JP2002141369A - 半導体装置およびデータキャリア装置 - Google Patents
半導体装置およびデータキャリア装置Info
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップの点圧負荷による破損を防止す
る。 【解決手段】 点圧負荷６１が掛けられると、硬質層４
１ｂの内部に極短時間のうちに応力場が生じて、作用面
積が増加する。このため、応力分散層４１ａの軟質樹脂
粒子５２に伝搬する点圧負荷６１が図中の矢印に示すよ
うに分散され、結果として、半導体チップ１１にかかる
点圧負荷が分散されて面圧負荷に変換されるので、半導
体チップ１１の破損が防止される。
る。 【解決手段】 点圧負荷６１が掛けられると、硬質層４
１ｂの内部に極短時間のうちに応力場が生じて、作用面
積が増加する。このため、応力分散層４１ａの軟質樹脂
粒子５２に伝搬する点圧負荷６１が図中の矢印に示すよ
うに分散され、結果として、半導体チップ１１にかかる
点圧負荷が分散されて面圧負荷に変換されるので、半導
体チップ１１の破損が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
データキャリア装置に関し、特に、外力負荷による破損
を防止するようにした半導体装置およびデータキャリア
装置に関する。
データキャリア装置に関し、特に、外力負荷による破損
を防止するようにした半導体装置およびデータキャリア
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】航空タグ、物流管理用ラベル、および、
無人改札用パスを使用目的としたデータキャリア装置が
一般に普及しつつある。
無人改札用パスを使用目的としたデータキャリア装置が
一般に普及しつつある。
【０００３】従来のデータキャリアとしては、例えば、
特開平6-243358に記載された航空タグがある。特開平6-
243358に記載された航空タグは、PET（ポリエチレンテ
レフタレート）フィルム製基材の片面に渦巻状導体パタ
ーンのアンテナコイルと、送受信回路やメモリ等を搭載
したIC（Integrated Circuit）（半導体装置）から構成
されている。
特開平6-243358に記載された航空タグがある。特開平6-
243358に記載された航空タグは、PET（ポリエチレンテ
レフタレート）フィルム製基材の片面に渦巻状導体パタ
ーンのアンテナコイルと、送受信回路やメモリ等を搭載
したIC（Integrated Circuit）（半導体装置）から構成
されている。
【０００４】本出願人は、先に、上述の送受信回路やメ
モリ等を構成する半導体チップを、フィルム状の絶縁性
小片（一種の配線基板）に予め実装することでモジュー
ル化し、この電子部品モジュールを航空タグ本体として
構成するPETフィルム上に接着する構造のデータキャリ
アを提案している。
モリ等を構成する半導体チップを、フィルム状の絶縁性
小片（一種の配線基板）に予め実装することでモジュー
ル化し、この電子部品モジュールを航空タグ本体として
構成するPETフィルム上に接着する構造のデータキャリ
アを提案している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、航空タグに
接着される上記の電子部品モジュールのように、高度の
薄型化が要求される配線基板に関して、図１に示すよう
に、プリント回路基板を構成する樹脂基材１５に半導体
チップ１１が直接実装されるフリップチップ方式（以
下、FCと称する）が提案されている。このFC方式は、半
導体チップ１１の電極に、予め接続用のバンプ（突起状
端子）１２を形成しておき、このバンプ１２と樹脂基材
１５上の端子１３を位置合わせした後、ハンダなどの導
電性ペースト１４により接続する方式である。
接着される上記の電子部品モジュールのように、高度の
薄型化が要求される配線基板に関して、図１に示すよう
に、プリント回路基板を構成する樹脂基材１５に半導体
チップ１１が直接実装されるフリップチップ方式（以
下、FCと称する）が提案されている。このFC方式は、半
導体チップ１１の電極に、予め接続用のバンプ（突起状
端子）１２を形成しておき、このバンプ１２と樹脂基材
１５上の端子１３を位置合わせした後、ハンダなどの導
電性ペースト１４により接続する方式である。
【０００６】しかしながら、こうした半導体チップを構
成するシリコン（Si）は、脆性であり、外部からの機械
的応力、特に点圧応力の負荷に対して非常に脆いにもか
かわらず、FC方式で実装されると半導体チップ１１が剥
き出しになるため、点圧応力の負荷により半導体チップ
が欠ける、割れる等の破損が発生し易いという課題があ
った。
成するシリコン（Si）は、脆性であり、外部からの機械
的応力、特に点圧応力の負荷に対して非常に脆いにもか
かわらず、FC方式で実装されると半導体チップ１１が剥
き出しになるため、点圧応力の負荷により半導体チップ
が欠ける、割れる等の破損が発生し易いという課題があ
った。
【０００７】この問題を解決する方法として、半導体チ
ップを実装後に樹脂モールドにより密閉封止する方法、
あるいは特開2000-242745に記載されているような、金
属板等によってIC部を補強する方法が提案されている。
しかしながら、樹脂モールドは高温で、かつ、長時間の
熱処理が必要であり製造コストが高いうえ、平滑面を生
成することや薄型化が困難であるという課題があった。
ップを実装後に樹脂モールドにより密閉封止する方法、
あるいは特開2000-242745に記載されているような、金
属板等によってIC部を補強する方法が提案されている。
しかしながら、樹脂モールドは高温で、かつ、長時間の
熱処理が必要であり製造コストが高いうえ、平滑面を生
成することや薄型化が困難であるという課題があった。
【０００８】また、金属板によってIC部を補強する方法
では、点圧応力を面圧応力に変換するという効果を持つ
ため、半導体チップの破損を防止することが可能にはな
るものの、薄型化が難しいことや、金属板によってIC実
装部周辺の曲げに対する柔軟性が損なわれてしまうとい
った問題がある上、データキャリアを構成するアンテナ
コイルとの間でコンデンサが形成されてしまうので、共
振周波数を低下させてしまい、交信距離が低下してしま
うという課題があった。
では、点圧応力を面圧応力に変換するという効果を持つ
