JP4108915B2 - 放射線画像読取装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は蓄積性蛍光体シート等に蓄積された放射線画像を多数の光電変換素子を直線状に配列したラインセンサにより読み取る放射線画像読取装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、蓄積性蛍光体に放射線を照射すると、この放射線エネルギーの一部が蓄積され、その後、可視光やレーザ光などの励起光を照射すると、蓄積された放射線エネルギーに応じて輝尽発光光が発光される。この蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）を利用して、例えば支持体上にこの蓄積性蛍光体を積層した蓄積性蛍光体シートに人体などの被写体を透過した放射線を照射することにより、放射線画像情報を一旦蓄積記録し、この蓄積性蛍光体シートにレーザ光などの励起光を照射して、輝尽発光光を生じさせ、この輝尽発光光を光電変換して画像信号を得る放射線画像読取装置がCR（Computed Radiography）として、広く実用に供されている。
【０００３】
上記システムにより得られた画像信号には、観察読影に適した階調処理や周波数処理などの画像処理が施され、これらの処理が施された後の画像信号は診断用可視画像（最終画像）としてフィルムに記録され、または高精細なCRTに表示されて医師などによる診断に提供される。
【０００４】
また、上記蛍光体蓄積シートを利用した放射線画像読取装置においては、輝尽発光光の読取時間の短縮や、装置のコンパクト化およびコストの低減の視点から、励起光源として、シートに対して線状に励起光を照射するライン光源を使用し、ライン光源により励起光が照射されたシートの線状の部分の長さ方向（以下、主走査方向とする）に沿って多数の光電変換素子が配列されたラインセンサを使用するとともに、上記ライン光源およびラインセンサと上記蛍光体シートとの一方を他方に対して相対的に、上記線状の部分の長さ方向に略直交する方向（以下、副走査方向とする）に移動させる走査手段を備えた構成が提案されている（特開昭60-111568号公報、特開昭60-236354号公報、特開平1-101540号公報など）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような多数の光電変換素子が配列されたラインセンサを使用して放射線画像に基づく輝尽発光光を受光した場合、光電変換素子は一定のピッチで配列されているため輝尽発光光はその１画素ごとにサンプリングされる。従って、このとき、ラインセンサにより受光される放射線画像に基づく輝尽発光光の信号成分において、サンプリングの周波数の２分の１（以下、ナイキスト周波数と呼ぶ。）より高い周波数の信号成分あった場合、最終画像のモアレの発生の原因となり画質を低下させる。
【０００６】
本発明による放射線画像読取装置は、上記のような問題点に鑑みて、蓄積性蛍光体シート等に蓄積された放射線画像を多数の光電変換素子を直線状に配列したラインセンサにより読み取る放射線画像読取装置において、折り返し歪みが生じるのを防止することにより最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる放射線画像読取装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明による第１の放射線画像読取装置は、放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光体シートの表面の一部に励起光を線状に照射する照射手段と、照射手段により蛍光体シートに励起光が線状に照射された部分から発光された輝尽発光光を集光する集光レンズを有する集光光学系および集光光学系により集光された輝尽発光光を受光して光電変換する多数の光電変換素子が直線状に一定のピッチで配列されてなるラインセンサを有する検出手段と、照射手段および検出手段と蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に照射された部分の長さ方向と異なる方向に移動させる走査手段と、ラインセンサの出力を移動に応じて順次読み取る読取手段とを備えた放射線画像読取装置において、集光光学系のＭＴＦが、一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において５０％以下になることを特徴とするものである。
【０００８】
ここで、上記集光光学系は１つの集光レンズからなるものに限らず、複数の集光レンズを備えるもの、また、集光レンズ以外の他の光学的作用を示すものを有するものも含む。
【０００９】
また、「集光光学系のＭＴＦ」は、例えば、図４に示すとおり放射線画像に基づく輝尽発光光の信号成分の周波数が高くなるほど低くなっいく。また、「一定のピッチから規定されるナイキスト周波数」とは、ラインセンサにおける光電変換素子の配列されるピッチから規定されるサンプリング周波数の２分の１の周波数のことである。一般的に、このナイキスト周波数より高い周波数の信号成分があると折り返し歪みを生じる。「集光光学系のＭＴＦが、一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において５０％以下になる」とは、集光光学系のＭＴＦによりナイキスト周波数における信号成分が５０％以下になることを意味する。
【００１０】
また、集光光学系のＭＴＦは、例えば、図５に示すように一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにすることもできる。
【００１１】
本発明による第２の放射線画像読取装置は、放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光体シートの表面の一部に励起光を線状に照射する照射手段と、照射手段により蛍光体シートに励起光が線状に照射された部分から発光された輝尽発光光を集光する集光レンズを有する集光光学系および集光光学系により集光された輝尽発光光を受光して光電変換する多数の光電変換素子が直線状に一定のピッチで配列されてなるラインセンサを有する検出手段と、照射手段および検出手段と蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に照射された部分の長さ方向と異なる方向に移動させる走査手段と、ラインセンサの出力を移動に応じて順次読み取り、最終画像を構成するデータを得る読取手段とを備えた放射線画像読取装置において、一定のピッチが最終画像の画素の幅より小さく、ラインセンサから出力される一定のピッチに基づく画素密度の画像信号を最終画像の画素密度に変換する画素密度変換フィルタを備え、画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になることを特徴とするものである。
【００１２】
