JP2002134827A - 半導体レーザ及びその製造方法並びにこれを用いた近接場光ヘッド - Google Patents

半導体レーザ及びその製造方法並びにこれを用いた近接場光ヘッド

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 近接場光が発せられる微小開口の形成が容易
な半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 レーザ光の発光領域１０を含むレーザ出
射端面のうち、発光領域１０と所定の関係を有する位置
に、あらかじめ凹部１１を形成しておく。次いで、発光
領域１０を含むレーザ出射端面の全面を覆う遮光膜１３
を形成する。そして、形成された遮光膜１３のうち、凹
部１１と所定の関係を有する位置に微小開口１４を形成
する。これにより、遮光膜１３が形成された後において
も、微小開口１４を形成すべき位置を把握することが可
能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ及び
その製造方法並びにこれを用いた近接場光ヘッドに関
し、さらに詳細には、近接場光が発せられる微小開口の
形成が容易な半導体レーザ及びその製造方法並びにこれ
を用いた近接場光ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年における情報通信技術の発展に伴
い、光ディスクに代表される情報記録媒体にはさらなる
大容量化が求められている。光ディスク等の情報記録媒
体を大容量化するためには、光ディスク等の記録・再生
に用いるレーザのスポット径をより小さく絞ることによ
り記録密度を高める必要があり、これを達成すべく、従
来より、レーザ光源の波長を短くしたりレンズの開口数
（ＮＡ）を大きくする試みが数多くなされている。
【０００３】一方、これらレーザ光源の波長を短くした
りレンズの開口数（ＮＡ）を大きくする試みとは別のア
プローチとして、光ディスク等の記録・再生に近接場光
を利用する方法が提案されている（特開平９−１４５６
０３号公報参照）。近接場光は、エバネッセント光もし
くはニアフィールド光とも呼ばれ、光源の波長よりも十
分に小さい微小開口へ光が入射した際に生成される。こ
れは近接場光を得る方法の一つとして知られている。こ
の近接場光を光ディスク等の記録・再生に利用すれば、
レーザ光源の波長とは実質的に無関係にレーザスポット
径を小さくすることができる。このため、近接場光を光
ディスク等の記録・再生に利用すれば、光ディスク等の
情報記録媒体の記録密度を高めることができ、その記憶
容量を増大させることが可能となる。
【０００４】ここで、半導体レーザを用いて近接場光を
得る場合、実際にレーザ光が出射される発光領域を含む
半導体レーザの出射端面のほぼ全面に遮光膜が形成さ
れ、次いで、遮光膜のうち発光領域に対応する部分の一
部が除去されて微小開口が形成される。これにより、か
かる微小開口からは近接場光が発せられるので、このよ
うな半導体レーザを光ディスク等の記録・再生のための
ヘッドに用いることによって、その記録密度が高めら
れ、記憶容量を増大させることが可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、半導体レ
ーザを用いて近接場光を得る場合、半導体レーザの出射
端面に形成された遮光膜のうち、発光領域に相当する部
分に形成された遮光膜の一部を除去することによって微
小開口を形成する必要があるが、このとき、遮光膜の上
から発光領域に相当する部分を特定することは極めて困
難である。すなわち、半導体レーザの出射端面に遮光膜
が形成されると、最早、半導体レーザの層構成を視覚的
に確認することはできず、このため、半導体レーザの出
射端面に形成された遮光膜のどの部分が発光領域に相当
する部分であるのか、視覚的にこれを特定することがで
きないという問題が生じていた。
【０００６】このため、従来は、半導体レーザの外形上
の特徴、例えば、出射端面と直交する上下の端面等に生
じている凸部等の特徴を基準とし、これら特徴部分から
発光領域までの距離を事前に測定しておくことによって
微小開口を形成すべき位置を特定するという作業が必要
であった。しかしながら、発光領域の大きさは、半導体
レーザの外形に比して極めて小さいため、このような作
業によっては正確な位置に微小開口を形成することは困
難である。特に、半導体レーザの外形に特徴となる部分
がなく、出射端面と直交する上下の端面や左右の端面が
いずれも平坦である場合には、微小開口を形成すべき位
置の特定は一層困難であった。
