JP2002116181A - ガラス、光学部材ならびに電気泳動装置用部材およびその製造方法 - Google Patents
ガラス、光学部材ならびに電気泳動装置用部材およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造に一般的に用いられるプラズマエ
ッチングにより高いレートでエッチングすることがで
き、しかも波長２００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外光の透過
率が良好であるガラスを提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2を主成分とし、ＰおよびＢの少
なくとも１種類を含有し、ＰおよびＢの含有量の合計が
５質量％〜２０質量％であり、ＯＨの濃度が１０ｐｐｍ
以上であり、かつＣｌの濃度が１ｐｐｍ以下であるガラ
ス。
ッチングにより高いレートでエッチングすることがで
き、しかも波長２００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外光の透過
率が良好であるガラスを提供する。 【解決手段】 ＳｉＯ2を主成分とし、ＰおよびＢの少
なくとも１種類を含有し、ＰおよびＢの含有量の合計が
５質量％〜２０質量％であり、ＯＨの濃度が１０ｐｐｍ
以上であり、かつＣｌの濃度が１ｐｐｍ以下であるガラ
ス。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス、光学部材
ならびに電気泳動装置用部材およびその製造方法に関
し、特に、ドライエッチングに対して高いエッチレート
を有する紫外線透過性のガラス、該ガラスを用いた光学
部材、たとえば、電気泳動装置用部材、ならびに該ガラ
スを用いて電気泳動用部材を製造する方法に関する。
ならびに電気泳動装置用部材およびその製造方法に関
し、特に、ドライエッチングに対して高いエッチレート
を有する紫外線透過性のガラス、該ガラスを用いた光学
部材、たとえば、電気泳動装置用部材、ならびに該ガラ
スを用いて電気泳動用部材を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気泳動分析法は、媒体中の試料に電界
をかけ、電界下における物質の移動度の差によって、試
料中の物質を分離・分析する方法であり、化学分析の分
野で広く用いられている。近年特に進歩が著しいＤＮＡ
やタンパク質の分析でも、この電気泳動分析は基本的な
分析方法の一つであり、その用途に適するように改良が
加えられている。
をかけ、電界下における物質の移動度の差によって、試
料中の物質を分離・分析する方法であり、化学分析の分
野で広く用いられている。近年特に進歩が著しいＤＮＡ
やタンパク質の分析でも、この電気泳動分析は基本的な
分析方法の一つであり、その用途に適するように改良が
加えられている。
【０００３】このうち、キャピラリー電気泳動装置は、
試料を含む媒体が導入される通路として内径１００μｍ
程度の細管（キャピラリー）を用い、そのキャピラリー
の両端に電圧を印加して分離・分析を行うものである。
たとえば、図１に示すように、キャピラリー電気泳動装
置１０は、ベースプレート１１とカバープレート１２と
の間に微細な通路（キャピラリー）１２ａおよび１２ｂ
を有している。通路１２ａは電解質液を流すためのもの
で、その両端には電解質液貯留部１３ａおよび１３ｂが
設けられている。通路１２ｂは分析すべき試料を流すた
めのもので、その両端には試料貯留部１４ａおよび１４
ｂが設けられている。通路１２ａと通路１２ｂとは交差
しており、試料に電解質液が混合されるようになってい
る。分析に際しては、通路１２ｂに保持される試料に電
界がかけられる。キャピラリー電気泳動分析は、キャピ
ラリー内での熱による対流を減らすことができる点、高
い電圧を印加できる点、さらに、微量成分を正確に分析
できる点で優れており、ＤＮＡおよびタンパク質の分析
に適している。
試料を含む媒体が導入される通路として内径１００μｍ
程度の細管（キャピラリー）を用い、そのキャピラリー
の両端に電圧を印加して分離・分析を行うものである。
たとえば、図１に示すように、キャピラリー電気泳動装
置１０は、ベースプレート１１とカバープレート１２と
の間に微細な通路（キャピラリー）１２ａおよび１２ｂ
を有している。通路１２ａは電解質液を流すためのもの
で、その両端には電解質液貯留部１３ａおよび１３ｂが
設けられている。通路１２ｂは分析すべき試料を流すた
めのもので、その両端には試料貯留部１４ａおよび１４
ｂが設けられている。通路１２ａと通路１２ｂとは交差
しており、試料に電解質液が混合されるようになってい
る。分析に際しては、通路１２ｂに保持される試料に電
界がかけられる。キャピラリー電気泳動分析は、キャピ
ラリー内での熱による対流を減らすことができる点、高
い電圧を印加できる点、さらに、微量成分を正確に分析
できる点で優れており、ＤＮＡおよびタンパク質の分析
に適している。
【０００４】この装置の微細な通路（キャピラリー）
は、ガラス等の基板に化学反応を利用したウェットエッ
チングを施すことにより製造できる。しかし、ウェット
エッチングは等方性エッチングであるため、通路の断面
形状が矩形にならずに底の部分が丸くなったり、横方向
の寸法精度が悪くなるという問題を生じさせる。図２
は、底の部分が丸くなった通路を示している。通路２２
にＵＶ光を照射し、その透過光を検出器２１で検出して
分析を行う場合、テーパ形状の底部は、不均質な光路を
もたらし、したがって分析精度を低下させる。また、短
時間で複数のサンプルを分析するため複数の通路を並列
したレイアウトを形成する場合、ウェットエッチングに
よれば、図３に示すように、隣り合う通路がはっきり分
離されず繋がってしまうことがある。したがって、ウェ
ットエッチングにより形成される通路は、より高い精度
が要求される分析には適当ではない。
は、ガラス等の基板に化学反応を利用したウェットエッ
チングを施すことにより製造できる。しかし、ウェット
エッチングは等方性エッチングであるため、通路の断面
形状が矩形にならずに底の部分が丸くなったり、横方向
の寸法精度が悪くなるという問題を生じさせる。図２
は、底の部分が丸くなった通路を示している。通路２２
