JP2002124751A - 積層体および多層配線板 - Google Patents
積層体および多層配線板Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 炭酸ガスレーザードリリング装置で一括して
穴あけ加工でき、高耐熱性、挟ピッチ配線パターン、小
径ヴィア、均一な絶縁層厚み、適度に低い線膨張係数を
有する多層プリント配線板製造に適した積層体を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 ポリイミドフィルムの少なくとも一方の
面に導体層を有し、他面側に接着層を有する積層体にお
いて導体層、ポリイミドフィルム、接着層が炭酸ガスレ
ーザーで穴あけ可能なものを使用する。
穴あけ加工でき、高耐熱性、挟ピッチ配線パターン、小
径ヴィア、均一な絶縁層厚み、適度に低い線膨張係数を
有する多層プリント配線板製造に適した積層体を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 ポリイミドフィルムの少なくとも一方の
面に導体層を有し、他面側に接着層を有する積層体にお
いて導体層、ポリイミドフィルム、接着層が炭酸ガスレ
ーザーで穴あけ可能なものを使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は積層体に関するもの
であり、更に詳しくは炭酸ガスレーザードリリング装置
で穴あけ加工でき、高耐熱性、挟ピッチ配線パターン、
小径ヴィア、均一な絶縁層厚み、適度に低い線膨張係数
を有する多層プリント配線板を提供できる積層体に関す
るものである。
であり、更に詳しくは炭酸ガスレーザードリリング装置
で穴あけ加工でき、高耐熱性、挟ピッチ配線パターン、
小径ヴィア、均一な絶縁層厚み、適度に低い線膨張係数
を有する多層プリント配線板を提供できる積層体に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化、高性能化、高機能化
が進む中でプリント配線板には、高密度実装化に対応で
きることが要求されている。要求に応えるために配線板
の多層化、絶縁層の薄膜化、従来のスルーホールに代わ
るインタースティシャルヴィアホールの採用、ヴィア径
の小径化、回路の狭ピッチ化、等が進行している。これ
らを実現する技術としてビルドアップ方式による多層プ
リント配線板製造技術がある。このビルドアップ配線板
はメーカー各社により様々な工法によって製造されてい
るが、材料の取扱いが容易、既に導体層が形成されてい
ることにより工程の大幅短縮化が可能、といった理由で
絶縁接着剤付き銅箔を用いた工法が多くの配線板メーカ
ーにより採用されている。この絶縁接着剤付き銅箔は、
銅箔と接着剤層の２層構造を有しており、銅箔上に溶液
状の接着剤を塗布、乾燥する方法で製造されている。こ
の絶縁接着剤付き銅箔を用いたビルドアップ多層板の製
造例を次に示す。予め回路を形成し、スルーホール加工
を施したガラスクロス入り銅張積層板に絶縁接着剤付き
銅箔をプレス加工やロールラミネート等の方法で積層
し、続いてヴィア形成が必要な部分の銅箔をエッチング
により除去した後、炭酸ガスレーザードリリングによっ
て接着剤層及び銅箔層を貫通するヴィアを形成し、無電
解メッキによってヴィアを導電化する。その後、エッチ
ング法によって絶縁接着剤付き銅箔の銅箔を回路パター
ン化して、再び絶縁接着剤付き銅箔を積層、以下同様の
工程を繰り返すことでビルドアップ多層板が製造され
る。
が進む中でプリント配線板には、高密度実装化に対応で
きることが要求されている。要求に応えるために配線板
の多層化、絶縁層の薄膜化、従来のスルーホールに代わ
るインタースティシャルヴィアホールの採用、ヴィア径
の小径化、回路の狭ピッチ化、等が進行している。これ
らを実現する技術としてビルドアップ方式による多層プ
リント配線板製造技術がある。このビルドアップ配線板
はメーカー各社により様々な工法によって製造されてい
るが、材料の取扱いが容易、既に導体層が形成されてい
ることにより工程の大幅短縮化が可能、といった理由で
絶縁接着剤付き銅箔を用いた工法が多くの配線板メーカ
ーにより採用されている。この絶縁接着剤付き銅箔は、
銅箔と接着剤層の２層構造を有しており、銅箔上に溶液
状の接着剤を塗布、乾燥する方法で製造されている。こ
の絶縁接着剤付き銅箔を用いたビルドアップ多層板の製
造例を次に示す。予め回路を形成し、スルーホール加工
を施したガラスクロス入り銅張積層板に絶縁接着剤付き
銅箔をプレス加工やロールラミネート等の方法で積層
し、続いてヴィア形成が必要な部分の銅箔をエッチング
により除去した後、炭酸ガスレーザードリリングによっ
て接着剤層及び銅箔層を貫通するヴィアを形成し、無電
解メッキによってヴィアを導電化する。その後、エッチ
ング法によって絶縁接着剤付き銅箔の銅箔を回路パター
ン化して、再び絶縁接着剤付き銅箔を積層、以下同様の
工程を繰り返すことでビルドアップ多層板が製造され
る。
【０００３】しかしながら今後、ビルドアップ配線板に
対する要求は更に高度化し、従来の絶縁接着剤付き銅箔
に幾つかの問題点があることが指摘されている。即ち、
挟ピッチの回路パターンをエッチング法で作製するため
には、エッチングする導体層の厚みが薄い方が歩留まり
の点で有利であるが、従来の絶縁接着剤付き銅箔の銅箔
厚みは一般的には１８μｍ、薄くても１２μｍであり、
挟ピッチの回路パターン作製には限界がある。また、ヴ
ィアを形成する際にヴィアの直上の銅箔をエッチングに
より除去した後、炭酸ガスレーザドリリングにより絶縁
接着剤層にヴィアを形成しているが、工程の簡略化の為
に炭酸ガスレーザードリリングにより銅箔も穴あけ加工
できることが望まれている。また、ヴィアを小径化した
方がアスペクト比が小さくなり加工し易いが、そのため
には絶縁層厚みを薄くする必要がある。しかしながら、
従来の絶縁接着剤付き銅箔の絶縁層厚みを薄くすると、
積層した際の各絶縁層の厚みを均一にする事が困難とな
り、また、絶縁性も低下し、電気信頼性の確保が難しく
なるという問題を有している。更に多層配線板の薄型
化、軽量化も要求されているが、通常ビルドアップ配線
板のコア層として使用しているガラスクロス入り銅張り
積層板は４００μｍ程度の厚みを有しており、また、ガ
ラスを用いているため重く、上記要求にそぐわない材料
であった。仮にこのガラスクロス入り銅張り積層板を用
いずに絶縁接着剤付き銅箔だけで多層板を作製した場
合、薄型化、軽量化は可能になるものの、充分な剛性が
無く、また絶縁接着剤に由来した大きな線膨張係数を示
し、何れも実装信頼性に欠ける点で使用に耐えるものに
はならない。
対する要求は更に高度化し、従来の絶縁接着剤付き銅箔
に幾つかの問題点があることが指摘されている。即ち、
挟ピッチの回路パターンをエッチング法で作製するため
には、エッチングする導体層の厚みが薄い方が歩留まり
の点で有利であるが、従来の絶縁接着剤付き銅箔の銅箔
厚みは一般的には１８μｍ、薄くても１２μｍであり、
挟ピッチの回路パターン作製には限界がある。また、ヴ
ィアを形成する際にヴィアの直上の銅箔をエッチングに
より除去した後、炭酸ガスレーザドリリングにより絶縁
接着剤層にヴィアを形成しているが、工程の簡略化の為
に炭酸ガスレーザードリリングにより銅箔も穴あけ加工
できることが望まれている。また、ヴィアを小径化した
方がアスペクト比が小さくなり加工し易いが、そのため
には絶縁層厚みを薄くする必要がある。しかしながら、
従来の絶縁接着剤付き銅箔の絶縁層厚みを薄くすると、
積層した際の各絶縁層の厚みを均一にする事が困難とな
り、また、絶縁性も低下し、電気信頼性の確保が難しく
なるという問題を有している。更に多層配線板の薄型
化、軽量化も要求されているが、通常ビルドアップ配線
板のコア層として使用しているガラスクロス入り銅張り
積層板は４００μｍ程度の厚みを有しており、また、ガ
ラスを用いているため重く、上記要求にそぐわない材料
であった。仮にこのガラスクロス入り銅張り積層板を用
いずに絶縁接着剤付き銅箔だけで多層板を作製した場
合、薄型化、軽量化は可能になるものの、充分な剛性が
無く、また絶縁接着剤に由来した大きな線膨張係数を示
し、何れも実装信頼性に欠ける点で使用に耐えるものに
はならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明が解決し
ようとする課題は、ビルドアップ配線板の製造に適した
積層体を提供することであり、更に詳しくはレーザード
リリングにより穴あけ加工が可能な銅を主成分とする導
体層を有し、高耐熱性、挟ピッチ配線パターン、小径ヴ
ィア、均一な絶縁層厚み、適度に低い線膨張係数を有す
る多層プリント配線板を実現する積層体を提供すること
にある。
ようとする課題は、ビルドアップ配線板の製造に適した
積層体を提供することであり、更に詳しくはレーザード
リリングにより穴あけ加工が可能な銅を主成分とする導
体層を有し、高耐熱性、挟ピッチ配線パターン、小径ヴ
ィア、均一な絶縁層厚み、適度に低い線膨張係数を有す
る多層プリント配線板を実現する積層体を提供すること
にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究の
結果、以下に示す積層体により上記の課題を解決できる
ことを見出し本発明に至った。 １） ポリイミドフィルムの一方の全面に銅を主成分と
する導体層を有し、他面側に接着層を有する積層体にお
いて、前記積層体を構成する、導体層、ポリイミドフィ
ルムおよび接着剤層の全材料が、レーザードリリング装
置によって一括に穴をあけることができることを特徴と
する積層体。 ２） 前記レーザードリリング装置が、炭酸ガスレーザ
ードリリング装置である１）記載の積層体。 ３） ポリイミドフィルムの線膨張係数が、２．０×１
０-5／℃以下であることを特徴とする１）または２）に
記載の積層体。 ４） 接着層が、熱硬化性樹脂を含有する樹脂組成物か
らなることを特徴とする１）ないし３）記載の積層体。 ５） 導体層が黒化処理されていることを特徴とする
１）ないし４）に記載の積層体。 ６） 導体層として、レーザードリリング装置によって
穴をあけることができる銅箔を用いることを特徴とする
１）ないし４）に記載の積層体。 ７） 前記レーザードリリング装置が、炭酸ガスレーザ
ードリリング装置である６）記載の積層体。 ８） １）ないし７）に記載する積層体を用いた多層配
線板。
結果、以下に示す積層体により上記の課題を解決できる
ことを見出し本発明に至った。 １） ポリイミドフィルムの一方の全面に銅を主成分と
する導体層を有し、他面側に接着層を有する積層体にお
いて、前記積層体を構成する、導体層、ポリイミドフィ
ルムおよび接着剤層の全材料が、レーザードリリング装
置によって一括に穴をあけることができることを特徴と
する積層体。 ２） 前記レーザードリリング装置が、炭酸ガスレーザ
ードリリング装置である１）記載の積層体。 ３） ポリイミドフィルムの線膨張係数が、２．０×１
０-5／℃以下であることを特徴とする１）または２）に
記載の積層体。 ４） 接着層が、熱硬化性樹脂を含有する樹脂組成物か
