JP2002131719A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2002131719A JP2002131719A JP2000325524A JP2000325524A JP2002131719A JP 2002131719 A JP2002131719 A JP 2002131719A JP 2000325524 A JP2000325524 A JP 2000325524A JP 2000325524 A JP2000325524 A JP 2000325524A JP 2002131719 A JP2002131719 A JP 2002131719A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バックライト又はフロントライトを備えた液
晶表示装置の使用者が、使用場所の外光の明暗のレベル
に応じてバックライト又はフロントライトを点灯しある
いは消灯するという煩雑な操作を行わなくてもよいよう
にする。また、不要なライトの点灯による電池の消耗を
防止する。 【解決手段】 半透過型液晶パネル１００又は反射型液
晶パネル、及びバックライト２００又はフロントライト
を備えた液晶表示装置に、液晶表示装置の使用環境の外
光の明暗を検知し、検知結果に基づきバックライト２０
０又はフロントライトのオン／オフを制御する光センサ
ーデバイス３００を設ける。
晶表示装置の使用者が、使用場所の外光の明暗のレベル
に応じてバックライト又はフロントライトを点灯しある
いは消灯するという煩雑な操作を行わなくてもよいよう
にする。また、不要なライトの点灯による電池の消耗を
防止する。 【解決手段】 半透過型液晶パネル１００又は反射型液
晶パネル、及びバックライト２００又はフロントライト
を備えた液晶表示装置に、液晶表示装置の使用環境の外
光の明暗を検知し、検知結果に基づきバックライト２０
０又はフロントライトのオン／オフを制御する光センサ
ーデバイス３００を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半透過型液晶表示
装置又は反射型液晶表示装置に関する。
装置又は反射型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置を表示形態から見
た場合、外光を利用して反射像を表示する機能（反射像
表示機能）を有する反射型液晶パネルを備えた反射型液
晶表示装置と、バックライトの光を利用して透過像を表
示する機能（透過像表示機能）を有する透過型液晶パネ
ルを備えた透過型液晶表示装置とに大別されるが、近年
では双方の特徴を兼ね備えた半透過型液晶表示装置が開
発されている。
た場合、外光を利用して反射像を表示する機能（反射像
表示機能）を有する反射型液晶パネルを備えた反射型液
晶表示装置と、バックライトの光を利用して透過像を表
示する機能（透過像表示機能）を有する透過型液晶パネ
ルを備えた透過型液晶表示装置とに大別されるが、近年
では双方の特徴を兼ね備えた半透過型液晶表示装置が開
発されている。
【０００３】半透過型液晶表示装置には、透過型液晶パ
ネルの裏面（バックライト側）又は透過型液晶パネル内
にハーフミラー（半透過反射膜）を設けて半透過型とし
たもの（特開平７−３３３５９８号公報等）や、液晶パ
ネルの画素電極を反射電極（反射エリア）と透明電極
（透過エリア）とに分け、外光が十分に明るい所では外
光を利用して反射エリアで反射像表示を行い、暗い所で
はバックライトの光を利用して透過エリアで透過像表示
を行うようにして半透過型としたもの（特開平１１−３
１６３８２号公報等）が提案されている。
ネルの裏面（バックライト側）又は透過型液晶パネル内
にハーフミラー（半透過反射膜）を設けて半透過型とし
たもの（特開平７−３３３５９８号公報等）や、液晶パ
ネルの画素電極を反射電極（反射エリア）と透明電極
（透過エリア）とに分け、外光が十分に明るい所では外
光を利用して反射エリアで反射像表示を行い、暗い所で
はバックライトの光を利用して透過エリアで透過像表示
を行うようにして半透過型としたもの（特開平１１−３
１６３８２号公報等）が提案されている。
【０００４】また、ＰＤＡ等の携帯情報端末の進展に伴
い、反射型液晶表示パネルにフロントライトを組み合わ
せた反射型液晶表示装置も開発されている（特開平１１
−１８５５１５号公報等）。
い、反射型液晶表示パネルにフロントライトを組み合わ
せた反射型液晶表示装置も開発されている（特開平１１
−１８５５１５号公報等）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
バックライトを備えた半透過型液晶表示装置やフロント
ライトを備えた反射型液晶表示装置の場合、使用者は、
使用場所の外光の明暗のレベルがバックライト又はフロ
ントライトを点灯すべきレベルであるか否かを自ら判断
し、その判断の結果に応じてバックライト又はフロント
ライトを点灯もしくは消灯するという煩雑な操作を行う
必要があった。更に、表示画面の輝度が十分である時に
も、不必要にバックライト又はフロントライトを点灯し
てしまう場合もあり、消費電力の増大を招ねくという問
題もあった。この問題は、ＰＤＡ等の携帯情報端末で
は、電池の消耗を早めることになり、致命的な問題とな
りかねない。
バックライトを備えた半透過型液晶表示装置やフロント
ライトを備えた反射型液晶表示装置の場合、使用者は、
使用場所の外光の明暗のレベルがバックライト又はフロ
ントライトを点灯すべきレベルであるか否かを自ら判断
し、その判断の結果に応じてバックライト又はフロント
ライトを点灯もしくは消灯するという煩雑な操作を行う
必要があった。更に、表示画面の輝度が十分である時に
も、不必要にバックライト又はフロントライトを点灯し
てしまう場合もあり、消費電力の増大を招ねくという問
題もあった。この問題は、ＰＤＡ等の携帯情報端末で
は、電池の消耗を早めることになり、致命的な問題とな
りかねない。
【０００６】本発明は、以上の従来の技術の課題を解決
しようとするものであり、バックライト又はフロントラ
イトを備えた液晶表示装置の使用者が、使用場所の外光
の明暗のレベルに応じてバックライト又はフロントライ
トを点灯しあるいは消灯するという煩雑な操作を不要な
ものとし、また、電池の消耗を防止して電池の長寿命化
を図ることを目的とする。
しようとするものであり、バックライト又はフロントラ
イトを備えた液晶表示装置の使用者が、使用場所の外光
の明暗のレベルに応じてバックライト又はフロントライ
トを点灯しあるいは消灯するという煩雑な操作を不要な
ものとし、また、電池の消耗を防止して電池の長寿命化
を図ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、バックライ
