JP2002151264A - Organic electroluminescent element - Google Patents

Organic electroluminescent element

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JP2002151264A
JP2002151264A JP2000339604A JP2000339604A JP2002151264A JP 2002151264 A JP2002151264 A JP 2002151264A JP 2000339604 A JP2000339604 A JP 2000339604A JP 2000339604 A JP2000339604 A JP 2000339604A JP 2002151264 A JP2002151264 A JP 2002151264A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent element with excellent light-emitting characteristics. SOLUTION: At least one layer of organic thin film layers contains a specific compound represented by the formula A, either by itself or as a mixture.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発光特性に優れた
有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence device having excellent light emission characteristics.

【0002】[0002]

【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス素子(以
下、「有機EL素子」と略記することもある。)は、電
界印加時に、陽極より注入された正孔と陰極より注入さ
れた電子との再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光
する原理を利用した自発光素子である。
2. Description of the Related Art An organic electroluminescence element (hereinafter sometimes abbreviated as an "organic EL element") is a device that combines the recombination energy of holes injected from an anode with electrons injected from a cathode when an electric field is applied. Is a self-luminous element utilizing the principle that a fluorescent substance emits light.

【0003】イーストマン・コダック社のC.W.Ta
ngらによって積層型素子による低電圧駆動有機EL素
子の報告(C.W.Tang, S.A.VanSlyke, Applied Physics
Letters,51巻,913頁、1987年など)がなさ
れて以来、有機材料を構成材料とする有機EL素子に関
する研究が盛んに行われている。
[0003] Eastman Kodak C.I. W. Ta
ng et al. report on a low voltage driven organic EL device using a stacked device (CWTang, SAVanSlyke, Applied Physics)
Since the publication of Letters, 51, 913, 1987), research on organic EL devices using organic materials as constituent materials has been actively conducted.

【0004】Tangらは、トリス(8−ヒドロキシキ
ノリノールアルミニウム)を発光層に、トリフェニルジ
アミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利
点としては、発光層への正孔の注入効率を高めることが
できる、陰極より注入された電子をブロックして再結合
により生成する励起子の生成効率を高めることができ
る、発光層内で生成した励起子を閉じこめることができ
る等を挙げることができる。この例のように、有機EL
素子の素子構造としては、正孔輸送(注入)層、電子輸
送性発光層の2層型、又は正孔輸送(注入)層、発光
層、電子輸送(注入)層の3層型等がよく知られてい
る。こうした積層構造型の有機EL素子では、注入され
た正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や各
層の形成方法の工夫がなされている。また、材料に関し
ても様々な化合物が有機EL素子用材料として開発され
ている。
Tang et al. Use tris (8-hydroxyquinolinol aluminum) for a light emitting layer and a triphenyldiamine derivative for a hole transport layer. The advantages of the stacked structure include the following: the efficiency of hole injection into the light emitting layer can be increased; the efficiency of exciton generation by blocking electrons injected from the cathode and recombination can be increased; And the like, which can confine the exciton generated therein. As in this example, the organic EL
As the element structure of the element, a two-layer type of a hole transporting (injection) layer and an electron transporting light emitting layer, or a three-layer type of a hole transporting (injection) layer, a light emitting layer, and an electron transporting (injection) layer are often used. Are known. In such an organic EL device having a laminated structure, a device structure and a method of forming each layer are devised in order to increase the recombination efficiency of injected holes and electrons. Various compounds have been developed as materials for organic EL devices.

【0005】正孔輸送性材料としてはスターバースト分
子である4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニル
フェニルアミノ)トリフェニルアミンやN,N’−ジフ
ェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−
[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン等のト
リフェニルアミン誘導体や芳香族ジアミン誘導体がよく
知られている(例えば、特開平8−20771号公報、
特開平8−40995号公報、特開平8−40997号
公報、特開平8−53397号公報、特開平8−871
22号公報等)。また、電子輸送性材料としてはオキサ
ジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体等がよく知られ
ている。
[0005] As the hole transporting material, starburst molecules such as 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine and N, N'-diphenyl-N, N'-bis ( 3-methylphenyl)-
Triphenylamine derivatives such as [1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine and aromatic diamine derivatives are well known (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-20771,
JP-A-8-40995, JP-A-8-40997, JP-A-8-53397, JP-A-8-871
No. 22, etc.). Also, oxadiazole derivatives, triazole derivatives and the like are well known as electron transporting materials.

【0006】また、発光材料としては、トリス(8−キ
ノリノラート)アルミニウム錯体等のキレート錯体、ク
マリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビス
スチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等
の発光材料が知られ、それらの発光色も青色から赤色ま
での可視領域の発光が得られることが報告されており、
カラー表示素子の実現が期待されている(例えば、特開
平8−239655号公報、特開平7−138561号
公報、特開平3−200289号公報等)。
[0006] Further, as the light emitting material, chelate complexes such as tris (8-quinolinolate) aluminum complex and the like, luminescent materials such as coumarin derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, bisstyrylarylene derivatives, oxadiazole derivatives and the like are known. It has been reported that the emission color can also emit light in the visible region from blue to red.
The realization of a color display element is expected (for example, JP-A-8-239655, JP-A-7-138561, JP-A-3-200289, etc.).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記の他にも多数の有
機エレクトロルミネッセンス素子用材料が報告されてい
るが、特定の化合物において、分子間の相互作用が強す
ぎるために、成膜に使用できるプロセスに制限があると
いう問題があった。また、こうした分子間相互作用の強
い材料を発光材料として用いた場合、濃度消光による発
光輝度の低下が見られ、充分な発光輝度、発光効率が得
られないという問題点があった。
A number of other materials for organic electroluminescent devices have been reported in addition to the above. However, certain compounds have too strong interaction between molecules and can be used for film formation. There was a problem that the process was limited. Further, when such a material having a strong intermolecular interaction is used as a light emitting material, the light emission luminance is reduced due to concentration quenching, and there is a problem that sufficient light emission luminance and light emission efficiency cannot be obtained.

【0008】そこで、本発明はこのような事情に鑑みて
なされたものであり、成膜プロセスに制限がなく、かつ
充分な発光輝度、発光効率が得られ、発光特性に優れた
有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目
的とする。
Accordingly, the present invention has been made in view of such circumstances, and there is no limitation on a film forming process, and an organic electroluminescence device having sufficient light emission luminance and light emission efficiency and excellent light emission characteristics. The purpose is to provide.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決するために鋭意検討した結果、2,2−ビス(4−
(シクロヘキシリデンメチン)フェニル)ビニル基が2
個、連結基により繋がった分子構造を有する化合物は、
シクロヘキシリデンメチン基がもたらす立体障害の効果
により分子間相互作用が弱められるため、成膜時のプロ
セスに関する制限を解決し、かつ発光材料として用いた
場合にも濃度消光をおこさず、かつジフェニルビニル構
造がもたらす電荷輸送特性の向上により高輝度な発光が
得られることを見出した。また、シクロヘキシリデンメ
チン基の導入により最高被占軌道が上昇し、素子構成に
よっては電荷注入が容易となることから、発光効率が大
きく向上することも見出した。
Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have found that 2,2-bis (4-
(Cyclohexylidenemethine) phenyl) vinyl group is 2
Compounds having a molecular structure linked by a linking group,
Since the intermolecular interaction is weakened by the effect of steric hindrance caused by the cyclohexylidenemethine group, the limitation on the process at the time of film formation is solved. It has been found that high-luminance light emission can be obtained by improving the charge transporting characteristics provided by the structure. It has also been found that the introduction of the cyclohexylidenemethine group increases the maximum occupied orbital and facilitates charge injection depending on the device configuration, so that the luminous efficiency is greatly improved.

【0010】すなわち、本発明の有機エレクトロルミネ
ッセンス素子は、陽極と陰極間に、発光層を含む一層又
は複数層の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッ
センス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層
が下記一般式[A]で表される化合物を単独で、もしく
は混合物として含有することを特徴とする。
That is, an organic electroluminescent device according to the present invention comprises an organic electroluminescent device having one or more organic thin film layers including a light emitting layer between an anode and a cathode, wherein at least one of the organic thin film layers is as follows: It is characterized by containing the compound represented by the formula [A] alone or as a mixture.

【化2】 (但し、式[A]中、R1〜R40はそれぞれ独立に水素
原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアミノ基、
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換
のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは
無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香
族複素環基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換
もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置
換のアルコキシカルボニル基を表し、R1〜R10、R11
〜R20、R21〜R30及びR31〜R40はそれらのうちの2
つで環を形成してもよい。また、R41〜R56はそれぞれ
独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換
若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換
若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のア
ルケニル基、置換若しくは無置換のスチリル基、置換若
しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換
のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素
基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しく
は無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ルオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニ
ル基、カルボキシル基を表し、R41〜R56はそれらのう
ちの2つで環を形成してもよい。また、Xは2価の連結
基を表す。)
Embedded image (However, in the formula [A], R 1 to R 40 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted amino group,
Substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted alkenyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, substituted or unsubstituted aromatic group A heterocyclic group, a substituted or unsubstituted aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group, a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group, R 1 to R 10 , R 11
~R 20, R 21 ~R 30 and R 31 to R 40 is 2 of them
Together to form a ring. R 41 to R 56 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted amino group, a nitro group, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, Substituted or unsubstituted styryl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, substituted or unsubstituted It represents a substituted aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group, a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group, or a carboxyl group, and R 41 to R 56 may form a ring with two of them. X represents a divalent linking group. )

【0011】また、前記発光層が前記一般式[A]で表
される化合物を単独で、もしくは混合物として含有する
ことを特徴とする。
Further, the light emitting layer contains the compound represented by the general formula [A] alone or as a mixture.

【0012】また、本発明の上記一般式[A]で表され
る化合物は優れた電荷輸送特性を有しており、これを電
子輸送材料として用いた場合にも優れた発光特性を有す
ることを見出した。したがって、前記有機薄膜層として
電子輸送層を有する場合には、電子輸送層に前記一般式
[A]で表される化合物を単独で、もしくは混合物とし
て含有させる構成としても良い。
Further, the compound represented by the above general formula [A] of the present invention has excellent charge transporting properties, and has excellent light emitting properties when used as an electron transporting material. I found it. Therefore, when an electron transport layer is provided as the organic thin film layer, the electron transport layer may be configured to contain the compound represented by the general formula [A] alone or as a mixture.

【0013】また、本発明の上記一般式[A]で表され
る化合物は優れた電荷輸送特性を有しており、これを正
孔輸送材料として用いた素子は優れた発光特性を有する
ことを見出した。したがって、前記有機薄膜層として正
孔輸送層を有する場合には、正孔輸送層に前記一般式
[A]で表される化合物を単独で、もしくは混合物とし
て含有させる構成としても良い。
Further, the compound represented by the above general formula [A] of the present invention has excellent charge transporting properties, and a device using the compound as a hole transporting material has excellent light emitting properties. I found it. Therefore, when a hole transport layer is provided as the organic thin film layer, the hole transport layer may be configured to contain the compound represented by the general formula [A] alone or as a mixture.

【0014】また、前記陰極に隣接する前記有機薄膜層
が、前記陰極との界面に、金属を含有することが望まし
く、このような構成にすることにより、より優れた発光
特性を得ることができることを見出した。
Further, it is desirable that the organic thin film layer adjacent to the cathode contains a metal at the interface with the cathode, and by adopting such a structure, more excellent light emission characteristics can be obtained. Was found.

