JP2002105444A - ヘテロ芳香族環含有ビニルモノマーの合成方法、並びにそのモノマーを用いた有機発光素子材料及び有機発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特定のヘテロ芳香族環含有ポリマーに誘導可
能なヘテロ芳香族環含有ビニルモノマーの簡便な合成方
法を提供する。また、そのポリマーからなり、高輝度発
光が可能な有機発光素子を得るために好適に使用できる
有機発光素子材料、及びそれを用いた有機発光素子を提
供する。 【解決手段】 本発明のヘテロ芳香族環含有ビニルモノ
マーの合成方法においては、特定のハロゲン化合物とホ
ウ素化合物とを反応させてヘテロ芳香族環含有ビニルモ
ノマーを合成する。また、本発明の有機発光素子材料は
上記ヘテロ芳香族環含有ビニルモノマーに由来するモノ
マー単位を含むポリマーからなり、本発明の有機発光素
子は一対の電極間に有機層を有し、該有機層のうち少な
くとも１層が該有機発光素子材料を含有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特定のヘテロ芳香
族環含有ポリマーに誘導可能なヘテロ芳香族環含有ビニ
ルモノマーの合成方法、並びにそのポリマーからなる有
機発光素子材料及びそれを用いた有機発光素子に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】今日、種々の表示素子に関する研究開発
が活発に行われている。中でも、有機発光素子（有機EL
素子）は低電圧で高輝度の発光が可能であるため注目を
集めており、例えば、有機化合物の蒸着により有機薄膜
を形成した有機発光素子が知られている（Applied Phys
ics Letters, 51, 913 (1987)）。この有機発光素子は
電子輸送材料と正孔輸送材料を積層した構造を有し、従
来の単層型素子に比べて発光特性が大幅に向上してい
る。電子輸送材料としてはAlq（ヒドロキシキノリンア
ルミニウム錯体）が用いられている。Alqは最も有効な
電子輸送材料の１つであるが、その蛍光は緑色であるた
め、青色発光素子や白色発光素子を作製するには不適当
である。また、製造工程の簡略化、加工性の改善、素子
の大面積化等の観点からは有機発光素子を塗布法により
作製するのが望ましいが、Alqは有機溶剤に対する溶解
度が極端に低いため塗布法には不適当である。

【０００３】Alqに代わる電子輸送材料として、ヘテロ
芳香族環含有化合物が検討されている。例えば、応用物
理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会第６回
講習会予稿集11〜19頁、31〜41頁及び53〜61頁（1997）
には、1,3,4-オキサジアゾール化合物や1,3,4-トリアゾ
ール化合物を電子輸送材料として使用する技術につい
て、多くの検討例が記載されている。また、これら化合
物と同様の環構造を有するヘテロ芳香族環含有ポリマー
を塗布型有機発光素子の電子輸送材料として使用する技
術についても、数多く報告されている。このヘテロ芳香
族環含有ポリマーは、上記ヘテロ芳香族環含有化合物に
ビニル基等の重合性基を導入し、重合して得ることがで
きる。ビニル基を導入する際には、通常、ハロゲノメチ
ル基から誘導されるホスホニウム塩又はメチレンホスホ
ン酸エステルとホルミル基とのWittig反応や、ハロゲノ
エチル基のKOHによる脱ハロゲン化水素反応等を用い
る。しかしながら、電子輸送性ヘテロ芳香族環含有化合
物は電子欠損性が大きいヘテロ環構造を有するため、ホ
ルミル基の導入が不可能であったり、反応時に環が分解
してしまうことが多く、ビニル基の導入が困難である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特定
のヘテロ芳香族環含有ポリマーに誘導可能なヘテロ芳香
族環含有ビニルモノマーの簡便な合成方法を提供するこ
とである。また、本発明の更なる目的は、そのポリマー
からなり、高輝度発光が可能な有機発光素子を得るため
に好適に使用できる有機発光素子材料、及びそれを用い
た有機発光素子を提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的に鑑み鋭意研究
の結果、本発明者は、特定のハロゲン化合物とホウ素化
合物とを反応させることにより、ヘテロ芳香族環含有ビ
ニルモノマーを簡便に合成できることを発見し、本発明
に想到した。

【０００６】即ち、本発明のヘテロ芳香族環含有ビニル
モノマーの合成方法は、下記一般式(1)により表される
化合物と下記一般式(2)により表される化合物の反応に
よって、下記一般式(3)により表されるヘテロ芳香族環
含有ビニルモノマーを合成することを特徴とする。

【化４】 一般式(1)〜(3)中、Aは含窒素ヘテロアリーレン基を表
し、R₁は水素原子、アルキル基、アリール基又はヘテロ
環基を表し、R₂はアリーレン基、ヘテロアリーレン基又
は結合を表し、R₃は水素原子、アルキル基、アリール基
又はヘテロ環基を表し、R₄は-O-、-S-、-OCO-、-CO-、-
COO-、-CONR₉-、-NR₉-、-NR₉CO-、-OCOO-、-OCONR₉-、-
NR₉COO-、-NR₉CONR₁₀-、-SO₂-、-NR₉SO₂-、-SO₂NR₉-及
び-NR₉SO₂NR₁₀-（R₉及びR₁₀はそれぞれ独立に水素原
子、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。）
からなる群から選ばれる２価結合基又は結合を表し、R₅
は２価結合基又は結合を表し、R₆はアリーレン基又はヘ
テロアリーレン基を表す。X及びYは一方がハロゲン原子
であり、もう一方が下記一般式(4)：

【化５】 （R₇及びR₈はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア
リール基又はヘテロ環基を表し、互いに結合して環を形
成してもよい。）により表されるホウ素含有基である。

【０００７】本発明の合成方法において、一般式(1)に
より表される化合物と一般式(2)により表される化合物
の反応は、パラジウム触媒を用いたカップリング反応で
あるのが好ましい。