ト又はフロントライトを備えた液晶表示装置に外光の明
暗を検知し、その検知結果に基づきバックライト又はフ
ロントライトのオン／オフを制御する光センサーデバイ
スを備えることにより上述の目的を達成可能となること
を見出し、本発明を完成させるに至った。
ト又はフロントライトを備えた液晶表示装置に外光の明
暗を検知し、その検知結果に基づきバックライト又はフ
ロントライトのオン／オフを制御する光センサーデバイ
スを備えることにより上述の目的を達成可能となること
を見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】即ち、本発明は、反射像表示機能と透過像
表示機能とを有する半透過型液晶パネル、及び透過像表
示の際に点灯させるバックライトを備えた半透過型液晶
表示装置において、半透過型液晶表示装置の使用環境の
外光の明暗を検知し、検知結果に基づきバックライトの
オン／オフを制御する光センサーデバイスが設けられて
いることを特徴とする半透過型液晶表示装置を提供す
る。
表示機能とを有する半透過型液晶パネル、及び透過像表
示の際に点灯させるバックライトを備えた半透過型液晶
表示装置において、半透過型液晶表示装置の使用環境の
外光の明暗を検知し、検知結果に基づきバックライトの
オン／オフを制御する光センサーデバイスが設けられて
いることを特徴とする半透過型液晶表示装置を提供す
る。
【０００９】また、本発明は、反射型液晶パネル及び反
射像表示の際に点灯可能なフロントライトを備えた反射
型液晶表示装置において、反射型液晶表示装置の使用環
境の外光の明暗を検知し、検知結果に基づきフロントラ
イトのオン／オフを制御する光センサーデバイスが設け
られていることを特徴とする反射型液晶表示装置を提供
する。
射像表示の際に点灯可能なフロントライトを備えた反射
型液晶表示装置において、反射型液晶表示装置の使用環
境の外光の明暗を検知し、検知結果に基づきフロントラ
イトのオン／オフを制御する光センサーデバイスが設け
られていることを特徴とする反射型液晶表示装置を提供
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の半透過型液晶表
示装置のブロック図である。この半透過型液晶表示装置
は、表面側から外光を入射させてその光を反射させて表
示する反射像表示機能と、裏面側から光を入射させてそ
の光を透過させて表示する透過像表示機能とを有する半
透過型液晶パネル１００、及び透過像表示の際に点灯さ
せるバックライト２００を備え、更に半透過型液晶表示
装置の使用環境の外光の明暗を検知し、検知結果に基づ
きバックライト２００のオン／オフを制御する光センサ
ーデバイス３００を備えている。従って、図１の半透過
型液晶表示装置の使用者は、使用環境の外光の明暗のレ
ベルを判断する必要がなく、しかもバックライト２００
のオン／オフ操作からも解放される。
示装置のブロック図である。この半透過型液晶表示装置
は、表面側から外光を入射させてその光を反射させて表
示する反射像表示機能と、裏面側から光を入射させてそ
の光を透過させて表示する透過像表示機能とを有する半
透過型液晶パネル１００、及び透過像表示の際に点灯さ
せるバックライト２００を備え、更に半透過型液晶表示
装置の使用環境の外光の明暗を検知し、検知結果に基づ
きバックライト２００のオン／オフを制御する光センサ
ーデバイス３００を備えている。従って、図１の半透過
型液晶表示装置の使用者は、使用環境の外光の明暗のレ
ベルを判断する必要がなく、しかもバックライト２００
のオン／オフ操作からも解放される。
【００１１】このような光センサーデバイス３００は、
使用環境の外光の明暗を検知可能な公知の光検知素子
（特開２０００−１３３４６９号公報（段落００２
８）、特開平８−３０１１６２号公報（段落００２３）
等参照）と、検知結果に基づきバックライト２００のオ
ン／オフを制御可能な公知のスイッチング素子（特開２
０００−１３３４６９号公報（段落００２９）等参照）
とから構成すればよい。
使用環境の外光の明暗を検知可能な公知の光検知素子
（特開２０００−１３３４６９号公報（段落００２
８）、特開平８−３０１１６２号公報（段落００２３）
等参照）と、検知結果に基づきバックライト２００のオ
ン／オフを制御可能な公知のスイッチング素子（特開２
０００−１３３４６９号公報（段落００２９）等参照）
とから構成すればよい。
【００１２】なお、光透過型液晶パネルがＴＦＴ基板を
有する場合、基板上にＴＦＴでＴｒの光リークを検出で
きるような回路を作り込むこともできる。これにより、
光透過型液晶パネル外部に、わざわざ後付で光センサー
デバイスを装着する手間が省ける上、様々な商品へ搭載
する際に形状的な自由度を増すことができる。
有する場合、基板上にＴＦＴでＴｒの光リークを検出で
きるような回路を作り込むこともできる。これにより、
光透過型液晶パネル外部に、わざわざ後付で光センサー
デバイスを装着する手間が省ける上、様々な商品へ搭載
する際に形状的な自由度を増すことができる。
【００１３】半透過型液晶パネルとしては、半透過型液
晶パネルの一対の基板間に反射像表示機能と透過像表示
機能とを担うハーフミラー（半透過反射膜）を設けて半
透過型としたもの（特開平７−３３３５９８号公報等）
を使用することができるが、図２及び図３に示すよう
に、画素を反射エリアとなる反射電極と透過エリアとな
る透明電極とから構成し、反射電極が反射像表示を行
い、透明電極が透過像表示を行うものを好ましく使用す
ることができる。
晶パネルの一対の基板間に反射像表示機能と透過像表示
機能とを担うハーフミラー（半透過反射膜）を設けて半
透過型としたもの（特開平７−３３３５９８号公報等）
を使用することができるが、図２及び図３に示すよう
に、画素を反射エリアとなる反射電極と透過エリアとな
る透明電極とから構成し、反射電極が反射像表示を行
い、透明電極が透過像表示を行うものを好ましく使用す
ることができる。
【００１４】図２は、このような半透過型液晶パネルで
あって、透過エリアＴにおいて、電界ＯＮ時とＯＦＦ時
の位相差が約λ／２となり、反射エリアＲにおいて電界
ＯＮ時とＯＦＦ時の位相差が約λ／４となるように液晶
層の厚さをギャップコントロールしたＥＣＢ(Electrica
lly Controlled Birefringence)半透過型液晶表示装置
に使用するＴＦＴ基板１のゲート線、信号線及び反射電
極（画素電極）の位置関係を示す平面図であり、図３は
このＴＦＴ基板１のｘ−ｘ断面図である。
あって、透過エリアＴにおいて、電界ＯＮ時とＯＦＦ時
の位相差が約λ／２となり、反射エリアＲにおいて電界
ＯＮ時とＯＦＦ時の位相差が約λ／４となるように液晶
層の厚さをギャップコントロールしたＥＣＢ(Electrica
lly Controlled Birefringence)半透過型液晶表示装置