【0015】また、本発明は、特に発光層が陽極に隣接
している場合に有効であり、より優れた発光特性を得こ
とができることを見出した。また、本発明の化合物を用
い、発光層が陽極に隣接する構造の素子においては、有
機薄膜層の形成前に、陽極に波長200nm未満の紫外
線照射処理、あるいは酸素プラズマ処理を施すことによ
り、より優れた発光特性を得ることができることを見出
した。したがって、発光層が陽極に隣接する構造の素子
においては、前記陽極を、波長200nm未満の紫外線
照射処理を施した陽極、あるいは酸素プラズマ処理を施
した陽極により構成することが望ましい。
Further, the present invention has been found to be effective particularly when the light emitting layer is adjacent to the anode, and to obtain more excellent light emitting characteristics. Further, in a device having a structure in which the light-emitting layer is adjacent to the anode using the compound of the present invention, the anode is subjected to ultraviolet irradiation treatment having a wavelength of less than 200 nm or oxygen plasma treatment before the formation of the organic thin film layer. It has been found that excellent emission characteristics can be obtained. Therefore, in an element having a structure in which the light-emitting layer is adjacent to the anode, it is preferable that the anode be constituted by an anode subjected to an ultraviolet irradiation treatment with a wavelength of less than 200 nm or an anode subjected to an oxygen plasma treatment.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の化合物は、下記一般式[A]で表される構造を
有する化合物である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The compound of the present invention is a compound having a structure represented by the following general formula [A].

【化3】 Embedded image

【0017】上記一般式[A]において、R1〜R40
それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは
無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のアルキル基、
置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置
換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキ
シ基、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、置換も
しくは無置換の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の
アラルキル基、置換もしくは無置換のアリールオキシ
基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基を表
し、R1〜R10、R11〜R20、R21〜R30及びR31〜R
40はそれらのうちの2つで環を形成してもよい。
In the general formula [A], R 1 to R 40 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted amino group, a substituted or unsubstituted alkyl group,
Substituted or unsubstituted alkenyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, substituted or unsubstituted Represents a substituted aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group, or a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group, and represents R 1 to R 10 , R 11 to R 20 , R 21 to R 30 and R 31 to R
40 may form a ring with two of them.

【0018】また、R41〜R56はそれぞれ独立に水素原
子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置
換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置
換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、
置換若しくは無置換のスチリル基、置換若しくは無置換
のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ
基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若し
くは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のア
ラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、
置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボ
キシル基を表し、R41〜R56はそれらのうちの2つで環
を形成してもよい。
R 41 to R 56 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted amino group, a nitro group, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted Alkenyl group,
Substituted or unsubstituted styryl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, substituted or unsubstituted A substituted aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group,
It represents a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group or a carboxyl group, and R 41 to R 56 may form a ring with two of them.

【0019】ここに、ハロゲン原子の例としては、フッ
素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ
る。置換若しくは無置換のアルキル基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n
−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−
オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチ
ル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブ
チル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒ
ドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−
ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、ク
ロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル
基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル
基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロ
ロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル
基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモ
エチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモ
エチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−
ジブロモt−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピ
ル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨー
ドエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨー
ドエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3
−ジヨードt−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロ
ピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−ア
ミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジア
ミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,
3−ジアミノt−ブチル基、1,2,3−トリアミノプ
ロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−
シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジ
シアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、
2,3−ジシアノt−ブチル基、1,2,3−トリシア
ノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、
2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2
−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル
基、2,3−ジニトロt−ブチル基、1,2,3−トリ
ニトロプロピル基等が挙げられる。
Here, examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, and n
-Pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-
Octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxyisobutyl group, 1,2-dihydroxyethyl group, 1,3-dihydroxyisopropyl group, 2,3-dihydroxy-t-
Butyl, 1,2,3-trihydroxypropyl, chloromethyl, 1-chloroethyl, 2-chloroethyl, 2-chloroisobutyl, 1,2-dichloroethyl, 1,3-dichloroisopropyl, 2,3-dichloro-t-butyl group, 1,2,3-trichloropropyl group, bromomethyl group, 1-bromoethyl group, 2-bromoethyl group, 2-bromoisobutyl group, 1,2-dibromoethyl group, 3-dibromoisopropyl group, 2,3-
Dibromo t-butyl group, 1,2,3-tribromopropyl group, iodomethyl group, 1-iodoethyl group, 2-iodoethyl group, 2-iodoisobutyl group, 1,2-diiodoethyl group, 1,3-diiodoisopropyl Group, 2, 3
T-butyl iodide, 1,2,3-triiodopropyl, aminomethyl, 1-aminoethyl, 2-aminoethyl, 2-aminoisobutyl, 1,2-diaminoethyl, 1, 3-diaminoisopropyl group, 2,
3-diamino t-butyl group, 1,2,3-triaminopropyl group, cyanomethyl group, 1-cyanoethyl group, 2-
Cyanoethyl group, 2-cyanoisobutyl group, 1,2-dicyanoethyl group, 1,3-dicyanoisopropyl group,
2,3-dicyano t-butyl group, 1,2,3-tricyanopropyl group, nitromethyl group, 1-nitroethyl group,
2-nitroethyl group, 2-nitroisobutyl group, 1,2
-Dinitroethyl group, 1,3-dinitroisopropyl group, 2,3-dinitro t-butyl group, 1,2,3-trinitropropyl group and the like.

【0020】置換若しくは無置換のアルケニル基として
は、ビニル基、アリル基、1−ブテニル基、2−ブテニ
ル基、3−ブテニル基、1,3−ブタンジエニル基、1
−メチルビニル基、スチリル基、2,2−ジフェニルビ
ニル基、1,2−ジフェニルビニル基、1−メチルアリ
ル基、1,1−ジメチルアリル基、2−メチルアリル
基、1−フェニルアリル基、2−フェニルアリル基、3
−フェニルアリル基、3,3−ジフェニルアリル基、
1,2−ジメチルアリル基、1−フェニル−1−ブテニ
ル基、3−フェニル−1−ブテニル基等が挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted alkenyl group include vinyl, allyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1,3-butanedienyl, and
-Methylvinyl group, styryl group, 2,2-diphenylvinyl group, 1,2-diphenylvinyl group, 1-methylallyl group, 1,1-dimethylallyl group, 2-methylallyl group, 1-phenylallyl group, 2- Phenylallyl group, 3
-Phenylallyl group, 3,3-diphenylallyl group,
Examples thereof include a 1,2-dimethylallyl group, a 1-phenyl-1-butenyl group, and a 3-phenyl-1-butenyl group.

【0021】置換若しくは無置換のシクロアルキル基と
しては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシ
ル基等が挙げられる。置換若しくは無置換のアルコキシ
基は、−OYで表される基であり、Yとしては、メチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n
−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−
オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチ
ル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブ
チル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒ
ドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−
ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、ク
ロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル
基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル
基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロ
ロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル
基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモ
エチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモ
エチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−
ジブロモt−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピ
ル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨー
ドエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨー
ドエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3
−ジヨードt−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロ
ピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−ア
ミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジア
ミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,
3−ジアミノt−ブチル基、1,2,3−トリアミノプ
ロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−
シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジ
シアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、
2,3−ジシアノt−ブチル基、1,2,3−トリシア
ノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、
2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2
−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル
基、2,3−ジニトロt−ブチル基、1,2,3−トリ
ニトロプロピル基等が挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group and a 4-methylcyclohexyl group. The substituted or unsubstituted alkoxy group is a group represented by -OY, wherein Y is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, an isobutyl group, a t- Butyl group, n
-Pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-
Octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxyisobutyl group, 1,2-dihydroxyethyl group, 1,3-dihydroxyisopropyl group, 2,3-dihydroxy-t-
Butyl, 1,2,3-trihydroxypropyl, chloromethyl, 1-chloroethyl, 2-chloroethyl, 2-chloroisobutyl, 1,2-dichloroethyl, 1,3-dichloroisopropyl, 2,3-dichloro-t-butyl group, 1,2,3-trichloropropyl group, bromomethyl group, 1-bromoethyl group, 2-bromoethyl group, 2-bromoisobutyl group, 1,2-dibromoethyl group, 3-dibromoisopropyl group, 2,3-
Dibromo t-butyl group, 1,2,3-tribromopropyl group, iodomethyl group, 1-iodoethyl group, 2-iodoethyl group, 2-iodoisobutyl group, 1,2-diiodoethyl group, 1,3-diiodoisopropyl Group, 2, 3
T-butyl iodide, 1,2,3-triiodopropyl, aminomethyl, 1-aminoethyl, 2-aminoethyl, 2-aminoisobutyl, 1,2-diaminoethyl, 1, 3-diaminoisopropyl group, 2,
3-diamino t-butyl group, 1,2,3-triaminopropyl group, cyanomethyl group, 1-cyanoethyl group, 2-
Cyanoethyl group, 2-cyanoisobutyl group, 1,2-dicyanoethyl group, 1,3-dicyanoisopropyl group,
2,3-dicyano t-butyl group, 1,2,3-tricyanopropyl group, nitromethyl group, 1-nitroethyl group,
2-nitroethyl group, 2-nitroisobutyl group, 1,2
-Dinitroethyl group, 1,3-dinitroisopropyl group, 2,3-dinitro t-butyl group, 1,2,3-trinitropropyl group and the like.

【0022】置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基の
例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチ
ル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アン
トリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル
基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9
−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタ
セニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−
ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、
3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−タ
ーフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル
基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル
−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−タ
ーフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル
基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−
(2−フェニルプロピル)フェニル基、3-メチル−2−
ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル
−1−アントリル基、4'−メチルビフェニルイル基、
4''−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基等が
挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group include phenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 1-anthryl, 2-anthryl, 9-anthryl, and 1-phenanthryl. , 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9
-Phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-
Pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group,
3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group, m-terphenyl-4-yl Group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, pt-butylphenyl group, p-
(2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-
Naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1-anthryl group, 4′-methylbiphenylyl group,
4 ''-t-butyl-p-terphenyl-4-yl group and the like.