ここで、「一定のピッチが最終画像の画素の幅より小さい」とは、一定のピッチを最終画像の画素の主走査方向の幅より小さくすることによりサンプリング周波数を高くして折り返し歪みを減少させることを意味する。また、「画素密度変換フィルタの周波数特性」は、例えば、図８に示すとおり放射線画像に基づく輝尽発光光の信号成分の周波数が高くなるほど低くなっいく。また、「最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数」とは、最終画像の画素の主走査方向の幅から規定されるサンプリング周波数の２分の１の周波数のことである。「画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になる」とは、画素密度変換フィルタにより主走査方向画素密度変換を行なうとき、その周波数特性によりナイキスト周波数における輝尽発光光の信号成分が５０％以下になることを意味する。
【００１３】
なお、画素密度変換フィルタの周波数特性はフィルタ係数やフィルタのタップ数により定まるので、フィルタ係数やフィルタのタップ数を適宜選択した所望の周波数特性を実現すればよい。
【００１４】
また、画素密度変換フィルタの周波数特性は、例えば、図９に示すように最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにすることもできる。
【００１５】
また、本発明による第１および第２の放射線画像読取装置において、励起光が線状に照射された部分の相対的に移動させる方向の幅が最終画像の画素の幅より小さく、ラインセンサから出力される前記照射された部分の相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度の画像信号を最終画像の画素密度に変換する第２の画素密度変換フィルタを備え、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるようにすることができる。
【００１６】
ここで、「励起光が線状に照射された部分の相対的に移動させる方向の幅が最終画像の画素の幅より小さい」とは、例えば、図１０に示すとおり励起光が線状に照射された部分の副走査方向（Ｙ方向）の幅が１画素の幅より小さい（図１０では、１画素の４分の１の幅となる）ことを意味する。
【００１７】
そして、「ラインセンサから出力される前記照射された部分の相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度の画像信号を最終画像の画素密度に変換する」とは、最終画像の１画素の画像信号が、励起光の照射された部分の副走査方向（Ｙ方向）の幅に区切られた複数の領域の画像信号から構成されるよう変換することを意味する。
【００１８】
また、「最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数」とは、最終画像の副走査方向の画素の幅から規定されるサンプリング周波数の２分の１の周波数を意味する。また、「第２の画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になる」とは、第２の画素密度変換フィルタにより副走査方向の画素密度変換をするとき、その周波数特性によりナイキスト周波数における信号成分が５０％以下になることを意味する。
【００１９】
また、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性は、例えば、図９に示すように最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにすることができる。
【００２０】
【発明の効果】
本発明による第１の放射線画像読取装置によれば、励起光の照射により蛍光体シートから発せられる放射線画像に基づく輝尽発光光をラインセンサに集光する集光光学系のＭＴＦが、ラインセンサの光電変換素子が配列される一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるようにしたので、折り返し歪みを減少させることができ、最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる。
【００２１】
また、集光光学系のＭＴＦが、一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにした場合には、さらに折り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生を抑制することができる。
【００２２】
本発明による第２の放射線画像読取装置によれば、励起光の照射により蛍光体シートから発せられる放射線画像に基づく輝尽発光光を受光するラインセンサの光電変換素子のピッチの幅を最終画像の画素の幅よりも小さくしてナイキスト周波数を高くし、ラインセンサにより受光され光電変換された画像信号を最終画像の所望の画素密度に変換する画素密度変換フィルタを備え、その画素密度変換フィルタの周波数特性が最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるようにしたので、折り返し歪みを減少させることができ、最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる。
【００２３】
また、画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにした場合には、さらに折り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生を抑制することができる。
【００２４】
また、本発明による第１および第２の放射線画像読取装置において、励起光が線状に照射された部分の相対的に移動させる方向の幅を最終画像の画素の幅より小さくして、ラインセンサから出力される画像信号の相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度を最終画像の画素密度に変換する第２の画素密度変換フィルタを備え、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるようにした場合には、副走査方向における画素密度変換においても折り返し歪みを減少させることができ、さらにモアレの発生を抑制することができる。
【００２５】
また、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにした場合には、上記同様モアレの発生の抑制をより効果的に行うことができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を用いて説明する。本発明による放射線画像読取装置の一実施形態の概略構成図を図１および図２に示す。図１は本実施形態の放射線画像読取装置の斜視図、図２は図１に示した放射線画像読取装置のＩ−Ｉ線断面を示す断面図、また、図３は図１と図２に示した放射線画像読取装置のラインセンサ２０の詳細構成を示す図である。
【００２７】