に使用するＴＦＴ基板１のゲート線、信号線及び反射電
極（画素電極）の位置関係を示す平面図であり、図３は
このＴＦＴ基板１のｘ−ｘ断面図である。
【００１５】ＴＦＴ基板１はガラス基板２上にＴＦＴ素
子３と、ＴＦＴ素子３でスイッチング駆動され、透過エ
リアＴの画素電極となるＩＴＯ膜４ｘからなる透明電極
４と、反射エリアＲの画素電極となるＡｌ膜１７からな
る反射電極５を有しており、例えば、次のように製造さ
れる。
子３と、ＴＦＴ素子３でスイッチング駆動され、透過エ
リアＴの画素電極となるＩＴＯ膜４ｘからなる透明電極
４と、反射エリアＲの画素電極となるＡｌ膜１７からな
る反射電極５を有しており、例えば、次のように製造さ
れる。
【００１６】まず、ガラス基板２へＭｏ、Ｃｒ、Ａｌ、
Ｔａ等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲート線６、ゲート電
極Ｇ及び補助容量電極Ｃｓを形成する。
Ｔａ等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲート線６、ゲート電
極Ｇ及び補助容量電極Ｃｓを形成する。
【００１７】次に、ゲート絶縁膜として、窒化シリコン
（ＳｉＮx）膜７、酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜８を順次
積層し、さらにアモルファスシリコンをＣＶＤにより成
膜し、そのアモルファスシリコンを脱水素アニールによ
り結晶化してポリシリコン膜９にする。
（ＳｉＮx）膜７、酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜８を順次
積層し、さらにアモルファスシリコンをＣＶＤにより成
膜し、そのアモルファスシリコンを脱水素アニールによ
り結晶化してポリシリコン膜９にする。
【００１８】次に、酸化シリコンからなる保護絶縁膜を
成膜し、その上にレジストを形成し、ゲート電極Ｇをマ
スクとして裏面露光することにより、ゲート電極Ｇと自
己整合的にチャンネル形成部分にレジストをパターニン
グし、さらにこのレジストをマスクとして保護絶縁膜を
エッチングし、ゲート電極上のチャンネル形成部分に保
護絶縁膜１０を残す。そして、保護絶縁膜１０をマスク
としてドーパントを注入し、ＬＤＤ領域を形成する。
成膜し、その上にレジストを形成し、ゲート電極Ｇをマ
スクとして裏面露光することにより、ゲート電極Ｇと自
己整合的にチャンネル形成部分にレジストをパターニン
グし、さらにこのレジストをマスクとして保護絶縁膜を
エッチングし、ゲート電極上のチャンネル形成部分に保
護絶縁膜１０を残す。そして、保護絶縁膜１０をマスク
としてドーパントを注入し、ＬＤＤ領域を形成する。
【００１９】次に、Ｎチャンネルソース・ドレイン注入
用レジストマスクをフォトレジストから形成し、Ｎチャ
ンネルソース・ドレイン領域及び補助容量領域にドーパ
ントを注入する。Ｃ−ＭＯＳ回路を形成する場合には、
さらにＰチャンネルソース・ドレイン注入用レジストマ
スクをフォトレジストから形成し、Ｐチャンネル形成領
域にドーパントを注入する。そして、ＲＴＡ等の熱アニ
ールでドーパントを活性化する。
用レジストマスクをフォトレジストから形成し、Ｎチャ
ンネルソース・ドレイン領域及び補助容量領域にドーパ
ントを注入する。Ｃ−ＭＯＳ回路を形成する場合には、
さらにＰチャンネルソース・ドレイン注入用レジストマ
スクをフォトレジストから形成し、Ｐチャンネル形成領
域にドーパントを注入する。そして、ＲＴＡ等の熱アニ
ールでドーパントを活性化する。
【００２０】次に、ＴＦＴ形成部分以外の不要部分の保
護絶縁膜やポリシリコン膜をフォトリソグラフ法でウェ
ットエッチング又はドライエッチングにより除去する。
護絶縁膜やポリシリコン膜をフォトリソグラフ法でウェ
ットエッチング又はドライエッチングにより除去する。
【００２１】次に、層間絶縁膜として、窒化シリコン膜
１１及び酸化シリコン膜１２を順次ＣＶＤにより成膜す
る。そしてＴＦＴ素子３の性能を向上させるため、水素
化アニーリングを行い、水素をポリシリコン膜に拡散さ
せる。
１１及び酸化シリコン膜１２を順次ＣＶＤにより成膜す
る。そしてＴＦＴ素子３の性能を向上させるため、水素
化アニーリングを行い、水素をポリシリコン膜に拡散さ
せる。
【００２２】次に、コンタクトホールを開孔し、Ｔｉを
スパッタリングで成膜し、さらにＡｌをスパッタリング
で成膜し、これらＴｉ膜及びＡｌ膜をフォトリソグラフ
法を用いてドライエッチングでパターニングすることに
より、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄに接続した信号線
１３を形成する。
スパッタリングで成膜し、さらにＡｌをスパッタリング
で成膜し、これらＴｉ膜及びＡｌ膜をフォトリソグラフ
法を用いてドライエッチングでパターニングすることに
より、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄに接続した信号線
１３を形成する。
【００２３】次に、フォトレジストからなるスキャタリ
ング層（ＳＣＰ）１４を成膜し、フォトリソグラフ法で
パターニングし、さらにアクリル樹脂等からなる平坦化
層（ＰＬＮ）１５を成膜し、フォトリソグラフ法でパタ
ーニングする。
ング層（ＳＣＰ）１４を成膜し、フォトリソグラフ法で
パターニングし、さらにアクリル樹脂等からなる平坦化
層（ＰＬＮ）１５を成膜し、フォトリソグラフ法でパタ
ーニングする。
【００２４】次に、透過エリアＴの画素電極となる透明
電極（ＩＴＯ電極）４を形成するために、ＩＴＯ膜４ｘ
をスパッタリングで成膜し、フォトリソグラフ法でウェ
ットエッチングする。
電極（ＩＴＯ電極）４を形成するために、ＩＴＯ膜４ｘ
をスパッタリングで成膜し、フォトリソグラフ法でウェ
ットエッチングする。
【００２５】次に、反射エリアＲの画素電極となる反射
電極５を形成するために、まず、ＩＴＯ膜４ｘ上にＴｉ
をスパッタリングにより成膜し、その上にＡｌ膜１７を
スパッタリングにより成膜し、これらＴｉ膜１６とＡｌ
膜１７とをフォトリソグラフ法を用いてをウェットエッ
チングすることにより、透過エリアＴのＴｉ膜１６及び
Ａｌ膜１７を除去し、透過窓部２０を開口する。
電極５を形成するために、まず、ＩＴＯ膜４ｘ上にＴｉ
をスパッタリングにより成膜し、その上にＡｌ膜１７を
スパッタリングにより成膜し、これらＴｉ膜１６とＡｌ
膜１７とをフォトリソグラフ法を用いてをウェットエッ
チングすることにより、透過エリアＴのＴｉ膜１６及び
Ａｌ膜１７を除去し、透過窓部２０を開口する。
【００２６】こうして製造されるＴＦＴ基板１と対向電
極基板（図示せず）との間に液晶を保持し、半透過型液
晶パネル１００を構成する。