【０００７】したがって、本発明の目的は、近接場光が
発せられる微小開口の形成が容易な半導体レーザ及びそ
の製造方法を提供することである。
【０００８】また、本発明の他の目的は、近接場光が発
せられる微小開口の形成が容易な半導体レーザを用いた
近接場光ヘッドを提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のかかる目的は、
レーザ光の発光領域を含むレーザ出射端面を備える半導
体レーザであって、前記レーザ出射端面のうち前記発光
領域とは異なる領域に、前記発光領域の位置を示す立体
的特徴部が形成されていることを特徴とする半導体レー
ザによって達成される。
【００１０】本発明によれば、発光領域の位置を示す立
体的特徴部がレーザ出射端面に形成されていることか
ら、かかる立体的特徴部を参照することによって発光領
域の位置を把握することができる。
【００１１】本発明の好ましい実施態様においては、前
記立体的特徴部が、前記レーザ出射端面のうち前記発光
領域とは異なる領域に形成された凹部及び凸部の少なく
とも一方により構成される。
【００１２】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、少なくとも前記発光領域を覆う遮光膜をさらに備
え、前記遮光膜には、前記発光領域の一部に対応する部
分に微小開口が設けられている。
【００１３】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、発光領域が遮光膜によって覆われた後においても、
立体的特徴部を参照することによって発光領域の位置を
把握することができるので、微小開口を形成すべき位置
を、正確且つ簡単に特定することが可能となる。
【００１４】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記遮光膜が、前記立体的特徴部をさらに覆ってい
る。
【００１５】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、遮光膜のうち立体的特徴部を覆っている部分には、
かかる立体的特徴が反映されるので、これを参照するこ
とによって微小開口を形成すべき位置を、正確且つ簡単
に特定することが可能となる。
【００１６】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記レーザ出射端面と前記遮光膜との間に設けられ
た誘電体膜をさらに備え、前記微小開口からは前記誘電
体膜の一部が露出している。
【００１７】本発明の前記目的はまた、レーザ光の発光
領域を含むレーザ出射端面を備える半導体レーザの製造
方法であって、前記レーザ出射端面のうち、前記発光領
域と所定の関係を有する位置に立体的特徴部を形成する
工程を備えることを特徴とする半導体レーザの製造方法
によって達成される。
【００１８】本発明によれば、レーザ出射端面には、発
光領域と所定の関係を有する位置に立体的特徴部が形成
されるので、かかる立体的特徴部を参照することによっ
て発光領域の位置を把握することが可能となる。
【００１９】本発明の好ましい実施態様においては、少
なくとも前記発光領域を覆う遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜のうち、前記立体的特徴部と所定の関係を有
する位置に微小開口を形成する工程とをさらに備える。
【００２０】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、発光領域が遮光膜によって覆われた後であっても、
立体的特徴部を参照することにより、微小開口を形成す
べき位置を、正確且つ簡単に特定することが可能とな
る。
【００２１】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記立体的特徴部を形成する工程及び前記微小開口
を形成する工程にいずれもＦＩＢを用いている。
【００２２】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、上記両工程にいずれもＦＩＢを用いていることか
ら、立体的特徴部を形成するための特別な装置を必要と
しない。このため、半導体レーザの製造コストの増大を
抑制することができる。
【００２３】本発明のさらに好ましい実施態様において
は、前記立体的特徴部を形成する工程より前に、前記レ
ーザ出射端面のうち少なくとも前記発光領域にＦＩＢを
照射する工程をさらに備える。
【００２４】本発明のさらに好ましい実施態様によれ