らなることを特徴とする１）ないし３）記載の積層体。 ５） 導体層が黒化処理されていることを特徴とする
１）ないし４）に記載の積層体。 ６） 導体層として、レーザードリリング装置によって
穴をあけることができる銅箔を用いることを特徴とする
１）ないし４）に記載の積層体。 ７） 前記レーザードリリング装置が、炭酸ガスレーザ
ードリリング装置である６）記載の積層体。 ８） １）ないし７）に記載する積層体を用いた多層配
線板。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の積層体は、ポリイミドフ
ィルムの一方の全面に銅を主成分とする導体層を有し、
他面側に接着剤層を有しており、これを構成する全材料
がレーザードリリング装置で一括穴あけ可能である。本
発明の積層体を用いてビルドアップ配線板を作成した場
合、ポリイミドフィルムは接着剤層とともに絶縁層を形
成するので、絶縁層が極端に薄くなるのを防いで、均一
な絶縁層厚みを実現する。
ィルムの一方の全面に銅を主成分とする導体層を有し、
他面側に接着剤層を有しており、これを構成する全材料
がレーザードリリング装置で一括穴あけ可能である。本
発明の積層体を用いてビルドアップ配線板を作成した場
合、ポリイミドフィルムは接着剤層とともに絶縁層を形
成するので、絶縁層が極端に薄くなるのを防いで、均一
な絶縁層厚みを実現する。
【０００７】ここで、ポリイミドフィルムの引張弾性率
は、本発明の積層体および該積層体を用いて得られるビ
ルトアップ配線板に十分な剛性を付与するために、５Ｇ
Ｐａ以上が好ましく、６ＧＰａ以上がより好ましい。
は、本発明の積層体および該積層体を用いて得られるビ
ルトアップ配線板に十分な剛性を付与するために、５Ｇ
Ｐａ以上が好ましく、６ＧＰａ以上がより好ましい。
【０００８】また、小径ヴィアの形成のためにポリイミ
ドフィルムの厚みは５０μｍ以下が好ましく、より好ま
しくは３５μｍ以下、２５μｍ以下が更に好ましい。
ドフィルムの厚みは５０μｍ以下が好ましく、より好ま
しくは３５μｍ以下、２５μｍ以下が更に好ましい。
【０００９】更に、ビルトアップ配線板加工時には熱的
な安定性が求められるので、寸法安定性としては２．０
×１０-5／℃以下、より好ましくは１．５×１０-5／℃
以下、更に好ましくは１．０×１０-5／℃以下の線膨張
係数を有するポリイミドフィルムが望ましく、また、加
工時の熱によって膨れ等の欠陥が発生しないように、低
吸水率のポリイミドフィルムが望ましい。ＡＳＴＭ−Ｄ
５７０に準じて測定したポリイミドフィルムの吸水率
は、同一組成でも厚みによって左右されるが、厚み２５
μmのフィルムの吸水率が、好ましくは１．５％以下、
より好ましくは１．２％以下となる組成からなるポリイ
ミドフィルムが望ましい。
な安定性が求められるので、寸法安定性としては２．０
×１０-5／℃以下、より好ましくは１．５×１０-5／℃
以下、更に好ましくは１．０×１０-5／℃以下の線膨張
係数を有するポリイミドフィルムが望ましく、また、加
工時の熱によって膨れ等の欠陥が発生しないように、低
吸水率のポリイミドフィルムが望ましい。ＡＳＴＭ−Ｄ
５７０に準じて測定したポリイミドフィルムの吸水率
は、同一組成でも厚みによって左右されるが、厚み２５
μmのフィルムの吸水率が、好ましくは１．５％以下、
より好ましくは１．２％以下となる組成からなるポリイ
ミドフィルムが望ましい。
【００１０】また、ポリイミドフィルムは非熱可塑性の
ポリイミドフィルムであることが好ましい。
ポリイミドフィルムであることが好ましい。
【００１１】次にポリイミドフィルムの製造方法につい
て説明する。ポリイミドフィルムは、その前駆体である
ポリアミド酸重合体溶液から得られるが、このポリアミ
ド酸重合体溶液は、公知の方法で製造することができ
る。すなわち、１種または２種以上のテトラカルボン酸
二無水物成分と１種または２種以上のジアミン成分を実
質等モル使用し、有機極性溶媒中で重合してポリアミド
酸重合体溶液が得られる。
て説明する。ポリイミドフィルムは、その前駆体である
ポリアミド酸重合体溶液から得られるが、このポリアミ
ド酸重合体溶液は、公知の方法で製造することができ
る。すなわち、１種または２種以上のテトラカルボン酸
二無水物成分と１種または２種以上のジアミン成分を実
質等モル使用し、有機極性溶媒中で重合してポリアミド
酸重合体溶液が得られる。
【００１２】ポリイミドフィルムの製造に用いられる代
表的なテトラカルボン酸二無水物成分としては、ピロメ
リット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，４，
５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，
３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
４，４’−オキシジフタル酸無水物、３，３’，４，
４’−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無
水物、３，３’，４，４’−テトラフェニルシランテト
ラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−フランテトラ
カルボン酸二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン二無水物、４，
４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水
物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸
モノエステル無水物）、ｐ−フェニレンジフタル酸無水
物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物等がある。
表的なテトラカルボン酸二無水物成分としては、ピロメ
リット酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，４，
５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，
３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
４，４’−オキシジフタル酸無水物、３，３’，４，
４’−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無
水物、３，３’，４，４’−テトラフェニルシランテト
ラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−フランテトラ
カルボン酸二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン二無水物、４，
４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水
物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリット酸
モノエステル無水物）、ｐ−フェニレンジフタル酸無水
物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物等がある。
【００１３】これらのテトラカルボン酸二無水物の中
で、引張弾性率が５ＧＰａ以上で線膨張係数が２．０×
１０-5／℃以下、吸水率が１．５％以下であるポリイミ
ドフィルムを得るための好ましい組み合わせを例示する
と、ピロメリット酸二無水物をテトラカルボン酸二無水
物の２０〜８０モル％、ｐ−フェニレンビス（トリメリ
ット酸モノエステル無水物）を８０〜２０モル％用いる
場合が挙げられる。より好ましくは、前者が３０〜７０
モル％で後者が７０〜３０モル％、特に好ましくは前者
が４０〜６０モル％で後者が６０〜４０モル％である。
なお、ここに記載したテトラカルボン酸二無水物の組み
合わせは本発明の積層体を構成するポリイミドフィルム
を得るための一具体例を示すものであり、これらの組み
合わせに限らず、用いるテトラカルボン酸二無水物の組
み合わせおよび使用比率を変えて、ポリイミドフィルム
の特性を調整することが可能である。
で、引張弾性率が５ＧＰａ以上で線膨張係数が２．０×
１０-5／℃以下、吸水率が１．５％以下であるポリイミ
ドフィルムを得るための好ましい組み合わせを例示する
と、ピロメリット酸二無水物をテトラカルボン酸二無水
物の２０〜８０モル％、ｐ−フェニレンビス（トリメリ
ット酸モノエステル無水物）を８０〜２０モル％用いる
場合が挙げられる。より好ましくは、前者が３０〜７０
モル％で後者が７０〜３０モル％、特に好ましくは前者
が４０〜６０モル％で後者が６０〜４０モル％である。
なお、ここに記載したテトラカルボン酸二無水物の組み
合わせは本発明の積層体を構成するポリイミドフィルム
を得るための一具体例を示すものであり、これらの組み
合わせに限らず、用いるテトラカルボン酸二無水物の組
み合わせおよび使用比率を変えて、ポリイミドフィルム
の特性を調整することが可能である。
【００１４】一方、ジアミン成分としては４，４’−ジ
アミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェ
ニルエーテル、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフ
ェニル）プロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベン
ゼン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）
スルフォン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル）スルフォン、４，４’−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ビフェニル、２，２−ビス（４−アミノフェノキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４、４’−ジア
ミノジフェニルスルフォン、３、３’−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、９、９−ビス（４−アミノフェニル）
フルオレン、ビスアミノフェノキシケトン、４、４’−
（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））
ビスアニリン、４、４’−（１，３−フェニレンビス
（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、メタフェニ
レンジアミン、パラフェニレンジアミン、ジアミノベン
ズアニリド、３、３’−ジメチル−４、４’−ジアミノ
ビフェニル、３、３’−ジメトキシ−４、４’−ジアミ
ノビフェニル等の芳香族ジアミン、あるいはその他の脂
肪族ジアミンを挙げることができる。
アミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェ
