される蛍光体等が挙げ
られる。尚、上記一般式MIIX2・aMIIX′2:xEu
2+で表される蛍光体には、bM IX″(但し、MIはRb
及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアル
カリ金属であり、X″はF、Cl、Br及びIからなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そし
てbは0<b≦10.0である):cKX″・dMg
X″′2・eMIIIX″″3(但し、MIIIはSc、Y、L
a、Gd及びLuからなる群より選ばれる少なくとも一
種の三価金属であり、X″、X″′及びX″″は何れも
F、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくと
も一種のハロゲンであり、そしてc、d及びeはそれぞ
れ0≦c≦2.0、0≦d≦2.0、0≦e≦2.0で
あって、かつ2×10‐ 5≦c+d+eである)、yB
(但し、yは2×10-4≦y≦2×10-1である)、及
びfA(但し、AはSiO2及びP2O5からなる群より
選ばれる少なくとも一種の酸化物であり、そしてfは1
0-4≦f≦2×10-1である)で示される添加物がMII
X2・aMIIX′21モル当たり以下の割合で含まれて
いてもよい。
を塗布して蛍光体層を形成する手法と、気相堆積法によ
り蛍光体層を形成する手法とがある。前者の輝尽性蛍光
体の粒子或いは組成物としては、波長600〜900n
mの励起光により波長300〜500nmの輝尽発光光
を放出する下記のような蛍光体の粒子又は組成物を用い
ることができる。 米国特許3,859,527号に記
載されているSrS:Ce、Sm、SrS:Eu、S
m、ThO2:Er及びLa2O2S:Eu、Sm、特開
昭55−12142号に記載されているZnS:Cu、
Pb、BaO・xAl2O3:Eu(但し、0.8<x≦
10)及びMIIO・xSiO2:A(但しMII、はM
g、Ca、Sr、Zn、Cd又はBaであり、AはC
e、Tb、Eu、Tm、Pb、Tl、Bi又はMnであ
り、xは0.5≦x≦2.5である)、特開昭55−1
2143号に記載されている(Ba1-x-y,、Mgx、C
ay)FX:aEu2+(但し、XはCl及びBrのうち
の少なくとも一種であり、x及びyは、0<x+y≦
0.6、かつxy≠0であり、aは10-6≦a≦5×1
0-2である)。特開昭55−12144号に記載されて
いるLnOX:xA(但し、LnはLa、Y、Gd及び
Luのうちの少なくとも一種、XはCl及びBrのうち
の少なくとも一種、AはCe及びTbのうちの少なくと
も一種、そしてxは0<x<0.1である)、特開昭5
5−12145号に記載されている(Ba1-x,、
M2+ x)FX:yA(但し、M2+はMg、Ca、Sr、
Zn及びCdのうちの少なくとも一種、XはCl、Br
及びIのうちの少なくとも一種、AはEu、Tb、C
e、Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb及びErのう
ち少なくとも一種、そしてxは0≦x≦0.6、yは0
≦y≦0.2である)。特開昭55−160078号に
記載されているMIIFX・xA:yLn(但し、MIIは
Ba、Ca、Sr、Mg、Zn及びCdのうちの少なく
とも一種、AはBeO、MgO、CaO、SrO、Ba
O、ZnO、Al2O3、Y2O3、La2O3、In2O3、
SiO2、T1O2、ZrO2、GeO2、SnO2、Nb2
O5、Ta2O5及びThO2のうちの少なくとも一種、L
nはEu、Tb、Ce、Tm、Dy、Pr、Ho、N
d、Yb、Er、Sm及びGdのうちの少なくとも一
種、XはCl、Br及びIのうちの少なくとも一種であ
り、x及びyはそれぞれ5×10-5≦x≦0.5及び0
<y≦0.2である)の組成式で表される蛍光体。特開
昭56−116777号に記載されている(Ba1-x、
MIIx)F2・aBaX2:yEu、zA(但し、MIIは
べリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウ
ム、亜鉛及びカドミウムのうちの少なくとも一種、Xは
塩素、臭素及び沃素のうちの少なくとも一種、Aはジル
コニウム及びスカンジウムのうちの少なくとも一種であ
り、a、x、y及びzはそれぞれ0.5≦a≦1.2
5、0≦x≦1、10-6≦y≦2×10-1及び0<z≦
10-2である)の組成式で表される蛍光体、特開昭57
−23673号に記載されている(Ba1-x、MIIx)
F2・aBaX2:yEu、zB(但し、MIIはべリリ
ウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、亜
鉛及びカドミウムのうちの少なくとも一種、Xは塩素、
臭素及び沃素のうちの少なくとも一種であり、a、x、
y及びzはそれぞれ0.5≦a≦1.25、0≦x≦
1、10-6≦y≦2×10-1及び0<z≦2×10-lで
ある)の組成式で表される蛍光体。特開昭57−236
75号に記載されている(Ba1-x、MIIx)F2・aB
aX2:yEu、zA(但し、MIIはべリリウム、マグ
ネシウム、カルシウム、ストロンチウム、亜鉛及びカド
ミウムのうちの少なくとも一種、Xは塩素、臭素及び沃
素のうちの少なくとも一種、Aは砒素及び硅素のうちの
少なくとも一種であり、a、x、y及びzはそれぞれ
0.5≦a≦1.25、0≦x≦1、10-6≦y≦2×
10-1及び0≦z≦5×101である)の組成式で表さ
れる蛍光体。特開昭58−69281号に記載されてい
るMOX:xCe(但し、MはPr、Nd、Pm、S
m、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びB
iからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属で
あり、XはCl及びBrのうちの何れか一方或いはその
両方であり、xは0<x<0.1である)の組成式で表
される蛍光体、特開昭58−206678号に記載され
ているBa1-xMx/2Lx/ 2FX:yEu2+(但し、Mは
Li、Na、K、Rb及びCsからなる群より選ばれる
少なくとも一種のアルカリ金属を表し、LはSc、Y、
La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、D
y、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga、In
及びTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価
金属を表し、XはCl、Br及びIからなる群より選ば
れる少なくとも一種のハロゲンを表し、そしてxは10
-2≦x≦0.5、yは0<y≦0.1である)の組成式
で表される蛍光体。特開昭59−27980号に記載さ
れているBaFX・xA:yEu2+(但し、XはCl、
Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種のハ
ロゲンであり、Aはテトラフルオロホウ酸化合物の焼成
物であり、そしてxは10-6≦x≦0.1、yは0<y
≦0.1である)の組成式で表される蛍光体、特開昭5
9−47289号に記載されているBaFX・xA:y
Eu2+(但し、XはCl、Br及びIからなる群より選
ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Aはへキサフ
ルオロケイ酸、へキサフルオロチタン酸及びへキサフル
オロジルコニウム酸の一価若しくは二価金属の塩からな
るへキサフルオロ化合物群より選ばれる少なくとも一種
の化合物の焼成物であり、そしてxは10-6≦x≦0.
