JP2002124394A - 閃光装置 - Google Patents
閃光装置Info
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- JP2002124394A JP2002124394A JP2000317883A JP2000317883A JP2002124394A JP 2002124394 A JP2002124394 A JP 2002124394A JP 2000317883 A JP2000317883 A JP 2000317883A JP 2000317883 A JP2000317883 A JP 2000317883A JP 2002124394 A JP2002124394 A JP 2002124394A
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- light emission
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- flat
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フラット発光時に、発光初期の放電管の不安
定期間においても安定した発光制御を行う。 【解決手段】 発光輝度の出力レベルが第1の値を超え
た時に発光を停止させ、輝度の出力レベルが、前記第1の
値よりも小さな第２の値より、小さくなると発光開始さ
せるフラット発光可能な閃光装置において、フラット発
光中に、上記第１の値と、上記第２の値を可変する。
定期間においても安定した発光制御を行う。 【解決手段】 発光輝度の出力レベルが第1の値を超え
た時に発光を停止させ、輝度の出力レベルが、前記第1の
値よりも小さな第２の値より、小さくなると発光開始さ
せるフラット発光可能な閃光装置において、フラット発
光中に、上記第１の値と、上記第２の値を可変する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フラット発光が可
能な閃光装置の改良に関するものである。
能な閃光装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、フォーカルプレーンシャッタ
ーがスリット露光する場合（高速シャッタ時）でもほぼ
均一な発光強度で発光を持続するフラット発光が可能な
閃光装置は知られている。又、撮影に先立ち、予備発光
をおこない、その後その測光結果に基づき、本発光を行
う閃光装置においての予備発光においても、予備発光の
測光精度等の関係でフラット発光を用いる装置は、特開
昭54-128734号公報に開示されている。この種の閃光装
置においては、フラット発光の光強度を発光開始から終
了まで一定に保つ必要があり、発光開始から終了まであ
る一定の値と光強度検出手段より出力される値を比較
し、発光制御を行っていた。又、予備発光時の光強度
は、省エネの観点からも小さい方が望まれている。
ーがスリット露光する場合（高速シャッタ時）でもほぼ
均一な発光強度で発光を持続するフラット発光が可能な
閃光装置は知られている。又、撮影に先立ち、予備発光
をおこない、その後その測光結果に基づき、本発光を行
う閃光装置においての予備発光においても、予備発光の
測光精度等の関係でフラット発光を用いる装置は、特開
昭54-128734号公報に開示されている。この種の閃光装
置においては、フラット発光の光強度を発光開始から終
了まで一定に保つ必要があり、発光開始から終了まであ
る一定の値と光強度検出手段より出力される値を比較
し、発光制御を行っていた。又、予備発光時の光強度
は、省エネの観点からも小さい方が望まれている。
【０００３】しかしながら、前記公知例における発光制
御回路では、発光強度が少ない状態においても、放電管
の放電電流をほぼ所定値に保つことは可能ではあるが、
発光開始初期段階において閃光放電管内の放電アークが
管全体に広がらず発光周波数が高くなり、発光制御回路
の素子の破壊を招いたり、発光強度が不安定になりやす
いという課題はあった。
御回路では、発光強度が少ない状態においても、放電管
の放電電流をほぼ所定値に保つことは可能ではあるが、
発光開始初期段階において閃光放電管内の放電アークが
管全体に広がらず発光周波数が高くなり、発光制御回路
