JP2001005143A

JP2001005143A - 熱現像感光材料とその画像形成方法

Info

Publication number: JP2001005143A
Application number: JP11176893A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Hirabayashi; 和彦平林
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1999-06-23
Filing date: 1999-06-23
Publication date: 2001-01-12

Abstract

(57)【要約】【課題】硬調化剤を使用する熱現像感光材料におい
て、露光ラチチュードを広くすると共に黒ポツ、保存性
と言った問題を解決する事。【解決手段】支持体を介し感光層と反対側の層の露光
波長の吸収が０．９以上であり、かつ濃度３．７となる
露光量に対し０．３０ｌｏｇＥ多くした露光量での濃度
が４．７以下であることを特徴とする支持体上に有機銀
塩、感光性ハロゲン化銀、還元剤及び硬調化剤を含有す
る熱現像感光材料。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は熱現像感光材料とそ
の画像形成方法に関し、特に印刷製版用に適した熱現像
感光材料に関し、詳しくは露光ラチチュードが広い、具
体的には露光量変化に対して濃度、線幅の変化が小さく
且つ黒ポツ、保存性を改良した熱現像感光材料とレーザ
ー露光による画像形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、印刷製版や医療の分野では、画像
形成材料の湿式処理に伴う廃液が作業性の上で問題とな
っており、近年では環境保全、省スペースの観点からも
処理廃液の減量が強く望まれている。そこで、レーザー
・イメージセッターやレーザー・イメージャーにより効
率的な露光が可能で、高解像度で鮮明な黒色画像を形成
することができる写真用途の光熱写真材料に関する技術
が必要とされている。この技術として、例えば米国特許
第３，１５２，９０４号、同３，４８７，０７５号及び
Ｄ．モーガン（Ｍｏｒｇａｎ）による「ドライシルバー
写真材料（ＤｒｙＳｉｌｖｅｒＰｈｏｔｏｇｒａｐｈ
ｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ）」（Ｈａｎｄｂｏｏｋｏ
ｆＩｍａｇｉｎｇＭａｔｅｒｉａｌｓ，Ｍａｒｃｅ
ｌＤｅｋｋｅｒ，Ｉｎｃ．４８，１９９１）等に記載
されているように、支持体上に有機銀塩、感光性ハロゲ
ン化銀、還元剤及びバインダーを含有する熱現像感光材
料が知られている。

【０００３】これらの熱現像感光材料は、熱現像処理に
て写真画像を形成するもので、還元可能な銀源（有機銀
塩）、感光性ハロゲン化銀、還元剤及び必要に応じて銀
の色調を抑制する色調剤を通常（有機）バインダーマト
リックス中に分散した状態で含有している。該熱現像感
光材料は常温で安定であるが、露光後高温（例えば、８
０〜１５０℃）に加熱することで現像される。加熱する
ことで有機銀塩（酸化剤として機能する）と還元剤との
間の酸化還元反応を通じて銀を生成する。この酸化還元
反応は露光でハロゲン化銀に発生した潜像の触媒作用に
よって促進される。露光領域中の有機銀塩の反応によっ
て生成した銀は黒色画像を提供し、これは非露光領域と
対照をなし、画像の形成がなされる。この反応過程は外
部から水等の処理液を供給することなしで進行する。

【０００４】ところで、製版用感光材料は硬調であるこ
とが必須であるが、硬調化剤を使用する熱現像感光材料
の場合、濃度バラツキが大きく安定性が悪いという欠点
を有している。原因の一つとして光量変化のバラツキに
対し、濃度変化が大きいことが挙げられる。その為、熱
現像感光材料の用途は画像より文字中心の印刷物や小サ
イズの印刷物に限られていた。一方、黒ポツ、保存性と
言った特有の問題も残されたままであった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は硬調化剤を使用する熱現像感光材料において、露光ラ
チチュードを広くすると共に黒ポツ、保存性と言った特
有の問題を解決する事である。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の目的は、下記構
成により達成された。

【０００７】１）支持体を介し感光層と反対側の層の露
光波長の吸収が０．９以上であり、かつ濃度３．７とな
る露光量に対し０．３０ｌｏｇＥ多くした露光量での濃
度が４．７以下であることを特徴とする支持体上に有機
銀塩、感光性ハロゲン化銀、還元剤及び硬調化剤を含有
する熱現像感光材料。

【０００８】２）感光層の露光波長の吸収が０．２以
上、０．４以下であり、かつ濃度３．７となる露光量に
対し０．３０ｌｏｇＥ多くした露光量での濃度が４．７
以下であることを特徴とする支持体上に有機銀塩、感光
性ハロゲン化銀、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像
感光材料。

【０００９】３）感光層より下層の層の露光波長の吸収
が０．１以上、０．７未満であり、かつ濃度３．７とな
る露光量に対し０．３０ｌｏｇＥ多くした露光量での濃
度が４．７以下であることを特徴とする支持体上に有機
銀塩、感光性ハロゲン化銀、還元剤及び硬調化剤を含有
する熱現像感光材料。

【００１０】４）全銀量に対する感光性ハロゲン化銀の
銀量のモル比が３．０％以上、５．０％以下であること
を特徴とする前記１）〜３）のいずれか１項に記載の熱
現像感光材料。

【００１１】５）前記１）〜４）のいずれか１項に記載
の熱現像感光材料をレーザー露光することを特徴とする
画像形成方法。

【００１２】以下、本発明について詳述する。

【００１３】特性曲線において、濃度３．７となる露光
量に対し、０．３０ｌｏｇＥ多くした露光量における濃
度が４．７以下で、かつ露光波長域に吸収を持たせる、
即ち特性曲線の肩部が適正露光となる熱現像感光材料に
よって濃度バラツキを小さくする事ができた。

【００１４】本発明において、露光波長の吸収の程度は
吸収を持たせる層によって異なる。支持体を介し感光層
と反対側の層（例えば、バッキング層）においては０．
９以上の吸収、感光層においては０．２以上、０．４以
下の吸収そして感光層より下層の層（例えば、ハレーシ
ョン防止層）においては０．１以上、０．７未満の吸収
である。

【００１５】また本発明において、全銀量（感光性ハロ
ゲン化銀の銀量（ＳｅｎｓＡｇ）と有機銀塩の銀量（Ｏ
Ａｇ）の和）に対する感光性ハロゲン化銀の銀量のモル
比は３．０％以上、５．０％以下である。

【００１６】本発明の熱現像感光材料は硬調化剤を含有
し、硬調化剤としてはヒドラジン誘導体、下記一般式
（Ｇ）で表される化合物および下記一般式（Ｐ）で表さ
れる４級オニウム化合物が挙げられる。

【００１７】

【化１】

【００１８】一般式（Ｇ）において、ＸとＲはシスの形
で表示してあるが、ＸとＲがトランスの形も一般式
（Ｇ）に含まれる。この事は具体的化合物の構造表示に
おいても同様である。

【００１９】ヒドラジン誘導体としては、下記一般式
〔Ｈ〕で表される化合物が挙げられる。

【００２０】

【化２】

【００２１】式中、Ａ₀はそれぞれ置換基を有してもよ
い脂肪族基、芳香族基、複素環基又は−Ｇ₀−Ｄ₀基を、
Ｂ₀はブロッキング基を表し、Ａ₁、Ａ₂はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基、スルホニル
基又はオキザリル基を表す。ここで、Ｇ₀は−ＣＯ−
基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝ＮＧ₁Ｄ₁）
−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ（Ｏ）（Ｇ₁Ｄ
₁）−基を表し、Ｇ₁は単なる結合手、−Ｏ−基、−Ｓ−
基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、Ｄ₁は脂肪族基、芳香族
基、複素環基又は水素原子を表し、分子内に複数のＤ₁
が存在する場合、それらは同じであっても異なってもよ
い。Ｄ₀は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基、
アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基を表す。好ましいＤ₀としては
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基等が挙
げられる。

【００２２】一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀で表される脂
肪族基は好ましくは炭素数１〜３０のものであり、特に
炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基が好
ましく、例えばメチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、オ
クチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基が挙げられ、
これらは更に適当な置換基（例えば、アリール基、アル
コキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、スルファ
モイル基、アシルアミノ基、ウレイド基等）で置換され
ていてもよい。

【００２３】一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀で表される芳
香族基は、単環又は縮合環のアリール基が好ましく、例
えばベンゼン環又はナフタレン環が挙げられ、Ａ₀で表
される複素環基としては、単環又は縮合環で窒素、硫
黄、酸素原子から選ばれる少なくとも一つのヘテロ原子
を含む複素環が好ましく、例えばピロリジン環、イミダ
ゾール環、テトラヒドロフラン環、モルホリン環、ピリ
ジン環、ピリミジン環、キノリン環、チアゾール環、ベ
ンゾチアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げられ
る。Ａ₀の芳香族基、複素環基及び−Ｇ₀−Ｄ₀基は置換
基を有していてもよい。Ａ₀として、特に好ましいもの
はアリール基及び−Ｇ₀−Ｄ₀基である。