ニルエーテル、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフ
ェニル）プロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）
ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベン
ゼン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）
スルフォン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェ
ニル）スルフォン、４，４’−ビス（４−アミノフェノ
キシ）ビフェニル、２，２−ビス（４−アミノフェノキ
シフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４、４’−ジア
ミノジフェニルスルフォン、３、３’−ジアミノジフェ
ニルスルフォン、９、９−ビス（４−アミノフェニル）
フルオレン、ビスアミノフェノキシケトン、４、４’−
（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））
ビスアニリン、４、４’−（１，３−フェニレンビス
（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、メタフェニ
レンジアミン、パラフェニレンジアミン、ジアミノベン
ズアニリド、３、３’−ジメチル−４、４’−ジアミノ
ビフェニル、３、３’−ジメトキシ−４、４’−ジアミ
ノビフェニル等の芳香族ジアミン、あるいはその他の脂
肪族ジアミンを挙げることができる。
【００１５】これらのジアミン成分の中で、引張弾性率
が５ＧＰａ以上で線膨張係数が２．０×１０-5／℃以
下、吸水率が１．５％以下であるポリイミドフィルムを
得るための好ましい組み合わせを例示すると、パラフェ
ニレンジアミンまたはジアミノベンズアニリドをジアミ
ン成分の２０〜８０モル％、４，４’−ジアミノジフェ
ニルエーテルを８０〜２０モル％用いる場合が挙げられ
る。より好ましくは、前者が３０〜７０モル％で後者が
７０〜３０モル％、特に好ましくは前者が４０〜６０モ
ル％で後者が６０〜４０モル％である。なお、ここに記
載したジアミン成分の組み合わせは本発明の積層体を構
成するポリイミドフィルムを得るための一具体例を示す
ものであり、これらの組み合わせに限らず、用いるジア
ミン成分の組み合わせおよび使用比率を変えて、ポリイ
ミドフィルムの特性を調整することが可能である。
が５ＧＰａ以上で線膨張係数が２．０×１０-5／℃以
下、吸水率が１．５％以下であるポリイミドフィルムを
得るための好ましい組み合わせを例示すると、パラフェ
ニレンジアミンまたはジアミノベンズアニリドをジアミ
ン成分の２０〜８０モル％、４，４’−ジアミノジフェ
ニルエーテルを８０〜２０モル％用いる場合が挙げられ
る。より好ましくは、前者が３０〜７０モル％で後者が
７０〜３０モル％、特に好ましくは前者が４０〜６０モ
ル％で後者が６０〜４０モル％である。なお、ここに記
載したジアミン成分の組み合わせは本発明の積層体を構
成するポリイミドフィルムを得るための一具体例を示す
ものであり、これらの組み合わせに限らず、用いるジア
ミン成分の組み合わせおよび使用比率を変えて、ポリイ
ミドフィルムの特性を調整することが可能である。
【００１６】本発明の積層体を構成するポリイミドフィ
ルムは、その前駆体であるポリアミド酸の重量平均分子
量は１００００〜１００００００であることが望まし
い。重量平均分子量が１００００未満ではできあがった
フィルムが脆くなる場合があり、一方、１００００００
を越えるとポリイミド前駆体であるポリアミド酸ワニス
の粘度が高くなりすぎ取扱いが難しくなるおそれがあ
る。
ルムは、その前駆体であるポリアミド酸の重量平均分子
量は１００００〜１００００００であることが望まし
い。重量平均分子量が１００００未満ではできあがった
フィルムが脆くなる場合があり、一方、１００００００
を越えるとポリイミド前駆体であるポリアミド酸ワニス
の粘度が高くなりすぎ取扱いが難しくなるおそれがあ
る。
【００１７】また、ポリアミド酸に各種の有機添加剤、
或は無機のフィラー類、或は各種の強化材を添加し、複
合化されたポリイミドフィルムとすることも可能であ
る。
或は無機のフィラー類、或は各種の強化材を添加し、複
合化されたポリイミドフィルムとすることも可能であ
る。
【００１８】ポリアミド酸共重合体の生成反応に使用さ
れる有機極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキ
シド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶
媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル
ホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなど
のアセトアミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、
フェノール、ｏ−、ｍ−、またはｐ−クレゾール、キシ
レノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフ
ェノール系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミ
ド、γ−ブチロラクトンなどをあげることができ、これ
らを単独または混合物として用いるのが望ましいが、更
にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の一部
使用も可能である。
れる有機極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキ
シド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶
媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル
ホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなど
のアセトアミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ−ビニル−２−ピロリドンなどのピロリドン系溶媒、
フェノール、ｏ−、ｍ−、またはｐ−クレゾール、キシ
レノール、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフ
ェノール系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミ
ド、γ−ブチロラクトンなどをあげることができ、これ
らを単独または混合物として用いるのが望ましいが、更
にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の一部
使用も可能である。
【００１９】また、このポリアミド酸共重合体は前記の
有機極性溶媒中に５〜４０重量％、好ましくは１０〜３
０重量％溶解されているのが取扱いの面から望ましい。
このポリアミド酸共重合体溶液から、ポリイミドフィル
ムを得るためには熱的に脱水する熱的方法、脱水剤を用
いる化学的方法のいずれを用いてもよいが、化学的方法
によると生成するポリイミドフィルムの伸び率や引張強
度等の機械特性がすぐれたものになるので好ましい。以
下に化学的方法によるポリイミドフィルムの作製につい
ての例を説明する。上記ポリアミド酸重合体またはその
溶液に化学量論以上の脱水剤と触媒量の第３級アミンを
加えた溶液をドラム或はエンドレスベルト上に流延また
は塗布して膜状とし、その膜を１５０℃以下の温度で約
５〜９０分間乾燥し、自己支持性のポリアミド酸の膜を
得る。ついで、これを支持体より引き剥し端部を固定す
る。その後約１００〜５００℃まで徐々に加熱すること
によりイミド化し、冷却後端部の固定を解放しポリイミ
ドフィルムを得る。ここで言う脱水剤としては、例えば
無水酢酸等の脂肪族酸無水物、無水安息香酸等の芳香族
酸無水物などが挙げられる。また触媒としては、例えば
トリエチルアミンなどの脂肪族第３級アミン類、ジメチ
ルアニリン等の芳香族第３級アミン類、ピリジン、ピコ
リン、イソキノリン等の複素環式第３級アミン類などが
挙げられる。また、ポリイミドフィルムは、導体層や接
着層との密着性を向上させる目的で各種表面処理を行う
ことができる。例えば、ポリイミドフィルム表面に熱硬
化性樹脂、熱可塑性樹脂、有機モノマー、カップリング
剤等の各種有機物をプライマーとして塗布する方法、金
属水酸化物、有機アルカリ等で表面処理する方法、プラ
ズマ処理、コロナ処理する方法、表面をグラフト化させ
る方法等、高分子フィルムの製造段階で表面処理する方
法等が挙げられ、これらを単独でまたは各種組み合わせ
でポリイミドフィルム表面の処理を行っても良い。ま
た、上記表面処理方法は他面側の接着層との密着性を改
善する事にも利用可能である。次に本発明の積層体を構
成する銅を主成分とする導体層について説明する。本発
明の積層体は、ポリイミドフィルムの一方の全面に銅を
主成分とする導体層を有し、この導体層はレーザードリ
リングにより穴あけ可能であり、従ってポリイミドフィ
ルム層、接着剤層と一括して穴あけすることが可能であ
る。特に、炭酸ガスレーザードリリングによって、銅を
主成分とする導体層に穴あけ可能とする為の具体的方法
としては、例えば、導体層表面の黒化処理を行い、炭酸
ガスレーザーの吸収率を上げる方法が挙げられるが、本
発明はこれに限定されるものでは無い。また、導体層を
銅を主成分とする金属箔の積層によって形成する場合に
は、炭酸ガスレーザーなどのレーザードリリングによっ
て、穴をあけることができる金属箔を用いることも可能
である。このような金属箔の例としては、例えば三井金
属製 Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ Ｍタイプが挙げられる。
導体層の厚みが厚すぎると導体層の内部で穴あけ加工が
止まってしまいポリイミドフィルム層、接着剤層まで穴
あけ出来ない為、厚みは１０μｍ以下、好ましくは５μ
ｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。かかる導体
層をポリイミドフィルムの一方の全面に形成する方法と
しては、金属箔を接着剤を介して貼合する方法や、メッ
キなどの方法によりポリイミドフィルムの表面に直接導
体層を形成する方法等が挙げられることができ本発明に
用いることが出来る。この中でメッキなどの方法により
ポリイミドフィルムの表面に直接形成された導体層は厚
みを薄くできるために、挟ピッチ回路パターンをエッチ
ング法により形成する際に有利である。この導体層は、
真空薄膜法、電解メッキ法、無電解メッキ法等の方法を
単独でまたは複数の方法を組み合わせることにより、高
分子フィルム表面に直接形成されることが好ましい。こ
こで真空薄膜法とは、スパッタリング、抵抗加熱式真空
