JP2002148742A - 放射線画像読取装置 - Google Patents
放射線画像読取装置Info
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 77
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- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 50
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
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- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2012—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using stimulable phosphors, e.g. stimulable phosphor sheets
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 蓄積性蛍光体シート等に蓄積された放射線画
像を多数の光電変換素子を直線状に配列したラインセン
サにより読み取る放射線画像読取装置において、折り返
し歪みが生じるのを防止することにより最終画像におけ
るモアレの発生を抑制する。 【解決手段】 輝尽発光光Ｍを平行光束とする第１のセ
ルフォックレンズアレイ１５、第１のセルフォックレン
ズアレイにより平行光束にされた輝尽発光光を透過する
ダイクロイックミラー１４およびラインセンサ２０に集
光させる第２のセルフォックレンズアレイ１６から構成
される集光光学系１８が、そのＭＴＦが光電変換素子２
１のＸ方向の幅により決定されるナイキスト周波数にお
いて５０％以下となるように第１、第２のセルフォック
レンズアレイの屈折率および第１、第２のセルフォック
レンズアレイおよびダイクロイックミラー１４の位置関
係を調整する。
像を多数の光電変換素子を直線状に配列したラインセン
サにより読み取る放射線画像読取装置において、折り返
し歪みが生じるのを防止することにより最終画像におけ
るモアレの発生を抑制する。 【解決手段】 輝尽発光光Ｍを平行光束とする第１のセ
ルフォックレンズアレイ１５、第１のセルフォックレン
ズアレイにより平行光束にされた輝尽発光光を透過する
ダイクロイックミラー１４およびラインセンサ２０に集
光させる第２のセルフォックレンズアレイ１６から構成
される集光光学系１８が、そのＭＴＦが光電変換素子２
１のＸ方向の幅により決定されるナイキスト周波数にお
いて５０％以下となるように第１、第２のセルフォック
レンズアレイの屈折率および第１、第２のセルフォック
レンズアレイおよびダイクロイックミラー１４の位置関
係を調整する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は蓄積性蛍光体シート
等に蓄積された放射線画像を多数の光電変換素子を直線
状に配列したラインセンサにより読み取る放射線画像読
取装置に関するものである。
等に蓄積された放射線画像を多数の光電変換素子を直線
状に配列したラインセンサにより読み取る放射線画像読
取装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、蓄積性蛍光体に放射線を照射する
と、この放射線エネルギーの一部が蓄積され、その後、
可視光やレーザ光などの励起光を照射すると、蓄積され
た放射線エネルギーに応じて輝尽発光光が発光される。
この蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）を利用して、例えば
支持体上にこの蓄積性蛍光体を積層した蓄積性蛍光体シ
ートに人体などの被写体を透過した放射線を照射するこ
とにより、放射線画像情報を一旦蓄積記録し、この蓄積
性蛍光体シートにレーザ光などの励起光を照射して、輝
尽発光光を生じさせ、この輝尽発光光を光電変換して画
像信号を得る放射線画像読取装置がCR（Computed Radio
graphy）として、広く実用に供されている。
と、この放射線エネルギーの一部が蓄積され、その後、
可視光やレーザ光などの励起光を照射すると、蓄積され
た放射線エネルギーに応じて輝尽発光光が発光される。
この蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）を利用して、例えば
支持体上にこの蓄積性蛍光体を積層した蓄積性蛍光体シ
ートに人体などの被写体を透過した放射線を照射するこ
とにより、放射線画像情報を一旦蓄積記録し、この蓄積
性蛍光体シートにレーザ光などの励起光を照射して、輝
尽発光光を生じさせ、この輝尽発光光を光電変換して画
像信号を得る放射線画像読取装置がCR（Computed Radio
graphy）として、広く実用に供されている。
【０００３】上記システムにより得られた画像信号に
は、観察読影に適した階調処理や周波数処理などの画像
処理が施され、これらの処理が施された後の画像信号は
診断用可視画像（最終画像）としてフィルムに記録さ
れ、または高精細なCRTに表示されて医師などによる診
断に提供される。
は、観察読影に適した階調処理や周波数処理などの画像
処理が施され、これらの処理が施された後の画像信号は
診断用可視画像（最終画像）としてフィルムに記録さ
れ、または高精細なCRTに表示されて医師などによる診
断に提供される。
【０００４】また、上記蛍光体蓄積シートを利用した放
射線画像読取装置においては、輝尽発光光の読取時間の
短縮や、装置のコンパクト化およびコストの低減の視点
から、励起光源として、シートに対して線状に励起光を
照射するライン光源を使用し、ライン光源により励起光
が照射されたシートの線状の部分の長さ方向（以下、主
走査方向とする）に沿って多数の光電変換素子が配列さ
れたラインセンサを使用するとともに、上記ライン光源
およびラインセンサと上記蛍光体シートとの一方を他方
に対して相対的に、上記線状の部分の長さ方向に略直交
する方向（以下、副走査方向とする）に移動させる走査
手段を備えた構成が提案されている（特開昭60-111568
号公報、特開昭60-236354号公報、特開平1-101540号公
報など）。
射線画像読取装置においては、輝尽発光光の読取時間の
短縮や、装置のコンパクト化およびコストの低減の視点
から、励起光源として、シートに対して線状に励起光を
照射するライン光源を使用し、ライン光源により励起光
が照射されたシートの線状の部分の長さ方向（以下、主
走査方向とする）に沿って多数の光電変換素子が配列さ
れたラインセンサを使用するとともに、上記ライン光源
およびラインセンサと上記蛍光体シートとの一方を他方
に対して相対的に、上記線状の部分の長さ方向に略直交
する方向（以下、副走査方向とする）に移動させる走査
手段を備えた構成が提案されている（特開昭60-111568
号公報、特開昭60-236354号公報、特開平1-101540号公
報など）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような多数の光電変換素子が配列されたラインセンサを