【0023】また、置換若しくは無置換の芳香族複素環
基としては1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロ
リル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジ
ニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−イ
ンドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5
−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル
基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3
−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソ
インドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインド
リル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラ
ニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル
基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7
−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−
イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5
−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、
7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノ
リル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリ
ル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノ
リル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5
−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノ
リル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、
5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カ
ルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル
基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フ
ェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−
フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6
−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、
8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル
基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル
基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−ア
クリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナン
スロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3
−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、
1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェ
ナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン
−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル
基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8
−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンス
ロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−
イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,
8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナン
スロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9
−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、
1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェ
ナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン
−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル
基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−
フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロ
リン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−
イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、
1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−
フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンス
ロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−
イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,
9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナン
スロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6
−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、
2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェ
ナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリ
ン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル
基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−
フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロ
リン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イ
ル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8
−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナン
スロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3
−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、
2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェ
ナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン
−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル
基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フ
ェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジ
ニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニ
ル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニ
ル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル
基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル
基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、
4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサ
ジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニ
ル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピ
ロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル
基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロ
ール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、
3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール
−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−
t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニル
プロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−イ
ンドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチ
ル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル
基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル
1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、
4−t−ブチル3−インドリル基、等が挙げられる。
The substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group includes 1-pyrrolyl, 2-pyrrolyl, 3-pyrrolyl, pyrazinyl, 2-pyridinyl, 3-pyridinyl, 4-pyridinyl, 1-indolyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5
-Indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1-isoindolyl group, 2-isoindolyl group, 3
-Isoindolyl group, 4-isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2-furyl group, 3-furyl group, 2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group, 4-benzofuranyl group, 5 -Benzofuranyl group, 6-benzofuranyl group, 7
-Benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-
Isobenzofuranyl group, 4-isobenzofuranyl group, 5
-Isobenzofuranyl group, 6-isobenzofuranyl group,
7-isobenzofuranyl group, 2-quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5-quinolyl group, 6-quinolyl group, 7-quinolyl group, 8-quinolyl group, 1-isoquinolyl group, 3- Isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5
-Isoquinolyl group, 6-isoquinolyl group, 7-isoquinolyl group, 8-isoquinolyl group, 2-quinoxalinyl group,
5-quinoxalinyl group, 6-quinoxalinyl group, 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 9-carbazolyl group, 1-phenanthridinyl group, 2-phenanthridinyl group , 3-
Phenanthridinyl group, 4-phenanthridinyl group, 6
-Phenanthridinyl group, 7-phenanthridinyl group,
8-phenanthridinyl group, 9-phenanthridinyl group, 10-phenanthridinyl group, 1-acridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group, 9-acridinyl group, 1 , 7-phenanthroline-2-yl group, 1,7-phenanthroline-3
-Yl group, 1,7-phenanthrolin-4-yl group,
1,7-phenanthrolin-5-yl group, 1,7-phenanthrolin-6-yl group, 1,7-phenanthrolin-8-yl group, 1,7-phenanthrolin-9-yl group Group, 1,7-phenanthrolin-10-yl group, 1,8
-Phenanthroline-2-yl group, 1,8-phenanthrolin-3-yl group, 1,8-phenanthroline-4-
Yl group, 1,8-phenanthrolin-5-yl group, 1,
8-phenanthrolin-6-yl group, 1,8-phenanthrolin-7-yl group, 1,8-phenanthroline-9
-Yl group, 1,8-phenanthrolin-10-yl group,
1,9-phenanthrolin-2-yl group, 1,9-phenanthrolin-3-yl group, 1,9-phenanthrolin-4-yl group, 1,9-phenanthrolin-5-yl Group, 1,9-phenanthrolin-6-yl group, 1,9-
Phenanthroline-7-yl group, 1,9-phenanthroline-8-yl group, 1,9-phenanthroline-10-
An yl group, a 1,10-phenanthrolin-2-yl group,
1,10-phenanthrolin-3-yl group, 1,10-
Phenanthroline-4-yl group, 1,10-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthroline-1-
Yl group, 2,9-phenanthrolin-3-yl group, 2,
9-phenanthrolin-4-yl group, 2,9-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthroline-6
-Yl group, 2,9-phenanthrolin-7-yl group,
2,9-phenanthrolin-8-yl group, 2,9-phenanthrolin-10-yl group, 2,8-phenanthrolin-1-yl group, 2,8-phenanthrolin-3-yl Group, 2,8-phenanthrolin-4-yl group, 2,8-
Phenanthrolin-5-yl group, 2,8-phenanthrolin-6-yl group, 2,8-phenanthrolin-7-yl group, 2,8-phenanthrolin-9-yl group, 2, 8
-Phenanthroline-10-yl group, 2,7-phenanthrolin-1-yl group, 2,7-phenanthroline-3
-Yl group, 2,7-phenanthrolin-4-yl group,
2,7-phenanthrolin-5-yl group, 2,7-phenanthrolin-6-yl group, 2,7-phenanthrolin-8-yl group, 2,7-phenanthrolin-9-yl group Group, 2,7-phenanthrolin-10-yl group, 1-phenazinyl group, 2-phenazinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, -Phenothiazinyl group, 1-phenoxazinyl group, 2-phenoxazinyl group, 3-phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 10-phenoxazinyl group, 2-oxazolyl group,
4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 2-oxadiazolyl group, 5-oxadiazolyl group, 3-furazanyl group, 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-methylpyrrol-1-yl group, 2-methylpyrrole- 3-yl group, 2-methylpyrrole-4-yl group, 2-methylpyrrol-5-yl group, 3-methylpyrrol-1-yl group,
3-methylpyrrol-2-yl group, 3-methylpyrrol-4-yl group, 3-methylpyrrol-5-yl group, 2-
t-butylpyrrole-4-yl group, 3- (2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group, 2-methyl-1-indolyl group, 4-methyl-1-indolyl group, 2-methyl-3-indolyl Group, 4-methyl-3-indolyl group, 2-t-butyl 1-indolyl group, 4-t-butyl 1-indolyl group, 2-t-butyl 3-indolyl group,
4-t-butyl 3-indolyl group, and the like.

【0024】置換若しくは無置換のアラルキル基として
は、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニル
エチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニル
イソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチ
ルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフ
チルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−
α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、
1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル
基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチ
ルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−
ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチ
ルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベン
ジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル
基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o
−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨー
ドベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシ
ベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキ
シベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベン
ジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル
基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p
−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シア
ノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロ
ピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基等が
挙げられる。
The substituted or unsubstituted aralkyl group includes benzyl, 1-phenylethyl, 2-phenylethyl, 1-phenylisopropyl, 2-phenylisopropyl, phenyl-t-butyl, α-naphthyl Methyl group, 1-α-naphthylethyl group, 2-α-naphthylethyl group, 1-α-naphthylisopropyl group, 2-
α-naphthylisopropyl group, β-naphthylmethyl group,
1-β-naphthylethyl group, 2-β-naphthylethyl group, 1-β-naphthylisopropyl group, 2-β-naphthylisopropyl group, 1-pyrrolylmethyl group, 2- (1-
Pyrrolyl) ethyl group, p-methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, o-methylbenzyl group, p-chlorobenzyl group, m-chlorobenzyl group, o-chlorobenzyl group, p-bromobenzyl group, m-bromo Benzyl group, o
-Bromobenzyl group, p-iodobenzyl group, m-iodobenzyl group, o-iodobenzyl group, p-hydroxybenzyl group, m-hydroxybenzyl group, o-hydroxybenzyl group, p-aminobenzyl group, m-amino Benzyl group, o-aminobenzyl group, p-nitrobenzyl group, m-nitrobenzyl group, o-nitrobenzyl group, p
-Cyanobenzyl group, m-cyanobenzyl group, o-cyanobenzyl group, 1-hydroxy-2-phenylisopropyl group, 1-chloro-2-phenylisopropyl group and the like.

【0025】置換若しくは無置換のアリールオキシ基
は、一般式−OZで表され、Zとしてはフェニル基、1
−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2
−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリ
ル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、
4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナ
フタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル
基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル
基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4
−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、
p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2
−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフ
ェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、
o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−
ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェ
ニル基、3-メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−
ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4'−メ
チルビフェニルイル基、4''−t−ブチル−p−ターフ
ェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリル
基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル
基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−インド
リル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−イ
ンドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル
基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5
−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソ
インドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベン
ゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラ
ニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル
基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル
基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニ
ル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラ
ニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、
3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6
−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−
イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリ
ル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−
イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリ
ニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル
基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カ
ルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリ
ジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンス
リジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナン
スリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナ
ンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フ
ェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリ
ジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、
9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−
イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,
7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナン
スロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6
−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、
1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェ
ナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリ
ン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル
基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−
フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロ
リン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イ
ル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8
−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナン
スロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3
−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、
1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェ
ナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン
−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル
基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,1
0−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナ
ンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン
−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル
基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−
フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロ
リン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イ
ル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9
−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンス
ロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10
−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、
2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェ
ナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン
−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル
基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−
フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロ
リン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−
イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,
7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナン
スロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6
−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、
2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェ
ナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2
−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェ
ノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノ
チアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキ
サジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサ
ジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、
5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オ
キサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル
基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル
基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロ
ール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、
3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール
−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−
メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール
−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール
−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メ
チル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル
基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1
−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2
−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−イ
ンドリル基等が挙げられる。
The substituted or unsubstituted aryloxy group is represented by the general formula -OZ, wherein Z is a phenyl group, 1
-Naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2
-Anthryl group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group,
4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl Group, 4
-Biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group,
p-terphenyl-3-yl group, p-terphenyl-2
-Yl group, m-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group,
o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, pt-
Butylphenyl group, p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-1-
Naphthyl group, 4-methyl-1-anthryl group, 4'-methylbiphenylyl group, 4 ''-t-butyl-p-terphenyl-4-yl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, pyrazinyl group , 2-pyridinyl, 3-pyridinyl, 4-pyridinyl, 2-indolyl, 3-indolyl, 4-indolyl, 5-indolyl, 6-indolyl, 7-indolyl, 1-isoindolyl , 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group, 5
-Isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2-furyl group, 3-furyl group, 2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group, 4-benzofuranyl group, 5-benzofuranyl group, 6-benzofuranyl group, 7 -Benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzofuranyl group, 4-isobenzofuranyl group, 5-isobenzofuranyl group, 6-isobenzofuranyl group, 7-isobenzofuranyl Group, 2-quinolyl group,
3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5-quinolyl group, 6
-Quinolyl group, 7-quinolyl group, 8-quinolyl group, 1-
Isoquinolyl group, 3-isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5-isoquinolyl group, 6-isoquinolyl group, 7-
Isoquinolyl group, 8-isoquinolyl group, 2-quinoxalinyl group, 5-quinoxalinyl group, 6-quinoxalinyl group, 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 1-phenanthridinyl group , 2-phenanthridinyl group, 3-phenanthridinyl group, 4-phenanthridinyl group, 6-phenanthridinyl group, 7-phenanthridinyl group, 8-phenanthridinyl group, 9 -Phenanthridinyl group, 10-phenanthridinyl group, 1-acridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group,
9-acridinyl group, 1,7-phenanthroline-2-
Yl group, 1,7-phenanthrolin-3-yl group, 1,
7-phenanthrolin-4-yl group, 1,7-phenanthrolin-5-yl group, 1,7-phenanthroline-6
-Yl group, 1,7-phenanthrolin-8-yl group,
1,7-phenanthrolin-9-yl group, 1,7-phenanthrolin-10-yl group, 1,8-phenanthrolin-2-yl group, 1,8-phenanthrolin-3-yl Group, 1,8-phenanthrolin-4-yl group, 1,8-
Phenanthrolin-5-yl group, 1,8-phenanthrolin-6-yl group, 1,8-phenanthrolin-7-yl group, 1,8-phenanthroline-9-yl group, 1, 8
-Phenanthroline-10-yl group, 1,9-phenanthrolin-2-yl group, 1,9-phenanthroline-3
-Yl group, 1,9-phenanthrolin-4-yl group,
1,9-phenanthrolin-5-yl group, 1,9-phenanthrolin-6-yl group, 1,9-phenanthrolin-7-yl group, 1,9-phenanthrolin-8-yl group Group, 1,9-phenanthrolin-10-yl group, 1,1
A 0-phenanthrolin-2-yl group, a 1,10-phenanthrolin-3-yl group, a 1,10-phenanthrolin-4-yl group, a 1,10-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-1-yl group, 2,9-
Phenanthrolin-3-yl group, 2,9-phenanthrolin-4-yl group, 2,9-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-6-yl group, 2, 9
Phenanthroline-7-yl group, 2,9-phenanthroline-8-yl group, 2,9-phenanthroline-10
-Yl group, 2,8-phenanthrolin-1-yl group,
2,8-phenanthrolin-3-yl group, 2,8-phenanthrolin-4-yl group, 2,8-phenanthrolin-5-yl group, 2,8-phenanthrolin-6-yl group Group, 2,8-phenanthroline-7-yl group, 2,8-
Phenanthroline-9-yl group, 2,8-phenanthroline-10-yl group, 2,7-phenanthroline-1-
Yl group, 2,7-phenanthrolin-3-yl group, 2,
7-phenanthrolin-4-yl group, 2,7-phenanthrolin-5-yl group, 2,7-phenanthroline-6
-Yl group, 2,7-phenanthrolin-8-yl group,
2,7-phenanthrolin-9-yl group, 2,7-phenanthrolin-10-yl group, 1-phenazinyl group, 2
-Phenazinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 1-phenoxazinyl group, 2-phenoxazinyl group, 3-phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 2- An oxazolyl group, a 4-oxazolyl group,
5-oxazolyl group, 2-oxadiazolyl group, 5-oxadiazolyl group, 3-furazanyl group, 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-methylpyrrol-1-yl group, 2-methylpyrrol-3-yl group, 2-methylpyrrole-4-yl group, 2-methylpyrrole-5-yl group,
3-methylpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-2-yl group, 3-methylpyrrol-4-yl group, 3-
Methylpyrrol-5-yl group, 2-t-butylpyrrol-4-yl group, 3- (2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group, 2-methyl-1-indolyl group, 4-methyl-1- Indolyl group, 2-methyl-3-indolyl group, 4-methyl-3-indolyl group, 2-t-butyl 1
-Indolyl group, 4-t-butyl 1-indolyl group, 2
-T-butyl 3-indolyl group, 4-t-butyl 3-indolyl group and the like.