本発明による放射線画像読取装置は、放射線画像が蓄積記録された蓄積性蛍光体シート（以下、蛍光体シートという）５０を載置して矢印Ｙ方向に搬送する走査ベルト４０、線状の２次励起光（以下、単に励起光という）Ｌを蛍光体シート５０表面に略平行に出射する励起光源１１、励起光源１１から出射された線状の励起光Ｌを集光するコリメータレンズおよび一方向にのみビームを拡げるトーリックレンズの組合せからなる光学系１２、蛍光体シート５０表面に対して４５度の角度を傾けて配置され、励起光Ｌを蛍光体シート５０に向かって略垂直方向に反射し後述する輝尽発光光Ｍを透過するように設定されたダイクロイックミラー１４、ダイクロイックミラー１４により反射された線状の励起光Ｌを、蛍光体シート５０上にＸ方向に沿って延びる線状に集光するとともに、励起光の照射により蛍光体シート５０から発せられる蓄積記録された放射線画像に応じた輝尽発光光Ｍを平行光束とする屈折率分布形レンズアレイ１５（多数の屈折率分布形レンズが配列されてなるレンズであり、以下、第１のセルフォックレンズアレイという）、この第１のセルフォックレンズアレイ１５により平行光束とされ、ダイクロイックミラー１４を透過した輝尽発光光Ｍを、後述するラインセンサ２０に集光させる第２のセルフォックレンズアレイ１６、第２のセルフォックレンズアレイ１６を透過した輝尽発光光Ｍに僅かに混在する、蛍光体シート５０表面で反射した励起光Ｌをカットし、輝尽発光光Ｍは透過する励起光カットフィルタ１７、励起光カットフィルタ１７を透過した輝尽発光光Ｍを受光して光電変換するラインセンサ２０、ラインセンサ２０から出力された信号を読み取る画像読取手段３０を備えている。
【００２８】
励起光源としては、光源自体が線状の励起光を射出するものでもよいし、光学系により線状にするようにしてもよい。
【００２９】
また、コリメータレンズとトーリックレンズからなる光学系１２は、励起光源１１からの励起光Ｌを蛍光体シート５０上に所望の照射域に拡大する。
【００３０】
ラインセンサ２０は詳しくは、図３に示すように、光電変換素子２１がＸ方向に沿って多数（例えば１０００個以上）配列した構成となっている。
【００３１】
また、第２のセルフォックレンズアレイ１６は、ラインセンサの受光面において、蛍光体シート５０上における輝尽発光光Ｍの像を１対１の大きさで結像する像面とする作用をなす。
【００３２】
さらに、輝尽発光光Ｍを平行光束とする第１のセルフォックレンズアレイ１５、第１のセルフォックレンズアレイ１５により平行光束にされた輝尽発光光を透過するダイクロイックミラー１４およびラインセンサ２０に集光させる第２のセルフォックレンズアレイ１６から構成される集光光学系１８は、図４に示すようにそのＭＴＦが光電変換素子２１のＸ方向の幅により決定されるナイキスト周波数において５０％以下となるように第１、第２のセルフォックレンズアレイの屈折率および第１、第２のセルフォックレンズアレイおよびダイクロイックミラー１４の位置関係を調整したものである。
【００３３】
次に、本実施の形態による放射線画読取装置の作用について説明する。まず、走査ベルト４０が矢印Ｙ方向に移動することにより、この走査ベルト４０上に載置された、放射線画像が蓄積記録された蛍光体シート５０を矢印Ｙ方向に搬送する。このときの蛍光体シートの搬送速度はベルト４０の移動速度に等しく、ベルト４０の移動速度は画像読取手段３０に入力される。
【００３４】
一方、励起光源１１が、線状の励起光Ｌを、蛍光体シート５０表面に対して略平行に出射し、この励起光Ｌは、その光路上に設けられたコリメータレンズおよびトーリックレンズからなる光学系１２により平行ビームとされ、ダイクロイックミラー１４により蛍光体シート５０に垂直に入射する直交方向に反射され、その反射光は第１のセルフォックレンズアレイ１５により、蛍光体シート５０上に配置された蛍光体シート５０上にＸ方向に沿って延びる線状に略垂直に入射される。
【００３５】
蛍光体シート５０に入射した線状の励起光Ｌによりその集光域の蓄積性蛍光体を励起するとともに集光域から蛍光体シート５０内部に入射して集光域の近傍部分に拡散し、集光域の近傍部分の蓄積性蛍光体も励起する。その結果、蛍光体シート５０の集光域およびその近傍から、蓄積記録されている放射線画像に応じた強度の輝尽発光光Ｍが発光される。この輝尽発光光Ｍは、第１のセルフォックレンズアレイ１５により平行光束とされ、ダイクロイックミラー１４を透過し、第２のセルフォックレンズアレイ１６により、ラインセンサ２０の光電変換素子２１に集光される。この際、第２のセルフォックレンズアレイ１６を透過した輝尽発光光Ｍに蛍光体シート５０表面で反射した励起光Ｌが僅かに存在していたとしても、励起光カットフィルタ１７によりカットされるので、ラインセンサ表面には入射しない。また、第１のセルフォックレンズアレイ１５、ダイクロイックミラー１４および第２のセルフォックレンズアレイ１６から構成される集光光学系１８は、そのＭＴＦが光電変換素子２１のＸ方向の幅により決定されるナイキスト周波数において５０％以下となるように第１、第２のセルフォックレンズアレイの屈折率および第１、第２のセルフォックレンズアレイおよびダイクロイックミラー１４の位置関係を調整してあるので、ラインセンサ２０の光電変換素子２１により輝尽発光光が受光されてサンプリングされる際に生じる折り返し歪みを減少させることができる。
【００３６】
ラインセンサ２０により輝尽発光光は光電変換され、その画像信号は画像読取手段３０により読み取られ、画像処理装置等に出力される。
【００３７】
また、本実施の形態では、集光光学系１８は、そのＭＴＦが光電変換素子２１のＸ方向の幅により決定されるナイキスト周波数において５０％以下となるようにしたが、望ましくは図５に示すように２０％以下である。
【００３８】
本発明による第１の放射線画像読取装置によれば、励起光の照射により蛍光体シート５０から発せられる放射線画像に基づく輝尽発光光Ｍをラインセンサ２０に集光する集光光学系１８のＭＴＦが、光電変換素子のＸ方向の幅から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるものとしたので、折り返し歪みを減少させることができ、最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる。
【００３９】
また、集光光学系１８のＭＴＦが、光電変換素子のＸ方向の幅から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにした場合には、さらに折り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生を抑制することができる。
【００４０】
次に、本発明による第２の放射線画像読取装置の一実施形態について説明する。本発明による第２の放射線画像読取装置の一実施形態の概略構成図を図６に示す。また、図７は図６に示した放射線画像読取装置のラインセンサ２２の詳細構成を示す図である。その構成は、本実施の形態における放射線画像読取装置は、上記第１の放射線画像読取装置の実施形態とほぼ同様のため、異なる要素のみ図６および図７内に要素番号を記載する。なお、第１の放射線画像読取装置の実施形態と同等の要素についての説明は特に必要のない限り省略する。
【００４１】
本実施の形態における放射線画像読取装置は、蛍光体シート５０から発光された輝尽発光光を受光して光電変換するラインセンサ２２の光電変換素子２３のＸ方向の幅が所望の画像の画素の幅より小さく構成されている。
【００４２】
また、画像読取手段３１はラインセンサ２２の光電変換素子２３により光電変換された画像信号を読み取り、読み取られた画像信号を画素密度変換して所望の画像の画素密度に変換する画素密度変換フィルタ３２を備えている。さらに、画素密度変換フィルタ３２は、図８に示すようにその周波数特性が所望の画像の画素密度により規定されるナイキスト周波数において５０％以下となるようにしたものである。
