JP2002124838A - 半導体回路 - Google Patents

半導体回路

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JP2002124838A
JP2002124838A JP2000311342A JP2000311342A JP2002124838A JP 2002124838 A JP2002124838 A JP 2002124838A JP 2000311342 A JP2000311342 A JP 2000311342A JP 2000311342 A JP2000311342 A JP 2000311342A JP 2002124838 A JP2002124838 A JP 2002124838A
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buffer
signal
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Mutsumi Terai
睦 寺井
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 オフセット出力を適切に補正できる平均値ク
ランプ回路からなる半導体回路を得る。 【解決手段】 正弦波信号が入力される信号入力端子V
IN、クランプレベル電位信号が入力されるクランプレ
ベル電位入力端子CPIN、信号入力端子VINに結合
コンデンサ1を介して接続される非反転入力端子を有し
平均値クランプ処理された信号出力を導出する第1のバ
ッファ2、クランプレベル電位入力端子CPINに接続
された非反転入力端子を有し第1のバッファ2における
非反転入力端子にクランプレベル電位信号を供給する第
2のバッファ3を備え、第1のバッファ2におけるオフ
セット出力について第1のバッファ2の非反転入力端子
にローパスフィルタ6を介しフィードバックを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体回路、特
に、LSI等の半導体装置におけるクランプ回路に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】近年、デジタル変調された信号を扱うに
あたり、平均値クランプ回路を搭載したシステムLSI
が殆どである。
【0003】図4は、このようなLSIにおける従来の
平均値クランプ回路の一例を示す回路図である。図にお
いて、1は入力端子VINにその片電極が接続されてい
る入力結合コンデンサ、2はその結合コンデンサ1の残
りの片電極にその入力側が接続されているバッファ、3
はクランプレベル電位入力端子CPINが入力側に接続
されているバッファ、4はバッファ3の出力側の電位に
接続されているバイアス抵抗である。
【0004】図4のような構成の平均値クランプ回路に
おいて、バッファ2および3にオフセットが生じない場
合、信号入力端子VINから、例えばa[V]を中心に
±b[V]の振幅を有する正弦波を入力すると、クラン
プレベル電位を基準として±b[V]の振幅を有する正
弦波の出力信号が得られるようになる。しかし、実際は
プロセスおよび設計要因によるばらつきなどによりバッ
ファ2および3にオフセット出力α[V]が生じてしま
うため、バッファ2の出力の平均値が(クランプレベル
電位+α)[V]になる。ここで、入力の直流成分a
[V]はコンデンサ1によりカットされるものである。
【0005】従来のような回路ではオフセット出力が発
生した場合、そのオフセット出力の情報が出力先である
A/Dコンバータに伝わってしまい、A/Dコンバータ
の精度に悪い影響を与える。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のよ
うな問題を解決するためになされたものであり、オフセ
ット出力を適切に補正できる平均値クランプ回路を提供
するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】第1の発明に係る半導体
回路では、正弦波信号が入力される信号入力端子、クラ
ンプレベル電位信号が入力されるクランプレベル電位入
力端子、前記信号入力端子に結合コンデンサを介して接
続されるとともに前記クランプレベル電位入力端子から
クランプレベル電位信号の供給を受ける非反転入力端子
を有し平均値クランプ処理された信号出力を導出するバ
ッファ手段を備え、前記バッファ手段におけるオフセッ