使用して放射線画像に基づく輝尽発光光を受光した場
合、光電変換素子は一定のピッチで配列されているため
輝尽発光光はその１画素ごとにサンプリングされる。従
って、このとき、ラインセンサにより受光される放射線
画像に基づく輝尽発光光の信号成分において、サンプリ
ングの周波数の２分の１（以下、ナイキスト周波数と呼
ぶ。）より高い周波数の信号成分あった場合、最終画像
のモアレの発生の原因となり画質を低下させる。
ような多数の光電変換素子が配列されたラインセンサを
使用して放射線画像に基づく輝尽発光光を受光した場
合、光電変換素子は一定のピッチで配列されているため
輝尽発光光はその１画素ごとにサンプリングされる。従
って、このとき、ラインセンサにより受光される放射線
画像に基づく輝尽発光光の信号成分において、サンプリ
ングの周波数の２分の１（以下、ナイキスト周波数と呼
ぶ。）より高い周波数の信号成分あった場合、最終画像
のモアレの発生の原因となり画質を低下させる。
【０００６】本発明による放射線画像読取装置は、上記
のような問題点に鑑みて、蓄積性蛍光体シート等に蓄積
された放射線画像を多数の光電変換素子を直線状に配列
したラインセンサにより読み取る放射線画像読取装置に
おいて、折り返し歪みが生じるのを防止することにより
最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる
放射線画像読取装置を提供することを目的とするもので
ある。
のような問題点に鑑みて、蓄積性蛍光体シート等に蓄積
された放射線画像を多数の光電変換素子を直線状に配列
したラインセンサにより読み取る放射線画像読取装置に
おいて、折り返し歪みが生じるのを防止することにより
最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる
放射線画像読取装置を提供することを目的とするもので
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の放射
線画像読取装置は、放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光
体シートの表面の一部に励起光を線状に照射する照射手
段と、照射手段により蛍光体シートに励起光が線状に照
射された部分から発光された輝尽発光光を集光する集光
レンズを有する集光光学系および集光光学系により集光
された輝尽発光光を受光して光電変換する多数の光電変
換素子が直線状に一定のピッチで配列されてなるライン
センサを有する検出手段と、照射手段および検出手段と
蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に照射された
部分の長さ方向と異なる方向に移動させる走査手段と、
ラインセンサの出力を移動に応じて順次読み取る読取手
段とを備えた放射線画像読取装置において、集光光学系
のＭＴＦが、一定のピッチから規定されるナイキスト周
波数において５０％以下になることを特徴とするもので
ある。
線画像読取装置は、放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光
体シートの表面の一部に励起光を線状に照射する照射手
段と、照射手段により蛍光体シートに励起光が線状に照
射された部分から発光された輝尽発光光を集光する集光
レンズを有する集光光学系および集光光学系により集光
された輝尽発光光を受光して光電変換する多数の光電変
換素子が直線状に一定のピッチで配列されてなるライン
センサを有する検出手段と、照射手段および検出手段と
蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に照射された
部分の長さ方向と異なる方向に移動させる走査手段と、
ラインセンサの出力を移動に応じて順次読み取る読取手
段とを備えた放射線画像読取装置において、集光光学系
のＭＴＦが、一定のピッチから規定されるナイキスト周
波数において５０％以下になることを特徴とするもので
ある。
【０００８】ここで、上記集光光学系は１つの集光レン
ズからなるものに限らず、複数の集光レンズを備えるも
の、また、集光レンズ以外の他の光学的作用を示すもの
を有するものも含む。
ズからなるものに限らず、複数の集光レンズを備えるも
の、また、集光レンズ以外の他の光学的作用を示すもの
を有するものも含む。
【０００９】また、「集光光学系のＭＴＦ」は、例え
ば、図４に示すとおり放射線画像に基づく輝尽発光光の
信号成分の周波数が高くなるほど低くなっいく。また、
「一定のピッチから規定されるナイキスト周波数」と
は、ラインセンサにおける光電変換素子の配列されるピ
ッチから規定されるサンプリング周波数の２分の１の周
波数のことである。一般的に、このナイキスト周波数よ
り高い周波数の信号成分があると折り返し歪みを生じ
る。「集光光学系のＭＴＦが、一定のピッチから規定さ
れるナイキスト周波数において５０％以下になる」と
は、集光光学系のＭＴＦによりナイキスト周波数におけ
る信号成分が５０％以下になることを意味する。
ば、図４に示すとおり放射線画像に基づく輝尽発光光の
信号成分の周波数が高くなるほど低くなっいく。また、
「一定のピッチから規定されるナイキスト周波数」と
は、ラインセンサにおける光電変換素子の配列されるピ
ッチから規定されるサンプリング周波数の２分の１の周
波数のことである。一般的に、このナイキスト周波数よ
り高い周波数の信号成分があると折り返し歪みを生じ
る。「集光光学系のＭＴＦが、一定のピッチから規定さ
れるナイキスト周波数において５０％以下になる」と
は、集光光学系のＭＴＦによりナイキスト周波数におけ
る信号成分が５０％以下になることを意味する。
【００１０】また、集光光学系のＭＴＦは、例えば、図
５に示すように一定のピッチから規定されるナイキスト
周波数において２０％以下になるようにすることもでき
る。
５に示すように一定のピッチから規定されるナイキスト
周波数において２０％以下になるようにすることもでき
る。
【００１１】本発明による第２の放射線画像読取装置
は、放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光体シートの表面
の一部に励起光を線状に照射する照射手段と、照射手段
により蛍光体シートに励起光が線状に照射された部分か
ら発光された輝尽発光光を集光する集光レンズを有する
集光光学系および集光光学系により集光された輝尽発光
光を受光して光電変換する多数の光電変換素子が直線状
に一定のピッチで配列されてなるラインセンサを有する
検出手段と、照射手段および検出手段と蛍光体シートの
一方を他方に対して相対的に照射された部分の長さ方向
と異なる方向に移動させる走査手段と、ラインセンサの
出力を移動に応じて順次読み取り、最終画像を構成する
データを得る読取手段とを備えた放射線画像読取装置に
おいて、一定のピッチが最終画像の画素の幅より小さ
く、ラインセンサから出力される一定のピッチに基づく
画素密度の画像信号を最終画像の画素密度に変換する画
素密度変換フィルタを備え、画素密度変換フィルタの周