【００４３】
なお、画素密度変換フィルタの周波数特性はフィルタ係数やフィルタのタップ数により定まるので、フィルタ係数やフィルタのタップ数を適宜選択した所望の周波数特性を実現すればよい。
【００４４】
次に、本実施の形態による放射線画像読取装置の作用について説明する。本実施の形態の放射線画像読取装置では、蛍光体シート５０から発光された輝尽発光光は、所望の画像の画素密度よりＸ方向の幅が小さい光電変換素子２３からなるラインセンサ２２により受光されて光電変換され、画像読取手段３１により読み取られる。このとき、光電変換素子２３のＸ方向の幅は、所望の画像の画素密度より小さくなるように構成されているので、ラインセンサ２２でのサンプリング時に折り返し歪みを減少させることができる。
【００４５】
そして、画像読取手段３１により読み取られた画像信号は、画素密度変換フィルタ３２により所望の画像の画素密度に変換された後、デジタル化等され画像処理装置等に出力される。
【００４６】
ここで、画像密度変換フィルタ３２は、その周波数特性が所望の画像の画素密度により規定されるナイキスト周波数において５０％以下となるよう構成されたものなので、画素密度変換に伴う折り返し歪みを減少させることができる。
【００４７】
また、本実施の形態では、画像密度変換フィルタ３２は、その周波数特性が所望の画像の画素密度により規定されるナイキスト周波数において５０％以下となるようしたが、望ましくは図９に示すように２０％以下である。
【００４８】
本発明による第２の放射線画像読取装置によれば、励起光の照射により蛍光体シート５０から発せられる放射線画像に基づく輝尽発光光Ｍを受光するラインセンサ２２の光電変換素子２３の幅を最終画像の画素密度よりも小さくしてナイキスト周波数を高くし、ラインセンサ２２により受光され光電変換された画像信号を最終画像の画素密度に変換する画素密度変換フィルタ３１を備え、その画素密度変換フィルタ３１の周波数特性が最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるものとしたので、折り返し歪みを減少させることができ、最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる。
【００４９】
また、画素密度変換フィルタ３１の周波数特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるものとした場合には、さらに折り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生を抑制することができる。
【００５０】
また、本発明による第１および第２の実施形態における放射線画像読取装置は、図８に示すように励起光が蛍光体シートに照射される部分のＹ方向の幅を所望の画像の画素密度より小さくして、その励起光の照射部分の幅に基づく画素密度を所望の画像の画素密度に画素密度変換する第２の画素密度変換フィルタを備えるようにすることもできる。このとき、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性を、所望の画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるようにすることができる。また、望ましくは２０％以下である。このことによりＹ方向における画素密度変換においても、折り返し歪みを減少させることができる。
【００５１】
なお、本発明の放射線画像情報読取装置は、上述した実施形態に限るものではなく、光源、光源とシートとの間の集光光学系、シートとラインセンサとの間の光学系、ラインセンサ、公知の種々の構成を採用することができる。また、画像情報読取手段から出力された信号に対して種々の信号処理を施す画像処理装置をさらに備えた構成や、励起が完了したシートになお残存する放射線エネルギーを適切に放出せしめる消去手段をさらに備えた構成を採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１の放射線画像読取装置の一実施形態の概略構成図
【図２】図１に示した放射線画像読取装置のＩ−Ｉ線断面を示す断面図
【図３】図１および図２に示した放射線画像読取装置におけるラインセンサの詳細図
【図４】第１の実施形態における集光光学系のＭＴＦ（ナイキスト周波数において５０％以下）を示す図
【図５】第１の実施形態における集光光学系のＭＴＦ（ナイキスト周波数において２０％以下）を示す図
【図６】本発明による第２の放射線画像読取装置の一実施形態の概略構成図
【図７】図５に示した放射線画像読取装置におけるラインセンサの詳細図
【図８】第２の実施形態における画素密度変換フィルタの周波数特性（ナイキスト周波数において５０％以下）を示す図
【図９】第２の実施形態における画素密度変換フィルタの周波数特性（ナイキスト周波数において２０％以下）を示す図
【図１０】副走査方向の画素密度変換の説明図
【符号の説明】
１１ ブロードエリアレーザ
１２ 光学系
１４ ダイクロイックミラー
１５ 第１のセルフォックレンズアレイ
１６ 第２のセルフォックレンズアレイ
１７ 励起光カットフィルタ
１８ 集光光学系
２０、２２ ラインセンサ
２１、２３ 光電変換素子
３０、３１ 画像読取手段
３２ 画素密度変換フィルタ
４０ 搬送ベルト
５０ 蓄積性蛍光体シート
【発明の属する技術分野】
本発明は蓄積性蛍光体シート等に蓄積された放射線画像を多数の光電変換素子を直線状に配列したラインセンサにより読み取る放射線画像読取装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、蓄積性蛍光体に放射線を照射すると、この放射線エネルギーの一部が蓄積され、その後、可視光やレーザ光などの励起光を照射すると、蓄積された放射線エネルギーに応じて輝尽発光光が発光される。この蓄積性蛍光体（輝尽性蛍光体）を利用して、例えば支持体上にこの蓄積性蛍光体を積層した蓄積性蛍光体シートに人体などの被写体を透過した放射線を照射することにより、放射線画像情報を一旦蓄積記録し、この蓄積性蛍光体シートにレーザ光などの励起光を照射して、輝尽発光光を生じさせ、この輝尽発光光を光電変換して画像信号を得る放射線画像読取装置がCR（Computed Radiography）として、広く実用に供されている。
【０００３】
上記システムにより得られた画像信号には、観察読影に適した階調処理や周波数処理などの画像処理が施され、これらの処理が施された後の画像信号は診断用可視画像（最終画像）としてフィルムに記録され、または高精細なCRTに表示されて医師などによる診断に提供される。
【０００４】
