JP2002134636A - 高周波回路基板およびそれを用いた高周波モジュールおよびそれを用いた電子装置および高周波回路基板の製造方法 - Google Patents

高周波回路基板およびそれを用いた高周波モジュールおよびそれを用いた電子装置および高周波回路基板の製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 静電気によるサージ電圧に対する耐圧の高い
高周波回路基板を提供する。 【解決手段】 回路基板２を構成する誘電体基板３の他
方主面に形成された配線電極６上に半導体素子８とフィ
ルタ３０搭載する。フィルタ３０のストリップ線路電極
３３はスルーホール３４と接地電極３２と配線電極６と
スルーホール７を介して回路基板２の接地電極４と直流
的に接続されている。 【効果】 端子電極５と半導体素子８の高周波信号端子
がフィルタ３０を介して接続されているため、静電気に
よるサージ電圧が端子電極５から印加されてもフィルタ
３０を介して接地電極４にアースされ、半導体素子８が
静電破壊を起こすのを防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路基板お
よびそれを用いた高周波モジュールおよびそれを用いた
電子装置および高周波回路基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１に、従来の高周波回路基板の断面
図を示す。図１１において、高周波回路基板１は、回路
基板２と半導体素子８と受動インピーダンス回路素子で
あるフィルタ１５を備えている。ここで、回路基板２
は、例えばアルミナ基板（比誘電率は約９〜１０）のよ
うな比較的低誘電率の誘電体からなる誘電体基板３の一
方主面に接地電極４と端子電極５が形成され、他方主面
に配線電極６が形成され、配線電極６の一部はスルーホ
ール７を介して端子電極５と接続されて構成されてい
る。半導体素子８は誘電体基板３の他方主面に搭載され
ており、半導体素子８上に形成された接続ランド８ａ、
８ｂと配線電極６との間がワイヤー（ボンディングワイ
ヤー）１０を介して接続されている。フィルタ１５は誘
電体基板３の他方主面に形成された配線電極６上に搭載
されている。フィルタ１５は、誘電体基板１６と、その
表面に形成されたフィルタ機能を実現するためのストリ
ップ線路電極１７から構成されている。そして、ストリ
ップ線路電極１７と配線電極６との間がワイヤー１０を
介して接続されている。
【０００３】このように構成された高周波回路基板１
は、１つの回路基板２上に主として能動素子である半導
体素子８と受動素子であるフィルタ１５が同時に搭載さ
れており、１つの機能を持った部品として動作させるこ
とができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体素子
８、特にＧａＡｓ半導体素子は一般的に耐圧が低く、静
電気によるサージ電圧によって静電破壊を起こす可能性
がある。そのため、半導体素子８を搭載した高周波回路
基板１において、例えば端子電極５やスルーホール７、
配線電極６、ワイヤー１０からなる信号ラインを介して
半導体素子８に静電破壊を起こすサージ電圧が印加され
ると、高周波回路基板１が破損する可能性があった。
【０００５】特に、このような高周波回路基板を用いた
ものとして無線通信の送受信モジュールを考えると、ア
ンテナに接続される端子電極が外部に露出しており、こ
の端子電極を介して印加されたサージ電圧によって半導
体素子が破壊される可能性がある。
【０００６】一方、端子電極５からフィルタ１５を介し
て半導体素子８に至る信号ラインに関しては、フィルタ
１５の入出力間が絶縁されていれば半導体素子８にサー
ジ電圧が印加されることはない。しかしながら、半導体
素子８を回路基板２に搭載する製造ラインにおいてはフ
ィルタ１５の有無に関わらず同様の静電気対策が必要と
なる。そして、半導体工場のような静電気対策が十分な
工場とは異なり、誘電体基板上に半導体素子を搭載する
ための製造ラインなどにおいては必ずしも十分な静電気
対策が施されていないため、静電気対策を徹底するため
には工程管理のためのコストがかかるという問題があ
る。
【０００７】また、静電気対策としては、半導体素子の
信号端子などにサージ電圧保護用のダイオードを接続す
るという方法もあるが、半導体素子のコスト上昇を招く
だけではなく、ダイオードが高周波信号のロスの原因に
なるという別の問題が発生する。