波数特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキ
スト周波数において５０％以下になることを特徴とする
ものである。
は、放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光体シートの表面
の一部に励起光を線状に照射する照射手段と、照射手段
により蛍光体シートに励起光が線状に照射された部分か
ら発光された輝尽発光光を集光する集光レンズを有する
集光光学系および集光光学系により集光された輝尽発光
光を受光して光電変換する多数の光電変換素子が直線状
に一定のピッチで配列されてなるラインセンサを有する
検出手段と、照射手段および検出手段と蛍光体シートの
一方を他方に対して相対的に照射された部分の長さ方向
と異なる方向に移動させる走査手段と、ラインセンサの
出力を移動に応じて順次読み取り、最終画像を構成する
データを得る読取手段とを備えた放射線画像読取装置に
おいて、一定のピッチが最終画像の画素の幅より小さ
く、ラインセンサから出力される一定のピッチに基づく
画素密度の画像信号を最終画像の画素密度に変換する画
素密度変換フィルタを備え、画素密度変換フィルタの周
波数特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキ
スト周波数において５０％以下になることを特徴とする
ものである。
【００１２】ここで、「一定のピッチが最終画像の画素
の幅より小さい」とは、一定のピッチを最終画像の画素
の主走査方向の幅より小さくすることによりサンプリン
グ周波数を高くして折り返し歪みを減少させることを意
味する。また、「画素密度変換フィルタの周波数特性」
は、例えば、図８に示すとおり放射線画像に基づく輝尽
発光光の信号成分の周波数が高くなるほど低くなっい
く。また、「最終画像の画素密度から規定されるナイキ
スト周波数」とは、最終画像の画素の主走査方向の幅か
ら規定されるサンプリング周波数の２分の１の周波数の
ことである。「画素密度変換フィルタの周波数特性が、
最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数に
おいて５０％以下になる」とは、画素密度変換フィルタ
により主走査方向画素密度変換を行なうとき、その周波
数特性によりナイキスト周波数における輝尽発光光の信
号成分が５０％以下になることを意味する。
の幅より小さい」とは、一定のピッチを最終画像の画素
の主走査方向の幅より小さくすることによりサンプリン
グ周波数を高くして折り返し歪みを減少させることを意
味する。また、「画素密度変換フィルタの周波数特性」
は、例えば、図８に示すとおり放射線画像に基づく輝尽
発光光の信号成分の周波数が高くなるほど低くなっい
く。また、「最終画像の画素密度から規定されるナイキ
スト周波数」とは、最終画像の画素の主走査方向の幅か
ら規定されるサンプリング周波数の２分の１の周波数の
ことである。「画素密度変換フィルタの周波数特性が、
最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数に
おいて５０％以下になる」とは、画素密度変換フィルタ
により主走査方向画素密度変換を行なうとき、その周波
数特性によりナイキスト周波数における輝尽発光光の信
号成分が５０％以下になることを意味する。
【００１３】なお、画素密度変換フィルタの周波数特性
はフィルタ係数やフィルタのタップ数により定まるの
で、フィルタ係数やフィルタのタップ数を適宜選択した
所望の周波数特性を実現すればよい。
はフィルタ係数やフィルタのタップ数により定まるの
で、フィルタ係数やフィルタのタップ数を適宜選択した
所望の周波数特性を実現すればよい。
【００１４】また、画素密度変換フィルタの周波数特性
は、例えば、図９に示すように最終画像の画素密度から
規定されるナイキスト周波数において２０％以下になる
ようにすることもできる。
は、例えば、図９に示すように最終画像の画素密度から
規定されるナイキスト周波数において２０％以下になる
ようにすることもできる。
【００１５】また、本発明による第１および第２の放射
線画像読取装置において、励起光が線状に照射された部
分の相対的に移動させる方向の幅が最終画像の画素の幅
より小さく、ラインセンサから出力される前記照射され
た部分の相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度
の画像信号を最終画像の画素密度に変換する第２の画素
密度変換フィルタを備え、第２の画素密度変換フィルタ
の周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナ
イキスト周波数において５０％以下になるようにするこ
とができる。
線画像読取装置において、励起光が線状に照射された部
分の相対的に移動させる方向の幅が最終画像の画素の幅
より小さく、ラインセンサから出力される前記照射され
た部分の相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度
の画像信号を最終画像の画素密度に変換する第２の画素
密度変換フィルタを備え、第２の画素密度変換フィルタ
の周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナ
イキスト周波数において５０％以下になるようにするこ
とができる。
【００１６】ここで、「励起光が線状に照射された部分
の相対的に移動させる方向の幅が最終画像の画素の幅よ
り小さい」とは、例えば、図１０に示すとおり励起光が
線状に照射された部分の副走査方向（Ｙ方向）の幅が１
画素の幅より小さい（図１０では、１画素の４分の１の
幅となる）ことを意味する。
の相対的に移動させる方向の幅が最終画像の画素の幅よ
り小さい」とは、例えば、図１０に示すとおり励起光が
線状に照射された部分の副走査方向（Ｙ方向）の幅が１
画素の幅より小さい（図１０では、１画素の４分の１の
幅となる）ことを意味する。
【００１７】そして、「ラインセンサから出力される前
記照射された部分の相対的に移動させる方向の幅に基づ
く画素密度の画像信号を最終画像の画素密度に変換す
る」とは、最終画像の１画素の画像信号が、励起光の照
射された部分の副走査方向（Ｙ方向）の幅に区切られた
複数の領域の画像信号から構成されるよう変換すること
を意味する。
記照射された部分の相対的に移動させる方向の幅に基づ
く画素密度の画像信号を最終画像の画素密度に変換す
る」とは、最終画像の１画素の画像信号が、励起光の照
射された部分の副走査方向（Ｙ方向）の幅に区切られた
複数の領域の画像信号から構成されるよう変換すること
を意味する。
【００１８】また、「最終画像の画素密度から規定され
るナイキスト周波数」とは、最終画像の副走査方向の画
素の幅から規定されるサンプリング周波数の２分の１の
周波数を意味する。また、「第２の画素密度変換フィル
タの周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定される
ナイキスト周波数において５０％以下になる」とは、第
２の画素密度変換フィルタにより副走査方向の画素密度
変換をするとき、その周波数特性によりナイキスト周波
数における信号成分が５０％以下になることを意味す