また、上記蛍光体蓄積シートを利用した放射線画像読取装置においては、輝尽発光光の読取時間の短縮や、装置のコンパクト化およびコストの低減の視点から、励起光源として、シートに対して線状に励起光を照射するライン光源を使用し、ライン光源により励起光が照射されたシートの線状の部分の長さ方向（以下、主走査方向とする）に沿って多数の光電変換素子が配列されたラインセンサを使用するとともに、上記ライン光源およびラインセンサと上記蛍光体シートとの一方を他方に対して相対的に、上記線状の部分の長さ方向に略直交する方向（以下、副走査方向とする）に移動させる走査手段を備えた構成が提案されている（特開昭60-111568号公報、特開昭60-236354号公報、特開平1-101540号公報など）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような多数の光電変換素子が配列されたラインセンサを使用して放射線画像に基づく輝尽発光光を受光した場合、光電変換素子は一定のピッチで配列されているため輝尽発光光はその１画素ごとにサンプリングされる。従って、このとき、ラインセンサにより受光される放射線画像に基づく輝尽発光光の信号成分において、サンプリングの周波数の２分の１（以下、ナイキスト周波数と呼ぶ。）より高い周波数の信号成分あった場合、最終画像のモアレの発生の原因となり画質を低下させる。
【０００６】
本発明による放射線画像読取装置は、上記のような問題点に鑑みて、蓄積性蛍光体シート等に蓄積された放射線画像を多数の光電変換素子を直線状に配列したラインセンサにより読み取る放射線画像読取装置において、折り返し歪みが生じるのを防止することにより最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる放射線画像読取装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明による第１の放射線画像読取装置は、放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光体シートの表面の一部に励起光を線状に照射する照射手段と、照射手段により蛍光体シートに励起光が線状に照射された部分から発光された輝尽発光光を集光する集光レンズを有する集光光学系および集光光学系により集光された輝尽発光光を受光して光電変換する多数の光電変換素子が直線状に一定のピッチで配列されてなるラインセンサを有する検出手段と、照射手段および検出手段と蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に照射された部分の長さ方向と異なる方向に移動させる走査手段と、ラインセンサの出力を移動に応じて順次読み取る読取手段とを備えた放射線画像読取装置において、集光光学系のＭＴＦが、一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において５０％以下になることを特徴とするものである。
【０００８】
ここで、上記集光光学系は１つの集光レンズからなるものに限らず、複数の集光レンズを備えるもの、また、集光レンズ以外の他の光学的作用を示すものを有するものも含む。
【０００９】
また、「集光光学系のＭＴＦ」は、例えば、図４に示すとおり放射線画像に基づく輝尽発光光の信号成分の周波数が高くなるほど低くなっいく。また、「一定のピッチから規定されるナイキスト周波数」とは、ラインセンサにおける光電変換素子の配列されるピッチから規定されるサンプリング周波数の２分の１の周波数のことである。一般的に、このナイキスト周波数より高い周波数の信号成分があると折り返し歪みを生じる。「集光光学系のＭＴＦが、一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において５０％以下になる」とは、集光光学系のＭＴＦによりナイキスト周波数における信号成分が５０％以下になることを意味する。
【００１０】
また、集光光学系のＭＴＦは、例えば、図５に示すように一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにすることもできる。
【００１１】
本発明による第２の放射線画像読取装置は、放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光体シートの表面の一部に励起光を線状に照射する照射手段と、照射手段により蛍光体シートに励起光が線状に照射された部分から発光された輝尽発光光を集光する集光レンズを有する集光光学系および集光光学系により集光された輝尽発光光を受光して光電変換する多数の光電変換素子が直線状に一定のピッチで配列されてなるラインセンサを有する検出手段と、照射手段および検出手段と蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に照射された部分の長さ方向と異なる方向に移動させる走査手段と、ラインセンサの出力を移動に応じて順次読み取り、最終画像を構成するデータを得る読取手段とを備えた放射線画像読取装置において、一定のピッチが最終画像の画素の幅より小さく、ラインセンサから出力される一定のピッチに基づく画素密度の画像信号を最終画像の画素密度に変換する画素密度変換フィルタを備え、画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になることを特徴とするものである。
【００１２】
ここで、「一定のピッチが最終画像の画素の幅より小さい」とは、一定のピッチを最終画像の画素の主走査方向の幅より小さくすることによりサンプリング周波数を高くして折り返し歪みを減少させることを意味する。また、「画素密度変換フィルタの周波数特性」は、例えば、図８に示すとおり放射線画像に基づく輝尽発光光の信号成分の周波数が高くなるほど低くなっいく。また、「最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数」とは、最終画像の画素の主走査方向の幅から規定されるサンプリング周波数の２分の１の周波数のことである。「画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になる」とは、画素密度変換フィルタにより主走査方向画素密度変換を行なうとき、その周波数特性によりナイキスト周波数における輝尽発光光の信号成分が５０％以下になることを意味する。
【００１３】
なお、画素密度変換フィルタの周波数特性はフィルタ係数やフィルタのタップ数により定まるので、フィルタ係数やフィルタのタップ数を適宜選択した所望の周波数特性を実現すればよい。
【００１４】
また、画素密度変換フィルタの周波数特性は、例えば、図９に示すように最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにすることもできる。
【００１５】
また、本発明による第１および第２の放射線画像読取装置において、励起光が線状に照射された部分の相対的に移動させる方向の幅が最終画像の画素の幅より小さく、ラインセンサから出力される前記照射された部分の相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度の画像信号を最終画像の画素密度に変換する第２の画素密度変換フィルタを備え、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるようにすることができる。
【００１６】
ここで、「励起光が線状に照射された部分の相対的に移動させる方向の幅が最終画像の画素の幅より小さい」とは、例えば、図１０に示すとおり励起光が線状に照射された部分の副走査方向（Ｙ方向）の幅が１画素の幅より小さい（図１０では、１画素の４分の１の幅となる）ことを意味する。
【００１７】