蒸着、イオンビーム蒸着、電子線蒸着等が挙げられる。
金属導体の種類は銅を主成分としており、これ以外の成
分として導電性を有する金属であれば特に制限なく使用
することができ、一般的に使用されるＡｌ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ等金属を挙げることが出来る。また
これらの金属を組み合わせる、即ち金属下地層を設けた
後、別の金属種を下地層の上に設けることも可能であ
る。また、金属導体層の厚みは特に制限されるものでは
ない。また、導体層として銅箔を接着剤を介して貼り合
わせる場合の接着剤は公知の者を用いることが出来る
が、次に示す本発明の積層体を構成する接着剤を使用す
るのが好ましい。次に本発明の積層体を構成する接着層
について説明する。この接着層はポリイミドフィルムの
導体層が形成されている面とは逆の面に積層一体となっ
ており、本発明の積層体を加熱プレス、ロール加熱等の
方法により積層し多層板を作製する際に互いに接着する
機能を有しており、これにより内層回路は接着剤に埋め
込まれた形で強固に固定される。この目的のために用い
る接着剤は、近年の環境に対する配慮により生じている
鉛フリーの高融点半田への対応、回路パターンの挟ピッ
チ化に伴う導体抵抗の上昇に伴う基板温度の上昇への対
応を考慮して、高耐熱性であることが好ましい。厚み
は、回路パターン上に本発明の積層体を積層した際に、
回路パターンが接着層に埋め込まれるだけの厚みが好ま
しく、該回路パターンを形成する導体層の厚みに依存す
るが、導体層の厚み以上の接着剤層厚みを有しているこ
とが回路埋め込み性の点で好ましい。この接着層の樹脂
組成物は、上記要件を満たすものであれば特に種類を制
限されるものでなく、公知の多くの樹脂を適用でき、大
きくは（Ａ）熱可塑性樹脂を用いた熱融着性の接着剤、
（Ｂ）熱硬化樹脂の硬化反応を利用した硬化型の接着剤
に分けることができる。これらについて以下に説明す
る。（Ａ）接着剤に熱融着性を与える熱可塑性樹脂とし
ては、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエ
ーテルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリケトン系樹脂、ポリス
ルホン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、フッ素樹
脂、ポリアリレート樹脂、液晶ポリマー樹脂等が挙げら
れ、これらの１種または２種以上を適宜組合わせて本発
明の積層体の接着層として用いることが出来る。中でも
優れた耐熱性、電気信頼性等の観点より熱可塑性ポリイ
ミド樹脂を用いることが好ましい。ここで熱可塑性ポリ
イミド樹脂の製造方法について説明する。ポリイミド樹
脂はその前駆体であるポリアミド酸重合体溶液から得ら
れるが、このポリアミド酸重合体溶液は、公知の方法で
製造することができる。すなわち、テトラカルボン酸二
無水物成分とジアミン成分を実質等モル使用し、有機極
性溶媒中で重合して得られる。この熱可塑性ポリイミド
樹脂に用いられる酸二無水物は、酸二無水物であれば特
に限定されない。酸二無水物成分の例としては、ブタン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブ
タンテトラカルボン酸二無水物、１，３−ジメチル−
１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸、１，
２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二
無水物、３，５，６−トリカルボキシノルボナン−２−
酢酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフランテ
トラカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテト
ラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−
１，２−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ［２，２，
２］−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカル
ボン酸二無水物等の脂肪族または脂環式テトラカルボン
酸二無水物；ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、４，４’−オキシフタル酸無水物、３，
３’，４，４’−ジメチルジフェニルシランテトラカル
ボン酸二無水物、３，３‘，４，４’−テトラフェニル
シランテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−フ
ランテトラカルボン酸二無水物、４，４‘−ビス（３，
４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二
無水物、４，４‘−ビス（３，４−ジカルボキシフェノ
キシ）ジフェニルスルホン二無水物、４，４‘−ビス
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパ
ン二無水物、４，４‘−ヘキサフルオロイソプロピリデ
ンジフタル酸無水物、３，３’，４，４‘−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４‘−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フ
ェニルホスフィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレン
−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェニ
レン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス
（トリフェニルフタル酸）−４，４’−ジフェニルエー
テル二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，
４’−ジフェニルメタン二無水物等の芳香族テトラカル
ボン酸二無水物、２，２−ビス（４―ヒドロキシフェニ
ル）プロパンベンゾエートー３，３’，４，４’−テト
ラカルボン酸二無水物等を挙げることができるが、優れ
た熱融着性の発現のためには、２，２−ビス（４―ヒド
ロキシフェニル）プロパンベンゾエートー３，３’，
４，４’−テトラカルボン酸二無水物、４，４‘−ヘキ
サフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物、２，
３，３’，４‘−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、４，４’−オキシジフタル酸無水物、３，３’，
４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を
用いるのが好ましい。また、ジアミン成分としては４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、２，２−ビス（４−アミノフェ
ノキシフェニル）プロパン、１，４−ビス（４−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル）スルフォン、ビス（４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル）スルフォン、４，４’−ビス（４−アミ
ノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス（４−アミノ
フェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４、
４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３、３’−ジア
ミノジフェニルスルフォン、９、９−ビス（４−アミノ
フェニル）フルオレン、ビスアミノフェノキシケトン、
４、４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチ
リデン））ビスアニリン、４、４’−（１，３−フェニ
レンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン等を
挙げることができ、これらを単独で、または２種以上を
組合わせて用いることが出来る。
有機極性溶媒中に５〜４０重量％、好ましくは１０〜３
０重量％溶解されているのが取扱いの面から望ましい。
このポリアミド酸共重合体溶液から、ポリイミドフィル
ムを得るためには熱的に脱水する熱的方法、脱水剤を用
いる化学的方法のいずれを用いてもよいが、化学的方法
によると生成するポリイミドフィルムの伸び率や引張強
度等の機械特性がすぐれたものになるので好ましい。以
下に化学的方法によるポリイミドフィルムの作製につい
ての例を説明する。上記ポリアミド酸重合体またはその
溶液に化学量論以上の脱水剤と触媒量の第３級アミンを
加えた溶液をドラム或はエンドレスベルト上に流延また
は塗布して膜状とし、その膜を１５０℃以下の温度で約
５〜９０分間乾燥し、自己支持性のポリアミド酸の膜を
得る。ついで、これを支持体より引き剥し端部を固定す
る。その後約１００〜５００℃まで徐々に加熱すること
によりイミド化し、冷却後端部の固定を解放しポリイミ
ドフィルムを得る。ここで言う脱水剤としては、例えば
無水酢酸等の脂肪族酸無水物、無水安息香酸等の芳香族
酸無水物などが挙げられる。また触媒としては、例えば
トリエチルアミンなどの脂肪族第３級アミン類、ジメチ
ルアニリン等の芳香族第３級アミン類、ピリジン、ピコ
リン、イソキノリン等の複素環式第３級アミン類などが
挙げられる。また、ポリイミドフィルムは、導体層や接
着層との密着性を向上させる目的で各種表面処理を行う
ことができる。例えば、ポリイミドフィルム表面に熱硬
化性樹脂、熱可塑性樹脂、有機モノマー、カップリング
剤等の各種有機物をプライマーとして塗布する方法、金
属水酸化物、有機アルカリ等で表面処理する方法、プラ
ズマ処理、コロナ処理する方法、表面をグラフト化させ
る方法等、高分子フィルムの製造段階で表面処理する方
法等が挙げられ、これらを単独でまたは各種組み合わせ
でポリイミドフィルム表面の処理を行っても良い。ま
た、上記表面処理方法は他面側の接着層との密着性を改
善する事にも利用可能である。次に本発明の積層体を構
成する銅を主成分とする導体層について説明する。本発
明の積層体は、ポリイミドフィルムの一方の全面に銅を
主成分とする導体層を有し、この導体層はレーザードリ
リングにより穴あけ可能であり、従ってポリイミドフィ
ルム層、接着剤層と一括して穴あけすることが可能であ
る。特に、炭酸ガスレーザードリリングによって、銅を
主成分とする導体層に穴あけ可能とする為の具体的方法
としては、例えば、導体層表面の黒化処理を行い、炭酸
ガスレーザーの吸収率を上げる方法が挙げられるが、本