にＵＶ光を照射し、その透過光を検出器２１で検出して
分析を行う場合、テーパ形状の底部は、不均質な光路を
もたらし、したがって分析精度を低下させる。また、短
時間で複数のサンプルを分析するため複数の通路を並列
したレイアウトを形成する場合、ウェットエッチングに
よれば、図３に示すように、隣り合う通路がはっきり分
離されず繋がってしまうことがある。したがって、ウェ
ットエッチングにより形成される通路は、より高い精度
が要求される分析には適当ではない。
【０００５】ＤＮＡ等の微量かつ複雑な試料の分析精度
を向上させるには、通路の断面形状をなるべく矩形に
し、その上、通路の寸法精度を向上させる必要がある。
そこで、ウェットエッチングの代わりに、半導体製造技
術で広く用いられているプラズマを利用したドライエッ
チング技術を含むマイクロマシニング技術によれば、ガ
ラス基板に幅が１００μｍ以下の通路を寸法精度良く形
成することができるはずである。しかし、ドライエッチ
ングによるガラスの加工には、以下に示すような問題が
存在している。
を向上させるには、通路の断面形状をなるべく矩形に
し、その上、通路の寸法精度を向上させる必要がある。
そこで、ウェットエッチングの代わりに、半導体製造技
術で広く用いられているプラズマを利用したドライエッ
チング技術を含むマイクロマシニング技術によれば、ガ
ラス基板に幅が１００μｍ以下の通路を寸法精度良く形
成することができるはずである。しかし、ドライエッチ
ングによるガラスの加工には、以下に示すような問題が
存在している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】キャピラリー電気泳動
装置で分離したＤＮＡの判別は、ＤＮＡごとの光吸収波
長の違いを利用し、キャピラリーに光を照射して吸収ス
ペクトルを測定することにより行う。キャピラリー中に
分離されたＤＮＡの量はごくわずかであるので、極めて
小さい光吸収量の差を検出する必要がある。また、ＤＮ
Ａの吸収波長は２００〜４００ｎｍの紫外領域にあるた
め、キャピラリーを形成するガラス基板は、その波長領
域の紫外線の透過性能に優れている必要がある。そのた
め、キャピラリーを形成する基板には、通常石英が用い
られる。しかし、ドライエッチングによる石英ガラスの
エッチレートは遅い。たとえば、ポリシリコンマスクを
介してＦ系ガスによるドライエッチング処理を行った場
合、８００Å／ｍｉｎのエッチレートしか得られない。
このエッチレートでは、たとえば４０μｍの深さの通路
を形成するのに８時間も必要となる。
装置で分離したＤＮＡの判別は、ＤＮＡごとの光吸収波
長の違いを利用し、キャピラリーに光を照射して吸収ス
ペクトルを測定することにより行う。キャピラリー中に
分離されたＤＮＡの量はごくわずかであるので、極めて
小さい光吸収量の差を検出する必要がある。また、ＤＮ
Ａの吸収波長は２００〜４００ｎｍの紫外領域にあるた
め、キャピラリーを形成するガラス基板は、その波長領
域の紫外線の透過性能に優れている必要がある。そのた
め、キャピラリーを形成する基板には、通常石英が用い
られる。しかし、ドライエッチングによる石英ガラスの
エッチレートは遅い。たとえば、ポリシリコンマスクを
介してＦ系ガスによるドライエッチング処理を行った場
合、８００Å／ｍｉｎのエッチレートしか得られない。
このエッチレートでは、たとえば４０μｍの深さの通路
を形成するのに８時間も必要となる。
【０００７】特開平１１−８３７９８号公報には、検出
感度を上げるために通路の幅に対する通路の高さの比
（アスペクト比）を大きくし、光が透過する媒体の距離
が長くなるようにしたキャピラリー電気泳動装置が開示
されている。同公報には、そのような深い通路を形成す
るため、ＲＩＥ等のプラズマエッチングを用いることが
示されている。しかし、半導体製造工程での被処理膜の
厚さが通常１μｍ程度である一方、そのような通路の深
さは数十μｍにものぼる。そのような深い通路を半導体
製造に用いられるプラズマエッチング装置により形成す
れば、処理時間が極めて長くなり、生産性は低くなる。
感度を上げるために通路の幅に対する通路の高さの比
（アスペクト比）を大きくし、光が透過する媒体の距離
が長くなるようにしたキャピラリー電気泳動装置が開示
されている。同公報には、そのような深い通路を形成す
るため、ＲＩＥ等のプラズマエッチングを用いることが
示されている。しかし、半導体製造工程での被処理膜の
厚さが通常１μｍ程度である一方、そのような通路の深
さは数十μｍにものぼる。そのような深い通路を半導体
製造に用いられるプラズマエッチング装置により形成す
れば、処理時間が極めて長くなり、生産性は低くなる。
【０００８】また、通路形成のマスクとしてフォトレジ
スト、ポリシリコン等を用いることができるが、半導体
製造装置においてマスクのエッチレートに対する石英ガ
ラスのエッチレートの比（選択比）は通常５以下であ
り、また、マスクの肩部がエッチング中に横方向に後退
していくので、たとえば深さ４０μｍの通路を形成する
場合には厚さ１０μｍ以上ものマスクを形成する必要が
ある。このようなマスクを精度良く形成することは困難
である。
スト、ポリシリコン等を用いることができるが、半導体
製造装置においてマスクのエッチレートに対する石英ガ
ラスのエッチレートの比（選択比）は通常５以下であ
り、また、マスクの肩部がエッチング中に横方向に後退
していくので、たとえば深さ４０μｍの通路を形成する
場合には厚さ１０μｍ以上ものマスクを形成する必要が
ある。このようなマスクを精度良く形成することは困難
である。
【０００９】これらの理由から、ガラス基板のエッチレ
ートを向上させることにより、処理時間を短縮し、さら
にマスクを薄くする必要があった。
ートを向上させることにより、処理時間を短縮し、さら
にマスクを薄くする必要があった。
【００１０】本発明は、半導体製造に一般的に用いられ
るプラズマ処理装置を用いた場合でも、エッチングレー
トが高く、しかも波長２００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外光
の透過率が良好であるガラスを提供することを目的とす
る。
るプラズマ処理装置を用いた場合でも、エッチングレー
トが高く、しかも波長２００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外光