の素子の破壊を招いたり、発光強度が不安定になりやす
いという課題はあった。
【０００４】この課題を解決する為に、特開平9-80594
号公報においては、発光開始より所定時間とそれ以降の
時間で発光強度を変える手段を用いている。
号公報においては、発光開始より所定時間とそれ以降の
時間で発光強度を変える手段を用いている。
【０００５】又、特開平10-48715号公報においては、発
光開始より所定時間とそれ以降の時間で発光検出手段の
応答性を変える手段を用いている。
光開始より所定時間とそれ以降の時間で発光検出手段の
応答性を変える手段を用いている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
9-80594号公報においては、発光強度を可変にさせる
為、予備発光時の発光において、光強度の違いが生じ発
光開始より測光を行うと特定の測光出力を得る事が難し
い。
9-80594号公報においては、発光強度を可変にさせる
為、予備発光時の発光において、光強度の違いが生じ発
光開始より測光を行うと特定の測光出力を得る事が難し
い。
【０００７】又、特開平10-48715号公報においては、発
光検出部に容量を付加させることで、発光検出手段の応
答性を可変させる事を行っているが、ある特定の応答性
の変化のみ可能であり、発光強度が異なった場合（波高
値が変わった場合）に対し適切な応答遅れを施す事は難
しく、又、発光開始後の複数区間において応答遅れ手段
が必要で有る場合には、付加させる回路が複数必要とな
りコストアップの要因となる。
光検出部に容量を付加させることで、発光検出手段の応
答性を可変させる事を行っているが、ある特定の応答性
の変化のみ可能であり、発光強度が異なった場合（波高
値が変わった場合）に対し適切な応答遅れを施す事は難
しく、又、発光開始後の複数区間において応答遅れ手段
が必要で有る場合には、付加させる回路が複数必要とな
りコストアップの要因となる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、放電管の光強度を検出する光強度検出手段と、放電
管の発光を制御する発光制御回路と、光強度検出手段の
出力値が第１の値より、大きくなると発光停止信号を発
光制御回路へ出力し、前記第1の値よりも小さな第２の
値より、小さくなると発光開始信号を発光制御回路へ出
力する、フラット発光制御回路を備えたフラット発光可
能な閃光装置において、フラット発光中に、上記第１の
値と、上記第２の値を可変することで、上記課題を解決
したフラット発光可能な閃光装置である。
は、放電管の光強度を検出する光強度検出手段と、放電
管の発光を制御する発光制御回路と、光強度検出手段の
出力値が第１の値より、大きくなると発光停止信号を発
光制御回路へ出力し、前記第1の値よりも小さな第２の
値より、小さくなると発光開始信号を発光制御回路へ出
力する、フラット発光制御回路を備えたフラット発光可
能な閃光装置において、フラット発光中に、上記第１の
値と、上記第２の値を可変することで、上記課題を解決
したフラット発光可能な閃光装置である。
【０００９】請求項３の発明は、請求項1の閃光装置に
おいて、フラット発光開始から所定の時間の間、第１の
値と第２の値の差を発光開始から所定時間以降の間の第
１の値と第２の値の差よりも大きくとるようにした閃光
装置である。
おいて、フラット発光開始から所定の時間の間、第１の
値と第２の値の差を発光開始から所定時間以降の間の第
１の値と第２の値の差よりも大きくとるようにした閃光
装置である。
【００１０】請求項４の発明は、放電管の光強度を検出
する光強度検出手段と、放電管の発光を制御する発光制
御回路と、光強度検出手段の出力値が第１の値より、大
きくなると発光停止信号を発光制御回路へ出力し、前記
第1の値よりも小さな第２の値より、小さくなると発光
開始信号を発光制御回路へ出力する、フラット発光制御
回路を備えたフラット発光可能な閃光装置において、フ
ラット発光中に、第２の値のみを可変にすることで、上
記の課題を解消した閃光装置である。
する光強度検出手段と、放電管の発光を制御する発光制
御回路と、光強度検出手段の出力値が第１の値より、大
きくなると発光停止信号を発光制御回路へ出力し、前記
第1の値よりも小さな第２の値より、小さくなると発光
開始信号を発光制御回路へ出力する、フラット発光制御