【００２４】又、一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀は耐拡散
基又はハロゲン化銀吸着基を少なくとも一つ含むことが
好ましい。耐拡散基としては、カプラー等の不動性写真
用添加剤にて常用されるバラスト基が好ましく、バラス
ト基としては、写真的に不活性であるアルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、フェニル基、
フェノキシ基、アルキルフェノキシ基等が挙げられ、置
換基部分の炭素数の合計は８以上であることが好まし
い。

【００２５】一般式〔Ｈ〕において、ハロゲン化銀吸着
促進基としては、チオ尿素、チオウレタン基、メルカプ
ト基、チオエーテル基、チオン基、複素環基、チオアミ
ド複素環基、メルカプト複素環基或いは特開昭６４−９
０４３９号に記載の吸着基等が挙げられる。

【００２６】一般式〔Ｈ〕において、Ｂ₀はブロッキン
グ基を表し、好ましくは−Ｇ₀−Ｄ₀基であり、Ｇ₀は−
ＣＯ−基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝ＮＧ
₁Ｄ₁）−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ（Ｏ）
（Ｇ₁Ｄ₁）−基を表す。好ましいＧ₀としては−ＣＯ−
基、−ＣＯＣＯ−基が挙げられ、Ｇ₁は単なる結合手、
−Ｏ−基、−Ｓ−基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、Ｄ₁は
脂肪族基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表し、分
子内に複数のＤ₁が存在する場合、それらは同じであっ
ても異なってもよい。Ｄ₀は水素原子、脂肪族基、芳香
族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表し、好ま
しいＤ₀としては水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基等が挙げられる。Ａ₁、Ａ₂はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基（アセチル
基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基等）、スル
ホニル基（メタンスルホニル基、トルエンスルホニル基
等）、又はオキザリル基（エトキザリル基等）を表す。

【００２７】次に一般式〔Ｈ〕で表される化合物の具体
例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

【００２８】

【化３】

【００２９】

【化４】

【００３０】

【化５】

【００３１】

【化６】

【００３２】

【化７】

【００３３】

【化８】

【００３４】

【化９】

【００３５】更に好ましいヒドラジン誘導体は、下記一
般式（Ｈ−１）、（Ｈ−２）、（Ｈ−３）、（Ｈ−４）
で表される。

【００３６】

【化１０】

【００３７】一般式（Ｈ−１）において、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及
びＲ₁₃はそれぞれ独立に置換もしくは無置換のアリール
基またはヘテロアリール基を表すが、アリール基として
具体的には、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナ
フチルなどが挙げられる。ヘテロアリール基として具体
的には、例えばトリアゾール残基、イミダゾール残基、
ピリジン残基、フラン残基、チオフェン残基などがあげ
られる。また、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃はそれぞれ任意の連
結基を介して結合しても良い。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃が置
換基を有する場合、その置換基としては例えばアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環
基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピ
リジニオ基）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレン
オキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含
む基を含む）、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ア
シル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカル
ボニル基、カルバモイル基、ウレタン基、カルボキシル
基、イミド基、アミノ基、カルボンアミド基、スルホン
アミド基、ウレイド基、チオウレイド基、スルファモイ
ルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド
基、ヒドラジノ基、４級のアンモニオ基、（アルキル、
アリール、またはヘテロ環）チオ基、メルカプト基、
（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキル
またはアリール）スルフィニル基、スルホ基、スルファ
モイル基、アシルスルファモイル基、（アルキルもしく
はアリール）スルホニルウレイド基、（アルキルもしく
はアリール）スルホニルカルバモイル基、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基、リン酸アミド基などが挙げら
れる。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃として好ましくはいずれもが
置換もしくは無置換のフェニル基であり、より好ましく
はＲ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃のいずれもが無置換のフェニル基
である。

【００３８】Ｒ₁₄はヘテロアリールオキシ基、ヘテロア
リールチオ基を表すが、ヘテロアリールオキシ基として
具体的には、ピリジルオキシ基、ピリミジルオキシ基、
インドリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオキシ基、ベン
ズイミダゾリルオキシ基、フリルオキシ基、チエニルオ
キシ基、ピラゾリルオキシ基、イミダゾリルオキシ基等
が挙げられる。ヘテロアリールチオ基として具体的には
ピリジルチオ基、ピリミジルチオ基、インドリルチオ
基、ベンゾチアゾリルチオ基、ベンズイミダゾリルチオ
基、フリルチオ基、チエニルチオ基、ピラゾリルチオ
基、イミダゾリルチオ基等が挙げられる。Ｒ₁₄として好
ましくはピリジルオキシ基、チエニルオキシ基である。

【００３９】Ａ₁、Ａ₂は、ともに水素原子、又は一方が
水素原子で他方はアシル基（アセチル、トリフルオロア
セチル、ベンゾイル等）、スルホニル基（メタンスルホ
ニル、トルエンスルホニル等）、又はオキザリル基（エ
トキザリル等）を表す。好ましくはＡ₁、Ａ₂ともに水素
原子の場合である。

【００４０】一般式（Ｈ−２）において、Ｒ₂₁は置換も
しくは無置換のアルキル基、アリール基またはヘテロア
リール基を表すが、アルキル基として具体的には、メチ
ル基、エチル基、ｔ−ブチル基、２−オクチル基、シク
ロヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙
げられる。アリール基及びヘテロアリール基として具体
的には、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃と同様のものが挙げられ
る。また、Ｒ₂₁が置換基を有する場合の置換基の具体的
な例としては、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃の置換基と同様のも
のが挙げられる。Ｒ₂₁として好ましくはアリール基また
はヘテロアリール基であり、特に好ましくは置換もしく
は無置換のフェニル基である。

【００４１】Ｒ₂₂は水素、アルキルアミノ基、アリール
アミノ基、ヘテロアリールアミノ基を表すが、アルキル
アミノ基として具体的には、メチルアミノ基、エチルア
ミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基等
が挙げられる。アリールアミノ基としてはアニリノ基、
ヘテロアリール基としてはチアゾリルアミノ基、ベンズ
イミダゾリルアミノ基、ベンズチアゾリルアミノ基等が
挙げられる。Ｒ₂₂として好ましくはジメチルアミノ基ま
たはジエチルアミノ基である。

【００４２】Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）で記載したＡ
₁、Ａ₂と同様である。

【００４３】一般式（Ｈ−３）において、Ｒ₃₁、Ｒ₃₂は
一価の置換基を表すが、一価の置換基としては、Ｒ₁₁、
Ｒ₁₂及びＲ₁₃の置換基として挙げられた、基が挙げられ
るが、好ましくは、アルキル基、アリール基、ヘテロア
リール基、アルコキシ基、アミノ基が挙げられる。更に
好ましくはアリール基またはアルコキシ基である。特に
好ましいのは、Ｒ₃₁とＲ₃₂の少なくとも一つがｔｅｒｔ
−ブトキシ基であるものであり、別の好ましい構造は、
Ｒ₃₁がフェニル基のとき、Ｒ₃₂がｔｅｒｔ−ブトキシ基
である。

【００４４】Ｇ₃₁、Ｇ₃₂は−（ＣＯ）ｐ−基、−Ｃ（＝
Ｓ）−、スルホニル基、スルホキシ基、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ
₃₃−基又はイミノメチレン基を表し、ｐは１又は２の整
数を表し、Ｒ₃₃はアルキル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アミノ基
を表す。但し、Ｇ₃₁がスルホニル基のとき、Ｇ₃₂はカル
ボニル基ではない。Ｇ₃₁、Ｇ₃₂として好ましくは−ＣＯ
−基、−ＣＯＣＯ−基、スルホニル基または−ＣＳ−で
あり、より好ましくは互いに−ＣＯ−基または互いにス
ルホニル基である。

【００４５】Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）で記載したＡ
₁、Ａ₂と同様である。

【００４６】一般式（Ｈ−４）において、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂お
よびＲ₄₃は一般式（Ｈ−１）におけるＲ₁₁、Ｒ₁₂および
Ｒ₁₃と同義である。Ｒ₄₁、Ｒ₄₂およびＲ₄₃として好まし
くはいずれもが置換もしくは無置換のフェニル基であ
り、より好ましくはＲ₄₁、Ｒ₄₂及びＲ₄₃のいずれもが無
置換のフェニル基である。Ｒ₄₄、Ｒ₄₅は無置換または置
換アルキル基を表すが、具体的な例としては、メチル
基、エチル基、ｔ−ブチル基、２−オクチル基、シクロ
ヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙げ
られる。Ｒ₄₄、Ｒ₄₅として好ましくは互いにエチル基で
ある。

