JP2002148755A - 熱現像記録材料とその処理方法 - Google Patents
熱現像記録材料とその処理方法Info
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- JP2002148755A JP2002148755A JP2000341849A JP2000341849A JP2002148755A JP 2002148755 A JP2002148755 A JP 2002148755A JP 2000341849 A JP2000341849 A JP 2000341849A JP 2000341849 A JP2000341849 A JP 2000341849A JP 2002148755 A JP2002148755 A JP 2002148755A
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- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、熱現像処理時に発生するロ
ーラーマーク、濃度ムラ及び黒ポツを防止し、かつ最高
濃度が高く、硬調な階調性を有すると共に、画像形成後
の経時保存における色ずれ(寸法変化)の発生が少ない
熱現像記録材料及びそのより方法を提供することにあ
る。 【解決手段】 支持体上に、有機酸銀、ハロゲン化銀、
バインダー、還元剤を含有する画像記録層を有する熱現
像記録材料において、該画像記録層上に画像記録保護層
を有し、該画像記録保護層がバインダーとしてガラス転
移温度(Tg)が75〜200℃であるポリマーラテッ
クスを含有することを特徴とする熱現像記録材料。
ーラーマーク、濃度ムラ及び黒ポツを防止し、かつ最高
濃度が高く、硬調な階調性を有すると共に、画像形成後
の経時保存における色ずれ(寸法変化)の発生が少ない
熱現像記録材料及びそのより方法を提供することにあ
る。 【解決手段】 支持体上に、有機酸銀、ハロゲン化銀、
バインダー、還元剤を含有する画像記録層を有する熱現
像記録材料において、該画像記録層上に画像記録保護層
を有し、該画像記録保護層がバインダーとしてガラス転
移温度(Tg)が75〜200℃であるポリマーラテッ
クスを含有することを特徴とする熱現像記録材料。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱現像記録材料と
その処理方法に関する。
その処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、印刷製版や医療の分野では、画像
形成材料の湿式処理に伴う廃液が、作業性の上で問題と
なっており、近年では環境保全、省スペースの観点から
も処理廃液の減量が強く望まれている。そこで、レーザ
ー・イメージセッターやレーザー・イメージャーにより
効率的な露光が可能で、高解像度で鮮明な黒色画像を形
成することができる写真用途の光熱写真材料に関する技
術が必要とされている。この技術として、例えば、米国
特許第3,152,904号、同第3,487,075
号の各明細書及びD.モーガン(Morgan)による
「ドライシルバー写真材料(Dry Silver P
hotographic Materials)」(H
andbook of Imaging Materi
als,Marcel Dekker,Inc.第48
頁,1991)等に記載されているように、支持体上に
有機銀塩、ハロゲン化銀粒子、還元剤及びバインダーを
含有する熱現像記録材料が知られている。
形成材料の湿式処理に伴う廃液が、作業性の上で問題と
なっており、近年では環境保全、省スペースの観点から
も処理廃液の減量が強く望まれている。そこで、レーザ
ー・イメージセッターやレーザー・イメージャーにより
効率的な露光が可能で、高解像度で鮮明な黒色画像を形
成することができる写真用途の光熱写真材料に関する技
術が必要とされている。この技術として、例えば、米国
特許第3,152,904号、同第3,487,075
号の各明細書及びD.モーガン(Morgan)による
「ドライシルバー写真材料(Dry Silver P
hotographic Materials)」(H
andbook of Imaging Materi
als,Marcel Dekker,Inc.第48
頁,1991)等に記載されているように、支持体上に
有機銀塩、ハロゲン化銀粒子、還元剤及びバインダーを
含有する熱現像記録材料が知られている。
【0003】これらの熱現像記録材料は、熱現像処理し
て写真画像を形成するもので、還元可能な銀源(有機銀
塩)、ハロゲン化銀、還元剤及び必要に応じて銀の色調
を抑制する色調剤を通常はバインダー用樹脂中に分散し
た状態で含有している。該熱現像記録材料は常温で安定
であるが、露光後、高温(例えば、80〜140℃)に
加熱することで現像される。すなわち、加熱することに
より、有機銀塩(酸化剤として機能する)と還元剤との
間の酸化還元反応を通じて銀を生成する。この酸化還元
反応は、露光によりハロゲン化銀に発生した潜像の触媒
作用によって促進される。露光領域中の有機銀塩の反応
によって生成した銀は、黒色画像を提供し、これは非露
光領域と対照をなし、画像の形成がなされる。この反応
過程は、外部から水等の処理液を供給することなしで進
行する。
て写真画像を形成するもので、還元可能な銀源(有機銀
塩)、ハロゲン化銀、還元剤及び必要に応じて銀の色調
を抑制する色調剤を通常はバインダー用樹脂中に分散し
た状態で含有している。該熱現像記録材料は常温で安定
であるが、露光後、高温(例えば、80〜140℃)に
加熱することで現像される。すなわち、加熱することに
より、有機銀塩(酸化剤として機能する)と還元剤との
間の酸化還元反応を通じて銀を生成する。この酸化還元
反応は、露光によりハロゲン化銀に発生した潜像の触媒
作用によって促進される。露光領域中の有機銀塩の反応
によって生成した銀は、黒色画像を提供し、これは非露
光領域と対照をなし、画像の形成がなされる。この反応
過程は、外部から水等の処理液を供給することなしで進
行する。
【0004】このような熱現像記録材料は、マイクロフ
ィルムやレントゲン用感光材料に使われてきたが、印刷
用感光材料としては一部で使われているのみである。そ
れは、得られる画像の最高濃度(Dmaxともいう)が
低く、また階調が軟調なため、印刷用感光材料としての
要求品質から著しく劣っていることに起因している。
ィルムやレントゲン用感光材料に使われてきたが、印刷
用感光材料としては一部で使われているのみである。そ
れは、得られる画像の最高濃度(Dmaxともいう)が
低く、また階調が軟調なため、印刷用感光材料としての
要求品質から著しく劣っていることに起因している。
【0005】一方、近年、レーザーや発光ダイオードの
発達により、700〜800nmに発振波長を有するス
キャナーに対して適性を持つ、高感度、高濃度で、かつ
硬調な記録材料の開発が強く望まれていた。また、簡易
処理及び液剤を使わないドライ化への要望も年々強くな
っている。
発達により、700〜800nmに発振波長を有するス
キャナーに対して適性を持つ、高感度、高濃度で、かつ
硬調な記録材料の開発が強く望まれていた。また、簡易
処理及び液剤を使わないドライ化への要望も年々強くな
っている。
【0006】ところで、米国特許第3,667,958
号明細書には、ポリヒドロキシベンゼン類とヒドロキシ
ルアミン類、レダクトン類又はヒドラジン類を併用した
熱現像記録材料は高い画質識別性と解像力を有すること
が記載されているが、この還元剤の組み合わせは、カブ
リの上昇を引き起こしやすいことがわかった。
号明細書には、ポリヒドロキシベンゼン類とヒドロキシ
ルアミン類、レダクトン類又はヒドラジン類を併用した
熱現像記録材料は高い画質識別性と解像力を有すること
が記載されているが、この還元剤の組み合わせは、カブ
リの上昇を引き起こしやすいことがわかった。
【0007】また、米国特許第5,464,738号や
同第5,496,695号の各明細書には、有機銀塩、
ハロゲン化銀、ヒンダードフェノール類及びある種のヒ
ドラジン誘導体を含む熱現像記録材料が開示されてい
る。しかし、これらのヒドラジン誘導体を用いた場合に
は、十分に満足なDmax、あるいは硬調な階調が得ら
れず、また、黒ポツが発生して画質が悪化してしまうと
いう問題がある。
同第5,496,695号の各明細書には、有機銀塩、
ハロゲン化銀、ヒンダードフェノール類及びある種のヒ
ドラジン誘導体を含む熱現像記録材料が開示されてい
る。しかし、これらのヒドラジン誘導体を用いた場合に
は、十分に満足なDmax、あるいは硬調な階調が得ら
れず、また、黒ポツが発生して画質が悪化してしまうと
いう問題がある。
【0008】また、黒ポツを改良したヒドラジン誘導体
として特開平9−292671号、同9−304870
号、同9−304871号、同9−304872号、同
10−31282号等の各公報に開示されている。さら
に画像の再現性を改善したヒドラジン誘導体が特開平1
0−62898号公報に記載されているが、最高到達濃
度、超硬調性、黒ポツの改良、網点再現性、寸法安定性
のすべてを満足するには至っていない。また、上記公報
で開示されたヒドラジン誘導体は、経時での保存性(か
ぶり上昇)が悪いという問題があった。
として特開平9−292671号、同9−304870
号、同9−304871号、同9−304872号、同
10−31282号等の各公報に開示されている。さら
に画像の再現性を改善したヒドラジン誘導体が特開平1
0−62898号公報に記載されているが、最高到達濃
度、超硬調性、黒ポツの改良、網点再現性、寸法安定性
のすべてを満足するには至っていない。また、上記公報
で開示されたヒドラジン誘導体は、経時での保存性(か
ぶり上昇)が悪いという問題があった。
【0009】従来、バインダーとして、ガラス転移温度
(Tg)が−30℃〜40℃のポリマーラテックスが使
用されているが、超迅速熱現像処理を行った場合、熱現
像時にローラーマークの発生があったり、濃度ムラの発
生、黒ポツの発生といった問題点があり、解決する技術
が望まれている。また、特開平11−333923号公
報には、熱現像に相当する加熱処理後の経時寸法変化率
を−0.03%以上0.05%以下とすることで、画像
形成後に経時保存した際の寸法ズレによる色ズレの発生
を防止する技術が開示されているが、主に支持体による
改良であるため、色ズレの防止については、実用的に充
分満足できるレベルとは言い難く、新たな改良技術の開
発が切望されている。
(Tg)が−30℃〜40℃のポリマーラテックスが使
用されているが、超迅速熱現像処理を行った場合、熱現
像時にローラーマークの発生があったり、濃度ムラの発
生、黒ポツの発生といった問題点があり、解決する技術
が望まれている。また、特開平11−333923号公
報には、熱現像に相当する加熱処理後の経時寸法変化率
を−0.03%以上0.05%以下とすることで、画像
形成後に経時保存した際の寸法ズレによる色ズレの発生
を防止する技術が開示されているが、主に支持体による
改良であるため、色ズレの防止については、実用的に充
分満足できるレベルとは言い難く、新たな改良技術の開
発が切望されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題を
鑑みなされたものであり、その目的は、熱現像処理時に
発生するローラーマーク、濃度ムラ及び黒ポツを防止
し、かつ最高濃度が高く、硬調な階調性を有すると共
に、画像形成後の経時保存における色ずれ(寸法変化)
の発生が少ない熱現像記録材料及びそのより方法を提供
することにある。
鑑みなされたものであり、その目的は、熱現像処理時に
発生するローラーマーク、濃度ムラ及び黒ポツを防止
し、かつ最高濃度が高く、硬調な階調性を有すると共
に、画像形成後の経時保存における色ずれ(寸法変化)
の発生が少ない熱現像記録材料及びそのより方法を提供
することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、以
下の構成により達成された。
下の構成により達成された。
【0012】1.支持体上に、有機酸銀、ハロゲン化
銀、バインダー、還元剤を含有する画像記録層を有する
熱現像記録材料において、該画像記録層上に画像記録保
護層を有し、該画像記録保護層がバインダーとしてガラ
ス転移温度(Tg)が75〜200℃であるポリマーラ
テックスを含有することを特徴とする熱現像記録材料。
銀、バインダー、還元剤を含有する画像記録層を有する
熱現像記録材料において、該画像記録層上に画像記録保
護層を有し、該画像記録保護層がバインダーとしてガラ
ス転移温度(Tg)が75〜200℃であるポリマーラ
テックスを含有することを特徴とする熱現像記録材料。
【0013】2.前記画像記録層が、バインダーとして
ガラス転移温度(Tg)が45〜150℃であるポリマ
ーラテックスを含有することを特徴とする前記1項に記
載の熱現像記録材料。
ガラス転移温度(Tg)が45〜150℃であるポリマ
ーラテックスを含有することを特徴とする前記1項に記
載の熱現像記録材料。
【0014】3.前記画像記録層が、バインダーとして
ガラス転移温度(Tg)が−30〜40℃のポリマーラ
テックスを含有することを特徴とする前記1または2項
に記載の熱現像記録材料。
ガラス転移温度(Tg)が−30〜40℃のポリマーラ
テックスを含有することを特徴とする前記1または2項
に記載の熱現像記録材料。
【0015】4.前記画像記録層が、ガラス転移温度
(Tg)が45〜150℃のポリマーラテックス(A)
とガラス転移温度(Tg)が−30〜40℃のポリマー
ラテックス(B)を含有し、その質量比率(A/B)が
5/95〜50/50であることを特徴とする請求項3
に記載の熱現像記録材料。
(Tg)が45〜150℃のポリマーラテックス(A)
とガラス転移温度(Tg)が−30〜40℃のポリマー
ラテックス(B)を含有し、その質量比率(A/B)が
5/95〜50/50であることを特徴とする請求項3
に記載の熱現像記録材料。
【0016】5.前記画像記録層に含有されるバインダ
ーが、−SO3M、−OSO3M、−PO(OM1)2、お
よび−OPO(OM1)2(ただし、Mは水素原子または
アルカリ金属を、M1は水素原子、アルカリ金属を表
す。)から選ばれる少なくとも1種の極性基を有するこ
とを特徴とする前記1〜4項のいずれか1項に記載の熱
現像記録材料。
ーが、−SO3M、−OSO3M、−PO(OM1)2、お
よび−OPO(OM1)2(ただし、Mは水素原子または
アルカリ金属を、M1は水素原子、アルカリ金属を表
す。)から選ばれる少なくとも1種の極性基を有するこ
とを特徴とする前記1〜4項のいずれか1項に記載の熱
現像記録材料。
【0017】6.支持体上に、有機酸銀、ハロゲン化
銀、バインダー、還元剤を含有する画像記録層を有する
熱現像記録材料において、熱現像処理後の長手方向およ
び幅手方向の経時寸法変化率が、いずれも0.001%
以上0.015%以下であることを特徴とする熱現像記
録材料。
銀、バインダー、還元剤を含有する画像記録層を有する
熱現像記録材料において、熱現像処理後の長手方向およ
び幅手方向の経時寸法変化率が、いずれも0.001%
以上0.015%以下であることを特徴とする熱現像記
録材料。
【0018】7.支持体上に、有機酸銀、ハロゲン化
銀、バインダー、還元剤を含有する画像記録層を有する
熱現像記録材料において、該画像記録層が少なくとも2
種類のバインダーを含有し、各々のバインダーのガラス
転移温度(Tg)差が5〜60℃であることを特徴とす
る熱現像記録材料。
銀、バインダー、還元剤を含有する画像記録層を有する
熱現像記録材料において、該画像記録層が少なくとも2
種類のバインダーを含有し、各々のバインダーのガラス
転移温度(Tg)差が5〜60℃であることを特徴とす
る熱現像記録材料。
【0019】8.画像記録層が、全バインダーの50質
量%以上がポリマーラテックスであり、かつ画像記録層
塗布液の溶媒の30質量%以上が水であることを特徴と
する前記1〜7項のいずれか1項に記載の熱現像記録材
料。
量%以上がポリマーラテックスであり、かつ画像記録層
塗布液の溶媒の30質量%以上が水であることを特徴と
する前記1〜7項のいずれか1項に記載の熱現像記録材
料。
【0020】9.前記1〜8項のいずれか1項に記載の
熱現像記録材料を、搬送速度が22mm/sec以上4
0mm/sec以下である熱現像機を用いて処理するこ
とを特徴とする熱現像記録材料の処理方法。
熱現像記録材料を、搬送速度が22mm/sec以上4
0mm/sec以下である熱現像機を用いて処理するこ
とを特徴とする熱現像記録材料の処理方法。
【0021】(ポリマーラテックス)本発明者は、熱現
像処理時のローラーマーク、濃度ムラあるいは黒ポツの
発生を無くすための手段について、鋭意検討を行なった
結果、画像記録保護層のバインダーとして、ガラス転移
温度(Tg)が75〜200℃のポリマーラテックスを
用いること、画像記録層のバインダーとして、ガラス転
移温度(Tg)が45〜150℃のポリマーラテックス
を用いることが有効であることを見出した。更に、従来
の画像記録層用のバインダーとして、熱現像用の写真有
用素材の拡散性の観点から、ガラス転移温度(Tg)が
−30℃〜40℃のポリマーラテックスが広く用いられ
ていたが、超迅速処理を行った場合、熱現像処理時のロ
ーラーマークの発生、濃度ムラの発生、黒ポツの発生と
いった問題点があった。本発明においては、ガラス転移
温度(Tg)が45〜150℃のポリマーラテックスと
特定の比率で併用することにより、上記課題が解決でき
ることを新たに見出した。
像処理時のローラーマーク、濃度ムラあるいは黒ポツの
発生を無くすための手段について、鋭意検討を行なった
結果、画像記録保護層のバインダーとして、ガラス転移
温度(Tg)が75〜200℃のポリマーラテックスを
用いること、画像記録層のバインダーとして、ガラス転
移温度(Tg)が45〜150℃のポリマーラテックス
を用いることが有効であることを見出した。更に、従来
の画像記録層用のバインダーとして、熱現像用の写真有
用素材の拡散性の観点から、ガラス転移温度(Tg)が
−30℃〜40℃のポリマーラテックスが広く用いられ
ていたが、超迅速処理を行った場合、熱現像処理時のロ
ーラーマークの発生、濃度ムラの発生、黒ポツの発生と
いった問題点があった。本発明においては、ガラス転移
温度(Tg)が45〜150℃のポリマーラテックスと
特定の比率で併用することにより、上記課題が解決でき
ることを新たに見出した。
【0022】以下、本発明の詳細について説明する。請
求項1に係る発明においては、画像記録保護層のバイン
ダーとして、ガラス転移温度(Tg)が75〜200℃
であるポリマーラテックスを含有することが特徴であ
り、好ましくはTgが90〜180℃、より好ましくは
Tgが100〜150℃である。
求項1に係る発明においては、画像記録保護層のバイン
ダーとして、ガラス転移温度(Tg)が75〜200℃
であるポリマーラテックスを含有することが特徴であ
り、好ましくはTgが90〜180℃、より好ましくは
Tgが100〜150℃である。
【0023】また、請求項2に係る発明では、画像記録
層のバインダーとして、ガラス転移温度(Tg)が45
〜150℃であるポリマーラテックスを含有することが
特徴であり、好ましくはTgが60〜130℃、より好
ましくはTgが70〜120℃である。
層のバインダーとして、ガラス転移温度(Tg)が45
〜150℃であるポリマーラテックスを含有することが
特徴であり、好ましくはTgが60〜130℃、より好
ましくはTgが70〜120℃である。
【0024】更に、請求項3に係る発明では、画像記録
層のバインダーとして、ガラス転移温度(Tg)が−3
0〜40℃であるポリマーラテックスを含有することが
特徴であり、好ましくはTgが−10〜40℃、より好
ましくはTgが10〜40℃である。
層のバインダーとして、ガラス転移温度(Tg)が−3
0〜40℃であるポリマーラテックスを含有することが
特徴であり、好ましくはTgが−10〜40℃、より好
ましくはTgが10〜40℃である。
【0025】本発明で用いられるポリマーのガラス転移
温度(Tg)は、ブランドラップ等による“ポリマーハ
ンドブック”III−139頁〜179頁(1966年)
(ワイリーアンドサンズ社版)に記載されており、また
コポリマーのTg(゜K)は下記式で表される。
温度(Tg)は、ブランドラップ等による“ポリマーハ
ンドブック”III−139頁〜179頁(1966年)
(ワイリーアンドサンズ社版)に記載されており、また
コポリマーのTg(゜K)は下記式で表される。
【0026】 Tg(コポリマー)=V1Tg1+V2Tg2+・・・+VwTgW 但し上式中、V1、V2・・・VWはコポリマー中の単量
体の質量分率を表し、Tg1、Tg2・・・TgWはコポ
リマー中の各単量体のホモポリマーのTg(゜K)を表
す。上式に従って計算されたTgには、±5℃の精度が
ある。
体の質量分率を表し、Tg1、Tg2・・・TgWはコポ
リマー中の各単量体のホモポリマーのTg(゜K)を表
す。上式に従って計算されたTgには、±5℃の精度が
ある。
【0027】本発明でいう「ポリマーラテックス」と
は、水不溶な疎水性ポリマーが微細な粒子として水溶性
の分散媒中に分散したものである。分散状態としてはポ
リマーが分散媒中に乳化されているもの、乳化重合され
たもの、ミセル分散されたもの、あるいはポリマー分子
中に部分的に親水的な構造を持ち分子鎖自身が分子状分
散したもの等いずれでもよい。なお本発明のポリマーラ
テックスについては「合成樹脂エマルジョン(奥田平、
稲垣寛編集、高分子刊行会発行(1978))」、「合
成ラテックスの応用(杉村孝明、片岡靖男、鈴木聡一、
笠原啓司編集、高分子刊行会発行(1993))」、
「合成ラテックスの化学(室井宗一著、高分子刊行会発
行(1970))」などに記載されている。分散粒子の
平均粒径は1〜50000nm、より好ましくは5〜1
000nm程度の範囲が好ましい。分散粒子の粒径分布
に関しては特に制限は無く、広い粒径分布を持つもので
も単分散の粒径分布を持つものでもよい。
は、水不溶な疎水性ポリマーが微細な粒子として水溶性
の分散媒中に分散したものである。分散状態としてはポ
リマーが分散媒中に乳化されているもの、乳化重合され
たもの、ミセル分散されたもの、あるいはポリマー分子
中に部分的に親水的な構造を持ち分子鎖自身が分子状分
散したもの等いずれでもよい。なお本発明のポリマーラ
テックスについては「合成樹脂エマルジョン(奥田平、
稲垣寛編集、高分子刊行会発行(1978))」、「合
成ラテックスの応用(杉村孝明、片岡靖男、鈴木聡一、
笠原啓司編集、高分子刊行会発行(1993))」、
「合成ラテックスの化学(室井宗一著、高分子刊行会発
行(1970))」などに記載されている。分散粒子の
平均粒径は1〜50000nm、より好ましくは5〜1
000nm程度の範囲が好ましい。分散粒子の粒径分布
に関しては特に制限は無く、広い粒径分布を持つもので
も単分散の粒径分布を持つものでもよい。
【0028】ポリマーラテックスとしては通常の均一構
造のポリマーラテックス以外、いわゆるコア/シェル型
のラテックスでもよい。この場合コアとシェルはガラス
転移温度を変えると好ましい場合がある。
造のポリマーラテックス以外、いわゆるコア/シェル型
のラテックスでもよい。この場合コアとシェルはガラス
転移温度を変えると好ましい場合がある。
