JP2002151760A - 磁気抵抗効果素子の製造方法および成膜装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子の製造方法および成膜装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子性能のバラツキが少なく信頼性に富み、
かつ生産性にも優れた磁気抵抗効果素子の製造方法を提
供する。 【解決手段】 熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1Ｋ-1の基板を
準備する工程と、前記基板を真空冷却室中に移動させ、
当該真空冷却室中で基板を、絶対温度２００Ｋ以下の温
度に冷却する基板冷却工程と、前記冷却された基板を真
空成膜室中に移動させ、基板ホルダに固定させるととも
に当該基板を回転させながら、当該基板の上に磁気抵抗
効果積層膜を形成する積層膜形成工程、を含む磁気抵抗
効果素子の製造方法。
かつ生産性にも優れた磁気抵抗効果素子の製造方法を提
供する。 【解決手段】 熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1Ｋ-1の基板を
準備する工程と、前記基板を真空冷却室中に移動させ、
当該真空冷却室中で基板を、絶対温度２００Ｋ以下の温
度に冷却する基板冷却工程と、前記冷却された基板を真
空成膜室中に移動させ、基板ホルダに固定させるととも
に当該基板を回転させながら、当該基板の上に磁気抵抗
効果積層膜を形成する積層膜形成工程、を含む磁気抵抗
効果素子の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体等の
磁界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子
の製造方法およびそれを実施するための成膜装置に関す
る。
磁界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子
の製造方法およびそれを実施するための成膜装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク（ＨＤＤ）の高密度化に
伴い、高感度、高出力のヘッドが要求されている。この
ような要求に対して、ＧＭＲ(Giant magnetoresistive)
膜のさらなる高性能化や、強磁性トンネル効果を利用し
た強磁性トンネル効果素子（ＴＭＲ素子:Tunnel magnet
oresistive素子）やＣＰＰ(Current perpendicular tot
he plane)-GMR素子が新規に提案されている。
伴い、高感度、高出力のヘッドが要求されている。この
ような要求に対して、ＧＭＲ(Giant magnetoresistive)
膜のさらなる高性能化や、強磁性トンネル効果を利用し
た強磁性トンネル効果素子（ＴＭＲ素子:Tunnel magnet
oresistive素子）やＣＰＰ(Current perpendicular tot
he plane)-GMR素子が新規に提案されている。
【０００３】ＧＭＲ膜の高性能化のためには、基本的に
いわゆるFree層の厚さや、例えばＣｕからなる非磁性ス
ペーサ層の厚さを小さくする方法が取られている。この
ような薄層化によりＧＭＲ膜の抵抗値および抵抗変化量
を増大させることができ、結果として出力を増大させる
ことができるようになる。また、高記録密度化を推し進
めた場合、シールドギャップ間隔を狭くするという要求
からも、ＧＭＲ膜は薄くしなくてはならない。しかしな
がら、このような薄層化によりＧＭＲ膜のいわゆるPinn
ed層とFree層の強磁性結合効果（オレンジピール効果）
が増大し、ヘッドの再生感度を鈍らせるという問題があ
る。このような強磁性結合は、非磁性スペーサ層（例え
ば、Ｃｕ層）界面の表面粗さによりもたらされることが
報告されており、界面を平滑化する技術が要求されてい
る。
いわゆるFree層の厚さや、例えばＣｕからなる非磁性ス
ペーサ層の厚さを小さくする方法が取られている。この
ような薄層化によりＧＭＲ膜の抵抗値および抵抗変化量
を増大させることができ、結果として出力を増大させる
ことができるようになる。また、高記録密度化を推し進
めた場合、シールドギャップ間隔を狭くするという要求
からも、ＧＭＲ膜は薄くしなくてはならない。しかしな
がら、このような薄層化によりＧＭＲ膜のいわゆるPinn
ed層とFree層の強磁性結合効果（オレンジピール効果）
が増大し、ヘッドの再生感度を鈍らせるという問題があ
る。このような強磁性結合は、非磁性スペーサ層（例え
ば、Ｃｕ層）界面の表面粗さによりもたらされることが
報告されており、界面を平滑化する技術が要求されてい
る。
【０００４】一般的に、蒸着膜の成膜の研究において
は、堆積（depo）された膜の平滑性を向上させる手法の
一つとして、膜を構成するグレインを微細化することが
知られており、そのために、基板を冷却しながら蒸着膜
を成膜するという技術が知られている。
は、堆積（depo）された膜の平滑性を向上させる手法の
一つとして、膜を構成するグレインを微細化することが
知られており、そのために、基板を冷却しながら蒸着膜
を成膜するという技術が知られている。
【０００５】このような従来の基板を冷却しながら行な
われる蒸着方法を、単に磁気抵抗効果膜形成工程で用い
られているスパッタ法に応用する場合、以下のような不
都合が生じることがわかった。
われる蒸着方法を、単に磁気抵抗効果膜形成工程で用い
られているスパッタ法に応用する場合、以下のような不
都合が生じることがわかった。
【０００６】すなわち、真空成膜装置の中で基板の冷却
およびその後のスパッタ成膜を行なう場合、基板ホルダ
内に液体窒素や液体ヘリウムの冷媒を流すような構造を
形成し、当該ホルダに載せられた基板を所定時間放置し
て基板を冷却し、しかる後、基板の上に磁気抵抗効果を
示す所定の積層膜を順次スパッタ法で堆積させる手法が
採られる。
およびその後のスパッタ成膜を行なう場合、基板ホルダ
内に液体窒素や液体ヘリウムの冷媒を流すような構造を
形成し、当該ホルダに載せられた基板を所定時間放置し
て基板を冷却し、しかる後、基板の上に磁気抵抗効果を
示す所定の積層膜を順次スパッタ法で堆積させる手法が
採られる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこの方法
では、基板ホルダに冷媒を通す構造を採択しているため
に成膜中に基板を回転させることができない。そのた
め、基板上にデポされる薄膜の状態が基板の場所毎に異
なる傾向が生じ、例えば１枚のウエーハ基板から４千個
の素子を形成したとき、各素子間での特性のバラツキが
生じるおそれが有る。また、特に工夫の凝らされていな
い通常の成膜装置を用いて、上記の基板冷却操作および
成膜操作を１つのステージを併用して行うと、生産性と
いう観点から以下の二つの問題が生じる。すなわち、一
つは成膜チャンバ−内の基板セット場所に基板を置いて
から、基板が所望の温度まで冷却されるまでに待ち時間
が約３０分程度かかり、この間、成膜操作は中止した状
態にある。もう一つは成膜後に基板温度が室温に戻るま
での待ち時間が必要であるということである。基板温度
が室温になるまで待つ理由は、冷却された基板が大気中
に置かれると結露し、膜の腐食が発生するからである。
では、基板ホルダに冷媒を通す構造を採択しているため
に成膜中に基板を回転させることができない。そのた
め、基板上にデポされる薄膜の状態が基板の場所毎に異
なる傾向が生じ、例えば１枚のウエーハ基板から４千個
の素子を形成したとき、各素子間での特性のバラツキが
生じるおそれが有る。また、特に工夫の凝らされていな
い通常の成膜装置を用いて、上記の基板冷却操作および
成膜操作を１つのステージを併用して行うと、生産性と
いう観点から以下の二つの問題が生じる。すなわち、一
つは成膜チャンバ−内の基板セット場所に基板を置いて
から、基板が所望の温度まで冷却されるまでに待ち時間
が約３０分程度かかり、この間、成膜操作は中止した状
態にある。もう一つは成膜後に基板温度が室温に戻るま
での待ち時間が必要であるということである。基板温度
が室温になるまで待つ理由は、冷却された基板が大気中
に置かれると結露し、膜の腐食が発生するからである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような問題に対し
て、本出願に係る発明者らが磁気抵抗効果素子に用いら
れ得る基板の特性に注目しつつ、従来の工程手法に捕ら
われず、新規な工程ステップを鋭意研究したところ、素
子性能のバラツキが少なく信頼性に富み、かつ生産性に
も優れた本願発明の磁気抵抗効果素子の製造方法を創案
するに至ったのである。
て、本出願に係る発明者らが磁気抵抗効果素子に用いら
れ得る基板の特性に注目しつつ、従来の工程手法に捕ら
われず、新規な工程ステップを鋭意研究したところ、素
子性能のバラツキが少なく信頼性に富み、かつ生産性に
も優れた本願発明の磁気抵抗効果素子の製造方法を創案
するに至ったのである。
【０００９】すなわち、本発明の磁気抵抗効果素子の製
造方法は、熱伝導率５〜１５０Ｗｍ -1Ｋ-1の基板を準備
する工程と、前記基板を真空冷却室中に移動させ、当該
真空冷却室中で基板を、絶対温度２００Ｋ以下の温度に
冷却する基板冷却工程と、前記冷却された基板を真空成
