KR20070073311A - Apparatus and method for cleaning wafers using megasonic energy - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래 기술에 따른 초음파 세정장치를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing an ultrasonic cleaning device according to the prior art.
도 2는 종래 기술에 따른 초음파 세정장치에 있어서 일부를 도시한 평면도.Figure 2 is a plan view showing a part of the ultrasonic cleaning apparatus according to the prior art.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 초음파 세정장치를 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view showing an ultrasonic cleaning device according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 초음파 세정장치에 있어서 일부를 도시한 평면도.Figure 4 is a plan view showing a part of the ultrasonic cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
100; 제네레이터 200; 로드100;
300; 세정액 400; 웨이퍼 지지대300; Washing
500; 노즐 600; 세정용기500; Nozzle 600; Cleaning container
610; 배출구 700; 모터610;
본 발명은 웨이퍼 세정장치 및 세정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초음파 에너지를 이용하여 웨이퍼를 세정하는 초음파 세정장치 및 이를 이용한 웨이 퍼 세정방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer cleaning apparatus and a cleaning method, and more particularly, to an ultrasonic cleaning apparatus for cleaning a wafer using ultrasonic energy and a wafer cleaning method using the same.
현재 반도체 소자의 집적도가 높아져 감에 따라 패턴의 크기 및 패턴들 사이의 간격이 매우 좁아지고 있다. 이에 따라, 웨이퍼 세정 공정의 중요성이 점차로 증가하고 있다. 그 이유는 웨이퍼의 표면에 오염입자가 존재할 경우 후속 공정시 패턴 불량이 유발될 수 있기 때문이다. 또한, 오염 입자가 미세 패턴들 사이에 존재할 경우 반도체 소자의 오작동을 유발할 수 있기 때문이다. 미세 패턴의 크기가 1㎛ 이하로 줄어들면서 허용 가능한 오염 입자의 크기도 작아지고 있다. 통상적으로 이렇게 작은 크기의 오염 입자는 기존의 세정 방법으로는 제거하기가 용이하지 않다. 따라서, 세정 효율을 높이기 위한 연구가 다각적으로 진행되고 있는데, 이러한 연구의 핵심은 오염 입자의 강한 점착력(adhesion force)을 극복할 수 있는 힘을 웨이퍼에 효과적으로 제공하는 데에 달려 있다고 볼 수 있다.As the degree of integration of semiconductor devices increases, the size of patterns and the spacing between patterns become very narrow. Accordingly, the importance of the wafer cleaning process is gradually increasing. This is because the presence of contaminants on the surface of the wafer may cause pattern defects in subsequent processes. In addition, when contaminant particles are present between the fine patterns, it may cause malfunction of the semiconductor device. As the size of the fine pattern is reduced to 1 μm or less, the size of acceptable contaminant particles is also decreasing. Typically, these small contaminant particles are not easy to remove by conventional cleaning methods. Accordingly, researches to improve the cleaning efficiency have been conducted in various ways, and the core of such research is to effectively provide a wafer with a force capable of overcoming the strong adhesion force of contaminated particles.
이러한 연구의 결과물 중의 하나가, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면을 향하는 고주파수로 극도로 교반된 초순수(30)와 같은 유체의 흐름으로 웨이퍼(W)의 오염 입자를 제거하는 초음파 세정장치(1)이다. 초순수(30)를 교반시키는 에너지는 압전변환기와 같은 에너지 발생기(10)에서 나오고, 이 에너지는 석영 로드(20)를 통해 초순수(30)에 전달되는 것이다. 즉, 석영 로드(20)를 통해 초순수(30)로 전달된 에너지는 초순수(30)를 고주파수로 교반시키고, 이렇게 교반된 초순수(30)는 웨이퍼(W)를 진동시켜 웨이퍼(W)의 표면으로부터 파티클을 제거하는 것이다. 이때, 웨이퍼(W)는 지지대(40)의 회전에 따라 회전되면서 전체 표면이 세정된다.One result of this study is to remove contaminating particles of the wafer W with a flow of fluid, such as
종래에 있어서는, 도 2에 도시된 바와 같이, 석영 로드(20)는 원 위치(a)에서 웨이퍼(W)의 중심 위치(b)까지 로드(load)된다. 이와 같이 석영 로드(20)가 웨이퍼(W) 전면을 포괄하지 못하고 중심까지만 위치되므로 석영 로드(20)를 통해 전해지는 초음파 에너지(Megasonic Energy)가 미치는 영역(A)은 웨이퍼(W)의 일부에 제한된다. 웨이퍼(W)가 회전하면서 세정 공정이 진행된다 할지라도 초음파 에너지가 미치는 영역(A)이 제한적일 수 밖에 없으므로 실질적으로 유효한 세정면적 또한 제한적일 수 밖에 없다. 그러므로, 실질적으로 유효한 세정면적이 확대되어 단위시간 대비 세정효과가 극대화될 수 있는 세정장치 및 세정방법의 필요성이 대두된다.Conventionally, as shown in FIG. 2, the