1、yは0<y≦0.1である)の組成式で表される蛍
光体、特開昭59−56479号に記載されているBa
FX・xNaX′:aEu2+(但し、X及びX′は、そ
れぞれCl、Br及びIのうちの少なくとも一種であ
り、x及びaはそれぞれ0<x≦2及び0<a≦0.2
である)の組成式で表される蛍光体、特開昭59−56
480号に記載されているMIIFX・xNaX′:yE
u2+:zA(但し、MIIは、Ba、Sr及びCaからな
る群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属で
あり、X及びX′はそれぞれCl、Br及びIからなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Aは
V、Cr、Mn、Fe、Co及びNiより選ばれる少な
くとも一種の遷移金属であり、そしてxは0<x≦2、
yは0<y≦0.2及びzは0<z≦10-2である)の
組成式で表される蛍光体。特開昭59−75200号に
記載されているMIIFX・aMIX′・bMIIX″2。c
MIIIX″′3・xA:yEu2+(但し、MIIはBa、S
r及びCaからなる群より選ばれる少なくとも一種のア
ルカリ土類金属であり、MIはLi、Na、K、Rb及
びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカ
リ金属であり、MIIはBe及びMgからなる群より選ば
れる少なくとも一種の二価金属であり、MIIIはAl、
Ga、In及びTlからなる群より選ばれる少なくとも
一種の二価金属であり、Aは金属酸化物であり、XはC
l、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種
のハロゲンであり、X′、X″及びX″′は、F、C
l、Br及びIからなる群より選ばれる少なくとも一種
のハロゲンであり、そしてaは0≦a≦2、bは0≦b
≦10-2、cは0≦c≦10-2、かつa+b+c≧10
-6であり、xは0<x<0.5、yは0<y≦0.2で
ある)の組成式で表される蛍光体、一般式MIIX2・a
MIIX′2:xEu2+(但し、MIIはBa、Sr及びC
aからなる群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土
類金属であり、X及びX′はCl、Br及びIからなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであって、且
つX≠X′であり、そしてaは0.1≦a≦10.0、
xは0<x<0.2である)で表される蛍光体等が挙げ
られる。尚、上記一般式MIIX2・aMIIX′2:xEu
2+で表される蛍光体には、bM IX″(但し、MIはRb
及びCsからなる群より選ばれる少なくとも一種のアル
カリ金属であり、X″はF、Cl、Br及びIからなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、そし
てbは0<b≦10.0である):cKX″・dMg
X″′2・eMIIIX″″3(但し、MIIIはSc、Y、L
a、Gd及びLuからなる群より選ばれる少なくとも一
種の三価金属であり、X″、X″′及びX″″は何れも
F、Cl、Br及びIからなる群より選ばれる少なくと
も一種のハロゲンであり、そしてc、d及びeはそれぞ
れ0≦c≦2.0、0≦d≦2.0、0≦e≦2.0で
あって、かつ2×10‐ 5≦c+d+eである)、yB
(但し、yは2×10-4≦y≦2×10-1である)、及
びfA(但し、AはSiO2及びP2O5からなる群より
選ばれる少なくとも一種の酸化物であり、そしてfは1
0-4≦f≦2×10-1である)で示される添加物がMII
X2・aMIIX′21モル当たり以下の割合で含まれて
いてもよい。
【0041】以上の蛍光体のうち、二価ユーロビウム賦
活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体、二価ユ
ーロビウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体
及び希土類元素賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体
は高輝度の輝尽発光を示すので特に好ましい。しかし、
本発明に用いられる輝尽性蛍光体は上述の蛍光体に限ら
れるものではなく、放射線を照射した後に波長600〜
900nmの励起光を照射すると波長300〜560n
mの輝尽発光光を放出する蛍光体であればいかなるもの
であってもよい。
活アルカリ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体、二価ユ
ーロビウム賦活アルカリ土類金属ハロゲン化物系蛍光体
及び希土類元素賦活希土類オキシハロゲン化物系蛍光体
は高輝度の輝尽発光を示すので特に好ましい。しかし、
本発明に用いられる輝尽性蛍光体は上述の蛍光体に限ら
れるものではなく、放射線を照射した後に波長600〜
900nmの励起光を照射すると波長300〜560n
mの輝尽発光光を放出する蛍光体であればいかなるもの
であってもよい。
【0042】分散タイプの蛍光体層の結合剤の例として
は、ゼラチン等の蛋白質、デキストラン等のポリサッカ
ライド又はアラビアゴムのような天然高分子物質、及び
ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロ
ース、エチルセルロース、塩化ビニリデン・塩化ビニル
コポリマー、ポリアルキル(メタ)アクリレート、塩化