ト出力について前記バッファ手段の非反転入力端子にフ
ィードバックを行うものである。
【0008】第2の発明に係る半導体回路では、変調さ
れた正弦波信号が入力される信号入力端子、クランプレ
ベル電位信号が入力されるクランプレベル電位入力端
子、前記信号入力端子に結合コンデンサを介して接続さ
れるとともに前記クランプレベル電位入力端子からクラ
ンプレベル電位信号の供給を受ける非反転入力端子を有
し平均値クランプ処理された信号出力を導出するバッフ
ァ手段を備え、前記バッファ手段におけるオフセット出
力について前記バッファ手段の非反転入力端子にフィー
ドバックを行うものである。
【0009】第3の発明に係る半導体回路では、正弦波
信号が入力される信号入力端子、クランプレベル電位信
号が入力されるクランプレベル電位入力端子、前記信号
入力端子に結合コンデンサを介して接続される非反転入
力端子を有し平均値クランプ処理された信号出力を導出
する第1のバッファ、前記クランプレベル電位入力端子
に接続された非反転入力端子を有し前記第1のバッファ
における非反転入力端子にクランプレベル電位信号を供
給する第2のバッファを備え、前記第1のバッファにお
けるオフセット出力について前記第1のバッファの非反
転入力端子にフィードバックを行うものである。
【0010】第4の発明に係る半導体回路では、正弦波
信号が入力される信号入力端子、クランプレベル電位信
号が入力されるクランプレベル電位入力端子、前記信号
入力端子に結合コンデンサを介して接続される非反転入
力端子を有し平均値クランプ処理された信号出力を導出
する第1のバッファ、前記クランプレベル電位入力端子
に接続された非反転入力端子を有し前記第1のバッファ
における非反転入力端子にクランプレベル電位信号を供
給する第2のバッファを備え、前記第1のバッファにお
けるオフセット出力について前記第1のバッファの非反
転入力端子にローパスフィルタを介してフィードバック
を行うものである。
【0011】第5の発明に係る半導体回路では、正弦波
信号が入力される信号入力端子、クランプレベル電位信
号が入力されるクランプレベル電位入力端子、前記信号
入力端子に結合コンデンサを介して接続される非反転入
力端子を有し平均値クランプ処理された信号出力を導出
する第1のバッファ、前記クランプレベル電位入力端子
に接続された非反転入力端子を有し前記第1のバッファ
における非反転入力端子にクランプレベル電位信号を供
給する第2のバッファ、一方の入力端子に前記クランプ
レベル電位入力端子からのクランプレベル電位信号を受
けて他方の入力端子に第3のバッファおよびローパスフ
ィルタを介して第1のバッファの出力を受け、出力端子
を前記第1の非反転入力端子に接続される差動アンプを
備え、前記第1のバッファにおけるオフセット出力につ
いて前記第1のバッファの非反転入力端子にフィードバ
ックを行うものである。
【0012】第6の発明に係る半導体回路では、前記第
2のバッファの出力を第1のバイアス抵抗を介して前記
第1のバッファの非反転入力端子に供給し、前記差動ア
ンプの出力を第2のバイアス抵抗を介して前記第1のバ
ッファの非反転入力端子に供給するものである。
【0013】第7の発明に係る半導体回路では、前記第
1のバッファの非反転入力端子に一端を接続された第3
の抵抗、前記第2のバッファの出力端子に一端を接続さ
れた第4の抵抗、前記差動アンプの出力端子に一端を接
続された第5の抵抗を設け、前記第3の抵抗の他端と前
記第4の抵抗の他端と前記第5の抵抗の他端とを互いに
接続したものである。
【0014】第8の発明に係る半導体回路では、一方の
入力端子に前記クランプレベル電位入力端子からクラン
プレベル電位信号を受けるとともに他方の入力端子にロ
ーパスフィルタを介して前記バッファ手段の出力を受け
る差動アンプを設け、前記差動アンプの出力を前記バッ
ファ手段の非反転入力端子に供給するものである。
【0015】第9の発明に係る半導体回路では、一方の
入力端子に前記クランプレベル電位入力端子からクラン
プレベル電位信号を受けるとともに他方の入力端子にフ
ィードバック用バッファおよびローパスフィルタを介し
て前記バッファ手段の出力を受ける差動アンプを設け、
前記差動アンプの出力をバイアス抵抗を介して前記バッ
ファ手段の非反転入力端子に供給するものである。
【0016】
【発明の実施の形態】実施の形態1.この発明による実
施の形態1を図1について説明する。図1は、実施の形