【０００８】本発明は上記の問題点を解決することを目
的とするもので、静電気によるサージ電圧に対する耐圧
の高い高周波回路基板およびそれを用いた高周波モジュ
ールおよびそれを用いた電子装置および高周波回路基板
の製造方法を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の高周波回路基板は、回路基板と、該回路基
板に搭載された半導体素子を有する高周波回路基板であ
って、前記回路基板は接地電極と端子電極を有し、前記
半導体素子は前記回路基板の前記端子電極との間で高周
波信号が伝達される高周波信号端子を有し、前記回路基
板の前記端子電極および前記半導体素子の前記高周波信
号端子の少なくとも一方が、前記回路基板の前記接地電
極と直流的に接続されていることを特徴とする。
【００１０】また、本発明の高周波回路基板は、前記半
導体素子の前記高周波信号端子と前記回路基板の前記端
子電極の間に接続された受動インピーダンス回路素子を
前記回路基板上に搭載してなり、前記高周波信号端子お
よび該高周波信号端子との間で高周波信号が伝達される
前記端子電極のいずれか一方が、前記受動インピーダン
ス回路素子を介して前記接地電極と直流的に接続されて
いることを特徴とする。
【００１１】また、本発明の高周波回路基板は、前記半
導体素子の前記高周波信号端子と前記回路基板の前記外
部端子の間に接続された受動インピーダンス回路素子を
前記回路基板上に搭載してなり、前記高周波信号端子お
よび該高周波信号端子との間で高周波信号が伝達される
前記端子電極の両方が、前記受動インピーダンス回路素
子を介して前記接地電極と直流的に接続されていること
を特徴とする。
【００１２】また、本発明の高周波回路基板は、前記受
動インピーダンス回路素子が、前記回路基板および前記
半導体素子を構成する材料より誘電率の高い誘電体基板
に形成されていることを特徴とする。
【００１３】また、本発明の高周波回路基板は、前記半
導体素子が前記回路基板上にバンプ実装されていること
を特徴とする。
【００１４】また、本発明の高周波回路基板は、前記半
導体素子の前記高周波信号端子以外の端子に静電気保護
用ダイオードが設けられていることを特徴とする。
【００１５】また、本発明の高周波モジュールは、上記
の高周波回路基板を用いてなり、前記回路基板を部品搭
載基板とし、前記回路基板の前記端子電極を外部端子と
したことを特徴とする。
【００１６】また、本発明の電子装置は、上記のいずれ
かに記載の高周波回路基板または高周波モジュールを用
いたことを特徴とする。
【００１７】また、本発明の高周波回路基板の製造方法
は、接地電極と端子電極を有する回路基板に、少なくと
もいずれか一方の端子が前記接地電極と直流的に接続さ
れる受動インピーダンス回路素子を、一方の端子を前記
端子電極に接続して搭載する第１の工程と、前記回路基
板に、高周波信号端子を有する半導体素子を、前記高周
波信号端子を前記受動インピーダンス回路素子の他方の
端子に接続して搭載する第２の工程からなることを特徴
とする。
【００１８】また、本発明の高周波回路基板の製造方法
は、前記受動インピーダンス回路素子および前記半導体
素子が前記回路基板にバンプ実装されることを特徴とす
る。
【００１９】このように構成することにより、本発明の
高周波回路基板においては、静電気によるサージ電圧に
対する耐圧を高めて信頼性を向上させるとともに小型化
を図ることができる。
【００２０】また、本発明の高周波モジュールおよび電
子装置においても、信頼性を向上させることができる。
【００２１】また、本発明の高周波回路基板の製造方法
においては、製造中における半導体素子の静電破壊を低
減することができ、製造工程の簡素化を図り、高周波回
路基板の低コスト化を図ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１に、本発明の高周波回路基板
の一実施例の断面図を示す。図１において、図１１と同
一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を
省略する。
【００２３】図１に示した高周波回路基板２０は、誘電
体基板３の他方主面に形成された配線電極６上に半導体
素子８と受動インピーダンス回路素子であるフィルタ３
０を搭載して構成されている。また、図１１に示した従
来の高周波回路基板１とは異なり、配線電極６のうちワ
イヤー１０を介して半導体素子８の接続ランド８ａ、８
ｂと接続されたものは端子電極５とは接続されていな
