JP2001013661A - 熱現像感光材料の処理方法と熱現像機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱現像による現像ムラがなく、均一現像性
（現像安定性）、高濃度、硬調を改良することにより仕
上がり品質の向上した熱現像感光材料の処理方法と、そ
れに用いる熱現像機を提供する。 【解決手段】 支持体上に有機銀粒子、感光性ハロゲン
化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像感光材
料を処理する方法において、ローラー内部に熱源を有す
る直径が１５ｃｍ以上３０ｃｍ以下のヒートローラーを
有し、該ヒートローラーの外周に接する搬送ローラーの
ローラー間の最短距離が１ｍｍ以上２０ｍｍ以内であ
り、かつ処理時のラインスピード（ＳＬＳ）が１５ｍｍ
／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ以下で、待機時のライン
スピード（ＴＬＳ）との比ＴＬＳ／ＳＬＳが、０．０１
≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．７５であることを特徴とする熱
現像感光材料の処理方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱現像感光材料の
処理方法と熱現像機に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】製版作業は、手作業から電子集版にここ
数年で大きく変貌し、この流れの中で、イメージセッタ
ー等のプロッターが急速に普及している。しかし、この
ような精密機器にコンベンショナル銀塩感光材料の処理
機がオンラインで接続されており、処理液からのガスや
水分で基盤が腐食し高価な機器の故障が増えている。

【０００３】コンベンショナル銀塩感光材料では、現
像、定着液の希釈や水洗のため水道配管が必要であるこ
とや、廃液の処理も業者に引き取ってもらう必要があり
手間がかかる。

【０００４】これらの背景から水を使わないドライ処理
システムが期待されている。ドライシステムの中でも熱
現像処理が製造コスト、性能の面から最も実用化に適し
ている。

【０００５】但し、熱現像感光材料は、熱現像部の温度
バラツキの影響を受けやすく、現像ムラが出やすい。そ
のため特開平９−２９７３８４号、同９−２９７３８５
号、同９−２９７３８６号に開示されているようにヒー
トドラム表面の温度を均一にすることにより仕上がり品
質を向上させている。しかし、この方法のみでは感光材
料の仕上がり品質は向上するものの、均一現像（現像安
定性）、高濃度、硬調という面で十分ではなく、印刷製
版用としてはなお十分な性能を具備していない。

【０００６】又、ＷＯ９８／２７４５８には熱現像機の
記載があるが、均一現像性（現像安定性）、高濃度、硬
調化について注目しているわけではなく、それに関連す
る記載はない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、熱現
像による現像ムラがなく、均一現像性（現像安定性）、
高濃度、硬調を改良することにより仕上がり品質の向上
した熱現像感光材料の処理方法と、それに用いる熱現像
機を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記問題
点につき鋭意検討した結果、熱現像機の待機時にローラ
ー付近で空気の対流が起きると、現像温度が一定になら
ないため現像濃度等が不安定になることが明らかとなっ
た。この対策としては、未使用時はローラー回転数を下
げる、あるいはローラー間の空隙を小さくして、極力空
気の対流を少なくするのが有効である。

【０００９】即ち、本発明の目的は、下記構成のいずれ
かを採ることにより達成される。

【００１０】〔１〕 支持体上に有機銀粒子、感光性ハ
ロゲン化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像
感光材料を処理する方法において、ローラー内部に熱源
を有する直径が１５ｃｍ以上３０ｃｍ以下のヒートロー
ラーを有し、該ヒートローラーの外周に接する搬送ロー
ラーのローラー間の最短距離が１ｍｍ以上２０ｍｍ以内
であり、かつ処理時のラインスピード（ＳＬＳ）が１５
ｍｍ／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ以下で、待機時のラ
インスピード（ＴＬＳ）との比ＴＬＳ／ＳＬＳが、０．
０１≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．７５であることを特徴とす
る熱現像感光材料の処理方法。

【００１１】〔２〕 支持体上に有機銀粒子、感光性ハ
ロゲン化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像
感光材料を処理する方法において、熱現像部及びプレヒ
ート部のローラーの直径が２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下で
あり、該ローラー本数が全部で１９本以上３８本以下で
あり、上側に配置されたローラー間の最短距離が１ｍｍ
以上２０ｍｍ以内であり、下側に配置されたローラー間
の最短距離が１ｍｍ以上２０ｍｍ以内であり、かつ処理
時のラインスピード（ＳＣＳ）が１５ｍｍ／ｓｅｃ以上
４５ｍｍ／ｓｅｃ以下で、待機時のラインスピード（Ｔ
ＣＳ）との比ＴＣＳ／ＳＣＳが、０．０１≦ＴＣＳ／Ｓ
ＣＳ≦０．７５であることを特徴とする熱現像感光材料
の処理方法。

【００１２】〔３〕 支持体上に有機銀粒子、感光性ハ
ロゲン化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像
感光材料を処理する熱現像機の熱現像部及びまたはプレ
ヒート部が、上下少なくとも一方の側にベルト搬送を有
し、かつ処理時のラインスピード（ＳＬＳ）が１５ｍｍ
／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ以下で、待機時のライン
スピード（ＴＬＳ）との比ＴＬＳ／ＳＬＳが、０．０１
≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．７５であることを特徴とする熱
現像感光材料の処理方法。

【００１３】〔４〕 支持体上に有機銀粒子、感光性ハ
ロゲン化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像
感光材料を処理する熱現像機の熱現像部またはプレヒー
ト部の少なくともいずれかが、各プロセスの入口と出口
を除き、搬送は下側のベルト搬送のみで上側にはローラ
ーがなく、上部熱源からベルト上面までの距離が１０ｍ
ｍ以上５０ｍｍ以下であり、かつ処理時のラインスピー
ド（ＳＬＳ）が１５ｍｍ／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ
以下で、待機時のラインスピード（ＴＬＳ）との比ＴＬ
Ｓ／ＳＬＳが、０．０１≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．７５で
あることを特徴とする熱現像感光材料の処理方法。

【００１４】〔５〕 支持体上に有機銀粒子、感光性ハ
ロゲン化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像
感光材料を処理する熱現像機において、ローラー内部に
熱源を有する直径が１５ｃｍ以上３０ｃｍ以下のヒート
ローラーを有し、該ヒートローラーの外周に接する搬送
ローラーにおいて搬送ローラー間の最短距離が１ｍｍ以
上２０ｍｍ以内であり、かつ処理時のラインスピード
（ＳＬＳ）が１５ｍｍ／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ以
下で、待機時のラインスピード（ＴＬＳ）との比ＴＬＳ
／ＳＬＳが、０．０１≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．７５であ
ることを特徴とする熱現像機。

【００１５】〔６〕 支持体上に有機銀粒子、感光性ハ
ロゲン化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像
感光材料を処理する熱現像機において、熱現像部及びプ
レヒート部のローラーの直径が２０ｍｍ以上３０ｍｍ以
下であり、該ローラー本数が全部で１９本以上３８本以
下であり、上側に配置されたローラー間の最短距離が１
ｍｍ以上２０ｍｍ以内であり、下側に配置されたローラ
ー間の最短距離が１ｍｍ以上２０ｍｍ以内であり、かつ
処理時のラインスピード（ＳＣＳ）が１５ｍｍ／ｓｅｃ
以上４５ｍｍ／ｓｅｃ以下で、待機時のラインスピード
（ＴＣＳ）との比ＴＣＳ／ＳＣＳが、０．０１≦ＴＣＳ
／ＳＣＳ≦０．７５であることを特徴とする熱現像機。

【００１６】〔７〕 支持体上に有機銀粒子、感光性ハ
ロゲン化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像
感光材料を処理する熱現像機の熱現像部及びまたはプレ
ヒート部において、上下少なくとも一方の側にベルト搬
送を有し、かつ処理時のラインスピード（ＳＬＳ）が１
５ｍｍ／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ以下で、待機時の
ラインスピード（ＴＬＳ）との比ＴＬＳ／ＳＬＳが、
０．０１≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．７５であることを特徴
とする熱現像機。

【００１７】〔８〕 支持体上に有機銀粒子、感光性ハ
ロゲン化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像
感光材料を処理する熱現像機の熱現像部またはプレヒー
ト部の少なくともいずれかにおいて、各プロセスの入口
と出口を除き、搬送は下側のベルト搬送のみで上側には
ローラーがなく、上部熱源からベルト上面までの距離が
１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下であり、かつ処理時のライン
スピード（ＳＬＳ）が１５ｍｍ／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／
ｓｅｃ以下で、待機時のラインスピード（ＴＬＳ）との
比ＴＬＳ／ＳＬＳが、０．０１≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．
７５であることを特徴とする熱現像機。

【００１８】上記における〔１〕及び〔５〕は、ヒート
ローラーを用いて熱現像するケースにおいての対応法に
関する発明である（図１参照）。

【００１９】例えば新聞ファクシミリ用のサイズ（紙面
２面分、約６１０ｍｍ×９００ｍｍ）では感光材料のロ
ーラー幅手の長さが６１０ｍｍに当たるため、９００ｍ
ｍがローラーの回転方向の長さとなる。ヒートローラー
の直径が１５ｃｍ未満になると、ヒートローラーが３回
以上感光材料面に接触し、ヒートローラーが感光材料に
熱を奪われるためローラー温度が下がり、３回転目では
現像が充分行われない。そのため感光材料後端で画像濃
度低下が起き好ましくない。

【００２０】ヒートローラーの直径が３０ｃｍより大き
くなると表面積が大きくなり、温度制御が困難となるこ
とと、製作のコストアップにもつながり好ましくない。
又、ラインスピード比（ＴＬＳ／ＳＬＳ）が０．０１未
満になると、待機時のスピードは非常にゆっくりとな
り、静止に近い状態となる。このような場合は、待機時
にローラー表面に汚れが付着する傾向があり、これが起
こると現像時にローラーの円周長さ毎の汚れが感光材料
に付着する。しかし、ラインスピード比が０．７５より
大きい場合は、対流が大きく現像後の感光材料の濃度が
安定しない。

