JP2002137200A - マイクロアクチュエータ及びその製造方法 - Google Patents

マイクロアクチュエータ及びその製造方法

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JP2002137200A JP2001243828A JP2001243828A JP2002137200A JP 2002137200 A JP2002137200 A JP 2002137200A JP 2001243828 A JP2001243828 A JP 2001243828A JP 2001243828 A JP2001243828 A JP 2001243828A JP 2002137200 A JP2002137200 A JP 2002137200A
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frame layer
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振 鎬 李
Young-Chul Ko
泳 哲 高
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渡 鉉 孔
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 上下方向の運動が可能なステージを備え、か
つ製作が容易なマイクロアクチュエータ及びその製品歩
留まりを向上させた製造方法を提供する。 【解決手段】 ステージ３の底部に多数平行に駆動くし
形電極３２を形成し、基板１の上部には駆動くし形電極
３２に対応する固定くし形電極３４を複数、平行に配置
し、ステージ３の両側にはステージ３の上下運動を支持
するトーションバー３１を設ける。そして、トーション
バー３１を第１フレーム層２１及び第２フレーム層２２
を備えるフレーム２に支持させると共に、トーションバ
ー３１を第１フレーム層２１と一体的に形成し、第１フ
レーム層２１と第２フレーム層２２とを金属層間の共晶
組織からなる金属共晶接合層２３ｂによって互いに接合
させて構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電力によって動
作するマイクロアクチュエータ及びその製造方法に係
り、詳しくは、１軸方向の上下方向に駆動されるマイク
ロアクチュエータ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術として、米国特許第５０２５
３４６号明細書には、くし形電極構造で誘起される静電
力により動作するマイクロアクチュエータが開示されて
いる。この米国特許第５０２５３４６号明細書で開示さ
れているマイクロアクチュエータは、複数の移動くし形
電極及び複数の固定くし形電極が、移動構造物及び固定
構造物に、それぞれ交互に配列された構造を有するもの
である。前記移動構造物は周囲の支持構造物によって懸
架されて懸架構造物を形成し、この懸架構造物が水平方
向の共振周波数で駆動されるように構成されている。
【０００３】Ｘ軸およびＹ軸の両者またはいずれか一方
のような１軸以上の方向で駆動を行なうようにするに
は、１軸に沿った１方向で駆動する場合、この駆動部に
は少なくとも３つの電極が必要とされ、１軸に沿った両
方向で駆動する場合には、少なくとも５つの電極が必要
とされている。米国特許５５３６９８８号明細書には、
反応性エッチングで修飾された単結晶を用いると共に、
素子の熱酸化による素子分離プロセスを含むメタライザ
ーションプロセスを用いて製作されるマイクロアクチュ
エータが開示されている。
【０００４】このような従来のマイクロアクチュエータ
においては、移動体のステージまたは移動構造物の面に
平行な方向に駆動くし形電極が配列され、固定された構
造体の上には固定くし形電極が前記駆動くし形電極と交
互に配列されると共に、前記駆動くし形電極と同様、前
記ステージの平面に平行に配列されている。
【０００５】以上のような従来のマイクロアクチュエー
タにおいては、ステージの近傍にくし形電極が配列され
ているので、ステージまたは移動構造物に比べて、全体
の大きさが大きくなるという問題がある。さらに、この
ような従来のマイクロアクチュエータは、ステージまた
は移動構造物の面に平行な１軸またはＸ軸、Ｙ軸の２軸
の方向に駆動される構造を有するため、その適用対象が
限定されるという問題がある。
【０００６】韓国特許出願９８-３７３１５号、及び韓
国特許出願９９-２０４８８号には、１軸方向に沿って
上下方向の駆動を行なう方法を具現化したマイクロアク
チュエータが開示されている。この特許出願では、光デ
ィスクドライブに適用可能な構造を有するマイクロアク
チュエータが開示されており、さらにこのマイクロアク
チュエータは光学スキャナ（飛点走査器）として各種分
野にも適用することが可能とされている。
【０００７】しかしながら、このような上下駆動型のマ
イクロアクチュエータでは、ステージの背面及びこの背
面に対応する基板の上部に、駆動くし形電極及び固定さ
れた駆動くし形電極が配列されたステージの背面を駆動
する構造を有し、特に、二つの基板を用いて上部構造物
及び下部構造物が製作され、その後、これらの構造物を
互いに接合しなければならないため、この構造物の製作
は容易ではない。特に、各々、別々に製作された上部構
造物及び下部構造物を接合するに際し、各構造物に配列
された駆動くし形電極及び固定くし形電極の少なくとも
一方に異物が存在する場合には、上部構造物及び下部構
造物の接合が困難になるという問題がある。このような
理由から、これらの上部構造物及び下部構造物を各々独
立して製作し、これらを適切に接合する構造及びその製
造方法が求められている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる事情に
鑑みてなされたものであり、その目的は、上下方向の運
動が可能なステージを備え、かつ製作が容易なマイクロ
アクチュエータ、およびその製品歩留まりを向上させた
製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明に係る請求項１は、所定パターンの配線層が
形成された基板と、前記基板上に固定され、この基板面
に対して垂直方向にくし状に延びる複数の固定くし形電
極と、前記基板の上方の所定高さに形成され、上下方向
の運動が可能に構成されたステージと、前記ステージの
底部に平行に配列して形成され、各先端部が前記固定く
し形電極の間にくし状に延びる複数の駆動くし形電極
と、前記ステージの上下方向の運動を支持するように、
前記ステージの両側部にステージと一体的に形成された
所定長さのトーションバーと、前記トーションバーの両
端部に連結された第１フレーム層と、前記第１フレーム
層の下部に配置され、第１フレーム層と共に積層構造の
