JP2002134304A - チップ型電子部品 - Google Patents
チップ型電子部品Info
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- JP2002134304A JP2002134304A JP2001280038A JP2001280038A JP2002134304A JP 2002134304 A JP2002134304 A JP 2002134304A JP 2001280038 A JP2001280038 A JP 2001280038A JP 2001280038 A JP2001280038 A JP 2001280038A JP 2002134304 A JP2002134304 A JP 2002134304A
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- JP
- Japan
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- electronic component
- chip
- thermistor
- type electronic
- compressive stress
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 曲げ応力等の機械的応力や熱応力に対する耐
久性が高く、信頼性に優れたチップ型電子部品を提供す
る。 【解決手段】 電子部品素体１の側面近傍に、側面と平
行方向に圧縮応力付与層５を設ける。 【効果】 圧縮応力付与層により、引張応力に弱いセラ
ミックス焼結体よりなる電子部品素体の耐破壊応力が向
上し、曲げ応力等の機械的応力や熱応力に対する耐久性
が高く、信頼性に優れたチップ型電子部品となる。
久性が高く、信頼性に優れたチップ型電子部品を提供す
る。 【解決手段】 電子部品素体１の側面近傍に、側面と平
行方向に圧縮応力付与層５を設ける。 【効果】 圧縮応力付与層により、引張応力に弱いセラ
ミックス焼結体よりなる電子部品素体の耐破壊応力が向
上し、曲げ応力等の機械的応力や熱応力に対する耐久性
が高く、信頼性に優れたチップ型電子部品となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチップ型電子部品に
係り、特に、機械的応力及び熱応力に対する耐久性が高
く、信頼性に優れたチップ型電子部品に関する。
係り、特に、機械的応力及び熱応力に対する耐久性が高
く、信頼性に優れたチップ型電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】チップ型電子部品、例えば、プリント回
路基板等に表面実装されるチップ型サーミスタは、一般
に、次のようにして製造されている。即ち、まず、キャ
スティング法によりサーミスタ用セラミックスグリーン
シートを製造し、このグリーンシートを複数枚重ね合わ
せて焼結して略直方体形状のサーミスタ素体を得る。そ
して、図５に示す如く、このサーミスタ素体１の一対の
平行な端面に端子電極２を形成してサーミスタ３を得
る。
路基板等に表面実装されるチップ型サーミスタは、一般
に、次のようにして製造されている。即ち、まず、キャ
スティング法によりサーミスタ用セラミックスグリーン
シートを製造し、このグリーンシートを複数枚重ね合わ
せて焼結して略直方体形状のサーミスタ素体を得る。そ
して、図５に示す如く、このサーミスタ素体１の一対の
平行な端面に端子電極２を形成してサーミスタ３を得
る。
【０００３】このようなサーミスタの製造に当り、グリ
ーンシートの表面に印刷法等により導電膜を形成し、こ
れを用いて積層、焼結することにより、サーミスタ素体
の内部に抵抗値調整用の内部電極を形成したサーミスタ
を得ることができる。このようなサーミスタとしては、
図６に示す如く、内部電極４の一端が端子電極２に導通
するように非対称に交互に設けられたサーミスタ３Ａ、
図７に示す如く内部電極４の一端が端子電極２に導通す
るように対称に設けられたサーミスタ３Ｂ、図８に示す