発明はこれに限定されるものでは無い。また、導体層を
銅を主成分とする金属箔の積層によって形成する場合に
は、炭酸ガスレーザーなどのレーザードリリングによっ
て、穴をあけることができる金属箔を用いることも可能
である。このような金属箔の例としては、例えば三井金
属製 Ｍｉｃｒｏ Ｔｈｉｎ Ｍタイプが挙げられる。
導体層の厚みが厚すぎると導体層の内部で穴あけ加工が
止まってしまいポリイミドフィルム層、接着剤層まで穴
あけ出来ない為、厚みは１０μｍ以下、好ましくは５μ
ｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。かかる導体
層をポリイミドフィルムの一方の全面に形成する方法と
しては、金属箔を接着剤を介して貼合する方法や、メッ
キなどの方法によりポリイミドフィルムの表面に直接導
体層を形成する方法等が挙げられることができ本発明に
用いることが出来る。この中でメッキなどの方法により
ポリイミドフィルムの表面に直接形成された導体層は厚
みを薄くできるために、挟ピッチ回路パターンをエッチ
ング法により形成する際に有利である。この導体層は、
真空薄膜法、電解メッキ法、無電解メッキ法等の方法を
単独でまたは複数の方法を組み合わせることにより、高
分子フィルム表面に直接形成されることが好ましい。こ
こで真空薄膜法とは、スパッタリング、抵抗加熱式真空
蒸着、イオンビーム蒸着、電子線蒸着等が挙げられる。
金属導体の種類は銅を主成分としており、これ以外の成
分として導電性を有する金属であれば特に制限なく使用
することができ、一般的に使用されるＡｌ、Ｃｒ、Ｎ
ｉ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ等金属を挙げることが出来る。また
これらの金属を組み合わせる、即ち金属下地層を設けた
後、別の金属種を下地層の上に設けることも可能であ
る。また、金属導体層の厚みは特に制限されるものでは
ない。また、導体層として銅箔を接着剤を介して貼り合
わせる場合の接着剤は公知の者を用いることが出来る
が、次に示す本発明の積層体を構成する接着剤を使用す
るのが好ましい。次に本発明の積層体を構成する接着層
について説明する。この接着層はポリイミドフィルムの
導体層が形成されている面とは逆の面に積層一体となっ
ており、本発明の積層体を加熱プレス、ロール加熱等の
方法により積層し多層板を作製する際に互いに接着する
機能を有しており、これにより内層回路は接着剤に埋め
込まれた形で強固に固定される。この目的のために用い
る接着剤は、近年の環境に対する配慮により生じている
鉛フリーの高融点半田への対応、回路パターンの挟ピッ
チ化に伴う導体抵抗の上昇に伴う基板温度の上昇への対
応を考慮して、高耐熱性であることが好ましい。厚み
は、回路パターン上に本発明の積層体を積層した際に、
回路パターンが接着層に埋め込まれるだけの厚みが好ま
しく、該回路パターンを形成する導体層の厚みに依存す
るが、導体層の厚み以上の接着剤層厚みを有しているこ
とが回路埋め込み性の点で好ましい。この接着層の樹脂
組成物は、上記要件を満たすものであれば特に種類を制
限されるものでなく、公知の多くの樹脂を適用でき、大
きくは（Ａ）熱可塑性樹脂を用いた熱融着性の接着剤、
（Ｂ）熱硬化樹脂の硬化反応を利用した硬化型の接着剤
に分けることができる。これらについて以下に説明す
る。（Ａ）接着剤に熱融着性を与える熱可塑性樹脂とし
ては、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエ
ーテルイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリケトン系樹脂、ポリス
ルホン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、フッ素樹
脂、ポリアリレート樹脂、液晶ポリマー樹脂等が挙げら
れ、これらの１種または２種以上を適宜組合わせて本発
明の積層体の接着層として用いることが出来る。中でも
優れた耐熱性、電気信頼性等の観点より熱可塑性ポリイ
ミド樹脂を用いることが好ましい。ここで熱可塑性ポリ
イミド樹脂の製造方法について説明する。ポリイミド樹
脂はその前駆体であるポリアミド酸重合体溶液から得ら
れるが、このポリアミド酸重合体溶液は、公知の方法で
製造することができる。すなわち、テトラカルボン酸二
無水物成分とジアミン成分を実質等モル使用し、有機極
性溶媒中で重合して得られる。この熱可塑性ポリイミド
樹脂に用いられる酸二無水物は、酸二無水物であれば特
に限定されない。酸二無水物成分の例としては、ブタン
テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブ
タンテトラカルボン酸二無水物、１，３−ジメチル−
１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸、１，
２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水
物、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二
無水物、３，５，６−トリカルボキシノルボナン−２−
酢酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフランテ
トラカルボン酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテト
ラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−
１，２−ジカルボン酸二無水物、ビシクロ［２，２，
２］−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカル
ボン酸二無水物等の脂肪族または脂環式テトラカルボン
酸二無水物；ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，
４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，
３’，４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、４，４’−オキシフタル酸無水物、３，
３’，４，４’−ジメチルジフェニルシランテトラカル
ボン酸二無水物、３，３‘，４，４’−テトラフェニル
シランテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−フ
ランテトラカルボン酸二無水物、４，４‘−ビス（３，
４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二
無水物、４，４‘−ビス（３，４−ジカルボキシフェノ
キシ）ジフェニルスルホン二無水物、４，４‘−ビス
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパ
ン二無水物、４，４‘−ヘキサフルオロイソプロピリデ
ンジフタル酸無水物、３，３’，４，４‘−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４‘−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フ
ェニルホスフィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレン
−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェニ
レン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス
（トリフェニルフタル酸）−４，４’−ジフェニルエー
テル二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４，
４’−ジフェニルメタン二無水物等の芳香族テトラカル
ボン酸二無水物、２，２−ビス（４―ヒドロキシフェニ
ル）プロパンベンゾエートー３，３’，４，４’−テト
ラカルボン酸二無水物等を挙げることができるが、優れ
た熱融着性の発現のためには、２，２−ビス（４―ヒド
ロキシフェニル）プロパンベンゾエートー３，３’，
４，４’−テトラカルボン酸二無水物、４，４‘−ヘキ
サフルオロイソプロピリデンジフタル酸無水物、２，
３，３’，４‘−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、４，４’−オキシジフタル酸無水物、３，３’，
４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を
用いるのが好ましい。また、ジアミン成分としては４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミ
ノジフェニルエーテル、２，２−ビス（４−アミノフェ
ノキシフェニル）プロパン、１，４−ビス（４−アミノ
フェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキ
シ）ベンゼン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル）スルフォン、ビス（４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル）スルフォン、４，４’−ビス（４−アミ
ノフェノキシ）ビフェニル、２，２−ビス（４−アミノ
フェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４、
４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３、３’−ジア
ミノジフェニルスルフォン、９、９−ビス（４−アミノ
フェニル）フルオレン、ビスアミノフェノキシケトン、
４、４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチ
リデン））ビスアニリン、４、４’−（１，３−フェニ
レンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン等を
挙げることができ、これらを単独で、または２種以上を
組合わせて用いることが出来る。
【００２０】ポリアミド酸溶液の生成反応に用いられる
有機極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシ
ド、ジエチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホル
ムアミド等のホルムアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアセト
アミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニ
ル−２−ピロリドン等のピロリドン系溶媒、フェノー
ル、ｏ−、ｍ−、またはｐ−クレゾール、キシレノー
ル、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノー
ル系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−
ブチロラクトンなどを挙げることができる。更に必要に
応じて、これらの有機極性溶媒とはキシレン、トルエン
のような芳香族炭化水素とを組み合わせて用いることも
できる。上記で得られたポリアミド酸重合体溶液を、熱
的または化学的方法により脱水閉環し、熱可塑性ポリイ
ミド樹脂を得るが、ポリアミド酸溶液を熱処理して脱水
する熱的方法、脱水剤を用いて脱水する化学的方法のい
ずれも用いられる。熱的に脱水閉環する方法として、上
記ポリアミド酸溶液を加熱処理によりイミド化反応を進
行させると同時に溶媒を蒸発させる等により行う方法を
例示することができ、固形の熱可塑性ポリイミド樹脂を
得ることが出来る。加熱の条件は特に限定されないが、
２００℃以下の温度で約５分〜１２０分の時間の範囲で
行うのが好ましい。また化学的に脱水閉環する方法とし
て、上記ポリアミド酸溶液に化学両論以上の脱水剤と触
媒を加えることにより脱水反応と有機溶媒を蒸発させる
等により行う方法を例示することができ、固形の熱可塑
性ポリイミド樹脂を得ることが出来る。化学的方法によ
る脱水剤としては、例えば無水酢酸等の脂肪族酸無水
物、無水安息香酸等の芳香族酸無水物などが挙げられ
る。また触媒としては、例えばトリエチルアミンなどの
脂肪族第３級アミン類、ジメチルアニリン等の芳香族第
３級アミン類、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリ
ン、γ−ピコリン、イソキノリン等の複素環式第３級ア
ミン類などが挙げられる。化学的に脱水閉環する際の条
件は１００℃以下の温度が好ましく、有機溶媒の蒸発
は、２００℃以下の温度で約５分〜１２０分の時間の範
囲内で行うのが好ましい。また、熱可塑性ポリイミド樹
脂を得るための別の方法として上記の熱的または化学的
に脱水閉環する方法において溶媒の蒸発を行わずに熱的
イミド化処理または脱水剤による化学的イミド化処理を
行って得られるポリイミド樹脂溶液を貧溶媒中に投入し
て、ポリイミド樹脂を析出させ、未反応モノマーを取り
除いて精製、乾燥させ固形のポリイミド樹脂を得ること
もできる。貧溶媒としては、溶媒とは良好に混合するが
ポリイミドは溶解しにくい性質を有するものを選択し、
例示すると、アセトン、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、ベンゼン、メチルセロソルブ、メチルエ
チルケトン等が挙げられるがこれに限定されない。これ
らの方法により熱可塑性ポリイミド樹脂を得ることがで
き、本発明の積層体の接着層として用いることができ
る。次に（Ｂ）熱硬化樹脂の硬化反応を利用した硬化型
の接着剤に関して説明する。熱硬化型樹脂としてはビス
マレイミド樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、フェノー
ル樹脂、シアナート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、トリアジン樹脂、ヒドロシリル硬
化樹脂、アリル硬化樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等を
挙げることができ、これらを単独または適宜組み合わせ
て用いることができる。また、上記熱硬化性樹脂以外に
高分子鎖の側鎖または末端にエポキシ基、アリル基、ビ
ニル基、アルコキシシリル基、ヒドロシリル基等の反応
性基を有する側鎖反応性基型熱硬化性高分子を熱硬化成
分として使用することも可能である。ここで、ポリイミ
ド骨格の側鎖に反応性基を有する側鎖反応性基型熱硬化
性ポリイミド樹脂は耐熱性に優れ、本発明の接着層とし
て好ましい。以下に側鎖反応性基型熱硬化性ポリイミド
樹脂について説明する。具体的製法例としては、既に
述べた熱可塑性ポリイミド樹脂に準じた方法で製造さ
れ、この際にエポキシ基、ビニル基、アリル基、メタク
リル基、アクリル基、アルコキシシリル基、ヒドロシリ
ル基、カルボキシル基、水酸基、シアノ基等の官能基有
するジアミン成分、酸二無水物成分をモノマー成分とし
て用い熱硬化型ポリイミドを得る方法、水酸基、カル
ボキシル基、芳香族ハロゲン基等を有する溶媒可溶性ポ
リイミドを既に述べた熱可塑性ポリイミド樹脂の製法に
準じて製造した後、エポキシ基、ビニル基、アリル基、
メタクリル基、アクリル基、アルコキシシリル基、ヒド
ロシリル基、カルボキシル基、水酸基、シアノ基等の官
能基を化学反応により付与する方法等により、熱硬化性
ポリイミド樹脂を得ることも可能である。熱硬化性樹脂
に対し、さらに有機過酸化物等のラジカル反応開始剤、
反応促進剤、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソ
シアヌレート等の架橋助剤、耐熱性、接着性等の向上の
ため、必要に応じて、酸二無水物系、アミン系、イミダ
ゾール系等の一般に用いられるエポキシ硬化剤、種々の
カップリング剤等を適宜添加することも可能である。ま
た、加熱接着時の接着層の流れ性を制御する目的で前記
熱可塑性樹脂に熱硬化性樹脂を混合する事も可能であ
り、熱可塑性樹脂１００重量部に対して、熱硬化性樹脂
を１〜１００００重量部、好ましくは５〜２０００重量
部加えるのが望ましい。以下、ポリイミドフィルムの導
体層が形成された面とは反対側面に接着層を形成する具
体例を示すが本発明はこれに限定されるものではない。
まず、接着層を形成する樹脂組成物を溶媒に溶解し樹脂
溶液を得た後、ポリイミドフィルムの導体層が形成され
た面とは反対側面に塗布後乾燥する。あるいは、上記の
ようにして得た樹脂溶液を支持体上にキャストし、溶媒
を取り除きシートとした後、導体層が形成された面とは
反対側にポリイミドフィルムに貼り合わせて得ることも
できる。いずれの方法を採用するにしても接着層の形成
は、高分子フィルムの片面に既に導体層が形成されてい
ても良いし、接着層形成後に導体層を形成しても良い。
また本発明の積層体には表面を保護する目的で保護フィ
ルムを用いることも可能である。次に本発明の積層体を
用いた多層板の製造例を示す。両面に第１層回路を形
成したポリイミドフィルムの両面に本発明の積層体の
接着層面をポリイミドフィルムの導体層に対面させて熱
ラミネートまたは加熱プレスにより貼り合わせる。この
際の条件は接着層の種類により適切な条件を設定する。
次に第１層回路のランドの直上の導体層、ポリイミド
フィルム層、接着剤層を一括して穴あけし、第１層回路
のランドを底面とするヴィアホールを形成する。形成に
は炭酸ガスレーザーを用いる。ヴィアホールの形成後
必要に応じて、デスミア処理によりヴィア形状を整え
る。次に無電解メッキ等の方法によりヴィアホールの
導電化とパネルめっきを行う。続いて、本発明の積層
体の導体層をパターニング後エッチング処理して、新た
な回路を形成する。〜までの工程を繰り返すこと
により多層板を得ることができる。以上、本発明の積層
体を説明したが、本発明はこれらに限定されるものでは
なく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の知
識に基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で実
施できる。
有機極性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシ
ド、ジエチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホル
ムアミド等のホルムアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアセト
アミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニ
ル−２−ピロリドン等のピロリドン系溶媒、フェノー
ル、ｏ−、ｍ−、またはｐ−クレゾール、キシレノー
ル、ハロゲン化フェノール、カテコールなどのフェノー
ル系溶媒、あるいはヘキサメチルホスホルアミド、γ−
ブチロラクトンなどを挙げることができる。更に必要に
応じて、これらの有機極性溶媒とはキシレン、トルエン
のような芳香族炭化水素とを組み合わせて用いることも
できる。上記で得られたポリアミド酸重合体溶液を、熱
的または化学的方法により脱水閉環し、熱可塑性ポリイ
ミド樹脂を得るが、ポリアミド酸溶液を熱処理して脱水
する熱的方法、脱水剤を用いて脱水する化学的方法のい
ずれも用いられる。熱的に脱水閉環する方法として、上
記ポリアミド酸溶液を加熱処理によりイミド化反応を進
行させると同時に溶媒を蒸発させる等により行う方法を
例示することができ、固形の熱可塑性ポリイミド樹脂を
得ることが出来る。加熱の条件は特に限定されないが、
２００℃以下の温度で約５分〜１２０分の時間の範囲で
行うのが好ましい。また化学的に脱水閉環する方法とし
て、上記ポリアミド酸溶液に化学両論以上の脱水剤と触
媒を加えることにより脱水反応と有機溶媒を蒸発させる
等により行う方法を例示することができ、固形の熱可塑
性ポリイミド樹脂を得ることが出来る。化学的方法によ
る脱水剤としては、例えば無水酢酸等の脂肪族酸無水
物、無水安息香酸等の芳香族酸無水物などが挙げられ
る。また触媒としては、例えばトリエチルアミンなどの
脂肪族第３級アミン類、ジメチルアニリン等の芳香族第
３級アミン類、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリ
ン、γ−ピコリン、イソキノリン等の複素環式第３級ア
ミン類などが挙げられる。化学的に脱水閉環する際の条
件は１００℃以下の温度が好ましく、有機溶媒の蒸発
は、２００℃以下の温度で約５分〜１２０分の時間の範
囲内で行うのが好ましい。また、熱可塑性ポリイミド樹
脂を得るための別の方法として上記の熱的または化学的
に脱水閉環する方法において溶媒の蒸発を行わずに熱的
イミド化処理または脱水剤による化学的イミド化処理を
行って得られるポリイミド樹脂溶液を貧溶媒中に投入し
て、ポリイミド樹脂を析出させ、未反応モノマーを取り
除いて精製、乾燥させ固形のポリイミド樹脂を得ること
もできる。貧溶媒としては、溶媒とは良好に混合するが
ポリイミドは溶解しにくい性質を有するものを選択し、
例示すると、アセトン、メタノール、エタノール、イソ
プロパノール、ベンゼン、メチルセロソルブ、メチルエ
チルケトン等が挙げられるがこれに限定されない。これ
らの方法により熱可塑性ポリイミド樹脂を得ることがで
き、本発明の積層体の接着層として用いることができ
る。次に（Ｂ）熱硬化樹脂の硬化反応を利用した硬化型
の接着剤に関して説明する。熱硬化型樹脂としてはビス
マレイミド樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、フェノー
ル樹脂、シアナート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、メタクリル樹脂、トリアジン樹脂、ヒドロシリル硬