【００４７】Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）で記載したＡ
₁、Ａ₂と同様である。

【００４８】以下に本発明の一般式（Ｈ−１）〜（Ｈ−
４）で表される化合物の具体例を挙げるが本発明はこれ
らに限定されるものではない。

【００４９】

【化１１】

【００５０】

【化１２】

【００５１】

【化１３】

【００５２】

【化１４】

【００５３】

【化１５】

【００５４】

【化１６】

【００５５】

【化１７】

【００５６】これら本発明の一般式（Ｈ−１）〜（Ｈ−
４）で表される化合物は、公知の方法により容易に合成
することができる。例えば米国特許第５，４６４，７３
８号または米国特許第５，４９６，６９５号を参考にし
て合成することができる。

【００５７】その他に好ましく用いることのできるヒド
ラジン誘導体は、米国特許第５，５４５，５０５号カラ
ム１１〜２０に記載の化合物Ｈ−１〜Ｈ−２９、米国特
許第５，４６４，７３８号カラム９〜１１に記載の化合
物１〜１２である。これらのヒドラジン誘導体は公知の
方法で合成することができる。

【００５８】一般式（Ｇ）において、Ｘは電子吸引性基
を表し、Ｗは水素原子、アルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、
アシル基、チオアシル基、オキサリル基、オキシオキサ
リル基、チオオキサリル基、オキサモイル基、オキシカ
ルボニル基、チオカルボニル基、カルバモイル基、チオ
カルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、オキ
シスルフィニル基、チオスルフィニル基、スルファモイ
ル基、オキシスルフィニル基、チオスルフィニル基、ス
ルフィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ
基、Ｎ−カルボニルイミノ基、Ｎ−スルホニルイミノ
基、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、スルホニウ
ム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、インモニウム基
を表す。

【００５９】Ｒはハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル
オキシ基、アミノカルボニルオキシ基、メルカプト基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、ア
ルケニルチオ基、アシルチオ基、アルコキシカルボニル
チオ基、アミノカルボニルチオ基、ヒドロキシ基又はメ
ルカプト基の有機又は無機の塩（例えば、ナトリウム
塩、カリウム塩、銀塩等）、アミノ基、アルキルアミノ
基、環状アミノ基（例えば、ピロリジノ基）、アシルア
ミノ基、オキシカルボニルアミノ基、ヘテロ環基（５〜
６員の含窒素ヘテロ環、例えばベンツトリアゾリル基、
イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基
等）、ウレイド基、スルホンアミド基を表す。ＸとＷ、
ＸとＲは、それぞれ互いに結合して環状構造を形成して
もよい。ＸとＷが形成する環としては、例えばピラゾロ
ン、ピラゾリジノン、シクロペンタンジオン、β−ケト
ラクトン、β−ケトラクタム等が挙げられる。

【００６０】一般式（Ｇ）について更に説明すると、Ｘ
の表す電子吸引性基とは、置換基定数σｐが正の値をと
りうる置換基のことである。具体的には、置換アルキル
基（ハロゲン置換アルキル等）、置換アルケニル基（シ
アノビニル等）、置換・未置換のアルキニル基（トリフ
ルオロメチルアセチレニル、シアノアセチレニル等）、
置換アリール基（シアノフェニル等）、置換・未置換の
ヘテロ環基（ピリジル、トリアジニル、ベンゾオキサゾ
リル等）、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基（アセチ
ル、トリフルオロアセチル、ホルミル等）、チオアセチ
ル基（チオアセチル、チオホルミル等）、オキサリル基
（メチルオキサリル等）、オキシオキサリル基（エトキ
サリル等）、チオオキサリル基（エチルチオオキサリル
等）、オキサモイル基（メチルオキサモイル等）、オキ
シカルボニル基（エトキシカルボニル等）、カルボキシ
ル基、チオカルボニル基（エチルチオカルボニル等）、
カルバモイル基、チオカルバモイル基、スルホニル基、
スルフィニル基、オキシスルホニル基（エトキシスルホ
ニル等）、チオスルホニル基（エチルチオスルホニル
等）、スルファモイル基、オキシスルフィニル基（メト
キシスルフィニル等）、チオスルフィニル基（メチルチ
オスルフィニル等）、スルフィナモイル基、スフィナモ
イル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ基、Ｎ−カル
ボニルイミノ基（Ｎ−アセチルイミノ等）、Ｎ−スルホ
ニルイミノ基（Ｎ−メタンスルホニルイミノ等）、ジシ
アノエチレン基、アンモニウム基、スルホニウム基、ホ
スホニウム基、ピリリウム基、インモニウム基が挙げら
れるが、アンモニウム基、スルホニウム基、ホスホニウ
ム基、インモニウム基等が環を形成したヘテロ環状のも
のも含まれる。σｐ値として０．３０以上の置換基が特
に好ましい。

【００６１】Ｗとして表されるアルキル基としてはメチ
ル、エチル、トリフルオロメチル等が、アルケニル基と
してはビニル、ハロゲン置換ビニル、シアノビニル等
が、アルキニル基としてはアセチレニル、シアノアセチ
レニル等が、アリール基としてはニトロフェニル、シア
ノフェニル、ペンタフルオロフェニル等が、ヘテロ環基
としてはピリジル、ピリミジル、トリアジニル、スクシ
ンイミド、テトラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリ
ル、ベンゾオキサゾリル等が挙げられる。Ｗとしてはσ
ｐ値が正の電子吸引性基が好ましく、更にはその値が
０．３０以上のものが好ましい。

【００６２】上記Ｒの置換基の内、好ましくはヒドロキ
シ基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、
ハロゲン原子、ヒドロキシ基又はメルカプト基の有機又
は無機の塩、ヘテロ環基が挙げられ、更に好ましくはヒ
ドロキシ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基又はメルカプ
ト基の有機又は無機の塩、ヘテロ環基が挙げられ、特に
好ましくはヒドロキシ基、ヒドロキシ基又はメルカプト
基の有機又は無機の塩が挙げられる。

【００６３】また上記Ｘ及びＷの置換基の内、置換基中
にチオエーテル結合を有するものが好ましい。

【００６４】次に一般式（Ｇ）で表される化合物の具体
例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

【００６５】

【化１８】

【００６６】

【化１９】

【００６７】

【化２０】

【００６８】

【化２１】

【００６９】

【化２２】

【００７０】

【化２３】

【００７１】

【化２４】

【００７２】

【化２５】

【００７３】

【化２６】

【００７４】

【化２７】

【００７５】

【化２８】

【００７６】

【化２９】

【００７７】

【化３０】

【００７８】

【化３１】

【００７９】

【化３２】

【００８０】

【化３３】

【００８１】

【化３４】

【００８２】

【化３５】

【００８３】

【化３６】

【００８４】

【化３７】

【００８５】

【化３８】

【００８６】

【化３９】

【００８７】

【化４０】

【００８８】

【化４１】

【００８９】一般式（Ｐ）において、Ｑは窒素原子又は
燐原子を表し、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は各々、水素原子
又は置換基を表し、Ｘ^-はアニオンを表す。尚、Ｒ₁〜Ｒ
₄は互いに連結して環を形成してもよい。

【００９０】Ｒ₁〜Ｒ₄で表される置換基としては、アル
キル基（メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ヘキシル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（ア
リル基、ブテニル基等）、アルキニル基（プロパルギル
基、ブチニル基等）、アリール基（フェニル基、ナフチ
ル基等）、複素環基（ピペリジニル基、ピペラジニル
基、モルホリニル基、ピリジル基、フリル基、チエニル
基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロチエニル基、
スルホラニル基等）、アミノ基等が挙げられる。

【００９１】Ｒ₁〜Ｒ₄が互いに連結して形成しうる環と
しては、ピペリジン環、モルホリン環、ピペラジン環、
キヌクリジン環、ピリジン環、ピロール環、イミダゾー
ル環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられ
る。

【００９２】Ｒ₁〜Ｒ₄で表される基はヒドロキシル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基、ス
ルホ基、アルキル基、アリール基等の置換基を有しても
よい。

【００９３】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄としては、水素原子
及びアルキル基が好ましい。

【００９４】Ｘ^-が表すアニオンとしては、ハロゲンイ
オン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、ｐ−トル
エンスルホン酸イオン等の無機及び有機のアニオンが挙
げられる。

【００９５】更に好ましくは下記一般式（Ｐａ）、（Ｐ
ｂ）又は（Ｐｃ）で表される化合物、及び下記一般式
〔Ｔ〕で表される化合物である。

【００９６】

【化４２】

【００９７】式中、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ⁵は、含
窒素複素環を完成させるための非金属原子群を表し、酸
素原子、窒素原子、硫黄原子を含んでもよく、ベンゼン
環が縮合しても構わない。Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ⁵
で構成される複素環は置換基を有してもよく、それぞれ
同一でも異なっていてもよい。置換基としては、アルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、ハロゲン原子、アシル基、アルコキシカルボ
ニル基、アリールオキシカルボニル基、スルホ基、カル
ボキシ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アミド基、スルファモイル基、カルバモイル基、
ウレイド基、アミノ基、スルホンアミド基、スルホニル
基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、アルキルチオ
基、アリールチオ基を表す。Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ
⁵の好ましい例としては、５〜６員環（ピリジン、イミ
ダゾール、チオゾール、オキサゾール、ピラジン、ピリ
ミジン等の各環）を挙げることができ、更に好ましい例
として、ピリジン環が挙げられる。