如く、更に端子電極２と導通しない内部電極４Ａが設け
られたサーミスタ３Ｃ、図９に示す如く、端子電極２と
導通しない内部電極４Ａのみが設けられたサーミスタ３
Ｄなどがある。
ーンシートの表面に印刷法等により導電膜を形成し、こ
れを用いて積層、焼結することにより、サーミスタ素体
の内部に抵抗値調整用の内部電極を形成したサーミスタ
を得ることができる。このようなサーミスタとしては、
図６に示す如く、内部電極４の一端が端子電極２に導通
するように非対称に交互に設けられたサーミスタ３Ａ、
図７に示す如く内部電極４の一端が端子電極２に導通す
るように対称に設けられたサーミスタ３Ｂ、図８に示す
如く、更に端子電極２と導通しない内部電極４Ａが設け
られたサーミスタ３Ｃ、図９に示す如く、端子電極２と
導通しない内部電極４Ａのみが設けられたサーミスタ３
Ｄなどがある。
【０００４】いずれのサーミスタ３Ａ〜３Ｄにおいて
も、内部電極４，４Ａは、サーミスタ素体１の断面にお
ける厚さ方向の中央寄りの領域に、サーミスタ素体１の
側面１Ａ，１Ｂから離隔して設けられている。
も、内部電極４，４Ａは、サーミスタ素体１の断面にお
ける厚さ方向の中央寄りの領域に、サーミスタ素体１の
側面１Ａ，１Ｂから離隔して設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のサーミスタのう
ち、図５に示すような、内部電極のないサーミスタ３で
は、サーミスタ素体１自体の強度が弱い場合には、曲げ
応力等の機械的応力や熱応力に対する耐久性が不足し、
サーミスタが破壊し易い。
ち、図５に示すような、内部電極のないサーミスタ３で
は、サーミスタ素体１自体の強度が弱い場合には、曲げ
応力等の機械的応力や熱応力に対する耐久性が不足し、
サーミスタが破壊し易い。
【０００６】また、図６〜９に示す如く、内部電極４，
４Ａを設けたサーミスタ３Ａ〜３Ｄであっても、やはり
耐曲げ応力等が十分でなく、サーミスタが破壊し易いと
いう問題がある。
４Ａを設けたサーミスタ３Ａ〜３Ｄであっても、やはり
耐曲げ応力等が十分でなく、サーミスタが破壊し易いと
いう問題がある。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決し、曲げ
応力等の機械的応力や熱応力に対する耐久性が高く、信
頼性に優れたチップ型電子部品を提供することを目的と
する。
応力等の機械的応力や熱応力に対する耐久性が高く、信
頼性に優れたチップ型電子部品を提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型電子部
品は、略直方体形状のセラミックス焼結体よりなる電子
部品素体と、該電子部品素体の一対の平行な端面に設け
られた端子電極とを有するチップ型電子部品において、
該電子部品素体の内部であって、該端面同士を結ぶ方向
に延在する一対の平行な側面の近傍部分に、該側面と平
行方向に延在する、該セラミックス焼結体よりも熱膨張
係数の大きな材料よりなる圧縮応力付与層を設けたこと
を特徴とする。
品は、略直方体形状のセラミックス焼結体よりなる電子
部品素体と、該電子部品素体の一対の平行な端面に設け
られた端子電極とを有するチップ型電子部品において、
該電子部品素体の内部であって、該端面同士を結ぶ方向
に延在する一対の平行な側面の近傍部分に、該側面と平
行方向に延在する、該セラミックス焼結体よりも熱膨張
係数の大きな材料よりなる圧縮応力付与層を設けたこと
を特徴とする。
【０００９】本発明のチップ型電子部品では、電子部品
素体の内部に設けられた圧縮応力圧縮付与層により、引
張応力に弱いセラミックス焼結体よりなる電子部品素体
の耐破壊応力が向上し、曲げ応力等の機械的応力や熱応
力に対する耐久性が高く、信頼性に優れたチップ型電子
部品となる。
素体の内部に設けられた圧縮応力圧縮付与層により、引
張応力に弱いセラミックス焼結体よりなる電子部品素体
の耐破壊応力が向上し、曲げ応力等の機械的応力や熱応
力に対する耐久性が高く、信頼性に優れたチップ型電子
部品となる。
【００１０】本発明において、圧縮応力付与層は貴金属
よりなることが好ましい。