ため、半導体チップの破損を防止することが可能にはな
るものの、薄型化が難しいことや、金属板によってIC実
装部周辺の曲げに対する柔軟性が損なわれてしまうとい
った問題がある上、データキャリアを構成するアンテナ
コイルとの間でコンデンサが形成されてしまうので、共
振周波数を低下させてしまい、交信距離が低下してしま
うという課題があった。
【０００９】こうした課題を解決する方法としては、特
許第2625654号のように、樹脂フィルムを半導体チップ
の上面に積層する方法が知られている。この方法におい
ては、半導体チップの保護構造を持った半導体装置を薄
く、低コストで構成することが可能であり、半導体チッ
プの上面に積層されるのものが樹脂フィルムであること
から、アンテナコイルとの間でコンデンサを形成するこ
とがないので、交信距離を低下させてしまうといった課
題を解消させることができる。
許第2625654号のように、樹脂フィルムを半導体チップ
の上面に積層する方法が知られている。この方法におい
ては、半導体チップの保護構造を持った半導体装置を薄
く、低コストで構成することが可能であり、半導体チッ
プの上面に積層されるのものが樹脂フィルムであること
から、アンテナコイルとの間でコンデンサを形成するこ
とがないので、交信距離を低下させてしまうといった課
題を解消させることができる。
【００１０】しかしながら、上記の方法では、積層した
樹脂フィルムが、金属板等の剛性材料にみられるような
点圧応力を面圧応力に変換するという効果を持たないた
め、半導体チップが破損し易いという課題があった。
樹脂フィルムが、金属板等の剛性材料にみられるような
点圧応力を面圧応力に変換するという効果を持たないた
め、半導体チップが破損し易いという課題があった。
【００１１】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、薄型で柔軟性のある半導体装置およびデー
タキャリア装置の点圧負荷による破損を防止させるよう
にするものである。
ものであり、薄型で柔軟性のある半導体装置およびデー
タキャリア装置の点圧負荷による破損を防止させるよう
にするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の半導体装
置は、軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を
備え、緩衝層が、配線基板の半導体チップを実装してい
ない面上か、または、半導体チップ上の面の少なくとも
いずれか一方の面に、軟質層が接するように積層された
ことを特徴とする。
置は、軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を
備え、緩衝層が、配線基板の半導体チップを実装してい
ない面上か、または、半導体チップ上の面の少なくとも
いずれか一方の面に、軟質層が接するように積層された
ことを特徴とする。
【００１３】前記軟質層は、樹脂粒子により構成された
層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着性
樹脂粒子を固定した粘着テープとするようにすることが
できる。
層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着性
樹脂粒子を固定した粘着テープとするようにすることが
できる。
【００１４】前記硬質層は、ガラスクロスに熱硬化樹脂
を含浸させた層、または、熱硬化樹脂層とするようにす
ることができる。
を含浸させた層、または、熱硬化樹脂層とするようにす
ることができる。
【００１５】本発明の第２の半導体装置は、軟質層から
なる緩衝層を備え、緩衝層が、配線基板の半導体チップ
を実装していない面上か、または、半導体チップ上の面
の少なくともいずれか一方の面に積層されたことを特徴
とする。
なる緩衝層を備え、緩衝層が、配線基板の半導体チップ
を実装していない面上か、または、半導体チップ上の面
の少なくともいずれか一方の面に積層されたことを特徴
とする。
【００１６】前記軟質層は、樹脂粒子により構成された
層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着性
樹脂粒子を固定した粘着テープとするようにすることが
できる。
層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着性
樹脂粒子を固定した粘着テープとするようにすることが
できる。
【００１７】本発明の第１のデータキャリア装置は、軟
質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を備え、緩
衝層が、第１の基体の電子部品モジュールと対向してい
ない面か、または、第２の基体の半導体チップを実装し
ていない面の少なくともいずれか一方の面に、軟質層が
接するように積層されたことを特徴とする。
質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を備え、緩
衝層が、第１の基体の電子部品モジュールと対向してい
ない面か、または、第２の基体の半導体チップを実装し
ていない面の少なくともいずれか一方の面に、軟質層が
接するように積層されたことを特徴とする。
【００１８】本発明の第２のデータキャリア装置は、軟
質層からなる緩衝層を備え、緩衝層が、第１の基体の電
子部品モジュールと対向していない面か、または、第２
の基体の半導体チップを実装していない面の少なくとも
いずれか一方の面に積層されたことを特徴とする。
質層からなる緩衝層を備え、緩衝層が、第１の基体の電
子部品モジュールと対向していない面か、または、第２
の基体の半導体チップを実装していない面の少なくとも
いずれか一方の面に積層されたことを特徴とする。
【００１９】本発明の第１の半導体装置の前記緩衝層
は、例えば、軟質層である応力分散層４１ａおよび硬質
層４１ｂから構成された、図５の応力緩衝層４１であ
り、点圧負荷を分散し、半導体チップ１１の破損を防止
する。
は、例えば、軟質層である応力分散層４１ａおよび硬質
層４１ｂから構成された、図５の応力緩衝層４１であ
り、点圧負荷を分散し、半導体チップ１１の破損を防止
する。
【００２０】本発明の第２の半導体装置の前記緩衝層
は、例えば、図２の応力緩衝層４１であり、軟質層であ
る応力分散層４１ａから構成され、点圧応力を分散し、
