JP2002134492A - 熱処理装置 - Google Patents
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大気導入や不活性ガス導入を必要とすること
なく安定な制御が可能であると共に、排気系の構造が簡
素化され、コストの低減が図れ、しかも過酷な腐食環境
であっても圧力センサの腐食の心配がなく、何時でも安
定したプロセスを行うことができる熱処理装置を提供す
る。 【解決手段】 処理炉１内に被処理体ｗを収容し、処理
ガスを供給して所定の処理温度で熱処理する装置におい
て、前記処理炉１内を所定の排気圧力で排気する常圧排
気系１８と、前記処理炉１内を常圧排気系１８よりも低
い圧力で減圧排気する減圧排気系１４と、常圧排気系１
８および減圧排気系１４のそれぞれに設けられた開閉お
よび圧力調節の可能なコンビネーションバルブ２０，２
１と、前記排気圧力を検出する差圧型もしくは絶対圧型
の圧力センサ２２，２３と、該圧力センサ２２，２３の
検出圧力を基に前記コンビネーションバルブ２０，２１
を制御する制御部３２とを備え、前記圧力センサ２２，
２３の排気と接する接ガス面が非金属の耐食性材料によ
り形成されている。
なく安定な制御が可能であると共に、排気系の構造が簡
素化され、コストの低減が図れ、しかも過酷な腐食環境
であっても圧力センサの腐食の心配がなく、何時でも安
定したプロセスを行うことができる熱処理装置を提供す
る。 【解決手段】 処理炉１内に被処理体ｗを収容し、処理
ガスを供給して所定の処理温度で熱処理する装置におい
て、前記処理炉１内を所定の排気圧力で排気する常圧排
気系１８と、前記処理炉１内を常圧排気系１８よりも低
い圧力で減圧排気する減圧排気系１４と、常圧排気系１
８および減圧排気系１４のそれぞれに設けられた開閉お
よび圧力調節の可能なコンビネーションバルブ２０，２
１と、前記排気圧力を検出する差圧型もしくは絶対圧型
の圧力センサ２２，２３と、該圧力センサ２２，２３の
検出圧力を基に前記コンビネーションバルブ２０，２１
を制御する制御部３２とを備え、前記圧力センサ２２，
２３の排気と接する接ガス面が非金属の耐食性材料によ
り形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、熱処理の一つとして被処理体例えば半導体ウ
エハの表面に酸化膜を形成する酸化処理工程があり、こ
の酸化処理の一つの方法として、処理炉内において半導
体ウエハを所定の処理温度で水蒸気と接触させて酸化
（ウエット酸化）させる方法がある。このような処理を
行うために、例えば特開昭６３−２１０５０１号公報等
に示されているように、水素ガスと酸素ガスを反応（燃
焼）させて水蒸気を発生させる燃焼装置を処理炉の外部
に独立して設け、この燃焼装置により発生する水蒸気を
処理炉に供給して熱処理を行うようにした酸化処理装置
（熱処理装置）が知られている。
おいては、熱処理の一つとして被処理体例えば半導体ウ
エハの表面に酸化膜を形成する酸化処理工程があり、こ
の酸化処理の一つの方法として、処理炉内において半導
体ウエハを所定の処理温度で水蒸気と接触させて酸化
（ウエット酸化）させる方法がある。このような処理を
行うために、例えば特開昭６３−２１０５０１号公報等
に示されているように、水素ガスと酸素ガスを反応（燃
焼）させて水蒸気を発生させる燃焼装置を処理炉の外部
に独立して設け、この燃焼装置により発生する水蒸気を
処理炉に供給して熱処理を行うようにした酸化処理装置
（熱処理装置）が知られている。
【０００３】また、熱処理装置としては、常圧排気系を
備えた常圧型のものと、常圧排気系および減圧排気系を
備えた減圧処理可能型のものとがある。そして、従来の
常圧型熱処理装置は、処理炉内を所定の排気圧力で排気
する常圧排気系にバラフライ弁方式もしくはステッピン
グモータとスプリングで弁開度を調整する方式の排気圧
コントロール弁および差圧型の圧力センサを設けて排気
圧力を制御するように構成されていた。一方、従来の減
圧処理可能型熱処理装置は、処理炉の排気系を常圧排気
系と減圧排気系に分岐し、分岐部に切換弁を設け、その
常圧排気系に前記排気圧コントロール弁および圧力セン
サを設けて排気圧力を制御可能に構成する共に、減圧排
気系にコンビネーションバルブおよび圧力センサを設け
て減圧制御可能に構成されていた。
備えた常圧型のものと、常圧排気系および減圧排気系を
備えた減圧処理可能型のものとがある。そして、従来の
常圧型熱処理装置は、処理炉内を所定の排気圧力で排気
する常圧排気系にバラフライ弁方式もしくはステッピン
グモータとスプリングで弁開度を調整する方式の排気圧
コントロール弁および差圧型の圧力センサを設けて排気
圧力を制御するように構成されていた。一方、従来の減
圧処理可能型熱処理装置は、処理炉の排気系を常圧排気
系と減圧排気系に分岐し、分岐部に切換弁を設け、その
常圧排気系に前記排気圧コントロール弁および圧力セン
サを設けて排気圧力を制御可能に構成する共に、減圧排
気系にコンビネーションバルブおよび圧力センサを設け
て減圧制御可能に構成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記常
圧型および減圧処理可能型の何れの熱処理装置において
も、排気圧コントロール弁がバタフライ弁方式である場
合、水蒸気が結露して弁と管の間に水膜ができ、制御が
不安定になることがあった。これを回避するために、弁
の前後に大気導入ポートを設ける必要があった。また、
排気圧コントロール弁がステッピングモータとスプリン
グで弁開度を調整する方式である場合、弁の可変を円滑
にし、制御性を安定させるために、弁に不活性ガス例え
ば窒素ガスＮ2を導入する必要があり、不活性ガスのラ
ンニングコストが必要であった。また、減圧処理可能型
の熱処理装置においては、切換弁が必要であり、構造の
複雑化を招いていた。
圧型および減圧処理可能型の何れの熱処理装置において
も、排気圧コントロール弁がバタフライ弁方式である場
合、水蒸気が結露して弁と管の間に水膜ができ、制御が
不安定になることがあった。これを回避するために、弁
の前後に大気導入ポートを設ける必要があった。また、
排気圧コントロール弁がステッピングモータとスプリン
グで弁開度を調整する方式である場合、弁の可変を円滑
にし、制御性を安定させるために、弁に不活性ガス例え
ば窒素ガスＮ2を導入する必要があり、不活性ガスのラ
ンニングコストが必要であった。また、減圧処理可能型
の熱処理装置においては、切換弁が必要であり、構造の
複雑化を招いていた。
【０００５】一方、近年では、半導体素子の微細化等に
伴い、酸化処理装置での減圧処理の要求や、ＣＶＤ装置
での酸化処理とＣＶＤ処理の連続処理の要求等が出て来
ており、例えばウエット酸化処理、ウエット−ＨＣｌ−
酸化処理、ウエット酸化処理とＳｉＣｌ4のＣＶＤ処理
の連続処理等においては、塩素系の腐食ガスと水分によ
る強い腐食環境にされられるため、これまでの金属製の
圧力センサでは対応が困難となっている。
伴い、酸化処理装置での減圧処理の要求や、ＣＶＤ装置
での酸化処理とＣＶＤ処理の連続処理の要求等が出て来
ており、例えばウエット酸化処理、ウエット−ＨＣｌ−
酸化処理、ウエット酸化処理とＳｉＣｌ4のＣＶＤ処理
の連続処理等においては、塩素系の腐食ガスと水分によ
る強い腐食環境にされられるため、これまでの金属製の
圧力センサでは対応が困難となっている。
【０００６】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、大気導入や不活性ガス導入を必要とすることなく
安定な制御が可能であると共に、排気系の構造が簡素化
され、コストの低減が図れ、しかも過酷な腐食環境であ
っても圧力センサの腐食の心配がなく、何時でも安定し
たプロセスを行うことができる熱処理装置を提供するこ
とを目的とする。
ので、大気導入や不活性ガス導入を必要とすることなく
安定な制御が可能であると共に、排気系の構造が簡素化
され、コストの低減が図れ、しかも過酷な腐食環境であ
っても圧力センサの腐食の心配がなく、何時でも安定し
たプロセスを行うことができる熱処理装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
に係る発明は、処理炉内に被処理体を収容し、処理ガス
を供給して所定の処理温度で熱処理する装置において、
前記処理炉内を所定の排気圧力で排気する常圧排気系
と、該常圧排気系に設けられた開閉および圧力調節の可
能なコンビネーションバルブと、前記排気圧力を検出す
る差圧型もしくは絶対圧型の圧力センサと、該圧力セン
サの検出圧力を基に前記コンビネーションバルブを制御
する制御部とを備え、前記圧力センサの排気と接する接
ガス面が非金属の耐食性材料により形成されていること
を特徴とする。
に係る発明は、処理炉内に被処理体を収容し、処理ガス
を供給して所定の処理温度で熱処理する装置において、
前記処理炉内を所定の排気圧力で排気する常圧排気系
と、該常圧排気系に設けられた開閉および圧力調節の可
能なコンビネーションバルブと、前記排気圧力を検出す
る差圧型もしくは絶対圧型の圧力センサと、該圧力セン
サの検出圧力を基に前記コンビネーションバルブを制御
する制御部とを備え、前記圧力センサの排気と接する接
ガス面が非金属の耐食性材料により形成されていること
を特徴とする。
【０００８】請求項２に係る発明は、処理炉内に被処理
体を収容し、処理ガスを供給して所定の処理温度で熱処
理する装置において、前記処理炉内を所定の排気圧力で
排気する常圧排気系と、前記処理炉内を常圧排気系より
も低い圧力で減圧排気する減圧排気系と、常圧排気系お
よび減圧排気系のそれぞれに設けられた開閉および圧力
調節の可能なコンビネーションバルブと、前記排気圧力
を検出する差圧型もしくは絶対圧型の圧力センサと、該