フレームを形成する第２フレーム層と、前記第１フレー
ム層と第２フレーム層との間に介在し、前記第１フレー
ム層と第２フレーム層とを共に接合するための共晶組織
からなる金属共晶接合層とを備えて構成されたことを特
徴とするマイクロアクチュエータを提供する。
【００１０】本発明に係る請求項２のマイクロアクチュ
エータは、請求項１において、前記第１フレーム層、ト
ーションバー、ステージ及び駆動くし形電極が一体的に
形成されて構成されることが望ましい。
【００１１】本発明に係る請求項３のマイクロアクチュ
エータは、請求項１において、前記第１フレーム層は、
ステージを覆う方形枠の形状を有し、前記第１フレーム
層と前記ステージとの間には、所定幅の分離領域が設け
られ、前記トーションバーは、前記分離領域と交差して
構成されることが望ましい。
【００１２】また、本発明に係る請求項４のマイクロア
クチュエータは、請求項１において、前記第１フレーム
層は、ステージを覆う方形枠の形状を有し、前記第１フ
レーム層とステージとの間には、所定幅の方形枠の形状
の分離領域が設けられ、前記トーションバーは、前記方
形枠の形状の分離領域の一部と交差して構成されること
が望ましい。
【００１３】そして、本発明に係る請求項５のマイクロ
アクチュエータは、請求項１から請求項４のいずれか一
項において、前記固定くし形電極は、前記基板上に形成
された電極ベースの上に形成され、前記電極ベース、固
定くし形電極、及び第２フレーム層は、同一素材の基板
から形成されて構成されることが望ましい。
【００１４】そしてまた、本発明に係る請求項６のマイ
クロアクチュエータは、請求項５において、前記固定く
し形電極は、前記第２フレーム層よりも高い位置に配置
されかつその先端部が前記第２フレーム層の上端部より
も高くなるように配置されて構成されることが望まし
い。
【００１５】また、本発明に係る請求項７のマイクロア
クチュエータは、請求項１から請求項４のいずれか一項
において、前記固定くし形電極は、前記第２フレーム層
よりも高い位置に配置されかつその先端部が前記第２フ
レーム層の上端部よりも高い位置に配置されて構成され
ることが望ましい。
【００１６】さらに、本発明に係る請求項８のマイクロ
アクチュエータは、請求項１から請求項４及び請求項６
のいずれか一項において、前記駆動くし形電極、及び第
１フレーム層は、各々の先端部が任意の共通平面上に配
置されて構成されることが望ましい。
【００１７】そして、本発明に係る請求項９のマイクロ
アクチュエータは、請求項５において、前記駆動くし形
電極、及び第１フレーム層は、各々先端部が任意の共通
平面上に配置されて構成されたことを特徴とする。
【００１８】そしてまた、本発明に係る請求項１０のマ
イクロアクチュエータは、請求項１から請求項４、請求
項６及び請求項９のいずれか一項において、前記共晶組
織からなる金属共晶接合層は、複数の金属層から構成さ
れ、中央に配置された金属層は、ＡｕとＳｎとの合金か
らなるメッキ層から形成されて構成されることが望まし
い。
【００１９】前記目的を達成するために、本発明に係る
請求項１１は、第１基板の両面をエッチングすることに
よって、ステージと、前記ステージの底部に形成された
複数の駆動くし形電極と、前記ステージで互いに対向す
る両端部の中間部に配置されたトーションバーと、前記
トーションバーを支持する所定高さの第１フレーム層と
からなる上部構造物を形成する段階と、第２基板の両面
をエッチングすることによって、基板と、前記基板上に
形成され前記第１フレーム層に対応する所定高さを有す
る第２フレーム層と、前記基板上に形成された複数の固
定くし形電極とからなる底部構造物を形成する段階と、
前記第１フレーム層と第２フレーム層との間に共晶接合
層を介在させて前記上部構造物と底部構造物とを一体的
に接合すると共に、前記駆動くし型電極の延長方向が、
前記固定くし形電極の延長方向と互い違いに配列される
ように前記駆動くし形電極と固定くし形電極とが重なり
合うように形成する段階とを含むことを特徴とするマイ
クロアクチュエータの製造方法を提供する。
【００２０】また、本発明に係る請求項１２のマイクロ
アクチュエータの製造方法は、請求項１１において、前
記上部構造物を形成する段階は、前記ステージと第１フ
レーム層との間の空間部に対応する所定幅及び所定深さ
を有する上部分離領域を形成する段階と、前記第１フレ
ーム層に対応する部分に上部金属層を形成する段階と、
前記第１基板の底部を所定パターンにエッチングするこ
とにより前記分離領域を貫通させて、前記ステージの底
部に所定高さを有する駆動くし形電極を形成する段階と
を含むことが望ましい。
【００２１】さらに、本発明に係る請求項１３のマイク
ロアクチュエータの製造方法は、請求項１１において、
前記下部構造物を形成する段階は、前記構成要素に対応
する所定パターンの配線層を形成する段階と、前記第２
フレーム層と固定くし形電極形成領域との間の空間部に
対応する所定幅及び所定深さを有する下部分離領域を形
成する段階と、前記基板の上部に前記第２基板の底部を
接合する段階と、前記第２基板の上部の前記第２フレー
ムに対応する領域を所定深さになるまでエッチングする
段階と、前記第２基板のエッチング部分に下部金属層を
形成する段階と、前記第２基板の上部に前記第２フレー
ム層及び前記固定くし形電極に対応する部分を被覆する
マスク層を形成する段階と、前記マスク層で被覆されて
いない部分を所定深さになるまでエッチングし、前記下
部分離領域を貫通させて、前記下部分離領域の内側に所
定高さの固定くし形電極を形成する段階とを含むことが
望ましい。
【００２２】そして、本発明に係る請求項１４のマイク
ロアクチュエータの製造方法は、請求項１２において、
前記下部構造物を形成する段階は、前記構成要素に対応
する所定パターンの配線層を形成する段階と、前記第２
フレーム層と固定くし形電極形成領域との間の空間部に
対応する所定幅及び所定深さを有する下部分離領域を形
成する段階と、前記基板の上部に前記第２基板の底部を
接着する段階と、前記第２フレーム層に対応する部分を
所定深さになるまでエッチングする段階と、前記第２基
板のエッチングされた部分に下部金属層を形成する段階
と、前記第２基板の上部に前記第２フレーム層及び固定
くし形電極に対応する部分を被覆するマスク層を形成す
る段階と、前記マスク層に被覆されていない部分を所定
深さになるまでエッチングして前記下部分離領域を貫通
させて、前記下部分離領域の内側に所定高さの固定くし
形電極を形成する段階とを含むことが望ましい。
【００２３】また、本発明に係る請求項１５のマイクロ
アクチュエータの製造方法は、請求項１２または請求項
１４において、前記上部金属層を形成する段階は、前記
第１基板の底部に金属の初期核からなる層を形成する段
階と、前記金属の初期核からなる層に、メッキ法によっ
て、共晶組織からなる金属共晶接合層を形成する段階と