半導体チップ１１の破損を防止する。
は、例えば、図２の応力緩衝層４１であり、軟質層であ
る応力分散層４１ａから構成され、点圧応力を分散し、
半導体チップ１１の破損を防止する。
【００２１】本発明の第１のデータキャリア装置の前記
緩衝層は、例えば、軟質層である応力分散層４１ａおよ
び硬質層４１ｂから構成された、図７の応力緩衝層１０
１ａ，１０１ｂであり、点圧負荷を分散し、データキャ
リア装置７１の電子部品モジュール８１に搭載された半
導体チップ１１の破損を防止する。
緩衝層は、例えば、軟質層である応力分散層４１ａおよ
び硬質層４１ｂから構成された、図７の応力緩衝層１０
１ａ，１０１ｂであり、点圧負荷を分散し、データキャ
リア装置７１の電子部品モジュール８１に搭載された半
導体チップ１１の破損を防止する。
【００２２】本発明の第２のデータキャリア装置の前記
緩衝層は、例えば、軟質層である応力分散層４１ａから
構成された、図７の応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂであ
り、点圧負荷を分散し、データキャリア装置７１の電子
部品モジュール８１に搭載された半導体チップ１１の破
損を防止する。
緩衝層は、例えば、軟質層である応力分散層４１ａから
構成された、図７の応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂであ
り、点圧負荷を分散し、データキャリア装置７１の電子
部品モジュール８１に搭載された半導体チップ１１の破
損を防止する。
【００２３】本発明の第１の半導体装置においては、軟
質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層が設けら
れ、緩衝層が、配線基板の半導体チップを実装していな
い面上か、または、半導体チップ上の面の少なくともい
ずれか一方の面に、軟質層が接するように積層される。
質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層が設けら
れ、緩衝層が、配線基板の半導体チップを実装していな
い面上か、または、半導体チップ上の面の少なくともい
ずれか一方の面に、軟質層が接するように積層される。
【００２４】本発明の第２の半導体装置においては、軟
質層からなる緩衝層が設けられ、緩衝層が、配線基板の
半導体チップを実装していない面上か、または、半導体
チップ上の面の少なくともいずれか一方の面に積層され
る。
質層からなる緩衝層が設けられ、緩衝層が、配線基板の
半導体チップを実装していない面上か、または、半導体
チップ上の面の少なくともいずれか一方の面に積層され
る。
【００２５】本発明の第１のデータキャリア装置におい
ては、軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層が
設けられ、緩衝層が、第１の基体の電子部品モジュール
と対向していない面か、または、第２の基体の半導体チ
ップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面
に、軟質層が接するように積層される。
ては、軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層が
設けられ、緩衝層が、第１の基体の電子部品モジュール
と対向していない面か、または、第２の基体の半導体チ
ップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面
に、軟質層が接するように積層される。
【００２６】本発明の第２のデータキャリア装置におい
ては、軟質層からなる緩衝層が設けられ、緩衝層が、第
１の基体の電子部品モジュールと対向していない面か、
または、第２の基体の半導体チップを実装していない面
の少なくともいずれか一方の面に積層される。
ては、軟質層からなる緩衝層が設けられ、緩衝層が、第
１の基体の電子部品モジュールと対向していない面か、
または、第２の基体の半導体チップを実装していない面
の少なくともいずれか一方の面に積層される。
【００２７】本発明の第１の半導体装置によれば、軟質
層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を設け、緩衝
層を配線基板の半導体チップを実装していない面上か、
または、半導体チップ上の面の少なくともいずれか一方
の面に、軟質層が接するように積層するようにした。
層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を設け、緩衝
層を配線基板の半導体チップを実装していない面上か、
または、半導体チップ上の面の少なくともいずれか一方
の面に、軟質層が接するように積層するようにした。
【００２８】また、本発明の第２の半導体装置によれ
ば、軟質層からなる緩衝層を設け、緩衝層を配線基板の
半導体チップを実装していない面上か、または、半導体
チップ上の面の少なくともいずれか一方の面に積層する
ようにした。
ば、軟質層からなる緩衝層を設け、緩衝層を配線基板の
半導体チップを実装していない面上か、または、半導体
チップ上の面の少なくともいずれか一方の面に積層する
ようにした。
【００２９】さらに、本発明の第１のデータキャリア装
置によれば、軟質層および硬質層からなる２層構造の緩
衝層を設け、緩衝層を第１の基体の電子部品モジュール
と対向していない面か、または、第２の基体の半導体チ
ップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面
に、軟質層が接するように積層するようにした。
置によれば、軟質層および硬質層からなる２層構造の緩
衝層を設け、緩衝層を第１の基体の電子部品モジュール
と対向していない面か、または、第２の基体の半導体チ
ップを実装していない面の少なくともいずれか一方の面
に、軟質層が接するように積層するようにした。
【００３０】また、本発明の第２のデータキャリア装置
によれば、軟質層からなる緩衝層を設け、緩衝層を第１
の基体の電子部品モジュールと対向していない面か、ま
たは、第２の基体の半導体チップを実装していない面の
少なくともいずれか一方の面に積層するようにした。
によれば、軟質層からなる緩衝層を設け、緩衝層を第１
の基体の電子部品モジュールと対向していない面か、ま
たは、第２の基体の半導体チップを実装していない面の