【0029】本発明においては、バインダーに用いるポ
リマーラテックスのポリマーのガラス転移温度(Tg)
が画像形成保護層と画像記録層とでは好ましい範囲が異
なることが特徴である。
リマーラテックスのポリマーのガラス転移温度(Tg)
が画像形成保護層と画像記録層とでは好ましい範囲が異
なることが特徴である。
【0030】ポリマーラテックスの最低造膜温度(MF
T)は−30〜90℃、より好ましくは0〜70℃程度
が好ましい。最低造膜温度をコントロールするために造
膜助剤を添加してもよい。造膜助剤は一時可塑剤とも呼
ばれポリマーラテックスの最低造膜温度を低下させる有
機化合物(通常有機溶剤)で、例えば前述の「合成ラテ
ックスの化学(室井宗一著、高分子刊行会発行(197
0))」に記載されている。
T)は−30〜90℃、より好ましくは0〜70℃程度
が好ましい。最低造膜温度をコントロールするために造
膜助剤を添加してもよい。造膜助剤は一時可塑剤とも呼
ばれポリマーラテックスの最低造膜温度を低下させる有
機化合物(通常有機溶剤)で、例えば前述の「合成ラテ
ックスの化学(室井宗一著、高分子刊行会発行(197
0))」に記載されている。
【0031】ポリマーラテックスに用いられるポリマー
種としてはアクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂、ゴム系樹脂、塩化ビニル樹
脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリオレフィン樹脂、または
これらの共重合体等がある。ポリマーとしては直鎖のポ
リマーでも枝分かれしたポリマーでも、また架橋された
ポリマーでも良い。またポリマーとしては単一のモノマ
ーが重合したいわゆるホモポリマーでも良いし、2種以
上のモノマーが重合したコポリマーでも良い。コポリマ
ーの場合はランダムコポリマーでもブロックコポリマー
でも良い。ポリマーの分子量は数平均分子量で5000
〜1000000、好ましくは10000〜10000
0程度が好ましい。分子量が小さ過ぎるものは画像記録
層の力学強度が不十分であり、大き過ぎるものは製膜性
が悪く好ましくない。
種としてはアクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂、ゴム系樹脂、塩化ビニル樹
脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリオレフィン樹脂、または
これらの共重合体等がある。ポリマーとしては直鎖のポ
リマーでも枝分かれしたポリマーでも、また架橋された
ポリマーでも良い。またポリマーとしては単一のモノマ
ーが重合したいわゆるホモポリマーでも良いし、2種以
上のモノマーが重合したコポリマーでも良い。コポリマ
ーの場合はランダムコポリマーでもブロックコポリマー
でも良い。ポリマーの分子量は数平均分子量で5000
〜1000000、好ましくは10000〜10000
0程度が好ましい。分子量が小さ過ぎるものは画像記録
層の力学強度が不十分であり、大き過ぎるものは製膜性
が悪く好ましくない。
【0032】本発明の熱現像記録材料の画像記録層のバ
インダーとして用いられるポリマーラテックスの具体例
としては以下のようなものがある。メチルメタクリレー
ト/エチルアクリレート/メタクリル酸コポリマーのラ
テックス、メチルメタクリレート/2エチルヘキシルア
クリレート/スチレン/アクリル酸コポリマーのラテッ
クス、スチレン/ブタジエン/アクリル酸コポリマーの
ラテックス、スチレン/ブタジエン/ジビニルベンゼン
/メタクリル酸コポリマーのラテックス、メチルメタク
リレート/塩化ビニル/アクリル酸コポリマーのラテッ
クス、塩化ビニリデン/エチルアクリレート/アクリロ
ニトリル/メタクリル酸コポリマーのラテックス等。ま
た、このようなポリマーは市販もされていて、以下のよ
うなポリマーが利用できる。例えばアクリル樹脂の例と
して、セビアンA−4635,46583、4601
(以上ダイセル化学工業(株)製)、Nipol Lx
811、814、821、820、857(以上日本ゼ
オン(株)製)等、ポリエステル樹脂としては、FIN
ETEX ES650、611、675、850(以上
大日本インキ化学(株)製)、WD−size、WMS
(以上イーストマンケミカル製)等、ポリウレタン樹脂
としてはHYDRAN AP10、20、30、40
(以上大日本インキ化学(株)製)等、ゴム系樹脂とし
てはLACSTAR 7310K、3307B、470
0H、7132C(以上大日本インキ化学(株)製)、
NipolLx416、410、438C、2507、
(以上日本ゼオン(株)製)等、塩化ビニル樹脂として
はG351、G576(以上日本ゼオン(株)製)等、
塩化ビニリデン樹脂としてはL502、L513(以上
旭化成工業(株)製)、アロンD7020、D504、
D5071(以上三井東圧(株)製)等、オレフィン樹
脂としてはケミパールS120、SA100(以上三井
石油化学(株)製)等を挙げることができる。これらの
ポリマーは単独で用いてもよいし、必要に応じて2種以
上ブレンドして用いても良い。
インダーとして用いられるポリマーラテックスの具体例
としては以下のようなものがある。メチルメタクリレー
ト/エチルアクリレート/メタクリル酸コポリマーのラ
テックス、メチルメタクリレート/2エチルヘキシルア
クリレート/スチレン/アクリル酸コポリマーのラテッ
クス、スチレン/ブタジエン/アクリル酸コポリマーの
ラテックス、スチレン/ブタジエン/ジビニルベンゼン
/メタクリル酸コポリマーのラテックス、メチルメタク
リレート/塩化ビニル/アクリル酸コポリマーのラテッ
クス、塩化ビニリデン/エチルアクリレート/アクリロ
ニトリル/メタクリル酸コポリマーのラテックス等。ま
た、このようなポリマーは市販もされていて、以下のよ
うなポリマーが利用できる。例えばアクリル樹脂の例と
して、セビアンA−4635,46583、4601
(以上ダイセル化学工業(株)製)、Nipol Lx
811、814、821、820、857(以上日本ゼ
オン(株)製)等、ポリエステル樹脂としては、FIN
ETEX ES650、611、675、850(以上
大日本インキ化学(株)製)、WD−size、WMS
(以上イーストマンケミカル製)等、ポリウレタン樹脂
としてはHYDRAN AP10、20、30、40
(以上大日本インキ化学(株)製)等、ゴム系樹脂とし
てはLACSTAR 7310K、3307B、470
0H、7132C(以上大日本インキ化学(株)製)、
NipolLx416、410、438C、2507、
(以上日本ゼオン(株)製)等、塩化ビニル樹脂として
はG351、G576(以上日本ゼオン(株)製)等、
塩化ビニリデン樹脂としてはL502、L513(以上
旭化成工業(株)製)、アロンD7020、D504、
D5071(以上三井東圧(株)製)等、オレフィン樹
脂としてはケミパールS120、SA100(以上三井
石油化学(株)製)等を挙げることができる。これらの
ポリマーは単独で用いてもよいし、必要に応じて2種以
上ブレンドして用いても良い。
【0033】請求項4に係る発明では、画像記録層にお
いて、ガラス転移温度(Tg)が45〜150℃のポリ
マーラテックス(A)とガラス転移温度(Tg)が−3
0〜40℃のポリマーラテックス(B)を共に含有し、
その質量比率(A/B)が5/95〜50/50である
ことが特徴であり、好ましくは10/90〜40/60
であり、より好ましくは15/85〜35/65であ
る。
いて、ガラス転移温度(Tg)が45〜150℃のポリ
マーラテックス(A)とガラス転移温度(Tg)が−3
0〜40℃のポリマーラテックス(B)を共に含有し、
その質量比率(A/B)が5/95〜50/50である
ことが特徴であり、好ましくは10/90〜40/60
であり、より好ましくは15/85〜35/65であ
る。
【0034】また、請求項5に係る発明では、画像記録
層に含有されるバインダーが、−SO3M、−OSO
3M、−PO(OM1)2および−OPO(OM1)2から
選ばれる少なくとも1種の極性基を有することが特徴で
あり、中でも−SO3Na,−SO3K,−OSO3N
a,−OSO3Kを有することが好ましい。
層に含有されるバインダーが、−SO3M、−OSO
3M、−PO(OM1)2および−OPO(OM1)2から
選ばれる少なくとも1種の極性基を有することが特徴で
あり、中でも−SO3Na,−SO3K,−OSO3N
a,−OSO3Kを有することが好ましい。
【0035】請求項8に係る発明では、画像記録層にお
ける全バインダーの50質量%以上がポリマーラテック
スである事が1つの特徴であり、好ましくは65質量%
以上、特に好ましくは80質量%以上のポリマーラテッ
クスを用いることである。
ける全バインダーの50質量%以上がポリマーラテック
スである事が1つの特徴であり、好ましくは65質量%
以上、特に好ましくは80質量%以上のポリマーラテッ
クスを用いることである。
【0036】また、本発明の画像記録層には、必要に応
じて全バインダーの50質量%以下の範囲でゼラチン、
ポリビニルアルコール、メチルセルロース、ヒドロキシ
プロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒ
ドロキシプロピルメチルセルロース等の親水性ポリマー
を添加しても良い。これらの親水性ポリマーの添加量
は、画像記録層の全バインダーの30質量%以下、さら
には15質量%以下が好ましい。
じて全バインダーの50質量%以下の範囲でゼラチン、
ポリビニルアルコール、メチルセルロース、ヒドロキシ
プロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒ
ドロキシプロピルメチルセルロース等の親水性ポリマー
を添加しても良い。これらの親水性ポリマーの添加量
は、画像記録層の全バインダーの30質量%以下、さら
には15質量%以下が好ましい。
【0037】本発明の画像記録層は、水系の塗布液を塗
布後乾燥して調製することが好ましい。請求項8に係る
発明では、塗布液の溶媒(分散媒)の30質量%以上が
水であることが1つの特徴であり、好ましくは45質量
%以上、より好ましくは60質量%以上が水である。塗
布液の水以外の成分としては、例えば、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、メチ
ルセルソルブ、エチルセルソルブ、ジメチルホルムアミ
ド、酢酸エチル等の水混和性の有機溶媒を用いることが
できる。具体的な溶媒組成の例としては、水のほか、以
下のようなものがある。水/メタノール=90/10、
水/メタノール=70/30、水/エタノール=90/
10、水/イソプロパノール=90/10、水/ジメチ
ルホルムアミド=95/5、水/メタノール/ジメチル
ホルムアミド=80/15/5、水/メタノール/ジメ
チルホルムアミド=90/5/5。(ただし数字は質量
%を表す。) 本発明の画像記録層の全バインダー量は0.2〜30g
/m2、より好ましくは1〜15g/m2の範囲が好まし
い。本発明の画像記録層には架橋のための架橋剤、塗布
性改良のための界面活性剤などを添加してもよい。
布後乾燥して調製することが好ましい。請求項8に係る
発明では、塗布液の溶媒(分散媒)の30質量%以上が
水であることが1つの特徴であり、好ましくは45質量
%以上、より好ましくは60質量%以上が水である。塗
布液の水以外の成分としては、例えば、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、メチ
ルセルソルブ、エチルセルソルブ、ジメチルホルムアミ
ド、酢酸エチル等の水混和性の有機溶媒を用いることが
できる。具体的な溶媒組成の例としては、水のほか、以
下のようなものがある。水/メタノール=90/10、
水/メタノール=70/30、水/エタノール=90/
10、水/イソプロパノール=90/10、水/ジメチ
ルホルムアミド=95/5、水/メタノール/ジメチル
ホルムアミド=80/15/5、水/メタノール/ジメ
チルホルムアミド=90/5/5。(ただし数字は質量
%を表す。) 本発明の画像記録層の全バインダー量は0.2〜30g
/m2、より好ましくは1〜15g/m2の範囲が好まし
い。本発明の画像記録層には架橋のための架橋剤、塗布
性改良のための界面活性剤などを添加してもよい。
【0038】(経時寸法変化率)請求項6に係る発明で
は、熱現像記録材料において、熱現像処理後の長手方向
(MD方向)および幅手方向(TD方向)の経時寸法変
化率が、いずれも0.001%以上、0.015%以下
であることが特徴であり、好ましくはMD、TD共に
0.002%以上、0.012%以下、より好ましくは
0.003%以上、0.010%以下であり、画像記録
層または画像形成保護層のバインダーを適宜選択するこ
とにより、所望の経時寸法変化率範囲に設定することが
できる。
は、熱現像記録材料において、熱現像処理後の長手方向
(MD方向)および幅手方向(TD方向)の経時寸法変
化率が、いずれも0.001%以上、0.015%以下
であることが特徴であり、好ましくはMD、TD共に
0.002%以上、0.012%以下、より好ましくは
0.003%以上、0.010%以下であり、画像記録
層または画像形成保護層のバインダーを適宜選択するこ
とにより、所望の経時寸法変化率範囲に設定することが
できる。
【0039】本発明でいう経時寸法変化率とは、熱現像
処理後に特定の温度や湿度条件で経時保存した後の長手
方向及び幅手方向の寸法変化を表す特性値である。具体
的には、加熱条件、加湿条件、熱湿条件下に熱現像記録
材料を置いて、経時保存処理を施した後の、長手、幅手
の寸法変化を測定する。例えば、測定しようとする熱現
像記録材料試料を、幅手方向150mm×長手方向12
0mmサイズに断裁し、一定雰囲気下(例えば、25
℃、60%RH)で調湿した後、試料に幅手方向及び長
手方向それぞれに100mm間隔で一対の孔をあけ、ピ
ンゲージを用いて、処理前の幅手方向及び長手方向のそ
れぞれの印間距離(L)を測定する。次に、該試料を高
温条件下で熱現像処理を施した後、再び、試料を25
℃、60%RHの環境下で2時間調湿した試料
(L1)、および25℃、60%で48時間調湿した試
料(L2)を作製し、各試料の幅手方向及び長手方向の
それぞれの印間距離(L1、L2)をピンゲージにて測定
する。上記調湿時間の異なる各試料の幅手方向及び長手
方向について、各印間距離より経時寸法変化率を次式に
よって求める。
処理後に特定の温度や湿度条件で経時保存した後の長手
方向及び幅手方向の寸法変化を表す特性値である。具体
的には、加熱条件、加湿条件、熱湿条件下に熱現像記録
材料を置いて、経時保存処理を施した後の、長手、幅手
の寸法変化を測定する。例えば、測定しようとする熱現
像記録材料試料を、幅手方向150mm×長手方向12
0mmサイズに断裁し、一定雰囲気下(例えば、25
℃、60%RH)で調湿した後、試料に幅手方向及び長
手方向それぞれに100mm間隔で一対の孔をあけ、ピ
ンゲージを用いて、処理前の幅手方向及び長手方向のそ
れぞれの印間距離(L)を測定する。次に、該試料を高
温条件下で熱現像処理を施した後、再び、試料を25
℃、60%RHの環境下で2時間調湿した試料
(L1)、および25℃、60%で48時間調湿した試
料(L2)を作製し、各試料の幅手方向及び長手方向の
それぞれの印間距離(L1、L2)をピンゲージにて測定
する。上記調湿時間の異なる各試料の幅手方向及び長手
方向について、各印間距離より経時寸法変化率を次式に
よって求める。
【0040】 寸法変化率ΔL1(%)={100×(L1−L)/L} 寸法変化率ΔL2(%)={100×(L2−L)/L} 経時寸法変化率(%)=ΔL2−ΔL1 次に、本発明の熱現像記録材料の構成因子について、説
明する (有機銀塩)本発明において、有機銀塩は還元可能な銀
源であり、還元可能な銀イオン源を含有する有機酸及び
ヘテロ有機酸の銀塩、特に長鎖(10〜30、好ましく
は15〜25の炭素原子数)の脂肪族カルボン酸及び含
窒素複素環が好ましい。配位子が、4.0〜10.0の
銀イオンに対する総安定定数を有する有機又は無機の銀
塩錯体も有用である。好適な銀塩の例は、Resear
ch Disclosure(以降、単にRDと略す)
第17029及び29963に記載されており、次のも
のがある:有機酸の塩(例えば、没食子酸、シュウ酸、
ベヘン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ラウリン酸等
の塩);銀のカルボキシアルキルチオ尿素塩(例えば、
1−(3−カルボキシプロピル)チオ尿素、1−(3−
カルボキシプロピル)−3,3−ジメチルチオ尿素
等);アルデヒドとヒドロキシ置換芳香族カルボン酸
(例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ブチ
ルアルデヒドのようなアルデヒド類とサリチル酸、ベン
ジル酸3,5−ジヒドロキシ安息香酸、5,5−チオジ
サリチル酸のようなヒドロキシ置換酸類)とのポリマー
反応生成物の銀錯体;チオン類の銀塩又は錯体(例え
ば、3−(2−カルボキシエチル)−4−ヒドロキシメ
チル−4−チアゾリン−2−チオン及び3−カルボキシ
メチル−4−メチル−4−チアゾリン−2−チオン);
イミダゾール、ピラゾール、ウラゾール、1,2,4−
チアゾール及び1H−テトラゾール、3−アミノ−5−
ベンジルチオ−1,2,4−トリアゾール及びベンゾト
リアゾールから選択される窒素酸と銀との錯体または
塩;サッカリン、5−クロロサリチルアルドキシム等の
銀塩;メルカプチド類の銀塩等が挙げられる。好ましい
銀源はベヘン酸銀、アラキジン酸銀および/またはステ
アリン酸銀である。
明する (有機銀塩)本発明において、有機銀塩は還元可能な銀
源であり、還元可能な銀イオン源を含有する有機酸及び
ヘテロ有機酸の銀塩、特に長鎖(10〜30、好ましく
は15〜25の炭素原子数)の脂肪族カルボン酸及び含
窒素複素環が好ましい。配位子が、4.0〜10.0の
銀イオンに対する総安定定数を有する有機又は無機の銀
塩錯体も有用である。好適な銀塩の例は、Resear
ch Disclosure(以降、単にRDと略す)
第17029及び29963に記載されており、次のも
のがある:有機酸の塩(例えば、没食子酸、シュウ酸、
ベヘン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ラウリン酸等
の塩);銀のカルボキシアルキルチオ尿素塩(例えば、
1−(3−カルボキシプロピル)チオ尿素、1−(3−
カルボキシプロピル)−3,3−ジメチルチオ尿素
等);アルデヒドとヒドロキシ置換芳香族カルボン酸
(例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ブチ
ルアルデヒドのようなアルデヒド類とサリチル酸、ベン
ジル酸3,5−ジヒドロキシ安息香酸、5,5−チオジ
サリチル酸のようなヒドロキシ置換酸類)とのポリマー
反応生成物の銀錯体;チオン類の銀塩又は錯体(例え
ば、3−(2−カルボキシエチル)−4−ヒドロキシメ
チル−4−チアゾリン−2−チオン及び3−カルボキシ
メチル−4−メチル−4−チアゾリン−2−チオン);
イミダゾール、ピラゾール、ウラゾール、1,2,4−
チアゾール及び1H−テトラゾール、3−アミノ−5−
ベンジルチオ−1,2,4−トリアゾール及びベンゾト
リアゾールから選択される窒素酸と銀との錯体または
塩;サッカリン、5−クロロサリチルアルドキシム等の
銀塩;メルカプチド類の銀塩等が挙げられる。好ましい
銀源はベヘン酸銀、アラキジン酸銀および/またはステ
アリン酸銀である。
【0041】有機銀塩化合物は、水溶性銀化合物と、銀
と錯形成する化合物とを混合することにより得られる
が、正混合法、逆混合法、同時混合法、特開平9−12
7643号に記載されている様なコントロールドダブル
ジェット法等が好ましく用いられる。例えば、有機酸に
アルカリ金属塩(例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムなど)を加えて有機酸アルカリ金属塩ソープ(例
えば、ベヘン酸ナトリウム、アラキジン酸ナトリウムな
ど)を作製した後に、コントロールドダブルジェット法
により、前記ソープと硝酸銀などを添加して有機銀塩の
結晶を作製する。その際にハロゲン化銀粒子を混在させ
てもよい。
と錯形成する化合物とを混合することにより得られる
が、正混合法、逆混合法、同時混合法、特開平9−12
7643号に記載されている様なコントロールドダブル
ジェット法等が好ましく用いられる。例えば、有機酸に
アルカリ金属塩(例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウムなど)を加えて有機酸アルカリ金属塩ソープ(例
えば、ベヘン酸ナトリウム、アラキジン酸ナトリウムな
ど)を作製した後に、コントロールドダブルジェット法
により、前記ソープと硝酸銀などを添加して有機銀塩の
結晶を作製する。その際にハロゲン化銀粒子を混在させ
てもよい。
【0042】(ハロゲン化銀)本発明におけるハロゲン
化銀粒子は、光センサーとして機能するものである。本
発明においては、画像形成後の白濁を低く抑えるため、
及び良好な画質を得るために平均粒子サイズは小さい方
が好ましく、平均粒子サイズが0.1μm以下、より好
ましくは0.01〜0.1μm、特に0.02〜0.0
8μmが好ましい。ここでいう粒子サイズとは、ハロゲ
ン化銀粒子が立方体或いは八面体のいわゆる正常晶であ
る場合には、ハロゲン化銀粒子の稜の長さをいう。又、
正常晶でない場合、例えば、球状、棒状、或いは平板状
の粒子の場合には、ハロゲン化銀粒子の体積と同等な球
を考えたときの直径をいう。またハロゲン化銀粒子は単
分散であることが好ましい。ここでいう単分散とは、下
記式で求められる単分散度が40%以下をいう。更に好
ましくは30%以下であり、特に好ましくは0.1〜2
0%となる粒子である。
化銀粒子は、光センサーとして機能するものである。本
発明においては、画像形成後の白濁を低く抑えるため、
及び良好な画質を得るために平均粒子サイズは小さい方
が好ましく、平均粒子サイズが0.1μm以下、より好
ましくは0.01〜0.1μm、特に0.02〜0.0
8μmが好ましい。ここでいう粒子サイズとは、ハロゲ
ン化銀粒子が立方体或いは八面体のいわゆる正常晶であ
る場合には、ハロゲン化銀粒子の稜の長さをいう。又、
正常晶でない場合、例えば、球状、棒状、或いは平板状
の粒子の場合には、ハロゲン化銀粒子の体積と同等な球
を考えたときの直径をいう。またハロゲン化銀粒子は単
分散であることが好ましい。ここでいう単分散とは、下
記式で求められる単分散度が40%以下をいう。更に好
ましくは30%以下であり、特に好ましくは0.1〜2
0%となる粒子である。
【0043】単分散度=(粒径の標準偏差)/(粒径の
平均値)×100 本発明においては、ハロゲン化銀粒子が平均粒径0.1
μm以下で、かつ単分散粒子であることがより好まし
く、この範囲にすることで画像の粒状性も向上する。
平均値)×100 本発明においては、ハロゲン化銀粒子が平均粒径0.1
μm以下で、かつ単分散粒子であることがより好まし
く、この範囲にすることで画像の粒状性も向上する。
【0044】ハロゲン化銀粒子の形状については、特に
制限はないが、ミラー指数〔100〕面の占める割合が
高いことが好ましく、この割合が50%以上、更には7
