JP2002151915A - ミリ波モジュール用基板 - Google Patents

ミリ波モジュール用基板

Info

Publication number
JP2002151915A
JP2002151915A JP2000339521A JP2000339521A JP2002151915A JP 2002151915 A JP2002151915 A JP 2002151915A JP 2000339521 A JP2000339521 A JP 2000339521A JP 2000339521 A JP2000339521 A JP 2000339521A JP 2002151915 A JP2002151915 A JP 2002151915A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
metal plate
wave module
millimeter
millimeter wave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000339521A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuaki Takahashi
和晃 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Mobile Communications Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Communication Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Communication Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Communication Industrial Co Ltd
Priority to JP2000339521A priority Critical patent/JP2002151915A/ja
Publication of JP2002151915A publication Critical patent/JP2002151915A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Waveguides (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ミリ波帯におけるモジュールを高性能か
つ安価に実現する。 【解決手段】 フィルム状のポリイミド樹脂101の上
面にコプレナ線路103、下面にインバーテッド線路1
02を設け、両者をスルーホール104で接続するとと
もに、その上下に選択的に穴や凹形状を設けた金属導体
105、106を導電性接着剤で接着し、インバーテッ
ド線路102の周辺を空気で囲んだ構造とする。インバ
ーテッド線路の周囲が空気であるため、損失が非常に少
ない。またこのような形状をフィルム状の樹脂と金属板
を用いて実現することで、低コスト化を実現することが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、準ミリ波・ミリ波
を利用した無線通信装置に用いて好適なミリ波モジュー
ル用基板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ミリ波用の基板としては、199
8年IEEE TRANS ON MIROWAVE
THEORY AND TECHNIQUES,VO
L.46,NO.11、1845頁から1849頁に記
載されたものが知られている。
【0003】図11は、従来のミリ波モジュール用基板
の構造断面図である。この図に示すように、従来のミリ
波モジュール用基板は、二酸化珪素(SiO2)の薄膜
801を積層した面上に金属配線803を形成する一
方、金属配線803の下部がエッチングにより取り除か
れたシリコン基板802と、このシリコン基板802の
上側にエッチングにより凹形状を形成し、その凹形状側
面に接地導体805を積層したシリコン基板804と、
接地導体807を形成したシリコン基板806とを具備
し、シリコン基板802をシリコン基板804とシリコ
ン基板806とで挟み、金属配線803を空中に保持す
る構造を採る。金属配線803を低誘電率かつ誘電体損
失のない空気で囲むことにより、低損失化を実現でき
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のミリ
波モジュール用基板においては、次のような問題があ
る。すなわち、金属導体を保持するための材料として1
〜2μm程度の非常に薄いSiO2膜を用いているた
め、強度面で問題がある。SiO2膜は硬い材料である
ため、SiO2膜とシリコンの熱膨張係数の違いから、
あまり大きな面積を上記構造とするとシリコン基板が温
度変化により収縮した際に、SiO2膜に亀裂が生じる
可能性が高い。
【0005】また、シリコン基板の裏面からエッチング