を含むことが望ましい。ここで、金属の初期核からなる
層（金属初期核層）とは、金属層が基板上に形成される
過程の初期段階を意味し、一部の金属が基板上に島状構
造に形成された層のことである。
【００２４】さらに、本発明に係る請求項１６のマイク
ロアクチュエータの製造方法は、請求項１５において、
前記上部構造物及び下部構造物を一体的に接合する段階
は、前記上部構造体の第１フレーム層と下部構造体の第
２フレーム層とを接合するために、所定温度及び所定圧
力下で共晶組織からなる金属共晶接合層を形成し、さら
に、前記下部構造体の第２フレーム層の下部金属層に、
前記上部構造体の第１フレーム層の上部金属層を互いに
接合させる段階を含むことが望ましい。
【００２５】また、本発明に係る請求項１７のマイクロ
アクチュエータの製造方法は、請求項１３または請求項
１４において、前記下部構造の第２フレーム層に下部金
属層を形成する段階は、下部構造体の第２フレーム層に
上部構造体の第１フレーム層を接合するために、所定温
度及び所定圧力で共晶組織からなる金属共晶接合層を形
成し、さらに、下部構造体の第２フレーム層の下部金属
層に上部構造体の第１フレーム層の上部金属層を接合す
る段階を含むことが望ましい。
【００２６】そしてまた、本発明に係る請求項１８のマ
イクロアクチュエータの製造方法は、請求項１２または
請求項１４において、前記第１基板に対する上部分離領
域を形成した段階の後に、前記分離領域の表面に保護層
を形成する段階をさらに含むことが望ましい。
【００２７】さらに、本発明に係る請求項１９のマイク
ロアクチュエータの製造方法は、請求項１１から請求項
１６のいずれか一項において、前記第２基板の下部は、
陽極接合により前記基板の上部に接合されることが望ま
しい。
【００２８】また、本発明に係る請求項２０のマイクロ
アクチュエータの製造方法は、請求項１７において、第
２基板の下部は、陽極接合により前記基板に接合される
ことが望ましい。
【００２９】また、本発明に係る請求項２１のマイクロ
アクチュエータの製造方法は、請求項１８において、第
２基板により得られた構造物を前記基板に陽極接合によ
り接合することが望ましい。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき、本
発明に係る望ましい実施形態について詳細に説明する。
図１を参照すると、パイレックス（登録商標）ガラスな
どからなる基板１上に方形枠の形状のフレーム２が配置
され、フレーム２の内側にはステージ３が配置されてい
る。ステージ３は、フレーム２に連結され、相互に対向
する２つの側端部の中央部へ延びるトーションバー３１
によって支持されている。
【００３１】フレーム２、ステージ３及びトーションバ
ー３１は一体的に形成され、フレーム２及びトーション
バー３１はステージ３への電気的な通路を構成してい
る。トーションバー３１はステージ３の上下運動を支持
し、ステージ３の運動時に適宜に弾性的復原力を与え
る。
【００３２】フレーム２はＡｕ／Ｓｎ合金などのメッキ
層による共晶組織からなる金属共晶接合層２３を中心と
してその上下に配置される第１フレーム層２１及び第２
フレーム層２２を含む。第１フレーム層２１、ステージ
３及びトーションバー３１は後述する多段階の加工工程
を通して一枚の素材基板、たとえば、一枚のシリコンウ
ェーハから得られ、これにより、第１フレーム層２１と
ステージ３との間には方形枠の形状の分離領域２４ａが
存在し、ステージ３の両側から延びたトーションバー３
１は前記分離領域２４ａと交差して構成されている。
【００３３】図２及び図３に示すように、ステージ３の
底部には垂直下方に延びる駆動くし形電極３２が複数平
行に形成され、ステージ３の下方には駆動くし形電極３
２と交互に配置される固定くし形電極３４が複数平行に
配置されている。
【００３４】固定くし形電極３４は電気的に分離された
第１電極ベース３５ａ、第２電極ベース３５ｂ上に形成
されている。第１電極ベース３５ａ上に形成される固定
くし形電極３４は、これと対応する上方の駆動くし形電
極３２との静電気効果によりステージ３に対する駆動力
を生じ、第２電極ベース３５ｂ上に形成される固定くし
形電極３４はこれと対応する上方の駆動くし形電極３２
と共に相対的な位置関係の変化による可変キャパシター
などのセンサーとして動作する。
【００３５】フレーム２の第２フレーム層２２と第１電
極ベース３５ａ、第２電極ベース３５ｂ及びこれらの上
部の固定くし形電極３４は、一枚の素材基板、たとえ
ば、シリコンウェーハから得られ、したがって、第１電
極ベース３５ａ、第２電極ベース３５ｂとフレーム２の
第２フレーム層２２との間には方形枠の形状の分離領域
２４ｂが存在する。
【００３６】基板１は、第１電極ベース３５ａ、第２電
極ベース３５ｂ、フレーム２の第２フレーム層２２の加
工時に、別途、部品として取付けられる要素であって、
その上部に第１電極ベース３５ａ、第２電極ベース３５
ｂ、及びフレーム２を通じてステージ３への電気的な信
号伝達のための配線層及びこの終端部に設けられるパッ
ドが形成される。
【００３７】図２及び図３に示すように、固定くし形電
極３４の高さは第２フレーム層２２よりも高く、このた
め、固定くし形電極３４の先端部は第２フレーム層２２
の上端部よりも高い位置に配置される。また、駆動くし
形電極３２の下端部（すなわち、その先端部）及び第１
フレーム層２１の先端部は、任意の共通平面（Ｃ-Ｃ
面）に配置される。このような構造は、前記したよう
に、別途、基板から得られた上部構造物と下部構造物と
を容易に接合させるものであり、フレーム２の第１フレ
ーム層２１、第２フレーム層２２が一つに接合されたと
きに、駆動くし形電極３２及び固定くし形電極３４を所
定幅だけ重なり合わせるためのものである。
【００３８】以下、前記のような構造を有する本発明に
係るマイクロアクチュエータを製作するための、本発明
に係るマイクロアクチュエータの製造方法の望ましい実
施形態を段階毎に説明する。ここでは、段階毎に図１か
ら図３に示される構造を有するマイクロアクチュエータ
の構成要素を参照しながら、図４〜図８に沿って説明す
る。
【００３９】（１．上部構造物の製作方法）まず、上部
構造物を製作する段階について説明する。 （イ）まず、図４（Ａ）に示すように、上部くし形電極
３２（図１、図２及び図３参照）の高さ及びステージ３
の厚さの合計に相当する厚さ、たとえば、１００μｍ程
度の厚さを有するシリコン（Ｓｉ）ウェーハなどから構
成される第１基板１００を用意し、この表面にエッチン
グマスク層１０１を形成する。エッチングマスク層１０
１は従来公知のフォトレジストを用いて形成され、エッ
チングマスク層１０１において、トーションバー３１と
ステージ３、これらを覆うフレーム２の第１フレーム層
２１に対応する領域を除いた部分、すなわち、後記する
図８に示すように、分離領域２４ａに対応する分離領域
