JPH09320994A - Dicing equipment - Google Patents
Dicing equipmentInfo
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- JPH09320994A JPH09320994A JP13314596A JP13314596A JPH09320994A JP H09320994 A JPH09320994 A JP H09320994A JP 13314596 A JP13314596 A JP 13314596A JP 13314596 A JP13314596 A JP 13314596A JP H09320994 A JPH09320994 A JP H09320994A
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- cleaning water
- dicing apparatus
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハを個
々のダイに分割するために賽の目状に切削するダイシン
グ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing apparatus which cuts a semiconductor wafer into individual dies in a dice pattern.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ウェハを個々のダイに分割するために賽
の目状に切削するダイシング装置においては、回転する
ブレードによってウェハを切削する際に発生する多量の
コンタミネーションによるウェハの汚染を防止する対策
が必要である。すなわち、切削の際に発生する多量のコ
ンタミネーションが、供給した切削水によって運ばれて
ウェハ上を流れると、このコンタミネーションがウェハ
を汚染してしまう可能性がある。このコンタミネーショ
ンをいかにしてウェハ上に付着させないか、あるいはウ
ェハ上に付着したコンタミネーションをいかにして取り
除くかが品質上の最大のポイントである。2. Description of the Related Art In a dicing machine that cuts a wafer into individual dies in a dice pattern, there is a measure to prevent the contamination of the wafer due to a large amount of contamination generated when the wafer is cut by a rotating blade. is necessary. That is, when a large amount of contamination generated during cutting is carried by the supplied cutting water and flows over the wafer, this contamination may contaminate the wafer. The most important point in terms of quality is how to prevent the contamination from adhering to the wafer or how to remove the contamination adhering to the wafer.
【０００３】そこで、ウェハの切削中の汚染防止および
洗浄対策として、たとえば、炭酸ガスを飽和させて比抵
抗値を下げた純水を高圧でウェハに供給してウェハの洗
浄を行う方法や、いわゆる汎用超音波（２８ｋ〜１００
ｋＨｚ）を用いた超音波洗浄によりウェハの洗浄を行う
方法が知られている。Therefore, as a method for preventing contamination and cleaning during wafer cutting, for example, there is a method of cleaning the wafer by supplying pure water having saturated carbon dioxide gas and reduced specific resistance value to the wafer at high pressure. General-purpose ultrasonic wave (28k-100)
There is known a method of cleaning a wafer by ultrasonic cleaning using (kHz).
【０００４】上記の超音波洗浄は、水中に置かれた超音
波振動板の励振によって発生する気泡が１μｓの短時間
に圧縮破壊した時の時速約４００ｋｍの速さの衝撃流に
よりウェハを洗浄する洗浄方法である。すなわち、超音
波で励振した洗浄水でウェハを洗浄するものである。In the above ultrasonic cleaning, the wafer is cleaned by an impact flow at a speed of about 400 km / hour when the bubbles generated by the excitation of the ultrasonic diaphragm placed in water are compressed and broken in a short time of 1 μs. It is a cleaning method. That is, the wafer is cleaned with cleaning water excited by ultrasonic waves.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなウェハの洗浄方法では、ウェハ表面に付着した比
較的大きなダストの除去は可能であるが、より一層微細
なダストがウェハの表面に付着した場合には、当該ダス
トを除去する洗浄効果に限界があった。すなわち、例え
ばＣＣＤのようなダストレベルが非常に厳しいデバイス
においては、ミクロンオーダのダストが問題となるが、
上記の洗浄方法では、ミクロンオーダのコンタミネーシ
ョンの十分な除去は難しいという問題があった。また、
コンタミネーションが付着したウェハが乾燥した後で
は、超音波洗浄等の洗浄方法を適用しても、汚れが落ち
にくいという問題があった。このため、十分なウェハの
汚染防止が行うことができず、製品の歩留りが悪化する
という問題があった。However, in the above-mentioned wafer cleaning method, although relatively large dust adhering to the wafer surface can be removed, finer dust adheres to the surface of the wafer. In this case, there was a limit to the cleaning effect for removing the dust. That is, in a device such as a CCD, which has a very strict dust level, micron-order dust becomes a problem.
The above-mentioned cleaning method has a problem that it is difficult to sufficiently remove micron-order contamination. Also,
After the wafer to which the contamination has adhered has dried, there is a problem in that stains are difficult to remove even if a cleaning method such as ultrasonic cleaning is applied. Therefore, there is a problem in that the wafer cannot be sufficiently prevented from being contaminated and the yield of the products is deteriorated.