圧力センサの検出圧力を基に前記コンビネーションバル
ブを制御する制御部とを備え、前記圧力センサの排気と
接する接ガス面が非金属の耐食性材料により形成されて
いることを特徴とする。
体を収容し、処理ガスを供給して所定の処理温度で熱処
理する装置において、前記処理炉内を所定の排気圧力で
排気する常圧排気系と、前記処理炉内を常圧排気系より
も低い圧力で減圧排気する減圧排気系と、常圧排気系お
よび減圧排気系のそれぞれに設けられた開閉および圧力
調節の可能なコンビネーションバルブと、前記排気圧力
を検出する差圧型もしくは絶対圧型の圧力センサと、該
圧力センサの検出圧力を基に前記コンビネーションバル
ブを制御する制御部とを備え、前記圧力センサの排気と
接する接ガス面が非金属の耐食性材料により形成されて
いることを特徴とする。
【０００９】請求項３に係る発明は、請求項１または２
記載の熱処理装置において、前記圧力センサがフッ素樹
脂製またはセラミックス製の本体と、この本体内に気密
に設けられたセラミックス製の受圧部材とを有している
ことを特徴とする。
記載の熱処理装置において、前記圧力センサがフッ素樹
脂製またはセラミックス製の本体と、この本体内に気密
に設けられたセラミックス製の受圧部材とを有している
ことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。図１は、本発明を酸化処理装
置に適用した第１実施の形態の構成を示す図である。
付図面に基いて詳述する。図１は、本発明を酸化処理装
置に適用した第１実施の形態の構成を示す図である。
【００１１】本実施の形態の酸化処理装置（熱処理装
置）は、減圧処理可能型として構成されている。図１に
おいて、１は被処理体である半導体ウエハＷを収容し、
処理ガスとして水蒸気を供給して例えば８５０℃程度の
高温下で熱処理する縦型でバッチ式の処理炉で、この処
理炉１は上端が閉塞され下端が開放した縦長円筒状の耐
熱性を有する例えば石英製の反応管（処理容器）２を備
えている。
置）は、減圧処理可能型として構成されている。図１に
おいて、１は被処理体である半導体ウエハＷを収容し、
処理ガスとして水蒸気を供給して例えば８５０℃程度の
高温下で熱処理する縦型でバッチ式の処理炉で、この処
理炉１は上端が閉塞され下端が開放した縦長円筒状の耐
熱性を有する例えば石英製の反応管（処理容器）２を備
えている。
【００１２】この反応管２は、炉口として開放した下端
開口部が蓋体３で気密に閉塞されることにより、気密性
の高い処理炉１を構成するようになっている。前記蓋体
３上には、多数枚例えば１５０枚程度の半導体ウエハＷ
を水平状態で上下方向に間隔をおいて多段に支持する基
板支持具である例えば石英製のウエハボート４が回転可
能なボート載置台５を介して載置されている。また、蓋
体３上には炉口からの放熱を防止すべく下部面状発熱体
６が設けられ、反応管２の上方には半導体ウエハｗを面
内均一に加熱可能な上部面状発熱体７が設けられてい
る。
開口部が蓋体３で気密に閉塞されることにより、気密性
の高い処理炉１を構成するようになっている。前記蓋体
３上には、多数枚例えば１５０枚程度の半導体ウエハＷ
を水平状態で上下方向に間隔をおいて多段に支持する基
板支持具である例えば石英製のウエハボート４が回転可
能なボート載置台５を介して載置されている。また、蓋
体３上には炉口からの放熱を防止すべく下部面状発熱体
６が設けられ、反応管２の上方には半導体ウエハｗを面
内均一に加熱可能な上部面状発熱体７が設けられてい
る。
【００１３】蓋体３は、図示しない昇降機構により、処
理炉１内へのウエハボート４のロード（搬入）ならびに
アンロード(搬出）および炉口の開閉を行うように構成
されている。また、前記反応管２の周囲には、炉内を所
定の温度例えば３００〜１０００℃に加熱制御可能な抵
抗発熱体からなるヒーター８が設けられている。ヒータ
ー８は、急速昇降温が可能であることが好ましい。ヒー
ター８の周囲は冷却ジャケット９で覆われている。
理炉１内へのウエハボート４のロード（搬入）ならびに
アンロード(搬出）および炉口の開閉を行うように構成
されている。また、前記反応管２の周囲には、炉内を所
定の温度例えば３００〜１０００℃に加熱制御可能な抵
抗発熱体からなるヒーター８が設けられている。ヒータ
ー８は、急速昇降温が可能であることが好ましい。ヒー
ター８の周囲は冷却ジャケット９で覆われている。
【００１４】反応管２の下側部には、ガス導入管部１０
が適宜個数設けられており、その一つには、処理ガス供
給手段（水蒸気供給手段）として、水素ガスＨ2と酸素
ガスＯ2の燃焼反応により水蒸気を発生させて供給する
燃焼装置（外部燃焼装置）１１が接続されている。この
燃焼装置１１は、例えば燃焼ノズルの口径を小さくした
り、燃焼ノズルの形状を改善する等により、水蒸気を微
少流量例えば従来毎分３リットル（下限）であったもの
が毎分０．４〜１リットル程度で供給することが可能に
構成されていることが好ましい。また、燃焼装置１１に
は、水蒸気を希釈化等するために不活性ガス例えば窒素
ガスＮ2を供給する不活性ガス供給部１２が設けられて
いる。なお、他のガス導入管部には、その他の処理ガス
例えば一酸化窒素ガスＮＯや一酸化二窒素ガスＮ2Ｏ、
塩化水素ＨＣｌあるいは不活性ガス例えばＮ2等を供給
するガス供給源が接続されている（図示省略）。
が適宜個数設けられており、その一つには、処理ガス供
給手段（水蒸気供給手段）として、水素ガスＨ2と酸素
ガスＯ2の燃焼反応により水蒸気を発生させて供給する
燃焼装置（外部燃焼装置）１１が接続されている。この
燃焼装置１１は、例えば燃焼ノズルの口径を小さくした
り、燃焼ノズルの形状を改善する等により、水蒸気を微
少流量例えば従来毎分３リットル（下限）であったもの
が毎分０．４〜１リットル程度で供給することが可能に
構成されていることが好ましい。また、燃焼装置１１に
は、水蒸気を希釈化等するために不活性ガス例えば窒素
ガスＮ2を供給する不活性ガス供給部１２が設けられて
いる。なお、他のガス導入管部には、その他の処理ガス
例えば一酸化窒素ガスＮＯや一酸化二窒素ガスＮ2Ｏ、
塩化水素ＨＣｌあるいは不活性ガス例えばＮ2等を供給
するガス供給源が接続されている（図示省略）。
【００１５】また、前記反応管２の下側壁には、反応管
２内を排気するための排気管部１３が設けられており、
この排気管部１３には、減圧排気系１４を構成する排気
管１５が接続されている。この排気管１５は、高真空度
での減圧排気が可能な大口径例えば内径が３インチ程度
の配管からなっている。また、排気管１５は、耐食性配
管からなり、例えば金属製好ましくはステンレス製の配
管の内周面に耐食性樹脂好ましくはフッ素樹脂のコーテ
ィングを施してなる。前記排気管１５の下流端は、処理
炉１内を例えば最大−１Ｐａ程度に減圧可能な減圧ポン
プ（真空ポンプ）１６に接続され、この減圧ポンプ１６
の下流には除外装置１７が接続されている。減圧ポンプ
１７としては、例えばドライポンプが好ましい。
２内を排気するための排気管部１３が設けられており、
この排気管部１３には、減圧排気系１４を構成する排気
管１５が接続されている。この排気管１５は、高真空度
での減圧排気が可能な大口径例えば内径が３インチ程度
の配管からなっている。また、排気管１５は、耐食性配
管からなり、例えば金属製好ましくはステンレス製の配
管の内周面に耐食性樹脂好ましくはフッ素樹脂のコーテ
ィングを施してなる。前記排気管１５の下流端は、処理
炉１内を例えば最大−１Ｐａ程度に減圧可能な減圧ポン
プ（真空ポンプ）１６に接続され、この減圧ポンプ１６
の下流には除外装置１７が接続されている。減圧ポンプ
１７としては、例えばドライポンプが好ましい。
【００１６】前記排気管１５の途中には、図示しない除
害装置や排気ブロワを備えた工場排気系の排気ダクトに
通じる常圧排気系１８を構成する常圧排気管１９が分岐
接続されており、常圧ないし微陰圧での処理が可能にな
っている。常圧排気管１９も、前記排気管１５と同様、
耐食性配管からなっている。排気管１５および常圧排気
管１９の外周には、腐食の原因となる配管内の水分を飛
ばす（蒸発させる）べく加熱するための加熱手段例えば
抵抗発熱体が設けられていることが好ましい。
害装置や排気ブロワを備えた工場排気系の排気ダクトに
通じる常圧排気系１８を構成する常圧排気管１９が分岐
接続されており、常圧ないし微陰圧での処理が可能にな
っている。常圧排気管１９も、前記排気管１５と同様、
耐食性配管からなっている。排気管１５および常圧排気
管１９の外周には、腐食の原因となる配管内の水分を飛
ばす（蒸発させる）べく加熱するための加熱手段例えば
抵抗発熱体が設けられていることが好ましい。
【００１７】そして、前記常圧排気系１８および減圧排
気系１４には、それぞれ開閉および圧力調節の可能なコ
ンビネーションバルブ２０，２１が設けられている。減
圧排気系１４においては、排気管１５における常圧排気
管１９の分岐接続部よりも下流位置にコンビネーション
バルブ２１が取付けられている。これらのコンビネーシ
ョンバルブ２０，２１は、例えば電気信号を空気圧に変
換して弁体の位置制御を行うようになっていると共に、
弁体の着座部にＯリングを有しシャットオフができるよ
うになっている。このコンビネーションバルブ２０，２
１は、耐食性を有する材料例えばフッ素樹脂により形成
されているか、あるいは排気と接する接ガス面がフッ素
樹脂の被膜で被覆されていることが好ましい。
気系１４には、それぞれ開閉および圧力調節の可能なコ
ンビネーションバルブ２０，２１が設けられている。減
圧排気系１４においては、排気管１５における常圧排気
管１９の分岐接続部よりも下流位置にコンビネーション
バルブ２１が取付けられている。これらのコンビネーシ
ョンバルブ２０，２１は、例えば電気信号を空気圧に変