を行うため、SiO2膜下面の穴の深さはシリコン基板
の厚さで決定され、異なる深さの穴を形成することは困
難であった。
【0006】また、SiO2膜を積層する蒸着工程や、
シリコンを選択的に取り除くエッチング工程には半導体
プロセス装置が必要であり、製造コストが高くなる。ま
た基板材料として使用するシリコンウェハの大きさにも
制限があるので大量生産に向かない。
【0007】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、十分な機械的な強度が得られるとともに、低コス
ト化が図れるミリ波モジュール用基板を提供することを
目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のミリ波モジュー
ル用基板は、上面にコプレナ線路、下面にインバーテッ
ド線路導体が形成されるとともに、前記コプレナ線路と
前記インバーテッド線路導体を接続するスルーホールが
形成されたポリイミド樹脂からなるフィルム状の誘電体
基板と、選択的に凹状の形状を設けた第1、第2の金属
板とを具備し、前記誘電体基板を前記第1の金属板と前
記第2の金属板で挟み込む構造を成したミリ波モジュー
ル用基板において、前記インバーテッド線路導体の下部
の第2の金属板に設けた凹形状の深さを第1の金属板の
凹形状の深さより浅くし、且つ前記インバーテッド線路
の上面、下面に空隙を設けるような位置に前記第1、第
2の金属板の凹形状を配置した構造を採る。
【0009】このような構造とすることで、低損失なミ
リ波モジュール用基板を低コストで実現することができ
る。インバーテッド線路部分はその上面、下面を空気に
囲まれるため、誘電体損失のない低損失な線路となる。
【0010】ポリイミドフィルムは圧延工程で低コスト
で実現できるとともに、金属板も金型加工により低コス
トで実現することができるため、シリコン加工プロセス
と比べると大量生産に向いた構造である。また、樹脂材
料であることから機械的強度も優れる。さらにポリイミ
ドフィルムを多層化することにより、ミリ波集積回路を
高密度に実装することも可能であり、低損失のアンテナ
やフィルタに加えて、能動回路までを一体的に形成する
ことができる。
【0011】また、本発明のミリ波モジュール用基板
は、上記ミリ波モジュール用基板において、コプレナ線
路とインバーテッド線路導体とをスルーホールの代わり
誘電体基板を介した電磁界結合により接続する構造を採
る。
【0012】このような構造とすることで、スルーホー
ルがなく簡便な構造で実現可能となる。
【0013】また、本発明のミリ波モジュール用基板
は、上記ミリ波モジュール用基板において、上面にコプ
レナ線路とインバーテッド線路導体を混在させ各々を接
続したポリイミド樹脂からなるフィルム状の誘電体基板
と、選択的に凹状の形状を設けた第1、第2の金属板と
を具備し、前記誘電体基板を前記第1の金属板と前記第
2の金属板で挟み込む構造を成したミリ波モジュール用
基板において、前記インバーテッド線路導体の上部の前
記第1の金属板に設けた凹形状の深さを前記第2の金属
板に設けた凹形状の深さより浅くし、且つ前記インバー
テッド線路導体の上面、下面に空隙を設けるような位置
に前記第1、第2の金属板の凹形状を配置した構造を採
る。
【0014】このような構造とすることで、片面のみの
配線でコプレナ線路とインバーテッド線路導体を混在さ
せることができる。
【0015】また、本発明のミリ波モジュール用基板
は、上記ミリ波モジュール用基板において、インバーテ
ッド線路導体上にアンテナ素子を設けるとともに、第1
の金属板の凹形状を貫通穴とした構造を採る。
【0016】また、本発明のミリ波モジュール用基板
は、インバーテッド線路導体上にアンテナ素子を設ける
とともに、第2の金属板の凹形状を貫通穴とした構造を
採る。
【0017】本発明のミリ波モジュール用基板は、アン
テナ素子への応用を示したものであり、同様の構造で放
射効率の高いアンテナも実現可能である。
【0018】また、本発明のミリ波モジュール用基板
は、上記ミリ波モジュール用基板において、誘電体基板
として2層以上の誘電体層を有する多層誘電体基板を用
い、前記コプレナ線路の代わりに第1の金属板又は第2
の金属板を接地導体とするマイクロストリップ線路を設
けた構造を採る。
【0019】また、本発明のミリ波モジュール用基板
は、上記ミリ波モジュール用基板において、多層誘電体
基板の内層にマイクロストリップ線路とインバーテッド
線路導体を設け、前記インバーテッド線路導体とスルー
ホールを介して接続された電極を部分的に前記多層誘電
体基板上に設けた構造を採る。
【0020】また、本発明のミリ波モジュール用基板
は、上記ミリ波モジュール用基板において、多層誘電体
基板上に設けた電極に集積回路をフリップチップ実装し
た構造を採る。
【0021】本発明のミリ波モジュール用基板は、フィ
ルム状の誘電体基板を多層化した構造を有し、またミリ
波能動回路をフリップチップした構造を有する。このよ
うな構造とすることにより、能動回路も集積化できる。
【0022】また、本発明のミリ波モジュール用基板
は、上記ミリ波モジュール用基板において、誘電体基板