【００２１】尚、ローラー間の距離は小さい方が好まし
いが１ｍｍ未満では組立時の精度が要求され、製作の効
率が悪くコストアップが大きい。

【００２２】〔２〕及び〔６〕は、コンベンショナルで
は一般的な、ちどり状や対向ローラーのケースの対処方
法である（図２参照）。

【００２３】ちどり状や対向ローラーの場合は、本数を
増やし１９本以上のローラーで搬送する。感光材料に接
触する本数を増やすことで濃度を安定にする。多くのロ
ーラーに接触することで現像ばらつきは少なくなる。こ
のケースにおいては、ローラーは多い方が良いが、装置
が大きくなることと、製作工数増加やコストアップを考
慮すると３８本以下とする必要がある。

【００２４】尚、この項における発明においては、ロー
ラー間にベルトコンベアを有してもよく、上記のローラ
ーにはベルトコンベア方式に使用しているローラーも含
む。

【００２５】ローラー直径は２０ｍｍ未満になるとたわ
みが大きくなり搬送性が悪くなり、又、両サイドは感光
材料に強く接し、中央部が弱く接するため現像ムラが大
きくなる。

【００２６】〔３〕及び〔７〕は、ベルト搬送を用いた
ケースにおける解決策を提供するものである。ベルト搬
送にすることにより空間を少なくし、対流をなくして濃
度を安定にすることができる（図３参照）。

【００２７】〔４〕及び〔８〕は、ローラーに接触させ
ず輻射熱で熱現像する方式に関しての解決策を提供する
ものである（図４参照）。

【００２８】熱源から感光体までの隙間を小さくししか
も均一にすることにより均一現像を達成する方法を提供
している。

【００２９】本発明の構成と関連技術につきさらに述べ
る。

【００３０】熱現像部の温度は９５℃以上１５０℃以下
が好ましく、１００℃以上１３０℃以下がより好まし
い。この範囲外では現像が起こりにくいか、或いはカブ
リが大きくなりすぎて実用上好ましくない可能性があ
る。

【００３１】本発明の熱現像感光材料は硬調化剤を含有
し、硬調化剤としてはヒドラジン誘導体、下記一般式
（Ｇ）で表される化合物および下記一般式（Ｐ）で表さ
れる４級オニウム化合物が挙げられる。

【００３２】

【化１】

【００３３】一般式（Ｇ）において、ＸとＲはシスの形
で表示してあるが、ＸとＲがトランスの形も一般式
（Ｇ）に含まれる。この事は具体的化合物の構造表示に
おいても同様である。

【００３４】ヒドラジン誘導体としては、下記一般式
〔Ｈ〕で表される化合物が挙げられる。

【００３５】

【化２】

【００３６】式中、Ａ₀はそれぞれ置換基を有してもよ
い脂肪族基、芳香族基、複素環基又は−Ｇ₀−Ｄ₀基を、
Ｂ₀はブロッキング基を表し、Ａ₁、Ａ₂はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基、スルホニル
基又はオキザリル基を表す。ここで、Ｇ₀は−ＣＯ−
基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝ＮＧ₁Ｄ₁）
−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ（Ｏ）（Ｇ₁Ｄ
₁）−基を表し、Ｇ₁は単なる結合手、−Ｏ−基、−Ｓ−
基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、Ｄ₁は脂肪族基、芳香族
基、複素環基又は水素原子を表し、分子内に複数のＤ₁
が存在する場合、それらは同じであっても異なってもよ
い。Ｄ₀は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基、
アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基を表す。好ましいＤ₀としては
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基等が挙
げられる。

【００３７】一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀で表される脂
肪族基は好ましくは炭素数１〜３０のものであり、特に
炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基が好
ましく、例えばメチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、オ
クチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基が挙げられ、
これらは更に適当な置換基（例えば、アリール基、アル
コキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリー
ルチオ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、スルファ
モイル基、アシルアミノ基、ウレイド基等）で置換され
ていてもよい。

【００３８】一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀で表される芳
香族基は、単環又は縮合環のアリール基が好ましく、例
えばベンゼン環又はナフタレン環が挙げられ、Ａ₀で表
される複素環基としては、単環又は縮合環で窒素、硫
黄、酸素原子から選ばれる少なくとも一つのヘテロ原子
を含む複素環が好ましく、例えばピロリジン環、イミダ
ゾール環、テトラヒドロフラン環、モルホリン環、ピリ
ジン環、ピリミジン環、キノリン環、チアゾール環、ベ
ンゾチアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げられ
る。Ａ₀の芳香族基、複素環基及び−Ｇ₀−Ｄ₀基は置換
基を有していてもよい。Ａ₀として、特に好ましいもの
はアリール基及び−Ｇ₀−Ｄ₀基である。

【００３９】又、一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀は耐拡散
基又はハロゲン化銀吸着基を少なくとも一つ含むことが
好ましい。耐拡散基としては、カプラー等の不動性写真
用添加剤にて常用されるバラスト基が好ましく、バラス
ト基としては、写真的に不活性であるアルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、フェニル基、
フェノキシ基、アルキルフェノキシ基等が挙げられ、置
換基部分の炭素数の合計は８以上であることが好まし
い。

【００４０】一般式〔Ｈ〕において、ハロゲン化銀吸着
促進基としては、チオ尿素、チオウレタン基、メルカプ
ト基、チオエーテル基、チオン基、複素環基、チオアミ
ド複素環基、メルカプト複素環基或いは特開昭６４−９
０４３９号に記載の吸着基等が挙げられる。

【００４１】一般式〔Ｈ〕において、Ｂ₀はブロッキン
グ基を表し、好ましくは−Ｇ₀−Ｄ₀基であり、Ｇ₀は−
ＣＯ−基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝ＮＧ
₁Ｄ₁）−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ（Ｏ）
（Ｇ₁Ｄ₁）−基を表す。好ましいＧ₀としては−ＣＯ−
基、−ＣＯＣＯ−基が挙げられ、Ｇ₁は単なる結合手、
−Ｏ−基、−Ｓ−基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、Ｄ₁は
脂肪族基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表し、分
子内に複数のＤ₁が存在する場合、それらは同じであっ
ても異なってもよい。Ｄ₀は水素原子、脂肪族基、芳香
族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表し、好ま
しいＤ₀としては水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基等が挙げられる。Ａ₁、Ａ₂はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基（アセチル
基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基等）、スル
ホニル基（メタンスルホニル基、トルエンスルホニル基
等）、又はオキザリル基（エトキザリル基等）を表す。

【００４２】次に一般式〔Ｈ〕で表される化合物の具体
例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

【００４３】

【化３】

【００４４】

【化４】

【００４５】

【化５】

【００４６】

【化６】

【００４７】

【化７】

【００４８】

【化８】

【００４９】

【化９】

【００５０】更に好ましいヒドラジン誘導体は、下記一
般式（Ｈ−１）、（Ｈ−２）、（Ｈ−３）、（Ｈ−４）
で表される。

【００５１】

【化１０】

【００５２】一般式（Ｈ−１）において、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及
びＲ₁₃はそれぞれ独立に置換もしくは無置換のアリール
基またはヘテロアリール基を表すが、アリール基として
具体的には、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナ
フチルなどが挙げられる。ヘテロアリール基として具体
的には、例えばトリアゾール残基、イミダゾール残基、
ピリジン残基、フラン残基、チオフェン残基などがあげ
られる。また、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃はそれぞれ任意の連
結基を介して結合しても良い。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃が置
換基を有する場合、その置換基としては例えばアルキル
基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環
基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピ
リジニオ基）、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレン
オキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含
む基を含む）、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ア
シル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカル
ボニル基、カルバモイル基、ウレタン基、カルボキシル
基、イミド基、アミノ基、カルボンアミド基、スルホン
アミド基、ウレイド基、チオウレイド基、スルファモイ
ルアミノ基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド
基、ヒドラジノ基、４級のアンモニオ基、（アルキル、
アリール、またはヘテロ環）チオ基、メルカプト基、
（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキル
またはアリール）スルフィニル基、スルホ基、スルファ
モイル基、アシルスルファモイル基、（アルキルもしく
はアリール）スルホニルウレイド基、（アルキルもしく
はアリール）スルホニルカルバモイル基、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基、リン酸アミド基などが挙げら
れる。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃として好ましくはいずれもが
置換もしくは無置換のフェニル基であり、より好ましく
はＲ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃のいずれもが無置換のフェニル基
である。

【００５３】Ｒ₁₄はヘテロアリールオキシ基、ヘテロア
リールチオ基を表すが、ヘテロアリールオキシ基として
具体的には、ピリジルオキシ基、ピリミジルオキシ基、
インドリルオキシ基、ベンゾチアゾリルオキシ基、ベン
ズイミダゾリルオキシ基、フリルオキシ基、チエニルオ
キシ基、ピラゾリルオキシ基、イミダゾリルオキシ基等
が挙げられる。ヘテロアリールチオ基として具体的には
ピリジルチオ基、ピリミジルチオ基、インドリルチオ
基、ベンゾチアゾリルチオ基、ベンズイミダゾリルチオ
基、フリルチオ基、チエニルチオ基、ピラゾリルチオ
基、イミダゾリルチオ基等が挙げられる。Ｒ₁₄として好
ましくはピリジルオキシ基、チエニルオキシ基である。

【００５４】Ａ₁、Ａ₂は、ともに水素原子、又は一方が
水素原子で他方はアシル基（アセチル、トリフルオロア
セチル、ベンゾイル等）、スルホニル基（メタンスルホ
ニル、トルエンスルホニル等）、又はオキザリル基（エ
トキザリル等）を表す。好ましくはＡ₁、Ａ₂ともに水素
原子の場合である。

【００５５】一般式（Ｈ−２）において、Ｒ₂₁は置換も
しくは無置換のアルキル基、アリール基またはヘテロア
リール基を表すが、アルキル基として具体的には、メチ
ル基、エチル基、ｔ−ブチル基、２−オクチル基、シク
ロヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙
げられる。アリール基及びヘテロアリール基として具体
的には、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃と同様のものが挙げられ
る。また、Ｒ₂₁が置換基を有する場合の置換基の具体的
な例としては、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃の置換基と同様のも
のが挙げられる。Ｒ₂₁として好ましくはアリール基また
はヘテロアリール基であり、特に好ましくは置換もしく
は無置換のフェニル基である。

