JP2002136111A - 非絶縁ｄｃ−ｄｃコンバータ - Google Patents
非絶縁ｄｃ−ｄｃコンバータInfo
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- JP2002136111A JP2002136111A JP2000316820A JP2000316820A JP2002136111A JP 2002136111 A JP2002136111 A JP 2002136111A JP 2000316820 A JP2000316820 A JP 2000316820A JP 2000316820 A JP2000316820 A JP 2000316820A JP 2002136111 A JP2002136111 A JP 2002136111A
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- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 非絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータを構成するスイ
ッチング素子の駆動に、高価な特殊部品を用いなくても
済むようにしコストダウンを図る。 【解決手段】 スイッチング素子ＭＯＳＦＥＴ２を制御
回路６を介してオン，オフ制御することにより、高圧バ
ッテリ１の電圧を降圧して低圧バッテリ７に供給するに
当たり、制御回路６からトランス３０を介してＭＯＳＦ
ＥＴ２を駆動する構成にするとともに、トランス３０の
補助巻線３０−２０，３０−８に入力保護用ＭＯＳＦＥ
Ｔ２０，出力保護用ＭＯＳＦＥＴ８を接続し、これらを
ＭＯＳＦＥＴ２と同時にオンまたはオフさせることによ
り、各ＭＯＳＦＥＴを駆動するための高価な部品を不要
とし、コストを低減させる。
ッチング素子の駆動に、高価な特殊部品を用いなくても
済むようにしコストダウンを図る。 【解決手段】 スイッチング素子ＭＯＳＦＥＴ２を制御
回路６を介してオン，オフ制御することにより、高圧バ
ッテリ１の電圧を降圧して低圧バッテリ７に供給するに
当たり、制御回路６からトランス３０を介してＭＯＳＦ
ＥＴ２を駆動する構成にするとともに、トランス３０の
補助巻線３０−２０，３０−８に入力保護用ＭＯＳＦＥ
Ｔ２０，出力保護用ＭＯＳＦＥＴ８を接続し、これらを
ＭＯＳＦＥＴ２と同時にオンまたはオフさせることによ
り、各ＭＯＳＦＥＴを駆動するための高価な部品を不要
とし、コストを低減させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高圧バッテリか
らの電力を低圧バッテリに供給する非絶縁ＤＣ−ＤＣコ
ンバータ、特に、電気自動車等に用いて好適な非絶縁Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータに関する。
らの電力を低圧バッテリに供給する非絶縁ＤＣ−ＤＣコ
ンバータ、特に、電気自動車等に用いて好適な非絶縁Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に出願人が先に提案した回路（特願
２０００−０４２７２０号：提案回路とも言う）例を示
す。同図に示すように、入力端子１ｂ，１ｄおよび出力
端子７ａ，７ｂを備え、入力端子１ｂおよび出力端子７
ａ間には、第３の半導体スイッチング素子としての電界
効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）２０、第１のＭＯＳ
ＦＥＴ２、チョークコイル４および第２のＭＯＳＦＥＴ
８が直列に接続されている。第３のＭＯＳＦＥＴ２０は
第１，第２のＭＯＳＦＥＴ２，８に対して逆向きに接続
されており、第２の制御回路１１によって制御される。
２０００−０４２７２０号：提案回路とも言う）例を示
す。同図に示すように、入力端子１ｂ，１ｄおよび出力
端子７ａ，７ｂを備え、入力端子１ｂおよび出力端子７
ａ間には、第３の半導体スイッチング素子としての電界
効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）２０、第１のＭＯＳ
ＦＥＴ２、チョークコイル４および第２のＭＯＳＦＥＴ
８が直列に接続されている。第３のＭＯＳＦＥＴ２０は
第１，第２のＭＯＳＦＥＴ２，８に対して逆向きに接続
されており、第２の制御回路１１によって制御される。
【０００３】また、ダイオード３の一端をＭＯＳＦＥＴ
２とチョークコイル４との接続点間に接続し、コンデン
サ５の一端をチョークコイル４と第２のＭＯＳＦＥＴ８
との接続点間に接続し、ダイオード３とコンデンサ５の
他端は、ともに高圧バッテリ１と低圧バッテリ７の負極