態1における平均値クランプ回路Aの全体構成を示す接
続図である。図において、1は信号入力端子VINにそ
の片電極が接続されている入力結合コンデンサ、2はそ
の結合コンデンサ1の残りの片電極にその入力側が接続
されているバッファ、3はクランプレベル電位入力端子
CPINが入力側に接続されているバッファ、4はバッ
ファ3の出力側の電位に接続されているバイアス抵抗、
5はその入力側に2の出力が接続されているバッファ、
6はその入力側に5の出力が接続されていて、不要な高
周波成分を取り除いて平滑化させるローパスフィルタ
(LPF)、7はその入力側にローパスフィルタ6の出
力が接続されている差動アンプ、8は差動アンプ7の出
力側に接続されているバイアス抵抗である。信号入力端
子VINには、デジタル変調された正弦波信号が入力さ
れ、クランクレベル電位入力端子CPINには、クラン
クレベル電位信号が入力される。
【0017】図1のような構成の平均値クランプ回路で
は、バッファ2および3の特性のバラツキによるオフセ
ットを考慮してバッファ2の出力の平均値がクランプレ
ベル電位となるように差動アンプ7の出力より帰還がか
かり、オフセットを補正できる。従って、信号入力端子
VINより、例えばa[V]を中心に±b[V]の振幅
を有する正弦波を入力する場合は、クランプレベル電位
を基準として±b[V]の振幅を有する正弦波が得られ
るようになる。ここで、入力の直流成分a[V]はコン
デンサ1によりカットされるものであり、ローパスフィ
ルタ(LPF)6の出力はバッファ2の出力の直流成分
のみである。
【0018】この発明による実施の形態1によれば、デ
ジタル変調された正弦波信号が入力される信号入力端子
VIN、クランプレベル電位信号が入力されるクランプ
レベル電位入力端子CPIN、前記信号入力端子VIN
に結合コンデンサ1を介して接続される非反転入力端子
すなわち+端子を有し平均値クランプ処理された信号出
力を導出する第1のバッファ2、前記クランプレベル電
位入力端子CPINに接続された非反転入力端子すなわ
ち+端子を有し前記第1のバッファ2における非反転入
力端子に第1のバイアス抵抗4を介してクランプレベル
電位信号を供給する第2のバッファ3、一方の入力端子
すなわち+端子に前記クランプレベル電位入力端子CP
INからのクランプレベル電位信号を受けて他方の入力
端子すなわち−端子に第3のバッファ5およびローパス
フィルタ6を介して第1のバッファ2の出力を受け、出
力端子を第2のバイアス抵抗8を介して前記第1のバッ
ファの非反転入力端子に接続される差動アンプ7を備
え、前記第1のバッファ2におけるオフセット出力につ
いて前記第1のバッファ2の非反転入力端子にフィード
バックを行うようにしたので、オフセット出力を適切に
補正できる平均値クランプ回路からなる半導体回路を得
ることができる。
【0019】実施の形態2.この発明による実施の形態
2を、図2について説明する。図2は、実施の形態にお
ける平均値クランプ回路Bの全体構成を示す接続図であ
る。この実施の形態2では、実施の形態1におけるクラ
ンプ回路の抵抗部Aを抵抗部Bに置き換える。図におい
て、9はバッファ2の非反転入力端子に接続されている
バイアス抵抗、10はバッファ3の出力側に接続されて
いるバイアス抵抗、11はバッファ7のバイアス抵抗で
ある。
【0020】図2のような構成の平均値クランプ回路で
は、バッファ2及び3の特性のバラツキによるオフセッ
ト出力を考慮してバッファ2の出力の平均値がクランプ
レベル電位となるように差動アンプ7の出力より帰還が
かかり、オフセット出力を補正できる。従って、信号入
力端子VINより、例えばa[V]を中心に±b[V]
の振幅を有する正弦波を入力する場合は、クランプレベ
ル電位を基準として±b[V]の振幅を有する正弦波が
得られるようになる。ここで、入力の直流成分a[V]
はコンデンサ1によりカットされるものであり、ローパ
スフィルタ(LPF)6の出力はバッファ2の出力の直
流成分のみである。
【0021】この発明による実施の形態2によれば、デ
ジタル変調された正弦波信号が入力される信号入力端子
VIN、クランプレベル電位信号が入力されるクランプ
レベル電位入力端子CPIN、前記信号入力端子VIN
に結合コンデンサ1を介して接続される非反転入力端子
すなわち+端子を有し平均値クランプ処理された信号出
力を導出する第1のバッファ2、前記クランプレベル電
位入力端子CPINに接続された非反転入力端子すなわ
ち+端子を有し前記第1のバッファ2における非反転入