【００５６】Ｒ₂₂は水素、アルキルアミノ基、アリール
アミノ基、ヘテロアリールアミノ基を表すが、アルキル
アミノ基として具体的には、メチルアミノ基、エチルア
ミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチル
アミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基等
が挙げられる。アリールアミノ基としてはアニリノ基、
ヘテロアリール基としてはチアゾリルアミノ基、ベンズ
イミダゾリルアミノ基、ベンズチアゾリルアミノ基等が
挙げられる。Ｒ₂₂として好ましくはジメチルアミノ基ま
たはジエチルアミノ基である。

【００５７】Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）で記載したＡ
₁、Ａ₂と同様である。

【００５８】一般式（Ｈ−３）において、Ｒ₃₁、Ｒ₃₂は
一価の置換基を表すが、一価の置換基としては、Ｒ₁₁、
Ｒ₁₂及びＲ₁₃の置換基として挙げられた、基が挙げられ
るが、好ましくは、アルキル基、アリール基、ヘテロア
リール基、アルコキシ基、アミノ基が挙げられる。更に
好ましくはアリール基またはアルコキシ基である。特に
好ましいのは、Ｒ₃₁とＲ₃₂の少なくとも一つがｔｅｒｔ
−ブトキシ基であるものであり、別の好ましい構造は、
Ｒ₃₁がフェニル基のとき、Ｒ₃₂がｔｅｒｔ−ブトキシ基
である。

【００５９】Ｇ₃₁、Ｇ₃₂は−（ＣＯ）ｐ−基、−Ｃ（＝
Ｓ）−、スルホニル基、スルホキシ基、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ
₃₃−基又はイミノメチレン基を表し、ｐは１又は２の整
数を表し、Ｒ₃₃はアルキル基、アルケニル基、アルキニ
ル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキシ
基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、アミノ基
を表す。但し、Ｇ₃₁がスルホニル基のとき、Ｇ₃₂はカル
ボニル基ではない。Ｇ₃₁、Ｇ₃₂として好ましくは−ＣＯ
−基、−ＣＯＣＯ−基、スルホニル基または−ＣＳ−で
あり、より好ましくは互いに−ＣＯ−基または互いにス
ルホニル基である。

【００６０】Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）で記載したＡ
₁、Ａ₂と同様である。

【００６１】一般式（Ｈ−４）において、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂お
よびＲ₄₃は一般式（Ｈ−１）におけるＲ₁₁、Ｒ₁₂および
Ｒ₁₃と同義である。Ｒ₄₁、Ｒ₄₂およびＲ₄₃として好まし
くはいずれもが置換もしくは無置換のフェニル基であ
り、より好ましくはＲ₄₁、Ｒ₄₂及びＲ₄₃のいずれもが無
置換のフェニル基である。Ｒ₄₄、Ｒ₄₅は無置換または置
換アルキル基を表すが、具体的な例としては、メチル
基、エチル基、ｔ−ブチル基、２−オクチル基、シクロ
ヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙げ
られる。Ｒ₄₄、Ｒ₄₅として好ましくは互いにエチル基で
ある。

【００６２】Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）で記載したＡ
₁、Ａ₂と同様である。

【００６３】以下に本発明の一般式（Ｈ−１）〜（Ｈ−
４）で表される化合物の具体例を挙げるが本発明はこれ
らに限定されるものではない。

【００６４】

【化１１】

【００６５】

【化１２】

【００６６】

【化１３】

【００６７】

【化１４】

【００６８】

【化１５】

【００６９】

【化１６】

【００７０】

【化１７】

【００７１】これら本発明の一般式（Ｈ−１）〜（Ｈ−
４）で表される化合物は、公知の方法により容易に合成
することができる。例えば米国特許第５，４６４，７３
８号または米国特許第５，４９６，６９５号を参考にし
て合成することができる。

【００７２】その他に好ましく用いることのできるヒド
ラジン誘導体は、米国特許第５，５４５，５０５号カラ
ム１１〜２０に記載の化合物Ｈ−１〜Ｈ−２９、米国特
許第５，４６４，７３８号カラム９〜１１に記載の化合
物１〜１２である。これらのヒドラジン誘導体は公知の
方法で合成することができる。

【００７３】一般式（Ｇ）において、Ｘは電子吸引性基
を表し、Ｗは水素原子、アルキル基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、
アシル基、チオアシル基、オキサリル基、オキシオキサ
リル基、チオオキサリル基、オキサモイル基、オキシカ
ルボニル基、チオカルボニル基、カルバモイル基、チオ
カルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、オキ
シスルフィニル基、チオスルフィニル基、スルファモイ
ル基、オキシスルフィニル基、チオスルフィニル基、ス
ルフィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ
基、Ｎ−カルボニルイミノ基、Ｎ−スルホニルイミノ
基、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、スルホニウ
ム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、インモニウム基
を表す。

【００７４】Ｒはハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル
オキシ基、アミノカルボニルオキシ基、メルカプト基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、ア
ルケニルチオ基、アシルチオ基、アルコキシカルボニル
チオ基、アミノカルボニルチオ基、ヒドロキシ基又はメ
ルカプト基の有機又は無機の塩（例えば、ナトリウム
塩、カリウム塩、銀塩等）、アミノ基、アルキルアミノ
基、環状アミノ基（例えば、ピロリジノ基）、アシルア
ミノ基、オキシカルボニルアミノ基、ヘテロ環基（５〜
６員の含窒素ヘテロ環、例えばベンツトリアゾリル基、
イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基
等）、ウレイド基、スルホンアミド基を表す。ＸとＷ、
ＸとＲは、それぞれ互いに結合して環状構造を形成して
もよい。ＸとＷが形成する環としては、例えばピラゾロ
ン、ピラゾリジノン、シクロペンタンジオン、β−ケト
ラクトン、β−ケトラクタム等が挙げられる。

【００７５】一般式（Ｇ）について更に説明すると、Ｘ
の表す電子吸引性基とは、置換基定数σｐが正の値をと
りうる置換基のことである。具体的には、置換アルキル
基（ハロゲン置換アルキル等）、置換アルケニル基（シ
アノビニル等）、置換・未置換のアルキニル基（トリフ
ルオロメチルアセチレニル、シアノアセチレニル等）、
置換アリール基（シアノフェニル等）、置換・未置換の
ヘテロ環基（ピリジル、トリアジニル、ベンゾオキサゾ
リル等）、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基（アセチ
ル、トリフルオロアセチル、ホルミル等）、チオアセチ
ル基（チオアセチル、チオホルミル等）、オキサリル基
（メチルオキサリル等）、オキシオキサリル基（エトキ
サリル等）、チオオキサリル基（エチルチオオキサリル
等）、オキサモイル基（メチルオキサモイル等）、オキ
シカルボニル基（エトキシカルボニル等）、カルボキシ
ル基、チオカルボニル基（エチルチオカルボニル等）、
カルバモイル基、チオカルバモイル基、スルホニル基、
スルフィニル基、オキシスルホニル基（エトキシスルホ
ニル等）、チオスルホニル基（エチルチオスルホニル
等）、スルファモイル基、オキシスルフィニル基（メト
キシスルフィニル等）、チオスルフィニル基（メチルチ
オスルフィニル等）、スルフィナモイル基、スフィナモ
イル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ基、Ｎ−カル
ボニルイミノ基（Ｎ−アセチルイミノ等）、Ｎ−スルホ
ニルイミノ基（Ｎ−メタンスルホニルイミノ等）、ジシ
アノエチレン基、アンモニウム基、スルホニウム基、ホ
スホニウム基、ピリリウム基、インモニウム基が挙げら
れるが、アンモニウム基、スルホニウム基、ホスホニウ
ム基、インモニウム基等が環を形成したヘテロ環状のも
のも含まれる。σｐ値として０．３０以上の置換基が特
に好ましい。

【００７６】Ｗとして表されるアルキル基としてはメチ
ル、エチル、トリフルオロメチル等が、アルケニル基と
してはビニル、ハロゲン置換ビニル、シアノビニル等
が、アルキニル基としてはアセチレニル、シアノアセチ
レニル等が、アリール基としてはニトロフェニル、シア
ノフェニル、ペンタフルオロフェニル等が、ヘテロ環基
としてはピリジル、ピリミジル、トリアジニル、スクシ
ンイミド、テトラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリ
ル、ベンゾオキサゾリル等が挙げられる。Ｗとしてはσ
ｐ値が正の電子吸引性基が好ましく、更にはその値が
０．３０以上のものが好ましい。

【００７７】上記Ｒの置換基の内、好ましくはヒドロキ
シ基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、
ハロゲン原子、ヒドロキシ基又はメルカプト基の有機又
は無機の塩、ヘテロ環基が挙げられ、更に好ましくはヒ
ドロキシ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基又はメルカプ
ト基の有機又は無機の塩、ヘテロ環基が挙げられ、特に
好ましくはヒドロキシ基、ヒドロキシ基又はメルカプト
基の有機又は無機の塩が挙げられる。

【００７８】また上記Ｘ及びＷの置換基の内、置換基中
にチオエーテル結合を有するものが好ましい。

【００７９】次に一般式（Ｇ）で表される化合物の具体
例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

【００８０】

【化１８】

【００８１】

【化１９】

【００８２】

【化２０】

【００８３】

【化２１】

【００８４】

【化２２】

【００８５】

【化２３】

【００８６】

【化２４】

【００８７】

【化２５】

【００８８】

【化２６】

【００８９】

【化２７】

【００９０】

【化２８】

【００９１】

【化２９】

【００９２】

【化３０】

【００９３】

【化３１】

【００９４】

【化３２】

【００９５】

【化３３】

【００９６】

【化３４】

【００９７】

【化３５】

【００９８】

【化３６】

【００９９】

【化３７】

【０１００】

【化３８】

【０１０１】

【化３９】

【０１０２】

【化４０】

【０１０３】

【化４１】

【０１０４】一般式（Ｐ）において、Ｑは窒素原子又は
燐原子を表し、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は各々、水素原子
又は置換基を表し、Ｘ^-はアニオンを表す。尚、Ｒ₁〜Ｒ
₄は互いに連結して環を形成してもよい。