ば、立体的特徴部を形成する工程より前に発光領域にＦ
ＩＢを照射しているので、レーザ出射端面の層構成を視
覚的に確認できるとともに、発光領域に形成された酸化
膜や、発光領域に付着した不純物を除去することができ
る。
【００２５】本発明の前記目的はまた、近接場光により
記録媒体に対するデータの記録及び／又は読み出しを行
う近接場光ヘッドであって、前記近接場光を発生する半
導体レーザを有し、前記半導体レーザは、発光領域を含
むレーザ出射端面と、前記レーザ出射端面に形成された
立体的特徴部と、少なくとも前記発光領域を覆う遮光膜
とを備え、前記遮光膜には、前記立体的特徴部と所定の
関係を有する位置において、前記近接場光を発する微小
開口が形成されていることを特徴とする近接場光ヘッド
によって達成される。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に、添付図面に基づいて、本発
明の好ましい実施態様につき詳細に説明する。
【００２７】図１は、本発明の好ましい実施態様にかか
る半導体レーザ１をレーザ出射端面側から見た略平面図
であり、以下に詳述する遮光膜や微小開口等が形成され
る前の状態が示されている。
【００２８】図１に示されるように、本実施態様にかか
る半導体レーザ１は、ｎ−ＧａＡｓ基板２と、ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板２上にこの順で形成されたｎ−ＡｌＧａＡｓク
ラッド層３、ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓ
クラッド層５、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層６及びｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層７と、ｎ−ＧａＡｓ基板２の下面に設
けられたｎ電極８と、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層７の上
面に設けられたｐ電極９とを備え、これらｎ電極８及び
ｐ電極９間に電圧が印加されこれら電極より電流が注入
されると、ＡｌＧａＡｓ活性層４の発光領域１０よりレ
ーザが発光する。特に限定されないが、ＡｌＧａＡｓ活
性層４の膜厚は約０．１μｍであり、ＡｌＧａＡｓ活性
層４のうち発光領域１０となる部分の幅は約４μｍであ
る。また、特に限定されないが、半導体レーザ１全体の
厚みは約１００μｍであり、幅は約２００μｍである。
さらに、特に限定されないが、発光領域１０より発せら
れるレーザ光の波長は、約７８０ｎｍである。
【００２９】このような構成からなる半導体レーザ１に
対し、本実施態様においては、まずｎ−ＧａＡｓ基板２
の所定の位置に凹部１１が形成される。
【００３０】図２は、ｎ−ＧａＡｓ基板２に凹部１１が
形成された状態における半導体レーザ１をレーザ出射端
面側から見た略平面図である。
【００３１】図２に示されるように、凹部１１の外周
は、幅が約４μｍ×高さが約５μｍの長方形であり、そ
の深さは約１μｍである。ここで、凹部１１の幅は、発
光領域１０の幅と対応している。また、凹部１１が形成
される位置は、発光領域１０との関係において決定され
ており、本実施態様においては、凹部１１の端部から発
光領域１０の端部までの距離が約１２．４μｍに設定さ
れ、且つ、発光領域１０と凹部１１の幅方向における位
置が互いに一致するように設定されている。ただし、上
記具体的な数値はいずれも本発明における一例にすぎ
ず、本発明がこれら具体的な数値に限定されるものでは
ない。
【００３２】このような凹部１１は、次にようにして形
成される。
【００３３】まず、図１に示される状態における半導体
レーザ１のレーザ出射端面のうち、少なくとも発光領域
１０を含む比較的広い領域に対してＦＩＢ（集束イオン
ビーム）を照射して、発光領域１０の位置を確認する。
すなわち、ＦＩＢを半導体レーザ１のレーザ出射端面に
対してスキャンすることによりレーザ出射端面から２次
電子が放出されるので、これを観察することによって、
半導体レーザ１のレーザ出射端面における層構成を視覚
的に認識することができ、発光領域１０の位置を確認す
ることができる。かかるＦＩＢの照射は、発光領域１０
の位置を確認することを目的とするため、ＦＩＢのエネ
ルギー密度は低くても良く、０．２ｐＡ／μｍ２以下に
設定することが好ましい。この場合、照射するイオンと
しては、ガリウムイオンが用いられる。尚、上記ＦＩＢ
の照射によって、半導体レーザ１のレーザ出射端面は僅
かに削り取られることになる。