換して弁体の位置制御を行うようになっていると共に、
弁体の着座部にＯリングを有しシャットオフができるよ
うになっている。このコンビネーションバルブ２０，２
１は、耐食性を有する材料例えばフッ素樹脂により形成
されているか、あるいは排気と接する接ガス面がフッ素
樹脂の被膜で被覆されていることが好ましい。
【００１８】前記排気管１５における減圧処理用コンビ
ネーションバルブ２１よりも上流位置には、常圧処理時
の排気圧力を検出するための圧力センサ２２と、減圧処
理時（減圧排気時）の排気圧力を検出する圧力センサ２
３とが空気圧制御式の弁２４，２５を介して設けられて
いる。圧力センサ２２は、例えば０〜１３３ＫＰａ（０
〜１０００Ｔｏｒｒ）のレンジで検出が可能とされてい
る。圧力センサ２３は、例えば０〜１．３３ＫＰａ（０
〜１０Ｔｏｒｒ）のレンジで検出が可能とされている。
これら圧力センサ２２，２３としては、絶対圧型のもの
が用いられている。圧力センサ２２は広いレンジで常時
検出可能であるため、弁２４を必ずしも備えていなくて
もよい。
ネーションバルブ２１よりも上流位置には、常圧処理時
の排気圧力を検出するための圧力センサ２２と、減圧処
理時（減圧排気時）の排気圧力を検出する圧力センサ２
３とが空気圧制御式の弁２４，２５を介して設けられて
いる。圧力センサ２２は、例えば０〜１３３ＫＰａ（０
〜１０００Ｔｏｒｒ）のレンジで検出が可能とされてい
る。圧力センサ２３は、例えば０〜１．３３ＫＰａ（０
〜１０Ｔｏｒｒ）のレンジで検出が可能とされている。
これら圧力センサ２２，２３としては、絶対圧型のもの
が用いられている。圧力センサ２２は広いレンジで常時
検出可能であるため、弁２４を必ずしも備えていなくて
もよい。
【００１９】前記圧力センサ２２，２３は、水分と腐食
性ガスが存在する過酷な腐食環境下での使用を可能とす
るために、排気と接する接ガス面が非金属の耐食性材料
により形成されている。具体的には、図２に示すよう
に、圧力センサ２２，２３は、排気管１５への連通部２
６を有し内部が拡大形成されたフッ素樹脂製またはセラ
ミックス製の本体２７と、この本体２７内に環状気密材
であるフッ素樹脂製のＯリング２８を介して排気側に対
して気密に設けられたセラミックス製の受圧部材２９と
を有している。この受圧部材２９は、中空箱状に形成さ
れており、その内部が図示しないゲッターポンプにより
真空に保たれている。受圧部材２９の内面部には、排気
圧力による変形歪量を電気量として検出するセンサ部材
３０が張設されている。なお、３１は本体２７内に設け
られた電装品である。
性ガスが存在する過酷な腐食環境下での使用を可能とす
るために、排気と接する接ガス面が非金属の耐食性材料
により形成されている。具体的には、図２に示すよう
に、圧力センサ２２，２３は、排気管１５への連通部２
６を有し内部が拡大形成されたフッ素樹脂製またはセラ
ミックス製の本体２７と、この本体２７内に環状気密材
であるフッ素樹脂製のＯリング２８を介して排気側に対
して気密に設けられたセラミックス製の受圧部材２９と
を有している。この受圧部材２９は、中空箱状に形成さ
れており、その内部が図示しないゲッターポンプにより
真空に保たれている。受圧部材２９の内面部には、排気
圧力による変形歪量を電気量として検出するセンサ部材
３０が張設されている。なお、３１は本体２７内に設け
られた電装品である。
【００２０】前記常圧排気系１８および減圧排気系１４
にそれぞれ設けられたコンビネーションバルブ２０，２
１は、前記圧力センサ２２，２３の検出圧力を基に共通
の制御部（コントローラ）３２により制御されるように
なっている。すなわち、この制御部３２は、常圧処理時
には常圧排気系１８のコンビネーションバルブ２０に切
換えてこれを常圧処理時用の圧力センサ２２の検出圧力
を基に制御し、減圧処理時には減圧排気系１４のコンビ
ネーションバルブ２１に切換えてこれを減圧処理時用の
圧力センサ２３の検出圧力を基に制御するというよう
に、二系統の制御が可能になっている。
にそれぞれ設けられたコンビネーションバルブ２０，２
１は、前記圧力センサ２２，２３の検出圧力を基に共通
の制御部（コントローラ）３２により制御されるように
なっている。すなわち、この制御部３２は、常圧処理時
には常圧排気系１８のコンビネーションバルブ２０に切
換えてこれを常圧処理時用の圧力センサ２２の検出圧力
を基に制御し、減圧処理時には減圧排気系１４のコンビ
ネーションバルブ２１に切換えてこれを減圧処理時用の
圧力センサ２３の検出圧力を基に制御するというよう
に、二系統の制御が可能になっている。
【００２１】以上の構成からなる酸化処理装置は、処理
炉１の排気系の各接続部にシール手段である例えばＯリ
ングを設けるなど、高減圧排気が可能なリークタイトな
高気密構造とされている。また、酸化処理装置は、予め
所望の熱処理方法のプログラムレシピがインプットされ
た制御装置（図示省略）により燃焼装置１１、ヒーター
８、コンビネーションバルブ２０，２１の制御部３２等
が制御されて所望の熱処理方法を自動で実施するように
構成されている。
炉１の排気系の各接続部にシール手段である例えばＯリ
ングを設けるなど、高減圧排気が可能なリークタイトな
高気密構造とされている。また、酸化処理装置は、予め
所望の熱処理方法のプログラムレシピがインプットされ
た制御装置（図示省略）により燃焼装置１１、ヒーター
８、コンビネーションバルブ２０，２１の制御部３２等
が制御されて所望の熱処理方法を自動で実施するように
構成されている。
【００２２】次に、前記酸化処理装置の作用および熱処
理方法について説明する。まず、処理炉１内は、大気に
開放されていると共にヒーター８により予め所定の温度
例えば３００℃に加熱制御されており、この状態で多数
枚の半導体ウエハＷが保持されたウエハボート４を処理
炉１内にロードして処理炉１の炉口を蓋体３で密閉し、
処理炉１内を減圧排気系１４による真空引きにより減圧
する。この減圧ないし真空引きは、サイクルパージを含
むことが好ましい。前記ロードおよびサイクルパージの
際には、半導体ウエハＷの表面に自然酸化膜が形成され
ないように処理炉内に不活性ガス例えばＮ2が供給され
ており、また、Ｎ2が１００％であると、半導体ウエハ
Ｗの表面が窒化してしまい、この後の酸化工程にて半導
体ウエハＷの表面が酸化されにくくなるため、これを防
止すべくＯ2が少量例えば１％程度供給されている。
理方法について説明する。まず、処理炉１内は、大気に
開放されていると共にヒーター８により予め所定の温度
例えば３００℃に加熱制御されており、この状態で多数
枚の半導体ウエハＷが保持されたウエハボート４を処理
炉１内にロードして処理炉１の炉口を蓋体３で密閉し、
処理炉１内を減圧排気系１４による真空引きにより減圧
する。この減圧ないし真空引きは、サイクルパージを含
むことが好ましい。前記ロードおよびサイクルパージの
際には、半導体ウエハＷの表面に自然酸化膜が形成され
ないように処理炉内に不活性ガス例えばＮ2が供給され
ており、また、Ｎ2が１００％であると、半導体ウエハ
Ｗの表面が窒化してしまい、この後の酸化工程にて半導
体ウエハＷの表面が酸化されにくくなるため、これを防
止すべくＯ2が少量例えば１％程度供給されている。
【００２３】前記サイクルパージは、処理炉１内を真空
引きしながら不活性ガス例えばＮ2の供給と停止を交互
に繰り返すことにより行われる。この場合、排気系をコ
ンビネーションバルブ２１により減圧排気系１４に切換
え、減圧ポンプ１６の作動状態で圧力センサ２３により
圧力を検知しつつコンビネーションバルブ２１の制御に
より処理炉１内を所定の圧力例えば−１Ｐａ程度に減圧
排気する。この減圧排気状態で、所定流量に制御された
不活性ガス例えばＮ2を不活性ガス供給弁の開閉の繰り
返しにより間欠的に供給することにより、サイクルパー
ジが行われ、処理炉１内を迅速に減圧して不活性ガスで
十分に置換することができる。すなわち、このサイクル
パージによって急速な減圧（真空到達時間の短縮）と置
換が可能となる。
引きしながら不活性ガス例えばＮ2の供給と停止を交互
に繰り返すことにより行われる。この場合、排気系をコ
ンビネーションバルブ２１により減圧排気系１４に切換
え、減圧ポンプ１６の作動状態で圧力センサ２３により
圧力を検知しつつコンビネーションバルブ２１の制御に
より処理炉１内を所定の圧力例えば−１Ｐａ程度に減圧
排気する。この減圧排気状態で、所定流量に制御された
不活性ガス例えばＮ2を不活性ガス供給弁の開閉の繰り
返しにより間欠的に供給することにより、サイクルパー
ジが行われ、処理炉１内を迅速に減圧して不活性ガスで
十分に置換することができる。すなわち、このサイクル
パージによって急速な減圧（真空到達時間の短縮）と置
換が可能となる。
【００２４】次に、前記減圧排気状態でヒーター６の制
御により処理炉１内を所定の処理温度例えば８５０℃ま
で昇温させ、排気系をコンビネーションバルブ２０にて
常圧排気系１８に切換えることにより処理炉１内を常圧
ないし微減圧に制御し、この状態でリカバリー（半導体
ウエハの温度を安定させる）をしてから、所望の熱処理
例えばＨＣｌ酸化を行う。この熱処理は、酸素ガスＯ2
と水素ガスＨ2を燃焼装置１１に供給して燃焼させ、発
生する水蒸気を塩化水素ガスＨＣｌおよび不活性ガス例
えばＮ2と共に処理炉１内に供給することにより、微減
圧状態で行われる。
御により処理炉１内を所定の処理温度例えば８５０℃ま
で昇温させ、排気系をコンビネーションバルブ２０にて
常圧排気系１８に切換えることにより処理炉１内を常圧
ないし微減圧に制御し、この状態でリカバリー（半導体
ウエハの温度を安定させる）をしてから、所望の熱処理
例えばＨＣｌ酸化を行う。この熱処理は、酸素ガスＯ2
と水素ガスＨ2を燃焼装置１１に供給して燃焼させ、発
生する水蒸気を塩化水素ガスＨＣｌおよび不活性ガス例