よりなることが好ましい。
【００１１】また、圧縮応力付与層は電子部品素体の一
方の端面の側と多方の端面の側に分れて配置され、素体
の各端面にまで達して端子電極と導通していることが好
ましい。
方の端面の側と多方の端面の側に分れて配置され、素体
の各端面にまで達して端子電極と導通していることが好
ましい。
【００１２】特に、圧縮応力付与層は、電子部品素体の
側面に回り込んで形成された端子電極の回り込んだ部分
よりも長く多方の端面に向かって延在していることが好
ましい。
側面に回り込んで形成された端子電極の回り込んだ部分
よりも長く多方の端面に向かって延在していることが好
ましい。
【００１３】更に圧縮応力付与層と素体側面との距離は
１００μｍ以下であることが好ましい。
１００μｍ以下であることが好ましい。
【００１４】また、電子部品素体の内部には、素体側面
と平行方向に延在する内部電極が設けられていることが
好ましい。
と平行方向に延在する内部電極が設けられていることが
好ましい。
【００１５】このような本発明のチップ型電子部品は、
特にサーミスタに有効である。
特にサーミスタに有効である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。
施の形態について詳細に説明する。
【００１７】なお、以下においては、チップ型電子部品
としてチップ型サーミスタを例示して説明するが、本発
明のチップ型電子部品はサーミスタに限らず、バリス
タ、抵抗素子、サーミスタとコンデンサーの複合素子等
にも適用することができる。
としてチップ型サーミスタを例示して説明するが、本発
明のチップ型電子部品はサーミスタに限らず、バリス
タ、抵抗素子、サーミスタとコンデンサーの複合素子等
にも適用することができる。
【００１８】本発明においては、図１に示す如く、サー
ミスタ素体１の内部に、サーミスタ素体１を構成するセ
ラミックス焼結体よりも熱膨張係数の大きな材料よりな
る圧縮応力付与層（以下、圧縮応力付与層を「ガード電
極」と称する場合がある。）５を設ける。
ミスタ素体１の内部に、サーミスタ素体１を構成するセ
ラミックス焼結体よりも熱膨張係数の大きな材料よりな
る圧縮応力付与層（以下、圧縮応力付与層を「ガード電
極」と称する場合がある。）５を設ける。
【００１９】このガード電極５は、サーミスタ素体１の
端子電極２形成端面同士を結ぶ方向に延在する一対の平
行な側面（以下単に「側面」と称す。）１Ａ，１Ｂの近
傍部分に、該側面１Ａ，１Ｂと平行方向に設けられてい
る。
端子電極２形成端面同士を結ぶ方向に延在する一対の平
行な側面（以下単に「側面」と称す。）１Ａ，１Ｂの近
傍部分に、該側面１Ａ，１Ｂと平行方向に設けられてい
る。
【００２０】このようなガード電極５は、例えば、サー
ミスタ素体１の製造に当り、所定厚さとなるように重ね
合わせるグリーンシートに内部電極層と同様にして導電
層を形成することにより容易に形成することができる。
ミスタ素体１の製造に当り、所定厚さとなるように重ね
合わせるグリーンシートに内部電極層と同様にして導電
層を形成することにより容易に形成することができる。
【００２１】一般に、サーミスタ素体を構成するセラミ
ックスは、Ｍｎ，Ｃｏ等の遷移金属の酸化物よりなり、
その熱膨張係数は通常１２０×１０−７／℃程度であ
る。一方、内部電極に用いられるＡｇ，Ｐｄ等の金属又
は合金の熱膨張係数は、セラミックスの熱膨張係数より
も大きい。例えば、内部電極として主に用いられるＡｇ
の熱膨張係数は１７０×１０−７／℃である。
ックスは、Ｍｎ，Ｃｏ等の遷移金属の酸化物よりなり、
その熱膨張係数は通常１２０×１０−７／℃程度であ
る。一方、内部電極に用いられるＡｇ，Ｐｄ等の金属又
は合金の熱膨張係数は、セラミックスの熱膨張係数より
も大きい。例えば、内部電極として主に用いられるＡｇ
の熱膨張係数は１７０×１０−７／℃である。
【００２２】このように熱膨張係数の大きいガード電極
５がサーミスタ素体１の側面１Ａ，１Ｂの近傍に形成さ
れるように、導電層を設けたグリーンシートを積層して
一体焼成すると、サーミスタ素体（焼結体）１の側面１
Ａ，１Ｂの近傍に、サーミスタ素体１のセラミックスと