【００３４】次に、このようにして認識された発光領域
１０の位置より、あらかじめ定められた方向へあらかじ
め定められた距離だけ離れた位置、すなわち、本実施態
様では発光領域１０からｎ−ＧａＡｓ基板２の方向へ約
１２．４μｍ離れた位置の所定の領域、すなわち本実施
態様では約４μｍ×５μｍの長方形により囲まれる領域
にＦＩＢを照射する。この場合、照射するＦＩＢのエネ
ルギー密度を、発光領域１０の位置を確認するために照
射した上記ＦＩＢのエネルギー密度よりも高く設定する
ことにより、当該領域は十分に削り取られ、深さが約１
μｍ程度の凹部１１が形成される。この場合、照射する
ＦＩＢのエネルギー密度は、１０〜２０ｐＡ／μｍ２程
度に設定することが好ましく、１５ｐＡ／μｍ２程度に
設定することが特に好ましい。
【００３５】ここで、凹部１１を形成する位置は、手動
により特定しても良いし、自動的に特定されるように構
成しても良い。すなわち、１回目のＦＩＢの照射によっ
て発光領域１０の位置を確認した後、発光領域１０の位
置よりあらかじめ定められた方向へあらかじめ定められ
た距離だけ離れた位置に２回目のＦＩＢが照射されるよ
うＦＩＢ装置を手動で操作しても良く、また、１回目の
ＦＩＢの照射によって視覚的に得られた半導体レーザ１
の層構成を画像としてコンピュータに取り込み、ソフト
ウェア処理によって、２回目にＦＩＢを照射すべき位置
が自動的に特定されるように構成しても良い。但し、凹
部１１を形成する位置を自動的に特定する場合、凹部１
１を形成すべき位置や凹部１１の形状等の情報を、あら
かじめ上記コンピュータに設定しておく必要がある。
【００３６】このようにして、ｎ−ＧａＡｓ基板２に
は、その位置が発光領域１０との関係において定められ
た凹部１１が形成される。
【００３７】次に、このようにして凹部１１が形成され
た半導体レーザ１のレーザ出射端面のほぼ全面に対し、
誘電体膜１２及び遮光膜１３がこの順に形成される。
【００３８】特に限定されないが、誘電体膜１２として
は約２３５ｎｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を用いる
ことができ、遮光膜１３としては約５０ｎｍのチタン
（Ｔｉ）と約２００ｎｍの金（Ａｕ）との積層体を用い
ることができる。この場合、シリコン酸化膜からなる誘
電体膜１２は、レーザ出射端面を覆う保護膜としての役
割を果たすとともに、シリコン酸化膜からなる誘電体膜
１２とチタン及び金からなる遮光膜１３とが積層される
ことによって、発光領域１０にて生成されるレーザの反
射防止膜としての役割を果たす。尚、遮光膜１３に含ま
れるチタンは、シリコン酸化膜と金との間に設けられ、
両者の密着性を高める役割を果たす。また、誘電体膜１
２及び遮光膜１３を構成するシリコン酸化膜、チタン及
び金は、いずれもスパッタリング法により形成すること
が好ましい。
【００３９】図３は、誘電体膜１２及び遮光膜１３が形
成された状態における半導体レーザ１をレーザ出射端面
側から見た略平面図である。
【００４０】図３に示されるように、半導体レーザ１の
レーザ出射端面のほぼ全面に誘電体膜１２及び遮光膜１
３が形成されると、最早、半導体レーザ１の層構成を視
覚的に確認することはできなくなる。しかしながら、上
記工程によって、ｎ−ＧａＡｓ基板２の所定の位置に凹
部１１が形成されていることから、誘電体膜１２及び遮
光膜１３が形成された半導体レーザ１のレーザ出射端面
は、凹部１１が形成されている部分において立体的な特
徴を有することとなる。
【００４１】かかる立体的な特徴は、上述したようにＦ
ＩＢをスキャンすることによって観察することができ
る。
【００４２】次に、誘電体膜１２及び遮光膜１３が形成
された半導体レーザ１のレーザ出射端面のうち、発光領
域１０に対応する部分に形成された遮光膜１３の一部が
除去され、これによって微小開口１４が形成される。す
なわち、誘電体膜１２がシリコン酸化膜からなり、遮光
膜１３がチタン及び金の積層体からなる場合には、当該
部分におけるチタン及び金の積層体が除去されて、シリ
コン酸化膜が露出することになる。
【００４３】図４（ａ）は、微小開口１４が形成された
状態における半導体レーザ１をレーザ出射端面側から見
た略平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の主要部
を拡大した略平面図である。また、図５は、図４（ａ）
に示すＡ−Ａ’ラインの断面を示す略断面図である。
【００４４】図４（ａ）及び（ｂ）に示されるように、
微小開口１４の外周は約０．２μｍ×０．９μｍの長方
形であり、その位置は凹部１１との関係において決定さ