【０００８】本発明の有機発光素子材料は上記一般式
(3)により表されるヘテロ芳香族環含有ビニルモノマー
に由来するモノマー単位を含むポリマーからなる。

【０００９】また、本発明の有機発光素子は一対の電極
間に有機層を有し、該有機層のうち少なくとも１層が本
発明の有機発光素子材料を含有する。有機層のうち少な
くとも１層は塗布法により形成するのが好ましい。本発
明の有機発光素子は三重項励起子からの発光が可能な発
光材料を含有するのが好ましい。

【００１０】

【発明の実施の形態】[1]ヘテロ芳香族環含有ビニルモ
ノマーの合成方法 本発明のヘテロ芳香族環含有ビニルモノマーの合成方法
においては、下記一般式(1)により表される化合物と下
記一般式(2)により表される化合物の反応によって、下
記一般式(3)により表されるヘテロ芳香族環含有ビニル
モノマーを合成する。

【化６】

【００１１】一般式(1)及び(3)中、Aは含窒素ヘテロア
リーレン基を表す。この基が有するヘテロアリール環は
５又は６員環であるのが好ましい。また、５又は６員環
に他の芳香族環が縮合してなる環も好ましい。このヘテ
ロアリール環の例としては、1,3,4-オキサジアゾール
環、1,2,4-オキサジアゾール環、1,2,5-オキサジアゾー
ル環、1,3,4-チアジアゾール環、1,2,4-チアジアゾール
環、1,2,5-チアジアゾール環、1,2,3-トリアゾール環、
1,2,4-トリアゾール環、ピラゾール環、イミダゾール
環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール
環、イソチアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリ
ダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、これらの縮合
環等が挙げられる。中でも、1,3,4-オキサジアゾール
環、1,2,4-オキサジアゾール環、1,2,5-オキサジアゾー
ル環、1,3,4-チアジアゾール環、1,2,4-チアジアゾール
環、1,2,5-チアジアゾール環、1,2,3-トリアゾール環、
1,2,4-トリアゾール環、イミダゾール環、オキサゾール
環、チアゾール環及びこれらの縮合環が好ましい。

【００１２】一般式(1)及び(3)中、R₁は水素原子、アル
キル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。R₁は炭素原
子数６〜40のアリール基（例えばフェニル基、トリル
基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基等）又は
炭素原子数４〜40のヘテロ環基（例えばピリジル基、キ
ノリル基等）であるのが好ましい。

【００１３】一般式(1)及び(3)中、R₂はアリーレン基
（好ましくは炭素原子数６〜40であり、例えばフェニレ
ン基、ビフェニレン基、ナフチレン基等）、ヘテロアリ
ーレン基（好ましくは炭素原子数４〜40であり、例えば
ピリジレン基、キノリレン基等）又は結合を表す。

【００１４】一般式(2)及び(3)中、R₃は水素原子、アル
キル基（好ましくは炭素原子数１〜40であり、例えばメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、オクチル
基、ドデシル基等）、アリール基（好ましくは炭素原子
数６〜40であり、例えばフェニル基、トリル基、ビフェ
ニル基、ナフチル基、アントリル基等）又はヘテロ環基
（好ましくは炭素原子数３〜40であり、例えばピリジル
基、キノリル基等）を表す。R₃は特に好ましくは水素原
子又はメチル基である。

【００１５】一般式(2)及び(3)中、R₄は-O-、-S-、-OCO
-、-CO-、-COO-、-CONR₉-、-NR₉-、-NR₉CO-、-OCOO-、-
OCONR₉-、-NR₉COO-、-NR₉CONR₁₀-、-SO₂-、-NR₉SO₂-、-
SO₂NR₉-及び-NR₉SO₂NR₁₀-からなる群から選ばれる２価
結合基又は結合を表す。ここで、R₉及びR₁₀はそれぞれ
独立に水素原子、アルキル基（好ましくは炭素原子数１
〜40であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、オクチル基、ドデシル基等）、アリール基
（好ましくは炭素原子数６〜40であり、例えばフェニル
基、トリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル
基等）又はヘテロ環基（好ましくは炭素原子数３〜40で
あり、例えばピリジル基、キノリル基等）を表す。

【００１６】一般式(2)及び(3)中、R₅は２価結合基又は
結合を表す。２価結合基はヘテロ原子を含んでもよく、
その例としてはメチレン基、オキシエチレン基、オキシ
アリーレン基等が挙げられる。

【００１７】一般式(2)及び(3)中、R₆はアリーレン基
（好ましくは炭素原子数６〜40であり、例えばフェニレ
ン基、ビフェニレン基、ナフチレン基等）又はヘテロア
リーレン基（好ましくは炭素原子数３〜40であり、例え
ばピリジレン基、キノリレン基等）を表す。

【００１８】一般式(1)及び(2)中、X及びYは一方がハロ
ゲン原子であり、もう一方が下記一般式(4)：

【化７】 により表されるホウ素含有基である。ハロゲン原子は塩
素原子、臭素原子又はヨウ素原子であるのが好ましく、
臭素原子又はヨウ素原子であるのがより好ましい。一般
式(4)中のR₇及びR₈はそれぞれ独立に水素原子、アルキ
ル基、アリール基又はヘテロ環基を表し、好ましくは水
素原子又はアルキル基である。アルキル基の場合、その
炭素原子数は１〜40であるのが好ましく、１〜20である
のがより好ましい。また、R₇及びR₈は互いに結合して環
を形成してもよい。R₇及びR₈が共にアルキル基であり、
それらが互いに結合して環を形成するのが好ましい。中
でも、ピナコール型の環を形成するのが特に好ましい。

