JP2002116332A - 位置合わせマーカ付き基板及び位置合わせマーカ付き光導波路基板 - Google Patents
位置合わせマーカ付き基板及び位置合わせマーカ付き光導波路基板Info
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- JP2002116332A JP2002116332A JP2000309231A JP2000309231A JP2002116332A JP 2002116332 A JP2002116332 A JP 2002116332A JP 2000309231 A JP2000309231 A JP 2000309231A JP 2000309231 A JP2000309231 A JP 2000309231A JP 2002116332 A JP2002116332 A JP 2002116332A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に形成された位置合わせマーカをその
形成面と反対面側から直接視認できるようにする。 【解決手段】 位置合わせマーカ１３を基板１１上に形
成された透明な膜１２上に形成し、基板１１の位置合わ
せマーカ１３が位置する部分に貫通孔１４を形成する。
貫通孔１４及び膜１２を介して位置合わせマーカ１３を
基板１１の裏面側から視認することができる。
形成面と反対面側から直接視認できるようにする。 【解決手段】 位置合わせマーカ１３を基板１１上に形
成された透明な膜１２上に形成し、基板１１の位置合わ
せマーカ１３が位置する部分に貫通孔１４を形成する。
貫通孔１４及び膜１２を介して位置合わせマーカ１３を
基板１１の裏面側から視認することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は相手方部品との位
置合わせを行うための位置合わせマーカを有する基板に
関する。
置合わせを行うための位置合わせマーカを有する基板に
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば薄膜形成技術により所定のパター
ンが形成された基板に対し、そのパターンと結合すべき
パターンや素子、あるいはそのパターンに実装すべき素
子等を備えた相手方部品を高精度に位置決めすべく、基
板上に位置合わせマーカを形成して、その位置合わせマ
ーカを相手方部品の位置合わせマーカと互いに位置合わ
せするといったことが行われている。
ンが形成された基板に対し、そのパターンと結合すべき
パターンや素子、あるいはそのパターンに実装すべき素
子等を備えた相手方部品を高精度に位置決めすべく、基
板上に位置合わせマーカを形成して、その位置合わせマ
ーカを相手方部品の位置合わせマーカと互いに位置合わ
せするといったことが行われている。
【０００３】このような位置合わせにおいて、相手方部
品も例えばパターンや素子等を備えた基板の場合、両基
板の互いの対向面に位置する位置合わせマーカを位置合
わせする必要が生じ、この場合、両基板によって位置合
わせマーカが挟まれてしまうため、通常の光学顕微鏡で
はそれら位置合わせマーカを認識することができず、よ
って特殊な赤外線透過型の顕微鏡を使用して基板越し
に、つまり基板を透過して位置合わせマーカを認識し、
位置合わせを行うといった方法が採用されている。
品も例えばパターンや素子等を備えた基板の場合、両基
板の互いの対向面に位置する位置合わせマーカを位置合
わせする必要が生じ、この場合、両基板によって位置合
わせマーカが挟まれてしまうため、通常の光学顕微鏡で
はそれら位置合わせマーカを認識することができず、よ
って特殊な赤外線透過型の顕微鏡を使用して基板越し
に、つまり基板を透過して位置合わせマーカを認識し、
位置合わせを行うといった方法が採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、このような
位置合わせは、特殊な赤外線透過型顕微鏡を使用するこ
とから、簡易な作業とは言えず、その点でコスト高とな
り、また例えば赤外線透過のために構成材料が制約を受
けるといった問題があった。この発明の目的は上述した
問題に鑑み、位置合わせマーカ形成面と反対面側からで
あっても基板越しに直接位置合わせマーカを視認できる
ようにした位置合わせマーカ付き基板を提供することに
あり、さらにそのような位置合わせマーカを備えた光導
波路基板を提供することにある。
位置合わせは、特殊な赤外線透過型顕微鏡を使用するこ
とから、簡易な作業とは言えず、その点でコスト高とな
り、また例えば赤外線透過のために構成材料が制約を受
けるといった問題があった。この発明の目的は上述した