極基板（図示せず）との間に液晶を保持し、半透過型液
晶パネル１００を構成する。
【００２７】また、バックライト２００としては、例え
ば、蛍光灯２１、ランプリフレクタ２２、導光板２３、
拡散板２４及び反射板２５から構成されるサイドライト
式のものを好ましく使用することができる（図４）。こ
こで、ランプリフレクタ２２は、蛍光灯２１の光を導光
板２３へ導くために蛍光灯２１の周囲を囲むように配置
されている。導光板２３に導かれた光は、導光板２３の
中を全反射しながら伝播し、液晶パネル１００の裏面に
対して出射し、更に拡散板２４を透過することによりム
ラのない光となる。なお、導光板２３の裏面に漏れた光
は、反射板２５で再び導光板２３の中に戻される。
ば、蛍光灯２１、ランプリフレクタ２２、導光板２３、
拡散板２４及び反射板２５から構成されるサイドライト
式のものを好ましく使用することができる（図４）。こ
こで、ランプリフレクタ２２は、蛍光灯２１の光を導光
板２３へ導くために蛍光灯２１の周囲を囲むように配置
されている。導光板２３に導かれた光は、導光板２３の
中を全反射しながら伝播し、液晶パネル１００の裏面に
対して出射し、更に拡散板２４を透過することによりム
ラのない光となる。なお、導光板２３の裏面に漏れた光
は、反射板２５で再び導光板２３の中に戻される。
【００２８】次に、本発明の反射型液晶表示装置につい
て説明する。
て説明する。
【００２９】図５は、本発明の反射型液晶表示装置のブ
ロック図である。この反射型液晶表示装置は、表面側か
ら外光を入射させてその光を反射させて表示する反射像
表示機能を有する反射型液晶パネル４００、及び外光が
不十分である場合に点灯させるフロントライト５００を
備え、更に反射型液晶表示装置の使用環境の外光の明暗
を検知し、検知結果に基づきフロントライト５００のオ
ン／オフを制御する光センサーデバイス３００を備えて
いる。従って、反射型液晶表示装置の使用者は、使用環
境の外光の明暗のレベルを判断する必要もない。しか
も、フロントライト５００のオン／オフ操作からも解放
される。
ロック図である。この反射型液晶表示装置は、表面側か
ら外光を入射させてその光を反射させて表示する反射像
表示機能を有する反射型液晶パネル４００、及び外光が
不十分である場合に点灯させるフロントライト５００を
備え、更に反射型液晶表示装置の使用環境の外光の明暗
を検知し、検知結果に基づきフロントライト５００のオ
ン／オフを制御する光センサーデバイス３００を備えて
いる。従って、反射型液晶表示装置の使用者は、使用環
境の外光の明暗のレベルを判断する必要もない。しか
も、フロントライト５００のオン／オフ操作からも解放
される。
【００３０】このような光センサーデバイス３００は、
図１〜図３で説明した半透過型液晶パネルにおいて使用
できる光センサーデバイスと同様なものを使用すること
ができ、特に、反射型液晶パネル４００がＴＦＴ基板を
有する場合、基板上にＴＦＴでＴｒの光リークを検出で
きるような回路を作り込むこともできる。これにより、
半透過型液晶パネル外部に、わざわざ後付で光センサー
デバイスを装着する手間が省ける上、様々な商品へ搭載
する際に形状的な自由度を増すことができる。
図１〜図３で説明した半透過型液晶パネルにおいて使用
できる光センサーデバイスと同様なものを使用すること
ができ、特に、反射型液晶パネル４００がＴＦＴ基板を
有する場合、基板上にＴＦＴでＴｒの光リークを検出で
きるような回路を作り込むこともできる。これにより、
半透過型液晶パネル外部に、わざわざ後付で光センサー
デバイスを装着する手間が省ける上、様々な商品へ搭載
する際に形状的な自由度を増すことができる。
【００３１】反射型液晶パネル４００としては、従来公
知の様々な構造の反射型液晶パネルを使用することがで
きる。例えば、図１〜図３で示した半透過型液晶パネル
の透過エリアＴが形成されていない反射エリアＲだけか
らなるものを使用することができる。図６は、このよう
な反射型液晶パネルであって、反射エリアＲにおいて電
界ＯＮ時とＯＦＦ時の位相差が約λ／４となるように液
晶層の厚さをギャップコントロールした反射型液晶表示
装置に使用するＴＦＴ基板１のゲート線、信号線及び反
射電極（画素電極）の位置関係を示す平面図であり、図
７はこのＴＦＴ基板１のｘ−ｘ断面図である。
知の様々な構造の反射型液晶パネルを使用することがで
きる。例えば、図１〜図３で示した半透過型液晶パネル
の透過エリアＴが形成されていない反射エリアＲだけか
らなるものを使用することができる。図６は、このよう
な反射型液晶パネルであって、反射エリアＲにおいて電
界ＯＮ時とＯＦＦ時の位相差が約λ／４となるように液
晶層の厚さをギャップコントロールした反射型液晶表示
装置に使用するＴＦＴ基板１のゲート線、信号線及び反
射電極（画素電極）の位置関係を示す平面図であり、図
７はこのＴＦＴ基板１のｘ−ｘ断面図である。
【００３２】ＴＦＴ基板１はガラス基板２上にＴＦＴ素
子３と、ＴＦＴ素子３でスイッチング駆動され、反射エ
リアＲの画素電極となるＡｌ膜１７からなる反射電極５
を有しており、例えば、次のように製造される。
子３と、ＴＦＴ素子３でスイッチング駆動され、反射エ
リアＲの画素電極となるＡｌ膜１７からなる反射電極５
を有しており、例えば、次のように製造される。
【００３３】まず、ガラス基板２へＭｏ、Ｃｒ、Ａｌ、
Ｔａ等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲート線６、ゲート電
極Ｇ及び補助容量電極Ｃｓを形成する。
Ｔａ等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフ法を用いて
ドライエッチングすることによりゲート線６、ゲート電
極Ｇ及び補助容量電極Ｃｓを形成する。
【００３４】次に、ゲート絶縁膜として、窒化シリコン
（ＳｉＮx）膜７、酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜８を順次
積層し、さらにアモルファスシリコンをＣＶＤにより成
膜し、そのアモルファスシリコンを脱水素アニールによ
り結晶化してポリシリコン膜９にする。
（ＳｉＮx）膜７、酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜８を順次
積層し、さらにアモルファスシリコンをＣＶＤにより成
膜し、そのアモルファスシリコンを脱水素アニールによ
り結晶化してポリシリコン膜９にする。
【００３５】次に、酸化シリコンからなる保護絶縁膜を
成膜し、その上にレジストを形成し、ゲート電極Ｇをマ
スクとして裏面露光することにより、ゲート電極Ｇと自
己整合的にチャンネル形成部分にレジストをパターニン
グし、さらにこのレジストをマスクとして保護絶縁膜を
エッチングし、ゲート電極上のチャンネル形成部分に保