【００１９】上記A及びR₁〜R₆は置換基を有していても
よい。この置換基は、ハロゲン原子（例えばフッ素原
子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ
る。）、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、ホルミル基、
アルキル基（好ましくは炭素原子数１〜30、より好まし
くは炭素原子数１〜15であり、置換基を有していてもよ
く、例えばメチル基、t-ブチル基、シクロヘキシル基等
が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素原子
数２〜30、より好ましくは炭素原子数２〜15であり、例
えばビニル基、1-プロペニル基、1-ブテン-2-イル基、
シクロヘキセン-1-イル基等が挙げられる。）、アルキ
ニル基（好ましくは炭素原子数２〜30、より好ましくは
炭素原子数２〜15であり、例えばエチニル基、1-プロピ
ニル基等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭
素原子数６〜30、より好ましくは炭素原子数６〜15であ
り、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチ
ル基、ビフェニリル基、ピレニル基等が挙げられ
る。）、ヘテロ環基（好ましくは炭素原子数２〜30、よ
り好ましくは炭素原子数２〜15であり、好ましくは５又
は６員環構造を有し、他の環と縮合していてもよく、ヘ
テロ原子は窒素原子、酸素原子、硫黄原子等であってよ
く、例えばピリジル基、ピペリジル基、オキサゾリル
基、オキサジアゾリル基、テトラヒドロフリル基、チエ
ニル基等が挙げられる。）、１〜３級アミノ基（好まし
くは炭素原子数１〜30、より好ましくは炭素原子数1〜1
6であり、アミノ基、モノアルキルアミノ基、モノアリ
ールアミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ
基、アルキルアリールアミノ基、モノヘテロ環アミノ
基、ビスヘテロ環アミノ基等であってよく、好ましくは
３級アミノ基であり、例えばジメチルアミノ基、ジフェ
ニルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基等が挙げられ
る。）、イミノ基（好ましくは炭素原子数１〜30、より
好ましくは炭素原子数１〜15であり、-CR₁₁=NR₁₂又は-N
=CR₁₃R₁₄（R₁₁〜R₁₄はそれぞれ独立に水素原子、アルキ
ル基、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリー
ルオキシ基又は１〜３級アミノ基）で表される基であっ
てよい。）、アルコキシ基（好ましくは炭素原子数１〜
30、より好ましくは炭素原子数１〜15であり、例えばメ
トキシ基、エトキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙
げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素原子
数６〜30、より好ましくは炭素原子数６〜15であり、例
えばフェノキシ基、1-ナフトキシ基、4-フェニルフェノ
キシ基等が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましく
は炭素原子数１〜30、より好ましくは炭素原子数１〜15
であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、シクロヘ
キシルチオ基等が挙げられる。）、アリールチオ基（好
ましくは炭素原子数６〜30、より好ましくは炭素原子数
６〜15であり、例えばフェニルチオ基、トリルチオ基等
が挙げられる。）、カルボンアミド基（好ましくは炭素
原子数１〜30、より好ましくは炭素原子数１〜15であ
り、例えばアセトアミド基、ベンゾイルアミド基、N-メ
チルベンゾイルアミド基等が挙げられる。）、スルホン
アミド基（好ましくは炭素原子数１〜30、より好ましく
は炭素原子数１〜15であり、例えばメタンスルホンアミ
ド基、ベンゼンスルホンアミド基、p-トルエンスルホン
アミド基等が挙げられる。）、カルバモイル基（好まし
くは炭素原子数１〜30、より好ましくは炭素原子数１〜
15であり、例えば無置換カルバモイル基、メチルカルバ
モイル基、ジメチルカルバモイル基、フェニルカルバモ
イル基、ジフェニルカルバモイル基、ジオクチルカルバ
モイル基等が挙げられる。）、スルファモイル基（好ま
しくは炭素原子数１〜30、より好ましくは炭素原子数１
〜15であり、例えば無置換スルファモイル基、メチルス
ルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニル
スルファモイル基、ジフェニルスルファモイル基、ジオ
クチルスルファモイル基等が挙げられる。）、アルキル
カルボニル基（好ましくは炭素原子数２〜30、より好ま
しくは炭素原子数２〜15であり、例えばアセチル基、プ
ロピオニル基、ブチロイル基、ラウロイル基等が挙げら
れる。）、アリールカルボニル基（好ましくは炭素原子
数６〜30、より好ましくは炭素原子数６〜15であり、例
えばベンゾイル基、ナフトイル基等が挙げられる。）、
アルキルスルホニル基（好ましくは炭素原子数１〜30、
より好ましくは炭素原子数１〜15であり、例えばメタン
スルホニル基、エタンスルホニル基等が挙げられ
る。）、アリールスルホニル基（好ましくは炭素原子数
６〜30、より好ましくは炭素原子数６〜15であり、例え
ばベンゼンスルホニル基、p-トルエンスルホニル基、1-
ナフタレンスルホニル基等が挙げられる。）、アルコキ
シカルボニル基（好ましくは炭素原子数２〜30、より好
ましくは炭素原子数２〜15であり、例えばメトキシカル
ボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル
基等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基
（好ましくは炭素原子数６〜30、より好ましくは炭素原
子数６〜15であり、例えばフェノキシカルボニル基、1-
ナフトキシカルボニル基等が挙げられる。）、アルキル
カルボニルオキシ基（好ましくは炭素原子数２〜30、よ
り好ましくは炭素原子数２〜15であり、例えばアセトキ
シ基、プロピオニルオキシ基、ブチロイルオキシ基等が
挙げられる。）、アリールカルボニルオキシ基（好まし
くは炭素原子数６〜30、より好ましくは炭素原子数６〜
15であり、例えばベンゾイルオキシ基、1-ナフトイルオ
キシ基等が挙げられる。）、ウレタン基（好ましくは炭
素原子数１〜30、より好ましくは炭素原子数１〜15であ
り、例えばメトキシカルボンアミド基、フェノキシカル
ボンアミド基、メチルアミノカルボンアミド基等が挙げ
られる。）、ウレイド基（好ましくは炭素原子数１〜3
0、より好ましくは炭素原子数１〜15であり、例えばメ
チルアミノカルボンアミド基、ジメチルアミノカルボン
アミド基、ジフェニルアミノカルボンアミド基等が挙げ
られる。）、炭酸エステル基（好ましくは炭素原子数１
〜30、より好ましくは炭素原子数１〜15であり、例えば
メトキシカルボニルオキシ基、フェノキシカルボニルオ
キシ基等が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素
原子数１〜30、より好ましくは炭素原子数１〜15であ
り、例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル
基、トリエチルシリル基等が挙げられる。）等であって
よい。