【０００６】本発明は、かかる従来の問題に鑑みてなさ
れたものであって、ダイシング装置によるウェハの切削
の際に、ウェハを洗浄してコンタミネーションによる汚
染を防止することが可能なダイシング装置を提供するこ
とを目的とする。The present invention has been made in view of the above conventional problems, and provides a dicing apparatus capable of cleaning the wafer and preventing contamination due to contamination when the wafer is cut by the dicing apparatus. The purpose is to provide.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係るダイシング
装置は、ウェハを切削して個々のダイに分割するダイシ
ング装置であって、前記ウェハを切削する際に周波数帯
域がメガヘルツの超音波を付与した洗浄水により前記ウ
ェハを洗浄するメガソニック洗浄手段を有する。A dicing apparatus according to the present invention is a dicing apparatus which cuts a wafer to divide it into individual dies, and an ultrasonic wave having a frequency band of megahertz is applied when the wafer is cut. It has a megasonic cleaning means for cleaning the wafer with the cleaning water.
【０００８】本発明に係るダイシング装置では、前記メ
ガソニック洗浄手段は、前記洗浄水を供給する供給路に
設けられたメガヘルツの周波数帯域で振動する振動子を
有する。In the dicing apparatus according to the present invention, the megasonic cleaning means has a vibrator provided in a supply path for supplying the cleaning water and vibrating in a frequency band of megahertz.
【０００９】本発明に係るダイシング装置では、前記ダ
イシング装置は前記ウェハを切削するブレードを有し、
前記メガソニック洗浄手段は、前記ブレードおよび前記
ウェハの表面に向けて前記洗浄水を供給する。In the dicing apparatus according to the present invention, the dicing apparatus has a blade for cutting the wafer,
The megasonic cleaning means supplies the cleaning water toward the surfaces of the blade and the wafer.
【００１０】本発明に係るダイシング装置では、ダイシ
ング装置によりウェハを切削中に、メガソニック洗浄手
段によってウェハを洗浄する。このとき、洗浄水には、
周波数帯域がメガヘルツの超音波が与えられ、微小振
幅、高周波数、高加速度で励振された水分子の動きでウ
ェハ表面のダストを剥離し自らの直進流でこのダストを
押し流す。このため、ミクロンオーダのダストも効率良
く洗浄されることになり、ウェハの汚染が防止されるこ
とになる。In the dicing apparatus according to the present invention, the wafer is cleaned by the megasonic cleaning means while the wafer is being cut by the dicing apparatus. At this time, the wash water
Ultrasonic waves with a frequency band of megahertz are applied, and the dust on the wafer surface is separated by the movement of water molecules excited with minute amplitude, high frequency, and high acceleration, and this dust is pushed away by its own straight flow. Therefore, the micron-order dust can be efficiently cleaned, and the contamination of the wafer can be prevented.
【００１１】また、本発明に係るダイシング装置では、
ブレードおよびウェハの表面の双方に向けて洗浄水を供
給することから、ウェハの洗浄が行われるとともに、洗
浄水によってブレードに付着する汚れが洗浄されること
になる。Further, in the dicing apparatus according to the present invention,
Since the cleaning water is supplied to both the blade and the surface of the wafer, the wafer is cleaned and the cleaning water also cleans the dirt attached to the blade.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るダイシング装
置の実施の形態について図面を参照して詳細に説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a dicing apparatus according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１３】図１は、本発明に係るダイシング装置の一
実施形態の概略構成を示す正面説明図（図１（ａ））お
よび側面説明図（図１（ｂ））である。図１（ａ）に示
すダイシング装置１おいて、ホイールカバー２内に設け
られたブレード３は、図示しない高速回転を行うスピン
ドルの先端に取り付けられることによって所定の方向に
回転可能となっている。また、ホイールカバー２内に
は、洗浄水Ｃを供給するための供給管４および５が設け
られており、供給管４，５の先端には洗浄水Ｃを吹き出
す供給ノズル４ａ，５ａが形成されている。供給管５
は、図１（ｂ）に示すように、ブレード３を挟むように
２本設けられている。また、供給管４，５の途中にはメ
ガソニック振動装置６が設けられている。また、上記の
ブレード３に対向するように、図示しないウェハチャッ
ク上に設けられたウェハＷは、チャックテーブルの移動
によって移動可能となっている。なお、チャックテーブ
ルは、Ｘ軸およびＹ軸方向に移動可能になっており、こ
れによって、ウェハＷを賽の目状に切削することが可能