そして、「ラインセンサから出力される前記照射された部分の相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度の画像信号を最終画像の画素密度に変換する」とは、最終画像の１画素の画像信号が、励起光の照射された部分の副走査方向（Ｙ方向）の幅に区切られた複数の領域の画像信号から構成されるよう変換することを意味する。
【００１８】
また、「最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数」とは、最終画像の副走査方向の画素の幅から規定されるサンプリング周波数の２分の１の周波数を意味する。また、「第２の画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になる」とは、第２の画素密度変換フィルタにより副走査方向の画素密度変換をするとき、その周波数特性によりナイキスト周波数における信号成分が５０％以下になることを意味する。
【００１９】
また、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性は、例えば、図９に示すように最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにすることができる。
【００２０】
【発明の効果】
本発明による第１の放射線画像読取装置によれば、励起光の照射により蛍光体シートから発せられる放射線画像に基づく輝尽発光光をラインセンサに集光する集光光学系のＭＴＦが、ラインセンサの光電変換素子が配列される一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるようにしたので、折り返し歪みを減少させることができ、最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる。
【００２１】
また、集光光学系のＭＴＦが、一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにした場合には、さらに折り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生を抑制することができる。
【００２２】
本発明による第２の放射線画像読取装置によれば、励起光の照射により蛍光体シートから発せられる放射線画像に基づく輝尽発光光を受光するラインセンサの光電変換素子のピッチの幅を最終画像の画素の幅よりも小さくしてナイキスト周波数を高くし、ラインセンサにより受光され光電変換された画像信号を最終画像の所望の画素密度に変換する画素密度変換フィルタを備え、その画素密度変換フィルタの周波数特性が最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるようにしたので、折り返し歪みを減少させることができ、最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる。
【００２３】
また、画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにした場合には、さらに折り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生を抑制することができる。
【００２４】
また、本発明による第１および第２の放射線画像読取装置において、励起光が線状に照射された部分の相対的に移動させる方向の幅を最終画像の画素の幅より小さくして、ラインセンサから出力される画像信号の相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度を最終画像の画素密度に変換する第２の画素密度変換フィルタを備え、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるようにした場合には、副走査方向における画素密度変換においても折り返し歪みを減少させることができ、さらにモアレの発生を抑制することができる。
【００２５】
また、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性が、最終画像の画素の幅から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにした場合には、上記同様モアレの発生の抑制をより効果的に行うことができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を用いて説明する。本発明による放射線画像読取装置の一実施形態の概略構成図を図１および図２に示す。図１は本実施形態の放射線画像読取装置の斜視図、図２は図１に示した放射線画像読取装置のＩ−Ｉ線断面を示す断面図、また、図３は図１と図２に示した放射線画像読取装置のラインセンサ２０の詳細構成を示す図である。
【００２７】
本発明による放射線画像読取装置は、放射線画像が蓄積記録された蓄積性蛍光体シート（以下、蛍光体シートという）５０を載置して矢印Ｙ方向に搬送する走査ベルト４０、線状の２次励起光（以下、単に励起光という）Ｌを蛍光体シート５０表面に略平行に出射する励起光源１１、励起光源１１から出射された線状の励起光Ｌを集光するコリメータレンズおよび一方向にのみビームを拡げるトーリックレンズの組合せからなる光学系１２、蛍光体シート５０表面に対して４５度の角度を傾けて配置され、励起光Ｌを蛍光体シート５０に向かって略垂直方向に反射し後述する輝尽発光光Ｍを透過するように設定されたダイクロイックミラー１４、ダイクロイックミラー１４により反射された線状の励起光Ｌを、蛍光体シート５０上にＸ方向に沿って延びる線状に集光するとともに、励起光の照射により蛍光体シート５０から発せられる蓄積記録された放射線画像に応じた輝尽発光光Ｍを平行光束とする屈折率分布形レンズアレイ１５（多数の屈折率分布形レンズが配列されてなるレンズであり、以下、第１のセルフォックレンズアレイという）、この第１のセルフォックレンズアレイ１５により平行光束とされ、ダイクロイックミラー１４を透過した輝尽発光光Ｍを、後述するラインセンサ２０に集光させる第２のセルフォックレンズアレイ１６、第２のセルフォックレンズアレイ１６を透過した輝尽発光光Ｍに僅かに混在する、蛍光体シート５０表面で反射した励起光Ｌをカットし、輝尽発光光Ｍは透過する励起光カットフィルタ１７、励起光カットフィルタ１７を透過した輝尽発光光Ｍを受光して光電変換するラインセンサ２０、ラインセンサ２０から出力された信号を読み取る画像読取手段３０を備えている。
【００２８】
励起光源としては、光源自体が線状の励起光を射出するものでもよいし、光学系により線状にするようにしてもよい。
【００２９】
また、コリメータレンズとトーリックレンズからなる光学系１２は、励起光源１１からの励起光Ｌを蛍光体シート５０上に所望の照射域に拡大する。
【００３０】
ラインセンサ２０は詳しくは、図３に示すように、光電変換素子２１がＸ方向に沿って多数（例えば１０００個以上）配列した構成となっている。
【００３１】
また、第２のセルフォックレンズアレイ１６は、ラインセンサの受光面において、蛍光体シート５０上における輝尽発光光Ｍの像を１対１の大きさで結像する像面とする作用をなす。
【００３２】
