JP2002110591A - Apparatus and method of cleaning wafers after wire saw - Google Patents
Apparatus and method of cleaning wafers after wire sawInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の素材とし
て用いられるシリコン等のインゴットをスライスして形
成された薄板状のウエハを洗浄するワイヤーソー後ウエ
ハの洗浄装置及び洗浄方法に関する。The present invention relates to an apparatus and a method for cleaning a wafer after a wire saw for cleaning a thin wafer formed by slicing an ingot of silicon or the like used as a semiconductor material.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、シリコン等のインゴットをワイヤ
ーソー等でスライスして形成された薄板状のウエハの表
面は、切断時に使用した切削油、切り屑、砥粒等の微細
ゴミが付着するので、後工程の品質に影響を与えないた
めに念入りに洗浄が行われている。そのとき、インゴッ
トを保持する保持ベースからウエハを1枚ずつ分離して
洗浄すると、分離工程や搬送工程で多くの工数がかかる
ので、保持ベースにウエハを保持したまま洗浄する方法
が提案されている。この場合、例えば特開平11−11
1652号公報に開示されているように、インゴットを
スライスする工程で、インゴットをカーボンブロックな
どからなる保持ベースに接着した状態でスライスして、
インゴットの全長にわたって狭い間隙を開けて隣り合う
複数のウエハを形成する。そして、そのままインゴット
を保持ベースと共に洗浄装置に装着し、洗浄装置で洗浄
液に浸漬したり、シャワーノズルやジェットノズルでウ
エハに洗浄液を吹きつけたりして洗浄している。なお、
一般にインゴットをワイヤーソーでスライスしてウエハ
を形成する場合、ウエハの直径が300mm程度、イン
ゴットの全長が600mm程度、ウエハの厚みが0.8
〜1.0mm程度で、スライスしてできる隣り合うウエ
ハの間隙(切り代)は0.2〜0.25mm程度であ
る。2. Description of the Related Art Conventionally, the surface of a thin wafer formed by slicing an ingot of silicon or the like with a wire saw or the like adheres fine dust such as cutting oil, chips, and abrasive grains used during cutting. Cleaning is performed carefully so as not to affect the quality of the post-process. At that time, if the wafers are separated and washed one by one from the holding base that holds the ingot, a lot of man-hours are required in the separation step and the transporting step. Therefore, a method of cleaning while holding the wafer on the holding base has been proposed. . In this case, for example, JP-A-11-11
As disclosed in Japanese Patent No. 1652, in the step of slicing an ingot, the ingot is sliced while being adhered to a holding base made of a carbon block or the like,
A plurality of adjacent wafers are formed with a narrow gap over the entire length of the ingot. Then, the ingot is directly attached to the cleaning device together with the holding base, and the cleaning is performed by immersing the ingot in the cleaning solution or spraying the cleaning solution on the wafer with a shower nozzle or a jet nozzle. In addition,
Generally, when a wafer is formed by slicing an ingot with a wire saw, the diameter of the wafer is about 300 mm, the total length of the ingot is about 600 mm, and the thickness of the wafer is 0.8 mm.
The gap (cut allowance) between adjacent wafers formed by slicing is about 0.2 to 0.25 mm.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法では、隣り合うウエハの間隙が0.2〜0.2
5mm程度に狭く、直径が間隙の幅に比較して極めて大
きいため、洗浄液中で洗浄液を噴射させても、ウエハの
外周から中央部分まで十分洗浄液が通らず、隙間に微細
ゴミが引っ掛かって除去できないという問題があった。
また、ウエハは片側を保持ベースに接着により保持され
ているだけであるので、洗浄液のジェット噴射の力によ
りウエハの接着部分が変形して倒れが生じ、複数のウエ
ハ間の間隙が不揃いになり、洗浄液が間隙に入り難くな
る所ができて、洗浄状態にバラツキが生じたり、ウエハ
が保持ベースから脱落したりするという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ウエ
ハ間の間隙に向かって洗浄液とガスの混合体や洗浄液の
蒸気を噴射させることにより、ウエハ間の均一な間隙を
維持し、ウエハの洗浄効果を高めるワイヤーソー後ウエ
ハの洗浄装置及び洗浄方法を提供することを目的とす
る。However, in the above-mentioned conventional method, the gap between adjacent wafers is limited to 0.2 to 0.2.
Since the cleaning liquid is as narrow as about 5 mm and the diameter is extremely large compared to the width of the gap, even if the cleaning liquid is sprayed in the cleaning liquid, the cleaning liquid does not sufficiently pass from the outer periphery to the central portion of the wafer, and fine dust is caught in the gap and cannot be removed. There was a problem.
In addition, since the wafer is only held on one side by adhesion to the holding base, the bonding portion of the wafer is deformed by the force of the jet jet of the cleaning liquid, causing the wafer to fall, and the gap between the plurality of wafers becomes uneven, There is a problem that a portion where the cleaning liquid hardly enters the gap is generated, and the cleaning state varies, and the wafer drops from the holding base.
The present invention has been made in view of such circumstances, and by maintaining a uniform gap between wafers by injecting a mixture of cleaning liquid and gas or vapor of the cleaning liquid toward the gap between wafers, maintaining a uniform gap between wafers. An object of the present invention is to provide an apparatus and a method for cleaning a wafer after a wire saw, which enhances a cleaning effect.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】前記目的に沿う第1の発
明に係るワイヤーソー後ウエハ洗浄装置は、保持ベース
に保持されたインゴットをインゴットの軸線と交叉する
方向に薄板状にスライスして形成した複数のウエハを、
保持ベースに保持された状態で洗浄するワイヤーソー後
ウエハ洗浄装置であって、インゴットをガス雰囲気中で
保持し、ウエハ間の間隙に向かって洗浄液とガスとの混
合体を噴射するノズルと、ノズルとウエハとの軸線方向
の相対的位置を変える移動手段とを設け、混合体の噴射
によりウエハを洗浄する。これにより、インゴットを空
気中あるいは窒素ガス中に保持ベースによって保持し、
例えば水又は界面活性剤を含む溶液等からなる洗浄液と
圧縮された空気や窒素ガス等のガスとが混合された混合
体をノズルから噴射すると、混合体中の洗浄液は微細な
粒子が分散した霧状になって狭いウエハ間の間隙の奥深
くまで送り込まれる。その結果、ウエハの表面に洗浄液
が付着して全面が濡れ、次第にウエハの表面に洗浄液の
流れが生じて、ガスの噴射による流れと合わせてウエハ
に付着した微細ゴミを流し落とすことができる。特に洗
浄液に界面活性剤が含まれている場合、ウエハの表面を
濡らした洗浄液によって微細ゴミが浮き上がり、微細ゴ
ミが流れやすくなる。According to a first aspect of the present invention, there is provided an apparatus for cleaning a wafer after a wire saw, wherein the ingot held by the holding base is sliced into a thin plate in a direction intersecting the axis of the ingot. Multiple wafers
A post-wire saw wafer cleaning apparatus for cleaning while being held by a holding base, a nozzle that holds an ingot in a gas atmosphere and sprays a mixture of a cleaning liquid and a gas toward a gap between wafers, and a nozzle. Moving means for changing the relative position of the wafer and the wafer in the axial direction, and cleaning the wafer by spraying the mixture. With this, the ingot is held in the air or nitrogen gas by the holding base,
For example, when a mixture in which a cleaning liquid composed of water or a solution containing a surfactant and a gas such as compressed air or nitrogen gas are mixed is ejected from a nozzle, the cleaning liquid in the mixture becomes a mist in which fine particles are dispersed. And is fed deep into the gap between the narrow wafers. As a result, the cleaning liquid adheres to the surface of the wafer, and the entire surface is wetted, and the flow of the cleaning liquid gradually occurs on the surface of the wafer, so that the fine dust adhering to the wafer can be washed off together with the flow by the gas injection. In particular, when the cleaning liquid contains a surfactant, the cleaning liquid that wets the surface of the wafer causes the fine dust to float and the fine dust to flow easily.