の透過率が良好であるガラスを提供することを目的とす
る。
【００１１】さらに本発明は、そのようなガラスを用い
た光学部材、ならびに、そのようなガラスを用いた電気
泳動装置用部材およびその製造方法を提供することを目
的とする。
た光学部材、ならびに、そのようなガラスを用いた電気
泳動装置用部材およびその製造方法を提供することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によるガラスは、
ＳｉＯ2を主成分とし、ＰおよびＢの少なくとも１種類
を含有する。本発明によるガラスにおいて、ＰおよびＢ
の含有量の合計は５質量％〜２０質量％であり、ＯＨの
濃度は１０ｐｐｍ以上である。
ＳｉＯ2を主成分とし、ＰおよびＢの少なくとも１種類
を含有する。本発明によるガラスにおいて、ＰおよびＢ
の含有量の合計は５質量％〜２０質量％であり、ＯＨの
濃度は１０ｐｐｍ以上である。
【００１３】本発明によるガラスにおいてＣｌの濃度は
１ｐｐｍ以下であることが好ましい。
１ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００１４】また本発明により、上記ガラスからなる光
学部材が提供される。そのような光学部材は、たとえ
ば、電気泳動装置用部材、ＤＮＡ等の蛍光分析装置等に
おいて試料を保持し紫外光を照射するするための試料ホ
ルダー、回折格子などの光学部材、ならびにプラズマエ
ッチング装置により微細な加工を要求されかつ紫外光の
透過率が重要な用途、たとえば、光導波路等の光デバイ
スを含む。
学部材が提供される。そのような光学部材は、たとえ
ば、電気泳動装置用部材、ＤＮＡ等の蛍光分析装置等に
おいて試料を保持し紫外光を照射するするための試料ホ
ルダー、回折格子などの光学部材、ならびにプラズマエ
ッチング装置により微細な加工を要求されかつ紫外光の
透過率が重要な用途、たとえば、光導波路等の光デバイ
スを含む。
【００１５】さらに本発明により、分析すべき試料を保
持するための光透過性の通路を有する電気泳動装置用部
材であって、該光透過性の通路が上記ガラスからなるこ
とを特徴とする電気泳動装置用部材が提供される。
持するための光透過性の通路を有する電気泳動装置用部
材であって、該光透過性の通路が上記ガラスからなるこ
とを特徴とする電気泳動装置用部材が提供される。
【００１６】さらに本発明により、上記電気泳動装置用
部材の製造方法であって、上記ガラスからなる部材にド
ライエッチングを施すことにより光透過性の通路を形成
する工程を備えることを特徴とする電気泳動装置用部材
の製造方法が提供される。
部材の製造方法であって、上記ガラスからなる部材にド
ライエッチングを施すことにより光透過性の通路を形成
する工程を備えることを特徴とする電気泳動装置用部材
の製造方法が提供される。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明によるガラスの主成分はＳ
ｉＯ2である。そのため、２００〜４００ｎｍの紫外光
の透過性能が良好であり、しかも半導体製造に通常用い
られるシリコン酸化膜エッチング装置を用いてエッチン
グ加工することができる。
ｉＯ2である。そのため、２００〜４００ｎｍの紫外光
の透過性能が良好であり、しかも半導体製造に通常用い
られるシリコン酸化膜エッチング装置を用いてエッチン
グ加工することができる。
【００１８】さらに本発明によるガラスは、質量百分率
で５％〜２０％のＰおよび／またはＢを含有する。これ
により、紫外光の透過率を、たとえばキャピラリー電気
泳動装置の検出精度を確保するために必要とされる８５
％以上に確保しつつ、プラズマエッチング装置を用いた
ときのエッチングレートを石英ガラスの場合の１．２〜
４倍にすることができる。
で５％〜２０％のＰおよび／またはＢを含有する。これ
により、紫外光の透過率を、たとえばキャピラリー電気
泳動装置の検出精度を確保するために必要とされる８５
％以上に確保しつつ、プラズマエッチング装置を用いた
ときのエッチングレートを石英ガラスの場合の１．２〜
４倍にすることができる。
【００１９】ＰまたはＢのみ含まれる場合のＰの含有量
またはＢの含有量、あるいはＰとＢの両方が含まれる場
合のＰとＢの含有量の合計が５％未満であると、エッチ
ングレートが向上せず、石英ガラスと変わらなくなる。
一方、その含有量が２０％を超えると紫外光の透過性
能、特に２００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の紫外光の透過
率が低下する。
またはＢの含有量、あるいはＰとＢの両方が含まれる場
合のＰとＢの含有量の合計が５％未満であると、エッチ
ングレートが向上せず、石英ガラスと変わらなくなる。
一方、その含有量が２０％を超えると紫外光の透過性
能、特に２００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲の紫外光の透過
率が低下する。
【００２０】本発明によるガラスにおいてＯＨ濃度は１
０ｐｐｍ以上である。ＯＨ濃度は１０ｐｐｍ以上であれ
ば特に限定されるものではないが、ＯＨ濃度の好ましい
範囲は、たとえば１０〜５０ｐｐｍである。ＯＨ濃度が
１０ｐｐｍ未満となるよう脱水を進行させると、酸素欠
乏欠陥等により２００〜４００ｎｍの透過率が低下す
る。
０ｐｐｍ以上である。ＯＨ濃度は１０ｐｐｍ以上であれ
ば特に限定されるものではないが、ＯＨ濃度の好ましい
範囲は、たとえば１０〜５０ｐｐｍである。ＯＨ濃度が
１０ｐｐｍ未満となるよう脱水を進行させると、酸素欠
乏欠陥等により２００〜４００ｎｍの透過率が低下す
る。
【００２１】また、本発明によるガラスにおいてＣｌ濃
度は１ｐｐｍ以下すなわち塩化銀沈殿法による検出限界
以下であることが好ましい。Ｃｌ濃度が１ｐｐｍを超え
ると、Ｃｌが３２５ｎｍに吸収帯を持ったり、２４５ｎ
ｍ近傍に吸収を有する酸素欠乏欠陥を誘起して、紫外光
の透過率が低下する。
度は１ｐｐｍ以下すなわち塩化銀沈殿法による検出限界
以下であることが好ましい。Ｃｌ濃度が１ｐｐｍを超え
ると、Ｃｌが３２５ｎｍに吸収帯を持ったり、２４５ｎ
ｍ近傍に吸収を有する酸素欠乏欠陥を誘起して、紫外光
の透過率が低下する。
【００２２】本発明によるガラスの２００〜４００ｎｍ