る。
るナイキスト周波数」とは、最終画像の副走査方向の画
素の幅から規定されるサンプリング周波数の２分の１の
周波数を意味する。また、「第２の画素密度変換フィル
タの周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定される
ナイキスト周波数において５０％以下になる」とは、第
２の画素密度変換フィルタにより副走査方向の画素密度
変換をするとき、その周波数特性によりナイキスト周波
数における信号成分が５０％以下になることを意味す
る。
【００１９】また、第２の画素密度変換フィルタの周波
数特性は、例えば、図９に示すように最終画像の画素密
度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下
になるようにすることができる。
数特性は、例えば、図９に示すように最終画像の画素密
度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下
になるようにすることができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明による第１の放射線画像読取装置
によれば、励起光の照射により蛍光体シートから発せら
れる放射線画像に基づく輝尽発光光をラインセンサに集
光する集光光学系のＭＴＦが、ラインセンサの光電変換
素子が配列される一定のピッチから規定されるナイキス
ト周波数において５０％以下になるようにしたので、折
り返し歪みを減少させることができ、最終画像における
モアレの発生を抑制することができる。
によれば、励起光の照射により蛍光体シートから発せら
れる放射線画像に基づく輝尽発光光をラインセンサに集
光する集光光学系のＭＴＦが、ラインセンサの光電変換
素子が配列される一定のピッチから規定されるナイキス
ト周波数において５０％以下になるようにしたので、折
り返し歪みを減少させることができ、最終画像における
モアレの発生を抑制することができる。
【００２１】また、集光光学系のＭＴＦが、一定のピッ
チから規定されるナイキスト周波数において２０％以下
になるようにした場合には、さらに折り返し歪みを減少
させることができ、モアレの発生を抑制することができ
る。
チから規定されるナイキスト周波数において２０％以下
になるようにした場合には、さらに折り返し歪みを減少
させることができ、モアレの発生を抑制することができ
る。
【００２２】本発明による第２の放射線画像読取装置に
よれば、励起光の照射により蛍光体シートから発せられ
る放射線画像に基づく輝尽発光光を受光するラインセン
サの光電変換素子のピッチの幅を最終画像の画素の幅よ
りも小さくしてナイキスト周波数を高くし、ラインセン
サにより受光され光電変換された画像信号を最終画像の
所望の画素密度に変換する画素密度変換フィルタを備
え、その画素密度変換フィルタの周波数特性が最終画像
の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５
０％以下になるようにしたので、折り返し歪みを減少さ
せることができ、最終画像におけるモアレの発生を抑制
することができる。
よれば、励起光の照射により蛍光体シートから発せられ
る放射線画像に基づく輝尽発光光を受光するラインセン
サの光電変換素子のピッチの幅を最終画像の画素の幅よ
りも小さくしてナイキスト周波数を高くし、ラインセン
サにより受光され光電変換された画像信号を最終画像の
所望の画素密度に変換する画素密度変換フィルタを備
え、その画素密度変換フィルタの周波数特性が最終画像
の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５
０％以下になるようにしたので、折り返し歪みを減少さ
せることができ、最終画像におけるモアレの発生を抑制
することができる。
【００２３】また、画素密度変換フィルタの周波数特性
が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波
数において２０％以下になるようにした場合には、さら
に折り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生
を抑制することができる。
が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波
数において２０％以下になるようにした場合には、さら
に折り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生
を抑制することができる。
【００２４】また、本発明による第１および第２の放射
線画像読取装置において、励起光が線状に照射された部
分の相対的に移動させる方向の幅を最終画像の画素の幅
より小さくして、ラインセンサから出力される画像信号
の相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度を最終
画像の画素密度に変換する第２の画素密度変換フィルタ
を備え、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性が、
最終画像の画素の幅から規定されるナイキスト周波数に
おいて５０％以下になるようにした場合には、副走査方
向における画素密度変換においても折り返し歪みを減少
させることができ、さらにモアレの発生を抑制すること
ができる。
線画像読取装置において、励起光が線状に照射された部
分の相対的に移動させる方向の幅を最終画像の画素の幅
より小さくして、ラインセンサから出力される画像信号
の相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度を最終
画像の画素密度に変換する第２の画素密度変換フィルタ
を備え、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性が、
最終画像の画素の幅から規定されるナイキスト周波数に
おいて５０％以下になるようにした場合には、副走査方
向における画素密度変換においても折り返し歪みを減少
させることができ、さらにモアレの発生を抑制すること
ができる。
【００２５】また、第２の画素密度変換フィルタの周波
数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナイキス
ト周波数において２０％以下になるようにした場合に
は、上記同様モアレの発生の抑制をより効果的に行うこ
とができる。
数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナイキス
ト周波数において２０％以下になるようにした場合に
は、上記同様モアレの発生の抑制をより効果的に行うこ
とができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について図面を用いて説明する。本発明による放射線
画像読取装置の一実施形態の概略構成図を図１および図
２に示す。図１は本実施形態の放射線画像読取装置の斜
視図、図２は図１に示した放射線画像読取装置のＩ−Ｉ
線断面を示す断面図、また、図３は図１と図２に示した
放射線画像読取装置のラインセンサ２０の詳細構成を示