【００９８】Ｂ_Pは２価の連結基を表し、ｍは０又は１
を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アリー
レン基、アルケニレン基、−ＳＯ₂−、−ＳＯ−、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ⁶）−（Ｒ⁶はアルキル
基、アリール基、水素原子を表す）を単独又は組み合わ
せて構成されるものを表す。Ｂ_pとして好ましくは、ア
ルキレン基、アルケニレン基を挙げることができる。

【００９９】Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁵は各々、炭素数１〜２０
のアルキル基を表す。又、Ｒ¹及びＲ²は同一でも異って
いてもよい。アルキル基とは、置換或いは無置換のアル
キル基を表し、置換基としては、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及
びＡ⁵の置換基として挙げた置換基と同様である。

【０１００】Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁵の好ましい例としては、
それぞれ炭素数４〜１０のアルキル基である。更に好ま
しい例としては、置換或いは無置換のアリール置換アル
キル基が挙げられる。

【０１０１】Ｘ_p ^-は分子全体の電荷を均衡させるのに必
要な対イオンを表し、例えば塩素イオン、臭素イオン、
沃素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、ｐ−トルエンス
ルホナート、オキザラート等を表す。ｎ_pは分子全体の
電荷を均衡さすに必要な対イオンの数を表し、分子内塩
の場合にはｎ_pは０である。

【０１０２】

【化４３】

【０１０３】上記一般式〔Ｔ〕で表されるトリフェニル
テトラゾリウム化合物のフェニル基の置換基Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇は、水素原子もしくは電子吸引性度を示すハメット
のシグマ値（σＰ）が負のものが好ましい。

【０１０４】フェニル基におけるハメットのシグマ値は
多くの文献、例えばジャーナル・オブ・メディカルケミ
ストリー（ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭｅｄｉｃａｌＣ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ）２０巻、３０４頁、１９７７年に記
載のＣ．ハンシュ（Ｃ．Ｈａｎｓｃｈ）等の報文等に見
ることが出来、特に好ましい負のシグマ値を有する基と
しては、例えばメチル基（σＰ＝−０．１７以下何れも
σＰ値）、エチル基（−０．１５）、シクロプロピル基
（−０．２１）、ｎ−プロピル基（−０．１３）、ｉｓ
ｏ−プロピル基（−０．１５）、シクロブチル基（−
０．１５）、ｎ−ブチル基（−０．１６）、ｉｓｏ−ブ
チル基（−０．２０）、ｎ−ペンチル基（−０．１
５）、シクロヘキシル基（−０．２２）、アミノ基（−
０．６６）、アセチルアミノ基（−０．１５）、ヒドロ
キシ基（−０．３７）、メトキシ基（−０．２７）、エ
トキシ基（−０．２４）、プロポキシ基（−０．２
５）、ブトキシ基（−０．３２）、ペントキシ基（−
０．３４）等が挙げられ、これらは何れも一般式〔Ｔ〕
の化合物の置換基として有用である。

【０１０５】ｎは１或いは２を表し、Ｘ_T ^n-で表される
アニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン等のハロゲンイオン、硝酸、硫酸、
過塩素酸等の無機酸の酸根、スルホン酸、カルボン酸等
の有機酸の酸根、アニオン系の活性剤、具体的にはｐ−
トルエンスルホン酸アニオン等の低級アルキルベンゼン
スルホン酸アニオン、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸
アニオン等の高級アルキルベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ラウリルスルフェートアニオン等の高級アルキル硫
酸エステルアニオン、テトラフェニルボロン等の硼酸系
アニオン、ジ−２−エチルヘキシルスルホサクシネート
アニオン等のジアルキルスルホサクシネートアニオン、
セチルポリエテノキシサルフェートアニオン等の高級脂
肪酸アニオン、ポリアクリル酸アニオン等のポリマーに
酸根のついたもの等を挙げることができる。

【０１０６】以下、４級オニウム化合物の具体例を下記
に挙げるが、これらに限定されるものではない。

【０１０７】

【化４４】

【０１０８】

【化４５】

【０１０９】

【化４６】

【０１１０】

【化４７】

【０１１１】

【化４８】

【０１１２】

【化４９】

【０１１３】

【化５０】

【０１１４】

【化５１】

【０１１５】

【化５２】

【０１１６】

【化５３】

【０１１７】上記４級オニウム化合物は公知の方法に従
って容易に合成でき、例えば上記テトラゾリウム化合物
はＣｈｅｍｉｃａｌＲｅｖｉｅｗｓｖｏｌ．５５
ｐ．３３５〜４８３に記載の方法を参考にできる。

【０１１８】本発明において、有機銀塩は還元可能な銀
源であり、還元可能な銀イオン源を含有する有機酸及び
ヘテロ有機酸の銀塩、特に長鎖（１０〜３０、好ましく
は１５〜２５の炭素原子数）の脂肪族カルボン酸及び含
窒素複素環が好ましい。配位子が、４．０〜１０．０の
銀イオンに対する総安定定数を有する有機又は無機の銀
塩錯体も有用である。好適な銀塩の例は、Ｒｅｓｅａｒ
ｃｈＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅ第１７０２９及び２９９６
３に記載されており、次のものがある：有機酸の塩（例
えば、没食子酸、シュウ酸、ベヘン酸、ステアリン酸、
パルミチン酸、ラウリン酸等の塩）；銀のカルボキシア
ルキルチオ尿素塩（例えば、１−（３−カルボキシプロ
ピル）チオ尿素、１−（３−カルボキシプロピル）−
３，３−ジメチルチオ尿素等）；アルデヒドとヒドロキ
シ置換芳香族カルボン酸とのポリマー反応生成物の銀錯
体（例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ブ
チルアルデヒドのようなアルデヒド類とサリチル酸、ベ
ンジル酸３，５−ジヒドロキシ安息香酸、５，５−チオ
ジサリチル酸のようなヒドロキシ置換酸類）；チオン類
の銀塩又は錯体（例えば、３−（２−カルボキシエチ
ル）−４−ヒドロキシメチル−４−チアゾリン−２−チ
オン及び３−カルボキシメチル−４−メチル−４−チア
ゾリン−２−チオン）；イミダゾール、ピラゾール、ウ
ラゾール、１，２，４−チアゾール及び１Ｈ−テトラゾ
ール、３−アミノ−５−ベンジルチオ−１，２，４−ト
リアゾール及びベンゾトリアゾールから選択される窒素
酸と銀との錯体または塩；サッカリン、５−クロロサリ
チルアルドキシム等の銀塩；メルカプチド類の銀塩等が
挙げられる。好ましい銀源はベヘン酸銀、アラキジン酸
銀および／またはステアリン酸銀である。

【０１１９】有機銀塩化合物は、水溶性銀化合物と銀と
錯形成する化合物を混合することにより得られるが、正
混合法、逆混合法、同時混合法、特開平９−１２７６４
３号に記載されている様なコントロールドダブルジェッ
ト法等が好ましく用いられる。例えば、有機酸にアルカ
リ金属塩（例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
など）を加えて有機酸アルカリ金属塩ソープ（例えば、
ベヘン酸ナトリウム、アラキジン酸ナトリウムなど）を
作製した後に、コントロールドダブルジェットにより、
前記ソープと硝酸銀などを添加して有機銀塩の結晶を作
製する。その際にハロゲン化銀粒子を混在させてもよ
い。

【０１２０】本発明におけるハロゲン化銀粒子は光セン
サーとして機能するものである。本発明においては、画
像形成後の白濁を低く抑えるため、及び良好な画質を得
るために平均粒子サイズが小さい方が好ましく、平均粒
子サイズが０．１μｍ以下、より好ましくは０．０１〜
０．１μｍ、特に０．０２〜０．０８μｍが好ましい。
ここでいう粒子サイズとは、ハロゲン化銀粒子が立方体
或いは八面体のいわゆる正常晶である場合には、ハロゲ
ン化銀粒子の稜の長さをいう。又、正常晶でない場合、
例えば、球状、棒状、或いは平板状の粒子の場合には、
ハロゲン化銀粒子の体積と同等な球を考えたときの直径
をいう。またハロゲン化銀は単分散であることが好まし
い。ここでいう単分散とは、下記式で求められる単分散
度が４０％以下をいう。更に好ましくは３０％以下であ
り、特に好ましくは０．１％以上２０％以下となる粒子
である。

【０１２１】単分散度＝（粒径の標準偏差）／（粒径の
平均値）×１００本発明においては、ハロゲン化銀粒子が平均粒径０．１
μｍ以下で、かつ単分散粒子であることがより好まし
く、この範囲にすることで画像の粒状性も向上する。