えばＮ2と共に処理炉１内に供給することにより、微減
圧状態で行われる。
【００２５】熱処理工程を終了したなら、排気系を減圧
排気系１４に切換えて、処理炉１内を再度真空引きによ
り減圧してから、ヒーター８の制御により処理炉１内の
温度を所定の温度例えば３００℃程度に降温させ、これ
と並行して処理炉１内を常圧に戻し、処理炉１内からウ
エハボート４をアンロードし、クーリング（半導体ウエ
ハを搬送可能な温度に冷却すること）を行えばよい。前
記熱処理工程終了後の減圧ないし真空引きも、サイクル
パージを含むことが好ましい。
排気系１４に切換えて、処理炉１内を再度真空引きによ
り減圧してから、ヒーター８の制御により処理炉１内の
温度を所定の温度例えば３００℃程度に降温させ、これ
と並行して処理炉１内を常圧に戻し、処理炉１内からウ
エハボート４をアンロードし、クーリング（半導体ウエ
ハを搬送可能な温度に冷却すること）を行えばよい。前
記熱処理工程終了後の減圧ないし真空引きも、サイクル
パージを含むことが好ましい。
【００２６】このように予め所定の温度に加熱された処
理炉１内に半導体ウエハＷを収容し、処理炉１内を所定
の処理温度まで昇温させ、処理ガスである水蒸気を供給
して半導体ウエハＷを熱処理するに際して、前記昇温の
工程を減圧下で行うようにしたので、酸化種を排除した
状態で半導体ウエハＷを所定の処理温度まで昇温させる
ことができ、昇温工程での自然酸化膜の形成を抑制する
ことができ、品質の優れた極薄酸化膜を形成することが
できる。また、所望の熱処理の工程前だけでなく工程後
にも処理炉１内を真空引きにより減圧するようにしたの
で、所望の熱処理工程以外の部分での余計な酸化種を十
分に排除して自然酸化膜の形成を十分に抑制することが
でき、膜質および膜厚が均一で品質の優れた極薄酸化膜
を形成することができる。因みに、膜厚が２ｎｍ程度の
ＳｉＯ2膜を形成することが可能である。
理炉１内に半導体ウエハＷを収容し、処理炉１内を所定
の処理温度まで昇温させ、処理ガスである水蒸気を供給
して半導体ウエハＷを熱処理するに際して、前記昇温の
工程を減圧下で行うようにしたので、酸化種を排除した
状態で半導体ウエハＷを所定の処理温度まで昇温させる
ことができ、昇温工程での自然酸化膜の形成を抑制する
ことができ、品質の優れた極薄酸化膜を形成することが
できる。また、所望の熱処理の工程前だけでなく工程後
にも処理炉１内を真空引きにより減圧するようにしたの
で、所望の熱処理工程以外の部分での余計な酸化種を十
分に排除して自然酸化膜の形成を十分に抑制することが
でき、膜質および膜厚が均一で品質の優れた極薄酸化膜
を形成することができる。因みに、膜厚が２ｎｍ程度の
ＳｉＯ2膜を形成することが可能である。
【００２７】前記処理炉１を減圧ないし真空引きする工
程では、いわゆるサイクルパージを含んでいるため、迅
速な減圧と置換が可能となり、スループットの向上が図
れる。また、前記酸化処理装置においては、処理炉１内
に水蒸気を供給する水蒸気供給手段である燃焼装置１１
と、熱処理の工程で処理炉１内を常圧ないし微減圧で排
気する常圧排気系１８と、熱処理工程の前後に処理炉１
内を真空引き可能な減圧排気系１４とを備え、前記常圧
排気系１８と減圧排気系１４の切換えをコンビネーショ
ンバルブ２０，２１により行うようにしているため、前
述した熱処理方法を確実かつ容易に実施することでき
る。
程では、いわゆるサイクルパージを含んでいるため、迅
速な減圧と置換が可能となり、スループットの向上が図
れる。また、前記酸化処理装置においては、処理炉１内
に水蒸気を供給する水蒸気供給手段である燃焼装置１１
と、熱処理の工程で処理炉１内を常圧ないし微減圧で排
気する常圧排気系１８と、熱処理工程の前後に処理炉１
内を真空引き可能な減圧排気系１４とを備え、前記常圧
排気系１８と減圧排気系１４の切換えをコンビネーショ
ンバルブ２０，２１により行うようにしているため、前
述した熱処理方法を確実かつ容易に実施することでき
る。
【００２８】この場合、前記燃焼装置１１は、水蒸気を
微少流量で供給可能に構成されているため、膜形成時間
を十分にとることにより、更に品質の優れた極薄酸化膜
を形成することができる。また、前記コンビネーション
バルブ２０，２１は一つで二つの機能すなわち開閉機能
と圧力調節機能を備えているため、バルブの数を減らす
ことができて常圧排気系１８および減圧排気系１４の構
成を簡素化することができ、コストの低減が図れる。
微少流量で供給可能に構成されているため、膜形成時間
を十分にとることにより、更に品質の優れた極薄酸化膜
を形成することができる。また、前記コンビネーション
バルブ２０，２１は一つで二つの機能すなわち開閉機能
と圧力調節機能を備えているため、バルブの数を減らす
ことができて常圧排気系１８および減圧排気系１４の構
成を簡素化することができ、コストの低減が図れる。
【００２９】なお、酸化処理方法としては、所望の酸化
処理工程の後、処理炉１内を所定の圧力例えば１３３ｈ
Ｐａ程度に減圧制御した状態で一酸化窒素ガスＮＯまた
は一酸化二窒素ガスＮ2Ｏを供給して拡散処理を行うよ
うにしてもよい。この拡散処理工程の前後には、処理炉
１内を真空引きにより減圧することが好ましく、その際
には、サイクルパージを伴うことが好ましい。ウエット
酸化後、サイクルパージにより処理炉内の水分を十分に
取り除いてから一酸化窒素ガスＮＯまたは一酸化二窒素
ガスＮ2Ｏを供給するため、腐食性の強い硝酸ＨＮＯ3の
発生を十分に抑制することができると共に、絶縁性の高
いＳｉＯＮ膜を形成することができ、信頼性の高い膜質
への改善が容易に図れる。
処理工程の後、処理炉１内を所定の圧力例えば１３３ｈ
Ｐａ程度に減圧制御した状態で一酸化窒素ガスＮＯまた
は一酸化二窒素ガスＮ2Ｏを供給して拡散処理を行うよ
うにしてもよい。この拡散処理工程の前後には、処理炉
１内を真空引きにより減圧することが好ましく、その際
には、サイクルパージを伴うことが好ましい。ウエット
酸化後、サイクルパージにより処理炉内の水分を十分に
取り除いてから一酸化窒素ガスＮＯまたは一酸化二窒素
ガスＮ2Ｏを供給するため、腐食性の強い硝酸ＨＮＯ3の
発生を十分に抑制することができると共に、絶縁性の高
いＳｉＯＮ膜を形成することができ、信頼性の高い膜質
への改善が容易に図れる。
【００３０】このように減圧処理可能な酸化処理装置
（熱処理装置）によれば、処理炉１内に半導体ウエハｗ
を収容し、処理ガスを供給して所定の処理温度で熱処理
する装置において、前記処理炉１内を所定の排気圧力で
排気する常圧排気系１８と、前記処理炉１内を常圧排気
系１８よりも低い圧力で減圧排気する減圧排気系１４
と、常圧排気系１８および減圧排気系１４のそれぞれに
設けられた開閉および圧力調節の可能なコンビネーショ
ンバルブ２０，２１と、前記排気圧力を検出する絶対圧
型の圧力センサ２２，２３と、この圧力センサ２２，２
３の検出圧力を基に前記コンビネーションバルブ２０，
２１を制御する制御部３２とを備えているため、常圧排
気系１８を用いた常圧ないし微減圧酸化処理および減圧
排気系１４を用いたサイクルパージや減圧ＣＶＤ処理等
の連続処理が可能となる。常圧排気系１８では、大気導
入や不活性ガス導入を必要とすることなく安定な制御が
可能になると共に、排気系の構造が簡素化され、不活性
ガス例えばＮ2のランニングコストを無くすことがで
き、コストの低減が図れる。
（熱処理装置）によれば、処理炉１内に半導体ウエハｗ
を収容し、処理ガスを供給して所定の処理温度で熱処理
する装置において、前記処理炉１内を所定の排気圧力で
排気する常圧排気系１８と、前記処理炉１内を常圧排気
系１８よりも低い圧力で減圧排気する減圧排気系１４
と、常圧排気系１８および減圧排気系１４のそれぞれに
設けられた開閉および圧力調節の可能なコンビネーショ
ンバルブ２０，２１と、前記排気圧力を検出する絶対圧
型の圧力センサ２２，２３と、この圧力センサ２２，２
３の検出圧力を基に前記コンビネーションバルブ２０，
２１を制御する制御部３２とを備えているため、常圧排
気系１８を用いた常圧ないし微減圧酸化処理および減圧
排気系１４を用いたサイクルパージや減圧ＣＶＤ処理等
の連続処理が可能となる。常圧排気系１８では、大気導
入や不活性ガス導入を必要とすることなく安定な制御が
可能になると共に、排気系の構造が簡素化され、不活性
ガス例えばＮ2のランニングコストを無くすことがで
き、コストの低減が図れる。
【００３１】特に、常圧排気系１８の圧力センサおよび
減圧排気系１４の圧力センサとして、絶対圧型の圧力セ
ンサ２２，２３を用いているため、低気圧等の大気圧の
変動に左右されることなく例えば大気圧付近での安定し
た絶対圧制御および減圧下での安定した絶対圧制御が可
能となり、何時でも均一な膜厚の酸化膜を形成すること
が可能となると共に薄膜の形成が可能となる。また、前
記圧力センサ２２，２３の排気と接する接ガス面が非金
属の耐食性材料により形成されているため、水分と腐食
性ガスの存在する過酷な腐食環境であっても圧力センサ
の腐食の心配がなく（従って、腐食による圧力シフトも
起こらず）、何時でも安定したプロセスを行うことがで
きる。特に、前記圧力センサ２２，２３がフッ素樹脂製
またはセラミックス製の本体２７と、この本体２７内に
気密に設けられたセラミックス製の受圧部材２９とを有
しているため、簡単な構造で耐食性の向上が図れる。
減圧排気系１４の圧力センサとして、絶対圧型の圧力セ
ンサ２２，２３を用いているため、低気圧等の大気圧の
変動に左右されることなく例えば大気圧付近での安定し
た絶対圧制御および減圧下での安定した絶対圧制御が可
能となり、何時でも均一な膜厚の酸化膜を形成すること
が可能となると共に薄膜の形成が可能となる。また、前
記圧力センサ２２，２３の排気と接する接ガス面が非金
属の耐食性材料により形成されているため、水分と腐食
性ガスの存在する過酷な腐食環境であっても圧力センサ
