JP2003068677A - Device and method for dicing - Google Patents
Device and method for dicingInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェハーを半導体
チップのサイズにカットするダイシング装置およびダイ
シング方法に関する。詳しくは、ウェハーのカット中に
このウェハーに吹き付ける洗浄水に微小気泡を混合させ
ることで、ウェハーをカットするときに発生するダスト
のウェハーへの付着を、洗浄水に含まれる微小気泡がウ
ェハー上で破裂する際に発生する超音波により防ぎ、か
つ、この微小気泡が破裂する際に発生する超音波によ
り、ウェハーに付着しているダストの除去を容易にする
ものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a dicing apparatus and a dicing method for cutting a wafer into semiconductor chip sizes. Specifically, by mixing micro air bubbles with the cleaning water sprayed onto the wafer during wafer cutting, the dust generated during wafer cutting will not adhere to the wafer and the micro air bubbles contained in the cleaning water will The ultrasonic waves generated when bursting prevent the dust from adhering to the wafer by the ultrasonic waves generated when the microbubbles burst.
【0002】[0002]
【従来の技術】図3は従来のダイシング装置の概略側面
図である。ダイシング装置11は、シリコンウェハー1
2をチャックテーブル13で支持し、この支持されてい
るシリコンウェハー12をブレード14で切断する。ブ
レード14は円盤状で、高速回転しながらシリコンウェ
ハー12を切断する。そして、例えばチャックテーブル
13側を移動させることで、ブレード14によるシリコ
ンウェハー12の切断位置をずらして行き、シリコンウ
ェハー12を采の目状に切断する。2. Description of the Related Art FIG. 3 is a schematic side view of a conventional dicing apparatus. The dicing device 11 is a silicon wafer 1.
2 is supported by a chuck table 13, and the supported silicon wafer 12 is cut by a blade 14. The blade 14 has a disk shape and cuts the silicon wafer 12 while rotating at a high speed. Then, for example, by moving the chuck table 13 side, the cutting position of the silicon wafer 12 by the blade 14 is shifted, and the silicon wafer 12 is cut into a diced shape.
【0003】ブレード冷却用ノズル15には冷却水とし
ての純水が供給され、これをブレード14に向けて噴射
する。これにより、ブレード14には冷却水が吹き付け
られ、シリコンウェハー12をカット中のブレード14
の冷却を行う。Pure water as cooling water is supplied to the blade cooling nozzle 15 and jetted toward the blade 14. As a result, the cooling water is sprayed onto the blade 14, and the blade 14 during cutting the silicon wafer 12 is cut.
Cool down.
【0004】切削洗浄水ノズル16には洗浄水としての
純水が供給され、これをシリコンウェハー12に向けて
噴射する。これにより、シリコンウェハー12には洗浄
水が吹き付けられ、ダイシングにより発生するシリコン
ダストのシリコンウェハー12への付着を防ぐ。Pure water as cleaning water is supplied to the cutting cleaning water nozzle 16 and sprays it toward the silicon wafer 12. As a result, the cleaning water is sprayed onto the silicon wafer 12, and silicon dust generated by dicing is prevented from adhering to the silicon wafer 12.
【0005】ノズル17には洗浄水としての純水が供給
され、これをシリコンウェハー12に向けて噴射する。
このノズル17は、シリコンウェハー12の搬送方向と
直交する方向に延在するパイプに、その延在方向に沿っ
て複数の穴をシリコンウェハー12に向けて開けた構造
であり、シリコンウェハー12をブレード14でダイシ
ングするために移動させることにより、シリコンウェハ
ー12の全面を洗浄水で洗い流すことができる。Pure water as cleaning water is supplied to the nozzle 17 and sprays it toward the silicon wafer 12.
The nozzle 17 has a structure in which a plurality of holes are formed in a pipe extending in a direction orthogonal to the transport direction of the silicon wafer 12 toward the silicon wafer 12 along the extending direction. By moving for dicing at 14, the entire surface of the silicon wafer 12 can be washed away with cleaning water.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ウェハーがシリコンウ
ェハーの場合、ボンディングパッドはアルミニウムで形
成されているものが多い。このアルミニウムで形成され
たボンディングパッドは、ワイヤボンディングを容易に
するため、その表面をざらつかせてある。When the wafer is a silicon wafer, the bonding pads are often made of aluminum. The bonding pad formed of aluminum has a roughened surface to facilitate wire bonding.