【０１２２】ハロゲン化銀粒子の形状については、特に
制限はないが、ミラー指数〔１００〕面の占める割合が
高いことが好ましく、この割合が５０％以上、更には７
０％以上、特に８０％以上であることが好ましい。ミラ
ー指数〔１００〕面の比率は、増感色素の吸着における
〔１１１〕面と〔１００〕面との吸着依存性を利用した
Ｔ．Ｔａｎｉ；Ｊ．ＩｍａｇｉｎｇＳｃｉ．，２９，
１６５（１９８５）により求めることができる。

【０１２３】またもう一つの好ましいハロゲン化銀の形
状は、平板粒子である。ここでいう平板粒子とは、投影
面積の平方根を粒径ｒμｍとして、垂直方向の厚みをｈ
μｍとした場合のアスペクト比＝ｒ／ｈが３以上のもの
をいう。その中でも好ましくは、アスペクト比が３以上
５０以下である。また粒径は０．１μｍ以下であること
が好ましく、さらに０．０１〜０．０８μｍが好まし
い。これらは米国特許第５，２６４，３３７号、同５，
３１４，７９８号、同５，３２０，９５８号等に記載さ
れており、容易に目的の平板状粒子を得ることができ
る。本発明においてこれらの平板状粒子を用いた場合、
さらに画像の鮮鋭性も向上する。

【０１２４】ハロゲン組成としては特に制限はなく、塩
化銀、塩臭化銀、塩沃臭化銀、臭化銀、沃臭化銀、沃化
銀のいずれであってもよい。本発明に用いられる写真乳
剤は、Ｐ．Ｇｌａｆｋｉｄｅｓ著Ｃｈｉｍｉｅｅｔ
ＰｈｙｓｉｑｕｅＰｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｑｕｅ（Ｐ
ａｕｌＭｏｎｔｅｌ社刊、１９６７年）、Ｇ．Ｆ．Ｄ
ｕｆｆｉｎ著ＰｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃＥｍｕｌｓ
ｉｏｎＣｈｅｍｉｓｔｒｙ（ＴｈｅＦｏｃａｌＰ
ｒｅｓｓ刊、１９６６年）、Ｖ．Ｌ．Ｚｅｌｉｋｍａｎ
ｅｔａｌ著ＭａｋｉｎｇａｎｄＣｏａｔｉｎｇ
ＰｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃＥｍｕｌｓｉｏｎ（Ｔｈ
ｅＦｏｃａｌＰｒｅｓｓ刊、１９６４年）等に記載
された方法を用いて調製することができる。

【０１２５】本発明に用いられるハロゲン化銀には、照
度不軌改良や改良調整のために、元素周期律表の６族か
ら１０族に属する金属のイオン又は錯体イオンを含有す
ることが好ましい。上記の金属としては、Ｗ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕが好ましい。

【０１２６】感光性ハロゲン化銀粒子は、ヌードル法、
フロキュレーション法等、当業界で知られている方法の
水洗により脱塩することができるが、本発明においては
脱塩してもしなくてもよい。

【０１２７】本発明における感光性ハロゲン化銀粒子
は、化学増感されていることが好ましい。好ましい化学
増感法としては、当業界でよく知られているように硫黄
増感法、セレン増感法、テルル増感法、金化合物や白
金、パラジウム、イリジウム化合物等の貴金属増感法や
還元増感法を用いることができる。

【０１２８】本発明においては感光材料の失透を防ぐた
めには、ハロゲン化銀及び有機銀塩の総量は、銀量に換
算して１ｍ²当たり０．５ｇ以上２．２ｇ以下であるこ
とが好ましい。この範囲にすることで硬調な画像が得ら
れる。また銀総量に対するハロゲン化銀の量は、重量比
で５０％以下、好ましくは２５％以下、更に好ましくは
０．１％〜１５％の間である。

【０１２９】本発明の熱現像材料には還元剤を内蔵させ
ている。好適な還元剤の例は、米国特許第３，７７０，
４４８号、同３，７７３，５１２号、同３，５９３，８
６３号、及びＲｅｓｅａｒｃｈＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅ
第１７０２９及び２９９６３に記載されており、次のも
のが挙げられる。

【０１３０】アミノヒドロキシシクロアルケノン化合物
（例えば、２−ヒドロキシ−３−ピペリジノ−２−シク
ロヘキセノン）；還元剤の前駆体としてアミノレダクト
ン類（ｒｅｄｕｃｔｏｎｅｓ）エステル（例えば、ピペ
リジノヘキソースレダクトンモノアセテート）；Ｎ−ヒ
ドロキシ尿素誘導体（例えば、Ｎ−ｐ−メチルフェニル
−Ｎ−ヒドロキシ尿素）；アルデヒド又はケトンのヒド
ラゾン類（例えば、アントラセンアルデヒドフェニルヒ
ドラゾン）；ホスファーアミドフェノール類；ホスファ
ーアミドアニリン類；ポリヒドロキシベンゼン類（例え
ば、ヒドロキノン、ｔ−ブチル−ヒドロキノン、イソプ
ロピルヒドロキノン及び（２，５−ジヒドロキシ−フェ
ニル）メチルスルホン）；スルフヒドロキサム酸類（例
えば、ベンゼンスルフヒドロキサム酸）；スルホンアミ
ドアニリン類（例えば、４−（Ｎ−メタンスルホンアミ
ド）アニリン）；２−テトラゾリルチオヒドロキノン類
（例えば、２−メチル−５−（１−フェニル−５−テト
ラゾリルチオ）ヒドロキノン）；テトラヒドロキノキサ
リン類（例えば、１，２，３，４−テトラヒドロキノキ
サリン）；アミドオキシム類；アジン類；脂肪族カルボ
ン酸アリールヒドラザイド類とアスコルビン酸の組み合
わせ；ポリヒドロキシベンゼンとヒドロキシルアミンの
組み合わせ；レダクトン及び／又はヒドラジン；ヒドロ
キサン酸類；アジン類とスルホンアミドフェノール類の
組み合わせ；α−シアノフェニル酢酸誘導体；ビス−β
−ナフトールと１，３−ジヒドロキシベンゼン誘導体の
組み合わせ；５−ピラゾロン類；スルホンアミドフェノ
ール還元剤；２−フェニルインダン−１，３−ジオン
等；クロマン；１，４−ジヒドロピリジン類（例えば、
２，６−ジメトキシ−３，５−ジカルボエトキシ−１，
４−ジヒドロピリジン）；ビスフェノール類（例えば、
ビス（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチル−５−メチルフ
ェニル）メタン、ビス（６−ヒドロキシ−ｍ−トリ）メ
シトール（ｍｅｓｉｔｏｌ）、２，２−ビス（４−ヒド
ロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、４，４−エチ
リデン−ビス（２−ｔ−ブチル−６−メチルフェノー
ル）、紫外線感応性アスコルビン酸誘導体；ヒンダード
フェノール類；３−ピラゾリドン類。中でも特に好まし
い還元剤は、ヒンダードフェノール類である。ヒンダー
ドフェノール類としては、下記一般式（Ａ）で表される
化合物が挙げられる。

【０１３１】

【化５４】

【０１３２】式中、Ｒは水素原子、又は炭素原子数１〜
１０のアルキル基（例えば、−Ｃ₄Ｈ₉、２，４，４−ト
リメチルペンチル）を表し、Ｒ′及びＲ″は炭素原子数
１〜５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、ｔ−ブ
チル）を表す。

【０１３３】一般式（Ａ）で表される化合物の具体例を
以下に示す。ただし、本発明は、以下の化合物に限定さ
れるものではない。

【０１３４】

【化５５】

【０１３５】

【化５６】

【０１３６】前記一般式（Ａ）で表される化合物を始め
とする還元剤の使用量は、好ましくは銀１モル当り１×
１０^-2〜１０モル、特に１×１０^-2〜１．５モルであ
る。

【０１３７】本発明の熱現像感光材料に好適なバインダ
ーは、透明又は半透明で、一般に無色であり、天然ポリ
マー合成樹脂やポリマー及びコポリマー、その他フィル
ムを形成する媒体、例えば：ゼラチン、アラビアゴム、
ポリ（ビニルアルコール）、ヒドロキシエチルセルロー
ス、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチ
レート、ポリ（ビニルピロリドン）、カゼイン、デンプ
ン、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メチルメタクリル
酸）、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（メタクリル酸）、コ
ポリ（スチレン−無水マレイン酸）、コポリ（スチレン
−アクリロニトリル）、コポリ（スチレン−ブタジエ
ン）、ポリ（ビニルアセタール）類（例えば、ポリ（ビ
ニルホルマール）及びポリ（ビニルブチラール））、ポ
リ（エステル）類、ポリ（ウレタン）類、フェノキシ樹
脂、ポリ（塩化ビニリデン）、ポリ（エポキシド）類、
ポリ（カーボネート）類、ポリ（ビニルアセテート）、
セルロースエステル類、ポリ（アミド）類がある。