ガード電極５の金属との熱膨張係数差に起因する残留圧
縮応力が発生する。この残留圧縮応力は、引張応力に弱
いセラミックス焼結体よりなるサーミスタ素体１の耐破
壊応力性能を向上させる。即ち、サーミスタ素体１に加
わる引張応力を残留圧縮応力が相殺することで、耐応力
特性が向上する。
５がサーミスタ素体１の側面１Ａ，１Ｂの近傍に形成さ
れるように、導電層を設けたグリーンシートを積層して
一体焼成すると、サーミスタ素体（焼結体）１の側面１
Ａ，１Ｂの近傍に、サーミスタ素体１のセラミックスと
ガード電極５の金属との熱膨張係数差に起因する残留圧
縮応力が発生する。この残留圧縮応力は、引張応力に弱
いセラミックス焼結体よりなるサーミスタ素体１の耐破
壊応力性能を向上させる。即ち、サーミスタ素体１に加
わる引張応力を残留圧縮応力が相殺することで、耐応力
特性が向上する。
【００２３】例えば、図２に示す如く、サーミスタを基
板に実装した後、たわみ応力Ｆが加えられた場合、サー
ミスタ素体１表面の図２のＳの部分に引張応力が集中す
るが、本発明のサーミスタでは、ガード電極５を設けた
ことにより、この引張応力の集中部Ｓに、残留圧縮応力
が生じているため、ガード電極のない従来の素体に比べ
て耐破壊限界応力（強度）が著しく大きい。
板に実装した後、たわみ応力Ｆが加えられた場合、サー
ミスタ素体１表面の図２のＳの部分に引張応力が集中す
るが、本発明のサーミスタでは、ガード電極５を設けた
ことにより、この引張応力の集中部Ｓに、残留圧縮応力
が生じているため、ガード電極のない従来の素体に比べ
て耐破壊限界応力（強度）が著しく大きい。
【００２４】本発明において、このような残留圧縮応力
による耐久性向上効果を確実に得るために、ガード電極
５は、サーミスタ素体１の端子電極２形成端面にまで達
し、且つ一方の端子電極２（２Ａ）形成端面の側と、他
方の端子電極２（２Ｂ）形成端面の側とに分れて配置さ
れていることが好ましい。この場合、分れて配置された
ガード電極５は必ずしも同一平面上に形成される必要は
なく、図４に示す如く、段差のあるものであっても良
い。
による耐久性向上効果を確実に得るために、ガード電極
５は、サーミスタ素体１の端子電極２形成端面にまで達
し、且つ一方の端子電極２（２Ａ）形成端面の側と、他
方の端子電極２（２Ｂ）形成端面の側とに分れて配置さ
れていることが好ましい。この場合、分れて配置された
ガード電極５は必ずしも同一平面上に形成される必要は
なく、図４に示す如く、段差のあるものであっても良
い。
【００２５】また、ガード電極の形成数等にも特に制限
はない。ただし、ガード電極５の形成位置が、サーミス
タ素体１の側面１Ａ，１Ｂから離れると、残留圧縮応力
による引張応力緩和効果が損なわれるため、ガード電極
は図３に示すサーミスタ素体１の側面１Ａ，１Ｂからの
距離ｄが１００μｍ以下、特に２０〜６０μｍとなるよ
うに設けるのが好ましい。
はない。ただし、ガード電極５の形成位置が、サーミス
タ素体１の側面１Ａ，１Ｂから離れると、残留圧縮応力
による引張応力緩和効果が損なわれるため、ガード電極
は図３に示すサーミスタ素体１の側面１Ａ，１Ｂからの
距離ｄが１００μｍ以下、特に２０〜６０μｍとなるよ
うに設けるのが好ましい。
【００２６】なお、ガード電極５の構成材料としては内
部電極の構成材料と同種の材料、一般にはＡｇ等の貴金
属又はその合金が用いられるが、何らこれに限定される
ものではない。
部電極の構成材料と同種の材料、一般にはＡｇ等の貴金
属又はその合金が用いられるが、何らこれに限定される
ものではない。
【００２７】このような本発明のサーミスタは、内部電
極を有するサーミスタにも適用することができ、図６〜
９等に示される如く、様々なパターンで内部電極４，４
Ａが形成されたサーミスタに適用可能である。
極を有するサーミスタにも適用することができ、図６〜
９等に示される如く、様々なパターンで内部電極４，４
Ａが形成されたサーミスタに適用可能である。
【００２８】ところで、サーミスタ素体１の端子電極２
は、一般に、図４に示す如く、サーミスタ素体の側面１
Ａ，１Ｂに回り込んで設けられているが、サーミスタ素