【０１０５】Ｒ₁〜Ｒ₄で表される置換基としては、アル
キル基（メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ヘキシル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（ア
リル基、ブテニル基等）、アルキニル基（プロパルギル
基、ブチニル基等）、アリール基（フェニル基、ナフチ
ル基等）、複素環基（ピペリジニル基、ピペラジニル
基、モルホリニル基、ピリジル基、フリル基、チエニル
基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロチエニル基、
スルホラニル基等）、アミノ基等が挙げられる。

【０１０６】Ｒ₁〜Ｒ₄が互いに連結して形成しうる環と
しては、ピペリジン環、モルホリン環、ピペラジン環、
キヌクリジン環、ピリジン環、ピロール環、イミダゾー
ル環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられ
る。

【０１０７】Ｒ₁〜Ｒ₄で表される基はヒドロキシル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基、ス
ルホ基、アルキル基、アリール基等の置換基を有しても
よい。

【０１０８】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄としては、水素原子
及びアルキル基が好ましい。

【０１０９】Ｘ^-が表すアニオンとしては、ハロゲンイ
オン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、ｐ−トル
エンスルホン酸イオン等の無機及び有機のアニオンが挙
げられる。

【０１１０】更に好ましくは下記一般式（Ｐａ）、（Ｐ
ｂ）又は（Ｐｃ）で表される化合物、及び下記一般式
〔Ｔ〕で表される化合物である。

【０１１１】

【化４２】

【０１１２】式中、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ⁵は、含
窒素複素環を完成させるための非金属原子群を表し、酸
素原子、窒素原子、硫黄原子を含んでもよく、ベンゼン
環が縮合しても構わない。Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ⁵
で構成される複素環は置換基を有してもよく、それぞれ
同一でも異なっていてもよい。置換基としては、アルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、ハロゲン原子、アシル基、アルコキシカルボ
ニル基、アリールオキシカルボニル基、スルホ基、カル
ボキシ基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アミド基、スルファモイル基、カルバモイル基、
ウレイド基、アミノ基、スルホンアミド基、スルホニル
基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、アルキルチオ
基、アリールチオ基を表す。Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ
⁵の好ましい例としては、５〜６員環（ピリジン、イミ
ダゾール、チオゾール、オキサゾール、ピラジン、ピリ
ミジン等の各環）を挙げることができ、更に好ましい例
として、ピリジン環が挙げられる。

【０１１３】Ｂ_Pは２価の連結基を表し、ｍは０又は１
を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アリー
レン基、アルケニレン基、−ＳＯ₂−、−ＳＯ−、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ⁶）−（Ｒ⁶はアルキル
基、アリール基、水素原子を表す）を単独又は組み合わ
せて構成されるものを表す。Ｂ_pとして好ましくは、ア
ルキレン基、アルケニレン基を挙げることができる。

【０１１４】Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁵は各々、炭素数１〜２０
のアルキル基を表す。又、Ｒ¹及びＲ²は同一でも異って
いてもよい。アルキル基とは、置換或いは無置換のアル
キル基を表し、置換基としては、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及
びＡ⁵の置換基として挙げた置換基と同様である。

【０１１５】Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁵の好ましい例としては、
それぞれ炭素数４〜１０のアルキル基である。更に好ま
しい例としては、置換或いは無置換のアリール置換アル
キル基が挙げられる。

【０１１６】Ｘ_p ^-は分子全体の電荷を均衡させるのに必
要な対イオンを表し、例えば塩素イオン、臭素イオン、
沃素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、ｐ−トルエンス
ルホナート、オキザラート等を表す。ｎ_pは分子全体の
電荷を均衡さすに必要な対イオンの数を表し、分子内塩
の場合にはｎ_pは０である。

【０１１７】

【化４３】

【０１１８】上記一般式〔Ｔ〕で表されるトリフェニル
テトラゾリウム化合物のフェニル基の置換基Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇は、水素原子もしくは電子吸引性度を示すハメット
のシグマ値（σＰ）が負のものが好ましい。

【０１１９】フェニル基におけるハメットのシグマ値は
多くの文献、例えばジャーナル・オブ・メディカルケミ
ストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍｅｄｉｃａｌ Ｃ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ）２０巻、３０４頁、１９７７年に記
載のＣ．ハンシュ（Ｃ．Ｈａｎｓｃｈ）等の報文等に見
ることが出来、特に好ましい負のシグマ値を有する基と
しては、例えばメチル基（σＰ＝−０．１７以下何れも
σＰ値）、エチル基（−０．１５）、シクロプロピル基
（−０．２１）、ｎ−プロピル基（−０．１３）、ｉｓ
ｏ−プロピル基（−０．１５）、シクロブチル基（−
０．１５）、ｎ−ブチル基（−０．１６）、ｉｓｏ−ブ
チル基（−０．２０）、ｎ−ペンチル基（−０．１
５）、シクロヘキシル基（−０．２２）、アミノ基（−
０．６６）、アセチルアミノ基（−０．１５）、ヒドロ
キシ基（−０．３７）、メトキシ基（−０．２７）、エ
トキシ基（−０．２４）、プロポキシ基（−０．２
５）、ブトキシ基（−０．３２）、ペントキシ基（−
０．３４）等が挙げられ、これらは何れも一般式〔Ｔ〕
の化合物の置換基として有用である。

【０１２０】ｎは１或いは２を表し、Ｘ_T ^n-で表される
アニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン等のハロゲンイオン、硝酸、硫酸、
過塩素酸等の無機酸の酸根、スルホン酸、カルボン酸等
の有機酸の酸根、アニオン系の活性剤、具体的にはｐ−
トルエンスルホン酸アニオン等の低級アルキルベンゼン
スルホン酸アニオン、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸
アニオン等の高級アルキルベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ラウリルスルフェートアニオン等の高級アルキル硫
酸エステルアニオン、テトラフェニルボロン等の硼酸系
アニオン、ジ−２−エチルヘキシルスルホサクシネート
アニオン等のジアルキルスルホサクシネートアニオン、
セチルポリエテノキシサルフェートアニオン等の高級脂
肪酸アニオン、ポリアクリル酸アニオン等のポリマーに
酸根のついたもの等を挙げることができる。

【０１２１】以下、４級オニウム化合物の具体例を下記
に挙げるが、これらに限定されるものではない。

【０１２２】

【化４４】

【０１２３】

【化４５】

【０１２４】

【化４６】

【０１２５】

【化４７】

【０１２６】

【化４８】

【０１２７】

【化４９】

【０１２８】

【化５０】

【０１２９】

【化５１】

【０１３０】

【化５２】

【０１３１】

【化５３】

【０１３２】上記４級オニウム化合物は公知の方法に従
って容易に合成でき、例えば上記テトラゾリウム化合物
はＣｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ Ｖｏｌ．５５
ｐ．３３５〜４８３に記載の方法を参考にできる。

【０１３３】これら４級オニウム化合物の添加量は、ハ
ロゲン化銀１モル当たり１×１０^-8〜１モル程度、好ま
しくは１×１０^-7〜１×１０^-1モルである。これらはハ
ロゲン化銀粒子形成時から塗布までの任意の時期に感光
材料中に添加できる。

【０１３４】本発明の硬調化剤は、単独で用いても２種
以上を適宜併用して用いてもよい。また感光材料の構成
層中のいかなる層に添加してもよいが、好ましくは感光
層を有する側の構成層の少なくとも１層、更には感光層
及び／又はその隣接層に添加する。

【０１３５】本発明において有機銀塩は還元可能な銀源
であり、還元可能な銀イオン源を含有する有機酸及びヘ
テロ有機酸の銀塩、特に長鎖（１０〜３０、好ましくは
１５〜２５の炭素原子数）の脂肪族カルボン酸及び含窒
素複素環が好ましい。配位子が、４．０〜１０．０の銀
イオンに対する総安定定数を有する有機又は無機の銀塩
錯体も有用である。好適な銀塩の例は、ＲＤ１７０２９
及び２９９６３に記載されており、次のものがある：有
機酸の塩（例えば、没食子酸、シュウ酸、ベヘン酸、ア
ラキジン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ラウリン酸
等の塩）；銀のカルボキシアルキルチオ尿素塩（例え
ば、１−（３−カルボキシプロピル）チオ尿素、１−
（３−カルボキシプロピル）−３，３−ジメチルチオ尿
素等）；アルデヒドとヒドロキシ置換芳香族カルボン酸
とのポリマー反応生成物の銀錯体（例えば、アルデヒド
類（ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ブチルアル
デヒド等）、ヒドロキシ置換酸類（例えば、サリチル
酸、安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、５，５
−チオジサリチル酸）、チオン類の銀塩又は錯体（例え
ば、３−（２−カルボキシエチル）−４−ヒドロキシメ
チル−４−（チアゾリン−２−チオン、及び３−カルボ
キシメチル−４−チアゾリン−２−チオン）、イミダゾ
ール、ピラゾール、ウラゾール、１，２，４−チアゾー
ル及び１Ｈ−テトラゾール、３−アミノ−５−ベンジル
チオ−１，２，４−トリアゾール及びベンゾトリアゾー
ルから選択される窒素酸と銀との錯体または塩；サッカ
リン、５−クロロサリチルアルドキシム等の銀塩；及び
メルカプチド類の銀塩。好ましい銀源はベヘン酸銀、ア
ラキジン酸銀および／またはステアリン酸銀である。

【０１３６】有機銀塩化合物は、水溶性銀化合物と銀と
錯形成する化合物を混合することにより得られるが、正
混合法、逆混合法、同時混合法、特開平９−１２７６４
３号に記載されている様なコントロールドダブルジェッ
ト法等が好ましく用いられる。例えば、有機酸にアルカ
リ金属塩（例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム
など）を加えて有機酸アルカリ金属塩ソープ（例えば、
ベヘン酸ナトリウム、アラキジン酸ナトリウムなど）を
作製した後に、コントロールドダブルジェットにより、
前記ソープと硝酸銀などを添加して有機銀塩の結晶を作
製する。その際にハロゲン化銀粒子を混在させてもよ
い。