【0007】さて、シリコンウェハーをブレードでカッ
トしていくと、シリコンダストが発生する。そして、上
述したように、ボンディングパッドの表面がざらついて
いると、シリコンダストが突き刺さった状態で付着しや
すい。Now, when a silicon wafer is cut by a blade, silicon dust is generated. Then, as described above, if the surface of the bonding pad is rough, the silicon dust is likely to adhere in a pierced state.
【0008】このように、ボンディングパッドにシリコ
ンダストが突き刺さった状態で付着すると、洗浄水をシ
リコンウェハーに吹き付けても、完全に除去することは
困難であるという問題がある。As described above, when the silicon dust is stuck to the bonding pad, it is difficult to completely remove the cleaning water even if the cleaning water is sprayed on the silicon wafer.
【0009】シリコンダストがボンディングパッドに付
着していると、ダイシング工程以降の組立工程のワイヤ
ボンド工程において、ボンディングワイヤのボンディン
グパッドへの接合性が悪くなる等、ボンダビリティーが
著しく低下して、信頼性および歩留りに悪影響を及ぼ
す。このため、ダイシング工程においてウェハーへダス
トが付着することを抑えることは重要な課題である。If the silicon dust adheres to the bonding pad, bondability of the bonding wire to the bonding pad is deteriorated in the wire bonding process in the assembly process after the dicing process, and bondability is significantly reduced. It adversely affects reliability and yield. Therefore, it is an important issue to prevent dust from adhering to the wafer in the dicing process.
【0010】そこで、本発明は、このような課題を解決
するためになされたもので、ダイシング時にウェハーへ
のダストの付着を抑えることのできるダイシング装置お
よびダイシング方法を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a dicing apparatus and a dicing method capable of suppressing adhesion of dust to a wafer during dicing.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、本発明に係るダイシング装置は、ウェハーを半導
体チップのサイズにカットするダイシング装置におい
て、微小気泡を混合させた洗浄水をウェハーに吹き付け
る洗浄手段を備えたものである。In order to solve the above-mentioned problems, a dicing apparatus according to the present invention is a dicing apparatus for cutting a wafer to the size of a semiconductor chip, and spraying cleaning water mixed with fine bubbles onto the wafer. It is equipped with a cleaning means.
【0012】また、本発明に係るダイシング方法は、ウ
ェハーを半導体チップのサイズにカットするダイシング
方法において、カット中のウェハーに微小気泡を混合さ
せた洗浄水を吹き付け、ウェハー上でこの微小気泡を破
裂させて超音波を発生させるものである。Further, the dicing method according to the present invention is a dicing method for cutting a wafer to the size of a semiconductor chip, spraying cleaning water mixed with fine bubbles to the wafer being cut and bursting the fine bubbles on the wafer. The ultrasonic wave is generated.
【0013】上述した本発明に係るダイシング装置およ
びダイシング方法によれば、微小気泡を混合させた洗浄
水をカット中のウェハーに吹き付けることで、ウェハー
上で微小気泡が破裂する際に発生する超音波により、ウ
ェハーの表面からダストが浮き易くなる。これにより、
ウェハーの表面のダストは洗浄水で容易に洗い流すこと
が可能となり、ダイシング工程でのウェハーの汚染を防
止できる。According to the dicing apparatus and the dicing method according to the present invention described above, the cleaning water mixed with the fine bubbles is sprayed onto the wafer being cut so that the ultrasonic waves generated when the fine bubbles burst on the wafer. This makes it easier for dust to float from the surface of the wafer. This allows
The dust on the surface of the wafer can be easily washed away with the washing water, and the contamination of the wafer in the dicing process can be prevented.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明のダ
イシング装置の実施の形態を説明する。すなわち、図1
は本実施の形態のダイシング装置の概略側面図である。
本実施の形態のダイシング装置1は、シリコンウェハー
2のカット中にこのシリコンウェハー2に吹き付ける洗
浄水に微小気泡を混合することで、この微小気泡が破裂
する際に発生する超音波を利用してシリコンダストの付
着を押さえるものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a dicing apparatus of the present invention will be described below with reference to the drawings. That is, FIG.