0%以上、特に80%以上であることが好ましい。ミラ
ー指数〔100〕面の比率は、増感色素の吸着における
〔111〕面と〔100〕面との吸着依存性を利用した
T.Tani;J.Imaging Sci.,29,
165(1985)により求めることができる。
制限はないが、ミラー指数〔100〕面の占める割合が
高いことが好ましく、この割合が50%以上、更には7
0%以上、特に80%以上であることが好ましい。ミラ
ー指数〔100〕面の比率は、増感色素の吸着における
〔111〕面と〔100〕面との吸着依存性を利用した
T.Tani;J.Imaging Sci.,29,
165(1985)により求めることができる。
【0045】また、もう一つの好ましいハロゲン化銀粒
子の形状は、平板粒子である。ここでいう平板粒子と
は、投影面積の平方根を粒径rμmとして、垂直方向の
厚みをhμmとした場合のアスペクト比=r/hが3以
上のものをいう。その中でも好ましくは、アスペクト比
が3以上、50以下である。また粒径は0.1μm以下
であることが好ましく、さらに0.01〜0.08μm
が好ましい。これらは米国特許第5,264,337
号、同5,314,798号、同5,320,958号
等に記載されており、容易に目的の平板状粒子を得るこ
とができる。本発明においてこれらの平板状粒子を用い
た場合、さらに画像の鮮鋭性も向上する。
子の形状は、平板粒子である。ここでいう平板粒子と
は、投影面積の平方根を粒径rμmとして、垂直方向の
厚みをhμmとした場合のアスペクト比=r/hが3以
上のものをいう。その中でも好ましくは、アスペクト比
が3以上、50以下である。また粒径は0.1μm以下
であることが好ましく、さらに0.01〜0.08μm
が好ましい。これらは米国特許第5,264,337
号、同5,314,798号、同5,320,958号
等に記載されており、容易に目的の平板状粒子を得るこ
とができる。本発明においてこれらの平板状粒子を用い
た場合、さらに画像の鮮鋭性も向上する。
【0046】ハロゲン組成としては特に制限はなく、塩
化銀、塩臭化銀、塩沃臭化銀、臭化銀、沃臭化銀、沃化
銀のいずれであってもよい。本発明に用いられる写真乳
剤は、P.Glafkides著Chimie et
Physique Photographique(P
aul Montel社刊、1967年)、G.F.D
uffin著 Photographic Emuls
ion Chemistry(The Focal P
ress刊、1966年)、V.L.Zelikman
et al著Making and Coating
Photographic Emulsion(Th
e Focal Press刊、1964年)等に記載
された方法を用いて調製することができる。
化銀、塩臭化銀、塩沃臭化銀、臭化銀、沃臭化銀、沃化
銀のいずれであってもよい。本発明に用いられる写真乳
剤は、P.Glafkides著Chimie et
Physique Photographique(P
aul Montel社刊、1967年)、G.F.D
uffin著 Photographic Emuls
ion Chemistry(The Focal P
ress刊、1966年)、V.L.Zelikman
et al著Making and Coating
Photographic Emulsion(Th
e Focal Press刊、1964年)等に記載
された方法を用いて調製することができる。
【0047】本発明に用いられるハロゲン化銀には、照
度不軌改良や階調調整のために、元素周期律表の6族か
ら10族に属する金属のイオン又は錯体イオンを含有す
ることが好ましい。上記の金属としては、W、Fe、C
o、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Re、Os、I
r、Pt、Auが好ましい。
度不軌改良や階調調整のために、元素周期律表の6族か
ら10族に属する金属のイオン又は錯体イオンを含有す
ることが好ましい。上記の金属としては、W、Fe、C
o、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Re、Os、I
r、Pt、Auが好ましい。
【0048】ハロゲン化銀粒子は、ヌードル法、フロキ
ュレーション法等、当業界で知られている方法の水洗に
より脱塩することができるが、本発明においては脱塩し
てもしなくてもよい。
ュレーション法等、当業界で知られている方法の水洗に
より脱塩することができるが、本発明においては脱塩し
てもしなくてもよい。
【0049】本発明におけるハロゲン化銀粒子は、化学
増感されていることが好ましい。好ましい化学増感法と
しては、当業界でよく知られているように硫黄増感法、
セレン増感法、テルル増感法、金化合物や白金、パラジ
ウム、イリジウム化合物等の貴金属増感法や還元増感法
を適宜選択して用いることができる。
増感されていることが好ましい。好ましい化学増感法と
しては、当業界でよく知られているように硫黄増感法、
セレン増感法、テルル増感法、金化合物や白金、パラジ
ウム、イリジウム化合物等の貴金属増感法や還元増感法
を適宜選択して用いることができる。
【0050】本発明においては、記録材料の失透を防ぐ
ためには、ハロゲン化銀粒子及び有機銀塩の総量は、銀
量に換算して1m2当たり0.3〜2.2gであり、
0.5g〜1.5gがより好ましい。この範囲にするこ
とで硬調な画像が得られる。また、銀総量に対するハロ
ゲン化銀の量は、質量比で50%以下、好ましくは25
%以下、更に好ましくは0.1〜15%の間である。
ためには、ハロゲン化銀粒子及び有機銀塩の総量は、銀
量に換算して1m2当たり0.3〜2.2gであり、
0.5g〜1.5gがより好ましい。この範囲にするこ
とで硬調な画像が得られる。また、銀総量に対するハロ
ゲン化銀の量は、質量比で50%以下、好ましくは25
%以下、更に好ましくは0.1〜15%の間である。
【0051】(分光増感色素)本発明に使用する分光増
感色素は、必要により、例えば、特開昭63−1598
41号、同60−140335号、同63−23143
7号、同63−259651号、同63−304242
号、同63−15245号等の各公報、米国特許第4,
639,414号、同第4,740,455号、同第
4,741,966号、同第4,751,175号、同
第4,835,096号等の各明細書に記載された各増
感色素を使用することができる。本発明に使用される有
用な増感色素は、例えば、RD Item第17643
IV−A項(1978年12月p.23)、同Item1
831X項(1978年8月p.437)に記載もしく
は引用された文献に記載されている。特に、各種スキャ
ナー光源の分光特性に適合した分光感度を有する増感色
素を、有利に選択することができ、例えば、特開平9−
34078号、同9−54409号、同9−80679
号記載の増感色素が好ましく用いられる。
感色素は、必要により、例えば、特開昭63−1598
41号、同60−140335号、同63−23143
7号、同63−259651号、同63−304242
号、同63−15245号等の各公報、米国特許第4,
639,414号、同第4,740,455号、同第
4,741,966号、同第4,751,175号、同
第4,835,096号等の各明細書に記載された各増
感色素を使用することができる。本発明に使用される有
用な増感色素は、例えば、RD Item第17643
IV−A項(1978年12月p.23)、同Item1
831X項(1978年8月p.437)に記載もしく
は引用された文献に記載されている。特に、各種スキャ
ナー光源の分光特性に適合した分光感度を有する増感色
素を、有利に選択することができ、例えば、特開平9−
34078号、同9−54409号、同9−80679
号記載の増感色素が好ましく用いられる。
【0052】(硬調化剤)本発明の熱現像記録材料は硬
調化剤を含有し、硬調化剤として下記一般式(H)で表
されるヒドラジン誘導体、一般式(G)で表される化合
物、一般式(P)で表される4級オニウム化合物、一般
式(A)〜(D)で表される化合物及びヒドロキシアミ
ン、アルカノールアミン、フタル酸アンモニウム化合物
が挙げられ、まず、下記一般式(H)で表されるヒドラ
ジン誘導体化合物について説明する。
調化剤を含有し、硬調化剤として下記一般式(H)で表
されるヒドラジン誘導体、一般式(G)で表される化合
物、一般式(P)で表される4級オニウム化合物、一般
式(A)〜(D)で表される化合物及びヒドロキシアミ
ン、アルカノールアミン、フタル酸アンモニウム化合物
が挙げられ、まず、下記一般式(H)で表されるヒドラ
ジン誘導体化合物について説明する。
【0053】
【化1】
【0054】式中、A0はそれぞれ置換基を有してもよ
い脂肪族基、芳香族基、複素環基又は−G0−D0基を、
B0はブロッキング基を表し、A1、A2はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基、スルホニル
基又はオキザリル基を表す。ここで、G0は−CO−
基、−COCO−基、−CS−基、−C(=NG1D1)
−基、−SO−基、−SO2−基又は−P(O)(G1D
1)−基を表し、G1は単なる結合手、−O−基、−S−
基又は−N(D1)−基を表し、D1は脂肪族基、芳香族
基、複素環基又は水素原子を表し、分子内に複数のD1
が存在する場合、それらは同じであっても異なってもよ
い。D0は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基、
アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基を表す。好ましいD0としては
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基等が挙
げられる。
い脂肪族基、芳香族基、複素環基又は−G0−D0基を、
B0はブロッキング基を表し、A1、A2はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基、スルホニル
基又はオキザリル基を表す。ここで、G0は−CO−
基、−COCO−基、−CS−基、−C(=NG1D1)
−基、−SO−基、−SO2−基又は−P(O)(G1D
1)−基を表し、G1は単なる結合手、−O−基、−S−
基又は−N(D1)−基を表し、D1は脂肪族基、芳香族
基、複素環基又は水素原子を表し、分子内に複数のD1
が存在する場合、それらは同じであっても異なってもよ
い。D0は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基、
アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基を表す。好ましいD0としては
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基等が挙
げられる。
【0055】一般式(H)において、A0で表される脂
肪族基は好ましくは炭素数1〜30のものであり、特に
炭素数1〜20の直鎖、分岐又は環状のアルキル基が好
ましく、例えばメチル基、エチル基、t−ブチル基、オ
クチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基が挙げられ、
これらは更に適当な置換基(例えば、アリール基、アル
コキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、スルファ
モイル基、アシルアミノ基、ウレイド基等)で置換され
ていてもよい。
肪族基は好ましくは炭素数1〜30のものであり、特に
炭素数1〜20の直鎖、分岐又は環状のアルキル基が好
ましく、例えばメチル基、エチル基、t−ブチル基、オ
クチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基が挙げられ、
これらは更に適当な置換基(例えば、アリール基、アル
コキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、スルファ
モイル基、アシルアミノ基、ウレイド基等)で置換され
ていてもよい。
【0056】一般式(H)において、A0で表される芳
香族基は、単環又は縮合環のアリール基が好ましく、例
えばベンゼン環又はナフタレン環が挙げられ、A0で表
される複素環基としては、単環又は縮合環で窒素、硫
黄、酸素原子から選ばれる少なくとも一つのヘテロ原子
を含む複素環が好ましく、例えばピロリジン環、イミダ
ゾール環、テトラヒドロフラン環、モルホリン環、ピリ
ジン環、ピリミジン環、キノリン環、チアゾール環、ベ
ンゾチアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げられ
る。A0の芳香族基、複素環基及び−G0−D0基は置換
基を有していてもよい。A0として、特に好ましいもの
はアリール基及び−G0−D0基である。
香族基は、単環又は縮合環のアリール基が好ましく、例
えばベンゼン環又はナフタレン環が挙げられ、A0で表
される複素環基としては、単環又は縮合環で窒素、硫
黄、酸素原子から選ばれる少なくとも一つのヘテロ原子
を含む複素環が好ましく、例えばピロリジン環、イミダ
ゾール環、テトラヒドロフラン環、モルホリン環、ピリ
ジン環、ピリミジン環、キノリン環、チアゾール環、ベ
ンゾチアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げられ
る。A0の芳香族基、複素環基及び−G0−D0基は置換
基を有していてもよい。A0として、特に好ましいもの
はアリール基及び−G0−D0基である。
【0057】又、一般式〔H〕において、A0は耐拡散
基又はハロゲン化銀吸着基を少なくとも一つ含むことが
好ましい。耐拡散基としては、カプラー等の不動性写真
用添加剤にて常用されるバラスト基が好ましく、バラス
ト基としては、写真的に不活性であるアルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、フェニル基、
フェノキシ基、アルキルフェノキシ基等が挙げられ、置
換基部分の炭素数の合計は8以上であることが好まし
い。
基又はハロゲン化銀吸着基を少なくとも一つ含むことが
好ましい。耐拡散基としては、カプラー等の不動性写真
用添加剤にて常用されるバラスト基が好ましく、バラス
ト基としては、写真的に不活性であるアルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、フェニル基、
フェノキシ基、アルキルフェノキシ基等が挙げられ、置
換基部分の炭素数の合計は8以上であることが好まし
い。
【0058】一般式(H)において、ハロゲン化銀吸着
促進基としては、チオ尿素、チオウレタン基、メルカプ
ト基、チオエーテル基、チオン基、複素環基、チオアミ
ド複素環基、メルカプト複素環基或いは特開昭64−9
0439号に記載の吸着基等が挙げられる。
促進基としては、チオ尿素、チオウレタン基、メルカプ
ト基、チオエーテル基、チオン基、複素環基、チオアミ
ド複素環基、メルカプト複素環基或いは特開昭64−9
0439号に記載の吸着基等が挙げられる。
【0059】一般式(H)において、B0はブロッキン
グ基を表し、好ましくは−G0−D0基であり、G0は−
CO−基、−COCO−基、−CS−基、−C(=NG
1D1)−基、−SO−基、−SO2−基又は−P(O)
(G1D1)−基を表す。好ましいG0としては−CO−
基、−COCO−基が挙げられ、G1は単なる結合手、
−O−基、−S−基又は−N(D1)−基を表し、D1は
脂肪族基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表し、分
子内に複数のD1が存在する場合、それらは同じであっ
ても異なってもよい。D0は水素原子、脂肪族基、芳香
族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表し、好ま
しいD0としては水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基等が挙げられる。A1、A2はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基(アセチル
基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基等)、スル
ホニル基(メタンスルホニル基、トルエンスルホニル基
等)、又はオキザリル基(エトキザリル基等)を表す。
グ基を表し、好ましくは−G0−D0基であり、G0は−
CO−基、−COCO−基、−CS−基、−C(=NG
1D1)−基、−SO−基、−SO2−基又は−P(O)
(G1D1)−基を表す。好ましいG0としては−CO−
基、−COCO−基が挙げられ、G1は単なる結合手、
−O−基、−S−基又は−N(D1)−基を表し、D1は
脂肪族基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表し、分
子内に複数のD1が存在する場合、それらは同じであっ
ても異なってもよい。D0は水素原子、脂肪族基、芳香
族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表し、好ま
しいD0としては水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基等が挙げられる。A1、A2はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基(アセチル
基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基等)、スル
ホニル基(メタンスルホニル基、トルエンスルホニル基
等)、又はオキザリル基(エトキザリル基等)を表す。
【0060】更に好ましいヒドラジン誘導体は、下記一
般式(H−1)、(H−2)、(H−3)、(H−4)
で表される。
般式(H−1)、(H−2)、(H−3)、(H−4)
で表される。
【0061】
【化2】
【0062】一般式(H−1)において、R11、R12及
びR13はそれぞれ独立に置換もしくは無置換のアリール
基またはヘテロアリール基を表すが、アリール基として
具体的には、例えばフェニル、p−トリル、ナフチルな
どが挙げられる。ヘテロアリール基として具体的には、
例えばトリアゾール残基、イミダゾール残基、ピリジン
残基、フラン残基、チオフェン残基などがあげられる。
また、R11、R12及びR13はそれぞれ任意の連結基を介
して結合しても良い。R11、R12及びR13が置換基を有
する場合、その置換基としては例えばアルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、4級
化された窒素原子を含むヘテロ環基(例えばピリジニオ
基)、ヒドロキシ基、アルコキシ基(エチレンオキシ基
もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含
む)、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アシル基、
アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、カルバモイル基、ウレタン基、カルボキシル基、イ
ミド基、アミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド
基、ウレイド基、チオウレイド基、スルファモイルアミ
ノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒド
ラジノ基、4級のアンモニオ基、(アルキル、アリー
ル、またはヘテロ環)チオ基、メルカプト基、(アルキ
ルまたはアリール)スルホニル基、(アルキルまたはア
リール)スルフィニル基、スルホ基、スルファモイル
基、アシルスルファモイル基、(アルキルもしくはアリ
ール)スルホニルウレイド基、(アルキルもしくはアリ
ール)スルホニルカルバモイル基、ハロゲン原子、シア
ノ基、ニトロ基、リン酸アミド基などが挙げられる。R
11、R12及びR13として好ましくはいずれもが置換もし
くは無置換のフェニル基であり、より好ましくはR11、
R12及びR13のいずれもが無置換のフェニル基である。
びR13はそれぞれ独立に置換もしくは無置換のアリール
基またはヘテロアリール基を表すが、アリール基として
具体的には、例えばフェニル、p−トリル、ナフチルな
どが挙げられる。ヘテロアリール基として具体的には、
例えばトリアゾール残基、イミダゾール残基、ピリジン
残基、フラン残基、チオフェン残基などがあげられる。
また、R11、R12及びR13はそれぞれ任意の連結基を介
して結合しても良い。R11、R12及びR13が置換基を有
する場合、その置換基としては例えばアルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、4級
化された窒素原子を含むヘテロ環基(例えばピリジニオ
基)、ヒドロキシ基、アルコキシ基(エチレンオキシ基
もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含
む)、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アシル基、
アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、カルバモイル基、ウレタン基、カルボキシル基、イ
ミド基、アミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド
基、ウレイド基、チオウレイド基、スルファモイルアミ
ノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒド
ラジノ基、4級のアンモニオ基、(アルキル、アリー
ル、またはヘテロ環)チオ基、メルカプト基、(アルキ
ルまたはアリール)スルホニル基、(アルキルまたはア
リール)スルフィニル基、スルホ基、スルファモイル
基、アシルスルファモイル基、(アルキルもしくはアリ
ール)スルホニルウレイド基、(アルキルもしくはアリ
ール)スルホニルカルバモイル基、ハロゲン原子、シア
ノ基、ニトロ基、リン酸アミド基などが挙げられる。R
11、R12及びR13として好ましくはいずれもが置換もし
くは無置換のフェニル基であり、より好ましくはR11、
R12及びR13のいずれもが無置換のフェニル基である。
【0063】R14はヘテロアリールオキシ基、ヘテロア
リールチオ基を表すが、ヘテロアリールオキシ基として
具体的には、ピリジルオキシ基、ピリミジルオキシ基、
インドリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオキシ基、ベン
ズイミダゾリルオキシ基、フリルオキシ基、チエニルオ
キシ基、ピラゾリルオキシ基、イミダゾリルオキシ基等
が挙げられる。ヘテロアリールチオ基として具体的には
ピリジルチオ基、ピリミジルチオ基、インドリルチオ
基、ベンゾチアゾリルチオ基、ベンズイミダゾリルチオ
基、フリルチオ基、チエニルチオ基、ピラゾリルチオ
基、イミダゾリルチオ基等が挙げられる。R14として好
ましくはピリジルオキシ基、チエニルオキシ基である。
リールチオ基を表すが、ヘテロアリールオキシ基として
具体的には、ピリジルオキシ基、ピリミジルオキシ基、
インドリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオキシ基、ベン
ズイミダゾリルオキシ基、フリルオキシ基、チエニルオ
キシ基、ピラゾリルオキシ基、イミダゾリルオキシ基等
が挙げられる。ヘテロアリールチオ基として具体的には
ピリジルチオ基、ピリミジルチオ基、インドリルチオ
基、ベンゾチアゾリルチオ基、ベンズイミダゾリルチオ
基、フリルチオ基、チエニルチオ基、ピラゾリルチオ
基、イミダゾリルチオ基等が挙げられる。R14として好
ましくはピリジルオキシ基、チエニルオキシ基である。
【0064】A1、A2は、ともに水素原子、又は一方が
水素原子で他方はアシル基(アセチル、トリフルオロア
セチル、ベンゾイル等)、スルホニル基(メタンスルホ
ニル、トルエンスルホニル等)、又はオキザリル基(エ
トキザリル等)を表す。好ましくはA1、A2ともに水素
原子の場合である。
水素原子で他方はアシル基(アセチル、トリフルオロア
セチル、ベンゾイル等)、スルホニル基(メタンスルホ
ニル、トルエンスルホニル等)、又はオキザリル基(エ
トキザリル等)を表す。好ましくはA1、A2ともに水素
原子の場合である。
【0065】一般式(H−2)において、R21は置換も
しくは無置換のアルキル基、アリール基またはヘテロア
リール基を表すが、アルキル基として具体的には、メチ
ル基、エチル基、t−ブチル基、2−オクチル基、シク
ロヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙
げられる。アリール基及びヘテロアリール基として具体
的には、R11、R12及びR13と同様のものが挙げられ
る。また、R21が置換基を有する場合の置換基の具体的
な例としては、R11、R12及びR13の置換基と同様のも
のが挙げられる。R21として好ましくはアリール基また
はヘテロアリール基であり、特に好ましくは置換もしく
は無置換のフェニル基である。
しくは無置換のアルキル基、アリール基またはヘテロア
リール基を表すが、アルキル基として具体的には、メチ
ル基、エチル基、t−ブチル基、2−オクチル基、シク
ロヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙
げられる。アリール基及びヘテロアリール基として具体
的には、R11、R12及びR13と同様のものが挙げられ
る。また、R21が置換基を有する場合の置換基の具体的
な例としては、R11、R12及びR13の置換基と同様のも
のが挙げられる。R21として好ましくはアリール基また
はヘテロアリール基であり、特に好ましくは置換もしく
は無置換のフェニル基である。
【0066】R22は水素、アルキルアミノ基、アリール
アミノ基、ヘテロアリールアミノ基を表すが、アルキル
アミノ基として具体的には、メチルアミノ基、エチルア
ミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基等
が挙げられる。アリールアミノ基としてはアニリノ基、
ヘテロアリール基としてはチアゾリルアミノ基、ベンズ
イミダゾリルアミノ基、ベンズチアゾリルアミノ基等が
挙げられる。R22として好ましくはジメチルアミノ基ま
たはジエチルアミノ基である。
アミノ基、ヘテロアリールアミノ基を表すが、アルキル
アミノ基として具体的には、メチルアミノ基、エチルア
ミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基等
が挙げられる。アリールアミノ基としてはアニリノ基、
ヘテロアリール基としてはチアゾリルアミノ基、ベンズ
イミダゾリルアミノ基、ベンズチアゾリルアミノ基等が
挙げられる。R22として好ましくはジメチルアミノ基ま
たはジエチルアミノ基である。
【0067】A1、A2は、一般式(H−1)で記載した
A1、A2と同様である。一般式(H−3)において、R
31、R32は各々一価の置換基を表すが、一価の置換基と
しては、水素原子、R11、R12及びR13の置換基として
挙げられた基が挙げられるが、好ましくは、水素原子、
アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキ
シ基、アミノ基が挙げられる。更に好ましくはアリール
基またはアルコキシ基である。特に好ましいのは、R31
とR32の少なくとも一つがtert−ブトキシ基である
ものであり、別の好ましい構造は、R31がフェニル基の
とき、R32がtert−ブトキシ基である。
A1、A2と同様である。一般式(H−3)において、R
31、R32は各々一価の置換基を表すが、一価の置換基と
しては、水素原子、R11、R12及びR13の置換基として
挙げられた基が挙げられるが、好ましくは、水素原子、
アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキ
シ基、アミノ基が挙げられる。更に好ましくはアリール
基またはアルコキシ基である。特に好ましいのは、R31
とR32の少なくとも一つがtert−ブトキシ基である
ものであり、別の好ましい構造は、R31がフェニル基の
とき、R32がtert−ブトキシ基である。
【0068】G31、G32は、各々−(CO)p−基、−
C(=S)−、スルホニル基、スルホキシ基、−P(=
O)R33−基又はイミノメチレン基を表し、pは1又は
2の整数を表し、R33はアルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオ
キシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アミ
ノ基を表す。但し、G31がスルホニル基のとき、G32は
カルボニル基ではない。G31、G32として好ましくは、
各々−CO−基、−COCO−基、スルホニル基または
−CS−であり、より好ましくは互いに−CO−基また
は互いにスルホニル基である。
C(=S)−、スルホニル基、スルホキシ基、−P(=
O)R33−基又はイミノメチレン基を表し、pは1又は
2の整数を表し、R33はアルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオ
キシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アミ
ノ基を表す。但し、G31がスルホニル基のとき、G32は
カルボニル基ではない。G31、G32として好ましくは、
各々−CO−基、−COCO−基、スルホニル基または
−CS−であり、より好ましくは互いに−CO−基また
は互いにスルホニル基である。
【0069】A1、A2は一般式(H−1)で記載したA
1、A2と同様である。一般式(H−4)において、
R41、R42およびR43は一般式(H−1)における
R11、R12およびR13と同義である。R41、R42および
R43として好ましくはいずれもが置換もしくは無置換の
フェニル基であり、より好ましくはR41、R42及びR43
のいずれもが無置換のフェニル基である。R44、R
45は、各々無置換または置換アルキル基を表すが、具体
的な例としては、メチル基、エチル基、t−ブチル基、
2−オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ジフ
ェニルメチル基等が挙げられる。R44、R45として好ま
しくは互いにエチル基である。
1、A2と同様である。一般式(H−4)において、
R41、R42およびR43は一般式(H−1)における
R11、R12およびR13と同義である。R41、R42および
R43として好ましくはいずれもが置換もしくは無置換の
フェニル基であり、より好ましくはR41、R42及びR43
のいずれもが無置換のフェニル基である。R44、R
45は、各々無置換または置換アルキル基を表すが、具体
的な例としては、メチル基、エチル基、t−ブチル基、
2−オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ジフ
ェニルメチル基等が挙げられる。R44、R45として好ま
しくは互いにエチル基である。
【0070】A1、A2は一般式(H−1)で記載したA
1、A2と同様である。以下、一般式(H−1)〜(H−
4)で表される化合物の具体例を挙げるが本発明はこれ
らに限定されるものではない。
1、A2と同様である。以下、一般式(H−1)〜(H−
4)で表される化合物の具体例を挙げるが本発明はこれ
らに限定されるものではない。
【0071】
【化3】
【0072】
【化4】
【0073】
【化5】
【0074】
【化6】
【0075】
【化7】
【0076】
【化8】
【0077】
【化9】
【0078】
【化10】
【0079】上記の一般式(H−1)〜(H−4)で表
される化合物は、公知の方法により容易に合成すること
ができ、例えば米国特許第5,464,738号明細書
又は同第5,496,695号明細書を参考にして合成
することができる。
される化合物は、公知の方法により容易に合成すること
ができ、例えば米国特許第5,464,738号明細書
又は同第5,496,695号明細書を参考にして合成
することができる。
【0080】その他に好ましく用いることのできるヒド
ラジン誘導体は、米国特許第5,545,505号明細
書、カラム11〜20に記載の化合物H−1〜H−2
9、米国特許第5,464,738号明細書、カラム9
〜11に記載の化合物1〜12である。これらのヒドラ
ジン誘導体は、公知の方法で合成することができる。
ラジン誘導体は、米国特許第5,545,505号明細
書、カラム11〜20に記載の化合物H−1〜H−2
9、米国特許第5,464,738号明細書、カラム9
〜11に記載の化合物1〜12である。これらのヒドラ
ジン誘導体は、公知の方法で合成することができる。
【0081】次に下記一般式(G)で表される化合物に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0082】
【化11】
【0083】一般式(G)において、XとRはシスの形
で表示されているが、XとRがトランス型の場合も本発
明に含まれる。
で表示されているが、XとRがトランス型の場合も本発
明に含まれる。
【0084】一般式(G)において、Xは電子吸引性基
を表す。電子吸引性基とは、置換基定数σpが正の値を
とりうる置換基のことである。具体的には、置換アルキ
ル基(ハロゲン置換アルキル等)、置換アルケニル基
(シアノビニル等)、置換・未置換のアルキニル基(ト
リフルオロメチルアセチレニル、シアノアセチレニル
等)、置換アリール基(シアノフェニル等)、置換・未
置換のヘテロ環基(ピリジル、トリアジニル、ベンゾオ
キサゾリル等)、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基
(アセチル、トリフルオロアセチル、ホルミル等)、チ
オアセチル基(チオアセチル、チオホルミル等)、オキ
サリル基(メチルオキサリル等)、オキシオキサリル基
(エトキサリル等)、チオオキサリル基(エチルチオオ
キサリル等)、オキサモイル基(メチルオキサモイル
等)、オキシカルボニル基(エトキシカルボニル等)、
カルボキシル基、チオカルボニル基(エチルチオカルボ
ニル等)、カルバモイル基、チオカルバモイル基、スル
ホニル基、スルフィニル基、オキシスルホニル基(エト
キシスルホニル等)、チオスルホニル基(エチルチオス
ルホニル等)、スルファモイル基、オキシスルフィニル
基(メトキシスルフィニル等)、チオスルフィニル基
(メチルチオスルフィニル等)、スルフィナモイル基、
スフィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ
基、N−カルボニルイミノ基(N−アセチルイミノ
等)、N−スルホニルイミノ基(N−メタンスルホニル
イミノ等)、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、ス
ルホニウム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、インモ
ニウム基が挙げられるが、アンモニウム基、スルホニウ
ム基、ホスホニウム基、インモニウム基等が環を形成し
たヘテロ環状のものも含まれる。σp値として0.30
以上の置換基が特に好ましい。
を表す。電子吸引性基とは、置換基定数σpが正の値を
とりうる置換基のことである。具体的には、置換アルキ
ル基(ハロゲン置換アルキル等)、置換アルケニル基
(シアノビニル等)、置換・未置換のアルキニル基(ト
リフルオロメチルアセチレニル、シアノアセチレニル
等)、置換アリール基(シアノフェニル等)、置換・未
置換のヘテロ環基(ピリジル、トリアジニル、ベンゾオ
キサゾリル等)、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基
(アセチル、トリフルオロアセチル、ホルミル等)、チ
オアセチル基(チオアセチル、チオホルミル等)、オキ
サリル基(メチルオキサリル等)、オキシオキサリル基
(エトキサリル等)、チオオキサリル基(エチルチオオ
キサリル等)、オキサモイル基(メチルオキサモイル
等)、オキシカルボニル基(エトキシカルボニル等)、
カルボキシル基、チオカルボニル基(エチルチオカルボ
ニル等)、カルバモイル基、チオカルバモイル基、スル
ホニル基、スルフィニル基、オキシスルホニル基(エト
キシスルホニル等)、チオスルホニル基(エチルチオス
ルホニル等)、スルファモイル基、オキシスルフィニル
基(メトキシスルフィニル等)、チオスルフィニル基
(メチルチオスルフィニル等)、スルフィナモイル基、
スフィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ
基、N−カルボニルイミノ基(N−アセチルイミノ
等)、N−スルホニルイミノ基(N−メタンスルホニル
イミノ等)、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、ス
ルホニウム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、インモ
ニウム基が挙げられるが、アンモニウム基、スルホニウ
ム基、ホスホニウム基、インモニウム基等が環を形成し
たヘテロ環状のものも含まれる。σp値として0.30
以上の置換基が特に好ましい。
【0085】Wは、水素原子、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン
原子、アシル基、チオアシル基、オキサリル基、オキシ
オキサリル基、チオオキサリル基、オキサモイル基、オ
キシカルボニル基、チオカルボニル基、カルバモイル
基、チオカルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル
基、オキシスルホニル基、チオスルホニル基、スルファ
モイル基、オキシスルフィニル基、チオスルフィニル
基、スルフィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イ
ミノ基、N−カルボニルイミノ基、N−スルホニルイミ
ノ基、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、スルホニ
ウム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、インモニウム
基を表す。Wとして表されるアルキル基としては、メチ
ル、エチル、トリフルオロメチル等が、アルケニル基と
してはビニル、ハロゲン置換ビニル、シアノビニル等
が、アルキニル基としてはアセチレニル、シアノアセチ
レニル等が、アリール基としてはニトロフェニル、シア
ノフェニル、ペンタフルオロフェニル等が、ヘテロ環基
としてはピリジル、ピリミジル、トリアジニル、スクシ
ンイミド、テトラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリ
ル、ベンゾオキサゾリル等が挙げられる。Wとしてはσ
p値が正の電子吸引性基が好ましく、更にはその値が
0.30以上のものが好ましい。
基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン
原子、アシル基、チオアシル基、オキサリル基、オキシ
オキサリル基、チオオキサリル基、オキサモイル基、オ
キシカルボニル基、チオカルボニル基、カルバモイル
基、チオカルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル
基、オキシスルホニル基、チオスルホニル基、スルファ
モイル基、オキシスルフィニル基、チオスルフィニル
基、スルフィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イ
ミノ基、N−カルボニルイミノ基、N−スルホニルイミ
ノ基、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、スルホニ
ウム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、インモニウム
基を表す。Wとして表されるアルキル基としては、メチ
ル、エチル、トリフルオロメチル等が、アルケニル基と
してはビニル、ハロゲン置換ビニル、シアノビニル等
が、アルキニル基としてはアセチレニル、シアノアセチ
レニル等が、アリール基としてはニトロフェニル、シア
ノフェニル、ペンタフルオロフェニル等が、ヘテロ環基
としてはピリジル、ピリミジル、トリアジニル、スクシ
ンイミド、テトラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリ
ル、ベンゾオキサゾリル等が挙げられる。Wとしてはσ
p値が正の電子吸引性基が好ましく、更にはその値が
0.30以上のものが好ましい。
【0086】Rはハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル
オキシ基、アミノカルボニルオキシ基、メルカプト基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、ア
ルケニルチオ基、アシルチオ基、アルコキシカルボニル
チオ基、アミノカルボニルチオ基、ヒドロキシ基又はメ
ルカプト基の有機又は無機の塩(例えば、ナトリウム
塩、カリウム塩、銀塩等)、アミノ基、アルキルアミノ
基、環状アミノ基(例えば、ピロリジノ基)、アシルア
ミノ基、オキシカルボニルアミノ基、ヘテロ環基(5〜
6員の含窒素ヘテロ環、例えばベンツトリアゾリル基、
イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基
等)、ウレイド基、スルホンアミド基を表す。XとW、
XとRはそれぞれ互いに結合して環状構造を形成しても
よい。XとWが形成する環としては、例えばピラゾロ
ン、ピラゾリジノン、シクロペンタンジオン、β−ケト
ラクトン、β−ケトラクタム等が挙げられる。Rの置換
基の内、好ましくはヒドロキシ基、メルカプト基、アル
コキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基又はメルカプト基の有機又は無機の塩、ヘテロ環基が
挙げられ、更に好ましくはヒドロキシ基、アルコキシ
基、ヒドロキシ基又はメルカプト基の有機又は無機の
塩、ヘテロ環基が挙げられ、特に好ましくはヒドロキシ
基、ヒドロキシ基又はメルカプト基の有機又は無機の塩
が挙げられる。
キシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル
オキシ基、アミノカルボニルオキシ基、メルカプト基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、ア
ルケニルチオ基、アシルチオ基、アルコキシカルボニル
チオ基、アミノカルボニルチオ基、ヒドロキシ基又はメ
ルカプト基の有機又は無機の塩(例えば、ナトリウム
塩、カリウム塩、銀塩等)、アミノ基、アルキルアミノ
基、環状アミノ基(例えば、ピロリジノ基)、アシルア
ミノ基、オキシカルボニルアミノ基、ヘテロ環基(5〜
6員の含窒素ヘテロ環、例えばベンツトリアゾリル基、
イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基
等)、ウレイド基、スルホンアミド基を表す。XとW、
XとRはそれぞれ互いに結合して環状構造を形成しても
よい。XとWが形成する環としては、例えばピラゾロ
ン、ピラゾリジノン、シクロペンタンジオン、β−ケト
ラクトン、β−ケトラクタム等が挙げられる。Rの置換
基の内、好ましくはヒドロキシ基、メルカプト基、アル
コキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基又はメルカプト基の有機又は無機の塩、ヘテロ環基が
挙げられ、更に好ましくはヒドロキシ基、アルコキシ
基、ヒドロキシ基又はメルカプト基の有機又は無機の
塩、ヘテロ環基が挙げられ、特に好ましくはヒドロキシ
基、ヒドロキシ基又はメルカプト基の有機又は無機の塩
が挙げられる。
【0087】また上記X及びWの置換基の内、置換基中
にチオエーテル結合を有するものが好ましい。
にチオエーテル結合を有するものが好ましい。
【0088】次に下記一般式(P)で表される化合物に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0089】
【化12】
【0090】一般式(P)において、Qは窒素原子又は
燐原子を表し、R1、R2、R3及びR4は各々、水素原子
又は置換基を表し、X-はアニオンを表す。尚、R1〜R
4は互いに連結して環を形成してもよい。
燐原子を表し、R1、R2、R3及びR4は各々、水素原子
又は置換基を表し、X-はアニオンを表す。尚、R1〜R
4は互いに連結して環を形成してもよい。
【0091】R1〜R4で表される置換基としては、アル
キル基(メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ヘキシル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(ア
リル基、ブテニル基等)、アルキニル基(プロパルギル
基、ブチニル基等)、アリール基(フェニル基、ナフチ
ル基等)、複素環基(ピペリジニル基、ピペラジニル
基、モルホリニル基、ピリジル基、フリル基、チエニル
基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロチエニル基、
スルホラニル基等)、アミノ基等が挙げられる。
キル基(メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ヘキシル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(ア
リル基、ブテニル基等)、アルキニル基(プロパルギル
基、ブチニル基等)、アリール基(フェニル基、ナフチ
ル基等)、複素環基(ピペリジニル基、ピペラジニル
基、モルホリニル基、ピリジル基、フリル基、チエニル
基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロチエニル基、
スルホラニル基等)、アミノ基等が挙げられる。
【0092】R1〜R4が互いに連結して形成しうる環と
しては、ピペリジン環、モルホリン環、ピペラジン環、