側（入力端子１ｄおよび出力端子７ｂ側）に接続されて
いる。制御回路６には高圧バッテリ１の負極側（入力端
子１ｄ側）、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲートおよびコン
デンサ５の一端が接続されている。第１の制御回路９に
は、コンデンサ５の一端と出力端子７ａとが接続され、
第２のＭＯＳＦＥＴ８を制御する。入力端子１ｂには、
入力ケーブル１ｃを介して高圧バッテリ１のバッテリ端
子１ａが接続されており、出力端子７ａ，７ｂは低圧バ
ッテリ７の正極，負極に接続されている。
２とチョークコイル４との接続点間に接続し、コンデン
サ５の一端をチョークコイル４と第２のＭＯＳＦＥＴ８
との接続点間に接続し、ダイオード３とコンデンサ５の
他端は、ともに高圧バッテリ１と低圧バッテリ７の負極
側（入力端子１ｄおよび出力端子７ｂ側）に接続されて
いる。制御回路６には高圧バッテリ１の負極側（入力端
子１ｄ側）、第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲートおよびコン
デンサ５の一端が接続されている。第１の制御回路９に
は、コンデンサ５の一端と出力端子７ａとが接続され、
第２のＭＯＳＦＥＴ８を制御する。入力端子１ｂには、
入力ケーブル１ｃを介して高圧バッテリ１のバッテリ端
子１ａが接続されており、出力端子７ａ，７ｂは低圧バ
ッテリ７の正極，負極に接続されている。
【０００４】その動作について、説明する。まず、入力
端子１ｂ，１ｄへの印加電圧が正常な場合、制御回路６
から第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲートにパルス電圧が印加
されることで、第１のＭＯＳＦＥＴ２のオン，オフ動作
が制御され、高圧バッテリ１からの電力が低圧バッテリ
７に充電される。このとき、第２，第３のＭＯＳＦＥＴ
８，２０は、第１，第２の制御回路９，１１によってオ
ンとされている。
端子１ｂ，１ｄへの印加電圧が正常な場合、制御回路６
から第１のＭＯＳＦＥＴ２のゲートにパルス電圧が印加
されることで、第１のＭＯＳＦＥＴ２のオン，オフ動作
が制御され、高圧バッテリ１からの電力が低圧バッテリ
７に充電される。このとき、第２，第３のＭＯＳＦＥＴ
８，２０は、第１，第２の制御回路９，１１によってオ
ンとされている。
【０００５】ここで、第１のＭＯＳＦＥＴ２が過電圧等
によって破損し短絡状態になると、コンデンサ５が過電
圧となるので、第１の制御回路９ではこれを検出して第
２のＭＯＳＦＥＴ８をオフとする。これにより、高圧バ
ッテリ１からの電圧が直接、低圧側の出力端子に印加さ
れることもなく、入力ケーブル１ｃを介する高圧バッテ
リ１からの過電流の流れ込みも阻止される。従って、第
２のＭＯＳＦＥＴ８は出力保護用のスイッチング素子と
して働く。
によって破損し短絡状態になると、コンデンサ５が過電
圧となるので、第１の制御回路９ではこれを検出して第
２のＭＯＳＦＥＴ８をオフとする。これにより、高圧バ
ッテリ１からの電圧が直接、低圧側の出力端子に印加さ
れることもなく、入力ケーブル１ｃを介する高圧バッテ
リ１からの過電流の流れ込みも阻止される。従って、第
２のＭＯＳＦＥＴ８は出力保護用のスイッチング素子と
して働く。
【０００６】次に、バッテリ交換時の誤接続等により、
入力ケーブル１ｃが点線で示すように０Ｖ側に接続され
たり、入力ケーブル１ｃの接続が外れたりすると、コン
デンサ５の電圧が低圧バッテリ電圧よりも低くなるの
で、これを第２の制御回路１１で検出して第３のＭＯＳ
ＦＥＴ２０をオフする。これにより、ダイオード３を介
して流れる短絡電流が阻止される。従って、第３のＭＯ
ＳＦＥＴ２０は入力保護用のスイッチング素子として働
く。
入力ケーブル１ｃが点線で示すように０Ｖ側に接続され
たり、入力ケーブル１ｃの接続が外れたりすると、コン
デンサ５の電圧が低圧バッテリ電圧よりも低くなるの
で、これを第２の制御回路１１で検出して第３のＭＯＳ
ＦＥＴ２０をオフする。これにより、ダイオード３を介
して流れる短絡電流が阻止される。従って、第３のＭＯ
ＳＦＥＴ２０は入力保護用のスイッチング素子として働
く。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図２のような
回路では、第１〜３のＭＯＳＦＥＴを駆動するのに、そ
のゲートに対しソース側電圧よりも高い電圧を印加する
必要があり、そのためには例えばフォトカプラの２次側
が太陽電池で構成された、特殊で高価な素子を必要とす
るという問題がある。また、入力端子１ｂから第２の制
御回路１１を通るルート、またはコンデンサの（＋）側
端子５ａや出力端子７ａから第１の制御回路９を通るル