力端子にクランプレベル電位信号を供給する第2のバッ
ファ3、一方の入力端子すなわち+端子に前記クランプ
レベル電位入力端子CPINからのクランプレベル電位
信号を受けて他方の入力端子すなわち−端子に第3のバ
ッファ5およびローパスフィルタ6を介して第1のバッ
ファ2の出力を受け、出力端子を前記第1のバッファ2
の非反転入力端子に接続される差動アンプ7を備え、前
記第1のバッファにおけるオフセット出力について前記
第1のバッファ2の非反転入力端子にフィードバックを
行うものであって、前記第1のバッファ2の非反転入力
端子に一端を接続された第3の抵抗9、前記第2のバッ
ファ3の出力端子に一端を接続された第4の抵抗10、
前記差動アンプ7の出力端子に一端を接続された第5の
抵抗11を設け、前記第3の抵抗9の他端と前記第4の
抵抗10の他端と前記第5の抵抗11の他端とを互いに
接続したので、オフセット出力を適切に補正できる平均
値クランプ回路からなる半導体回路を得ることができ
る。
【0022】実施の形態3.この発明による実施の形態
3を、図3について説明する。図3は、実施の形態にお
ける平均値クランプ回路Cの全体構成を示す接続図であ
る。図において、1は入力端子VINにその片電極が接
続されている入力結合コンデンサ、2はその結合コンデ
ンサ1の残りの片電極にその入力側が接続されているバ
ッファ、3はクランプレベル電位CPINが入力側に接
続されているバッファ、4は3の出力側の電位に接続さ
れているバイアス抵抗、5はその入力側に2の出力が接
続されているバッファ、6はその入力側に5の出力が接
続されていて、不要な高周波成分を取り除いて平滑化さ
せるローパスフィルタ(LPF)である。
【0023】図3のような構成の平均値クランプ回路で
は、バッファ2におけるオフセットを考慮してバッファ
2の出力の平均値がクランプレベル電位となるように差
動アンプ11の出力より帰還がかかり、オフセットを補
正できる。信号入力端子VINより、例えばa[V]を
中心に±b[V]の振幅を有する正弦波を入力する場合
は、クランプレベル電位を基準として±b[V]の振幅
を有する正弦波が得られるようになる。ここで、入力の
直流成分a[V]はコンデンサ1によりカットされるも
のであり、ローパスフィルタ(LPF)6の出力はバッ
ファ2の出力の直流成分のみである。
【0024】この発明による実施の形態3によれば、変
調された正弦波信号が入力される信号入力端子VIN、
クランプレベル電位信号が入力されるクランプレベル電
位入力端子CPIN、前記信号入力端子VINに結合コ
ンデンサ1を介して接続されるとともに前記クランプレ
ベル電位入力端子CPINからクランプレベル電位信号
の供給を受ける非反転入力端子を有し平均値クランプ処
理された信号出力を導出するバッファ2からなるバッフ
ァ手段を備え、前記バッファ2からなるバッファ手段に
おけるオフセット出力について前記バッファ2からなる
バッファ手段の非反転入力端子すなわち+端子にフィー
ドバックを行うものであって、一方の入力端子すなわち
+端子に前記クランプレベル電位入力端子CPINから
クランプレベル電位信号を受けるとともに他方の入力端
子すなわち−端子にフィードバック用バッファ5および
ローパスフィルタ6を介して前記バッファ2からなるバ
ッファ手段の出力を受ける差動アンプ12を設け、前記
差動アンプ12の出力をバイアス抵抗4を介して前記バ
ッファ2からなるバッファ手段の非反転入力端子に供給
するようにしたので、オフセット出力を適切に補正でき
る平均値クランプ回路からなる半導体回路を得ることが
できる。
【0025】
【発明の効果】第1の発明によれば、正弦波信号が入力
される信号入力端子、クランプレベル電位信号が入力さ
れるクランプレベル電位入力端子、前記信号入力端子に
結合コンデンサを介して接続されるとともに前記クラン
プレベル電位入力端子からクランプレベル電位信号の供
給を受ける非反転入力端子を有し平均値クランプ処理さ
れた信号出力を導出するバッファ手段を備え、前記バッ
ファ手段におけるオフセット出力について前記バッファ
手段の非反転入力端子にフィードバックを行うようにし
たので、正弦波信号を平均値クランプ処理するにあた
り、オフセット出力を適切に補正できる平均値クランプ
回路からなる半導体回路を得ることができる。
【0026】第2の発明によれば、変調された正弦波信
号が入力される信号入力端子、クランプレベル電位信号
が入力されるクランプレベル電位入力端子、前記信号入