回路を備えたフラット発光可能な閃光装置において、フ
ラット発光中に、第２の値のみを可変にすることで、上
記の課題を解消した閃光装置である。
【００１１】請求項６の発明は、請求項4の発明におい
て、フラット発光開始から所定の時間の間、第１の値と
第２の値の差を発光開始から所定時間以降の間の第１の
値と第２の値の差よりも大きくとるようにした閃光装置
である。
て、フラット発光開始から所定の時間の間、第１の値と
第２の値の差を発光開始から所定時間以降の間の第１の
値と第２の値の差よりも大きくとるようにした閃光装置
である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて、本発明の
実施形態について詳細を説明する。ここでは、発光開始
後に所定時間とそれ以降でリップル幅を決定する波高値
設定回路とヒステリシス設定回路を変える時のフラット
発光制御についての実施形態について説明する。
実施形態について詳細を説明する。ここでは、発光開始
後に所定時間とそれ以降でリップル幅を決定する波高値
設定回路とヒステリシス設定回路を変える時のフラット
発光制御についての実施形態について説明する。
【００１３】図１は本発明を実現するための、閃光装置
における全体のシステム構成を示す。１は充電、発光等
の各モジュールを制御する制御回路としてのＭＰＵであ
る。５は発光の為の電気エネルギーを蓄積する為のメイ
ンコンデンサであり、このメインコンデンサ５に対しバ
ッテリー２より充電を行う為の昇圧回路３がバッテリー
１とメインコンデンサ５間に接続されている。又、充電
を所定の電圧で終了させる為に、ＭＰＵ１は充電電圧を
モニタするモニタ回路４の出力値が所定の値に達すると
昇圧回路３のイネーブル信号をＯＦＦさせ、充電を終了
させる。更に、８はメインコンデンサの電気エネルギを
光りに変換する放電管であり、７は放電管を励起状態に
させるトリガー回路、９はＭＰＵの信号とフラット発光
制御回路からの出力をもとに放電管の発光制御をおこな
う発光制御回路であり、IGBT等の高電流制御が可能なト
ランジスタと、そのゲートに対するバッファ回路等で構
成されている。また６はメインコンデンサと放電管の陽
極間に接続されるコイルであり、３０はアノード側を陰
極に、カソード側をメインコンデンサの陽極側に接続し
たダイオードである。
における全体のシステム構成を示す。１は充電、発光等
の各モジュールを制御する制御回路としてのＭＰＵであ
る。５は発光の為の電気エネルギーを蓄積する為のメイ
ンコンデンサであり、このメインコンデンサ５に対しバ
ッテリー２より充電を行う為の昇圧回路３がバッテリー
１とメインコンデンサ５間に接続されている。又、充電
を所定の電圧で終了させる為に、ＭＰＵ１は充電電圧を
モニタするモニタ回路４の出力値が所定の値に達すると
昇圧回路３のイネーブル信号をＯＦＦさせ、充電を終了
させる。更に、８はメインコンデンサの電気エネルギを
光りに変換する放電管であり、７は放電管を励起状態に
させるトリガー回路、９はＭＰＵの信号とフラット発光
制御回路からの出力をもとに放電管の発光制御をおこな
う発光制御回路であり、IGBT等の高電流制御が可能なト
ランジスタと、そのゲートに対するバッファ回路等で構
成されている。また６はメインコンデンサと放電管の陽
極間に接続されるコイルであり、３０はアノード側を陰
極に、カソード側をメインコンデンサの陽極側に接続し
たダイオードである。
【００１４】また、１１は光強度検出回路であり、放電
管８が放つ光を光電変化しその光強度を電圧値として出
力する回路である。又、１２は波高値設定回路であり、
ＭＰＵから出力されるデジタル値を所定の電圧として出
力するＤ／Ａコンバータ回路であり、この回路ではフラ
ット発光時の波高値を決定する。また、１３はヒステリ
シス設定回路であり、ＭＰＵから出力されるデジタル値
を所定の電圧として出力するＤ／Ａコンバータ回路であ
り、この回路ではフラット発光時のリップル幅、つまり
ヒステリシス幅を決定する。１０はフラット発光制御回
路であり、波高値設定回路からの出力値とヒステリシス
設定回路からの出力値の２つの値に対して、光強度検出
回路からの出力値を比較し、それに基づいた信号を発光
制御回路に出力する回路である。又、この制御のイネー
ブル信号としてＭＰＵ１に接続されている。
管８が放つ光を光電変化しその光強度を電圧値として出