ートを介して暗電流が流れ、高圧バッテリが消耗すると
いう問題もある。したがって、この発明の課題は、スイ
ッチング素子を駆動するために高価な素子を必要としな
いようにすること、また、暗電流をほぼ零にすることに
ある。
回路では、第１〜３のＭＯＳＦＥＴを駆動するのに、そ
のゲートに対しソース側電圧よりも高い電圧を印加する
必要があり、そのためには例えばフォトカプラの２次側
が太陽電池で構成された、特殊で高価な素子を必要とす
るという問題がある。また、入力端子１ｂから第２の制
御回路１１を通るルート、またはコンデンサの（＋）側
端子５ａや出力端子７ａから第１の制御回路９を通るル
ートを介して暗電流が流れ、高圧バッテリが消耗すると
いう問題もある。したがって、この発明の課題は、スイ
ッチング素子を駆動するために高価な素子を必要としな
いようにすること、また、暗電流をほぼ零にすることに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、請求項１の発明では、高圧バッテリからの電力
を低圧バッテリに供給する非絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータ
において、前記高圧バッテリの直流電圧を降圧する第１
の半導体スイッチング素子と、この第１の半導体スイッ
チング素子をオン，オフ制御するとともに、その第１の
半導体スイッチング素子の異常と入力端子，出力端子の
少なくとも一方の異常とを検出可能な制御手段と、この
制御手段からの出力にもとづき前記第１の半導体スイッ
チング素子を駆動する駆動トランスと、この駆動トラン
スの補助巻線にそれぞれ接続される入力保護用の第２の
半導体スイッチング素子と出力保護用の第３の半導体ス
イッチング素子の少なくとも一方とを設け、前記第１の
半導体スイッチング素子のオン，オフ動作と、入力保護
用の第２の半導体スイッチング素子，出力保護用の第３
の半導体スイッチング素子の少なくとも一方のオン動作
とを同時に行ない、第１の半導体スイッチング素子の異
常および入力端子，出力端子の少なくとも一方の異常を
検出したときは、前記第１の半導体スイッチング素子
と、第２，３の半導体スイッチング素子の少なくとも一
方とをオフすることを特徴とする。
るため、請求項１の発明では、高圧バッテリからの電力
を低圧バッテリに供給する非絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータ
において、前記高圧バッテリの直流電圧を降圧する第１
の半導体スイッチング素子と、この第１の半導体スイッ
チング素子をオン，オフ制御するとともに、その第１の
半導体スイッチング素子の異常と入力端子，出力端子の
少なくとも一方の異常とを検出可能な制御手段と、この
制御手段からの出力にもとづき前記第１の半導体スイッ
チング素子を駆動する駆動トランスと、この駆動トラン
スの補助巻線にそれぞれ接続される入力保護用の第２の
半導体スイッチング素子と出力保護用の第３の半導体ス
イッチング素子の少なくとも一方とを設け、前記第１の
半導体スイッチング素子のオン，オフ動作と、入力保護
用の第２の半導体スイッチング素子，出力保護用の第３
の半導体スイッチング素子の少なくとも一方のオン動作
とを同時に行ない、第１の半導体スイッチング素子の異
常および入力端子，出力端子の少なくとも一方の異常を
検出したときは、前記第１の半導体スイッチング素子
と、第２，３の半導体スイッチング素子の少なくとも一
方とをオフすることを特徴とする。
【０００９】この請求項１の発明においては、前記非絶
縁ＤＣ−ＤＣコンバータを自動車用として用い、前記第
１の半導体スイッチング素子の異常を検出する端子と前
記入力端子，出力端子と制御手段との間には、それぞれ
自動車のイグニションスイッチを挿入することができる
（請求項２の発明）。上記請求項１または２の発明にお
いては、前記入力保護用の半導体スイッチング素子，出
力保護用の半導体スイッチング素子の補助巻線には、ダ
イオードを挿入することができ（請求項３の発明）、ま
たは、前記入力保護用の半導体スイッチング素子，出力
保護用の半導体スイッチング素子の補助巻線には、ダイ
オードおよびコンデンサを挿入することができる（請求
項４の発明）。
縁ＤＣ−ＤＣコンバータを自動車用として用い、前記第
１の半導体スイッチング素子の異常を検出する端子と前
記入力端子，出力端子と制御手段との間には、それぞれ
自動車のイグニションスイッチを挿入することができる
（請求項２の発明）。上記請求項１または２の発明にお
いては、前記入力保護用の半導体スイッチング素子，出
力保護用の半導体スイッチング素子の補助巻線には、ダ
イオードを挿入することができ（請求項３の発明）、ま