FIG. 3 is a schematic side view of the dicing device according to the present embodiment.
The dicing apparatus 1 according to the present embodiment mixes the fine bubbles with the cleaning water sprayed on the silicon wafer 2 during the cutting of the silicon wafer 2 to utilize the ultrasonic waves generated when the fine bubbles burst. It suppresses the adhesion of silicon dust.
【0015】ダイシング装置1は、チャックテーブル3
に載せられたシリコンウェハー2をブレード4で切断す
る。ブレード4は円盤状で、高速回転しながらシリコン
ウェハー2を切断する。そして、例えばチャックテーブ
ル3側を移動させることで、ブレード4によるシリコン
ウェハー2の切断位置をずらして行き、シリコンウェハ
ー2を采の目状に切断する。The dicing apparatus 1 includes a chuck table 3
The silicon wafer 2 placed on is cut by the blade 4. The blade 4 has a disk shape and cuts the silicon wafer 2 while rotating at a high speed. Then, for example, by moving the chuck table 3 side, the cutting position of the silicon wafer 2 by the blade 4 is shifted, and the silicon wafer 2 is cut into a diced shape.
【0016】ブレード冷却用ノズル5には冷却水として
の純水が供給され、これをブレード4に向けて噴射す
る。これにより、ブレード4には冷却水が吹き付けら
れ、シリコンウェハー2をカット中のブレード4の冷却
を行う。Pure water as cooling water is supplied to the blade cooling nozzle 5 and jetted toward the blade 4. As a result, the cooling water is sprayed onto the blade 4 to cool the blade 4 while the silicon wafer 2 is being cut.
【0017】洗浄手段を構成する微小気泡発生混合部6
には、洗浄水としての純水が供給される槽6aと、槽6
a内の純水中にドライエアあるいは窒素ガス等の気体を
供給する気体供給部6b等から構成される。この気体供
給部6bは、セラミック等の多孔性物質で構成され、こ
の気体供給部6bを介して純水中にドライエアあるいは
窒素ガスを供給することで、純水中に無数の微小気泡を
発生させる。Micro-bubble generating / mixing section 6 constituting a cleaning means
And a tank 6a to which pure water as cleaning water is supplied, and a tank 6a.
It is composed of a gas supply unit 6b for supplying dry air or a gas such as nitrogen gas into the pure water in a. The gas supply unit 6b is made of a porous material such as ceramics. By supplying dry air or nitrogen gas into pure water via the gas supply unit 6b, countless micro bubbles are generated in the pure water. .
【0018】洗浄手段を構成する切削洗浄水ノズル7に
は、微小気泡発生混合部6から無数の微小気泡を混合さ
せた洗浄水が供給され、これをシリコンウェハー2に向
けて噴射する。これにより、シリコンウェハー2には無
数の微小気泡を含む洗浄水が吹き付けられ、ダイシング
により発生するシリコンダストのシリコンウェハー2へ
の付着を防ぐ。The cutting water nozzle 7 constituting the cleaning means is supplied with cleaning water mixed with innumerable minute bubbles from the minute bubble generating / mixing section 6 and jets this toward the silicon wafer 2. As a result, cleaning water containing innumerable minute bubbles is sprayed onto the silicon wafer 2, and silicon dust generated by dicing is prevented from adhering to the silicon wafer 2.
【0019】ノズル8には洗浄水としての純水が供給さ
れ、これをシリコンウェハー2に向けて噴射する。この
ノズル8は、シリコンウェハー2の搬送方向と直交する
方向に延在するパイプに、その延在方向に沿って複数の
穴をシリコンウェハー2に向けて開けた構造であり、シ
リコンウェハー2をブレード4でダイシングするために
移動させることにより、シリコンウェハー2の全面を洗
浄水で洗い流すことができる。Pure water as cleaning water is supplied to the nozzle 8 and sprays it toward the silicon wafer 2. The nozzle 8 has a structure in which a pipe extending in a direction orthogonal to the transport direction of the silicon wafer 2 is provided with a plurality of holes toward the silicon wafer 2 along the extending direction. By moving the wafer for dicing at 4, the entire surface of the silicon wafer 2 can be washed away with cleaning water.