【0005】第1の発明に係るワイヤーソー後ウエハ洗
浄装置において、ノズルは、混合体の流量調整手段を有
してもよい。この場合、ウエハの保持ベースに接着によ
って保持されている部分及びその近傍は、混合体の噴射
が強くても混合体によって保持部分が変形してウエハ間
の間隙が変化することはないが、保持ベースで保持した
部分の反対側、すなわち間隙が開いている先端側では、
混合体の噴射によるモーメントが大きく、保持ベースの
保持部分が変形して倒れが生じ、ウエハ間の間隙が変化
することがある。そのため、保持ベースの近傍のノズル
の混合体の流量を大きくし、保持ベースの反対側のノズ
ルの混合体の流量を小さくすることにより、倒れが生じ
ることがなく、ウエハ間の間隙を変化させたり、ウエハ
が脱落したりすることなく、均一な間隙を維持すること
ができる。In the apparatus for cleaning a wafer after a wire saw according to the first invention, the nozzle may have a flow rate adjusting means for the mixture. In this case, the portion held by the adhesive on the holding base of the wafer and its vicinity does not deform the holding portion due to the mixture even if the mixture is strongly sprayed, and the gap between the wafers does not change. On the opposite side of the part held by the base, that is, the tip side where the gap is open,
The moment by the injection of the mixture is large, and the holding portion of the holding base is deformed and falls down, and the gap between the wafers may change. Therefore, by increasing the flow rate of the mixture of the nozzles near the holding base and decreasing the flow rate of the mixture of the nozzles on the opposite side of the holding base, the gap between the wafers can be changed without falling down. A uniform gap can be maintained without the wafer falling off.
【0006】第1の発明に係るワイヤーソー後ウエハ洗
浄装置において、ノズルは、軸線方向に間隔を開けて複
数個設けてもよい。この場合、各ノズルから噴射される
混合体はそれぞれ軸線方向に配列された別のウエハの間
隙に向かって噴射されるので、1か所のウエハの間隙に
集中することがない。したがって、混合体の噴射によっ
てウエハ間の間隙が変化することが防止され、均一な間
隙を維持して洗浄効果のバラツキを防ぐことができる。In the post-wire saw wafer cleaning apparatus according to the first invention, a plurality of nozzles may be provided at intervals in the axial direction. In this case, the mixture ejected from each nozzle is ejected toward the gap between the other wafers arranged in the axial direction, so that the mixture does not concentrate on the gap between one wafer. Therefore, the gap between the wafers is prevented from being changed by the injection of the mixture, and the uniform gap can be maintained to prevent the variation in the cleaning effect.
【0007】前記目的に沿う第2の発明に係るワイヤー
ソー後ウエハ洗浄方法は、保持ベースに接着により全長
にわたって保持されたインゴットをインゴットの軸線と
交叉する方向に薄板状にスライスして複数のウエハを形
成し、保持ベースに保持された状態のウエハを洗浄する
洗浄方法であって、インゴットをガス雰囲気中で保持
し、ウエハとノズルの軸線方向の相対位置を変えなが
ら、ウエハ間の間隙に洗浄液とガスの混合体をノズルに
よって噴射して、ウエハの表面を洗浄する。これによ
り、洗浄液と空気や窒素ガス等のガスとが混合された混
合体をノズルから霧状に噴射して、インゴットをスライ
スすることにより狭い間隙を介して配列した状態のウエ
ハの軸線方向の全長にわたって、ウエハ間の隙間の奥深
くまで洗浄液を送り込み、ウエハの表面全体に順次付着
させることができ、効率的にウエハに付着した微細ゴミ
を流し落とすことができる。In accordance with a second aspect of the present invention, there is provided a method of cleaning a wafer after a wire saw, the method comprising the steps of: cutting an ingot held over its entire length by adhesion to a holding base into a thin plate in a direction intersecting the axis of the ingot; And cleaning the wafer held by the holding base, wherein the cleaning liquid is filled in the gap between the wafers while holding the ingot in a gas atmosphere and changing the relative position of the wafer and the nozzle in the axial direction. And a gas mixture is sprayed by a nozzle to clean the surface of the wafer. In this way, a mixture in which the cleaning liquid and a gas such as air or nitrogen gas are mixed is sprayed from a nozzle in the form of a mist, and the ingot is sliced so that the entire length in the axial direction of the wafer arranged in a narrow gap. , The cleaning liquid can be sent deep into the gap between the wafers and sequentially adhered to the entire surface of the wafer, so that fine dust adhering to the wafer can be efficiently washed away.
【0008】また、前記目的に沿う第3の発明に係るワ
イヤーソー後ウエハ洗浄方法は、保持ベースに接着によ
り全長にわたって保持されたインゴットをインゴットの
軸線と交叉する方向に薄板状にスライスして複数のウエ
ハを形成し、保持ベースに保持された状態のウエハを洗
浄する洗浄方法であって、インゴットをガス雰囲気中で
保持し、ウエハとノズルの軸線方向の相対位置を変えな
がら、ウエハ間の間隙に洗浄液の蒸気をノズルによって
噴射してウエハの表面を洗浄する。これにより、洗浄液
を加熱槽によって加熱して、例えば2〜5気圧程度の蒸
気圧の蒸気を取り出し、その蒸気をノズルによって噴射
して、インゴットをスライスすることにより狭い間隙を
介して配列した状態のウエハの軸線方向の全長にわたっ
て、ウエハ間の隙間の奥深くまで蒸気を送り込み、ウエ
ハの表面全体に順次吹きつけて、効率的にウエハに付着
した微細ゴミを流し落とすことができる。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for cleaning a wafer after a wire saw, wherein the ingot held over the entire length by bonding to a holding base is sliced into a thin plate in a direction crossing the axis of the ingot. A cleaning method for forming a wafer and cleaning the wafer held on a holding base, wherein the ingot is held in a gas atmosphere and the gap between the wafer and the nozzle is changed while changing the relative position of the wafer and the nozzle in the axial direction. Then, the vapor of the cleaning liquid is sprayed by a nozzle to clean the surface of the wafer. Thereby, the cleaning liquid is heated by the heating tank, and steam having a vapor pressure of, for example, about 2 to 5 atm is taken out, the steam is jetted by the nozzle, and the ingot is sliced to form a state of being arranged through a narrow gap. Steam can be sent deep into the gap between the wafers over the entire length in the axial direction of the wafer and blown sequentially over the entire surface of the wafer, so that fine dust adhering to the wafer can be efficiently washed off.