護絶縁膜１０を残す。そして、保護絶縁膜１０をマスク
としてドーパントを注入し、ＬＤＤ領域を形成する。
成膜し、その上にレジストを形成し、ゲート電極Ｇをマ
スクとして裏面露光することにより、ゲート電極Ｇと自
己整合的にチャンネル形成部分にレジストをパターニン
グし、さらにこのレジストをマスクとして保護絶縁膜を
エッチングし、ゲート電極上のチャンネル形成部分に保
護絶縁膜１０を残す。そして、保護絶縁膜１０をマスク
としてドーパントを注入し、ＬＤＤ領域を形成する。
【００３６】次に、Ｎチャンネルソース・ドレイン注入
用レジストマスクをフォトレジストから形成し、Ｎチャ
ンネルソース・ドレイン領域及び補助容量領域にドーパ
ントを注入する。Ｃ−ＭＯＳ回路を形成する場合には、
さらにＰチャンネルソース・ドレイン注入用レジストマ
スクをフォトレジストから形成し、Ｐチャンネル形成領
域にドーパントを注入する。そして、ＲＴＡ等の熱アニ
ールでドーパントを活性化する。
用レジストマスクをフォトレジストから形成し、Ｎチャ
ンネルソース・ドレイン領域及び補助容量領域にドーパ
ントを注入する。Ｃ−ＭＯＳ回路を形成する場合には、
さらにＰチャンネルソース・ドレイン注入用レジストマ
スクをフォトレジストから形成し、Ｐチャンネル形成領
域にドーパントを注入する。そして、ＲＴＡ等の熱アニ
ールでドーパントを活性化する。
【００３７】次に、ＴＦＴ形成部分以外の不要部分の保
護絶縁膜やポリシリコン膜をフォトリソグラフ法でウェ
ットエッチング又はドライエッチングにより除去する。
護絶縁膜やポリシリコン膜をフォトリソグラフ法でウェ
ットエッチング又はドライエッチングにより除去する。
【００３８】次に、層間絶縁膜として、窒化シリコン膜
１１及び酸化シリコン膜１２を順次ＣＶＤにより成膜す
る。そしてＴＦＴ素子３の性能を向上させるため、水素
化アニーリングを行い、水素をポリシリコン膜に拡散さ
せる。
１１及び酸化シリコン膜１２を順次ＣＶＤにより成膜す
る。そしてＴＦＴ素子３の性能を向上させるため、水素
化アニーリングを行い、水素をポリシリコン膜に拡散さ
せる。
【００３９】次に、コンタクトホールを開孔し、Ｔｉを
スパッタリングで成膜し、さらにＡｌをスパッタリング
で成膜し、これらＴｉ膜及びＡｌ膜をフォトリソグラフ
法を用いてドライエッチングでパターニングすることに
より、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄに接続した信号線
１３を形成する。
スパッタリングで成膜し、さらにＡｌをスパッタリング
で成膜し、これらＴｉ膜及びＡｌ膜をフォトリソグラフ
法を用いてドライエッチングでパターニングすることに
より、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄに接続した信号線
１３を形成する。
【００４０】次に、フォトレジストからなるスキャタリ
ング層（ＳＣＰ）１４を成膜し、フォトリソグラフ法で
パターニングし、さらにアクリル樹脂等からなる平坦化
層（ＰＬＮ）１５を成膜し、フォトリソグラフ法でパタ
ーニングする。
ング層（ＳＣＰ）１４を成膜し、フォトリソグラフ法で
パターニングし、さらにアクリル樹脂等からなる平坦化
層（ＰＬＮ）１５を成膜し、フォトリソグラフ法でパタ
ーニングする。
【００４１】次に、反射エリアＲの画素電極となる反射
電極５を形成するために、まず、平坦化層（ＰＬＮ）１
５上にＴｉをスパッタリングにより成膜し、その上にＡ
ｌ膜１７をスパッタリングにより成膜する。
電極５を形成するために、まず、平坦化層（ＰＬＮ）１
５上にＴｉをスパッタリングにより成膜し、その上にＡ
ｌ膜１７をスパッタリングにより成膜する。
【００４２】こうして製造されるＴＦＴ基板１と対向電
極基板（図示せず）との間に液晶を保持させ、反射型液
晶パネル４００を構成する。
極基板（図示せず）との間に液晶を保持させ、反射型液
晶パネル４００を構成する。
【００４３】また、フロントライト５００としては、従
来公知のフロントライトを使用することができる。例え
ば、蛍光灯２１、ランプリフレクタ２２及び導光板２３
から構成されるサイドライト式のものを好ましく使用す
ることができる（図８）。ここで、ランプリフレクタ２
２は、蛍光灯２１の光を導光板２３へ導くために蛍光灯
２１の周囲を囲むように配置されている。導光板２３に
導かれた光は、導光板２３の中を反射しながら伝播して
液晶パネル４００に入射し、液晶パネルの反射電極で反
射し、更にフロントライトの表面から外部に出射する。
なお、導光板２３の表面には、導光板２３に導かれた光
が効率よく液晶層に入射するように凹凸が形成されてい
てもよい。
来公知のフロントライトを使用することができる。例え
ば、蛍光灯２１、ランプリフレクタ２２及び導光板２３
から構成されるサイドライト式のものを好ましく使用す
ることができる（図８）。ここで、ランプリフレクタ２
２は、蛍光灯２１の光を導光板２３へ導くために蛍光灯
２１の周囲を囲むように配置されている。導光板２３に
導かれた光は、導光板２３の中を反射しながら伝播して
液晶パネル４００に入射し、液晶パネルの反射電極で反
射し、更にフロントライトの表面から外部に出射する。
なお、導光板２３の表面には、導光板２３に導かれた光
が効率よく液晶層に入射するように凹凸が形成されてい
てもよい。
【００４４】以上の本発明の半透過型液晶表示装置及び
反射型液晶表示装置は、図９（ａ）に示す携帯電話機９
０の表示部９１や図９（ｂ）に示す携帯情報端末機９２
の表示部９３に組み込む液晶表示装置として特に有用な
ものとなる。
反射型液晶表示装置は、図９（ａ）に示す携帯電話機９
０の表示部９１や図９（ｂ）に示す携帯情報端末機９２
の表示部９３に組み込む液晶表示装置として特に有用な
ものとなる。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、バックライト又はフロ
ントライトを備えた液晶表示装置の使用者が、使用場所
の外光の明暗のレベルに応じてバックライト又はフロン
トライトを点灯しあるいは消灯するという煩雑な操作を
行うことが不要なものとなる。また、電池の消耗を防止
して電池の長寿化も図ることができる。
ントライトを備えた液晶表示装置の使用者が、使用場所
の外光の明暗のレベルに応じてバックライト又はフロン
トライトを点灯しあるいは消灯するという煩雑な操作を
行うことが不要なものとなる。また、電池の消耗を防止
して電池の長寿化も図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の半透過型液晶表示装置のブロック図
である。
である。
【図２】 本発明の半透過型液晶表示装置に使用するＴ
ＦＴ基板のゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示