ビニル・酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタン、セルロ
ースアセテートブチレート、ポリビニルアルコール、線
状ポリエステル等のような合成高分子物質等により代表
される結合剤を挙げることができ、これらの結合剤が架
橋剤によって架橋されていてもよい。このような結合剤
のなかで好ましいのは、支持体に不作用の溶媒を用いる
ことができる結合剤や反射防止膜の溶媒に不溶の結合剤
である。
は、ゼラチン等の蛋白質、デキストラン等のポリサッカ
ライド又はアラビアゴムのような天然高分子物質、及び
ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロ
ース、エチルセルロース、塩化ビニリデン・塩化ビニル
コポリマー、ポリアルキル(メタ)アクリレート、塩化
ビニル・酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタン、セルロ
ースアセテートブチレート、ポリビニルアルコール、線
状ポリエステル等のような合成高分子物質等により代表
される結合剤を挙げることができ、これらの結合剤が架
橋剤によって架橋されていてもよい。このような結合剤
のなかで好ましいのは、支持体に不作用の溶媒を用いる
ことができる結合剤や反射防止膜の溶媒に不溶の結合剤
である。
【0043】上述のような結合剤の溶媒としては、メタ
ノール、エタノール、n−プロパノール、n−ブタノー
ル等の低級アルコール;メチレンクロライド、エチレン
クロライド等の塩素原子含有炭化水素;アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン;
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルとの低級脂肪酸と
低級アルコールとのエステル;ジオキサン、エチレング
リコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ
メチルエーテル等のエーテル;これらの混合物を挙げる
ことができる。そこで、支持体にプラスチックシートを
用いたときは、支持体に不作用の溶媒とそれに応じた結
合剤を用いることが好ましい。
ノール、エタノール、n−プロパノール、n−ブタノー
ル等の低級アルコール;メチレンクロライド、エチレン
クロライド等の塩素原子含有炭化水素;アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン;
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルとの低級脂肪酸と
低級アルコールとのエステル;ジオキサン、エチレング
リコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ
メチルエーテル等のエーテル;これらの混合物を挙げる
ことができる。そこで、支持体にプラスチックシートを
用いたときは、支持体に不作用の溶媒とそれに応じた結
合剤を用いることが好ましい。
【0044】結合剤を用いる場合、結合剤と輝尽性蛍光
体との混合比は、目的とするマンモプレートの特性、蛍
光体の種類などによって異なるが、一般には1:1乃至
1:100(重量比)の範囲から選ばれ、そして特に
1:8乃至1:40(重量比)の範囲から選ぶことが好
ましい。そして、溶媒により蛍光体を分散した結合剤溶
液の塗布液を調製するが、塗布液には蛍光体粒子の分散
性を向上させるための分散剤、蛍光体層中の結合剤と蛍
光体粒子の結合力を向上させるための可塑剤等種々の添
加剤を混合してもよい。用いられる分散剤の例として
は、フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面
活性剤などを挙げることができる。又可塑剤の例として
は、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、燐酸ジフェ
ニル等の燐酸エステル;フタル酸ジエチル、フタル酸ジ
メトキシエチル等のフタル酸エステル;グリコール酸エ
チルフタリルエチル、グリコール酸ブチルフタリルブチ
ル等のグリコール酸エステル;そして、トリエチレング
リコールとアジピン酸とのポリエステル、ジエチレング
リコールとコハク酸とのポリエステル等のポリエチレン
グリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエステルなどを挙
げることができる。
体との混合比は、目的とするマンモプレートの特性、蛍
光体の種類などによって異なるが、一般には1:1乃至
1:100(重量比)の範囲から選ばれ、そして特に
1:8乃至1:40(重量比)の範囲から選ぶことが好
ましい。そして、溶媒により蛍光体を分散した結合剤溶
液の塗布液を調製するが、塗布液には蛍光体粒子の分散
性を向上させるための分散剤、蛍光体層中の結合剤と蛍
光体粒子の結合力を向上させるための可塑剤等種々の添
加剤を混合してもよい。用いられる分散剤の例として
は、フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面
活性剤などを挙げることができる。又可塑剤の例として
は、燐酸トリフェニル、燐酸トリクレジル、燐酸ジフェ
ニル等の燐酸エステル;フタル酸ジエチル、フタル酸ジ
メトキシエチル等のフタル酸エステル;グリコール酸エ
チルフタリルエチル、グリコール酸ブチルフタリルブチ
ル等のグリコール酸エステル;そして、トリエチレング
リコールとアジピン酸とのポリエステル、ジエチレング
リコールとコハク酸とのポリエステル等のポリエチレン
グリコールと脂肪族二塩基酸とのポリエステルなどを挙