【0020】図2は上述した切削洗浄水ノズル7による
洗浄範囲を示す平面図である。切削洗浄水ノズル7は、
ブレード4に対してその左右両側に設けられる。そし
て、ブレード4の向きに沿ってこのブレード4の両側付
近に微小気泡を混合させた洗浄水を噴射することで、微
小気泡を混合させた洗浄水の塗布される範囲は、おおよ
そ図2に二点鎖線で示す略扇型の範囲となる。よって、
シリコンウェハー2をブレード4でダイシングするため
に矢印方向に搬送することにより、シリコンウェハー2
の全面に微小気泡を混合させた洗浄水を吹き付けること
ができる。FIG. 2 is a plan view showing a cleaning range by the cutting cleaning water nozzle 7 described above. The cutting cleaning water nozzle 7
It is provided on the left and right sides of the blade 4. Then, by spraying the cleaning water mixed with the micro bubbles to both sides of the blade 4 along the direction of the blade 4, the range of application of the cleaning water mixed with the micro bubbles is roughly as shown in FIG. It becomes a substantially fan-shaped range indicated by a dotted line. Therefore,
By carrying the silicon wafer 2 in the direction of the arrow for dicing with the blade 4, the silicon wafer 2
It is possible to spray washing water mixed with micro bubbles on the entire surface of the.
【0021】以下、本実施の形態のダイシング装置の動
作を、本発明のダイシング方法の実施の形態の一例とし
て説明する。ここで、シリコンウェハー2の場合、ボン
ディングパッドはアルミニウムで形成されているものが
多い。このアルミニウムで形成されたボンディングパッ
ドは、ワイヤボンディングを容易にするため、その表面
をざらつかせてある。The operation of the dicing apparatus of this embodiment will be described below as an example of the embodiment of the dicing method of the present invention. Here, in the case of the silicon wafer 2, many bonding pads are made of aluminum. The bonding pad formed of aluminum has a roughened surface to facilitate wire bonding.
【0022】さて、シリコンウェハー2をブレード4で
カットしていくと、シリコンダストが発生する。そし
て、上述したように、ボンディングパッドの表面がざら
ついていると、シリコンダストが突き刺さった状態で付
着しやすい。When the silicon wafer 2 is cut by the blade 4, silicon dust is generated. Then, as described above, if the surface of the bonding pad is rough, the silicon dust is likely to adhere in a pierced state.
【0023】そこで、微小気泡発生混合部6で微小気泡
を混合させた洗浄水を作成し、これを切削洗浄水ノズル
7から噴射してシリコンウェハー2に吹き付ける。洗浄
水に含まれる無数の微小気泡は、シリコンウェハー2に
吹き付けられることで該シリコンウェハー2上で破裂す
る際に超音波を発生する。この超音波による振動で、シ
リコンウェハー2の表面に存在するシリコンダストは浮
き易くなる。これにより、シリコンウェハー2の表面を
流れる洗浄水等によりシリコンダストは容易に洗い流す
ことができる。Therefore, cleaning water in which the minute bubbles are mixed is prepared in the minute bubble generating / mixing section 6, and this is sprayed from the cutting cleaning water nozzle 7 and sprayed onto the silicon wafer 2. Innumerable micro bubbles contained in the cleaning water are blown onto the silicon wafer 2 to generate ultrasonic waves when bursting on the silicon wafer 2. The vibration caused by the ultrasonic waves makes it easier for the silicon dust existing on the surface of the silicon wafer 2 to float. As a result, the silicon dust can be easily washed off with the washing water or the like flowing on the surface of the silicon wafer 2.