の腐食の心配がなく（従って、腐食による圧力シフトも
起こらず）、何時でも安定したプロセスを行うことがで
きる。特に、前記圧力センサ２２，２３がフッ素樹脂製
またはセラミックス製の本体２７と、この本体２７内に
気密に設けられたセラミックス製の受圧部材２９とを有
しているため、簡単な構造で耐食性の向上が図れる。
【００３２】なお、前記酸化処理装置においては、常圧
排気系のコンビネーションバルブ前後への大気導入や不
活性ガス導入は不要であるが、大気圧導入や不活性ガス
導入を行うようにしてもよい。絶対圧型圧力センサ２２
としては、例えば８００ｈｐａ〜１１００ｈＰａのレン
ジで検知可能なものであってもよい。図１の実施の形態
では、レンジの異なる２つの絶対圧型圧力センサ２２，
２３を用いているが、減圧下での高精度の圧力制御が要
求されない場合には、狭いレンジの絶対圧型圧力センサ
２３は不要となり、広いレンジの絶対圧型圧力センサ２
２が一つで足りる。
排気系のコンビネーションバルブ前後への大気導入や不
活性ガス導入は不要であるが、大気圧導入や不活性ガス
導入を行うようにしてもよい。絶対圧型圧力センサ２２
としては、例えば８００ｈｐａ〜１１００ｈＰａのレン
ジで検知可能なものであってもよい。図１の実施の形態
では、レンジの異なる２つの絶対圧型圧力センサ２２，
２３を用いているが、減圧下での高精度の圧力制御が要
求されない場合には、狭いレンジの絶対圧型圧力センサ
２３は不要となり、広いレンジの絶対圧型圧力センサ２
２が一つで足りる。
【００３３】図３は本発明を酸化処理装置に適用した第
２の実施の形態の構成を示す図である。本実施の形態に
おいて、図１の実施の形態と同一部分は同一符号を付し
て説明を省略し、異なる部分について説明を加える。本
実施の形態の酸化処理装置においては、常圧排気系１８
に設けられたコンビネーションバルブ２０を制御するた
めに、排気管１５には排気圧力を大気圧との差圧で検出
する差圧型の圧力センサ３３が空気圧制御式の弁３４を
介して設けられている。また、前記コンビネーションバ
ルブ２０を制御するために、大気圧を絶対圧で検出する
絶対圧型圧力センサ（大気圧センサ）３５と、前記差圧
型圧力センサ３３の検出圧力を基に常圧排気系１８が設
定差圧になるように前記コンビネーションバルブ２０を
制御すると共に前記絶対圧型圧力センサ３５の検出圧力
を基に前記設定差圧を補正する制御部３６とを備えてい
る。
２の実施の形態の構成を示す図である。本実施の形態に
おいて、図１の実施の形態と同一部分は同一符号を付し
て説明を省略し、異なる部分について説明を加える。本
実施の形態の酸化処理装置においては、常圧排気系１８
に設けられたコンビネーションバルブ２０を制御するた
めに、排気管１５には排気圧力を大気圧との差圧で検出
する差圧型の圧力センサ３３が空気圧制御式の弁３４を
介して設けられている。また、前記コンビネーションバ
ルブ２０を制御するために、大気圧を絶対圧で検出する
絶対圧型圧力センサ（大気圧センサ）３５と、前記差圧
型圧力センサ３３の検出圧力を基に常圧排気系１８が設
定差圧になるように前記コンビネーションバルブ２０を
制御すると共に前記絶対圧型圧力センサ３５の検出圧力
を基に前記設定差圧を補正する制御部３６とを備えてい
る。
【００３４】前記差圧型の圧力センサ３３としては、例
えば大気圧（１０１３．２５ｈｐａ）±１３３０Ｐａの
レンジで検知可能なものが用いられる。この差圧型圧力
センサ３３は、過酷な腐食環境に耐え得るように、接ガ
ス面が非金属の耐食性材料例えば耐食性樹脂好ましくは
フッ素樹脂によって形成されている。この場合、差圧型
圧力センサ３３は、図１の実施の形態と同様、フッ素樹
脂製またはセラミックス製の本体と、この本体内に気密
に設けられたセラミックス製の受圧部材とを有している
ことが好ましい。なお、この場合、受圧部材の中空部
は、大気に開放されている。
えば大気圧（１０１３．２５ｈｐａ）±１３３０Ｐａの
レンジで検知可能なものが用いられる。この差圧型圧力
センサ３３は、過酷な腐食環境に耐え得るように、接ガ
ス面が非金属の耐食性材料例えば耐食性樹脂好ましくは
フッ素樹脂によって形成されている。この場合、差圧型
圧力センサ３３は、図１の実施の形態と同様、フッ素樹
脂製またはセラミックス製の本体と、この本体内に気密
に設けられたセラミックス製の受圧部材とを有している
ことが好ましい。なお、この場合、受圧部材の中空部
は、大気に開放されている。
【００３５】前記絶対圧型圧力センサ３５としては、例
えば０〜１３３０ｈＰａ[０〜１０００Ｔｏｒｒ]のレン
ジで検知可能な一般的なものが用いられる。なお、絶対
圧型圧力センサ３５としては、例えば８００〜１１００
ｈＰａのレンジで検知可能なものであってもよい。
えば０〜１３３０ｈＰａ[０〜１０００Ｔｏｒｒ]のレン
ジで検知可能な一般的なものが用いられる。なお、絶対
圧型圧力センサ３５としては、例えば８００〜１１００
ｈＰａのレンジで検知可能なものであってもよい。
【００３６】図３の実施の形態によれば、常圧排気系に
おいて、大気圧を常にモニターしている絶対圧型圧力セ
ンサ３５の信号を制御部３６に取込み、設定圧力（差
圧）を大気の変動に応じて可変させることにより、常に
一定の圧力でプロセスを行うことができ、差圧制御であ
りながら大気圧（天候）の変動に左右されることなく安
定して制御することが可能となり、何時でも均一な膜厚
の酸化膜を形成すること可能となる。
おいて、大気圧を常にモニターしている絶対圧型圧力セ
ンサ３５の信号を制御部３６に取込み、設定圧力（差
圧）を大気の変動に応じて可変させることにより、常に
一定の圧力でプロセスを行うことができ、差圧制御であ
りながら大気圧（天候）の変動に左右されることなく安
定して制御することが可能となり、何時でも均一な膜厚
の酸化膜を形成すること可能となる。
【００３７】例えば、前記酸化処理装置の設置場所にお
ける平均大気圧を１０１３．２５ｈＰａ（７６０Ｔｏｒ
ｒ）とし、処理圧力（設定圧力）を１０１３．２５ｈＰ
ａ（７６０Ｔｏｒｒ）すなわち設定差圧を０Ｐａ[０Ｔ
ｏｒｒ]とした場合、大気圧の変動がなければ、差圧型
圧力センサ３３の検出圧力を基に常圧排気系１８の排気
圧力が設定差圧０Ｐａになるように制御部３６によって
コンビネーションバルブ２０が制御される。しかし、天
候の変動により例えば低気圧の接近で大気圧が９９７．
５ｈＰａ[７５０Ｔｏｒｒ]に変わった場合、差圧型圧力
センサ３３だけの制御では設定差圧が０Ｐａ[０Ｔｏｒ
ｒ]であるため、常圧排気系１８の排気圧力が９９７．
５ｈＰａ[７５０Ｔｏｒｒ]になるように制御されてしま
い、半導体ウエハ表面に形成される酸化膜の膜厚が変化
してしまう。
ける平均大気圧を１０１３．２５ｈＰａ（７６０Ｔｏｒ
ｒ）とし、処理圧力（設定圧力）を１０１３．２５ｈＰ
ａ（７６０Ｔｏｒｒ）すなわち設定差圧を０Ｐａ[０Ｔ
ｏｒｒ]とした場合、大気圧の変動がなければ、差圧型
圧力センサ３３の検出圧力を基に常圧排気系１８の排気
圧力が設定差圧０Ｐａになるように制御部３６によって
コンビネーションバルブ２０が制御される。しかし、天
候の変動により例えば低気圧の接近で大気圧が９９７．
５ｈＰａ[７５０Ｔｏｒｒ]に変わった場合、差圧型圧力
センサ３３だけの制御では設定差圧が０Ｐａ[０Ｔｏｒ
ｒ]であるため、常圧排気系１８の排気圧力が９９７．
５ｈＰａ[７５０Ｔｏｒｒ]になるように制御されてしま
い、半導体ウエハ表面に形成される酸化膜の膜厚が変化
してしまう。
【００３８】そこで、その時の大気圧９９７．５ｈＰａ
[７５０Ｔｏｒｒ]を絶対圧型圧力センサ３５により検出
してその検出信号を制御部３６に取込み、設定差圧を０
Ｐａ[０Ｔｏｒｒ]から＋１５．７５ｈＰａ[＋１１．８
４Ｔｏｒｒ]に補正することにより、常圧排気系１８の
排気圧力が１０１３．２５ｈＰａ（７６０Ｔｏｒｒ）に
なるように制御する。すなわち、設定時の設定差圧（設
定圧力−設定時の大気圧）を現時点の差圧（設定圧力−
現時点の大気圧）に補正する。これにより、天候の変動
すなわち大気圧の変動に関わらず、常圧排気系１８の排
気圧力すなわち処理炉１内の処理圧力を常に一定に保つ
ことができ、酸化膜の膜圧を一定（均一）にすることが
できる。本実施の形態において、大気圧を絶対圧で検出
する圧力センサ（大気圧センサ）３５としては、気圧計
であってもよい。
[７５０Ｔｏｒｒ]を絶対圧型圧力センサ３５により検出
してその検出信号を制御部３６に取込み、設定差圧を０
Ｐａ[０Ｔｏｒｒ]から＋１５．７５ｈＰａ[＋１１．８
４Ｔｏｒｒ]に補正することにより、常圧排気系１８の
排気圧力が１０１３．２５ｈＰａ（７６０Ｔｏｒｒ）に
なるように制御する。すなわち、設定時の設定差圧（設
定圧力−設定時の大気圧）を現時点の差圧（設定圧力−
現時点の大気圧）に補正する。これにより、天候の変動
すなわち大気圧の変動に関わらず、常圧排気系１８の排
気圧力すなわち処理炉１内の処理圧力を常に一定に保つ
ことができ、酸化膜の膜圧を一定（均一）にすることが
できる。本実施の形態において、大気圧を絶対圧で検出
する圧力センサ（大気圧センサ）３５としては、気圧計
であってもよい。
【００３９】図４は本発明を酸化処理装置に適用した第
２の実施の形態の構成を示す図である。本実施の形態の
酸化処理装置（熱処理装置）は、常圧型として構成され
ている。本実施の形態において、図１の実施の形態と同
一部分は同一符号を付して説明を省略し、異なる部分に
ついて説明を加える。本実施の形態の酸化処理装置にお
いては、反応管２の排気管部１３に常圧排気系１８を構
成する常圧排気管１９が接続され、この常圧排気管１９
は工場排気系の排気ダクトに接続されている。常圧排気
管１９は、耐食性配管からなっている。
２の実施の形態の構成を示す図である。本実施の形態の
酸化処理装置（熱処理装置）は、常圧型として構成され