膜室中に移動させ、基板ホルダに固定させるとともに当
該基板を回転させながら、当該基板の上に磁気抵抗効果
積層膜を形成する積層膜形成工程、を含んでなるように
構成される。
造方法は、熱伝導率５〜１５０Ｗｍ -1Ｋ-1の基板を準備
する工程と、前記基板を真空冷却室中に移動させ、当該
真空冷却室中で基板を、絶対温度２００Ｋ以下の温度に
冷却する基板冷却工程と、前記冷却された基板を真空成
膜室中に移動させ、基板ホルダに固定させるとともに当
該基板を回転させながら、当該基板の上に磁気抵抗効果
積層膜を形成する積層膜形成工程、を含んでなるように
構成される。
【００１０】また、本発明の磁気抵抗効果素子の製造方
法は、熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1Ｋ-1の基板を準備する
工程と、前記基板を真空冷却室中に移動させ、当該真空
冷却室中で基板を、絶対温度２００Ｋ以下の温度に冷却
する基板冷却工程と、前記冷却された基板を真空成膜室
中に移動させ、基板ホルダに固定させるとともに当該基
板を回転させながら、当該基板の上に磁気抵抗効果積層
膜を形成する積層膜形成工程と、積層膜が形成された膜
付き基板を真空昇温室に移動させて、当該真空昇温室で
膜付き基板を強制昇温させる工程、を含んでなるように
構成される。
法は、熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1Ｋ-1の基板を準備する
工程と、前記基板を真空冷却室中に移動させ、当該真空
冷却室中で基板を、絶対温度２００Ｋ以下の温度に冷却
する基板冷却工程と、前記冷却された基板を真空成膜室
中に移動させ、基板ホルダに固定させるとともに当該基
板を回転させながら、当該基板の上に磁気抵抗効果積層
膜を形成する積層膜形成工程と、積層膜が形成された膜
付き基板を真空昇温室に移動させて、当該真空昇温室で
膜付き基板を強制昇温させる工程、を含んでなるように
構成される。
【００１１】また、本発明における前記磁気抵抗効果積
層膜は、巨大磁気抵抗効果膜として構成される。
層膜は、巨大磁気抵抗効果膜として構成される。
【００１２】また、本発明における前記磁気抵抗効果積
層膜は、トンネル磁気抵抗効果膜として構成される。
層膜は、トンネル磁気抵抗効果膜として構成される。
【００１３】また、本発明における前記磁気抵抗効果積
層膜は、スピンバルブ磁気抵抗効果膜として構成され
る。
層膜は、スピンバルブ磁気抵抗効果膜として構成され
る。
【００１４】また、本発明における前記磁気抵抗効果積
層膜は、スパッタ法により形成された膜として構成され
る。
層膜は、スパッタ法により形成された膜として構成され
る。
【００１５】本発明の成膜装置は、基板を待機させる基
板待機室と、基板を冷却させるための基板冷却室と、当
該基板の上に磁気抵抗効果積層膜を形成するための真空
成膜室と、基板を少なくとも前記基板待機室、基板冷却
室および真空成膜室に搬送させることができるロボット
を備えるロボット室とを有し、当該ロボット室を中心と
して、その周縁に前記基板待機室、基板冷却室および真
空成膜室がそれぞれシャッターを介して独立室として配
置されてなるように構成される。
板待機室と、基板を冷却させるための基板冷却室と、当
該基板の上に磁気抵抗効果積層膜を形成するための真空
成膜室と、基板を少なくとも前記基板待機室、基板冷却
室および真空成膜室に搬送させることができるロボット
を備えるロボット室とを有し、当該ロボット室を中心と
して、その周縁に前記基板待機室、基板冷却室および真
空成膜室がそれぞれシャッターを介して独立室として配
置されてなるように構成される。
【００１６】本発明の成膜装置は、基板を待機させる基
板待機室と、基板を冷却させるための基板冷却室と、当
該基板の上に磁気抵抗効果積層膜を形成するための真空
成膜室と、磁気抵抗効果積層膜が成膜された基板を強制
昇温させる真空昇温室と、基板を少なくとも前記基板待
機室、基板冷却室、真空成膜室および真空昇温室に搬送
させることができるロボットを備えるロボット室とを有
し、当該ロボット室を中心として、その周縁に前記基板
待機室、基板冷却室、真空成膜室および真空昇温室がそ
れぞれシャッターを介して独立室として配置されてなる
ように構成される。
板待機室と、基板を冷却させるための基板冷却室と、当
該基板の上に磁気抵抗効果積層膜を形成するための真空
成膜室と、磁気抵抗効果積層膜が成膜された基板を強制
昇温させる真空昇温室と、基板を少なくとも前記基板待
機室、基板冷却室、真空成膜室および真空昇温室に搬送
させることができるロボットを備えるロボット室とを有
し、当該ロボット室を中心として、その周縁に前記基板
待機室、基板冷却室、真空成膜室および真空昇温室がそ
れぞれシャッターを介して独立室として配置されてなる
ように構成される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
について詳細に説明する。
について詳細に説明する。
【００１８】本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法を説
明する前に、その製造方法を実施するための成膜装置の
一例について、説明しておく。図１は、本発明の新規な
成膜装置の好適な一例を示す概略装置平面図である。
明する前に、その製造方法を実施するための成膜装置の
一例について、説明しておく。図１は、本発明の新規な
成膜装置の好適な一例を示す概略装置平面図である。
【００１９】図１に示されるように、本発明の新規な成
膜装置１００は、図面の略中央に位置する真空のロボッ
ト室１８０と、この周縁に配置された各室、すなわち、
基板２（ウエーハ）を待機させる基板待機室１１０と、
基板２を冷却させるための真空の基板冷却室１２０と、
基板２の上に磁気抵抗効果積層膜を形成するための真空
成膜室１３０と、磁気抵抗効果積層膜が成膜された膜付
き基板２ａを強制昇温させる真空昇温室１４０、常温
（室温）付近までに昇温された膜付き基板２ａを排出載
置するための基板排出室１５０とを備えている。
膜装置１００は、図面の略中央に位置する真空のロボッ
ト室１８０と、この周縁に配置された各室、すなわち、
基板２（ウエーハ）を待機させる基板待機室１１０と、
基板２を冷却させるための真空の基板冷却室１２０と、
基板２の上に磁気抵抗効果積層膜を形成するための真空
成膜室１３０と、磁気抵抗効果積層膜が成膜された膜付
き基板２ａを強制昇温させる真空昇温室１４０、常温
（室温）付近までに昇温された膜付き基板２ａを排出載
置するための基板排出室１５０とを備えている。
【００２０】これらの各室１１０，１２０，１３０，１
４０，１５０は、それぞれ、シャッター１１１，１２
１，１３１，１４１，１５１を介して、ロボット室１８
０からの雰囲気の隔離が可能になっている。なお、真空
昇温室１４０は、必須の要件ではないが、より一層の生
産性を向上させるという観点からすれば、用いることが
好ましい。基板排出室１５０は特に独立して設けること
なく、基板待機室１１０との兼用で賄うことも可能であ
るが、工程の利便性を考慮すれば、図示のごとく、基板
待機室１１０と基板排出室１５０を分けて独立して形成
しておいた方が良い。
４０，１５０は、それぞれ、シャッター１１１，１２
１，１３１，１４１，１５１を介して、ロボット室１８
０からの雰囲気の隔離が可能になっている。なお、真空
昇温室１４０は、必須の要件ではないが、より一層の生
産性を向上させるという観点からすれば、用いることが
好ましい。基板排出室１５０は特に独立して設けること
なく、基板待機室１１０との兼用で賄うことも可能であ
るが、工程の利便性を考慮すれば、図示のごとく、基板
待機室１１０と基板排出室１５０を分けて独立して形成
しておいた方が良い。
【００２１】基板待機室１１０は、薄膜形成処理前の基
板２を複数枚ストックしておくところであり、この基板
大気室１１０は、真空引きされることにより真空室とな
るようになっている。真空引きに際しては、例えば、約
２０分程度の時間を要する。
板２を複数枚ストックしておくところであり、この基板
大気室１１０は、真空引きされることにより真空室とな
るようになっている。真空引きに際しては、例えば、約
２０分程度の時間を要する。
【００２２】基板待機室１１０に置かれていた基板２の
内１枚の基板２が、ロボット１８５のロボットハンド１
８６により取り出され、真空の基板冷却室１２０に搬送
される。基板２の搬送には例えば２分の時間を要し、も
ちろんこの際にシャッター１１１，１２１の開閉が適宜
行われる。
内１枚の基板２が、ロボット１８５のロボットハンド１
８６により取り出され、真空の基板冷却室１２０に搬送
される。基板２の搬送には例えば２分の時間を要し、も
ちろんこの際にシャッター１１１，１２１の開閉が適宜
行われる。
【００２３】基板冷却室１２０は、真空室となってお
り、この中には図示していないが基板２を冷却するため
の基板冷却手段が設置されている。基板冷却手段として
は、基板２を略均一に冷却できるものであれば良く、特
に限定されるものではない。基板冷却手段の好適な一例
としては、熱伝導率の大きい例えばＣｕ，Ａｌ，Ｔｉ等
からなる基板載置台の中に、液体窒素や液体ヘリウムの
冷媒を流すような構造を形成しておき、基板載置台を冷
却するとともに当該基板載置台に載せられた基板を所定
時間放置して、所定温度まで冷却するようにすればよ
い。例えば、基板温度を約１５０Ｋ（絶対温度）まで冷