力する回路である。又、１２は波高値設定回路であり、
ＭＰＵから出力されるデジタル値を所定の電圧として出
力するＤ／Ａコンバータ回路であり、この回路ではフラ
ット発光時の波高値を決定する。また、１３はヒステリ
シス設定回路であり、ＭＰＵから出力されるデジタル値
を所定の電圧として出力するＤ／Ａコンバータ回路であ
り、この回路ではフラット発光時のリップル幅、つまり
ヒステリシス幅を決定する。１０はフラット発光制御回
路であり、波高値設定回路からの出力値とヒステリシス
設定回路からの出力値の２つの値に対して、光強度検出
回路からの出力値を比較し、それに基づいた信号を発光
制御回路に出力する回路である。又、この制御のイネー
ブル信号としてＭＰＵ１に接続されている。
【００１５】次に、フラット発光時の動作原理につい
て、図１、図２（図1のフラット発光制御回路の構成を
示す）、図３（動作説明図）を用いて説明を行う。発光
開始においては、ＭＰＵ１からの信号により、トリガー
回路を駆動させ放電管を励起状態にさせると共にフラッ
ト発光制御回路のＯＲ回路１７、ラッチ回路１６に発光
開始信号２４、ラッチＥＮ信号２５として、highレベル
信号、を出力させ、フラット発光制御回路は、発光制御
回路に対しhighレベル信号を出力することで、発光開始
を行う。発光開始後、つぎに、光検出回路の出力値が波
高値設定回路に設定された値２０を越えると、コンパレ
ータ１４がhighレベル信号を出力し、ラッチ１６はリセ
ットされLowレベル信号を出力する。この最初のラッチ
回路のlowレベル信号により、発光開始信号２４はlowレ
ベル信号を出力しつづける様にＭＰＵは発光開始信号２
４の制御を行う。この結果、フラット発光制御回路は、
発光制御回路９にlowレベル信号を出力し発光を停止さ
せる。発光停止状態となると、コイル６に溜まったエネ
ルギーが放電管→ダイオードの経路で放電されるので、
発光強度は、発光制御回路が発光停止状態になってから
少し遅れて下がり始める。そして、発光の強度が下がり
光検出回路の出力値が、波高値２０を下回るとコンパレ
ータ１４が動作しラッチ１６のリセットを解除する。更
に、光強度が下がり光検出回路の出力値が、ヒステリシ
ス設定回路で設定したヒステリシス値を下回るとコンパ
レータ１５が動作し、ラッチ１６をセットしＯＲ回路に
highレベル信号出力し、発光制御回路を動作させ、再び
発光を開始する。発光開始状態となると、メインコンデ
ンサのエネルギーがコイル→放電管→発光制御回路の経
路で放電される為、発光強度は、発光制御回路が発光開
始状態になってから少し遅れて立ち上がり始める。以上
の様にして、フラット発光制御の動作が繰り返され、こ
の動作は、ＭＰＵよりラッチ１６のＥＮ端子にlowレベ
ル信号を出力するまで動作し続ける。
て、図１、図２（図1のフラット発光制御回路の構成を
示す）、図３（動作説明図）を用いて説明を行う。発光
開始においては、ＭＰＵ１からの信号により、トリガー
回路を駆動させ放電管を励起状態にさせると共にフラッ
ト発光制御回路のＯＲ回路１７、ラッチ回路１６に発光
開始信号２４、ラッチＥＮ信号２５として、highレベル
信号、を出力させ、フラット発光制御回路は、発光制御
回路に対しhighレベル信号を出力することで、発光開始
を行う。発光開始後、つぎに、光検出回路の出力値が波
高値設定回路に設定された値２０を越えると、コンパレ
ータ１４がhighレベル信号を出力し、ラッチ１６はリセ
ットされLowレベル信号を出力する。この最初のラッチ
回路のlowレベル信号により、発光開始信号２４はlowレ
ベル信号を出力しつづける様にＭＰＵは発光開始信号２
４の制御を行う。この結果、フラット発光制御回路は、
発光制御回路９にlowレベル信号を出力し発光を停止さ
せる。発光停止状態となると、コイル６に溜まったエネ
ルギーが放電管→ダイオードの経路で放電されるので、
発光強度は、発光制御回路が発光停止状態になってから
少し遅れて下がり始める。そして、発光の強度が下がり
光検出回路の出力値が、波高値２０を下回るとコンパレ
ータ１４が動作しラッチ１６のリセットを解除する。更
に、光強度が下がり光検出回路の出力値が、ヒステリシ
ス設定回路で設定したヒステリシス値を下回るとコンパ
レータ１５が動作し、ラッチ１６をセットしＯＲ回路に
highレベル信号出力し、発光制御回路を動作させ、再び
発光を開始する。発光開始状態となると、メインコンデ