【００２０】一般式(1)により表される化合物と一般式
(2)により表される化合物との反応は、X及びYを反応活
性基としたアリールカップリング反応である。反応を行
う際には適当な触媒を用いてよい。触媒としてはパラジ
ウム触媒が好ましく使用できる。特に、イオン性パラジ
ウム塩をリン系有機化合物と共に用いるのが好ましい。
この場合、イオン性パラジウム塩とリン系有機化合物と
の反応によりパラジウム−ホスフィン錯体を予め合成し
て使用してもよいし、活性炭に担持したパラジウム金属
と有機ホスフィン化合物を反応系に加えてもよい。後者
の方法は反応後の触媒の分離が簡便であり、好ましい。
本発明の合成方法で行う反応は公知のSuzuki-Coupling
反応と同様又は類似の反応であってよい。Suzuki-Coupl
ing反応によれば、弱塩基性条件下、適当なPd−リン系
触媒を用いることにより、穏和な条件でカップリングが
可能となる。Suzuki-Coupling反応については、Pure &
Appl.Chem. 57, (12), 1749-1758 (1985)、ibid, 63,
(3), 419-422, (1991)、及びibid, 66, (2), 213-222,
(1994)にその詳細がレビューされている。

【００２１】以下、一般式(1)により表される化合物の
具体例H-1〜H-55、一般式(2)により表される化合物の具
体例DB-1〜DB-12、並びに一般式(3)により表されるヘテ
ロ芳香族環含有ビニルモノマーの具体例M-1〜M-15を示
すが、それらは本発明を限定するものではない。

【００２２】

【化８】

【００２３】

【化９】

【００２４】

【化10】

【００２５】

【化11】

【００２６】

【化12】

【００２７】

【化13】

【００２８】

【化14】

【００２９】

【化15】

【００３０】

【化16】

【００３１】

【化17】

【００３２】

【化18】

【００３３】

【化19】

【００３４】

【化20】

【００３５】

【化21】

【００３６】

【化22】

【００３７】

【化23】

【００３８】[2]有機発光素子材料 本発明の有機発光素子材料は、上記一般式(3)により表
されるヘテロ芳香族環含有ビニルモノマーに由来するモ
ノマー単位を含むポリマーからなる。このポリマーは上
記ヘテロ芳香族環含有ビニルモノマーのみからなるホモ
ポリマーであっても、他のモノマー単位を含むコポリマ
ーであってもよい。該コポリマーはランダム共重合体で
あってもよいし、ブロック共重合体であってもよい。本
発明の有機発光素子材料は一般的なラジカル重合法又は
イオン重合法によりモノマーを重合することによって得
ることができる。中でも、ラジカル重合法及びカチオン
重合法が好ましく用いられる。これらの重合法について
は、「高分子合成の実験法」大津・木下共著, 化学同人
刊（1972）に詳細が記載されている。有機発光素子材料
の重量平均分子量（Mw）は通常1000〜10000000であり、
好ましくは2000〜1000000、特に好ましくは5000〜50000
0である。

【００３９】本発明の有機発光素子材料は、正孔注入材
料、正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料及び電子注
入材料のいずれとしても使用可能であるが、好ましくは
発光材料、電子輸送材料又は電子注入材料として使用す
る。本発明の有機発光素子材料は単独で使用しても、他
の有機材料や無機材料と併用して使用してもよい。併用
する有機材料は低分子有機材料であっても高分子有機材
料であってもよい。また、他のポリマーと積層塗布して
使用することも可能である。更には、低分子化合物と混
合したり積層したりして使用することも可能である。こ
の場合、低分子化合物はポリマーバインダーと混合して
塗布しても、真空蒸着、スパッタリング等の方法で積層
してもよい。以下、本発明の有機発光素子材料の具体例
P-1〜P-20を示すが、それらは本発明を限定するもので
はない。

【００４０】

【化24】

【００４１】

【化25】

【００４２】

【化26】

【００４３】

【化27】

【００４４】[3]有機発光素子 本発明の有機発光素子は、一対の電極（陽極及び陰極）
間に有機層を有する。有機層は発光層、又は発光層を含
む複数の有機化合物薄膜層からなる。有機層のうち少な
くとも１層は、前述の本発明の有機発光素子材料を含有
する。本発明の有機発光素子材料を含有する有機層の形
成方法は特に限定されず、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム
法、スパッタリング法、分子積層法、塗布法、インクジ
ェット法等の方法が使用可能である。中でも、素子の特
性及び製造面から抵抗加熱蒸着及び塗布法が好ましい。

【００４５】有機層は正孔注入層、正孔輸送層、発光
層、電子注入層、電子輸送層、保護層等を含んでいてよ
く、これらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであ
ってもよい。前述の通り、本発明の有機発光素子材料は
これらの層のいずれに含まれていてもよく、好ましくは
発光層、電子輸送層又は電子注入層に含まれる。有機層
のうち少なくとも１層は塗布法により形成するのが好ま
しい。以下、各層について詳述する。