却するには、３０分程度の時間を要する。
り、この中には図示していないが基板２を冷却するため
の基板冷却手段が設置されている。基板冷却手段として
は、基板２を略均一に冷却できるものであれば良く、特
に限定されるものではない。基板冷却手段の好適な一例
としては、熱伝導率の大きい例えばＣｕ，Ａｌ，Ｔｉ等
からなる基板載置台の中に、液体窒素や液体ヘリウムの
冷媒を流すような構造を形成しておき、基板載置台を冷
却するとともに当該基板載置台に載せられた基板を所定
時間放置して、所定温度まで冷却するようにすればよ
い。例えば、基板温度を約１５０Ｋ（絶対温度）まで冷
却するには、３０分程度の時間を要する。
【００２４】所定温度まで冷却された基板２は、基板冷
却室１２０からロボット１８５のロボットハンド１８６
により取り出され、真空成膜室１３０に搬送される。基
板２の搬送には例えば２分の時間を要し、もちろんこの
際にシャッター１２１，１３１の開閉が適宜行われる。
却室１２０からロボット１８５のロボットハンド１８６
により取り出され、真空成膜室１３０に搬送される。基
板２の搬送には例えば２分の時間を要し、もちろんこの
際にシャッター１２１，１３１の開閉が適宜行われる。
【００２５】真空成膜室１３０にはスパッタ装置が導入
されており、回転可能な基板ホルダ１３５に冷却された
基板２がセットされ、基板２を回転させた状態で所定の
スパッタ成膜が順次行なわれ、磁気抵抗効果積層膜が形
成される。ターゲットの記載は図面から省略してある
が、通常、積層の数に相当するだけのターゲットが準備
されている。積層膜の形成には、約３０分の時間を要
す。
されており、回転可能な基板ホルダ１３５に冷却された
基板２がセットされ、基板２を回転させた状態で所定の
スパッタ成膜が順次行なわれ、磁気抵抗効果積層膜が形
成される。ターゲットの記載は図面から省略してある
が、通常、積層の数に相当するだけのターゲットが準備
されている。積層膜の形成には、約３０分の時間を要
す。
【００２６】磁気抵抗効果積層膜が形成された膜付き基
板２ａは、真空成膜室１３０からロボット１８５のロボ
ットハンド１８６により取り出され、真空昇温室１４０
に搬送される。膜付き基板２ａの搬送には例えば２分の
時間を要し、もちろんこの際にシャッター１３１，１４
１の開閉が適宜行われる。
板２ａは、真空成膜室１３０からロボット１８５のロボ
ットハンド１８６により取り出され、真空昇温室１４０
に搬送される。膜付き基板２ａの搬送には例えば２分の
時間を要し、もちろんこの際にシャッター１３１，１４
１の開閉が適宜行われる。
【００２７】真空昇温室１４０は、真空室となってお
り、この中には膜付き基板２ａを常温（室温）付近まで
昇温させるための基板昇温手段が設置されている。基板
昇温手段としては、膜付き基板２ａを略均一に昇温でき
るものであれば良く、特に限定されるものではない。
り、この中には膜付き基板２ａを常温（室温）付近まで
昇温させるための基板昇温手段が設置されている。基板
昇温手段としては、膜付き基板２ａを略均一に昇温でき
るものであれば良く、特に限定されるものではない。
【００２８】基板昇温手段の好適な一例としては、熱伝
導率の良い例えばＣｕ，Ａｌ，Ｔｉ等からなる基板載置
台の中に、ヒーター等の加熱媒体を埋め込んだ構造を形
成しておき、基板載置台を昇温するとともに当該基板載
置台に載せられた膜付き基板２ａを所定時間放置して、
常温（室温）付近まで昇温するようにすればよい。
導率の良い例えばＣｕ，Ａｌ，Ｔｉ等からなる基板載置
台の中に、ヒーター等の加熱媒体を埋め込んだ構造を形
成しておき、基板載置台を昇温するとともに当該基板載
置台に載せられた膜付き基板２ａを所定時間放置して、
常温（室温）付近まで昇温するようにすればよい。
【００２９】例えば、膜付き基板２ａの温度を約２８０
Ｋ（絶対温度）まで昇温するには、約４５分の時間を要
する。ちなみに、この強制的な昇温操作を行なわずに、
真空待機室で自然昇温させれば、約７時間のもの多くの
時間を要してしまう。
Ｋ（絶対温度）まで昇温するには、約４５分の時間を要
する。ちなみに、この強制的な昇温操作を行なわずに、
真空待機室で自然昇温させれば、約７時間のもの多くの
時間を要してしまう。
【００３０】常温（室温）付近までに強制昇温が完了し
た膜付き基板２ａは、ロボット１８５のロボットハンド
１８６により真空昇温室１４０から取り出され、基板排
出室１５０まで搬送される。
た膜付き基板２ａは、ロボット１８５のロボットハンド
１８６により真空昇温室１４０から取り出され、基板排
出室１５０まで搬送される。
【００３１】基板排出室１５０に載置された膜付き基板
２ａは、次いで、次工程に移され、個々の素子部分に分
割され、１枚の基板から例えば約４０００個の素子部分
が得られる。
２ａは、次いで、次工程に移され、個々の素子部分に分
割され、１枚の基板から例えば約４０００個の素子部分
が得られる。
【００３２】なお、図１の装置はさらにシステム拡張し
てもよく、例えば、真空成膜室の増設や、新たに酸化処
理室やクリーニング室を設けるようにしてもよい。
てもよく、例えば、真空成膜室の増設や、新たに酸化処
理室やクリーニング室を設けるようにしてもよい。
【００３３】次いでこのような装置を用いた本発明の磁
気抵抗効果素子の製造方法について、説明する。
気抵抗効果素子の製造方法について、説明する。
【００３４】本発明の磁気抵抗効果素子の製造方法は、
熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1Ｋ-1の基板を準備する工程
と、前記基板を真空冷却室中に移動させ、当該真空冷却
室中で基板を、絶対温度２００Ｋ以下の温度に冷却する
基板冷却工程と、前記冷却された基板を真空成膜室中に
移動させ、基板ホルダに固定させるとともに当該基板を
回転させながら、当該基板の上に磁気抵抗効果積層膜を
形成する積層膜形成工程、を含むことを要部とする発明
である。
熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1Ｋ-1の基板を準備する工程
と、前記基板を真空冷却室中に移動させ、当該真空冷却
室中で基板を、絶対温度２００Ｋ以下の温度に冷却する
基板冷却工程と、前記冷却された基板を真空成膜室中に
移動させ、基板ホルダに固定させるとともに当該基板を
回転させながら、当該基板の上に磁気抵抗効果積層膜を
形成する積層膜形成工程、を含むことを要部とする発明
である。
【００３５】以下、工程ごとに詳細に説明する。
【００３６】基板準備工程 本発明の技術分野における基板はいわゆるウエーハとも
呼ばれ、素子の多数個取りのベースとなるものである。
本発明における基板は、熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1Ｋ-1
の範囲、好ましくは１０〜１００Ｗｍ-1Ｋ-1、より好ま
しくは１２〜８０Ｗｍ-1Ｋ-1のものが対象となる。この
値が１５０Ｗｍ-1Ｋ-1を超えると熱伝導率が大きくなり
すぎて、本発明のその後の操作での良好な膜が成膜でき
ないという不都合が生じる。つまり、膜質が低下するレ
ベルまで基板温度が上昇してしまうものと考えられる。
これでは、基板冷却と成膜とを別ステーションで行うこ
とができない。この一方で、この値が５Ｗｍ-1Ｋ-1未満
となると、基板の冷却のために、あまりにも多くの時間
を費やさなければならず、生産性が悪くなるという不都
合が生じてしまう。本発明における基板材質としては、
例えば、AlTiC（Al2O3・TiC）、ＳｉＣ、ＡｌＮなどで
代表されるセラミックの基板が挙げられる。半導体分野
で通常使用されているシリコンウエーハ等は、本願の基
板に該当しない。
呼ばれ、素子の多数個取りのベースとなるものである。
本発明における基板は、熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1Ｋ-1
の範囲、好ましくは１０〜１００Ｗｍ-1Ｋ-1、より好ま
しくは１２〜８０Ｗｍ-1Ｋ-1のものが対象となる。この
値が１５０Ｗｍ-1Ｋ-1を超えると熱伝導率が大きくなり
すぎて、本発明のその後の操作での良好な膜が成膜でき
ないという不都合が生じる。つまり、膜質が低下するレ
ベルまで基板温度が上昇してしまうものと考えられる。
これでは、基板冷却と成膜とを別ステーションで行うこ
とができない。この一方で、この値が５Ｗｍ-1Ｋ-1未満
となると、基板の冷却のために、あまりにも多くの時間
を費やさなければならず、生産性が悪くなるという不都
合が生じてしまう。本発明における基板材質としては、
例えば、AlTiC（Al2O3・TiC）、ＳｉＣ、ＡｌＮなどで
代表されるセラミックの基板が挙げられる。半導体分野
で通常使用されているシリコンウエーハ等は、本願の基
板に該当しない。
【００３７】このような基板は、前述したように、通
常、真空室となりうる基板待機室の中で複数枚ストック
された状態で待機している。待機の雰囲気は真空雰囲気
とされる。なお、本発明の明細書中でいう「真空」およ
び「真空雰囲気」とは、１０-3〜１０-9Ｐａ程度の真空
度をいう。
常、真空室となりうる基板待機室の中で複数枚ストック
された状態で待機している。待機の雰囲気は真空雰囲気
とされる。なお、本発明の明細書中でいう「真空」およ
び「真空雰囲気」とは、１０-3〜１０-9Ｐａ程度の真空
度をいう。
【００３８】基板冷却工程 前記基板を真空冷却室中に移動させ、ここで基板を、２