化樹脂、アリル硬化樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等を
挙げることができ、これらを単独または適宜組み合わせ
て用いることができる。また、上記熱硬化性樹脂以外に
高分子鎖の側鎖または末端にエポキシ基、アリル基、ビ
ニル基、アルコキシシリル基、ヒドロシリル基等の反応
性基を有する側鎖反応性基型熱硬化性高分子を熱硬化成
分として使用することも可能である。ここで、ポリイミ
ド骨格の側鎖に反応性基を有する側鎖反応性基型熱硬化
性ポリイミド樹脂は耐熱性に優れ、本発明の接着層とし
て好ましい。以下に側鎖反応性基型熱硬化性ポリイミド
樹脂について説明する。具体的製法例としては、既に
述べた熱可塑性ポリイミド樹脂に準じた方法で製造さ
れ、この際にエポキシ基、ビニル基、アリル基、メタク
リル基、アクリル基、アルコキシシリル基、ヒドロシリ
ル基、カルボキシル基、水酸基、シアノ基等の官能基有
するジアミン成分、酸二無水物成分をモノマー成分とし
て用い熱硬化型ポリイミドを得る方法、水酸基、カル
ボキシル基、芳香族ハロゲン基等を有する溶媒可溶性ポ
リイミドを既に述べた熱可塑性ポリイミド樹脂の製法に
準じて製造した後、エポキシ基、ビニル基、アリル基、
メタクリル基、アクリル基、アルコキシシリル基、ヒド
ロシリル基、カルボキシル基、水酸基、シアノ基等の官
能基を化学反応により付与する方法等により、熱硬化性
ポリイミド樹脂を得ることも可能である。熱硬化性樹脂
に対し、さらに有機過酸化物等のラジカル反応開始剤、
反応促進剤、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソ
シアヌレート等の架橋助剤、耐熱性、接着性等の向上の
ため、必要に応じて、酸二無水物系、アミン系、イミダ
ゾール系等の一般に用いられるエポキシ硬化剤、種々の
カップリング剤等を適宜添加することも可能である。ま
た、加熱接着時の接着層の流れ性を制御する目的で前記
熱可塑性樹脂に熱硬化性樹脂を混合する事も可能であ
り、熱可塑性樹脂１００重量部に対して、熱硬化性樹脂
を１〜１００００重量部、好ましくは５〜２０００重量
部加えるのが望ましい。以下、ポリイミドフィルムの導
体層が形成された面とは反対側面に接着層を形成する具
体例を示すが本発明はこれに限定されるものではない。
まず、接着層を形成する樹脂組成物を溶媒に溶解し樹脂
溶液を得た後、ポリイミドフィルムの導体層が形成され
た面とは反対側面に塗布後乾燥する。あるいは、上記の
ようにして得た樹脂溶液を支持体上にキャストし、溶媒
を取り除きシートとした後、導体層が形成された面とは
反対側にポリイミドフィルムに貼り合わせて得ることも
できる。いずれの方法を採用するにしても接着層の形成
は、高分子フィルムの片面に既に導体層が形成されてい
ても良いし、接着層形成後に導体層を形成しても良い。
また本発明の積層体には表面を保護する目的で保護フィ
ルムを用いることも可能である。次に本発明の積層体を
用いた多層板の製造例を示す。両面に第１層回路を形
成したポリイミドフィルムの両面に本発明の積層体の
接着層面をポリイミドフィルムの導体層に対面させて熱
ラミネートまたは加熱プレスにより貼り合わせる。この
際の条件は接着層の種類により適切な条件を設定する。
次に第１層回路のランドの直上の導体層、ポリイミド
フィルム層、接着剤層を一括して穴あけし、第１層回路
のランドを底面とするヴィアホールを形成する。形成に
は炭酸ガスレーザーを用いる。ヴィアホールの形成後
必要に応じて、デスミア処理によりヴィア形状を整え
る。次に無電解メッキ等の方法によりヴィアホールの
導電化とパネルめっきを行う。続いて、本発明の積層
体の導体層をパターニング後エッチング処理して、新た
な回路を形成する。〜までの工程を繰り返すこと
により多層板を得ることができる。以上、本発明の積層
体を説明したが、本発明はこれらに限定されるものでは
なく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、当業者の知
識に基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で実
施できる。
【００２１】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００２２】実施例中、ＯＤＡは４，４’−ジアミノジ
フェニルエーテル、ｐ−ＰＤＡはパラフェニレンジアミ
ン、ＢＡＰＳ−Ｍはビス（４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル）スルフォン、ＤＡＢＡは、４，４‘−ジ
アミノベンズアニリド、ＰＭＤＡはピロメリット酸二無
水物、ＴＭＨＱはｐ−フェニレンビス（トリメリット酸
モノエステル無水物）、ＥＳＤＡは２，２−ビス（４―
ヒドロキシフェニル）プロパンベンゾエートー３，
３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物、ＤＭＦは
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを表す。
フェニルエーテル、ｐ−ＰＤＡはパラフェニレンジアミ
ン、ＢＡＰＳ−Ｍはビス（４−（３−アミノフェノキ
シ）フェニル）スルフォン、ＤＡＢＡは、４，４‘−ジ
アミノベンズアニリド、ＰＭＤＡはピロメリット酸二無
水物、ＴＭＨＱはｐ−フェニレンビス（トリメリット酸
モノエステル無水物）、ＥＳＤＡは２，２−ビス（４―
ヒドロキシフェニル）プロパンベンゾエートー３，
３’，４，４’−テトラカルボン酸二無水物、ＤＭＦは
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを表す。
【００２３】ポリイミドフィルムの特性測定方法は以下
の通りである。
の通りである。
【００２４】（線膨張係数） １０℃／ｍｉｎの昇降温
速度にて室温〜４００℃の加熱と冷却とを窒素気流下で
繰り返し、２回目昇温時の１００〜２００℃での平均線
膨張係数を測定した。測定機器としては理学電気製ＴＭ
Ａ８１４０を使用した。
速度にて室温〜４００℃の加熱と冷却とを窒素気流下で
繰り返し、２回目昇温時の１００〜２００℃での平均線
膨張係数を測定した。測定機器としては理学電気製ＴＭ
Ａ８１４０を使用した。
【００２５】（引張弾性率） 引張弾性率は、ＡＳＴＭ
Ｄ８８２の方法によった。
Ｄ８８２の方法によった。
【００２６】（吸水率） ＡＳＴＮ Ｄ−５７０に準じ
て測定した。具体的には、フィルムを１５０℃で３０分
間乾燥させたものの重量をＷ1とし、２４時間蒸留水に
浸漬した後表面の水滴を拭き取ったものの重量をＷ2と
し、下記式により算出した。 吸水率（％）＝（Ｗ2−Ｗ1）÷Ｗ1×１００ （実施例１） （１）セパラブルフラスコにＤＭＦとｐ−ＰＤＡを１当
量、及びＯＤＡを１当量をとり、ジアミン化合物が完全
に溶解するまで室温でよく撹拌しその後、氷で冷却し
た。次に、ＴＭＨＱを１当量を加え、４０分冷却撹拌し
た。そして、ＰＭＤＡを１当量をＤＭＦに溶かし、徐々
に加え、このあと１時間冷却撹拌し、ポリアミド酸のＤ
ＭＦ溶液を得た。なおＤＭＦの使用量はジアミノ化合物
および芳香族テトラカルボン酸化合物のモノマー仕込濃
度が、１８重量％となるようにした。上記ポリアミド酸
溶液１００ｇに対して、無水酢酸１０ｇとイソキノリン
１０ｇを添加し均一に攪拌した後、脱泡を行い、ガラス
板上に流延塗布し、約１１０℃に約５分間乾燥後、ポリ
アミド酸塗膜をガラス板より剥し、揮発成分含量４０重
量％、イミド化率８５％の自己支持性を持つゲルフィル
ムを得た。このゲルフィルムをチタン濃度４００ｐｐｍ
のジヒドロキシチタンビスラクテート／１−ブタノール
溶液に１０秒間浸漬し、余分な液滴を除去した。さらに
このゲルフィルムをフレームに固定して、その後約２０
０℃で約１０分間、約３００℃で約１０分間、約４００
℃で約１０分間、約５００℃で約１０分間加熱し、脱水
閉環乾燥し、厚み約２５ミクロンのポリイミドフィルム
を得た。得られたポリイミドフィルムの引張弾性率が６
ＧＰａ、吸水率が１．２％、線膨張係数が１．０×１０
-5／℃であった。 （２）上記で得た耐熱性ポリイミドフィルムを（株）島
津製作所製マグネトロンスパッタ装置ＨＳＭ−７２０の
基板ホルダーに取りつけ４×１０-4Ｐａまで排気した。
その後Ａｒガスを流してマグネトロンスパッタ装置内を
０．６Ｐａの圧力に保った。この状態で銅ターゲットを
用い、電流値０．５ＡでＤＣ電源を用いてフィルムの片
面上に銅薄膜を０．１μｍ形成した。尚、薄膜形成前に
プレスパッタを１５分間行った。続いて電解メッキ法に
より２Ａ／ｄｍ2の電流を流しながら導体厚みが３μｍ
になるまで電解銅メッキを行った。続いて、電解銅メッ
キの表面を亜塩素酸ナトリウム４０ｇ／ｌ、水酸化ナト
リウム１０ｇ／ｌ、リン酸三ナトリウム１０ｇ／ｌの黒
化処理液中、９５℃、１分間処理を行い、水洗、乾燥を
行った。 （３） セパラブルフラスコにＤＭＦとＢＡＰＳ−Ｍを
１当量をとり、ＢＡＰＳ−Ｍが完全に溶解するまで室温
でよく撹拌しその後、氷で冷却した。次に、ＥＳＤＡ１
当量を加え、１時間冷却撹拌し、ポリアミド酸のＤＭＦ
溶液を得た。なおＤＭＦの使用量はジアミノ化合物およ
び芳香族テトラカルボン酸化合物のモノマー仕込濃度
が、３０重量％となるようにした。このポリアミド酸溶
液５００ｇに、β−ピコリン３５ｇ、無水酢酸６０ｇを
加え、１時間撹拌した後、さらに１００℃で１時間撹拌
し、イミド化させた。その後、高速で撹拌したメタノー
ル中にこの溶液を少しずつ投入し、糸状のポリイミド樹
脂を得た。１００℃で３０分乾燥後、ミキサーで粉砕
し、メタノールでソックスレー洗浄を行い、１００℃で
２時間乾燥させ、ポリイミド粉末を得た。 （４）上記で得たポリイミド粉末２０ｇ、ビスフェノー
ルＡ系のエポキシ樹脂；エピコート８２８（油化シェル
社製）５ｇ、硬化促進剤として２−エチル−４メチルイ
ミダゾール０．０１５ｇを８３ｇのＤＭＦに溶解した。
得られたワニスを（２）で得た片面に黒化処理を施した
導体層を持つ積層体のポリイミドフィルム面に流延し、
１００℃で１０分間乾燥後、さらに約１５０℃で約２０
分間乾燥し、厚み２５μｍの接着剤層を持つ本発明の積
層体を得た。 （５）多層配線板の製造 ポリイミドフィルムの両面に回路パターンを持つ回路
基板の両面に上記で得られた積層体を、接着層面が回路
パターン面に対向するよう重ね合わせプレス装置を用い
プレス条件２００℃ ３ＭＰａ ２時間により積層し
た。 次に、炭酸ガスレーザーにより第１層回路のランドを
底面とするビアホールを形成した。このヴィアホールは
良好な形状を有していた。 デスミア処理後、希塩酸で酸化膜を除去した後、無電
解メッキ、電解メッキを行った。 導体層をパターニング後エッチング処理して新たな回
路を形成し、各層厚みの均一な４層配線板を得た。 （実施例２） （１）実施例１の（１）で得たポリイミドフィルムの両
面に実施例１の（４）のポリイミド樹脂／エポキシ樹脂
からなるワニスを塗布し、１００℃で１０分間、１５０
℃で２０分間乾燥し、両面に厚み１０μｍの接着剤層を
有するポリイミド積層体を得た。 （２）続いてこの積層体の片面に三井金属製Ｍｉｃｒｏ
Ｔｈｉｎ Ｍタイプ（厚さ３μｍ）、残る片面に離型