の範囲の光に対する透過率は、光路長１ｃｍあたり８５
％以上とすることができ、たとえば８５％〜９５％、好
ましくは９０％〜９５％とすることができる。
の範囲の光に対する透過率は、光路長１ｃｍあたり８５
％以上とすることができ、たとえば８５％〜９５％、好
ましくは９０％〜９５％とすることができる。
【００２３】本発明によるガラスにおいて、ＰおよびＢ
は、Ｓｉ−Ｏネットワーク構造中にとり込まれた形態で
存在する。
は、Ｓｉ−Ｏネットワーク構造中にとり込まれた形態で
存在する。
【００２４】本発明によるガラスは、典型的に、気相軸
付け法（ＶＡＤ法）により製造することができる。この
方法による場合、ＳｉＣｌ4、Ｈ2、Ｏ2およびＰＯＣｌ3
の混合ガス、ＳｉＣｌ4、Ｈ2、Ｏ2およびＢＢｒ3の混合
ガス、あるいはＳｉＣｌ4、Ｈ2、Ｏ2、ＰＯＣｌ3および
ＢＢｒ3の混合ガスを、たとえば図４（ａ）に示すよう
に、多層バーナー４０から容器４１内へ噴出させ、火炎
中でこれらのガスを加水分解する事により、多孔体（ス
ート）を形成する。スートは容器４１上方に設けられた
回転しつつ徐々に引き上げられる種棒４２に付着し、不
透明で多孔質のシリカ系ガラス柱４３を形成する。ガラ
ス中のＰおよび／またはＢの含有量は、上記工程におい
てＰ源（たとえばＰＯＣｌ3）、Ｂ源（たとえばＢＢ
ｒ3）の供給量をそれぞれ調整することにより、所望の
値にすることができる。次いで、得られたシリカ系ガラ
ス柱を高温真空下で脱水処理した後、図４（ｂ）に示す
ように、シリカ系ガラス柱４３をヘリウム雰囲気下で回
転しつつ１５００℃付近までヒータ４４により加熱し、
透明なガラス柱４５を得る。そして、得られたガラス柱
を所定の寸法に切り出し、表面を研磨することにより、
ガラス基板を形成することができる。
付け法（ＶＡＤ法）により製造することができる。この
方法による場合、ＳｉＣｌ4、Ｈ2、Ｏ2およびＰＯＣｌ3
の混合ガス、ＳｉＣｌ4、Ｈ2、Ｏ2およびＢＢｒ3の混合
ガス、あるいはＳｉＣｌ4、Ｈ2、Ｏ2、ＰＯＣｌ3および
ＢＢｒ3の混合ガスを、たとえば図４（ａ）に示すよう
に、多層バーナー４０から容器４１内へ噴出させ、火炎
中でこれらのガスを加水分解する事により、多孔体（ス
ート）を形成する。スートは容器４１上方に設けられた
回転しつつ徐々に引き上げられる種棒４２に付着し、不
透明で多孔質のシリカ系ガラス柱４３を形成する。ガラ
ス中のＰおよび／またはＢの含有量は、上記工程におい
てＰ源（たとえばＰＯＣｌ3）、Ｂ源（たとえばＢＢ
ｒ3）の供給量をそれぞれ調整することにより、所望の
値にすることができる。次いで、得られたシリカ系ガラ
ス柱を高温真空下で脱水処理した後、図４（ｂ）に示す
ように、シリカ系ガラス柱４３をヘリウム雰囲気下で回
転しつつ１５００℃付近までヒータ４４により加熱し、
透明なガラス柱４５を得る。そして、得られたガラス柱
を所定の寸法に切り出し、表面を研磨することにより、
ガラス基板を形成することができる。
【００２５】このＶＡＤ法において、得られるガラス中
のＯＨ濃度およびＣｌ濃度は、焼結してガラス透明体に
する過程において１０００℃〜１３００℃の温度で真空
あるいは減圧Ｈｅ雰囲気下で加熱することにより調整で
きる。たとえば、多孔体を焼結してガラスにする工程に
おいて、Ｈｅ１気圧下１２００℃まで２時間で昇温し、
１２００℃〜１５００℃まで１時間で昇温した後、１５
００℃で４時間保持し、透明化する。このような焼結工
程の後、炉冷してガラスを取り出す。以上の工程で得ら
れるガラスのＯＨ濃度は１００〜２００ｐｐｍ、Ｃｌ濃
度は１０〜５０ｐｐｍである。一方、Ｃｌ濃度を低減し
たい場合、焼結工程において真空下で１２００℃まで２
時間で昇温し、次いで１２００℃の温度で３時間以上保
持することにより脱Ｃｌを進行させることができる。そ
の後Ｈｅを導入し、１５００℃まで１時間で昇温した
後、１５００℃で４時間保持して透明化する。以上の工
程において１２００℃の温度を１２時間保持した場合、
得られるガラスのＯＨ濃度は２０〜６０ｐｐｍであり、
Ｃｌ濃度は１ｐｐｍ以下である。このように、真空下１
２００℃で３時間以上保持することによりＣｌ濃度を１
ｐｐｍ以下にすることができる。一方、真空下１２００
℃で３時間以上保持することによりＯＨ濃度は１００ｐ
ｐｍ以下に減少し得る。このような焼結工程において、
真空下で保持する温度は１０００℃〜１４００℃が望ま
しい。保持温度が１０００℃未満であると脱Ｃｌに長時
間を要するようになる。一方、保持温度が１４００℃を
超えると焼結が進行して脱Ｃｌが阻害され、比較的高い
濃度でＣｌが残留するようになる。
のＯＨ濃度およびＣｌ濃度は、焼結してガラス透明体に
する過程において１０００℃〜１３００℃の温度で真空
あるいは減圧Ｈｅ雰囲気下で加熱することにより調整で
きる。たとえば、多孔体を焼結してガラスにする工程に
おいて、Ｈｅ１気圧下１２００℃まで２時間で昇温し、
１２００℃〜１５００℃まで１時間で昇温した後、１５
００℃で４時間保持し、透明化する。このような焼結工
程の後、炉冷してガラスを取り出す。以上の工程で得ら
れるガラスのＯＨ濃度は１００〜２００ｐｐｍ、Ｃｌ濃
度は１０〜５０ｐｐｍである。一方、Ｃｌ濃度を低減し
たい場合、焼結工程において真空下で１２００℃まで２
時間で昇温し、次いで１２００℃の温度で３時間以上保
持することにより脱Ｃｌを進行させることができる。そ
の後Ｈｅを導入し、１５００℃まで１時間で昇温した
後、１５００℃で４時間保持して透明化する。以上の工
程において１２００℃の温度を１２時間保持した場合、
得られるガラスのＯＨ濃度は２０〜６０ｐｐｍであり、
Ｃｌ濃度は１ｐｐｍ以下である。このように、真空下１
２００℃で３時間以上保持することによりＣｌ濃度を１
ｐｐｍ以下にすることができる。一方、真空下１２００
℃で３時間以上保持することによりＯＨ濃度は１００ｐ
ｐｍ以下に減少し得る。このような焼結工程において、
真空下で保持する温度は１０００℃〜１４００℃が望ま
しい。保持温度が１０００℃未満であると脱Ｃｌに長時
間を要するようになる。一方、保持温度が１４００℃を
超えると焼結が進行して脱Ｃｌが阻害され、比較的高い
濃度でＣｌが残留するようになる。
【００２６】上述した製法により得られた本発明による
ガラスは、種々の形状に加工して、種々の光学部材とす
ることができる。たとえば、微細な通路（キャピラリ