【0026】置換若しくは無置換のアルコキシカルボニ
ル基は、一般式−COOYで表され、Yとしてはメチル
基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチ
ル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n
−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−
オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチ
ル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブ
チル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒ
ドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−
ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、ク
ロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル
基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル
基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロ
ロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル
基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモ
エチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモ
エチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−
ジブロモt−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピ
ル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨー
ドエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨー
ドエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3
−ジヨードt−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロ
ピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−ア
ミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジア
ミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,
3−ジアミノt−ブチル基、1,2,3−トリアミノプ
ロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−
シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジ
シアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、
2,3−ジシアノt−ブチル基、1,2,3−トリシア
ノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、
2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2
−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル
基、2,3−ジニトロt−ブチル基、1,2,3−トリ
ニトロプロピル基等が挙げられる。
The substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group is represented by the general formula -COOY, and Y represents a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an s-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group. -Butyl group, n
-Pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-
Octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxyisobutyl group, 1,2-dihydroxyethyl group, 1,3-dihydroxyisopropyl group, 2,3-dihydroxy-t-
Butyl, 1,2,3-trihydroxypropyl, chloromethyl, 1-chloroethyl, 2-chloroethyl, 2-chloroisobutyl, 1,2-dichloroethyl, 1,3-dichloroisopropyl, 2,3-dichloro-t-butyl group, 1,2,3-trichloropropyl group, bromomethyl group, 1-bromoethyl group, 2-bromoethyl group, 2-bromoisobutyl group, 1,2-dibromoethyl group, 3-dibromoisopropyl group, 2,3-
Dibromo t-butyl group, 1,2,3-tribromopropyl group, iodomethyl group, 1-iodoethyl group, 2-iodoethyl group, 2-iodoisobutyl group, 1,2-diiodoethyl group, 1,3-diiodoisopropyl Group, 2, 3
T-butyl iodide, 1,2,3-triiodopropyl, aminomethyl, 1-aminoethyl, 2-aminoethyl, 2-aminoisobutyl, 1,2-diaminoethyl, 1, 3-diaminoisopropyl group, 2,
3-diamino t-butyl group, 1,2,3-triaminopropyl group, cyanomethyl group, 1-cyanoethyl group, 2-
Cyanoethyl group, 2-cyanoisobutyl group, 1,2-dicyanoethyl group, 1,3-dicyanoisopropyl group,
2,3-dicyano t-butyl group, 1,2,3-tricyanopropyl group, nitromethyl group, 1-nitroethyl group,
2-nitroethyl group, 2-nitroisobutyl group, 1,2
-Dinitroethyl group, 1,3-dinitroisopropyl group, 2,3-dinitro t-butyl group, 1,2,3-trinitropropyl group and the like.

【0027】また、環を形成する2価基の例としては、
テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン
基、ジフェニルメタン−2,2'−ジイル基、ジフェニ
ルエタン−3,3'−ジイル基、ジフェニルプロパン−
4,4'−ジイル基等が挙げられる。
Examples of the divalent group forming a ring include:
Tetramethylene group, pentamethylene group, hexamethylene group, diphenylmethane-2,2'-diyl group, diphenylethane-3,3'-diyl group, diphenylpropane-
4,4'-diyl group and the like.

【0028】置換もしくは無置換のアミノ基は、一般式
−NX34で表され、X3、X4としてはそれぞれ独立
に、水素原子、前述の置換もしくは無置換のアルキル
基、前述の置換もしくは無置換のアルケニル基、前述の
置換もしくは無置換のアラルキル基、前述の置換もしく
は無置換の芳香族炭化水素基、前述の置換もしくは無置
換の芳香族複素環基等が挙げられる。
The substituted or unsubstituted amino group is represented by the general formula -NX 3 X 4 , wherein X 3 and X 4 are each independently a hydrogen atom, the above-mentioned substituted or unsubstituted alkyl group, Alternatively, examples thereof include an unsubstituted alkenyl group, the aforementioned substituted or unsubstituted aralkyl group, the aforementioned substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, and the aforementioned substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group.

【0029】置換もしくは無置換のスチリル基として
は、無置換のスチリル基、2,2−ジフェニルビニル
基、1、2、2−トリフェニルビニル基の他、末端のフ
ェニル基或いはビニル炭素の置換基として、ハロゲン原
子、ヒドロキシル基、前記の置換若しくは無置換のアミ
ノ基、ニトロ基、シアノ基、前記の置換若しくは無置換
のアルキル基、前記の置換若しくは無置換のアルケニル
基、前記の置換若しくは無置換のシクロアルキル基、前
記の置換若しくは無置換のアルコキシ基、前記の置換若
しくは無置換の芳香族炭化水素基、前記の置換若しくは
無置換の芳香族複素環基、前記の置換若しくは無置換の
アラルキル基、前記の置換若しくは無置換のアリールオ
キシ基、前記の置換若しくは無置換のアルコキシカルボ
ニル基、カルボキシル基等を有する置換スチリル基、置
換2,2−ジフェニルビニル基及び置換1、2、2−ト
リフェニルビニル基等が挙げられる。
Examples of the substituted or unsubstituted styryl group include an unsubstituted styryl group, 2,2-diphenylvinyl group, 1,2,2-triphenylvinyl group, a terminal phenyl group and a substituent of vinyl carbon. As a halogen atom, a hydroxyl group, the above-mentioned substituted or unsubstituted amino group, nitro group, cyano group, the above-mentioned substituted or unsubstituted alkyl group, the above-mentioned substituted or unsubstituted alkenyl group, the above-mentioned substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted alkoxy group, the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, the substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, the substituted or unsubstituted aralkyl group The substituted or unsubstituted aryloxy group, the substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group, Substituted styryl group having such a substituted 2,2-diphenyl vinyl group and substituted 1,2,2-phenylvinyl group and the like.

【0030】前記一般式[A]においてXは2価の連結
基を表す。連結基としては単結合、前述の置換もしくは
無置換のアルケニル基からさらに水素原子を1個除いた
2価基、置換もしくは無置換のエーテルから水素原子を
2個除いた2価基、前述の置換もしくは無置換の芳香族
炭化水素基からさらに水素原子を1個除いた2価基、前
述の置換もしくは無置換の芳香族複素環基からさらに水
素原子を1個除いた2価基を示す。
In the general formula [A], X represents a divalent linking group. Examples of the linking group include a single bond, a divalent group in which one hydrogen atom has been further removed from the above-mentioned substituted or unsubstituted alkenyl group, a divalent group in which two hydrogen atoms have been removed from a substituted or unsubstituted ether, And a divalent group in which one hydrogen atom is further removed from an unsubstituted aromatic hydrocarbon group, and a divalent group in which one hydrogen atom is further removed from the above-mentioned substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group.

【0031】例としては、ビニレン基、ジフェニルエー
テルから水素原子を2個除いた2価基、ナフチレン基、
アントラニレン基、ペリレニレン基、1:2ベンゾペリ
レニレン基、1:2:7:8ジベンゾペリレニレン基、
1:2:11:12ジベンゾペリレニレン基、テリレニ
レン基、ペンタセニレン基、ビスアンスレニレン基、
4,4’−ビフェニレン基、10,10’−(9,9’
−ビアンスリル)イレン基、4,4’-(1,1’−ビナ
フチル)イレン基、4,10’-(1,9’−ナフチルア
ンスリル)イレン基、一般式−Ar1−Ar2−Ar3−で
表される2価基(但し、Ar1〜Ar3はそれぞれナフチ
ル基またはアントラニル基の何れかを示す。)及びフェ
ナントレン、ピレン、ビフェニル、ターフェニル等の芳
香族炭化水素あるいは縮合多環式炭化水素、カルバゾー
ル、ピロール、チオフェン、フラン、イミダゾール、ピ
ラゾール、イソチアゾール、イソオキサゾール、ピリジ
ン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、フラザン、チ
アンスレン、イソベンゾフラン、フェノキサジン、イン
ドリジン、インドール、イソインドール、1H−インダ
ゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、フタラジ
ン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノ
リン、プテリジン、カルバゾール、β−カルバゾリン、
フェナンスリジン、アクリジン、ペリミジン、フェナン
トロリン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジ
ン等の複素環化合物あるいは縮合複素環化合物の水素原
子を2個除いた二価の基及びそれらの誘導体が挙げられ
るが、これに限定されるものではない。
Examples thereof include a vinylene group, a divalent group obtained by removing two hydrogen atoms from diphenyl ether, a naphthylene group,
Anthranilylene group, perylenylene group, 1: 2 benzoperylenylene group, 1: 2: 7: 8 dibenzoperylenenylene group,
1: 2: 11: 12 dibenzoperyleneylene group, terylenelenylene group, pentasenylene group, bisanthryleneylene group,
4,4′-biphenylene group, 10,10 ′-(9,9 ′
-Bianthryl) ylene group, 4,4 '-(1,1'-binaphthyl) ylene group, 4,10'-(1,9'-naphthylanthryl) ylene group, general formula -Ar 1 -Ar 2 -Ar A divalent group represented by 3- (wherein, Ar 1 to Ar 3 each represent either a naphthyl group or an anthranyl group); an aromatic hydrocarbon such as phenanthrene, pyrene, biphenyl, or terphenyl; or a condensed polycyclic ring Formula hydrocarbon, carbazole, pyrrole, thiophene, furan, imidazole, pyrazole, isothiazole, isoxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, furazane, tianthrene, isobenzofuran, phenoxazine, indolizine, indole, isoindole, 1H- Indazole, purine, quinoline, isoquinoline, phthalazine, naphthyridine, quino Sarin, quinazoline, cinnoline, pteridine, carbazole, β- Karubazorin,
Heterocyclic compounds such as phenanthridine, acridine, perimidine, phenanthroline, phenazine, phenothiazine, phenoxazine or condensed heterocyclic compounds, and divalent groups obtained by removing two hydrogen atoms and derivatives thereof, but are not limited thereto. It is not something to be done.

【0032】以下に本発明の化合物例として、化合物
(1)〜(31)を挙げるが、本発明はその要旨を越え
ない限りこれらに限定されるものではない。
The compounds (1) to (31) are shown below as examples of the compound of the present invention, but the present invention is not limited thereto unless it exceeds the gist.

【化4】 Embedded image

【化5】 Embedded image

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【化30】 Embedded image

【化31】 Embedded image

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【化33】 Embedded image

【化34】 Embedded image

【0033】次に、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子(有機EL素子)の構造について説明する。本
発明の有機EL素子は、陽極と陰極間に、発光層を含む
一層又は複数層の有機薄膜層を挟持した構造を有する。
Next, the structure of the organic electroluminescence device (organic EL device) of the present invention will be described. The organic EL device of the present invention has a structure in which one or more organic thin film layers including a light emitting layer are sandwiched between an anode and a cathode.