れる。すなわち、本実施態様においては、上述の通り、
ＡｌＧａＡｓ活性層４の膜厚が約０．１μｍであり、凹
部１１の端部と発光領域１０の端部との距離が約１２．
４μｍに設定されているので、微小開口１４の端部と凹
部１１の端部との距離が約１２．０μｍとなるように微
小開口１４の位置が設定される。これにより、図４
（ｂ）に示されるように、微小開口１４のほぼ中央部に
発光領域１０であるＡｌＧａＡｓ活性層４が位置するこ
とになり、微小開口１４のうち、発光領域１０に相当す
る約０．１μｍ×０．２μｍの面積からなる部分が、近
接場光発光部１５となる。
【００４５】尚、微小開口１４は、上述の通り、その長
辺が約０．９μｍとＡｌＧａＡｓ活性層４の膜厚である
０．１μｍよりも十分大きく設定されているが、これは
微小開口１４が所望の位置よりもずれて形成される場合
を考慮して、そのマージンを確保したものである。この
ため、本発明において、微小開口１４の長辺の長さは上
記数値に限定されず、微小開口１４を形成する際に想定
されるズレに基づいてこれを設定すればよい。また、微
小開口１４の短辺は、上述の通り０．２μｍに設定され
ているが、これは発光領域１０にて発光するレーザの波
長よりも短くなるように設定したものである。微小開口
１４から近接場光を発生させるためには、近接場光発光
部１５の一辺の大きさを発光領域１０にて発生するレー
ザの波長（本実施態様においては７８０ｎｍ）以下とす
る必要があるからである。したがって、微小開口１４の
短辺の長さは、発光領域１０にて発光するレーザの波長
に基づいて設定すれば良く、本発明において上記数値に
限定されるものではない。
【００４６】このような微小開口１４は、次にようにし
て形成される。
【００４７】まず、図３に示される状態における半導体
レーザ１のレーザ出射端面のうち、少なくとも発光領域
１０及び凹部１１に対応する部分に対してＦＩＢを照射
して、凹部１１が形成されている位置を確認する。
【００４８】次に、このようにして確認された凹部１１
の位置より、あらかじめ定められた方向へあらかじめ定
められた距離だけ離れた位置において、外周が約０．２
μｍ×０．９μｍの長方形により囲まれる領域にＦＩＢ
を照射する。本実施態様においては、凹部１１の端部の
略中央からＡｌＧａＡｓ活性層４の方向へ約１２．０μ
ｍ離れた位置の所定の領域、すなわち約０．２μｍ×
０．９μｍの長方形により囲まれる領域にＦＩＢを照射
する。この場合、照射するＦＩＢのエネルギー密度は、
１〜１０ｐＡ／μｍ２程度に設定することが好ましく、
５ｐＡ／μｍ２程度に設定することが特に好ましい。こ
れにより、半導体レーザ１のレーザ出射端面に形成され
た遮光膜１３のうち、ＦＩＢが照射された部分が除去さ
れ、図５に示されるように微小開口１４が形成される。
【００４９】ここで、微小開口１４を形成する位置は、
手動により特定しても良いし、自動的に特定されるよう
に構成しても良い。この点は、凹部１１を形成する場合
と同様である。
【００５０】このようにして、遮光膜１３には微小開口
１４が形成され、これにより本実施態様にかかる半導体
レーザ１が完成する。
【００５１】このようにして作成された半導体レーザ１
は、ｎ電極８及びｐ電極９間に電圧が印加されこれら電
極より電流が注入されると発光領域１０にてレーザ発振
が生じ、７８０ｎｍの波長を有するレーザ光が生成され
る。かかるレーザ光のうち大部分は、誘電体膜１２及び
遮光膜１３からなる層に照射され吸収される一方、その
一部は誘電体膜１２を介し、微小開口１４の近接場光発
光部１５に達し、近接場光となる。
【００５２】図６は、上述の方法により作成された半導
体レーザ１を用いた近接場光ヘッド１６を示す略斜視図
である。
【００５３】図６に示されるように、近接場光ヘッド１
６は、サスペンション１７と、サスペンション１７の先
端に設けられたスライダ１８と、スライダ１８に搭載さ
れた半導体レーザ１とを備えており、半導体レーザ１の
ｎ電極８及びｐ電極９（いずれも図６には図示せず）に
は、配線１９を介して所定の電流が供給される。このよ
うな構成からなる近接場光ヘッド１６は、回転するディ
スク２０に対して近接場光を照射することによって、所
望のデータをディスク２０に記録するとともに、既にデ
ィスク２０に記録されているデータを読み出すことがで
きる。
【００５４】ここで、ディスク２０の種類としては、デ
ータの記録及び読み出しの少なくとも一方において光を
利用するものであれば特に限定されず、いわゆる相変化
ディスクや光磁気ディスクを用いることができる。
【００５５】このように、本実施態様によれば、発光領