【0009】第2、第3の本発明に係るワイヤーソー後
ウエハ洗浄方法において、保持ベースと保持ベースの反
対側に設けた補助支持ベースとによって緩衝部材を介し
てウエハを保持してもよい。この場合、保持ベースと保
持ベースの反対側の2か所でウエハを保持しているの
で、側方から強い混合体を噴射させても、ウエハの間隙
が変化することがなくなり、均一な間隙を維持した状態
で洗浄することができる。In the second and third methods of cleaning a wafer after a wire saw according to the present invention, the wafer may be held via a buffer member by a holding base and an auxiliary support base provided on the opposite side of the holding base. In this case, since the wafer is held at two places on the opposite side of the holding base and the holding base, even if a strong mixture is injected from the side, the gap between the wafers does not change, and a uniform gap is formed. It can be washed while maintaining it.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】続いて、添付した図面を参照しつ
つ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発
明の理解に供する。ここに、図1は本発明の第1の実施
の形態に係るワイヤーソー後ウエハ洗浄装置の正面図、
図2は同ワイヤーソー後ウエハ洗浄装置の平面図、図3
は同ワイヤーソー後ウエハ洗浄装置に装着するウエハの
保持状態を示す斜視図、図4(A)、(B)はそれぞれ
同ワイヤーソー後ウエハ洗浄装置のノズルの平面図、側
面図、図5は本発明の第2の実施の形態に係るワイヤー
ソー後ウエハ洗浄装置のノズルの配列状態を示す側面
図、図6は本発明の第3の実施の形態に係るワイヤーソ
ー後ウエハ洗浄装置のウエハの保持状態を示す斜視図で
ある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings to provide an understanding of the present invention. Here, FIG. 1 is a front view of a post-wire saw wafer cleaning apparatus according to the first embodiment of the present invention,
FIG. 2 is a plan view of the post-saw wafer cleaning apparatus, and FIG.
FIG. 4 is a perspective view showing a holding state of a wafer mounted on the post-wire saw wafer cleaning apparatus, FIGS. 4A and 4B are a plan view, a side view, and FIG. FIG. 6 is a side view showing an arrangement state of nozzles of a post-wire saw wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a side view of a wafer of the post-wire saw wafer cleaning apparatus according to the third embodiment of the present invention. It is a perspective view showing a holding state.
【0011】図1、図2に示すように、本発明の第1の
実施の形態に係るワイヤーソー後ウエハ洗浄装置10
は、例えば直径が300mm程度、長さが600mm程
度のシリコンからなる円柱状のインゴット11を装入可
能な幅を有し、長手方向はインゴット11の全長の2倍
を超える長さを有する洗浄槽12を備えている。インゴ
ット11は、図3に示すように、保持ベース13に吊り
下げられた状態で保持されているが、保持ベース13は
平板状の金属板からなる基部14にカーボンブロック1
5を取付けて形成している。そして、インゴット11は
カーボンブロック15に接着剤によって固定され、この
状態でインゴット11の軸線に交叉する方向にワイヤー
ソー等により薄板状にスライスされ、その軸線方向に間
隙G(例えば0.2〜0.25mm程度)を開けて複数
配列されたウエハ16が形成されている。As shown in FIGS. 1 and 2, a post-wire saw wafer cleaning apparatus 10 according to a first embodiment of the present invention.
Has a width capable of loading a cylindrical ingot 11 made of, for example, silicon having a diameter of about 300 mm and a length of about 600 mm, and a cleaning tank having a length in the longitudinal direction exceeding twice the total length of the ingot 11. 12 are provided. As shown in FIG. 3, the ingot 11 is held in a state of being suspended from a holding base 13, and the holding base 13 is attached to a base 14 made of a flat metal plate.
5 is formed. Then, the ingot 11 is fixed to the carbon block 15 with an adhesive. In this state, the ingot 11 is sliced into a thin plate by a wire saw or the like in a direction crossing the axis of the ingot 11, and a gap G (for example, 0.2 to 0) is formed in the axial direction. (Approximately .25 mm) to form a plurality of arranged wafers 16.
【0012】洗浄槽12の長手方向に沿って形成された
側壁17の上端部には、それぞれ長手方向に延びるボー
ルガイドからなるリニアガイド18が設けられている。
両方のリニアガイド18上にはリニアガイド18に沿っ
てガイドされる対となる移動ベース19を載置し、両方
の移動ベース19は実質的にインゴット11の全長だけ
間隔を開けた位置でU字状の連結部材20によって連結
され、移動ベース19と連結部材20とによって支持フ
レーム21を形成している。そして、連結部材20の上
に保持ベース13を載置して、インゴット11を下方に
吊り下げるように保持可能にしている。一方の側壁17
にはリニアガイド18と平行に延びるボールネジ22が
設けられ、ボールネジ22に螺合するボールナット23
は移動ベース19に固定され、ボールネジ22は駆動モ
ータ24によって回転駆動されるようにしている。この
ように、リニアガイド18、支持フレーム21、ボール
ネジ22、ボールナット23、駆動モータ24によっ
て、移動ベース19と共に支持フレーム21に載置され
たインゴット11を洗浄槽12の長手方向に移動できる
移動手段25を形成している。A linear guide 18 composed of a ball guide extending in the longitudinal direction is provided at the upper end of a side wall 17 formed along the longitudinal direction of the cleaning tank 12.
A pair of moving bases 19 guided along the linear guides 18 is mounted on both linear guides 18, and both moving bases 19 are U-shaped at positions substantially separated by the entire length of the ingot 11. The movable base 19 and the connecting member 20 form a supporting frame 21. The holding base 13 is placed on the connecting member 20 so that the ingot 11 can be held so as to be hung downward. One side wall 17
Is provided with a ball screw 22 extending in parallel with the linear guide 18, and a ball nut 23 screwed into the ball screw 22.
Is fixed to the moving base 19, and the ball screw 22 is driven to rotate by a driving motor 24. As described above, the linear guide 18, the support frame 21, the ball screw 22, the ball nut 23, and the drive motor 24 can move the ingot 11 placed on the support frame 21 together with the moving base 19 in the longitudinal direction of the cleaning tank 12. 25 are formed.
【0013】洗浄槽12の長手方向の中央部には、側壁
17を貫通する装着孔26を直線状に設け、装着孔26
にはそれぞれノズル27を上下方向に間隔を開けて装着
し、複数のノズル27のノズル本体28を側壁17の内
側に突出させて上下方向に配置している。ノズル27
は、図4に示すように、洗浄液とガスとの混合体をノズ
ル本体28に供給する混合器29を設けている。混合器
29は、液槽(図示しない)からポンプなどにより供給
される、例えば温水や純水、あるいは界面活性剤を含ん
だ水等からなる洗浄液を第1のバルブ30を介して導入
する洗浄液供給口31と、空気清浄器を通して圧縮機
(図示しない)によって、例えば2〜3気圧程度に圧縮
された空気や、圧縮された窒素ガス等のガスを第2のバ
ルブ32を介して導入するガス供給口33とを有してい
る。この第1、第2のバルブ30、32によって、混合
体の流量調整手段34を形成している。なお、混合器2
9とノズル本体28との間に第3のバルブを設けて流量
調整手段を形成してもよい。At the center in the longitudinal direction of the cleaning tank 12, a mounting hole 26 penetrating the side wall 17 is provided linearly.