力端子に結合コンデンサを介して接続されるとともに前
記クランプレベル電位入力端子からクランプレベル電位
信号の供給を受ける非反転入力端子を有し平均値クラン
プ処理された信号出力を導出するバッファ手段を備え、
前記バッファ手段におけるオフセット出力について前記
バッファ手段の非反転入力端子にフィードバックを行う
ようにしたので、変調された正弦波信号を平均値クラン
プ処理するにあたり、オフセット出力を適切に補正でき
る平均値クランプ回路からなる半導体回路を得ることが
できる。
【0027】第3の発明によれば、正弦波信号が入力さ
れる信号入力端子、クランプレベル電位信号が入力され
るクランプレベル電位入力端子、前記信号入力端子に結
合コンデンサを介して接続される非反転入力端子を有し
平均値クランプ処理された信号出力を導出する第1のバ
ッファ、前記クランプレベル電位入力端子に接続された
非反転入力端子を有し前記第1のバッファにおける非反
転入力端子にクランプレベル電位信号を供給する第2の
バッファを備え、前記第1のバッファにおけるオフセッ
ト出力について前記第1のバッファの非反転入力端子に
フィードバックを行うようにしたので、第2のバッファ
によってクランプレベル電位信号を供給される第1のバ
ッファの非反転入力端子にオフセット出力のフィードバ
ックを行うことにより、オフセット出力を適切に補正で
きる平均値クランプ回路からなる半導体回路を得ること
ができる。
【0028】第4の発明によれば、正弦波信号が入力さ
れる信号入力端子、クランプレベル電位信号が入力され
るクランプレベル電位入力端子、前記信号入力端子に結
合コンデンサを介して接続される非反転入力端子を有し
平均値クランプ処理された信号出力を導出する第1のバ
ッファ、前記クランプレベル電位入力端子に接続された
非反転入力端子を有し前記第1のバッファにおける非反
転入力端子にクランプレベル電位信号を供給する第2の
バッファを備え、前記第1のバッファにおけるオフセッ
ト出力について前記第1のバッファの非反転入力端子に
ローパスフィルタを介してフィードバックを行うように
したので、第2のバッファによってクランプレベル電位
信号を供給される第1のバッファの非反転入力端子にロ
ーパスフィルタを介してオフセット出力のフィードバッ
クを行うことにより、オフセット出力を適切に補正でき
る平均値クランプ回路からなる半導体回路を得ることが
できる。
【0029】第5の発明によれば、正弦波信号が入力さ
れる信号入力端子、クランプレベル電位信号が入力され
るクランプレベル電位入力端子、前記信号入力端子に結
合コンデンサを介して接続される非反転入力端子を有し
平均値クランプ処理された信号出力を導出する第1のバ
ッファ、前記クランプレベル電位入力端子に接続された
非反転入力端子を有し前記第1のバッファにおける非反
転入力端子にクランプレベル電位信号を供給する第2の
バッファ、一方の入力端子に前記クランプレベル電位入
力端子からのクランプレベル電位信号を受けて他方の入
力端子に第3のバッファおよびローパスフィルタを介し
て第1のバッファの出力を受け、出力端子を前記第1の
非反転入力端子に接続される差動アンプを備え、前記第
1のバッファにおけるオフセット出力について前記第1
のバッファの非反転入力端子にフィードバックを行うよ
うにしたので、第2のバッファによってクランプレベル
電位信号を供給される第1のバッファの非反転入力端子
に差動アンプを介してオフセット出力のフィードバック
を行うことにより、オフセット出力を適切に補正できる
平均値クランプ回路からなる半導体回路を得ることがで
きる。
【0030】第6の発明によれば、前記第2のバッファ
の出力を第1のバイアス抵抗を介して前記第1のバッフ
ァの非反転入力端子に供給し、前記差動アンプの出力を
第2のバイアス抵抗を介して前記第1のバッファの非反
転入力端子に供給するようにしたので、第1のバイアス
抵抗を介してクランプ電位信号を供給し、第2のバイア
ス抵抗を介してオフセット出力のフィードバックを行う
ことにより、オフセット出力を適切に補正できる平均値
クランプ回路からなる半導体回路を得ることができる。
【0031】第7の発明によれば、前記第1のバッファ
の非反転入力端子に一端を接続された第3の抵抗、前記
第2のバッファの出力端子に一端を接続された第4の抵
抗、前記差動アンプの出力端子に一端を接続された第5
の抵抗を設け、前記第3の抵抗の他端と前記第4の抵抗
の他端と前記第5の抵抗の他端とを互いに接続したの