【0034】以下、図1〜図4に基づいて、本発明の有
機EL素子の構成例について説明する。図1〜図4は、
本発明の有機EL素子の概略断面図であり、同じ構成要
素については同じ参照符号を付している。図1〜図4に
おいて、符号1は基板、符号2は陽極、符号3は正孔輸
送層、符号4は発光層、符号5は電子輸送層、符号6は
陰極をそれぞれ示しており、正孔輸送層、発光層、電子
輸送層が有機薄膜層からなっている。
Hereinafter, a configuration example of the organic EL device of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the organic EL element of the present invention, and the same components are denoted by the same reference numerals. 1 to 4, reference numeral 1 denotes a substrate, reference numeral 2 denotes an anode, reference numeral 3 denotes a hole transport layer, reference numeral 4 denotes a light emitting layer, reference numeral 5 denotes an electron transport layer, and reference numeral 6 denotes a cathode. The transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer are composed of organic thin film layers.

【0035】本発明の有機EL素子は、図1〜図4に示
すように、基板1の表面上に陽極2と発光層4と陰極6
を順次積層形成したものを基本構造としており、本発明
の有機EL素子としては、図1に示すように、陽極2と
陰極6との間に発光層4のみを具備する素子構造、図2
に示すように、陽極2と発光層4との間、陰極6と発光
層4との間に、それぞれ正孔輸送層3と電子輸送層5を
具備する素子構造、図3に示すように、陽極2と発光層
4との間に正孔輸送層3を具備し、陰極6と発光層4と
の間に電子輸送層を具備しない素子構造、あるいは、図
4に示すように、陰極6と発光層4との間に電子輸送層
5を具備し、陽極2と発光層4との間に正孔輸送層を具
備しない素子構造等を採用することができる。
As shown in FIGS. 1 to 4, the organic EL device of the present invention comprises an anode 2, a light emitting layer 4 and a cathode 6 on a surface of a substrate 1.
Are sequentially formed as a basic structure. As an organic EL element of the present invention, as shown in FIG. 1, an element structure having only a light emitting layer 4 between an anode 2 and a cathode 6;
As shown in FIG. 3, an element structure including a hole transport layer 3 and an electron transport layer 5 between the anode 2 and the light emitting layer 4 and between the cathode 6 and the light emitting layer 4, respectively, as shown in FIG. An element structure having a hole transport layer 3 between the anode 2 and the light-emitting layer 4 and no electron transport layer between the cathode 6 and the light-emitting layer 4 or, as shown in FIG. An element structure or the like in which the electron transport layer 5 is provided between the light emitting layer 4 and the hole transport layer is not provided between the anode 2 and the light emitting layer 4 can be adopted.

【0036】本発明の有機EL素子において、上記一般
式[A]で表される本発明の化合物が、陽極2と陰極6
との間に挟持された上記有機薄膜層(正孔輸送層3、発
光層4、電子輸送層5)のうち少なくとも一層に、単独
で、もしくは混合物として含有されている。なお、本発
明の化合物を含有する有機薄膜層は、本発明の化合物を
含有していればよいので、本発明の化合物のみから構成
されていても良いし、他の正孔輸送材料、発光材料、電
子輸送材料に本発明の化合物をドープしたものにより構
成してもよい。
In the organic EL device of the present invention, the compound of the present invention represented by the above general formula [A] is used for the anode 2 and the cathode 6
Are contained alone or as a mixture in at least one of the organic thin film layers (the hole transport layer 3, the light emitting layer 4, and the electron transport layer 5) sandwiched therebetween. The organic thin film layer containing the compound of the present invention may contain the compound of the present invention, and may be composed of only the compound of the present invention. Alternatively, an electron transport material doped with the compound of the present invention may be used.

【0037】正孔輸送層3に用いられる正孔輸送材料は
特に限定されず、通常正孔輸送材として使用されている
化合物であれば何を使用してもよい。例えば、下記のビ
ス(ジ(p−トリル)アミノフェニル)−1,1−シク
ロヘキサン[41]、N,N‘―ジフェニルーN,N’
―ビス(3−メチルフェニル)−1,1‘―ビフェニル
−4,4’―ジアミン[42]、N,N‘−ジフェニル
−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェニ
ル)−4,4‘−ジアミン[43]等のトリフェニルジ
アミン類や、スターバースト型分子([44]〜[4
6]等)等が挙げられる。
The hole transporting material used for the hole transporting layer 3 is not particularly limited, and any compound which is generally used as a hole transporting material may be used. For example, the following bis (di (p-tolyl) aminophenyl) -1,1-cyclohexane [41], N, N′-diphenyl-N, N ′
-Bis (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine [42], N, N'-diphenyl-NN-bis (1-naphthyl) -1,1'-biphenyl ) -4,4'-Diamine [43] and other triphenyldiamines, and starburst-type molecules ([44] to [4]
6] etc.).

【0038】[0038]

【化35】 Embedded image

【化36】 Embedded image

【化37】 Embedded image

【化38】 Embedded image

【化39】 Embedded image

【化40】 Embedded image

【0039】また、電子輸送層5に用いられる電子輸送
材料は特に限定されず、通常電子輸送材として使用され
ている化合物であれば何を使用してもよい。例えば、2
−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニ
ル)−1,3,4−オキサジアゾール[47]、ビス
{2−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキ
サジアゾール}−m−フェニレン[48]、等のオキサ
ジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体([49]、
[50]等)、キノリノール系の金属錯体([51]〜
[54]等)が挙げられる。
The electron transporting material used for the electron transporting layer 5 is not particularly limited, and any compound may be used as long as it is a compound usually used as an electron transporting material. For example, 2
-(4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole [47], bis {2- (4-t-butylphenyl) -1,3,4- Oxadiazole derivatives such as oxadiazole {-m-phenylene [48], triazole derivatives ([49],
[50]), quinolinol-based metal complexes ([51]-
[54] etc.).

【0040】[0040]

【化41】 Embedded image

【化42】 Embedded image

【化43】 Embedded image

【化44】 Embedded image

【化45】 Embedded image

【化46】 Embedded image

【化47】 Embedded image

【化48】 Embedded image

【0041】本発明の有機EL素子の陽極2は、正孔を
発光帯域へ注入する役割を担うものであり、4.5eV
以上の仕事関数を有するものであることが望ましい。本
発明に用いられる陽極材料としては、酸化インジウム錫
合金(以下、「ITO」と称す。)、酸化錫(NES
A)、金、銀、白金、銅等を例示することができる。
The anode 2 of the organic EL device of the present invention has a role of injecting holes into the emission band, and has a role of 4.5 eV.
It is desirable to have the above work function. As the anode material used in the present invention, indium tin oxide alloy (hereinafter referred to as “ITO”), tin oxide (NES)
A), gold, silver, platinum, copper and the like.

【0042】また、陰極6としては、電子輸送帯域又は
発光帯域に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材
料を用いることが好ましい。陰極材料は特に限定されな
いが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシ
ウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−
アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アル
ミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム
−銀合金等が使用できる。
As the cathode 6, it is preferable to use a material having a small work function for the purpose of injecting electrons into the electron transport zone or the emission zone. The cathode material is not particularly limited, but specifically, indium, aluminum, magnesium, magnesium-indium alloy, magnesium-
Aluminum alloy, aluminum-lithium alloy, aluminum-scandium-lithium alloy, magnesium-silver alloy and the like can be used.

【0043】本発明の有機EL素子の各有機薄膜層の形
成方法は特に限定されないが、公知の真空蒸着法、スピ
ンコーティング法等、一般的な薄膜形成方法を用いるこ
とが可能である。本発明の有機EL素子において、前記
一般式[A]で示される化合物を含有する有機薄膜層
は、溶媒に溶かした化合物溶液を塗布するディッピング
法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコ
ート法、ロールコート法等の塗布法の他、分子間相互作
用の強い化合物においては充分な成膜速度が得られな
い、あるいは全く成膜できないために適用不可能である
真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)等の方法でも形
成することができる。本発明の有機EL素子の各有機薄
膜層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎ
るとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると
高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は
数nmから1μmの範囲が好ましい。
The method of forming each organic thin film layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited, but a known thin film forming method such as a known vacuum evaporation method and spin coating method can be used. In the organic EL device of the present invention, the organic thin film layer containing the compound represented by the general formula [A] may be formed by a dipping method, a spin coating method, a casting method, a bar coating method, or a roll in which a compound solution dissolved in a solvent is applied. In addition to coating methods such as a coating method, a vacuum deposition method, a molecular beam deposition method (MBE), which cannot be applied because a compound having a strong intermolecular interaction cannot obtain a sufficient film formation rate or cannot form a film at all. Method) or the like. The thickness of each organic thin film layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited. However, in general, if the thickness is too small, defects such as pinholes are likely to occur. Conversely, if the thickness is too large, a high applied voltage is required, resulting in poor efficiency. Therefore, the range of several nm to 1 μm is usually preferable.

【0044】また、陰極6に隣接する有機薄膜層が、陰
極6との界面に金属を含有することが望ましく、陰極6
に隣接する有機薄膜層に含有させる金属としては、陰極
6に用いられる金属あるいは合金の他、セシウム、リチ
ウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム等が挙げ
られるが特にこれに限定されない。
It is preferable that the organic thin film layer adjacent to the cathode 6 contains a metal at the interface with the cathode 6.
Examples of the metal to be contained in the organic thin film layer adjacent to the above include, but are not particularly limited to, cesium, lithium, beryllium, magnesium, calcium, and the like, in addition to the metal or alloy used for the cathode 6.

【0045】以上の構成を採用することにより、成膜プ
ロセスに制限がなく、かつ充分な発光輝度、発光効率が
得られ、発光特性に優れた有機EL素子を提供すること
ができる。また、本発明は、図1〜図4に示した有機E
L素子の中でも、特に、発光層4が陽極2に隣接してい
る構造のものに有効であり、より優れた発光特性を得る
ことができる。
By adopting the above configuration, there is no limitation on the film forming process, sufficient luminous luminance and luminous efficiency can be obtained, and an organic EL device having excellent luminous characteristics can be provided. Further, the present invention relates to the organic E shown in FIGS.
Among the L elements, those having a structure in which the light emitting layer 4 is adjacent to the anode 2 are particularly effective, and more excellent light emitting characteristics can be obtained.

【0046】また、本発明の化合物を用い、発光層4が
陽極2に隣接する構造の素子においては、有機薄膜層を
形成する前の陽極2に対して、波長200nm未満の紫
外線照射処理を施しておくことが望ましい。このよう
に、あらかじめ陽極2に紫外線照射処理を施すことによ
り、より優れた発光特性を得ることができる。陽極2を
処理するための紫外線照射用ランプとしては、波長20
0nm未満の波長の光を発し、照射強度が1mW/cm
2以上のものであればどのようなものでもよい。具体的
にはエキシマUVランプ、エキシマレーザー、重水素ラ
ンプ等が挙げられるが、これに限定されることはない。
また、陽極2に対する波長200nm未満の紫外線照射
処理は、湿式洗浄法やオゾンクリーニング、あるいは酸
素等のプラズマ照射処理等を事前に施すことによって更
なる効果を得ることができる。
In a device using the compound of the present invention and having a structure in which the light emitting layer 4 is adjacent to the anode 2, the anode 2 before forming the organic thin film layer is subjected to an ultraviolet irradiation treatment having a wavelength of less than 200 nm. It is desirable to keep. As described above, by performing the ultraviolet irradiation treatment on the anode 2 in advance, more excellent light emission characteristics can be obtained. An ultraviolet irradiation lamp for treating the anode 2 has a wavelength of 20 nm.
It emits light having a wavelength of less than 0 nm and has an irradiation intensity of 1 mW / cm.
Any kind of two or more may be used. Specific examples include an excimer UV lamp, an excimer laser, and a deuterium lamp, but are not limited thereto.
Further, the UV irradiation treatment of the anode 2 with a wavelength of less than 200 nm can obtain a further effect by performing a wet cleaning method, ozone cleaning, plasma irradiation treatment with oxygen or the like in advance.

【0047】[0047]

【実施例】以下、本発明を、実施例をもとに詳細に説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施
例に限定されない。
The present invention will be described in detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it exceeds the gist.