ている。本実施の形態において、図１の実施の形態と同
一部分は同一符号を付して説明を省略し、異なる部分に
ついて説明を加える。本実施の形態の酸化処理装置にお
いては、反応管２の排気管部１３に常圧排気系１８を構
成する常圧排気管１９が接続され、この常圧排気管１９
は工場排気系の排気ダクトに接続されている。常圧排気
管１９は、耐食性配管からなっている。
【００４０】工場排気系の排気圧力は、例えば大気圧と
の差圧が−１０００Ｐａ[−７．５Ｔｏｒｒ]程度の微減
圧とされている。前記常圧排気管には、その排気圧力を
検出する絶対圧型の圧力センサ２２と、開閉および圧力
調節の可能なコンビネーションバルブ２０とが順に設け
られ、このコンビネーションバルブ２０は絶対圧型圧力
センサ２２の検出圧力を基に制御部３６により制御され
るように構成されている。前記絶対圧型圧力センサ２２
としては、例えば０〜１３３０ｈＰａ[０〜１０００Ｔ
ｏｒｒ]のレンジで検知可能な一般的なものが用いられ
る。なお、絶対圧型圧力センサ２２としては、例えば８
００〜１１００ｈＰａのレンジで検知可能なものであっ
てもよい。
の差圧が−１０００Ｐａ[−７．５Ｔｏｒｒ]程度の微減
圧とされている。前記常圧排気管には、その排気圧力を
検出する絶対圧型の圧力センサ２２と、開閉および圧力
調節の可能なコンビネーションバルブ２０とが順に設け
られ、このコンビネーションバルブ２０は絶対圧型圧力
センサ２２の検出圧力を基に制御部３６により制御され
るように構成されている。前記絶対圧型圧力センサ２２
としては、例えば０〜１３３０ｈＰａ[０〜１０００Ｔ
ｏｒｒ]のレンジで検知可能な一般的なものが用いられ
る。なお、絶対圧型圧力センサ２２としては、例えば８
００〜１１００ｈＰａのレンジで検知可能なものであっ
てもよい。
【００４１】前記絶対圧型圧力センサ２２およびコンビ
ネーションバルブ２０は、過酷な腐食環境に耐え得るよ
うに、接ガス面が非金属の耐食性材料例えば耐食性樹脂
好ましくはフッ素樹脂によって形成されている。この場
合、絶対圧型圧力センサ２２は、図１の実施の形態と同
様、フッ素樹脂製またはセラミックス製の本体と、この
本体内に気密に設けられたセラミックス製の受圧部材と
を有していることが好ましい。
ネーションバルブ２０は、過酷な腐食環境に耐え得るよ
うに、接ガス面が非金属の耐食性材料例えば耐食性樹脂
好ましくはフッ素樹脂によって形成されている。この場
合、絶対圧型圧力センサ２２は、図１の実施の形態と同
様、フッ素樹脂製またはセラミックス製の本体と、この
本体内に気密に設けられたセラミックス製の受圧部材と
を有していることが好ましい。
【００４２】工場排気系は、複数台の熱処理装置が多連
に接続されているため、引きが弱いだけでなく、圧力変
動がある。そこで、これを解消するために、常圧排気系
１８の常圧排気管１９には、多段式エゼクタ４０が設け
られている。この多段式エゼクタ４０は、例えば３個の
エゼクタ部材４０ａ，４０ｂ，４０ｃを直列に接続して
なり、各エゼクタ部材４０ａ，４０ｂ，４０ｃには常圧
排気管１９の下流側が分岐接続されている。１段目のエ
ゼクタ部材４０ａには、その作動気体として空気または
不活性ガス例えば窒素ガスＮ2が電空レギュレータ４１
を介して所定流量に制御されて導入されることにより、
１段目のエゼクタ部材４０ａに常圧排気管１９から排気
が吸引されるようになっている。
に接続されているため、引きが弱いだけでなく、圧力変
動がある。そこで、これを解消するために、常圧排気系
１８の常圧排気管１９には、多段式エゼクタ４０が設け
られている。この多段式エゼクタ４０は、例えば３個の
エゼクタ部材４０ａ，４０ｂ，４０ｃを直列に接続して
なり、各エゼクタ部材４０ａ，４０ｂ，４０ｃには常圧
排気管１９の下流側が分岐接続されている。１段目のエ
ゼクタ部材４０ａには、その作動気体として空気または
不活性ガス例えば窒素ガスＮ2が電空レギュレータ４１
を介して所定流量に制御されて導入されることにより、
１段目のエゼクタ部材４０ａに常圧排気管１９から排気
が吸引されるようになっている。
【００４３】２段目のエゼクタ部材４０ｂは、前記１段
目のエゼクタ部材４０ａから排出されるガスが導入され
ることにより常圧排気管１９から排気を吸引し、同様
に、３段目のエゼクタ部材４０ｃは、前記２段目のエゼ
クタ部材４０ｂから排出されるガスが導入されることに
より常圧排気管１９から排気を吸引するようになってい
る。従って、各エゼクタ部材４０ａ，４０ｂ，４０ｃか
ら排出されるガスは、順次増大していき、最終段（図示
例では３段目）のエゼクタ部材４０ｃからし工場排気系
に排出される。
目のエゼクタ部材４０ａから排出されるガスが導入され
ることにより常圧排気管１９から排気を吸引し、同様
に、３段目のエゼクタ部材４０ｃは、前記２段目のエゼ
クタ部材４０ｂから排出されるガスが導入されることに
より常圧排気管１９から排気を吸引するようになってい
る。従って、各エゼクタ部材４０ａ，４０ｂ，４０ｃか
ら排出されるガスは、順次増大していき、最終段（図示
例では３段目）のエゼクタ部材４０ｃからし工場排気系
に排出される。
【００４４】記電空レギュレータ４１は、絶対圧型圧力
センサ２２の検出圧力を基に常圧排気管１９内の排気圧
力が所定の圧力となるように前記制御部３６により制御
されるように構成されている。前記多段式エゼクタ４０
によれば、例えば作動気体として空気または窒素ガスを
毎分４０リットル供給することにより、−１３３ｈＰａ
[−１００Ｔｏｒｒ]の減圧排気が可能である。
センサ２２の検出圧力を基に常圧排気管１９内の排気圧
力が所定の圧力となるように前記制御部３６により制御
されるように構成されている。前記多段式エゼクタ４０
によれば、例えば作動気体として空気または窒素ガスを
毎分４０リットル供給することにより、−１３３ｈＰａ
[−１００Ｔｏｒｒ]の減圧排気が可能である。
【００４５】このように、本実施の形態の酸化処理装置
によれば、多段式エゼクタ４０を備えているため、大気
圧の変動があったとしても排気圧力を大気圧付近に何時
でも安定して制御することができる。また、多段式エゼ
クタ４０は多段式であるため、少ないガス消費量で大気
圧変動以上の排気能力を得ることができる。更に、電空
レギュレータ４１で多段式エゼクタ４０への供給ガス流
量を可変できるため、より省エネルギ型のシステムを提
供することができる。
によれば、多段式エゼクタ４０を備えているため、大気
圧の変動があったとしても排気圧力を大気圧付近に何時
でも安定して制御することができる。また、多段式エゼ
クタ４０は多段式であるため、少ないガス消費量で大気
圧変動以上の排気能力を得ることができる。更に、電空
レギュレータ４１で多段式エゼクタ４０への供給ガス流
量を可変できるため、より省エネルギ型のシステムを提
供することができる。
【００４６】なお、図４の実施の形態では、圧力センサ
２２として絶対圧型を使用しているが、差圧型であって
もよい。差圧型圧力センサを使用する場合には、図３の
実施の形態と同様、大気圧を絶対圧型圧力センサ（大気
圧センサ）により検出してその検出信号を制御部に取込
み、設定差圧を補正するように構成することが好まし
い。
２２として絶対圧型を使用しているが、差圧型であって
もよい。差圧型圧力センサを使用する場合には、図３の
実施の形態と同様、大気圧を絶対圧型圧力センサ（大気
圧センサ）により検出してその検出信号を制御部に取込
み、設定差圧を補正するように構成することが好まし
い。
【００４７】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、処理炉として、縦型炉が例示されているが、横型炉
であってもよく、また、バッチ式が例示されているが、
枚葉式であってもよい。被処理体としては、半導体ウエ
ハ以外に、例えばＬＣＤ基板やガラス基板等であっても
よい。上記水蒸気供給手段としては、燃焼式に限定され
ず、例えば気化器式、触媒式、沸騰式等であってもよ
い。また、前記実施の形態では、本発明を酸化処理装置
に適用した場合が示されているが、本発明は、酸化処理
装置以外に、例えば拡散処理装置、ＣＶＤ処理装置、ア
ニール処理装置等、あるいはこれらの複合型装置にも適
用可能である。また、外部燃焼装置を用いずに、処理炉
内に水素と酸素を導入して反応させるようにしてもよ
い。
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、処理炉として、縦型炉が例示されているが、横型炉
であってもよく、また、バッチ式が例示されているが、
枚葉式であってもよい。被処理体としては、半導体ウエ
ハ以外に、例えばＬＣＤ基板やガラス基板等であっても
よい。上記水蒸気供給手段としては、燃焼式に限定され
ず、例えば気化器式、触媒式、沸騰式等であってもよ
い。また、前記実施の形態では、本発明を酸化処理装置
に適用した場合が示されているが、本発明は、酸化処理
装置以外に、例えば拡散処理装置、ＣＶＤ処理装置、ア
ニール処理装置等、あるいはこれらの複合型装置にも適
用可能である。また、外部燃焼装置を用いずに、処理炉
内に水素と酸素を導入して反応させるようにしてもよ
い。
【００４８】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。
な効果を奏することができる。
【００４９】（１）請求項１に係る発明によれば、処理
炉内に被処理体を収容し、処理ガスを供給して所定の処
理温度で熱処理する装置において、前記処理炉内を所定
の排気圧力で排気する常圧排気系と、該常圧排気系に設
けられた開閉および圧力調節の可能なコンビネーション
バルブと、前記排気圧力を検出する差圧型もしくは絶対
圧型の圧力センサと、該圧力センサの検出圧力を基に前
記コンビネーションバルブを制御する制御部とを備え、
前記圧力センサの排気と接する接ガス面が非金属の耐食