体１の内部に内部電極を設けたサーミスタにおいては、
この端子電極２の回り込み幅のばらつきによりサーミス
タの抵抗値もばらつきを生じるという問題がある。
は、一般に、図４に示す如く、サーミスタ素体の側面１
Ａ，１Ｂに回り込んで設けられているが、サーミスタ素
体１の内部に内部電極を設けたサーミスタにおいては、
この端子電極２の回り込み幅のばらつきによりサーミス
タの抵抗値もばらつきを生じるという問題がある。
【００２９】これに対して、本発明に係るガード電極５
を図３に示す如く、サーミスタ素体１の端面において端
子電極２に導通させ、且つ端子電極２の回り込み幅より
も延出させることにより、この端子電極２の回り込み幅
のばらつきの影響を防止することができ、抵抗値の安定
したサーミスタを得ることができる。一般に、図３にお
いて、端子電極２の回り込み幅よりもガード電極５が延
出した幅（以下「延出幅」と称す。）Ｗは、０．１ｍｍ
以上とするのが好ましい。
を図３に示す如く、サーミスタ素体１の端面において端
子電極２に導通させ、且つ端子電極２の回り込み幅より
も延出させることにより、この端子電極２の回り込み幅
のばらつきの影響を防止することができ、抵抗値の安定
したサーミスタを得ることができる。一般に、図３にお
いて、端子電極２の回り込み幅よりもガード電極５が延
出した幅（以下「延出幅」と称す。）Ｗは、０．１ｍｍ
以上とするのが好ましい。
【００３０】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００３１】実施例１ 図１０（ａ）に示す如く、サーミスタ素体１内部に内部
電極４Ａとガード電極５とが形成されたチップ型サーミ
スタ１０Ａを製造した。まず、市販の炭酸マンガン、炭
酸コバルト及び酸化銅を出発原料とし、これらを金属原
子比がＭｎ：Ｃｏ＝３５：６５となるようにそれぞれ秤
量し、ボールミルで１６時間均一に混合した後脱水乾燥
した。次に、この混合物を大気圧下、９００℃で２時間
仮焼し、この仮焼物を再びボールミルで粉砕して脱水乾
燥した。この粉砕物に有機系溶剤及び結合剤等を加え、
キャスティング法により厚さ４０μｍ程度のサーミスタ
グリーンシートを作製した。
電極４Ａとガード電極５とが形成されたチップ型サーミ
スタ１０Ａを製造した。まず、市販の炭酸マンガン、炭
酸コバルト及び酸化銅を出発原料とし、これらを金属原
子比がＭｎ：Ｃｏ＝３５：６５となるようにそれぞれ秤
量し、ボールミルで１６時間均一に混合した後脱水乾燥
した。次に、この混合物を大気圧下、９００℃で２時間
仮焼し、この仮焼物を再びボールミルで粉砕して脱水乾
燥した。この粉砕物に有機系溶剤及び結合剤等を加え、
キャスティング法により厚さ４０μｍ程度のサーミスタ
グリーンシートを作製した。
【００３２】このグリーンシートに印刷法によりガード
電極層又は内部電極層を印刷し、これを複数枚重ねて厚
さ０．９ｍｍの積層体とし、この積層体を１．２５ｍｍ
×２．０ｍｍのチップ状に切断加工した後、大気圧下、
１１００℃で４時間焼成した。なお、ガード電極層及び
内部電極層の形成には、川角技研社製「Ｓ−１０４４」
（Ａｇ／Ｐｄ＝７０／３０（重量比））を用いた。
電極層又は内部電極層を印刷し、これを複数枚重ねて厚
さ０．９ｍｍの積層体とし、この積層体を１．２５ｍｍ
×２．０ｍｍのチップ状に切断加工した後、大気圧下、
１１００℃で４時間焼成した。なお、ガード電極層及び
内部電極層の形成には、川角技研社製「Ｓ−１０４４」
（Ａｇ／Ｐｄ＝７０／３０（重量比））を用いた。
【００３３】得られたチップ状の焼結体をバレル研磨法
で面取り処理した後、両端部にディッピング法により端
子電極層（Ａｇ／Ｐｄ）を形成して焼成した。
で面取り処理した後、両端部にディッピング法により端
子電極層（Ａｇ／Ｐｄ）を形成して焼成した。
【００３４】得られたサーミスタ１０Ａは、４個のガー
ド電極５が、サーミスタ素体１の断面において左右及び
上下対称位置に形成されたものであり、サーミスタ素体
１の側面１Ａ，１Ｂとガード電極電極５との距離ｄは４
０μｍであり、ガード電極５の延出幅Ｗは０．２ｍｍで
ある。