【０１３８】親水性でも疎水性でもよいが、本発明にお
いては、熱現像後のカブリを低減させるために、疎水性
透明バインダーを使用することが好ましい。好ましいバ
インダーとしては、ポリビニルブチラール、セルロース
アセテート、セルロースアセテートブチレート、ポリエ
ステル、ポリカーボネート、ポリアクリル酸、ポリウレ
タンなどがあげられる。その中でもポリビニルブチラー
ル、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチ
レート、ポリエステルは特に好ましく用いられる。

【０１３９】本発明の熱現像感光材料は、支持体上に少
なくとも一層の感光層を有している。支持体の上に感光
層のみを形成しても良いが、感光層の上に少なくとも１
層の非感光層を形成することが好ましい。感光層に通過
する光の量又は波長分布を制御するために感光層と同じ
側にフィルター染料層および／又は反対側にアンチハレ
ーション染料層、いわゆるバッキング層を形成しても良
いし、感光層に染料又は顔料を含ませても良い。

【０１４０】これらの非感光性層には前記のバインダー
やマット剤を含有することが好ましく、さらにポリシロ
キサン化合物やワックスや流動パラフィンのようなスベ
リ剤を含有してもよい。

【０１４１】また、本発明の熱現像感光材料には、塗布
助剤として各種の界面活性剤が用いられる。その中でも
フッ素系界面活性剤が、帯電特性を改良したり、斑点状
の塗布故障を防ぐために好ましく用いられる。

【０１４２】感光層は複数層にしても良く、また階調の
調節のため感度を高感層／低感層又は低感層／高感層に
しても良い。

【０１４３】本発明に用いられる好適な色調剤の例は、
ＲｅｓｅａｒｃｈＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅ第１７０２９
号に開示されている。

【０１４４】本発明の熱現像感光材料には、現像を制御
するため、分光増感効率を向上させるため、現像前後の
保存性を向上させるためなどにメルカプト化合物、ジス
ルフィド化合物、チオン化合物を含有させることができ
る。

【０１４５】本発明の熱現像感光材料中には、かぶり防
止剤が含まれて良い。各種の添加剤は感光層、非感光
層、又はその他の形成層のいずれに添加しても良い。本
発明の熱現像感光材料には、例えば界面活性剤、酸化防
止剤、安定化剤、可塑剤、紫外線吸収剤、被覆助剤等を
用いても良い。これらの添加剤及び上述したその他の添
加剤はＲｅｓｅａｒｃｈＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅＩｔ
ｅｍ１７０２９（１９７８年６月ｐ．９〜１５）に記載
されている化合物を好ましく用いることができる。

【０１４６】本発明で用いられる支持体は、現像処理後
に所定の光学濃度を得るため、及び現像処理後の画像の
変形を防ぐためにプラスチックフィルム（例えば、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミ
ド、ナイロン、セルローストリアセテート、ポリエチレ
ンナフタレート）であることが好ましい。

【０１４７】その中でも好ましい支持体としては、ポリ
エチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴと略す）及びシ
ンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含む
プラスチック（以下、ＳＰＳと略す）の支持体が挙げら
れる。支持体の厚みとしては５０〜３００μｍ程度、好
ましくは７０〜１８０μｍである。

【０１４８】また熱処理したプラスチック支持体を用い
ることもできる。採用するプラスチックとしては、前記
のプラスチックが挙げられる。支持体の熱処理とはこれ
らの支持体を製膜後、感光性層が塗布されるまでの間
に、支持体のガラス転移点より３０℃以上高い温度で、
好ましくは３５℃以上高い温度で、更に好ましくは４０
℃以上高い温度で加熱することがよい。

【０１４９】本発明においては、帯電性を改良するため
に金属酸化物および／または導電性ポリマーなどの導電
性化合物を構成層中に含ませることができる。これらは
いずれの層に含有させてもよいが、好ましくは下引層、
バッキング層、感光層と下引の間の層などである。

【０１５０】

【実施例】実施例１（ＰＥＴ支持体の作製）ＰＥＴペレットを１３０℃で４
時間乾燥した後、３００℃で溶融後Ｔ型ダイから押し出
した後急冷し、未延伸のフィルムを作製した。これを周
速の異なるロールを用い３．０倍に縦延伸、ついでテン
ターで４．５倍に横延伸を実施した。この時の温度はそ
れぞれ１１０℃、１３０℃であった。この後、２４０℃
で２０秒間熱固定後これと同じ温度で横方向に４％緩和
した。この後テンターのチャック部をスリッターした
後、両端にナール加工を行い、４ｋｇ／ｃｍ²で巻き取
った。このようにして巾２．４ｍ、長さ８００ｍ、厚み
１００μｍのＰＥＴフィルムのロールを得た。１２５μ
ｍの厚みをもったＰＥＴフィルム支持体は、未延伸時の
フィルムの膜厚調整を行い、あとは１００μｍフィルム
支持体作製時と同様に行った。どの厚みのＰＥＴもガラ
ス転移点は７９℃であった。

【０１５１】上記のようにして作製した２軸延伸熱固定
済みの厚さ１００μｍ、１１０、１２０、１５０、１７
５μｍの厚みをもったＰＥＴフィルム支持体の両面にそ
れぞれ８ｗ／ｍ²・分のコロナ放電処理を施し、一方の
面に下記下引塗布液ａ−１を乾燥膜厚０．８μｍになる
ように塗設し乾燥させて下引層Ａ−１とし、また反対側
の面に下記帯電防止加工した下引塗布液ｂ−１を乾燥膜
厚０．８μｍになるように塗設し乾燥させて帯電防止加
工下引層Ｂ−１とした。

【０１５２】《下引塗布液ａ−１》ブチルアクリレート（３０重量％）ｔ−ブチルアクリレート（２０重量％）スチレン（２５重量％）２−ヒドロキシエチルアクリレート（２５重量％）の共重合体ラテックス液（固形分３０％）２７０ｇ（Ｃ−１）０．６ｇヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア）０．８ｇポリスチレン微粒子（平均粒径３μｍ）０．０５ｇコロイダルシリカ（平均粒径９０μｍ）０．１ｇ水で１Ｌに仕上げる《下引塗布液ｂ−１》ＳｎＯ₂／Ｓｂ（９／１重量比、平均粒径０．１８μｍ）２００ｍｇ／ｍ²になる量ブチルアクリレート（３０重量％）スチレン（２０重量％）グリシジルアクリレート（４０重量％）の共重合体ラテックス液（固形分３０％）２７０ｇ（Ｃ−１）０．６ｇヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア）０．８ｇ水で１Ｌに仕上げる引き続き、下引層Ａ−１及び下引層Ｂ−１の上表面に、
８ｗ／ｍ²・分のコロナ放電を施し、下引層Ａ−１の上
には、下記下引上層塗布液ａ−２を乾燥膜厚０．１μｍ
になる様に下引上層Ａ−２として、下引層Ｂ−１の上に
は下記下引上層塗布液ｂ−２を乾燥膜厚０．８μｍにな
る様に帯電防止機能をもつ下引上層Ｂ−２として塗設し
た。

【０１５３】《下引上層塗布液ａ−２》ゼラチン０．４ｇ／ｍ²になる重量（Ｃ−１）０．２ｇ（Ｃ−２）０．２ｇ（Ｃ−３）０．１ｇシリカ粒子（平均粒径３μｍ）０．１ｇ水で１Ｌに仕上げる《下引上層塗布液ｂ−２》（Ｃ−４）６０ｇ（Ｃ−５）を成分とするラテックス液（固形分２０％）８０ｇ硫酸アンモニウム０．５ｇ（Ｃ−６）１２ｇポリエチレングリコール（重量平均分子量６００）６ｇ水で１Ｌに仕上げる

【０１５４】

【化５７】

【０１５５】

【化５８】

【０１５６】《支持体の熱処理》上記の５種類の下引済
み支持体の下引乾燥工程において、支持体を１４０℃で
加熱し、その後徐々に冷却した。

【０１５７】（ハロゲン化銀乳剤Ａの調製）水９００ｍ
ｌ中にイナートゼラチン７．５ｇ及び臭化カリウム１０
ｍｇを溶解して温度３５℃、ｐＨを３．０に合わせた
後、硝酸銀７４ｇを含む水溶液３７０ｍｌと（６０／３
８／２）のモル比の塩化ナトリウムと臭化カリウムと沃
化カリウム及び〔Ｉｒ（ＮＯ）Ｃｌ₅〕塩を銀１モル当
たり１×１０^-6モル及び塩化ロジウム塩を銀１モル当た
り１×１０^-6モル含む水溶液３７０ｍｌを、ｐＡｇ７．
７に保ちながらコントロールドダブルジェット法で添加
した。その後４−ヒドロキシ−６−メチル−１，３，３
ａ，７−テトラザインデンを添加しＮａＯＨでｐＨを
８、ｐＡｇ６．５に調整することで還元増感を行い平均
粒子サイズ０．０６μｍ、単分散度１０％の投影直径面
積の変動係数８％、〔１００〕面比率８７％の立方体沃
臭化銀粒子を得た。この乳剤にゼラチン凝集剤を用いて
凝集沈降させ脱塩処理後フェノキシエタノール０．１ｇ
を加え、ｐＨ５．９、ｐＡｇ７．５に調整して、ハロゲ
ン化銀乳剤Ａを得た。