部分２４ａ'が、フォトリソグラフィ法によるエッチン
グの過程を通じて除去される。図８においては、トーシ
ョンバー３１とステージ３、これらを覆うフレーム２の
第１フレーム層２１の参照符号が、エッチングマスク層
１０１のパターンの理解を容易にするために併記されて
いる。
【００４０】（ロ）つぎに、図４（Ｂ）に示すように、
分離領域部分２４ａ'（図８参照）に露出された第１基
板１００の露出部分を所定深さになるまでエッチングし
て分離領域２４ａを形成する。このとき、エッチング深
さｔ１はトーションバー３１（図１、図２及び図３参
照）またはステージ３の厚さに対応するものである。ま
た、このエッチング方法としては、従来公知の乾式また
は湿式のエッチング法を用いることができる。
【００４１】（ハ）さらに、図４（Ｃ）に示すように、
エッチングマスク層１０１を除去する。このとき、フォ
トレジストよりなるエッチングマスク層１０１は湿式エ
ッチング法によって除去され、その後、脱イオン水など
を用いた洗浄段階を経る。
【００４２】（ニ）引き続き、図４（Ｄ）に示すよう
に、第１基板１００の背面全体に金属初期核層２３ａを
蒸着法などにより形成する。金属初期核層２３ａはクロ
ム（Ｃｒ）を厚さ５００Å程度に蒸着し、この金属初期
核層２３ａの上に金（Ａｕ）を厚さ１５００Å程度に蒸
着することによって形成される。
【００４３】（ホ）続いて、図５（Ａ）に示すように、
金属初期核層２３ａの上部にメッキマスク層１０２を形
成する。このメッキマスク層１０２はフレーム２が形成
される部分を除く全ての部分に形成される。このため、
メッキマスク層１０２はフォトレジストの全面的な塗布
及びフォトリソグラフィ法などによるパターニングの過
程によって得られる。
【００４４】（ヘ）つぎに、図５（Ｂ）に示すように、
メッキマスク層１０２で被覆されていない金属初期核層
２３ａの露出部分にＡｕ／Ｓｎなどの合金を所定厚さに
メッキして共晶組織からなる金属共晶接合層２３ｂを形
成する。
【００４５】（ト）さらに、図５（Ｃ）に示すように、
メッキマスク層１０２を化学的な湿式エッチング法によ
って除去した後、第１基板１００を含む全体を脱イオン
水などによって洗浄する。
【００４６】（チ）続いて、図６（Ａ）に示すように、
金属初期核層２３ａ及び共晶組織からなる金属共晶接合
層２３ｂ上にエッチングマスク層１０３を形成する。
【００４７】（リ）続いて、図６（Ｂ）に示すように、
エッチングマスク層１０３は、共晶組織からなる金属共
晶接合層２３ｂ上に形成された部分を残して、金属初期
核層２３ａ上に形成された部分を除去する。このような
パターニングの過程には、通常のフォトリソグラフィ法
を適用することができる。ここで、フレーム２（図１、
図２及び図３参照）が形成される以外の部分であり、エ
ッチングマスク層１０３が残存していない金属初期核層
２３ａを化学的な湿式エッチング法によって除去する。
【００４８】（ヌ）つぎに、図６（Ｃ）に示すように、
共晶組織からなる金属共晶接合層２３ｂ上に残存するエ
ッチングマスク層１０３を除去した後、基板１００を含
む全体を洗浄する。
【００４９】（ル）つぎに、図７（Ａ）に示すように、
第１基板１００の背面に、所定パターンを有する駆動く
し形電極を形成するためのエッチングマスク層１０４を
形成する。エッチングマスク層１０４は分離領域２４ａ
の内側及び共晶組織からなる金属共晶接合層２３ｂ上に
形成される。このようなパターニングの過程には、通常
のフォトリソグラフィ法を適用することができる。
【００５０】（ヲ）さらに、図７（Ｂ）に示すように、
ＩＣＰＲＩＥ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅ
ｄ Ｐｌａｓｍａ Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ；誘導結合型プラズマ反応イオンエッチング）
装置を用いて駆動くし形電極３２を形成する。このと
き、エッチング深さｔ２は、第１基板１００全体の厚さ
から分離領域２４ａの深さｔ１を引いた値である。した
がって、分離領域２４ａは貫通され、分離領域２４ａの
内側のステージ３と前記したフレーム２（図１、図２及
び図３参照）の第１フレーム層２１及び分離領域２４ａ
を横切るトーションバー３１（図７（Ｂ）では図示省
略）が完成されることになる。
【００５１】（ワ）そして、図７（Ｃ）に示すように、
エッチングマスク層１０４を除去して駆動くし形電極３
２及び共晶組織からなる金属共晶接合層２３ｂの上部の
表面を露出させる。
【００５２】以上のような上部構造物の加工工程におい
ては、前述したように、前記ＩＣＰＲＩＥ装置の特性か
ら、厚さが５００μｍ程度以内の補強ウェーハを第１基
板１００に付加して行なうため、上部構造物の製作が完
了すると、たとえば、第１基板１００と前記補強ウェー
ハとを接着していた接着剤や、感光剤を除去すると同時
に、前記補強ウェーハを第１基板１００から除去する。
そして、このように各素子に分離された上部構造物の洗
浄工程を終了した後、ステージ３の表面及びトーション
バー３１を保護するために蒸着されたＳｉＯ2膜をＢＯ
Ｅ（Ｂｕｆｆｅｒｅｄ Ｏｘｉｄｅ Ｅｔｃｈａｎｔ；
緩衝酸化エッチング液）を用いて除去し、さらにこの上
部構造物を再び洗浄し、オーブンで乾燥すれば、上部構
造物の製作が完了する。
【００５３】（２．上部構造物及び下部構造物の支持に
用いられる基板の製作）つぎに、上部構造物及び下部構
造物の支持に用いられる基板を製作する段階について説
明する。 （イ）まず、図９（Ａ）に示すように、前述した第１基
板１００と同一の厚さ５００μｍのパイレックス（登録
商標）ガラスよりなる基板１の上部に素子の配線層を形
成するための金属膜２０１を蒸着する。この金属膜２０
１は、Ａｕ配線層との接合に用いられるため、Ａｕで形
成されることが望ましい。ここで、基板１は、図２及び
図３に示されるマイクロアクチュエータ全体を支持する
基板１である。
【００５４】（ロ）つぎに、図９（Ｂ）に示すように、
金属膜２０１にエッチングマスク２０２を形成する。
【００５５】（ハ）続いて、図９（Ｃ）に示すように、
金属膜２０１の露出部分をエッチングして金属膜２０１
から配線層２０３を形成する。
【００５６】（ニ）さらに、図９（Ｄ）に示すように、
配線層２０３上に残存するエッチングマスク２０２を除
去した後、基板１を含む全体の洗浄及び乾燥を行なう。
【００５７】なお、図９（Ｂ）から図９（Ｄ）に示され
る配線層２０３は、理解を助けるために概略的に示され
たものである。実際には、これよりも多くの数で、しか
も異なる配置の形態からなる配線層２０３が形成され
る。また、図９（Ｂ）から図９（Ｄ）に示される配線層
２０３は、前述した固定くし形電極３４（図１、図２及
び図３参照）が支持される第１電極ベース３５ａ及び第
２電極ベース３５ｂに連結されるものである。前述した
図１から図３には、前記のような配線層２０３が省略さ