少なくともいずれか一方の面に積層するようにした。
【００３１】その結果、いずれにおいても、半導体チッ
プを実装する部分の薄型化や、曲げに対する柔軟性を妨
げることなく、点圧負荷に対する強度を向上させること
ができ、破損を防止することが可能になると共に、その
製造工程において、高温、長時間の処理を必要としない
ので低コストでの製造が可能になる。
プを実装する部分の薄型化や、曲げに対する柔軟性を妨
げることなく、点圧負荷に対する強度を向上させること
ができ、破損を防止することが可能になると共に、その
製造工程において、高温、長時間の処理を必要としない
ので低コストでの製造が可能になる。
【００３２】
【発明の実施の形態】図２は、本発明に係る半導体装置
の一実施の形態の構成を示す図である。
の一実施の形態の構成を示す図である。
【００３３】尚、図２以降においては、従来の図面と対
応する部分には、同一の符号を付してあり、その説明は
適宜省略する。
応する部分には、同一の符号を付してあり、その説明は
適宜省略する。
【００３４】半導体装置の樹脂基材１５は、２５μｍの
ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製フィルムであ
る。この樹脂基材１５の図中上面に３５μｍの硬質アル
ミからなる配線回路３１が積層される。この配線回路３
１の表面に熱可塑性の樹脂材（レジスト）３２からなる
インク材が所定のパターン状に塗布されて積層されてい
る。この樹脂材３２は、エッチングにより配線回路３１
を形成する際に、配線回路３１として形成される部分を
マスクするために塗布されるものである。
ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製フィルムであ
る。この樹脂基材１５の図中上面に３５μｍの硬質アル
ミからなる配線回路３１が積層される。この配線回路３
１の表面に熱可塑性の樹脂材（レジスト）３２からなる
インク材が所定のパターン状に塗布されて積層されてい
る。この樹脂材３２は、エッチングにより配線回路３１
を形成する際に、配線回路３１として形成される部分を
マスクするために塗布されるものである。
【００３５】また、配線回路３１上の樹脂材３２が積層
されていない部分（エッチングの後に、樹脂材３２が剥
がされた部分）には、１５０μｍの厚さの半導体チップ
１１が、そのバンプ１２を介して接続されている。さら
に、半導体チップ１１の上には、応力緩衝層４１が積層
されている。応力緩衝層４１は、７０μｍの不織布に軟
質の粘着性樹脂粒子を付着させた応力分散層４１ａから
構成されている。また、応力緩衝層４１は、樹脂材１５
の図中下側にも積層されている。
されていない部分（エッチングの後に、樹脂材３２が剥
がされた部分）には、１５０μｍの厚さの半導体チップ
１１が、そのバンプ１２を介して接続されている。さら
に、半導体チップ１１の上には、応力緩衝層４１が積層
されている。応力緩衝層４１は、７０μｍの不織布に軟
質の粘着性樹脂粒子を付着させた応力分散層４１ａから
構成されている。また、応力緩衝層４１は、樹脂材１５
の図中下側にも積層されている。
【００３６】以上のような構成から半導体装置は、その
応力緩衝層４１（応力分散層４１ａ）に、比較的広い面
積の点圧負荷５１がかけられると、図３に示すように、
粘着性の軟質樹脂粒子５２を伝播する過程で点圧負荷５
１が、図中の矢印に示すように、半導体チップ１１に対
して分散されることになるため、半導体チップ１１への
作用面積を増加させることができる。半導体チップ１１
を構成するシリコン（Si）等の脆性材は、衝撃的応力、
あるいは点圧的応力には非常に弱いという欠点がある
が、面圧的応力には非常に強い（圧縮応力で４５０MPa
に達する）という特性がある。このため、図３に示すよ
うに、応力分散層４１ａからなる応力緩衝層４１が、点
圧負荷５１に示すような点圧的応力の作用面積を分散し
て、面圧的応力に変化させることにより、点圧的応力に
対して強い半導体装置を構成することが可能となる。
応力緩衝層４１（応力分散層４１ａ）に、比較的広い面
積の点圧負荷５１がかけられると、図３に示すように、
粘着性の軟質樹脂粒子５２を伝播する過程で点圧負荷５
１が、図中の矢印に示すように、半導体チップ１１に対
して分散されることになるため、半導体チップ１１への
作用面積を増加させることができる。半導体チップ１１
を構成するシリコン（Si）等の脆性材は、衝撃的応力、
あるいは点圧的応力には非常に弱いという欠点がある
が、面圧的応力には非常に強い（圧縮応力で４５０MPa
に達する）という特性がある。このため、図３に示すよ
うに、応力分散層４１ａからなる応力緩衝層４１が、点
圧負荷５１に示すような点圧的応力の作用面積を分散し
て、面圧的応力に変化させることにより、点圧的応力に
対して強い半導体装置を構成することが可能となる。
【００３７】ところが、図２に示すような半導体装置で
は、図４に示すように、比較的作用面積の小さい、例え
ば、先端の鋭い圧子等からなる点圧負荷６１がかけられ
ると、応力緩衝層４１の応力分散層４１ａが、点圧負荷
６１の作用面積を時間経過に伴って増加させる（分散さ
せる）ことができず、結果として、図４中の矢印に示す
ように、半導体チップ１１には、局部的に大きな負荷が
かかってしまい、破損してしまう恐れがある。
は、図４に示すように、比較的作用面積の小さい、例え
ば、先端の鋭い圧子等からなる点圧負荷６１がかけられ
ると、応力緩衝層４１の応力分散層４１ａが、点圧負荷
６１の作用面積を時間経過に伴って増加させる（分散さ
せる）ことができず、結果として、図４中の矢印に示す
ように、半導体チップ１１には、局部的に大きな負荷が
かかってしまい、破損してしまう恐れがある。
【００３８】そこで、図５に示すように、応力緩衝層４
１に、軟質層である応力分散層４１ａに加えて、さら
に、樹脂基材１５に対して外側の面に、ガラスクロスに
熱硬化性樹脂を含浸させた（熱硬化樹脂だけでも良い）
３０μｍの硬質層４１ｂを設ける。
１に、軟質層である応力分散層４１ａに加えて、さら
に、樹脂基材１５に対して外側の面に、ガラスクロスに
熱硬化性樹脂を含浸させた（熱硬化樹脂だけでも良い）
３０μｍの硬質層４１ｂを設ける。
【００３９】このような構成とすることで、図６に示す
ように、硬質層４１ｂ内に、局部的に比較的面積の小さ
い、例えば、先端が鋭い圧子等からなる点圧負荷６１に