げることができる。
【0045】又、マンモプレート12の着色剤濃度が、
0.01〜0.1wt%であると、マンモプレート12
の裏面からよりも表面から、より効率的に輝尽発光を得
ることができる。マンモプレート12に使用される着色
剤としては、それに用いられる輝尽性蛍光体の励起波長
領域における平均反射率が該輝尽性蛍光体の輝尽発光波
長における平均反射率よりも小さいような反射特性を有
するものが用いられる。従って、いかなる着色剤を用い
るかはマンモプレートに用いる輝尽性蛍光体の種類によ
って決まる。マンモプレート用の輝尽性蛍光体として
は、通常、波長が400〜900nmの範囲にある励起
光によって300〜500nmの波長範囲の輝尽発光を
示す蛍光体が用いられる。このため、着色剤としては通
常、青色〜緑色の有機系もしくは無機系の着色剤が用い
られる。
0.01〜0.1wt%であると、マンモプレート12
の裏面からよりも表面から、より効率的に輝尽発光を得
ることができる。マンモプレート12に使用される着色
剤としては、それに用いられる輝尽性蛍光体の励起波長
領域における平均反射率が該輝尽性蛍光体の輝尽発光波
長における平均反射率よりも小さいような反射特性を有
するものが用いられる。従って、いかなる着色剤を用い
るかはマンモプレートに用いる輝尽性蛍光体の種類によ
って決まる。マンモプレート用の輝尽性蛍光体として
は、通常、波長が400〜900nmの範囲にある励起
光によって300〜500nmの波長範囲の輝尽発光を
示す蛍光体が用いられる。このため、着色剤としては通
常、青色〜緑色の有機系もしくは無機系の着色剤が用い
られる。
【0046】青色〜緑色の有機系着色剤の例としては、
ザボンファーストブルー3G(へキスト社製)、エスト
ロールブリルブルーN−3RL(住友化学(株)製)、
スミアクリルブルーF−GSL(住友化学(株)製)、
D&CブルーNo1(ナショナル・アニリン社製)、ス
ピリットブルー(保土谷化学(株)製)、オイルブルー
No603(オリエント(株)製)、キトンブルーA
(チバ・ガイギー社製)、アイゼンカチロンブルーGL
H(保土谷化学(株)製)、レイクブルーA、F、H
(協和産業(株)製)、ローダリンブルー6GX(協和
産業(株)製)、ブリモシアニン6GX(稲畑産業
(株)製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化
学(株)製)、シアニンブルーBNRS(東洋インキ
(株)製)、ライオノルブルーSL(東洋インキ(株)
製)が挙げられる。青色〜緑色の無機系着色剤の例とし
ては、群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化
クロム、TiO2−ZnO−CoO−NiO系顔料が挙
げられる。
ザボンファーストブルー3G(へキスト社製)、エスト
ロールブリルブルーN−3RL(住友化学(株)製)、
スミアクリルブルーF−GSL(住友化学(株)製)、
D&CブルーNo1(ナショナル・アニリン社製)、ス
ピリットブルー(保土谷化学(株)製)、オイルブルー
No603(オリエント(株)製)、キトンブルーA
(チバ・ガイギー社製)、アイゼンカチロンブルーGL
H(保土谷化学(株)製)、レイクブルーA、F、H
(協和産業(株)製)、ローダリンブルー6GX(協和
産業(株)製)、ブリモシアニン6GX(稲畑産業
(株)製)、ブリルアシッドグリーン6BH(保土谷化
学(株)製)、シアニンブルーBNRS(東洋インキ
(株)製)、ライオノルブルーSL(東洋インキ(株)
製)が挙げられる。青色〜緑色の無機系着色剤の例とし
ては、群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化
クロム、TiO2−ZnO−CoO−NiO系顔料が挙
げられる。
【0047】一方、輝尽性蛍光体層は、あらかじめ輝尽
性蛍光体または分散剤等をバインダー液中に懸濁、溶解
させて調合した蛍光体塗料を単層もしくは性能別に分け
て複層に塗設する塗布法以外にも、真空蒸着法(以下適
宜単に「蒸着法」と記す)、スパッタリング法、CVD
法、イオンプレーティング法等の気相堆積法によって形
成することができる。これらについて、以下に説明す
る。
性蛍光体または分散剤等をバインダー液中に懸濁、溶解
させて調合した蛍光体塗料を単層もしくは性能別に分け
て複層に塗設する塗布法以外にも、真空蒸着法(以下適
宜単に「蒸着法」と記す)、スパッタリング法、CVD
法、イオンプレーティング法等の気相堆積法によって形
成することができる。これらについて、以下に説明す
る。
【0048】蒸着法により輝尽性蛍光体層を形成する場
合には、支持体を蒸着装置内に設置した後、蒸着装置内
を排気して10-6Torr程度の真空度とする。次い
で、輝尽性蛍光体の少なくとも1種を抵抗加熱法、電子
ビーム法等の方法により加熱蒸発させて、支持体の金属
表面に輝尽性蛍光体を所定の厚さに堆積させる。
合には、支持体を蒸着装置内に設置した後、蒸着装置内
を排気して10-6Torr程度の真空度とする。次い
で、輝尽性蛍光体の少なくとも1種を抵抗加熱法、電子
ビーム法等の方法により加熱蒸発させて、支持体の金属
表面に輝尽性蛍光体を所定の厚さに堆積させる。
【0049】この結果、バインダーを含有しない輝尽性
蛍光体層が形成されるが、蒸着工程では複数回に分けて
輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また蒸着
工程では、複数の抵抗加熱器または電子ビームを用いて
共蒸着を行うことも可能である。
蛍光体層が形成されるが、蒸着工程では複数回に分けて
輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また蒸着
工程では、複数の抵抗加熱器または電子ビームを用いて
共蒸着を行うことも可能である。
【0050】蒸着終了後、必要に応じて輝尽性蛍光体層
の支持体側とは反対側の面に直接または空隙を介して保
護層を設けることにより本発明のマンモプレートが製造
される。なお、保護層上に直接輝尽性蛍光体層を設ける
場合には、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、こ
れを支持体に設ける手順を採ってもよい。
の支持体側とは反対側の面に直接または空隙を介して保
護層を設けることにより本発明のマンモプレートが製造
される。なお、保護層上に直接輝尽性蛍光体層を設ける
場合には、保護層上に輝尽性蛍光体層を形成した後、こ
れを支持体に設ける手順を採ってもよい。
【0051】また、蒸着法においては、輝尽性蛍光体原
料を複数の抵抗加熱器または電子ビームを用いて共蒸着
し、支持体の金属表面上で目的とする輝尽性蛍光体を合
成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。
料を複数の抵抗加熱器または電子ビームを用いて共蒸着
し、支持体の金属表面上で目的とする輝尽性蛍光体を合
成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能で
ある。
【0052】さらに、蒸着法においては、蒸着時、必要
に応じて被蒸着物(支持体または保護層)を冷却または
加熱してもよい。また、蒸着終了後に輝尽性蛍光体層を
加熱処理(アニーリング)してもよい。或いは、蒸着法
においては、必要に応じてO 2,H2,等のガスを導入し
て反応性蒸着を行ってもよい。
に応じて被蒸着物(支持体または保護層)を冷却または
加熱してもよい。また、蒸着終了後に輝尽性蛍光体層を
加熱処理(アニーリング)してもよい。或いは、蒸着法
においては、必要に応じてO 2,H2,等のガスを導入し
て反応性蒸着を行ってもよい。
【0053】スパッタリング法により輝尽性蛍光体層を
形成する場合には、蒸着法と同様に金属表面を有する支
持体をスパッタリング装置内に配置した後、装置内を一
旦排気して10-6Torr程度の真空度とし、次いで、
スパッタリング用のガスとしてAr,Ne等の不活性ガ
スをスパッタリング装置内に導入して、10-3Torr
程度のガス圧とする。
形成する場合には、蒸着法と同様に金属表面を有する支
持体をスパッタリング装置内に配置した後、装置内を一
旦排気して10-6Torr程度の真空度とし、次いで、
スパッタリング用のガスとしてAr,Ne等の不活性ガ
スをスパッタリング装置内に導入して、10-3Torr
程度のガス圧とする。
【0054】次に、輝尽性蛍光体をターゲットとして、
スパッタリングすることにより、支持体に輝尽性蛍光休
層を所定の厚さに堆積させる。
スパッタリングすることにより、支持体に輝尽性蛍光休
層を所定の厚さに堆積させる。
【0055】このスパッタリング工程では、蒸着法と同
様に復数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可
能である。また、それぞれ異なった輝尽性蛍光体からな
る複数のターゲットを用いて、同時または順次、ターゲ
ットをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を形成するこ
とも可能である。
様に復数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可
能である。また、それぞれ異なった輝尽性蛍光体からな
る複数のターゲットを用いて、同時または順次、ターゲ
ットをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を形成するこ
とも可能である。
【0056】スパッタリング終了後、蒸着法と同様に必
要に応じて輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に直
接または空隙を介して保譲層を設けることにより、本発
明のマンモプレートが製造される。なお、保護層上に直
接輝尽性蛍光俸層を設ける場合には、保護層上に輝尽性
蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順を採っても
よい。
要に応じて輝尽性蛍光体層の支持体側とは反対の側に直
接または空隙を介して保譲層を設けることにより、本発
明のマンモプレートが製造される。なお、保護層上に直
接輝尽性蛍光俸層を設ける場合には、保護層上に輝尽性
蛍光体層を形成した後、支持体を設ける手順を採っても
よい。
【0057】スパッタリング法においては、複数の輝尽
性蛍光体原料をターゲットとして用い、これを同時また
は順次スパッタリングして、支持体の金属表面上で目的
とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に、輝尽性蛍光体
層を形成することも可能である。また、スパッタリング
法においては、必要に応じてO2,H3,等のガスを導入
して反応性スパッタリングを行ってもよい.
性蛍光体原料をターゲットとして用い、これを同時また
は順次スパッタリングして、支持体の金属表面上で目的
とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に、輝尽性蛍光体
層を形成することも可能である。また、スパッタリング
法においては、必要に応じてO2,H3,等のガスを導入
して反応性スパッタリングを行ってもよい.