い。
【００２４】ここで、図２に、フィルタ３０の斜視図を
示す。図２において、フィルタ３０は、高周波回路基板
２０を構成する誘電体基板３（例えばアルミナ基板なら
比誘電率は約９）や半導体素子８を構成する材料（例え
ばＧａＡｓなら比誘電率は約１２．５）より誘電率の高
い、例えば比誘電率が１１０の誘電体基板３１と、誘電
体基板３１の一方主面に形成された接地電極３２と、同
じく他方主面に形成されたストリップ線路電極３３と、
接地電極３２とストリップ線路電極３３を接続するスル
ーホール３４とで構成されている。このうち、ストリッ
プ線路電極３３は、線路部分と、線路部分の途中に接続
された１／４波長のスタブから構成されており、スタブ
の先端はスルーホール３４で接地電極３２と接続されて
接地されているためショートスタブとなっている。そし
て、線路部分の両端、すなわち入力端子や出力端子とな
る部分はワイヤー１０を介して、図１に示した高周波回
路基板２０の配線電極５に接続されている。
【００２５】このように構成されたフィルタ３０は、シ
ョートスタブの長さに対応する特定の周波数を通過させ
るバンドパスフィルタとして機能する。また、ショート
スタブの先端がスルーホール３４を介して接地電極３２
と接続されているため、フィルタ３０の入出力端子部分
（入出力用のワイヤーが接続される部分）は接地電極３
２と直流的に接続されていることになる。
【００２６】また、フィルタ３０は高周波回路基板２０
を構成する誘電体基板２や半導体素子８を構成する半導
体材料より誘電率の高い誘電体基板３１上にストリップ
線路電極３３を形成して構成されている。この場合、誘
電体基板３上や半導体素子８上にストリップ線路電極を
直接形成する場合に比べて波長短縮率が十分に高くなる
ため、線路電極の大幅な小型化、ひいてはフィルタ３０
の大幅な小型化を図ることができる。
【００２７】次に、図１に示した高周波回路基板２０の
製造方法について図３を用いて説明する。図３におい
て、図１と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付
し、その説明を省略する。
【００２８】まず、第１の工程において、図３（ａ）に
示すように回路基板２の接地電極４とスルーホール７を
介して接続されている所定の配線電極６上にフィルタ３
０を搭載し、その入出力端子部分と回路基板２の配線電
極６とをワイヤー１０で接続する。その際、フィルタ３
０の接地電極３２は、ハンダ付けや導電性の材料を用い
たダイボンディングなどによって配線電極６と電気的に
接続され、接地される。フィルタ３０の入出力端子部分
は、図２に示したように接地電極３２と直流的に接続さ
れているため、回路基板２の接地電極４とも直流的に接
続されることになる。すなわち、回路基板２の配線電極
６のうち、フィルタ３０と接続されているものは、フィ
ルタ３０を介して接地電極４と直流的に接続されている
ことになる。
【００２９】次に、第２の工程として、図３（ｂ）に示
すように、回路基板２に半導体素子８を搭載し、その接
続ランドと回路基板２の配線電極６とをワイヤー１０で
接続する。半導体素子８の接続ランドとしては、外部と
の間で高周波信号の伝達される高周波信号端子となる接
続ランド８ａと、電源端子のような高周波信号の伝達さ
れないその他の端子となる接続ランド８ｂとを有する。
そして、半導体素子８の高周波信号端子である接続ラン
ド８ａはフィルタ３０と接続されている配線電極６と接
続されている。このとき、第１の工程で説明したよう
に、フィルタ３０と接続されている配線電極６は接地電
極４と直流的に接続されているため、例えば半導体素子
８を搭載する工程において何らかの原因で端子電極５に
静電気によるサージ電圧が印加されても、サージ電圧が
半導体素子８に達する前にフィルタ３０を介して接地さ
れてしまうために、半導体素子８に印加されて半導体素
子８が静電破壊を起こすことはない。そのため、静電気
対策のレベルを下げることができ、工程管理のコストを
低減することができる。
【００３０】なお、実際の工程としては、第ボンディン
グの工程とワイヤーボンディングの工程をまとめるため
に、第１の工程におけるフィルタ３０の入出力端子部分
と回路基板２の配線電極６とをワイヤー１０で接続する
部分は、第２の工程における回路基板２に半導体素子８
を搭載する部分と、半導体素子８の接続ランドと回路基
板２の配線電極６とをワイヤー１０で接続する部分の間
に実施することになる。その場合でも、半導体素子８の