【０１５８】（ベヘン酸Ｎａ溶液の調製）９４５ｍｌの
純水にベヘン酸３２．４ｇ、アラキジン酸９．９ｇ、ス
テアリン酸５．６ｇを９０℃で溶解した。次に高速で撹
拌しながら１．５Ｍの水酸化ナトリウム水溶液９８ｍｌ
を添加した。次に濃硝酸０．９３ｍｌを加えた後、５５
℃に冷却して３０分撹拌させてベヘン酸Ｎａ溶液を得
た。

【０１５９】（ベヘン酸銀とハロゲン化銀乳剤Ａのプレ
フォーム乳剤の調製）上記のベヘン酸Ｎａ溶液に、前記
ハロゲン化銀乳剤Ａを表１〜３に示すような比になる量
を添加し、水酸化ナトリウム溶液でｐＨ８．１に調整し
た後に、１Ｍの硝酸銀溶液１４７ｍｌを７分間かけて加
え、さらに２０分撹拌し限外濾過により水溶性塩類を除
去した。できたベヘン酸銀は平均粒子サイズ０．８μ
ｍ、単分散度８％の粒子であった。分散物のフロックを
形成後、水を取り除き、更に６回の水洗と水の除去を行
った後乾燥させた。

【０１６０】（感光性乳剤の調製）できあがったプレフ
ォーム乳剤を分割し、それにポリビニルブチラール（平
均分子量３０００）のメチルエチルケトン溶液（１７ｗ
ｔ％）５４４ｇとトルエン１０７ｇを徐々に添加して混
合した後に、０．５ｍｍサイズＺｒＯ₂のビーズミルを
用いたメディア分散機で４０００ｐｓｉで３０℃、１０
分間の分散を行った。

【０１６１】前記の支持体上にそれぞれ以下の各層を両
面同時塗布し、試料を作製した。尚、乾燥は６０℃、１
５分間で行った。

【０１６２】（バック面側塗布）支持体のＢ−１層の上
に、以下の組成の液を塗布した。

【０１６３】セルロースアセテートブチレート１５ｍｌ／ｍ² （１０％メチルエチルケトン溶液）染料−Ａ表１に示す、７８０ｎｍの吸収となる量マット剤：単分散度１５％平均粒子サイズ８μｍ単分散シリカ９０ｍｇ／ｍ² Ｃ₈Ｆ₁₇（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₂Ｃ₈Ｆ₁₇ ５０ｍｇ／ｍ² Ｃ₉Ｆ₁₉−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ１０ｍｇ／ｍ² なお試料Ｎｏ．１〜４には、染料−Ａは添加していな
い。

【０１６４】

【化５９】

【０１６５】（感光層面側塗布）支持体のＡ−１層の上
に、以下の組成の液を塗布銀量が１．５ｇ／ｍ²になる
様に塗布した。

【０１６６】前記感光性乳剤２４０ｇ増感色素（０．１％メタノール溶液）１．７ｍｌピリジニウムプロミドペルブロミド（６％メタノール溶液）３ｍｌ臭化カルシウム（０．１％メタノール溶液）１．７ｍｌ酸化剤（１０％メタノール溶液）１．２ｍｌ２−４−クロロベンゾイル安息香酸（１２％メタノール溶液）９．２ｍｌ２−メルカプトベンズイミダゾール（１％メタノール溶液）１１ｍｌトリブロモメチルスルホキノリン（５％メタノール溶液）１７ｍｌ硬調化剤（表１に示す）０．４ｇフタラジン０．６ｇ４−メチルフタル酸０．２５ｇテトラクロロフタル酸０．２ｇ平均粒径３μｍの炭酸カルシウム０．１ｇ１，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル） −２−メチルプロパン（２０％メタノール溶液）２０．５ｍｌイソシアネート化合物０．５ｇ（モーベイ社製、ＤｅｓｍｏｄｕｒＮ３３００）

【０１６７】

【化６０】

【０１６８】（表面保護層塗布）以下の組成の液を、感
光層の上になるよう同時塗布した。

【０１６９】アセトン５ｍｌ／ｍ² メチルエチルケトン２１ｍｌ／ｍ² セルロースアセテートブチレート２．３ｇ／ｍ² メタノール７ｍｌ／ｍ² フタラジン２５０ｍｇ／ｍ² マット剤：単分散度１０％平均粒子サイズ４μｍ単分散シリカ５ｍｇ／ｍ² ＣＨ₂＝ＣＨＳＯ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＳＯ₂ＣＨ＝ＣＨ₂ ３５ｍｇ／ｍ² フッ素系界面活性剤Ｃ₁₂Ｆ₂₅（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₀Ｃ₁₂Ｆ₂₅ １０ｍｇ／ｍ² Ｃ₈Ｆ₁₇−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ１０ｍｇ／ｍ² 塗膜形成した後の試料を用い、バインダーを除去した後
に、レプリカ法で電子顕微鏡観察して測定したところ、
有機銀塩粒子は長軸径０．５±０．０５μｍ、短軸径
０．４±０．０５μｍ、厚み０．０１μｍの平板状粒子
が全有機銀塩粒子の９０％である単分散度５％の粒子で
あった。

【０１７０】〔露光および現像処理〕Ｐａｎａｓｏｎｉ
ｃのイメージセッターＫＸ−Ｊ２３７ＬＺ（７８０ｎｍ
の半導体レーザー）を用いて露光し、現像はＫｏｄａｋ
ＤｒｙＶｉｅｗＰｒｏｃｅｓｓｅｒ２７７１を使
用した。１１０℃で１５秒間プレヒートし、その後１２
３℃で１０秒の熱現像を行った。

【０１７１】〔評価〕《吸収スペクトル》測定は日立（株）社製Ｕ−２０００
スペクトロフォトメーターを使用。表に記した数値は支
持体、バインダーの吸収を差し引いた値である。

【０１７２】《濃度測定》露光現像後の試料のベタ露光
部をマクベス濃度計でで測定した。なお未露光部はゼロ
とした。

【０１７３】《線巾》ＫＸ−Ｊ２３７ＬＺで５０％の網
点を発生させ、マイクロデンシトメーターで網点プロフ
ァイルを測定し、濃度３．０以上となるところの網点巾
を測定し、その差（濃度３．７となる光量と＋０．３０
ｌｏｇＥとしたときの差）を表に示した。

【０１７４】《黒ポツ》１００倍ルーペで現像処理後の
未露光部を観察し、１視野の中に見える１０μｍ以上の
黒ポツを観察した。

【０１７５】《高温保存性》未露光試料を５５℃、２０
％ＲＨに３日間放置したものと２３℃、５５％ＲＨに３
日間放置したものとの感度差を表に示した（２３℃放置
を基準に差を表示。増感をプラス表示）。

【０１７６】

【表１】

【０１７７】表１から明らかなように、本発明の試料は
線巾、黒ポツ、高温保存性において、比較試料より優れ
ていることが分かる。

【０１７８】実施例２実施例１の（バック面側塗布）において、染料−Ａの代
わりに下記染料−Ｃを用い、その７８０ｎｍにおける吸
収が０．５となる量を添加、硬調化剤は表２に示すもの
を実施例１と同じ量を添加、更に実施例１の（感光層面
側塗布）において、染料−Ｃを表２に示す、７８０ｎｍ
の吸収となる量を加えた以外は、実施例１と同様に試料
を作製した。但し、試料Ｎｏ．１および２には（感光層
面側塗布）において、染料−Ｃは添加していない。

【０１７９】

【化６１】

【０１８０】露光および現像処理は実施例１と同様に行
い、評価については、実施例１の高温保存性に代えて高
湿保存性の評価を行った以外は同様である。

【０１８１】〔評価〕《高湿保存性》未露光試料を２３℃、８０％ＲＨに３日
間放置したものと２３℃、５５％ＲＨに３日間放置した
ものとの感度差を表に示した（５５％放置を基準に差を
表示。増感をプラス表示）。