【0058】さらに、スパッタリング法においては、ス
パッタリング時に必要に応じて被蒸着物(支持体または
保護層)を冷却または加熱してもよい。また、スパッタ
リング終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
パッタリング時に必要に応じて被蒸着物(支持体または
保護層)を冷却または加熱してもよい。また、スパッタ
リング終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【0059】気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成工
程において、輝尽性蛍光体層の堆積速度は0.1〜50
μm/分が好ましい。堆積速度があまり小さいと生産性
が低くなり、堆積速度があまり大きいと堆積速度のコン
トロールが困難となる。
程において、輝尽性蛍光体層の堆積速度は0.1〜50
μm/分が好ましい。堆積速度があまり小さいと生産性
が低くなり、堆積速度があまり大きいと堆積速度のコン
トロールが困難となる。
【0060】また、気相堆積法による輝尽性蛍光体層の
形成工程において、支持体の温度は400℃以下が好ま
しい。この温度があまり高いときは、結晶化の進行によ
り画像の鮮鋭性が低下しやすい。
形成工程において、支持体の温度は400℃以下が好ま
しい。この温度があまり高いときは、結晶化の進行によ
り画像の鮮鋭性が低下しやすい。
【0061】画像の鮮鋭性を上げるために、着色剤を溶
剤に分散させた液を結晶隙間に塗布或いは浸漬させて室
温で乾燥させるとよい。溶剤は、アセトン、メチルエチ
ルケトン、トリクロロエチレン、四塩化炭素、塩化メチ
レン、1.1.1−トリクロルエタン、炭化水素系溶剤
などを用いることができる。着色剤は、塗布に用いたも
のと同じ着色剤を用いることができる。
剤に分散させた液を結晶隙間に塗布或いは浸漬させて室
温で乾燥させるとよい。溶剤は、アセトン、メチルエチ
ルケトン、トリクロロエチレン、四塩化炭素、塩化メチ
レン、1.1.1−トリクロルエタン、炭化水素系溶剤
などを用いることができる。着色剤は、塗布に用いたも
のと同じ着色剤を用いることができる。
【0062】更に、支持体と結晶間には波長を選択的に
反射させる反射層を設けても良い。マンモプレートとし
てはレーザ励起波長領域の反射率を50%以下、好まし
くは5%以下、輝尽発光領域の反射率を70%以上好ま
しくは90%以上の反射層を設けると好ましい。反射層
の製膜方法としては、気相堆積法が挙げられるがこれに
限定されるものではない。
反射させる反射層を設けても良い。マンモプレートとし
てはレーザ励起波長領域の反射率を50%以下、好まし
くは5%以下、輝尽発光領域の反射率を70%以上好ま
しくは90%以上の反射層を設けると好ましい。反射層
の製膜方法としては、気相堆積法が挙げられるがこれに
限定されるものではない。
【0063】消去部13の消去光源は、発光波長660
nmの材質がGaAlAsである発光ダイオードが用い
られ、消去時のマンモプレート12の移動速度は、25
mm/secであるが、マンモプレート12の画像記録
に応じて可変可能である。
nmの材質がGaAlAsである発光ダイオードが用い
られ、消去時のマンモプレート12の移動速度は、25
mm/secであるが、マンモプレート12の画像記録
に応じて可変可能である。
【0064】また、消去部13の消去光源は、断続的に
パルス点灯する。そして、このパルス駆動の周波数は1
kHz程度で、デューティ比は70%程度であるので、
特に、マンモプレート12に残っている残像を良好に消
去することができる。
パルス点灯する。そして、このパルス駆動の周波数は1
kHz程度で、デューティ比は70%程度であるので、
特に、マンモプレート12に残っている残像を良好に消
去することができる。
【0065】また、画像読取部5は、放射線画像読取装
置1の装置本体2に内蔵され、操作部7の下方位置に配
置されている。画像読取部5に備えられる副走査部50
が、主走査部51を副走査方向へ搬送する。
置1の装置本体2に内蔵され、操作部7の下方位置に配
置されている。画像読取部5に備えられる副走査部50
が、主走査部51を副走査方向へ搬送する。
【0066】副走査部50は、図4、図5及び図6に示
すように、マンモプレート12に対面する方向のガイド
軸500とボールネジ501が平行に配置されている。
ガイド軸500が上方に位置し、ボールネジ501が下
方に位置し、このガイド軸500とボールネジ501に
より主走査部51が縦に保持され、水平に移動可能にな
っている。
すように、マンモプレート12に対面する方向のガイド
軸500とボールネジ501が平行に配置されている。
ガイド軸500が上方に位置し、ボールネジ501が下
方に位置し、このガイド軸500とボールネジ501に
より主走査部51が縦に保持され、水平に移動可能にな
っている。
【0067】ボールネジ501にはダイレクトドライブ
モータ502が設けられ、ダイレクトドライブモータ5
02の駆動によりボールネジ501が回転して主走査部
51を副走査方向へ移動させる。
モータ502が設けられ、ダイレクトドライブモータ5
02の駆動によりボールネジ501が回転して主走査部
51を副走査方向へ移動させる。
【0068】主走査部51は図6に示すように、レーザ
ビーム発生部510、ポリゴンミラー511、集光体5
12を構成するfθレンズ、反射鏡513、受光部51
4等を一体的に構成してある。レーザビーム発生部51
0は、光源としてガスレーザ固体レーザ、半導体レーザ
等を有する。レーザビーム発生部510は励起光として
射出強度が強制されたレーザビームを発生する。
ビーム発生部510、ポリゴンミラー511、集光体5
12を構成するfθレンズ、反射鏡513、受光部51
4等を一体的に構成してある。レーザビーム発生部51
0は、光源としてガスレーザ固体レーザ、半導体レーザ
等を有する。レーザビーム発生部510は励起光として
射出強度が強制されたレーザビームを発生する。
【0069】レーザビームは光学系を経由してポリゴン
ミラー511に到達して、そこで偏向を受けて、集光体
512を構成するfθレンズで集光させて、反射鏡51
3で光路を偏向させてマンモプレート12に輝尽励起用
の走査光として導かれる。上記レーザビームで走査され
た畜積性蛍光体プレート12が発する輝尽発光を受光部
514で受光して画像の読取を行う。受光部514に