接続ランドと回路基板２の配線電極６とをワイヤー１０
で接続するときには、フィルタ３０の搭載が完了してい
るため、回路基板２の配線電極６のうち、フィルタ３０
と接続されているものは、フィルタ３０を介して接地電
極４と直流的に接続されていることになる。そのため、
静電気対策としては、半導体素子８の搭載の前にフィル
タ３０のワイヤーボンディングを行う場合と全く同じ作
用効果を奏するものである。
【００３１】図１に戻り、このように構成された高周波
回路基板２０においては、回路基板２の端子電極５と、
端子電極５との間で高周波信号が伝達される半導体素子
８の高周波信号端子である接続ランド８ａの両方が、フ
ィルタ３０を介して回路基板２の接地電極４と直流的に
接続されているために耐圧が高く、何らかの原因で端子
電極５に静電気によるサージ電圧が印加されても、半導
体素子が静電破壊を起こすことは少ない。したがって、
高周波回路基板２０の信頼性を向上させることができ
る。また、ストリップ線路電極を回路基板２を構成する
誘電体基板３より誘電率の高い誘電体基板３１上に形成
してフィルタ３０の小型化を図っているため、高周波回
路基板２０自身の大幅な小型化を図ることができる。
【００３２】ここで、図４に、本発明の高周波回路基板
に用いる受動インピーダンス回路素子であるフィルタの
別の実施例を示す。図４において、図２と同一もしくは
同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。
【００３３】図４において、フィルタ３５は、誘電体基
板３１の他方主面上に直線状で約１／２波長のストリッ
プ線路電極３６を有し、その中央部分がスルーホール３
４を介して接地電極３２と接続されている。ストリップ
線路電極３６の両側端部から少し中央側に寄った位置、
すなわち入力端子や出力端子となる部分にはワイヤー１
０が接続されている。
【００３４】このように構成されたフィルタ３５におい
ては、ストリップ線路電極３６の一端側と他端側がそれ
ぞれ１／４波長の共振器として動作するとともに、２つ
の共振器がスルーホール３４の有するインダクタンス成
分を介して結合して特定の周波数を通過させるバンドパ
スフィルタとして機能する。また、ストリップ線路電極
３６の中央部がスルーホール３４を介して接地電極３２
と接続されているため、フィルタ３５の入出力端子部分
（入出力用のワイヤーが接続される部分）は接地電極３
２と直流的に接続されている。
【００３５】図５に、本発明の高周波回路基板に用いる
受動インピーダンス回路素子であるフィルタのさらに別
の実施例を示す。図５において、図４と同一もしくは同
等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。
【００３６】図５において、フィルタ４０は、直線状の
ストリップ線路電極３６に代えてＳ字上のストリップ線
路電極４１を有する点でのみフィルタ３５と異なる。
【００３７】このように構成されたフィルタ４０におい
ては、ストリップ線路電極４１の各部が相互に結合し合
うことによって、スプリアス特性の低減などのフィルタ
特性上の改善に加えて、フィルタ３５よりもさらに小型
化を図ることができる。
【００３８】図４、５に示したフィルタ３５、４０にお
いても、図２に示したフィルタ３０と同様に入出力端子
部分が接地電極と直流的に接続されているため、高周波
回路基板に搭載された場合にはフィルタ３０と同様の作
用効果を奏することができる。
【００３９】図６に、本発明の高周波回路基板の別の実
施例の断面図を示す。図６において、図１と同一もしく
は同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略す
る。
【００４０】図６に示した高周波回路基板５０は、誘電
体基板３の他方主面に形成された配線電極６上に半導体
素子８と受動インピーダンス回路素子であるフィルタ３
０をバンプ実装（フリップチップ実装）で搭載して構成
されている。ここで、半導体素子８の端子８ａ、８ｂ上
にはバンプ８ｃが設けられており、バンプ８ｃを介して
配線電極６と接続されている。また、フィルタ３０にも
ストリップ線路電極３３上にバンプ３０ａが設けられて
おり、このバンプ３０ａを介して配線電極６と接続され
ている。そのため、図１に示した高周波回路基板２０の
ようなワイヤー（ボンディングワイヤー）は存在しな
い。
【００４１】このように、高周波回路基板５０において
は、半導体素子８とフィルタ３０をバンプ実装すること