れている。
【００５８】（３．下部構造物の製作）以下では、実質
的に一枚のウェーハに複数の下部構造物を形成する工程
について説明する。なお、ここでは理解を助けるため
に、前記複数の下部構造物の中の１つの形成工程につい
て説明する。すなわち、図１０（Ａ）から図１０
（Ｄ）、図１１（Ａ）から図１１（Ｄ）、１２（Ａ）か
ら図１２（Ｃ）、及び図１３（Ａ）から図１３（Ｃ）に
は、いずれも一つの下部構造物を有するものが示されて
いる。
【００５９】（イ）まず、図１０（Ａ）に示すように、
シリコンウェーハなどの第２基板３００の上部に所定パ
ターンのエッチングマスク３０１を形成する。ここで、
第２基板３００の厚さは１００μｍ程度である。エッチ
ングマスク３０１は前述したフレーム２の第２フレーム
層２２、第１電極ベース３５ａ、第２電極ベース３５ｂ
に対応する部分を覆っている。また、エッチングマスク
３０１は基板１に形成される配線層のうち、第１電極ベ
ース３５ａ及び第２電極ベース３５ｂに連結される配線
層２０３に対応するフレーム２の部位には形成されな
い。このため、配線層２０３に対応するフレーム２の部
位は、この後、引き続いて行なわれるエッチングの過程
で所定深さになるまでエッチングされる。このエッチン
グの過程は、前述した配線層２０３がステージ３（図
１、図２及び図３参照）と電気的に連結されているフレ
ーム２の第２フレーム層２２を配線層２０３と電気的に
分離させるために行なわれるものである。
【００６０】（ロ）つぎに、図１０（Ｂ）に示すよう
に、エッチングマスク３０１で被覆されていない部分
を、前述したＩＣＰＲＩＥ法により第２基板３００の露
出部分を所定深さになるまでエッチングする。このと
き、エッチング深さｔ３は配線層２０３よりも深く、前
述した第１電極ベース３５ａ、第２電極ベース３５ｂの
厚さに相当するように形成することが望ましい。さらに
望ましくは、エッチング深さｔ３を１５μｍとする。
【００６１】（ハ）つぎに、図１０（Ｃ）に示すよう
に、エッチングマスク３０１を化学的な湿式エッチング
法によって除去した後、第２基板３００を含む全体を脱
イオン水などで洗浄し、その後これを乾燥させる。した
がって、この工程では、後の工程で完成されるフレーム
２の第２フレーム層２２の内側の分離領域２４ｂが形成
され、未完成の第１電極ベース３５ａ、第２電極ベース
３５ｂの輪郭が露出される。
【００６２】（ニ）続いて、図１０（Ｄ）に示すよう
に、第２基板３００と前述したパイレックス（登録商
標）ガラスよりなる基板１とに熱や圧力を作用させると
共に、電圧を印加するなどして、前記両者を陽極接合に
よって接合する。
【００６３】（ホ）引き続き、図１１（Ａ）に示すよう
に、下部構造物を形成するための第２基板３００の上部
にエッチングマスク３０３を形成する。エッチングマス
ク３０３は前述したフレーム２（図１、図２及び図３参
照）の第２フレーム層２２に対応する部分を除く部分に
形成される。
【００６４】（ヘ）つぎに、図１１（Ｂ）に示すよう
に、エッチングマスク３０３で被覆されていないフレー
ム２で第２フレーム層２２に対応する部分が所定深さに
なるまでエッチングする。このとき、たとえば、１５０
０μｍ×１２００μｍの面積を有するマイクロアクチュ
エータを製作する場合には、所定部位を４０μｍ程度の
深さになるまでエッチングし、この所定部位に、上部構
造物との接合を行なうための従来公知の位置決め手段
（図示省略）を挿入する。このとき、前記エッチング深
さは駆動くし形電極と固定くし形電極とが重なり合った
領域の関数で表されるので、この重なりあった領域の設
計に応じてエッチング深さを適宜に調節する必要があ
る。
【００６５】（ト）続いて、図１１（Ｃ）に示すよう
に、エッチングマスク３０３を除去した後、基板１を含
む全体の洗浄及び乾燥を行なう。
【００６６】（チ）引き続いて、図１１（Ｄ）に示すよ
うに、第２基板３００の上部全体に下部金属層２３ｃを
蒸着する。このとき、蒸着する金属は前述した金属初期
核層２３ａと同一の材料から形成することが望ましい。
【００６７】（リ）つぎに、図１２（Ａ）に示すよう
に、フレーム２の第２フレーム層２２に対応する部分に
エッチングマスク３０４を形成し、このエッチングマス
ク層の内側で突出した部分の下部金属層２３ｃの表面を
露出させた状態に保持する。
【００６８】（ヌ）つぎに、図１２（Ｂ）に示すよう
に、エッチングマスク３０４で被覆されていない下部金
属層２３ｃを除去し、第２基板３００の表面を露出させ
る。
【００６９】（ル）つぎに、図１２（Ｃ）に示すよう
に、第２基板３００の上部に前述した固定くし形電極３
４（図１、図２及び図３参照）に対応する部位及びフレ
ーム２の第２フレーム層２２に対応する部位にエッチン
グマスク３０５を形成する。
【００７０】（ヲ）さらに、図１３（Ａ）に示すよう
に、エッチングマスク３０５で被覆されていない第２基
板３００の露出部分を前記ＩＣＰＲＩＥ法によって所定
深さｔ４になるまでエッチングする。このエッチング深
さｔ４は第２基板３００の厚さから分離領域２４ｂの深
さｔ３（図１０（Ｂ）参照）を引いた値である。このよ
うにして、基板１上には、エッチングによって、分離領
域２４ｂ（図１、図２及び図３参照）の内側に第１電極
ベース３５ａ、第２電極ベース３５ｂ及びフレーム２の
第２フレーム層２２を形成する。
【００７１】（ワ）続いて、図１３（Ｂ）に示すよう
に、基板１上に形成された構造物全体の上にフォトレジ
ストによる保護膜３０６を形成する。この過程は基板１
から下部構造物のユニットを分離させるための前処理段
階であって、この下部構造物ユニットの分離を行なうた
めのダイシング工程に際し、ダイシング工程によって下
部構造物の損傷及び破壊を防止するためのものである。
このようにして保護膜３０６を形成した後、ダイシング
ソーなどを用いて基板１とこの基板１の上部に配置され
た下部構造物ユニットとを分離させる。
【００７２】（カ）そして、図１３（Ｃ）に示すよう
に、保護膜３０６及びエッチングマスク３０５を化学的
な湿式エッチング法によって除去した後、この基板１を
含む全体の洗浄及び乾燥を行なう。このような洗浄及び
乾燥が終了すれば基板１への下部構造物の形成が完了す
る。
【００７３】（４．上部構造物と下部構造物との接合）
つぎに、以上の過程を通して形成された上部構造物ユニ
ット及び下部構造物ユニットを一体的に接合して最終的
なマイクロアクチュエータを完成させる段階について説
明する。まず、図１４（Ａ）に示すように、上部構造物
と下部構造物とを整列させた後、図１４（Ｂ）に示すよ
うに、前記両者を一体的に接合させる。なお、このよう
な上部構造物と下部構造物との整列及び接合には、真空
チャックを補助的に用いて行なうことができる。そし
て、各々分離した状態にある上部構造物と下部構造物と
をフリップチップボンダーを用いて接合させる。
【００７４】すなわち、二つの真空チャックに上部構造
