JP2002141369A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに、データキャリア装置およびデータキャリア装置の製造方法

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに、データキャリア装置およびデータキャリア装置の製造方法に関し、特に、外力負荷による破損を防止するようにした半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに、データキャリア装置およびデータキャリア装置の製造方法に関する。

【００１４】
前記硬質層は、ガラスクロスに熱硬化樹脂を含浸させた層、または、熱硬化樹脂層とするようにすることができる。
本発明の第１の半導体装置の製造方法は、軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を、前記配線基板の前記半導体チップを実装していない面か、または、前記半導体チップ上の面の少なくともいずれか一方の面に、前記軟質層が接するように積層することを特徴とする。
前記軟質層は、樹脂粒子により構成された層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着性樹脂粒子を固定した粘着テープとするようにすることができる。
前記硬質層は、ガラスクロスに熱硬化樹脂を含浸させた層、または、熱硬化樹脂層とするようにすることができる。

【００１６】
前記軟質層は、樹脂粒子により構成された層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着性樹脂粒子を固定した粘着テープとするようにすることができる。
本発明の第２の半導体装置の製造方法は、軟質層からなる緩衝層を、前記配線基板の前記半導体チップを実装していない面か、または、前記半導体チップ上の面の少なくともいずれか一方の面に積層することを特徴とする。
前記軟質層は、樹脂粒子により構成された層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着性樹脂粒子を固定した粘着テープとするようにすることができる。

【００１７】
本発明の第１のデータキャリア装置は、軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を備え、緩衝層が、第１の基体の電子部品モジュールと対向していない面か、または、第２の基体の半導体チップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面に、軟質層が接するように積層されたことを特徴とする。
データキャリア装置の第１の製造方法は、軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を、前記第１の基体の前記電子部品モジュールと対向していない面か、または、前記第２の基体の前記半導体チップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面に、前記軟質層が接するように積層することを特徴とする。

【００１８】
本発明の第２のデータキャリア装置は、軟質層からなる緩衝層を備え、緩衝層が、第１の基体の電子部品モジュールと対向していない面か、または、第２の基体の半導体チップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面に積層されたことを特徴とする。
本発明の第２のデータキャリア装置の製造方法は、軟質層からなる緩衝層を、前記第１の基体の前記電子部品モジュールと対向していない面か、または、前記第２の基体の前記半導体チップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面に積層することを特徴とする。

【００５９】
【発明の効果】
本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに、データキャリア装置およびデータキャリア装置の製造方法によれば、軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層、または、軟質層からなる緩衝層を設けるようにしたので、半導体チップを実装する部分の薄型化や、曲げに対する柔軟性を妨げることなく、点圧負荷に対する強度を向上させることができ、破損を防止することが可能になると共に、その製造工程において、高温、長時間の処理を必要としないので低コストでの製造が可能になる。

Claims (14)

1. 配線基板に半導体チップを実装した半導体装置において、
   軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を備え、
   前記緩衝層が、前記配線基板の前記半導体チップを実装していない面か、または、前記半導体チップ上の面の少なくともいずれか一方の面に、前記軟質層が接するように積層された
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 前記軟質層は、樹脂粒子により構成された層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着性樹脂粒子を固定した粘着テープである
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記硬質層は、ガラスクロスに熱硬化樹脂を含浸させた層、または、熱硬化樹脂層である
   ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 配線基板に半導体チップを実装する半導体装置を製造する半導体製造方法において、
   軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を、前記配線基板の前記半導体チップを実装していない面か、または、前記半導体チップ上の面の少なくともいずれか一方の面に、前記軟質層が接するように積層する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 前記軟質層は、樹脂粒子により構成された層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着性樹脂粒子を固定した粘着テープである
   ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記硬質層は、ガラスクロスに熱硬化樹脂を含浸させた層、または、熱硬化樹脂層である
   ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
7. 配線基板に半導体チップを実装した半導体装置において、
   軟質層からなる緩衝層を備え、
   前記緩衝層が、前記配線基板の前記半導体チップを実装していない面か、または、前記半導体チップ上の面の少なくともいずれか一方の面に積層された
   ことを特徴とする半導体装置。
8. 前記軟質層は、樹脂粒子により構成された層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着性樹脂粒子を固定した粘着テープである
   ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
9. 配線基板に半導体チップを実装した半導体装置の製造方法において、
   軟質層からなる緩衝層を、前記配線基板の前記半導体チップを実装していない面か、または、前記半導体チップ上の面の少なくともいずれか一方の面に積層する
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 前記軟質層は、樹脂粒子により構成された層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着性樹脂粒子を固定した粘着テープである
    ことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 第１の基体にアンテナコイルを構成する金属箔パターンを有するデータキャリア本体と、第２の基体表面の配線回路に半導体チップを実装した電子部品モジュールとを備え、前記第１の基体の前記金属箔パターンを有する面と、前記第２の基体の前記半導体チップが実装された面とが、対向した状態で一体化して構成されたデータキャリア装置において、
    軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を備え、
    前記緩衝層が、前記第１の基体の前記電子部品モジュールと対向していない面か、または、前記第２の基体の前記半導体チップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面に、前記軟質層が接するように積層された
    ことを特徴とするデータキャリア装置。
12. 第１の基体にアンテナコイルを構成する金属箔パターンを有するデータキャリア本体と、第２の基体表面の配線回路に半導体チップを実装した電子部品モジュールとを備え、前記第１の基体の前記金属箔パターンを有する面と、前記第２の基体の前記半導体チップが実装された面とが、対向した状態で一体化して構成されたデータキャリア装置の製造方法において、
    軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を、前記第１の基体の前記電子部品モジュールと対向していない面か、または、前記第２の基体の前記半導体チップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面に、前記軟質層が接するように積層する
    ことを特徴とするデータキャリア装置の製造方法。
13. 第１の基体にアンテナコイルを構成する金属箔パターンを有するデータキャリア本体と、第２の基体表面の配線回路に半導体チップを実装した電子部品モジュールとを備え、前記第１の基体の前記金属箔パターンを有する面と、前記第２の基体の前記半導体チップが実装された面とが、対向した状態で一体化して構成されたデータキャリア装置において、
    軟質層からなる緩衝層を備え、
    前記緩衝層が、前記第１の基体の前記電子部品モジュールと対向していない面か、または、前記第２の基体の前記半導体チップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面に積層された
    ことを特徴とするデータキャリア装置。
14. 第１の基体にアンテナコイルを構成する金属箔パターンを有するデータキャリア本体と、第２の基体表面の配線回路に半導体チップを実装した電子部品モジュールとを備え、前記第１の基体の前記金属箔パターンを有する面と、前記第２の基体の前記半導体チップが実装された面とが、対向した状態で一体化して構成されたデータキャリア装置の製造方法において、
    軟質層からなる緩衝層を、前記第１の基体の前記電子部品モジュールと対向していない面か、または、前記第２の基体の前記半導体チップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面に積層する
    ことを特徴とするデータキャリア装置の製造方法。