域１０との関係においてその位置が定められた凹部１１
をｎ−ＧａＡｓ基板２に形成しているので、レーザ出射
端面が誘電体膜１２及び遮光膜１３によって覆われた後
も、微小開口１４を形成すべき位置を視覚的に特定する
ことが可能となる。したがって、従来のように、半導体
レーザの外形を基準とする方法に比べて、正確且つ簡単
に、微小開口１４を形成すべき位置を特定することがで
きる。
【００５６】また、本実施態様においては、凹部１１を
形成する手段として、微小開口１４の形成に使用するＦ
ＩＢを用いていることから、本実施態様を適用するに当
たって特別な装置を必要としない。このため、半導体レ
ーザ１の製造コストを実質的に増大させることがない。
【００５７】さらに、本実施態様においては、発光領域
１０の位置を確認するために、半導体レーザ１のレーザ
出射端面のうち少なくとも発光領域１０にＦＩＢを照射
（１回目のＦＩＢ照射）しているので、半導体レーザ１
がウェハより切り出されてから誘電体膜１２及び遮光膜
１３が形成されるまでの間に、発光領域１０の表面に不
可避的に形成された酸化膜や発光領域１０の表面に付着
した不純物がＦＩＢの照射によって除去されるという利
点もある。これにより、発光領域１０表面の酸化膜や不
純物の影響による、半導体レーザ１の性能劣化を防止す
ることが可能となる。
【００５８】尚、上記実施態様においては、発光領域１
０の位置を示す目印としての凹部１１をｎ−ＧａＡｓ基
板２に形成したが、凹部１１を形成すべき位置としては
ｎ−ＧａＡｓ基板２に限定されない。
【００５９】図７は、凹部１１をｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層７に形成した例を示す図であり、図８は、凹部１１
をｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３及びＡｌＧａＡｓ活性
層４に形成した例を示す図である。
【００６０】図７及び図８に示されるように、凹部１１
を形成すべき位置としてはｐ−ＧａＡｓコンタクト層７
やｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３であっても良く、さら
にその他の位置であっても良い。要するに、凹部１１を
形成する位置としては、発光領域１０以外であれば、半
導体レーザ１のレーザ出射端面のどの部分でも構わな
い。
【００６１】但し、微小開口１４を形成すべき位置をよ
り正確に特定するためには、凹部１１を発光領域１０か
ら大きく離れた位置に形成するよりも、発光領域１０の
比較的近い位置に形成する方が好ましい。一方、凹部１
１を発光領域１０のあまりに近傍に形成すると、ＦＩＢ
の照射による表面原子のスパッタリング現象によって放
出された原子の再付着により発光領域１０が汚染される
おそれがある。このため、発光領域１０と凹部１１との
距離は、これらを考慮して設定すればよい。上記実施態
様のように、発光領域１０と凹部１１との距離を約１
２．４μｍに設定すれば、微小開口１４を形成すべき位
置を比較的正確に特定することができるとともに、２次
電子による発光領域１０の汚染を防ぐことができる。
【００６２】さらに、上記実施態様においては、発光領
域１０の位置を示す目印としての凹部１１をｎ−ＧａＡ
ｓ基板２に一つだけ形成したが、凹部１１の数としては
一つに限定されない。
【００６３】図９は、凹部１１をｎ−ＧａＡｓ基板２に
２つ形成した例を示す図であり、図１０は、凹部１１を
ｎ−ＧａＡｓ基板２及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層７に
形成した例を示す図である。
【００６４】図９及び図１０に示されるように、凹部１
１の数としては２つであってもよく、さらにそれ以上で
あってもよい。また、凹部１１を複数形成する場合、こ
れらの大きさは、図９に示されるように互いに同じとな
るよう設定してもよく、図１０に示されるように互いに
異なるよう設定してもよい。
【００６５】さらに、上記実施態様においては、発光領
域１０の位置を示す目印としての凹部１１を長方形とし
たが、凹部１１の形状としては長方形に限定されない。
【００６６】図１１は、凹部１１の外形を三角形とした
例を示す図であり、図１２は、凹部１１の外形を円形と
した例を示す図である。
【００６７】図１１及び図１２に示されるように、凹部
１１の外形としては三角形や円形であってもよく、さら
にその他の外形、例えば正方形、六角形、菱形、楕円
形、Ｔ字形、Ｌ字形等であってもよい。要するに、凹部
１１の外形としては、どのような外形であっても構わな
い。