物と下部構造物とを各々固定した後、顕微鏡で観察しつ
つ二つの構造物を整列させ、この整列が完了した後、こ
の二つの真空チャックを近づけて二つの上部構造物と下
部構造物とを一体的に接合させる。このとき、一定の圧
力及び共晶温度を保持すれば、共晶組織からなる金属共
晶接合層２３ｂと下部金属層２３ｃとが溶着してフレー
ム２の第１フレーム層２１及び第２フレーム層２２が一
体的に接合される。図１４（Ｂ）では、金属層２３を極
めて薄い厚さを有するものとして示されている。このよ
うに、金属層２３を構成する金属初期核層２３ａ、メッ
キ層２３ｂ及び下部金属層２３ｃは、極めて薄く形成さ
れる。なお、前記した図面においては、金属層２３を構
成する金属初期核層２３ａ、メッキ層２３ｂ及び下部金
属層２３ｃが誇張して示されている。
【００７５】本発明者は、以上のような段階からなる工
程を用いて、マイクロアクチュエータを製作した。そし
て、その駆動状態を調査したところ、前記した本発明の
目的通りに、前記ステージが一定の角度範囲内で、所定
周波数で上下運動することが確認された。図１５及び図
１６は、本発明に係るマイクロアクチュエータの製造方
法によって製作されたマイクロアクチュエータにおい
て、トーションバーの近傍を示す上部構造物のＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）写真であり、図１７は、前記マイ
クロアクチュエータの下部構造物の平面的な構造を示す
ＳＥＭ写真である。また、図１８は、前記下部構造物に
形成された固定くし形電極を拡大して示すＳＥＭ写真で
ある。そして、図１９は、一体的に接合された上部構造
物及び下部構造物において、駆動くし形電極及び固定く
し形電極を拡大して示すＳＥＭ写真であり、図２０は、
本発明に係るマイクロアクチュエータの製造方法によっ
て製作されたマイクロアクチュエータの平面構造を示す
光学顕微鏡写真である。以上のように本発明に係るマイ
クロアクチュエータの製造方法によって製作されたマイ
クロアクチュエータは、実際に図１５から図２０に示す
ように、所期の設計寸法通り、かつ所望の品質を備えて
製作されていることが明らかとなった。特筆すべきこと
は、くし形電極間での異物の発生が効率的に防止される
ので、本発明に係るマイクロアクチュエータの製品の歩
留まりが飛躍的に高められた点である。
【００７６】以上のような構造を有する本発明に係るマ
イクロアクチュエータは、各種の分野で応用することが
可能である。たとえば、前記した本発明に係るマイクロ
アクチュエータに含まれるステージの表面に光学ミラー
を備えれば、入射した光を所定角度の範囲内で反射させ
ることができる光学スキャナ（飛点走査器）として適用
することが可能である。このような光学スキャナは、レ
ーザを用いたテレビ等の映像表示装置、または光磁気的
な情報記憶装置に含まれる光スキャナとして適用するこ
とが可能である。
【００７７】
【発明の効果】以上説明した通りに構成される本発明に
係るマイクロアクチュエータおよびその製造方法によれ
ば、目的とする構造を有するマイクロアクチュエータを
所望とする品質を備えて製造することができる。特に、
その製造工程中に生じ得る、くし形電極間の異物の発生
を効率的に低く抑えて製造することができるので、上部
構造物と下部構造物とを迅速かつ安定して接合すること
ができ、その結果、製品の歩留まりを飛躍的に高めるこ
とができる。
【００７８】本発明は添付した図面に示された一実施形
態を参考として説明されたが、これは単なる例示的なも
のに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する
者であれば、この一実施形態に基づいて各種の変形及び
均等な他の実施形態を具現化することが可能であるとい
うことは言うまでもない。よって、本発明の真の技術的
な保護範囲は特許請求の範囲によって定まるべきであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るマイクロアクチュエータによる望
ましい実施形態の構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】図１に示す本発明に係るマイクロアクチュエー
タを模式的に示すＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示す本発明に係るマイクロアクチュエー
タを模式的に示すＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造方
法において、上部構造物を製作する工程に含まれる各段
階（（Ａ）〜（Ｄ））を模式的に示す図である。
【図５】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造方
法において、上部構造物を製作する工程に含まれる各段
階（（Ａ）〜（Ｃ））を模式的に示す図である。
【図６】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造方
法において、上部構造物を製作する工程に含まれる各段
階（（Ａ）〜（Ｃ））を模式的に示す図である。
【図７】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造方
法において、上部構造物を製作する工程に含まれる各段
階（（Ａ）〜（Ｃ））を模式的に示す図である。
【図８】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造方
法において、図４（Ａ）に示す段階における基板を模式
的に示す平面図である。
【図９】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造方
法において、上部構造物と下部構造物とを支持する基板
を製作する工程に含まれる各段階（（Ａ）〜（Ｄ））を
模式的に示す図である。
【図１０】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造
方法において、下部構造物を製作する工程に含まれる各
段階（（Ａ）〜（Ｄ））を模式的に示す図である。
【図１１】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造
方法において、下部構造物を製作する工程に含まれる各
段階（（Ａ）〜（Ｄ））を模式的に示す図である。
【図１２】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造
方法において、下部構造物を製作する工程に含まれる各
段階（（Ａ）〜（Ｄ））を模式的に示す図である。
【図１３】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造
方法において、下部構造物を製作する工程に含まれる各