본 발명은 종래 기술에서의 요구 내지는 필요성에 부응하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 실질적으로 유효한 세정면적이 확대되어 단위시간 대비 세정효과를 극대화시킬 수 있는 웨이퍼 초음파 세정장치 및 세정방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to meet the demands and needs of the prior art, and an object of the present invention is to provide a wafer ultrasonic cleaning apparatus and a cleaning method capable of maximizing the cleaning effect compared to a unit time by substantially increasing the cleaning area. Is in.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 초음파 세정장치 및 세정방법은 단위시간당 웨이퍼에 전달되는 초음파 에너지양을 증가시킨 것을 특징으로 한다.Ultrasonic wafer cleaning apparatus and cleaning method according to the present invention for achieving the above object is characterized in that the amount of ultrasonic energy delivered to the wafer per unit time.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 초음파 세정장치는, 웨이퍼를 지지하는 회전가능한 웨이퍼 지지부재, 상기 웨이퍼에 세정액을 제공하는 세정액 공급부재, 상기 웨이퍼의 전면을 가로지도록 위치되어 상기 웨이퍼 에 제공된 세정액에 초음파 에너지를 전달하여 상기 세정액을 진동시키는 진동 전달부재, 및 상기 진동 전달부재를 발진시키는 진동 발생부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.Ultrasonic wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention that can implement the above features, a rotatable wafer support member for supporting a wafer, a cleaning liquid supply member for providing a cleaning liquid to the wafer, is positioned to cross the front surface of the wafer And a vibration transmitting member for transmitting ultrasonic energy to the cleaning liquid provided on the wafer to vibrate the cleaning liquid, and a vibration generating member for oscillating the vibration transmitting member.
본 실시예의 장치에 있어서, 상기 진동 전달부재는 중공의 석영 로드를 포함한다. 상기 석영 로드는 상기 웨이퍼 상에 로딩되는 경우 상기 웨이퍼의 전면을 가로지르도록 그 끝단이 상기 웨이퍼의 에지 상에 위치한다.In the apparatus of this embodiment, the vibration transmitting member comprises a hollow quartz rod. The quartz rod is positioned on the edge of the wafer so that the quartz rod crosses the front surface of the wafer when loaded on the wafer.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변형 실시예에 따른 웨이퍼 초음파 세정장치는, 배출구가 하단에 구비된 세정용기, 상기 세정용기 안에 위치하고 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지대, 상기 웨이퍼를 회전시키도록 상기 웨이퍼 지지대에 조합된 구동기, 상기 웨이퍼 지지대에 장착된 웨이퍼에 세정액을 제공하는 노즐, 상기 웨이퍼의 전면을 가로지르도록 일단이 상기 웨이퍼의 에지 상에 위치하여 상기 웨이퍼에 제공된 세정액에 초음파 에너지를 전달하여 상기 세정액을 진동시키는 로드, 및 상기 로드의 타단과 조합되어 상기 로드에 전달할 초음파 에너지를 발생시키는 진동자를 포함하는 것을 특징으로 한다.Ultrasonic wafer cleaning apparatus according to a modified embodiment of the present invention that can implement the above features, a cleaning container having a discharge port at the bottom, a wafer support located in the cleaning container to support the wafer, the wafer support to rotate the wafer A driver coupled to the nozzle, a nozzle for providing a cleaning liquid to the wafer mounted on the wafer support, one end of which is positioned on an edge of the wafer so as to cross the front surface of the wafer to transfer ultrasonic energy to the cleaning liquid provided to the wafer, wherein the cleaning liquid And a vibrator for generating ultrasonic energy to be transmitted to the rod in combination with the other end of the rod.
본 변형 실시예의 장치에 있어서, 상기 로드는 사파이어, 탄화규소, 질화붕소, 탄소유리, 및 석영으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합으로 구성된다.In the apparatus of this modified embodiment, the rod is composed of any one or a combination thereof selected from the group consisting of sapphire, silicon carbide, boron nitride, carbon glass, and quartz.