００Ｋ（絶対温度）以下、特に、５０〜１５０Ｋの温度
に冷却する。冷却は真空雰囲気で行なわれる。この値が
２００Ｋを超えると、この基板の上に形成される磁気抵
抗効果を示すスパッタ積層膜が良好な膜とならず膜特性
の向上が期待できなくなるという不都合が生じる。基板
の冷却方法は、上述したように基板を略均一に冷却でき
るものであれば特に限定されるものではない。好適な一
例としては、上述したように熱伝導率の良い基板載置台
の内部に、液体窒素や液体ヘリウムの冷媒を流すような
構造を形成しておき、基板載置台を冷却するとともに当
該基板載置台に載せられた基板を所定時間放置して、所
定温度まで冷却するようにすればよい。
００Ｋ（絶対温度）以下、特に、５０〜１５０Ｋの温度
に冷却する。冷却は真空雰囲気で行なわれる。この値が
２００Ｋを超えると、この基板の上に形成される磁気抵
抗効果を示すスパッタ積層膜が良好な膜とならず膜特性
の向上が期待できなくなるという不都合が生じる。基板
の冷却方法は、上述したように基板を略均一に冷却でき
るものであれば特に限定されるものではない。好適な一
例としては、上述したように熱伝導率の良い基板載置台
の内部に、液体窒素や液体ヘリウムの冷媒を流すような
構造を形成しておき、基板載置台を冷却するとともに当
該基板載置台に載せられた基板を所定時間放置して、所
定温度まで冷却するようにすればよい。
【００３９】なお、真空冷却室は開閉可能なシャッター
等によってその内部雰囲気が隔離できるようになってい
る。
等によってその内部雰囲気が隔離できるようになってい
る。
【００４０】磁気抵抗効果積層膜形成工程 次いで、冷却された基板は、真空成膜室の中に移動させ
られ、当該室中に設置された基板ホルダに固定される。
当該基板ホルダは、回転可能な機構を備えているため
に、基板を回転させながら、当該基板の上に磁気抵抗効
果積層膜をスパッタ法により形成させることができる。
なお、当該基板ホルダには、冷媒を流通させて基板を冷
却させる機構は形成されていない。
られ、当該室中に設置された基板ホルダに固定される。
当該基板ホルダは、回転可能な機構を備えているため
に、基板を回転させながら、当該基板の上に磁気抵抗効
果積層膜をスパッタ法により形成させることができる。
なお、当該基板ホルダには、冷媒を流通させて基板を冷
却させる機構は形成されていない。
【００４１】前述のごとく、本願で用いられる基板が所
望の熱伝導率の特性を備えているために、別のステージ
（基板冷却室での冷却工程）であれ一旦、基板が所望の
温度まで冷却されれば、その後の冷却操作を止めた状態
で、本願の磁気抵抗効果膜の成膜を行っても、極めて良
質の膜が形成できる。しかも、基板の冷却処理を成膜と
は別のステージで行うことにより、本願の成膜工程で
は、基板を回転させながら成膜ができるので、基板上に
何千個と形成される複数の素子の特性バラツキが極めて
少なくなり、信頼性に優れる素子の製造が可能となる。
磁気抵抗効果積層膜の成膜が完了するまでの時間は、通
常３０分程度である。
望の熱伝導率の特性を備えているために、別のステージ
（基板冷却室での冷却工程）であれ一旦、基板が所望の
温度まで冷却されれば、その後の冷却操作を止めた状態
で、本願の磁気抵抗効果膜の成膜を行っても、極めて良
質の膜が形成できる。しかも、基板の冷却処理を成膜と
は別のステージで行うことにより、本願の成膜工程で
は、基板を回転させながら成膜ができるので、基板上に
何千個と形成される複数の素子の特性バラツキが極めて
少なくなり、信頼性に優れる素子の製造が可能となる。
磁気抵抗効果積層膜の成膜が完了するまでの時間は、通
常３０分程度である。
【００４２】ここで、基板の上に形成される磁気抵抗効
果積層膜は、巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）であり、
特に、スピンバルブ磁気抵抗効果膜や、トンネル磁気抵
抗効果膜（ＴＭＲ膜）が好適例として挙げられる。
果積層膜は、巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）であり、
特に、スピンバルブ磁気抵抗効果膜や、トンネル磁気抵
抗効果膜（ＴＭＲ膜）が好適例として挙げられる。
【００４３】巨大磁気抵抗効果膜（ＧＭＲ膜）の好適例
である、いわゆるスピンバルブ磁気抵抗効果膜の基本構
造を示す一例が図２に示される。
である、いわゆるスピンバルブ磁気抵抗効果膜の基本構
造を示す一例が図２に示される。
【００４４】図２に示されるように、スピンバルブ磁気
抵抗効果膜は、例えばＣｕからなる非磁性金属層３０
と、この非磁性金属層３０の一方の面に形成された例え
ばＮｉＦｅからなる強磁性層４０と、非磁性金属層３０
の他方の面に形成された例えばＮｉＦｅからなる軟磁性
層２０と、強磁性層４０の磁化の向きをピン止めするた
めに強磁性層４０の上（ここで言う『上』とは、非磁性
金属層３０と接する面と反対側の面を意味する）に形成
された例えばＰｔＭｎからなる反強磁性層５０を有する
積層体構造をなしている。
抵抗効果膜は、例えばＣｕからなる非磁性金属層３０
と、この非磁性金属層３０の一方の面に形成された例え
ばＮｉＦｅからなる強磁性層４０と、非磁性金属層３０
の他方の面に形成された例えばＮｉＦｅからなる軟磁性
層２０と、強磁性層４０の磁化の向きをピン止めするた
めに強磁性層４０の上（ここで言う『上』とは、非磁性
金属層３０と接する面と反対側の面を意味する）に形成
された例えばＰｔＭｎからなる反強磁性層５０を有する
積層体構造をなしている。
【００４５】これらの積層体は、図２に示されるよう
に、通常、基板５の上に形成され、これらが基板５側か
ら、下地層７を介して、軟磁性層２０、非磁性金属層３
０、強磁性層４０、反強磁性層５０の順に積層されてい
る。この反強磁性層５０の上には、図示のごとく、さら
に保護層８０が形成される。この積層構造は一例であ
り、種々のモディファイが可能である。これらの各機能
層は、それぞれ、１層のみでなく、２層以上としてもよ
い。例えば、軟磁性層２０および強磁性層４０は、単層
に限定されることはなく、反強磁性型磁気結合をしてい
る一対の磁性層と、その間に挟まれた非磁性金属層の組
み合わせからなる積層体も、特に好ましい態様の一つで
ある。このような積層体としては、例えば、ＣｏＦｅ
（厚さ３０Å）／Ｒｕ（厚さ７Å）／ＣｏＦｅ（厚さ２
０Å）の３層積層体からなる強磁性層が挙げられる。ま
た、各層の組成についても公知の種々のバリエーション
が存在する。
に、通常、基板５の上に形成され、これらが基板５側か
ら、下地層７を介して、軟磁性層２０、非磁性金属層３
０、強磁性層４０、反強磁性層５０の順に積層されてい
る。この反強磁性層５０の上には、図示のごとく、さら
に保護層８０が形成される。この積層構造は一例であ
り、種々のモディファイが可能である。これらの各機能
層は、それぞれ、１層のみでなく、２層以上としてもよ
い。例えば、軟磁性層２０および強磁性層４０は、単層
に限定されることはなく、反強磁性型磁気結合をしてい
る一対の磁性層と、その間に挟まれた非磁性金属層の組
み合わせからなる積層体も、特に好ましい態様の一つで
ある。このような積層体としては、例えば、ＣｏＦｅ
（厚さ３０Å）／Ｒｕ（厚さ７Å）／ＣｏＦｅ（厚さ２
０Å）の３層積層体からなる強磁性層が挙げられる。ま
た、各層の組成についても公知の種々のバリエーション
が存在する。
【００４６】以下、スピンバルブ磁気抵抗効果膜の好適
な膜構成を例示する。なお、組成の次に付してあるカッ
コ内の数字は膜厚（単位Å）を示している。
な膜構成を例示する。なお、組成の次に付してあるカッ
コ内の数字は膜厚（単位Å）を示している。
【００４７】（１）Ta(30)/NiFe(50)/CoFe(5)/Cu(24)/C
oFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （２）Ta(30)/ PtMn(150)/CoFe(20)/Cu(24)/CoFe(5)/Ni
Fe(50)/Ta(30) （３）Ta(30)/NiFe(50)/CoFe(5)/Cu(24)/CoFe(30)/Ru
(7)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （４）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Ru(7)/CoFe(30)/Cu
(24)/CoFe(5)/NiFe(50)/Ta(30) （５）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Cu(24)/CoFe(5)/NiF
e(50)/CoFe(5)/Cu(24)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （６）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Ru(7)/CoFe(30)/Cu
(24)/CoFe(5)/NiFe(50)/CoFe(5)/Cu(24)/CoFe(30)/Ru
(7)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30)
oFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （２）Ta(30)/ PtMn(150)/CoFe(20)/Cu(24)/CoFe(5)/Ni