段階（（Ａ）〜（Ｄ））を模式的に示す図である。
【図１４】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造
方法において、上部構造物と下部構造物とを一体的に接
合する組立て工程に含まれる各段階（（Ａ）、（Ｂ））
を模式的に示す図である。
【図１５】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造
方法により製作されたサンプルにおいて、上部構造物の
トーションバーの近傍のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）像
の観察写真である。
【図１６】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造
方法によって製作されたサンプルにおいて、上部構造物
のトーションバーの近傍のＳＥＭ像の観察写真である。
【図１７】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造
方法によって製作されたサンプルにおいて、下部構造物
の平面的構造を示すＳＥＭ像の観察写真である。
【図１８】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造
方法によって製作されたサンプルにおいて、下部構造物
に形成された固定くし形電極を拡大したＳＥＭ像の観察
写真である。
【図１９】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造
方法によって製作されたサンプルにおいて、上部構造物
と下部構造物との接合後の駆動くし形電極及び固定くし
形電極を拡大したＳＥＭ像の観察写真である。
【図２０】本発明に係るマイクロアクチュエータの製造
方法によって製作されたマイクロアクチュエータの平面
的構造を示す光学顕微鏡の観察写真である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ フレーム ３ ステージ ２１ 第１フレーム層 ２２ 第２フレーム層 ２３ 金属層 ２３ａ 金属初期核層 ２３ｂ 共晶組織からなる金属共晶接合層 ２３ｃ 下部金属層 ２４ａ 分離領域 ３１ トーションバー ３２ 駆動くし形電極 ３４ 固定くし形電極 ３５ａ 第１電極ベース ３５ｂ 第２電極ベース
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 孔 渡 鉉 大韓民国 ソウル特別市 冠岳区 奉天６ 洞 100−231番地

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定パターンの配線層が形成された基板
    と、前記基板上に固定され、この基板面に対して垂直方
    向にくし状に延びる複数の固定くし形電極と、 前記基板の上方の所定高さに形成され、上下方向の運動
    が可能に構成されたステージと、 前記ステージの底部に平行に配列して形成され、各先端
    部が前記固定くし形電極の間にくし状に延びる複数の駆
    動くし形電極と、 前記ステージの上下方向の運動を支持するように、前記
    ステージの両側部にステージと一体的に形成された所定
    長さのトーションバーと、 前記トーションバーの両端部に連結された第１フレーム
    層と、 前記第１フレーム層の下部に配置され、第１フレーム層
    と共に積層構造のフレームを形成する第２フレーム層
    と、 前記第１フレーム層と第２フレーム層との間に介在し、
    前記第１フレーム層と第２フレーム層とを共に接合する
    ための共晶組織からなる金属共晶接合層と、を備えて構
    成されたことを特徴とするマイクロアクチュエータ。
  2. 【請求項２】 前記第１フレーム層、トーションバー、
    ステージ及び駆動くし形電極が一体的に形成されて構成
    されたことを特徴とする請求項１に記載のマイクロアク
    チュエータ。
  3. 【請求項３】 前記第１フレーム層は、ステージを覆う
    方形枠の形状を有し、 前記第１フレーム層と前記ステージとの間には、所定幅
    の分離領域が設けられ、 前記トーションバーは、前記分離領域と交差して構成さ
    れたことを特徴とする請求項１に記載のマイクロアクチ
    ュエータ。
  4. 【請求項４】 前記第１フレーム層は、ステージを覆う
    方形枠の形状を有し、 前記第１フレーム層とステージとの間には、所定幅の方
    形枠の形状の分離領域が設けられ、 前記トーションバーは、前記方形枠の形状の分離領域の
    一部と交差して構成されたことを特徴とする請求項１に
    記載のマイクロアクチュエータ。
  5. 【請求項５】 前記固定くし形電極は、前記基板上に形
    成された電極ベースの上に形成され、 前記電極ベース、固定くし形電極、及び第２フレーム層
    は、同一素材の基板から形成されて構成されたことを特
    徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の
    マイクロアクチュエータ。
  6. 【請求項６】 前記固定くし形電極は、前記第２フレー
    ム層よりも高い位置に配置され、かつその先端部が前記
    第２フレーム層の上端部よりも高い位置に配置されて構
    成されたことを特徴とする請求項５に記載のマイクロア
    クチュエータ。
  7. 【請求項７】 前記固定くし形電極は、前記第２フレー
    ム層よりも高い位置に配置され、かつその先端部が前記
    第２フレーム層の上端部よりも高い位置に配置されて構
    成されたことを特徴とする請求項１から請求項４のいず
    れか一項に記載のマイクロアクチュエータ。
  8. 【請求項８】 前記駆動くし形電極、及び第１フレーム
    層は、各々の先端部が任意の共通平面上に配置されて構
    成されたことを特徴とする請求項１から請求項４及び請
    求項６のいずれか一項に記載のマイクロアクチュエー
    タ。
  9. 【請求項９】 前記駆動くし形電極、及び第１フレーム
    層は、各々の先端部が任意の共通平面上に配置されて構
    成されたことを特徴とする請求項５に記載のマイクロア
    クチュエータ。
  10. 【請求項１０】 前記共晶組織からなる金属共晶接合層
    は、複数の金属層から構成され、 中央に配置された金属層は、ＡｕとＳｎとの合金からな
    るメッキ層から形成されて構成されたことを特徴とする
    請求項１から請求項４、請求項６及び請求項９のいずれ
    か一項に記載のマイクロアクチュエータ。
  11. 【請求項１１】 第１基板の両面をエッチングすること
    によって、ステージと、前記ステージの底部に形成され
    た複数の駆動くし形電極と、前記ステージで互いに対向