본 변형 실시예의 장치에 있어서, 상기 세정액은 탈이온수, 불산과 탈이온수와의 혼합액, 수산화암모늄과 과산화수소 및 탈이온수와의 혼합액, 불화암모늄과 불산 및 탈이온수와의 혼합액, 인산과 탈이온수와의 혼합액 중에서 선택된 어느 하 나 또는 이들의 조합이다.In the apparatus of this modified embodiment, the cleaning liquid is deionized water, a mixture of hydrofluoric acid and deionized water, a mixture of ammonium hydroxide and hydrogen peroxide and deionized water, a mixture of ammonium fluoride and hydrofluoric acid and deionized water, phosphoric acid and deionized water Any one selected from the mixture, or a combination thereof.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정방법은, 회전 가능한 웨이퍼 지지대에 웨이퍼를 장착하는 단계, 상기 웨이퍼 지지대에 장착된 웨이퍼를 회전시키는 단계, 상기 웨이퍼에 초음파 에너지를 전달하는 로드를 로딩시키되 상기 로드가 상기 웨이퍼의 전면을 가로지르도록 상기 로드의 일단을 상기 웨이퍼의 에지 위로 위치시키는 단계, 상기 웨이퍼 지지대에 장착된 웨이퍼에 세정액을 제공하는 단계, 및 상기 로드를 초음파 에너지로 발진시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the wafer cleaning method according to an embodiment of the present invention capable of implementing the above features, the method includes mounting a wafer on a rotatable wafer support, rotating the wafer mounted on the wafer support, and a rod for transferring ultrasonic energy to the wafer. Loading the substrate, positioning one end of the rod over the edge of the wafer such that the rod crosses the front surface of the wafer, providing a cleaning liquid to the wafer mounted on the wafer support, and oscillating the rod with ultrasonic energy. It characterized in that it comprises a step of.
본 발명에 의하면, 석영 로드가 웨이퍼의 에지에서부터 에지까지 미치므로 석영 로드를 통해 전달되는 초음파 에너지는 웨이퍼 전면에 미치게 된다. 따라서, 초음파 에너지가 웨이퍼 전면에 미침으로써 실질적으로 유효한 세정면적이 확대된다. 실질적으로 유효한 세정면적이 확대됨으로써 단위시간당 초음파 에너지양이 많아져 웨이퍼의 세정효과를 더욱 높일 수 있게된다.According to the present invention, since the quartz rod extends from the edge of the wafer to the edge, the ultrasonic energy transmitted through the quartz rod reaches the front of the wafer. Thus, the ultrasonic energy reaches the entire surface of the wafer, thereby expanding the substantially effective cleaning area. As the effective cleaning area is substantially enlarged, the amount of ultrasonic energy per unit time increases, thereby further enhancing the cleaning effect of the wafer.
이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 초음파 세정장치 및 웨이퍼 세정방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다. 본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 장치는 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 장치는 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.Hereinafter, a wafer ultrasonic cleaning apparatus and a wafer cleaning method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Advantages over the present invention and prior art will become apparent through the description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, a device for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention can be best understood by referring to the following detailed description with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.
(실시예)(Example)