によってワイヤーボンディングの工程を省くことができ
るため、静電破壊の可能性をさらに低くすることができ
る。
【００４２】図７に、本発明の高周波回路基板に搭載さ
れる半導体素子の別の実施例の平面図を示す。図７にお
いて、半導体素子６０は、半導体チップ６１上に各種回
路素子（図示せず）とともにそれらに接続された接続ラ
ンド６２、６３、６４、６５が形成されている。このう
ち、接続ランド６２は電源入力用端子、接続ランド６３
は接地用端子、接続ランド６４、６５は高周波信号端子
である。そして、高周波信号端子以外の端子である接続
ランド６２と接続ランド６３の間には静電気保護用ダイ
オード６６が形成されている。
【００４３】このように、高周波信号端子以外の端子で
ある接続ランド６２、６３に静電気保護用ダイオードを
設けることによって、半導体素子６０の高周波信号端子
以外の端子に印加されるサージ電圧に対する耐圧を高く
することがができる。しかも、高周波信号端子である接
続ランド６４、６５には静電気保護用ダイオードが設け
られていないため、ダイオードによる高周波信号のロス
が発生することもない。そして、このように構成された
半導体素子を本発明の高周波回路基板に搭載することに
よって、高周波信号が伝達される経路以外の経路を介し
てサージ電圧が印加された場合の半導体素子の静電破壊
の可能性を低下させることができる。
【００４４】なお、上記の各実施例の高周波回路基板に
おいては、受動インピーダンス回路素子としてフィルタ
を用いているが、受動インピーダンス回路素子としては
積極的なフィルタ特性を有していない例えば整合回路な
どでも構わないもので、フィルタの場合と同様の作用効
果を奏するものである。
【００４５】図８に、本発明の高周波モジュールの一実
施例を示す。図８において、図１と同一もしくは同等の
部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。また、
図９に、高周波モジュールが無線通信の送受信モジュー
ルである場合の１つの例の概略ブロック図を示す。
【００４６】図８において、高周波モジュール７０は、
高周波回路基板２０に、半導体素子８やフィルタ３０を
覆うカバー７１を搭載して構成されている。この場合、
高周波回路基板２０の端子電極５は外部端子になる。
【００４７】また、ブロック図としては図９に示すよう
に、高周波モジュール７０は、局部発振器ＬＯと、高周
波高周波スイッチＳＷ１、ＳＷ２と、ミキサＭＩＸ１、
ＭＩＸ２と、パワーアンプＰＡと、ローノイズアンプＬ
ＮＡと、フィルタ３０から構成されている。このうち、
局部発振器ＬＯと、高周波スイッチＳＷ１、ＳＷ２と、
ミキサＭＩＸ１、ＭＩＸ２と、パワーアンプＰＡと、ロ
ーノイズアンプＬＮＡは半導体素子８に形成されてい
る。
【００４８】ここで、局部発振器ＬＯは高周波スイッチ
ＳＷ１の第１の端子に接続され、高周波スイッチＳＷ１
の第２、第３の端子はそれぞれミキサＭＩＸ１とミキサ
ＭＩＸ２に接続されている。ミキサＭＩＸ１はパワーア
ンプＰＡを介して高周波スイッチＳＷ２の第２の端子に
接続されている。高周波スイッチＳＷ２の第１の端子は
フィルタ３０を介して高周波モジュール５０とは別に設
けられているアンテナＡＮＴに接続されている。高周波
スイッチＳＷ２の第３の端子はローノイズアンプＬＮＡ
を介してミキサＭＩＸ２に接続されている。
【００４９】次に、高周波モジュール７０の動作につい
て簡単に説明する。まず、ミキサＭＩＸ１には図示を省
略した送信側回路からＩＦ信号が入力されている。高周
波スイッチＳＷ１の第１の端子が第２の端子と接続され
ていると、局部発振器ＬＯから出力されたキャリア信号
がミキサＭＩＸ１に入力されるため、ミキサＭＩＸ１か
らはＩＦ信号で変調されたキャリア信号、すなわちＲＦ
信号が出力される。ＲＦ信号はパワーアンプＰＡで増幅
され、高周波スイッチＳＷ２の第２の端子に入力され
る。高周波スイッチＳＷ２は高周波スイッチＳＷ１と連
動して、高周波スイッチＳＷ１の第１の端子が第２の端
子と接続されるときに高周波スイッチＳＷ２の第１の端
子も第２の端子と接続される。そのため、高周波スイッ
チＳＷ２の第２の端子に入力されたＲＦ信号は第１の端
子から出力され、フィルタ３０に入力されて不必要な信
号が取り除かれ、アンテナＡＮＴから電波として放射さ
れる。
【００５０】一方、高周波スイッチＳＷ１および高周波
スイッチＳＷ２の第１の端子が第３の端子と接続されて
いると、アンテナＡＮＴで受信したＲＦ信号の電波はフ