【0024】また、ボンディングパッドに突き刺さるよ
うにして付着したシリコンダストも、洗浄水中の微小気
泡が破裂することによる超音波で浮き易くなり、シリコ
ンウェハー2の表面を流れる洗浄水等により容易に洗い
流すことができる。Also, the silicon dust that sticks to the bonding pad and adheres easily by ultrasonic waves due to the rupture of fine bubbles in the cleaning water, and can be easily washed away by the cleaning water flowing on the surface of the silicon wafer 2. You can
【0025】このようにシリコンウェハー2のカット中
にこのシリコンウェハー2に吹き付ける洗浄水に、無数
の微小気泡を混合させることで、シリコンウェハー2を
カットすることで発生するシリコンダストがボンディン
グパッドやその周辺等に付着することを防ぐことができ
る。As described above, the cleaning water sprayed on the silicon wafer 2 during the cutting of the silicon wafer 2 mixes innumerable minute bubbles, so that the silicon dust generated by cutting the silicon wafer 2 causes the bonding pads and the bonding pads to be removed. It can be prevented from adhering to the periphery.
【0026】そして、洗浄水中に微小気泡を混合する微
小気泡発生混合部6は簡易な構成で実現できるので、コ
ストをかけることなく、ダイシング工程でのシリコンウ
ェハーの汚染を防止できる。Since the micro-bubble generating / mixing section 6 for mixing micro-bubbles in the cleaning water can be realized with a simple structure, it is possible to prevent the silicon wafer from being contaminated in the dicing process without increasing the cost.
【0027】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ウェハ
ーを半導体チップのサイズにカットするダイシング工程
で、微小気泡を混合させた洗浄水をウェハーに吹き付け
ることとしたものである。As described above, according to the present invention, cleaning water mixed with microscopic bubbles is sprayed onto a wafer in a dicing process for cutting the wafer into semiconductor chip sizes.
【0028】したがって、洗浄水をウェハーに吹き付け
る際に微小気泡が破裂することで発生する超音波でダス
トをウェハーの表面から浮き易い状態とすることができ
る。これにより、ダストは洗浄水で容易に洗い流すこと
が可能となり、ダイシング工程でのウェハーの汚染を防
止できる。Therefore, the dust can be easily floated from the surface of the wafer by the ultrasonic waves generated by the bursting of the fine bubbles when the cleaning water is sprayed on the wafer. As a result, the dust can be easily washed away with the washing water, and the contamination of the wafer in the dicing process can be prevented.
【0029】そして、ダイシング工程でのウェハーの汚
染を防ぐことができるので、ワイヤボンド工程での信頼
性および歩留りを向上させることができる。また、ダス
トの除去が容易であるので、洗浄に用いる水量を減らす
ことができ、環境への負荷を低減することができる。Since the wafer can be prevented from being contaminated in the dicing process, the reliability and the yield in the wire bonding process can be improved. Moreover, since dust can be easily removed, the amount of water used for cleaning can be reduced, and the load on the environment can be reduced.
【図1】本実施の形態のダイシング装置の概略側面図で
ある。FIG. 1 is a schematic side view of a dicing device according to the present embodiment.
【図2】切削洗浄水ノズルによる洗浄範囲を示す平面図
である。FIG. 2 is a plan view showing a cleaning range by a cutting cleaning water nozzle.
【図3】従来のダイシング装置の概略側面図である。FIG. 3 is a schematic side view of a conventional dicing device.
1・・・ダイシング装置、2・・・シリコンウェハー、
3・・・チャックテーブル、4・・・ブレード、5・・
・ブレード冷却用ノズル、6・・・微小気泡発生混合
部、7・・・切削洗浄水ノズル、8・・・ノズル1 ... Dicing device, 2 ... Silicon wafer,
3 ... Chuck table, 4 ... Blade, 5 ...
・ Blade cooling nozzle, 6 ・ ・ ・ Micro bubble generation mixing section, 7 ・ ・ ・ Cutting water nozzle, 8 ・ ・ ・ Nozzle
Claims (2)
トするダイシング装置において、 微小気泡を混合させた洗浄水を前記ウェハーに吹き付け
る洗浄手段を備えたことを特徴とするダイシング装置。1. A dicing apparatus for cutting a wafer into a semiconductor chip size, comprising a cleaning means for spraying cleaning water mixed with microscopic bubbles onto the wafer.