す平面図である。
ＦＴ基板のゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示
す平面図である。
【図３】 本発明の半透過型液晶表示装置に使用するＴ
ＦＴ基板（図２のＴＦＴ基板）のｘ−ｘ断面図である。
ＦＴ基板（図２のＴＦＴ基板）のｘ−ｘ断面図である。
【図４】 バックライトの概略図である。
【図５】 本発明の反射型液晶表示装置のブロック図で
ある。
ある。
【図６】 本発明の反射型液晶表示に使用するＴＦＴ基
板のゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示す平面
図である。
板のゲート線、信号線、反射電極の位置関係を示す平面
図である。
【図７】 本発明の反射型液晶表示装置に使用するＴＦ
Ｔ基板（図６のＴＦＴ基板）のｘ−ｘ断面図である。
Ｔ基板（図６のＴＦＴ基板）のｘ−ｘ断面図である。
【図８】 フロントライトの概略図である。
【図９】 携帯電話（同図（ａ））及び携帯情報端末
（同図（ｂ））の外観斜視図である。
（同図（ｂ））の外観斜視図である。
１…ＴＦＴ基板、 ２…ガラス基板、 ３…ＴＦＴ素
子、 ４…透明電極（ＩＴＯ電極）、 ５…反射電極
（Ａｌ電極）、 ６…ゲート線、 ７…ゲート絶縁膜
（窒化シリコン膜）、 ８…ゲート絶縁膜（酸化シリコ
ン膜）、９…ポリシリコン膜、 １０…保護絶縁膜、
１１…層間絶縁膜（窒化シリコン膜）、 １２…層間絶
縁膜（酸化シリコン膜）、 １３…信号線、 １４…ス
キャタリング層（ＳＣＰ）、 １５…平坦化層（ＰＬ
Ｎ）、 １６…Ｔｉ膜、 １７…Ａｌ膜、２０…透過窓
部、 １００…半透過型液晶パネル、 ２００…バック
ライト、３００…光センサーデバイス、 ４００…反射
型液晶パネル、 ５００…フロントライト
子、 ４…透明電極（ＩＴＯ電極）、 ５…反射電極
（Ａｌ電極）、 ６…ゲート線、 ７…ゲート絶縁膜
（窒化シリコン膜）、 ８…ゲート絶縁膜（酸化シリコ
ン膜）、９…ポリシリコン膜、 １０…保護絶縁膜、
１１…層間絶縁膜（窒化シリコン膜）、 １２…層間絶
縁膜（酸化シリコン膜）、 １３…信号線、 １４…ス
キャタリング層（ＳＣＰ）、 １５…平坦化層（ＰＬ
Ｎ）、 １６…Ｔｉ膜、 １７…Ａｌ膜、２０…透過窓
部、 １００…半透過型液晶パネル、 ２００…バック
ライト、３００…光センサーデバイス、 ４００…反射
型液晶パネル、 ５００…フロントライト
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/34 Ｇ０２Ｆ 1/1335 ５３０ 3/36 1/136 ５００ Ｆターム(参考） 2H092 GA29 JA24 JA37 JA41 JA46 JB58 KA04 KA05 MA05 MA07 MA13 MA19 MA29 NA26 PA01 PA06 PA12 PA13 2H093 NC34 NC42 NC49 NC53 ND39 5C006 AB03 AF69 BF38 EA01 EC13 FA47 5C080 AA10 DD26 EE32 GG01 JJ06 KK07
Claims (6)
- 【請求項１】 反射像表示機能と透過像表示機能とを有
する半透過型液晶パネル、及び透過像表示の際に点灯さ
せるバックライトを備えた半透過型液晶表示装置におい
て、半透過型液晶表示装置の使用環境の外光の明暗を検
知し、検知結果に基づきバックライトのオン／オフを制
御する光センサーデバイスが設けられていることを特徴
とする半透過型液晶表示装置。 - 【請求項２】 半透過型液晶パネル内の画素が反射エリ
アとなる反射電極と透過エリアとなる透明電極とから構
成され、反射電極が反射像表示を行い、透明電極が透過
像表示を行う請求項１記載の半透過型液晶表示装置。 - 【請求項３】 半透過型液晶パネルがＴＦＴ基板を有
し、光センサーデバイスがＴＦＴの光リーク電流を検出
する請求項１又は２記載の半透過型液晶表示装置。 - 【請求項４】 反射型液晶パネル及び反射像表示の際に
点灯可能なフロントライトを備えた反射型液晶表示装置
において、反射型液晶表示装置の使用環境の外光の明暗
を検知し、検知結果に基づきフロントライトのオン／オ
フを制御する光センサーデバイスが設けられていること
を特徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項５】 反射型液晶パネルがＴＦＴ基板を有し、
光センサーデバイスがＴＦＴの光リーク電流を検出する
請求項４記載の反射型液晶表示装置。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表
示装置を備えた携帯情報端末。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000325524A JP2002131719A (ja) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000325524A JP2002131719A (ja) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002131719A true JP2002131719A (ja) | 2002-05-09 |
Family
ID=18802879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000325524A Pending JP2002131719A (ja) | 2000-10-25 | 2000-10-25 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002131719A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007212890A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置 |
| JP2007279197A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2007279099A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置 |
| JP2007304519A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| CN100419557C (zh) * | 2005-08-31 | 2008-09-17 | 爱普生映像元器件有限公司 | 液晶显示器 |
| KR100878379B1 (ko) * | 2006-07-12 | 2009-01-13 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 |