【００４６】(a)陽極 陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給
するものである。陽極を形成する材料としては、金属、
合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物
等を用いることができ、好ましくは仕事関数が４eV以上
の材料を用いる。具体例としては、金属（金、銀、クロ
ム、ニッケル等）、導電性金属酸化物（酸化スズ、酸化
亜鉛、酸化インジウム、ITO（Indium Tin Oxide）
等）、これら金属と導電性金属酸化物との混合物又は積
層物、無機導電性物質（ヨウ化銅、硫化銅等）、有機導
電性材料（ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロー
ル等）及びこれらとITOとの積層物等が挙げられる。陽
極は導電性金属酸化物からなるのが好ましく、生産性、
高導電性、透明性等の観点からITOが特に好ましい。陽
極の形成法は用いる材料に応じて適宜選択すればよく、
例えばITOの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、
抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法等）、酸化
インジウムスズ分散物の塗布等の方法を用いることがで
きる。陽極に洗浄等の処理を施すことにより、有機発光
素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めたりするこ
とも可能である。例えばITOからなる陽極の場合、UV-オ
ゾン処理、プラズマ処理等が効果的である。陽極のシー
ト抵抗は数百Ω／□以下とするのが好ましい。陽極の膜
厚は材料に応じて適宜選択可能であるが、通常10nm〜５
μmとするのが好ましく、50nm〜１μmとするのがより好
ましく、100nm〜500nmとするのが特に好ましい。陽極は
通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹
脂等からなる基板上に形成する。ガラス基板の場合、ガ
ラスからの溶出イオンを低減するためには無アルカリガ
ラスを用いるのが好ましい。ソーダライムガラスを用い
る場合は、予めその表面にシリカ等のバリアコート処理
を施すのが好ましい。基板の厚さは、機械的強度を保つ
のに十分であれば特に制限はないが、ガラス基板の場合
は通常0.2mm以上、好ましくは0.7mm以上とする。

【００４７】(b)陰極 陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給
するものである。陰極の材料としては、金属、合金、金
属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、これ
らの混合物等を用いることができ、発光層等の隣接する
層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮
して選択すればよい。具体例としては、アルカリ金属
（Li、Na、K、Cs等）及びそのフッ化物、アルカリ土類
金属（Mg、Ca等）及びそのフッ化物、金、銀、鉛、アル
ミニウムや、ナトリウム-カリウム合金、リチウム-アル
ミニウム合金、マグネシウム-銀合金及びそれらの混合
金属、希土類金属（インジウム、イッテリビウム等）等
が挙げられる。陰極は仕事関数が４eV以下の材料からな
るのが好ましく、アルミニウム、リチウム-アルミニウ
ム合金、マグネシウム-銀合金、又はそれらの混合金属
からなるのがより好ましい。陰極は、上記のような材料
からなる単層構造であっても、上記材料からなる層を含
む積層構造であってもよい。陰極は電子ビーム法、スパ
ッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法等によ
り形成することができる。蒸着法の場合、材料を単独で
蒸着することも、二種以上の材料を同時に蒸着すること
もできる。合金電極を形成する場合は、複数の金属を同
時蒸着して形成することが可能であり、また予め調整し
た合金を蒸着させてもよい。陰極のシート抵抗は数百Ω
／□以下とするのが好ましい。陰極の膜厚は材料に応じ
て適宜選択可能であるが、通常10nm〜５μmとするのが
好ましく、50nm〜１μmとするのがより好ましく、100nm
〜１μmとするのが特に好ましい。

【００４８】(c)正孔注入層及び正孔輸送層 正孔注入層及び正孔輸送層に用いる材料は、陽極から正
孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、及び陰極から
注入された電子を障壁する機能のいずれかを有している
ものであればよい。その具体例としては、カルバゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オ
キサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリ
ールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘
導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導
体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン
誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチ
ルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化
合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系
化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、
ポリ(N-ビニルカルバゾール)誘導体、アニリン系共重合
体、チオフェンオリゴマーやポリチオフェン等の導電性
高分子等が挙げられる。正孔注入層及び正孔輸送層は１
種又は２種以上の上記材料からなる単層構造であっても
よいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構
造であってもよい。正孔注入層及び正孔輸送層の形成方
法としては、真空蒸着法、LB法、インクジェット法、上
記材料を溶媒中に溶解又は分散させて塗布する方法（ス
ピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）等が
用いられる。塗布する方法の場合、上記材料を樹脂成分
と共に溶解又は分散させて塗布液を調製してもよく、該
樹脂成分としては、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブ
チルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポ
リフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ(N-ビニ
ルカルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノ
キシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、ポリ酢酸ビ
ニル、ABS樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリ
コン樹脂等が使用できる。正孔注入層及び正孔輸送層の
膜厚は特に限定されないが、通常１nm〜５μmとするの
が好ましく、５nm〜１μmとするのがより好ましく、10n
m〜500nmとするのが特に好ましい。

【００４９】(d)発光層 有機発光素子に電界を印加すると、発光層において陽
極、正孔注入層又は正孔輸送層から注入された正孔と、
陰極、電子注入層又は電子輸送層から注入された電子と
が再結合し、光を発する。発光層をなす材料は、電界印
加時に陽極等から正孔を受け取る機能、陰極等から電子
を受け取る機能、電荷を移動させる機能、及び正孔と電
子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を
形成することができるものであれば特に限定されない。
発光層の材料としては、上記本発明の有機発光素子材料
が好ましく使用でき、加えてベンゾオキサゾール誘導
体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導
体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジ
フェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン
誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリ
レン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導
体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペン
タジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キ
ナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾ
ロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメ
チリディン化合物、金属錯体（8-キノリノール誘導体の
金属錯体、希土類錯体等）、高分子発光材料（ポリチオ
フェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等）
等が使用できる。発光材料には一重項励起子から発光す
るもの、三重項励起子から発光するもの、並びにその両
者から発光するものがあり、本発明の有機発光素子にお
いてはそれらのいずれの発光材料も使用可能である。本
発明の有機発光素子材料を発光層に用いる場合は、三重
項励起子からの発光が可能な発光材料と組み合わせて使
用すると、その効果が一層発揮され特に好ましい。三重
項励起子からの発光が可能な発光材料としては、イリジ
ウム錯体Ir(ppy)₃（Tris-Ortho-Metalated Complexof I
ridium (III) with 2-Phenylpyridine）が知られてい
る。Ir(ppy)₃を用いた緑色発光素子は８％の外部量子収
率を達成しており、従来有機発光素子の限界といわれて
いた外部量子収率５％を凌駕した（Applied Physics Le
tters 75, 4(1999)）。発光層の形成方法は特に限定さ
れず、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法、スパッタリング
法、分子積層法、塗布法（スピンコート法、キャスト
法、ディップコート法等）、LB法、インクジェット法等
が使用可能である。中でも、抵抗加熱蒸着法及び塗布法
が好ましい。発光層の膜厚は特に限定されず、通常１nm
〜５μmとするのが好ましく、５nm〜１μmとするのがよ
り好ましく、10nm〜500nmとするのが特に好ましい。