対して応力場が生じ、点圧負荷６１の作用面積が極短時
間で増加するという効果が得られる。結果として、応力
分散層４１ａの軟質樹脂粒子５２を伝播する過程で点圧
負荷６１が、図中の矢印に示すように、半導体チップ１
１に対して分散されることになるため、半導体チップ１
１への作用面積を増加させることができ、比較的面積の
小さい点圧負荷６１による負荷に対しても、半導体装置
が破損し難い構成とすることが可能となる。また、硬質
層４１ｂを設けても、応力緩衝層４１は、0.1ｍｍ（＝
応力分散層７０μｍ＋硬質層３０μｍ）程度の厚さで構
成できるので、薄型化に対する弊害とならない。
ように、硬質層４１ｂ内に、局部的に比較的面積の小さ
い、例えば、先端が鋭い圧子等からなる点圧負荷６１に
対して応力場が生じ、点圧負荷６１の作用面積が極短時
間で増加するという効果が得られる。結果として、応力
分散層４１ａの軟質樹脂粒子５２を伝播する過程で点圧
負荷６１が、図中の矢印に示すように、半導体チップ１
１に対して分散されることになるため、半導体チップ１
１への作用面積を増加させることができ、比較的面積の
小さい点圧負荷６１による負荷に対しても、半導体装置
が破損し難い構成とすることが可能となる。また、硬質
層４１ｂを設けても、応力緩衝層４１は、0.1ｍｍ（＝
応力分散層７０μｍ＋硬質層３０μｍ）程度の厚さで構
成できるので、薄型化に対する弊害とならない。
【００４０】尚、応力緩衝層４１が硬質層４１ｂのみで
ある場合、応力緩衝層４１は、点圧負荷６１によって全
く変形しない剛性、あるいは変形を内部で吸収する十分
な厚さが必要となる。
ある場合、応力緩衝層４１は、点圧負荷６１によって全
く変形しない剛性、あるいは変形を内部で吸収する十分
な厚さが必要となる。
【００４１】次に、図５に示す半導体装置の製造工程に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００４２】第１の工程において、樹脂基材１５および
配線回路３１として、例えば、Al-PET（アルミ−ポリエ
チレンテレフタレート）積層基材を生成する。樹脂基材
１５は、例えば、２５μｍ厚のPETフィルムであり、そ
の片面に、ウレタン系接着剤を介して３５μm厚の硬質
アルミ箔からなる配線回路３１を重ね、これを温度１５
０℃、圧力５ｋｇ／ｃｍ2の条件で熱ラミネート処理
し、積層接着させる。これにより、PETフィルムからな
る樹脂基材１５の表面に、配線回路３１を形成するため
の硬質アルミ箔が接着された（樹脂基材１５に配線回路
３１の層が積層された）Al-PET積層材が生成される。
配線回路３１として、例えば、Al-PET（アルミ−ポリエ
チレンテレフタレート）積層基材を生成する。樹脂基材
１５は、例えば、２５μｍ厚のPETフィルムであり、そ
の片面に、ウレタン系接着剤を介して３５μm厚の硬質
アルミ箔からなる配線回路３１を重ね、これを温度１５
０℃、圧力５ｋｇ／ｃｍ2の条件で熱ラミネート処理
し、積層接着させる。これにより、PETフィルムからな
る樹脂基材１５の表面に、配線回路３１を形成するため
の硬質アルミ箔が接着された（樹脂基材１５に配線回路
３１の層が積層された）Al-PET積層材が生成される。
【００４３】第２の工程において、配線回路３１を形成
するための硬質アルミ箔の表面上に所定のパターン形状
のエッチングレジストパターンとなる樹脂材３２を形成
する。
するための硬質アルミ箔の表面上に所定のパターン形状
のエッチングレジストパターンとなる樹脂材３２を形成
する。
【００４４】第３の工程において、第２の工程により形
成されたエッチングレジストパターンから露出するアル
ミ箔部分をエッチング処理により除去し、配線回路パタ
−ンを形成する。このエッチング処理に際しては、エッ
チング液としてNaOH（水酸化ナトリウム（濃度：１２０
ｇ／ｌ））を５０℃の条件で使用し、配線回路３１とし
て不要な部分のアルミ箔を除去する。
成されたエッチングレジストパターンから露出するアル
ミ箔部分をエッチング処理により除去し、配線回路パタ
−ンを形成する。このエッチング処理に際しては、エッ
チング液としてNaOH（水酸化ナトリウム（濃度：１２０
ｇ／ｌ））を５０℃の条件で使用し、配線回路３１とし
て不要な部分のアルミ箔を除去する。
【００４５】第４の工程において、半導体チップ１１を
第３の工程の処理で形成された配線回路３１上に接続す
る。すなわち、エッチング処理の後、図５に示すよう
に、所定の部分の樹脂材３２を剥がして、接続用の配線
回路３１のアルミ箔が剥き出しになった部分に、半導体
チップ１１のバンプ１２を介して接続（実装）する。こ
の時の半導体チップ１１の実装方法は、異方導電性接着
剤による実装方法、あるいは超音波、導電性接着剤によ
る実装方法等を用いる。
第３の工程の処理で形成された配線回路３１上に接続す
る。すなわち、エッチング処理の後、図５に示すよう
に、所定の部分の樹脂材３２を剥がして、接続用の配線
回路３１のアルミ箔が剥き出しになった部分に、半導体
チップ１１のバンプ１２を介して接続（実装）する。こ
の時の半導体チップ１１の実装方法は、異方導電性接着
剤による実装方法、あるいは超音波、導電性接着剤によ
る実装方法等を用いる。
【００４６】第５の工程において、第４の工程の処理で
実装された半導体チップ１１の直上、及び、樹脂基材１
５の半導体チップ１１が実装されていない面側に、応力
緩衝層４１（応力分散層４１ａのみ、または、応力分散
層４１ａおよび硬質層４１ｂ）を積層する。軟質樹脂粒
子（アクリル等）５２からなる応力分散層４１ａを作製
する。この応力分散層４１ａは、軟質樹脂粒子５２を高
温で吹き付けるスプレーコート法により生成されるが、
不織布に粘着性の軟質樹脂粒子５２、例えばアクリル系
樹脂を塗布した粘着性のフィルムテ−プ７０μｍを予め
作製し、このテープを貼り付けてもよい。
実装された半導体チップ１１の直上、及び、樹脂基材１
５の半導体チップ１１が実装されていない面側に、応力
緩衝層４１（応力分散層４１ａのみ、または、応力分散
層４１ａおよび硬質層４１ｂ）を積層する。軟質樹脂粒
子（アクリル等）５２からなる応力分散層４１ａを作製
する。この応力分散層４１ａは、軟質樹脂粒子５２を高
温で吹き付けるスプレーコート法により生成されるが、
不織布に粘着性の軟質樹脂粒子５２、例えばアクリル系
樹脂を塗布した粘着性のフィルムテ−プ７０μｍを予め
作製し、このテープを貼り付けてもよい。