となっている。FIG. 1 is a front explanatory view (FIG. 1A) and a side explanatory view (FIG. 1B) showing a schematic structure of an embodiment of a dicing apparatus according to the present invention. In the dicing apparatus 1 shown in FIG. 1A, the blade 3 provided in the wheel cover 2 is attached to the tip of a spindle (not shown) that rotates at high speed so that the blade 3 can rotate in a predetermined direction. Further, supply pipes 4 and 5 for supplying the cleaning water C are provided in the wheel cover 2, and supply nozzles 4a and 5a for blowing the cleaning water C are formed at the tips of the supply pipes 4 and 5. ing. Supply pipe 5
As shown in FIG. 1B, two blades are provided so as to sandwich the blade 3. Further, a megasonic vibration device 6 is provided in the middle of the supply pipes 4 and 5. The wafer W provided on a wafer chuck (not shown) so as to face the blade 3 can be moved by moving the chuck table. Note that the chuck table is movable in the X-axis and Y-axis directions, so that the wafer W can be cut in a dice pattern.
【００１４】ホイールカバー２は、通常、導電性樹脂を
用いることができ、ブレード３を保護するとともに、ブ
レード３の回転により巻き上げられた洗浄水Ｃの飛散を
防止する等の役割を果たす。また、ホイールカバー２に
は、導電性樹脂に代えて石英から形成されたものを用い
ることも可能である。この場合には、上記の役割に加え
て、後述するメガソニック振動装置６によりホイールカ
バー２に伝達された周波数帯域がメガヘルツの振動の減
衰を防止することができる。The wheel cover 2 can usually be made of a conductive resin and plays a role of protecting the blade 3 and preventing scattering of the cleaning water C wound up by the rotation of the blade 3. The wheel cover 2 may be made of quartz instead of the conductive resin. In this case, in addition to the above role, the frequency band transmitted to the wheel cover 2 by the megasonic vibration device 6 described later can prevent attenuation of megahertz vibration.
【００１５】ブレード３は、例えば、２０〜３０μｍの
厚さを有するとともに、２．５インチ程度の直径を有し
ており、外周にはダイヤモンド砥粒が固定されている。The blade 3 has, for example, a thickness of 20 to 30 μm and a diameter of about 2.5 inches, and diamond abrasive grains are fixed on the outer periphery thereof.
【００１６】供給管４，５は、洗浄水Ｃを供給するが、
管径は例えば６ｍｍ程度となっている。また、供給ノズ
ル４ａ，５ａにはそれぞれ、洗浄水Ｃの吹き出し口４
ｂ，５ｂが形成されているが、供給ノズル５ａには、例
えば複数のスリット状の吹き出し口５ｂが形成され、供
給ノズル４ａには単一の円形の吹き出し口４ｂが形成さ
れている。これら供給ノズル４ａ，５ａに形成された吹
き出し口４ｂ，５ｂは、洗浄水Ｃがブレード３およびウ
ェハＷ表面の双方に直接衝突するような方向に形成され
ている。The supply pipes 4 and 5 supply the cleaning water C,
The tube diameter is, for example, about 6 mm. Further, the supply nozzles 4a and 5a are provided with the outlet 4 for the cleaning water C, respectively.
Although b and 5b are formed, the supply nozzle 5a is formed with, for example, a plurality of slit-shaped air outlets 5b, and the supply nozzle 4a is formed with a single circular air outlet 4b. The outlets 4b and 5b formed in these supply nozzles 4a and 5a are formed in such a direction that the cleaning water C directly collides with both the blade 3 and the surface of the wafer W.
【００１７】また、供給ノズル４ａ，５ａから吹き出さ
れる洗浄水Ｃは、洗浄の役割を果たすとともに、ブレー
ド３によるウェハＷの切削中に発生する熱を冷却する役
割も担っている。洗浄水Ｃには、例えば、炭酸ガスを飽
和させて比抵抗値を下げた純水が用いられる。洗浄水Ｃ
は所定の圧力で供給管４，５を通じて供給ノズル４ａ，
５ａに供給される。The cleaning water C blown out from the supply nozzles 4a and 5a plays a role of cleaning and also a role of cooling the heat generated during the cutting of the wafer W by the blade 3. As the cleaning water C, for example, pure water in which carbon dioxide gas is saturated to reduce the specific resistance value is used. Wash water C
At a predetermined pressure through the supply pipes 4 and 5, the supply nozzle 4a,
5a.