【0048】(合成例1)化合物(3)の合成 4−(2,2−ビス(4−ブロモメチルフェニル)ビニ
ル)フェニルブロミドと2当量の亜リン酸トリエチルを
反応容器に入れ、攪拌しながら6時間140℃に加熱し
た。得られた混合物から減圧蒸留により残った亜リン酸
トリエチルを取り除き、反応中間体を得た。これに2当
量のシクロヘキサノンと2.4当量の水素化ナトリウム
をトルエン−ジメチルスルホキシド混合溶媒中、穏やか
に加熱しながら反応させた。得られた反応混合物を常法
に従い精製し、4−(2,2−ビス(4−シクロヘキシ
リデンメチンフェニル)ビニル)フェニルブロミドを得
た。
(Synthesis Example 1) Synthesis of Compound (3) 4- (2,2-bis (4-bromomethylphenyl) vinyl) phenyl bromide and 2 equivalents of triethyl phosphite were placed in a reaction vessel and stirred. Heated to 140 ° C. for 6 hours. The remaining triethyl phosphite was removed from the obtained mixture by distillation under reduced pressure to obtain a reaction intermediate. This was reacted with 2 equivalents of cyclohexanone and 2.4 equivalents of sodium hydride in a mixed solvent of toluene and dimethyl sulfoxide while gently heating. The obtained reaction mixture was purified according to a conventional method to obtain 4- (2,2-bis (4-cyclohexylidenemethinephenyl) vinyl) phenylbromide.

【0049】これを乾燥テトラヒドロフラン及び1当量
のマグネシウムリボンに穏やかに加熱しながら少量ずつ
加え発熱が止まった後、5時間還流させた。少量のビス
(ジフェニルフォスフィノプロパン)ニッケルジクロリ
ドと1当量の4−(2,2−ビス(4−シクロヘキシリ
デンメチンフェニル)ビニル)フェニルブロミドを加え
攪拌しながら9時間還流した。反応終了後、常法に従い
分離精製して目的の化合物(3)を得た。
This was added little by little to dry tetrahydrofuran and 1 equivalent of magnesium ribbon while gently heating, and after the heat generation was stopped, the mixture was refluxed for 5 hours. A small amount of bis (diphenylphosphinopropane) nickel dichloride and one equivalent of 4- (2,2-bis (4-cyclohexylidenemethinephenyl) vinyl) phenyl bromide were added, and the mixture was refluxed for 9 hours while stirring. After completion of the reaction, the resultant was separated and purified according to a conventional method to obtain the desired compound (3).

【0050】(合成例2)化合物(1)の合成 1,1,4,4、−テトラキス(4-メチルフェニル)
ブタジエンと4当量のN-ブロモスクシンイミドをシクロ
ヘキサン中攪拌しながら30時間還流した。得られた反
応液をトルエンで希釈した後、水洗、乾燥させた。これ
を常法に従って精製し、1,1,4,4、−テトラキス
(4-ブロモメチルフェニル)ブタジエンを得た。これ
を5当量の亜リン酸トリエチルと共に反応容器に入れ、
攪拌しながら9時間140℃に加熱した。
(Synthesis Example 2) Synthesis of Compound (1) 1,1,4,4, -tetrakis (4-methylphenyl)
Butadiene and 4 equivalents of N-bromosuccinimide were refluxed for 30 hours in cyclohexane with stirring. The resulting reaction solution was diluted with toluene, washed with water and dried. This was purified according to a conventional method to obtain 1,1,4,4, -tetrakis (4-bromomethylphenyl) butadiene. Put this into a reaction vessel with 5 equivalents of triethyl phosphite,
Heat to 140 ° C. with stirring for 9 hours.

【0051】得られた混合物から減圧蒸留により残った
亜リン酸トリエチルを取り除き、反応中間体を得た。こ
れに4当量のシクロヘキサノンと5当量の水素化ナトリ
ウムをジメチルスルホキシド中、穏やかに加熱しながら
反応させた。得られた反応混合物を常法に従い精製し目
的の化合物(1)を得た。
The residual triethyl phosphite was removed from the obtained mixture by distillation under reduced pressure to obtain a reaction intermediate. This was reacted with 4 equivalents of cyclohexanone and 5 equivalents of sodium hydride in dimethyl sulfoxide with gentle heating. The obtained reaction mixture was purified according to a conventional method to obtain the desired compound (1).

【0052】(合成例3)化合物(12)の合成 4−(2,2−ビス(4−シクロヘキシリデンメチンフ
ェニル)ビニル)フェニルブロミドを乾燥テトラヒドロ
フラン及び1当量のマグネシウムリボンに穏やかに加熱
しながら少量ずつ加え発熱が止まった後、5時間還流さ
せた。少量のビス(ジフェニルフォスフィノプロパン)
ニッケルジクロリドと0.5当量の9,10−ジブロモ
アントラセンを加え攪拌しながら30時間還流した。反
応終了後、常法に従い分離精製して目的の化合物(1
2)を得た。
(Synthesis Example 3) Synthesis of Compound (12) 4- (2,2-bis (4-cyclohexylidenemethinephenyl) vinyl) phenylbromide was gently heated to dry tetrahydrofuran and one equivalent of magnesium ribbon. The mixture was added little by little and the heat generation was stopped, and the mixture was refluxed for 5 hours. A small amount of bis (diphenylphosphinopropane)
Nickel dichloride and 0.5 equivalent of 9,10-dibromoanthracene were added, and the mixture was refluxed for 30 hours with stirring. After completion of the reaction, the desired compound (1) is separated and purified according to a conventional method.
2) was obtained.

【0053】以下、実施例1〜29においては、上記で
合成した化合物(3)、(1)、(12)を用い、これ
らの化合物、あるいはこれらの化合物と正孔輸送材料と
の混合薄膜、あるいはこれらの化合物と電子輸送材料と
の混合薄膜により有機EL素子の発光層を構成した例に
ついて説明する。
In Examples 1 to 29, the compounds (3), (1) and (12) synthesized above were used, and these compounds or a mixed thin film of these compounds and a hole transport material was used. Alternatively, an example in which a light emitting layer of an organic EL element is formed by a mixed thin film of these compounds and an electron transport material will be described.

【0054】(実施例1)ガラス基板上にITOをスパ
ッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□になる
ように成膜し、陽極とした。その上に発光層として、化
合物(3)を真空蒸着法にて40nm形成した。次に陰
極として、マグネシウム−銀合金を真空蒸着法にて20
0nm形成して、有機EL素子を作製した。この素子に
直流電圧を5V印加したところ、90cd/m2の発光
が得られた。
Example 1 An ITO was formed on a glass substrate by sputtering so that the sheet resistance was 20 Ω / □, and used as an anode. A compound (3) having a thickness of 40 nm was formed thereon as a light emitting layer by a vacuum evaporation method. Next, as a cathode, a magnesium-silver alloy was deposited by vacuum evaporation for 20 minutes.
An organic EL element was formed by forming the layer to a thickness of 0 nm. When a DC voltage of 5 V was applied to this device, light emission of 90 cd / m 2 was obtained.

【0055】(実施例2)発光材料として、化合物
(1)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、有
機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加
したところ、80cd/m2の発光が得られた。
Example 2 An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the compound (1) was used as a light emitting material. When a DC voltage of 5 V was applied to this device, light emission of 80 cd / m 2 was obtained.

【0056】(実施例3)発光材料として、化合物(1
2)を用いる以外は実施例1と同様の操作を行い、有機
EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加し
たところ、100cd/m2の発光が得られた。
Example 3 As a light emitting material, compound (1)
An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that 2) was used. When a DC voltage of 5 V was applied to this device, light emission of 100 cd / m 2 was obtained.

【0057】(実施例4)ガラス基板上にITOをスパ
ッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□になる
ように成膜し、陽極とした。その上に化合物(12)の
クロロホルム溶液を用いたスピンコート法により40n
mの発光層を形成した。次に、陰極として、マグネシウ
ム−銀合金を真空蒸着法により200nm形成して、有
機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を5V印加
したところ、60cd/m2の発光が得られた。
Example 4 An ITO was formed on a glass substrate by a sputtering method so that the sheet resistance became 20 Ω / □, and used as an anode. On top of this, 40 n was formed by a spin coating method using a chloroform solution of compound (12).
m light emitting layers were formed. Next, as a cathode, a magnesium-silver alloy was formed to a thickness of 200 nm by a vacuum evaporation method to produce an organic EL device. When a DC voltage of 5 V was applied to this device, light emission of 60 cd / m 2 was obtained.

【0058】(実施例5)ガラス基板上にITOをスパ
ッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□になる
ように成膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層とし
て、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチ
ルフェニル)−[1,1′−ビフェニル]−4,4′−
ジアミン[42]を真空蒸着法にて50nm形成した。
次に、発光層として、化合物(3)を真空蒸着法にて4
0nm形成した。次に、電子輸送層として2−(4−ビ
フェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,
3,4−オキサジアゾール[47]を真空蒸着法にて2
0nm形成した。次に、陰極として、マグネシウム−銀
合金を真空蒸着法によって200nm形成して、有機E
L素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加し
たところ、3060cd/m2の発光が得られた。
Example 5 An ITO was formed on a glass substrate by a sputtering method so that the sheet resistance was 20 Ω / □. N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)-[1,1'-biphenyl] -4,4'- is formed thereon as a hole transport layer.
Diamine [42] was formed to a thickness of 50 nm by a vacuum evaporation method.
Next, as a light emitting layer, the compound (3) was coated with 4
0 nm was formed. Next, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,
3,4-oxadiazole [47]
0 nm was formed. Next, as a cathode, a magnesium-silver alloy is formed to a thickness of 200 nm by a vacuum evaporation method,
An L element was produced. When a DC voltage of 10 V was applied to this device, light emission of 3060 cd / m 2 was obtained.

【0059】(実施例6)発光材料として、化合物
(1)を用いる以外は実施例5と同様の操作を行い、有
機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印
加したところ、2570cd/m2の発光が得られた。
Example 6 An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 5, except that the compound (1) was used as the light emitting material. When a DC voltage of 10 V was applied to this device, light emission of 2570 cd / m 2 was obtained.

【0060】(実施例7)発光材料として、化合物(1
2)を用いる以外は実施例5と同様の操作を行い、有機
EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加
したところ、3960cd/m2の発光が得られた。
Example 7 As a light emitting material, compound (1)
An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 5, except that 2) was used. When a DC voltage of 10 V was applied to this device, light emission of 3960 cd / m 2 was obtained.

【0061】(実施例8)正孔輸送層としてN,N‘−
ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,1’
−ビフェニル)−4,4‘−ジアミン[43]を、電子
輸送層としてビス{2−(4−t−ブチルフェニル)−
1,3,4−オキサジアゾール}−m−フェニレン[4
8]を用いる以外は実施例5と同様の操作を行い、有機
EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加
したところ、3330cd/m2の発光が得られた。
(Example 8) N, N'-
Diphenyl-NN-bis (1-naphthyl) -1,1 '
-Biphenyl) -4,4'-diamine [43] as bis {2- (4-t-butylphenyl)-
1,3,4-oxadiazole {-m-phenylene [4
8], except that [8] was used, to produce an organic EL device. When a DC voltage of 10 V was applied to this device, light emission of 3330 cd / m 2 was obtained.

【0062】(実施例9)正孔輸送層として[44]
を、発光層として化合物(3)を、電子輸送層として
[51]を用いる以外は実施例5と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、3730cd/m2の発光が得られ
た。
(Example 9) [44] as a hole transport layer
Was performed in the same manner as in Example 5, except that Compound (3) was used as the light emitting layer and [51] was used as the electron transporting layer.
An organic EL device was manufactured. Apply a DC voltage of 10 V to this element.
Upon application, light emission of 3730 cd / m 2 was obtained.