The nozzles 27 are mounted at intervals in the vertical direction, and the nozzle bodies 28 of the plurality of nozzles 27 are arranged in the vertical direction so as to protrude inside the side wall 17. Nozzle 27
As shown in FIG. 4, a mixer 29 for supplying a mixture of a cleaning liquid and a gas to a nozzle body 28 is provided. The mixer 29 supplies a cleaning liquid supplied from a liquid tank (not shown) by a pump or the like through a first valve 30, for example, a cleaning liquid made of, for example, hot water, pure water, or water containing a surfactant. A gas supply for introducing a gas such as compressed air or compressed nitrogen gas through a second valve 32 through a port 31 and a compressor (not shown) through an air purifier by a compressor (not shown). It has a mouth 33. The first and second valves 30 and 32 form a flow rate adjusting means 34 for the mixture. In addition, the mixer 2
A third valve may be provided between the nozzle 9 and the nozzle body 28 to form the flow rate adjusting means.
【0014】ノズル本体28の混合体が噴出する噴射口
35は断面が偏平な四角形状に形成され、断面の長辺が
ウエハ16間の間隙Gと平行になるように配置され、し
かも、インゴット11の側面の上部から下部にわたって
全面に混合体を噴射させるようにしている。なお、装着
孔26はノズル27を装着した後は、側壁17とノズル
27との間に隙間が生じないようにパッキングなどによ
り密閉されている。洗浄槽12の下方には排液槽36を
設けて、ウエハ16間の間隙Gから落下する洗浄液を受
けるようにしている。The injection port 35 of the nozzle body 28 from which the mixture is ejected is formed so that its cross section is formed in a flat rectangular shape, the long side of the cross section is parallel to the gap G between the wafers 16 and the ingot 11 The mixture is sprayed over the entire surface from the upper part to the lower part of the side surface of the. After the nozzle 27 is mounted, the mounting hole 26 is sealed by packing or the like so that no gap is formed between the side wall 17 and the nozzle 27. A drainage tank 36 is provided below the cleaning tank 12 so as to receive the cleaning liquid falling from the gap G between the wafers 16.
【0015】ここで、本発明の第1の実施の形態に係る
ワイヤーソー後ウエハ洗浄装置10を用いたワイヤーソ
ー後ウエハ洗浄方法について説明する。 (1)先ず、移動手段25により支持フレーム21を図
2中実線で示す洗浄槽12の一方側に移動させておく。 (2)保持ベース13に全長にわたって保持されたイン
ゴット11をワイヤーソー等により軸線と交叉する方向
に薄板状にスライスして、軸線方向に間隙Gを開けて複
数配列されたウエハ16を形成し、保持ベース13を上
に、インゴット11を下に向けた状態で保持ベース13
を支持フレーム21の連結部材20の上に載置する。 (3)第1、第2のバルブ30、32を開いて洗浄液と
ガスを混合器29に供給し、混合器29によって霧状の
混合体を形成してノズル本体28からインゴット11の
端部に形成されたウエハ16間の間隙Gに向かって噴射
させる。Here, a method for cleaning a wafer after a wire saw using the apparatus for cleaning a wafer after a wire saw 10 according to the first embodiment of the present invention will be described. (1) First, the support frame 21 is moved to one side of the cleaning tank 12 indicated by a solid line in FIG. (2) The ingot 11 held over the entire length of the holding base 13 is sliced into a thin plate shape in a direction intersecting the axis with a wire saw or the like to form a plurality of wafers 16 arranged with a gap G in the axial direction. With the holding base 13 up and the ingot 11 down
Is placed on the connecting member 20 of the support frame 21. (3) The first and second valves 30 and 32 are opened to supply the cleaning liquid and the gas to the mixer 29, and a mist-like mixture is formed by the mixer 29 so that the mixture is formed from the nozzle body 28 to the end of the ingot 11. Injection is performed toward the gap G between the formed wafers 16.
【0016】(4)ノズル本体28から混合体を噴射し
ている状態で、移動手段25の駆動モータ24を駆動
し、ボールネジ22、ボールナット23を介して、移動
ベース19と共に連結部材20に載置されたインゴット
11を洗浄槽12の他方側に移動しながら、保持ベース
13に保持された状態のウエハ16間の間隙Gに向かっ
て混合体を噴射し、ウエハ16の表面を洗浄する。 (5)支持フレーム21が、図2に2点鎖線で示す洗浄
槽12の他方側に移動し終わったら、移動方向を反転さ
せて、支持フレーム21を洗浄槽12の一方側に移動さ
せながらウエハ16の表面を再度洗浄する。 (6)洗浄が完了したなら、支持フレーム21が洗浄槽
12の一方側にきたときに移動手段25を停止させ、イ
ンゴット11を支持フレーム21から取外して次の工程
に送り、空いた支持フレーム21に次に洗浄するインゴ
ット11を取付けて洗浄作業を継続する。なお、ウエハ
16の洗浄状態によっては、支持フレーム21が洗浄槽
12の他方側に移動し終わったときにインゴット11を
支持フレーム21から取外してもよく、また移動手段2
5によって洗浄槽12の一方側と他方側を複数回往復し
たあとで、洗浄槽12の一方側又は他方側でインゴット
11を支持フレーム21から取外してもよい。(4) While the mixture is being sprayed from the nozzle body 28, the drive motor 24 of the moving means 25 is driven, and is mounted on the connecting member 20 together with the moving base 19 via the ball screw 22 and the ball nut 23. While moving the placed ingot 11 to the other side of the cleaning tank 12, the mixture is sprayed toward the gap G between the wafers 16 held in the holding base 13 to wash the surface of the wafer 16. (5) When the support frame 21 has moved to the other side of the cleaning tank 12 indicated by the two-dot chain line in FIG. 2, the moving direction is reversed, and the wafer is moved while the support frame 21 is moved to one side of the cleaning tank 12. The surface of No. 16 is washed again. (6) When the cleaning is completed, when the support frame 21 comes to one side of the cleaning tank 12, the moving means 25 is stopped, the ingot 11 is detached from the support frame 21, and sent to the next step. Next, the ingot 11 to be washed next is attached, and the washing operation is continued. Depending on the cleaning state of the wafer 16, the ingot 11 may be removed from the support frame 21 when the support frame 21 has moved to the other side of the cleaning tank 12.
The ingot 11 may be removed from the support frame 21 on one side or the other side of the cleaning tank 12 after reciprocating one side and the other side of the cleaning tank 12 a plurality of times by 5.