ンサのエネルギーがコイル→放電管→発光制御回路の経
路で放電される為、発光強度は、発光制御回路が発光開
始状態になってから少し遅れて立ち上がり始める。以上
の様にして、フラット発光制御の動作が繰り返され、こ
の動作は、ＭＰＵよりラッチ１６のＥＮ端子にlowレベ
ル信号を出力するまで動作し続ける。
【００１６】次に、発光開始中にフラット発光のリップ
ル幅を変更を行う制御について述べる。図５は、図４の
従来回路において、フラット発光においては波高値を決
める回路のみを設置した場合の例である。この様に波高
値設定回路３０によるある１つの基準でのみ放電管に対
しフラット発光の制御を行うと、光検出回路３１による
光電流波形３６に示すように、発光開始初期段階におい
て閃光放電管内の放電アークが管全体に広がらず、不安
定領域３３の様に、発光周波数が高くなる結果、発光制
御回路へ高周波的なドライブ信号を出力することにな
り、発光制御回路の素子を破壊させる等の問題が起こ
る。又、光電流波形３０が安定しない為、３８に示すよ
うに実際の実効的な光量が、不安定領域３３において
は、フラットでなくなるという問題が生じる。
ル幅を変更を行う制御について述べる。図５は、図４の
従来回路において、フラット発光においては波高値を決
める回路のみを設置した場合の例である。この様に波高
値設定回路３０によるある１つの基準でのみ放電管に対
しフラット発光の制御を行うと、光検出回路３１による
光電流波形３６に示すように、発光開始初期段階におい
て閃光放電管内の放電アークが管全体に広がらず、不安
定領域３３の様に、発光周波数が高くなる結果、発光制
御回路へ高周波的なドライブ信号を出力することにな
り、発光制御回路の素子を破壊させる等の問題が起こ
る。又、光電流波形３０が安定しない為、３８に示すよ
うに実際の実効的な光量が、不安定領域３３において
は、フラットでなくなるという問題が生じる。
【００１７】図６は、発光開始後所定時間の放電管の不
安定領域のみ、波高値設定回路、ヒストリシス設定回路
の値を安定領域の値と変化させて制御を行う本発明の実
施形態である。この実施形態においては、発光開始後所
定時間の不安定領域のみ、波高値２０、ヒステリシス値
２１間の値を安定領域のそれよりも大きくなるように、
且つ、そのセンター値を安定領域における実効的な光量
レベルとするように、波高値２０、ヒステリシス値２１
を図1の波高値設置回路12及びヒステリシス設定回路１
３により設定しフラット発光制御を行う。この様な制御
を行うことで、光検出回路１１における光電流波形４０
に示すように、発光開始後の放電管の不安定領域におい
ては低周波でありリップル幅が幾分増える光波形を発生
させることになるが、発光周波数を上げ発光制御回路の
素子破壊を招く事無く、また発光開始から終了まで、４
１に示すように実効的な光量においてフラットな光波形
を出力する事が可能となる。
安定領域のみ、波高値設定回路、ヒストリシス設定回路
の値を安定領域の値と変化させて制御を行う本発明の実
施形態である。この実施形態においては、発光開始後所
定時間の不安定領域のみ、波高値２０、ヒステリシス値
２１間の値を安定領域のそれよりも大きくなるように、
且つ、そのセンター値を安定領域における実効的な光量
レベルとするように、波高値２０、ヒステリシス値２１
を図1の波高値設置回路12及びヒステリシス設定回路１
３により設定しフラット発光制御を行う。この様な制御
を行うことで、光検出回路１１における光電流波形４０
に示すように、発光開始後の放電管の不安定領域におい
ては低周波でありリップル幅が幾分増える光波形を発生
させることになるが、発光周波数を上げ発光制御回路の
素子破壊を招く事無く、また発光開始から終了まで、４
１に示すように実効的な光量においてフラットな光波形
を出力する事が可能となる。
【００１８】図７は、発光開始後所定時間の放電管の不
安定領域のみ、ヒステリシス設定回路の値のみを安定領
域の値と変化させて制御を行う本発明の他の実施形態で
ある。この実施形態においては、発光開始後所定時間の
不安定領域のみ、ヒステリシス値２１の値を安定領域の
それよりも小さくなるように図1のヒステリシス設定回
路13により設定し、フラット発光制御を行う。この様な
制御を行うことで、光電流波形４０に示すように、発光
開始後の放電管の不安定領域においては低周波となりリ