ィルタ３０に入力されて不必要な信号が取り除かれ、高
周波スイッチＳＷ２を介してローノイズアンプＬＮＡに
入力されて増幅され、ミキサＭＩＸ２に入力される。ミ
キサＭＩＸ２には局部発振器ＬＯから出力されたキャリ
ア信号が高周波スイッチＳＷ１を介して入力されている
ため、ミキサＭＩＸ２ではＲＦ信号からキャリア信号の
成分が取り除かれ、ＩＦ信号として出力され、図示を省
略した受信側回路に入力される。
【００５１】このように構成された高周波モジュール７
０においては、アンテナＡＮＴに接続される端子を介し
て静電気によるサージ電圧が印加される可能性がある
が、サージ電圧はフィルタ３０を介して回路基板２の接
地電極４に流れるため、半導体素子８に含まれている局
部発振器ＬＯや、高周波スイッチＳＷ１、ＳＷ２や、ミ
キサＭＩＸ１、ＭＩＸ２や、パワーアンプＰＡや、ロー
ノイズアンプＬＮＡが静電破壊を起こすのを防止するこ
とができる。そのため、静電気対策の十分でない製造ラ
インなどにおいても取り扱うことが容易となる。
【００５２】図１０に、本発明の電子装置の一実施例の
斜視図を示す。図１０において、電子装置の１つである
携帯電話８０は、筐体８１と、その中に配置されたプリ
ント基板８２と、プリント基板８２上に実装された本発
明の高周波モジュール８３を備えている。高周波モジュ
ール８３は、例えばアンプや発振器、フィルタなどの高
周波部品である。
【００５３】このように構成された携帯電話８０におい
ては、本発明の高周波モジュール８３を用いているた
め、静電気に対して強く、製造工程における静電気対策
を簡素化できるため、コストダウンと信頼性の向上を図
ることができる。
【００５４】なお、図１０においては電子装置として携
帯電話を示したが、電子装置としては携帯電話に限るも
のではなく、本発明の高周波モジュールを用いたもので
あれば何でも構わないものである。
【００５５】
【発明の効果】本発明の高周波回路基板によれば、接地
電極と端子電極を有する回路基板と、それに搭載されて
回路基板の端子電極との間で高周波信号が伝達される高
周波信号端子を有する半導体素子を有し、回路基板の端
子電極および半導体素子の高周波信号端子の少なくとも
一方が、回路基板の接地電極と直流的に接続されている
ことによって、静電気によるサージ電圧に対する耐圧を
高め、信頼性を向上させることができる。
【００５６】また、回路基板の端子電極および半導体素
子の高周波信号端子の少なくとも一方が、回路基板およ
び半導体素子を構成する材料より誘電率の高い誘電体基
板に形成された受動インピーダンス回路素子を介して回
路基板の接地電極と直流的に接続されていることによっ
て、高周波回路基板の小型化を図ることができる。
【００５７】また、本発明の高周波モジュールおよびそ
れを用いた電子装置によれば、本発明の高周波回路基板
を用いることによって、静電気によるサージ電圧に対す
る耐圧を高め、信頼性を向上させることができる。
【００５８】また、本発明の高周波回路基板の製造方法
によれば、接地電極と端子電極を有する回路基板に、少
なくともいずれか一方の端子が接地電極と直流的に接続
される受動インピーダンス回路素子を、一方の端子を端
子電極に接続して搭載する第１の工程と、回路基板に、
高周波信号端子を有する半導体素子を、高周波信号端子
を受動インピーダンス回路素子の他方の端子に接続して
搭載する第２の工程からなることによって、製造中にお
ける静電破壊の発生を大幅に低下させることができる。
また、製造工程の簡素化を図り、高周波回路基板の低コ
スト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波回路基板の一実施例を示す断面
図である。
【図２】本発明の高周波回路基板に搭載されるフィルタ
の一実施例を示す斜視図である。
【図３】本発明の高周波回路基板の製造工程を示す図
で、（ａ）は回路基板のフィルタが搭載された状態を示
し、（ｂ）はあらかじめフィルタを搭載した回路基板に
半導体素子が搭載された状態を示す。
【図４】本発明の高周波回路基板に搭載されるフィルタ
の別の実施例を示す斜視図である。
【図５】本発明の高周波回路基板に搭載されるフィルタ
のさらに別の実施例を示す斜視図である。
【図６】本発明の高周波回路基板の別の実施例を示す断
面図である。
【図７】本発明の高周波回路基板に搭載される半導体素
子の別の実施例を示す平面図である。
【図８】本発明の高周波モジュールの一実施例を示す断
面図である。
【図９】図８の高周波モジュールの概略ブロック図であ