性材料により形成されているため、大気導入や不活性ガ
ス導入を必要とすることなく安定な制御が可能であると
共に、排気系の構造が簡素化され、コストの低減が図
れ、しかも過酷な腐食環境であっても圧力センサの腐食
の心配がなく、何時でも安定したプロセスを行うことが
できる。 （２）請求項２に係る発明によれば、処理炉内に被処理
体を収容し、処理ガスを供給して所定の処理温度で熱処
理する装置において、前記処理炉内を所定の排気圧力で
排気する常圧排気系と、前記処理炉内を常圧排気系より
も低い圧力で減圧排気する減圧排気系と、常圧排気系お
よび減圧排気系のそれぞれに設けられた開閉および圧力
調節の可能なコンビネーションバルブと、前記排気圧力
を検出する差圧型もしくは絶対圧型の圧力センサと、該
圧力センサの検出圧力を基に前記コンビネーションバル
ブを制御する制御部とを備え、前記圧力センサの排気と
接する接ガス面が非金属の耐食性材料により形成されて
いるため、大気導入や不活性ガス導入を必要とすること
なく安定な制御が可能であると共に、排気系の構造が簡
素化され、コストの低減が図れ、しかも過酷な腐食環境
であっても圧力センサの腐食の心配がなく、何時でも安
定したプロセスを行うことができる。
炉内に被処理体を収容し、処理ガスを供給して所定の処
理温度で熱処理する装置において、前記処理炉内を所定
の排気圧力で排気する常圧排気系と、該常圧排気系に設
けられた開閉および圧力調節の可能なコンビネーション
バルブと、前記排気圧力を検出する差圧型もしくは絶対
圧型の圧力センサと、該圧力センサの検出圧力を基に前
記コンビネーションバルブを制御する制御部とを備え、
前記圧力センサの排気と接する接ガス面が非金属の耐食
性材料により形成されているため、大気導入や不活性ガ
ス導入を必要とすることなく安定な制御が可能であると
共に、排気系の構造が簡素化され、コストの低減が図
れ、しかも過酷な腐食環境であっても圧力センサの腐食
の心配がなく、何時でも安定したプロセスを行うことが
できる。 （２）請求項２に係る発明によれば、処理炉内に被処理
体を収容し、処理ガスを供給して所定の処理温度で熱処
理する装置において、前記処理炉内を所定の排気圧力で
排気する常圧排気系と、前記処理炉内を常圧排気系より
も低い圧力で減圧排気する減圧排気系と、常圧排気系お
よび減圧排気系のそれぞれに設けられた開閉および圧力
調節の可能なコンビネーションバルブと、前記排気圧力
を検出する差圧型もしくは絶対圧型の圧力センサと、該
圧力センサの検出圧力を基に前記コンビネーションバル
ブを制御する制御部とを備え、前記圧力センサの排気と
接する接ガス面が非金属の耐食性材料により形成されて
いるため、大気導入や不活性ガス導入を必要とすること
なく安定な制御が可能であると共に、排気系の構造が簡
素化され、コストの低減が図れ、しかも過酷な腐食環境
であっても圧力センサの腐食の心配がなく、何時でも安
定したプロセスを行うことができる。
【００５０】（３）請求項３に係る発明によれば、前記
圧力センサがフッ素樹脂製またはセラミックス製の本体
と、この本体内に気密に設けられたセラミックス製の受
圧部材とを有しているため、耐食性の向上が図れる。
圧力センサがフッ素樹脂製またはセラミックス製の本体
と、この本体内に気密に設けられたセラミックス製の受
圧部材とを有しているため、耐食性の向上が図れる。
【図１】本発明を酸化処理装置に適用した第１の実施の
形態の構成を示す図である。
形態の構成を示す図である。
【図２】絶対圧型圧力センサの概略的断面図である。
【図３】本発明を酸化処理装置に適用した第２の実施の
形態の構成を示す図である。
形態の構成を示す図である。
【図４】本発明を酸化処理装置に適用した第３の実施の
形態の構成を示す図である。
形態の構成を示す図である。
【符号の説明】 ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 処理炉 １４ 減圧排気系 １８ 常圧排気系 ２０，２１ コンビネーションバルブ ２２，２３ 絶対圧型圧力センサ ２７ 本体 ２９ 受圧部材 ３２ 制御部 ３３ 差圧型圧力センサ ３６ 制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K061 AA01 BA11 GA04 4K063 AA05 BA12 CA06 DA12 DA33 5F045 AA20 AB32 AC11 AC15 BB08 DP19 DP28 DQ05 EB02 EB03 EB12 EC07 EC08 EC09 EE14 EG02 EG03 EK06 GB06
Claims (3)
- 【請求項１】 処理炉内に被処理体を収容し、処理ガス
を供給して所定の処理温度で熱処理する装置において、
前記処理炉内を所定の排気圧力で排気する常圧排気系
と、該常圧排気系に設けられた開閉および圧力調節の可
能なコンビネーションバルブと、前記排気圧力を検出す
る差圧型もしくは絶対圧型の圧力センサと、該圧力セン
サの検出圧力を基に前記コンビネーションバルブを制御
する制御部とを備え、前記圧力センサの排気と接する接
ガス面が非金属の耐食性材料により形成されていること
を特徴とする熱処理装置。 - 【請求項２】 処理炉内に被処理体を収容し、処理ガス
を供給して所定の処理温度で熱処理する装置において、
前記処理炉内を所定の排気圧力で排気する常圧排気系
と、前記処理炉内を常圧排気系よりも低い圧力で減圧排
気する減圧排気系と、常圧排気系および減圧排気系のそ
れぞれに設けられた開閉および圧力調節の可能なコンビ
ネーションバルブと、前記排気圧力を検出する差圧型も
しくは絶対圧型の圧力センサと、該圧力センサの検出圧
力を基に前記コンビネーションバルブを制御する制御部
とを備え、前記圧力センサの排気と接する接ガス面が非
金属の耐食性材料により形成されていることを特徴とす
る熱処理装置。 - 【請求項３】 前記圧力センサがフッ素樹脂製またはセ
ラミックス製の本体と、この本体内に気密に設けられた
セラミックス製の受圧部材とを有していることを特徴と
する請求項１または２記載の熱処理装置。
Priority Applications (7)
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|---|---|---|---|
| JP2000328017A JP3872952B2 (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| PCT/JP2001/009331 WO2002035590A1 (fr) | 2000-10-27 | 2001-10-24 | Dispositif de traitement thermique |
| KR1020037005701A KR100781414B1 (ko) | 2000-10-27 | 2001-10-24 | 열처리장치 |
| DE60125241T DE60125241T2 (de) | 2000-10-27 | 2001-10-24 | Wärmebehandlungseinrichtung |
| US10/399,955 US20040007186A1 (en) | 2000-10-27 | 2001-10-24 | Heat-treating device |
| EP01978878A EP1357582B1 (en) | 2000-10-27 | 2001-10-24 | Heat-treating device |
| TW090126647A TW511132B (en) | 2000-10-27 | 2001-10-26 | Heat processing unit and pressure controlling method for heat processing unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000328017A JP3872952B2 (ja) | 2000-10-27 | 2000-10-27 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3872952B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008249293A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Koyo Thermo System Kk | 加熱炉の内部圧力制御方法 |
| JP2008298301A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Espec Corp | 気体処理ユニット |
| JP2012238906A (ja) * | 2006-06-28 | 2012-12-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| US9601326B2 (en) | 2014-01-23 | 2017-03-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, including film having uniform thickness |
| WO2019176031A1 (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| CN110402488A (zh) * | 2017-03-17 | 2019-11-01 | 应用材料公司 | 用于在装载机构中加热基板和减少污染的电子装置制造系统、方法与设备 |
| JP2021027339A (ja) * | 2019-08-06 | 2021-02-22 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理プログラム |