【００４７】さらに、硬質層４１ｂを積層する場合、硬
質層４１ｂは、応力分散層４１ａの表面にエポキシ等の
熱硬化性樹脂を３０μｍ乃至５０μｍ程に度塗布し、１
２０℃で３０分程度硬化させて形成することができる。
また、応力分散層４１ａとして上記の粘着性のフィルム
テ−プを用いるとき、予め作製したエポキシ、あるいは
ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた、３０μｍ程
度の厚さのフィルムからなる硬化層４１ｂを貼り付けて
形成するようにしてもよい。
質層４１ｂは、応力分散層４１ａの表面にエポキシ等の
熱硬化性樹脂を３０μｍ乃至５０μｍ程に度塗布し、１
２０℃で３０分程度硬化させて形成することができる。
また、応力分散層４１ａとして上記の粘着性のフィルム
テ−プを用いるとき、予め作製したエポキシ、あるいは
ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた、３０μｍ程
度の厚さのフィルムからなる硬化層４１ｂを貼り付けて
形成するようにしてもよい。
【００４８】次に、図７を参照して、以上のような応力
緩衝層４１を、フィルム状データキャリア装置に応用し
た例について説明する。図７（Ａ）は、データキャリア
装置７１の平面図であり、図７（Ｂ）は、データキャリ
ア装置７１の側面図である。図７（Ａ），図７（Ｂ）に
示すように、デ−タキャリア装置７１は、水平方向Ｈが
７８ｍｍ、垂直方向Ｖが４８ｍｍのカード状のもので、
フィルム状樹脂製基体にアンテナコイル７２を構成する
金属箔パタ−ンを有するデ−タキャリア装置７１の本体
と、樹脂基材１５の表面の配線回路３１に半導体チップ
１１を実装した電子部品モジュール８１とが一体化され
た構造となっており、アンテナコイル７２を介して、半
導体チップ１１に内蔵された通信回路（図示せず）によ
り図示せぬ読取装置と電磁波で通信することができる。
緩衝層４１を、フィルム状データキャリア装置に応用し
た例について説明する。図７（Ａ）は、データキャリア
装置７１の平面図であり、図７（Ｂ）は、データキャリ
ア装置７１の側面図である。図７（Ａ），図７（Ｂ）に
示すように、デ−タキャリア装置７１は、水平方向Ｈが
７８ｍｍ、垂直方向Ｖが４８ｍｍのカード状のもので、
フィルム状樹脂製基体にアンテナコイル７２を構成する
金属箔パタ−ンを有するデ−タキャリア装置７１の本体
と、樹脂基材１５の表面の配線回路３１に半導体チップ
１１を実装した電子部品モジュール８１とが一体化され
た構造となっており、アンテナコイル７２を介して、半
導体チップ１１に内蔵された通信回路（図示せず）によ
り図示せぬ読取装置と電磁波で通信することができる。
【００４９】デ−タキャリア装置７１には、電子部品モ
ジュール８１の半導体チップ１１の実装されていない樹
脂基材１５の表面、及び、電子部品モジュール８１が実
装されていない基体表面の半導体チップ１１の直上の位
置の面に、それぞれ上記の応力緩衝層４１（総厚0.1mm
（＝（応力分散層４１ａ：７０μm）＋（硬質層４１
ｂ：３０μm）））と同様の応力緩衝層１０１ａ，１０
１ｂが積層されている。
ジュール８１の半導体チップ１１の実装されていない樹
脂基材１５の表面、及び、電子部品モジュール８１が実
装されていない基体表面の半導体チップ１１の直上の位
置の面に、それぞれ上記の応力緩衝層４１（総厚0.1mm
（＝（応力分散層４１ａ：７０μm）＋（硬質層４１
ｂ：３０μm）））と同様の応力緩衝層１０１ａ，１０
１ｂが積層されている。
【００５０】図８には、図７に示すデータキャリア装置
７１における半導体チップ１１の実装されていない応力
緩衝層１０１ｂに向けて、φ１０ｍｍ、および、φ０．
５ｍｍの圧子によって点圧負荷１１１をかけた場合に半
導体チップ１１に割れが入る限界荷重（Ｎ）が示されて
いる。
７１における半導体チップ１１の実装されていない応力
緩衝層１０１ｂに向けて、φ１０ｍｍ、および、φ０．
５ｍｍの圧子によって点圧負荷１１１をかけた場合に半
導体チップ１１に割れが入る限界荷重（Ｎ）が示されて
いる。
【００５１】ここで、図８の構造Ａには、データキャリ
ア装置７１の両面に応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂが積
層されていない場合の限界荷重が示されており、図８の
構造Ｂには、データキャリア装置７１の両面に応力緩衝
層１０１ａ，１０１ｂとして、応力分散層４１ａと硬質
層４１ｂが積層されている場合の限界荷重が示されてお
り、図８の構造Ｃには、データキャリア装置７１の両面
に応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂとして、応力分散層４
１ａのみが積層されている場合の限界荷重が示されてお
り、図８の構造Ｄには、データキャリア装置７１の両面
に応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂとして、硬質層４１ｂ
のみが積層されている場合の限界荷重が示されており、
さらに、図８の構造Ｅには、データキャリア装置７１の
電子部品モジュール８１が積層されていない面のみに、
応力分散層４１ａと硬質層４１ｂからなる応力緩衝層１
０１ｂが積層されている場合の限界荷重が示されてい
る。
ア装置７１の両面に応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂが積
層されていない場合の限界荷重が示されており、図８の
構造Ｂには、データキャリア装置７１の両面に応力緩衝
層１０１ａ，１０１ｂとして、応力分散層４１ａと硬質
層４１ｂが積層されている場合の限界荷重が示されてお
り、図８の構造Ｃには、データキャリア装置７１の両面
に応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂとして、応力分散層４
１ａのみが積層されている場合の限界荷重が示されてお
り、図８の構造Ｄには、データキャリア装置７１の両面
に応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂとして、硬質層４１ｂ
のみが積層されている場合の限界荷重が示されており、
さらに、図８の構造Ｅには、データキャリア装置７１の
電子部品モジュール８１が積層されていない面のみに、
応力分散層４１ａと硬質層４１ｂからなる応力緩衝層１