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 초음파 세정장치를 도시한 단면도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 초음파 세정장치에 있어서 일부를 도시한 평면도이다.3 is a cross-sectional view of the ultrasonic wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a plan view showing a part of the ultrasonic wafer cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 초음파 세정장치(1000)는 세정용기(600;Cleaning Vessel)와, 세정용기(600) 안에 위치하여 세정될 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 지지부재로서의 웨이퍼 지지대(400;Wafer Support)와, 웨이퍼 지지대(400)에 장착된 세정될 웨이퍼(W)의 표면상에 세정액(300;Cleaning Solution)을 공급할 세정액 공급부재로서의 노즐(500;Nozzle)과, 웨이퍼(W) 표면에 공급된 세정액(300)을 발진시키는 진동 전달부재로서의 로드(200;Rod)와, 로드(200)에 전달할 발진 에너지를 발생시키는 진동 발생부재로서의 제네레이터(100;Generator)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 3, the wafer
세정용기(600)는 위쪽이 개방되어 있고 개방된 위쪽에는 세정액을 세정용기(600) 안으로 공급하는 노즐(500)이 배치되어 있다. 세정용기(600) 하부에는 세정액을 외부로 배출시키기 위한 배출구(610;Drain)가 있다. 세정용기(600) 상부로부터는 노즐(500)을 통해 깨끗한 세정액이 세정용기(600)내의 웨이퍼(W) 표면으로 지속적으로 공급되고 세정작용에 의해 이물질이 함유된 세정액은 배출구(610)를 통해 외부로 배출된다.The
웨이퍼 지지대(400)는 세정용기(600) 안에 위치하며, 세정될 웨이퍼(W)가 웨 이퍼 지지대(400)에 장착된다. 웨이퍼(W)가 웨이퍼 지지대(400) 위에 세정을 위한 위치로 장착되었을 때 로드(20)와는 충분히 가깝게 위치하는 것이 바람직하다. 그러면, 로드(200)와 웨이퍼(W) 사이에 공급되는 세정액(300)의 교란이 웨이퍼(W)의 표면 위의 이물질을 분해하거나 웨이퍼(W) 표면으로부터 분리시킨다. 그리고, 웨이퍼 지지대(400)는 모터(700)와 같은 구동기와 조합되어 있어서 모터(700)의 동작에 의해 회전한다. 따라서, 웨이퍼 지지대(400) 상에 장착된 웨이퍼(W) 또한 세정을 하는 동안 소정의 회전수로 회전한다.The
로드(200)는 웨이퍼 지지대(400)에 장착된 웨이퍼(W)의 상부에 배치된다. 로드(200)는 노즐(500)을 통해 웨이퍼(W) 상에 공급되는 세정액(300)에 강력한 초음파 진동을 인가한다. 세정액(300)에 가하여 준 강력한 초음파에 의해 캐비테이션(cavitation) 기포가 파열하여 이물질 사이에 틈을 만들고, 그 틈으로 기포들이 침투하여 파열함으로써 완전하게 이물질이 웨이퍼(W) 표면으로부터 분리되게 만든다. 그런데, 캐비테이션에 의한 웨이퍼의 손상 우려가 있는 경우 또는 이물질의 크기가 가령 1㎛ 이하 정도로 매우 작은 경우에는 메가헤르쯔(MHz) 단위의 초음파를 이용한 초음파(Megasonic) 세정을 하는 것이 적합하다. The
세정액(300)으로는 웨이퍼(W) 상에 부착된 이물질 제거 및 린스의 목적으로 초순수(deionized water,H2O)를 사용할 수 있다. 초순수 이외에 케미컬(chemical), 가령 수산화암모늄(NH4OH)과 과산화수소(H2O2) 및 초순수(H2O)와의 혼합액, 불산(HF)과 초순수(H2O)와의 혼합액, 불화암모늄(NH4F)과 불산(HF) 및 초순수(H2O)와의 혼합 액, 인산(H3PO4)과 초순수(H2O)와의 혼합액 등 세정 공정 조건에 따라 적절한 것을 세정액(300)으로 선택할 수 있다. 한편, 세정액은 온도가 높을수록 높은 세정효과를 나타내며, 온도는 적절하게 조절될 수 있다. 그리고, 상술한 다양한 세정액은 제거하고자 하는 이물질의 종류에 따라 어느 하나를 사용하거나, 또는 이들을 혼합하거나 또는 순차적으로 사용될 수 있다.As the cleaning
로드(200)는 가령 원형 단면을 가진 속이 비어있는 중공 형태를 지닌다. 원형 단면의 크기는 임의적이다. 로드(200)는 세정액(300)을 발진시키기에 적합한 형태이면 어떤 형태라도 상관없으므로 원형이 아닌 다른 단면 형태로 디자인될 수 있다. 로드(200)는 초음파 에너지(Megasonic Energy)를 효과적으로 전달한다고 알려져 있는 석영(quartz)으로 만들어져 있는 것이 바람직하다. 석영으로 이루어진 로드(200)는 대부분의 세정액에 만족스럽게 사용될 수 있지만, 불산을 포함하는 세정액에는 식각될 염려가 있다. 따라서, 로드(200)는 석영 이외에 사파이어(sapphire), 탄화규소(silicon carbide), 질화붕소(boron nitride), 탄소유리(vitreous cabon) 또는 이들의 조합을 포함하는 것으로 구성될 수 있다.The
제네레이터(110)는 로드(200)에 전달할 진동을 발생시키는 진동자(vibrator)로서 음향적으로 또는 가능하게 다른 방법으로 로드(200)의 일단과 결합한다. 제네레이터(100)는 로드(200)로 전달되는 초음파, 예를 들어, 메가헤르쯔(MHz) 단위의 고주파 신호를 발생시키는 기능을 맡고 있다. 이러한 제네레이터(100)로서는 전기적인 에너지를 물리적인 진동에너지로 변환시키는 압전변환기(piezoelectric transducer)를 그 예로 들 수 있다.The generator 110 couples with one end of the
도 2를 참조하면, 로드(200)는 원 위치(a)에 대기중이거나 휴지하고 있다가 로드(load)시 그 끝부분(200a)이 웨이퍼(W)의 에지 위치(b)까지 도달한다. 즉, 로드(200)는 웨이퍼(W) 전면을 커버할 수 있도록 웨이퍼(W)의 전면을 가로지르도록 로드된다. 로드(200)가 웨이퍼(W) 전면을 커버하므로 로드(200)를 통해 전달되는 초음파 에너지의 미치는 영역(A)은 거의 모든 웨이퍼(W) 전면이다. 초음파 에너지가 미치는 영역(A)이 거의 모든 웨이퍼(W) 전면을 커버하므로 단위시간당 웨이퍼(W)에 전달되는 초음파 에너지양이 그만큼 증가된다. 따라서, 웨이퍼(W)에서 실질적으로 유효한 세정면적이 확대된다. 세정처리가 완료되면 로드(200)는 그 끝부분이 원위치(a)까지 후퇴하여 언로드된다.Referring to FIG. 2, the