| WO2022219674A1 (ja) * | 2021-04-12 | 2022-10-20 | Ｑ’ｚ株式会社 | 水素リークディテクター |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3554847B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2004-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| CN100572314C (zh) * | 2003-06-25 | 2009-12-23 | 株式会社藤仓 | 光纤母材的制造方法及其装置 |
| KR100541050B1 (ko) * | 2003-07-22 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 가스공급장치 및 이를 이용한 반도체소자 제조설비 |
| JP2007011984A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Advanced Energy Japan Kk | 排気装置の圧力制御システム |
| JP5501807B2 (ja) | 2009-03-31 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US8805591B2 (en) * | 2011-01-18 | 2014-08-12 | Flow Control Industries, Inc. | Pressure compensated flow rate controller with BTU meter |
| CN104165528A (zh) * | 2014-08-05 | 2014-11-26 | 宁夏共享铸钢有限公司 | 热处理炉烟气余热利用装置 |
| JPWO2019235291A1 (ja) * | 2018-06-08 | 2021-06-17 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | ガス保安装置 |
| US11846025B2 (en) * | 2019-08-06 | 2023-12-19 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus capable of adjusting inner pressure of process chamber thereof and method therefor |
| KR20230129187A (ko) * | 2021-01-15 | 2023-09-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 액화된 재료를 제공하기 위한 장치, 액화된 재료를투입하기 위한 투입 시스템 및 방법 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5040972A (en) * | 1990-02-07 | 1991-08-20 | Systech Environmental Corporation | Pyrolyzer-kiln system |
| JP2870719B2 (ja) * | 1993-01-29 | 1999-03-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US5445521A (en) * | 1993-05-31 | 1995-08-29 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Heat treating method and device |
| US5484484A (en) * | 1993-07-03 | 1996-01-16 | Tokyo Electron Kabushiki | Thermal processing method and apparatus therefor |
| US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
| US5777300A (en) * | 1993-11-19 | 1998-07-07 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Processing furnace for oxidizing objects |
| JP3501524B2 (ja) * | 1994-07-01 | 2004-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置の真空排気システム |
| JP3442604B2 (ja) * | 1996-02-15 | 2003-09-02 | 株式会社フジキン | 混合ガスの供給方法及び混合ガス供給装置並びにこれらを備えた半導体製造装置 |
| US6040010A (en) * | 1996-09-10 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Catalytic breakdown of reactant gases in chemical vapor deposition |
| JP3556804B2 (ja) * | 1997-05-20 | 2004-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| DE19743922C1 (de) * | 1997-10-04 | 1999-04-15 | Verschleis Schutz Technik Dr I | Verfahren zur CVD-Oberflächenbeschichtung und CVD-Reaktorsystem |
| JP3323797B2 (ja) * | 1998-01-21 | 2002-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 疎水化処理装置 |
| JPH11274024A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Tokyo Electron Ltd | 処理液供給装置及び処理液供給方法 |
| JP3579278B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2004-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置及びシール装置 |
| JP4540796B2 (ja) * | 2000-04-21 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 石英ウインドウ、リフレクタ及び熱処理装置 |
-
2000
- 2000-10-27 JP JP2000328017A patent/JP3872952B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-10-24 US US10/399,955 patent/US20040007186A1/en not_active Abandoned
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012238906A (ja) * | 2006-06-28 | 2012-12-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2008249293A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Koyo Thermo System Kk | 加熱炉の内部圧力制御方法 |
| JP2008298301A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Espec Corp | 気体処理ユニット |
| JP4589942B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2010-12-01 | エスペック株式会社 | 気体処理ユニット |
| US9601326B2 (en) | 2014-01-23 | 2017-03-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, including film having uniform thickness |
| CN110402488A (zh) * | 2017-03-17 | 2019-11-01 | 应用材料公司 | 用于在装载机构中加热基板和减少污染的电子装置制造系统、方法与设备 |
| WO2019176031A1 (ja) * | 2018-03-14 | 2019-09-19 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JPWO2019176031A1 (ja) * | 2018-03-14 | 2020-12-17 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| US11499224B2 (en) | 2018-03-14 | 2022-11-15 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium |
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