０１ｂが積層されている場合の限界荷重が示されてい
る。
【００５２】尚、点圧負荷１１１が負荷される面と反対
側の面には、硬質の樹脂板を置いた。
側の面には、硬質の樹脂板を置いた。
【００５３】図８の構造Ｂに示すように、応力緩衝層１
０１ａ，１０１ｂとして、応力分散層４１ａと硬質層４
１ｂが積層されている場合、構造Ａの応力緩衝層１０１
ａ，１０１ｂが設けられていない場合に比べて、φ１０
ｍｍの点圧負荷１１１に対しては、その強度が６倍以上
（＝４５／７．１）となり、また、φ０．５ｍｍの点圧
負荷１１１に対しては、その強度が２．５倍以上（＝１
８／６．８）となることが示されている。
０１ａ，１０１ｂとして、応力分散層４１ａと硬質層４
１ｂが積層されている場合、構造Ａの応力緩衝層１０１
ａ，１０１ｂが設けられていない場合に比べて、φ１０
ｍｍの点圧負荷１１１に対しては、その強度が６倍以上
（＝４５／７．１）となり、また、φ０．５ｍｍの点圧
負荷１１１に対しては、その強度が２．５倍以上（＝１
８／６．８）となることが示されている。
【００５４】また、図８の構造Ｃに示すように、応力緩
衝層１０１ａ，１０１ｂとして、応力分散層４１ａのみ
が設けられた場合、構造Ａの応力緩衝層１０１ａ，１０
１ｂが設けられていない場合に比べて、φ１０ｍｍの点
圧負荷１１１に対しては、その強度が６倍以上（＝４３
／７．１）となるが、φ０．５ｍｍの点圧負荷１１１に
対しては、その強度が１．５倍弱程度（＝１０／６．
８）となることが示されている。これは、例えば、先端
が鋭いφ０．５ｍｍの圧子による点圧負荷に対して、応
力分散層４１ａだけでは、極短時間のうちに作用面積を
広げることができないため、構造Ａの場合と比較して、
限界荷重が低下することを示している。
衝層１０１ａ，１０１ｂとして、応力分散層４１ａのみ
が設けられた場合、構造Ａの応力緩衝層１０１ａ，１０
１ｂが設けられていない場合に比べて、φ１０ｍｍの点
圧負荷１１１に対しては、その強度が６倍以上（＝４３
／７．１）となるが、φ０．５ｍｍの点圧負荷１１１に
対しては、その強度が１．５倍弱程度（＝１０／６．
８）となることが示されている。これは、例えば、先端
が鋭いφ０．５ｍｍの圧子による点圧負荷に対して、応
力分散層４１ａだけでは、極短時間のうちに作用面積を
広げることができないため、構造Ａの場合と比較して、
限界荷重が低下することを示している。
【００５５】さらに、図８の構造Ｄに示すように、応力
緩衝層１０１ａ，１０１ｂとして、硬質層４１ｂのみ
（但し、厚さ0.1ｍｍ以下）が設けられた場合、構造Ａ
の応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂが設けられていない場
合に比べて、φ１０ｍｍの点圧負荷１１１に対しては、
その強度が２倍以上（＝１７／７．１）となるが、φ
０．５ｍｍの点圧負荷１１１に対しては、その強度が１
０％（＝１００×（７．８−６．８）／６．８）程度し
か向上しないことが示されている。すなわち、硬質部４
１ｂだけでは、作用面積を広げることができないので、
構造Ａの場合に比べて強度が向上されないことが示され
ている。
緩衝層１０１ａ，１０１ｂとして、硬質層４１ｂのみ
（但し、厚さ0.1ｍｍ以下）が設けられた場合、構造Ａ
の応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂが設けられていない場
合に比べて、φ１０ｍｍの点圧負荷１１１に対しては、
その強度が２倍以上（＝１７／７．１）となるが、φ
０．５ｍｍの点圧負荷１１１に対しては、その強度が１
０％（＝１００×（７．８−６．８）／６．８）程度し
か向上しないことが示されている。すなわち、硬質部４
１ｂだけでは、作用面積を広げることができないので、
構造Ａの場合に比べて強度が向上されないことが示され
ている。
【００５６】また、図８の構造Ｅに示すように、応力分
散層４１ａと硬質層４１ｂからなる応力緩衝層１０１ｂ
のみを設けた場合、すなわち、応力緩衝層１０１ａを設
けない場合、構造Ａの応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂが
設けられていない場合に比べて、φ１０ｍｍの点圧負荷
１１１に対しては、その強度が５倍弱（＝３４／７．
１）程度向上し、φ０．５ｍｍの点圧負荷１１１に対し
ては、その強度が２．５倍弱（＝１８／６．８）程度向
上することが示されている。すなわち、片面だけでも応
力緩衝層４１が設けられると、衝撃に対する強度を向上
させることができ、特に、圧子がφ０．５ｍｍである場
合は、両面に応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂが設けられ
る場合と同様の効果が得られることが示されている。
散層４１ａと硬質層４１ｂからなる応力緩衝層１０１ｂ
のみを設けた場合、すなわち、応力緩衝層１０１ａを設
けない場合、構造Ａの応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂが
設けられていない場合に比べて、φ１０ｍｍの点圧負荷
１１１に対しては、その強度が５倍弱（＝３４／７．
１）程度向上し、φ０．５ｍｍの点圧負荷１１１に対し
ては、その強度が２．５倍弱（＝１８／６．８）程度向
上することが示されている。すなわち、片面だけでも応
力緩衝層４１が設けられると、衝撃に対する強度を向上
させることができ、特に、圧子がφ０．５ｍｍである場
合は、両面に応力緩衝層１０１ａ，１０１ｂが設けられ
る場合と同様の効果が得られることが示されている。
【００５７】以上の結果から、応力分散層４１ａ、およ
び、硬質層４１ｂからなる応力緩衝層１０１ａ，１０１
ｂをデータキャリア装置７１の両面に、設けるようにす
ることで、半導体チップ１１の破損の防止効果を最も高
めることができ、データキャリア装置７１の片面に設け
るだけでも、半導体チップ１１の破損を防止させる効果
がある。
び、硬質層４１ｂからなる応力緩衝層１０１ａ，１０１
ｂをデータキャリア装置７１の両面に、設けるようにす
ることで、半導体チップ１１の破損の防止効果を最も高
めることができ、データキャリア装置７１の片面に設け
るだけでも、半導体チップ１１の破損を防止させる効果
がある。
【００５８】以上のように、半導体装置およびデータキ
ャリア装置に少なくとも一方の面に、応力緩衝層を設け