상기와 같이 구성된 웨이퍼 초음파 세정장치(1000)는 다음과 같이 동작한다.The ultrasonic
웨이퍼 지지대(400) 상에 세정될 웨이퍼(W)를 장착한다. 웨이퍼 지지대(400)에 웨이퍼(W)가 장착되면 모터(700)를 동작시켜 웨이퍼 지지대(400)를 회전시킴으로써 웨이퍼 지지대(400)에 장착된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.The wafer W to be cleaned is mounted on the
로드(200)가 웨이퍼(W) 위에 적당한 간격을 가지도록 하여 세정 위치에 오도록 한다. 이때, 로드(200)는 웨이퍼(W)의 표면 전체를 가로지도록 일단이 웨이퍼(W)의 에지 위치(b)에 오도록 한다.The
로드(200)가 세정 위치에 오면 노즐(500)을 통해 웨이퍼(W) 표면으로 세정액(400)을 공급한다. 세정액(400)은 세정 공정이 진행되는 동안 지속적으로 공급될 수 있도록 한다. 또한, 웨이퍼(W)를 장착한 웨이퍼 지지대(400)는 세정 공정이 진 행되는 동안 웨이퍼(W)가 지속적으로 회전될 수 있도록 모터(700)를 동작시켜 웨이퍼 지지대(400)가 지속적으로 회전되게 한다.When the
로드(200)가 세정 위치에 오고 세정액(300)이 공급되면 제네레이터(100)를 동작시켜 로드(200)를 초음파, 예를 들어, 메가헤르쯔(MHz) 단위의 고주파수로 발진시킨다.When the
발진된 로드(200)는 웨이퍼(W) 표면위로 공급된 세정액(300)을 교반시킨다. 이렇게 교반된 세정액(300)은 웨이퍼(W) 표면으로부터 이물질이 분리되도록 한다. 이때, 상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 지속적으로 회전시키고 세정액(300)도 또한 지속적으로 웨이퍼(W) 표면 위로 공급하도록 한다. 웨이퍼(W) 표면으로부터 분리된 이물질을 포함하는 세정액은 지속적으로 공급되는 깨끗한 세정액과 교체되어 배출구(610)를 통해 외부로 배출된다.The oscillated
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description illustrates the present invention. In addition, the foregoing description merely shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. And, it is possible to change or modify within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, the scope equivalent to the written description, and / or the skill or knowledge in the art. The above-described embodiments are for explaining the best state in carrying out the present invention, the use of other inventions such as the present invention in other state known in the art, and the specific fields of application and uses of the present invention. Various changes are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 석영 로드가 웨이퍼의 에지에서부터 에지까지 미치므로 석영 로드를 통해 전달되는 초음파 에너지는 웨이퍼 전면에 미치게 된다. 따라서, 종래에 비해 동일한 시간으로 더욱 배가된 세정력을 얻어 세정효과가 향상되는 효과가 있다.As described in detail above, according to the present invention, since the quartz rod extends from the edge of the wafer to the edge, ultrasonic energy transmitted through the quartz rod reaches the entire surface of the wafer. Therefore, there is an effect that the cleaning effect is improved by obtaining a cleaning power more doubled in the same time as compared with the conventional.
Claims (7)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060001062A KR20070073311A (en) | 2006-01-04 | 2006-01-04 | Apparatus and method for cleaning wafers using megasonic energy |
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Cited By (2)
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---|---|---|---|---|
US20090288689A1 (en) * | 2008-05-26 | 2009-11-26 | Pukyong National University Industry-University Cooperation Foundation | Ultrasonic cleaning system for removing high dose ion implanted photoresist in supercritical carbon dioxide |
KR20170015600A (en) | 2015-07-29 | 2017-02-09 | 주식회사 포스코 | Scrap removing apparatus |
-
2006
- 2006-01-04 KR KR1020060001062A patent/KR20070073311A/en not_active Application Discontinuation
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