【００１８】メガソニック振動装置６は、メガソニック
振動装置６内に設けられた振動子をメガヘルツの周波数
で振動させるものである。振動子は、洗浄水Ｃの供給管
４，５内に設けられており、振動子のメガヘルツの周波
数での振動により、供給管４，５内の洗浄水Ｃの水分子
がメガヘルツの周波数で励振する。なお、上記の振動子
の振動方向は、洗浄水Ｃの供給される方向に沿うものと
なっている。The megasonic vibration device 6 vibrates a vibrator provided in the megasonic vibration device 6 at a frequency of megahertz. The oscillator is provided in the supply pipes 4, 5 of the cleaning water C, and the vibration of the oscillator at the frequency of megahertz causes the water molecules of the cleaning water C in the supply pipes 4, 5 to be excited at the frequency of megahertz. To do. The vibration direction of the above-mentioned vibrator is along the direction in which the cleaning water C is supplied.
【００１９】次に、上記のように構成されるダイシング
装置１の動作について説明する。まず、ブレード３を所
定の方向に回転させて、ウェハＷのダイシング加工を開
始するとともに、供給管４，５に洗浄水Ｃを所定の圧力
で供給し、メガソニック振動装置６を動作させる。この
とき、ウェハＷを保持しているチャックテーブルを図１
（ａ）中の矢印Ｆの方向に移動させながらダイシング加
工を行う。Next, the operation of the dicing apparatus 1 configured as described above will be described. First, the blade 3 is rotated in a predetermined direction to start the dicing process of the wafer W, the cleaning water C is supplied to the supply pipes 4 and 5 at a predetermined pressure, and the megasonic vibration device 6 is operated. At this time, the chuck table holding the wafer W is shown in FIG.
The dicing process is performed while moving in the direction of arrow F in (a).
【００２０】供給管４，５に供給された洗浄水Ｃは、メ
ガソニック振動装置６において、振動子によってメガヘ
ルツの周波数帯域で励振され、励振された洗浄水Ｃはそ
れぞれ供給ノズル４ａ，５ａに供給される。The cleaning water C supplied to the supply pipes 4 and 5 is excited in the megasonic vibration device 6 by the vibrator in the frequency band of megahertz, and the excited cleaning water C is supplied to the supply nozzles 4a and 5a, respectively. To be done.
【００２１】そして、図２に示すように、供給ノズル４
ａの吹き出し口４ｂからは、回転するブレード３の外周
およびウェハＷ表面に向けて励振された洗浄水Ｃが吹き
出される。Then, as shown in FIG. 2, the supply nozzle 4
The cleaning water C excited toward the outer periphery of the rotating blade 3 and the surface of the wafer W is blown out from the blow-out port 4b of a.
【００２２】また、図３に示すように、供給ノズル５ａ
の吹き出し口５ｂからは、回転するブレード３の両側面
およびウェハＷ表面に向けて励振された洗浄水Ｃが吹き
出される。Further, as shown in FIG. 3, the supply nozzle 5a
The cleaning water C excited toward both side surfaces of the rotating blade 3 and the surface of the wafer W is blown out from the blow-out port 5b of the.
【００２３】このとき、ウェハＷ表面に吹き出された洗
浄水は、その水分子が微小振幅、高周波、高加速度で周
波数回励振されており、この水分子の動きでウェハ表面
のダストを剥離し、自らの直進流で前記ダストを押し流
す。At this time, in the cleaning water blown on the surface of the wafer W, the water molecules thereof are excited by frequency with small amplitude, high frequency, and high acceleration, and the movement of the water molecules peels off the dust on the wafer surface. The dust is washed away by its own straight flow.
【００２４】これにより、汎用超音波の周波数帯の励振
によっては除去することができない、ミクロンオーダの
より微細なダストを除去することが可能となる。また、
ブレード３の切削によって生じたコンタミネーションを
速やかに洗浄することができるとともに、このコンタミ
ネーションによるウェハＷの汚染を防止することができ
る。As a result, it becomes possible to remove finer dust of the order of microns, which cannot be removed by exciting the general-purpose ultrasonic wave in the frequency band. Also,
It is possible to quickly clean the contamination caused by the cutting of the blade 3 and prevent the contamination of the wafer W due to this contamination.