で、クランプ電位信号の供給およびオフセット出力のフ
ィードバックを第3ないし第5の抵抗を介して行うこと
により、オフセット出力を適切に補正できる平均値クラ
ンプ回路からなる半導体回路を得ることができる。
【0032】第8の発明によれば、一方の入力端子に前
記クランプレベル電位入力端子からクランプレベル電位
信号を受けるとともに他方の入力端子にローパスフィル
タを介して前記バッファ手段の出力を受ける差動アンプ
を設け、前記差動アンプの出力を前記バッファ手段の非
反転入力端子に供給するようにしたので、クランプ電位
信号の供給およびオフセット出力のフィードバックを差
動アンプによって行うことにより、オフセット出力を適
切に補正できる平均値クランプ回路からなる半導体回路
を得ることができる。
【0033】第9の発明によれば、一方の入力端子に前
記クランプレベル電位入力端子からクランプレベル電位
信号を受けるとともに他方の入力端子にフィードバック
用バッファおよびローパスフィルタを介して前記バッフ
ァ手段の出力を受ける差動アンプを設け、前記差動アン
プの出力をバイアス抵抗を介して前記バッファ手段の非
反転入力端子に供給するようにしたので、クランプ電位
信号の供給およびオフセット出力のフィードバックを差
動アンプによってバイアス抵抗を介し行うことにより、
オフセット出力を適切に補正できる平均値クランプ回路
からなる半導体回路を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明による実施の形態1における平均値
クランプ回路の構成を示す接続図である。
【図2】 この発明による実施の形態2における平均値
クランプ回路の構成を示す接続図である。
【図3】 この発明による実施の形態3における平均値
クランプ回路の構成を示す接続図である。
【図4】 従来技術による平均値クランプ回路の一般的
構成を示す接続図である。
【符号の説明】
1 入力結合コンデンサ、2,3 バッファ、4 バイ
アス抵抗、5 バッファ、6 ローパスフィルタ(LP
F)、7 差動アンプ、8〜11 バイアス抵抗、12
差動アンプ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5J090 AA01 AA47 CA13 CA81 DN02 FA10 FA17 HA25 HA32 HN07 HN17 KA01 KA12 KA21 KA42 MA13 MA20 MN02 NN06 NN13 NN17 TA01 5J091 AA01 AA47 CA13 CA81 FA10 FA17 HA25 HA32 KA01 KA12 KA21 KA42 MA13 MA20 TA01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 正弦波信号が入力される信号入力端子、
    クランプレベル電位信号が入力されるクランプレベル電
    位入力端子、前記信号入力端子に結合コンデンサを介し
    て接続されるとともに前記クランプレベル電位入力端子
    からクランプレベル電位信号の供給を受ける非反転入力
    端子を有し平均値クランプ処理された信号出力を導出す
    るバッファ手段を備え、前記バッファ手段におけるオフ
    セット出力について前記バッファ手段の非反転入力端子
    にフィードバックを行うことを特徴とする半導体回路。
  2. 【請求項2】 変調された正弦波信号が入力される信号
    入力端子、クランプレベル電位信号が入力されるクラン
    プレベル電位入力端子、前記信号入力端子に結合コンデ
    ンサを介して接続されるとともに前記クランプレベル電
    位入力端子からクランプレベル電位信号の供給を受ける
    非反転入力端子を有し平均値クランプ処理された信号出
    力を導出するバッファ手段を備え、前記バッファ手段に
    おけるオフセット出力について前記バッファ手段の非反
    転入力端子にフィードバックを行うことを特徴とする半
    導体回路。
  3. 【請求項3】 正弦波信号が入力される信号入力端子、
    クランプレベル電位信号が入力されるクランプレベル電
    位入力端子、前記信号入力端子に結合コンデンサを介し
    て接続される非反転入力端子を有し平均値クランプ処理
    された信号出力を導出する第1のバッファ、前記クラン
    プレベル電位入力端子に接続された非反転入力端子を有
    し前記第1のバッファにおける非反転入力端子にクラン