す図である。
態について図面を用いて説明する。本発明による放射線
画像読取装置の一実施形態の概略構成図を図１および図
２に示す。図１は本実施形態の放射線画像読取装置の斜
視図、図２は図１に示した放射線画像読取装置のＩ−Ｉ
線断面を示す断面図、また、図３は図１と図２に示した
放射線画像読取装置のラインセンサ２０の詳細構成を示
す図である。
【００２７】本発明による放射線画像読取装置は、放射
線画像が蓄積記録された蓄積性蛍光体シート（以下、蛍
光体シートという）５０を載置して矢印Ｙ方向に搬送す
る走査ベルト４０、線状の２次励起光（以下、単に励起
光という）Ｌを蛍光体シート５０表面に略平行に出射す
る励起光源１１、励起光源１１から出射された線状の励
起光Ｌを集光するコリメータレンズおよび一方向にのみ
ビームを拡げるトーリックレンズの組合せからなる光学
系１２、蛍光体シート５０表面に対して４５度の角度を
傾けて配置され、励起光Ｌを蛍光体シート５０に向かっ
て略垂直方向に反射し後述する輝尽発光光Ｍを透過する
ように設定されたダイクロイックミラー１４、ダイクロ
イックミラー１４により反射された線状の励起光Ｌを、
蛍光体シート５０上にＸ方向に沿って延びる線状に集光
するとともに、励起光の照射により蛍光体シート５０か
ら発せられる蓄積記録された放射線画像に応じた輝尽発
光光Ｍを平行光束とする屈折率分布形レンズアレイ１５
（多数の屈折率分布形レンズが配列されてなるレンズで
あり、以下、第１のセルフォックレンズアレイとい
う）、この第１のセルフォックレンズアレイ１５により
平行光束とされ、ダイクロイックミラー１４を透過した
輝尽発光光Ｍを、後述するラインセンサ２０に集光させ
る第２のセルフォックレンズアレイ１６、第２のセルフ
ォックレンズアレイ１６を透過した輝尽発光光Ｍに僅か
に混在する、蛍光体シート５０表面で反射した励起光Ｌ
をカットし、輝尽発光光Ｍは透過する励起光カットフィ
ルタ１７、励起光カットフィルタ１７を透過した輝尽発
光光Ｍを受光して光電変換するラインセンサ２０、ライ
ンセンサ２０から出力された信号を読み取る画像読取手
段３０を備えている。
線画像が蓄積記録された蓄積性蛍光体シート（以下、蛍
光体シートという）５０を載置して矢印Ｙ方向に搬送す
る走査ベルト４０、線状の２次励起光（以下、単に励起
光という）Ｌを蛍光体シート５０表面に略平行に出射す
る励起光源１１、励起光源１１から出射された線状の励
起光Ｌを集光するコリメータレンズおよび一方向にのみ
ビームを拡げるトーリックレンズの組合せからなる光学
系１２、蛍光体シート５０表面に対して４５度の角度を
傾けて配置され、励起光Ｌを蛍光体シート５０に向かっ
て略垂直方向に反射し後述する輝尽発光光Ｍを透過する
ように設定されたダイクロイックミラー１４、ダイクロ
イックミラー１４により反射された線状の励起光Ｌを、
蛍光体シート５０上にＸ方向に沿って延びる線状に集光
するとともに、励起光の照射により蛍光体シート５０か
ら発せられる蓄積記録された放射線画像に応じた輝尽発
光光Ｍを平行光束とする屈折率分布形レンズアレイ１５
（多数の屈折率分布形レンズが配列されてなるレンズで
あり、以下、第１のセルフォックレンズアレイとい
う）、この第１のセルフォックレンズアレイ１５により
平行光束とされ、ダイクロイックミラー１４を透過した
輝尽発光光Ｍを、後述するラインセンサ２０に集光させ
る第２のセルフォックレンズアレイ１６、第２のセルフ
ォックレンズアレイ１６を透過した輝尽発光光Ｍに僅か
に混在する、蛍光体シート５０表面で反射した励起光Ｌ
をカットし、輝尽発光光Ｍは透過する励起光カットフィ
ルタ１７、励起光カットフィルタ１７を透過した輝尽発
光光Ｍを受光して光電変換するラインセンサ２０、ライ
ンセンサ２０から出力された信号を読み取る画像読取手
段３０を備えている。
【００２８】励起光源としては、光源自体が線状の励起
光を射出するものでもよいし、光学系により線状にする
ようにしてもよい。
光を射出するものでもよいし、光学系により線状にする
ようにしてもよい。
【００２９】また、コリメータレンズとトーリックレン
ズからなる光学系１２は、励起光源１１からの励起光Ｌ
を蛍光体シート５０上に所望の照射域に拡大する。
ズからなる光学系１２は、励起光源１１からの励起光Ｌ
を蛍光体シート５０上に所望の照射域に拡大する。
【００３０】ラインセンサ２０は詳しくは、図３に示す
ように、光電変換素子２１がＸ方向に沿って多数（例え
ば１０００個以上）配列した構成となっている。
ように、光電変換素子２１がＸ方向に沿って多数（例え
ば１０００個以上）配列した構成となっている。
【００３１】また、第２のセルフォックレンズアレイ１
６は、ラインセンサの受光面において、蛍光体シート５
０上における輝尽発光光Ｍの像を１対１の大きさで結像
する像面とする作用をなす。
６は、ラインセンサの受光面において、蛍光体シート５
０上における輝尽発光光Ｍの像を１対１の大きさで結像
する像面とする作用をなす。
【００３２】さらに、輝尽発光光Ｍを平行光束とする第
１のセルフォックレンズアレイ１５、第１のセルフォッ
クレンズアレイ１５により平行光束にされた輝尽発光光
を透過するダイクロイックミラー１４およびラインセン
サ２０に集光させる第２のセルフォックレンズアレイ１
６から構成される集光光学系１８は、図４に示すように
そのＭＴＦが光電変換素子２１のＸ方向の幅により決定
されるナイキスト周波数において５０％以下となるよう
に第１、第２のセルフォックレンズアレイの屈折率およ
び第１、第２のセルフォックレンズアレイおよびダイク
ロイックミラー１４の位置関係を調整したものである。
１のセルフォックレンズアレイ１５、第１のセルフォッ
クレンズアレイ１５により平行光束にされた輝尽発光光
を透過するダイクロイックミラー１４およびラインセン
サ２０に集光させる第２のセルフォックレンズアレイ１
６から構成される集光光学系１８は、図４に示すように
そのＭＴＦが光電変換素子２１のＸ方向の幅により決定
されるナイキスト周波数において５０％以下となるよう
に第１、第２のセルフォックレンズアレイの屈折率およ
び第１、第２のセルフォックレンズアレイおよびダイク
ロイックミラー１４の位置関係を調整したものである。
【００３３】次に、本実施の形態による放射線画読取装
置の作用について説明する。まず、走査ベルト４０が矢
印Ｙ方向に移動することにより、この走査ベルト４０上
に載置された、放射線画像が蓄積記録された蛍光体シー
ト５０を矢印Ｙ方向に搬送する。このときの蛍光体シー
トの搬送速度はベルト４０の移動速度に等しく、ベルト
４０の移動速度は画像読取手段３０に入力される。
置の作用について説明する。まず、走査ベルト４０が矢
印Ｙ方向に移動することにより、この走査ベルト４０上
に載置された、放射線画像が蓄積記録された蛍光体シー
ト５０を矢印Ｙ方向に搬送する。このときの蛍光体シー
トの搬送速度はベルト４０の移動速度に等しく、ベルト
４０の移動速度は画像読取手段３０に入力される。
【００３４】一方、励起光源１１が、線状の励起光Ｌ
を、蛍光体シート５０表面に対して略平行に出射し、こ
の励起光Ｌは、その光路上に設けられたコリメータレン
ズおよびトーリックレンズからなる光学系１２により平
行ビームとされ、ダイクロイックミラー１４により蛍光