【0017】このようにして、空気等のガス雰囲気中で
インゴット11を移動させながら、洗浄液とガスの混合
体をノズル27の噴射口35からウエハ16の間隙に向
けて噴射することにより、洗浄液は微細な粒子からなる
霧状になって狭いウエハ16間の間隙の奥深くまで入り
込み、ウエハ16の表面が洗浄液によって濡れて、次第
に洗浄液の流れができ、ウエハ16に付着した微細ゴミ
が流れ落ちる。なお、混合体の噴射が強すぎて、ウエハ
の保持部分が変形し、ウエハ16間の間隙が変化する場
合には、流量調整手段34である第1、第2のバルブ3
0、32の開度を調節して洗浄液とガスの流量を調整
し、ウエハ16を保持する保持ベース13の近傍のノズ
ル27の混合体の流量を大きくし、保持ベース13から
離れた位置にある側のノズル27の混合体の流量を小さ
くすることにより、ウエハの倒れを防ぎ、ウエハ16間
の間隙を変化させたり、接着が外れてウエハ16が脱落
したりすることなく、均一な間隙を維持して洗浄効果の
バラツキを防ぐことができる。In this manner, the mixture of the cleaning liquid and the gas is injected from the injection port 35 of the nozzle 27 toward the gap between the wafers 16 while moving the ingot 11 in a gas atmosphere such as air, so that the cleaning liquid is The mist formed of fine particles enters deep into the gap between the narrow wafers 16, and the surface of the wafer 16 is wetted by the cleaning liquid, the cleaning liquid gradually flows, and fine dust attached to the wafer 16 flows down. In the case where the injection of the mixture is too strong, the holding portion of the wafer is deformed and the gap between the wafers 16 changes, the first and second valves 3 serving as the flow rate adjusting means 34 are used.
The flow rates of the cleaning liquid and the gas are adjusted by adjusting the opening degrees of the nozzles 0 and 32, and the flow rate of the mixture of the nozzle 27 near the holding base 13 holding the wafer 16 is increased. By reducing the flow rate of the mixture of the nozzles 27 on the side, the wafers are prevented from falling down, and the uniform gaps are maintained without changing the gaps between the wafers 16 and preventing the wafers 16 from falling off due to adhesion. As a result, variations in the cleaning effect can be prevented.
【0018】図5に示すように、本発明の第2の実施の
形態に係るワイヤーソー後ウエハ洗浄装置40は、第1
の実施の形態に係るワイヤーソー後ウエハ洗浄装置10
でノズル27の配置を上下方向に直線状に配置したもの
に代えて、ノズルを軸線方向に間隔Dを開けて複数個設
け、ノズルが斜め方向に配列するようにしたものであ
る。なお、第1の実施の形態と同一構成要素については
同一符号を付して説明する。すなわち、洗浄槽41の長
手方向の中央部に、側壁42を貫通する開口部43を設
け、開口部43をノズル取付け板44によって覆い、ノ
ズル取付け板44には取付け孔を上下、及び軸線方向に
所定間隔を開けて設けて複数のノズル27を装着してい
る。そして、ノズル27の噴射口35を洗浄槽41の内
側に向けて開口させ、しかも、噴射口35を上下方向に
間隔を開けると共に、それぞれ隣り合うノズルを軸線方
向に間隔Dが10〜20mm程度になるように順次ずら
して設けて、斜め方向に配列している。これにより、各
ノズル27の噴射口35から噴射される混合体はそれぞ
れ軸線方向にずれた別のウエハ16の間隙Gの中に噴射
されるので、1か所のウエハ16の間隙に集中すること
がなく、混合体の噴射による各ウエハ16に与える力は
分散して弱くなるので、ウエハ16間の間隙は均一に維
持される。As shown in FIG. 5, a post-wire saw wafer cleaning apparatus 40 according to a second embodiment of the present invention comprises
Post-saw wafer cleaning apparatus 10 according to the embodiment of the present invention
Instead of the arrangement in which the nozzles 27 are arranged linearly in the vertical direction, a plurality of nozzles are provided at intervals D in the axial direction, and the nozzles are arranged obliquely. The same components as those in the first embodiment will be described with the same reference numerals. That is, an opening 43 that penetrates the side wall 42 is provided at the central portion in the longitudinal direction of the cleaning tank 41, and the opening 43 is covered with the nozzle mounting plate 44, and the nozzle mounting plate 44 is provided with mounting holes vertically and axially. A plurality of nozzles 27 are mounted at predetermined intervals. Then, the injection ports 35 of the nozzles 27 are opened toward the inside of the cleaning tank 41, and the injection ports 35 are spaced apart in the up-down direction, and the distance D between adjacent nozzles in the axial direction is set to about 10 to 20 mm. And are arranged in a diagonal direction. As a result, the mixture injected from the injection port 35 of each nozzle 27 is injected into the gap G of another wafer 16 shifted in the axial direction, so that the mixture is concentrated in one gap of the wafer 16. However, since the force applied to each wafer 16 by the injection of the mixture is dispersed and weakened, the gap between the wafers 16 is maintained uniform.
【0019】図6に示すように、本発明の第3の実施の
形態に係るワイヤーソー後ウエハ洗浄装置50は、第1
の実施の形態に係るワイヤーソー後ウエハ洗浄装置10
でインゴット11の上方の一部だけを保持ベース13に
接着で固定した構成の代わりに、保持ベースと保持ベー
スの反対側に設けた補助支持ベースとによって緩衝部材
を介してウエハを保持するようにするものである。すな
わち、ワイヤーソー後ウエハ洗浄装置50に使用する保
持ベース51は、カーボンブロック52を基部53に固
定して形成し、基部53の軸線方向の両端部に連結ボル
ト等からなる取付け部材54を着脱自在に取付け可能に
している。また、スポンジ等の緩衝部材55を固定した
板状の補助支持ベース56を準備し、取付け部材54を
介して保持ベース51の基部53に取付け可能にしてい
る。そして、カーボンブロック52にインゴット11を
接着剤で固定した状態で、ワイヤーソーによりスライス
してウエハ16を形成したあと、緩衝部材55をインゴ
ット11の保持ベース51側とは反対側に押し当てて、
緩衝部材55とカーボンブロック52とによってインゴ
ット11を挟んだ状態とし、補助支持ベース56を取付
け部材54によって基部53に固定し、ウエハ16の上
端と下端とを抑えてウエハ16間の間隙が変化しないよ
うにする。As shown in FIG. 6, a post-wire saw wafer cleaning apparatus 50 according to a third embodiment of the present invention comprises
Post-saw wafer cleaning apparatus 10 according to the embodiment of the present invention
Instead of a configuration in which only the upper part of the ingot 11 is fixed to the holding base 13 by bonding, the holding base and an auxiliary support base provided on the opposite side of the holding base hold the wafer via the buffer member. Is what you do. That is, the holding base 51 used for the wafer cleaning apparatus 50 after the wire saw is formed by fixing the carbon block 52 to the base 53, and the mounting members 54 such as connecting bolts are detachably attached to both ends of the base 53 in the axial direction. It can be attached to. In addition, a plate-shaped auxiliary support base 56 to which a buffer member 55 such as a sponge is fixed is prepared, and can be attached to the base 53 of the holding base 51 via an attachment member 54. Then, in a state where the ingot 11 is fixed to the carbon block 52 with an adhesive, the wafer 16 is formed by slicing with a wire saw, and the buffer member 55 is pressed against the ingot 11 on the side opposite to the holding base 51 side.