Fe(50)/Ta(30) （３）Ta(30)/NiFe(50)/CoFe(5)/Cu(24)/CoFe(30)/Ru
(7)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （４）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Ru(7)/CoFe(30)/Cu
(24)/CoFe(5)/NiFe(50)/Ta(30) （５）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Cu(24)/CoFe(5)/NiF
e(50)/CoFe(5)/Cu(24)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （６）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Ru(7)/CoFe(30)/Cu
(24)/CoFe(5)/NiFe(50)/CoFe(5)/Cu(24)/CoFe(30)/Ru
(7)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30)
【００４８】次に、トンネル磁気抵抗効果膜（ＴＭＲ
膜）の好適な一形態例を図３に示す。この実施の形態に
おいて、トンネル磁気抵抗効果膜（ＴＭＲ膜）は、その
要部として、トンネルバリア層１３と、トンネルバリア
層１３を挟むようにして形成された第１の強磁性層１２
と第２の強磁性層１４が積層された多層膜構造を有して
いる。
膜）の好適な一形態例を図３に示す。この実施の形態に
おいて、トンネル磁気抵抗効果膜（ＴＭＲ膜）は、その
要部として、トンネルバリア層１３と、トンネルバリア
層１３を挟むようにして形成された第１の強磁性層１２
と第２の強磁性層１４が積層された多層膜構造を有して
いる。
【００４９】このようなトンネル多層膜の基本構造にお
いて、さらに前記第１の強磁性層１２と第２の強磁性層
１４の外部方向にはそれぞれ、トンネル多層膜の厚さ方
向に電流を流すための一対の電極７１および電極７５が
積層され、電気的に接続される。
いて、さらに前記第１の強磁性層１２と第２の強磁性層
１４の外部方向にはそれぞれ、トンネル多層膜の厚さ方
向に電流を流すための一対の電極７１および電極７５が
積層され、電気的に接続される。
【００５０】２つの強磁性層１２，１４のうち、例え
ば、前記第１の強磁性層１２は、磁気情報である外部磁
場に応答して自由に磁化の向きが変えられるようないわ
ゆるフリー層として機能させられ、前記第２の強磁性層
１４は、当該強磁性層１４の磁化の向きが一定方向に固
定された磁化固定層として機能させられることが一般的
である。このような実施の態様では強磁性層１４の磁化
を固定するための、例えば、反強磁性層からなるピン止
め層５０が形成される。すなわち、図３に示される実施
の形態では、基板５の上に、電極７１、ピン止め層５
０、第２の強磁性層１４、トンネルバリア層１３、第１
の強磁性層１２、電極７５が順次形成される。強磁性層
１２、１４を構成する材質は、高いＴＭＲ変化量が得ら
れるように高スピン分極材料が好ましく、例えば、Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＦｅＣｏ，ＮｉＦｅ，ＣｏＺｒＮｂ，
ＦｅＣｏＮｉ等が用いられる。強磁性層１２の膜厚は、
２０〜２００Å、好ましくは４０〜１００Åとされる。
膜厚が厚くなりすぎると、ヘッド動作時の出力が低下す
る傾向があり、また、膜厚が薄くなりすぎると、磁気特
性が不安定となりヘッド動作時のノイズが増大するとい
う不都合が生じる。強磁性層１４の膜厚は、１０〜５０
Å、好ましくは２０〜３０Åとされる。膜厚が厚くなり
すぎると、後述するような反強磁性体による磁化のピン
ニングが弱まり、また、膜厚が薄くなりすぎると、ＴＭ
Ｒ変化率が減少する傾向が生じる。
ば、前記第１の強磁性層１２は、磁気情報である外部磁
場に応答して自由に磁化の向きが変えられるようないわ
ゆるフリー層として機能させられ、前記第２の強磁性層
１４は、当該強磁性層１４の磁化の向きが一定方向に固
定された磁化固定層として機能させられることが一般的
である。このような実施の態様では強磁性層１４の磁化
を固定するための、例えば、反強磁性層からなるピン止
め層５０が形成される。すなわち、図３に示される実施
の形態では、基板５の上に、電極７１、ピン止め層５
０、第２の強磁性層１４、トンネルバリア層１３、第１
の強磁性層１２、電極７５が順次形成される。強磁性層
１２、１４を構成する材質は、高いＴＭＲ変化量が得ら
れるように高スピン分極材料が好ましく、例えば、Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＦｅＣｏ，ＮｉＦｅ，ＣｏＺｒＮｂ，
ＦｅＣｏＮｉ等が用いられる。強磁性層１２の膜厚は、
２０〜２００Å、好ましくは４０〜１００Åとされる。
膜厚が厚くなりすぎると、ヘッド動作時の出力が低下す
る傾向があり、また、膜厚が薄くなりすぎると、磁気特
性が不安定となりヘッド動作時のノイズが増大するとい
う不都合が生じる。強磁性層１４の膜厚は、１０〜５０
Å、好ましくは２０〜３０Åとされる。膜厚が厚くなり
すぎると、後述するような反強磁性体による磁化のピン
ニングが弱まり、また、膜厚が薄くなりすぎると、ＴＭ
Ｒ変化率が減少する傾向が生じる。
【００５１】このような第１の強磁性層１２および第２
の強磁性層１４は、単層に限定されることはなく、反強
磁性型磁気結合をしている一対の磁性層と、その間に挟
まれた非磁性金属層の組み合わせからなる積層体も、特
に好ましい態様の一つである。このような積層体として
は、例えば、ＣｏＦｅ（厚さ３０Å）／Ｒｕ（厚さ７
Å）／ＣｏＦｅ（厚さ２０Å）の３層積層体からなる強
磁性層が挙げられる。
の強磁性層１４は、単層に限定されることはなく、反強
磁性型磁気結合をしている一対の磁性層と、その間に挟
まれた非磁性金属層の組み合わせからなる積層体も、特
に好ましい態様の一つである。このような積層体として
は、例えば、ＣｏＦｅ（厚さ３０Å）／Ｒｕ（厚さ７
Å）／ＣｏＦｅ（厚さ２０Å）の３層積層体からなる強
磁性層が挙げられる。
【００５２】以下、ＴＭＲ膜の好適な膜構成を例示す
る。なお、組成の次に付してあるカッコ内の数字は膜厚
（単位Å）を示している。Al(7)-Oxの表示は、７Å厚さ
のＡｌ膜を酸化処理して形成したアルミニウム酸化膜で
あることを意味している。
る。なお、組成の次に付してあるカッコ内の数字は膜厚
（単位Å）を示している。Al(7)-Oxの表示は、７Å厚さ
のＡｌ膜を酸化処理して形成したアルミニウム酸化膜で
あることを意味している。
【００５３】（１）Ta(30)/NiFe(50)/CoFe(5)/Al(7)-Ox
/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （２）Ta(30)/ PtMn(150)/CoFe(20)/Al(7)-Ox/CoFe(5)/
NiFe(50)/Ta(30) （３）Ta(30)/NiFe(50)/CoFe(5)/Al(7)-Ox/CoFe(30)/Ru
(7)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （４）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Ru(7)/CoFe(30)/Al
(7)-Ox/CoFe(5)/NiFe(50)/Ta(30) （５）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Al(7)-Ox/CoFe(5)/N
iFe(50)/CoFe(5)/Al(7)-Ox/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （６）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Ru(7)/CoFe(30)/Al
(7)-Ox/CoFe(5)/NiFe(50)/CoFe(5)/Al(7)-Ox/CoFe(30)/
Ru(7)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30)
/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （２）Ta(30)/ PtMn(150)/CoFe(20)/Al(7)-Ox/CoFe(5)/
NiFe(50)/Ta(30) （３）Ta(30)/NiFe(50)/CoFe(5)/Al(7)-Ox/CoFe(30)/Ru
(7)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （４）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Ru(7)/CoFe(30)/Al
(7)-Ox/CoFe(5)/NiFe(50)/Ta(30) （５）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Al(7)-Ox/CoFe(5)/N
iFe(50)/CoFe(5)/Al(7)-Ox/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30) （６）Ta(30)/PtMn(150)/CoFe(20)/Ru(7)/CoFe(30)/Al