さらに、輝尽発光光Ｍを平行光束とする第１のセルフォックレンズアレイ１５、第１のセルフォックレンズアレイ１５により平行光束にされた輝尽発光光を透過するダイクロイックミラー１４およびラインセンサ２０に集光させる第２のセルフォックレンズアレイ１６から構成される集光光学系１８は、図４に示すようにそのＭＴＦが光電変換素子２１のＸ方向の幅により決定されるナイキスト周波数において５０％以下となるように第１、第２のセルフォックレンズアレイの屈折率および第１、第２のセルフォックレンズアレイおよびダイクロイックミラー１４の位置関係を調整したものである。
【００３３】
次に、本実施の形態による放射線画読取装置の作用について説明する。まず、走査ベルト４０が矢印Ｙ方向に移動することにより、この走査ベルト４０上に載置された、放射線画像が蓄積記録された蛍光体シート５０を矢印Ｙ方向に搬送する。このときの蛍光体シートの搬送速度はベルト４０の移動速度に等しく、ベルト４０の移動速度は画像読取手段３０に入力される。
【００３４】
一方、励起光源１１が、線状の励起光Ｌを、蛍光体シート５０表面に対して略平行に出射し、この励起光Ｌは、その光路上に設けられたコリメータレンズおよびトーリックレンズからなる光学系１２により平行ビームとされ、ダイクロイックミラー１４により蛍光体シート５０に垂直に入射する直交方向に反射され、その反射光は第１のセルフォックレンズアレイ１５により、蛍光体シート５０上に配置された蛍光体シート５０上にＸ方向に沿って延びる線状に略垂直に入射される。
【００３５】
蛍光体シート５０に入射した線状の励起光Ｌによりその集光域の蓄積性蛍光体を励起するとともに集光域から蛍光体シート５０内部に入射して集光域の近傍部分に拡散し、集光域の近傍部分の蓄積性蛍光体も励起する。その結果、蛍光体シート５０の集光域およびその近傍から、蓄積記録されている放射線画像に応じた強度の輝尽発光光Ｍが発光される。この輝尽発光光Ｍは、第１のセルフォックレンズアレイ１５により平行光束とされ、ダイクロイックミラー１４を透過し、第２のセルフォックレンズアレイ１６により、ラインセンサ２０の光電変換素子２１に集光される。この際、第２のセルフォックレンズアレイ１６を透過した輝尽発光光Ｍに蛍光体シート５０表面で反射した励起光Ｌが僅かに存在していたとしても、励起光カットフィルタ１７によりカットされるので、ラインセンサ表面には入射しない。また、第１のセルフォックレンズアレイ１５、ダイクロイックミラー１４および第２のセルフォックレンズアレイ１６から構成される集光光学系１８は、そのＭＴＦが光電変換素子２１のＸ方向の幅により決定されるナイキスト周波数において５０％以下となるように第１、第２のセルフォックレンズアレイの屈折率および第１、第２のセルフォックレンズアレイおよびダイクロイックミラー１４の位置関係を調整してあるので、ラインセンサ２０の光電変換素子２１により輝尽発光光が受光されてサンプリングされる際に生じる折り返し歪みを減少させることができる。
【００３６】
ラインセンサ２０により輝尽発光光は光電変換され、その画像信号は画像読取手段３０により読み取られ、画像処理装置等に出力される。
【００３７】
また、本実施の形態では、集光光学系１８は、そのＭＴＦが光電変換素子２１のＸ方向の幅により決定されるナイキスト周波数において５０％以下となるようにしたが、望ましくは図５に示すように２０％以下である。
【００３８】
本発明による第１の放射線画像読取装置によれば、励起光の照射により蛍光体シート５０から発せられる放射線画像に基づく輝尽発光光Ｍをラインセンサ２０に集光する集光光学系１８のＭＴＦが、光電変換素子のＸ方向の幅から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるものとしたので、折り返し歪みを減少させることができ、最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる。
【００３９】
また、集光光学系１８のＭＴＦが、光電変換素子のＸ方向の幅から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるようにした場合には、さらに折り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生を抑制することができる。
【００４０】
次に、本発明による第２の放射線画像読取装置の一実施形態について説明する。本発明による第２の放射線画像読取装置の一実施形態の概略構成図を図６に示す。また、図７は図６に示した放射線画像読取装置のラインセンサ２２の詳細構成を示す図である。その構成は、本実施の形態における放射線画像読取装置は、上記第１の放射線画像読取装置の実施形態とほぼ同様のため、異なる要素のみ図６および図７内に要素番号を記載する。なお、第１の放射線画像読取装置の実施形態と同等の要素についての説明は特に必要のない限り省略する。
【００４１】
本実施の形態における放射線画像読取装置は、蛍光体シート５０から発光された輝尽発光光を受光して光電変換するラインセンサ２２の光電変換素子２３のＸ方向の幅が所望の画像の画素の幅より小さく構成されている。
【００４２】
また、画像読取手段３１はラインセンサ２２の光電変換素子２３により光電変換された画像信号を読み取り、読み取られた画像信号を画素密度変換して所望の画像の画素密度に変換する画素密度変換フィルタ３２を備えている。さらに、画素密度変換フィルタ３２は、図８に示すようにその周波数特性が所望の画像の画素密度により規定されるナイキスト周波数において５０％以下となるようにしたものである。
【００４３】
なお、画素密度変換フィルタの周波数特性はフィルタ係数やフィルタのタップ数により定まるので、フィルタ係数やフィルタのタップ数を適宜選択した所望の周波数特性を実現すればよい。
【００４４】
次に、本実施の形態による放射線画像読取装置の作用について説明する。本実施の形態の放射線画像読取装置では、蛍光体シート５０から発光された輝尽発光光は、所望の画像の画素密度よりＸ方向の幅が小さい光電変換素子２３からなるラインセンサ２２により受光されて光電変換され、画像読取手段３１により読み取られる。このとき、光電変換素子２３のＸ方向の幅は、所望の画像の画素密度より小さくなるように構成されているので、ラインセンサ２２でのサンプリング時に折り返し歪みを減少させることができる。
【００４５】
そして、画像読取手段３１により読み取られた画像信号は、画素密度変換フィルタ３２により所望の画像の画素密度に変換された後、デジタル化等され画像処理装置等に出力される。
【００４６】
ここで、画像密度変換フィルタ３２は、その周波数特性が所望の画像の画素密度により規定されるナイキスト周波数において５０％以下となるよう構成されたものなので、画素密度変換に伴う折り返し歪みを減少させることができる。
【００４７】
また、本実施の形態では、画像密度変換フィルタ３２は、その周波数特性が所望の画像の画素密度により規定されるナイキスト周波数において５０％以下となるようしたが、望ましくは図９に示すように２０％以下である。
【００４８】