キヌクリジン環、ピリジン環、ピロール環、イミダゾー
ル環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられ
る。
しては、ピペリジン環、モルホリン環、ピペラジン環、
キヌクリジン環、ピリジン環、ピロール環、イミダゾー
ル環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられ
る。
【0093】R1〜R4で表される基は、各々ヒドロキシ
ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル
基、スルホ基、アルキル基、アリール基等の置換基を有
してもよい。R1、R2、R3及びR4としては、各々水素
原子及びアルキル基が好ましい。
ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル
基、スルホ基、アルキル基、アリール基等の置換基を有
してもよい。R1、R2、R3及びR4としては、各々水素
原子及びアルキル基が好ましい。
【0094】X-が表すアニオンとしては、ハロゲンイ
オン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、p−トル
エンスルホン酸イオン等の無機及び有機のアニオンが挙
げられる。
オン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、p−トル
エンスルホン酸イオン等の無機及び有機のアニオンが挙
げられる。
【0095】更に好ましくは下記一般式(Pa)、(P
b)又は(Pc)で表される化合物、及び下記一般式
〔T〕で表される化合物が用いられる。
b)又は(Pc)で表される化合物、及び下記一般式
〔T〕で表される化合物が用いられる。
【0096】
【化13】
【0097】式中、A1、A2、A3、A4及びA5は、各
々含窒素複素環を完成させるための非金属原子群を表
し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子を含んでもよく、ベ
ンゼン環が縮合しても構わない。A1、A2、A3、A4及
びA5で構成される複素環は、各々置換基を有してもよ
く、それぞれ同一でも異なっていてもよい。置換基とし
ては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基、ハロゲン原子、アシル基、アル
コキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ス
ルホ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アミド基、スルファモイル基、カル
バモイル基、ウレイド基、アミノ基、スルホンアミド
基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト
基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表す。A1、
A2、A3、A4及びA5の好ましい例としては、5〜6員
環(ピリジン、イミダゾール、チオゾール、オキサゾー
ル、ピラジン、ピリミジン等の各環)を挙げることがで
き、更に好ましい例として、ピリジン環が挙げられる。
々含窒素複素環を完成させるための非金属原子群を表
し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子を含んでもよく、ベ
ンゼン環が縮合しても構わない。A1、A2、A3、A4及
びA5で構成される複素環は、各々置換基を有してもよ
く、それぞれ同一でも異なっていてもよい。置換基とし
ては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケ
ニル基、アルキニル基、ハロゲン原子、アシル基、アル
コキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ス
ルホ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アミド基、スルファモイル基、カル
バモイル基、ウレイド基、アミノ基、スルホンアミド
基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト
基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表す。A1、
A2、A3、A4及びA5の好ましい例としては、5〜6員
環(ピリジン、イミダゾール、チオゾール、オキサゾー
ル、ピラジン、ピリミジン等の各環)を挙げることがで
き、更に好ましい例として、ピリジン環が挙げられる。
【0098】BPは2価の連結基を表し、mは0又は1
を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、アリー
レン基、アルケニレン基、−SO2−、−SO−、−O
−、−S−、−CO−、−N(R6)−(R6はアルキル
基、アリール基、水素原子を表す)を単独又は組み合わ
せて構成されるものを表す。Bpとして好ましくは、ア
ルキレン基、アルケニレン基を挙げることができる。
を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、アリー
レン基、アルケニレン基、−SO2−、−SO−、−O
−、−S−、−CO−、−N(R6)−(R6はアルキル
基、アリール基、水素原子を表す)を単独又は組み合わ
せて構成されるものを表す。Bpとして好ましくは、ア
ルキレン基、アルケニレン基を挙げることができる。
【0099】R1、R2及びR5は、各々炭素数1〜20
のアルキル基を表す。又、R1及びR 2は同一でも異って
いてもよい。アルキル基とは、置換或いは無置換のアル
キル基を表し、置換基としては、A1、A2、A3、A4及
びA5の置換基として挙げた置換基と同様である。
のアルキル基を表す。又、R1及びR 2は同一でも異って
いてもよい。アルキル基とは、置換或いは無置換のアル
キル基を表し、置換基としては、A1、A2、A3、A4及
びA5の置換基として挙げた置換基と同様である。
【0100】R1、R2及びR5の好ましい例としては、
それぞれ炭素数4〜10のアルキル基である。更に好ま
しい例としては、置換或いは無置換のアリール置換アル
キル基が挙げられる。
それぞれ炭素数4〜10のアルキル基である。更に好ま
しい例としては、置換或いは無置換のアリール置換アル
キル基が挙げられる。
【0101】Xp -は分子全体の電荷を均衡させるのに必
要な対イオンを表し、例えば塩素イオン、臭素イオン、
沃素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、p−トルエンス
ルホナート、オキザラート等を表す。npは分子全体の
電荷を均衡さすに必要な対イオンの数を表し、分子内塩
の場合にはnpは0である。
要な対イオンを表し、例えば塩素イオン、臭素イオン、
沃素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、p−トルエンス
ルホナート、オキザラート等を表す。npは分子全体の
電荷を均衡さすに必要な対イオンの数を表し、分子内塩
の場合にはnpは0である。
【0102】
【化14】
【0103】上記一般式〔T〕で表されるトリフェニル
テトラゾリウム化合物のフェニル基の置換基R5、R6、
R7は、各々水素原子もしくは電子吸引性度を示すハメ
ットのシグマ値(σp)が負のものが好ましい。
テトラゾリウム化合物のフェニル基の置換基R5、R6、
R7は、各々水素原子もしくは電子吸引性度を示すハメ
ットのシグマ値(σp)が負のものが好ましい。
【0104】フェニル基におけるハメットのシグマ値は
多くの文献、例えばジャーナル・オブ・メディカルケミ
ストリー(Journal of Medical C
hemistry)20巻、304頁、1977年に記
載のC.ハンシュ(C.Hansch)等の報文等に見
ることが出来、特に好ましい負のシグマ値を有する基と
しては、例えばメチル基(σp=−0.17以下何れも
σp値)、エチル基(−0.15)、シクロプロピル基
(−0.21)、n−プロピル基(−0.13)、is
o−プロピル基(−0.15)、シクロブチル基(−
0.15)、n−ブチル基(−0.16)、iso−ブ
チル基(−0.20)、n−ペンチル基(−0.1
5)、シクロヘキシル基(−0.22)、アミノ基(−
0.66)、アセチルアミノ基(−0.15)、ヒドロ
キシ基(−0.37)、メトキシ基(−0.27)、エ
トキシ基(−0.24)、プロポキシ基(−0.2
5)、ブトキシ基(−0.32)、ペントキシ基(−
0.34)等が挙げられ、これらは何れも一般式〔T〕
の化合物の置換基として有用である。
多くの文献、例えばジャーナル・オブ・メディカルケミ
ストリー(Journal of Medical C
hemistry)20巻、304頁、1977年に記
載のC.ハンシュ(C.Hansch)等の報文等に見
ることが出来、特に好ましい負のシグマ値を有する基と
しては、例えばメチル基(σp=−0.17以下何れも
σp値)、エチル基(−0.15)、シクロプロピル基
(−0.21)、n−プロピル基(−0.13)、is
o−プロピル基(−0.15)、シクロブチル基(−
0.15)、n−ブチル基(−0.16)、iso−ブ
チル基(−0.20)、n−ペンチル基(−0.1
5)、シクロヘキシル基(−0.22)、アミノ基(−
0.66)、アセチルアミノ基(−0.15)、ヒドロ
キシ基(−0.37)、メトキシ基(−0.27)、エ
トキシ基(−0.24)、プロポキシ基(−0.2
5)、ブトキシ基(−0.32)、ペントキシ基(−
0.34)等が挙げられ、これらは何れも一般式〔T〕
の化合物の置換基として有用である。
【0105】nは1或いは2を表し、XT n-で表される
アニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン等のハロゲンイオン、硝酸、硫酸、
過塩素酸等の無機酸の酸根、スルホン酸、カルボン酸等
の有機酸の酸根、アニオン系の活性剤、具体的にはp−
トルエンスルホン酸アニオン等の低級アルキルベンゼン
スルホン酸アニオン、p−ドデシルベンゼンスルホン酸
アニオン等の高級アルキルベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ラウリルスルフェートアニオン等の高級アルキル硫
酸エステルアニオン、テトラフェニルボロン等の硼酸系
アニオン、ジ−2−エチルヘキシルスルホサクシネート
アニオン等のジアルキルスルホサクシネートアニオン、
セチルポリエテノキシサルフェートアニオン等の高級脂
肪酸アニオン、ポリアクリル酸アニオン等のポリマーに
酸根のついたもの等を挙げることができる。
アニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン等のハロゲンイオン、硝酸、硫酸、
過塩素酸等の無機酸の酸根、スルホン酸、カルボン酸等
の有機酸の酸根、アニオン系の活性剤、具体的にはp−
トルエンスルホン酸アニオン等の低級アルキルベンゼン
スルホン酸アニオン、p−ドデシルベンゼンスルホン酸
アニオン等の高級アルキルベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ラウリルスルフェートアニオン等の高級アルキル硫
酸エステルアニオン、テトラフェニルボロン等の硼酸系
アニオン、ジ−2−エチルヘキシルスルホサクシネート
アニオン等のジアルキルスルホサクシネートアニオン、
セチルポリエテノキシサルフェートアニオン等の高級脂
肪酸アニオン、ポリアクリル酸アニオン等のポリマーに
酸根のついたもの等を挙げることができる。
【0106】上記4級オニウム化合物は公知の方法に従
って容易に合成でき、例えば上記テトラゾリウム化合物
はChemical Reviews vol.55
p.335〜483に記載の方法を参考にできる。
って容易に合成でき、例えば上記テトラゾリウム化合物
はChemical Reviews vol.55
p.335〜483に記載の方法を参考にできる。
【0107】次に下記一般式(A)〜(D)で表される
化合物やヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、フ
タル酸アンモニウムも挙げられる。
化合物やヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、フ
タル酸アンモニウムも挙げられる。
【0108】
【化15】
【0109】一般式(A)で表される化合物について説
明する。前記一般式(A)において、EWDは電子吸引
性基を表し、R6、R7およびR 8はそれぞれ水素原子ま
たは1価の置換基を表す。但し、R7およびR8のうちの
少なくとも1つは1価の置換基である。ここにEWDで
表される電気吸引性基とはハメットの置換基定数σpが
正の値を取りうる置換基のことであり、具体的には、シ
アノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカル
ボニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキ
ルスルホニル基、アリールスルホニル基、ニトロ基、ハ
ロゲン原子、パーフルオロアルキル基、アシル基、ホル
ミル基、ホスホリル基、カルボキシ基(またはその
塩)、スルホ基(またはその塩)、飽和もしくは不飽和
のヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、アシルオ
キシ基、アシルチオ基、スルホニルオキシ基、またはこ
れら電子吸引性基で置換されたアリール基等が挙げられ
る。これらの基は置換基を有していてもよい。具体的化
合物としては、例えば、米国特許第5,545,515
号に開示された化合物が挙げられる。
明する。前記一般式(A)において、EWDは電子吸引
性基を表し、R6、R7およびR 8はそれぞれ水素原子ま
たは1価の置換基を表す。但し、R7およびR8のうちの
少なくとも1つは1価の置換基である。ここにEWDで
表される電気吸引性基とはハメットの置換基定数σpが
正の値を取りうる置換基のことであり、具体的には、シ
アノ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカル
ボニル基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキ
ルスルホニル基、アリールスルホニル基、ニトロ基、ハ
ロゲン原子、パーフルオロアルキル基、アシル基、ホル
ミル基、ホスホリル基、カルボキシ基(またはその
塩)、スルホ基(またはその塩)、飽和もしくは不飽和
のヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、アシルオ
キシ基、アシルチオ基、スルホニルオキシ基、またはこ
れら電子吸引性基で置換されたアリール基等が挙げられ
る。これらの基は置換基を有していてもよい。具体的化
合物としては、例えば、米国特許第5,545,515
号に開示された化合物が挙げられる。
【0110】一般式(B)で表される化合物について説
明する。前記一般式(B)において、R9は水素原子、
アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチ
オ、アミド基、アリール基、アラルキル基、アリールオ
キシ基、アリールチオ基、アニリノ基、ヘテロ環基、ヘ
テロ環オキシ基またはヘテロ環チオ基を表すが、アルキ
ル基であるのが好ましく、メチル基、エチル基であるの
がより好ましい。
明する。前記一般式(B)において、R9は水素原子、
アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチ
オ、アミド基、アリール基、アラルキル基、アリールオ
キシ基、アリールチオ基、アニリノ基、ヘテロ環基、ヘ
テロ環オキシ基またはヘテロ環チオ基を表すが、アルキ
ル基であるのが好ましく、メチル基、エチル基であるの
がより好ましい。
【0111】R10は水素原子、アルキル基、アルケニル
基、アルコキシ基、アルキルチオ、アミド基、アリール
基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ
基、アニリノ基、ヘテロ環基、ヘテロ環オキシ基、ヘテ
ロ環チオ基、ヒドラジノ基、アルキルアミノ基、スルホ
ニルアミノ基、ウレイド基、オキシカルボニルアミノ
基、アルキニル基または無置換のアミノ基を表すが、ア
リール基、ヘテロ環基、ヘテロ環オキシ基、ヘテロ環チ
オ基であるのが好ましく、さらに好ましくはヘテロ環オ
キシ基、ヘテロ環チオ基である。ヘテロ環オキシ基とし
て具体的には、ピリジルオキシ基、ピリミジルオキシ
基、インドリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオキシ基、
ベンズイミダゾリルオキシ基、フリルオキシ基、チエニ
ルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、イニダゾリルオキシ
基フリルチオ基、チエニルチオ基、ピラゾリルチオ基、
イニダゾリルチオ基等が挙げられる。R10として好まし
くはピリジルオキシ基、チエニルオキシ基である。
基、アルコキシ基、アルキルチオ、アミド基、アリール
基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ
基、アニリノ基、ヘテロ環基、ヘテロ環オキシ基、ヘテ
ロ環チオ基、ヒドラジノ基、アルキルアミノ基、スルホ
ニルアミノ基、ウレイド基、オキシカルボニルアミノ
基、アルキニル基または無置換のアミノ基を表すが、ア
リール基、ヘテロ環基、ヘテロ環オキシ基、ヘテロ環チ
オ基であるのが好ましく、さらに好ましくはヘテロ環オ
キシ基、ヘテロ環チオ基である。ヘテロ環オキシ基とし
て具体的には、ピリジルオキシ基、ピリミジルオキシ
基、インドリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオキシ基、
ベンズイミダゾリルオキシ基、フリルオキシ基、チエニ
ルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、イニダゾリルオキシ
基フリルチオ基、チエニルチオ基、ピラゾリルチオ基、
イニダゾリルチオ基等が挙げられる。R10として好まし
くはピリジルオキシ基、チエニルオキシ基である。
【0112】Xは水素原子、アルキル基、カルバモイル
基またはオキシカルボニル基を表す。Xは水素原子であ
るのが好ましい。R9とR10とが結合して5員から7員
の環を形成してもよい。具体的化合物としては、例え
ば、米国特許第5,545,507号に開示された化合
物が挙げられる。
基またはオキシカルボニル基を表す。Xは水素原子であ
るのが好ましい。R9とR10とが結合して5員から7員
の環を形成してもよい。具体的化合物としては、例え
ば、米国特許第5,545,507号に開示された化合
物が挙げられる。
【0113】一般式(C)で表される化合物について説
明する。前記一般式(C)において、R11はアルキル
基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ、アミ
ド基、アリール基、アラルキル基、アリールオキシ基、
アリールチオ基、アニリノ基またはヘテロ環基を表すが
アリール基、ヘテロ環基、ヘテロ環オキシ基、ヘテロ環
チオ基であるのが好ましい。より好ましくはヘテロ環オ
キシ基、ヘテロ環チオ基である。ヘテロ環オキシ基とし
て具体的には、ピリジルオキシ基、ピリミジルオキシ
基、インドリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオキシ基、
ベンズイミダゾリルオキシ基、フリルオキシ基、チエニ
ルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、イニダゾリルオキシ
基等が挙げられる。ヘテロ環チオ基として具体的にはピ
リジルチオ基、ピリミジルチオ基、インドリルチオ基、
ベンゾチアゾリルチオ基、ベンズイミダゾリルチオ基、
フリルチオ基、チエニルチオ基、ピラゾリルチオ基、イ
ニダゾリルチオ基等が挙げられる。R6として好ましく
はピリジルオキシ基、チエニルオキシ基である。具体的
化合物としては例えば米国特許第5,558,983号
に開示された化合物が挙げられる。
明する。前記一般式(C)において、R11はアルキル
基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ、アミ
ド基、アリール基、アラルキル基、アリールオキシ基、
アリールチオ基、アニリノ基またはヘテロ環基を表すが
アリール基、ヘテロ環基、ヘテロ環オキシ基、ヘテロ環
チオ基であるのが好ましい。より好ましくはヘテロ環オ
キシ基、ヘテロ環チオ基である。ヘテロ環オキシ基とし
て具体的には、ピリジルオキシ基、ピリミジルオキシ
基、インドリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオキシ基、
ベンズイミダゾリルオキシ基、フリルオキシ基、チエニ
ルオキシ基、ピラゾリルオキシ基、イニダゾリルオキシ
基等が挙げられる。ヘテロ環チオ基として具体的にはピ
リジルチオ基、ピリミジルチオ基、インドリルチオ基、
ベンゾチアゾリルチオ基、ベンズイミダゾリルチオ基、
フリルチオ基、チエニルチオ基、ピラゾリルチオ基、イ
ニダゾリルチオ基等が挙げられる。R6として好ましく
はピリジルオキシ基、チエニルオキシ基である。具体的
化合物としては例えば米国特許第5,558,983号
に開示された化合物が挙げられる。
【0114】一般式(D)で表される化合物について説
明する。前記一般式(D)において、R12はベンツヒド
ロール核、ジフェニルフォスフィン核、トリフェニルメ
タン核、N,N′−ジアルキルピペラジン核、3−ピロ
ロリン核、キサンテン核、9,10−ジヒドロアントラ
セン核、9−ヒドロキシフルオレン核、アリル−ベータ
−ケトエステル核、アルデヒド核、アルキル−ベータ−
ケトエステル核、オキシム核、アミドオキシム核、ベン
ズアルデヒドオキシム核、アセトフェノンオキシム核、
カプロラクタムオキシム核、エチルベンゾイルアセテー
ト核、ピバルデヒド核または、エチルイソブチルアセテ
ート核を表す。具体的化合物としては、例えば、米国特
許第5,637,449号に開示された化合物が挙げら
れる。
明する。前記一般式(D)において、R12はベンツヒド
ロール核、ジフェニルフォスフィン核、トリフェニルメ
タン核、N,N′−ジアルキルピペラジン核、3−ピロ
ロリン核、キサンテン核、9,10−ジヒドロアントラ
セン核、9−ヒドロキシフルオレン核、アリル−ベータ
−ケトエステル核、アルデヒド核、アルキル−ベータ−
ケトエステル核、オキシム核、アミドオキシム核、ベン
ズアルデヒドオキシム核、アセトフェノンオキシム核、
カプロラクタムオキシム核、エチルベンゾイルアセテー
ト核、ピバルデヒド核または、エチルイソブチルアセテ
ート核を表す。具体的化合物としては、例えば、米国特
許第5,637,449号に開示された化合物が挙げら
れる。
【0115】以下に本発明の一般式(A)〜(D)で表
される化合物(硬調化剤)の具体例を挙げるが、本発明
はこれらに限定されるものではない。
される化合物(硬調化剤)の具体例を挙げるが、本発明