(7)-Ox/CoFe(5)/NiFe(50)/CoFe(5)/Al(7)-Ox/CoFe(30)/
Ru(7)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30)
【００５４】基板を強制昇温させる工程 このような磁気抵抗効果積層膜が形成された基板は、真
空昇温室に移され、当該真空昇温室で積層基板を強制昇
温させる処理が行なわれることが生産性を向上させるた
めに特に好ましい。
空昇温室に移され、当該真空昇温室で積層基板を強制昇
温させる処理が行なわれることが生産性を向上させるた
めに特に好ましい。
【００５５】前述したように真空昇温室は、真空室とな
っており、この中には基板を室温付近まで昇温させるた
めの基板昇温手段が設置されている。基板昇温手段の好
適な一例としては、熱伝導率の大きい例えばＣｕからな
る基板載置台の中に、ヒーター等の加熱媒体を埋め込ん
だ構造を形成しておき、基板載置台を昇温するとともに
当該基板載置台に載せられた基板を所定時間放置して、
常温（室温）付近まで昇温するようにすればよい。この
工程を設けることによって、前述したように生産性は格
段と向上する。
っており、この中には基板を室温付近まで昇温させるた
めの基板昇温手段が設置されている。基板昇温手段の好
適な一例としては、熱伝導率の大きい例えばＣｕからな
る基板載置台の中に、ヒーター等の加熱媒体を埋め込ん
だ構造を形成しておき、基板載置台を昇温するとともに
当該基板載置台に載せられた基板を所定時間放置して、
常温（室温）付近まで昇温するようにすればよい。この
工程を設けることによって、前述したように生産性は格
段と向上する。
【００５６】基板の排出準備工程 室温付近までに強制昇温が完了した膜付き基板は、通
常、基板排出室まで搬送され、ここに一時的にストック
される。
常、基板排出室まで搬送され、ここに一時的にストック
される。
【００５７】基板排出室に載置、ストックされた積層膜
付き基板は、前述したように次工程の素子形成工程で、
個々の素子部分に切断分割され、１枚の基板から例えば
４０００個程度の素子部分が得られる。
付き基板は、前述したように次工程の素子形成工程で、
個々の素子部分に切断分割され、１枚の基板から例えば
４０００個程度の素子部分が得られる。
【００５８】このような本発明の製造方法においては、
素子性能のバラツキが少なく信頼性に富む製品が供給で
きるとともに、以下の点から生産性も極めて優れたもの
となる。すなわち、本発明の製造方法は、基板冷却工程
と磁気抵抗効果積層膜形成工程とを別ステージで独立し
てそれぞれ行うようにしているので、これらの互いの処
理を平行して同時に行うことができ（例えば、一つの基
板は冷却工程にあり、また他の一つの基板は成膜工程に
ある）、例えば、１２ウエーハを１セットとして連続的
に生産する場合には生産性の格段の向上が図られる。さ
らに、基板を強制昇温させる工程を組み込むことにより
その生産性は格段と向上する。具体的数値を挙げると、
１２ウエーハを１セットとして連続的に生産する場合に
おいて、従来例では約２０時間要したものが、本発明で
は約１５時間に短縮され（基板の強制昇温なし）、さら
に基板を強制昇温させる工程を組み込むことにより約９
時間に短縮されることが本発明者らによって確認されて
いる。
素子性能のバラツキが少なく信頼性に富む製品が供給で
きるとともに、以下の点から生産性も極めて優れたもの
となる。すなわち、本発明の製造方法は、基板冷却工程
と磁気抵抗効果積層膜形成工程とを別ステージで独立し
てそれぞれ行うようにしているので、これらの互いの処
理を平行して同時に行うことができ（例えば、一つの基
板は冷却工程にあり、また他の一つの基板は成膜工程に
ある）、例えば、１２ウエーハを１セットとして連続的
に生産する場合には生産性の格段の向上が図られる。さ
らに、基板を強制昇温させる工程を組み込むことにより
その生産性は格段と向上する。具体的数値を挙げると、
１２ウエーハを１セットとして連続的に生産する場合に
おいて、従来例では約２０時間要したものが、本発明で
は約１５時間に短縮され（基板の強制昇温なし）、さら
に基板を強制昇温させる工程を組み込むことにより約９
時間に短縮されることが本発明者らによって確認されて
いる。
【００５９】
【実施例】〔実験例１〕実施例１サンプルの作製 図１に示される装置を用いて、以下の複数の工程を経
て、トンネルの磁気抵抗効果型ヘッドの主要部であるト
ンネル磁気抵抗効果膜を作製した。
て、トンネルの磁気抵抗効果型ヘッドの主要部であるト
ンネル磁気抵抗効果膜を作製した。
【００６０】基板準備工程 すなわち、まず最初に、基板５として厚さ２ｍｍ、直径
７２ｍｍのＡｌＴｉＣ基板（熱伝導率：２５Ｗｍ
-1Ｋ-1）を準備し、このものを基板待機室に待機させ、
その後、基板待機室を真空引きして真空雰囲気とした。
真空雰囲気の形成に時間は２０分要した。
７２ｍｍのＡｌＴｉＣ基板（熱伝導率：２５Ｗｍ
-1Ｋ-1）を準備し、このものを基板待機室に待機させ、
その後、基板待機室を真空引きして真空雰囲気とした。
真空雰囲気の形成に時間は２０分要した。
【００６１】基板冷却工程 基板待機室中の基板をロボットにより、真空冷却室中の
基板載置台に移動させた。移動時間は、２分であった。
なお、移動に際しては、ロボットによる基板のハンドリ
ングができるように基板待機室および真空冷却室のシャ
ッターの開閉を適宜行った。
基板載置台に移動させた。移動時間は、２分であった。
なお、移動に際しては、ロボットによる基板のハンドリ
ングができるように基板待機室および真空冷却室のシャ
ッターの開閉を適宜行った。
【００６２】真空冷却室中の基板載置台の内部には液体
ヘリウムの冷媒が流されており、基板が載置される部分
からの熱伝導により、基板全体を１５０Ｋまで冷却し
た。冷却に要した時間は３０分であった。
ヘリウムの冷媒が流されており、基板が載置される部分
からの熱伝導により、基板全体を１５０Ｋまで冷却し
た。冷却に要した時間は３０分であった。
【００６３】磁気抵抗効果積層膜形成工程 真空冷却室中の基板をロボットにより、真空成膜室中の
基板ホルダに移動させた。移動時間は、２分であった。
なお、移動に際しては、ロボットによる基板のハンドリ
ングができるように真空冷却室および真空成膜室のシャ
ッターの開閉を適宜行った。その後、基板を回転速度１
８０ｒｐｍで回転させながら、スパッタ成膜を行った。
AlTiC基板上に形成したトンネル磁気抵抗効果積層膜の
膜構成は次の通りとした。なお、組成の次に付してある
数字は膜厚（Å）を示している。
基板ホルダに移動させた。移動時間は、２分であった。
なお、移動に際しては、ロボットによる基板のハンドリ
ングができるように真空冷却室および真空成膜室のシャ
ッターの開閉を適宜行った。その後、基板を回転速度１
８０ｒｐｍで回転させながら、スパッタ成膜を行った。
AlTiC基板上に形成したトンネル磁気抵抗効果積層膜の
膜構成は次の通りとした。なお、組成の次に付してある
数字は膜厚（Å）を示している。
【００６４】Ta(30)/NiFe(50)/CoFe(5)/Al(7)-Ox/CoFe
(30)/Ru(7)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30)
(30)/Ru(7)/CoFe(20)/PtMn(150)/Ta(30)
【００６５】このようにして成膜が完了した膜付き基板
を真空昇温室に移動させ（移動時間２分）、ここで強制
的に常温付近まで基板を昇温させた。昇温に要した時間
は４５分であった。ちなみに、前述したようにこの真空
昇温室を用いずに、真空真空雰囲気下での自然昇温で
は、基板温度を常温付近まで戻すために７時間を要する
ことが実験的に確認されている。
を真空昇温室に移動させ（移動時間２分）、ここで強制
的に常温付近まで基板を昇温させた。昇温に要した時間
は４５分であった。ちなみに、前述したようにこの真空
昇温室を用いずに、真空真空雰囲気下での自然昇温で
は、基板温度を常温付近まで戻すために７時間を要する
ことが実験的に確認されている。
【００６６】このようにして作製した磁気抵抗効果膜付
き基板（ウエーハ）から、切りだし・加工工程を経て約
４０００個の素子を取りだし、この中で任意に抽出した
４０個（サンプルＩＤ：１〜４０）を用いて、下記の要
領で（１）素子の抵抗値および（２）ＴＭＲ変化率を測
定した。
き基板（ウエーハ）から、切りだし・加工工程を経て約
４０００個の素子を取りだし、この中で任意に抽出した
４０個（サンプルＩＤ：１〜４０）を用いて、下記の要
領で（１）素子の抵抗値および（２）ＴＭＲ変化率を測
定した。
【００６７】（１）素子の抵抗値（Ω）および（２）Ｔ
ＭＲ変化率（％）の測定 ０．６μｍ×０．６μｍのサイズのテストパターンを用
い、４端子法を用いて求めた。具体的には、測定電流
０．１ｍＡを印加し、その時の印加電圧を測定した。電
圧の測定結果とオームの法則から得た計算値が抵抗値と
なる。
ＭＲ変化率（％）の測定 ０．６μｍ×０．６μｍのサイズのテストパターンを用
い、４端子法を用いて求めた。具体的には、測定電流
０．１ｍＡを印加し、その時の印加電圧を測定した。電
圧の測定結果とオームの法則から得た計算値が抵抗値と
なる。
【００６８】抵抗値の測定中は±２０００エルステッド
の磁界を印加し、抵抗値の印加磁界依存性を評価し、こ