と第1の金属板又は第2の金属板との接合面にインバー
テッド線路の空隙の高さを調整するフィルム状の金属板
を有する構造を採る。
【0023】また、本発明のミリ波モジュール用基板
は、上記ミリ波モジュール用基板において、金属板の凹
状の底面にインバーテッド線路の空隙の高さを調整する
フィルム状の金属板を有する構造を採る。
【0024】本発明のミリ波モジュール用基板は、誘電
体基板と金属板との高さ調整を目的として、前記誘電体
基板と金属板との接合面または金属板の凹形状の底面に
フィルム状の金属板を挿入した構造を有する。このよう
な構造とすることにより、容易に空隙の高さ調整が可能
となる。
【0025】本発明の無線端末装置は、上記ミリ波モジ
ュール用基板を具備する構成を採る。
【0026】本発明の無線基地局装置は、上記ミリ波モ
ジュール用基板を具備する構成を採る。
【0027】本発明の無線計測装置は、上記ミリ波モジ
ュール用基板を具備する構成を採る。
【0028】本発明の無線端末、無線基地局、無線計測
装置は、上記ミリ波モジュール用基板を具備するもので
あり、安価で高性能のミリ波モジュール用基板を用いる
ことで、低コスト化及び高性能化が図れる。
【0029】
【発明の実施の形態】本発明の骨子は、金属配線が中空
に浮いたインバーテッド線路構造を、フィルム状の誘電
体基板と金属板とを張り合わせることである。
【0030】(実施の形態1)図1は本発明の実施の形
態1に係るミリ波モジュール用基板の断面構造図、図2
は同基板の構造を示す斜視図、図3は金属配線部分を拡
大した斜視図である。
【0031】これらの図において、101はフィルム状
のポリイミド樹脂、102はポリイミド樹脂の下面に設
けたインバーテッド線路、103はポリイミド樹脂上に
形成されたコプレナ線路である。インバーテッド線路1
02とコプレナ線路103はスルーホール104で接続
されている。
【0032】105、106は、各々第1、第2の金属
導体で、各々貫通穴を設けた金属導体105a、106
aと、平らな金属導体105b、106bを導電性接着
剤107で接着されて凹形状を成している。この場合、
第2の金属導体106の凹形状の深さ(H2)を第1の
金属導体105の凹形状の深さ(H1)より浅くしてい
る(H1>H2)。次に、図2において、108、109
は金属導体を貫通した貫通孔であり、110、111は
金属導体を貫通しない非貫通孔である。このような多層
構造を位置合わせをしながら接着することによりミリ波
モジュール用基板を製造することができる。
【0033】インバーテッド線路102は、電磁界のほ
とんどが誘電体損失のない空気中を伝搬するため誘電体
損失が小さい点と、実効誘電率が低いため、同じインピ
ーダンスの線路で比較すると導体損も小さくできるとい
う特長がある。特にインバーテッド線路102は、線路
部分を保持する誘電体基板厚が空気厚に比べて無視でき
る厚さであれば、低損失化の効果が大きい。
【0034】ポリイミド樹脂の影響をさらに低減するた
めに、第2の金属導体106の凹形状の深さを第1の金
属導体105の凹形状より浅くし、ポリイミド樹脂の下
面に電磁界を多く集中させるようにしている。また、他
回路との接続に用いるコプレナ線路103の上下も金属
導体に設けた凹形状により空気に囲まれるため、低損失
化が可能となる。
【0035】誘電体として、フィルム状の樹脂材料を用
いることで誘電体厚を5μm程度まで薄くすることも可
能であり、空気層が100μm〜500μm程度であっ
ても十分な低損失特性が得られる。また、フィルム材料
が樹脂であるため、温度変化による熱膨張係数の違いか
ら、亀裂が入る可能性が少なく信頼性も高い。また、圧
延工程でフィルムを形成することが可能であり、フィル
ムの製造コストも低い。金属導体も金型でプレス加工す
ることにより大量生産が可能であり、低コストで製造可
能である。また、金属加工であるから、金属導体の中で
選択的に貫通孔と貫通しない非貫通孔を混在させること
も容易である。
【0036】このように、本実施の形態によれば、低損
失なミリ波モジュール用基板を低コストで実現すること
ができる。インバーテッド線路部分はその上面、下面を
空気に囲まれるため、誘電体損失のない低損失な線路と
なる。なお、本実施の形態において、誘電体フィルムの
材料としてポリイミドとしたが、他の樹脂材料でも良い
ことは言うまでもない。
【0037】(実施の形態2)図4は本発明の実施の形
態2に係るミリ波モジュール用基板の断面構造図、図5
はその金属配線部分の拡大図である。
【0038】これらの図において、本実施の形態のミリ
波モジュール用基板は、インバーテッド線路102とコ
プレナ線路103の接続をスルーホールによらず、ポリ
イミド樹脂101を介して電磁界結合させた点で、実施
の形態1のミリ波モジュール用基板との相違している。
このような構造とすることにより、誘電体フィルムにス
ルーホール加工をする必要がなく構造が簡単となり、低
コスト化を実現できる。
【0039】(実施の形態3)図6は本発明の実施の形
態3に係るミリ波モジュール用基板の構造を示す斜視図
である。