たは、前記入力保護用の半導体スイッチング素子，出力
保護用の半導体スイッチング素子の補助巻線には、ダイ
オードおよびコンデンサを挿入することができる（請求
項４の発明）。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の実施の形態を示
す回路図である。図からも明らかなように、各スイッチ
ング素子２，８および２０を駆動するために、トランス
３０を設けた点が特徴である。このような構成では、回
路が正常である限り、第１のスイッチング素子２は高圧
のバッテリ１から低圧のバッテリ７に所定の電力を供給
すべく、制御回路６から駆動巻線３０−２を介してオ
ン，オフ制御される。
す回路図である。図からも明らかなように、各スイッチ
ング素子２，８および２０を駆動するために、トランス
３０を設けた点が特徴である。このような構成では、回
路が正常である限り、第１のスイッチング素子２は高圧
のバッテリ１から低圧のバッテリ７に所定の電力を供給
すべく、制御回路６から駆動巻線３０−２を介してオ
ン，オフ制御される。
【００１１】第２，第３のスイッチング素子８，２０は
トランス３０の補助捲線３０−８，３０−２０を介して
駆動され、第１のスイッチング素子２がオン，オフ制御
されている限りは、オンする。そのために、補助捲線３
０−８，３０−２０に誘起される電圧を、ダイオード４
０，４１を介して充電（電圧を保持）するためにコンデ
ンサ４１，４２を設けるようにしている。なお、第２，
第３のスイッチング素子８，２０のゲート容量が大き
く、補助捲線３０−８，３０−２０に誘起された電圧を
保持できる場合は、コンデンサ４１，４２は省略するこ
とができる。これにより、各スイッチング素子２，８お
よび２０を駆動するための、特殊で高価な素子が不要と
なる。
トランス３０の補助捲線３０−８，３０−２０を介して
駆動され、第１のスイッチング素子２がオン，オフ制御
されている限りは、オンする。そのために、補助捲線３
０−８，３０−２０に誘起される電圧を、ダイオード４
０，４１を介して充電（電圧を保持）するためにコンデ
ンサ４１，４２を設けるようにしている。なお、第２，
第３のスイッチング素子８，２０のゲート容量が大き
く、補助捲線３０−８，３０−２０に誘起された電圧を
保持できる場合は、コンデンサ４１，４２は省略するこ
とができる。これにより、各スイッチング素子２，８お
よび２０を駆動するための、特殊で高価な素子が不要と
なる。
【００１２】これに対し、制御回路６により入力端子１
ｂ、コンデンサ端子５ａ、出力端子７ａ等を介して入
力，第１のスイッチング素子，出力の各異常が検出され
ると、制御回路６からは第１のスイッチング素子２のオ
ン，オフ制御を停止するので、第１のスイッチング素子
２の動作が停止（オフ）されるとともに第２，第３のス
イッチング素子８，２０もオフとなり、異常に対する保
護が可能となる。なお、図１では第１〜第３のスイッチ
ング素子を３つとも設けるようにしたが、第２，第３の
スイッチング素子はその少なくとも一方だけ設けるよう
にしても良いものである。
ｂ、コンデンサ端子５ａ、出力端子７ａ等を介して入
力，第１のスイッチング素子，出力の各異常が検出され
ると、制御回路６からは第１のスイッチング素子２のオ
ン，オフ制御を停止するので、第１のスイッチング素子
２の動作が停止（オフ）されるとともに第２，第３のス
イッチング素子８，２０もオフとなり、異常に対する保
護が可能となる。なお、図１では第１〜第３のスイッチ
ング素子を３つとも設けるようにしたが、第２，第３の
スイッチング素子はその少なくとも一方だけ設けるよう
にしても良いものである。
【００１３】図２はこの発明の第２の実施の形態を示す
回路図である。同図からも明らかなように、これは図１
に示すものに対し、自動車のキーインで動作するスイッ
チ（イグニションスイッチまたはエンジンスイッチ）Ｓ
１，Ｓ２，Ｓ３を付加した点が特徴である。すなわち、
これらのスイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３を設けない場合は、
それぞれ入力端子１ｂから制御回路６、コンデンサ端子
５ａから制御回路６、出力端子７ａから制御回路６等を
介して高圧バッテリ１からの暗電流が常時流れることに
なる。そこで、図示のようにスイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３
を付加することで、この暗電流を遮断するようにしたも
のである。
回路図である。同図からも明らかなように、これは図１
に示すものに対し、自動車のキーインで動作するスイッ
チ（イグニションスイッチまたはエンジンスイッチ）Ｓ
１，Ｓ２，Ｓ３を付加した点が特徴である。すなわち、
これらのスイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３を設けない場合は、
それぞれ入力端子１ｂから制御回路６、コンデンサ端子
５ａから制御回路６、出力端子７ａから制御回路６等を
介して高圧バッテリ１からの暗電流が常時流れることに
なる。そこで、図示のようにスイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３
を付加することで、この暗電流を遮断するようにしたも
のである。
【００１４】
【発明の効果】この発明によれば、トランスとダイオー
ドを用いて各スイッチング素子を駆動できるので、従来
のものに比べて部品点数を少なくすることができる。ま
た、自動車のキーインで動作するスイッチを付加するだ
けで、暗電流もほぼ零にすることが可能となる利点が得
られる。
ドを用いて各スイッチング素子を駆動できるので、従来
のものに比べて部品点数を少なくすることができる。ま
た、自動車のキーインで動作するスイッチを付加するだ
けで、暗電流もほぼ零にすることが可能となる利点が得
られる。
【図１】この発明の第１の実施の形態を示す回路図であ
る。
る。
【図２】この発明の第２の実施の形態を示す回路図であ
る。
る。
【図３】提案回路例を示す回路図である。
１…高圧バッテリ、２，８，２０…スイッチング素子
（ＭＯＳＦＥＴ）、７…低圧バッテリ、３，４０，４１
…ダイオード、４…チョークコイル、５，４２，４３…
コンデンサ、６，９，１１…制御回路、１ｂ，１ｄ…入
力端子、７ａ，７ｂ…出力端子、３０…トランス、３０
−２，３０−８，３０−２０…巻線、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３
…スイッチ。
（ＭＯＳＦＥＴ）、７…低圧バッテリ、３，４０，４１
…ダイオード、４…チョークコイル、５，４２，４３…
コンデンサ、６，９，１１…制御回路、１ｂ，１ｄ…入
力端子、７ａ，７ｂ…出力端子、３０…トランス、３０
−２，３０−８，３０−２０…巻線、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３
…スイッチ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 文人 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 薄田 隆行 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 木下 繁則 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 3G019 AB09 AC01 CB13 DA02 EB06 FA13 GA10 KD11 5G003 AA04 BA01 CA14 FA04 FA06 GB04 5H730 AA14 AA20 AS05 AS17 BB13 DD04 DD12 DD23 EE59 FD01 FD11 FD26 XX02 XX04 XX22 XX23 XX26 XX33 XX42
Claims (4)
- 【請求項１】 高圧バッテリからの電力を低圧バッテリ
に供給する非絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータにおいて、 前記高圧バッテリの直流電圧を降圧する第１の半導体ス
イッチング素子と、この第１の半導体スイッチング素子
をオン，オフ制御するとともに、その第１の半導体スイ
ッチング素子の異常と入力端子，出力端子の少なくとも
一方の異常とを検出可能な制御手段と、この制御手段か
らの出力にもとづき前記第１の半導体スイッチング素子
を駆動する駆動トランスと、この駆動トランスの補助巻
線にそれぞれ接続される入力保護用の第２の半導体スイ
ッチング素子と出力保護用の第３の半導体スイッチング
素子の少なくとも一方とを設け、 前記第１の半導体スイッチング素子のオン，オフ動作
と、入力保護用の第２の半導体スイッチング素子，出力
保護用の第３の半導体スイッチング素子の少なくとも一
方のオン動作とを同時に行ない、第１の半導体スイッチ
ング素子の異常および入力端子，出力端子の少なくとも
一方の異常を検出したときは、前記第１の半導体スイッ
チング素子と、第２，３の半導体スイッチング素子の少
なくとも一方とをオフすることを特徴とする非絶縁ＤＣ
−ＤＣコンバータ。 - 【請求項２】 前記非絶縁ＤＣ−ＤＣコンバータを自動
車用として用い、前記第１の半導体スイッチング素子の
異常を検出する端子と前記入力端子，出力端子と制御手
段との間には、それぞれ自動車のイグニションスイッチ