るようにすることにより、半導体チップを実装する部分
の薄型化や、曲げに対する柔軟性を妨げることなく、点
圧負荷に対する強度を向上させ、破損を防止することが
可能になると共に、その製造工程において、樹脂モール
ドを使用しないため、高温で、かつ、長時間の処理を必
要としないので低コストでの製造が可能になる。
ャリア装置に少なくとも一方の面に、応力緩衝層を設け
るようにすることにより、半導体チップを実装する部分
の薄型化や、曲げに対する柔軟性を妨げることなく、点
圧負荷に対する強度を向上させ、破損を防止することが
可能になると共に、その製造工程において、樹脂モール
ドを使用しないため、高温で、かつ、長時間の処理を必
要としないので低コストでの製造が可能になる。
【００５９】
【発明の効果】本発明の半導体装置およびデータキャリ
ア装置によれば、軟質層および硬質層からなる２層構造
の緩衝層、または、軟質層からなる緩衝層を設けるよう
にしたので、半導体チップを実装する部分の薄型化や、
曲げに対する柔軟性を妨げることなく、点圧負荷に対す
る強度を向上させることができ、破損を防止することが
可能になると共に、その製造工程において、高温、長時
間の処理を必要としないので低コストでの製造が可能に
なる。
ア装置によれば、軟質層および硬質層からなる２層構造
の緩衝層、または、軟質層からなる緩衝層を設けるよう
にしたので、半導体チップを実装する部分の薄型化や、
曲げに対する柔軟性を妨げることなく、点圧負荷に対す
る強度を向上させることができ、破損を防止することが
可能になると共に、その製造工程において、高温、長時
間の処理を必要としないので低コストでの製造が可能に
なる。
【図１】従来の半導体装置の構成を示す図である。
【図２】本発明を適用した半導体装置の一実施の形態の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図３】図２の半導体装置に点圧負荷が加えられたとき
の状態を説明する図である。
の状態を説明する図である。
【図４】図２の半導体装置に点圧負荷が加えられたとき
の状態を説明する図である。
の状態を説明する図である。
【図５】本発明を適用した半導体装置のその他の構成を
示す図である。
示す図である。
【図６】図５の半導体装置に点圧負荷が加えられたとき
の状態を説明する図である。
の状態を説明する図である。
【図７】本発明を適用したデータキャリア装置の構成を
示す図である。
示す図である。
【図８】図７のデータキャリア装置に点圧負荷が加えら
れたときの半導体チップの限界荷重を示す図である。
れたときの半導体チップの限界荷重を示す図である。
１１ 半導体チップ １２ バンプ １３ 端子 １４ 導電性ペースト １５ 樹脂基材 ３１ 配線回路 ３２ 樹脂材 ４１ 応力緩衝層 ４１ａ 応力分散層 ４１ｂ 硬質層 ５１ 点圧負荷 ５２ 軟質樹脂粒子 ６１ 点圧負荷 ７１ データキャリア装置 ７２ アンテナコイル ８１ 電子部品モジュール １０１ａ，１０１ｂ 応力緩衝層
Claims (7)
- 【請求項１】 配線基板に半導体チップを実装した半導
体装置において、 軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を備え、 前記緩衝層が、前記配線基板の前記半導体チップを実装
していない面か、または、前記半導体チップ上の面の少
なくともいずれか一方の面に、前記軟質層が接するよう
に積層されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記軟質層は、樹脂粒子により構成され
た層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着
性樹脂粒子を固定した粘着テープであることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記硬質層は、ガラスクロスに熱硬化樹
脂を含浸させた層、または、熱硬化樹脂層であることを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 配線基板に半導体チップを実装した半導
体装置において、 軟質層からなる緩衝層を備え、 前記緩衝層が、前記配線基板の前記半導体チップを実装
していない面か、または、前記半導体チップ上の面の少
なくともいずれか一方の面に積層されたことを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項５】 前記軟質層は、樹脂粒子により構成され
た層、若しくは、不織布、または、樹脂フィルムに粘着
性樹脂粒子を固定した粘着テープであることを特徴とす
る請求項４に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 第１の基体にアンテナコイルを構成する
金属箔パターンを有するデータキャリア本体と、第２の
基体表面の配線回路に半導体チップを実装した電子部品
モジュールとを備え、前記第１の基体の前記金属箔パタ
ーンを有する面と、前記第２の基体の前記半導体チップ
が実装された面とが、対向した状態で一体化して構成さ
れたデータキャリア装置において、 軟質層および硬質層からなる２層構造の緩衝層を備え、 前記緩衝層が、前記第１の基体の前記電子部品モジュー
ルと対向していない面か、または、前記第２の基体の前
記半導体チップを実装していない面の少なくともいずれ
か一方の面に、前記軟質層が接するように積層されたこ
とを特徴とするデータキャリア装置。 - 【請求項７】 第１の基体にアンテナコイルを構成する
金属箔パターンを有するデータキャリア本体と、第２の
基体表面の配線回路に半導体チップを実装した電子部品
モジュールとを備え、前記第１の基体の前記金属箔パタ
ーンを有する面と、前記第２の基体の前記半導体チップ
が実装された面とが、対向した状態で一体化して構成さ
れたデータキャリア装置において、 軟質層からなる緩衝層を備え、 前記緩衝層が、前記第１の基体の前記電子部品モジュー
ルと対向していない面か、または、前記第２の基体の前
記半導体チップを実装していない面の少なくともいずれ
か一方の面に積層されたことを特徴とするデータキャリ
ア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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