はこれらに限定されるものではない。
【0116】
【化16】
【0117】
【化17】
【0118】
【化18】
【0119】一般式(A)〜(D)で表される化合物の
添加量としては、銀1モルあたり1×10-6〜1モルで
あるのが好ましく、1×10-5〜5×10-1モルである
のが特に好ましい。
添加量としては、銀1モルあたり1×10-6〜1モルで
あるのが好ましく、1×10-5〜5×10-1モルである
のが特に好ましい。
【0120】(還元剤)本発明の熱現像記録材料には、
還元剤を内蔵させるのが好ましい。好適な還元剤の例
は、米国特許第3,770,448号、同3,773,
512号、同3,593,863号、及びResear
ch Disclosure第17029及び2996
3に記載されており、次のものが挙げられる。
還元剤を内蔵させるのが好ましい。好適な還元剤の例
は、米国特許第3,770,448号、同3,773,
512号、同3,593,863号、及びResear
ch Disclosure第17029及び2996
3に記載されており、次のものが挙げられる。
【0121】アミノヒドロキシシクロアルケノン化合物
(例えば、2−ヒドロキシ−3−ピペリジノ−2−シク
ロヘキセノン);還元剤の前駆体としてアミノレダクト
ン類(reductones)エステル(例えば、ピペ
リジノヘキソースレダクトンモノアセテート);N−ヒ
ドロキシ尿素誘導体(例えば、N−p−メチルフェニル
−N−ヒドロキシ尿素);アルデヒド又はケトンのヒド
ラゾン類(例えば、アントラセンアルデヒドフェニルヒ
ドラゾン);ホスファーアミドフェノール類;ホスファ
ーアミドアニリン類;ポリヒドロキシベンゼン類(例え
ば、ヒドロキノン、t−ブチル−ヒドロキノン、イソプ
ロピルヒドロキノン及び(2,5−ジヒドロキシ−フェ
ニル)メチルスルホン);スルフヒドロキサム酸類(例
えば、ベンゼンスルフヒドロキサム酸);スルホンアミ
ドアニリン類(例えば、4−(N−メタンスルホンアミ
ド)アニリン);2−テトラゾリルチオヒドロキノン類
(例えば、2−メチル−5−(1−フェニル−5−テト
ラゾリルチオ)ヒドロキノン);テトラヒドロキノキサ
リン類(例えば、1,2,3,4−テトラヒドロキノキ
サリン);アミドオキシム類;アジン類;脂肪族カルボ
ン酸アリールヒドラザイド類とアスコルビン酸の組み合
わせ;ポリヒドロキシベンゼンとヒドロキシルアミンの
組み合わせ;レダクトン及び/又はヒドラジン;ヒドロ
キサン酸類;アジン類とスルホンアミドフェノール類の
組み合わせ;α−シアノフェニル酢酸誘導体;ビス−β
−ナフトールと1,3−ジヒドロキシベンゼン誘導体の
組み合わせ;5−ピラゾロン類;スルホンアミドフェノ
ール還元剤;2−フェニルインダン−1,3−ジオン
等;クロマン;1,4−ジヒドロピリジン類(例えば、
2,6−ジメトキシ−3,5−ジカルボエトキシ−1,
4−ジヒドロピリジン);ビスフェノール類(例えば、
ビス(2−ヒドロキシ−3−t−ブチル−5−メチルフ
ェニル)メタン、ビス(6−ヒドロキシ−m−トリ)メ
シトール(mesitol)、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、4,4−エチ
リデン−ビス(2−t−ブチル−6−メチルフェノー
ル))、紫外線感応性アスコルビン酸誘導体;ヒンダー
ドフェノール類;3−ピラゾリドン類。中でも特に好ま
しい還元剤は、ヒンダードフェノール類である。ヒンダ
ードフェノール類としては、下記一般式(A′)で表さ
れる化合物が挙げられる。
(例えば、2−ヒドロキシ−3−ピペリジノ−2−シク
ロヘキセノン);還元剤の前駆体としてアミノレダクト
ン類(reductones)エステル(例えば、ピペ
リジノヘキソースレダクトンモノアセテート);N−ヒ
ドロキシ尿素誘導体(例えば、N−p−メチルフェニル
−N−ヒドロキシ尿素);アルデヒド又はケトンのヒド
ラゾン類(例えば、アントラセンアルデヒドフェニルヒ
ドラゾン);ホスファーアミドフェノール類;ホスファ
ーアミドアニリン類;ポリヒドロキシベンゼン類(例え
ば、ヒドロキノン、t−ブチル−ヒドロキノン、イソプ
ロピルヒドロキノン及び(2,5−ジヒドロキシ−フェ
ニル)メチルスルホン);スルフヒドロキサム酸類(例
えば、ベンゼンスルフヒドロキサム酸);スルホンアミ
ドアニリン類(例えば、4−(N−メタンスルホンアミ
ド)アニリン);2−テトラゾリルチオヒドロキノン類
(例えば、2−メチル−5−(1−フェニル−5−テト
ラゾリルチオ)ヒドロキノン);テトラヒドロキノキサ
リン類(例えば、1,2,3,4−テトラヒドロキノキ
サリン);アミドオキシム類;アジン類;脂肪族カルボ
ン酸アリールヒドラザイド類とアスコルビン酸の組み合
わせ;ポリヒドロキシベンゼンとヒドロキシルアミンの
組み合わせ;レダクトン及び/又はヒドラジン;ヒドロ
キサン酸類;アジン類とスルホンアミドフェノール類の
組み合わせ;α−シアノフェニル酢酸誘導体;ビス−β
−ナフトールと1,3−ジヒドロキシベンゼン誘導体の
組み合わせ;5−ピラゾロン類;スルホンアミドフェノ
ール還元剤;2−フェニルインダン−1,3−ジオン
等;クロマン;1,4−ジヒドロピリジン類(例えば、
2,6−ジメトキシ−3,5−ジカルボエトキシ−1,
4−ジヒドロピリジン);ビスフェノール類(例えば、
ビス(2−ヒドロキシ−3−t−ブチル−5−メチルフ
ェニル)メタン、ビス(6−ヒドロキシ−m−トリ)メ
シトール(mesitol)、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、4,4−エチ
リデン−ビス(2−t−ブチル−6−メチルフェノー
ル))、紫外線感応性アスコルビン酸誘導体;ヒンダー
ドフェノール類;3−ピラゾリドン類。中でも特に好ま
しい還元剤は、ヒンダードフェノール類である。ヒンダ
ードフェノール類としては、下記一般式(A′)で表さ
れる化合物が挙げられる。
【0122】
【化19】
【0123】式中、Rは水素原子、又は炭素原子数1〜
10のアルキル基(例えば、−C4H9、2,4,4−ト
リメチルペンチル)を表し、R′及びR″は、各々炭素
原子数1〜5のアルキル基(例えば、メチル、エチル、
t−ブチル)を表す。
10のアルキル基(例えば、−C4H9、2,4,4−ト
リメチルペンチル)を表し、R′及びR″は、各々炭素
原子数1〜5のアルキル基(例えば、メチル、エチル、
t−ブチル)を表す。
【0124】(色調剤)本発明の熱現像記録材料は、必
要に応じて銀の色調を抑制する色調剤を含有できる。採
用できる好適な色調剤の例はResearch Dis
closure第17029号に開示されている。また
現像を抑制あるいは促進させ現像を制御するため、分光
増感効率を向上させるため、現像前後の保存性を向上さ
せるためなどにメルカプト化合物、ジスルフィド化合
物、チオン化合物を含有させることができる。
要に応じて銀の色調を抑制する色調剤を含有できる。採
用できる好適な色調剤の例はResearch Dis
closure第17029号に開示されている。また
現像を抑制あるいは促進させ現像を制御するため、分光
増感効率を向上させるため、現像前後の保存性を向上さ
せるためなどにメルカプト化合物、ジスルフィド化合
物、チオン化合物を含有させることができる。
【0125】(酸化剤)本発明の熱現像記録材料には、
酸化剤を含有するのが好ましい。本発明に用いられる酸
化剤は、保存時のカブリを低減するものならばどのよう
な酸化剤であってもよい。このような酸化剤としては、
好ましくは、例えば、特開昭50−119624号、同
50−120328号、同51−121332号、同5
4−58022号、同56−70543号、同56−9
9335号、同59−90842号、同61−1296
42号、同62−129845号、特開平6−2081
91号、同7−5621号、同7−2781号、同8−
15809号、米国特許第5,340,712号、同第
5,369,000号、同第5,464,737号、同
第3,874,946号、同第4,756,999号、
同第5,340,712号、欧州特許第605,981
A1号、同622,666A1号、同631,176A
1号、特公昭54−165号、特開平7−2781号、
米国特許第4,180,665号および同第4,44
2,202号に記載されている化合物等を用いることが
できるが、好ましくは下記一般式(I)で表されるポリ
ハロゲン化合物である。
酸化剤を含有するのが好ましい。本発明に用いられる酸
化剤は、保存時のカブリを低減するものならばどのよう
な酸化剤であってもよい。このような酸化剤としては、
好ましくは、例えば、特開昭50−119624号、同
50−120328号、同51−121332号、同5
4−58022号、同56−70543号、同56−9
9335号、同59−90842号、同61−1296
42号、同62−129845号、特開平6−2081
91号、同7−5621号、同7−2781号、同8−
15809号、米国特許第5,340,712号、同第
5,369,000号、同第5,464,737号、同
第3,874,946号、同第4,756,999号、
同第5,340,712号、欧州特許第605,981
A1号、同622,666A1号、同631,176A
1号、特公昭54−165号、特開平7−2781号、
米国特許第4,180,665号および同第4,44
2,202号に記載されている化合物等を用いることが
できるが、好ましくは下記一般式(I)で表されるポリ
ハロゲン化合物である。
【0126】
【化20】
【0127】式中、Aは脂肪族基、芳香族又は複素環基
を表し、X1、X2、X3はそれぞれ水素原子、または電
子吸引基を表し、同一でも異なっていても良い。Yは2
価の連結基を表す。nは0又は1を表す。
を表し、X1、X2、X3はそれぞれ水素原子、または電
子吸引基を表し、同一でも異なっていても良い。Yは2
価の連結基を表す。nは0又は1を表す。
【0128】本発明において酸化剤の添加量は、銀1モ
ル当たり1×10-4〜1モルであるのが好ましく、1×
10-3〜0.5モルであるのがより好ましい。
ル当たり1×10-4〜1モルであるのが好ましく、1×
10-3〜0.5モルであるのがより好ましい。
【0129】(脂肪酸及びその誘導体)本発明の熱現像
記録材料の画像記録層側の少なくとも1層には、脂肪酸
及びその誘導体を含有させることが好ましく、その脂肪
酸しては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミ
チン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノー
ル酸、リノレン酸、エライジン酸、また、脂肪酸エステ
ルとしては、例えば、ステアリン酸ブチル、ステアリン
酸アミル、ステアリン酸オクチル、パルミチン酸ブチ
ル、ミリスチン酸ブチル、ブトキシエチルステアレー
ト、オレイルオレート、ステアリン酸ブトキシエチルが
挙げられる。
記録材料の画像記録層側の少なくとも1層には、脂肪酸
及びその誘導体を含有させることが好ましく、その脂肪
酸しては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミ
チン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノー
ル酸、リノレン酸、エライジン酸、また、脂肪酸エステ
ルとしては、例えば、ステアリン酸ブチル、ステアリン
酸アミル、ステアリン酸オクチル、パルミチン酸ブチ
ル、ミリスチン酸ブチル、ブトキシエチルステアレー
ト、オレイルオレート、ステアリン酸ブトキシエチルが
挙げられる。
【0130】(多価アルコール)本発明における画像記
録層には、可塑剤および潤滑剤として多価アルコール
(例えば、米国特許第2,960,404号に記載され
た種類のグリセリン及びジオール)、米国特許第2,5
88,765号及び同第3,121,060号に記載の
脂肪酸またはエステル、英国特許第955,061号に
記載のシリコーン樹脂等を用いることができる。
録層には、可塑剤および潤滑剤として多価アルコール
(例えば、米国特許第2,960,404号に記載され
た種類のグリセリン及びジオール)、米国特許第2,5
88,765号及び同第3,121,060号に記載の
脂肪酸またはエステル、英国特許第955,061号に
記載のシリコーン樹脂等を用いることができる。
【0131】(染料)本発明における画像記録層または
画像記録層の画像記録保護層には、米国特許第3,25
3,921号、同第2,274,782号、同第2,5
27,583号及び同第2,956,879号に記載さ
れているような光吸収物質及びフィルター染料を使用す
ることができる。また、例えば米国特許第3,282,
699号に記載のように染料を媒染することができる。
フィルター染料の使用量としては露光波長での吸光度が
0.1〜3が好ましく、0.2〜1.5が特に好まし
い。
画像記録層の画像記録保護層には、米国特許第3,25
3,921号、同第2,274,782号、同第2,5
27,583号及び同第2,956,879号に記載さ
れているような光吸収物質及びフィルター染料を使用す
ることができる。また、例えば米国特許第3,282,
699号に記載のように染料を媒染することができる。
フィルター染料の使用量としては露光波長での吸光度が
0.1〜3が好ましく、0.2〜1.5が特に好まし
い。
【0132】本発明の画像記録層には色調改良、イラジ
エーション防止の観点から各種染料や顔料を用いること
ができる。本発明の画像記録層に用いる染料および顔料
はいかなるものでもよいが、例えばカラーインデックス
記載の顔料や染料があり、具体的にはピラゾロアゾール
染料、アントラキノン染料、アゾ染料、アゾメチン染
料、オキソノール染料、カルボシアニン染料、スチリル
染料、トリフェニルメタン染料、インドアニリン染料、
インドフェノール染料、フタロシアニンをはじめとする
有機顔料、無機顔料等が挙げられる。
エーション防止の観点から各種染料や顔料を用いること
ができる。本発明の画像記録層に用いる染料および顔料
はいかなるものでもよいが、例えばカラーインデックス
記載の顔料や染料があり、具体的にはピラゾロアゾール
染料、アントラキノン染料、アゾ染料、アゾメチン染
料、オキソノール染料、カルボシアニン染料、スチリル
染料、トリフェニルメタン染料、インドアニリン染料、
インドフェノール染料、フタロシアニンをはじめとする
有機顔料、無機顔料等が挙げられる。
【0133】(マット剤)本発明における熱現像記録材
料は、搬送性改良のために画像記録層側の画像記録保護
層及び/またはバック層またはバック層の表面保護層に
マット剤を添加しても良い。マット剤は、一般に水に不
溶性の有機または無機化合物の微粒子である。マット剤
としては任意のものを使用でき、例えば米国特許第1,
939,213号、同2,701,245号、同2,3
22,037号、同3,262,782号、同3,53
9,344号、同3,767,448号等の各明細書に
記載の有機マット剤、同1,260,772号、同2,
192,241号、同3,257,206号、同3,3
70,951号、同3,523,022号、同3,76
9,020号等の各明細書に記載の無機マット剤等当業
界で良く知られたものを用いることができる。
料は、搬送性改良のために画像記録層側の画像記録保護
層及び/またはバック層またはバック層の表面保護層に
マット剤を添加しても良い。マット剤は、一般に水に不
溶性の有機または無機化合物の微粒子である。マット剤
としては任意のものを使用でき、例えば米国特許第1,
939,213号、同2,701,245号、同2,3
22,037号、同3,262,782号、同3,53
9,344号、同3,767,448号等の各明細書に
記載の有機マット剤、同1,260,772号、同2,
192,241号、同3,257,206号、同3,3
70,951号、同3,523,022号、同3,76
9,020号等の各明細書に記載の無機マット剤等当業
界で良く知られたものを用いることができる。
【0134】(硬膜剤)本発明の画像記録層、画像記録
保護層、バック層等各層には硬膜剤を用いても良い。硬
膜剤の例としては、米国特許第4,281,060号、
特開平6−208193号などに記載されているポリイ
ソシアネート類、米国特許第4,791,042号など
に記載されているエポキシ化合物類、特開昭62−89
048号等に記載されているビニルスルホン系化合物類
等が用いられる。
保護層、バック層等各層には硬膜剤を用いても良い。硬
膜剤の例としては、米国特許第4,281,060号、
特開平6−208193号などに記載されているポリイ
ソシアネート類、米国特許第4,791,042号など
に記載されているエポキシ化合物類、特開昭62−89
048号等に記載されているビニルスルホン系化合物類
等が用いられる。
【0135】(界面活性剤)本発明には塗布性、帯電改
良等を目的として界面活性剤を用いても良い。界面活性
剤の例としては、ノニオン系、アニオン系、カチオン
系、フッ素系等いかなるものも適宜用いられる。具体的
には、特開昭62−170950号、米国特許5,38
0,644号などに記載のフッ素系高分子界面活性剤、
特開昭60−244945号、特開昭63−18813
5号等に記載のフッ素系界面活性剤、米国特許第3,8
85,965号等に記載のポリシロキ酸系界面活性剤、
特開平6−301140号等に記載のポリアルキレンオ
キサイドやアニオン系界面活性剤等が挙げられる。
良等を目的として界面活性剤を用いても良い。界面活性
剤の例としては、ノニオン系、アニオン系、カチオン
系、フッ素系等いかなるものも適宜用いられる。具体的
には、特開昭62−170950号、米国特許5,38
0,644号などに記載のフッ素系高分子界面活性剤、
特開昭60−244945号、特開昭63−18813
5号等に記載のフッ素系界面活性剤、米国特許第3,8
85,965号等に記載のポリシロキ酸系界面活性剤、
特開平6−301140号等に記載のポリアルキレンオ
キサイドやアニオン系界面活性剤等が挙げられる。
【0136】(支持体)熱現像記録材料の支持体として
は、紙、ポリエチレンを被覆した紙、ポリプロピレンを
被覆した紙、羊皮紙、布、金属(例、アルミニウム、
銅、マグネシウム、亜鉛)のシートまたは薄膜、ガラ
ス、金属(例、クロム合金、スチール、銀、金、白金)
で被覆したガラスおよびプラスチックフィルムが用いら
れる。支持体の用いられるプラスチックの例には、ポリ
アルキルメタクリレート(例、ポリメチルメタクリレー
ト)、ポリエステル(例、ポリエチレンテレフタレー
ト)、ポリビニルアセタール、ポリアミド(例、ナイロ
ン)およびセルロースエステル(例、セルロースニトレ
ート、セルロースアセテート、セルロース、アセテート
プロピオネート、セルロースアセテートブチレート)が
含まれる。支持体を、ポリマーで被覆してもよい。ポリ
マーの例には、ポリ塩化ビニリデン、アクリル酸系ポリ
マー(例、ポリアクリロニトリル、メチルアクリレー
ト)不飽和ジカルボン酸(例、イタコン酸、アクリル
酸)のポリマー、カルボキシメチルセルロースおよびポ
リアクリルアミドが含まれる。コポリマーを用いてもよ
い。ポリマーで被覆する代わりに、ポリマーを含む下塗
り層を設けてもよい。支持体の寸法特性を向上させるに
は、支持体を低張力下でアニール処理を行なうことが有
効である。例えば、特公昭60−22616号、米国特
許第2,779,684号、RD第19809、特開平
8−211547号、同10−10676号、同10−
10677号、同11−47676号、同11−650
25号、同11−138628号、同11−13864
8号、同11−221892号、同11−333922
号、同11−333923号等に記載された公知の方法
を適宜組み合わせることが好ましい。支持体の熱処理
時、好ましくは下塗り層塗布時の張力は0.4〜80N
/cm2、より好ましくは2〜60N/cm2、さらに好
ましくは10〜50N/cm2である。熱処理温度ある
いは乾燥温度は、70〜220℃、より好ましくは80
〜200℃であり、さらに好ましくは90〜190℃で
ある。熱処理時間あるいは乾燥時間は、1〜30分が好
ましく、より好ましくは2〜20分であり、さらに好ま
しくは3〜15分である。
は、紙、ポリエチレンを被覆した紙、ポリプロピレンを
被覆した紙、羊皮紙、布、金属(例、アルミニウム、
銅、マグネシウム、亜鉛)のシートまたは薄膜、ガラ
ス、金属(例、クロム合金、スチール、銀、金、白金)
で被覆したガラスおよびプラスチックフィルムが用いら
れる。支持体の用いられるプラスチックの例には、ポリ
アルキルメタクリレート(例、ポリメチルメタクリレー
ト)、ポリエステル(例、ポリエチレンテレフタレー
ト)、ポリビニルアセタール、ポリアミド(例、ナイロ
ン)およびセルロースエステル(例、セルロースニトレ
ート、セルロースアセテート、セルロース、アセテート
プロピオネート、セルロースアセテートブチレート)が
含まれる。支持体を、ポリマーで被覆してもよい。ポリ
マーの例には、ポリ塩化ビニリデン、アクリル酸系ポリ
マー(例、ポリアクリロニトリル、メチルアクリレー
ト)不飽和ジカルボン酸(例、イタコン酸、アクリル
酸)のポリマー、カルボキシメチルセルロースおよびポ
リアクリルアミドが含まれる。コポリマーを用いてもよ
い。ポリマーで被覆する代わりに、ポリマーを含む下塗
り層を設けてもよい。支持体の寸法特性を向上させるに
は、支持体を低張力下でアニール処理を行なうことが有
効である。例えば、特公昭60−22616号、米国特
許第2,779,684号、RD第19809、特開平
8−211547号、同10−10676号、同10−
10677号、同11−47676号、同11−650
25号、同11−138628号、同11−13864
8号、同11−221892号、同11−333922
号、同11−333923号等に記載された公知の方法
を適宜組み合わせることが好ましい。支持体の熱処理
時、好ましくは下塗り層塗布時の張力は0.4〜80N
/cm2、より好ましくは2〜60N/cm2、さらに好
ましくは10〜50N/cm2である。熱処理温度ある
いは乾燥温度は、70〜220℃、より好ましくは80
〜200℃であり、さらに好ましくは90〜190℃で
ある。熱処理時間あるいは乾燥時間は、1〜30分が好
ましく、より好ましくは2〜20分であり、さらに好ま
しくは3〜15分である。
【0137】(層構成)本発明における層構成の好まし
い例としては、支持体の一方の面上に下引き層を設け、
その上に画像記録層を設け、さらにその上に画像記録保
護層を設ける。下引き層(画像記録層側)は2層以上か
らなることが好ましく、下引き層の総乾燥膜厚は、0.
2〜5μmが好ましく、0.5〜3μmであることがよ
り好ましい。画像記録層の乾燥膜厚は、5〜13μmで
あることが好ましく、7〜11μmであることがより好
ましい。画像記録保護層の乾燥膜厚は、2〜10μmで
あることが好ましく、4〜8μmであることがより好ま
しい。画像記録保護層にはマット剤を含有することが好
ましい。マット剤の平均粒径は1〜10μmが好まし
く、3〜7μmであることがより好ましい。マット剤と
しては、公知のフィラーが使用できるが、ポリメチルメ
タクリレート等の有機質粉末を使用することが好まし
い。
い例としては、支持体の一方の面上に下引き層を設け、
その上に画像記録層を設け、さらにその上に画像記録保
護層を設ける。下引き層(画像記録層側)は2層以上か
らなることが好ましく、下引き層の総乾燥膜厚は、0.