【0040】この図において、本実施の形態のミリ波モ
ジュール用基板は、誘電体の樹脂フィルム301の下面
に形成したインバーテッド線路302を用いてパッチア
ンテナを形成し、第2の金属導体306に貫通孔308
を有する点で、実施の形態1のミリ波モジュール用基板
との相違している。インバーテッド線路302によるパ
ッチアンテナの接地面は第1の金属導体305bであ
り、電磁界は下面に向かって放射される。誘電率が低い
空気を誘電体としたパッチアンテナであるため帯域が広
く、損失も少ないため放射効率が高いアンテナを実現す
ることができる。
【0041】(実施の形態4)図7は本発明の実施の形
態4に係るミリ波モジュール用基板の構造を示す斜視図
である。
【0042】この図において、本実施の形態のミリ波モ
ジュール用基板は、誘電体の樹脂フィルム401の下面
に形成したインバーテッド線路402を用いてパッチア
ンテナを形成するとともに、第1の金属導体405aに
貫通孔408を有する点で、実施の形態1のミリ波モジ
ュール用基板と相違している。パッチアンテナの接地面
は第2の金属導体406bであり、電磁界は上面に向か
って放射される。
【0043】(実施の形態5)図8は本発明の実施の形
態5に係るミリ波モジュール用基板の構造を示す断面図
である。
【0044】この図において、本実施の形態のミリ波モ
ジュール用基板は、誘電体フィルム501を多層化した
点であり、内層にストリップ線路502とインバーテッ
ド線路503を形成し、部分的にスルーホール504を
介して上面の電極パッド509へ接続している点で、実
施の形態1のミリ波モジュール用基板と相違している。
また、図示のように、中央の2つの電極パッド509上
にはミリ波集積回路(MMIC)510がフリップチッ
プ実装されている。
【0045】誘電体フィルム501の内層に伝送線路を
設けることにより、第1の金属導体508または第2の
金属導体506を接地導体としてだけではなく、気密封
止のシールドとしても利用することができるため、簡便
な気密封止が可能となる。通常フリップチップしたミリ
波集積回路510は、封止樹脂を基板とミリ波集積回路
510との空隙に注入し封止をするが、ミリ波集積回路
510に対し個別に封止をしなくともモジュールとして
機密性を保つことができる。
【0046】(実施の形態6)図9は本発明の実施の形
態6に係るミリ波モジュール用基板の構造を示す断面図
である。
【0047】この図において、本実施の形態のミリ波モ
ジュール用基板は、誘電体の樹脂フィルム601と第2
の金属導体606との間にフィルム状の金属板608を
導電性接着剤607を用いて挟んだ点で、実施の形態1
のミリ波モジュール用基板と相違している。このような
構造とすることにより、インバーテッドマイクロストリ
ップ線路の接地導体(第2の金属導体606)までの高
さを高くする方向で、微調整することができる。
【0048】なお、本実施の形態では、誘電体フィルム
601と第2の金属導体606との間に微調整用のフィ
ルム状の金属板608を挿入したが、第1の金属導体6
05と誘電体フィルム601との間に挿入することによ
り、高さ調整が可能である。
【0049】(実施の形態7)図10は本発明の実施の
形態7に係るミリ波モジュール用基板の構造を示す断面
図である。
【0050】この図において、本実施の形態のミリ波モ
ジュール用基板は、微調整用の金属板708を第2の金
属導体706の凹形状の底面に設けた点で、実施の形態
6のミリ波モジュール用基板と相違している。このよう
な構造とすることにより、空隙の高さを低くする方向で
高さ調整ができる。
【0051】なお、本実施の形態では第2の金属導体7
06側に金属板708を設けたが、第1の金属導体70
5側に設けても良いことは言うまでもない。
【0052】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
金属配線が中空に浮いたインバーテッド線路構造をフィ
ルム状の誘電体基板と金属板とを張り合わせることによ
り、ミリ波で用いる低損失な基板を安価に実現できると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係るミリ波モジュール
用基板の構造断面図
【図2】本発明の実施の形態1に係るミリ波モジュール
用基板の構造を示す斜視図
【図3】本発明の実施の形態1に係るミリ波モジュール
用基板の金属配線部分の拡大図
【図4】本発明の実施の形態2に係るミリ波モジュール
用基板の構造を示す斜視図
【図5】本発明の実施の形態2に係るミリ波モジュール
用基板の金属配線部分の拡大図
【図6】本発明の実施の形態3に係るミリ波モジュール
用基板の構造を示す斜視図
【図7】本発明の実施の形態4に係るミリ波モジュール
用基板の構造を示す斜視図
【図8】本発明の実施の形態5に係るミリ波モジュール
用基板の構造を示す断面図
【図9】本発明の実施の形態6に係るミリ波モジュール
用基板の構造を示す断面図
【図10】本発明の実施の形態7に係るミリ波モジュー
ル用基板の構造を示す断面図
【図11】従来のミリ波モジュール用基板の構造を示す
断面図