ップル幅が幾分増える光波形を発生させることになり
が、発光周波数を上げ発光制御回路の素子破壊を招く事
が無くなる。また、４１に示すように発光開始後所定時
間の不安定領域の実効的な光量レベルは安定領域に対し
て多少変わるが、前述の図６の実施形態の様に、発光途
中で波高値、ヒステリシス値の２つのD/Aコンバータの
出力値を変化させることなく、１つのD/Aコンバータの
出力変化のみで行え、発光途中以降の安定領域のみの光
を使用するシステムにおいては、必要充分な手段と言え
る。
安定領域のみ、ヒステリシス設定回路の値のみを安定領
域の値と変化させて制御を行う本発明の他の実施形態で
ある。この実施形態においては、発光開始後所定時間の
不安定領域のみ、ヒステリシス値２１の値を安定領域の
それよりも小さくなるように図1のヒステリシス設定回
路13により設定し、フラット発光制御を行う。この様な
制御を行うことで、光電流波形４０に示すように、発光
開始後の放電管の不安定領域においては低周波となりリ
ップル幅が幾分増える光波形を発生させることになり
が、発光周波数を上げ発光制御回路の素子破壊を招く事
が無くなる。また、４１に示すように発光開始後所定時
間の不安定領域の実効的な光量レベルは安定領域に対し
て多少変わるが、前述の図６の実施形態の様に、発光途
中で波高値、ヒステリシス値の２つのD/Aコンバータの
出力値を変化させることなく、１つのD/Aコンバータの
出力変化のみで行え、発光途中以降の安定領域のみの光
を使用するシステムにおいては、必要充分な手段と言え
る。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フラット発光を制御する時の波高値設定回路の他にヒス
テリシス設定回路を設け、その波高値とヒステリシス値
の差をフラット発光が不安定になりやすい領域におい
て、安定領域よりも大きくなるように設定する事で、フ
ラット発光開始から発光が不安定になり易い領域におい
も、安定した発光を行う事が可能になり、発光開始から
終了まで、実効的な光量がフラットな光波形を出力させ
る事が可能となる。また、発光周波数が安定領域以上に
あがることなく、高い発光周波数により、発光制御回路
の素子を破壊する懸念が無くなる。
フラット発光を制御する時の波高値設定回路の他にヒス
テリシス設定回路を設け、その波高値とヒステリシス値
の差をフラット発光が不安定になりやすい領域におい
て、安定領域よりも大きくなるように設定する事で、フ
ラット発光開始から発光が不安定になり易い領域におい
も、安定した発光を行う事が可能になり、発光開始から
終了まで、実効的な光量がフラットな光波形を出力させ
る事が可能となる。また、発光周波数が安定領域以上に
あがることなく、高い発光周波数により、発光制御回路
の素子を破壊する懸念が無くなる。
【図１】本発明における全体のシステム構成。
【図２】本発明におけるフラット発光制御回路。
【図３】本発明におけるフラット発光制御時のタイミン
グチャート。
グチャート。
【図４】従来における全体のシステム構成。
【図５】従来におけるフラット発光時の光出力波形図。
【図６】本発明の実施形態におけるフラット発光時の光
出力波形図。
出力波形図。
【図７】本発明の他の実施形態におけるフラット発光時
の光出力波形図。
の光出力波形図。
１ MPU ８ 放電管 ９ 発光制御回路 １０ フラット発光制御回路 １１ 光強度検出回路 １２ 波高値設置回路 １３ ヒステリシス設定回路
Claims (6)
- 【請求項１】 放電管の光強度を検出する光強度検出手
段と、放電管の発光を制御する発光制御回路と、光強度
検出手段の出力値が第１の値より、大きくなると発光停
止信号を発光制御回路へ出力し、前記第1の値よりも小
さな第２の値より、小さくなると発光開始信号を発光制
御回路へ出力する、フラット発光制御回路を備えたフラ
ット発光可能な閃光装置において、フラット発光中に、
上記第１の値と、上記第２の値を可変することを特徴と
するフラット発光可能な閃光装置。 - 【請求項２】 第１の値とは、フラット発光時の光量ピ
ーク値を決める波高値であり、第２の値とは、フラット
発光時の発光のリップル幅を決めるヒステリシス値であ
る事を特徴とする請求項１に記載の閃光装置。 - 【請求項３】 フラット発光開始から所定の時間の間、
第１の値と第２の値の差を発光開始から所定時間以降の