本発明による第２の放射線画像読取装置によれば、励起光の照射により蛍光体シート５０から発せられる放射線画像に基づく輝尽発光光Ｍを受光するラインセンサ２２の光電変換素子２３の幅を最終画像の画素密度よりも小さくしてナイキスト周波数を高くし、ラインセンサ２２により受光され光電変換された画像信号を最終画像の画素密度に変換する画素密度変換フィルタ３１を備え、その画素密度変換フィルタ３１の周波数特性が最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるものとしたので、折り返し歪みを減少させることができ、最終画像におけるモアレの発生を抑制することができる。
【００４９】
また、画素密度変換フィルタ３１の周波数特性が、最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるものとした場合には、さらに折り返し歪みを減少させることができ、モアレの発生を抑制することができる。
【００５０】
また、本発明による第１および第２の実施形態における放射線画像読取装置は、図８に示すように励起光が蛍光体シートに照射される部分のＹ方向の幅を所望の画像の画素密度より小さくして、その励起光の照射部分の幅に基づく画素密度を所望の画像の画素密度に画素密度変換する第２の画素密度変換フィルタを備えるようにすることもできる。このとき、第２の画素密度変換フィルタの周波数特性を、所望の画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるようにすることができる。また、望ましくは２０％以下である。このことによりＹ方向における画素密度変換においても、折り返し歪みを減少させることができる。
【００５１】
なお、本発明の放射線画像情報読取装置は、上述した実施形態に限るものではなく、光源、光源とシートとの間の集光光学系、シートとラインセンサとの間の光学系、ラインセンサ、公知の種々の構成を採用することができる。また、画像情報読取手段から出力された信号に対して種々の信号処理を施す画像処理装置をさらに備えた構成や、励起が完了したシートになお残存する放射線エネルギーを適切に放出せしめる消去手段をさらに備えた構成を採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１の放射線画像読取装置の一実施形態の概略構成図
【図２】図１に示した放射線画像読取装置のＩ−Ｉ線断面を示す断面図
【図３】図１および図２に示した放射線画像読取装置におけるラインセンサの詳細図
【図４】第１の実施形態における集光光学系のＭＴＦ（ナイキスト周波数において５０％以下）を示す図
【図５】第１の実施形態における集光光学系のＭＴＦ（ナイキスト周波数において２０％以下）を示す図
【図６】本発明による第２の放射線画像読取装置の一実施形態の概略構成図
【図７】図５に示した放射線画像読取装置におけるラインセンサの詳細図
【図８】第２の実施形態における画素密度変換フィルタの周波数特性（ナイキスト周波数において５０％以下）を示す図
【図９】第２の実施形態における画素密度変換フィルタの周波数特性（ナイキスト周波数において２０％以下）を示す図
【図１０】副走査方向の画素密度変換の説明図
【符号の説明】
１１ ブロードエリアレーザ
１２ 光学系
１４ ダイクロイックミラー
１５ 第１のセルフォックレンズアレイ
１６ 第２のセルフォックレンズアレイ
１７ 励起光カットフィルタ
１８ 集光光学系
２０、２２ ラインセンサ
２１、２３ 光電変換素子
３０、３１ 画像読取手段
３２ 画素密度変換フィルタ
４０ 搬送ベルト
５０ 蓄積性蛍光体シート
Claims (6)
- 放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光体シートの表面の一部に励起光を線状に照射する照射手段と、該照射手段により前記蛍光体シートに前記励起光が線状に照射された部分から発光された輝尽発光光を集光する集光レンズを有する集光光学系および該集光光学系により集光された前記輝尽発光光を受光して光電変換する多数の光電変換素子が直線状に一定のピッチで配列されてなるラインセンサを有する検出手段と、前記照射手段および前記検出手段と前記蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に前記照射された部分の長さ方向と異なる方向に移動させる走査手段と、前記ラインセンサの出力を前記移動に応じて順次読み取る読取手段とを備えた放射線画像読取装置において、
前記集光光学系のＭＴＦが、前記一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において５０％以下になるように前記集光レンズの屈折率が設定されていることを特徴とする放射線画像読取装置。 - 前記集光光学系のＭＴＦが、前記一定のピッチから規定されるナイキスト周波数において２０％以下になるように前記集光レンズの屈折率が設定されていることを特徴とする請求項１記載の放射線画像読取装置。
- 放射線画像が蓄積された蓄積性蛍光体シートの表面の一部に励起光を線状に照射する照射手段と、該照射手段により前記蛍光体シートに前記励起光が線状に照射された部分から発光された輝尽発光光を集光する集光レンズを有する集光光学系および該集光光学系により集光された前記輝尽発光光を受光して光電変換する多数の光電変換素子が直線状に一定のピッチで配列されてなるラインセンサを有する検出手段と、前記照射手段および前記検出手段と前記蛍光体シートの一方を他方に対して相対的に前記照射された部分の長さ方向と異なる方向に移動させる走査手段と、前記ラインセンサの出力を前記移動に応じて順次読み取り、最終画像を構成するデータを得る読取手段とを備えた放射線画像読取装置において、
前記一定のピッチが前記最終画像の画素の幅より小さく、前記ラインセンサから出力される前記一定のピッチに基づく画素密度の画像信号を前記最終画像の画素密度に変換する画素密度変換フィルタを備え、該画素密度変換フィルタの周波数特性が、前記最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になることを特徴とする放射線画像読取装置。 - 前記画素密度変換フィルタの周波数特性が、前記最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になることを特徴とする請求項３記載の放射線画像読取装置。
- 前記励起光が線状に照射された部分の前記相対的に移動させる方向の幅が前記最終画像の画素の幅より小さく、前記ラインセンサから出力される前記照射された部分の前記相対的に移動させる方向の幅に基づく画素密度の画像信号を前記最終画像の画素密度に変換する副走査方向画素密度変換フィルタを備え、該副走査方向画素密度変換フィルタの周波数特性が、前記最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において５０％以下になることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の放射線画像読取装置。
- 前記副走査方向画素密度変換フィルタの周波数特性が、前記最終画像の画素密度から規定されるナイキスト周波数において２０％以下になることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の放射線画像読取装置。
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