ド電極５が、サーミスタ素体１の断面において左右及び
上下対称位置に形成されたものであり、サーミスタ素体
１の側面１Ａ，１Ｂとガード電極電極５との距離ｄは４
０μｍであり、ガード電極５の延出幅Ｗは０．２ｍｍで
ある。
【００３５】このサーミスタ１０Ａを、１．６ｍｍ厚さ
のガラスエポキシ基板にリフロー実装後、曲げ応力の生
じるたわみ試験における破壊限界値を測定し、結果を表
１に示した。
のガラスエポキシ基板にリフロー実装後、曲げ応力の生
じるたわみ試験における破壊限界値を測定し、結果を表
１に示した。
【００３６】比較例１ ガード電極層を形成しなかったこと以外は実施例１と同
様にして、図１０（ｂ）に示す如く、サーミスタ素体１
内部に内部電極４Ａのみが形成され、ガード電極のない
サーミスタ１０Ｂを製造した。
様にして、図１０（ｂ）に示す如く、サーミスタ素体１
内部に内部電極４Ａのみが形成され、ガード電極のない
サーミスタ１０Ｂを製造した。
【００３７】このサーミスタ１０Ｂについて、実施例１
と同様にして破壊限界値の測定を行い、結果を表１に示
した。
と同様にして破壊限界値の測定を行い、結果を表１に示
した。
【００３８】表１より、ガード電極を設けた本発明のサ
ーミスタは、従来のものに比べて機械的応力に対する耐
久性が向上し、信頼性に優れることが明らかである。
ーミスタは、従来のものに比べて機械的応力に対する耐
久性が向上し、信頼性に優れることが明らかである。
【００３９】
【表１】
【００４０】実施例２ 図１１（ａ）に示す如く、サーミスタ素体１内部に内部
電極４，４Ａとガード電極５とが形成されたチップ型サ
ーミスタ１０Ｃを製造した。まず、内部電極層の印刷パ
ターンを変更したこと以外は、実施例１と同様にしてチ
ップ状の焼結体を製造した。この焼結体の側面にスパッ
タリング法によりＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＰｂＯ系のガラ
ス保護膜（厚さ約２μｍ）６を形成した後、両端部にデ
ィッピング法により端子電極層（Ａｇ：ＤｕＰｏｎｔ社
製「１１７６Ｊ」）を形成して焼成した。次いで、電解
バレル法で端子電極２の表面に厚さ２〜５ミクロンのＮ
ｉめっき層７を形成し、その上に厚さ３〜７ミクロンの
はんだめっき層８を形成した。
電極４，４Ａとガード電極５とが形成されたチップ型サ
ーミスタ１０Ｃを製造した。まず、内部電極層の印刷パ
ターンを変更したこと以外は、実施例１と同様にしてチ
ップ状の焼結体を製造した。この焼結体の側面にスパッ
タリング法によりＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＰｂＯ系のガラ
ス保護膜（厚さ約２μｍ）６を形成した後、両端部にデ
ィッピング法により端子電極層（Ａｇ：ＤｕＰｏｎｔ社
製「１１７６Ｊ」）を形成して焼成した。次いで、電解
バレル法で端子電極２の表面に厚さ２〜５ミクロンのＮ
ｉめっき層７を形成し、その上に厚さ３〜７ミクロンの
はんだめっき層８を形成した。
【００４１】得られたサーミスタ１０Ａは、４個のガー
ド電極５が、サーミスタ素体１の断面において左右及び
上下対称位置に形成されたものであり、サーミスタ素体
１の側面１Ａ，１Ｂとガード電極５との距離ｄは４０μ
ｍであり、ガード電極５の延出幅Ｗは０．１５ｍｍであ
る。
ド電極５が、サーミスタ素体１の断面において左右及び
上下対称位置に形成されたものであり、サーミスタ素体
１の側面１Ａ，１Ｂとガード電極５との距離ｄは４０μ
ｍであり、ガード電極５の延出幅Ｗは０．１５ｍｍであ
る。
【００４２】このサーミスタ１０Ｃについて、実施例１
と同様にしてたわみ試験を行い、結果を表２に示した。
また、抗折強度試験（スパン距離１．２ｍｍにて素体上
部から荷重をかけ、素体の破壊加重を測定する）及びサ
ーマルショック試験（Ｈ−６３Ａ材質の３５０℃の溶融
はんだ中に５秒間浸漬する）を行い、結果を表２に併記
した。
と同様にしてたわみ試験を行い、結果を表２に示した。
また、抗折強度試験（スパン距離１．２ｍｍにて素体上
部から荷重をかけ、素体の破壊加重を測定する）及びサ
ーマルショック試験（Ｈ−６３Ａ材質の３５０℃の溶融