ー）を有する電気泳動装置用部材は、図５（ａ）〜
（ｅ）に示す工程により製造することができる。まず、
図５（ａ）に示すように、得られたガラス板５０の片面
上にフォトレジスト５１を塗布する。次いで図５（ｂ）
に示すように、フォトレジスト５１をパターニングす
る。そして、レジストパターン５１’をエッチングマス
クとしてガラス板５０をドライエッチングし、図５
（ｃ）に示すような微細な溝５２をガラス板５０に形成
する。ドライエッチングは、典型的には、プラズマエッ
チング、特に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であ
る。ドライエッチングには、半導体装置の製造に一般的
に用いられているドライエッチング装置、典型的にはプ
ラズマエッチング装置を使用することができる。次い
で、レジストパターン５１’をたとえばアッシング装置
において除去し、図５（ｄ）に示すような溝５２を有す
るガラス板５０を得る。そして、図５（ｅ）に示すよう
に、必要に応じて媒体の供給・排出口５３等を形成した
本発明によるガラス板５０’をガラス板５０に貼り合わ
せ、キャピラリー電気泳動装置用部材６０を得る。
ガラスは、種々の形状に加工して、種々の光学部材とす
ることができる。たとえば、微細な通路（キャピラリ
ー）を有する電気泳動装置用部材は、図５（ａ）〜
（ｅ）に示す工程により製造することができる。まず、
図５（ａ）に示すように、得られたガラス板５０の片面
上にフォトレジスト５１を塗布する。次いで図５（ｂ）
に示すように、フォトレジスト５１をパターニングす
る。そして、レジストパターン５１’をエッチングマス
クとしてガラス板５０をドライエッチングし、図５
（ｃ）に示すような微細な溝５２をガラス板５０に形成
する。ドライエッチングは、典型的には、プラズマエッ
チング、特に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）であ
る。ドライエッチングには、半導体装置の製造に一般的
に用いられているドライエッチング装置、典型的にはプ
ラズマエッチング装置を使用することができる。次い
で、レジストパターン５１’をたとえばアッシング装置
において除去し、図５（ｄ）に示すような溝５２を有す
るガラス板５０を得る。そして、図５（ｅ）に示すよう
に、必要に応じて媒体の供給・排出口５３等を形成した
本発明によるガラス板５０’をガラス板５０に貼り合わ
せ、キャピラリー電気泳動装置用部材６０を得る。
【００２７】得られた電気泳動用部材６０は、本発明に
よる透光性ガラスで形成された透光性の通路６１を有す
る。通路６１には分析すべき試料を入れることができ
る。通路６１に保持される試料には、光、たとえば波長
２００〜４００ｎｍの紫外光を照射することができる。
また、通路６１に保持される試料には、電気泳動のため
の電圧を印加することができる。試料を保持した通路６
１を通った光は、検出器で検出することができる。上述
したようなドライエッチングによれば、通路６１の断面
をほぼ矩形にすることでき、分析のための光が通る光路
は均一なものになり得る。したがって、精度の高い分析
を行うことができる。
よる透光性ガラスで形成された透光性の通路６１を有す
る。通路６１には分析すべき試料を入れることができ
る。通路６１に保持される試料には、光、たとえば波長
２００〜４００ｎｍの紫外光を照射することができる。
また、通路６１に保持される試料には、電気泳動のため
の電圧を印加することができる。試料を保持した通路６
１を通った光は、検出器で検出することができる。上述
したようなドライエッチングによれば、通路６１の断面
をほぼ矩形にすることでき、分析のための光が通る光路
は均一なものになり得る。したがって、精度の高い分析
を行うことができる。
【００２８】
【実施例】上述したＶＡＤ法により、Ｂ、Ｐ、ＯＨおよ
びＣｌの含有率を種々変えたガラスを作製し、それぞれ
についてエッチレートおよび４００ｎｍと２００ｎｍの
紫外光の透過率を測定した。
びＣｌの含有率を種々変えたガラスを作製し、それぞれ
についてエッチレートおよび４００ｎｍと２００ｎｍの
紫外光の透過率を測定した。
【００２９】作製したガラスの透過率は、次の方法によ
り測定した。ガラスを１０ｍｍ×１０ｍｍ×４０ｍｍの
直方体形状に切り出し、１０ｍｍ×４０ｍｍの一つの対
向する面を研磨した。この面での反射を無くするため、
最終仕上げは酸化セリウム粉末を用いてＲａ≦５ｎｍの
鏡面仕上げとした。この研磨した面から測定光を入射さ
せ、ガラス試料を通らない光をリファレンスとして透過
率を算出した。この測定には、紫外可視分光計（日本分
光製ＵＶ５５０）を用いた。
り測定した。ガラスを１０ｍｍ×１０ｍｍ×４０ｍｍの
直方体形状に切り出し、１０ｍｍ×４０ｍｍの一つの対
向する面を研磨した。この面での反射を無くするため、
最終仕上げは酸化セリウム粉末を用いてＲａ≦５ｎｍの
鏡面仕上げとした。この研磨した面から測定光を入射さ
せ、ガラス試料を通らない光をリファレンスとして透過
率を算出した。この測定には、紫外可視分光計（日本分
光製ＵＶ５５０）を用いた。
【００３０】作製したガラスのエッチングレートは、次
の方法により測定した。まず、ガラスを厚さ２ｍｍの板
に切り出し、上述した通路の製造方法により、レジスト
パターンを形成し、得られたレジストパターンをマスク
としてガラス板を所定の時間ドライエッチングした。ド
ライエッチングには、図６に示すような平行平板型プラ
ズマエッチング装置を用いた。装置７０において、上部
電極７１と下部電極７２との間にガラス板７５を配置
し、装置内にエッチングガス７４を導入し、高周波電源
７３により電極７１と電極７２との間に電圧を印加して
プラズマを生成させた。エッチングガスにはＣＦ4、Ｃ
ＨＦ3およびＡｒの混合ガスを使用した。電極の間隔は
１０ｍｍであった。８５０Ｗ、１３．５６ＭＨｚの高周
波電力を使用し、試料台温度を−３０℃に設定してプラ
ズマエッチングを行った。次いでレジストをアッシング
装置において除去した後、通路となる溝を形成した部分
と形成しない部分の段差を半導体製造で一般的に用いら
れる接触型段差計で測定した。そして、測定された段差
をエッチング時間で割ることにより、エッチレートを算
出した。
の方法により測定した。まず、ガラスを厚さ２ｍｍの板
に切り出し、上述した通路の製造方法により、レジスト