【符号の説明】
101 ポリイミド樹脂 102、302、402、503 インバーテッド線路 103 コプレナ線路 104 スルーホール 105、305、405a、508、605、705
第1の金属導体 106、306、406、506、606、706 第
2の金属導体 107、307、407、607、707、709 導
電性接着剤 108、109、308 貫通孔 110、111 非貫通孔 301、601、701 樹脂フィルム 303、403、502 ストリップ線路 501 誘電体フィルム 504 スルーホール 509 電極パッド 510 ミリ波集積回路 708 金属板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E346 AA13 AA33 AA43 AA51 BB02 BB06 BB11 BB16 BB20 CC08 CC10 CC21 FF01 HH01 HH03 HH31 5J014 CA05 CA44 CA55 5J045 AA05 AB06 DA10 EA07 HA05 MA07 NA01

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上面にコプレナ線路、下面にインバーテ
    ッド線路導体が形成されるとともに、前記コプレナ線路
    と前記インバーテッド線路導体を接続するスルーホール
    が形成されたポリイミド樹脂からなるフィルム状の誘電
    体基板と、選択的に凹状の形状を設けた第1、第2の金
    属板とを具備し、前記誘電体基板を前記第1の金属板と
    前記第2の金属板で挟み込む構造を成したミリ波モジュ
    ール用基板において、前記インバーテッド線路導体の下
    部の第2の金属板に設けた凹形状の深さを第1の金属板
    の凹形状の深さより浅くし、且つ前記インバーテッド線
    路の上面、下面に空隙を設けるような位置に前記第1、
    第2の金属板の凹形状を配置したことを特徴とするミリ
    波モジュール用基板。
  2. 【請求項2】 コプレナ線路とインバーテッド線路導体
    とが誘電体基板を介した電磁界結合により接続されたこ
    とを特徴とする請求項1記載のミリ波モジュール用基
    板。
  3. 【請求項3】 上面にコプレナ線路とインバーテッド線
    路導体を混在させ各々を接続したポリイミド樹脂からな
    るフィルム状の誘電体基板と、選択的に凹状の形状を設
    けた第1、第2の金属板とを具備し、前記誘電体基板を
    前記第1の金属板と前記第2の金属板で挟み込む構造を
    成したミリ波モジュール用基板において、前記インバー
    テッド線路導体の上部の前記第1の金属板に設けた凹形
    状の深さを前記第2の金属板に設けた凹形状の深さより
    浅くし、且つ前記インバーテッド線路導体の上面、下面
    に空隙を設けるような位置に前記第1、第2の金属板の
    凹形状を配置したことを特徴とするミリ波モジュール用
    基板。
  4. 【請求項4】 インバーテッド線路導体上にアンテナ素
    子を設けるとともに、第1の金属板の凹形状を貫通穴と
    したことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか
    に記載のミリ波モジュール用基板。
  5. 【請求項5】 インバーテッド線路導体上にアンテナ素
    子を設けるとともに、第2の金属板の凹形状を貫通穴と
    したことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか
    に記載のミリ波モジュール用基板。
  6. 【請求項6】 誘電体基板として2層以上の誘電体層を
    有する多層誘電体基板を用い、前記コプレナ線路の代わ
    りに第1の金属板又は第2の金属板を接地導体とするマ
    イクロストリップ線路を設けたことを特徴とする請求項
    1から請求項5のいずれかに記載のミリ波モジュール用
    基板。
  7. 【請求項7】 多層誘電体基板の内層にマイクロストリ
    ップ線路とインバーテッド線路導体を設け、前記インバ
    ーテッド線路導体とスルーホールを介して接続された電
    極を部分的に前記多層誘電体基板上に設けたことを特徴
    とする請求項6記載のミリ波モジュール用基板。
  8. 【請求項8】 多層誘電体基板上に設けた電極に集積回
    路をフリップチップ実装したことを特徴とする請求項7
    記載のミリ波モジュール用基板。
  9. 【請求項9】 誘電体基板と第1の金属板又は第2の金
    属板との接合面にインバーテッド線路の空隙の高さを調
    整するフィルム状の金属板を設けたことを特徴とする請
    求項1から請求項8のいずれかに記載のミリ波モジュー
    ル用基板。
  10. 【請求項10】 金属板の凹状の底面にインバーテッド
    線路の空隙の高さを調整するフィルム状の金属板を設け
    たことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに
    記載のミリ波モジュール用基板。
  11. 【請求項11】 請求項1から請求項10のいずれかに
    記載のミリ波モジュール用基板を具備することを特徴と
    する無線端末装置。
  12. 【請求項12】 請求項1から請求項10のいずれかに
    記載のミリ波モジュール用基板を具備することを特徴と
    する無線基地局装置。
  13. 【請求項13】 請求項1から請求項10のいずれかに
    記載のミリ波モジュール用基板を具備することを特徴と
    する無線計測装置。
JP2000339521A 2000-11-07 2000-11-07 ミリ波モジュール用基板 Pending JP2002151915A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000339521A JP2002151915A (ja) 2000-11-07 2000-11-07 ミリ波モジュール用基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000339521A JP2002151915A (ja) 2000-11-07 2000-11-07 ミリ波モジュール用基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002151915A true JP2002151915A (ja) 2002-05-24

Family

ID=18814585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000339521A Pending JP2002151915A (ja) 2000-11-07 2000-11-07 ミリ波モジュール用基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002151915A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266449A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toshiba Corp 高周波モジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266449A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toshiba Corp 高周波モジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3331967B2 (ja) ミリ波モジュール
JP6336107B2 (ja) アレイアンテナ装置およびその製造方法
KR100533673B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법, 회로 기판 및 전자 기기
US7408257B2 (en) Packaging chip and packaging method thereof
KR20050027461A (ko) 유전체 박막을 이용한 동축선 구조의 전송선 시스템, 그제조 방법 및 그를 이용한 패키지 방법
JP2004140325A (ja) 半導体パッケージ及び半導体装置
JP2006352617A (ja) 電子部品の製造方法
JPH0774285A (ja) 半導体装置
JP5054413B2 (ja) アンテナ素子及び半導体装置
US7109583B2 (en) Mounting with auxiliary bumps
JP4498292B2 (ja) 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
US20110075376A1 (en) Module substrate radiating heat from electronic component by intermediate heat transfer film and a method for manufacturing the same
JP2002151915A (ja) ミリ波モジュール用基板
JP2004128230A (ja) 電子部品実装装置とその製造方法
JP7067640B2 (ja) 電磁バンドギャップ構造、及び、パッケージ構造
TW202341396A (zh) 電子裝置與天線裝置
JPH10313077A (ja) 半導体装置およびその実装方法
JP3409767B2 (ja) 高周波回路基板
JP2006157066A (ja) 高周波パッケージモジュール
JP3762109B2 (ja) 配線基板の接続構造
JP3389985B2 (ja) 配線基板、半導体装置およびその製造方法
JPH10107514A (ja) 高周波回路基板
JP2001267487A (ja) 高周波モジュール
JP3837699B2 (ja) 高周波パッケージモジュール
JP4287329B2 (ja) 導波管−平面伝送線路変換器の製造方法