The ingot 11 is sandwiched between the buffer member 55 and the carbon block 52, the auxiliary support base 56 is fixed to the base 53 by the mounting member 54, and the upper and lower ends of the wafer 16 are suppressed so that the gap between the wafers 16 does not change. To do.
【0020】これにより、ウエハ16の側方にノズル2
7からの強い混合体の噴射が当たっても、ウエハ16の
間隙Gが変化することがなくなり、インゴット11の全
長にわたって均一な間隙Gを維持することができる。な
お、補助支持ベース56の緩衝部材55をインゴット1
1に押し当てる場合、補助支持ベース56をインゴット
11の下方から、例えば移動手段25によって支持フレ
ーム21と共に移動可能に設けたエアシリンダー等のリ
ニアアクチュエータによって押し上げて、インゴット1
1を上下から保持ベース51と補助支持ベース56によ
って保持するようにしてもよい。As a result, the nozzle 2 is located on the side of the wafer 16.
The gap G of the wafer 16 does not change even when the strong mixture is injected from the nozzle 7, and the uniform gap G can be maintained over the entire length of the ingot 11. Note that the cushioning member 55 of the auxiliary support base 56 is
When pressed against the ingot 11, the auxiliary support base 56 is pushed up from below the ingot 11 by a linear actuator such as an air cylinder movably provided together with the support frame 21 by the moving means 25, for example.
1 may be held from above and below by the holding base 51 and the auxiliary support base 56.
【0021】以上、本発明を第1〜第3の実施の形態に
係るワイヤーソー後ウエハ洗浄装置及び洗浄方法につい
て説明してきたが、本発明は、何ら前記の実施の形態に
記載の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲
に記載されている事項の範囲内で考えられるその他の実
施の形態や変形例も含むものである。例えば、前記実施
の形態に係るワイヤーソー後ウエハ洗浄装置では、複数
個のノズルを洗浄槽の側壁の内側に突出するように固定
した例について説明したが、各ノズルを上下方向、軸線
方向にそれぞれ揺動させながら混合体を噴射するように
してもよい。これにより、更に均一に混合体をウエハの
間の間隙に噴射させることが可能である。また、前記実
施の形態に係るワイヤーソー後ウエハ洗浄装置を用いた
洗浄方法では、シリコンウエハの洗浄について説明した
が、ウエハはシリコンウエハに限るものではなく、ガリ
ウム砒素ウエハ、アルミナウエハ等の半導体に利用され
る材料からなるインゴットから薄板状にスライスされる
各種のウエハにも適用できる。The present invention has been described above with reference to the first to third embodiments of the apparatus and method for cleaning a wafer after a wire saw. However, the present invention is not limited to the configuration described in the above embodiment. However, the present invention also includes other embodiments and modifications that can be considered within the scope of the matters described in the claims. For example, in the post-wire saw wafer cleaning apparatus according to the above-described embodiment, an example was described in which a plurality of nozzles were fixed so as to protrude inside the side wall of the cleaning tank. The mixture may be ejected while swinging. This allows the mixture to be sprayed more evenly into the gap between the wafers. Further, in the cleaning method using the post-wire saw wafer cleaning apparatus according to the above-described embodiment, cleaning of a silicon wafer has been described, but the wafer is not limited to a silicon wafer, but may be a semiconductor such as a gallium arsenide wafer or an alumina wafer. The present invention can also be applied to various wafers sliced into thin plates from an ingot made of a material to be used.
【0022】更に、移動手段の駆動モータには可変速モ
ータを使用し、ウエハの洗浄状態に応じて移動手段によ
って送られるインゴットの移動速度を変えるようにして
もよい。この場合、ウエハの最適な洗浄状態を実現する
ことが可能である。また、前記実施の形態に係るワイヤ
ーソー後ウエハ洗浄装置では、移動手段は駆動モータに
よって回転駆動されるボールネジと、ボールネジに螺合
するボールナットと、ボールナットに取付けられた移動
ベースと移動ベースをガイドするリニアガイドとを備え
た例について説明したが、ボールネジと、ボールネジに
螺合するボールナットを設ける代わりに、リニアガイド
を配置した位置にリニアモータの固定部を配置し、移動
ベースの代わりに固定部に沿って移動し得るリニアモー
タの可動部を設け、可動部に支持フレームを取付けて、
リニアモータによって支持フレームと共にインゴットを
移動させるようにしてもよい。また、前記実施の形態に
係るワイヤーソー後ウエハ洗浄装置では、インゴットを
取付けた保持ベースを支持フレームを介して軸線方向に
移動する例について説明したが、インゴットを取付けた
保持ベースを洗浄槽内に固定し、複数のノズルを軸線方
向に移動可能な一つの移動手段に取付け、同時に複数の
ノズルをインゴットの軸線方向の洗浄槽の全長にわたっ
て移動するようにしてもよい。この場合、洗浄槽の中に
一度に収納できるインゴットの量を増やすことができ、
洗浄効率を高めることが可能となる。Further, a variable speed motor may be used as the drive motor of the moving means, and the moving speed of the ingot sent by the moving means may be changed according to the cleaning state of the wafer. In this case, it is possible to realize an optimal cleaning state of the wafer. Further, in the post-saw wafer cleaning apparatus according to the embodiment, the moving means includes a ball screw that is rotationally driven by a drive motor, a ball nut screwed into the ball screw, a moving base attached to the ball nut, and a moving base. Although an example with a linear guide to guide has been described, instead of providing a ball screw and a ball nut screwed into the ball screw, a fixed portion of the linear motor is arranged at a position where the linear guide is arranged, and instead of a moving base, Provide a movable part of a linear motor that can move along the fixed part, attach a support frame to the movable part,
The ingot may be moved together with the support frame by a linear motor. Further, in the post-wire saw wafer cleaning apparatus according to the embodiment, an example in which the holding base to which the ingot is attached is moved in the axial direction via the support frame has been described, but the holding base to which the ingot is attached is placed in the cleaning tank. Alternatively, the plurality of nozzles may be attached to one moving means capable of moving in the axial direction while the plurality of nozzles are simultaneously moved along the entire length of the cleaning tank in the axial direction of the ingot. In this case, the amount of ingot that can be stored in the cleaning tank at one time can be increased,
The cleaning efficiency can be improved.
【0023】また、前記実施の形態に係るワイヤーソー
後ウエハ洗浄装置では、ノズルからウエハの間の間隙に
洗浄液とガスとの混合体を噴射する例について説明した
が、洗浄液を加熱槽によって加熱して、例えば2〜5気
圧程度の蒸気圧の蒸気を取り出し、その蒸気をノズルに
よって噴射して、インゴットをスライスすることにより
狭い間隙を介して配列した状態のウエハの軸線方向の全
長にわたって、ウエハ間の隙間の奥深くまで蒸気を送り
込み、ウエハの表面全体に順次吹きつけるようにしても
よい。Further, in the apparatus for cleaning a wafer after a wire saw according to the above-described embodiment, an example in which a mixture of a cleaning liquid and a gas is injected from a nozzle into a gap between wafers has been described, but the cleaning liquid is heated by a heating tank. For example, a vapor having a vapor pressure of about 2 to 5 atm is taken out, the vapor is ejected by a nozzle, and the ingot is sliced to form an ingot. The steam may be sent deep into the gap and sprayed sequentially over the entire surface of the wafer.