パターンを形成し、得られたレジストパターンをマスク
としてガラス板を所定の時間ドライエッチングした。ド
ライエッチングには、図６に示すような平行平板型プラ
ズマエッチング装置を用いた。装置７０において、上部
電極７１と下部電極７２との間にガラス板７５を配置
し、装置内にエッチングガス７４を導入し、高周波電源
７３により電極７１と電極７２との間に電圧を印加して
プラズマを生成させた。エッチングガスにはＣＦ4、Ｃ
ＨＦ3およびＡｒの混合ガスを使用した。電極の間隔は
１０ｍｍであった。８５０Ｗ、１３．５６ＭＨｚの高周
波電力を使用し、試料台温度を−３０℃に設定してプラ
ズマエッチングを行った。次いでレジストをアッシング
装置において除去した後、通路となる溝を形成した部分
と形成しない部分の段差を半導体製造で一般的に用いら
れる接触型段差計で測定した。そして、測定された段差
をエッチング時間で割ることにより、エッチレートを算
出した。
【００３１】また、得られたガラス中のＯＨ濃度は赤外
分光光度計（日本分光ＦＴ−ＩＲ７３００）により測定
した。さらにガラス中のＣｌ濃度は塩化銀沈殿法により
測定した。
分光光度計（日本分光ＦＴ−ＩＲ７３００）により測定
した。さらにガラス中のＣｌ濃度は塩化銀沈殿法により
測定した。
【００３２】結果を表１〜３に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２】
【００３５】
【表３】
【００３６】表１の実施例１〜３に示すように、ＢとＰ
の合計含有率が５％以上であると、エッチレートは１０
０ｎｍ／ｍｉｎ．以上となり、石英ガラス（比較例１）
のエッチレート８０ｎｍ／ｍｉｎ．の１．２５倍以上と
なる。その上、紫外光の透過率は８８％以上であり、石
英ガラスとほぼ同等である。一方、ＢとＰの合計含有率
が５％未満であると（比較例３）エッチレートの上昇は
わずかであり、また２０％を超えると（比較例２）２０
０ｎｍの透過率が８５％未満となってしまう。
の合計含有率が５％以上であると、エッチレートは１０
０ｎｍ／ｍｉｎ．以上となり、石英ガラス（比較例１）
のエッチレート８０ｎｍ／ｍｉｎ．の１．２５倍以上と
なる。その上、紫外光の透過率は８８％以上であり、石
英ガラスとほぼ同等である。一方、ＢとＰの合計含有率
が５％未満であると（比較例３）エッチレートの上昇は
わずかであり、また２０％を超えると（比較例２）２０
０ｎｍの透過率が８５％未満となってしまう。
【００３７】表２に示すように、ＯＨ濃度が１０ｐｐｍ
未満であると（比較例４）２００ｎｍの透過率が８５％
未満となる。また表３に示すように、Ｃｌ濃度が１ｐｐ
ｍを超えると（比較例５）２００ｎｍの透過率が８５％
未満となる。
未満であると（比較例４）２００ｎｍの透過率が８５％
未満となる。また表３に示すように、Ｃｌ濃度が１ｐｐ
ｍを超えると（比較例５）２００ｎｍの透過率が８５％
未満となる。
【００３８】得られたガラス板を用いて、図５に示すよ
うなプロセスにより、キャピラリー電気泳動装置用部材
を作製した。まず、ガラス板の片側にフォトレジストを
塗布した。次に、必要なキャピラリーの形状に合わせた
フォトマスクを用いて、フォトレジストにパターンニン
グを行った。次いで図６に示すような平行平板型プラズ
マエッチング装置を用い、パターンニングしたフォトレ
ジストをマスクとして、ガラス板をドライエッチングし
た。エッチングガスには、ＣＦ4、ＣＨＦ3およびＡｒの
混合ガスを用い、電極間隔１０ｍｍ、高周波電力１３．
５６ＭＨｚ、８５０Ｗ、試料台温度−３０℃で処理を行
った。次いで、レジストをアッシング装置で除去した。
また、もう一つのガラス板に、ＨＦを用いたウェットエ
ッチングあるいは機械加工により、媒体の供給・排出口
等を形成した。このガラス板と通路を形成したガラス板
とを融着により張り合わせて、キャピラリー電気泳動装
置用部材を得た。
うなプロセスにより、キャピラリー電気泳動装置用部材
を作製した。まず、ガラス板の片側にフォトレジストを
塗布した。次に、必要なキャピラリーの形状に合わせた
フォトマスクを用いて、フォトレジストにパターンニン
グを行った。次いで図６に示すような平行平板型プラズ
マエッチング装置を用い、パターンニングしたフォトレ
ジストをマスクとして、ガラス板をドライエッチングし
た。エッチングガスには、ＣＦ4、ＣＨＦ3およびＡｒの
混合ガスを用い、電極間隔１０ｍｍ、高周波電力１３．
５６ＭＨｚ、８５０Ｗ、試料台温度−３０℃で処理を行
った。次いで、レジストをアッシング装置で除去した。
また、もう一つのガラス板に、ＨＦを用いたウェットエ
ッチングあるいは機械加工により、媒体の供給・排出口
等を形成した。このガラス板と通路を形成したガラス板
とを融着により張り合わせて、キャピラリー電気泳動装
置用部材を得た。
【図面の簡単な説明】
【図１】 キャピラリー電気泳動装置の一例を模式的に
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図２】 ウェットエッチングにより底部が丸くなった
通路を示す概略断面図である。
通路を示す概略断面図である。
【図３】 ウェットエッチングにより複数の通路が明確
に分離できず、繋がった様子を示す概略断面図である。
に分離できず、繋がった様子を示す概略断面図である。
【図４】 ＶＡＤ法の一例を示す模式図である。
【図５】 （ａ）〜（ｅ）は電気泳動装置用部材の製造
方法の一例を示す概略断面図である。
方法の一例を示す概略断面図である。
【図６】 プラズマエッチング装置の一例を示す模式図
である。
である。
１０ キャピラリー電気泳動装置、１１ ベースプレー
ト、１２ カバープレート、１２ａ，１２ｂ 通路、１
３ａ，１３ｂ 電解質液貯留部、１４ａ，１４ｂ 試料
液貯留部、２１ 検出器、２２ 通路、４１ 容器、４
２ 種棒、４３ガラス柱、５０，５０’ ガラス板、５
１ フォトレジスト、５１’ レジストパターン、５２
溝、６０ 電気泳動用部材、６１ 通路、７０ プラ
ズマエッチング装置、７１ 上部電極、７２ 下部電
極、７３ 高周波電源、７４ エッチングガス、７５
ガラス板。
ト、１２ カバープレート、１２ａ，１２ｂ 通路、１
３ａ，１３ｂ 電解質液貯留部、１４ａ，１４ｂ 試料
液貯留部、２１ 検出器、２２ 通路、４１ 容器、４
２ 種棒、４３ガラス柱、５０，５０’ ガラス板、５