はんだ中に５秒間浸漬する）を行い、結果を表２に併記
した。
【００４３】比較例２ ガード電極層を形成しなかったこと以外は実施例２と同
様にして、図１１（ｂ）に示す如く、サーミスタ素体１
内部に内部電極４，４Ａのみが形成され、ガード電極の
ないサーミスタ１０Ｄを製造した。
様にして、図１１（ｂ）に示す如く、サーミスタ素体１
内部に内部電極４，４Ａのみが形成され、ガード電極の
ないサーミスタ１０Ｄを製造した。
【００４４】このサーミスタ１０Ｄについて、実施例２
と同様にして、たわみ試験、抗折強度試験及びサーマル
ショック試験を行い、結果を表２に示した。
と同様にして、たわみ試験、抗折強度試験及びサーマル
ショック試験を行い、結果を表２に示した。
【００４５】表２より、ガード電極を設けた本発明のサ
ーミスタは、従来のものに比べて機械的及び熱的応力に
対する耐久性が向上し、信頼性に優れることが明らかで
ある。
ーミスタは、従来のものに比べて機械的及び熱的応力に
対する耐久性が向上し、信頼性に優れることが明らかで
ある。
【００４６】
【表２】
【００４７】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型電
子部品によれば、機械的応力や熱応力に対する耐久性が
高く、耐破壊特性に優れた高信頼性のチップ型電子部品
が提供される。
子部品によれば、機械的応力や熱応力に対する耐久性が
高く、耐破壊特性に優れた高信頼性のチップ型電子部品
が提供される。
【図１】本発明のチップ型電子部品の一実施例を示すサ
ーミスタの断面図である。
ーミスタの断面図である。
【図２】本発明に係るサーミスタの応力緩和効果を説明
する断面図である。
する断面図である。
【図３】本発明に係るサーミスタの部分拡大断面図であ
る。
る。
【図４】本発明に係るサーミスタの部分拡大断面図であ
る。
る。
【図５】従来のサーミスタを示す断面図である。
【図６】従来のサーミスタを示す断面図である。
【図７】従来のサーミスタを示す断面図である。
【図８】従来のサーミスタを示す断面図である。
【図９】従来のサーミスタを示す断面図である。
【図１０】（ａ）は実施例１で製造したサーミスタの断
面図、（ｂ）は比較例１で製造したサーミスタの断面図
である。
面図、（ｂ）は比較例１で製造したサーミスタの断面図
である。
【図１１】（ａ）は実施例２で製造したサーミスタの断
面図、（ｂ）は比較例２で製造したサーミスタの断面図
である。
面図、（ｂ）は比較例２で製造したサーミスタの断面図
である。
１ サーミスタ素体 ２ 端子電極 ３ サーミスタ ４，４Ａ 内部電極 ５ ガード電極 ６ ガラス保護膜 ７ Ｎｉめっき層 ８ はんだめっき層 １０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ サーミスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長友 憲昭 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社電子技術研究所内 (72)発明者 越村 正己 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社電子技術研究所内 Ｆターム(参考） 5E034 BB01 DA07
Claims (8)
- 【請求項１】 略直方体形状のセラミックス焼結体より
なる電子部品素体と、 該電子部品素体の一対の平行な端面に設けられた端子電
極とを有するチップ型電子部品において、 該電子部品素体の内部であって、該端面同士を結ぶ方向
に延在する一対の平行な側面の近傍部分に、該側面と平
行方向に延在する、該セラミックス焼結体よりも熱膨張
係数の大きな材料よりなる圧縮応力付与層を設けたこと
を特徴とするチップ型電子部品。 - 【請求項２】 請求項１において、前記圧縮応力付与層
は貴金属よりなることを特徴とするチップ型電子部品。 - 【請求項３】 請求項２において、前記圧縮応力付与層
は、前記電子部品素体の一方の前記端面の側と他方の前
記端面の側とに分れて配置されていることを特徴とする