体シート５０に垂直に入射する直交方向に反射され、そ
の反射光は第１のセルフォックレンズアレイ１５によ
り、蛍光体シート５０上に配置された蛍光体シート５０
上にＸ方向に沿って延びる線状に略垂直に入射される。
を、蛍光体シート５０表面に対して略平行に出射し、こ
の励起光Ｌは、その光路上に設けられたコリメータレン
ズおよびトーリックレンズからなる光学系１２により平
行ビームとされ、ダイクロイックミラー１４により蛍光
体シート５０に垂直に入射する直交方向に反射され、そ
の反射光は第１のセルフォックレンズアレイ１５によ
り、蛍光体シート５０上に配置された蛍光体シート５０
上にＸ方向に沿って延びる線状に略垂直に入射される。
【００３５】蛍光体シート５０に入射した線状の励起光
Ｌによりその集光域の蓄積性蛍光体を励起するとともに
集光域から蛍光体シート５０内部に入射して集光域の近
傍部分に拡散し、集光域の近傍部分の蓄積性蛍光体も励
起する。その結果、蛍光体シート５０の集光域およびそ
の近傍から、蓄積記録されている放射線画像に応じた強
度の輝尽発光光Ｍが発光される。この輝尽発光光Ｍは、
第１のセルフォックレンズアレイ１５により平行光束と
され、ダイクロイックミラー１４を透過し、第２のセル
フォックレンズアレイ１６により、ラインセンサ２０の
光電変換素子２１に集光される。この際、第２のセルフ
ォックレンズアレイ１６を透過した輝尽発光光Ｍに蛍光
体シート５０表面で反射した励起光Ｌが僅かに存在して
いたとしても、励起光カットフィルタ１７によりカット
されるので、ラインセンサ表面には入射しない。また、
第１のセルフォックレンズアレイ１５、ダイクロイック
ミラー１４および第２のセルフォックレンズアレイ１６
から構成される集光光学系１８は、そのＭＴＦが光電変
換素子２１のＸ方向の幅により決定されるナイキスト周
波数において５０％以下となるように第１、第２のセル
フォックレンズアレイの屈折率および第１、第２のセル
フォックレンズアレイおよびダイクロイックミラー１４
の位置関係を調整してあるので、ラインセンサ２０の光
電変換素子２１により輝尽発光光が受光されてサンプリ
ングされる際に生じる折り返し歪みを減少させることが
できる。
Ｌによりその集光域の蓄積性蛍光体を励起するとともに
集光域から蛍光体シート５０内部に入射して集光域の近
傍部分に拡散し、集光域の近傍部分の蓄積性蛍光体も励
起する。その結果、蛍光体シート５０の集光域およびそ
の近傍から、蓄積記録されている放射線画像に応じた強
度の輝尽発光光Ｍが発光される。この輝尽発光光Ｍは、
第１のセルフォックレンズアレイ１５により平行光束と
され、ダイクロイックミラー１４を透過し、第２のセル
フォックレンズアレイ１６により、ラインセンサ２０の
光電変換素子２１に集光される。この際、第２のセルフ
ォックレンズアレイ１６を透過した輝尽発光光Ｍに蛍光
体シート５０表面で反射した励起光Ｌが僅かに存在して
いたとしても、励起光カットフィルタ１７によりカット
されるので、ラインセンサ表面には入射しない。また、
第１のセルフォックレンズアレイ１５、ダイクロイック
ミラー１４および第２のセルフォックレンズアレイ１６
から構成される集光光学系１８は、そのＭＴＦが光電変
換素子２１のＸ方向の幅により決定されるナイキスト周
波数において５０％以下となるように第１、第２のセル
フォックレンズアレイの屈折率および第１、第２のセル
フォックレンズアレイおよびダイクロイックミラー１４
の位置関係を調整してあるので、ラインセンサ２０の光
電変換素子２１により輝尽発光光が受光されてサンプリ
ングされる際に生じる折り返し歪みを減少させることが
できる。
【００３６】ラインセンサ２０により輝尽発光光は光電
変換され、その画像信号は画像読取手段３０により読み
取られ、画像処理装置等に出力される。
変換され、その画像信号は画像読取手段３０により読み
取られ、画像処理装置等に出力される。
【００３７】また、本実施の形態では、集光光学系１８
は、そのＭＴＦが光電変換素子２１のＸ方向の幅により
決定されるナイキスト周波数において５０％以下となる
ようにしたが、望ましくは図５に示すように２０％以下
である。
は、そのＭＴＦが光電変換素子２１のＸ方向の幅により
決定されるナイキスト周波数において５０％以下となる
ようにしたが、望ましくは図５に示すように２０％以下
である。
【００３８】本発明による第１の放射線画像読取装置に
よれば、励起光の照射により蛍光体シート５０から発せ
られる放射線画像に基づく輝尽発光光Ｍをラインセンサ
２０に集光する集光光学系１８のＭＴＦが、光電変換素
子のＸ方向の幅から規定されるナイキスト周波数におい
て５０％以下になるものとしたので、折り返し歪みを減
少させることができ、最終画像におけるモアレの発生を
抑制することができる。
よれば、励起光の照射により蛍光体シート５０から発せ
られる放射線画像に基づく輝尽発光光Ｍをラインセンサ
２０に集光する集光光学系１８のＭＴＦが、光電変換素
子のＸ方向の幅から規定されるナイキスト周波数におい
て５０％以下になるものとしたので、折り返し歪みを減
少させることができ、最終画像におけるモアレの発生を
抑制することができる。
【００３９】また、集光光学系１８のＭＴＦが、光電変
換素子のＸ方向の幅から規定されるナイキスト周波数に
おいて２０％以下になるようにした場合には、さらに折
り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生を抑
制することができる。
換素子のＸ方向の幅から規定されるナイキスト周波数に
おいて２０％以下になるようにした場合には、さらに折
り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生を抑
制することができる。
【００４０】次に、本発明による第２の放射線画像読取
装置の一実施形態について説明する。本発明による第２
の放射線画像読取装置の一実施形態の概略構成図を図６
に示す。また、図７は図６に示した放射線画像読取装置
のラインセンサ２２の詳細構成を示す図である。その構
成は、本実施の形態における放射線画像読取装置は、上
記第１の放射線画像読取装置の実施形態とほぼ同様のた
め、異なる要素のみ図６および図７内に要素番号を記載
する。なお、第１の放射線画像読取装置の実施形態と同
等の要素についての説明は特に必要のない限り省略す
る。
装置の一実施形態について説明する。本発明による第２
の放射線画像読取装置の一実施形態の概略構成図を図６
に示す。また、図７は図６に示した放射線画像読取装置
のラインセンサ２２の詳細構成を示す図である。その構
成は、本実施の形態における放射線画像読取装置は、上
記第１の放射線画像読取装置の実施形態とほぼ同様のた
め、異なる要素のみ図６および図７内に要素番号を記載
する。なお、第１の放射線画像読取装置の実施形態と同
等の要素についての説明は特に必要のない限り省略す
る。
【００４１】本実施の形態における放射線画像読取装置
は、蛍光体シート５０から発光された輝尽発光光を受光
して光電変換するラインセンサ２２の光電変換素子２３
のＸ方向の幅が所望の画像の画素の幅より小さく構成さ
れている。
は、蛍光体シート５０から発光された輝尽発光光を受光
して光電変換するラインセンサ２２の光電変換素子２３