は、長尺フォトマルチプライヤ514aと平板集光板5
14bを用いて構成されている。
ミラー511に到達して、そこで偏向を受けて、集光体
512を構成するfθレンズで集光させて、反射鏡51
3で光路を偏向させてマンモプレート12に輝尽励起用
の走査光として導かれる。上記レーザビームで走査され
た畜積性蛍光体プレート12が発する輝尽発光を受光部
514で受光して画像の読取を行う。受光部514に
は、長尺フォトマルチプライヤ514aと平板集光板5
14bを用いて構成されている。
【0070】長尺フォトマルチプライヤ514aに入射
して、その入射光に対応した電気信号に光電変換され
る。即ち輝尽発光は、平板集光体514bを経て長尺フ
ォトマルチプライヤ514aに入射して光電変換される
ので、放射線画像に対応した出力電流が得られる。長尺
フォトマルチプライヤ514aからの出力電流は、読取
制御部61内部の図示しない電流/電圧変換器で電圧信
号に変換され、図示しない増幅器で増幅された後、A/
D変換器でデジタル画像信号に変換される。そして、デ
ジタル画像信号は、メインCPU60に順次出力され、
ここで階調処理等の各種画像処理を施されたのちに、画
像用ディスク63にそのまま記憶されたり、又は、CR
T70に表示されたりする。
して、その入射光に対応した電気信号に光電変換され
る。即ち輝尽発光は、平板集光体514bを経て長尺フ
ォトマルチプライヤ514aに入射して光電変換される
ので、放射線画像に対応した出力電流が得られる。長尺
フォトマルチプライヤ514aからの出力電流は、読取
制御部61内部の図示しない電流/電圧変換器で電圧信
号に変換され、図示しない増幅器で増幅された後、A/
D変換器でデジタル画像信号に変換される。そして、デ
ジタル画像信号は、メインCPU60に順次出力され、
ここで階調処理等の各種画像処理を施されたのちに、画
像用ディスク63にそのまま記憶されたり、又は、CR
T70に表示されたりする。
【0071】読取制御部61には、ポリゴンミラー51
1からの各種同期信号、及び副走査の開始位置を検出す
るフォトセンサ(図示せず)からの原点位置検出信号な
どが入力されるようになっており、ポリゴンミラー51
1による主走査に同期させつつ開始位置から主走査部5
1を副走査方向に所定速度で移動させる。
1からの各種同期信号、及び副走査の開始位置を検出す
るフォトセンサ(図示せず)からの原点位置検出信号な
どが入力されるようになっており、ポリゴンミラー51
1による主走査に同期させつつ開始位置から主走査部5
1を副走査方向に所定速度で移動させる。
【0072】以上のごとく2回の読み取りによって得ら
れた2つの画像データは、画像用ディスク63(図2)
に一旦格納され、その後メインCPU60で合成のため
の画像処理を施される。尚、画像を合成する際は、1回
目の読み取りによって得られたデータと、2回目の読み
取りによって得られたデータとの加算比率を、例えば
1:0.5〜0.1、好ましくは1:0.4〜0.2と
するように、重み付けを行って画像処理することが好ま
しい。マンモプレート12の同一領域において、1回目
の読み取り時における輝尽発光は、2回目の読み取り時
における輝尽発光よりメリハリのないものとなり、従っ
て1回目の読み取りによって得られたデータに基づく画
像は、2回目の読み取りによって得られたデータに基づ
く画像よりも鮮鋭性に優れるからである。かかる画像処
理においては、多重解像度処理を行うと好ましい。多重
解像度処理に関しては、特開平11−345331号
(特願平10−154383号)に開示されているの
で、詳細は説明しない。
れた2つの画像データは、画像用ディスク63(図2)
に一旦格納され、その後メインCPU60で合成のため
の画像処理を施される。尚、画像を合成する際は、1回
目の読み取りによって得られたデータと、2回目の読み
取りによって得られたデータとの加算比率を、例えば
1:0.5〜0.1、好ましくは1:0.4〜0.2と
するように、重み付けを行って画像処理することが好ま
しい。マンモプレート12の同一領域において、1回目
の読み取り時における輝尽発光は、2回目の読み取り時
における輝尽発光よりメリハリのないものとなり、従っ
て1回目の読み取りによって得られたデータに基づく画
像は、2回目の読み取りによって得られたデータに基づ
く画像よりも鮮鋭性に優れるからである。かかる画像処
理においては、多重解像度処理を行うと好ましい。多重
解像度処理に関しては、特開平11−345331号
(特願平10−154383号)に開示されているの
で、詳細は説明しない。
【0073】このような画像処理を行うことで得られた
合成画像は、S/N比が小さく、高画質な画像となる。
合成画像は、S/N比が小さく、高画質な画像となる。
【0074】更に、本実施の形態の変形例として、マン
モプレート12と画像読取部5との相対移動方向(Y方
向)とは異なる方向に、反射手段としてのガルバノミラ
ーを用いて励起光を往復走査させると、同一方向に走査
させながら読み取る場合に比べ、読み取り時間の短縮が
図れる。
モプレート12と画像読取部5との相対移動方向(Y方
向)とは異なる方向に、反射手段としてのガルバノミラ
ーを用いて励起光を往復走査させると、同一方向に走査
させながら読み取る場合に比べ、読み取り時間の短縮が
図れる。
【0075】図7は、かかる変形例と従来例との走査を
比較して示す図である。図7(a)に示す従来例では、
マンモプレート12上の励起光の走査は、マンモプレー
トを12を画像読取部5に対してY方向に相対移動させ
つつ、左から右に繰り返し(、、・・)行われる
ようになっている。これに対し、本変形例においては、
図7(b)に示すように、マンモプレート12上の励起
光の走査は、まず左から右に()行ったら、ガルバノ
ミラー(不図示)を戻す間を利用して、右から左へ
()と走査し、更に左から右に()走査し、これを
繰り返すようになっている。
比較して示す図である。図7(a)に示す従来例では、
マンモプレート12上の励起光の走査は、マンモプレー
トを12を画像読取部5に対してY方向に相対移動させ
つつ、左から右に繰り返し(、、・・)行われる
ようになっている。これに対し、本変形例においては、
図7(b)に示すように、マンモプレート12上の励起
光の走査は、まず左から右に()行ったら、ガルバノ
ミラー(不図示)を戻す間を利用して、右から左へ
()と走査し、更に左から右に()走査し、これを
繰り返すようになっている。