2〜5μmが好ましく、0.5〜3μmであることがよ
り好ましい。画像記録層の乾燥膜厚は、5〜13μmで
あることが好ましく、7〜11μmであることがより好
ましい。画像記録保護層の乾燥膜厚は、2〜10μmで
あることが好ましく、4〜8μmであることがより好ま
しい。画像記録保護層にはマット剤を含有することが好
ましい。マット剤の平均粒径は1〜10μmが好まし
く、3〜7μmであることがより好ましい。マット剤と
しては、公知のフィラーが使用できるが、ポリメチルメ
タクリレート等の有機質粉末を使用することが好まし
い。
【0138】支持体を挟んで画像記録層とは反対側の面
上に下引き層を設け、その上にバックコート層を設け、
さらにその上にバックコート表面保護層を設けることが
好ましい。下引き層(バックコート層側)は2層以上か
らなることが好ましく、支持体に最も近い下引き層は、
導電性の金属酸化物及び/または導電性ポリマーを含有
する帯電防止層であることが好ましい。導電性の金属酸
化物としては、Sbで表面処理されたSnO2が、導電
性ポリマーとしてはポリアニリンが好ましい。下引き層
の総乾燥膜厚は、0.2〜4μmが好ましく、0.5〜
2μmであることがより好ましい。バックコート層の乾
燥膜厚は2〜10μmであることが好ましく、4〜8μ
mであることがより好ましい。バックコート層にはアン
チハレーション染料を含むことが好ましい。バックコー
ト表面保護層の乾燥膜厚は、2〜10μmであることが
好ましく、4〜8μmであることがより好ましい。バッ
クコート表面保護層にはマット剤を含有することが好ま
しい。マット剤としては、公知のフィラーが使用できる
が、ポリメチルメタクリレート等の有機質粉末を使用す
ることが好ましい。マット剤の平均粒径は1〜10μm
が好ましく、3〜7μmであることがより好ましい。上
記の層構成、膜厚構成をとることで本発明の効果をより
よく発揮することができる (塗布方式)熱現像記録材料の製造時に用いられる塗布
方式としては、リバースロール、グラビアロール、エア
ドクターコータ、ブレードコータ、エアナイフコータ、
スクイズコータ、含浸コータ、バーコータ、トランスフ
ァロールコータ、キスコータ、キャストコータ或いはス
プレーコータ、押し出しコータ等が知られているが、本
発明では支持体上への構成層の形成をエクストルージョ
ン方式ダイコータにより塗布を行うことが好ましい。
上に下引き層を設け、その上にバックコート層を設け、
さらにその上にバックコート表面保護層を設けることが
好ましい。下引き層(バックコート層側)は2層以上か
らなることが好ましく、支持体に最も近い下引き層は、
導電性の金属酸化物及び/または導電性ポリマーを含有
する帯電防止層であることが好ましい。導電性の金属酸
化物としては、Sbで表面処理されたSnO2が、導電
性ポリマーとしてはポリアニリンが好ましい。下引き層
の総乾燥膜厚は、0.2〜4μmが好ましく、0.5〜
2μmであることがより好ましい。バックコート層の乾
燥膜厚は2〜10μmであることが好ましく、4〜8μ
mであることがより好ましい。バックコート層にはアン
チハレーション染料を含むことが好ましい。バックコー
ト表面保護層の乾燥膜厚は、2〜10μmであることが
好ましく、4〜8μmであることがより好ましい。バッ
クコート表面保護層にはマット剤を含有することが好ま
しい。マット剤としては、公知のフィラーが使用できる
が、ポリメチルメタクリレート等の有機質粉末を使用す
ることが好ましい。マット剤の平均粒径は1〜10μm
が好ましく、3〜7μmであることがより好ましい。上
記の層構成、膜厚構成をとることで本発明の効果をより
よく発揮することができる (塗布方式)熱現像記録材料の製造時に用いられる塗布
方式としては、リバースロール、グラビアロール、エア
ドクターコータ、ブレードコータ、エアナイフコータ、
スクイズコータ、含浸コータ、バーコータ、トランスフ
ァロールコータ、キスコータ、キャストコータ或いはス
プレーコータ、押し出しコータ等が知られているが、本
発明では支持体上への構成層の形成をエクストルージョ
ン方式ダイコータにより塗布を行うことが好ましい。
【0139】尚、画像記録層の上に画像記録保護層を設
けるとき、各層毎に塗布乾燥を繰り返してもよいが、ウ
ェット−オン−ウェット方式で重層塗布し乾燥させるこ
とが好ましい。
けるとき、各層毎に塗布乾燥を繰り返してもよいが、ウ
ェット−オン−ウェット方式で重層塗布し乾燥させるこ
とが好ましい。
【0140】(画像処理方法)本発明の熱現像記録材料
の露光は、赤外半導体レーザーを用い、レーザーの波長
が700〜1000nmであることが好ましい。露光後
の熱現像では、45秒以下の超迅速処理が行われ、好ま
しくは、熱現像時間が、「top to top」で5
〜40秒以下、より好ましくは5〜30秒である。ここ
でいう「topto top」とは、処理される熱現像
記録材料の先端が熱現像機のフィルム挿入部に入った瞬
間から、処理されてフィルム先端が熱現像機からでてく
る瞬間までの時間をいう。また、請求項9に係る発明で
は、熱現像機の搬送速度が22mm/sec以上40m
m/sec以下であることが特徴であり、この様な迅速
処理条件下においても、ローラーマーク、濃度ムラ等の
発生が無く好ましい。
の露光は、赤外半導体レーザーを用い、レーザーの波長
が700〜1000nmであることが好ましい。露光後
の熱現像では、45秒以下の超迅速処理が行われ、好ま
しくは、熱現像時間が、「top to top」で5
〜40秒以下、より好ましくは5〜30秒である。ここ
でいう「topto top」とは、処理される熱現像
記録材料の先端が熱現像機のフィルム挿入部に入った瞬
間から、処理されてフィルム先端が熱現像機からでてく
る瞬間までの時間をいう。また、請求項9に係る発明で
は、熱現像機の搬送速度が22mm/sec以上40m
m/sec以下であることが特徴であり、この様な迅速
処理条件下においても、ローラーマーク、濃度ムラ等の
発生が無く好ましい。
【0141】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない。
るが、本発明の態様はこれに限定されない。
【0142】実施例1 《熱現像記録材料の作製》以下に示す方法に従って、熱
現像記録材料である試料1を作製した。
現像記録材料である試料1を作製した。
【0143】〔下引済みPET支持体の作製〕市販の2
軸延伸熱固定済みの厚さ125μmのポリエチレンテレ
フタレート(以降、PETと略す)フィルムを用い18
0℃、張力1.47×105Pa(1.5kg/cm2)
で1分間の搬送熱処理を行なった。このPETフィルム
のヤング率は、MD方向(長さ方向)が7.5×109
Pa、TD方向(幅方向)が7.4×109Paであっ
た。この両面に、8W/m2・分のコロナ放電処理を施
し、一方の面に下記下引塗布液a−1を乾燥膜厚0.8
μmになるように塗設し乾燥させて下引層A−1とし
た。また、反対側の面に下記下引塗布液b−1を乾燥膜
厚0.8μmになるように塗設し乾燥させて下引層B−
1(帯電防止層)とした。
軸延伸熱固定済みの厚さ125μmのポリエチレンテレ
フタレート(以降、PETと略す)フィルムを用い18
0℃、張力1.47×105Pa(1.5kg/cm2)
で1分間の搬送熱処理を行なった。このPETフィルム
のヤング率は、MD方向(長さ方向)が7.5×109
Pa、TD方向(幅方向)が7.4×109Paであっ
た。この両面に、8W/m2・分のコロナ放電処理を施
し、一方の面に下記下引塗布液a−1を乾燥膜厚0.8
μmになるように塗設し乾燥させて下引層A−1とし
た。また、反対側の面に下記下引塗布液b−1を乾燥膜
厚0.8μmになるように塗設し乾燥させて下引層B−
1(帯電防止層)とした。
【0144】 〈下引塗布液a−1〉 ブチルアクリレート(30質量%)、t−ブチルアクリレート(20質量%) 、スチレン(25質量%)、2−ヒドロキシエチルアクリレート (25質量%)の共重合体ラテックス液(固形分30質量%)270g (C−1) 0.6g ヘキサメチレン−1,6−ビス(エチレンウレア) 0.8g ポリスチレン微粒子(平均粒径3μm) 0.05g コロイダルシリカ(平均粒径90nm) 0.1g 水で1Lに仕上げる。
【0145】 〈下引塗布液b−1〉 SnO2/Sb(質量比9/1、平均粒径0.18μm) 120g ブチルアクリレート(30質量%)、スチレン(20質量%)、グリシジル アクリレート(40質量%)の共重合体ラテックス液(固形分30質量%) 270g (C−1) 0.6g ヘキサメチレン−1,6−ビス(エチレンウレア) 0.8g 水で1Lに仕上げる。
【0146】引き続き、下引層A−1及び下引層B−1
の上表面に、8W/m2・分のコロナ放電を施し、下引
層A−1の上には、下記下引上層塗布液a−2を乾燥膜
厚0.9μmになる様に塗布して下引層A−2を設け、
下引層B−1の上には下記下引上層塗布液b−2を乾燥
膜厚0.2μmになる様に塗布して下引上層B−2を設
けた。
の上表面に、8W/m2・分のコロナ放電を施し、下引
層A−1の上には、下記下引上層塗布液a−2を乾燥膜
厚0.9μmになる様に塗布して下引層A−2を設け、
下引層B−1の上には下記下引上層塗布液b−2を乾燥
膜厚0.2μmになる様に塗布して下引上層B−2を設
けた。
【0147】 〈下引上層塗布液a−2〉 バインダー樹脂I(*1)のラテックス液(固形分30質量%)270g (C−1) 0.2g (C−2) 0.2g (C−3) 0.1g シリカ粒子(平均粒径3.0μm) 2.0g 水で1Lに仕上げる。
【0148】 〈下引上層塗布液b−2〉 バインダー樹脂I(*1)のラテックス液(固形分30質量%)270g 硫酸アンモニウム 0.5g (C−6) 12g ポリエチレングリコール(重量平均分子量600) 6g 水で1Lに仕上げる。
【0149】*1;バインダー樹脂I:−SO3Na含
有アクリル樹脂{2−ヒドロキシエチルメタクリレート
/メチルメタクリレート=50/50(モル%):Tg
=40℃} なお、上記Tg値は、示差走査熱量測定法(DSC)に
より求めた値である。
有アクリル樹脂{2−ヒドロキシエチルメタクリレート
/メチルメタクリレート=50/50(モル%):Tg
=40℃} なお、上記Tg値は、示差走査熱量測定法(DSC)に
より求めた値である。
【0150】
【化21】
【0151】〈支持体の熱処理〉上記の下引済みPET
支持体の下引乾燥工程において、支持体を140℃で加
熱し、その後、徐々に冷却した。
支持体の下引乾燥工程において、支持体を140℃で加
熱し、その後、徐々に冷却した。
【0152】〔ハロゲン化銀乳剤Aの調製〕水900m
l中にイナートゼラチン7.5g及び臭化カリウム10
mgを溶解して温度35℃、pHを3.0に合わせた
後、硝酸銀74gを含む水溶液370mlと(60/3
8/2)のモル比の塩化ナトリウムと臭化カリウムと沃
化カリウムを硝酸銀に対し等モル、K2〔Ir(NO)
Cl5〕塩を銀1モル当たり1×10-6モル及び塩化ロ
ジウム塩を銀1モル当たり1×10-6モルを含む水溶液
370mlとを、pAg7.7に保ちながらコントロー
ルドダブルジェット法で添加した。その後4−ヒドロキ
シ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデン
を添加し、NaOHでpHを8.0、pAgを6.5に
調整することで還元増感を行い平均粒子サイズ0.06
μm、単分散度10%、投影直径面積の変動係数8%、
〔100〕面比率87%の立方体沃臭化銀粒子を含む乳
剤を得た。この乳剤にゼラチン凝集剤を用いて凝集沈降
させ脱塩処理を行い、ハロゲン化銀乳剤Aを得た。
l中にイナートゼラチン7.5g及び臭化カリウム10
mgを溶解して温度35℃、pHを3.0に合わせた
後、硝酸銀74gを含む水溶液370mlと(60/3
8/2)のモル比の塩化ナトリウムと臭化カリウムと沃
化カリウムを硝酸銀に対し等モル、K2〔Ir(NO)
Cl5〕塩を銀1モル当たり1×10-6モル及び塩化ロ
ジウム塩を銀1モル当たり1×10-6モルを含む水溶液
370mlとを、pAg7.7に保ちながらコントロー
ルドダブルジェット法で添加した。その後4−ヒドロキ
シ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデン
を添加し、NaOHでpHを8.0、pAgを6.5に
調整することで還元増感を行い平均粒子サイズ0.06
μm、単分散度10%、投影直径面積の変動係数8%、
〔100〕面比率87%の立方体沃臭化銀粒子を含む乳
剤を得た。この乳剤にゼラチン凝集剤を用いて凝集沈降
させ脱塩処理を行い、ハロゲン化銀乳剤Aを得た。
【0153】〔ベヘン酸Na溶液の調製〕945mlの
純水にベヘン酸32.4g、アラキジン酸9.9g、ス
テアリン酸5.6gを90℃で溶解した。次に高速で攪
拌しながら1.5モル/Lの水酸化ナトリウム水溶液9
8mlを添加した。次に濃硝酸0.93mlを加えた
後、55℃に冷却して30分攪拌させてベヘン酸Na溶
液を得た。
純水にベヘン酸32.4g、アラキジン酸9.9g、ス
テアリン酸5.6gを90℃で溶解した。次に高速で攪
拌しながら1.5モル/Lの水酸化ナトリウム水溶液9
8mlを添加した。次に濃硝酸0.93mlを加えた
後、55℃に冷却して30分攪拌させてベヘン酸Na溶
液を得た。
【0154】〔プレフォーム乳剤の調製〕上記のベヘン
酸Na溶液に、前記ハロゲン化銀乳剤Aを1.51g添
加し、水酸化ナトリウム溶液でpH8.1に調整した
後、1モル/Lの硝酸銀溶液147mlを7分間かけて
加え、さらに20分攪拌し限外濾過により水溶性塩類を
除去した。できたベヘン酸銀は、平均粒子サイズ0.8
μm、単分散度8%の粒子であった。分散物のフロック
を形成後、水を取り除き、更に6回の水洗と水の除去を
行った後、乾燥させてプレフォーム乳剤を得た。
酸Na溶液に、前記ハロゲン化銀乳剤Aを1.51g添
加し、水酸化ナトリウム溶液でpH8.1に調整した
後、1モル/Lの硝酸銀溶液147mlを7分間かけて
加え、さらに20分攪拌し限外濾過により水溶性塩類を
除去した。できたベヘン酸銀は、平均粒子サイズ0.8
μm、単分散度8%の粒子であった。分散物のフロック
を形成後、水を取り除き、更に6回の水洗と水の除去を
行った後、乾燥させてプレフォーム乳剤を得た。
【0155】〔感光性乳剤の調製〕上記調製したプレフ
ォーム乳剤に、バインダー樹脂A(*2)とバインダー
樹脂B(*3)の質量比が80/20であるメチルエチ
ルケトン/トルエン溶液(17質量%)544gとトル
エン107gを徐々に添加した混合溶液を、0.5mm
サイズZrO2のビーズミルを用いたメディア分散機に
より、2.7×107Paの回転圧で、30℃10分間
の分散処理を行い、感光性乳剤を調製した。
ォーム乳剤に、バインダー樹脂A(*2)とバインダー
樹脂B(*3)の質量比が80/20であるメチルエチ
ルケトン/トルエン溶液(17質量%)544gとトル
エン107gを徐々に添加した混合溶液を、0.5mm
サイズZrO2のビーズミルを用いたメディア分散機に
より、2.7×107Paの回転圧で、30℃10分間
の分散処理を行い、感光性乳剤を調製した。
【0156】なお、各バインダー樹脂の詳細は、以下の
通りである。 *2;バインダー樹脂A:−SO3K含有ブチラール樹
脂(Tg=70℃) *3;バインダー樹脂B:−SO3Na含有アクリル樹
脂(フェニルメタクリレート/4−ヒドロキシフェニル
メタクリルアミド/3−シアノフェニルメタクリルアミ
ド=3/4/3 であるアクリル樹脂:Tg=110
℃) 〔熱現像記録材料試料1の作製〕上記作製した下引済み
PET支持体上に、以下の各層を両面同時塗布し、熱現
像記録材料である試料1を作製した。尚、乾燥は60
℃、15分間で行った。
通りである。 *2;バインダー樹脂A:−SO3K含有ブチラール樹
脂(Tg=70℃) *3;バインダー樹脂B:−SO3Na含有アクリル樹
脂(フェニルメタクリレート/4−ヒドロキシフェニル
メタクリルアミド/3−シアノフェニルメタクリルアミ
ド=3/4/3 であるアクリル樹脂:Tg=110
℃) 〔熱現像記録材料試料1の作製〕上記作製した下引済み
PET支持体上に、以下の各層を両面同時塗布し、熱現
像記録材料である試料1を作製した。尚、乾燥は60
℃、15分間で行った。
【0157】 (バックコート面側の塗布液調製、塗布) 〈バックコート層塗布液1の調製〉 バインダー樹脂H:セルロースアセテートブチレート(10質量%メチルエチ ルケトン溶液 15g 染料−A 0.007g 染料−B 0.007g マット剤:単分散度15%平均粒子サイズ5μm単分散シリカ 0.09g マット剤:単分散度15%平均粒子サイズ15μm単分散シリカ 0.02g C8F17(CH2CH2O)12C8F17 0.05g C9F19−C6H4−SO3Na 0.01g ステアリン酸 0.1g
【0158】
【化22】
【0159】 〈バックコート保護層塗布液1の調製〉 バインダー樹脂H(10質量%メチルエチルケトン溶液) 15g マット剤:単分散度15%平均粒子サイズ5μm単分散シリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.1g マット剤:単分散度15%平均粒子サイズ15μm単分散シリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.04g C8F17(CH2CH2O)12C8F17 0.05g C9F19−C6H4−SO3Na 0.01g ステアリン酸 0.1g 〈バックコート層面側の塗布〉上記調製した各塗布液を
用いて、前記作製した支持体の下引上層B−2上にバッ
クコート層として乾燥膜厚が6μm、またその上にバッ
クコート保護層として乾燥膜厚が3.5μmとなるよう
に同時塗布した。
用いて、前記作製した支持体の下引上層B−2上にバッ
クコート層として乾燥膜厚が6μm、またその上にバッ
クコート保護層として乾燥膜厚が3.5μmとなるよう
に同時塗布した。
【0160】 (画像記録層面側の塗布液調製、塗布) 〈画像記録層塗布液1の調製〉 感光性乳剤(バインダー樹脂A/バインダー樹脂B=80/20) 240g 増感色素A(0.1質量%メタノール溶液) 1.7ml 染料−A 0.07g ピリジニウムプロミドペルブロミド(6質量%メタノール溶液) 3ml 臭化カルシウム(0.1質量%メタノール溶液) 1.7ml 酸化剤−1(10質量%メタノール溶液) 1.2ml 2−4−クロロベンゾイル安息香酸(12質量%メタノール溶液) 9.2ml 2−メルカプトベンズイミダゾール(1質量%メタノール溶液)11ml 化合物A 0.1g 化合物B 0.1g トリブロモメチルスルホキノリン(5質量%メタノール溶液) 17ml ヒドラジン誘導体:例示化合物H−1−1 0.4g 硬調化剤:例示化合物A1 0.3g フタラジン 0.6g 4−メチルフタル酸 0.25g テトラクロロフタル酸 0.2g マット剤:単分散度15%平均粒子サイズ5μm単分散シリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.3g 還元剤−1(20質量%メタノール溶液) 20.5ml イソシアネート化合物(モーベイ社製、Desmodur N3300) 0.5g ステアリン酸 0.5g ステアリン酸ブチル 0.5g α−アルミナ(モース硬度9) 0.5g
【0161】
【化23】
【0162】 〈画像記録保護層塗布液1の調製〉 アセトン 5g メチルエチルケトン 21g バインダー樹脂H:セルロースアセテートブチレート樹脂(Tg:110℃) 2.3g メタノール 7g フタラジン 0.25g 還元剤−1(20質量%メタノール溶液) 10ml マット剤:単分散度15%平均粒子サイズ5μm単分散シリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.5g マット剤:単分散度15%平均粒子サイズ20μm単分散シリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.04g CH2=CHSO2CH2CH2OCH2CH2SO2CH=CH2 0.035g フッ素系界面活性剤:C12F25(CH2CH2O)10C12F25 0.01g C8F17−C6H4−SO3Na 0.01g ステアリン酸 0.1g ステアリン酸ブチル 0.1g α−アルミナ(モース硬度9) 0.1g 〈画像記録層面側の塗布〉上記調製した各塗布液を用い
て、前記作製した支持体の下引層A−2上に画像記録層
として塗布銀量が1.0g/m2、乾燥膜厚が10.0
μmになる様に、さらにその上に画像記録保護層を乾燥
膜厚が6μmとなるよう同時塗布して試料1を作製し
た。
て、前記作製した支持体の下引層A−2上に画像記録層
として塗布銀量が1.0g/m2、乾燥膜厚が10.0
μmになる様に、さらにその上に画像記録保護層を乾燥
膜厚が6μmとなるよう同時塗布して試料1を作製し
た。
【0163】上記作製した試料1について、溶媒を適宜
選択して塗膜バインダーを除去した後、レプリカ法によ
る電子顕微鏡観察し、有機銀の粒径を測定した結果、有
機銀粒子は、長軸径0.5±0.05μm、短軸径0.
4±0.05μm、厚み0.01μmの平板状粒子が全
有機銀粒子の90%である単分散度5%の粒子であっ
た。
選択して塗膜バインダーを除去した後、レプリカ法によ
る電子顕微鏡観察し、有機銀の粒径を測定した結果、有
機銀粒子は、長軸径0.5±0.05μm、短軸径0.