間の第１の値と第２の値の差よりも大きくとる事を特徴
とする請求項１記載の閃光装置。 - 【請求項４】 放電管の光強度を検出する光強度検出手
段と、放電管の発光を制御する発光制御回路と、光強度
検出手段の出力値が第１の値より、大きくなると発光停
止信号を発光制御回路へ出力し、前記第1の値よりも小
さな第２の値より、小さくなると発光開始信号を発光制
御回路へ出力する、フラット発光制御回路を備えたフラ
ット発光可能な閃光装置において、フラット発光中に、
第２の値のみを可変にすることを特徴とするフラット発
光可能な閃光装置。 - 【請求項５】 第１の値とは、フラット発光時の光量ピ
ーク値を決める波高値であり、第２の値とは、フラット
発光時の発光のリップル幅を決めるヒステリシス値であ
る事を特徴とする請求項１記載の閃光装置。 - 【請求項６】 フラット発光開始から所定の時間の間、
第１の値と第２の値の差を発光開始から所定時間以降の
間の第１の値と第２の値の差よりも大きくとる事を特徴
とする請求項4に記載の閃光装置。
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|---|---|---|---|
| JP2000317883A JP4573987B2 (ja) | 2000-10-18 | 2000-10-18 | 閃光装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000317883A JP4573987B2 (ja) | 2000-10-18 | 2000-10-18 | 閃光装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124394A true JP2002124394A (ja) | 2002-04-26 |
| JP2002124394A5 JP2002124394A5 (ja) | 2007-11-22 |
| JP4573987B2 JP4573987B2 (ja) | 2010-11-04 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4573987B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9143669B2 (en) | 2012-06-18 | 2015-09-22 | Sony Corporation | Imaging device and method, and program |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55129327A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-07 | Minolta Camera Co Ltd | Constant intensity light emitting strobe device |
| JPS60150038A (ja) * | 1984-01-17 | 1985-08-07 | Olympus Optical Co Ltd | フラツト発光ストロボ装置 |
| JPH03235932A (ja) * | 1990-02-13 | 1991-10-21 | Asahi Optical Co Ltd | フラッシュの発光量制御装置 |
| JPH1048715A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Canon Inc | 閃光装置 |
-
2000
- 2000-10-18 JP JP2000317883A patent/JP4573987B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| US9143669B2 (en) | 2012-06-18 | 2015-09-22 | Sony Corporation | Imaging device and method, and program |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4573987B2 (ja) | 2010-11-04 |
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