【0076】このようにすることで、左から右に走査し
たときに得られた画像データと、右から左に走査したと
きに得られた画像データとを記憶できるため、これらを
合成することで、高画質な画像を得ることができ、しか
も読み取り時間は、従来と変わらないという利点も得ら
れる。
たときに得られた画像データと、右から左に走査したと
きに得られた画像データとを記憶できるため、これらを
合成することで、高画質な画像を得ることができ、しか
も読み取り時間は、従来と変わらないという利点も得ら
れる。
【0077】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、既
存のマンモプレートの構成を変えることなく、より高画
質な放射線画像を得ることができる放射性画像読取装置
を提供することができる。
存のマンモプレートの構成を変えることなく、より高画
質な放射線画像を得ることができる放射性画像読取装置
を提供することができる。
【図1】本発明の実施の形態にかかる放射線画像読取装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【図2】本実施の形態の放射線画像読取装置の制御ブロ
ック図である。
ック図である。
【図3】本実施の形態にかかる放射線画像読取装置の斜
視図である。
視図である。
【図4】本実施の形態にかかる放射線画像読取装置の正
面図である。
面図である。
【図5】本実施の形態にかかる放射線画像読取装置の左
側面図である。
側面図である。
【図6】放射線画像読取装置の主走査部の光学系を示す
図である。
図である。
【図7】本実施の形態の変形例と従来例との走査を比較
して示す図である。
して示す図である。
1 放射線画像読取装置 5 画像読取部 6 システム制御部 7 操作部 8 電源部 12 マンモプレート
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G21K 4/00 A61B 6/00 350P H04N 1/04 H04N 1/04 E
Claims (7)
- 【請求項1】 放射線画像を記録したマンモプレートに
励起光を照射することにより、前記マンモプレートから
発光する輝尽発光を受光してデータに変換することで画
像を読み取る画像読取部を有する放射線画像読取装置に
おいて、前記マンモプレートを少なくとも2回読み取る
ことで得られたデータを重ね合わせ処理することによっ
て、放射線画像に対応した画像データを取得することを
特徴とする放射線画像読取装置。 - 【請求項2】 先の読み取りによって得られたデータに
対し、後の読み取りによって得られたデータに1未満の
重み付けを行って画像処理することを特徴とする請求項
1に記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項3】 前記マンモプレートから画像を読み取る
際に、先の読み取りのサンプリングピッチよりも、後の
読み取りのサンプリングピッチを大きくすることを特徴
とする請求項1又は2に記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項4】 前記マンモプレートから画像を読み取る
際に、先に照射される励起光の強度よりも、後に照射さ
れる励起光の強度を高くすることを特徴とする請求項1
乃至3のいずれかに記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項5】 前記マンモプレートと画像読取部とを同
一方向に相対移動する間に、前記マンモプレートの同一
領域に対して励起光が少なくとも2回照射されるように
なっていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか
に記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項6】 前記マンモプレートと前記画像読取部と
の相対移動方向とは異なる方向に、反射手段を用いて励
起光を往復走査することを特徴とする請求項1乃至5の
いずれかに記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項7】 前記重ね合わせ処理を行う際に、多重解
像度処理を行うことを特徴とする請求項1乃至6のいず
れかに記載の放射線画像読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000352310A JP2002153449A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | 放射線画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000352310A JP2002153449A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | 放射線画像読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002153449A true JP2002153449A (ja) | 2002-05-28 |
Family
ID=18825231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000352310A Pending JP2002153449A (ja) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | 放射線画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002153449A (ja) |
-
2000
- 2000-11-20 JP JP2000352310A patent/JP2002153449A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050407 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080731 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080826 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090106 |