4±0.05μm、厚み0.01μmの平板状粒子が全
有機銀粒子の90%である単分散度5%の粒子であっ
た。
【0164】ついで、上記作製した試料1において、画
像記録層塗布液1の感光性乳剤の作製で用いたバインダ
ー樹脂の種類とその比率、ヒドラジン誘導体及び硬調化
剤の種類を表1に記載の組み合わせに変更した以外は同
様にして、試料2〜12を作製した。
像記録層塗布液1の感光性乳剤の作製で用いたバインダ
ー樹脂の種類とその比率、ヒドラジン誘導体及び硬調化
剤の種類を表1に記載の組み合わせに変更した以外は同
様にして、試料2〜12を作製した。
【0165】
【表1】
【0166】表1における上記記載以外のバインダー樹
脂の詳細は、以下の通りである。 バインダー樹脂C:−SO3Naを有するアクリル樹脂
(ベンジルメタクリレート/4−ヒドロキシフェニルメ
タクリルアミド/3−シアノフェニルメタクリルアミド
=3/4/3(質量比)であるアクリル樹脂 Tg:9
5℃) バインダー樹脂G:フェノキシ樹脂(PKHH Tg:
105℃、ユニオンカーバイド社製) バインダー樹脂J:−SO3Na含有アクリル樹脂(2
−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト/メチルメタアクリ
レ−ト=25/75(モル%)Tg:70℃) ついで、上記作製した各試料を、暗室内で30cm幅で
50mの長さに切断して、内径10cmのボール紙から
なるコアに巻き付けロール形状の試料を作製した後、暗
室内で60cm×2mの包装材料をその外側に巻いて、
評価用の試料とした。
脂の詳細は、以下の通りである。 バインダー樹脂C:−SO3Naを有するアクリル樹脂
(ベンジルメタクリレート/4−ヒドロキシフェニルメ
タクリルアミド/3−シアノフェニルメタクリルアミド
=3/4/3(質量比)であるアクリル樹脂 Tg:9
5℃) バインダー樹脂G:フェノキシ樹脂(PKHH Tg:
105℃、ユニオンカーバイド社製) バインダー樹脂J:−SO3Na含有アクリル樹脂(2
−ヒドロキシエチルメタクリレ−ト/メチルメタアクリ
レ−ト=25/75(モル%)Tg:70℃) ついで、上記作製した各試料を、暗室内で30cm幅で
50mの長さに切断して、内径10cmのボール紙から
なるコアに巻き付けロール形状の試料を作製した後、暗
室内で60cm×2mの包装材料をその外側に巻いて、
評価用の試料とした。
【0167】《熱現像記録材料の露光及び熱現像処理》
以上の様にして作製した評価用の試料1〜12につい
て、780nmの半導体レーザーを搭載したイメージセ
ッター機であるサイテックス社製Dolev 2dry
を用いて、300線で5%刻みで露光量変化させるよう
に網点を露光し、110℃で15秒のプレヒート部を通
過させた後、オーブン中で水平搬送を行ないつつ、12
0℃で15秒間の熱現像を行った。その際、露光及び現
像は23℃、50%RHに調湿した部屋で行った。ま
た、熱現像処理機中の最長非接触搬送長は18cmであ
り、また、熱現像処理機の搬送速度は30mm/sec
で行った。
以上の様にして作製した評価用の試料1〜12につい
て、780nmの半導体レーザーを搭載したイメージセ
ッター機であるサイテックス社製Dolev 2dry
を用いて、300線で5%刻みで露光量変化させるよう
に網点を露光し、110℃で15秒のプレヒート部を通
過させた後、オーブン中で水平搬送を行ないつつ、12
0℃で15秒間の熱現像を行った。その際、露光及び現
像は23℃、50%RHに調湿した部屋で行った。ま
た、熱現像処理機中の最長非接触搬送長は18cmであ
り、また、熱現像処理機の搬送速度は30mm/sec
で行った。
【0168】《熱現像処理済み試料の特性値評価》以上
のようにして作製した試料1〜12について、以下に記
載の方法に従って各特性値評価を行った。
のようにして作製した試料1〜12について、以下に記
載の方法に従って各特性値評価を行った。
【0169】(熱現像時のローラーマークの評価)熱現
像時のローラーマークの発生について、以下に示す5段
階ランクに従って、目視による評価を行った。
像時のローラーマークの発生について、以下に示す5段
階ランクに従って、目視による評価を行った。
【0170】 ランク1:試料全面にローラーマークが発生 ランク2:一部で強いローラーマークが発生 ランク3:一部で弱いローラーマークが発生 ランク4:わずかにローラーマークが発生 ランク5:ローラーマークの発生は見られない 上記評価において、ランク4、5が実用上問題のないレ
ベルと判断した。
ベルと判断した。
【0171】(熱現像後の濃度ムラの評価)熱現像後の
濃度ムラについて、以下に示す5段階ランクに従って、
目視による評価を行い、その結果を表2に示す。
濃度ムラについて、以下に示す5段階ランクに従って、
目視による評価を行い、その結果を表2に示す。
【0172】 ランク1:全面で強い濃度ムラが発生 ランク2:一部で強い濃度ムラが発生 ランク3:一部で弱い濃度ムラが発生 ランク4:わずかに濃度ムラが発生 ランク5:濃度ムラの発生は見られない 上記評価において、ランク4、5が実用上問題のないレ
ベルと判断した。
ベルと判断した。
【0173】(熱現像後の経時寸法変化率の測定)以下
の手順に従って、熱現像後の経時寸法変化率を測定し
た。
の手順に従って、熱現像後の経時寸法変化率を測定し
た。
【0174】1)試料を12cm×15cmに断裁し、
25℃、60%RH雰囲気下で4時間以上調湿した。
25℃、60%RH雰囲気下で4時間以上調湿した。
【0175】2)10cm間隔で、MD方向及びTD方
向にそれぞれ1対の孔をあけ、それぞれの間隔をピンゲ
ージを用いて計測し、その値をそれぞれLとした。
向にそれぞれ1対の孔をあけ、それぞれの間隔をピンゲ
ージを用いて計測し、その値をそれぞれLとした。
【0176】3)前記の処理条件で熱現像処理を施した
後、試料を再び25℃、60%RH雰囲気下で4時間調
湿した試料(L1)及び25℃、60%RH雰囲気下で
48時間調湿した試料(L2)を作製した。
後、試料を再び25℃、60%RH雰囲気下で4時間調
湿した試料(L1)及び25℃、60%RH雰囲気下で
48時間調湿した試料(L2)を作製した。
【0177】4)各々の試料について、MD方向及びT
D方向について、それぞれの間隔をピンゲージで計測
し、得られた値をそれぞれL1、L2とする。
D方向について、それぞれの間隔をピンゲージで計測
し、得られた値をそれぞれL1、L2とする。
【0178】5)以上により測定した各L1、L2を用い
て、下式よりMD方向、TD方向における経時寸法変化
率を算出した。
て、下式よりMD方向、TD方向における経時寸法変化
率を算出した。
【0179】 寸法変化率ΔL1(%)={100×(L1−L)/L} 寸法変化率ΔL2(%)={100×(L2−L)/L} 経時寸法変化率(%)=ΔL2−ΔL1 (Dmax、γの測定)作製した各熱現像処理済み試料
を、光学濃度計(コニカ社製PD−6)で420nm以
上の光をカットするフィルターを介して測定し、横軸−
露光量(LogE)、縦軸−光学濃度(D)からなる特
性曲線を作製した。得られた特性曲線における光学濃度
0.3と3.0の点を結ぶ直線の傾き(tanθ)をγ
として定義し、また特性曲線における最高濃度部の値を
Dmaxとして定義して、測定した。
を、光学濃度計(コニカ社製PD−6)で420nm以
上の光をカットするフィルターを介して測定し、横軸−
露光量(LogE)、縦軸−光学濃度(D)からなる特
性曲線を作製した。得られた特性曲線における光学濃度
0.3と3.0の点を結ぶ直線の傾き(tanθ)をγ
として定義し、また特性曲線における最高濃度部の値を
Dmaxとして定義して、測定した。
【0180】(黒ポツの評価)得られた上記熱現像済み
試料の未露光部(3.5cm×14cm)を、100倍
のルーペを使用して目視で黒ポツの発生数をカウントし
た。
試料の未露光部(3.5cm×14cm)を、100倍
のルーペを使用して目視で黒ポツの発生数をカウントし
た。
【0181】以上により得られた各評価結果を、前記表
1に同じく示す。表1より明らかなように、バインダー
として本発明に係るポリマーラテックスを用いた試料
は、比較品に対し、同等以上の最高濃度及び硬階調を達
成すると共に、熱現像処理時のローラーマーク、熱現像
後の濃度ムラ及び黒ポツの発生が顕著に低減し、かつ経
時寸法安定性に優れていることが判る。
1に同じく示す。表1より明らかなように、バインダー
として本発明に係るポリマーラテックスを用いた試料
は、比較品に対し、同等以上の最高濃度及び硬階調を達
成すると共に、熱現像処理時のローラーマーク、熱現像
後の濃度ムラ及び黒ポツの発生が顕著に低減し、かつ経
時寸法安定性に優れていることが判る。
【0182】実施例2 《熱現像記録材料の作製》以下に示す方法に従って、熱
現像記録材料である試料21を作製した。
現像記録材料である試料21を作製した。
【0183】〔ハロゲン化銀乳剤Bの調製〕水700m
lにフタル化ゼラチン22g及び臭化カリウム30mg
を溶解して温度を40℃、pHを5.0に合わせた後、
硝酸銀18.6gを含む水溶液159mlと臭化カリウ
ムを含む水溶液をpAg7.7に保ちながらコントロー
ルドダブルジェット法で10分間かけて添加した。次い
で、硝酸銀55.4gを含む水溶液476mlとK
3〔IrCl6〕を8×10-6モル/Lと臭化カリウムを
1モル/Lを含む水溶液とを、pAg7.7に保ちなが
らコントロールドダブルジェット法で30分かけて添加
した。その後、pH5.9、pAg8.0に調整した。
得られた乳剤のハロゲン化銀粒子は、平均粒子サイズ
0.07μm、投影面積直径の変動係数8%、〔10
0〕面積率86%の立方体粒子であった。
lにフタル化ゼラチン22g及び臭化カリウム30mg
を溶解して温度を40℃、pHを5.0に合わせた後、
硝酸銀18.6gを含む水溶液159mlと臭化カリウ
ムを含む水溶液をpAg7.7に保ちながらコントロー
ルドダブルジェット法で10分間かけて添加した。次い
で、硝酸銀55.4gを含む水溶液476mlとK
3〔IrCl6〕を8×10-6モル/Lと臭化カリウムを
1モル/Lを含む水溶液とを、pAg7.7に保ちなが
らコントロールドダブルジェット法で30分かけて添加
した。その後、pH5.9、pAg8.0に調整した。
得られた乳剤のハロゲン化銀粒子は、平均粒子サイズ
0.07μm、投影面積直径の変動係数8%、〔10
0〕面積率86%の立方体粒子であった。
【0184】上記ハロゲン化銀乳剤Bを温度60℃に昇
温して、銀1モル当たり8.5×10-5モルのチオ硫酸
ナトリウム、1.1×10-5モルの2,3,4,5,6
−ペンタフロロフェニルジフェニルスルフィンセレニ
ド、2×10-6モルのテルル化合物−1、3.3×10
-6モルの塩化金酸、2.3×10-4モルのチオシアン酸
を添加して、120分間熟成した。その後、温度を50
℃にして8×10-4モルの増感色素Bを攪拌しながら添
加し、更に、3.5×10-2モルの沃化カリウムを添加
して30分間攪拌し、30℃に急冷してハロゲン化銀乳
剤Bを調製した。
温して、銀1モル当たり8.5×10-5モルのチオ硫酸
ナトリウム、1.1×10-5モルの2,3,4,5,6
−ペンタフロロフェニルジフェニルスルフィンセレニ
ド、2×10-6モルのテルル化合物−1、3.3×10
-6モルの塩化金酸、2.3×10-4モルのチオシアン酸
を添加して、120分間熟成した。その後、温度を50
℃にして8×10-4モルの増感色素Bを攪拌しながら添
加し、更に、3.5×10-2モルの沃化カリウムを添加
して30分間攪拌し、30℃に急冷してハロゲン化銀乳
剤Bを調製した。
【0185】
【化24】
【0186】〔有機酸銀微結晶分散物の調製〕ベヘン酸
40g、ステアリン酸7.3g、蒸留水500mlを9
0℃で15分間混合し、激しく攪拌しながら1モル/L
のNaOH水溶液187mlを15分かけて添加し、1
モル/Lの硝酸水溶液61mlを添加して50℃に降温
した。次に、1モル/Lの硝酸銀水溶液124mlを添
加して、そのまま30分間攪拌した。その後、吸引濾過
で固形分を濾過し、濾水の伝導度が30μS/cmにな
るまで固形分を水洗した。こうして得られた固形分は、
乾燥させないでウェットケーキとして取り扱い、乾燥固
形分34.8g相当のウェットケーキに対して、ポリビ
ニルアルコール12gおよび水150mlを添加し、良
く混合してスラリーとした。平均直径0.5mmのジル
コニアビーズ840gを用意してスラリーと一緒にベッ
セルに入れ、分散機(1/4G−サンドグラインダーミ
ル:アイメックス(株)製)にて5時間分散し、体積加
重平均1.5μmの有機酸銀微結晶分散物を得た。粒子
サイズの測定は、Malvern Instrumen
tsLtd.製Master Saizer Xを用い
て行った。
40g、ステアリン酸7.3g、蒸留水500mlを9
0℃で15分間混合し、激しく攪拌しながら1モル/L
のNaOH水溶液187mlを15分かけて添加し、1
モル/Lの硝酸水溶液61mlを添加して50℃に降温
した。次に、1モル/Lの硝酸銀水溶液124mlを添
加して、そのまま30分間攪拌した。その後、吸引濾過
で固形分を濾過し、濾水の伝導度が30μS/cmにな
るまで固形分を水洗した。こうして得られた固形分は、
乾燥させないでウェットケーキとして取り扱い、乾燥固
形分34.8g相当のウェットケーキに対して、ポリビ
ニルアルコール12gおよび水150mlを添加し、良
く混合してスラリーとした。平均直径0.5mmのジル
コニアビーズ840gを用意してスラリーと一緒にベッ
セルに入れ、分散機(1/4G−サンドグラインダーミ
ル:アイメックス(株)製)にて5時間分散し、体積加
重平均1.5μmの有機酸銀微結晶分散物を得た。粒子
サイズの測定は、Malvern Instrumen
tsLtd.製Master Saizer Xを用い
て行った。
【0187】〔各添加物の固体微粒子分散物の調製〕テ
トラクロロフタル酸、4−メチルフタル酸、還元剤−
1、フタラジン、トリブロモメチルスルホキノリンにつ
いて固体微粒子分散物を調製した。
トラクロロフタル酸、4−メチルフタル酸、還元剤−
1、フタラジン、トリブロモメチルスルホキノリンにつ
いて固体微粒子分散物を調製した。
【0188】テトラクロロフタル酸に対して、ヒドロキ
シプロピルセルロース0.81gと水94.2mlとを
添加して良く攪拌してスラリーとして10時間放置し
た。その後、平均直径0.5mmのジルコニアビーズを
100mlとスラリーとを一緒にベッセルに入れて有機
酸銀微結晶分散物の調製に用いたものと同じ型の分散機
で5時間分散して、テトラクロロフタル酸の固体微粒子
分散物を得た。固体微粒子の粒子サイズは、70質量%
が1.0μm以下であった。
シプロピルセルロース0.81gと水94.2mlとを
添加して良く攪拌してスラリーとして10時間放置し
た。その後、平均直径0.5mmのジルコニアビーズを
100mlとスラリーとを一緒にベッセルに入れて有機
酸銀微結晶分散物の調製に用いたものと同じ型の分散機
で5時間分散して、テトラクロロフタル酸の固体微粒子
分散物を得た。固体微粒子の粒子サイズは、70質量%
が1.0μm以下であった。
【0189】その他の素材についても、所望の平均粒径
を得るために適宜分散剤の使用量及び分散時間を変更し
て、各固体微粒子分散物を調製した。
を得るために適宜分散剤の使用量及び分散時間を変更し
て、各固体微粒子分散物を調製した。
【0190】〔各塗布液の調製と塗布〕実施例1で作製
した下引済みPET支持体上に、以下に示す各塗布液を
用いて両面同時塗布し、熱現像記録材料である試料21
を作製した。
した下引済みPET支持体上に、以下に示す各塗布液を
用いて両面同時塗布し、熱現像記録材料である試料21
を作製した。
【0191】 (バックコート面側の塗布液調製、塗布) 〈バックコート層塗布液2の調製〉 ポリビニルアルコール(10質量%水溶液) 15g 染料−A 0.007g 染料−B 0.007g マット剤:単分散度15%平均粒子サイズ5μm単分散シリカ 0.09g マット剤:単分散度15%平均粒子サイズ17μm単分散シリカ 0.01g ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム 0.05g ステアリン酸 0.1g 〈バックコート保護層塗布液2の調製〉 ポリビニルアルコール(10質量%水溶液) 15g マット剤:単分散度15%単分散平均粒子サイズ5μmシリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.1g マット剤:単分散度15%単分散平均粒子サイズ15μmシリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.04g ステアリン酸 0.1g 〈バックコート層面側の塗布〉上記調製した各塗布液を
用いて、実施例1で作製した支持体の下引上層B−2上
にバックコート層として乾燥膜厚が6μm、またその上
にバックコート保護層として乾燥膜厚が3.5μmとな
るように同時塗布した。なお、乾燥は60℃、15分間
行った。
用いて、実施例1で作製した支持体の下引上層B−2上
にバックコート層として乾燥膜厚が6μm、またその上
にバックコート保護層として乾燥膜厚が3.5μmとな
るように同時塗布した。なお、乾燥は60℃、15分間
行った。
【0192】 (画像記録層面側の塗布液調製、塗布) 〈画像記録層塗布液2の調製〉 有機銀塩微結晶分散物 0.95モル ハロゲン化銀乳剤B 0.05モル バインダー樹脂F(*4)/バインダー樹脂J=80/20(質量比) 固形分として430g 還元剤−1 98g トリブロモメチルスルホニルベンゼン 12g ヒドラジン誘導体:例示化合物H−1−1 1.5g 硬調化剤:例示化合物A1 1.5g フタラジン 9.2g 4−メチルフタル酸 7g テトラクロロフタル酸 5g マット剤:単分散度15%平均粒子サイズ5μm単分散シリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 2.0g ステアリン酸 0.5g ステアリン酸ブチル 0.5g α−アルミナ(モース硬度9) 0.5g *4;バインダー樹脂F:ラクスター3307B(大日本インキ化学工業 (株)製 Tg:13℃) 〈画像記録保護層塗布液2の調製〉 水 26g バインダー樹脂B 固形分として2.3g フタラジン 0.25g 還元剤−1 10g マット剤:単分散度15%単分散平均粒径5μmシリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.5g マット剤:単分散度15%単分散平均粒径20μmシリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.04g C8F17−C6H4−SO3Na 0.02g ステアリン酸 0.1g ステアリン酸ブチル 0.1g α−アルミナ(モース硬度9) 0.1g 〈画像記録層面側の塗布〉上記調製した各塗布液を用い
て、実施例1で作製した支持体の下引層A−2上に画像
記録層として塗布銀量が1.0g/m2、乾燥膜厚が1
0.0μmになる様に、さらにその上に画像記録保護層
を乾燥膜厚が6μmとなるよう同時塗布して試料21を
作製した。
て、実施例1で作製した支持体の下引層A−2上に画像
記録層として塗布銀量が1.0g/m2、乾燥膜厚が1
0.0μmになる様に、さらにその上に画像記録保護層
を乾燥膜厚が6μmとなるよう同時塗布して試料21を
作製した。
【0193】ついで、上記作製した試料21において、
画像記録層のバインダー樹脂の種類と比率、画像記録保
護層のバインダー樹脂の種類、画像記録層のヒドラジン
誘導体及び硬調化剤の種類を表2に記載の組み合わせに
変更した以外は同様にして、試料22〜32を作製し
た。
画像記録層のバインダー樹脂の種類と比率、画像記録保
護層のバインダー樹脂の種類、画像記録層のヒドラジン
誘導体及び硬調化剤の種類を表2に記載の組み合わせに
変更した以外は同様にして、試料22〜32を作製し
た。
【0194】なお、表2において、実施例1で記載した
以外の各化合物の詳細は、以下の通りである。
以外の各化合物の詳細は、以下の通りである。
【0195】バインダー樹脂D:メチルメタクリレート
/スチレン/2−エチルヘキシルアクリレート/2−ヒ
ドロキシエチルメタクリレート/メタクリル酸=59/
9/26/5/1の共重合体 Tg:47℃) バインダー樹脂E:−SO3Na含有アクリル樹脂(ベ
ンジルメタクリレート/エチルアクリレート/アクリロ
ニトリル/メタクリル酸=3/3/2/2であるアクリ
ル樹脂 Tg:45℃) 上記作製した各試料を、暗室内で30cm幅で50mの
長さに切断して、内径10cmのボール紙からなるコア
に巻き付けロール形状の試料を作製した後、暗室内で6
0cm×2mの包装材料をその外側に巻いて、評価用の
試料とした。
/スチレン/2−エチルヘキシルアクリレート/2−ヒ
ドロキシエチルメタクリレート/メタクリル酸=59/
9/26/5/1の共重合体 Tg:47℃) バインダー樹脂E:−SO3Na含有アクリル樹脂(ベ
ンジルメタクリレート/エチルアクリレート/アクリロ
ニトリル/メタクリル酸=3/3/2/2であるアクリ
ル樹脂 Tg:45℃) 上記作製した各試料を、暗室内で30cm幅で50mの
長さに切断して、内径10cmのボール紙からなるコア
に巻き付けロール形状の試料を作製した後、暗室内で6
0cm×2mの包装材料をその外側に巻いて、評価用の
試料とした。
【0196】また、上記作製した各試料について、溶剤
を適宜選択して画像記録層を含む構成層のバインダーを
除去した後、電子顕微鏡を用いてレプリカ法により有機
銀粒子の粒径を測定したところ、有機銀粒子は長軸径
0.5±0.05μm、短軸径0.4±0.05μm、
厚み0.01μmの平板状粒子が、全有機銀粒子の90
%を占めている単分散度5%の粒子であった。
を適宜選択して画像記録層を含む構成層のバインダーを
除去した後、電子顕微鏡を用いてレプリカ法により有機
銀粒子の粒径を測定したところ、有機銀粒子は長軸径
0.5±0.05μm、短軸径0.4±0.05μm、
厚み0.01μmの平板状粒子が、全有機銀粒子の90
%を占めている単分散度5%の粒子であった。
【0197】《熱現像記録材料の露光、熱現像処理及び
各特性値評価》上記作製した試料21〜32について、
実施例1と同様の方法にて露光及び熱現像処理を行っ
た。以上のようにして得られた現像処理済み試料につい
て、実施例1記載の方法と同様にして、最高濃度、γ、
熱現像後の経時寸法安定変化率(MD方向、TD方
向)、熱現像時のローラーマーク及び熱現像処理後の濃
度ムラの評価を行い、その結果を表2に示す。
各特性値評価》上記作製した試料21〜32について、
実施例1と同様の方法にて露光及び熱現像処理を行っ
た。以上のようにして得られた現像処理済み試料につい
て、実施例1記載の方法と同様にして、最高濃度、γ、
熱現像後の経時寸法安定変化率(MD方向、TD方
向)、熱現像時のローラーマーク及び熱現像処理後の濃
度ムラの評価を行い、その結果を表2に示す。
【0198】
【表2】
【0199】表2より明らかなように、実施例1と同様
に、バインダーとして本発明に係るポリマーラテックス
を用いた試料は、比較品に対し、同等以上の最高濃度及
び硬階調を達成すると共に、熱現像処理時のローラーマ
ーク、熱現像後の濃度ムラ及び黒ポツの発生が顕著に低
減し、かつ経時寸法安定性に優れていることが判る。
に、バインダーとして本発明に係るポリマーラテックス
を用いた試料は、比較品に対し、同等以上の最高濃度及
び硬階調を達成すると共に、熱現像処理時のローラーマ
ーク、熱現像後の濃度ムラ及び黒ポツの発生が顕著に低
減し、かつ経時寸法安定性に優れていることが判る。
【0200】
【発明の効果】本発明により、迅速処理におけるローラ
ーマーク、濃度ムラ、黒ポツの発生が低減され、更に画
像形成後の経時保存における寸法安定性に優れ、かつ最
高濃度が高く、硬調な熱現像記録材料とその処理方法を
提供することができた。
ーマーク、濃度ムラ、黒ポツの発生が低減され、更に画
像形成後の経時保存における寸法安定性に優れ、かつ最
高濃度が高く、硬調な熱現像記録材料とその処理方法を
提供することができた。
Claims (9)
- 【請求項1】 支持体上に、有機酸銀、ハロゲン化銀、
バインダー、還元剤を含有する画像記録層を有する熱現
像記録材料において、該画像記録層上に画像記録保護層
を有し、該画像記録保護層がバインダーとしてガラス転
移温度(Tg)が75〜200℃であるポリマーラテッ
クスを含有することを特徴とする熱現像記録材料。 - 【請求項2】 前記画像記録層が、バインダーとしてガ
ラス転移温度(Tg)が45〜150℃であるポリマー
ラテックスを含有することを特徴とする請求項1に記載
の熱現像記録材料。 - 【請求項3】 前記画像記録層が、バインダーとしてガ
ラス転移温度(Tg)が−30〜40℃のポリマーラテ
ックスを含有することを特徴とする請求項1または2に
記載の熱現像記録材料。 - 【請求項4】 前記画像記録層が、ガラス転移温度(T
g)が45〜150℃のポリマーラテックス(A)とガ
ラス転移温度(Tg)が−30〜40℃のポリマーラテ
ックス(B)を含有し、その質量比率(A/B)が5/
95〜50/50であることを特徴とする請求項3に記
載の熱現像記録材料。 - 【請求項5】 前記画像記録層に含有されるバインダー
が、−SO3M、−OSO3M、−PO(OM1)2、およ
び−OPO(OM1)2(ただし、Mは水素原子またはア
ルカリ金属を、M1は水素原子、アルカリ金属を表
す。)から選ばれる少なくとも1種の極性基を有するこ
とを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の熱
現像記録材料。 - 【請求項6】 支持体上に、有機酸銀、ハロゲン化銀、
バインダー、還元剤を含有する画像記録層を有する熱現
像記録材料において、熱現像処理後の長手方向および幅
手方向の経時寸法変化率が、いずれも0.001%以上
0.015%以下であることを特徴とする熱現像記録材
料。 - 【請求項7】 支持体上に、有機酸銀、ハロゲン化銀、
バインダー、還元剤を含有する画像記録層を有する熱現
像記録材料において、該画像記録層が少なくとも2種類
のバインダーを含有し、各々のバインダーのガラス転移
温度(Tg)差が5〜60℃であることを特徴とする熱
現像記録材料。 - 【請求項8】 画像記録層が、全バインダーの50質量
%以上がポリマーラテックスであり、かつ画像記録層塗
布液の溶媒の30質量%以上が水であることを特徴とす
る請求項1〜7のいずれか1項に記載の熱現像記録材
料。 - 【請求項9】 請求項1〜8のいずれか1項に記載の熱
現像記録材料を、搬送速度が22mm/sec以上40
mm/sec以下である熱現像機を用いて処理すること
を特徴とする熱現像記録材料の処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000341849A JP2002148755A (ja) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | 熱現像記録材料とその処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000341849A JP2002148755A (ja) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | 熱現像記録材料とその処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002148755A true JP2002148755A (ja) | 2002-05-22 |
Family
ID=18816511
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000341849A Pending JP2002148755A (ja) | 2000-11-09 | 2000-11-09 | 熱現像記録材料とその処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002148755A (ja) |
-
2000
- 2000-11-09 JP JP2000341849A patent/JP2002148755A/ja active Pending
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