【0063】(実施例10)正孔輸送層として[45]
を、発光層として化合物(12)を、電子輸送層として
[52]を用いる以外は実施例5と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、4260cd/m2の発光が得られ
た。
(Example 10) [45] as a hole transport layer
Was performed in the same manner as in Example 5, except that Compound (12) was used as the light-emitting layer and [52] was used as the electron transport layer.
An organic EL device was manufactured. Apply a DC voltage of 10 V to this element.
Upon application, light emission of 4260 cd / m 2 was obtained.

【0064】(実施例11)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層とし
て、[43]を真空蒸着法にて50nm形成した。その
上に発光層として[43]と化合物(3)を1:10の
重量比で共蒸着して作製した薄膜を50nm形成した。
次に、電子輸送層として2−(4−ビフェニリル)−5
−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジ
アゾール[47]を真空蒸着法にて20nm形成した。
次に、陰極として、マグネシウム−銀合金を真空蒸着法
によって200nm形成して、有機EL素子を作製し
た。この素子に直流電圧を10V印加したところ、32
80cd/m2の発光が得られた。
Example 11 An ITO was formed on a glass substrate by sputtering so that the sheet resistance was 20 Ω / □, and used as an anode. [43] As a hole transport layer, [43] was formed thereon by a vacuum evaporation method to a thickness of 50 nm. A thin film having a thickness of 50 nm was formed thereon as a light emitting layer by co-evaporating [43] and the compound (3) at a weight ratio of 1:10.
Next, 2- (4-biphenylyl) -5 was used as an electron transport layer.
-(4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole [47] was formed to a thickness of 20 nm by a vacuum evaporation method.
Next, as a cathode, a magnesium-silver alloy was formed to a thickness of 200 nm by a vacuum evaporation method to produce an organic EL device. When a DC voltage of 10 V was applied to this element, 32
Emission of 80 cd / m 2 was obtained.

【0065】(実施例12)化合物(3)の代わりに化
合物(12)を用いる以外は実施例11と同様の操作を
行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を
10V印加したところ、3920cd/m2の発光が得
られた。
Example 12 An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 11, except that the compound (12) was used instead of the compound (3). When a DC voltage of 10 V was applied to this device, light emission of 3920 cd / m 2 was obtained.

【0066】(実施例13)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。その上に発光層として
N,N‘−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)
−1,1’−ビフェニル)−4,4‘−ジアミン[4
3]と化合物(3)を1:10の重量比で共蒸着して作
製した薄膜を50nm形成した。次いで電子輸送層とし
て[49]を真空蒸着法にて50nm形成した。次に、
陰極として、マグネシウム−銀合金を200nm形成し
て、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3550cd/m2の発光が得ら
れた。
Example 13 An ITO was formed on a glass substrate by sputtering so that the sheet resistance was 20 Ω / □, and used as an anode. N, N'-diphenyl-NN-bis (1-naphthyl) is formed thereon as a light emitting layer.
-1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine [4
3] and compound (3) were co-evaporated at a weight ratio of 1:10 to form a thin film having a thickness of 50 nm. Next, [49] was formed as an electron transporting layer to a thickness of 50 nm by a vacuum evaporation method. next,
A 200 nm thick magnesium-silver alloy was formed as a cathode to produce an organic EL device. DC voltage is applied to this element by 1
When 0 V was applied, light emission of 3550 cd / m 2 was obtained.

【0067】(実施例14)化合物(3)の代わりに化
合物(12)を用いる以外は実施例13と同様の操作を
行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を
10V印加したところ、3600cd/m2の発光が得
られた。
Example 14 An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 13, except that the compound (12) was used instead of the compound (3). When a DC voltage of 10 V was applied to this device, light emission of 3600 cd / m 2 was obtained.

【0068】(実施例15)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。その上に化合物(12)
とN,N‘−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチ
ル)−1,1’−ビフェニル)−4,4‘−ジアミン
[43]をモル比で1:10の割合で含有するクロロホ
ルム溶液を用いたスピンコート法により40nmの発光
層を形成した。次に[50]を真空蒸着法により50n
mの電子輸送層を形成し、その上に陰極としてマグネシ
ウム−銀合金を真空蒸着法により200nm形成して、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、1470cd/m2の発光が得られ
た。
Example 15 An ITO was formed on a glass substrate by sputtering so that the sheet resistance was 20 Ω / □, and used as an anode. Compound (12) on top
Solution containing N, N'-diphenyl-NN-bis (1-naphthyl) -1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine [43] in a molar ratio of 1:10 A 40 nm light emitting layer was formed by spin coating using Next, [50] is made 50 n by a vacuum evaporation method.
m of an electron transport layer, and a magnesium-silver alloy was formed thereon as a cathode by vacuum evaporation to a thickness of 200 nm.
An organic EL device was manufactured. Apply a DC voltage of 10 V to this element.
Upon application, light emission of 1470 cd / m 2 was obtained.

【0069】(実施例16)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層とし
てN,N‘−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチ
ル)−1,1’−ビフェニル)−4,4‘−ジアミン
[43]を真空蒸着法にて50nm形成した。次に、発
光層として[51]と化合物(1)とを20:1の重量
比で真空共蒸着した膜を50nm形成した。次に陰極と
してマグネシウム−銀合金を200nm形成して、有機
EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加
したところ、2030cd/m2の発光が得られた。
Example 16 An ITO was formed on a glass substrate by sputtering so that the sheet resistance was 20 Ω / □, and used as an anode. N, N′-diphenyl-NN-bis (1-naphthyl) -1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine [43] is formed thereon as a hole transport layer by a vacuum evaporation method to a thickness of 50 nm. Formed. Next, as a light emitting layer, a film was formed by vacuum co-evaporation of [51] and the compound (1) at a weight ratio of 20: 1 to a thickness of 50 nm. Next, a 200 nm thick magnesium-silver alloy was formed as a cathode to produce an organic EL device. When a DC voltage of 10 V was applied to this device, light emission of 2030 cd / m 2 was obtained.

【0070】(実施例17)発光層として、[51]と
化合物(3)とを20:1の重量比で真空共蒸着した5
0nmの膜を用いる以外は実施例16と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、2120cd/m2の発光が得ら
れた。
Example 17 As a light emitting layer, [51] and compound (3) were co-deposited in a vacuum at a weight ratio of 20: 1.
An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 16 except that a 0 nm film was used. DC voltage is applied to this element by 1
When a voltage of 0 V was applied, light emission of 2120 cd / m 2 was obtained.

【0071】(実施例18)化合物(3)の代わりに化
合物(12)を用いる以外は実施例17と同様の操作を
行い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を
10V印加したところ、2150cd/m2の発光が得
られた。
Example 18 An organic EL device was produced in the same manner as in Example 17, except that the compound (12) was used instead of the compound (3). When a DC voltage of 10 V was applied to this device, light emission of 2150 cd / m 2 was obtained.

【0072】(実施例19)正孔輸送層として化合物
(3)を、発光層として[53]を用いる以外は実施例
5と同様の操作を行い、有機EL素子を作製した。この
素子に直流電圧を10V印加したところ、1120cd
/m2の発光が得られた。
Example 19 An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 5, except that Compound (3) was used as the hole transport layer and [53] was used as the light emitting layer. When a DC voltage of 10 V was applied to this element, 1120 cd
/ M 2 .

【0073】(実施例20)正孔輸送材料として、化合
物(12)を用いる以外は実施例5と同様の操作を行
い、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、970cd/m2の発光が得られ
た。
Example 20 An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 5, except that the compound (12) was used as the hole transporting material. DC voltage is applied to this element by 1
When 0 V was applied, light emission of 970 cd / m 2 was obtained.

【0074】(実施例21)正孔輸送層としてN,N’
−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン[43]を、
発光層として[53]を、電子輸送層として化合物(1
2)を用いる以外は実施例5と同様の操作を行い、有機
EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加
したところ、800cd/m2の発光が得られた。
Example 21 N, N 'was used as the hole transport layer.
-Diphenyl-NN-bis (1-naphthyl) -1,
1′-biphenyl) -4,4′-diamine [43]
[53] was used as the light emitting layer, and the compound (1) was used as the electron transporting layer.
An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 5, except that 2) was used. When a DC voltage of 10 V was applied to this device, light emission of 800 cd / m 2 was obtained.

【0075】(実施例22)電子輸送層として、化合物
(3)を用いる以外は実施例21と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、920cd/m2の発光が得られた。
Example 22 The same operation as in Example 21 was performed except that Compound (3) was used as the electron transporting layer.
An organic EL device was manufactured. Apply a DC voltage of 10 V to this element.
Upon application, light emission of 920 cd / m 2 was obtained.

【0076】(実施例23)電子輸送層として、化合物
(1)を用いる以外は実施例21と同様の操作を行い、
有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V
印加したところ、870cd/m2の発光が得られた。
Example 23 The same operation as in Example 21 was carried out except that Compound (1) was used as the electron transporting layer.
An organic EL device was manufactured. Apply a DC voltage of 10 V to this element.
Upon application, light emission of 870 cd / m 2 was obtained.

【0077】(実施例24)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。このITO基板をアルカ
リ洗浄液、次いでイソプロピルアルコールを用いて洗浄
した。洗浄したITO基板をXe2紫外線照射装置にセ
ットし、基板に172nmの紫外線を3分間照射した。
この基板上に正孔輸送層として、N,N′−ジフェニル
−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1′
−ビフェニル]−4,4′−ジアミン[42]を真空蒸
着法にて50nm形成した。
Example 24 An ITO was formed on a glass substrate by sputtering so that the sheet resistance became 20 Ω / □, and used as an anode. The ITO substrate was cleaned using an alkaline cleaning solution and then using isopropyl alcohol. The washed ITO substrate was set in a Xe 2 ultraviolet irradiation device, and the substrate was irradiated with 172 nm ultraviolet light for 3 minutes.
On this substrate, as a hole transport layer, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)-[1,1 '
-Biphenyl] -4,4'-diamine [42] was formed to a thickness of 50 nm by a vacuum evaporation method.

【0078】次に、発光層として、化合物(3)を真空
蒸着法にて40nm形成した。次に、電子輸送層として
2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェ
ニル)−1,3,4−オキサジアゾール[47]を真空
蒸着法にて20nm形成した。次に陰極としてマグネシ
ウム−銀合金を真空蒸着法によって200nm形成し
て、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3620cd/m2の発光が得ら
れた。
Next, the compound (3) was formed to a thickness of 40 nm by a vacuum evaporation method as a light emitting layer. Next, 20-nm 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole [47] was formed as an electron transporting layer by a vacuum evaporation method. Next, a magnesium-silver alloy was formed as a cathode to a thickness of 200 nm by a vacuum evaporation method to produce an organic EL device. DC voltage is applied to this element by 1
When 0 V was applied, light emission of 3620 cd / m 2 was obtained.

【0079】(実施例25)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。このITO基板をアルカ
リ洗浄液、次いでイソプロピルアルコールを用いて洗浄
した。洗浄したITO基板をXe2紫外線照射装置にセ
ットし、基板に172nmの紫外線を3分間照射した。
Example 25 An ITO was formed on a glass substrate by a sputtering method so that the sheet resistance was 20 Ω / □, and used as an anode. The ITO substrate was cleaned using an alkaline cleaning solution and then using isopropyl alcohol. The washed ITO substrate was set in a Xe 2 ultraviolet irradiation device, and the substrate was irradiated with 172 nm ultraviolet light for 3 minutes.

【0080】その上に発光層としてN,N‘−ジフェニ
ル−N−N−ビス(1−ナフチル)−1,1’−ビフェ
ニル)−4,4‘−ジアミン[43]と化合物(3)を
1:10の重量比で共蒸着して作製した薄膜を50nm
形成した。次いで電子輸送層として[49]を真空蒸着
法にて50nm形成した。次に、陰極として、マグネシ
ウム−銀合金を200nm形成して、有機EL素子を作
製した。この素子に直流電圧を10V印加したところ、
3870cd/m2の発光が得られた。
Further, N, N′-diphenyl-NN-bis (1-naphthyl) -1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine [43] and compound (3) were formed thereon as a light emitting layer. A thin film produced by co-evaporation at a weight ratio of 1:10 is 50 nm
Formed. Next, [49] was formed as an electron transporting layer to a thickness of 50 nm by a vacuum evaporation method. Next, a 200 nm thick magnesium-silver alloy was formed as a cathode to produce an organic EL device. When a DC voltage of 10 V was applied to this element,
Light emission of 3870 cd / m 2 was obtained.