【００５０】(e)電子注入層及び電子輸送層 電子注入層及び電子輸送層をなす材料は、陰極から電子
を注入する機能、電子を輸送する機能、並びに陽極から
注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有している
ものであればよい。本発明の有機発光素子材料はこのよ
うな材料として好適に利用できる。他の具体例として
は、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサ
ジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノ
ジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン
誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド
誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピ
ラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカ
ルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（8-
キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニ
ン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子と
する金属錯体等）等が挙げられる。電子注入層及び電子
輸送層は１種又は２種以上の上記材料からなる単層構造
であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層から
なる多層構造であってもよい。電子注入層及び電子輸送
層の形成方法としては、真空蒸着法、LB法、インクジェ
ット法、上記材料を溶媒中に溶解又は分散させて塗布す
る方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート
法等）等が用いられる。塗布する方法の場合、上記材料
を樹脂成分と共に溶解又は分散させて塗布液を調製して
もよい。該樹脂成分としては、前述した正孔注入層及び
正孔輸送層の場合と同様のものが使用できる。電子注入
層及び電子輸送層の膜厚は特に限定されず、通常１nm〜
５μmとするのが好ましく、５nm〜１μmとするのがより
好ましく、10nm〜500nmとするのが特に好ましい。

【００５１】(f)保護層 保護層は水分、酸素等の素子劣化を促進するものが素子
内に入ることを抑止する機能を有する。保護層の材料と
しては、金属（In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti、Ni
等）、金属酸化物（MgO、SiO、SiO₂、Al₂O₃、GeO、Ni
O、CaO、BaO、Fe₂O₃、Y₂O₃、TiO₂等）、金属フッ化物
（MgF₂、LiF、AlF₃、CaF₂等）、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポ
リウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロト
リフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレ
ン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロ
エチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少な
くとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重
合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有
する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、
吸水率0.1％以下の防湿性物質等が使用できる。保護層
の形成方法は特に限定されず、真空蒸着法、スパッタリ
ング法、反応性スパッタリング法、MBE（分子線エピタ
キシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーテ
ィング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーテ
ィング法）、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD
法、ガスソースCVD法、塗布法、インクジェット法等が
適用できる。

【００５２】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。

【００５３】１．ヘテロ芳香族環含有ビニルモノマーの
合成 ヘテロ芳香族環含有ビニルモノマーM-1を、(a)本発明の
合成方法、(b)従来法Ｉ、及び(c)従来法IIによりそれぞ
れ合成した。

【００５４】(a)本発明の合成方法 温度計とリフラックスコンデンサーを取り付けた500ml
の三つ口フラスコに、14.6g（0.1mol）の5-フェニルテ
トラゾール及び150mlのピリジンを仕込み、磁気撹拌子
を用いて内容物を撹拌しながら氷浴により内温を５℃ま
で下げた。ここに43g（0.2mol）の4-ブロムベンゾイル
クロリドを内温が25℃を越えないように徐々に添加し
た。そのまま30分間撹拌を続け、冷却浴をはずしオイル
バスを取り付け、内温を100℃まで上昇させたところ、5
0℃を越えた辺りから激しい窒素ガスの発泡が認められ
た。100℃で１時間反応させた後、反応混合物を３Lの冷
水に注ぎ入れると結晶が析出した。この結晶をアセトニ
トリルから再結晶して精製し、H-1（2-(4-ブロモフェニ
ル)-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール）の結晶22gを
得た。続いて、温度計とリフラックスコンデンサーを取
り付けた300mlの三つ口フラスコに、15.5g（0.05mol）
のH-1、８g（0.053mol）の4-ビニルフェニルボロン酸、
11gの炭酸ナトリウム、120mlのジエチレングリコールジ
メチルエーテル及び10mlの水を仕込み、ここに触媒とし
て１gの10%Pd-Cと0.1gのトリフェニルホスフィンを加
え、オイルバスにより加熱しながら撹拌還流条件下、５
時間反応させた。反応終了後、反応混合物をセライトを
用いて熱時濾過し、触媒を分離した。この混合物を大量
の水に注ぐと結晶が析出した。この結晶を乾燥し、残渣
をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン
／酢酸エチル＝５／１）により精製した。所望の生成物
を含む流出成分から溶媒を留去し、得られたオイルをメ
タノールを用いて晶析して、モノマーM-1の結晶９gを得
た。

【００５５】(b)従来法Ｉ まず、下記合成ルートに従って化合物１を合成した。

【化28】 次に、温度計とリフラックスコンデンサーを取り付けた
500mlの３つ口フラスコに、14.6g（0.1mol）の5-フェニ
ルテトラゾール及び200mlのピリジンを仕込み、磁気撹
拌子を用いて内容物を撹拌しながら氷浴により内温を５
℃まで下げた。ここに48g（0.2mol）の化合物１を内温
が25℃を越えないように徐々に添加した。そのまま30分
間撹拌を続け、冷却浴をはずしオイルバスを取り付け、
内温を100℃まで上昇させたところ、50℃を越えた辺り
から激しい窒素ガスの発泡が認められた。100℃で１時
間反応させた後、反応混合物を３Lの冷水に注ぎ入れる
と粘稠なオイルが沈殿した。デカンテーションを行い、
更にオイル成分を塩酸水及び水で繰り返し洗浄し、酢酸
エチルに溶解させた。この溶液を無水硫酸マグネシウム
を用いて乾燥し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（溶出溶媒：n-ヘキサン／酢酸エ
チル＝３／１）により精製し、4.2gのM-1を得た。