【０１３７】本発明におけるハロゲン化銀粒子は光セン
サーとして機能するものである。

【０１３８】ハロゲン化銀は上記有機銀塩分散液を調製
した後、これに、例えば臭化ナトリウムや臭化アンモニ
ウム等のハライド成分を加えコンバージョンにより有機
銀塩の一部をハロゲン化銀にかえ調製してもよいが、通
常のハロゲン化銀乳剤調製技術を用いて別途調製するの
がハロゲン化銀のサイズや形状等をコントロール出来る
ので好ましい。但し、これらの方法を組み合わせる事も
できる。

【０１３９】本発明において、調製したハロゲン化銀は
画像形成後の白濁を低く抑えるため、及び良好な画質を
得るために平均粒子サイズが小さい方が好ましく、平均
粒子サイズが０．１μｍ以下、より好ましくは０．０１
μｍ〜０．１μｍ、特に０．０２μｍ〜０．０８μｍが
好ましい。ここでいう粒子サイズとは、ハロゲン化銀粒
子が立方体或いは八面体のいわゆる正常晶である場合に
は、ハロゲン化銀粒子の稜の長さをいう。又、正常晶で
ない場合、例えば球状、棒状、或いは平板状の粒子の場
合には、ハロゲン化銀粒子の体積と同等な球を考えたと
きの直径をいう。またハロゲン化銀は単分散であること
が好ましい。ここでいう単分散とは、下記式で求められ
る単分散度が４０％以下をいう。更に好ましくは３０％
以下であり、特に好ましくは０．１％以上２０％以下と
なる粒子である。

【０１４０】単分散度＝（粒径の標準偏差）／（粒径の
平均値）×１００ 本発明においては、ハロゲン化銀粒子が平均粒径０．１
μｍ以下でかつ単分散粒子であることがより好ましく、
この範囲にすることで画像の粒状性も向上する。

【０１４１】ハロゲン化銀粒子の形状については、特に
制限はないが、ミラー指数〔１００〕面の占める割合が
高いことが好ましく、この割合が５０％以上、更には７
０％以上、特に８０％以上であることが好ましい。ミラ
ー指数〔１００〕面の比率は増感色素の吸着における
〔１１１〕面と〔１００〕面との吸着依存性を利用した
Ｔ．Ｔａｎｉ，Ｊ．Ｉｍａｇｉｎｇ Ｓｃｉ．，２９，
１６５（１９８５）により求めることができる。

【０１４２】またもう一つの好ましいハロゲン化銀の形
状は、平板粒子である。ここでいう平板粒子とは、投影
面積の平方根を粒径ｒμｍとして垂直方向の厚みをｈμ
ｍとした場合のアスペクト比＝ｒ／ｈが３以上のものを
いう。その中でも好ましくはアスペクト比が３以上５０
以下である。また粒径は０．１μｍ以下であることが好
ましく、さらに０．０１μｍ〜０．０８μｍが好まし
い。これらは米国特許第５，２６４，３３７号、第５，
３１４，７９８号、第５，３２０，９５８号等に記載さ
れており、容易に目的の平板状粒子を得ることができ
る。本発明においてこれらの平板状粒子を用いた場合、
さらに画像の鮮鋭性も向上する。

【０１４３】ハロゲン組成としては特に制限はなく、塩
化銀、塩臭化銀、塩沃臭化銀、臭化銀、沃臭化銀、沃化
銀のいずれであってもよい。本発明に用いられる写真乳
剤は、Ｐ．Ｇｌａｆｋｉｄｅｓ著Ｃｈｉｍｉｅ ｅｔ
Ｐｈｙｓｉｑｕｅ Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｑｕｅ（Ｐ
ａｕｌ Ｍｏｎｔｅｌ社刊、１９６７年）、Ｇ．Ｆ．Ｄ
ｕｆｆｉｎ著 Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ Ｅｍｕｌｓ
ｉｏｎ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（Ｔｈｅ Ｆｏｃａｌ Ｐ
ｒｅｓｓ刊、１９６６年）、Ｖ．Ｌ．Ｚｅｌｉｋｍａｎ
ｅｔ ａｌ著Ｍａｋｉｎｇ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｎｇ
Ｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ Ｅｍｕｌｓｉｏｎ（Ｔｈ
ｅ Ｆｏｃａｌ Ｐｒｅｓｓ刊、１９６４年）等に記載
された方法を用いて調製することができる。

【０１４４】本発明に用いられるハロゲン化銀には、照
度不軌改良や改良調整のために、元素周期律表の６族か
ら１０族に属する金属のイオン又は錯体イオンを含有す
ることが好ましい。上記の金属としては、Ｗ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕが好ましい。

【０１４５】感光性ハロゲン化銀粒子はヌードル法、フ
ロキュレーション法等、当業界で知られている方法の水
洗により脱塩することができるが本発明においては脱塩
してもしなくてもよい。

【０１４６】本発明における感光性ハロゲン化銀粒子は
化学増感されていることが好ましい。好ましい化学増感
法としては当業界でよく知られているように硫黄増感
法、セレン増感法、テルル増感法、金化合物や白金、パ
ラジウム、イリジウム化合物等の貴金属増感法や還元増
感法を用いることができる。

【０１４７】本発明においては感光材料の失透を防ぐた
めには、ハロゲン化銀及び有機銀塩の総量は、銀量に換
算して１ｍ²当たり０．５ｇ以上２．２ｇ以下であるこ
とが好ましい。この範囲にすることで硬調な画像が得ら
れる。また銀総量に対するハロゲン化銀の量は、重量比
で５０％以下、好ましくは２５％以下、更に好ましくは
０．１％〜１５％の間である。

【０１４８】本発明の熱現像感光材料に用いられる還元
剤としては、一般に知られているものが挙げられ、例え
ば、フェノール類、２個以上のフェノール基を有するポ
リフェノール類、ナフトール類、ビスナフトール類、２
個以上の水酸基を有するポリヒドロキシベンゼン類、２
個以上の水酸基を有するポリヒドロキシナフタレン類、
アスコルビン酸類、３−ピラゾリドン類、ピラゾリン−
５−オン類、ピラゾリン類、フェニレンジアミン類、ヒ
ドロキシルアミン類、ハイドロキノンモノエーテル類、
ヒドロオキサミン酸類、ヒドラジド類、アミドオキシム
類、Ｎ−ヒドロキシ尿素類等があり、さらに詳しくは例
えば、米国特許第３，６１５，５３３号、同第３，６７
９，４２６号、同第３，６７２，９０４号、同第３，７
５１，２５２号、同第３，７８２，９４９号、同第３，
８０１，３２１号、同第３，７９４，４８８号、同第
３，８９３，８６３号、同第３，８８７，３７６号、同
第３，７７０，４４８号、同第３，８１９，３８２号、
同第３，７７３，５１２号、同第３，８３９，０４８
号、同第３，８８７，３７８号、同第４，００９，０３
９号、同第４，０２１，２４０号、英国特許第１，４８
６，１４８号若しくはベルギー特許第７８６，０８６号
各明細書及び特開昭５０−３６１４３号、同５０−３６
１１０号、同５０−１１６０２３号、同５０−９９７１
９号、同５０−１４０１１３号、同５１−５１９３３
号、同５１−２３７２１号、同５２−８４７２７号若し
くは特公昭５１−３５８５１号各公報に具体的に例示さ
れた還元剤があり、本発明はこのような公知の還元剤の
中から適宜選択して使用することが出来る。

【０１４９】上記の還元剤の中で、有機銀塩として脂肪
族カルボン酸銀塩を使用する場合に好ましい還元剤とし
ては、２個以上のフェノール基がアルキレン基又は硫黄
によって連結されたポリフェノール類、特にフェノール
基のヒドロキシ置換位置に隣接した位置の少なくとも一
つにアルキル基（例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等）又はアシル基
（例えばアセチル基、プロピオニル基等）が置換したフ
ェノール基の２個以上がアルキレン基又は硫黄によって
連結されたポリフェノール類、例えば１，１−ビス（２
−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，５，
５−トリメチルヘキサン、１，１−ビス（２−ヒドロキ
シ−３−ｔ−ブチル−５−メチルフェニル）メタン、
１，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチ
ルフェニル）メタン、（２−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチ
ル−５−メチルフェニル）−（２−ヒドロキシ−５−メ
チルフェニル）メタン、６，６′−ベンジリデン−ビス
（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール）、６，６′−ベ
ンジリデン−ビス（２−ｔ−ブチル−４−メチルフェノ
ール）、６，６′−ベンジリデン−ビス（２，４−ジメ
チルフェノール）、１，１−ビス（２−ヒドロキシ−
３，５−ジメチルフェニル）−２−メチルプロパン、
１，１，５，５−テトラキス（２−ヒドロキシ−３，５
−ジメチルフェニル）−２，４−エチルペンタン、２，
２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５
−ジ−ｔ−ブチルフェニル）プロパン等の米国特許第
３，５８９，９０３号、同第４，０２１，２４９号若し
くは英国特許第１，４８６，１４８号各明細書及び特開
昭５１−５１９３３号、同５０−３６１１０号、同５０
−１１６０２３号、同５２−８４７２７号若しくは特公
昭５１−３５７２７号公報に記載されたポリフェノール
化合物、米国特許第３，６７２，９０４号明細書に記載
されたビスナフトール類、例えば、２，２′−ジヒドロ
キシ−１，１′−ビナフチル、６，６′−ジブロモ−
２，２′−ジヒドロキシ−１，１′−ビナフチル、６，
６′−ジニトロ−２，２′−ジヒドロキシ−１，１′−
ビナフチル、ビス（２−ヒドロキシ−１−ナフチル）メ
タン、４，４′−ジメトキシ−１，１′−ジヒドロキシ
−２，２′−ビナフチル等、更に米国特許第３，８０
１，３２１号明細書に記載されているようなスルホンア
ミドフェノール又はスルホンアミドナフトール類、例え
ば、４−ベンゼンスルホンアミドフェノール、２−ベン
ゼンスルホンアミドフェノール、２，６−ジクロロ−４
−ベンゼンスルホンアミドフェノール、４−ベンゼンス
ルホンアミドナフトール等を挙げることが出来る。