【００２５】また、励振される水分子の振幅は微小であ
るため摩擦帯電も少なく、静電気によるウェハＷの損傷
もない。Since the excited water molecules have a small amplitude, triboelectric charging is small and the wafer W is not damaged by static electricity.
【００２６】一方、ブレード３の両側面に吹き付けられ
た洗浄水Ｃによって、ブレード３に汚れが付着すること
が防止されるため、ブレード３に付着したコンタミネー
ションがウェハＷを汚染するということがない。On the other hand, since the cleaning water C sprayed on both side surfaces of the blade 3 prevents dirt from adhering to the blade 3, the contamination adhering to the blade 3 does not contaminate the wafer W. .
【００２７】本実施形態に係るダイシング装置１によれ
ば、切削の際に発生するコンタミネーションによる汚染
を防止し、かつ効率良く洗浄しながら、ウェハＷを個々
のダイに分割するダイシング加工を行うことができる。
この結果、ウェハＷのコンタミネーションによる汚染に
よって、製造された半導体が不良品となるのを防止する
ことができ、歩留りを向上させることができる。According to the dicing apparatus 1 according to the present embodiment, the dicing process for dividing the wafer W into individual dies is performed while preventing contamination due to contamination generated during cutting and efficiently cleaning. You can
As a result, it is possible to prevent the manufactured semiconductor from being a defective product due to the contamination of the wafer W, and it is possible to improve the yield.
【００２８】また、本実施形態に係るダイシング装置１
によれば、ミクロンオーダのダストの洗浄が可能である
ため、例えば、ＣＣＤのようなダストレベルが非常に厳
しいデバイスであっても、その品質を向上させることが
できる。Further, the dicing apparatus 1 according to the present embodiment.
According to the above, since it is possible to clean micron-order dust, it is possible to improve the quality of a device such as CCD, which has a very strict dust level.
【００２９】さらに、本実施形態に係るダイシング装置
１によれば、ウェハＷのダイシング加工と同時にダスト
の洗浄が可能であるため、ウェハＷの加工後にウェハＷ
を洗浄する必要がなく、この結果、生産性を向上させる
ことができる。Further, according to the dicing apparatus 1 according to the present embodiment, since it is possible to wash dust at the same time as the dicing process of the wafer W, the wafer W is processed after the processing of the wafer W.
Therefore, the productivity can be improved as a result.
【００３０】また、本実施形態に係るダイシング装置１
によれば、ホイールカバー２を石英製とすることによ
り、メガソニック振動装置６による振動が減衰しにくく
なり、十分に励振された洗浄水をウェハ表面に供給する
ことができ、一層効率良く洗浄することが可能になる。Further, the dicing apparatus 1 according to the present embodiment.
According to the above, since the wheel cover 2 is made of quartz, the vibration caused by the megasonic vibration device 6 is less likely to be attenuated, and the sufficiently excited cleaning water can be supplied to the wafer surface, so that the cleaning can be performed more efficiently. It will be possible.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るダイ
シング装置によれば、切削の際に発生するコンタミネー
ションによる汚染を防止し、かつ効率良く洗浄すること
ができるため、半導体の製造の際の歩留りを向上させる
ことができる。As described above, according to the dicing apparatus of the present invention, it is possible to prevent contamination due to contamination that occurs during cutting and to efficiently clean the dicing apparatus. The yield can be improved.
【００３２】また、本発明に係るダイシング装置によれ
ば、ミクロンオーダのダストの洗浄が可能であるため、
半導体の品質が向上する。Further, according to the dicing apparatus according to the present invention, since it is possible to clean micron-order dust,
Semiconductor quality is improved.
【００３３】さらに、本発明に係るダイシング装置によ
れば、ウェハの切削と同時にダストの洗浄が可能である
ため、ウェハの切削後にウェハを洗浄する必要がなく、
生産性を向上させることができる。Further, according to the dicing apparatus of the present invention, since it is possible to clean dust at the same time as cutting the wafer, it is not necessary to clean the wafer after cutting the wafer,
Productivity can be improved.