【００５６】(c)従来法II 温度計とリフラックスコンデンサーを取り付けた500ml
の３つ口フラスコに、13.6g（0.1mol）のベンズヒドラ
ジド及び150mlのN,N-ジメチルアセトアミドを仕込み、
磁気撹拌子を用いて内容物を撹拌しながら氷浴により内
温を５℃まで下げた。ここに24g（0.1mol）の化合物１
を内温が40℃を越えないように徐々に添加した。そのま
ま撹拌を続けると結晶が析出した。30分間撹拌した後、
析出した結晶をヌッチェを用いて濾別し、アセトニトリ
ル及び水を用いて洗浄し、乾燥して以下に示す化合物２
の結晶27gを得た。

【化29】 次に、温度計とリフラックスコンデンサーを取り付けた
500mlの３つ口フラスコに17g（0.05mol）の化合物２及
び100gのオキシ塩化リンを仕込んだ。磁気撹拌子を用い
て内容物を撹拌しながらオイルバスにより内温を100℃
まで上昇させたところ、激しくガスを発生させながら反
応が進行した。ガスの発生が止まるまで反応させ、過剰
のオキシ塩化リンを減圧蒸留によって除去した。反応混
合物を３Lの冷水に注ぎ入れると粘稠なオイル成分が沈
殿した。このオイル成分を薄層クロマトグラフィーによ
り調べたところ、M-1の生成は認められたものの、系中
のほとんどが重合生成物であった。

【００５７】以上のように、従来法によるM-1の合成
は、多段階の反応を必要とするばかりでなく、収率が低
かったり、モノマーが重合してしまう等の問題があるこ
とがわかった。

【００５８】２．有機発光素子材料の合成 本発明の有機発光素子材料は、一般的なラジカル重合法
又はイオン重合法により、上記のように得られるモノマ
ーを重合させて容易に合成することができる。以下、有
機発光素子材料P-1の合成について詳述する。温度計と
リフラックスコンデンサーを取り付け、乾燥窒素気流を
通じて内部を乾燥させた300mlの三つ口フラスコに、乾
燥窒素気流を通じたまま10gのM-1及び100mlの合成用脱
水テトラヒドロフラン（THF）を入れ、磁気撹拌子によ
り撹拌してM-1を完全に溶解させた。次に、得られた溶
液をドライアイス浴により冷却して内温を−20℃に低下
させ、n-ブチルリチウムのヘキサン溶液をn-ブチルリチ
ウムの溶液中含量が0.2〜0.5mmolとなるように添加し
た。添加後、直ちに重合が開始し、内温が−10℃まで上
昇し、溶液の粘度が上昇した。ドライアイス浴を取り付
けた状態で20分程度重合反応を行った後、水を１ml加え
て重合を停止し、溶液温度を室温まで戻した。続いて、
得られた混合物を２Lのメタノール中に撹拌しながら滴
下して固体を析出させ、これを濾別しメタノール洗浄し
た後、デシケータ中で真空乾燥して9.4gのP-1を得た。
得られたP-1の重量平均分子量はポリスチレン換算でMw=
21000であった。なお、重量平均分子量はゲルパーミエ
ーションクロマトグラフィーによって測定した。

【００５９】３．有機発光素子の製造及び輝度の測定実施例１〜８及び比較例１〜６ 25mm×25mm×0.7mmのガラス基板上に厚さ150nmのITO陽
極を製膜した透明支持基板（東京三容真空（株）製）を
エッチングし、洗浄した。この透明支持基板の陽極上に
ポリ[(3,4-エチレンジオキシ)-2,5-チオフェン]・ポリ
スチレンスルホン酸分散物（Bayer社製「Baytron P」、
固形分：1.3％）をスピンコートし、150℃で２時間真空
乾燥して膜厚100nmの塗布層を形成した。更に、この上
に40mgのポリ(N-ビニルカルバゾール)（PVK）、12mgの2
-(4'-t-ブチルフェニル)-5-(4''-(フェニル)フェニル)-
1,3,4-オキサジアゾール（PBD）及び10mgのクマリン-6
を３mlの1,2-ジクロロエタンに溶解してなる溶液をスピ
ンコートし、膜厚が約120nmの塗布層を形成した。最後
にこの層の上に、発光面積が５mm×５mmとなるようにパ
ターニングしたマスクを設置し、蒸着装置内でマグネシ
ウム及び銀（マグネシウム／銀＝10／１）を共蒸着して
膜厚250nmの陰極を形成し、更に銀を蒸着して膜厚300nm
の保護層を形成して、比較例１の有機発光素子を製造し
た。PBDに換えて、以下に示す公知の有機発光素子材料D
-1〜D-5、並びに本発明の有機発光素子材料P-1、P-2、P
-5、P-7、P-10、P-11、P-15及びP-20のいずれかを電子
輸送材料として用いたこと以外は前述した比較例１の有
機発光素子と同様に、比較例２〜６及び実施例１〜８の
有機発光素子をそれぞれ作製した。

【化30】

【００６０】製造した各有機発光素子に、東陽テクニカ
製「ソースメジャーユニット2400型」を用いて直流定電
圧を印加して発光させ、その発光輝度をトプコン社製
「輝度計BM-8」を用いて測定した。各有機発光素子の、
用いた有機発光素子材料、18Vの電圧を印加したときの
輝度、及び最高輝度を表１に併せて示す。