問題に鑑み、位置合わせマーカ形成面と反対面側からで
あっても基板越しに直接位置合わせマーカを視認できる
ようにした位置合わせマーカ付き基板を提供することに
あり、さらにそのような位置合わせマーカを備えた光導
波路基板を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば、相手方部品との位置合わせを行うための位置合わせ
マーカが形成された基板は、その位置合わせマーカが基
板上に形成された透明な膜上に位置され、基板の位置合
わせマーカが位置する部分に貫通孔が形成されているも
のとされる。請求項２の発明では請求項１の発明におい
て、基板がシリコン基板とされ、その異方性エッチング
によって上記貫通孔が形成されているものとされる。
ば、相手方部品との位置合わせを行うための位置合わせ
マーカが形成された基板は、その位置合わせマーカが基
板上に形成された透明な膜上に位置され、基板の位置合
わせマーカが位置する部分に貫通孔が形成されているも
のとされる。請求項２の発明では請求項１の発明におい
て、基板がシリコン基板とされ、その異方性エッチング
によって上記貫通孔が形成されているものとされる。
【０００６】請求項３の発明によれば、光導波路及びそ
の光導波路と相手方部品との位置合わせを行うための位
置合わせマーカが形成された基板は、位置合わせマーカ
が光導波路のコアと同時にパターニングされて、基板上
に形成された透明な膜上に形成配置され、基板の位置合
わせマーカが位置する部分に貫通孔が形成されているも
のとされる。請求項４の発明では請求項３の発明におい
て、基板がシリコン基板とされ、その異方性エッチング
によって上記貫通孔が形成されているものとされる。
の光導波路と相手方部品との位置合わせを行うための位
置合わせマーカが形成された基板は、位置合わせマーカ
が光導波路のコアと同時にパターニングされて、基板上
に形成された透明な膜上に形成配置され、基板の位置合
わせマーカが位置する部分に貫通孔が形成されているも
のとされる。請求項４の発明では請求項３の発明におい
て、基板がシリコン基板とされ、その異方性エッチング
によって上記貫通孔が形成されているものとされる。
【０００７】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図面を参
照して実施例により説明する。図１はこの発明による位
置合わせマーカ付き基板の一実施例の構成を模式的に示
したものである。この例では基板１１上に形成された透
明な膜１２上に位置合わせマーカ１３が位置するものと
され、この位置合わせマーカ１３が位置する部分におい
て基板１１に貫通孔１４が形成されている。
照して実施例により説明する。図１はこの発明による位
置合わせマーカ付き基板の一実施例の構成を模式的に示
したものである。この例では基板１１上に形成された透
明な膜１２上に位置合わせマーカ１３が位置するものと
され、この位置合わせマーカ１３が位置する部分におい
て基板１１に貫通孔１４が形成されている。
【０００８】位置合わせマーカ１３はこの例では十字形
とされて２つ設けられており、これに対応して基板１１
に貫通孔１４が２つ設けられている。基板１１は例えば
シリコン基板とされ、膜１２は例えばシリコンの熱酸化
膜とされる。なお、基板１１の裏面側にも熱酸化によっ
て形成された膜１２が存在している。貫通孔１４はシリ
コンの異方性エッチングによって形成され、この貫通孔
１４の基板１１の表側における開口の大きさは位置合わ
せマーカ１３の大きさより大とされる。位置合わせマー
カ１３は例えばＣｒ／Ａｕ膜よりなるものとされる。
とされて２つ設けられており、これに対応して基板１１
に貫通孔１４が２つ設けられている。基板１１は例えば
シリコン基板とされ、膜１２は例えばシリコンの熱酸化
膜とされる。なお、基板１１の裏面側にも熱酸化によっ
て形成された膜１２が存在している。貫通孔１４はシリ
コンの異方性エッチングによって形成され、この貫通孔
１４の基板１１の表側における開口の大きさは位置合わ
せマーカ１３の大きさより大とされる。位置合わせマー
カ１３は例えばＣｒ／Ａｕ膜よりなるものとされる。
【０００９】上記のような構成を有する位置合わせマー
カ付き基板１５によれば、貫通孔１４及び透明な膜１２
を介して位置合わせマーカ１３をその形成面と反対面側
から、つまり基板１１の裏面側から直接視認することが
でき、よって相手方部品との位置合わせにおいて位置合
わせマーカ１３が挟まれて隠れてしまうような場合であ
っても容易に位置合わせ作業を行うことができるものと
なる。図２はこの位置合わせマーカ付き基板１５の作製
方法を工程順に示したものであり、以下、各工程（１）
〜（４）について数値例を含め、詳細に説明する。 （１）シリコン基板１１−１を用意する。シリコン基板