| CN100451763C (zh) * | 2004-09-07 | 2009-01-14 | 安华高科技Ecbuip(新加坡)私人有限公司 | 使用多个光传感器调整用于显示器的直亮式背光 |
| JP2010191424A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 量子ドットを備える高分子分散型ディスプレイパネル及びそれを備えるディスプレイ装置 |
| US7880495B2 (en) | 2008-08-26 | 2011-02-01 | Sony Corporation | Display device and test probe for testing display device |
| US7936346B2 (en) | 2006-09-27 | 2011-05-03 | Sony Corporation | Liquid crystal display device implementing photodetector to control backlight |
| US8432510B2 (en) | 2007-10-01 | 2013-04-30 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and light detector having first and second TFT ambient light photo-sensors alternatively arranged on the same row |
| JP2013522666A (ja) * | 2010-03-11 | 2013-06-13 | ピクストロニクス，インコーポレイテッド | ディスプレイ装置のための反射および半透過動作モード |
| US8669933B2 (en) | 2007-06-01 | 2014-03-11 | Japan Display West Inc. | Liquid crystal display, electronic device, and method for controlling brightness of illumination unit of liquid crystal display |
| US8810553B2 (en) | 2006-04-03 | 2014-08-19 | Japan Display West Inc. | Liquid crystal display |
| JP2017194688A (ja) * | 2010-07-02 | 2017-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| CN107424579A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-12-01 | 昆山龙腾光电有限公司 | 一种嵌入式光感应驱动系统及其驱动方法 |
| JP2017227939A (ja) * | 2009-12-28 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214876U (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-29 | ||
| JPS646927A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Hosiden Electronics Co | Liquid crystal display device |
| JPH05289059A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2000056294A (ja) * | 1998-02-04 | 2000-02-25 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2000131137A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-05-12 | Casio Comput Co Ltd | 光センサ及びそれを用いた表示装置 |
| JP2001066570A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
| JP2001265294A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置の操作パネル |
| JP2002072920A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-12 | Sharp Corp | 表示装置 |
-
2000
- 2000-10-25 JP JP2000325524A patent/JP2002131719A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6214876U (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-29 | ||
| JPS646927A (en) * | 1987-06-29 | 1989-01-11 | Hosiden Electronics Co | Liquid crystal display device |
| JPH05289059A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2000056294A (ja) * | 1998-02-04 | 2000-02-25 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2000131137A (ja) * | 1998-10-20 | 2000-05-12 | Casio Comput Co Ltd | 光センサ及びそれを用いた表示装置 |
| JP2001066570A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
| JP2001265294A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置の操作パネル |
| JP2002072920A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-12 | Sharp Corp | 表示装置 |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100451763C (zh) * | 2004-09-07 | 2009-01-14 | 安华高科技Ecbuip(新加坡)私人有限公司 | 使用多个光传感器调整用于显示器的直亮式背光 |