【００６１】

【表１】

【００６２】表１より、比較例１〜６の有機発光素子と
比較して、実施例１〜８の本発明の有機発光素子は高輝
度の発光が可能であることがわかる。

【００６３】実施例９〜16及び比較例７〜12 発光材料クマリン-6に換えて、以下に示す三重項励起子
からの発光が可能なイリジウム錯体発光材料を用いたこ
と以外は上記実施例１〜８及び比較例１〜６と同様に、
実施例９〜16及び比較例７〜12の有機発光素子をそれぞ
れ製造した。

【化31】

【００６４】製造した各有機発光素子に、東陽テクニカ
製「ソースメジャーユニット2400型」を用いて直流定電
圧を印加して発光させ、その発光輝度をトプコン社製
「輝度計BM-8」を用いて測定した。各有機発光素子の、
用いた有機発光素子材料、18Vの電圧を印加したときの
輝度、及び最高輝度を表２に併せて示す。

【００６５】

【表２】

【００６６】表２より、比較例７〜12の有機発光素子と
比較して、実施例９〜16の本発明の有機発光素子は高輝
度の発光が可能であることがわかる。また、実施例１〜
８の素子と実施例９〜16の素子との比較により、本発明
の有機発光素子においては、発光材料として三重項励起
子から発光が可能な発光材料を使用することにより、発
光特性がより一層改善されることが明らかとなった。

【００６７】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の合成方法
によれば特定のヘテロ芳香族環含有ポリマーに誘導可能
なヘテロ芳香族環含有ビニルモノマーを簡便に合成でき
る。また、該ポリマーからなる有機発光素子材料を用い
た有機発光素子は高輝度の発光が可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０７Ｄ 285/12 Ｃ０８Ｆ 12/02 Ｃ０８Ｆ 12/02 18/04 18/04 20/34 20/34 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｂ Ｈ０５Ｂ 33/14 33/22 Ｂ 33/22 Ｃ０７Ｄ 285/12 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB13 AB18 BB00 CA01 CA05 CB01 DA00 DB03 EB00 FA01 4C036 AD08 AD16 AD28 4C056 AA01 AB01 AB02 AC02 AC03 AD01 AD03 AE03 AF05 FA04 4J100 AB02Q AB07P AL03Q AL08P BA06P BB18P BC43P BC69P BC73P BC79P BC83P CA01 CA04 JA32

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式(1)により表される化合物と
   下記一般式(2)により表される化合物の反応によって、
   下記一般式(3)により表されるヘテロ芳香族環含有ビニ
   ルモノマーを合成することを特徴とするヘテロ芳香族環
   含有ビニルモノマーの合成方法。 【化１】 一般式(1)〜(3)中、Aは含窒素ヘテロアリーレン基を表
   し、R₁は水素原子、アルキル基、アリール基又はヘテロ
   環基を表し、R₂はアリーレン基、ヘテロアリーレン基又
   は結合を表し、R₃は水素原子、アルキル基、アリール基
   又はヘテロ環基を表し、R₄は-O-、-S-、-OCO-、-CO-、-
   COO-、-CONR₉-、-NR₉-、-NR₉CO-、-OCOO-、-OCONR₉-、-
   NR₉COO-、-NR₉CONR₁₀-、-SO₂-、-NR₉SO₂-、-SO₂NR₉-及
   び-NR₉SO₂NR₁₀-（R₉及びR₁₀はそれぞれ独立に水素原
   子、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。）
   からなる群から選ばれる２価結合基又は結合を表し、R₅
   は２価結合基又は結合を表し、R₆はアリーレン基又はヘ
   テロアリーレン基を表す。X及びYは一方がハロゲン原子
   であり、もう一方が下記一般式(4)： 【化２】 （R₇及びR₈はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ア
   リール基又はヘテロ環基を表し、互いに結合して環を形
   成してもよい。）により表されるホウ素含有基である。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のヘテロ芳香族環含有ビ
   ニルモノマーの合成方法において、前記一般式(1)によ
   り表される化合物と一般式(2)により表される化合物の
   反応が、パラジウム触媒を用いたカップリング反応であ
   ることを特徴とするヘテロ芳香族環含有ビニルモノマー
   の合成方法。
3. 【請求項３】 下記一般式(3)により表されるヘテロ芳
   香族環含有ビニルモノマーに由来するモノマー単位を含
   むポリマーからなることを特徴とする有機発光素子材
   料。 【化３】 一般式(3)中、Aは含窒素ヘテロアリーレン基を表し、R₁
   は水素原子、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を
   表し、R₂はアリーレン基、ヘテロアリーレン基又は結合
   を表し、R₃は水素原子、アルキル基、アリール基又はヘ
   テロ環基を表し、R₄は-O-、-S-、-OCO-、-CO-、-COO-、
   -CONR₉-、-NR₉-、-NR₉CO-、-OCOO-、-OCONR₉-、-NR₉COO
   -、-NR₉CONR₁₀-、-SO₂-、-NR₉SO₂-、-SO₂NR₉-及び-NR₉S
   O₂NR₁₀-（R₉及びR₁₀はそれぞれ独立に水素原子、アルキ
   ル基、アリール基又はヘテロ環基を表す。）からなる群
   から選ばれる２価結合基又は結合を表し、R₅は２価結合
   基又は結合を表し、R₆はアリーレン基又はヘテロアリー
   レン基を表す。
4. 【請求項４】 一対の電極間に有機層を有する有機発光
   素子において、前記有機層のうち少なくとも１層が請求
   項３に記載の有機発光素子材料を含有することを特徴と
   する有機発光素子。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の有機発光素子におい
   て、前記有機層のうち少なくとも１層が塗布法により形
   成されることを特徴とする有機発光素子。
6. 【請求項６】 請求項４又は５に記載の有機発光素子に
   おいて、三重項励起子からの発光が可能な発光材料を含
   有することを特徴とする有機発光素子。