１１−１の大きさは例えばφ４インチとする。 （２）シリコン基板１１−１を熱酸化して３μｍ厚の熱
酸化膜１２−１をシリコン基板１１−１の表裏両面に形
成する。 （３）シリコン基板１１−１に貫通孔１４を形成する。
貫通孔１４の形成は、 シリコン基板１１−１の裏面側にレジストを塗布
し、フォトリソグラフィにより正方形の抜きレジストパ
ターンを形成し、 ドライエッチングを行うことにより、レジストパタ
ーンと同等（同一形状）の熱酸化膜１２−１のパターン
を形成し、 このパターニングされた熱酸化膜１２−１をマスク
として水酸化カリウム溶液中でシリコンのウェットエッ
チングを行い、貫通孔１４の大きさがシリコン基板１１
−１の表側で３０μｍ□程度となった時点でエッチング
を終了する、ことによって行われる。 （４）次に、貫通孔１４上に位置合わせマーカ１３を形
成する。位置合わせマーカ１３の形成は、 シリコン基板１１−１の表側にレジストを塗布し、
フォトリソグラフィにより貫通孔１４の上記大きさ内に
入る幅５μｍ、長さ２０μｍ程度の十字形の抜きレジス
トパターンを形成し、 このシリコン基板１１−１を蒸着装置内に設置して
Ｃｒ／Ａｕ膜を表側に蒸着し、 リフトオフによりレジストを除去する、ことによっ
て行われ、これにより位置合わせマーカ付き基板１５が
完成する。
カ付き基板１５によれば、貫通孔１４及び透明な膜１２
を介して位置合わせマーカ１３をその形成面と反対面側
から、つまり基板１１の裏面側から直接視認することが
でき、よって相手方部品との位置合わせにおいて位置合
わせマーカ１３が挟まれて隠れてしまうような場合であ
っても容易に位置合わせ作業を行うことができるものと
なる。図２はこの位置合わせマーカ付き基板１５の作製
方法を工程順に示したものであり、以下、各工程（１）
〜（４）について数値例を含め、詳細に説明する。 （１）シリコン基板１１−１を用意する。シリコン基板
１１−１の大きさは例えばφ４インチとする。 （２）シリコン基板１１−１を熱酸化して３μｍ厚の熱
酸化膜１２−１をシリコン基板１１−１の表裏両面に形
成する。 （３）シリコン基板１１−１に貫通孔１４を形成する。
貫通孔１４の形成は、 シリコン基板１１−１の裏面側にレジストを塗布
し、フォトリソグラフィにより正方形の抜きレジストパ
ターンを形成し、 ドライエッチングを行うことにより、レジストパタ
ーンと同等（同一形状）の熱酸化膜１２−１のパターン
を形成し、 このパターニングされた熱酸化膜１２−１をマスク
として水酸化カリウム溶液中でシリコンのウェットエッ
チングを行い、貫通孔１４の大きさがシリコン基板１１
−１の表側で３０μｍ□程度となった時点でエッチング
を終了する、ことによって行われる。 （４）次に、貫通孔１４上に位置合わせマーカ１３を形
成する。位置合わせマーカ１３の形成は、 シリコン基板１１−１の表側にレジストを塗布し、
フォトリソグラフィにより貫通孔１４の上記大きさ内に
入る幅５μｍ、長さ２０μｍ程度の十字形の抜きレジス
トパターンを形成し、 このシリコン基板１１−１を蒸着装置内に設置して
Ｃｒ／Ａｕ膜を表側に蒸着し、 リフトオフによりレジストを除去する、ことによっ
て行われ、これにより位置合わせマーカ付き基板１５が
完成する。
【００１０】この位置合わせマーカ付き基板１５には例
えばその表側に所要のパターンが適宜形成されるが、位
置合わせマーカ１３の形成を単独に行うのではなく、そ
のようなパターンの形成と同時に、つまり同一マスクで
同時にパターニングして形成するようにしてもよい。図
３はそのような構成を有するものとされた、この発明に
よる位置合わせマーカ付き光導波路基板の一実施例の構
成を模式的に示したものである。なお、図１と対応する
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
えばその表側に所要のパターンが適宜形成されるが、位
置合わせマーカ１３の形成を単独に行うのではなく、そ
のようなパターンの形成と同時に、つまり同一マスクで
同時にパターニングして形成するようにしてもよい。図
３はそのような構成を有するものとされた、この発明に
よる位置合わせマーカ付き光導波路基板の一実施例の構
成を模式的に示したものである。なお、図１と対応する
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００１１】この例では基板１１上に形成された透明な
膜１２上に光導波路２１が形成されている。光導波路２
１はアンダークラッド層２２と、光が伝搬するコア２３
と、オーバークラッド層２４とによって構成されてお
り、位置合わせマーカ１３はこのコア２３と同時にパタ
ーニングされて形成され、つまりコア層によって形成さ