【０１８２】

【表２】

【０１８３】表２から明らかなように、本発明の試料は
線巾、黒ポツ、高湿保存性において、比較試料より優れ
ていることが分かる。

【０１８４】実施例３支持体と感光層の間に下記組成の層（ハレーション防止
層）を塗設した。

【０１８５】（ハレーション防止層の調製）メチルエチルケトン１５ｍｌ／ｍ² ポリビニルブチラール（平均分子量３０００）０．５ｇ／ｍ² 染料−Ｃ表３に示す、７８０ｎｍの吸収となる量バック面側塗布は、硬調化剤を表３に示すものに変えた
以外は、実施例２と同様に行い、感光層面側塗布は染料
−Ｃを加えなかった以外は、実施例２と同様に行って試
料を作製した。即ち、バッキング層を塗布した後、支持
体に近い側から、ハレーション防止層、感光層、保護層
を同時塗布した。

【０１８６】露光および現像処理は実施例１と同様に行
い、評価については、実施例１の高温保存性に代えて高
温高湿保存性の評価を行った以外は同様である。

【０１８７】〔評価〕《高温高湿保存性》未露光試料を４０℃、８０％ＲＨに
３日間放置したものと２３℃、５５％ＲＨに３日間放置
したものとの感度差を表に示した（２３℃放置を基準に
差を表示。増感をプラス表示）。

【０１８８】

【表３】

【０１８９】表３から明らかなように、本発明の試料は
線巾、黒ポツ、高温高湿保存性において、比較試料より
優れていることが分かる。

【０１９０】実施例４（有機銀塩分散物の調製）アラキジン酸４．４ｇ、ベヘ
ン酸３９．４ｇ、蒸留水７７０ｍｌを、８５℃で撹拌し
ながら１Ｎ−ＮａＯＨ水溶液１０３ｍｌを６０分かけて
添加して２４０分反応させ、７５℃に降温した。次い
で、硝酸銀１９．２ｇの水溶液１１２．５ｍｌを４５秒
かけて添加し、そのまま２０分間放置し、３０℃に降温
した。その後、吸収濾過で固形分を濾別し、固形分を濾
水の伝導度が３０μＳ／ｃｍになるまで水洗した。こう
して得られた固形分は、乾燥させないでウェットケーキ
として取り扱い、乾燥固形分１００ｇ相当のウェットケ
ーキに対し、ポリビニルアルコール（クラレ（株）製；
ＰＶＡ−２０５）１０ｇ及び水を添加し、全体量を５０
０ｇとしてからホモミキサーにて予備分散した。

【０１９１】次に予備分散済みの原液を分散機（商品
名：マイクロフルイダイザーＭ−１１ＯＳ−ＥＨ、マイ
クロフルイデックス・インターナショナル・コーポレー
ション製、Ｇ１０Ｚインタラクションチャンバー使用）
の圧力を１７５０ｋｇ／ｃｍ²に調節して、三回処理
し、体積加重平均直径０．９３μｍの有機銀塩微結晶分
散物の調製を終了した。粒子サイズの測定は、Ｍａｌｖ
ｅｒｎＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓＬｔｄ．製Ｍａｓｔ
ｅｒＳｉｚｅｒＸにて行った。冷却操作は蛇管式熱
交換器を、インタラクションチャンバーの前後に各々装
着し、冷媒の温度を調節することで所望の分散温度に設
定した。

【０１９２】（感光層塗布液の調製）先に調製した有機
銀塩微結晶分散物（銀／モル相当）に対し、実施例１で
調製したハロゲン化銀乳剤Ａを表４〜６に示す比となる
ような量とを、以下のバインダーおよび現像用素材を用
いて、感光層塗布液とした。

【０１９３】バインダー；ラックスター３３０７Ｂ固形分として４７０ｇ（大日本インキ化学工業（株）製；ＳＢＲラテックスでガラス転移温度１７℃）１，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，５− 固形分として１１０ｇジメチルフェニル）−３，５，５−トリメチルヘキサントリブロモメチルフェニルスルホン固形分として２５ｇ３，４−ジヒドロ−４−オキソ−１，２，３− 固形分として５．２ｇベンゾトリアジン硬調化剤（表４に示す）０．１ｇ／ｍ² ３，４−ジヒドロ−４−オキソ−１，２，３−ベンゾト
リアジン、１，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，５−ジ
メチルフェニル）−３，５，５−トリメチルヘキサン、
トリブロモメチルフェニルスルホンについては、通常の
方法で固体微粒子分散物を調製した。

【０１９４】（感光面保護層、バッキング保護層塗布液
の調製）４０％のポリマーラテックス（メチルメタクリ
レート／スチレン／２−エチルヘキシルアクリレート／
２−ヒドロキシエチルメタクリレート／メタアクリル酸
＝５９／９／２６／５／１の共重合体）５００ｇに、Ｈ
₂Ｏ２６２ｇを加え、造膜助剤としてベンジルアルコー
ル１４ｇ、化合物Ｄ２．５ｇ、セロゾール５２４（中京
油脂（株）製）３．６ｇ、化合物Ｅ１２ｇ、化合物Ｆ１
ｇ、化合物Ｇ２ｇ、化合物Ｈ７．５ｇ、マット剤とし
て、平均粒径３μｍのポリメチルメタクリレート微粒子
３．４ｇを順次加え、さらにＨ₂Ｏを加えて１０００ｇ
とし、粘度５ｃｐ（２５℃）、ｐＨ３．４（２５℃）の
塗布液を調製した。

【０１９５】

【化６２】

【０１９６】（バッキング層塗布液の調製）上記（感光
面保護層、バッキング保護層塗布液の調製）に、染料−
Ｃを表４に示す、７８０ｎｍの吸収となる量を加えてバ
ッキング層塗布液を調製した。

【０１９７】ＰＥＴ支持体にバッキング保護層はバイン
ダーが０．８ｇ／ｍ²となるよう塗布し、その後乳剤層
は表４の濃度になる銀量で、感光面保護層はバインダー
が１．２ｇ／ｍ²となるように塗布した。

【０１９８】露光および現像処理、更には評価は実施例
１と同様に行った。

【０１９９】

【表４】

【０２００】表４から明らかなように、本発明の試料は
線巾、黒ポツ、高温保存性において、比較試料より優れ
ていることが分かる。

【０２０１】実施例５バッキング層における、染料−Ｃの７８０ｎｍ吸収が
０．４になる量を添加し、感光層に添加する硬調化剤は
表５に示すものを実施例４と同量加え、更に感光層に染
料−Ｃの７８０ｎｍ吸収が表５になる量加えた以外は、
実施例４と同様に試料を作製した。

【０２０２】露光および現像処理、更には評価は実施例
２と同様に行った。

【０２０３】

【表５】

【０２０４】表５から明らかなように、本発明の試料は
線巾、黒ポツ、高湿保存性において、比較試料より優れ
ていることが分かる。

【０２０５】実施例６実施例５において、感光層に添加する硬調化剤は、表６
に示すものを実施例４と同量加え、更に感光層は実施例
４と同じ組成のものを使用し、支持体と乳剤層の間に下
記組成の層（ハレーション防止層）を塗設した以外は、
実施例５と同様に試料を作製した。

【０２０６】（ハレーション防止層の調製）実施例４で使用したラックスター３３０７Ｂ０．７ｇ／ｍ² 染料−Ｃ表６に示す、７８０ｎｍの吸収となる量露光および現像処理、更には評価は実施例３と同様に行
った。

【０２０７】

【表６】

【０２０８】表６から明らかなように、本発明の試料は
線巾、黒ポツ、高温高湿保存性において、比較試料より
優れていることが分かる。

【０２０９】

【発明の効果】本発明によって、露光ラチチュードが広
い、具体的には露光量変化に対して濃度、線幅の変化が
小さい熱現像感光材料を提供できたと共に、黒ポツ、保
存性をも改良した熱現像感光材料及びその画像形成方法
を提供することができた。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】支持体を介し感光層と反対側の層の露光
波長の吸収が０．９以上であり、かつ濃度３．７となる
露光量に対し０．３０ｌｏｇＥ多くした露光量での濃度
が４．７以下であることを特徴とする支持体上に有機銀
塩、感光性ハロゲン化銀、還元剤及び硬調化剤を含有す
る熱現像感光材料。
【請求項２】感光層の露光波長の吸収が０．２以上、
０．４以下であり、かつ濃度３．７となる露光量に対し
０．３０ｌｏｇＥ多くした露光量での濃度が４．７以下
であることを特徴とする支持体上に有機銀塩、感光性ハ
ロゲン化銀、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像感光
材料。
【請求項３】感光層より下層の層の露光波長の吸収が
０．１以上、０．７未満であり、かつ濃度３．７となる
露光量に対し０．３０ｌｏｇＥ多くした露光量での濃度
が４．７以下であることを特徴とする支持体上に有機銀
塩、感光性ハロゲン化銀、還元剤及び硬調化剤を含有す
る熱現像感光材料。
【請求項４】全銀量に対する感光性ハロゲン化銀の銀
量のモル比が３．０％以上、５．０％以下であることを
特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱現像
感光材料。
【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項に記載の熱
現像感光材料をレーザー露光することを特徴とする画像
形成方法。