| CN100419557C (zh) * | 2005-08-31 | 2008-09-17 | 爱普生映像元器件有限公司 | 液晶显示器 |
| US8379005B2 (en) | 2005-08-31 | 2013-02-19 | Sony Corporation | Liquid crystal display device utilizing a photosensor |
| JP2007212890A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置 |
| US9366891B2 (en) | 2006-04-03 | 2016-06-14 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display |
| JP2007279099A (ja) * | 2006-04-03 | 2007-10-25 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置 |
| US8810553B2 (en) | 2006-04-03 | 2014-08-19 | Japan Display West Inc. | Liquid crystal display |
| JP2007279197A (ja) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JP2007304519A (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置 |
| KR100878379B1 (ko) * | 2006-07-12 | 2009-01-13 | 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 |
| US7852440B2 (en) | 2006-07-12 | 2010-12-14 | Sony Corporation | Liquid crystal display device |
| US7936346B2 (en) | 2006-09-27 | 2011-05-03 | Sony Corporation | Liquid crystal display device implementing photodetector to control backlight |
| US8669933B2 (en) | 2007-06-01 | 2014-03-11 | Japan Display West Inc. | Liquid crystal display, electronic device, and method for controlling brightness of illumination unit of liquid crystal display |
| US8432510B2 (en) | 2007-10-01 | 2013-04-30 | Sony Corporation | Liquid crystal display device and light detector having first and second TFT ambient light photo-sensors alternatively arranged on the same row |
| US7880495B2 (en) | 2008-08-26 | 2011-02-01 | Sony Corporation | Display device and test probe for testing display device |
| US8675167B2 (en) | 2009-02-17 | 2014-03-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polymer dispersed display panels including quantum dots and display apparatuses including the same |
| KR101584663B1 (ko) | 2009-02-17 | 2016-01-13 | 삼성전자주식회사 | 양자 점을 이용한 고분자 분산형 액정 디스플레이 장치 |
| JP2010191424A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 量子ドットを備える高分子分散型ディスプレイパネル及びそれを備えるディスプレイ装置 |
| JP2017227939A (ja) * | 2009-12-28 | 2017-12-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2013522666A (ja) * | 2010-03-11 | 2013-06-13 | ピクストロニクス，インコーポレイテッド | ディスプレイ装置のための反射および半透過動作モード |
| US9398666B2 (en) | 2010-03-11 | 2016-07-19 | Pixtronix, Inc. | Reflective and transflective operation modes for a display device |
| KR101775745B1 (ko) | 2010-03-11 | 2017-09-19 | 스냅트랙, 인코포레이티드 | 디스플레이 디바이스용 반사형 및 투과반사형 동작 모드들 |
| JP2017194688A (ja) * | 2010-07-02 | 2017-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US10943547B2 (en) | 2010-07-02 | 2021-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US11289031B2 (en) | 2010-07-02 | 2022-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| CN107424579A (zh) * | 2017-08-16 | 2017-12-01 | 昆山龙腾光电有限公司 | 一种嵌入式光感应驱动系统及其驱动方法 |
| CN107424579B (zh) * | 2017-08-16 | 2020-06-05 | 昆山龙腾光电股份有限公司 | 一种嵌入式光感应驱动系统及其驱动方法 |
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