れているものとされる。アンダークラッド層２２、コア
２３及びオーバークラッド層２４はこの例ではいずれも
ポリイミドによって形成されており、光導波路２１は高
分子材料よりなるものとされる。よって、位置合わせマ
ーカ１３もポリイミド製とされる。なお、光導波路２１
のコア２３はこの例では平行に３本形成されている。
膜１２上に光導波路２１が形成されている。光導波路２
１はアンダークラッド層２２と、光が伝搬するコア２３
と、オーバークラッド層２４とによって構成されてお
り、位置合わせマーカ１３はこのコア２３と同時にパタ
ーニングされて形成され、つまりコア層によって形成さ
れているものとされる。アンダークラッド層２２、コア
２３及びオーバークラッド層２４はこの例ではいずれも
ポリイミドによって形成されており、光導波路２１は高
分子材料よりなるものとされる。よって、位置合わせマ
ーカ１３もポリイミド製とされる。なお、光導波路２１
のコア２３はこの例では平行に３本形成されている。
【００１２】図４はこの位置合わせマーカ付き光導波路
基板２５の作製方法を工程順に示したものである。工程
（１）〜（３）は前述した図２における工程（１）〜
（３）と同一であり、説明を省略する。工程（４）では
シリコン基板１１−１の表側に光導波路２１と位置合わ
せマーカ１３を形成する。この形成は以下のようにして
行われる。 シリコン基板１１−１の表側の熱酸化膜１２−１上
にアンダークラッド層２２となるポリイミドクラッド溶
液をスピンコーティングにより塗布成膜して加熱硬化
（３５０℃程度）する。
基板２５の作製方法を工程順に示したものである。工程
（１）〜（３）は前述した図２における工程（１）〜
（３）と同一であり、説明を省略する。工程（４）では
シリコン基板１１−１の表側に光導波路２１と位置合わ
せマーカ１３を形成する。この形成は以下のようにして
行われる。 シリコン基板１１−１の表側の熱酸化膜１２−１上
にアンダークラッド層２２となるポリイミドクラッド溶
液をスピンコーティングにより塗布成膜して加熱硬化
（３５０℃程度）する。
【００１３】 次に、このポリイミドクラッド溶液よ
りも高い屈折率のポリイミドコア溶液を同様に塗布成膜
し、加熱硬化してコア層を形成する。 コア層上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ
により同一マスクで同時にパターニングして、貫通孔１
４の大きさ内に入る位置合わせマーカ１３用の幅５μ
ｍ、長さ２０μｍ程度の十字形のパターン及びコア２３
用のパターンを有するレジストパターンを形成する。
りも高い屈折率のポリイミドコア溶液を同様に塗布成膜
し、加熱硬化してコア層を形成する。 コア層上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ
により同一マスクで同時にパターニングして、貫通孔１
４の大きさ内に入る位置合わせマーカ１３用の幅５μ
ｍ、長さ２０μｍ程度の十字形のパターン及びコア２３
用のパターンを有するレジストパターンを形成する。
【００１４】 ドライエッチングによりコア層の不要
部分を除去し、コア２３と位置合わせマーカ１３を形成
する。 最後に、オーバークラッド層２４となるポリイミド
クラッド溶液をスピンコーティングにより塗布成膜して
加熱硬化することにより、位置合わせマーカ付き光導波
路基板２５が完成する。 上記のようにして作製される位置合わせマーカ付き光導
波路基板２５では光導波路２１のコア２３と、そのコア
２３と相手方部品との位置合わせを行うための位置合わ
せマーカ１３とが同時にパターニングされて同一のコア
層で作製されることから、それらの極めて高い相対位置
精度を得ることができ、また同一工程で作製される分、
工程の削減が図られるものとなる。
部分を除去し、コア２３と位置合わせマーカ１３を形成
する。 最後に、オーバークラッド層２４となるポリイミド
クラッド溶液をスピンコーティングにより塗布成膜して
加熱硬化することにより、位置合わせマーカ付き光導波
路基板２５が完成する。 上記のようにして作製される位置合わせマーカ付き光導
波路基板２５では光導波路２１のコア２３と、そのコア
２３と相手方部品との位置合わせを行うための位置合わ
せマーカ１３とが同時にパターニングされて同一のコア
層で作製されることから、それらの極めて高い相対位置
精度を得ることができ、また同一工程で作製される分、
工程の削減が図られるものとなる。
【００１５】図５は位置合わせマーカ付き光導波路基板
の他の構成例を工程図で示したものであり、以下、その
構成を工程を追って説明する。 （１）シリコン基板１１−１を用意する。シリコン基板
１１−１の大きさは例えばφ４インチとする。 （２）シリコン基板１１−１の表裏両面にＣＶＤ法で１