のＸ方向の幅が所望の画像の画素の幅より小さく構成さ
れている。
【００４２】また、画像読取手段３１はラインセンサ２
２の光電変換素子２３により光電変換された画像信号を
読み取り、読み取られた画像信号を画素密度変換して所
望の画像の画素密度に変換する画素密度変換フィルタ３
２を備えている。さらに、画素密度変換フィルタ３２
は、図８に示すようにその周波数特性が所望の画像の画
素密度により規定されるナイキスト周波数において５０
％以下となるようにしたものである。
２の光電変換素子２３により光電変換された画像信号を
読み取り、読み取られた画像信号を画素密度変換して所
望の画像の画素密度に変換する画素密度変換フィルタ３
２を備えている。さらに、画素密度変換フィルタ３２
は、図８に示すようにその周波数特性が所望の画像の画
素密度により規定されるナイキスト周波数において５０
％以下となるようにしたものである。
【００４３】なお、画素密度変換フィルタの周波数特性
はフィルタ係数やフィルタのタップ数により定まるの
で、フィルタ係数やフィルタのタップ数を適宜選択した
所望の周波数特性を実現すればよい。
はフィルタ係数やフィルタのタップ数により定まるの
で、フィルタ係数やフィルタのタップ数を適宜選択した
所望の周波数特性を実現すればよい。
【００４４】次に、本実施の形態による放射線画像読取
装置の作用について説明する。本実施の形態の放射線画
像読取装置では、蛍光体シート５０から発光された輝尽
発光光は、所望の画像の画素密度よりＸ方向の幅が小さ
い光電変換素子２３からなるラインセンサ２２により受
光されて光電変換され、画像読取手段３１により読み取
られる。このとき、光電変換素子２３のＸ方向の幅は、
所望の画像の画素密度より小さくなるように構成されて
いるので、ラインセンサ２２でのサンプリング時に折り
返し歪みを減少させることができる。
装置の作用について説明する。本実施の形態の放射線画
像読取装置では、蛍光体シート５０から発光された輝尽
発光光は、所望の画像の画素密度よりＸ方向の幅が小さ
い光電変換素子２３からなるラインセンサ２２により受
光されて光電変換され、画像読取手段３１により読み取
られる。このとき、光電変換素子２３のＸ方向の幅は、
所望の画像の画素密度より小さくなるように構成されて
いるので、ラインセンサ２２でのサンプリング時に折り
返し歪みを減少させることができる。
【００４５】そして、画像読取手段３１により読み取ら
れた画像信号は、画素密度変換フィルタ３２により所望
の画像の画素密度に変換された後、デジタル化等され画
像処理装置等に出力される。
れた画像信号は、画素密度変換フィルタ３２により所望
の画像の画素密度に変換された後、デジタル化等され画
像処理装置等に出力される。
【００４６】ここで、画像密度変換フィルタ３２は、そ
の周波数特性が所望の画像の画素密度により規定される
ナイキスト周波数において５０％以下となるよう構成さ
れたものなので、画素密度変換に伴う折り返し歪みを減
少させることができる。
の周波数特性が所望の画像の画素密度により規定される
ナイキスト周波数において５０％以下となるよう構成さ
れたものなので、画素密度変換に伴う折り返し歪みを減
少させることができる。
【００４７】また、本実施の形態では、画像密度変換フ
ィルタ３２は、その周波数特性が所望の画像の画素密度
により規定されるナイキスト周波数において５０％以下
となるようしたが、望ましくは図９に示すように２０％
以下である。
ィルタ３２は、その周波数特性が所望の画像の画素密度
により規定されるナイキスト周波数において５０％以下
となるようしたが、望ましくは図９に示すように２０％
以下である。
【００４８】本発明による第２の放射線画像読取装置に
よれば、励起光の照射により蛍光体シート５０から発せ
られる放射線画像に基づく輝尽発光光Ｍを受光するライ
ンセンサ２２の光電変換素子２３の幅を最終画像の画素
密度よりも小さくしてナイキスト周波数を高くし、ライ
ンセンサ２２により受光され光電変換された画像信号を
最終画像の画素密度に変換する画素密度変換フィルタ３
１を備え、その画素密度変換フィルタ３１の周波数特性
が最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数
において５０％以下になるものとしたので、折り返し歪
みを減少させることができ、最終画像におけるモアレの
発生を抑制することができる。
よれば、励起光の照射により蛍光体シート５０から発せ
られる放射線画像に基づく輝尽発光光Ｍを受光するライ
ンセンサ２２の光電変換素子２３の幅を最終画像の画素
密度よりも小さくしてナイキスト周波数を高くし、ライ
ンセンサ２２により受光され光電変換された画像信号を
最終画像の画素密度に変換する画素密度変換フィルタ３
１を備え、その画素密度変換フィルタ３１の周波数特性
が最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数
において５０％以下になるものとしたので、折り返し歪
みを減少させることができ、最終画像におけるモアレの
発生を抑制することができる。
【００４９】また、画素密度変換フィルタ３１の周波数
特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト
周波数において２０％以下になるものとした場合には、
さらに折り返し歪みを減少させることができ、モアレの
発生を抑制することができる。
特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト
周波数において２０％以下になるものとした場合には、
さらに折り返し歪みを減少させることができ、モアレの
発生を抑制することができる。
【００５０】また、本発明による第１および第２の実施
形態における放射線画像読取装置は、図８に示すように
励起光が蛍光体シートに照射される部分のＹ方向の幅を
所望の画像の画素密度より小さくして、その励起光の照
射部分の幅に基づく画素密度を所望の画像の画素密度に
画素密度変換する第２の画素密度変換フィルタを備える
ようにすることもできる。このとき、第２の画素密度変
換フィルタの周波数特性を、所望の画像の画素密度から
規定されるナイキスト周波数において５０％以下になる
ようにすることができる。また、望ましくは２０％以下
である。このことによりＹ方向における画素密度変換に
おいても、折り返し歪みを減少させることができる。
形態における放射線画像読取装置は、図８に示すように
励起光が蛍光体シートに照射される部分のＹ方向の幅を
所望の画像の画素密度より小さくして、その励起光の照
射部分の幅に基づく画素密度を所望の画像の画素密度に
画素密度変換する第２の画素密度変換フィルタを備える
ようにすることもできる。このとき、第２の画素密度変
換フィルタの周波数特性を、所望の画像の画素密度から
規定されるナイキスト周波数において５０％以下になる
ようにすることができる。また、望ましくは２０％以下
である。このことによりＹ方向における画素密度変換に
おいても、折り返し歪みを減少させることができる。
【００５１】なお、本発明の放射線画像情報読取装置
は、上述した実施形態に限るものではなく、光源、光源
とシートとの間の集光光学系、シートとラインセンサと