を挿入することを特徴とする請求項１に記載の非絶縁Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータ。 - 【請求項３】 前記入力保護用の半導体スイッチング素
子，出力保護用の半導体スイッチング素子の補助巻線に
は、ダイオードを挿入することを特徴とする請求項１ま
たは２のいずれかに記載の非絶縁ＤＣ−ＤＣコンバー
タ。 - 【請求項４】 前記入力保護用の半導体スイッチング素
子，出力保護用の半導体スイッチング素子の補助巻線に
は、ダイオードおよびコンデンサを挿入することを特徴
とする請求項１または２のいずれかに記載の非絶縁ＤＣ
−ＤＣコンバータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000316820A JP2002136111A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | 非絶縁ｄｃ−ｄｃコンバータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000316820A JP2002136111A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | 非絶縁ｄｃ−ｄｃコンバータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002136111A true JP2002136111A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18795715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000316820A Pending JP2002136111A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | 非絶縁ｄｃ−ｄｃコンバータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002136111A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006033943A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチング電源装置 |
| JP2006211854A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 直流電源装置 |
| JP2015080321A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 三菱電機株式会社 | 降圧チョッパ回路 |
| KR20160050951A (ko) * | 2014-10-31 | 2016-05-11 | 현대모비스 주식회사 | 오접속 보호회로를 구비하는 dc-dc 컨버터 |
| US11394302B2 (en) | 2020-08-10 | 2022-07-19 | Terminal Power LLC | DC-DC auto-converter module |
-
2000
- 2000-10-17 JP JP2000316820A patent/JP2002136111A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006033943A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチング電源装置 |
| JP2006211854A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 直流電源装置 |
| JP2015080321A (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 三菱電機株式会社 | 降圧チョッパ回路 |
| KR20160050951A (ko) * | 2014-10-31 | 2016-05-11 | 현대모비스 주식회사 | 오접속 보호회로를 구비하는 dc-dc 컨버터 |
| KR102291153B1 (ko) | 2014-10-31 | 2021-08-19 | 현대모비스 주식회사 | 오접속 보호회로를 구비하는 dc-dc 컨버터 |
| US11394302B2 (en) | 2020-08-10 | 2022-07-19 | Terminal Power LLC | DC-DC auto-converter module |
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