【図１】本発明に係るダイシング装置の一実施形態の概
略構成を示す正面説明図（図１（ａ））および側面説明
図（図１（ｂ））である。FIG. 1 is a front explanatory view (FIG. 1A) and a side explanatory view (FIG. 1B) showing a schematic configuration of an embodiment of a dicing apparatus according to the present invention.
【図２】図１（ａ）の円Ａ内の拡大説明図である。FIG. 2 is an enlarged explanatory diagram within a circle A of FIG.
【図３】図１（ｂ）の円Ｂ内の拡大説明図である。FIG. 3 is an enlarged explanatory diagram within a circle B of FIG. 1 (b).
１… ダイシング装置、２… ホイールカバー、３…
ブレード、４，５…供給管、４ａ，５ａ… 供給ノズ
ル、４ｂ，５ｂ… 吹き出し口、６… メガソニック振
動装置、Ｗ…ウェハ、Ｃ… 洗浄水。1 ... Dicing device, 2 ... Wheel cover, 3 ...
Blades, 4, 5 ... Supply pipes, 4a, 5a ... Supply nozzles, 4b, 5b ... Blow-out ports, 6 ... Megasonic vibration device, W ... Wafer, C ... Cleaning water.
Claims (4)
イシング装置であって、 前記ウェハを切削する際に周波数帯域がメガヘルツの超
音波を付与した洗浄水により前記ウェハを洗浄するメガ
ソニック洗浄手段を有するダイシング装置。1. A dicing apparatus for cutting a wafer to divide it into individual dies, the megasonic cleaning including cleaning the wafer with cleaning water to which ultrasonic waves having a frequency band of megahertz are applied when the wafer is cut. Dicing apparatus having means.
を供給する供給路に設けられたメガヘルツの周波数帯域
で振動する振動子を有する請求項１に記載のダイシング
装置。2. The dicing apparatus according to claim 1, wherein the megasonic cleaning means has a vibrator provided in a supply path for supplying the cleaning water and vibrating in a frequency band of megahertz.
るブレードを有し、前記メガソニック洗浄手段は、前記
ブレードおよび前記ウェハの表面に向けて前記洗浄水を
供給する請求項１に記載のダイシング装置。3. The dicing apparatus according to claim 1, wherein the dicing apparatus has a blade for cutting the wafer, and the megasonic cleaning means supplies the cleaning water toward the surfaces of the blade and the wafer. .
つ前記ブレードをカバーする石英製のホイールカバーを
有する請求項３に記載のダイシング装置。4. The dicing apparatus according to claim 3, wherein the megasonic cleaning means is provided and a quartz wheel cover that covers the blade is provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13314596A JPH09320994A (en) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | Dicing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13314596A JPH09320994A (en) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | Dicing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320994A true JPH09320994A (en) | 1997-12-12 |
Family
ID=15097792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13314596A Abandoned JPH09320994A (en) | 1996-05-28 | 1996-05-28 | Dicing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09320994A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100894497B1 (en) * | 2007-08-29 | 2009-04-22 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Device and method for removing silicon particle of wafer |
| KR100962479B1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-14 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Device and method for removing silicon particle of wafer |
| JP2013236018A (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dicing device and dicing method |
| CN108568915A (en) * | 2017-03-09 | 2018-09-25 | 株式会社迪思科 | Cutting tool and mounting flange |
| CN110653202A (en) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 株式会社迪思科 | Ultrasonic water jet device |
| JP2020044460A (en) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | 株式会社ディスコ | Piezoelectric vibration plate, supersonic water injection device and supersonic horn |
-
1996
- 1996-05-28 JP JP13314596A patent/JPH09320994A/en not_active Abandoned
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100894497B1 (en) * | 2007-08-29 | 2009-04-22 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Device and method for removing silicon particle of wafer |
| KR100962479B1 (en) * | 2008-12-19 | 2010-06-14 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Device and method for removing silicon particle of wafer |
| JP2013236018A (en) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Dicing device and dicing method |
| CN108568915A (en) * | 2017-03-09 | 2018-09-25 | 株式会社迪思科 | Cutting tool and mounting flange |
| CN108568915B (en) * | 2017-03-09 | 2021-12-21 | 株式会社迪思科 | Cutting tool and mounting flange |
| CN110653202A (en) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 株式会社迪思科 | Ultrasonic water jet device |
| JP2020044460A (en) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | 株式会社ディスコ | Piezoelectric vibration plate, supersonic water injection device and supersonic horn |
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