１ フォトレジスト、５１’ レジストパターン、５２
溝、６０ 電気泳動用部材、６１ 通路、７０ プラ
ズマエッチング装置、７１ 上部電極、７２ 下部電
極、７３ 高周波電源、７４ エッチングガス、７５
ガラス板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楠 一彦 兵庫県尼崎市扶桑町１番８号 住友金属工 業株式会社エレクトロニクス技術研究所内 (72)発明者 垣本 勝己 兵庫県尼崎市扶桑町１番８号 住友金属工 業株式会社エレクトロニクス技術研究所内 Ｆターム(参考） 4G062 AA04 BB01 BB05 DA07 DA08 DB01 DC03 DC04 DD03 DD04 DE01 DF01 EA01 EA10 EB01 EC01 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM02 MM21 NN40
Claims (5)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2を主成分とし、 ＰおよびＢの少なくとも１種類を含有し、 前記Ｐおよび前記Ｂの含有量の合計が５質量％〜２０質
量％であり、 ＯＨの濃度が１０ｐｐｍ以上であるガラス。 - 【請求項２】 Ｃｌの濃度が１ｐｐｍ以下である請求項
１に記載のガラス。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のガラスからな
る光学部材。 - 【請求項４】 分析すべき試料を保持するための光透過
性の通路を有する電気泳動装置用部材であって、 前記光透過性の通路が請求項１または２に記載のガラス
からなることを特徴とする電気泳動装置用部材。 - 【請求項５】 請求項４に記載の電気泳動装置用部材の
製造方法であって、 請求項１または２に記載のガラスからなる部材にドライ
エッチングを施すことにより光透過性の通路を形成する
工程を備えることを特徴とする電気泳動装置用部材の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000306391A JP4520611B2 (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | ガラス、光学部材ならびに電気泳動装置用部材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000306391A JP4520611B2 (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | ガラス、光学部材ならびに電気泳動装置用部材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002116181A true JP2002116181A (ja) | 2002-04-19 |
| JP4520611B2 JP4520611B2 (ja) | 2010-08-11 |
Family
ID=18787089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000306391A Expired - Fee Related JP4520611B2 (ja) | 2000-10-05 | 2000-10-05 | ガラス、光学部材ならびに電気泳動装置用部材およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4520611B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004106888A2 (en) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Spectrumedix Llc | Electrophoresis capillaries having reduced amounts of -oh |
| EP1903011A2 (en) * | 2006-09-20 | 2008-03-26 | Imra America, Inc. | Rare earth doped and large effective area optical fibers for fiber lasers and amplifiers |
| JP2009125878A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Morioka Seiko Instruments Inc | キャピラリーの製造方法 |
| US7787729B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-08-31 | Imra America, Inc. | Single mode propagation in fibers and rods with large leakage channels |
| US7792394B2 (en) | 2004-12-30 | 2010-09-07 | Imra America, Inc. | Photonic bandgap fibers |
| US8159742B2 (en) | 2007-09-26 | 2012-04-17 | Imra America, Inc. | Glass large-core optical fibers |
| US8285099B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-10-09 | Imra America, Inc. | Large core holey fibers |
| US8498046B2 (en) | 2008-12-04 | 2013-07-30 | Imra America, Inc. | Highly rare-earth-doped optical fibers for fiber lasers and amplifiers |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046946A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-14 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 紫外線透過ガラス |