の評価の際に得られた最小抵抗値Ｒminを「抵抗値
（Ω）」とした。さらに抵抗値の印加磁界依存性評価の
際に得られた最大抵抗値Ｒmaxおよび最小抵抗値Ｒminを
用い、下記式からＴＭＲ変化率を求めた。
の磁界を印加し、抵抗値の印加磁界依存性を評価し、こ
の評価の際に得られた最小抵抗値Ｒminを「抵抗値
（Ω）」とした。さらに抵抗値の印加磁界依存性評価の
際に得られた最大抵抗値Ｒmaxおよび最小抵抗値Ｒminを
用い、下記式からＴＭＲ変化率を求めた。
【００６９】 ＴＭＲ変化率＝（Ｒmax−Ｒmin）／Ｒmin ×１００ （％）
【００７０】比較例サンプル１の作製 以下の工程を経て、比較例であるトンネル磁気抵抗効果
膜を作製した。
膜を作製した。
【００７１】まず最初に、基板５として厚さ２ｍｍ、直
径７２ｍｍのＡｌＴｉＣ基板（熱伝導率：２５Ｗｍ-1Ｋ
-1）を準備し、このものを基板待機室に待機させ、その
後、基板待機室を真空引きして真空雰囲気とした。真空
雰囲気の形成に時間は２０分要した。
径７２ｍｍのＡｌＴｉＣ基板（熱伝導率：２５Ｗｍ-1Ｋ
-1）を準備し、このものを基板待機室に待機させ、その
後、基板待機室を真空引きして真空雰囲気とした。真空
雰囲気の形成に時間は２０分要した。
【００７２】基板待機室中の基板をロボットにより、真
空成膜室中の基板ホルダに移動させた。移動時間は、２
分であった。なお、移動に際しては、ロボットによる基
板のハンドリングができるように基板待機室および真空
成膜室のシャッターの開閉を適宜行った。
空成膜室中の基板ホルダに移動させた。移動時間は、２
分であった。なお、移動に際しては、ロボットによる基
板のハンドリングができるように基板待機室および真空
成膜室のシャッターの開閉を適宜行った。
【００７３】真空成膜室中の基板ホルダの内部には液体
ヘリウムの冷媒が流されており、基板が載置される部分
からの熱伝導により、基板全体を１５０Ｋまで冷却した
ところで、当該真空成膜室中で基板の上に上記実施例１
サンプルと同様のトンネル磁気抵抗効果膜を形成した。
なお、この成膜の際、基板ホルダの回転は行っていな
い。また、成膜中も基板の冷却は中止しなかった。
ヘリウムの冷媒が流されており、基板が載置される部分
からの熱伝導により、基板全体を１５０Ｋまで冷却した
ところで、当該真空成膜室中で基板の上に上記実施例１
サンプルと同様のトンネル磁気抵抗効果膜を形成した。
なお、この成膜の際、基板ホルダの回転は行っていな
い。また、成膜中も基板の冷却は中止しなかった。
【００７４】このようにして成膜が完了した基板を、真
空雰囲気下で常温付近まで７時間かけて自然昇温させ
た。
空雰囲気下で常温付近まで７時間かけて自然昇温させ
た。
【００７５】このようにして作製した比較例の磁気抵抗
効果膜付き基板（ウエーハ）から、切りだし・加工工程
を経て約４０００個の素子を取りだし、この中で任意に
抽出した４０個（サンプルＩＤ：１〜４０）を用いて、
上記の実施例１と同様に（１）素子の抵抗値および
（２）ＴＭＲ変化率を測定した。
効果膜付き基板（ウエーハ）から、切りだし・加工工程
を経て約４０００個の素子を取りだし、この中で任意に
抽出した４０個（サンプルＩＤ：１〜４０）を用いて、
上記の実施例１と同様に（１）素子の抵抗値および
（２）ＴＭＲ変化率を測定した。
【００７６】これらの結果を下記表１に示した。さらに
表１の結果を視覚的に分かり易くするために、図４およ
び図５にグラフ表示した。
表１の結果を視覚的に分かり易くするために、図４およ
び図５にグラフ表示した。
【００７７】
【表１】
【００７８】
【表２】
【００７９】表１および図４，５のグラフに示されるよ
うに、本発明のごとく、基板冷却工程と、成膜工程を別
のステージとし、なおかつ基板冷却後に基板を回転させ
ることにより、成膜状態が均一するためか、抵抗値のバ
ラツキを抑えることができる。これにより、一定電流で
ヘッドを駆動した場合に素子毎に印加される印加電圧の
バラツキを抑えることが可能となり好ましい。
うに、本発明のごとく、基板冷却工程と、成膜工程を別
のステージとし、なおかつ基板冷却後に基板を回転させ
ることにより、成膜状態が均一するためか、抵抗値のバ
ラツキを抑えることができる。これにより、一定電流で
ヘッドを駆動した場合に素子毎に印加される印加電圧の
バラツキを抑えることが可能となり好ましい。
【００８０】なお、ＴＭＲ変化率の値は略同等でかつバ
ラツキの程度に関して、実施例および比較例双方の差は
見られなかった。このことは、本発明の方法のごとく、
基板を所定温度まで冷却した後、真空成膜室に搬送後し
てその後にスパッタ成膜しても、さほど基板温度の上昇
はみられず、基板を冷却しながらスパッタ成膜したもの
と同等のグレインサイズの膜質が得られるものと考えら
れる。
ラツキの程度に関して、実施例および比較例双方の差は
見られなかった。このことは、本発明の方法のごとく、
基板を所定温度まで冷却した後、真空成膜室に搬送後し
てその後にスパッタ成膜しても、さほど基板温度の上昇
はみられず、基板を冷却しながらスパッタ成膜したもの
と同等のグレインサイズの膜質が得られるものと考えら
れる。
【００８１】〔実験例２〕上記実施例１サンプルの作製
および比較例１のサンプル作製において、トンネル磁気
抵抗効果膜を下記の膜構成からなるスピンバルブ膜に変
えた。
および比較例１のサンプル作製において、トンネル磁気
抵抗効果膜を下記の膜構成からなるスピンバルブ膜に変
えた。
【００８２】AlTiC/NiCr50/NiFe30/CoFe10/Cu20/CoFe25
/Ru8/CoFe15/PtMn120/Ta30
/Ru8/CoFe15/PtMn120/Ta30
【００８３】それ以外は上記実施例１および比較例１と
同様にして、実施例２および比較例２のスピンバルブ磁
気抵抗効果素子をそれぞれ作製した。
同様にして、実施例２および比較例２のスピンバルブ磁
気抵抗効果素子をそれぞれ作製した。
【００８４】これらについて、抵抗値（Ω）およびＭＲ
変化率（％）をそれぞれ測定したところ、この場合もや
はり、図４および図５のグラフと同様の傾向が確認され
た。
変化率（％）をそれぞれ測定したところ、この場合もや
はり、図４および図５のグラフと同様の傾向が確認され
た。
【００８５】〔実験例３〕上記実験例１で用いた基板
を、下記の熱伝導率をもつ基板に変えた。それ以外は上
記実験例１の実施例１と同様の方法で種々の素子サンプ
ルを作製した。
を、下記の熱伝導率をもつ基板に変えた。それ以外は上
記実験例１の実施例１と同様の方法で種々の素子サンプ
ルを作製した。
【００８６】基板材質１：ＳｉＣ、熱伝導率６８Ｗｍ-1
Ｋ-1（本発明） 基板材質２：ＡｌＮ、熱伝導率９０Ｗｍ-1Ｋ-1（本発
明） 基板材質３：Ｓｉ、熱伝導率１６８Ｗｍ-1Ｋ-1（比較
例）
Ｋ-1（本発明） 基板材質２：ＡｌＮ、熱伝導率９０Ｗｍ-1Ｋ-1（本発
明） 基板材質３：Ｓｉ、熱伝導率１６８Ｗｍ-1Ｋ-1（比較
例）
【００８７】基板材質１および２を用いた素子は、上記
実験例１の実施例１と略同等の良好なデータが得られた
が、基板材質３を用いた素子では、冷却室から成膜室ま
での移動の際、および成膜時における基板の温度上昇が
大きいためか、実験例１の実施例１と同等の良好なデー
タは得られなかった。
実験例１の実施例１と略同等の良好なデータが得られた
が、基板材質３を用いた素子では、冷却室から成膜室ま
での移動の際、および成膜時における基板の温度上昇が
大きいためか、実験例１の実施例１と同等の良好なデー
タは得られなかった。
【００８８】
【発明の効果】上記の結果より、本発明の効果は明かで
ある。すなわち、本発明は、熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1
Ｋ-1の基板を準備する工程と、前記基板を真空冷却室中
に移動させ、当該真空冷却室中で基板を、絶対温度２０
０Ｋ以下の温度に冷却する基板冷却工程と、前記冷却さ
れた基板を真空成膜室中に移動させ、基板ホルダに固定
させるとともに当該基板を回転させながら、当該基板の
上に磁気抵抗効果積層膜を形成する積層膜形成工程、を
含むように構成されているので、素子性能のバラツキが
少なく信頼性に富み、かつ生産性の向上にも図れるとい
う極めて優れた効果を発現する。
ある。すなわち、本発明は、熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1
Ｋ-1の基板を準備する工程と、前記基板を真空冷却室中
に移動させ、当該真空冷却室中で基板を、絶対温度２０
０Ｋ以下の温度に冷却する基板冷却工程と、前記冷却さ
れた基板を真空成膜室中に移動させ、基板ホルダに固定
させるとともに当該基板を回転させながら、当該基板の
上に磁気抵抗効果積層膜を形成する積層膜形成工程、を
含むように構成されているので、素子性能のバラツキが
少なく信頼性に富み、かつ生産性の向上にも図れるとい
う極めて優れた効果を発現する。
【図１】本発明の新規な成膜装置の好適な一例を示す概
略装置平面図である。
略装置平面図である。
【図２】スピンバルブ磁気抵抗効果膜の基本構造を示す
一例の断面図である。
一例の断面図である。
【図３】トンネル磁気抵抗効果膜の基本構造を示す一例
の断面図である。
の断面図である。
【図４】表１における各サンプル（サンプルＩＤ）と抵
抗値（Ω）の関係を表すグラフである。
抗値（Ω）の関係を表すグラフである。
【図５】表１における各サンプル（サンプルＩＤ）とＴ