る。
【図１０】本発明の電子装置の一実施例を示す一部破砕
斜視図である。
【図１１】従来の高周波回路基板を示す断面図である。
【符号の説明】
２…回路基板 ３…誘電体基板 ４…接地電極 ５…端子電極 ６…配線電極 ７…スルーホール ８、６０…半導体素子 ８ａ、６４、６５…接続ランド（高周波信号端子） ８ｃ、３０ａ…バンプ １０…ワイヤー ２０、５０…高周波回路基板 ３０、３５、４０…フィルタ（受動インピーダンス回路
素子） ７０…高周波モジュール ７１…カバー ８０…携帯電話

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回路基板と、該回路基板に搭載された半
    導体素子を有する高周波回路基板であって、 前記回路基板は接地電極と端子電極を有し、前記半導体
    素子は前記回路基板の前記端子電極との間で高周波信号
    が伝達される高周波信号端子を有し、 前記回路基板の前記端子電極および前記半導体素子の前
    記高周波信号端子の少なくとも一方が、前記回路基板の
    前記接地電極と直流的に接続されていることを特徴とす
    る高周波回路基板。
  2. 【請求項２】 前記半導体素子の前記高周波信号端子と
    前記回路基板の前記端子電極の間に接続された受動イン
    ピーダンス回路素子を前記回路基板上に搭載してなり、 前記高周波信号端子および該高周波信号端子との間で高
    周波信号が伝達される前記端子電極のいずれか一方が、
    前記受動インピーダンス回路素子を介して前記接地電極
    と直流的に接続されていることを特徴とする、請求項１
    に記載の高周波回路基板。
  3. 【請求項３】 前記半導体素子の前記高周波信号端子と
    前記回路基板の前記外部端子の間に接続された受動イン
    ピーダンス回路素子を前記回路基板上に搭載してなり、 前記高周波信号端子および該高周波信号端子との間で高
    周波信号が伝達される前記端子電極の両方が、前記受動
    インピーダンス回路素子を介して前記接地電極と直流的
    に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の
    高周波回路基板。
  4. 【請求項４】 前記受動インピーダンス回路素子は、前
    記回路基板および前記半導体素子を構成する材料より誘
    電率の高い誘電体基板に形成されていることを特徴とす
    る、請求項２または３に記載の高周波回路基板。
  5. 【請求項５】 前記半導体素子が前記回路基板上にバン
    プ実装されていることを特徴とする、請求項２ないし４
    のいずれかに記載の高周波回路基板。
  6. 【請求項６】 前記半導体素子の前記高周波信号端子以
    外の端子に静電気保護用ダイオードが設けられているこ
    とを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の
    高周波回路基板。
  7. 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の高
    周波回路基板を用いてなり、前記回路基板を部品搭載基
    板とし、前記回路基板の前記端子電極を外部端子とした
    ことを特徴とする高周波モジュール。
  8. 【請求項８】 請求項１ないし６のいずれかに記載の高
    周波回路基板または請求項７に記載の高周波モジュール
    を用いたことを特徴とする電子装置。
  9. 【請求項９】 接地電極と端子電極を有する回路基板
    に、少なくともいずれか一方の端子が前記接地電極と直
    流的に接続される受動インピーダンス回路素子を、一方
    の端子を前記端子電極に接続して搭載する第１の工程
    と、 前記回路基板に、高周波信号端子を有する半導体素子
    を、前記高周波信号端子を前記受動インピーダンス回路
    素子の他方の端子に接続して搭載する第２の工程からな
    ることを特徴とする高周波回路基板の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記受動インピーダンス回路素子およ
    び前記半導体素子が前記回路基板にバンプ実装されるこ
    とを特徴とする、請求項９に記載の高周波回路基板の製
    造方法。
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