【0024】[0024]
【発明の効果】請求項1〜3記載のワイヤーソー後ウエ
ハ洗浄装置においては、インゴットをガス雰囲気中で保
持し、ウエハ間の間隙に向かって洗浄液とガスとの混合
体を噴射するノズルと、ノズルとウエハとの軸線方向の
相対的位置を変える移動手段とを設け、混合体の噴射に
よりウエハを洗浄するので、混合体中の洗浄液は微細な
粒子からなる霧状になって狭いウエハ間の間隙の奥深く
まで入り込み、ウエハに付着した微細ゴミを流し落とす
ことができる。In the apparatus for cleaning a wafer after a wire saw according to any one of claims 1 to 3, a nozzle for holding an ingot in a gas atmosphere and injecting a mixture of a cleaning liquid and a gas toward a gap between the wafers; A moving means for changing the relative position of the nozzle and the wafer in the axial direction is provided, and the wafer is cleaned by spraying the mixture, so that the cleaning liquid in the mixture becomes a mist composed of fine particles and becomes a mist between narrow wafers. It is possible to penetrate deep into the gap and flow down fine dust attached to the wafer.
【0025】特に、請求項2記載のワイヤーソー後ウエ
ハ洗浄装置においては、ノズルは、混合体の流量調整手
段を有しているので、ウエハを保持する保持ベースの近
傍のノズルの混合体の流量を大きくし、保持ベースの反
対側のノズルの混合体の流量を小さくすることにより、
ウエハ間の間隙を変化させたり、ウエハが脱落したりす
ることなく、均一な間隙を維持して洗浄効果のバラツキ
を防ぐことができる。請求項3記載のワイヤーソー後ウ
エハ洗浄装置においては、ノズルは、軸線方向に間隔を
開けて複数個設けているので、ノズルから噴射される混
合体はそれぞれ別のウエハの間隙に向かって噴射され、
1か所のウエハの間隙に集中することがなく、混合体の
噴射によってウエハ間の間隙が変化することがなくな
り、均一な間隙を維持して洗浄効果のバラツキを防ぐこ
とができる。In particular, in the apparatus for cleaning a wafer after a wire saw according to the second aspect, since the nozzle has the flow rate adjusting means for the mixture, the flow rate of the mixture of the nozzle near the holding base for holding the wafer is maintained. By increasing the flow rate of the mixture at the nozzle opposite the holding base,
A uniform gap can be maintained without changing the gap between the wafers or falling off of the wafers, thereby preventing variations in the cleaning effect. In the apparatus for cleaning a wafer after a wire saw according to claim 3, since a plurality of nozzles are provided at intervals in the axial direction, the mixture ejected from the nozzles is ejected toward a gap between different wafers. ,
It is not concentrated in one gap between the wafers, the gap between the wafers is not changed by the injection of the mixture, and a uniform gap can be maintained to prevent a variation in the cleaning effect.
【0026】請求項4及びこれに従属する請求項6記載
のワイヤーソー後ウエハ洗浄方法においては、保持ベー
スに接着により全長にわたって保持されたインゴットを
軸線と交叉する方向に薄板状にスライスして複数のウエ
ハを形成し、インゴットがガス雰囲気中で保持ベースに
保持された状態で、ウエハとノズルの軸線方向の相対位
置を変えながら、ウエハ間の間隙に洗浄液とガスの混合
体をノズルによって霧状に噴射するので、ウエハ間の間
隙の奥深くまで洗浄液を送り、ウエハの表面全体に付着
させることができ、効率的に微細ゴミを流し落とすこと
ができる。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method of cleaning a wafer after a wire saw, wherein the ingot held over the entire length by bonding to the holding base is sliced into a thin plate in a direction intersecting with the axis. With the ingot held on the holding base in a gaseous atmosphere while changing the relative position of the wafer and the nozzle in the axial direction, a mixture of the cleaning liquid and the gas is atomized by the nozzle in the gap between the wafers. Therefore, the cleaning liquid can be sent deep into the gap between the wafers, adhered to the entire surface of the wafer, and the fine dust can be efficiently washed off.
【0027】請求項5及びこれに従属する請求項6記載
のワイヤーソー後ウエハ洗浄方法においては、保持ベー
スに接着により全長にわたって保持されたインゴットを
軸線と交叉する方向に薄板状にスライスして複数のウエ
ハを形成し、インゴットをガス雰囲気中で保持し、ウエ
ハとノズルの軸線方向の相対位置を変えながら、ウエハ
間の間隙に洗浄液の蒸気をノズルによって噴射してウエ
ハの表面を洗浄するので、ウエハ間の隙間の奥深くまで
加熱された蒸気を送り込み、ウエハの表面全体に順次吹
きつけて、更に効率的にウエハに付着した微細ゴミを流
し落とすことができる。特に、請求項6記載のワイヤー
ソー後ウエハ洗浄方法においては、保持ベースと保持ベ
ースの反対側に設けた補助支持ベースとによって緩衝部
材を介してウエハを保持しているので、強い混合体の噴
射でも、ウエハの間隙が変化することがなくなり、均一
な間隙を維持して洗浄効果のバラツキを防ぐことができ
る。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for cleaning a wafer after a wire saw, wherein the ingot held over its entire length by bonding to a holding base is sliced into a thin plate in a direction intersecting the axis. Since the wafer is formed, the ingot is held in a gas atmosphere, and while changing the relative position of the wafer and the nozzle in the axial direction, the vapor of the cleaning liquid is injected into the gap between the wafers by the nozzle to clean the surface of the wafer. The heated steam is sent deep into the gap between the wafers, and is blown sequentially over the entire surface of the wafer, so that fine dust adhering to the wafer can be more efficiently washed off. In particular, in the method of cleaning a wafer after a wire saw according to claim 6, since the wafer is held via the buffer member by the holding base and the auxiliary support base provided on the opposite side of the holding base, the strong mixture is injected. However, the gap between the wafers does not change, and a uniform gap can be maintained to prevent a variation in the cleaning effect.
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るワイヤーソー
後ウエハ洗浄装置の正面図である。FIG. 1 is a front view of a post-saw wafer cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図2】同ワイヤーソー後ウエハ洗浄装置の平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view of the post-saw wafer cleaning apparatus.
【図3】同ワイヤーソー後ウエハ洗浄装置に装着するウ
エハの保持状態を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a holding state of a wafer mounted on the wafer cleaning apparatus after the wire saw.
【図4】(A)、(B)はそれぞれ同ワイヤーソー後ウ
エハ洗浄装置のノズルの平面図、側面図である。FIGS. 4A and 4B are a plan view and a side view of a nozzle of the post-wire saw wafer cleaning apparatus, respectively.