| JPS60215547A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 紫外線透過ガラス |
| JPH0834633A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Ohara Inc | ソーラリゼーションのない光学ガラス |
| JPH0867529A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Jenaer Glaswerk Gmbh | ホウ酸低含有ホウケイ酸ガラス及びその応用 |
| JPH0891867A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 紫外光透過用合成石英ガラスおよびその製造方法 |
| JPH08133753A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-28 | Tosoh Corp | 光学用合成石英ガラス及びその製造方法並びにその用途 |
| JPH09218149A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-19 | Shimadzu Corp | 検出計セルおよび光学測定装置 |
| JP2000086259A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-28 | Tosoh Corp | 真空紫外線用光学材料 |
-
2000
- 2000-10-05 JP JP2000306391A patent/JP4520611B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046946A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-14 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 紫外線透過ガラス |
| JPS60215547A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 紫外線透過ガラス |
| JPH0834633A (ja) * | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Ohara Inc | ソーラリゼーションのない光学ガラス |
| JPH0867529A (ja) * | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Jenaer Glaswerk Gmbh | ホウ酸低含有ホウケイ酸ガラス及びその応用 |
| JPH0891867A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 紫外光透過用合成石英ガラスおよびその製造方法 |
| JPH08133753A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-28 | Tosoh Corp | 光学用合成石英ガラス及びその製造方法並びにその用途 |
| JPH09218149A (ja) * | 1996-02-15 | 1997-08-19 | Shimadzu Corp | 検出計セルおよび光学測定装置 |
| JP2000086259A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-28 | Tosoh Corp | 真空紫外線用光学材料 |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004106888A3 (en) * | 2003-05-22 | 2005-02-17 | Spectrumedix Llc | Electrophoresis capillaries having reduced amounts of -oh |
| WO2004106888A2 (en) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Spectrumedix Llc | Electrophoresis capillaries having reduced amounts of -oh |
| US8285099B2 (en) | 2004-01-16 | 2012-10-09 | Imra America, Inc. | Large core holey fibers |
| US10197727B2 (en) | 2004-01-16 | 2019-02-05 | Imra America, Inc. | Large core holey fibers |
| US9645309B2 (en) | 2004-01-16 | 2017-05-09 | Imra America, Inc. | Large core holey fibers |
| US7792394B2 (en) | 2004-12-30 | 2010-09-07 | Imra America, Inc. | Photonic bandgap fibers |
| US10067289B2 (en) | 2005-05-20 | 2018-09-04 | Imra America, Inc. | Single mode propagation in fibers and rods with large leakage channels |
| US7787729B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-08-31 | Imra America, Inc. | Single mode propagation in fibers and rods with large leakage channels |
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