【００６８】さらに、上記実施態様においては、発光領
域１０の位置を示す目印として、凹部１１をｎ−ＧａＡ
ｓ基板２に形成したが、発光領域１０の位置を示す目印
としては凹部１１に限定されない。
【００６９】図１３は、発光領域１０の位置を示す目印
として、凸部２１をｎ−ＧａＡｓ基板２に形成した例を
示す図である。
【００７０】図１３に示されるように、発光領域１０の
位置を示す目印として、凹部１１の代わりに凸部２１を
用いても良い。要するに、半導体レーザ１のレーザ出射
端面が誘電体膜１２及び遮光膜１３によって覆われた後
も、その表面に反映されるような立体的な特徴であれ
ば、どのような目印であっても構わない。
【００７１】半導体レーザ１のレーザ出射端面に凸部２
１を形成する場合、原料ガスを半導体レーザ１のレーザ
出射端面に供給しつつ、凸部２１を形成すべき領域にＦ
ＩＢを照射すればよい。これにより、ＦＩＢが照射され
た原料ガスは分解され、当該領域に原料ガスの分解物が
堆積するので、ＦＩＢを照射した領域にのみ凸部２１が
形成される。この場合、原料ガスとしては、例えばタン
グステンヘキサカルボニルを用いることができ、これを
用いればタングステンからなる凸部２１が形成される。
【００７２】本発明は、以上の実施態様に限定されるこ
となく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種
々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含
されるものであることはいうまでもない。
【００７３】例えば、上記実施態様においては、凹部１
１を形成する手段としてＦＩＢを用いたが、他の手段を
用いて凹部１１を形成しても構わない。同様に、上記実
施態様においては、微小開口１４を形成する手段として
ＦＩＢを用いたが、他の手段を用いて微小開口１４を形
成しても構わない。但し、凹部１１を形成する手段とし
て、微小開口１４を形成する手段と同じ手段を用いるこ
とにより、半導体レーザ１の製造コストの増大を抑える
ことができる。
【００７４】また、本発明の適用が可能な半導体レーザ
は、上記実施態様において説明した層構成を有する半導
体レーザ１に限られず、これとは異なる層構成を有する
半導体レーザにも適用可能である。
【００７５】さらに、上記実施態様においては、凹部１
１の深さを約１μｍとしているが、凹部１１の深さは、
その上に誘電体膜１２及び遮光膜１３が形成された後も
凹部１１の形状が反映され、その位置が確認できる程度
の深さであれば、いかなる深さであっても構わない。凸
部２１の高さについても同様である。
【００７６】また、上記実施態様においては、発光領域
１０の幅と凹部１１の幅とが実質的に一致し、且つ、こ
れらの幅方向における位置が互いに一致するように設定
されているが、これはＡｌＧａＡｓ活性層４のうち凹部
１１の幅に対応する部分が発光領域１０であることを保
証するためであって、必ずしも上述のように一致させる
必要はない。
【００７７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、発光
領域との関係においてその位置が定められた立体的特徴
部を半導体レーザのレーザ出射端面に形成しているの
で、近接場光が発せられる微小開口の形成が容易な半導
体レーザ及びその製造方法、並びに、これを用いた近接
場光ヘッドを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる半導体レー
ザ１をレーザ出射端面側から見た略平面図である。
【図２】ｎ−ＧａＡｓ基板２に凹部１１が形成された状
態における半導体レーザ１をレーザ出射端面側から見た
略平面図である。
【図３】誘電体膜１２及び遮光膜１３が形成された状態
における半導体レーザ１をレーザ出射端面側から見た略
平面図である。
【図４】（ａ）は、微小開口１４が形成された状態にお
ける半導体レーザ１をレーザ出射端面側から見た略平面
図であり、（ｂ）は（ａ）の主要部を拡大した略平面図
である。
【図５】図４（ａ）に示すＡ−Ａ’ラインの断面を示す
略断面図である。
【図６】上述の方法により作成された半導体レーザ１を
用いた近接場光ヘッド１６を示す略斜視図である。
【図７】凹部１１をｐ−ＧａＡｓコンタクト層７に形成
した例を示す図である。
【図８】凹部１１をｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３及び
ＡｌＧａＡｓ活性層４に形成した例を示す図である。
【図９】凹部１１をｎ−ＧａＡｓ基板２に２つ形成した
例を示す図である。