【０１５０】本発明の熱現像感光材料に使用される還元
剤の量は、有機銀塩や還元剤の種類、その他の添加剤に
よって変化するが、一般的には有機銀塩１モル当たり
０．０５モル乃至１０モル好ましくは０．１モル乃至３
モルが適当である。又この量の範囲内において、上述し
た還元剤は２種以上併用されてもよい。本発明において
は、前記還元剤を塗布直前に感光溶液に添加混合して塗
布した方が、感光溶液の停滞時間による写真性能変動が
小さく好ましい場合がある。

【０１５１】本発明の熱現像感光材料に好適なバインダ
ーは透明又は半透明で、一般に無色であり、天然ポリマ
ー合成樹脂やポリマー及びコポリマー、その他フィルム
を形成する媒体、例えば：ゼラチン、アラビアゴム、ポ
リ（ビニルアルコール）、ヒドロキシエチルセルロー
ス、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチ
レート、ポリ（ビニルピロリドン）、カゼイン、デンプ
ン、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メチルメタクリル
酸）、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（メタクリル酸）、コ
ポリ（スチレン−無水マレイン酸）、コポリ（スチレン
−アクリロニトリル）、コポリ（スチレン−ブタジエ
ン）、ポリ（ビニルアセタール）類（例えば、ポリ（ビ
ニルホルマール）及びポリ（ビニルブチラール））、ポ
リ（エステル）類、ポリ（ウレタン）類、フェノキシ樹
脂、ポリ（塩化ビニリデン）、ポリ（エポキシド）類、
ポリ（カーボネート）類、ポリ（ビニルアセテート）、
セルロースエステル類、ポリ（アミド）類がある。親水
性でも疎水性でもよいが、本発明においては、熱現像後
のカブリを低減させるために、疎水性透明バインダーを
使用することが好ましい。好ましいバインダーとして
は、ポリビニルブチラール、セルロースアセテート、セ
ルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリアクリル酸、ポリウレタンなどがあげ
られる。その中でもポリビニルブチラール、セルロース
アセテート、セルロースアセテートブチレートは特に好
ましく用いられる。

【０１５２】感光材料の表面を保護したり擦り傷を防止
するために、感光層の外側に非感光層を有することがで
きる。これらの非感光層に用いられるバインダーは感光
層に用いられるバインダーと同じ種類でも異なった種類
でもよい。通常は擦り傷や相の変形等を防止するために
熱現像感光層を構成するバインダーポリマーよりも軟化
点の高いポリマーが用いられセルロースアセテート、セ
ルロースアセテートブチレートがこの目的にかなってい
る。

【０１５３】本発明においては、熱現像の速度を速める
ために感光層のバインダー量が１．５〜１０ｇ／ｍ²で
あることが好ましい。さらに好ましくは１．７〜８ｇ／
ｍ²である。１．５ｇ／ｍ²未満では未露光部の濃度が大
幅に上昇し、使用に耐えない場合がある。

【０１５４】本発明においては、感光層側にマット剤を
含有することが好ましく、熱現像後の画像の傷つき防止
のためには、感光材料の表面にマット剤を配することが
好ましく、そのマット剤を感光層側の全バインダーに対
し、重量比で０．５〜３０％含有することが好ましい。
また、支持体をはさみ感光層の反対側に非感光層を設け
る場合は、非感光層側の少なくとも１層中にマット剤を
含有することが好ましく、感光材料のすべり性や指紋付
着防止のためにも感光材料の表面にマット剤を配するこ
とが好ましく、そのマット剤を感光層側の反対側の層の
全バインダーに対し、重量比で０．５〜４０％含有する
ことが好ましい。

【０１５５】マット剤の形状は、定形、不定形どちらで
も良いが、好ましくは定形で、球形が好ましく用いられ
る。

【０１５６】本発明の熱現像感光材料は支持体上に少な
くとも一層の感光層を有している。支持体の上に感光層
のみを形成しても良いが、感光層の上に少なくとも１層
の非感光層を形成することが好ましい。感光層に通過す
る光の量又は波長分布を制御するために感光層と同じ側
にフィルター染料層および／又は反対側にアンチハレー
ション染料層、いわゆるバッキング層を形成しても良い
し、感光層に染料又は顔料を含ませても良い。

【０１５７】これらの非感光層には前記のバインダーや
マット剤を含有することが好ましく、さらにポリシロキ
サン化合物やワックスや流動パラフィンのようなスベリ
剤を含有してもよい。

【０１５８】また、本発明の熱現像感光材料には、塗布
助剤として各種の界面活性剤が用いられる。その中でも
フッ素系界面活性剤が、帯電特性を改良したり、斑点状
の塗布故障を防ぐために好ましく用いられる。

【０１５９】感光層は複数層にしても良く、また階調の
調節のため感度を高感層／低感層又は低感層／高感層に
しても良い。

【０１６０】本発明に用いられる好適な色調剤の例はＲ
Ｄ１７０２９号に開示されている。

【０１６１】本発明の熱現像材料には現像を抑制あるい
は促進させ現像を制御するため、分光増感効率を向上さ
せるため、現像前後の保存性を向上させるためなどにメ
ルカプト化合物、ジスルフィド化合物、チオン化合物を
含有させることができる。

【０１６２】本発明の熱現像感光材料中にはかぶり防止
剤が含まれて良い。

【０１６３】各種の添加剤は感光層、非感光層、又はそ
の他の形成層のいずれに添加しても良い。本発明の熱現
像感光材料には例えば、界面活性剤、酸化防止剤、安定
化剤、可塑剤、紫外線吸収剤、被覆助剤等を用いても良
い。これらの添加剤及び上述したその他の添加剤はＲＤ
１７０２９（１９７８年６月ｐ．９〜１５）に記載され
ている化合物を好ましく用いることができる。

【０１６４】本発明で用いられる支持体は、現像処理後
に所定の光学濃度を得るため、及び現像処理後の画像の
変形を防ぐためにプラスチックフィルム（例えば、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミ
ド、ナイロン、セルローストリアセテート、ポリエチレ
ンナフタレート）であることが好ましい。

【０１６５】その中でも好ましい支持体としては、ポリ
エチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略す）及びシン
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含むプ
ラスチック（以下ＳＰＳと略す）の支持体が挙げられ
る。特にポリエチレンテレフタレートが好ましい。

【０１６６】また上記プラスチック支持体を熱処理した
ものを用いることもできる。採用するプラスチックとし
ては、前記のプラスチックが挙げられる。支持体の熱処
理とはこれらの支持体を製膜後、感光性層が塗布される
までの間に、支持体のガラス転移点より３０℃以上高い
温度で、好ましくは３５℃以上高い温度で、更に好まし
くは４０℃以上高い温度で加熱することがよい。但し、
支持体の融点を超えた温度で加熱するのは好ましくな
い。これらのうち最も好ましいのは上記条件で熱処理さ
れた即ち熱延伸されたポリエチレンテレフタレートフィ
ルムである。

【０１６７】本発明においては帯電性を改良するために
金属酸化物および／または導電性ポリマーなどの導電性
化合物を構成層中に含ませることができる。これらはい
ずれの層に含有させてもよいが、好ましくは下引層、バ
ッキング層、感光層と下引の間の層などである。

【０１６８】

【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明はこれにより限定されるものではない。

【０１６９】実施例 〈ＰＥＴ支持体の作製〉ＰＥＴペレットを１３０℃で４
時間乾燥した後、３００℃で溶融後Ｔ型ダイから押し出
した後急冷し、未延伸のフィルムを作製した。これを周
速の異なるロールを用い３．０倍に縦延伸、ついでテン
ターで４．５倍に横延伸を実施した。この時の温度はそ
れぞれ１１０℃、１３０℃であった。この後、２４０℃
で２０秒間熱固定後これと同じ温度で横方向に４％緩和
した。この後テンターのチャック部をスリッターした
後、両端にナール加工を行い、４ｋｇ／ｃｍ²で巻き取
った。このようにして巾２．４ｍ、長さ８００ｍ、厚み
１２５μｍのＰＥＴフィルムのロールを得た。ＰＥＴの
ガラス転移点は７９℃であった。

【０１７０】上記のようにして作製した２軸延伸熱固定
済みの厚さ１２５μｍの厚みをもったＰＥＴフィルム支
持体の両面にそれぞれ８ｗ／ｍ²・分のコロナ放電処理
を施し、一方の面に下記下引塗布液ａ−１を乾燥膜厚
０．８μｍになるように塗設し乾燥させて下引層Ａ−１
とし、また反対側の面に下記帯電防止加工した下引塗布
液ｂ−１を乾燥膜厚０．８μｍになるように塗設し乾燥
させて帯電防止加工下引層Ｂ−１とした。

【０１７１】 《下引塗布液ａ−１》 ブチルアクリレート（３０重量％） ｔ−ブチルアクリレート（２０重量％） スチレン（２５重量％） ２−ヒドロキシエチルアクリレート（２５重量％） の共重合体ラテックス液（固形分３０％） ２７０ｇ （Ｃ−１） ０．６ｇ ヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア） ０．８ｇ ポリスチレン微粒子（平均粒径３μｍ） ０．０５ｇ コロイダルシリカ（平均粒径９０μｍ） ０．１ｇ 水で１ｌに仕上げる 《下引塗布液ｂ−１》 ＳｎＯ₂／Ｓｂ（９／１ 重量比、平均粒径０．１８μｍ） ２００ｍｇ／ｍ²になる量 ブチルアクリレート（３０重量％） スチレン（２０重量％） グリシジルアクリレート（４０重量％） の共重合体ラテックス液（固形分３０％） ２７０ｇ （Ｃ−１） ０．６ｇ ヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア） ０．８ｇ 水で１ｌに仕上げる 引き続き、下引層Ａ−１及び下引層Ｂ−１の上表面に、
８ｗ／ｍ²・分のコロナ放電を施し、下引層Ａ−１の上
には、下記下引上層塗布液ａ−２を乾燥膜厚０．１μｍ
になる様に下引上層Ａ−２として、下引層Ｂ−１の上に
は下記下引上層塗布液ｂ−２を乾燥膜厚０．８μｍにな
る様に帯電防止機能をもつ下引上層Ｂ−２として塗設し
た。