の間の光学系、ラインセンサ、公知の種々の構成を採用
することができる。また、画像情報読取手段から出力さ
れた信号に対して種々の信号処理を施す画像処理装置を
さらに備えた構成や、励起が完了したシートになお残存
する放射線エネルギーを適切に放出せしめる消去手段を
さらに備えた構成を採用することもできる。
は、上述した実施形態に限るものではなく、光源、光源
とシートとの間の集光光学系、シートとラインセンサと
の間の光学系、ラインセンサ、公知の種々の構成を採用
することができる。また、画像情報読取手段から出力さ
れた信号に対して種々の信号処理を施す画像処理装置を
さらに備えた構成や、励起が完了したシートになお残存
する放射線エネルギーを適切に放出せしめる消去手段を
さらに備えた構成を採用することもできる。
【図１】本発明による第１の放射線画像読取装置の一実
施形態の概略構成図
施形態の概略構成図
【図２】図１に示した放射線画像読取装置のＩ−Ｉ線断
面を示す断面図
面を示す断面図
【図３】図１および図２に示した放射線画像読取装置に
おけるラインセンサの詳細図
おけるラインセンサの詳細図
【図４】第１の実施形態における集光光学系のＭＴＦ
（ナイキスト周波数において５０％以下）を示す図
（ナイキスト周波数において５０％以下）を示す図
【図５】第１の実施形態における集光光学系のＭＴＦ
（ナイキスト周波数において２０％以下）を示す図
（ナイキスト周波数において２０％以下）を示す図
【図６】本発明による第２の放射線画像読取装置の一実
施形態の概略構成図
施形態の概略構成図
【図７】図５に示した放射線画像読取装置におけるライ
ンセンサの詳細図
ンセンサの詳細図
【図８】第２の実施形態における画素密度変換フィルタ
の周波数特性（ナイキスト周波数において５０％以下）
を示す図
の周波数特性（ナイキスト周波数において５０％以下）
を示す図
【図９】第２の実施形態における画素密度変換フィルタ
の周波数特性（ナイキスト周波数において２０％以下）
を示す図
の周波数特性（ナイキスト周波数において２０％以下）
を示す図
【図１０】副走査方向の画素密度変換の説明図
１１ ブロードエリアレーザ １２ 光学系 １４ ダイクロイックミラー １５ 第１のセルフォックレンズアレイ １６ 第２のセルフォックレンズアレイ １７ 励起光カットフィルタ １８ 集光光学系 ２０、２２ ラインセンサ ２１、２３ 光電変換素子 ３０、３１ 画像読取手段 ３２ 画素密度変換フィルタ ４０ 搬送ベルト ５０ 蓄積性蛍光体シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 1/04 Ｈ０４Ｎ 1/387 １０１ ５Ｃ０７６ 1/387 １０１ 1/04 Ｅ Ｆターム(参考） 2G083 AA03 BB04 BB05 CC10 DD11 DD13 DD18 EE01 2H013 AC05 AC06 5B047 AA17 AB02 BB02 BC05 BC09 BC11 DA10 5B057 AA08 CA02 CA08 CA12 CA16 CB02 CB08 CB12 CB16 CD05 CE06 CH09 5C072 AA01 BA18 CA06 DA03 DA04 DA09 DA21 EA04 VA01 5C076 AA21 AA22 BA01 BA06 BA08 BB32 CB05
Claims (6)
- 【請求項１】 放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光体シ
ートの表面の一部に励起光を線状に照射する照射手段
と、該照射手段により前記蛍光体シートに前記励起光が
線状に照射された部分から発光された輝尽発光光を集光
する集光レンズを有する集光光学系および該集光光学系
により集光された前記輝尽発光光を受光して光電変換す
る多数の光電変換素子が直線状に一定のピッチで配列さ
れてなるラインセンサを有する検出手段と、前記照射手
段および前記検出手段と前記蛍光体シートの一方を他方
に対して相対的に前記照射された部分の長さ方向と異な
る方向に移動させる走査手段と、前記ラインセンサの出
力を前記移動に応じて順次読み取る読取手段とを備えた
放射線画像読取装置において、 前記集光光学系のＭＴＦが、前記一定のピッチから規定
されるナイキスト周波数において５０％以下になること
を特徴とする放射線画像読取装置。 - 【請求項２】 前記集光光学系のＭＴＦが、前記一定の
ピッチから規定されるナイキスト周波数において２０％
以下になることを特徴とする請求項１記載の放射線画像
読取装置。 - 【請求項３】 放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光体シ
ートの表面の一部に励起光を線状に照射する照射手段
と、該照射手段により前記蛍光体シートに前記励起光が
線状に照射された部分から発光された輝尽発光光を集光
する集光レンズを有する集光光学系および該集光光学系
により集光された前記輝尽発光光を受光して光電変換す
る多数の光電変換素子が直線状に一定のピッチで配列さ
れてなるラインセンサを有する検出手段と、前記照射手
段および前記検出手段と前記蛍光体シートの一方を他方
に対して相対的に前記照射された部分の長さ方向と異な
る方向に移動させる走査手段と、前記ラインセンサの出
力を前記移動に応じて順次読み取り、最終画像を構成す
るデータを得る読取手段とを備えた放射線画像読取装置
において、 前記一定のピッチが前記最終画像の画素の幅より小さ
く、 前記ラインセンサから出力される前記一定のピッチに基
づく画素密度の画像信号を前記最終画像の画素密度に変
換する画素密度変換フィルタを備え、 該画素密度変換フィルタの周波数特性が、前記最終画像
の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５
０％以下になることを特徴とする放射線画像読取装置。 - 【請求項４】 前記画素密度変換フィルタの周波数特性
が、前記最終画像の画素密度から規定されるナイキスト
周波数において２０％以下になることを特徴とする請求
項３記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項５】 前記励起光が線状に照射された部分の前
記相対的に移動させる方向の幅が前記最終画像の画素の
幅より小さく、 前記ラインセンサから出力される前記照射された部分の
前記相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度の画
像信号を前記最終画像の画素密度に変換する第２の画素
密度変換フィルタを備え、 該第２の画素密度変換フィルタの周波数特性が、前記最
終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数にお
いて５０％以下になることを特徴とする請求項１から４
いずれか１項記載の放射線画像読取装置。 - 【請求項６】 前記第２の画素密度変換フィルタの周波
数特性が、前記最終画像の画素密度から規定されるナイ
キスト周波数において２０％以下になることを特徴とす
る請求項１から５いずれか１項記載の放射線画像読取装
置。
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