トするダイシング方法において、 カット中の前記ウェハーに微小気泡を混合させた洗浄水
を吹き付け、前記ウェハー上で前記微小気泡を破裂させ
て超音波を発生させることを特徴とするダイシング方
法。2. A dicing method for cutting a wafer to the size of a semiconductor chip, spraying cleaning water mixed with micro bubbles on the wafer being cut, and rupturing the micro bubbles on the wafer to generate ultrasonic waves. A dicing method characterized by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001250608A JP2003068677A (en) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | Device and method for dicing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001250608A JP2003068677A (en) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | Device and method for dicing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003068677A true JP2003068677A (en) | 2003-03-07 |
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ID=19079395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001250608A Pending JP2003068677A (en) | 2001-08-21 | 2001-08-21 | Device and method for dicing |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003068677A (en) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007141997A (en) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | Apparatus and method of separating semiconductor substrate |
JP2007261251A (en) * | 2006-02-28 | 2007-10-11 | Ricoh Co Ltd | Droplet discharge head, image formation apparatus, manufacturing method of droplet discharge recording apparatus, and cleaning method of droplet discharge head |
KR100962479B1 (en) | 2008-12-19 | 2010-06-14 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Device and method for removing silicon particle of wafer |
CN102528624A (en) * | 2010-12-10 | 2012-07-04 | 芝浦机械电子装置股份有限公司 | Mechanical processing device and mechanical processing method |
JP2013115278A (en) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Supply device and supply method of cleaning solution |
JP2013115063A (en) * | 2011-11-24 | 2013-06-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Supply device and supply method of cooling liquid for workpiece cutting part |
JP2013236018A (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dicing device and dicing method |
JP2014217922A (en) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 株式会社ディスコ | Processing device |
JP2016209998A (en) * | 2016-09-16 | 2016-12-15 | 株式会社東京精密 | Dicing device and dicing method |
CN107851566A (en) * | 2015-06-29 | 2018-03-27 | 西尾康明 | Cutting auxiliary device, cutting method, the diced system of silicon materials |
JP7446084B2 (en) | 2019-11-06 | 2024-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Grinding device and grinding method |
-
2001
- 2001-08-21 JP JP2001250608A patent/JP2003068677A/en active Pending
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007141997A (en) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | Apparatus and method of separating semiconductor substrate |
JP2007261251A (en) * | 2006-02-28 | 2007-10-11 | Ricoh Co Ltd | Droplet discharge head, image formation apparatus, manufacturing method of droplet discharge recording apparatus, and cleaning method of droplet discharge head |
KR100962479B1 (en) | 2008-12-19 | 2010-06-14 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Device and method for removing silicon particle of wafer |
TWI492290B (en) * | 2010-12-10 | 2015-07-11 | Shibaura Mechatronics Corp | Machining devices and machining methods |
CN102528624A (en) * | 2010-12-10 | 2012-07-04 | 芝浦机械电子装置股份有限公司 | Mechanical processing device and mechanical processing method |
JP2012135869A (en) * | 2010-12-10 | 2012-07-19 | Shibaura Mechatronics Corp | Machining device and machining method |
KR101325295B1 (en) * | 2010-12-10 | 2013-11-08 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Machining device and machining method |
CN102528624B (en) * | 2010-12-10 | 2014-08-27 | 芝浦机械电子装置股份有限公司 | Mechanical processing device and mechanical processing method |
JP2013115063A (en) * | 2011-11-24 | 2013-06-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Supply device and supply method of cooling liquid for workpiece cutting part |
JP2013115278A (en) * | 2011-11-29 | 2013-06-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Supply device and supply method of cleaning solution |
JP2013236018A (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dicing device and dicing method |
JP2014217922A (en) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | 株式会社ディスコ | Processing device |
CN107851566A (en) * | 2015-06-29 | 2018-03-27 | 西尾康明 | Cutting auxiliary device, cutting method, the diced system of silicon materials |
JPWO2017002670A1 (en) * | 2015-06-29 | 2018-07-19 | 西尾 康明 | Silicon material cutting auxiliary device, cutting method, cutting system |
JP2016209998A (en) * | 2016-09-16 | 2016-12-15 | 株式会社東京精密 | Dicing device and dicing method |
JP7446084B2 (en) | 2019-11-06 | 2024-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | Grinding device and grinding method |
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