    する両端部の中間部に配置されたトーションバーと、前
    記トーションバーを支持する所定高さの第１フレーム層
    とからなる上部構造物を形成する段階と、 第２基板の両面をエッチングすることによって、基板
    と、前記基板上に形成され前記第１フレーム層に対応す
    る所定高さを有する第２フレーム層と、前記基板上に形
    成された複数の固定くし形電極とからなる底部構造物を
    形成する段階と、 前記第１フレーム層と第２フレーム層との間に共晶組織
    からなる金属共晶接合層を介在させて前記上部構造物と
    底部構造物とを一体的に接合すると共に、前記駆動くし
    型電極の延長方向が、前記固定くし形電極の延長方向と
    互い違いに配列されるように前記駆動くし形電極と固定
    くし形電極とが重なり合うように形成する段階と、を含
    むことを特徴とするマイクロアクチュエータの製造方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記上部構造物を形成する段階は、 前記ステージと第１フレーム層との間の空間部に対応す
    る所定幅及び所定深さを有する上部分離領域を形成する
    段階と、 前記第１フレーム層に対応する部分に上部金属層を形成
    する段階と、 前記第１基板の底部を所定パターンにエッチングするこ
    とにより前記分離領域を貫通させて、前記ステージの底
    部に所定高さを有する駆動くし形電極を形成する段階
    と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載のマイク
    ロアクチュエータの製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記下部構造物を形成する段階は、 前記構成要素に対応する所定パターンの配線層を形成す
    る段階と、 前記第２フレーム層と固定くし形電極形成領域との間の
    空間部に対応する所定幅及び所定深さを有する下部分離
    領域を形成する段階と、 前記基板の上部に前記第２基板の底部を接合する段階
    と、 前記第２基板の上部の前記第２フレームに対応する領域
    を所定深さになるまでエッチングする段階と、 前記第２基板のエッチング部分に下部金属層を形成する
    段階と、 前記第２基板の上部に前記第２フレーム層及び前記固定
    くし形電極に対応する部分を被覆するマスク層を形成す
    る段階と、 前記マスク層で被覆されていない部分を所定深さになる
    までエッチングし、前記下部分離領域を貫通させて、前
    記下部分離領域の内側に所定高さの固定くし形電極を形
    成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１１に記
    載のマイクロアクチュエータの製造方法。
  14. 【請求項１４】 前記下部構造物を形成する段階は、 前記構成要素に対応する所定パターンの配線層を形成す
    る段階と、 前記第２フレーム層と固定くし形電極形成領域との間の
    空間部に対応する所定幅及び所定深さを有する下部分離
    領域を形成する段階と、 前記基板の上部に前記第２基板の底部を接着する段階
    と、 前記第２フレーム層に対応する部分を所定深さになるま
    でエッチングする段階と、 前記第２基板のエッチングされた部分に下部金属層を形
    成する段階と、 前記第２基板の上部に前記第２フレーム層及び固定くし
    形電極に対応する部分を被覆するマスク層を形成する段
    階と、 前記マスク層に被覆されていない部分を所定深さになる
    までエッチングして前記下部分離領域を貫通させて、前
    記下部分離領域の内側に所定高さの固定くし形電極を形
    成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１２に記
    載のマイクロアクチュエータの製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記上部金属層を形成する段階は、 前記第１基板の底部に金属の初期核からなる層を形成す
    る段階と、 前記金属の初期核からなる層に、メッキ法によって、共
    晶組織からなる金属共晶接合層を形成する段階と、 を含むことを特徴とする請求項１２または請求項１４に
    記載のマイクロアクチュエータの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記上部構造物及び下部構造物を一体
    的に接合する段階は、 前記上部構造体の第１フレーム層と下部構造体の第２フ
    レーム層とを接合するために、所定温度及び所定圧力下
    で共晶組織からなる金属共晶接合層を形成し、さらに、
    前記下部構造体の第２フレーム層の下部金属層に、前記
    上部構造体の第１フレーム層の上部金属層を互いに接合
    させる段階を含むことを特徴とする請求項１５に記載の
    マイクロアクチュエータの製造方法。
  17. 【請求項１７】 前記下部構造の第２フレーム層に下部
    金属層を形成する段階は、下部構造体の第２フレーム層
    に上部構造体の第１フレーム層を接合するために、所定
    温度及び所定圧力で共晶組織からなる金属共晶接合層を
    形成し、さらに、下部構造体の第２フレーム層の下部金
    属層に上部構造体の第１フレーム層の上部金属層を接合
    する段階を含むことを特徴とする請求項１３または請求
    項１４に記載のマイクロアクチュエータの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記第１基板に対する上部分離領域を
    形成した段階の後に、前記分離領域の表面に保護層を形
    成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２ま
    たは請求項１４に記載のマイクロアクチュエータの製造
    方法。
  19. 【請求項１９】 前記第２基板の下部は、陽極接合によ
    り前記基板の上部に接合されることを特徴とする請求項
    １１から請求項１６のいずれか一項に記載のマイクロア
    クチュエータの製造方法。
  20. 【請求項２０】 第２基板の下部は、陽極接合により前
    記基板に接合されることを特徴とする請求項１７に記載
    のマイクロアクチュエータの製造方法。
  21. 【請求項２１】 第２基板に形成された構造物を、前記
    基板に陽極接合により接合することを特徴とする請求項
    １８に記載のマイクロアクチュエータの製造方法。
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