【０１７２】 《下引上層塗布液ａ−２》 ゼラチン ０．４ｇ／ｍ²になる重量 （Ｃ−１） ０．２ｇ （Ｃ−２） ０．２ｇ （Ｃ−３） ０．１ｇ シリカ粒子（平均粒径３μｍ） ０．１ｇ 水で１ｌに仕上げる 《下引上層塗布液ｂ−２》 （Ｃ−４） ６０ｇ （Ｃ−５）を成分とするラテックス液（固形分２０％） ８０ｇ 硫酸アンモニウム ０．５ｇ （Ｃ−６） １２ｇ ポリエチレングリコール（重量平均分子量６００） ６ｇ 水で１ｌに仕上げる

【０１７３】

【化５４】

【０１７４】

【化５５】

【０１７５】（支持体の熱処理）上記の下引済み支持体
の下引乾燥工程において、支持体を１４０℃で加熱し、
その後徐々に冷却した。

【０１７６】（ハロゲン化銀乳剤Ａの調製）水９００ｍ
ｌ中にイナートゼラチン７．５ｇ及び臭化カリウム１０
ｍｇを溶解して温度３５℃、ｐＨを３．０に合わせた
後、硝酸銀７４ｇを含む水溶液３７０ｍｌと（６０／３
８／２）のモル比の塩化ナトリウムと臭化カリウムと沃
化カリウム及び〔Ｉｒ（ＮＯ）Ｃｌ₅〕塩を銀１モル当
たり１×１０^-6モル及び塩化ロジウム塩を銀１モル当た
り１×１０^-6モル含む水溶液３７０ｍｌを、ｐＡｇ７．
７に保ちながらコントロールドダブルジェット法で添加
した。その後４−ヒドロキシ−６−メチル−１，３，３
ａ，７−テトラザインデンを添加しＮａＯＨでｐＨを
８、ｐＡｇ６．５に調整することで還元増感を行い平均
粒子サイズ０．０６μｍ、単分散度１０％の投影直径面
積の変動係数８％、〔１００〕面比率８７％の立方体沃
臭化銀粒子を得た。この乳剤にゼラチン凝集剤を用いて
凝集沈降させ脱塩処理後フェノキシエタノール０．１ｇ
を加え、ｐＨ５．９、ｐＡｇ７．５に調整して、ハロゲ
ン化銀乳剤Ａを得た。

【０１７７】（ベヘン酸Ｎａ溶液の調製）９４５ｍｌの
純水にベヘン酸３２．４ｇ、アラキジン酸９．９ｇ、ス
テアリン酸５．６ｇを９０℃で溶解した。次に高速で撹
拌しながら１．５Ｍの水酸化ナトリウム水溶液９８ｍｌ
を添加した。次に濃硝酸０．９３ｍｌを加えた後、５５
℃に冷却して３０分撹拌させてベヘン酸Ｎａ溶液を得
た。

【０１７８】（ベヘン酸銀とハロゲン化銀乳剤Ａのプレ
フォーム乳剤の調製）上記のベヘン酸Ｎａ溶液に前記ハ
ロゲン化銀乳剤Ａを１５．１ｇ添加し水酸化ナトリウム
溶液でｐＨ８．１に調整した後に１Ｍの硝酸銀溶液１４
７ｍｌを７分間かけて加え、さらに２０分撹拌し限外濾
過により水溶性塩類を除去した。できたベヘン酸銀は平
均粒子サイズ０．８μｍ、単分散度８％の粒子であっ
た。分散物のフロックを形成後、水を取り除き、更に６
回の水洗と水の除去を行った後乾燥させた。

【０１７９】（感光性乳剤の調製）できあがったプレフ
ォーム乳剤を分割し、それにポリビニルブチラール（平
均分子量３０００）のメチルエチルケトン溶液（１７ｗ
ｔ％）５４４ｇとトルエン１０７ｇを徐々に添加して混
合した後に、０．５ｍｍサイズＺｒＯ₂のビーズミルを
用いたメディア分散機で４０００ｐｓｉで３０℃、１０
分間の分散を行った。

【０１８０】前記の支持体上に下記の各層を両面同時塗
布し、試料を作製した。尚、乾燥は６０℃、１５分間で
行った。

【０１８１】（バック面側塗布）支持体のＢ−１層の上
に以下の組成の液を塗布した。

【０１８２】 セルロースアセテートブチレート １５ｍｌ／ｍ² （１０％メチルエチルケトン溶液） 下記の染料を露光波長における吸収が濃度１．３になる量 マット剤：単分散度１５％平均粒子サイズ８μｍ単分散シリカ ９０ｍｇ／ｍ² Ｃ₈Ｆ₁₇（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₂Ｃ₈Ｆ₁₇ ５０ｍｇ／ｍ² Ｃ₉Ｆ₁₉−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ １０ｍｇ／ｍ²

【０１８３】

【化５６】

【０１８４】（感光層面側塗布） 感光層１：支持体のＡ−１層の上に以下の組成の液を塗
布銀量が１．５ｇ／ｍ²になる様に塗布した。

【０１８５】 前記感光性乳剤 ２４０ｇ 増感色素（０．１％メタノール溶液） １．７ｍｌ ピリジニウムプロミドペルブロミド（６％メタノール溶液） ３ｍｌ 臭化カルシウム（０．１％メタノール溶液） １．７ｍｌ 酸化剤（１０％メタノール溶液） １．２ｍｌ ２−４−クロロベンゾイル安息香酸（１２％メタノール溶液）９．２ｍｌ ２−メルカプトベンズイミダゾール（１％メタノール溶液） １１ｍｌ トリブロモメチルスルホキノリン（５％メタノール溶液） １７ｍｌ ヒドラジン誘導体Ｈ−２６ ０．４ｇ 硬調化促進剤Ｐ−５１ ０．３ｇ フタラジン ０．６ｇ ｄ−１（０．１％メタノール溶液） ２ｍｌ ｄ−２（０．１％メタノール溶液） ４ｍｌ ｄ−３（０．１％メタノール溶液） ４ｍｌ ｄ−４（０．５％メタノール溶液） １０ｍｌ ｄ−５（０．５％メタノール溶液） ７ｍｌ ４−メチルフタル酸 ０．２５ｇ テトラクロロフタル酸 ０．２ｇ 平均粒径３μｍの炭酸カルシウム ０．１ｇ １，１−ビス（２−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−メチルプ ロパン（２０％メタノール溶液） ２０．５ｍｌ イソシアネート化合物 ０．５ｇ （モーベイ社製、Ｄｅｓｍｏｄｕｒ Ｎ３３００）

【０１８６】

【化５７】

【０１８７】

【化５８】

【０１８８】表面保護層：以下の組成の液を感光層の上
になるよう同時塗布した。

【０１８９】 アセトン ５ｍｌ／ｍ² メチルエチルケトン ２１ｍｌ／ｍ² セルロースアセテートブチレート ２．３ｇ／ｍ² メタノール ７ｍｌ／ｍ² フタラジン ２５０ｍｇ／ｍ^２ マット剤：単分散度１０％平均粒子サイズ４μｍ単分散シリカ ５ｍｇ／ｍ² ＣＨ₂＝ＣＨＳＯ₂ＣＯＮＨＣＨ₂ＣＨ₂ＮＨＣＯＣＨ₂ＳＯ₂ＣＨ＝ＣＨ₂ ３５ｍｇ／ｍ² フッ素系界面活性剤 Ｃ₁₂Ｆ₂₅（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₀Ｃ₁₂Ｆ₂₅ １０ｍｇ／ｍ² Ｃ₈Ｆ₁₇−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ １０ｍｇ／ｍ² 塗膜形成した後の試料を用い、バインダーを除去した後
に、レプリカ法で電子顕微鏡観察して測定したところ、
有機銀粒子は、長軸径０．５±０．０５μｍ、短軸径
０．４±０．０５μｍ、厚み０．０１μｍの平板状粒子
が全有機銀粒子の９０％である単分散度５％の粒子であ
った。

【０１９０】上記で作製したそれぞれの熱現像感光材料
を６１０ｍｍ×６１ｍ巻きのロール形状にし、明室装填
用の包装形態とした。これらを用いて以下のような評価
を行った。

【０１９１】実施例１ 熱現像機は図１の概略断面図にあるような熱現像機を用
いた。ヒートローラーには厚さ３ｍｍのシリコーンゴム
が装着されており、直径とはこのシリコーンゴムを含め
ての径を指す。ヒートローラーの外周に接しているロー
ラーも表面はシリコーンゴムでローラー直径は２５ｍｍ
になるようにした。ヒートローラー直径と外周のローラ
ー間距離を可変できるようにし、かつ処理時と待機時の
ラインスピードも可変できるようにし、入口にフィルム
検出センサーを設置することによって感知するように設
計した。

【０１９２】図において、１はヒートローラー、２はそ
の直径、３はシリコーンゴム層、４はローラー間距離、
又５は搬送ローラーであり、Ｓは熱現像感光材料を表
す。

【０１９３】感光材料の処理は待機時間３分後に行っ
た。

【０１９４】評価方法 露光：ＮＥＣ社製ＦＴ−２８０Ｒの光源を７８０ｎｍの
高出力半導体レーザーにしたプロッターを使用した。

【０１９５】ΔＤ４角：６１０ｍｍ×４５０ｍｍのシー
トにカットされたものをプロッターで露光し、中央部に
理論値５０％のアミ％となる出力で露光し、測定値が４
９％以上５１％となる条件で全面ベタ露光し、各頂点か
ら対角線上に１００ｍｍ内側に入ったところの濃度を測
定し、最大値と最小値の差をΔＤ４角として表記した。
濃度はマクベス濃度計、アミ％はＸ−Ｒｉｔｅを使用し
た。