５μｍ厚の酸化膜１２−２を形成する。 （３）シリコン基板１１−１に貫通孔１４を形成する。
貫通孔１４の形成は、図２（３）の場合と同様にして行
われ、即ちパターニングした酸化膜１２−２をマスクと
してウェットエッチング（異方性エッチング）を行うこ
とにより貫通孔１４が形成される。なお、この例ではシ
リコン基板１１−１の表側に残存している酸化膜１２−
２が光導波路２１のアンダークラッド層として機能する
ものとされる。 （４）シリコン基板１１−１の表側の酸化膜１２−２上
に光導波路２１のコア２３、オーバークラッド層２４及
び位置合わせマーカ１３を形成する。この形成は以下の
ようにして行われる。
の他の構成例を工程図で示したものであり、以下、その
構成を工程を追って説明する。 （１）シリコン基板１１−１を用意する。シリコン基板
１１−１の大きさは例えばφ４インチとする。 （２）シリコン基板１１−１の表裏両面にＣＶＤ法で１
５μｍ厚の酸化膜１２−２を形成する。 （３）シリコン基板１１−１に貫通孔１４を形成する。
貫通孔１４の形成は、図２（３）の場合と同様にして行
われ、即ちパターニングした酸化膜１２−２をマスクと
してウェットエッチング（異方性エッチング）を行うこ
とにより貫通孔１４が形成される。なお、この例ではシ
リコン基板１１−１の表側に残存している酸化膜１２−
２が光導波路２１のアンダークラッド層として機能する
ものとされる。 （４）シリコン基板１１−１の表側の酸化膜１２−２上
に光導波路２１のコア２３、オーバークラッド層２４及
び位置合わせマーカ１３を形成する。この形成は以下の
ようにして行われる。
【００１６】 シリコン基板１１−１の表側の酸化膜
１２−２上に、酸化膜１２−２よりも高い屈折率が得ら
れるようにＧｅ等を充填した酸化膜、即ちコア層をＣＶ
Ｄ法で形成する。 コア層上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ
により同一マスクで同時にパターニングして、貫通孔１
４の大きさ内に入る位置合わせマーカ１３用の幅５μ
ｍ、長さ２０μｍ程度の十字形のパターン及びコア２３
用のパターンを有するレジストパターンを形成する。
１２−２上に、酸化膜１２−２よりも高い屈折率が得ら
れるようにＧｅ等を充填した酸化膜、即ちコア層をＣＶ
Ｄ法で形成する。 コア層上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ
により同一マスクで同時にパターニングして、貫通孔１
４の大きさ内に入る位置合わせマーカ１３用の幅５μ
ｍ、長さ２０μｍ程度の十字形のパターン及びコア２３
用のパターンを有するレジストパターンを形成する。
【００１７】 ドライエッチングによりコア層の不要
部分を除去し、コア２３と位置合わせマーカ１３を形成
する。 最後に、オーバークラッド層２４となる酸化膜をＣ
ＶＤ法で形成する。以上により、位置合わせマーカ付き
光導波路基板２６が完成する。
部分を除去し、コア２３と位置合わせマーカ１３を形成
する。 最後に、オーバークラッド層２４となる酸化膜をＣ
ＶＤ法で形成する。以上により、位置合わせマーカ付き
光導波路基板２６が完成する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
相手方部品との位置合わせを行うための位置合わせマー
カをその形成面と反対面側から、つまり基板の裏面側か
ら直接視認することができる。従って、相手方部品との
位置合わせにおいて、位置合わせマーカが挟まれて隠れ
てしまうような場合であっても、従来のように赤外線透
過型顕微鏡といった特殊な顕微鏡を使用することなく、
通常の光学顕微鏡を用いて容易に位置合わせ作業を行う
ことができる。
相手方部品との位置合わせを行うための位置合わせマー
カをその形成面と反対面側から、つまり基板の裏面側か
ら直接視認することができる。従って、相手方部品との
位置合わせにおいて、位置合わせマーカが挟まれて隠れ
てしまうような場合であっても、従来のように赤外線透
過型顕微鏡といった特殊な顕微鏡を使用することなく、
通常の光学顕微鏡を用いて容易に位置合わせ作業を行う
ことができる。
【００１９】また、請求項３の発明によれば、位置合わ
せマーカ付き光導波路基板において、上記のように基板
越しに位置合わせを行うことができると共に、光導波路
のコアと位置合わせマーカとの高い相対位置精度を得る
ことができ、よって光導波路コアと相手方部品との位置
合わせを簡易かつ高精度に行えるものとなる。
せマーカ付き光導波路基板において、上記のように基板
越しに位置合わせを行うことができると共に、光導波路
のコアと位置合わせマーカとの高い相対位置精度を得る