【図5】本発明の第2の実施の形態に係るワイヤーソー
後ウエハ洗浄装置のノズルの配列状態を示す側面図であ
る。FIG. 5 is a side view showing an arrangement state of nozzles in a post-wire saw wafer cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第3の実施の形態に係るウエハ洗浄装
置のウエハの保持状態を示す斜視図である。FIG. 6 is a perspective view showing a wafer holding state of a wafer cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.
10:ワイヤーソー後ウエハ洗浄装置、11:インゴッ
ト、12:洗浄槽、13:保持ベース、14:基部、1
5:カーボンブロック、16:ウエハ、17:側壁、1
8:リニアガイド、19:移動ベース、20:連結部
材、21:支持フレーム、22:ボールネジ、23:ボ
ールナット、24:駆動モータ、25:移動手段、2
6:装着孔、27:ノズル、28:ノズル本体、29:
混合器、30:第1のバルブ、31:洗浄液供給口、3
2:第2のバルブ、33:ガス供給口、34:流量調整
手段、35:噴射口、36:排液槽、40:ワイヤーソ
ー後ウエハ洗浄装置、41:洗浄槽、42:側壁、4
3:開口部、44:ノズル取付け板、50:ワイヤーソ
ー後ウエハ洗浄装置、51:保持ベース、52:カーボ
ンブロック、53:基部、54:取付け部材、55:緩
衝部材、56:補助支持ベース10: Wafer cleaning device after wire saw, 11: Ingot, 12: Cleaning tank, 13: Holding base, 14: Base, 1
5: carbon block, 16: wafer, 17: side wall, 1
8: linear guide, 19: moving base, 20: connecting member, 21: support frame, 22: ball screw, 23: ball nut, 24: drive motor, 25: moving means, 2
6: mounting hole, 27: nozzle, 28: nozzle body, 29:
Mixer, 30: first valve, 31: cleaning liquid supply port, 3
2: second valve, 33: gas supply port, 34: flow control means, 35: injection port, 36: drain tank, 40: wafer cleaning device after wire saw, 41: cleaning tank, 42: side wall, 4
3: opening, 44: nozzle mounting plate, 50: wafer cleaning device after wire saw, 51: holding base, 52: carbon block, 53: base, 54: mounting member, 55: buffer member, 56: auxiliary support base
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木ノ下 満盛 福岡県北九州市八幡西区築地町1番1号 株式会社高田工業所内 (72)発明者 阿納 浩一郎 福岡県北九州市八幡西区築地町1番1号 株式会社高田工業所内 Fターム(参考) 3B201 AA03 AB01 AB37 AB42 BB03 BB22 BB82 BB88 BB92 BB93 BB94 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Mitsumori Kinoshita 1-1, Tsukiji-cho, Yawatanishi-ku, Kitakyushu-city, Fukuoka Prefecture Inside Takada Kogyosho Co., Ltd. No. F-term in Takada Kogyo Co., Ltd. (reference) 3B201 AA03 AB01 AB37 AB42 BB03 BB22 BB82 BB88 BB92 BB93 BB94
Claims (6)
インゴットの軸線と交叉する方向に薄板状にスライスし
て形成した複数のウエハを、前記保持ベースに保持され
た状態で洗浄するワイヤーソー後ウエハ洗浄装置であっ
て、前記インゴットをガス雰囲気中で保持し、前記ウエ
ハ間の間隙に向かって洗浄液とガスとの混合体を噴射す
るノズルと、前記ノズルと前記ウエハとの前記軸線方向
の相対的位置を変える移動手段とを設け、前記混合体の
噴射により前記ウエハを洗浄することを特徴とするワイ
ヤーソー後ウエハ洗浄装置。A wafer after a wire saw for cleaning a plurality of wafers formed by slicing an ingot held by a holding base into a thin plate in a direction intersecting the axis of the ingot while holding the plurality of wafers held by the holding base. A cleaning device, wherein the nozzle is configured to hold the ingot in a gas atmosphere and spray a mixture of a cleaning liquid and a gas toward a gap between the wafers, and the nozzle and the wafer are positioned relative to each other in the axial direction. A wafer cleaning apparatus after a wire saw, comprising: moving means for changing a position, and cleaning the wafer by spraying the mixture.
浄装置において、前記ノズルは、前記混合体の流量調整
手段を有することを特徴とするワイヤーソー後ウエハ洗
浄装置。2. The post-wire saw wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein the nozzle has a flow rate adjusting means for the mixture.
エハ洗浄装置において、前記ノズルは、前記軸線方向に
間隔を開けて複数個設けたことを特徴とするワイヤーソ
ー後ウエハ洗浄装置。3. The post-wire saw wafer cleaning apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the nozzles are provided at intervals in the axial direction.
保持されたインゴットを該インゴットの軸線と交叉する
方向に薄板状にスライスして複数のウエハを形成し、前
記保持ベースに保持された状態の前記ウエハを洗浄する
洗浄方法であって、前記インゴットをガス雰囲気中で保
持し、前記ウエハとノズルの前記軸線方向の相対位置を
変えながら、前記ウエハ間の間隙に洗浄液とガスの混合
体を前記ノズルによって噴射して前記ウエハの表面を洗
浄することを特徴とするワイヤーソー後ウエハ洗浄方
法。4. A plurality of wafers are formed by slicing an ingot held over the entire length of a holding base by bonding to a direction intersecting the axis of the ingot to form a plurality of wafers, and the wafer held by the holding base is formed. A cleaning method for cleaning the ingot, while maintaining the ingot in a gas atmosphere, while changing the relative position of the wafer and the nozzle in the axial direction, a mixture of cleaning liquid and gas in the gap between the wafer by the nozzle. A method of cleaning a wafer after a wire saw, wherein the cleaning is performed by spraying the surface of the wafer.
保持されたインゴットを該インゴットの軸線と交叉する
方向に薄板状にスライスして複数のウエハを形成し、前
記保持ベースに保持された状態の前記ウエハを洗浄する
洗浄方法であって、前記インゴットをガス雰囲気中で保
持し、前記ウエハとノズルの前記軸線方向の相対位置を
変えながら、前記ウエハ間の間隙に洗浄液の蒸気を前記
ノズルによって噴射して前記ウエハの表面を洗浄するこ
とを特徴とするワイヤーソー後ウエハ洗浄方法。5. A plurality of wafers are formed by slicing an ingot held over the entire length of the ingot onto a holding base in a direction crossing the axis of the ingot to form a plurality of wafers, and the wafer held by the holding base is provided. A cleaning method for cleaning, wherein the ingot is held in a gas atmosphere, and while the relative position of the wafer and the nozzle in the axial direction is changed, vapor of a cleaning liquid is injected into the gap between the wafers by the nozzle. A method for cleaning a wafer after a wire saw, comprising cleaning a surface of the wafer.
エハ洗浄方法において、前記保持ベースと該保持ベース
の反対側に設けた補助支持ベースとによって緩衝部材を
介して前記ウエハを保持することを特徴とするワイヤー
ソー後ウエハ洗浄方法。6. The method for cleaning a wafer after a wire saw according to claim 4, wherein the wafer is held via a buffer member by the holding base and an auxiliary support base provided on the opposite side of the holding base. Characteristic method of cleaning wafer after wire saw.
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