ＭＲ（％）の関係を表すグラフである。
ＭＲ（％）の関係を表すグラフである。
１００…成膜装置 １１０…基板待機室 １２０…基板冷却室 １３０…真空成膜室 １４０…真空昇温室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｚ Ｆターム(参考） 4K029 AA01 AA04 BA24 BA25 BB02 BC06 BD04 CA05 DA01 EA08 JA02 KA01 5D034 BA02 BA03 BA16 DA04 DA05 DA07 5E049 AC05 BA16 DB04 GC01
Claims (8)
- 【請求項１】 熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1Ｋ-1の基板を
準備する工程と、 前記基板を真空冷却室中に移動させ、当該真空冷却室中
で基板を、絶対温度２００Ｋ以下の温度に冷却する基板
冷却工程と、 前記冷却された基板を真空成膜室中に移動させ、基板ホ
ルダに固定させるとともに当該基板を回転させながら、
当該基板の上に磁気抵抗効果積層膜を形成する積層膜形
成工程、を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製
造方法。 - 【請求項２】 熱伝導率５〜１５０Ｗｍ-1Ｋ-1の基板を
準備する工程と、 前記基板を真空冷却室中に移動させ、当該真空冷却室中
で基板を、絶対温度２００Ｋ以下の温度に冷却する基板
冷却工程と、 前記冷却された基板を真空成膜室中に移動させ、基板ホ
ルダに固定させるとともに当該基板を回転させながら、
当該基板の上に磁気抵抗効果積層膜を形成する積層膜形
成工程と、 積層膜が形成された膜付き基板を真空昇温室に移動させ
て、当該真空昇温室で膜付き基板を強制昇温させる工
程、を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方
法。 - 【請求項３】 前記磁気抵抗効果積層膜が巨大磁気抵抗
効果膜である請求項１または請求項２に記載の磁気抵抗
効果素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記磁気抵抗効果積層膜がトンネル磁気
抵抗効果膜である請求項３に記載の磁気抵抗効果素子の
製造方法。 - 【請求項５】 前記磁気抵抗効果積層膜がスピンバルブ
磁気抵抗効果膜である請求項３に記載の磁気抵抗効果素
子の製造方法。 - 【請求項６】 前記磁気抵抗効果積層膜がスパッタ法に
より形成された膜である請求項３または５に記載の磁気
抵抗効果素子の製造方法。 - 【請求項７】 基板を待機させる基板待機室と、 基板を冷却させるための基板冷却室と、 当該基板の上に磁気抵抗効果積層膜を形成するための真
空成膜室と、 基板を少なくとも前記基板待機室、基板冷却室および真
空成膜室に搬送させることができるロボットを備えるロ
ボット室とを有し、 当該ロボット室を中心として、その周縁に前記基板待機
室、基板冷却室および真空成膜室がそれぞれシャッター
を介して独立室として配置されていることを特徴とする
成膜装置。 - 【請求項８】 基板を待機させる基板待機室と、 基板を冷却させるための基板冷却室と、 当該基板の上に磁気抵抗効果積層膜を形成するための真
空成膜室と、 磁気抵抗効果積層膜が成膜された基板を強制昇温させる
真空昇温室と、 基板を少なくとも前記基板待機室、基板冷却室、真空成
膜室および真空昇温室に搬送させることができるロボッ
トを備えるロボット室とを有し、 当該ロボット室を中心として、その周縁に前記基板待機
室、基板冷却室、真空成膜室および真空昇温室がそれぞ
れシャッターを介して独立室として配置されていること
を特徴とする成膜装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000341467A JP3619769B2 (ja) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| US09/985,481 US6562199B2 (en) | 2000-11-09 | 2001-11-05 | Manufacturing method of magnetoresistive element and film forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000341467A JP3619769B2 (ja) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002151760A true JP2002151760A (ja) | 2002-05-24 |
| JP3619769B2 JP3619769B2 (ja) | 2005-02-16 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000341467A Expired - Fee Related JP3619769B2 (ja) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3619769B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278031A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Nec Tokin Corp | フェライト薄膜の製造装置 |
| JP2014010880A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Seagate Technology Llc | データ記憶装置、磁気書込要素、および方法 |
| US20140147702A1 (en) * | 2012-11-29 | 2014-05-29 | Seagate Technology Llc | Thin Film With Tuned Anisotropy and Magnetic Moment |
| US9378760B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Seagate Technology Llc | Data reader with tuned microstructure |
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| JP2010176782A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録再生装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH09111419A (ja) * | 1995-10-16 | 1997-04-28 | Alps Electric Co Ltd | 磁気抵抗効果材料および磁気抵抗効果多層膜 |
| US6228276B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-05-08 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing magnetoresistive (MR) sensor element with sunken lead structure |
-
2000
- 2000-11-09 JP JP2000341467A patent/JP3619769B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-11-05 US US09/985,481 patent/US6562199B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010278031A (ja) * | 2009-05-26 | 2010-12-09 | Nec Tokin Corp | フェライト薄膜の製造装置 |
| JP2014010880A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Seagate Technology Llc | データ記憶装置、磁気書込要素、および方法 |
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| US20140147702A1 (en) * | 2012-11-29 | 2014-05-29 | Seagate Technology Llc | Thin Film With Tuned Anisotropy and Magnetic Moment |
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Also Published As
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|---|---|
| JP3619769B2 (ja) | 2005-02-16 |
| US6562199B2 (en) | 2003-05-13 |
| US20020078550A1 (en) | 2002-06-27 |
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