フィルムを重ね合せプレス装置を用いプレス条件２００
℃、３ＭＰａ、１０分間で積層し本発明の積層体を得
た。 （３）多層配線板の製造 実施例１と同様の手順で内層板への積層、ビアホール形
成、めっき、パターニングを行い、各層厚みの均一な４
層配線板を得た。また、このとき形成されたヴィアホー
ルは良好な形状を有していた。
て測定した。具体的には、フィルムを１５０℃で３０分
間乾燥させたものの重量をＷ1とし、２４時間蒸留水に
浸漬した後表面の水滴を拭き取ったものの重量をＷ2と
し、下記式により算出した。 吸水率（％）＝（Ｗ2−Ｗ1）÷Ｗ1×１００ （実施例１） （１）セパラブルフラスコにＤＭＦとｐ−ＰＤＡを１当
量、及びＯＤＡを１当量をとり、ジアミン化合物が完全
に溶解するまで室温でよく撹拌しその後、氷で冷却し
た。次に、ＴＭＨＱを１当量を加え、４０分冷却撹拌し
た。そして、ＰＭＤＡを１当量をＤＭＦに溶かし、徐々
に加え、このあと１時間冷却撹拌し、ポリアミド酸のＤ
ＭＦ溶液を得た。なおＤＭＦの使用量はジアミノ化合物
および芳香族テトラカルボン酸化合物のモノマー仕込濃
度が、１８重量％となるようにした。上記ポリアミド酸
溶液１００ｇに対して、無水酢酸１０ｇとイソキノリン
１０ｇを添加し均一に攪拌した後、脱泡を行い、ガラス
板上に流延塗布し、約１１０℃に約５分間乾燥後、ポリ
アミド酸塗膜をガラス板より剥し、揮発成分含量４０重
量％、イミド化率８５％の自己支持性を持つゲルフィル
ムを得た。このゲルフィルムをチタン濃度４００ｐｐｍ
のジヒドロキシチタンビスラクテート／１−ブタノール
溶液に１０秒間浸漬し、余分な液滴を除去した。さらに
このゲルフィルムをフレームに固定して、その後約２０
０℃で約１０分間、約３００℃で約１０分間、約４００
℃で約１０分間、約５００℃で約１０分間加熱し、脱水
閉環乾燥し、厚み約２５ミクロンのポリイミドフィルム
を得た。得られたポリイミドフィルムの引張弾性率が６
ＧＰａ、吸水率が１．２％、線膨張係数が１．０×１０
-5／℃であった。 （２）上記で得た耐熱性ポリイミドフィルムを（株）島
津製作所製マグネトロンスパッタ装置ＨＳＭ−７２０の
基板ホルダーに取りつけ４×１０-4Ｐａまで排気した。
その後Ａｒガスを流してマグネトロンスパッタ装置内を
０．６Ｐａの圧力に保った。この状態で銅ターゲットを
用い、電流値０．５ＡでＤＣ電源を用いてフィルムの片
面上に銅薄膜を０．１μｍ形成した。尚、薄膜形成前に
プレスパッタを１５分間行った。続いて電解メッキ法に
より２Ａ／ｄｍ2の電流を流しながら導体厚みが３μｍ
になるまで電解銅メッキを行った。続いて、電解銅メッ
キの表面を亜塩素酸ナトリウム４０ｇ／ｌ、水酸化ナト
リウム１０ｇ／ｌ、リン酸三ナトリウム１０ｇ／ｌの黒
化処理液中、９５℃、１分間処理を行い、水洗、乾燥を
行った。 （３） セパラブルフラスコにＤＭＦとＢＡＰＳ−Ｍを
１当量をとり、ＢＡＰＳ−Ｍが完全に溶解するまで室温
でよく撹拌しその後、氷で冷却した。次に、ＥＳＤＡ１
当量を加え、１時間冷却撹拌し、ポリアミド酸のＤＭＦ
溶液を得た。なおＤＭＦの使用量はジアミノ化合物およ
び芳香族テトラカルボン酸化合物のモノマー仕込濃度
が、３０重量％となるようにした。このポリアミド酸溶
液５００ｇに、β−ピコリン３５ｇ、無水酢酸６０ｇを
加え、１時間撹拌した後、さらに１００℃で１時間撹拌
し、イミド化させた。その後、高速で撹拌したメタノー
ル中にこの溶液を少しずつ投入し、糸状のポリイミド樹
脂を得た。１００℃で３０分乾燥後、ミキサーで粉砕
し、メタノールでソックスレー洗浄を行い、１００℃で
２時間乾燥させ、ポリイミド粉末を得た。 （４）上記で得たポリイミド粉末２０ｇ、ビスフェノー
ルＡ系のエポキシ樹脂；エピコート８２８（油化シェル
社製）５ｇ、硬化促進剤として２−エチル−４メチルイ
ミダゾール０．０１５ｇを８３ｇのＤＭＦに溶解した。
得られたワニスを（２）で得た片面に黒化処理を施した
導体層を持つ積層体のポリイミドフィルム面に流延し、
１００℃で１０分間乾燥後、さらに約１５０℃で約２０
分間乾燥し、厚み２５μｍの接着剤層を持つ本発明の積
層体を得た。 （５）多層配線板の製造 ポリイミドフィルムの両面に回路パターンを持つ回路
基板の両面に上記で得られた積層体を、接着層面が回路
パターン面に対向するよう重ね合わせプレス装置を用い
プレス条件２００℃ ３ＭＰａ ２時間により積層し
た。 次に、炭酸ガスレーザーにより第１層回路のランドを
底面とするビアホールを形成した。このヴィアホールは
良好な形状を有していた。 デスミア処理後、希塩酸で酸化膜を除去した後、無電
解メッキ、電解メッキを行った。 導体層をパターニング後エッチング処理して新たな回
路を形成し、各層厚みの均一な４層配線板を得た。 （実施例２） （１）実施例１の（１）で得たポリイミドフィルムの両
面に実施例１の（４）のポリイミド樹脂／エポキシ樹脂
からなるワニスを塗布し、１００℃で１０分間、１５０
℃で２０分間乾燥し、両面に厚み１０μｍの接着剤層を
有するポリイミド積層体を得た。 （２）続いてこの積層体の片面に三井金属製Ｍｉｃｒｏ
Ｔｈｉｎ Ｍタイプ（厚さ３μｍ）、残る片面に離型
フィルムを重ね合せプレス装置を用いプレス条件２００
℃、３ＭＰａ、１０分間で積層し本発明の積層体を得
た。 （３）多層配線板の製造 実施例１と同様の手順で内層板への積層、ビアホール形
成、めっき、パターニングを行い、各層厚みの均一な４
層配線板を得た。また、このとき形成されたヴィアホー
ルは良好な形状を有していた。
【００２７】
【発明の効果】本発明の積層体は、多層プリント配線板
の製造に広く用いることが可能であり、炭酸ガスレーザ
ードリリング装置で一括して穴あけ加工でき、高耐熱
性、挟ピッチ配線パターン、小径ヴィア、均一な絶縁層
厚み、適度に低い線膨張係数を有する多層プリント配線
板を提供できる。
の製造に広く用いることが可能であり、炭酸ガスレーザ
ードリリング装置で一括して穴あけ加工でき、高耐熱
性、挟ピッチ配線パターン、小径ヴィア、均一な絶縁層
厚み、適度に低い線膨張係数を有する多層プリント配線
板を提供できる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ２３Ｋ 26/00 ３３０ Ｂ２３Ｋ 26/00 ３３０ Ｃ０８Ｌ 79:08 Ｃ０８Ｌ 79:08 Ｆターム(参考） 4E068 AF00 DA11 DB10 4F071 AA60 AF62Y BC01 BC02 4F100 AB17B AB17E AB33B AB33E AK01C AK01E AK49A AK49D AR00B AR00C AR00E BA03 BA05 BA07 BA10B BA10C EH71 EJ15 EJ33 EJ68B GB43 JA02 JA20A JA20D JB13C JB13E JG01B JG01E JJ03 JL11C JL11E 5E346 AA60 CC10 HH40
Claims (8)
- 【請求項１】 ポリイミドフィルムの一方の全面に銅を
主成分とする導体層を有し、他面側に接着層を有する積
層体において、前記積層体を構成する、導体層、ポリイ
ミドフィルムおよび接着剤層の全材料が、レーザードリ
リング装置によって一括に穴をあけることができること
を特徴とする積層体。 - 【請求項２】 前記レーザードリリング装置が、炭酸ガ
スレーザードリリング装置である請求項１記載の積層
体。 - 【請求項３】 ポリイミドフィルムの線膨張係数が、
２．０×１０-5／℃以下であることを特徴とする請求項
１または２に記載の積層体。 - 【請求項４】 接着層が、熱硬化性樹脂を含有する樹脂
組成物からなることを特徴とする請求項１ないし３記載
の積層体。 - 【請求項５】 導体層が黒化処理されていることを特徴
とする請求項１ないし４に記載の積層体。 - 【請求項６】 導体層として、レーザードリリング装置
によって穴をあけることができる銅箔を用いることを特
徴とする請求項１ないし４に記載の積層体。 - 【請求項７】 前記レーザードリリング装置が、炭酸ガ
スレーザードリリング装置である請求項６記載の積層
体。 - 【請求項８】請求項１ないし７に記載する積層体を用い
た、多層配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000316354A JP2002124751A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | 積層体および多層配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000316354A JP2002124751A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | 積層体および多層配線板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124751A true JP2002124751A (ja) | 2002-04-26 |
Family
ID=18795315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000316354A Withdrawn JP2002124751A (ja) | 2000-10-17 | 2000-10-17 | 積層体および多層配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002124751A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294393B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-11-13 | Nec Corporation | Sheet material and wiring board |
| JP2008012916A (ja) * | 2006-06-08 | 2008-01-24 | Hitachi Via Mechanics Ltd | 複合シート、複合シートの加工方法、及びレーザ加工装置 |
-
2000
- 2000-10-17 JP JP2000316354A patent/JP2002124751A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294393B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-11-13 | Nec Corporation | Sheet material and wiring board |
| CN1756654B (zh) * | 2002-12-27 | 2011-05-11 | 日本电气株式会社 | 薄片材料及布线板 |
| JP2008012916A (ja) * | 2006-06-08 | 2008-01-24 | Hitachi Via Mechanics Ltd | 複合シート、複合シートの加工方法、及びレーザ加工装置 |
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