【図１０】凹部１１をｎ−ＧａＡｓ基板２及びｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層７に形成した例を示す図である。
【図１１】凹部１１の外形を三角形とした例を示す図で
ある。
【図１２】凹部１１の外形を円形とした例を示す図であ
る。
【図１３】発光領域１０の位置を示す目印として、凸部
２１をｎ−ＧａＡｓ基板２に形成した例を示す図であ
る。
【符号の説明】
１ 半導体レーザ ２ ｎ−ＧａＡｓ基板 ３ ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ４ ＡｌＧａＡｓ活性層 ５ ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ６ ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層 ７ ｐ−ＧａＡｓコンタクト層 ８ ｎ電極 ９ ｐ電極 １０ 発光領域 １１ 凹部 １２ 誘電体膜 １３ 遮光膜 １４ 微小開口 １５ 近接場光発光部 １６ 近接場光ヘッド １７ サスペンション １８ スライダ １９ 配線 ２０ ディスク ２１ 凸部

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レーザ光の発光領域を含むレーザ出射端
    面を備える半導体レーザであって、前記レーザ出射端面
    のうち前記発光領域とは異なる領域に、前記発光領域の
    位置を示す立体的特徴部が形成されていることを特徴と
    する半導体レーザ。
  2. 【請求項２】 前記立体的特徴部が、前記レーザ出射端
    面のうち前記発光領域とは異なる領域に形成された凹部
    及び凸部の少なくとも一方であることを特徴とする請求
    項１に記載の半導体レーザ。
  3. 【請求項３】 少なくとも前記発光領域を覆う遮光膜を
    さらに備え、前記遮光膜には、前記発光領域の一部に対
    応する部分に微小開口が設けられていることを特徴とす
    る請求項１または２に記載の半導体レーザ。
  4. 【請求項４】 前記遮光膜が、前記立体的特徴部をさら
    に覆っていることを特徴とする請求項３に記載の半導体
    レーザ。
  5. 【請求項５】 前記レーザ出射端面と前記遮光膜との間
    に設けられた誘電体膜をさらに備え、前記微小開口から
    は前記誘電体膜の一部が露出していることを特徴とする
    請求項３または４に記載の半導体レーザ。
  6. 【請求項６】 レーザ光の発光領域を含むレーザ出射端
    面を備える半導体レーザの製造方法であって、前記レー
    ザ出射端面のうち、前記発光領域と所定の関係を有する
    位置に立体的特徴部を形成する工程を備えることを特徴
    とする半導体レーザの製造方法。
  7. 【請求項７】 少なくとも前記発光領域を覆う遮光膜を
    形成する工程と、前記遮光膜のうち、前記立体的特徴部
    と所定の関係を有する位置に微小開口を形成する工程と
    をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の半導
    体レーザの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記立体的特徴部を形成する工程及び前
    記微小開口を形成する工程が、いずれもＦＩＢを用いる
    ことを特徴とする請求項７に記載の半導体レーザの製造
    方法。
  9. 【請求項９】 前記立体的特徴部を形成する工程より前
    に、前記レーザ出射端面のうち少なくとも前記発光領域
    にＦＩＢを照射する工程をさらに備えることを特徴とす
    る請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体レーザ
    の製造方法。
  10. 【請求項１０】 近接場光により記録媒体に対するデー
    タの記録及び／又は読み出しを行う近接場光ヘッドであ
    って、前記近接場光を発生する半導体レーザを有し、前
    記半導体レーザは、発光領域を含むレーザ出射端面と、
    前記レーザ出射端面に形成された立体的特徴部と、少な
    くとも前記発光領域を覆う遮光膜とを備え、前記遮光膜
    には、前記立体的特徴部と所定の関係を有する位置にお
    いて、前記近接場光を発する微小開口が形成されている
    ことを特徴とする近接場光ヘッド。
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