チップ型電子部品。 - 【請求項４】 請求項３において、前記圧縮応力付与層
は前記電子部品素体の各端面にまで達し、前記端子電極
と導通していることを特徴とするチップ型電子部品。 - 【請求項５】 請求項４において、前記端子電極は前記
側面に回り込んでおり、前記圧縮応力付与層は端子電極
のこの回り込んだ部分よりも長く他方の端面に向かって
延在していることを特徴とするチップ型電子部品。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項におい
て、前記圧縮応力付与層と前記側面との距離が１００μ
ｍ以下であることを特徴とするチップ型電子部品。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれか１項におい
て、前記電子部品素体の内部に、前記側面と平行方向に
延在する内部電極が設けられていることを特徴とするチ
ップ型電子部品。 - 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれか１項におい
て、前記電子部品素体はサーミスタ素体であることを特
徴とするチップ型電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001280038A JP2002134304A (ja) | 2001-09-14 | 2001-09-14 | チップ型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001280038A JP2002134304A (ja) | 2001-09-14 | 2001-09-14 | チップ型電子部品 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06086296A Division JP3582927B2 (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | チップ型サーミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134304A true JP2002134304A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=19104111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001280038A Pending JP2002134304A (ja) | 2001-09-14 | 2001-09-14 | チップ型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002134304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013539605A (ja) * | 2010-09-09 | 2013-10-24 | エプコス アーゲー | 抵抗素子及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-09-14 JP JP2001280038A patent/JP2002134304A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013539605A (ja) * | 2010-09-09 | 2013-10-24 | エプコス アーゲー | 抵抗素子及びその製造方法 |
| US8947193B2 (en) | 2010-09-09 | 2015-02-03 | Epcos Ag | Resistance component and method for producing a resistance component |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050207 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050315 |