【0081】(実施例26)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。このITO基板をアルカ
リ洗浄液、次いでイソプロピルアルコールを用いて洗浄
した。洗浄したITO基板をXe2紫外線照射装置にセ
ットし、基板に172nmの紫外線を3分間照射した。
Example 26 An ITO was formed on a glass substrate by sputtering so that the sheet resistance became 20 Ω / □, and used as an anode. The ITO substrate was cleaned using an alkaline cleaning solution and then using isopropyl alcohol. The washed ITO substrate was set in a Xe 2 ultraviolet irradiation device, and the substrate was irradiated with 172 nm ultraviolet light for 3 minutes.

【0082】その上に発光層として化合物(3)を真空
蒸着法にて50nm形成した。次いで電子輸送層として
[49]を真空蒸着法にて50nm形成した。次に、陰
極として、マグネシウム−銀合金を200nm形成し
て、有機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を1
0V印加したところ、3730cd/m2の発光が得ら
れた。
A compound (3) was formed thereon as a light emitting layer to a thickness of 50 nm by a vacuum evaporation method. Next, [49] was formed as an electron transporting layer to a thickness of 50 nm by a vacuum evaporation method. Next, a 200 nm-thick magnesium-silver alloy was formed as a cathode to produce an organic EL device. DC voltage is applied to this element by 1
When 0 V was applied, light emission of 3730 cd / m 2 was obtained.

【0083】(実施例27)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層とし
て、[43]を真空蒸着法にて50nm形成した。その
上に発光層として[43]と化合物(3)を1:10の
重量比で共蒸着して作製した薄膜を50nm形成した。
次に、電子輸送層として2−(4−ビフェニリル)−5
−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジ
アゾール[47]を真空蒸着法にて20nm形成し、そ
の後[47]とセシウムを重量比10:1の共蒸着で5
nm形成した。次に、陰極として、マグネシウム−銀合
金を真空蒸着法によって200nm形成して、有機EL
素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印加した
ところ、3890cd/m2の発光が得られた。
Example 27 An ITO was formed on a glass substrate by sputtering so that the sheet resistance became 20 Ω / □, and used as an anode. [43] As a hole transport layer, [43] was formed thereon by a vacuum evaporation method to a thickness of 50 nm. A thin film having a thickness of 50 nm was formed thereon as a light emitting layer by co-evaporating [43] and the compound (3) at a weight ratio of 1:10.
Next, 2- (4-biphenylyl) -5 was used as an electron transport layer.
-(4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole [47] is formed to a thickness of 20 nm by a vacuum evaporation method, and then [47] and cesium are co-evaporated at a weight ratio of 10: 1 to form a film of 5 nm.
nm. Next, a magnesium-silver alloy was formed to a thickness of 200 nm by a vacuum evaporation method as a cathode to form an organic EL.
An element was manufactured. When a DC voltage of 10 V was applied to this device, light emission of 3890 cd / m 2 was obtained.

【0084】(実施例28)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。その上に正孔輸送層とし
てN,N‘−ジフェニル−N−N−ビス(1−ナフチ
ル)−1,1’−ビフェニル)−4,4‘−ジアミン
[43]を真空蒸着法にて50nm形成した。次に、発
光層として化合物(3)を真空蒸着した膜を50nm形
成した。その後(3)とセシウムを重量比10:1の共
蒸着で5nm形成した。次に、陰極としてマグネシウム
−銀合金を真空蒸着法によって200nm形成して、有
機EL素子を作製した。この素子に直流電圧を10V印
加したところ、3530cd/m2の発光が得られた。
Example 28 An ITO was formed on a glass substrate by sputtering so that the sheet resistance was 20 Ω / □. N, N′-diphenyl-NN-bis (1-naphthyl) -1,1′-biphenyl) -4,4′-diamine [43] is formed thereon as a hole transport layer by a vacuum evaporation method to a thickness of 50 nm. Formed. Next, as the light emitting layer, a film in which the compound (3) was vacuum-deposited was formed to a thickness of 50 nm. Thereafter, (3) and cesium were formed to a thickness of 5 nm by co-evaporation at a weight ratio of 10: 1. Next, a magnesium-silver alloy was formed as a cathode to a thickness of 200 nm by a vacuum evaporation method, to produce an organic EL device. When a DC voltage of 10 V was applied to this device, light emission of 3530 cd / m 2 was obtained.

【0085】(実施例29)ガラス基板上にITOをス
パッタリング法によって、シート抵抗が20Ω/□にな
るように成膜し、陽極とした。このITO基板をアルカ
リ洗浄液、次いでイソプロピルアルコールを用いて洗浄
した。洗浄したITO基板をXe2紫外線照射装置にセ
ットし、基板に172nmの紫外線を3分間照射した。
(Example 29) An ITO was formed on a glass substrate by a sputtering method so that the sheet resistance became 20 Ω / □, thereby forming an anode. The ITO substrate was cleaned using an alkaline cleaning solution and then using isopropyl alcohol. The washed ITO substrate was set in a Xe 2 ultraviolet irradiation device, and the substrate was irradiated with 172 nm ultraviolet light for 3 minutes.

【0086】その上に発光層として化合物(3)を真空
蒸着法にて50nm形成した。その後(3)とセシウム
を重量比10:1の共蒸着で5nm形成した。次に陰極
としてマグネシウム−銀合金を真空蒸着法によって20
0nm形成して、有機EL素子を作製した。この素子に
直流電圧を10V印加したところ、2230cd/m 2
の発光が得られた。
On top of that, compound (3) was applied as a light emitting layer under vacuum.
50 nm was formed by a vapor deposition method. Then (3) and cesium
Was formed to a thickness of 5 nm by co-evaporation at a weight ratio of 10: 1. Next, the cathode
Magnesium-silver alloy by vacuum evaporation
An organic EL device was fabricated by forming the film to a thickness of 0 nm. This element
When a DC voltage of 10 V was applied, 2230 cd / m Two
Was obtained.

【0087】以上、実施例1〜29に示すように、本発
明によれば、高輝度な有機EL素子を提供できることが
判明した。
As described above, as shown in Examples 1 to 29, it was found that the present invention can provide a high-luminance organic EL device.

【0088】[0088]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の化合物
を、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機
薄膜層のうち少なくとも一層に用いることにより、成膜
プロセスに制限無く、発光特性に優れた有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を提供することができる。
As described above, by using the compound of the present invention in at least one of the organic thin film layers constituting the organic electroluminescence device, the organic electroluminescence having excellent emission characteristics can be obtained without any limitation on the film formation process. An element can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 図1は、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic electroluminescence device according to the present invention.

【図2】 図2は、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the organic electroluminescence device of the present invention.

【図3】 図3は、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic electroluminescence device of the present invention.

【図4】 図4は、本発明の有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic electroluminescence device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 陽極 3 正孔輸送層 4 発光層 5 電子輸送層 6 陰極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Anode 3 Hole transport layer 4 Light emitting layer 5 Electron transport layer 6 Cathode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/26 H05B 33/26 Z (72)発明者 多田 宏 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 小田 敦 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気株 式会社内 Fターム(参考) 3K007 AB02 AB03 AB18 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) H05B 33/26 H05B 33/26 Z (72) Inventor Hiroshi Tada 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo NEC Corporation (72) Inventor Atsushi Oda 5-7-1 Shiba, Minato-ku, Tokyo NEC Corporation F-term (reference) 3K007 AB02 AB03 AB18 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 陽極と陰極間に、発光層を含む一層又は
複数層の有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセ
ンス素子において、前記有機薄膜層の少なくとも一層が
下記一般式[A]で表される化合物を単独で、もしくは
混合物として含有することを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス素子。 【化1】 (但し、式[A]中、R1〜R40はそれぞれ独立に水素
原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアミノ基、
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換
のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル
基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは
無置換の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の芳香
族複素環基、置換もしくは無置換のアラルキル基、置換
もしくは無置換のアリールオキシ基、置換もしくは無置
換のアルコキシカルボニル基を表し、R1〜R10、R11
〜R20、R21〜R30及びR31〜R40はそれらのうちの2
つで環を形成してもよい。また、R41〜R56はそれぞれ
独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換
若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換
若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のア
ルケニル基、置換若しくは無置換のスチリル基、置換若
しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換
のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素
基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しく
は無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリー
ルオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニ
ル基、カルボキシル基を表し、R41〜R56はそれらのう
ちの2つで環を形成してもよい。また、Xは2価の連結
基を表す。)
1. An organic electroluminescent device having one or more organic thin film layers including a light emitting layer between an anode and a cathode, wherein at least one of the organic thin film layers is a compound represented by the following general formula [A]. Or a mixture thereof. Embedded image (However, in the formula [A], R 1 to R 40 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a substituted or unsubstituted amino group,
Substituted or unsubstituted alkyl group, substituted or unsubstituted alkenyl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, substituted or unsubstituted aromatic group A heterocyclic group, a substituted or unsubstituted aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group, a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group, R 1 to R 10 , R 11
~R 20, R 21 ~R 30 and R 31 to R 40 is 2 of them
Together to form a ring. R 41 to R 56 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted amino group, a nitro group, a cyano group, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted alkenyl group, Substituted or unsubstituted styryl group, substituted or unsubstituted cycloalkyl group, substituted or unsubstituted alkoxy group, substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group, substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group, substituted or unsubstituted It represents a substituted aralkyl group, a substituted or unsubstituted aryloxy group, a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group, or a carboxyl group, and R 41 to R 56 may form a ring with two of them. X represents a divalent linking group. )
【請求項2】 前記発光層が前記一般式[A]で表され
る化合物を単独で、もしくは混合物として含有すること
を特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
2. The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein the light emitting layer contains the compound represented by the general formula [A] alone or as a mixture.
【請求項3】 前記有機薄膜層として電子輸送層を有す
るとともに、該電子輸送層が前記一般式[A]で表され
る化合物を単独で、もしくは混合物として含有すること
を特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
3. The method according to claim 1, wherein the organic thin film layer has an electron transporting layer, and the electron transporting layer contains the compound represented by the general formula [A] alone or as a mixture. 3. The organic electroluminescent device according to 1.).
【請求項4】 前記有機薄膜層として正孔輸送層を有す
るとともに、該正孔輸送層が前記一般式[A]で表され
る化合物を単独で、もしくは混合物として含有すること
を特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッ
センス素子。
4. The method according to claim 1, wherein the organic thin film layer has a hole transport layer, and the hole transport layer contains the compound represented by the general formula [A] alone or as a mixture. Item 2. An organic electroluminescent device according to item 1.
【請求項5】 前記発光層が前記陽極に隣接しているこ
とを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1
項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. The method according to claim 1, wherein the light emitting layer is adjacent to the anode.
13. The organic electroluminescent device according to item 6.
【請求項6】 前記陽極が、波長200nm未満の紫外
線照射処理を施した陽極からなることを特徴とする請求
項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6. The organic electroluminescence device according to claim 5, wherein the anode is an anode that has been subjected to an ultraviolet irradiation treatment with a wavelength of less than 200 nm.
【請求項7】 前記陽極が、酸素プラズマ処理を施した
陽極からなることを特徴とする請求項5に記載の有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
7. The organic electroluminescence device according to claim 5, wherein the anode is an anode subjected to an oxygen plasma treatment.
【請求項8】 前記陰極に隣接する前記有機薄膜層が、
前記陰極との界面に、金属を含有することを特徴とする
請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の有機
エレクトロルミネッセンス素子。
8. The organic thin film layer adjacent to the cathode,
The organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 7, wherein a metal is contained in an interface with the cathode.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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