ことができ、よって光導波路コアと相手方部品との位置
合わせを簡易かつ高精度に行えるものとなる。
【図１】請求項１の発明の一実施例を示す図、Ａは平面
図、Ｂは断面図。
図、Ｂは断面図。
【図２】図１に示した位置合わせマーカ付き基板の作製
方法を説明するための工程図。
方法を説明するための工程図。
【図３】請求項３の発明の一実施例を示す図、Ａは平面
図、Ｂは断面図。
図、Ｂは断面図。
【図４】図３に示した位置合わせマーカ付き光導波路基
板の作製方法を説明するための工程図。
板の作製方法を説明するための工程図。
【図５】請求項３の発明の他の実施例を説明するための
工程図。
工程図。
Claims (4)
- 【請求項１】 相手方部品との位置合わせを行うための
位置合わせマーカが形成された基板であって、 上記位置合わせマーカが上記基板上に形成された透明な
膜上に位置され、 上記基板の、上記位置合わせマーカが位置する部分に貫
通孔が形成されていることを特徴とする位置合わせマー
カ付き基板。 - 【請求項２】 請求項１記載の位置合わせマーカ付き基
板において、 上記基板がシリコン基板とされ、その異方性エッチング
によって上記貫通孔が形成されていることを特徴とする
位置合わせマーカ付き基板。 - 【請求項３】 光導波路及びその光導波路と相手方部品
との位置合わせを行うための位置合わせマーカが形成さ
れた基板であって、 上記位置合わせマーカは上記光導波路のコアと同時にパ
ターニングされて、上記基板上に形成された透明な膜上
に形成配置され、 上記基板の、上記位置合わせマーカが位置する部分に貫
通孔が形成されていることを特徴とする位置合わせマー
カ付き光導波路基板。 - 【請求項４】 請求項３記載の位置合わせマーカ付き光
導波路基板において、 上記基板がシリコン基板とされ、その異方性エッチング
によって上記貫通孔が形成されていることを特徴とする
位置合わせマーカ付き光導波路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000309231A JP3503025B2 (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 位置合わせマーカ付き光導波路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000309231A JP3503025B2 (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 位置合わせマーカ付き光導波路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002116332A true JP2002116332A (ja) | 2002-04-19 |
| JP3503025B2 JP3503025B2 (ja) | 2004-03-02 |
Family
ID=18789433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000309231A Expired - Fee Related JP3503025B2 (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 位置合わせマーカ付き光導波路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3503025B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012155215A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Nitto Denko Corp | 光導波路の製法およびそれに用いられる光導波路体 |
| TWI393928B (zh) * | 2008-11-19 | 2013-04-21 | Ind Tech Res Inst | 光波導結構及其製造方法 |
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2000
- 2000-10-10 JP JP2000309231A patent/JP3503025B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2012155215A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Nitto Denko Corp | 光導波路の製法およびそれに用いられる光導波路体 |
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