    プレベル電位信号を供給する第2のバッファを備え、前
    記第1のバッファにおけるオフセット出力について前記
    第1のバッファの非反転入力端子にフィードバックを行
    うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半
    導体回路。
  4. 【請求項4】 正弦波信号が入力される信号入力端子、
    クランプレベル電位信号が入力されるクランプレベル電
    位入力端子、前記信号入力端子に結合コンデンサを介し
    て接続される非反転入力端子を有し平均値クランプ処理
    された信号出力を導出する第1のバッファ、前記クラン
    プレベル電位入力端子に接続された非反転入力端子を有
    し前記第1のバッファにおける非反転入力端子にクラン
    プレベル電位信号を供給する第2のバッファを備え、前
    記第1のバッファにおけるオフセット出力について前記
    第1のバッファの非反転入力端子にローパスフィルタを
    介してフィードバックを行うことを特徴とする請求項1
    ないし請求項3のいずれかに記載の半導体回路。
  5. 【請求項5】 正弦波信号が入力される信号入力端子、
    クランプレベル電位信号が入力されるクランプレベル電
    位入力端子、前記信号入力端子に結合コンデンサを介し
    て接続される非反転入力端子を有し平均値クランプ処理
    された信号出力を導出する第1のバッファ、前記クラン
    プレベル電位入力端子に接続された非反転入力端子を有
    し前記第1のバッファにおける非反転入力端子にクラン
    プレベル電位信号を供給する第2のバッファ、一方の入
    力端子に前記クランプレベル電位入力端子からのクラン
    プレベル電位信号を受けて他方の入力端子に第3のバッ
    ファおよびローパスフィルタを介して第1のバッファの
    出力を受け、出力端子を前記第1の非反転入力端子に接
    続される差動アンプを備え、前記第1のバッファにおけ
    るオフセット出力について前記第1のバッファの非反転
    入力端子にフィードバックを行うことを特徴とする請求
    項1ないし請求項3のいずれかに記載の半導体回路。
  6. 【請求項6】 前記第2のバッファの出力を第1のバイ
    アス抵抗を介して前記第1のバッファの非反転入力端子
    に供給し、前記差動アンプの出力を第2のバイアス抵抗
    を介して前記第1のバッファの非反転入力端子に供給す
    ることを特徴とする請求項5に記載の半導体回路。
  7. 【請求項7】 前記第1のバッファの非反転入力端子に
    一端を接続された第3の抵抗、前記第2のバッファの出
    力端子に一端を接続された第4の抵抗、前記差動アンプ
    の出力端子に一端を接続された第5の抵抗を設け、前記
    第3の抵抗の他端と前記第4の抵抗の他端と前記第5の
    抵抗の他端とを互いに接続したことを特徴とする請求項
    5に記載の半導体回路。
  8. 【請求項8】 一方の入力端子に前記クランプレベル電
    位入力端子からクランプレベル電位信号を受けるととも
    に他方の入力端子にローパスフィルタを介して前記バッ
    ファ手段の出力を受ける差動アンプを設け、前記差動ア
    ンプの出力を前記バッファ手段の非反転入力端子に供給
    することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の
    半導体回路。
  9. 【請求項9】 一方の入力端子に前記クランプレベル電
    位入力端子からクランプレベル電位信号を受けるととも
    に他方の入力端子にフィードバック用バッファおよびロ
    ーパスフィルタを介して前記バッファ手段の出力を受け
    る差動アンプを設け、前記差動アンプの出力をバイアス
    抵抗を介して前記バッファ手段の非反転入力端子に供給
    することを特徴とする請求項8に記載の半導体回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017163661A (ja) * 2016-03-08 2017-09-14 Necプラットフォームズ株式会社 電圧降下補償回路、スイッチング電源装置、電圧降下補償方法、および、スイッチング電源制御方法

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