【０１９６】Ｄｍａｘ：太陽光に６０秒さらし、現像し
た時の最大濃度である。

【０１９７】ガンマ：特性曲線の濃度１．２と２．５を
結ぶ傾きを、脚切れを表すガンマ（γ）とした。

【０１９８】Δアミ％：理論値８０％になる出力値で全
面アミ出力し、最大値と最小値の差をとった。

【０１９９】搬送不良回数：６１０ｍｍ×４５０ｍｍの
シートを１００ｍｍ間隔で５０枚処理した時の搬送不良
回数で示した。

【０２００】処理は全て感光層面をヒートローラーによ
り加熱処理した。

【０２０１】処理条件は、プレヒート部は１１０℃、１
０秒間、熱現像部は１２３℃、１０秒間とした。

【０２０２】具体的な性能評価テスト条件とその結果を
下記表１に示した。

【０２０３】

【表１】

【０２０４】実施例２ 熱現像機は図２に概略断面図を示した。複数の搬送ロー
ラーをかねたプレヒート部ローラーＣ１を備えているプ
レヒート部Ｐ、熱現像部Ｄ（やはり複数の搬送ローラー
の役割も有する現像部ローラーＣ２を有する）、冷却部
Ｒからなり、冷却部も複数の搬送ローラーＣ３を有して
いる。感光材料挿入口Ｉから感光材料Ｓが導入されプレ
ヒート部Ｐ、熱現像部Ｄ、冷却部Ｒを通って矢印のよう
に排出口Ｏから排出される。プレヒート部Ｐと熱現像部
Ｄの各処理時間は感光材料が各部において通過するロー
ラーの数で滞留時間を変えられるようにした。即ち、ラ
インスピードは１０ｍｍ／ｓｅｃと一定にし、処理時間
はローラー間隔をほぼ一定にし、通過させる本数を変え
ることによって変更した。

【０２０５】ローラー上下にヒーターを内蔵した金属ブ
ロックを設置した。ローラー表面はシリコーンゴムとし
た。厚みは４．５ｍｍとした。感光材料は実施例１で作
製したものを使用した。

【０２０６】図中に示すごとくローラー２本ないし３本
をヒーター内蔵の金属ブロック１１と組み合わせたユニ
ットを複数作製し、これを組み合わせることによりロー
ラー本数を変更した（図２（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）を参
照）。

【０２０７】そのほかの条件等は実施例１と同様として
評価し、具体的な性能評価テスト条件とその結果を下記
表２に示した。

【０２０８】

【表２】

【０２０９】実施例３ 図３の概略断面図に示す熱現像機を使用した。ローラー
表面は肉厚４．５ｍｍのシリコーンゴムとし、ベルト部
１２は１００μｍのステンレスにコルクを接着したもの
を使用した。感光材料は実施例１で作製したものを使用
した。

【０２１０】そのほかの条件等は実施例１と同様として
評価し、具体的な性能評価テスト条件とその結果を下記
表３に示した。

【０２１１】

【表３】

【０２１２】実施例４ 図４の概略断面図に示す熱現像機を使用した。実施例３
で使用した熱現像機の上部のローラーをはずし、上部熱
源の金属ブロック１１とベルト間の距離１３を可変でき
るように設計した。感光材料は実施例１で作製したもの
を使用した。

【０２１３】そのほかの条件等は実施例１と同様として
評価し、具体的な性能評価テスト条件とその結果を下記
表４に示した。

【０２１４】

【表４】

【０２１５】表１〜４からわかるように、本発明内のも
ののみがいずれの性能も満足出来るレベルにあることが
わかる。

【０２１６】

【発明の効果】本発明により、熱現像による現像ムラが
なく、均一現像性（現像安定性）、高濃度、硬調を改良
することにより仕上がり品質の向上した熱現像感光材料
の処理方法と、それに用いる熱現像機を提供することが
出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で用いた熱現像機の概略断面図。

【図２】実施例２で用いた熱現像機の概略断面図。

【図３】実施例３で用いた熱現像機の概略断面図。

【図４】実施例４で用いた熱現像機の概略断面図。

【符号の説明】

Ｃ１ プレヒート部ローラー Ｃ２ 現像部ローラー Ｃ３ 搬送ローラー Ｐ プレヒート部 Ｄ 熱現像部 Ｒ 冷却部 Ｓ 感光材料 Ｉ 感光材料挿入口 Ｏ 感光材料排出口

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 支持体上に有機銀粒子、感光性ハロゲン
   化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像感光材
   料を処理する方法において、ローラー内部に熱源を有す
   る直径が１５ｃｍ以上３０ｃｍ以下のヒートローラーを
   有し、該ヒートローラーの外周に接する搬送ローラーの
   ローラー間の最短距離が１ｍｍ以上２０ｍｍ以内であ
   り、かつ処理時のラインスピード（ＳＬＳ）が１５ｍｍ
   ／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ以下で、待機時のライン
   スピード（ＴＬＳ）との比ＴＬＳ／ＳＬＳが、０．０１
   ≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．７５であることを特徴とする熱
   現像感光材料の処理方法。
2. 【請求項２】 支持体上に有機銀粒子、感光性ハロゲン
   化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像感光材
   料を処理する方法において、熱現像部及びプレヒート部
   のローラーの直径が２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であり、
   該ローラー本数が全部で１９本以上３８本以下であり、
   上側に配置されたローラー間の最短距離が１ｍｍ以上２
   ０ｍｍ以内であり、下側に配置されたローラー間の最短
   距離が１ｍｍ以上２０ｍｍ以内であり、かつ処理時のラ
   インスピード（ＳＣＳ）が１５ｍｍ／ｓｅｃ以上４５ｍ
   ｍ／ｓｅｃ以下で、待機時のラインスピード（ＴＣＳ）
   との比ＴＣＳ／ＳＣＳが、０．０１≦ＴＣＳ／ＳＣＳ≦
   ０．７５であることを特徴とする熱現像感光材料の処理
   方法。
3. 【請求項３】 支持体上に有機銀粒子、感光性ハロゲン
   化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像感光材
   料を処理する熱現像機の熱現像部及びまたはプレヒート
   部が、上下少なくとも一方の側にベルト搬送を有し、か
   つ処理時のラインスピード（ＳＬＳ）が１５ｍｍ／ｓｅ
   ｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ以下で、待機時のラインスピー
   ド（ＴＬＳ）との比ＴＬＳ／ＳＬＳが、０．０１≦ＴＬ
   Ｓ／ＳＬＳ≦０．７５であることを特徴とする熱現像感
   光材料の処理方法。
4. 【請求項４】 支持体上に有機銀粒子、感光性ハロゲン
   化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像感光材
   料を処理する熱現像機の熱現像部またはプレヒート部の
   少なくともいずれかが、各プロセスの入口と出口を除
   き、搬送は下側のベルト搬送のみで上側にはローラーが
   なく、上部熱源からベルト上面までの距離が１０ｍｍ以
   上５０ｍｍ以下であり、かつ処理時のラインスピード
   （ＳＬＳ）が１５ｍｍ／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ以
   下で、待機時のラインスピード（ＴＬＳ）との比ＴＬＳ
   ／ＳＬＳが、０．０１≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．７５であ
   ることを特徴とする熱現像感光材料の処理方法。
5. 【請求項５】 支持体上に有機銀粒子、感光性ハロゲン
   化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像感光材
   料を処理する熱現像機において、ローラー内部に熱源を
   有する直径が１５ｃｍ以上３０ｃｍ以下のヒートローラ
   ーを有し、該ヒートローラーの外周に接する搬送ローラ
   ーにおいて搬送ローラー間の最短距離が１ｍｍ以上２０
   ｍｍ以内であり、かつ処理時のラインスピード（ＳＬ
   Ｓ）が１５ｍｍ／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ以下で、
   待機時のラインスピード（ＴＬＳ）との比ＴＬＳ／ＳＬ
   Ｓが、０．０１≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．７５であること
   を特徴とする熱現像機。
6. 【請求項６】 支持体上に有機銀粒子、感光性ハロゲン
   化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像感光材
   料を処理する熱現像機において、熱現像部及びプレヒー
   ト部のローラーの直径が２０ｍｍ以上３０ｍｍ以下であ
   り、該ローラー本数が全部で１９本以上３８本以下であ
   り、上側に配置されたローラー間の最短距離が１ｍｍ以
   上２０ｍｍ以内であり、下側に配置されたローラー間の
   最短距離が１ｍｍ以上２０ｍｍ以内であり、かつ処理時
   のラインスピード（ＳＣＳ）が１５ｍｍ／ｓｅｃ以上４
   ５ｍｍ／ｓｅｃ以下で、待機時のラインスピード（ＴＣ
   Ｓ）との比ＴＣＳ／ＳＣＳが、０．０１≦ＴＣＳ／ＳＣ
   Ｓ≦０．７５であることを特徴とする熱現像機。
7. 【請求項７】 支持体上に有機銀粒子、感光性ハロゲン
   化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像感光材
   料を処理する熱現像機の熱現像部及びまたはプレヒート
   部において、上下少なくとも一方の側にベルト搬送を有
   し、かつ処理時のラインスピード（ＳＬＳ）が１５ｍｍ
   ／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ以下で、待機時のライン
   スピード（ＴＬＳ）との比ＴＬＳ／ＳＬＳが、０．０１
   ≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．７５であることを特徴とする熱
   現像機。
8. 【請求項８】 支持体上に有機銀粒子、感光性ハロゲン
   化銀粒子、還元剤及び硬調化剤を含有する熱現像感光材
   料を処理する熱現像機の熱現像部またはプレヒート部の
   少なくともいずれかにおいて、各プロセスの入口と出口
   を除き、搬送は下側のベルト搬送のみで上側にはローラ
   ーがなく、上部熱源からベルト上面までの距離が１０ｍ
   ｍ以上５０ｍｍ以下であり、かつ処理時のラインスピー
   ド（ＳＬＳ）が１５ｍｍ／ｓｅｃ以上４５ｍｍ／ｓｅｃ
   以下で、待機時のラインスピード（ＴＬＳ）との比ＴＬ
   Ｓ／ＳＬＳが、０．０１≦ＴＬＳ／ＳＬＳ≦０．７５で
   あることを特徴とする熱現像機。